TW201805385A - 黏晶切割薄膜、黏晶切割膠帶及半導體裝置之製造方法 - Google Patents

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Abstract

本發明一個實施態樣的目的在於，提供能夠用切割的冷卻液將纖維狀屑洗掉的黏晶切割(dicing die bonding)薄膜。本發明一個實施態樣涉及黏晶切割薄膜。黏晶切割薄膜包含切割支撐層及黏晶層。切割支撐層的熔點為60℃~100℃。切割支撐層在室溫下的拉伸模量為30N/m2 ~100N/m2 。

Description

黏晶切割薄膜、黏晶切割膠帶及半導體裝置之製造方法
本發明涉及黏晶切割薄膜、黏晶切割膠帶及半導體裝置之製造方法。
背景技術 有具備基材層、位於基材層上的黏合劑層以及位於黏合劑層上的黏接劑層的、切割用且黏晶用的薄膜。也有具備基材層及位於基材層上的黏接劑層的、切割用且黏晶用的薄膜。
若用切割刃切入此等薄膜的基材層，則會產生纖維狀屑。 先行技術文獻
專利文獻 專利文獻1：日本特開2005-174963號公報 專利文獻2：日本特開2012-209363號公報 專利文獻3：日本特開2007-63340號公報
發明概要 發明要解決的課題 本發明一個實施態樣的目的在於，提供能夠用切割的冷卻液將纖維狀屑洗掉的黏晶切割(dicing die bonding)薄膜及黏晶切割(dicing die bonding)膠帶。本發明一個實施態樣的目的在於，提供一種半導體裝置之製造方法。
本發明一個實施態樣涉及一種黏晶切割薄膜。黏晶切割薄膜包含切割支撐層及黏晶層。切割支撐層的熔點為60℃~100℃。由於熔點為100℃以下，因此能夠用冷卻液將纖維狀屑洗掉。由於切割支撐層與切割刃的摩擦，能使切割支撐層熔化，能夠使纖維狀屑從切割支撐層脫離。切割支撐層在室溫下的拉伸模量為30N/m2 ~100N/m2 。由於拉伸模量為100N/m2 以下，因此有不易發生黏晶切割薄膜自切割環的剝離、切割支撐層的破裂的傾向。
本發明一個實施態樣涉及一種黏晶切割膠帶。黏晶切割膠帶包含隔膜及與隔膜接觸的黏晶切割薄膜。
本發明一個實施態樣涉及一種半導體裝置之製造方法。半導體裝置之製造方法包括對固定於黏晶切割薄膜之半導體晶圓進行切割的步驟，及將藉由對半導體晶圓進行切割步驟所形成之黏晶前的晶片壓接在被黏物上的步驟。
用以實施發明之形態 以下舉出實施形態詳細地對本發明進行說明，但本發明不僅限定於此等實施形態。 實施形態1
如圖1所示，黏晶切割膠帶1包含隔膜11及黏晶切割薄膜12a、12b、12c、……、12m(以下，總稱為“黏晶切割薄膜12”。)。黏晶切割膠帶1可以呈卷狀。隔膜11呈帶狀。隔膜11為例如進行了剝離處理的聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)薄膜等。黏晶切割薄膜12位於隔膜11上。黏晶切割薄膜12a與黏晶切割薄膜12b間的距離、黏晶切割薄膜12b與黏晶切割薄膜12c間的距離、……黏晶切割薄膜12l與黏晶切割薄膜12m間的距離是恒定的。黏晶切割薄膜12呈圓盤狀。
如圖2所示，黏晶切割薄膜12可以包含晶圓固定部12A及切割環固定部12B。切割環固定部12B位於晶圓固定部12A的周邊。
黏晶切割薄膜12包含切割支撐層122。切割支撐層122呈圓盤狀。切割支撐層122的厚度例如為50μm~150μm。切割支撐層122的兩面是用與黏晶層121接觸的第1主面及與第1主面相對的第2主面來定義的。切割支撑層122的第1主面可以塗佈有底涂劑。
切割支撐層122的熔點為100℃以下，較佳為95℃以下。由於熔點為100℃以下，因此能夠用冷卻液將因切割而產生的纖維狀屑洗掉。由於切割支撐層122與切割刃的摩擦能使切割支撐層122熔化，能夠使纖維狀屑從切割支撐層122脫離。切割支撐層122的熔點的下限例如為60℃、70℃、80℃。切割支撐層122的熔點可以藉由下面敘述的方法來測定。從切割支撐層122切出10mmg的試樣，使用差示掃描量熱計(SII NanoTechnology Inc.製的DSC6220)，以試樣10mmg、升溫速度5℃/分鐘、30℃~200℃的條件進行差示掃描量熱測定(differential scanning calorimetry：DSC)，讀取DSC曲線中的熔解的峰值溫度。存在多個峰時，讀取最初出現的熔解峰的峰值溫度。
切割支撐層122在室溫下的拉伸模量為100N/m2 以下，較佳為90N/m2 以下、更佳為80N/m2 以下。由於拉伸模量為100N/m2 以下，因此有不易產生黏晶切割薄膜12自切割環的剝離、切割支撐層122的破裂的傾向。切割支撐層122在室溫下的拉伸模量的下限例如為30N/m2 。切割支撐層122的拉伸模量可以藉由實施例中記載的方法來測定。
切割支撐層122例如為塑膠薄膜，較佳為乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(以下，稱為“EVA”)薄膜。通常EVA薄膜的熔點比聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜、聚乙烯薄膜等的熔點低。即，切割支撑層122較佳包含EVA。
黏晶切割薄膜12包含黏晶層121。黏晶層121位於隔膜11與切割支撐層122之間。黏晶層121呈圓盤狀。黏晶層121的厚度例如為2μm以上，較佳為10μm以上。黏晶層121的厚度例如為200μm以下，較佳為150μm以下、更佳為100μm以下。黏晶層121的兩面是用第1主面及與第1主面相對的第2主面來定義的。黏晶層121的第1主面與隔膜11接觸。黏晶層121的第2主面與切割支撐層122接觸。
黏晶層121包含樹脂成分。作為樹脂成分，可列舉出：熱塑性樹脂、熱固性樹脂等。作為熱塑性樹脂，例如可列舉出丙烯酸類樹脂。
作為丙烯酸類樹脂，沒有特別限定，可列舉出：以具有碳數30以下、特別是碳數4~18的直鏈或支鏈的烷基的丙烯酸或甲基丙烯酸的酯的1種或2種以上作為成分的聚合物(丙烯酸類共聚物)等。作為前述烷基，例如可列舉出：甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、第三丁基、異丁基、戊基、異戊基、己基、庚基、環己基、2-乙基己基、辛基、異辛基、壬基、異壬基、癸基、異癸基、十一烷基、月桂基、十三烷基、十四烷基、硬脂基、十八烷基、或十二烷基等。
另外，作為形成聚合物(丙烯酸類共聚物)的其它單體，沒有特別限定，例如可列舉出：丙烯酸、甲基丙烯酸、丙烯酸羧基乙酯、丙烯酸羧基戊酯、衣康酸、馬來酸、富馬酸或巴豆酸等之類的含羧基單體、馬來酸酐或衣康酸酐等之類的酸酐單體、(甲基)丙烯酸-2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸-2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸-4-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸-6-羥基己酯、(甲基)丙烯酸-8-羥基辛酯、(甲基)丙烯酸-10-羥基癸酯、(甲基)丙烯酸-12-羥基月桂酯或丙烯酸(4-羥基甲基環己酯)-甲酯等之類的含羥基單體、苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基)丙烯醯胺-2-甲基丙烷磺酸、(甲基)丙烯醯胺丙烷磺酸、基(甲基)丙烯酸磺丙酯或(甲基)丙烯醯氧基萘磺酸等之類的含磺酸基單體、或2-羥基乙基丙烯醯基磷酸酯等之類的含磷酸基單體。
丙烯酸類樹脂中，重均分子量較佳10萬以上、更佳30萬~300萬、進一步更佳50萬~200萬。此是因為若為所述數值範圍內，則黏接性及耐熱性優異。需要說明的是，重均分子量為藉由GPC(凝膠滲透色譜法)進行測定並藉由聚苯乙烯換算算出的值。
丙烯酸類樹脂較佳包含官能團。官能團例如為羥基、羧基、腈基等。以羥基、羧基為佳。
樹脂成分100重量%中的熱塑性樹脂的含量較佳為10重量%以上、更佳為20重量%以上。若為10重量%以上，則撓性良好。樹脂成分100重量%中的熱塑性樹脂的含量較佳為80重量%以下、更佳為70重量%以下。
作為熱固性樹脂，可列舉出：環氧樹脂、酚醛樹脂等。
作為環氧樹脂，不特別限定，例如可以使用雙酚A型、雙酚F型、雙酚S型、溴化雙酚A型、氫化雙酚A型、雙酚AF型、聯苯型、萘型、芴型、苯酚酚醛清漆型、鄰甲酚酚醛清漆型、三羥基苯基甲烷型、四苯基羥基(tetraphenylol)乙烷型等二官能環氧樹脂、多官能環氧樹脂、或乙內醯脲型、三縮水甘油基異氰脲酸酯型或縮水甘油胺型等環氧樹脂。此等環氧樹脂中特佳為酚醛清漆型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、三羥基苯基甲烷型樹脂或四苯基羥基乙烷型環氧樹脂。此是因為此等環氧樹脂富於與作為固化劑的酚醛樹脂的反應性，耐熱性等優異。
環氧樹脂的環氧當量較佳為100g/eq.以上、更佳為120g/eq.以上。環氧樹脂的環氧當量較佳為1000g/eq.以下、更佳為500g/eq.以下。 需要說明的是，環氧樹脂的環氧當量可以藉由JIS K 7236-2009中規定的方法來測定。
酚醛樹脂作為環氧樹脂的固化劑而起作用，例如可列舉出：苯酚酚醛清漆樹脂、苯酚芳烷基樹脂、甲酚酚醛清漆樹脂、第三丁基苯酚酚醛清漆樹脂、壬基苯酚酚醛清漆樹脂等酚醛清漆型酚醛樹脂、甲階型酚醛樹脂、聚對氧苯乙烯等聚氧苯乙烯等。此等酚醛樹脂中特佳為苯酚酚醛清漆樹脂、苯酚芳烷基樹脂。此是因為能夠提高半導體裝置的連接可靠性。
酚醛樹脂的羥基當量較佳為150g/eq.以上、更佳為200g/eq.以上。酚醛樹脂的羥基當量較佳為500g/eq.以下、更佳為300g/eq.以下。
對於環氧樹脂與酚醛樹脂的配混比例，例如以相對於環氧樹脂成分中的環氧基每1當量，酚醛樹脂中的羥基成為0.5~2.0當量的方式進行配混是適當的。更適當的是0.8~1.2當量。即，此是因為若兩者的配混比例脫離所述範圍，則不會進行充分的固化反應，固化物的特性變得容易劣化。
樹脂成分100重量%中的環氧樹脂及酚醛樹脂的總含量較佳為20重量%以上、更佳為30重量%以上。環氧樹脂及酚醛樹脂的總含量較佳為90重量%以下、更佳為80重量%以下。
黏晶層121可以包含無機填充劑。作為無機填充劑，例如可列舉出：二氧化矽、黏土、石膏、碳酸鈣、硫酸鋇、氧化鋁、氧化鈹、碳化矽、氮化矽、鋁、銅、銀、金、鎳、鉻、鉛、錫、鋅、鈀、焊料、碳等。其中，為二氧化矽、氧化鋁、銀等，更佳為二氧化矽。無機填充劑的平均粒徑較佳為0.001μm~1μm。填料的平均粒徑可以藉由以下的方法來測定。將黏晶層121放入坩堝中，在大氣氣氛下、700℃下灼燒2小時使其灰化，使得到的灰分分散於純水中並進行10分鐘超聲處理，使用雷射繞射散射式粒度分佈測定裝置(Beckman Coulter, Inc.製、“LS13320”；濕法)求出平均粒徑。
黏晶層121中的無機填充劑的含量較佳為10重量%以上、更佳為20重量%以上、進一步更佳為30重量%以上。黏晶層121中的無機填充劑的含量較佳為70重量%以下、更佳為60重量%以下、進一步更佳為50重量%以下。
黏晶層121除了含有前述成分以外，還可以適宜含有薄膜製造中通常使用的配混劑例如矽烷偶聯劑、固化促進劑、交聯劑等。
黏晶切割膠帶1可以用於製造半導體裝置。
如圖3所示，從黏晶切割膠帶1去除隔膜11，用輥93將切割環91及經加熱台92加熱的半導體晶圓4固定於黏晶切割薄膜12。在例如40℃以上、較佳45℃以上、更佳50℃以上、進一步更佳55℃以上的條件下固定半導體晶圓4。在例如80℃以下、較佳70℃以下的條件下固定半導體晶圓4。壓力例如為1×105 Pa~1×107 Pa。輥速度例如為10mm/秒。作為半導體晶圓4，可列舉出：矽晶圓、碳化矽晶圓、化合物半導體晶圓等。作為化合物半導體晶圓，可列舉出氮化鎵晶圓等。
如圖4所示，層疊體2包含黏晶切割薄膜12、固定於晶圓固定部12A的半導體晶圓4、以及固定於切割環固定部12B的切割環91。
如圖5所示，邊向半導體晶圓4噴送冷卻液邊用切割刃切斷半導體晶圓4。切割刃達到基材層122。黏晶前的晶片5包含半導體晶片41及位於半導體晶片41上的切割後黏晶層121。半導體晶片41具有電極墊。
用針頂起黏晶前的晶片5，拾取黏晶前的晶片5。
如圖6所示，將黏晶前的晶片5壓接在被黏物6上。以例如80℃以上、較佳90℃以上進行壓接。以例如150℃以下、較佳130℃以下進行壓接。被黏物6例如為引線框、中介層、TAB薄膜、半導體晶片等。被黏物6具有端子部。
在加壓氣氛下對帶半導體晶片41的且帶切割後的黏晶層121的被黏物6進行加熱，由此使切割後的黏晶層121固化。加壓氣氛例如為0.5kg/cm2 (4.9 × 10-2 MPa)以上、較佳為1kg/cm2 (9.8 × 10-2 MPa)以上、更佳為5kg/cm2 (4.9 × 10-1 MPa)以上。以例如120℃以上、較佳150℃以上、更佳170℃以上進行加熱。上限例如為260℃、200℃、180℃等。
如圖7所示，以焊接線7將半導體晶片41的電極墊及被黏物6的端子部電連接，用封裝樹脂8封裝半導體晶片41。
藉由以上的方法得到的半導體裝置包含半導體晶片41、被黏物6及切割後的黏晶層121。切割後的黏晶層121連接著半導體晶片41及被黏物6。半導體裝置還包含覆蓋半導體晶片41的封裝樹脂8。
如上所述，半導體裝置的製造方法可以包括從黏晶切割膠帶1去除隔膜11的步驟。製造方法可以包括將切割環91及半導體晶圓4固定於黏晶切割薄膜12的步驟。製造方法可以包括對固定於黏晶切割薄膜12的半導體晶圓4進行切割的步驟。製造方法可以包括將藉由對半導體晶圓4進行切割的步驟而形成的黏晶前的晶片5壓接在被黏物6上的步驟。
變形例1 如圖8所示，黏晶層121包含第1層1211及第2層1212。第1層1211呈圓盤狀。第1層1211的兩面是用第1主面及與第1主面相對的第2主面定義的。第1層1211的第1主面與隔膜11接觸。第1層1211的第2主面與第2層1212接觸。第2層1212呈圓盤狀。第2層1212的兩面是用第1主面及與第1主面相對的第2主面來定義的。第2層1212的第1主面與第1層1211接觸。第2層1212的第2主面與基材層122接觸。
第1層1211較佳具有黏合性。構成第2層1212的黏合劑可以使用1種或組合使用2種以上例如丙烯酸系、橡膠系、乙烯基烷基醚系、有機矽系、聚酯系、聚醯胺系、胺基甲酸酯系、苯乙烯-二烯嵌段共聚物系等公知的黏合劑。以丙烯酸系黏合劑為佳。第2層1212的組成/物性可以與第1層1211的組成/物性不同。第2層1212的組成/物性的適宜的例子適用實施例1的黏晶層121的例子。
變形例2 如圖9所示，黏晶切割薄膜12包含切割環固定黏合劑部123。切割環固定黏合劑部123位於黏晶層121的周邊。切割環固定黏合劑部123不與黏晶層121接觸。切割環固定黏合劑部123呈例如環板狀。切割環固定黏合劑部123的兩面是用第1主面及與第1主面相對的第2主面來定義的。切割環固定黏合劑部123的第1主面與隔膜11接觸。切割環固定黏合劑部123的第2主面與切割支撐層122接觸。
構成切割環固定黏合劑部123的黏合劑可以使用1種或組合使用2種以上例如丙烯酸系、橡膠系、乙烯基烷基醚系、有機矽系、聚酯系、聚醯胺系、胺基甲酸酯系、苯乙烯-二烯嵌段共聚物系等公知的黏合劑。以丙烯酸系黏合劑為佳。
變形例3 如圖10所示，黏晶切割薄膜12包含切割環固定黏合劑部124。切割環固定黏合劑部124位於隔膜11與黏晶層121之間。切割環固定黏合劑部124呈例如環狀板狀。切割環固定黏合劑部124的兩面是用第1主面及與第1主面相對的第2主面來定義的。切割環固定黏合劑部124的第1主面與隔膜11接觸。切割環固定黏合劑部124的第2主面與黏晶層121接觸。
構成切割環固定黏合劑部124的黏合劑可以使用1種或組合使用2種以上例如丙烯酸系、橡膠系、乙烯基烷基醚系、有機矽系、聚酯系、聚醯胺系、胺基甲酸酯系、苯乙烯-二烯嵌段共聚物系等公知的黏合劑。以丙烯酸系黏合劑為佳。
變形例4 如圖11所示，切割支撐層122包含基材層1221及黏合劑層1222。基材層1221呈圓盤狀。基材層1221的兩面是用與黏合劑層1222接觸的第1主面及與第1主面相對的第2主面來定義的。黏合劑層1222呈圓盤狀。黏合劑層1222的兩面是用與黏晶層121接觸的第1主面及與第1主面相對的第2主面來定義的。黏合劑層1222的第2主面與基材層1221接觸。
基材層1221例如為塑膠薄膜，較佳為EVA薄膜。即、基材層1221較佳包含EVA。
構成黏合劑層1222的黏合劑可以使用1種或組合使用2種以上例如丙烯酸系、橡膠系、乙烯基烷基醚系、有機矽系、聚酯系、聚醯胺系、胺基甲酸酯系、苯乙烯-二烯嵌段共聚物系等公知的黏合劑。以丙烯酸系黏合劑為佳。 [實施例]
以下，用實施例詳細地對本發明進行說明，但本發明只要不超出主旨就不限定於以下的實施例。
黏接劑層的製作 將丙烯酸類聚合物48重量份(Nagase ChemteX Corporation製的SG-70L)、環氧樹脂6重量份(東都化成株式會社製的KI-3000)、酚醛樹脂6重量份(MEIWAKASEI Co. Ltd.製的MEH7851-SS)、二氧化矽填料40重量份(Admatechs Co., Ltd.製的SE-2050-MCV(平均一次粒徑0.5μm))溶解於甲乙酮，由此製作固成分20wt%的清漆。將清漆塗佈在隔膜(進行了有機矽處理的PET薄膜)上，在130℃下乾燥2分鐘，得到厚度20μm的黏接劑層。
黏合劑層的製作 將丙烯酸類聚合物(Nagase ChemteX Corporation製的SG-708-6)溶解於甲乙酮，由此製作固成分20wt%的清漆。將清漆塗佈在隔膜(進行了有機矽處理的PET薄膜)上，在130℃下乾燥2分鐘，得到厚度30μm的黏合劑層。
實施例1中之黏晶切割薄膜的製作 以60℃、10mm/秒在EVA薄膜1(厚度100μm)上層疊黏接劑層，由此得到實施例1的黏晶切割薄膜。實施例1的黏晶切割薄膜具有EVA薄膜1及於位於EVA薄膜1上的黏接劑層。
實施例2中之黏晶切割薄膜的製作 使用EVA薄膜2(厚度100μm)代替EVA薄膜1，除此以外，藉由與實施例1相同的方法得到實施例2的黏晶切割薄膜。
實施例3中之黏晶切割薄膜的製作 使用EVA薄膜3(厚度100μm)代替EVA薄膜1，除此以外，藉由與實施例1相同的方法得到實施例3的黏晶切割薄膜。
實施例4中之黏晶切割薄膜的製作 以60℃、10mm/秒在黏接劑層上層疊黏合劑層，以60℃、10mm/秒在黏合劑層上層疊EVA薄膜3，由此得到實施例4的黏晶切割薄膜。實施例4的黏晶切割薄膜具有由EVA薄膜3及黏合劑層構成的黏合薄膜。實施例4的黏晶切割薄膜還具有黏接劑層。黏合劑層於位於黏接劑層及EVA薄膜3之間。
比較例1中之黏晶切割薄膜的製作 使用離聚物薄膜(厚度100μm)代替EVA薄膜1，除此以外，藉由與實施例1相同的方法得到比較例1的黏晶切割薄膜。
比較例2中之黏晶切割薄膜的製作 使用聚丙烯系薄膜1(厚度100μm)代替EVA薄膜1，除此以外，藉由與實施例1相同的方法得到比較例2的黏晶切割薄膜。
比較例3中之黏晶切割薄膜的製作 使用聚丙烯系薄膜2(厚度100μm)代替EVA薄膜1，除此以外，藉由與實施例1相同的方法得到比較例3的黏晶切割薄膜。
比較例4中之黏晶切割薄膜的製作 使用聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜(厚度100μm)代替EVA薄膜1，除此以外，藉由與實施例1相同的方法得到比較例4的黏晶切割薄膜。
比較例5中之黏晶切割薄膜的製作 使用聚乙烯薄膜(厚度100μm)代替EVA薄膜1，除此以外，藉由與實施例1相同的方法得到比較例5的黏晶切割薄膜。
定義 將EVA薄膜1~3、離聚物薄膜、聚丙烯系薄膜1~2、聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜、聚乙烯薄膜統稱為“基材薄膜”。
基材薄膜的熔點的測定 實施例1~3·比較例1~5 從基材薄膜切出10mmg的試樣。使用差示掃描量熱計(SII NanoTechnology Inc.製的DSC6220)，以試樣10mmg、升溫速度5℃/分鐘在30℃到200℃進行差示掃描量熱測定。讀取DSC曲線中的熔解峰溫度。將結果示於於表1。
黏合薄膜的熔點的測定 實施例4 從黏合薄膜切出10mmg的試樣。使用差示掃描量熱計(SII NanoTechnology Inc.製的DSC6220)，以試樣10mmg、升溫速度5℃/分鐘在30℃到200℃進行差示掃描量熱測定。於由於DSC曲線中存在多個峰，因此讀取最初出現的熔解峰的峰值溫度。將結果示於表1。
基材薄膜的拉伸試驗 實施例1~3·比較例1~5 從基材薄膜切出寬度25mm、長度150mm的試樣。使用拉伸試驗機(株式會社島津製作所製的Autograph)，以室溫23℃、寬度25mm、長度150mm、卡盤間距離100mm、拉伸速度300mm/分鐘進行拉伸試驗。將連結應力-應變曲線中的拉伸載荷1N時的點與2N時的點的直線的斜率作為拉伸模量。將拉伸模量示於於表1。斷裂時的伸長率也示於於表1。
黏合薄膜的拉伸試驗 實施例4 從黏合薄膜切出寬度25mm、長度150mm的試樣。使用拉伸試驗機(株式會社島津製作所製的Autograph)，以室溫23℃、寬度25mm、長度150mm、卡盤間距離100mm、拉伸速度300mm/分鐘進行拉伸試驗。將連結應力-應變曲線中的拉伸載荷1N時的點及2N時的點的直線的斜率作為拉伸模量。將拉伸模量示於於表1。斷裂時的伸長率也示於於表1。
纖維狀屑的評價 實施例1~4·比較例1~5 將切割環及60℃的鏡面晶圓(厚度100μm)固定於於黏晶切割薄膜。使用切割裝置(DISCO Inc.製的DFD6361)，以單切割模式(single cut mode)、刃類型Z1：NBC-ZH 203O-SE 27HCDD、測桿50Krpm、刃高度70μm(對基材進行切入薄膜深度30μm的設定)、切割速度30mm/秒、水量1L/分鐘，形成10mm×10mm的晶片。頂起晶片，拆下10個晶片，觀察基材薄膜的切割線。有長度2mm以上的纖維狀屑時判定為×。沒有長度2mm以上的纖維狀屑時判定為○。將結果示於表1。
擴晶(expand)的評價 實施例1~4·比較例1~5 將切割環及60℃的鏡面晶圓(厚度100μm)固定於黏晶切割薄膜。使用切割裝置(DISCO Inc.製的DFD6361)，以單切割模式、刃類型Z1：NBC-ZH 203O-SE 27HCDD、測桿50Krpm、刃高度70μm、切割速度30mm/秒、水量1L/分鐘形成10mm×10mm的晶片。使用焊接裝置(Shinkawa Ltd.製的SPA-300)，以10mm擴晶保持10分鐘。擴晶結束後，發生黏晶切割薄膜自切割環的剝離、基材薄膜撕裂中的任一者時、或強度過高從而不能擴展時判定為×。除×以外時判定為○。將結果示於表1。 [表1]
Figure TW201805385AD00001
1‧‧‧黏晶切割膠帶
2‧‧‧層疊體
4‧‧‧半導體晶圓
5‧‧‧晶片
6‧‧‧被黏物
11‧‧‧隔膜
12、12a、12b、12c、……、12m‧‧‧黏晶切割薄膜
12A‧‧‧晶圓固定部
12B‧‧‧切割環固定部
41‧‧‧半導體晶片
91‧‧‧切割環
92‧‧‧加熱台
93‧‧‧輥
121、1211、1212‧‧‧黏晶層
122‧‧‧切割支撐層
123、124‧‧‧切割環固定黏合劑部
1221‧‧‧基材層
1222‧‧‧黏合劑層
圖1為黏晶切割膠帶的俯視示意圖。 圖2為黏晶切割膠帶的部分截面示意圖。 圖3為半導體裝置的製造步驟的截面示意圖。 圖4為半導體裝置的製造步驟的截面示意圖。 圖5為半導體裝置的製造步驟的截面示意圖。 圖6為半導體裝置的製造步驟的截面示意圖。 圖7為半導體裝置的製造步驟的截面示意圖。 圖8為變形例1中之黏晶切割膠帶的部分截面示意圖。 圖9為變形例2中之黏晶切割膠帶的部分截面示意圖。 圖10為變形例3中之黏晶切割膠帶的部分截面示意圖。 圖11為變形例4中之黏晶切割膠帶的部分截面示意圖。
1‧‧‧黏晶切割膠帶
11‧‧‧隔膜
12a、12b、12c、12m‧‧‧黏晶切割薄膜

Claims (4)

  1. 一種黏晶切割(dicing die bonding)薄膜，其包含切割支撐層及黏晶層， 所述切割支撐層的熔點為60℃~100℃， 所述切割支撐層在室溫下的拉伸模量為30N/m2 ~100N/m2 。
  2. 如請求項1之黏晶切割薄膜，其中，所述切割支撐層包含乙烯-乙酸乙烯酯共聚物。
  3. 一種黏晶切割(dicing die bonding)膠帶，其包含隔膜及與所述隔膜接觸之如請求項1或2之黏晶切割薄膜。
  4. 一種半導體裝置之製造方法，其包括如下步驟： 對固定於如請求項1或2之黏晶切割薄膜的半導體晶圓進行切割的步驟；及 將藉由所述對半導體晶圓進行切割步驟所形成的黏晶前晶片壓接在被黏物上的步驟。
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