TW202004968A - 保持晶圓清潔之傳送系統及方法 - Google Patents

保持晶圓清潔之傳送系統及方法 Download PDF

Info

Publication number
TW202004968A
TW202004968A TW108117958A TW108117958A TW202004968A TW 202004968 A TW202004968 A TW 202004968A TW 108117958 A TW108117958 A TW 108117958A TW 108117958 A TW108117958 A TW 108117958A TW 202004968 A TW202004968 A TW 202004968A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
wafer
cleaning chamber
robot arm
cover
hydrophobic
Prior art date
Application number
TW108117958A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI713137B (zh
Inventor
王翠薇
蔡永豊
彭垂亞
Original Assignee
台灣積體電路製造股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 台灣積體電路製造股份有限公司 filed Critical 台灣積體電路製造股份有限公司
Publication of TW202004968A publication Critical patent/TW202004968A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI713137B publication Critical patent/TWI713137B/zh

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67748—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber horizontal transfer of a single workpiece
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67126—Apparatus for sealing, encapsulating, glassing, decapsulating or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/6719—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the processing chambers, e.g. modular processing chambers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67754—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber horizontal transfer of a batch of workpieces
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68707—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a robot blade, or gripped by a gripper for conveyance
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68728—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a plurality of separate clamping members, e.g. clamping fingers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68764—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a movable susceptor, stage or support, others than those only rotating on their own vertical axis, e.g. susceptors on a rotating caroussel

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Robotics (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

在一實施例中，一種保持晶圓清潔之傳送系統，包括清潔腔室、第一機械手臂、第二機械手臂。第一機械手臂配置以將晶圓傳送進清潔腔室，其中第一機械手臂包括第一罩蓋，當晶圓在第一機械手臂上傳送時大致上覆蓋晶圓；清潔腔室配置以清潔晶圓；第二機械手臂配置以將晶圓傳送出清潔腔室，其中第二機械手臂包括第二罩蓋，當晶圓在第二機械手臂上傳送時大致上覆蓋晶圓，其中，第二機械手臂與第一機械手臂不同。

Description

保持晶圓清潔之傳送系統及方法
本揭露實施例係有關於一種晶圓傳送系統及方法，特別係有關於一種保持晶圓清潔的傳送系統及方法。
積體電路形成在晶圓或半導體基板上。積體電路的形成可包括許多的製程步驟像是各種層的沉積、蝕刻、烘烤。積體電路可被分成個別的晶粒，而晶粒可被封裝並黏貼至電路板。
在生產積體電路的各種製程步驟中，在晶圓表面上形成各種表面。在製程期間人造物(artifacts)也可能沿著晶圓的表面被沉積。因此，可能需要清潔這些晶圓上的人造物以增加晶圓的產品良率。
一種清潔且乾燥晶圓的方法是旋轉清潔。旋轉清潔包括分配(dispensing)一種液體清潔溶液到晶圓上並旋轉晶圓以移除溶液，因此，乾燥晶圓。然而，在這種旋轉清潔的過程，液體清潔溶液可能會潑濺或是凝結在旋轉清潔進行的清潔腔室中的表面。此潑濺或凝結的液體清潔溶液接著可能會滴下或形成在被傳送至旋轉清潔的晶圓上，或是從旋轉清潔傳送出的晶圓上，因而污染晶圓。因此，傳統傳送晶圓的技術並非令人完全滿意。
根據本揭露的一些實施例，提供一種保持晶圓清潔之傳送系統，包括清潔腔室、第一機械手臂、第二機械手臂。清潔腔室配置以清潔晶圓；第一機械手臂配置以將晶圓傳送進清潔腔室，其中第一機械手臂包括第一罩蓋，當晶圓在第一機械手臂上傳送時第一罩蓋大致上覆蓋晶圓；第二機械手臂配置以將晶圓傳送出清潔腔室，其中第二機械手臂包括第二罩蓋，當晶圓在第二機械手臂上傳送時第二罩蓋大致上覆蓋晶圓，其中，第二機械手臂與第一機械手臂不同。
根據本揭露的一些實施例，提供一種保持晶圓清潔之傳送系統，包括清潔腔室、第一機械手臂、第二機械手臂。清潔腔室包括開口，晶圓經由開口而在清潔腔室的內部以及清潔腔室的外部之間傳遞，其中開口塗佈有疏水層；第一機械手臂配置以經由開口將晶圓傳送進清潔腔室；第二機械手臂配置以經由開口將晶圓傳送出清潔腔室，其中第二機械手臂與第一機械手臂不同。
根據本揭露的一些實施例，提供一種保持晶圓清潔之傳送方法，包括以第一機械手臂將晶圓經由開口傳送進清潔腔室，其中第一機械手臂包括第一罩蓋，當晶圓在第一機械手臂上傳送時，第一罩蓋大致上覆蓋晶圓，且其中開口包括塗佈疏水層的表面；在清潔腔室中清潔晶圓；以及以第二機械手臂經由開口將晶圓傳送出清潔腔室，其中第二機械手臂包括第二罩蓋，當晶圓在第二機械手臂上傳送時，第二罩蓋大致上覆蓋晶圓。
以下的揭露描述許多不同典型的實施例以實行本揭露之不同特徵。以下敘述各個構件以及排列方式的特定範例，以簡化本揭露。當然，僅為範例且意圖不限於此。舉例來說，應了解的是當一元件被認為是被「連接於」或是「耦接於」另一元件時，元件可能直接連接於或是耦接於另一個元件，抑或是一個或是多個居中的元件。
此外，本揭露可能在不同範例中重複參考數字及/或文字。此重複係為了簡化以及清楚說明之目的，並非用以指定所討論的不同實施例及/或配置之間的關係。
除此之外，空間相關用詞，如：「在…下方」、 「下方」、「較低的」、「上方」、「較高的」等等的類似用詞，可在這裡使用以便於描述圖式中一個元件或特徵與另一個(些)元件或特徵之間的關係。除了在圖式中繪示的方位外，這些空間相關用詞涵蓋包含使用中或操作中的裝置之不同方位。設備可被轉向不同方位(旋轉90度或其他方位)，則在此使用的空間相關用詞亦可依此相同解釋。
如同前面所提到的，可施加液體清潔溶液到晶圓上而使非期望的人造物從晶圓上被清潔。液體清潔溶液可被施加至清潔腔室中的晶圓。可以藉由將晶圓浸至液體清潔溶液中且/或施加液體清潔溶液至晶圓上，而使液體清潔溶液被施加至晶圓上。在特定實施例中，當液體清潔溶液被施加至晶圓時，晶圓也可被旋轉以沿著晶圓分布(distribute)液體清潔溶液(例如，旋轉清潔)。然而，在以液體清潔溶液清潔晶圓的過程中，液體清潔溶液可能會沿著清潔腔室的表面沉積。此沉積可能來自液體清潔溶液從某一表面潑濺而沉積在清潔腔室的表面。此沉積也可能是因為當液體清潔溶液作為蒸氣沿著清潔腔室表面的凝結。當液體清潔溶液沿著清潔腔室沉積時，它也可能會滴落或掉落在清潔腔室中被傳送的晶圓上，造成非期望的損害或是將此被傳送的晶圓暴露至液體清潔溶液(例如，暴露至液體清潔溶液之意圖使用的環境之外的液體清潔溶液)。
因此，本揭露提供不同的乾式晶圓傳送系統的實施例。乾式晶圓傳送系統可能包括具罩蓋的(hooded)機械手臂以及/或疏水腔室。疏水腔室可為包括至少一個表面上覆蓋有疏水層的清潔腔室。且，具罩蓋的機械手臂可包括一種機械手臂，具有罩蓋在機械手臂之上，當機械手臂傳送晶圓時，罩蓋覆蓋被機械手臂固定的晶圓。在特定的實施例中，乾式晶圓傳送系統可包括具罩蓋的機械手臂以及疏水腔室兩者。然而，在其他實施例中，乾式晶圓傳送系統可只包括具罩蓋的機械手臂而沒有疏水腔室，或是替代地只包括疏水腔室而沒有具罩蓋的機械手臂。
疏水腔室可包括疏水層，配置以防止液體微滴沿著疏水腔室的表面形成。如同前述，這些液體微滴可能會掉落在被傳送至疏水腔室中的載台區(staging area)以及/或由載台區傳送出的晶圓上，造成非期望的損害或是將此被傳送的晶圓暴露至液體清潔溶液(例如，暴露至液體清潔溶液之意圖使用的環境之外的液體清潔溶液)。在特定實施例中，疏水腔室可包括沿著疏水腔室所有頂板以及側壁的疏水層。因此，液體不會沿著疏水腔室上部以及側壁凝結且形成微滴。在其他實施例中，疏水層可沿著疏水腔室的特定區域被沉積，像是只在疏水腔室的特定的頂板或側壁，或是結合疏水腔室的特定的頂板或側壁。頂板可認為是疏水腔室的內部表面，其位於疏水腔室的下方內部表面之上。且，側壁可認為是疏水腔室中，位於疏水腔室的頂板以及下方內部表面之間的表面。在特定的實施例中，疏水層可被沉積在疏水腔室中的儀器上。前述儀器可為整個機台或是用以清潔晶圓的機台的一部份。舉例來說，儀器可包括在進行晶圓清潔時輸送液體(例如，液體清潔溶液)到晶圓的液體輸送系統。舉例來說，疏水層可沿著儀器被沉積在一些區域，像是凝結或是液體可能會形成微滴而掉落至被傳送的晶圓上的區域。
在不同的實施例中，疏水腔室可包括開口，此開口可通過門打開以及關閉(例如，可移動地封閉)以到達用以清潔晶圓的疏水腔室中的機台或是儀器。前述開口可包括疏水層，舉例來說，此疏水層可沿著開口的頂板，使得凝結不會沿著開口的頂板形成而滴落液體至經由開口傳送的晶圓上。
如同前面所提到的，疏水腔室可配置以清潔晶圓。更精確地說，疏水腔室可包括一些儀器，這些儀器可***作以清潔放置在或是固定在疏水腔室中的晶圓。因此，未處理的晶圓(例如，尚未清潔的晶圓)可被帶入疏水腔室中以清潔，而清潔過的晶圓(例如，已經經過清潔處理的晶圓)可被移出疏水腔室。為了確保機械手臂傳送時，搬送晶圓的機械手臂不會弄髒晶圓，一個前處理(preprocessing)機械手臂可將晶圓帶至疏水腔室以清潔，而一個不同的後處理(postprocessing)機械手臂可將清潔過的(例如，已經處理的)晶圓移出疏水腔室。以另一種方式說，當傳送晶圓時前處理機械手臂可與後處理機械手臂交替地使用。
進一步說，罩蓋可與機械手臂一起利用，以遮擋液體微滴掉落在機械手臂上傳送的晶圓。在特定的實施例中，前處理機械手臂以及後處理機械手臂兩者都可包括罩蓋，以遮擋液體微滴掉落在機械手臂上傳送的晶圓。然而，在其他實施例中，只有傳送清潔過的晶圓的後處理機械手臂可包括罩蓋，而不傳送清潔過的晶圓(例如，傳送前處理未清潔的晶圓)的前處理機械手臂則不包括罩蓋。在不同的實施例中，罩蓋包括滴槽緣(drip edge)，其從罩蓋的一端(extremity)的周圍水平延伸，以引導來自罩蓋的液體遠離在具罩蓋的機械手臂上傳送的晶圓。在特定實施例中，此滴緣槽可沿著一端(例如，在罩蓋的末端)，或是在其他實施例中，滴緣槽可偏移且是靠近罩蓋的一端，而非沿著罩蓋的一端。且，罩蓋可至少與在具罩蓋的機械手臂上傳送的晶圓有共同空間。舉例來說，罩蓋與在具罩蓋的機械手臂上傳送的晶圓有一樣的共同空間(coextensive)(例如，具有相同的垂直剖面積)，或是罩蓋大於共同空間(例如，具有較大的垂直剖面積)。罩蓋也可以是傾斜的(例如，具有斜面的結構，而非水平)而使得來自罩蓋的液體沿著斜坡排出。
因此，包括具罩蓋的機械手臂以及疏水腔室兩者的乾式晶圓傳送系統可操作具罩蓋的機械手臂，使用具罩蓋的前處理機械手臂將晶圓傳送進疏水腔室，且使用具罩蓋的後處理機械手臂將晶圓傳送出疏水腔室。具罩蓋的前處理機械手臂可配置以經由疏水開口傳送晶圓，前述疏水開口包括至少一個表面塗蓋(例如，塗佈)有疏水層。且，具罩蓋的後處理機械手臂也可配置以經由疏水開口傳送晶圓，前述疏水開口包括至少一個表面塗蓋有疏水層。
在特定實施例中，疏水層可以為聚四氟乙烯(PTFE)以及全氟烷氧基樹脂(PFA)的至少其中之一種的層。疏水層可以傳統沉積疏水層的方式被沉積，在此將不討論細節。在不同的實施例中，疏水層在不同的位置可包括不同的材料，像是聚四氟乙烯在某一位置，而全氟烷氧基樹脂在另一位置。
第1圖係根據一些實施例之乾式晶圓傳送系統100之圖。乾式晶圓傳送系統100可包括疏水腔室102以及具罩蓋的機械手臂組件104。具罩蓋的機械手臂組件104可包括前處理具罩蓋的機械手臂104A以及後處理具罩蓋的機械手臂104B。每一個前處理具罩蓋的機械手臂104A以及後處理具罩蓋的機械手臂104B可包括個別的罩蓋105A、105B。具罩蓋的機械手臂組件104的罩蓋105A、105B的尺寸可設計為覆蓋設置於具罩蓋的機械手臂組件104上之晶圓。舉例來說，前處理具罩蓋的機械手臂104A之罩蓋105A或後處理具罩蓋的機械手臂104B之罩蓋105B可至少設置於具罩蓋的機械手臂組件104上或被具罩蓋的機械手臂組件104移動的晶圓的預設垂直剖面具有共同空間。具罩蓋的機械手臂組件104可包括控制器106，此控制器106可控制具罩蓋的機械手臂組件104使得前處理具罩蓋的機械手臂104A可與後處理具罩蓋的機械手臂104B交替地使用。舉例來說，前處理具罩蓋的機械手臂104A可被利用以傳送前處理晶圓而後處理具罩蓋的機械手臂104B可被利用以傳送後處理晶圓或是清潔過的晶圓。在特定實施例中，具罩蓋的機械手臂的罩蓋105A、105B可為剛性的且以不滲透液體的材料製成(例如，防水材料)。在其他實施例中，罩蓋105A、105B可為彈性的而具有被彈性材料(例如，防水纖維)連結的剛性框架。
具罩蓋的機械手臂組件104可與疏水腔室102共同***作。疏水腔室102可包括至少一層沿著疏水腔室102表面的疏水層110。更精確地說，疏水腔室102可包括遍及疏水腔室102內部表面的疏水層110，像是沿著頂板112、側壁114、門116、開口118，或是遍及疏水腔室102中的儀器120。儀器120可為疏水腔室102機台或是操作構件的部份，像是配置以輸送液體至晶圓126的上表面的液體輸送系統。液體可藉由噴嘴124被分配，而噴嘴124可具有不被疏水層110覆蓋的開孔，但此開孔可被疏水層110圍繞。
開口118可被配置以藉由門116打開且/或關閉，而門116配置以將疏水腔室102的內部102A封閉於疏水腔室102的外部102B。門116可利用水平移動汽缸130(例如，制動器)在水平方向被移動。門也可利用垂直移動汽缸132(例如，制動器)在垂直方向被移動。因此，門可藉由當水平移動汽缸130以及垂直移動汽缸132制動時的垂直以及水平的移動被打開以及關閉。每一個水平移動汽缸130以及垂直移動汽缸132係以虛線圖示以簡化圖示使其更易與門116分辨。又，可利用墊片使疏水腔室的內部102A與疏水腔室的外部102B被封閉，墊片位於疏水腔室102的門116以及側壁114之間的交界。
在操作中，晶圓126可被放置於晶圓載台140上。晶圓可藉由具罩蓋的機械手臂組件104被放置，具罩蓋的機械手臂組件104可移動晶圓至晶圓載台140上並將晶圓放置在晶圓載台140上。舉例來說，具罩蓋的機械手臂組件104可移動晶圓126至晶圓載台140上，接著降低晶圓126使得晶圓安置於晶圓載台140上而非具罩蓋的機械手臂組件104。這可藉由移動(例如，降低) 具罩蓋的機械手臂組件104至晶圓126下的間隙142中達成。然後，具罩蓋的機械手臂組件104可由疏水腔室102拿出。一旦被放置在晶圓載台140上，晶圓載台140可固定晶圓126於晶圓載台140上。晶圓可以多種方式的任一種被固定，像是藉由夾在晶圓的各端(例如，晶圓的上表面126A以及/或與晶圓的下表面126B鄰接的晶圓的一末端126C，以及晶圓的末端126C)。在特定實施例中，可藉由夾住晶圓的末端126C以及晶圓126的下表面126B固定晶圓126。在不同實施例中(未圖示)，晶圓載台140可藉由在晶圓126各端周圍夾住晶圓126的上表面126A以及晶圓126的下表面126B兩者，而將晶圓126固定在晶圓載台140上。在特定實施例中，晶圓載台140可包括在支柱上的彈性墊以藉由重力將晶圓支撐於定位。
晶圓載台140可被支持(例如，接合或是連結)於支座144，支座144可旋轉且使晶圓載台140也一同旋轉。如同接下來會更進一步提到的，晶圓載台140可為非連續(intermittent)的，因此可不完全地圍繞晶圓126的各端(例如，可不整個圍繞晶圓126的末端126C)。又，被晶圓載台140支撐的晶圓126可與支座頂面平行且隔著距離。晶圓載台140可使晶圓126依其中心軸水平地旋轉(rotate or spin)。此外，晶圓126可面朝上被擺放，其中具有像是電晶體的圖案或特徵的晶圓的側面面朝向噴嘴124，用於在其上噴灑液體(例如，清潔化學藥品以及漂洗水)，而晶圓126背面面向支座144。在特定實施例中，支座可具有與晶圓126大致上相同的形狀，且與晶圓126的整個表面積具共同空間。
在清潔期間，液體(例如，清潔化學藥品以及漂洗水)經由噴嘴124被饋入以產生噴霧或微滴流，當晶圓126被旋轉時前述噴霧或微滴流在晶圓126的上表面126A形成液體塗佈。儀器120之部份的槽可被耦接至饋入噴嘴124的管道。當槽中的液體被噴出噴嘴124時，可被利用以產生用於清潔晶圓的液體。用於清潔晶圓126的液體可包括，舉例來說，由濃硫酸(H2 SO4 )與過氧化氫(H2 O2 )混合之食人魚溶液；氫氧化氨與過氧化氫的混和液(APM)，包括氫氧化銨(NH4 OH)以及水(H2 O)；鹽酸與過氧化氫的混和液(HPM)，包括鹽酸(HCL)以及過氧化氫(H2 O2 )；氫氟酸(HF)；ST-250清潔溶液；臭氧(O3 )以及水(H2 O)；磷酸(H3 PO4 )；氫氧化四甲銨(TMAH)；二氧化碳以及水(H2 O)；水(H2 O)；異丙醇(IPA)；檸檬酸(C6 H8 O7 )；硝酸(HNO3 )；醋酸(C3COOH)；磷酸(H3 PO4 )、硝酸(HNO3 )以及氫氟酸(HF)的混合液；以及硝酸(HNO3 )、醋酸(C3COOH)以及磷酸(H3 PO4 )的混合液。
在特定實施例中，儀器120可被垂直移動(例如，降低)，使得噴嘴124以及噴嘴盤148(例如，儀器120的一部份，具有面向晶圓126的表面)更靠近晶圓。噴嘴盤148可減少由噴嘴124噴至晶圓上的液體沿著疏水腔室102的其他表面(例如，頂板或側壁)飛濺的量。
在特定實施例中，於清潔晶圓的液體也可由支座144之下噴嘴146被饋入，以填補支座144以及晶圓126之間的間隙142，以進一步沿著晶圓126的下表面126B清潔晶圓126。在特定實施例中，可加大晶圓126由晶圓載台140從支座144保持之間隙142 (例如，藉由移動晶圓載台140或是支座144兩者之一)以使晶圓126的下表面126B不會接觸到間隙142中的液體，而使晶圓126能以更快的速度被旋轉。因此，第二噴嘴(未圖示)可與噴嘴124分離或並置排列以在漂洗步驟時吹送氣體(例如，氮氣以及/或異丙醇(IPA)蒸氣)至晶圓126。
晶圓126可在施加液體清潔溶液或清潔化學藥品後使用水(例如，去離子水)漂洗。在特定實施例中，晶圓126在疏水腔室中(例如，在清潔或蝕刻過程中就地(in-situ)漂洗)暴露於液體清潔溶液以及漂洗水(例如，藉由噴嘴124以及下噴嘴146噴出的所有液體)兩者。
第2A圖係根據一些實施例之疏水層110基本上不在後壁202上的疏水腔室102之圖。後壁202可為側壁114，且此側壁114為沿著被設置開口118的側壁114的對向側壁114。疏水層110可沿著頂板112的一部份被設置，且還與後壁202鄰接到其也將鄰接著頂板112的程度。以另一種方式說明，疏水層110可與後壁202鄰接的長度大致上相似於疏水層的寬度。
第2B圖係根據一些實施例之與疏水層具有共同空間的疏水腔室102之圖。藉由具有共同空間，疏水層可由開口118延伸遍及疏水腔室102到機械手臂工作行程(例如，具罩蓋的機械手臂的工作行程)的最遠範圍210。如同前面所提到的，機械手臂可被利用以將晶圓傳送進或出疏水腔室102。機械手臂可在機械手臂工作行程(例如，定義出機械手臂可抵達的邊界之三維形狀)中操縱(例如，移動)晶圓。因此，疏水層可被施加在疏水腔室中從開口118到機械手臂工作行程的最遠範圍210的區域。由於疏水塗佈可不超過機械手臂工作行程的最遠範圍時，這可有利地減少在疏水腔室中施加的不必要的疏水塗佈的量。在機械手臂工作行程外的微滴掉落可能不會弄髒(例如，使不乾淨)由疏水腔室102傳送的被清潔過的晶圓。
第2C圖係根據一些實施例之沿著可滴落表面具有疏水層的疏水腔室102之圖。可滴落表面是指在疏水腔室中的表面，液體可能從該表面累積並且滴落至在疏水腔室中被機械手臂傳送的晶圓上。詳而言之，可滴落表面包括在機械手臂工作行程的最遠範圍210中的頂板112、儀器120、上側壁220、門116的上部222、以及開口118的頂板224。
第2D圖係根據一些實施例之沿著開口118具有疏水層110的疏水腔室102之圖。更精確地說，疏水層110可沿著開口118的頂板224。開口的頂板224可相對於開口的一部分，此開口的一部分不在被機械手臂傳送的晶圓的上方，像是開口118的底板228。
第2E圖係根據一些實施例之具有藉由抵接於疏水腔室底板252的基座250所支持的儀器120A的疏水腔室102之圖。不同於上述參考圖示中的儀器120，儀器120A可藉由底板252被支持而非疏水腔室102的頂板112。又，儀器120A可包括在儀器120A表面上的疏水層110。
第2F圖係根據一些實施例之門116在被打開的過程之圖。如同前面所介紹的，開口118可被配置以藉由門116被打開以及/或關閉。門116可被配置以將疏水腔室的內部102A封閉於疏水腔室的外部102B。門116可利用水平移動汽缸130(例如，制動器)在水平方向被移動。門116也可利用垂直移動汽缸132(例如，制動器)在垂直方向被移動。因此，門可藉由當水平移動汽缸130以及垂直移動汽缸132制動時的垂直以及水平的移動被打開以及關閉。又，可利用墊片使疏水腔室的內部102A與疏水腔室的外部102B被封閉，墊片位於疏水腔室102的門116以及側壁114之間的交界。又，疏水層110可被沉積於開口118的頂板上。
第2G圖係根據一些實施例之晶圓載台140之圖。晶圓126可被固定於晶圓載台140上。儀器120可包括具有面向晶圓126的表面的噴嘴盤。晶圓載台140可被支持(例如，接合或是連接)於支座144，支座144可旋轉且使晶圓載台140也一同旋轉。晶圓載台140可為非連續的，因此可不完全地圍繞晶圓126的各端(例如，可不整個圍繞晶圓126的末端)。又，被晶圓載台140支撐的晶圓126可與支座144頂面平行且隔著距離。
第3A圖係根據一些實施例之具罩蓋的機械手臂組件300A之圖。如同前面所介紹的，具罩蓋的機械手臂組件300A可包括前處理具罩蓋的機械手臂104A以及後處理具罩蓋的機械手臂104B。每一個前處理具罩蓋的機械手臂104A以及後處理具罩蓋的機械手臂104B可包括個別的罩蓋105A、105B。具罩蓋的機械手臂組件300A的罩蓋105A、105B的尺寸可設計為覆蓋有預定大小以及位置、設置於具罩蓋的機械手臂組件104上之晶圓。舉例來說，前處理具罩蓋的機械手臂104A上之罩蓋105A或後處理具罩蓋的機械手臂104B之罩蓋105B可以至少與設置於具罩蓋的機械手臂組件104上或被具罩蓋的機械手臂組件104移動的晶圓的垂直剖面具有共同空間。具罩蓋的機械手臂組件300A可包括控制器106，此控制器106可控制具罩蓋的機械手臂組件300A使得前處理具罩蓋的機械手臂104A可與後處理具罩蓋的機械手臂104B交替地使用。舉例來說，前處理具罩蓋的機械手臂104A可被利用以傳送前處理或未清潔的晶圓，而後處理具罩蓋的機械手臂104B可被利用以傳送後處理晶圓或是清潔過的晶圓。在特定實施例中，具罩蓋的機械手臂的罩蓋105A、105B可為剛性的且以不滲透水的材料製成(例如，防水材料)。在其他實施例中，罩蓋105A、105B可為彈性的而具有被彈性材料(例如，防水纖維)連結的剛性框架。
具罩蓋的機械手臂組件300A可包括可編程的機械手臂以抓取、支撐、以及操縱物件(例如，晶圓)。具罩蓋的機械手臂組件300A可包括夾持手302A、302B。每一個前處理具罩蓋的機械手臂104A以及後處理具罩蓋的機械手臂104B可具有個別的夾持手302A、302B。夾持手302A、302B可包括任何種類的效應器(effector)，此效應器用於藉由具罩蓋的機械手臂組件104夾持或支撐物件，像是晶圓。舉例來說，效應器可為壓力夾持器(gripper)(例如，藉由向物件施加壓力來夾持，像是用鉗式動作)、包圍夾持器(例如，藉由圍繞要操縱之物件來夾持)、真空夾持器(例如，藉由吸力夾持)、磁夾持器(例如，藉由使用電磁力夾持)。在特定實施例中，夾持手302A、302B可利用至少兩隻手指，其中一隻在另一隻的對向。多隻手指可被利用以施加壓力作為壓力夾持器以及或是做為包圍夾持器。在特定實施例中，用於前處理具罩蓋的機械手臂104A的夾持手302A可不同於用於後處理具罩蓋的機械手臂104B的夾持手302B。舉例來說，用於前處理具罩蓋的機械手臂104A的夾持手302A可具有3隻手指而用於後處理具罩蓋的機械手臂104B的夾持手302B可具有2隻手指。
具罩蓋的機械手臂組件300A的罩蓋105A、105B可包括滴槽緣304A、304B。滴槽緣304A、304B可為罩蓋105A、105B的延伸部，其大致上沿著垂直方向(例如，沿著垂直軸306)延伸，且滴槽緣304A、304B沿著垂直方向厚於罩蓋105A、105B的其他部分。更精確地說，滴槽緣304A、304B可為引導液體由罩蓋頂部308A、308B或是罩蓋側310A、310B滴下的材料，使得滴下的液體被引導遠離而非朝向被安置在具罩蓋的機械手臂組件300A的夾持手上的晶圓。舉例來說，液體可沿著頂部308A、308B累積且因重力沿著罩蓋側310A、310B滴落或掉落。具有滴槽緣，滴落的液體不會由罩蓋側310A、310B移動至罩蓋下側312A、312B。如第3A圖所示，滴槽緣304A、304B沿著相應的罩蓋105A、105B個別的末端315A、315B。又，罩蓋105A、105B的末端315A、315B的範圍317可延伸超過個別的夾持手302A、302B末端的對應範圍318。
第3B圖係根據一些實施例之具有偏移的滴槽緣322A、322B的具罩蓋的機械手臂組件300B之圖。不同於第3A圖中具罩蓋的機械手臂組件300A的滴槽緣304A、304B，第3B圖中具罩蓋的機械手臂組件300B的滴槽緣322A、322B可不在罩蓋105A、105B的末端315A、315B。取而代之，罩蓋105A、105B的末端315A、315B以及偏移的滴槽緣322A、322B之間可以存在距離或間隙。
第3C圖係根據一些實施例之不具有滴槽緣的具罩蓋的機械手臂組件300C之圖。不同於前面所提到的具罩蓋的機械手臂組件，第3C圖中具罩蓋的機械手臂組件300C可不具有滴槽緣。取而代之，罩蓋105A、105B不具有沿著垂直方向(例如，沿著垂直軸306)且厚於沿著垂直方向靠近罩蓋105A、105B的末端315A、315B的延伸部(即，沒有異垂直延伸部厚於罩蓋105A、105B的其他部分)。
第3D圖係根據一些實施例之罩蓋末端以及夾持手具有相同範圍的具罩蓋的機械手臂組件300D之圖。如圖所示，罩蓋105A、105B的末端315A、315B的範圍317與個別的夾持手302A、302B末端的對應範圍318相同。在特定實施例中，減少罩蓋佔據的空間量可能是有利的，因此使罩蓋末端以及夾持手具有相同範圍。在不同實施例中，罩蓋末端以及夾持手具有相同範圍的具罩蓋的機械手臂組件300D也可具有滴槽緣，如同前面所提到的。
第3E圖係根據一些實施例之具有晶圓基準點(wafer fiducials)352的具罩蓋的機械手臂組件350之圖。晶圓基準點352可以是夾持手354A、354B上的特徵或是標記，以指示應使用夾持手354抓取或處理晶圓355的位置。又，為簡化圖示，只圖示了一個罩蓋356，但每一個夾持手354A、354B可具有其各自的罩蓋，如同更之前所提到的。
第4圖係根據一些實施例之乾式晶圓傳送系統402中之各種功能模組之方塊圖。除了前面所提到的乾式晶圓傳送系統的各種特徵外，還可以存在這些功能模組。乾式晶圓傳送系統402可包括處理器404。在更進一步的實施例中，處理器404可以一個或多個處理器執行。
處理器404可***作地連接至計算機可讀取儲存裝置406(例如，記憶體以及/或數據儲存器)、網路連結408、使用者介面410、以及控制器412。在一些實施例中，計算機可讀取儲存裝置406可包括處理邏輯，處理邏輯可配置處理器404以進行在這裡所提到的不同的處理。計算機可讀取儲存裝置也可包括儲存數據，像是晶圓的識別碼、機械手臂的識別碼、夾持手的識別碼、清潔的識別碼或是在疏水腔室中進行處理程序的識別碼、以及任一其他可被使用以進行這邊所提到的各種處理的參數或資訊。
網路連結408可促進工作站與工作站之各種裝置以及/或構件的網路連結，而可在乾式晶圓傳送系統402內部或外部溝通。在特定實施例中，網路連結408可促進物理連結，像是配線或匯流排。在其他實施例中，網路連結408可藉由使用發送器、接收器以及/或收發器促進無線連結，像是無線區域網路(wireless local area network, WLAN)。舉例來說，網路連結模組408可以處理器404以及控制器412促進無線或有線連結。
乾式晶圓傳送系統402也可包括使用者介面410。使用者介面可包括用以輸入以及/或輸出至工作站之操作器的任一種介面，包括但不限定於顯示器、筆記型電腦、平板、或是行動裝置等。
乾式晶圓傳送系統402也可包括控制器412。控制器106(前面所提到的)可為第4圖中控制器412的一部份。控制器412可被配置以控制可控制乾式晶圓傳送系統402的移動或功能的各種物理設備，前述物理儀器，像是機械手臂、汽缸、噴嘴以及/或晶圓載台。舉例來說，控制器412可控制可移動機械手臂、汽缸、噴嘴以及/或晶圓載台的馬達。控制器可藉由處理器被控制，且可完成本文中所討論的各種處理的各種方面。
第5圖係根據一些實施例之乾式晶圓傳送處理500之流程圖。乾式晶圓傳送處理500可藉由乾式晶圓傳送系統進行，如同前面所介紹的。須注意的是，乾式晶圓傳送處理500僅為範例，並非意圖限制本揭露。因此，須了解的是，可提供額外的操作在第5圖中的乾式晶圓傳送處理500之前、期間或是之後，特定的操作可被刪除，特定的操作可與其他操作同時進行，且在這邊一些其他的操作可只簡短描述。
在操作502中，前處理(例如，未清潔的)晶圓可藉由具罩蓋的前處理機械手臂被傳送。如同前面所說明，未處理的晶圓(例如，尚未清潔的晶圓)可被帶入疏水腔室中以清潔，而清潔過的晶圓(例如，已經經過清潔處理的晶圓)可被移出疏水腔室。為了確保機械手臂傳送時，搬送晶圓的機械手臂不會弄髒晶圓，前處理機械手臂(例如，第一機械手臂)可將晶圓帶至疏水腔室以清潔，而不同的後處理機械手臂(例如，不同於第一機械手臂的第二機械手臂)可將清潔過的(例如，已經處理的)晶圓移出疏水腔室。以另一種方式說，在傳送晶圓時，前處理機械手臂可與後處理機械手臂交替地使用。更進一步地說，罩蓋可與機械手臂(例如，前處理機械手臂以及/或後處理機械手臂) 一起利用，以遮擋液體微滴掉落在機械手臂上傳送的晶圓。
在操作504中，未處理的晶圓可被具罩蓋的前處理機械手臂傳送通過疏水開口。疏水開口可認為是具有疏水層、用以進入疏水腔室的開口。舉例來說，疏水層可沿著開口的頂板，使得凝結不會沿著開口的頂板形成而滴落液體至傳送通過開口的晶圓上。疏水開口可藉由門被打開以及關閉以到達在疏水腔室中用以清潔晶圓的機台。
在操作506中，未處理的(例如，未清潔的)晶圓可被放置在晶圓載台上以與清潔機台互動。晶圓可藉由具罩蓋的前處理機械手臂被放置，其中具罩蓋的前處理機械手臂移動晶圓至晶圓載台上並將晶圓放置在晶圓載台上。舉例來說，具罩蓋的前處理機械手臂可移動晶圓至晶圓載台上，接著降低晶圓使得晶圓安置於晶圓載台上而非具罩蓋的前處理機械手臂。這可藉由移動具罩蓋的前處理機械手臂至晶圓下的間隙中，然後，將具罩蓋的前處理機械手臂由疏水腔室102拿出而達成。一旦被放置在晶圓載台上，晶圓可被固定於晶圓載台上。晶圓可以各種方式的任一種被固定，像是藉由夾在晶圓的各端上。在特定實施例中，可藉由夾住晶圓的末端以及晶圓的下表面來固定晶圓。
在操作508中，清潔機台可***作以清潔晶圓。如同前面所介紹的，清潔機台可包括在疏水腔室中之各種不同的儀器以清潔晶圓。晶圓載台可被支持(例如，接合或是連結)於支座，支座可旋轉且使晶圓載台也一同旋轉。被晶圓載台支撐的晶圓可與支座頂面平行且隔著距離(例如，在晶圓下方具有間隙)。晶圓載台可依其中心軸水平地旋轉晶圓。此外，晶圓可面朝上被擺放，其中具有像是電晶體的圖案或特徵的晶圓的側面面朝向噴嘴124，用於在其上噴灑清潔化學藥品，而晶圓背面面向支座。
在清潔期間，液體(例如清潔化學藥品以及漂洗水)經由噴嘴被饋入以產生噴霧或微滴流，當晶圓被旋轉時前述噴霧或微滴流在晶圓的上表面形成液體塗佈。用以清潔晶圓的儀器之部份的槽可被耦接至饋入噴嘴的管道。當槽中的液體被噴出噴嘴時，可被利用以產生用於清潔晶圓的液體。
晶圓126可在施加液體清潔溶液或清潔化學藥品後使用水(例如，去離子水)漂洗。在特定實施例中，晶圓在疏水腔室中暴露於液體清潔溶液以及漂洗水兩者。
在操作510中，清潔過的(例如，處理過的)晶圓可使用具罩蓋的後處理機械手臂從機台被取出。舉例來說，具罩蓋的後處理機械手臂可移動其夾持手至晶圓下方的間隙中(此間隙位於晶圓以及下方的支座之間)，而將晶圓由支座上舉起，並從疏水腔室收回。在特定實施例中，在具罩蓋的後處理機械手臂移動晶圓前，晶圓由被晶圓載台主動夾持或固定的狀態變成被解除鎖定的(例如，未被固定的)。
在操作512中，清潔過的晶圓可被具罩蓋的後處理機械手臂傳送通過疏水開口。藉由傳送通過疏水開口，具罩蓋的後處理機械手臂可從疏水腔室傳送清潔過的晶圓。
在一實施例中，一種保持晶圓清潔之傳送系統包括清潔腔室、第一機械手臂及第二機械手臂。第一機械手臂配置以將晶圓傳送進清潔腔室，其中第一機械手臂包括第一罩蓋，當晶圓在第一機械手臂上傳送時大致上覆蓋晶圓；清潔腔室配置以清潔晶圓；第二機械手臂配置以將晶圓傳送出清潔腔室，其中第二機械手臂包括第二罩蓋，當晶圓在第二機械手臂上傳送時大致上覆蓋晶圓，其中，第二機械手臂與第一機械手臂不同。在一實施例中，第一罩蓋包括斜坡，配置以將來自第一罩蓋的液體沿著斜坡排出。在一實施例中，第一罩蓋包括剖面積，此剖面積大於晶圓。在一實施例中，第一罩蓋包括滴槽緣沿著第一罩蓋的一端，其中滴槽緣係配置以引導滴下的液體離開晶圓。在一實施例中，清潔腔室包括噴嘴盤，當晶圓被固定於清潔腔室中時，噴嘴盤設置於晶圓之上方，其中噴嘴盤沿著配置以面向晶圓的表面塗佈有疏水層。在一實施例中，清潔腔室係配置以在清潔腔室中固定晶圓；當晶圓固定在清潔腔室中時，旋轉晶圓；以及當晶圓旋轉時施加液體至晶圓上。在一實施例中，液體包括下列至少其中一種：食人魚溶液，由濃硫酸(H2 SO4 )與過氧化氫(H2 O2 )混合；氫氧化氨與過氧化氫的混和液(APM)，包括氫氧化銨(NH4 OH)以及水(H2 O)；鹽酸與過氧化氫的混和液(HPM)，包括鹽酸(HCL)以及過氧化氫(H2 O2 )；氫氟酸(HF)；ST-250清潔溶液；臭氧(O3 )以及水(H2 O)；磷酸(H3 PO4 )；氫氧化四甲銨(TMAH)；二氧化碳以及水(H2 O)；水(H2 O)；異丙醇(IPA)；檸檬酸(C6 H8 O7 )；硝酸(HNO3)；醋酸(C3COOH)；磷酸(H3 PO4 )、硝酸(HNO3)以及氫氟酸(HF)的混合液；以及硝酸(HNO3)、醋酸(C3COOH)以及磷酸(H3 PO4 )的混合液。在一實施例中，清潔腔室包括開口，晶圓經由開口而在清潔腔室的內部以及清潔腔室的外部之間傳遞，其中開口塗佈有疏水層。在一實施例中，開口係配置以門可移動地封閉，且面向清潔腔室的內部的門的表面塗佈有疏水層。在一實施例中，清潔腔室之頂板塗佈有疏水層。
在另一實施例中，一種保持晶圓清潔之傳送系統包括清潔腔室、第一機械手臂、第二機械手臂。清潔腔室包括開口，晶圓經由開口而在清潔腔室的內部以及清潔腔室的外部之間傳遞，其中開口塗佈疏水層；第一機械手臂配置以經由開口將晶圓傳送進清潔腔室；第二機械手臂配置以經由開口將晶圓傳送出清潔腔室，其中第二機械手臂與第一機械手臂不同。在一實施例中，疏水層包括下列至少其中一種：聚四氟乙烯(PTFE)以及全氟烷氧基樹脂(PFA)。在一實施例中，清潔腔室包括噴嘴盤，當晶圓被固定於清潔腔室中時，噴嘴盤設置於晶圓之上方，其中噴嘴盤沿著配置以面向晶圓的表面塗佈有疏水層。在一實施例中，開口係配置以門可移動地封閉，且面向清潔腔室的內部的門的表面塗佈有疏水層。在一實施例中，清潔腔室之頂板塗佈有疏水層。
在另一實施例中，一種保持晶圓清潔之傳送方法包括以第一機械手臂經由開口將晶圓傳送進清潔腔室，其中第一機械手臂包括第一罩蓋，當晶圓在第一機械手臂上傳送時第一罩蓋大致上覆蓋晶圓，且其中開口包括塗佈有疏水層的表面；在清潔腔室中清潔晶圓；以及以第二機械手臂將晶圓經由開口傳送出清潔腔室，其中第二機械手臂包括第二罩蓋，當晶圓在第二機械手臂上傳送時第二罩蓋大致上覆蓋晶圓。在一實施例中，此方法更包括在清潔腔室中固定晶圓；當晶圓固定在清潔腔室中時，旋轉晶圓；以及當晶圓旋轉時施加液體至晶圓上。在一實施例中，疏水層包括下列至少其中一種：聚四氟乙烯(PTFE)以及全氟烷氧基樹脂(PFA)。在一實施例中，清潔腔室包括噴嘴盤，設置於晶圓被固定於清潔腔室時之上方，其中噴嘴盤沿著面向晶圓的表面塗佈有疏水層。在一實施例中，面向清潔腔室的內部的門的表面塗佈有疏水層。
前面概述數個實施例之特徵，使得本技術領域中具有通常知識者可更好地理解本揭露的各方面。本技術領域中具有通常知識者應理解的是，可輕易地使用本揭露作為設計或修改其他製程以及結構的基礎，以實現在此介紹的實施例之相同目的及/或達到相同優點。本技術領域中具有通常知識者亦應理解的是，這樣的等同配置不背離本揭露的精神以及範圍，且在不背離本揭露之精神以及範圍的情況下，可對本揭露進行各種改變、替換以及更改。
在本文中，這裡所使用的用詞「模組」，可指為軟體、韌體、硬體、或是在這裡所提到的用以進行相關功能的這些元件的任一種結合。此外，為了討論的目的，不同的模組被描述為分立的模組；然而，對於本技術領域中具有通常知識者明顯的是，兩個或多個模組可被結合以形成一個單一模組，而此單一模組可根據本發明之實施例進行相關功能。
在本技術領域中具有通常知識者更應理解的是，這邊所提到的不同的說明性的邏輯方塊、模組、處理器、手段、電路、方法和功能中的任一種，與本揭露各方面有連結者，可以藉由電子硬體(例如， 數位實現、類比實現、或是兩者的結合)、韌體、程式的不同形式或包含指令的設計代碼(為方便起見，這裡可指為「軟體」或「軟體模組」)，或是任一種這些技術的結合被實現。為了清楚地說明硬體、韌體以及軟體的這種可互換性，前面已經總體上根據功能描述了不同的說明性的構件、方塊、模組、電路和步驟。無論這種功能是否被實現為硬體、韌體或軟體，或這些技術的結合，取決於特定應用以及強加於整體系統的設計限制。技術人員可以針對每個特定應用以不同的方式實現上述的功能，但是這樣的實現決策不背離本揭露的範圍。
更進一步地說，在本技術領域中具有通常知識者應理解的是，在這邊所提到的不同的說明性的邏輯方塊、模組、裝置、構件以及電路，可實現在積體電路(integrated circuit, IC)中或是藉由積體電路被進行，積體電路可包括一般目的處理器、數位信號處理器(digital signal processor, DSP)、特殊應用積體電路(application specific integrated circuit, ASIC)、現場可程式化邏輯閘陣列(field programmable gate array, FPGA)或其他可程式化邏輯裝置、或是任一種這些的結合。邏輯方塊、模組、以及電路可更包括天線以及/或收發器以在網路中或是儀器中與不同的構件溝通。一般目的處理器可為微處理器，但也可交替為習知的處理器、控制器、或是狀態機之任一種。處理器也可被實現為計算機裝置之結合，例如，數位信號處理器以及微處理器的結合、多個微處理器、一個或多個微處理器與數位信號處理器的核心接合、或是任一種其他合適的結構以進行這邊所提到的功能。
除非另外特別說明，否則諸如「可」、「可以」、「可能」或「會」之類的條件用語，在上下文中通常被理解為用於表達特定實施例包括特定特徵、元件以及/或步驟、而其他實施例不包括特定特徵、元件以及/或步驟。 因此，這種條件用語通常不意圖隱含一個或多個實施例以任一種方式所需要的特徵、元件以及/或步驟，或是不意圖隱含一個或多個實施例必然包括具有或不具有使用者放入或驅使的判斷邏輯，無論這些特徵、元件以及/或步驟是否在任一特定實施例中被包括或進行。
此外，在讀過本揭露後，在本技術領域中具有通常知識者能夠配置功能實體以進行這邊所提到的操作。這裡所使用的用詞「配置」係關於特定的操作或是功能，可指為系統、裝置、構件、電路、結構、機器等物理上或是實際上被架構、編程以及/或安排以進行特定的操作或是功能。
除非另外特別說明，否則轉折用語像是句子「X、Y、Z中之至少一個」，在上下文中通常被理解為用於表現項目、條目等可為X、Y、Z中之一或是任一個它們的組合(例如，X、Y、以及/或Z)。因此，這種轉折用語通常不意圖，且不應該隱含需要至少一個X、至少一個Y、或至少一個Z出現的特定的實施例。
須強調的是，可對於上述的實施例、在其他可接受的範例中已知的元件作許多變化以及修改。所有這樣的修改以及變化意圖被包括本揭露的範圍中且由下述的申請專利範圍被保護。
100、402‧‧‧乾式晶圓傳送系統 102‧‧‧疏水腔室 102A‧‧‧內部 102B‧‧‧外部 104、300A、300B、300C、300D、350‧‧‧具罩蓋的機械手臂組件 104A‧‧‧前處理具罩蓋的機械手臂 104B‧‧‧後處理具罩蓋的機械手臂 105A、105B、356‧‧‧罩蓋 106‧‧‧控制器 110‧‧‧疏水層 112、224‧‧‧頂板 114‧‧‧側壁 116‧‧‧門 118‧‧‧開口 120、120A‧‧‧儀器 124‧‧‧噴嘴 126、355‧‧‧晶圓 126A‧‧‧上表面 126B‧‧‧下表面 126C‧‧‧末端 130‧‧‧水平移動汽缸 132‧‧‧垂直移動汽缸 140‧‧‧晶圓載台 142‧‧‧間隙 144‧‧‧支座 146‧‧‧下噴嘴 148‧‧‧噴嘴盤 202‧‧‧後壁 210‧‧‧機械手臂工作行程的最遠範圍 220‧‧‧上側壁 222‧‧‧上部 228、252‧‧‧底板 250‧‧‧基座 302A、302B、354A、354B‧‧‧夾持手 306‧‧‧垂直軸 308A、308B‧‧‧頂部 310A、310B‧‧‧罩蓋側 312A、312B‧‧‧罩蓋內側 315A、315B‧‧‧末端 317、318‧‧‧範圍 352‧‧‧基準點 404‧‧‧處理器 406‧‧‧計算機可讀取儲存裝置 408‧‧‧網路連結/網路連結模組 410‧‧‧使用者介面 412‧‧‧控制器 500‧‧‧乾式晶圓傳送處理 502、504、506、508、510、512‧‧‧操作
當閱讀所附圖式時，從以下的詳細描述能最佳理解本揭露之各方面。應注意的是，不同特徵並未一定按照比例繪製。事實上，可任意的放大或縮小不同特徵的大小及幾何尺寸，以做清楚的說明。 第1圖係根據一些實施例之乾式晶圓傳送系統之圖。 第2A圖係根據一些實施例之後壁無疏水層的疏水腔室之圖。 第2B圖係根據一些實施例之與疏水層具有共同空間的疏水腔室之圖。 第2C圖係根據一些實施例之沿著開口、前壁以及頂板具有疏水層的疏水腔室之圖。 第2D圖係根據一些實施例之沿著開口具有疏水層的疏水腔室之圖。 第2E圖係根據一些實施例之底板所支持的儀器上方具有共同空間的疏水層的疏水腔室之圖。 第2F圖係根據一些實施例之在疏水腔室中的致動器之圖。 第2G圖係根據一些實施例之晶圓載台之圖。 第3A圖係根據一些實施例之具罩蓋的機械手臂之圖。 第3B圖係根據一些實施例之具有偏移的滴槽緣的具罩蓋的機械手臂之圖。 第3C圖係根據一些實施例之不具有滴槽緣的具罩蓋的機械手臂之圖。 第3D圖係根據一些實施例之罩蓋末端以及夾持手具有相同範圍的具罩蓋的機械手臂組件之圖。 第3E圖係根據一些實施例之具有晶圓基準點的具罩蓋的機械手臂組件之圖。 第4圖係根據一些實施例之乾式晶圓傳送系統中之各種功能模組之方塊圖。 第5圖係根據一些實施例之乾式晶圓傳送過程之流程圖。
100‧‧‧乾式晶圓傳送系統
102‧‧‧疏水腔室
102A‧‧‧內部
102B‧‧‧外部
104‧‧‧具罩蓋的機械手臂組件
104A‧‧‧前處理具罩蓋的機械手臂
104B‧‧‧後處理具罩蓋的機械手臂
105A、105B‧‧‧罩蓋
106‧‧‧控制器
110‧‧‧疏水層
112‧‧‧頂板
114‧‧‧側壁
116‧‧‧門
118‧‧‧開口
120‧‧‧儀器
124‧‧‧噴嘴
126‧‧‧晶圓
126A‧‧‧上表面
126B‧‧‧下表面
126C‧‧‧末端
130‧‧‧水平移動汽缸
132‧‧‧垂直移動汽缸
140‧‧‧晶圓載台
142‧‧‧間隙
144‧‧‧支座
146‧‧‧下噴嘴
148‧‧‧噴嘴盤

Claims (20)

  1. 一種保持晶圓清潔之傳送系統，包括： 一清潔腔室，配置以清潔一晶圓； 一第一機械手臂，配置以將該晶圓傳送進該清潔腔室，其中該第一機械手臂包括一第一罩蓋，當該晶圓在該第一機械手臂上傳送時該第一罩蓋大致上覆蓋該晶圓；以及 一第二機械手臂，配置以將該晶圓傳送出該清潔腔室，其中該第二機械手臂包括一第二罩蓋，當該晶圓在該第二機械手臂上傳送時該第二罩蓋大致上覆蓋該晶圓，其中，該第二機械手臂與該第一機械手臂不同。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之保持晶圓清潔之傳送系統，其中該第一罩蓋包括一斜坡，配置以將來自該第一罩蓋的液體沿著該斜坡排出。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之保持晶圓清潔之傳送系統，其中該第一罩蓋包括一剖面積，該剖面積大於該晶圓。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之保持晶圓清潔之傳送系統，其中該第一罩蓋包括一滴槽緣沿著該第一罩蓋的一端，其中該滴槽緣係配置以引導滴下的液體離開該晶圓。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之保持晶圓清潔之傳送系統，其中該清潔腔室包括一噴嘴盤，當該晶圓被固定於該清潔腔室中時，該噴嘴盤設置於該晶圓之上方，其中該噴嘴盤沿著配置以面向該晶圓的一表面塗佈有一疏水層。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之保持晶圓清潔之傳送系統，其中該清潔腔室係配置以： 在該清潔腔室中固定該晶圓； 當該晶圓固定在該清潔腔室中時，旋轉該晶圓；以及 當該晶圓旋轉時施加一液體至該晶圓上。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之保持晶圓清潔之傳送系統，其中該液體包括下列至少其中一種： 一食人魚溶液，由濃硫酸(H2 SO4 )與過氧化氫(H2 O2 )混合； 一氫氧化氨與過氧化氫的混和液(APM)，包括氫氧化銨(NH4 OH)以及水(H2 O)； 一鹽酸與過氧化氫的混和液(HPM)，包括鹽酸(HCL)以及過氧化氫(H2 O2 )； 氫氟酸(HF)； 一ST-250清潔溶液； 臭氧(O3 )以及水(H2 O)； 磷酸(H3 PO4 )； 氫氧化四甲銨(TMAH)； 二氧化碳以及水(H2 O)； 水(H2 O)； 異丙醇(IPA)； 檸檬酸(C6 H8 O7 )； 硝酸(HNO3)； 醋酸(C3COOH)； 一磷酸(H3 PO4 )、硝酸(HNO3)以及氫氟酸(HF)的混合液；以及 一硝酸(HNO3)、醋酸(C3COOH)以及磷酸(H3 PO4 )的混合液。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之保持晶圓清潔之傳送系統，其中該清潔腔室包括一開口，該晶圓經由該開口而在該清潔腔室的一內部以及該清潔腔室的一外部之間傳遞，其中該開口塗佈有一疏水層。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之保持晶圓清潔之傳送系統，其中該開口係配置以一門可移動地封閉，且面向該清潔腔室的該內部的該門的一表面塗佈有該疏水層。
  10. 如申請專利範圍第1項所述之保持晶圓清潔之傳送系統，其中該清潔腔室之一頂板塗佈有一疏水層。
  11. 一種保持晶圓清潔之傳送系統，包括： 一清潔腔室，包括一開口，一晶圓經由該開口而在該清潔腔室的一內部以及該清潔腔室的一外部之間傳遞，其中該開口塗佈有一疏水層； 一第一機械手臂，配置以經由該開口將該晶圓傳送進該清潔腔室；以及 一第二機械手臂，配置以經由該開口將該晶圓傳送出該清潔腔室，其中該第二機械手臂與該第一機械手臂不同。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之保持晶圓清潔之傳送系統，其中該疏水層包括下列至少其中一種： 聚四氟乙烯(PTFE)；以及 全氟烷氧基樹脂(PFA)。
  13. 如申請專利範圍第11項所述之保持晶圓清潔之傳送系統，其中該清潔腔室包括一噴嘴盤，當該晶圓被固定於該清潔腔室中時，該噴嘴盤設置於該晶圓之上方，其中該噴嘴盤沿著配置以面向該晶圓的一表面塗佈有一疏水層。
  14. 如申請專利範圍第13項所述之保持晶圓清潔之傳送系統，其中該開口係配置以一門可移動地封閉，且面向該清潔腔室的該內部的該門的一表面塗佈有該疏水層。
  15. 如申請專利範圍第11項所述之保持晶圓清潔之傳送系統，其中該清潔腔室之一頂板塗佈有該疏水層。
  16. 一種保持晶圓清潔之傳送方法，包括： 以一第一機械手臂將一晶圓經由一開口傳送進一清潔腔室，其中： 該第一機械手臂包括一第一罩蓋，當該晶圓在該第一機械手臂上傳送時，該第一罩蓋大致上覆蓋該晶圓； 該開口包括塗佈有一疏水層的一表面； 在該清潔腔室中清潔該晶圓；以及 以一第二機械手臂將該晶圓經由該開口傳送出該清潔腔室，其中該第二機械手臂包括一第二罩蓋，當該晶圓在該第二機械手臂上傳送時，該第二罩蓋大致上覆蓋該晶圓。
  17. 如申請專利範圍第16項所述之保持晶圓清潔之傳送方法，更包括： 在該清潔腔室中固定該晶圓； 當該晶圓固定在該清潔腔室中時，旋轉該晶圓；以及 當該晶圓旋轉時施加一液體至該晶圓上。
  18. 如申請專利範圍第16項所述之保持晶圓清潔之傳送方法，其中該疏水層包括下列至少其中一種：聚四氟乙烯(PTFE)以及全氟烷氧基樹脂(PFA)。
  19. 如申請專利範圍第16項所述之保持晶圓清潔之傳送方法，其中該清潔腔室包括一噴嘴盤，設置於該晶圓被固定於該清潔腔室時之上方，其中該噴嘴盤沿著面向該晶圓的一表面塗佈有該疏水層。
  20. 如申請專利範圍第16項所述之保持晶圓清潔之傳送方法，其中面向該清潔腔室的該內部的一門的一表面塗佈有該疏水層。
TW108117958A 2018-05-24 2019-05-24 保持晶圓清潔之傳送系統及方法 TWI713137B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US15/988,326 US11139183B2 (en) 2018-05-24 2018-05-24 Systems and methods for dry wafer transport
US15/988,326 2018-05-24

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW202004968A true TW202004968A (zh) 2020-01-16
TWI713137B TWI713137B (zh) 2020-12-11

Family

ID=68614108

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW108117958A TWI713137B (zh) 2018-05-24 2019-05-24 保持晶圓清潔之傳送系統及方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US11139183B2 (zh)
CN (1) CN110534467B (zh)
TW (1) TWI713137B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI791353B (zh) * 2020-12-31 2023-02-01 中國大陸商拓荆科技股份有限公司 傳送晶圓之方法及機械手臂

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10790466B2 (en) * 2018-12-11 2020-09-29 Feng-wen Yen In-line system for mass production of organic optoelectronic device and manufacturing method using the same system
KR102387088B1 (ko) * 2019-10-31 2022-04-15 세메스 주식회사 기판 처리 장치
CN113078089A (zh) * 2021-06-07 2021-07-06 北京北方华创微电子装备有限公司 晶圆转移装置、半导体工艺设备、晶圆转移控制方法
CN116995024A (zh) * 2022-04-26 2023-11-03 重庆康佳光电科技有限公司 晶圆取放装置及刻蚀设备、晶圆拾取方法

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4718975A (en) * 1986-10-06 1988-01-12 Texas Instruments Incorporated Particle shield
JP3337870B2 (ja) 1995-05-11 2002-10-28 大日本スクリーン製造株式会社 回転式基板洗浄装置
TW386235B (en) 1995-05-23 2000-04-01 Tokyo Electron Ltd Method for spin rinsing
JP2000040730A (ja) 1998-07-24 2000-02-08 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板搬送装置および基板処理装置
US6516816B1 (en) 1999-04-08 2003-02-11 Applied Materials, Inc. Spin-rinse-dryer
US6406359B1 (en) * 1999-06-01 2002-06-18 Applied Materials, Inc. Apparatus for transferring semiconductor substrates using an input module
US7021319B2 (en) 2000-06-26 2006-04-04 Applied Materials Inc. Assisted rinsing in a single wafer cleaning process
US20030029479A1 (en) * 2001-08-08 2003-02-13 Dainippon Screen Mfg. Co, Ltd. Substrate cleaning apparatus and method
JP2003092335A (ja) * 2001-09-18 2003-03-28 Toshiba Corp 基板搬送装置、これを用いた基板処理装置および基板処理方法
WO2003096410A1 (fr) * 2002-05-10 2003-11-20 Tokyo Electron Limited Dispositif de traitement de substrat
JP2006013107A (ja) * 2004-06-25 2006-01-12 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
US20060035475A1 (en) 2004-08-12 2006-02-16 Applied Materials, Inc. Semiconductor substrate processing apparatus
US7611589B2 (en) 2005-03-04 2009-11-03 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Methods of spin-on wafer cleaning
JP4959457B2 (ja) * 2007-07-26 2012-06-20 東京エレクトロン株式会社 基板搬送モジュール及び基板処理システム
TW201013760A (en) * 2008-09-17 2010-04-01 Inotera Memories Inc A wafer base clean room and a method of using the wafer base clean room
JP5604371B2 (ja) * 2011-06-09 2014-10-08 東京エレクトロン株式会社 液処理装置および液処理方法
JP2013247283A (ja) * 2012-05-28 2013-12-09 Tokyo Electron Ltd 搬送機構、搬送方法及び処理システム
CN106170876B (zh) 2014-12-15 2018-02-06 韩国生产技术研究院 喷嘴头，制造该喷嘴头的方法和具有该喷嘴头的液体供给设备
DE102015101897A1 (de) * 2015-02-10 2016-08-11 Ev Group E. Thallner Gmbh Vorrichtung und Verfahren zum zumindest teilweisen Lösen einer Verbindungsschicht eines temporär verbondeten Substratstapels
US10400323B2 (en) 2016-11-04 2019-09-03 Lam Research Corporation Ultra-low defect part process
TWI770115B (zh) * 2017-02-06 2022-07-11 新加坡商平面半導體公司 加工汙水之去除

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI791353B (zh) * 2020-12-31 2023-02-01 中國大陸商拓荆科技股份有限公司 傳送晶圓之方法及機械手臂

Also Published As

Publication number Publication date
CN110534467A (zh) 2019-12-03
TWI713137B (zh) 2020-12-11
US20190362990A1 (en) 2019-11-28
CN110534467B (zh) 2022-01-25
US11139183B2 (en) 2021-10-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI713137B (zh) 保持晶圓清潔之傳送系統及方法
US20090070946A1 (en) Apparatus for and method of processing substrate
US20180345327A1 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
US20190341276A1 (en) Integrated semiconductor part cleaning system
KR19990007018A (ko) 세정 건조처리 방법 및 그 장치
JPH11257851A (ja) 乾燥装置及び乾燥方法
JP6298318B2 (ja) 基板処理方法および基板処理装置
JP2008172160A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
CN113043158B (zh) 清洗装置、研磨装置
US11355366B2 (en) Systems and methods for shuttered wafer cleaning
US6807972B2 (en) Gutter and splash-guard for protecting a wafer during transfer from a single wafer cleaning chamber
TWI595935B (zh) 清潔晶圓之方法
JP5680705B2 (ja) 基板処理方法
KR20100071895A (ko) 세정 장치, 기판 처리 시스템, 세정 방법, 프로그램 및 컴퓨터 기억 매체
JP5276559B2 (ja) 基板処理方法および基板処理装置
JP2000260858A (ja) ウェハ搬送用ハンド、及び、これを用いたウェハ搬送方法
JP3902027B2 (ja) 基板処理装置
TWI623964B (zh) 具有可有效應用於共享周圍環境之多數處理裝置的基板處理系統與相關之方法
JP6100486B2 (ja) 浸漬式の洗浄装置
CN109545714B (zh) 晶圆清洗装置及其工作方法
TW202021680A (zh) 清潔系統以及清潔方法
KR102415323B1 (ko) 노즐 유닛 및 기판 처리 장치
CN112309825A (zh) 传送晶圆的机械手臂及晶圆清洗装置
JP2024053341A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP2000260857A (ja) ウェハ搬送ロボットを用いたウェハ受渡し方法、及び、ウェハ処理装置