TW201941292A - 研削裝置 - Google Patents
研削裝置 Download PDFInfo
- Publication number
- TW201941292A TW201941292A TW108109505A TW108109505A TW201941292A TW 201941292 A TW201941292 A TW 201941292A TW 108109505 A TW108109505 A TW 108109505A TW 108109505 A TW108109505 A TW 108109505A TW 201941292 A TW201941292 A TW 201941292A
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- wafer
- grinding
- holding
- holding table
- axis
- Prior art date
Links
- 239000004575 stone Substances 0.000 claims description 29
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 15
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 abstract description 28
- 238000005286 illumination Methods 0.000 abstract 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 161
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 36
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 description 10
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 7
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 5
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 238000007670 refining Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B27/00—Other grinding machines or devices
- B24B27/0023—Other grinding machines or devices grinding machines with a plurality of working posts
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/005—Control means for lapping machines or devices
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/34—Accessories
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B41/00—Component parts such as frames, beds, carriages, headstocks
- B24B41/06—Work supports, e.g. adjustable steadies
- B24B41/068—Table-like supports for panels, sheets or the like
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B49/00—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation
- B24B49/12—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation involving optical means
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B55/00—Safety devices for grinding or polishing machines; Accessories fitted to grinding or polishing machines for keeping tools or parts of the machine in good working condition
- B24B55/06—Dust extraction equipment on grinding or polishing machines
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B7/00—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor
- B24B7/20—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground
- B24B7/22—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground for grinding inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain
- B24B7/228—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground for grinding inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain for grinding thin, brittle parts, e.g. semiconductors, wafers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Constituent Portions Of Griding Lathes, Driving, Sensing And Control (AREA)
- Grinding Of Cylindrical And Plane Surfaces (AREA)
Abstract
[課題]若在研削後的晶圓發現十字線，則令台保持面的附著物附著位置為操作員能立刻掌握並去除附著物的位置，而防止在之後的晶圓研削中產生十字裂痕；其中，附著物附著位置係對應台保持面的十字線形成在晶圓的位置。[解決手段]一種研削裝置1，具備：保持台30，具有保持面300a；保持台旋轉手段37，使台30旋轉；精研削手段32，研削保持的晶圓W；以及通知手段17，對操作員通知資訊；其中，還具備：拍攝手段40，以照明具400照射晶圓W的被研削面Wb並拍攝被研削面Wb，晶圓W係被保持且被研削；檢測手段91，檢測拍攝圖像中的十字線；記憶手段90，記憶檢測的十字線的交點的X軸Y軸座標位置；聚光燈41，在記憶的X軸Y軸座標位置照射保持面300a；以及控制手段9，使通知手段17通知檢測到十字線，同時使裝置的研削動作停止。
Description
本發明係關於一種研削半導體晶圓等的工件的研削裝置。
研削晶圓的研削裝置係以旋轉的研削磨石的研削面，研削保持在保持台的多孔材所形成保持面上的晶圓，其中，研削磨石平行地位在保持面。當在保持台的保持面與晶圓的下表面之間夾有研削屑或磨粒等的附著物，在此狀態以研削磨石研削保持在保持面的晶圓，則在附著物正上方的晶圓的被研削面會形成十字形狀的裂痕。然後，為了不使十字裂痕形成在晶圓，會藉由記載於專利文獻1或2的清洗裝置，清洗吸引保持晶圓之前的保持面。
[習知技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本專利第4079289號。
[專利文獻2]日本專利第5538971號。
[專利文獻]
[專利文獻1]日本專利第4079289號。
[專利文獻2]日本專利第5538971號。
[發明所欲解決的課題]
然而，當在使用上述清洗裝置進行清洗後的保持面殘留有附著物，則會形成十字裂痕。是以，在將晶圓吸引保持在保持台的保持面之前，必須確認保持面是否有附著物。於此，習知係以拍攝相機拍攝保持面，惟具有操作員難以從形成的拍攝圖像判斷其為多孔陶瓷的花紋或為附著物之問題。
然而，當在使用上述清洗裝置進行清洗後的保持面殘留有附著物，則會形成十字裂痕。是以，在將晶圓吸引保持在保持台的保持面之前，必須確認保持面是否有附著物。於此，習知係以拍攝相機拍攝保持面，惟具有操作員難以從形成的拍攝圖像判斷其為多孔陶瓷的花紋或為附著物之問題。
於此，在研削裝置中有課題為：若在研削後的晶圓發現十字裂痕，則令在晶圓形成該十字裂痕的位置所對應之保持台的保持面的位置（附著物附著在保持面的位置）為操作員能立刻掌握並去除附著物的位置，而防止在之後的晶圓研削中在晶圓產生十字裂痕。
[解決課題的技術手段]
若根據本發明，提供一種研削裝置，具備：保持台，具備具有保持晶圓的保持面的多孔板；保持台旋轉手段，以該保持台的中心為軸而使保持台旋轉；研削手段，以研削磨石研削保持在該保持面的晶圓；通知手段，對操作員通知各種資訊；拍攝手段，以照明具照射晶圓的被研削面並拍攝被研削面，晶圓係被保持在該保持面且被該研削磨石研削；檢測手段，檢測該拍攝手段所拍攝的圖像中的十字線；記憶手段，記憶該檢測手段所檢測的十字線的交點的X軸Y軸座標位置；聚光燈，在該記憶手段所記憶的X軸Y軸座標位置照射該保持面；以及控制手段，使該通知手段通知操作員該檢測手段檢測到十字線，同時使裝置的研削動作停止。
若根據本發明，提供一種研削裝置，具備：保持台，具備具有保持晶圓的保持面的多孔板；保持台旋轉手段，以該保持台的中心為軸而使保持台旋轉；研削手段，以研削磨石研削保持在該保持面的晶圓；通知手段，對操作員通知各種資訊；拍攝手段，以照明具照射晶圓的被研削面並拍攝被研削面，晶圓係被保持在該保持面且被該研削磨石研削；檢測手段，檢測該拍攝手段所拍攝的圖像中的十字線；記憶手段，記憶該檢測手段所檢測的十字線的交點的X軸Y軸座標位置；聚光燈，在該記憶手段所記憶的X軸Y軸座標位置照射該保持面；以及控制手段，使該通知手段通知操作員該檢測手段檢測到十字線，同時使裝置的研削動作停止。
[發明功效]
若根據本發明，若在研削後的晶圓產生十字裂痕，則能以聚光燈照射此十字裂痕正下方的保持面，並在將晶圓從保持面取下後，操作員能立刻掌握保持面上的研削屑或磨粒等所附著的位置。然後，藉由操作員在被照射的保持面的該地方進行去除附著物，能即刻將成為十字裂痕原因的附著物從保持面去除。
若根據本發明，若在研削後的晶圓產生十字裂痕，則能以聚光燈照射此十字裂痕正下方的保持面，並在將晶圓從保持面取下後，操作員能立刻掌握保持面上的研削屑或磨粒等所附著的位置。然後，藉由操作員在被照射的保持面的該地方進行去除附著物，能即刻將成為十字裂痕原因的附著物從保持面去除。
圖1所示的研削裝置1為對由保持台30所吸引保持的晶圓W施以研削加工的裝置。圖1所示的晶圓W例如是由矽母材所構成的圓形板狀的半導體晶圓，在圖1中朝向下方的晶圓W的正面Wa係形成有多個元件，且被保護膠膜T所黏貼並保護。朝向上方的晶圓W的背面Wb則成為施以研削加工的被研削面。在晶圓W的外周緣，表示結晶方位的標記之凹槽N係以朝向晶圓W的中心而往徑方向內側凹陷的狀態形成。
在研削裝置1的基座10的前方側（-X方向側），配設有操作員用以對研削裝置1輸入加工條件等的輸入手段19。又，在基座10上的前方側，配設有容納研削前的晶圓W的第一卡匣331與容納結束研削的晶圓W的第二卡匣332。在第一卡匣331與第二卡匣332之間係配設有具備多關節手臂的機械具330；其中，多關節手臂從第一卡匣331搬出研削前的晶圓W，同時將結束研削的晶圓W搬入至第二卡匣332。
在機械具330的可動區域，設有暫置加工前的晶圓W的暫置台333a，在暫置台333a則配設有對位手段333b。對位手段333b將從第一卡匣331搬出且載置於暫置台333a的晶圓W以縮徑的對位銷對位（中心校正）在預定的位置。
在暫置台333a的側方係配設有檢測晶圓W的凹槽N的凹槽檢測部333c。凹槽檢測部333c例如是以光反射型或透過型的光學感測器所構成，隨著保持有中心校正後的晶圓W的暫置台333a的旋轉，而晶圓W的外周通過凹槽檢測部333c的檢測區域（下方），藉此能檢測形成在晶圓W的外周緣的凹槽N。附帶一提的是，亦可為令凹槽檢測部333c為由相機等所構成者，並由凹槽檢測部333c將由相機所拍攝的拍攝圖做圖像處理，而檢測晶圓W的外周緣的凹槽N。
在機械具330的可動區域係配設有清洗結束研削的晶圓W的清洗手段334。清洗手段334例如是枚葉式的旋轉清洗裝置。
在對位手段333b的附近係配設有第一搬送手段335，在清洗手段334的附近則配設有第二搬送手段336。第一搬送手段335將載置於暫置台333a且被中心校正的研削前的晶圓W搬送至圖1所示的任一個保持台30，第二搬送手段336則將保持在任一個保持台30的結束研削的晶圓W搬送至清洗手段334。
在基座10上的第一搬送手段335的後方側係配設有迴轉台34，在迴轉台34的上面，於周方向例如配設有4個空開等間隔的保持台30（圖中僅圖示2個）。迴轉台34於基座10上在Z軸方向的軸心周圍為可自轉。藉由迴轉台34的旋轉，任一個保持台30係定位在第一搬送手段335與第二搬送手段336的附近。
如圖2所示，保持台30例如其外形為圓形狀，並具備吸附晶圓W的多孔板300與支撐多孔板300的框體301。多孔板300係連通真空產生裝置等的吸引源39，由吸引源39吸引而產生的吸引力傳達至作為孔板300的露出面之保持面300a，藉此保持台30將晶圓W吸引保持在保持面300a上。保持面300a係形成為以其旋轉中心為頂點並具備極為平緩地傾斜的圓錐面。
在保持台30的下表面側係連接有保持台旋轉手段37，保持台30在圖1所示的迴轉台34上藉由保持台旋轉手段37在可繞著Z軸方向的軸心旋轉。
又，在保持台30的下方，藉由耦合器等配設有傾斜調節機構38。傾斜調節機構38能調節相對於保持台30的保持面300a的水平面的傾斜。
又，在保持台30的下方，藉由耦合器等配設有傾斜調節機構38。傾斜調節機構38能調節相對於保持台30的保持面300a的水平面的傾斜。
保持台旋轉手段37例如是皮帶輪機構，其具備：主軸370，軸方向為Z軸方向且其上端連接保持台30的框體301的下表面；以及成為驅動源的馬達371，以保持台30的中心為軸而使保持台30旋轉。在馬達371的軸件係組裝有主動皮帶輪372，在主動皮帶輪372則捲繞有環形帶373。在主軸370係組裝有從動皮帶輪374，環形帶373亦捲繞在此從動皮帶輪374。藉由馬達371旋轉驅動主動皮帶輪372，隨著主動皮帶輪372的旋轉而使環形帶373轉動，藉由環形帶373的轉動從而從動皮帶輪374與主軸370會旋轉。
舉例而言，在馬達371係連接有檢測馬達371的旋轉角度、亦即檢測保持台30的旋轉角度的迴旋編碼器379。
舉例而言，在馬達371係連接有檢測馬達371的旋轉角度、亦即檢測保持台30的旋轉角度的迴旋編碼器379。
如圖1所示，在基座10上的後方側（+X方向側）係立設有柱體11，在柱體11的前面則並排配設有：粗研削進給手段35，使粗研削手段31對由保持台30所保持的晶圓W做研削進給；以及精研削進給手段36，使精研削手段32對由保持台30所保持的晶圓W做研削進給。
粗研削進給手段35由以下所構成：未圖示的滾珠螺桿，具有垂直方向（Z軸方向）的軸心；一對導軌351，與滾珠螺桿平行地配設；馬達352，連結滾珠螺桿並使滾珠螺桿旋轉；以及昇降部353，內部的螺帽螺合滾珠螺桿，同時側部滑接導軌351；隨著馬達352使滾珠螺桿旋轉，支撐粗研削手段31的昇降部353會被導軌351所導引並昇降。
精研削進給手段36由以下所構成：未圖示的滾珠螺桿，具有垂直方向的軸心；一對導軌361，與滾珠螺桿平行地配設；馬達362，連結滾珠螺桿並使滾珠螺桿旋轉；以及昇降部363，內部的螺帽螺合滾珠螺桿，同時側部滑接導軌361；隨著馬達362使滾珠螺桿旋轉，支撐精研削手段32的昇降部363會被導軌361所導引並昇降。
粗研削手段31具備：旋轉軸310，軸方向為垂直方向；外殼311，可旋轉地支撐旋轉軸310；馬達312，旋轉驅動旋轉軸310；安裝件313，組裝在旋轉軸310的下端；以及研削輪314，可拆裝地連接於安裝件313。在研削輪314的底面環狀地配設有約略為長方體形狀的多個粗研削磨石314a。粗研削磨石314a係以預定的黏合劑固接金剛石磨粒等而成形。粗研削磨石314a例如是磨石中所包含的磨粒相對較大的磨石。
舉例而言，在旋轉軸310的內部，連通研削水供給源且成為研削水的通道之未圖示的流路係貫穿旋轉軸310的軸方向而形成，流路係在研削磨輪314的底面以朝向粗研削磨石314a可噴出研削水的方式開口。
精研削手段32能對由粗研削而薄化的晶圓W進行提高平坦性的精研削。亦即，精研削手段32藉由具備精研削磨石324a且可旋轉地裝設的研削輪314，而對粗研削手段31所研削的晶圓W的背面Wb做更進一步的研削。精研削磨石324a中所包含的磨粒為比粗研削磨石314a中所包含的磨粒的粒徑還小的磨粒。關於精研削手段32中精研削磨石324a以外的構成，相同於粗研削手段31的構成。
在保持台30的移動路徑的上方，配設有清洗保持台30的保持面300a的清洗手段8。此清洗手段8如圖2所示，具備：旋轉軸80，具有垂直方向的軸心；外殼81，可旋轉地支撐旋轉軸80；清洗磨石82，配設在旋轉軸80的下端；以及昇降手段83，使外殼81昇降。然後，清洗手段8藉由圖1所示的Y軸移動手段89在Y軸方向可往返移動。
圖1所示的Y軸移動手段89例如是具備：滾珠螺桿890，具有Y軸方向的軸心；橋架部891，支撐滾珠螺桿890；可動部892，內部的螺帽係螺合滾珠螺桿890，並使滾珠螺桿890上往Y軸方向往返移動；以及未圖示的馬達，連結滾珠螺桿890的一端並使滾珠螺桿890旋轉。在可動部892的前面配設有清洗手段8。
清洗磨石82例如是將樹脂結合劑磨石、樹脂材或陶瓷材形成為圓形板狀者，並削去附著在保持台30的保持面300a的研削屑等的汙染物。附帶一提的是，清洗手段8亦可具備清洗刷來取代清洗磨石82。
昇降手段83具備：外殼81所滑動的軌道830；以及例如是設在外殼81內部的馬達等；能使外殼81昇降。
昇降手段83具備：外殼81所滑動的軌道830；以及例如是設在外殼81內部的馬達等；能使外殼81昇降。
研削裝置1係具備：拍攝手段40，以照明具400（參照圖2）照射晶圓W的被研削面Wb並拍攝被研削面Wb，晶圓W係被保持在保持台30的保持面300a且被精研削磨石324a研削；以及聚光燈41，照射保持台30的保持台300a。
拍攝手段40例如是線感測器相機，且配設在清洗手段8的外殼81的側面，並能與清洗手段8一同往Y軸方向與Z軸方向移動。如圖2所示，拍攝手段40例如是具備使外部光遮光的長方體狀的殼體401，在殼體401的側面係組裝有從晶圓W的上方照射晶圓W的照明具400。照明具400例如是LED或氙氣燈等，照明具400所產生的光係藉由未圖示的光纖等的傳送光學系統而傳遞至殼體401內部。照明具400所發出的光線的光量能由未圖示的調整器等做調整。
拍攝手段40具備：半鏡402，配設在殼體401內，並使照明具400所發出的光朝向下方反射而轉換方向；未圖示的物鏡，配設在殼體401內的半鏡402的下側，且供由半鏡402所反射的光入射；以及拍攝部403，配設在半鏡402的上側，並將由晶圓W所反射且將物鏡所捕捉的反射光做光電轉換而作為圖像資訊並輸出。
拍攝部403例如是由CCD等多個受光元件橫一列並排在X軸方向而構成。拍攝部403係其長軸方向（X軸方向）的長度呈約略相同於保持台30的保持面300a的半徑的長度，且拍攝部具有晶圓W的半徑以上長度的拍攝區域。受光元件的各像素依反射光的強度而傳送的資料例如是以亮度值為8位元階度做表現，亦即以0～255的256個階度做表現。
聚光燈41例如是能從上方點狀地照射保持台30的保持面300a的LED燈等，並組裝在拍攝手段40的附近，亦即在本實施形態中是組裝在清洗手段8的外殼81的側面。附帶一提的是，聚光燈41的聚光的入射角度例如能藉由未圖示的調整手段做調整，聚光光徑亦能篩選為所要的值。又，聚光燈41的配設處所亦非限定為圖1、2所示者。
如圖1、2所示，研削裝置1具備控制手段9，其由CPU與記憶體等的記憶手段90所構成，且進行裝置整體的控制。控制手段9藉由未圖示的配線電性連接精研削進給手段36、Y軸移動手段89以及保持台旋轉手段37等，在控制手段9的控制之下，係控制以下動作：由精研削進給手段36所做的精研削手段32往Z軸方向的移動動作；由Y軸移動手段89所做的拍攝手段40在Y軸方向的定位動作；以及由保持台旋轉手段37所做的保持台30的旋轉動作。
研削裝置1具備對操作員通知各種資訊的通知手段17。通知手段17將通知資訊顯示在未圖示的螢幕或從警示鐘做發訊。
以下，說明在由圖1所示的研削裝置1研削晶圓W的情況下研削裝置1的動作。
首先，藉由圖1所示的迴轉台34做自轉，未載置晶圓W的狀態的保持台30會公轉，而保持台30則移動至第一搬送手段335的附近。機械具330從第一卡匣331拉出一片晶圓W，並使晶圓W移動至暫置台333a。
首先，藉由圖1所示的迴轉台34做自轉，未載置晶圓W的狀態的保持台30會公轉，而保持台30則移動至第一搬送手段335的附近。機械具330從第一卡匣331拉出一片晶圓W，並使晶圓W移動至暫置台333a。
藉由對位手段333b使晶圓W在暫置台333a上做中心校正後，形成在晶圓W的外周緣的凹槽N會被凹槽檢測部333c檢測到。然後，晶圓W藉由暫置台333a而旋轉，且凹槽N會定位在周方向中的預定位置。接著，第一搬送手段335以掌握到的凹槽N的周方向位置不會偏移的方式，將被中心校正且凹槽N被定位在周方向中的預定位置的晶圓W移動至保持台30上。
舉例而言，在保持台30可形成有在晶圓W載置時用以與凹槽N對位的未圖示的凹槽對準部（對準標記）。在保持台30中，晶圓W的凹槽N會與保持台30的凹槽對準部做對位。亦即，第一搬送手段335保持有晶圓W時的凹槽N的位置因為從暫置台333a保持並搬出晶圓W時就已被決定，所以凹槽N的位置係：保持台30旋轉預定角度，以暫置台333a所保持的晶圓W的凹槽N的位置和保持台30的凹槽對準部一致的方式做對位。然後，以保持台30的中心約略一致於晶圓W的中心的方式，使晶圓W以背面Wb朝向上的狀態載置於保持面300a上。
然後，吸引源39（參照圖2）作動而產生的吸引力係傳達至多孔板300的保持面300a，藉此保持台30將晶圓W吸引保持在保持面300a上。又，被吸引保持的晶圓W的凹槽N的位置則呈被控制手段9所掌握的狀態。
附帶一提的是，吸引保持在保持台30上的晶圓W的凹槽N的位置，至少直到由後述的第二搬送手段336將晶圓W從保持台30搬出時之前恆為被掌握的狀態。亦即，當進行由保持台旋轉手段37對保持台30產生的旋轉，則圖2所示的保持台旋轉手段37的迴旋編碼器379會將編碼訊號（馬達371的旋轉數）對控制手段9做輸出。控制手段9根據接收的編碼訊號，回饋控制由保持台旋轉手段37所做的保持台30的旋轉速度，且逐一掌握旋轉的晶圓W的凹槽N的位置。
附帶一提的是，吸引保持在保持台30上的晶圓W的凹槽N的位置，至少直到由後述的第二搬送手段336將晶圓W從保持台30搬出時之前恆為被掌握的狀態。亦即，當進行由保持台旋轉手段37對保持台30產生的旋轉，則圖2所示的保持台旋轉手段37的迴旋編碼器379會將編碼訊號（馬達371的旋轉數）對控制手段9做輸出。控制手段9根據接收的編碼訊號，回饋控制由保持台旋轉手段37所做的保持台30的旋轉速度，且逐一掌握旋轉的晶圓W的凹槽N的位置。
附帶一提的是，保持台30中的晶圓W的凹槽N的位置的掌握在使用拍攝手段40而進行對晶圓W的邊緣對準的情況，亦可同時與該邊緣對準執行。在邊緣對準執行時，保持台30旋轉，使保持在保持台30的晶圓W的外周緣被拍攝手段40拍攝多個處所。然後，例如是檢測外周緣中分離的3點的座標，藉由基於該3點的座標的幾何學演算處理，求出保持台30上中的晶圓W的正確中心座標。又，還從形成的拍攝圖像掌握住凹槽N的座標位置。
保持台30吸引保持晶圓W後，圖1所示的迴轉台34係往從+Z方向看去為順時針方向自轉。然後，保持有晶圓W的保持台30會公轉，粗研削手段31的粗研削磨石314a的旋轉中心則相對於晶圓W的旋轉中心往水平方向只偏移預定距離，從而以粗研削磨石314a的旋轉軌跡通過晶圓W的旋轉中心的方式，使晶圓W被定位。又，還以平緩的圓錐面之保持面300a相對於粗研削磨石314a的研削面（下表面）呈平行的方式，藉由傾斜調節機構38（參照圖2）調整保持台30的傾斜度，從而順著保持面300a而吸引保持的晶圓W的背面Wb會呈平行於粗研削磨石314a的研削面。
粗研削手段31藉由粗研削進給手段35往-Z方向進給，旋轉的粗研削磨石314a則抵接以保持台30所保持的晶圓W的背面Wb，藉此進行粗研削。又，因為隨著保持台旋轉手段37以預定的速度旋轉保持台30，保持面300a上的晶圓W亦會旋轉，所以粗研削磨石314a進行晶圓W的背面Wb整面的粗研削加工。在研削中，研削水係供給至粗研削磨石314a與晶圓W的背面Wb的接觸部位，從而清洗、冷卻接觸部位。
晶圓W被粗研削至精研削之前的厚度後，粗研削進給手段35係使粗研削手段31上昇而從晶圓W分離。
接著，迴轉台34往從+Z方向看去為順時針方向旋轉，從而吸引保持晶圓W的保持台30移動至精研削手段32的下方。進行精研削磨石324a與晶圓W的對位後，精研削手段32係由精研削進給手段36往下方進給，旋轉的精研削磨石324a則抵接晶圓W的背面Wb，又，隨著保持台30旋轉，晶圓W的背面Wb整面係被精研削。
接著，迴轉台34往從+Z方向看去為順時針方向旋轉，從而吸引保持晶圓W的保持台30移動至精研削手段32的下方。進行精研削磨石324a與晶圓W的對位後，精研削手段32係由精研削進給手段36往下方進給，旋轉的精研削磨石324a則抵接晶圓W的背面Wb，又，隨著保持台30旋轉，晶圓W的背面Wb整面係被精研削。
待精研削手段32從被研削至完工厚度且背面Wb的平坦性被提高的晶圓W分離之後，迴轉台34往從+Z方向看去為順時針方向自轉，藉此晶圓W會移動至第二搬送手段336的附近。然後，第二搬送手段336將保持台30上的晶圓W搬送至清洗手段334。在清洗手段334中晶圓W被清洗後，機械具330將晶圓W從清洗手段334搬出，再將晶圓W搬入至第二卡匣332。在研削裝置1中，像這樣一連串的研削動作係反覆進行，使多片晶圓W被研削。
如上述，當研削了晶圓W，則研削屑或脫落的磨粒進入圖1所示的保持台30的保持面300a與黏貼在晶圓W的保護膠膜T之間，從而此研削屑或磨粒會附著在保持面300a。在此狀態當研削了晶圓W，則在晶圓W會產生十字形狀的裂痕（十字線）。又，在此附著物維持殘留在保持面300a上的狀態下，將下個晶圓W吸引保持在該保持面300a，當下個晶圓W的背面Wb被研削，則在下個晶圓W會產生十字形狀的裂痕。
於此，清洗手段8係藉由Y軸移動手段89往Y軸方向移動，將清洗磨石82定位在搬出晶圓W的保持台30的保持面300a的上方。然後，保持台旋轉手段37係使保持台30旋轉，同時昇降手段83使旋轉的清洗磨石82下降，將清洗磨石82推壓至保持面300a。如此一來，從保持面300a往上方突出的研削屑等會被削去，從而清洗保持面300a。
舉例而言，一邊以適當的時機加入使用清洗手段8清洗保持台30的保持面300a的動作，一邊連續研削多片晶圓W等的情況中，在進行由清洗手段8所做的清洗後的保持面300a會殘留有附著物，於此情況，在以該保持面300a所保持的晶圓W的背面Wb會因研削而形成十字線。
因此，必須防止在晶圓W形成有十字線的狀態下研削多片晶圓W，本發明的研削裝置1係實施如以下說明的動作。
因此，必須防止在晶圓W形成有十字線的狀態下研削多片晶圓W，本發明的研削裝置1係實施如以下說明的動作。
舉例而言，待預定的多片晶圓W藉由精研削而被研削至完工厚度，則圖1所示的精研削手段32從晶圓W分離，之後迴轉台34往從+Z方向看去為順時針方向自轉，又，Y軸移動手段89會使拍攝手段40往Y軸方向移動，以拍攝手段40能拍攝吸引保持在保持台30的晶圓W的背面Wb的方式，使晶圓W與拍攝手段40做對位。亦即，如圖3、4所示，以拍攝部403從晶圓W的中心Wc上方線狀地跨越至外周緣上方的方式執行對位。附帶一提的是，在圖3、4中，拍攝手段40的拍攝部403以外的構成係省略表示。
接著，保持台旋轉手段37在控制手段9的控制之下，將保持台30只旋轉預定角度，舉例而言，如圖4所示，通過晶圓W的中心Wc與凹槽N兩者的假想線L1係相對於X軸方向呈平行，且凹槽N被定位在+X方向側的位置（0度位置，亦即拍攝開始位置）。
又，待拍攝手段40作動，未圖示的物鏡的對焦會藉由圖2所示的昇降手段83所做的拍攝手段40的上下移動而執行。在物鏡的焦點對準晶圓W的背面Wb的時間點，昇降手段83停止拍攝手段40的上下移動。
又，待拍攝手段40作動，未圖示的物鏡的對焦會藉由圖2所示的昇降手段83所做的拍攝手段40的上下移動而執行。在物鏡的焦點對準晶圓W的背面Wb的時間點，昇降手段83停止拍攝手段40的上下移動。
在此狀態，如圖3、4所示，保持台旋轉手段37例如是使保持台30以預定的旋轉速度，往從+Z方向側看去為逆時針方向做旋轉。又，拍攝手段40的照明具400（參照圖2）係透過半鏡402對晶圓W的背面Wb照射光線，來自晶圓W的背面Wb的反射光會被未圖示的物鏡所捕捉而入射至拍攝部403的受光元件。然後，相對於拍攝手段40做相對地旋轉的晶圓W的背面Wb，會由拍攝手段40從晶圓W的中心Wc往其外周緣對每一條線連續地拍攝。
拍攝部403將線單位的拍攝圖像逐一傳送至圖1、2所示的控制手段9。該線單位的拍攝圖像係以可構成顯像有晶圓W的背面Wb整體的拍攝圖像的方式，依序記憶至控制手段9的記憶手段90。又，控制手段9根據從使保持台30旋轉的保持台旋轉手段37的迴旋編碼器379（參照圖2）所接收的編碼信號，將表示關於晶圓W的背面Wb的一條線的拍攝圖像，以及表示該條線的拍攝圖像被拍攝時保持台30從拍攝開始位置（0度位置）的旋轉角度，建立關連性並依序記憶至記憶手段90。
然後，當保持台旋轉手段37使保持台30旋轉360度從而拍攝手段40繞過晶圓W的背面Wb上方一圈（凹槽N返回至拍攝開始位置），則會形成顯像有晶圓W的背面Wb整面的拍攝圖像，又，保持台30的旋轉即停止。
然後，當保持台旋轉手段37使保持台30旋轉360度從而拍攝手段40繞過晶圓W的背面Wb上方一圈（凹槽N返回至拍攝開始位置），則會形成顯像有晶圓W的背面Wb整面的拍攝圖像，又，保持台30的旋轉即停止。
入射至拍攝部403的各受光元件的反射光的光量（受光量）在晶圓W的背面Wb具有十字線的情況會產生差異。亦即，在拍攝部403的各受光元件中，晶圓W的背面Wb具有十字線的處所會增加受光量，而其亮度值會接近255並接近於白色，反之晶圓W的背面Wb沒有十字線的區域會減少受光量，而其亮度值會接近0並接近於黑色。是以，在圖5所示的預定解析度的假想輸出畫面上顯示之顯像有晶圓W的背面Wb整面的拍攝圖像G中，晶圓W的背面Wb的十字線C例如是以白色表示，而其周圍的晶圓W的背面Wb則以灰色表示。
附帶一提的是，亦可對拍攝圖像G進行二元化處理，使十字線C與其周圍能更明確地區別。
附帶一提的是，亦可對拍攝圖像G進行二元化處理，使十字線C與其周圍能更明確地區別。
如圖1、2所示，研削裝置1具備檢測手段91，檢測拍攝手段40所拍攝的拍攝圖像G中的十字線C，檢測手段91例如是被組裝進控制手段9。檢測手段91係統計顯像於圖5所示的拍攝圖像G中晶圓W的背面Wb中（灰色區域中）白色像素的Y軸方向的總合、以及白色像素的X軸方向的總合，從而檢測十字線C並同時計算十字線C的大小。又，十字線C的交點的像素會被指定。
接著，檢測到的十字線C的交點的像素的X軸Y軸座標位置會由檢測手段91做決定。約略一致於保持台30的旋轉中心的晶圓W的中心Wc的座標位置例如是作為原點座標（0，0）而決定，並拉繪出假想線L2，該假想線L2連結表示原點座標（0，0）與指定的十字線C的交點之像素。假想線L1與假想線L2之間的角度θ1係相同於畫有十字線C的線單位的拍攝圖像被拍攝時保持台30從拍攝開始位置所旋轉的角度，且為記憶在記憶手段90的已知數值。
又，假想線L2的長度係根據從原點座標（0，0）至十字線C的交點的像素之像素統計而算出（例如令算出值為r）。然後，檢測的十字線C的交點的像素的X軸Y軸座標位置（x，y）則決定為（rcosθ1，-rsinθ1）。然後，十字線C的交點的X軸Y軸座標位置（rcosθ1，-rsinθ1）會被記憶至記憶手段90。
又，假想線L2的長度係根據從原點座標（0，0）至十字線C的交點的像素之像素統計而算出（例如令算出值為r）。然後，檢測的十字線C的交點的像素的X軸Y軸座標位置（x，y）則決定為（rcosθ1，-rsinθ1）。然後，十字線C的交點的X軸Y軸座標位置（rcosθ1，-rsinθ1）會被記憶至記憶手段90。
附帶一提的是，檢測的十字線C的交點的像素的X軸Y軸座標位置（x，y）的決定並非限定為上述實施例者。舉例而言，從十字線C的交點的像素拉繪出垂直於假想線L1的假想線L3（在圖5未圖示），假想線L1與假想線L3的交點的X軸座標則由從原點座標（0，0）至假想線L1與假想線L3的交點之像素統計而決定。然後，亦可為更進一步進行從假想線L1與假想線L3的交點至十字線C的交點之像素統計，而決定出十字線C的交點Y軸座標位置，最後再決定出十字線C的交點的像素的X軸Y軸座標位置（x，y）。
當十字線C的交點的X軸Y軸座標位置（rcosθ1，-rsinθ1）被記憶至記憶手段90，則圖1、2所示的聚光燈41會照射晶圓W的背面Wb中該記憶的X軸Y軸座標位置（rcosθ1，-rsinθ1）。亦即，在由控制手段9所做的控制之下，藉由實施由Y軸移動手段89所做的聚光燈41在Y軸方向的移動、由昇降手段83所做的聚光燈41在Z軸方向的移動，及/或由未圖示的調整手段所做的聚光燈41照射的聚光入射角度的調整，而使聚光燈41以預定的光點徑照射晶圓W的背面Wb中該記憶的X軸Y軸座標位置（rcosθ1，-rsinθ1）。附帶一提的是，聚光燈41照射的聚光的光點徑例如是十字線C的縱橫長大小的直徑。
如先前所說明，當檢測手段91檢測到十字線C，則控制訊號從控制手段9傳送至通知手段17，通知手段17係將在晶圓W檢測到十字線C的情況通知操作員。又，在由控制手段9所做的控制之下，研削動作會被停止，亦即如後述等的動作會被停止：晶圓W由第一搬送手段335搬入至保持形成有十字線C的晶圓W的保持台30以外的保持台30；對以其他保持台30所保持的晶圓W做粗研削加工（精研削加工）；形成有十字線C的晶圓W由第二搬送手段336從保持台30往清洗手段334的搬送；以及迴轉台34的旋轉。藉此，操作員從保持台30取下形成有十字線C的晶圓W，之後研削裝置1即成為能去除保持台30的保持面300a的附著物的狀態。
附帶一提的是，在晶圓W未檢測到十字線C的情況，相同於先前所說明，藉由迴轉台34的旋轉使晶圓W移動至第二搬送手段336的附近，第二搬送手段336則將保持台30上的晶圓W搬送至清洗手段334。
附帶一提的是，在晶圓W未檢測到十字線C的情況，相同於先前所說明，藉由迴轉台34的旋轉使晶圓W移動至第二搬送手段336的附近，第二搬送手段336則將保持台30上的晶圓W搬送至清洗手段334。
如上述，研削裝置1的研削動作停止之後，檢測到十字線C的晶圓W係在解除由保持台30對晶圓W所做的吸引保持後，即作為不適合產品晶圓的晶圓由操作員從保持台30搬出。因此，以預定的光點徑照射晶圓W的背面Wb中該記憶的X軸Y軸座標位置（rcosθ1，-rsinθ1）的聚光燈41（參照圖2）會呈為以聚光照射十字線C形成在晶圓W的X軸Y軸座標位置（rcosθ1，-rsinθ1）的正下方的保持面300a。亦即，作為在晶圓W形成十字線C的原因之保持面300a上的附著物會成為由聚光燈41以光點精準照射的狀態。
從而操作員能藉由聚光燈41的聚光，立刻掌握保持面300a上的研削屑或磨粒等的附著物所附著的位置。因此，操作員例如是能使用附著物去除用的工具（例如是刮刀或清洗刷等），即刻將成為十字線C的原因的附著物從保持面300a去除。
如上述的由操作員所做的保持面300a的附著物的去除被實施後，由操作員將研削裝置1以研削裝置1的研削動作能再度開始的方式做設定，使晶圓W保持在保持面300a成為在下個晶圓W不會形成十字線C的狀態的保持台30上而實施前述研削。
附帶一提的是，本發明的研削裝置1並非限定為上述實施形態者，又關於附加圖式所圖示的各裝置的構成等亦非限定為此，在能發揮本發明功效的範圍內可適當變更。
舉例而言，聚光燈41亦可為操作員從保持台30搬出檢測到十字線C的晶圓W後，開始照射記憶在記憶手段90的十字線C的交點的X軸Y軸座標位置（rcosθ1，-rsinθ1）。
舉例而言，聚光燈41亦可為操作員從保持台30搬出檢測到十字線C的晶圓W後，開始照射記憶在記憶手段90的十字線C的交點的X軸Y軸座標位置（rcosθ1，-rsinθ1）。
1‧‧‧研削裝置
10‧‧‧基座
11‧‧‧柱體
17‧‧‧通知手段
30‧‧‧保持台
300‧‧‧多孔板
300a‧‧‧保持面
301‧‧‧框體
31‧‧‧粗研削手段
310‧‧‧旋轉軸
311‧‧‧外殼
312‧‧‧馬達
314‧‧‧研削輪
314a‧‧‧粗研削磨石
32‧‧‧精研削手段
324a‧‧‧精研削磨石
330‧‧‧機械具
331‧‧‧第一卡匣
332‧‧‧第二卡匣
333a‧‧‧暫置台
333b‧‧‧對位手段
333c‧‧‧凹槽檢測部
334‧‧‧清洗手段
335‧‧‧第一搬送手段
336‧‧‧第二搬送手段
34‧‧‧迴轉台
35‧‧‧粗研削進給手段
350‧‧‧滾珠螺桿
351‧‧‧導軌
352‧‧‧馬達
353‧‧‧昇降部
36‧‧‧精研削進給手段
360‧‧‧滾珠螺桿
361‧‧‧導軌
362‧‧‧馬達
363‧‧‧昇降部
37‧‧‧保持台旋轉手段
370‧‧‧主軸
371‧‧‧馬達
372‧‧‧主動皮帶輪
373‧‧‧環形帶
374‧‧‧從動皮帶輪
379‧‧‧迴旋編碼器
38‧‧‧傾斜調節機構
39‧‧‧吸引源
8‧‧‧清洗手段
80‧‧‧旋轉軸
81‧‧‧外殼
82‧‧‧清洗磨石
83‧‧‧昇降手段
89‧‧‧Y軸移動手段
40‧‧‧拍攝手段
400‧‧‧照明具
401‧‧‧殼體
402‧‧‧半鏡
403‧‧‧拍攝部
41‧‧‧聚光燈
9‧‧‧控制手段
90‧‧‧記憶手段
91‧‧‧檢測手段
W‧‧‧晶圓
Wa‧‧‧晶圓的背面
Wb‧‧‧晶圓的被研削面（背面）
T‧‧‧保護膠膜
N‧‧‧凹槽
C‧‧‧十字線
圖1係表示研削裝置一例子的立體圖。
圖2係表示保持台、清洗手段以及拍攝手段一例子的剖面圖。
圖3係表示將被保持在保持面且被研削磨石研削的晶圓的被研削面以照明具照射並以拍攝手段拍攝之剖面圖。
圖4係表示將被保持在保持面且被研削磨石研削的晶圓的被研削面以照明具照射並以拍攝手段拍攝之俯視圖。
圖5係說明檢測手段檢測拍攝手段所拍攝的圖像中的十字線的情形之說明圖。
Claims (1)
- 一種研削裝置，具備： 保持台，具備具有保持晶圓的保持面的多孔板； 保持台旋轉手段，以該保持台的中心為軸而使保持台旋轉； 研削手段，以研削磨石研削保持在該保持面的晶圓； 通知手段，對操作員通知各種資訊； 拍攝手段，以照明具照射晶圓的被研削面並拍攝被研削面，晶圓係被保持在該保持面且被該研削磨石研削； 檢測手段，檢測該拍攝手段所拍攝的圖像中的十字線； 記憶手段，記憶該檢測手段所檢測的十字線的交點的X軸Y軸座標位置； 聚光燈，在該記憶手段所記憶的X軸Y軸座標位置照射該保持面；以及 控制手段，使該通知手段通知操作員該檢測手段檢測到十字線，同時使裝置的研削動作停止。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2018056173A JP2019169608A (ja) | 2018-03-23 | 2018-03-23 | 研削装置 |
| JP2018-056173 | 2018-03-23 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW201941292A true TW201941292A (zh) | 2019-10-16 |
Family
ID=67984652
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW108109505A TW201941292A (zh) | 2018-03-23 | 2019-03-20 | 研削裝置 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20190291239A1 (zh) |
| JP (1) | JP2019169608A (zh) |
| KR (1) | KR20190111764A (zh) |
| CN (1) | CN110293480A (zh) |
| SG (1) | SG10201901935SA (zh) |
| TW (1) | TW201941292A (zh) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10835920B2 (en) * | 2018-08-03 | 2020-11-17 | Indian Institute Of Technology Ropar | Technology and process for coating a substrate with swarf particles |
| JP7393926B2 (ja) * | 2019-11-27 | 2023-12-07 | 株式会社ディスコ | 加工装置 |
| CN111730431B (zh) * | 2020-05-20 | 2021-10-15 | 清华大学 | 晶圆磨削方法及晶圆磨削*** |
| CN111421412B (zh) * | 2020-05-20 | 2022-03-04 | 清华大学 | 一种磨削工作台和晶圆减薄设备 |
| JP2022168720A (ja) * | 2021-04-26 | 2022-11-08 | 株式会社ディスコ | 加工方法 |
| JP2022190857A (ja) * | 2021-06-15 | 2022-12-27 | 株式会社ディスコ | チャックテーブル、研削装置及び被加工物の研削方法 |
| CN114571321B (zh) * | 2022-03-01 | 2022-11-29 | 徐州新兴达克罗科技有限公司 | 一种自回收式铸锻件惰性打磨装置及其使用方法 |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5538971A (en) | 1978-09-13 | 1980-03-18 | Kubota Ltd | Hot air generator |
| JPH0481754A (ja) * | 1990-07-24 | 1992-03-16 | Fujitsu Ltd | フォトツール用欠陥確認装置 |
| JP3273401B2 (ja) * | 1995-01-17 | 2002-04-08 | オムロン株式会社 | 修正支援方法および装置 |
| JP4079289B2 (ja) | 1998-02-18 | 2008-04-23 | 株式会社ディスコ | チャックテーブル洗浄装置 |
| JP2001144197A (ja) * | 1999-11-11 | 2001-05-25 | Fujitsu Ltd | 半導体装置、半導体装置の製造方法及び試験方法 |
| JP2002082067A (ja) * | 2000-09-05 | 2002-03-22 | Olympus Optical Co Ltd | 基板検査装置 |
| JP2013122956A (ja) * | 2011-12-09 | 2013-06-20 | Disco Abrasive Syst Ltd | 加工装置 |
| JP6074154B2 (ja) * | 2012-04-12 | 2017-02-01 | 株式会社ディスコ | 加工装置 |
| JP6141153B2 (ja) * | 2013-09-10 | 2017-06-07 | 株式会社ディスコ | 異物除去工具及び異物除去方法 |
| JP6441056B2 (ja) * | 2014-12-10 | 2018-12-19 | 株式会社ディスコ | 研削装置 |
| JP6622610B2 (ja) * | 2016-02-09 | 2019-12-18 | 株式会社ディスコ | 研削装置 |
| JP6752638B2 (ja) * | 2016-06-27 | 2020-09-09 | 株式会社ディスコ | 内部クラック検出方法、および内部クラック検出装置 |
-
2018
- 2018-03-23 JP JP2018056173A patent/JP2019169608A/ja active Pending
-
2019
- 2019-03-05 SG SG10201901935S patent/SG10201901935SA/en unknown
- 2019-03-08 KR KR1020190027035A patent/KR20190111764A/ko not_active Application Discontinuation
- 2019-03-19 US US16/358,102 patent/US20190291239A1/en not_active Abandoned
- 2019-03-20 TW TW108109505A patent/TW201941292A/zh unknown
- 2019-03-20 CN CN201910211295.XA patent/CN110293480A/zh active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2019169608A (ja) | 2019-10-03 |
| US20190291239A1 (en) | 2019-09-26 |
| KR20190111764A (ko) | 2019-10-02 |
| CN110293480A (zh) | 2019-10-01 |
| SG10201901935SA (en) | 2019-10-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TW201941292A (zh) | 研削裝置 | |
| TWI695424B (zh) | 磨削裝置 | |
| JP6906859B2 (ja) | 加工装置 | |
| TW201834051A (zh) | 工件的檢查方法、工件的檢查裝置及加工裝置 | |
| TW202042966A (zh) | 磨削裝置 | |
| KR20180127910A (ko) | 절삭 장치의 절삭 블레이드 검출 기구 | |
| TW201946212A (zh) | 保持台以及加工裝置 | |
| JP2016130738A (ja) | ウェーハ形状測定装置及び方法 | |
| TW202133307A (zh) | 加工裝置 | |
| JP4392213B2 (ja) | 半導体基板のクラックの有無を検査する表面検査装置 | |
| JP2010030007A (ja) | 研削装置及びスクラッチ検出装置 | |
| JP2023083014A (ja) | ウェーハの製造方法および研削装置 | |
| CN114734332A (zh) | 磨削装置 | |
| JP7093158B2 (ja) | 検査装置 | |
| US11577363B2 (en) | Grinding method of bonded workpiece obtained by bonding transparent components or semitransparent components to each other | |
| JP7370265B2 (ja) | 加工方法及び加工装置 | |
| JP7028650B2 (ja) | 剥離装置 | |
| JP2024082035A (ja) | チャックテーブルの検査方法 | |
| JP2021143990A (ja) | 検査装置及び加工装置 | |
| TW202329315A (zh) | 磨削裝置 | |
| JP2022022495A (ja) | 加工装置 | |
| JP2024098268A (ja) | 加工装置 | |
| JP2021160056A (ja) | 切削装置 | |
| TW202130429A (zh) | 切削裝置、及切削方法 | |
| TW201817543A (zh) | 磨削裝置 |