JP2006013107A - 基板処理装置 - Google Patents

Abstract

【課題】 基板を非接触で、しかも所望の基板処理位置に位置決めすることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】 搬送ロボットにより未処理基板Ｗが基板受渡し位置Ｐ１に搬送されてくると、基板浮上ヘッド７１によって未処理基板Ｗはその下面に向けて吐出される不活性ガスにより浮上させられる。続いて、未処理基板Ｗを浮上させている基板浮上ヘッド７１がアクチュエータ７４の作動により降下される。そして、未処理基板Ｗが基板処理位置Ｐ３に達すると基板Ｗの下面周縁部は支持ピン３と係合して、さらに基板浮上ヘッド７１が降下されることで支持ピン３に未処理基板Ｗが受け渡されて支持ピン３に載置される。こうして、基板Ｗが基板処理位置Ｐ３に位置決めされ、基板Ｗの下面周縁部とスピンベース５の対向面５ｂとが近接状態で対向配置される。
【選択図】 図１

Description

この発明は、半導体ウエハ、フォトマスク用ガラス基板、液晶表示用ガラス基板、プラズマ表示用ガラス基板、光ディスク用基板などの各種基板に対して洗浄処理などの処理を施す基板処理装置に関するものである。

従来より、この種の基板処理装置として、半導体ウエハ等の基板が載置される支持台（ベース部材）から少し浮かせた状態で基板を水平保持し、支持台を回転させながらフォトレジスト液、洗浄液等の処理液を基板の上面に供給して、あるいは洗浄ブラシ等の洗浄機構により基板上面を処理する基板処理装置が知られている（特許文献１参照）。この特許文献１に記載の基板処理装置においては、支持台上に複数の基板支持ピンを立設して、これらの基板支持ピンを基板の端縁部に当接させて基板を位置決め保持している。そして、基板を回転させた状態で処理液を供給することで、あるいは洗浄機構を基板に当接させることで基板上面の処理を実行している。このように従来装置では、基板が支持台の表面から少し浮いた状態で保持されるので、基板が支持台に当接して載置された場合に生じる基板下面の損傷や汚染を避けることができる。

特開平１０−２７５７６６号公報（第３、４頁、図２）

ところで、特許文献１に記載の装置では、基板支持ピンにより基板を支持台の表面から浮かした状態で保持し、この基板処理位置で基板に対して所定の表面処理（基板処理）を施している。つまり、支持台から上方に離れた基板処理位置に基板を位置決めし、表面処理を施している。そして、搬送アーム等の基板搬送機構が基板支持ピンに対して基板を載置したり、逆に基板支持ピンに支持されている基板を受け取っている。より具体的に説明すると、基板処理位置の基板と回転台との間に形成される空間に搬送アームを挿入して基板の搬入／搬出を行う。このため、搬送アームを侵入させるために、基板と支持台との間の空間を搬送アームの上下方向の高さよりも大きなものにする必要がある。このため、基板処理位置が搬送アームの上下方向の高さにより制約され、基板と支持台とを十分に近接させることができなかった。その結果、次のような問題が生じてしまう。すなわち、基板と支持台との間隔が比較的広くなると、基板処理中に飛散したミスト状の処理液やパーティクルが基板の下面に回り込んで付着し、基板下面が汚染されるという問題が生じる。

ここで、基板下面への汚染を防止するために、支持台にリフトピン等の昇降部材を設けてリフトピンを上昇駆動させて基板を受け取るとともに、リフトピンを下降駆動させて基板と支持台との間隔を狭くすることも考えられる。しかしながら、この場合、基板下面にリフトピンを接触させる必要があるためにリフトピン自体により基板下面を損傷させたり汚染させてしまう。また、リフトピンを昇降駆動させるために構造が複雑化するとともに、さらにパーティクルを発生させてしまうこととなる。

この発明は上記課題に鑑みなされたものであり、基板を非接触で、しかも所望の基板処理位置に位置決めすることができる基板処理装置を提供することを目的とする。

この発明にかかる基板処理装置は、ベース部材から上方に所定距離だけ離れた基板処理位置で略水平状態に位置決めされた基板に所定の処理を施す基板処理装置であって、上記目的を達成するため、基板下面に対向する支持面に設けられた吐出口から基板下面に向けて気体を吐出することで基板を略水平状態で浮上させる基板浮上ヘッドと、ベース部材に対して基板浮上ヘッドを上下方向に相対的に昇降駆動させることで基板浮上ヘッドにより浮上される基板を基板処理位置の上方に設けられた基板受渡し位置と、基板処理位置とに移動して位置決めさせる昇降駆動手段とを備えている。

このように構成された発明では、基板は基板浮上ヘッドから基板下面に向けて吐出される気体によって基板浮上ヘッドの支持面から略水平状態で浮上する。このため、基板は基板浮上ヘッドに非接触で支持される。そして、非接触で支持された状態で基板は、基板浮上ヘッドがベース部材に対して上下方向に相対的に昇降駆動されることで基板処理位置の上方に設けられた基板受渡し位置と、基板処理位置とに移動して位置決めされる。このように、基板は基板処理位置の上方の基板受渡し位置で受け渡しされるので、基板処理位置が基板の受け渡し時の事情、例えば、基板搬送機構（搬送アーム等）の上下方向の高さによって制約されることがなく、基板を所望の基板処理位置に位置決めすることができる。したがって、ベース部材と基板とを十分に近接させた位置を基板処理位置とすることができる。このように、基板を非接触で、しかもベース部材に近接する基板処理位置に位置決めすることができるので、基板下面が損傷したり汚染される等の不具合を防止することができる。

ここで、ベース部材は、その上面中央部に基板浮上ヘッドの平面サイズよりも大きな平面サイズを有する窪部を有しており、基板浮上ヘッドを降下させた際に基板浮上ヘッドの少なくとも下方部が窪部に進入するように構成すると、基板を基板処理位置に位置決めさせるときに基板浮上ヘッドの少なくとも下方部はベース部材の窪部の内部空間に入り込ませることができる。このため、基板下面とベース部材とをより近接させることが可能となる。さらに、上下方向において窪部は基板浮上ヘッドの高さよりも深く、基板浮上ヘッドを降下させた際に基板浮上ヘッドの全部が窪部に退避するように構成すると、基板浮上ヘッドが基板下面とベース部材の対向面との間隔を狭める上で障害となることがなく、基板下面とベース部材の対向面とを十分に近接配置させた位置を基板処理位置として基板を位置決めすることができる。

また、基板の水平方向の移動を規制する規制手段をさらに設けて、昇降駆動手段は基板浮上ヘッドにより浮上される基板が水平方向に移動するのを規制手段によって規制しながらベース部材に対して基板浮上ヘッドを相対的に昇降駆動させることで基板を基板受渡し位置と、基板処理位置とに移動して位置決めさせることが望ましい。このように規制手段によって基板の水平方向の移動を規制することで、基板は基板浮上ヘッドから水平方向に飛び出すことなく、基板受渡し位置と基板処理位置とにスムーズに案内されて位置決めされる。

ここで、基板浮上ヘッドは、基板下面に向けて気体を上向きかつ基板の端縁側に向けて吐出口から吐出させることでベルヌーイ効果により基板を支持面に近接状態で吸着させながら浮上させるようにしてもよい。このように基板浮上ヘッドから基板下面に向けて気体を上向きかつ基板の端縁側に吐出させると、ベルヌーイ効果により基板を支持面へと吸着しようとする力が作用する。これにより、基板は基板浮上ヘッドの支持面に近接状態で浮上させられる。したがって、基板を基板浮上ヘッドに非接触で吸着させた状態で安定して基板受渡し位置と基板処理位置とに位置決めさせることができる。例えば、基板を規制手段によって水平方向に移動するのを規制しながら位置決めする際に、基板の外周端面と規制手段との間に引っ掛かりが生じる場合であっても、基板には基板浮上ヘッドに向けて吸着しようとする力が作用していることから基板は略水平状態で基板浮上ヘッドと一体的に安定して相対移動される。

この発明によれば、基板は基板浮上ヘッドに非接触で支持された状態で基板浮上ヘッドがベース部材に対して上下方向に相対移動されることで基板処理位置の上方に設けられた基板受渡し位置と基板処理位置とに移動して位置決めされる。このように、基板は基板処理位置の上方の基板受渡し位置で受渡しされるので基板処理位置が基板受渡し時の事情に制約されることなく、基板を所望の基板処理位置に位置決めすることができる。したがって、ベース部材と基板とを十分に近接させた位置を基板処理位置とすることができる。その結果、基板を非接触で、しかもベース部材に近接する基板処理位置に位置決めすることができるので、基板下面が損傷したり汚染される等の不具合を防止することができる。

＜基板処理装置＞
図１は、この発明にかかる基板処理装置の一実施形態を示す図である。また、図２は、図１の基板処理装置を上方から見た平面図である。この基板処理装置は、半導体ウエハ等の基板Ｗの表面に化学薬品または有機溶剤等の薬液や純水またはＤＩＷ等のリンス液（以下、「処理液」という）を供給などすることで、基板Ｗの上面および基板Ｗの下面周縁部に対して薬液処理、リンス処理等を施す装置である。例えば、この基板処理装置は基板Ｗの上面に対して処理液を供給して、その上面の処理を行うことができ、また基板Ｗの上面に対して処理液を供給することにより、基板Ｗの上面から基板Ｗの周端面を伝ってその下面に処理液を回り込ませて基板Ｗの下面周縁部の処理（ベベル処理）を行うことができる。また、処理液を供給する場合に限らず、スクラブ洗浄ブラシで基板Ｗの表面をスクラブしたり、薬液を含む蒸気等を基板Ｗの表面に供給して気相処理させることも可能である。

この基板処理装置は、中空の回転軸１が、モータ２の回転軸に連結されており、このモータ２の駆動により鉛直軸Ｊ周りに回転可能となっている。この回転軸１の上端部には、基板Ｗよりも若干大きな平面サイズを有する、本発明の「ベース部材」に相当する円形のスピンベース５が一体的にネジなどの締結部品によって連結されている。したがって、モータ２の駆動によりスピンベース５が鉛直軸Ｊ周りに回転可能となっている。また、スピンベース５の周縁部付近には、複数個（この実施形態では８個）の支持ピン３がほぼ等角度間隔で配置されている（図２）。なお、基板Ｗを水平支持するためには、支持ピン３の個数は少なくとも３個以上であればよい。そして、各支持ピン３が基板Ｗの下面周縁部と当接可能となっており、これら８個の支持ピン３によって基板Ｗをその裏面（非デバイス形成面）を上方に向けた状態で、かつ略水平状態で支持される。これにより、基板Ｗはスピンベース５から上方に所定距離だけ離れた位置（基板処理位置Ｐ３）で略水平状態で上下方向に位置決めされる。なお、支持ピンの構成としては基板Ｗの下面周縁部に当接するものに限らず、基板Ｗをスピンベース５から少し浮いた状態で支持するものであれば、如何なる構成のものを採用してもよい。

また、支持ピン３により支持された基板Ｗが水平方向に移動するのを防止するために、４つの保持部材４ａ〜４ｄがスピンベース１の周縁に設けられている（図２）。これら４つの保持部材４ａ〜４ｄのうち保持部材４ａ、４ｂは基板Ｗと当接して保持する保持ピン４１Ａが固定された固定保持部材であるのに対し、保持部材４ｃ、４ｄは保持ピン４１Ｂが可動する可動保持部材である。この可動保持ピン４１Ｂは装置全体を制御する制御ユニット８０からの動作信号に応じて基板Ｗの外周端面に対して離当接可能となっている。制御ユニット８０は可動保持ピン４１Ｂを基板Ｗの外周端面から離間させた状態で支持ピン３に対する基板Ｗの搬入出を行う。そして、基板Ｗが支持ピン３に載置された後、可動保持ピン４１Ｂを基板Ｗの外周端面と当接する基板保持位置まで位置決めする。これによって、可動保持ピン４１Ｂは基板Ｗを固定保持ピン４１Ａとで挟み込んで水平方向に保持する。このように、この実施形態では、８つの支持ピン３で基板Ｗを略水平状態に支持するとともに、４つの保持ピン４１Ａ、４１Ａ、４１Ｂ、４１Ｂで基板Ｗの水平方向の移動を規制している。このような保持部材としては、例えば、特開２００４−１４６７０８号公報に開示された基板保持機構が用いられる。なお、保持部材の個数、配置については任意であり、例えば、保持部材を３つとして、２つを固定保持部材に、残りの１つを可動保持部材とすることもできる。

図１に戻って説明を続ける。このように、この実施形態では、支持ピン３により基板Ｗを支持しているため、基板Ｗの下面（デバイス形成面）とスピンベース５とを近接させた状態で基板Ｗを支持することが可能である。すなわち、基板Ｗの下面とスピンベース５とを近接配置させた位置を基板処理位置とすることができる。しかしながら、基板Ｗの下面とスピンベース５とを近接配置させると、その隙間に基板搬送ロボット等の搬送アームなどを挿入することができなくなる。そのため、この実施形態では基板昇降機構７を設けて、以下の基板搬送を行うように構成することで、基板搬送ロボットによる搬送を可能としながら、基板Ｗの下面とスピンベース５とを近接配置させている。すなわち、基板昇降機構７は
・未処理基板Ｗの基板搬送ロボットからの受け取り、
・受け取った未処理基板Ｗの支持ピン３への載置、
・所定の基板処理を受けた処理済基板Ｗの支持ピン３からの受け取り、
・受け取った処理済基板Ｗの基板搬送ロボットへの引渡し
を行っている。

この基板昇降機構７は、基板Ｗの下面に向けて窒素ガス等の不活性ガスを吐出することで基板Ｗを略水平状態で浮上させる基板浮上ヘッド７１と、基板浮上ヘッド７１の下方に取付けられてヘッドを支持する内部が中空の筒状のヘッド支持アーム７２と、ヘッド支持アーム７２の中空部に接続され、ヘッド支持アーム７２を介して基板浮上ヘッド７１に不活性ガスを供給可能なガス供給ユニット７３と、基板浮上ヘッド７１およびヘッド支持アーム７２を一体的に上下方向に移動させるエアシリンダ等のアクチュエータ７４とを備えている。このように、この実施形態ではアクチュエータ７４が基板浮上ヘッド７１を上下方向に昇降駆動させる、本発明の「昇降駆動手段」として機能している。

基板浮上ヘッド７１は、底部中央部がヘッド支持アーム７２の上端部と一体的に固着されて、ヘッド支持アーム７２により水平姿勢で支持されている。ヘッド支持アーム７２は回転軸１の中空部に鉛直軸Ｊの軸方向に同軸に貫通して配置されるとともに、上下方向に昇降自在に構成されている。ヘッド支持アーム７２は、アクチュエータ７４と連結されており、制御ユニット８０がアクチュエータ７４を駆動させることにより、基板浮上ヘッド７１とヘッド支持アーム７２とを一体的に上下方向に昇降可能となっている。

基板浮上ヘッド７１は、基板Ｗの平面サイズより小さな円盤形状をしており、その上面７１ａが本発明の「支持面」として基板Ｗの下面と対向配置されている。この基板浮上ヘッド７１の上面７１ａには複数のガス吐出口７１ｂ（本発明の「吐出口」に相当）が設けられており、各ガス吐出口７１ｂから基板Ｗの下面に向けて略鉛直方向に上向きに不活性ガスを吐出可能となっている。これにより、基板Ｗの下面と上面７１ａとの間に形成される空間に不活性ガスを供給して基板Ｗを浮上させることが可能となっている。ここで、これらのガス吐出口７１ｂは、例えば、図２に示すように鉛直軸Ｊを中心とする上面７１ａ上の任意径の円周に沿って等間隔に配置されることにより、あるいは、さらに軸中心に配置されることにより、略水平状態で基板Ｗを上面７１ａから浮上させることが可能である。なお、基板Ｗの下面に向けて不活性ガスを吐出させて基板Ｗを略水平状態で浮上させる限り、ガス吐出口の個数、配置などについては任意である。また、ガス吐出口７１ｂは複数の開口に限らず、単一の開口、例えば、鉛直軸Ｊを中心として同心円状に全周にわたってリング状に開口したのものであってもよい。但し、複数のガス吐出口とした方が、ガス吐出圧の均一性を得る点で有利である。

基板浮上ヘッド７１の上面７１ａに設けられた複数のガス吐出口７１ｂはそれぞれ、基板浮上ヘッド７１の内部に形成されたガス流通空間７１ｃに連通している。このような基板浮上ヘッド７１は、例えば、内方に凹部を有する皿形状の受け部材と、上面７１ａが基板Ｗの下面と対向する支持面となっている円盤状の蓋部材とを備えることにより、受け部材に蓋部材を嵌め込むことにより、基板浮上ヘッド７１の内部にガス流通空間７１ｃが形成される。また、ヘッド支持アーム７２の内部にはガス供給路７２ａが鉛直軸Ｊの軸線方向に沿って設けられており、その上方側がガス流通空間７１ｃに連通している。さらに、ガス供給路７２ａの下方側は開閉弁７５を介装した配管７６を介してガス供給ユニット７３に接続されている。

次にスピンベース５の構成について、図１、図２を参照しつつ詳述する。スピンベース５は、その上面中央部に内部に向けて窪んだ窪部５ａを有している。この窪部５ａは、その平面サイズＤ１が基板浮上ヘッド７１の平面サイズＤ２よりも大きく、上下方向における深さＨ１が基板浮上ヘッド７１の高さＨ２よりも深くなるように、スピンベース５に形成されている。したがって、基板浮上ヘッド７１を降下させた際に基板浮上ヘッド７１を窪部５ａに退避させることが可能となっている。また、窪部５ａの周囲を取り囲むドーナツ状の円環部位の上面は基板Ｗの下面と対向する基板対向面となっており、この対向面５ｂは基板Ｗを降下させた際に基板Ｗの下面と所定距離だけ離れた状態で平行に対向可能となっている。

また、回転軸１の内壁面とヘッド支持アーム７２の外壁面との間の隙間は、円筒状の気体供給路１１を形成している。この気体供給路１１は、開閉弁１３を介装した配管１５を介してガス供給ユニット７３に連続接続されていて、制御部８０による開閉弁１３の開閉制御によって気体供給路１１を介して基板Ｗの下面とスピンベース５の上面との間に形成される空間に不活性ガスを供給することができる。

次にこのように構成された基板処理装置の基板Ｗの搬入出動作について図３を参照しつつ説明する。図３は図１の基板処理装置の基板搬入出動作を示すフローチャートである。まず、制御ユニット８０がアクチュエータ７４を上昇駆動させることで基板浮上ヘッド７１とヘッド支持アーム７２とを一体的に上昇させる（ステップＳ１）。そして、基板浮上ヘッド７１の上面７１ａが、スピンベース５から上方に離れた基板受渡し位置Ｐ１の直下まで上昇して停止されると、制御ユニット８０は開閉弁７５を開にすることで基板浮上ヘッド７１のガス吐出口７１ｂから上向きに不活性ガスを吐出させる（ステップＳ２）。これにより、基板浮上ヘッド７１は基板Ｗが基板受渡し位置Ｐ１に搬送されることで基板Ｗを受け取ることが可能となる。なお、制御ユニット８０はガス吐出口７１ｂから不活性ガスを吐出させた後に、不活性ガスを吐出させた状態で基板浮上ヘッド７１を上昇させるようにしてもよいし、不活性ガスの吐出と同時に基板浮上ヘッド７１を上昇させるようにしてもよい。

続いて、基板搬送ロボットの搬送アーム等により未処理基板Ｗが装置内に搬入され、基板受渡し位置Ｐ１に搬送されてくると（ステップＳ３）、未処理基板Ｗは基板Ｗの下面に位置する基板浮上ヘッド７１から吐出される不活性ガスにより浮上させられる。そして、基板搬送ロボットの搬送アームが未処理基板Ｗから抜き取られるなどして退避されることで未処理基板Ｗが基板浮上ヘッド７１へ受渡される（ステップＳ４）。これにより、未処理基板Ｗはその下面に向けて基板Ｗの下面と基板浮上ヘッド７１の上面７１ａとの間に形成される空間に供給される不活性ガスにより非接触状態で基板浮上ヘッド７１に支持されることとなる。なお、未処理基板Ｗはスピンベース５の周縁に設けられた保持部材４ａ〜４ｄの保持ピン４１Ａ、４１Ｂによって水平方向の移動が規制されている。

次に、未処理基板Ｗは基板浮上ヘッド７１により略水平状態に浮上された状態で、制御ユニット８０がアクチュエータ７４を下降駆動させることで降下される（ステップＳ５）。ここで、未処理基板Ｗは水平方向に移動するのを保持ピン４１Ａ、４１Ｂによって規制されながら降下されるので、基板Ｗが基板浮上ヘッド７１から水平方向に飛び出すようなことがなく、スムーズに基板処理位置Ｐ３に向けて案内される。そして、未処理基板Ｗが基板処理位置Ｐ３に達すると基板Ｗの下面周縁部は支持ピン３と係合して、さらに基板浮上ヘッド７１が降下されることで支持ピン３に未処理基板Ｗが受け渡されて支持ピン３に載置される。こうして、基板Ｗが基板処理位置Ｐ３に位置決めされ、基板Ｗの下面周縁部とスピンベース５の対向面５ｂとが近接状態で対向配置される（ステップＳ６）。このように、この実施形態では保持ピン４１Ａ、４１Ｂが本発明の「規制手段」として機能している。

また、基板浮上ヘッド７１は、そのまま降下して基板浮上ヘッド７１の全体がスピンベース５の窪部５ａに退避される。その後、制御ユニット８０は開閉弁７５を閉にすることで基板浮上ヘッド７１からの不活性ガスの吐出を停止させる。なお、制御ユニット８０は不活性ガスの吐出を停止させることなく、後述する気体供給路１１からの不活性ガスの供給と併せて、そのまま基板浮上ヘッド７１からの不活性ガスの吐出を継続させるようにしてもよい。

支持ピン３に載置された未処理基板Ｗは、可動保持部材４ｃ、４ｄの保持ピンが基板Ｗの外周端面と当接する基板保持位置に移動することで水平方向にしっかりと保持される（ステップＳ７）。その後、図外の処理液供給ノズルからスピンベース５とともに回転される基板Ｗの上面に処理液が供給され、基板Ｗの上面（非デバイス形成面）および／または基板Ｗの下面（デバイス形成面）周縁部（ベベル部）に対して所定の処理が実行される（ステップＳ８）。なお、処理中に制御ユニット８０は開閉弁１３を開にすることで気体供給路１１から基板浮上ヘッド７１の下面と窪部５ａの底面との間に形成される空間を介して基板Ｗの下面とスピンベース５の上面との間に形成される空間全体に不活性ガスを供給することができる。そして、基板Ｗの下面とスピンベース５の上面との間に形成される空間に供給された不活性ガスは、基板Ｗの下面周縁部とスピンベース５の周縁部の対向面５ｂとの隙間に基板Ｗの径方向外側に向けて流れることで、基板Ｗの下面（デバイス形成面）を基板Ｗの周囲雰囲気から遮断するとともに、基板Ｗの下面に処理液が付着するなどして基板Ｗの下面が汚染されるのが防止される。

また、処理済基板Ｗの搬出については、未処理基板Ｗの搬入と逆の手順で実行される。基板Ｗに対する所定の処理が実行された後、可動保持部材４ｃ、４ｄの保持ピンが処理済基板Ｗの外周端面と離間する方向に移動することで、基板Ｗの保持が解除される（ステップＳ９）。続いて、制御ユニット８０はアクチュエータ７４を上昇駆動させることで窪部５ａ内に退避されている基板浮上ヘッド７１をガス吐出口７１ａから不活性ガスを吐出させた状態で上昇させる（ステップＳ１０）。これにより、処理済基板Ｗは基板浮上ヘッド７１から吐出される不活性ガスにより略水平状態に浮上させられる。そして、処理済基板Ｗが基板受渡し位置Ｐ１まで上昇するとアクチュエータ７４の駆動を停止させて当該位置で基板Ｗを位置決めさせる（ステップＳ１１）。これにより、基板浮上ヘッド７１は処理済基板Ｗを基板搬送ロボットに引渡すことが可能となる。こうして、基板搬送ロボットの搬送アーム等により処理済基板Ｗが装置外に搬出される（ステップＳ１２）。

以上のように、この実施形態によれば、基板Ｗは基板浮上ヘッド７１に非接触で支持された状態で、基板浮上ヘッド７１が昇降されることで基板処理位置Ｐ３の上方の基板受渡し位置Ｐ１と、基板処理位置Ｐ３とに移動して位置決めされる。このように、基板Ｗは基板処理位置Ｐ３の上方の基板受渡し位置Ｐ１で受け渡しされるので、基板処理位置Ｐ３が基板Ｗの受け渡し時の事情、例えば、基板搬送機構（搬送アーム等）の上下方向の高さによって制約されることがなく、基板Ｗを所望の基板処理位置に位置決めすることができる。したがって、スピンベース５（対向面５ｂ）と基板Ｗとを十分に近接させた位置を基板処理位置とすることができる。このように、基板Ｗを非接触で、しかもスピンベース５に近接する基板処理位置Ｐ３に位置決めすることができるので、基板Ｗの下面（デバイス形成面）が損傷したり汚染される等の不具合を防止することができる。

また、この実施形態によれば、スピンベース５はその上面中央部に、平面サイズＤ１が基板浮上ヘッド７１の平面サイズＤ２よりも大きく、上下方向における深さＨ１が基板浮上ヘッド７１の高さＨ２よりも大きな窪部５ａを有しているため、基板浮上ヘッド７１を降下させる際に基板浮上ヘッド７１の全体を窪部５ａの内部空間に退避させることができる。これにより、基板浮上ヘッド７１が基板Ｗの下面とスピンベース５（対向面５ｂ）との間隔を狭める上で障害となることがなく、基板Ｗの下面とスピンベース５（対向面５ｂ）とを十分に近接配置させた位置を基板処理位置とすることができる。

また、この実施形態によれば、基板浮上ヘッド７１により浮上される基板Ｗは水平方向に移動するのを保持ピン４１Ａ、４１Ｂによって規制されながら昇降移動されるので、基板Ｗは基板浮上ヘッド７１から水平方向に飛び出すことなく、基板受渡し位置Ｐ１と基板処理位置Ｐ３とにスムーズに案内されて位置決めされる。

図４はこの発明にかかる基板処理装置の他の実施形態を示す図である。また、図５は図４の基板処理装置を上方から見た平面図である。この実施形態が先の実施形態と大きく相違する点は、基板浮上ヘッド７１０から基板Ｗの下面に向けて吐出される不活性ガスの吐出方向が異なる点、および支持ピン３を不要としている点であり、その他の構成は基本的に先の実施形態と同様である。したがって、同一構成については同一符号を付して説明を省略し、以下においては相違点を中心に本実施形態の特徴について説明する。

この実施形態では、基板浮上ヘッド７１０から基板Ｗの下面に向けて吐出される不活性ガスの吐出方向が略鉛直方向上向きではなく、不活性ガスを上向きかつ基板Ｗの端縁側に向けて吐出している。図５に示すように、基板浮上ヘッド７１０の上面７１０ａ（本発明の「支持面」に相当）の周縁部には複数のガス吐出口７１０ｂが形成されていて、上面７１０ａにおいて径方向外側に長い楕円形状をしている。ガス吐出口７１０ｂは上面７１０ａに対して所定の角度（好ましくは、２０°〜４０°）をなして基板Ｗの端縁側に向けて不活性ガスを吐出するように形成されている。これにより、基板浮上ヘッド７１０から基板Ｗの下面に向けて不活性ガスを吐出させることでベルヌーイ効果によって基板Ｗを上面７１０ａに吸着させながら浮上させることができる。

そして、このような構成により、先の実施形態と同様にして基板Ｗを非接触で基板処理位置Ｐ３に、あるいは基板受渡し位置Ｐ１に位置決めすることができる。さらに、この実施形態では、基板Ｗをベルヌーイ効果により基板浮上ヘッド７１に向けて吸着させているので基板Ｗを略水平状態で安定して搬送することができる。このため、基板Ｗの搬送の信頼性を向上させることができる。例えば、基板Ｗを保持ピン４１Ａ、４１Ｂによって水平方向に移動するのを規制しながら位置決めする際に、基板Ｗの外周端面と保持ピン４１Ａ、４１Ｂとの間に引っ掛かりが生じる場合であっても、基板Ｗには基板浮上ヘッド７１に向けて吸着しようとする力が作用していることから基板Ｗを略水平状態で基板浮上ヘッド７１と一体的に安定して昇降移動させることができる。

また基板Ｗを基板処理位置Ｐ３に位置決めする際に、基板浮上ヘッド７１が降下され、基板Ｗが基板処理位置Ｐ３に位置したときに基板浮上ヘッド７１を停止させることで、そのまま基板Ｗを基板処理位置Ｐ３に位置決めさせることができる。というのも、基板浮上ヘッド７１が基板Ｗを吸着浮上させることで、基板Ｗは基板浮上ヘッド７１から所定の距離だけ離れた状態で上下方向に位置決めさせることができるからである。このため、基板Ｗを基板処理位置Ｐ３に位置決めする際に基板Ｗをスピンベース５から所定の距離だけ浮かせた状態にして載置するための支持ピン３などの基板支持部材を不要とすることができる。

なお、本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。例えば、上記実施形態では、基板浮上ヘッド７１を昇降させることで基板Ｗを基板受渡し位置Ｐ１と基板処理位置Ｐ３に位置決めさせているが、基板浮上ヘッド７１を固定させてスピンベース５を昇降させることで基板Ｗを位置決めするようにしてもよい。また、基板浮上ヘッド７１とスピンベース５の双方を昇降させることで基板Ｗを位置決めするようにしてもよい。

また、上記実施形態では、基板浮上ヘッド７１の全体をスピンベース５の窪部５ａ内に退避させているが、これに限定されず、基板浮上ヘッド７１の少なくとも下方部が窪部５ａ内に進入していればよい。すなわち、所定の基板処理位置Ｐ３に基板Ｗを位置決めさせる場合において、基板浮上ヘッド７１の上面７１ａが窪部５ａ外にあっても基板処理位置Ｐ３に位置決めされた基板Ｗの下面よりも低い位置にあれば、上記実施形態と同様な作用効果が得られる。

＜基板処理システム＞
また、この発明にかかる基板処理装置を単体で使用してもよいが、他の基板処理を実行する基板処理装置、基板Ｗを搬送する基板搬送ユニットやインデクサ部などと組み合わせて基板処理システムを構築してもよい。その一例として、例えば図６に示す基板処理システムがある。以下、図６を参照しつつ、この発明にかかる基板処理システムの一実施形態について説明する。

図６はこの発明にかかる基板処理装置を用いて構成した基板処理システムの一実施形態を示す図である。この基板処理システムは、半導体ウエハ等の基板Ｗに対して処理液や処理ガスなどによる処理を施すための枚葉式の処理システムである。この基板処理システムは、基板Ｗに対して処理を施す基板処理部ＰＰと、この基板処理部ＰＰに結合されたインデクサ部ＩＤと、処理流体（液体または気体）の供給／排出のための構成を収容した処理流体ボックス１１０，１２０とを備えている。

インデクサ部ＩＤは、基板Ｗを収容するためのカセットＣ（複数の基板Ｗを密閉した状態で収容するＦＯＵＰ（Ｆｒｏｎｔ Ｏｐｅｎｉｎｇ Ｕｎｉｆｉｅｄ Ｐｏｄ）、ＳＭＩＦ（Ｓｔａｎｄａｒｄ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｉｎｔｅｒ Ｆａｃｅ）ポッド、ＯＣ（Ｏｐｅｎ Ｃａｓｓｅｔｔｅ）など）を複数個保持することができるカセット保持部２１０と、このカセット保持部２１０に保持されたカセットＣにアクセスして、未処理の基板ＷをカセットＣから取り出したり、処理済の基板をカセットＣに収納したりするためのインデクサロボット２２０とを備えている。各カセットＣは、複数枚の基板Ｗを微小な間隔をあけて上下方向に積層して保持するための複数段の棚（図示省略）を備えており、各段の棚に１枚ずつ基板Ｗを保持することができるようになっている。各段の棚は、基板Ｗの下面の周縁部に接触し、基板Ｗを下方から保持する構成となっており、基板Ｗは表面（デバイス形成面）を上方に向け、裏面を下方に向けたほぼ水平な姿勢でカセットＣに収容されている。

基板処理部ＰＰは、平面視においてほぼ中央に配置された基板搬送ロボット１３０と、この基板搬送ロボット１３０が取付けられたフレーム３００とを有している。このフレーム３００には、基板搬送ロボット１３０を取り囲むように、複数個（この実施形態では４個）のユニット配置部３１０，３２０，３３０，３４０が設けられており、さらに、基板搬送ロボット１３０によるアクセスが可能な位置に、基板反転ユニット１４０が取付けられている。

ユニット配置部３１０，３２０，３３０，３４０には、上記実施形態にかかる基板処理装置をユニット化して処理ユニット以外に基板Ｗを保持して回転させるとともに基板Ｗに薬液ノズルから薬液を供給して基板Ｗを処理する薬液処理ユニットＭＰ、基板Ｗを保持して回転させ、基板Ｗに純水を供給するとともに、基板表面をスクラブブラシでスクラブするスクラブ洗浄ユニットＳＳ、基板Ｗを保持して回転させるとともに基板Ｗにポリマー除去液を供給して基板Ｗ上の残渣物を除去するポリマー除去ユニットＳＲ、基板Ｗを保持して回転させるとともに基板Ｗの一方面の全域および周端面を含む領域に処理液を供給し、この領域の不要物を選択的に除去するベベル洗浄ユニットＣＢ、および保持された基板Ｗに薬液を含む蒸気またはケミカルガスを含む蒸気を供給して基板Ｗを処理する気相洗浄ユニットＶＰから選択した任意の処理ユニットを取付けることができる。すなわち、フレーム３００は、上記の複数種類（この実施形態では６種類）の処理ユニットに対する共通のプラットフォームを提供しており、複数種類（最大で４種類）の処理ユニットを任意に組み合わせて搭載することができるように構成されている。これにより、新材料に対応したプロセスや、微細化に対応したプロセスに容易に対応することができる。また、２種類の処理ユニットを搭載する場合に、処理タクトに合わせて、第１の種類の処理ユニットを１個搭載し、第２の種類の処理ユニットを３個搭載したり、第１の種類の処理ユニットを２個搭載し、第２の種類の処理ユニットを２個搭載したりすることもできる。

この構成により、少なくとも２種類の処理ユニットが基板搬送ユニットとともに１台の基板処理システムに備えられることから、１台の基板処理システムで２種以上の処理を基板Ｗに対して連続的に施すことが可能となる。これにより、多品種少量生産に良好に対応することができる。また、複数の処理が要求される場合において連続的に基板Ｗに対して処理を施すことでスループットを向上させることができる。

また、各処理ユニット（薬液処理ユニットＭＰ、スクラブ洗浄ユニットＳＳ、ポリマー除去ユニットＳＲ、ベベル洗浄ユニットＣＢ、および気相洗浄ユニットＶＰ）は、共通のベースユニットを基本骨格に有しており、ベースユニットは上記実施形態にかかる基板処理装置と同一の構成を備えている。そして、基板受渡し位置Ｐ１において基板搬送ロボット１３０との間で基板Ｗを受渡しするため高さ方向に共通の基板受渡し位置Ｐ1が設定される。したがって、どの処理ユニットを基板処理部ＰＰに配置したとしても基板搬送ロボット１３０からのアクセスが変更なく行われる。

基板搬送ロボット１３０は、インデクサロボット２２０から未処理の基板Ｗを受け取ることができ、かつ処理済の基板Ｗをインデクサロボット２２０に受け渡すことができる。また、基板搬送ロボット１３０は、ユニット配置部３１０，３２０，３３０，３４０に配置された処理ユニットおよび基板反転ユニット１４０にアクセスすることができ、これらとの間で相互に基板Ｗの受け渡しを行うことができるようになっている。

より具体的には、例えば、基板搬送ロボット１３０は、当該基板処理部ＰＰのフレーム３００に固定された基台部と、この基台部に対して昇降可能に取付けられた昇降ベースと、この昇降ベースに対して鉛直軸回りの回転が可能であるように取付けられた回転ベースと、この回転ベースに取付けられた一対のハンドとを備えている。一対の基板保持ハンドは、それぞれ、上記回転ベースの回転軸線に対して近接／離反する方向に身体可能に構成されている。このような構成により、基板搬送ロボット１３０は、インデクサロボット２２０、ユニット配置部３１０，３２０，３３０，３４０に配置された処理ユニットおよび基板反転ユニット１４０のいずれかに対して基板保持ハンドを向け、その状態で基板保持ハンドを進退させることができ、これによって、基板Ｗの受け渡しを行うことができる。

一対の基板保持ハンドは、一方を未処理の基板Ｗを保持するために用い、他方を処理済の基板Ｗを保持するために用いるように使い分けてもよい。また、一対の基板保持ハンドは、インデクサロボット２２０、ユニット配置部３１０，３２０，３３０，３４０に配置された処理ユニットおよび基板反転ユニット１４０との基板Ｗの受け渡しの際に、一方の基板保持ハンドで基板Ｗを相手から受け取り、次いで、他方の基板保持ハンドで基板Ｗを相手側に受け渡すように作動させるようにしてもよい。

インデクサロボット２２０は、いずれかのカセットＣから未処理の基板Ｗを取り出して基板搬送ロボット１３０に受け渡すとともに、基板搬送ロボット１３０から処理済の基板Ｗを受け取ってカセットＣに収容するように動作する。処理済の基板Ｗは、当該基板Ｗが未処理の状態のときに収容されていたカセットＣに収容されてもよいし、未処理の基板Ｗを収容するカセットＣと処理済の基板Ｗを収容するカセットＣとを分けておいて、未処理の状態のときに収容されていたカセットＣとは別のカセットＣに処理済の基板Ｗが収容されるようにしてもよい。

基板搬送ロボット１３０によって、基板反転ユニット１４０に基板Ｗを搬入し、この基板Ｗの表裏を反転させることができるから、ユニット配置部３１０，３２０，３３０，３４０に配置された処理ユニットにおいて、基板Ｗのデバイス形成面および非デバイス形成面のいずれに対しても処理を行わせることができる。

この構成により、２種の処理ユニット間で基板Ｗの表裏を反転することができるので、基板Ｗの表裏それぞれの面に対して、２種の処理ユニットによる異なる処理を施すことができる。これにより、基板Ｗの両面それぞれに対して最適な処理を施すことができる。さらに詳しくは、ある処理ユニットに搬入して基板Ｗを反転させ、反転後の基板Ｗを別の処理ユニットに搬入して処理することで、基板Ｗの他方面に対する処理を行うことができる。これにより、基板Ｗの各面に適した処理を施すことができ、基板Ｗの両面を良好に処理することができる。

このように構成された基板処理システムに対して、基板Ｗの表面（デバイス形成面）を上方に向けた状態で複数枚の基板Ｗを収容したカセットＣがインデクサロボット２２０によりインデクサ部ＩＤに搬送されてくると、以下のようにして各基板Ｗに対して処理を行う。ここでは、例えば、ユニット配置部３１０に上記実施形態にかかる基板処理装置の処理ユニットを配置して該処理ユニットにより基板の裏面（非デバイス形成面）および／または基板Ｗの表面（デバイス形成面）の周縁部を処理する場合における該システムの動作について説明する。

まず、インデクサロボット２２０がカセットＣからフェースアップ状態のまま基板Ｗを取出し、基板搬送ロボット１３０に受け渡した後、この基板搬送ロボット１３０が基板Ｗを基板反転ユニット１４０に搬送する（ローディング）。そして、この基板Ｗを受けた基板反転ユニット１４０は、基板Ｗを反転させた後、フェースダウン状態で、すなわちデバイス形成面を下方に向けた状態にして基板搬送ロボット１３０に受け渡す。この基板搬送ロボット１３０はユニット配置部３１０に配置された処理ユニットに搬入する。

この処理ユニットでは、基板搬送ロボット１３０から未処理基板Ｗを基板受渡し位置Ｐ１で受け取るべく、予め基板浮上ヘッド７１が上昇して不活性ガスを吐出させた状態で基板Ｗの受け取りの準備が整えられる。そして、基板受渡し位置Ｐ１で基板搬送ロボット１３０から未処理基板Ｗを受け取ると、処理ユニットは、上記した実施形態にかかる基板処理装置と同一動作を実行して基板Ｗを基板処理位置Ｐ３に位置決めして基板Ｗの上面（非デバイス形成面）および／または基板Ｗの下面（デバイス形成面）周縁部（ベベル部）を洗浄処理する。このとき、上記基板処理装置と同様に、基板Ｗを非接触で、しかもベース部材に近接する基板処理位置Ｐ３に位置決めすることができるので、基板Ｗの下面（デバイス形成面）が損傷したり処理液が基板Ｗの下面に付着したりなどして汚染される等の不具合を防止することができる。

洗浄処理が完了すると、窪部５ａ内に退避されている基板浮上ヘッド７１は上昇して支持ピン３から処理済基板Ｗを受け取るとともに、基板受渡し位置Ｐ１に上昇して位置決めする。（なお、基板Ｗをベルヌーイ効果により吸着浮上させた状態で基板処理させている場合はそのまま処理済基板Ｗを基板受渡し位置Ｐ１に上昇して位置決めする。）そして、この基板受渡し位置Ｐ１から基板搬送ロボット１３０が処理済基板Ｗを受け取り、基板反転ユニット１４０に搬送する。そして、この基板反転ユニット１４０により基板Ｗをフェースアップ状態にした後、この基板Ｗを基板搬送ロボット１３０が受け取り、さらにインデクサロボット２２０に受け渡した後、このインデクサロボット２２０がカセットＣに戻す（アンローディング）。なお、処理ユニットによる処理後、引き続き別の処理を実行させる場合は、処理内容に応じて基板搬送ロボット１３０は基板Ｗをそのままフェースダウン状態で、あるいは基板反転ユニット１４０に搬送することで基板Ｗをフェースアップ状態にした後に他の処理ユニット（薬液処理ユニットＭＰ、スクラブ洗浄ユニットＳＳ、ポリマー除去ユニットＳＲ、ベベル洗浄ユニットＣＢ、および気相洗浄ユニットＶＰ）に搬送する。

以上のように、上記実施形態にかかる基板処理装置では、基板Ｗは基板処理位置Ｐ３の上方の基板受渡し位置Ｐ１で受渡しされるので、基板搬送ロボット１３０との基板Ｗの受渡しが容易である。しかも、基板受渡し位置Ｐ１で基板Ｗの受け渡しを行うとともに、基板Ｗを所望の基板処理位置に位置決めさせることができるので、相異なる数種の処理を施す処理ユニットとして好適である。すなわち、上記実施形態にかかる基板処理装置は処理ユニットとしての汎用性が高く、各種の処理ユニットを配置可能なユニット配置部３１０，３２０，３３０，３４０に組込み易いという利点を有している。さらに、基板Ｗを非接触でベース部材に近接する基板処理位置Ｐ３に位置決めさせることができるので、基板Ｗの下面が損傷したり汚染されるなどの不具合が効果的に防止される。このため、基板Ｗの処理精度を高めることができる。

また、上記実施形態にかかる基板処理装置では、基板Ｗを基板受渡し位置Ｐ１で受渡しして基板処理位置Ｐ３に位置決めしているので、以下の作用効果が得られる。すなわち、処理精度を高める上で基板Ｗをベース部材に近接する基板処理位置Ｐ３に位置決めする方が望ましいが、基板Ｗを基板処理位置Ｐ３に直接位置決めする場合には、基板Ｗの下面とベース部材との間に形成される空間に搬送アーム等の基板搬送機構を進入させて、基板Ｗを支持ピンなどに渡すという、普及した基板搬送機構を採用することが難しくなる。その結果、基板搬送機構に特殊なものを要するという制約条件が発生して基板処理装置の汎用性を低下させてしまう。

ここで、例えば、基板Ｗの裏面（非デバイス形成面）や基板Ｗの表面（デバイス形成面）の周端部の処理する装置において、基板Ｗの表面に非接触で、基板Ｗをベース部材に近接する基板処理位置に搬送するため、以下の方式をとることも可能である。すなわち、その一方端が回動軸に連結されて回動自在に構成された棒状のアームと、アームの他端部にアームの長尺方向と基板Ｗの径方向とを略一致させた状態で基板Ｗの端縁部と当接することで基板Ｗを保持する基板保持部とを備える搬送機構において、フェースアップ状態で基板保持部により保持させた基板Ｗを、アームを回動軸を中心に１８０°回動させることにより反転させてフェースダウン状態として（デバイス形成面を下向きにして）ベース部材に近接させて載置することも可能である。

しかしながら上記の搬送方式では、基板Ｗを搬送するためにアームを回動させる必要があることから、非常に大きなエリアを要する。このため、装置のフットプリントや基板処理装置の内外雰囲気を遮断するためのチャンバーシャッター等が大きくなってしまう。また、搬送機構が複雑な構造となってしまうため、コストアップの要因となる。さらに、基板Ｗをフェースアップ状態で処理する処理ユニットと、基板Ｗをフェースダウン状態で処理する処理ユニットとを組合わせて基板処理システムを構築する場合には、上記した搬送方式では搬送することができない。

一方で、この発明にかかる基板処理装置では、基板処理位置Ｐ３の上方の基板受渡し位置Ｐ１で基板Ｗを基板搬送ロボット１３０との間で受渡ししているので、基板処理位置Ｐ３を基板Ｗとベース部材とを近接配置させた位置とした場合であっても、特殊な搬送機構を導入する必要がない。このため簡単な構成の搬送アーム等の搬送機構を採用することができる。また、搬送アームを回動等させることがないことから搬送アームの搬送経路も限られており、チャンバーシャッター等も小型のものであればよい。

なお、この実施形態にかかる基板処理システムでは、処理ユニットとして４つの処理ユニットを装備しているが、その個数や配置などについては任意である。また、基板処理システムとしては、上記実施形態にかかる基板処理装置と同一構成を有する処理ユニットと、該処理ユニットに基板を搬送する搬送ユニットとを少なくとも設けているものであれば、上記作用効果が得られる。したがって、処理ユニットおよび搬送ユニット以外に、他のユニットを追加して基板処理システムを構築するようにしてもよい。

この発明は、半導体ウエハ、フォトマスク用ガラス基板、液晶表示用ガラス基板、プラズマ表示用ガラス基板、光ディスク用基板などを含む基板全般の表面に対して洗浄処理などの処理を施す基板処理装置に適用することができる。

この発明にかかる基板処理装置の一実施形態を示す図である。 図１の基板処理装置を上方から見た平面図である。 図１の基板処理装置の基板搬入出動作を示すフローチャートである。 この発明にかかる基板処理装置の他の実施形態を示す図である。 図５の基板処理装置を上方から見た平面図である。 この発明にかかる基板処理装置を用いて構成した基板処理システムの一実施形態を示す図である。

符号の説明

５…スピンベース（ベース部材）
５ａ…窪部
４１Ａ，４１Ｂ…保持ピン（規制手段）
７１，７１０…基板浮上ヘッド
７１ａ，７１０ａ…（浮上ヘッドの）上面（支持面）
７１ｂ，７１０ｂ…（浮上ヘッドの）ガス吐出口（吐出口）
７４…アクチュエータ（昇降駆動手段）
Ｄ１…（浮上ヘッドの）平面サイズ
Ｄ２…（窪部の）平面サイズ
Ｈ１…（浮上ヘッドの）高さ
Ｈ２…（窪部の）深さ
Ｐ１…基板受渡し位置
Ｐ３…基板処理位置
Ｗ…基板

Claims (5)

1. ベース部材から上方に所定距離だけ離れた基板処理位置で略水平状態に位置決めされた基板に所定の処理を施す基板処理装置において、
   前記基板下面に対向する支持面に設けられた吐出口から前記基板下面に向けて気体を吐出することで前記基板を略水平状態で浮上させる基板浮上ヘッドと、
   前記ベース部材に対して前記基板浮上ヘッドを上下方向に相対的に昇降駆動させることで前記基板浮上ヘッドにより浮上される前記基板を前記基板処理位置の上方に設けられた基板受渡し位置と、前記基板処理位置とに移動して位置決めさせる昇降駆動手段と
   を備えることを特徴とする基板処理装置。
2. 前記ベース部材は、その上面中央部に前記基板浮上ヘッドの平面サイズよりも大きな平面サイズを有する窪部を有しており、
   前記基板浮上ヘッドを降下させた際に前記基板浮上ヘッドの少なくとも下方部が前記窪部に進入する請求項１記載の基板処理装置。
3. 上下方向において前記窪部は前記基板浮上ヘッドの高さよりも深く、前記基板浮上ヘッドを降下させた際に前記基板浮上ヘッドの全部が前記窪部に退避する請求項２記載の基板処理装置。
4. 前記基板の水平方向の移動を規制する規制手段をさらに備え、
   前記昇降駆動手段は前記基板浮上ヘッドにより浮上される前記基板が水平方向に移動するのを前記規制手段によって規制しながら前記ベース部材に対して前記基板浮上ヘッドを相対的に昇降駆動させることで前記基板を前記基板受渡し位置と、前記基板処理位置とに移動して位置決めさせる請求項１ないし３のいずれかに記載の基板処理装置。
5. 前記基板浮上ヘッドは、前記基板下面に向けて前記気体を上向きかつ前記基板の端縁側に向けて前記吐出口から吐出させることでベルヌーイ効果により前記基板を前記支持面に近接状態で吸着させながら浮上させる請求項１ないし４のいずれかに記載の基板処理装置。
   

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