JP6721398B2 - ダイシングダイボンディングフィルム、ダイシングダイボンディングテープおよび半導体装置の製造方法 - Google Patents

ダイシングダイボンディングフィルム、ダイシングダイボンディングテープおよび半導体装置の製造方法 Download PDF

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Description

本発明は、ダイシングダイボンディングフィルム、ダイシングダイボンディングテープおよび半導体装置の製造方法に関する。
基材層と、基材層上に位置する粘着剤層と、粘着剤層上に位置する接着剤層とを有する、ダイシング用かつダイボンディング用のフィルムがある。基材層と基材層上に位置する接着剤層とを有する、ダイシング用かつダイボンディング用のフィルムもある。
これらのフィルムの基材層をダイシングブレードで切り込むと、繊維状クズが出る。
特開２００５−１７４９６３号公報 特開２０１２−２０９３６３号公報 特開２００７−６３３４０号公報
本発明のある態様は、繊維状クズをダイシングの冷却液で流し去ることが可能なダイシングダイボンディングフィルムおよびダイシングダイボンディングテープを提供することを目的とする。本発明のある態様は、半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
本発明のある態様は、ダイシングダイボンディングフィルムに関する。ダイシングダイボンディングフィルムは、ダイシング支持層とダイボンディング層とを含む。ダイシング支持層の融点は６０℃〜１００℃である。融点が１００℃以下であるので、繊維状クズを冷却液で流し去ることができる。ダイシング支持層とダイシングブレードとの摩擦でダイシング支持層を溶かすことが可能で、ダイシング支持層から繊維状クズを離すことができるのだろう。ダイシング支持層における室温の引張弾性率は３０Ｎ／ｍｍ ２ 〜１００Ｎ／ｍｍ ２ である。引張弾性率が１００Ｎ／ｍｍ ２ 以下であるので、ダイシングリングからのダイシングダイボンディングフィルムの剥離や、ダイシング支持層の裂けが生じにくい傾向がある。
本発明のある態様は、ダイシングダイボンディングテープに関する。ダイシングダイボンディングテープは、セパレータと、セパレータに接したダイシングダイボンディングフィルムとを含む。
本発明のある態様は、半導体装置の製造方法に関する。半導体装置の製造方法は、ダイシングダイボンディングフィルムに固定された半導体ウエハをダイシングする工程と、半導体ウエハをダイシングする工程で形成されたダイボンディング前チップを被着体に圧着する工程とを含むことができる。
ダイシングダイボンディングテープの概略平面図である。 ダイシングダイボンディングテープの一部の概略断面図である。 半導体装置の製造工程の概略断面図である。 半導体装置の製造工程の概略断面図である。 半導体装置の製造工程の概略断面図である。 半導体装置の製造工程の概略断面図である。 半導体装置の製造工程の概略断面図である。 変形例１におけるダイシングダイボンディングテープの一部の概略断面図である。 変形例２におけるダイシングダイボンディングテープの一部の概略断面図である。 変形例３におけるダイシングダイボンディングテープの一部の概略断面図である。 変形例４におけるダイシングダイボンディングテープの一部の概略断面図である。
以下に実施形態を掲げ、本発明を詳細に説明するが、本発明はこれらの実施形態のみに限定されるものではない。
実施形態１
図１に示すように、ダイシングダイボンディングテープ１は、セパレータ１１とダイシングダイボンディングフィルム１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、……、１２ｍ（以下、「ダイシングダイボンディングフィルム１２」と総称する。）とを含む。ダイシングダイボンディングテープ１はロール状をなすことができる。セパレータ１１はテープ状をなす。セパレータ１１は、たとえばはく離処理されたポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムなどである。ダイシングダイボンディングフィルム１２はセパレータ１１上に位置している。ダイシングダイボンディングフィルム１２ａとダイシングダイボンディングフィルム１２ｂのあいだの距離、ダイシングダイボンディングフィルム１２ｂとダイシングダイボンディングフィルム１２ｃのあいだの距離、……ダイシングダイボンディングフィルム１２ｌとダイシングダイボンディングフィルム１２ｍのあいだの距離は一定である。ダイシングダイボンディングフィルム１２は円盤状をなす。
図２に示すように、ダイシングダイボンディングフィルム１２は、ウエハ固定部１２Ａとダイシングリング固定部１２Ｂとを含むことができる。ダイシングリング固定部１２Ｂは、ウエハ固定部１２Ａの周辺に位置する。
ダイシングダイボンディングフィルム１２はダイシング支持層１２２を含む。ダイシング支持層１２２は円盤状をなす。ダイシング支持層１２２の厚みは、たとえば５０μｍ〜１５０μｍである。ダイシング支持層１２２の両面は、ダイボンディング層１２１と接した第１主面と第１主面に対向した第２主面とで定義される。ダイシング支持層１２２の第１主面は、下塗剤が塗布されていることが可能である。
ダイシング支持層１２２の融点は１００℃以下、好ましくは９５℃以下である。融点が１００℃以下であるので、ダイシングで出た繊維状クズを冷却液で流し去ることができる。ダイシング支持層１２２とダイシングブレードとの摩擦でダイシング支持層１２２を溶かすことが可能で、ダイシング支持層１２２から繊維状クズを離すことができるのだろう。ダイシング支持層１２２の融点の下限は、たとえば６０℃、７０℃、８０℃である。ダイシング支持層１２２の融点は次に述べる方法で測定できる。ダイシング支持層１２２から１０ｍｍｇの試料を切り出し、示差走査熱量計（エスアイアイ・ナノテクノロジー社製のＤＳＣ６２２０）を用いて、試料１０ｍｍｇ、昇温速度５℃／分、３０℃から２００℃までで示差走査熱量測定（ｄｉｆｆｅｒｅｎｔｉａｌ ｓｃａｎｎｉｎｇ ｃａｌｏｒｉｍｅｔｒｙ： ＤＳＣ）をおこない、ＤＳＣカーブにおける融解のピーク温度を読み取る。複数のピークが存在する場合は、最初に出現する融解ピークのピーク温度を読み取る。
ダイシング支持層１２２における室温の引張弾性率は、１００Ｎ／ｍｍ ２ 以下、好ましくは９０Ｎ／ｍｍ ２ 以下、より好ましくは８０Ｎ／ｍｍ ２ 以下である。引張弾性率が１００Ｎ／ｍｍ ２ 以下であるので、ダイシングリングからのダイシングダイボンディングフィルム１２の剥離や、ダイシング支持層１２２の裂けが生じにくい傾向がある。ダイシング支持層１２２における室温の引張弾性率の下限は、たとえば３０Ｎ／ｍｍ ２ である。ダイシング支持層１２２の引張弾性率は実施例に記載の方法で測定できる。
ダイシング支持層１２２は、たとえばプラスチックフィルムであり、好ましくはエチレン−酢酸ビニル共重合体（以下、「ＥＶＡ」という）フィルムである。一般的に、ＥＶＡフィルムの融点は、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリプロピレンフィルムなどの融点と比べて低い。すなわち、ダイシング支持層１２２は、ＥＶＡを含むことが好ましい。
ダイシングダイボンディングフィルム１２はダイボンディング層１２１を含む。ダイボンディング層１２１は、セパレータ１１とダイシング支持層１２２との間に位置する。ダイボンディング層１２１は円盤状をなす。ダイボンディング層１２１の厚みは、たとえば２μｍ以上、好ましくは１０μｍ以上である。ダイボンディング層１２１の厚みは、たとえば２００μｍ以下、好ましくは１５０μｍ以下、さらに好ましくは１００μｍ以下である。ダイボンディング層１２１の両面は、第１主面と第１主面に対向した第２主面とで定義される。ダイボンディング層１２１の第１主面はセパレータ１１と接している。ダイボンディング層１２１の第２主面はダイシング支持層１２２と接している。
ダイボンディング層１２１は、樹脂成分を含む。樹脂成分としては、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂などを挙げることができる。熱可塑性樹脂としては、たとえばアクリル樹脂を挙げることができる。
アクリル樹脂としては、特に限定されるものではなく、炭素数３０以下、特に炭素数４〜１８の直鎖若しくは分岐のアルキル基を有するアクリル酸又はメタクリル酸のエステルの１種又は２種以上を成分とする重合体（アクリル共重合体）などが挙げられる。前記アルキル基としては、たとえばメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｔ−ブチル基、イソブチル基、アミル基、イソアミル基、ヘキシル基、へプチル基、シクロヘキシル基、２−エチルヘキシル基、オクチル基、イソオクチル基、ノニル基、イソノニル基、デシル基、イソデシル基、ウンデシル基、ラウリル基、トリデシル基、テトラデシル基、ステアリル基、オクタデシル基、又はドデシル基などが挙げられる。
また、重合体（アクリル共重合体）を形成する他のモノマーとしては、特に限定されるものではなく、たとえばアクリル酸、メタクリル酸、カルボキシエチルアクリレート、カルボキシペンチルアクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマール酸若しくはクロトン酸などの様なカルボキシル基含有モノマー、無水マレイン酸若しくは無水イタコン酸などの様な酸無水物モノマー、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸４−ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸６−ヒドロキシヘキシル、（メタ）アクリル酸８−ヒドロキシオクチル、（メタ）アクリル酸１０−ヒドロキシデシル、（メタ）アクリル酸１２−ヒドロキシラウリル若しくは（４−ヒドロキシメチルシクロヘキシル）−メチルアクリレートなどの様なヒドロキシル基含有モノマー、スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸、（メタ）アクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピル（メタ）アクリレート若しくは（メタ）アクリロイルオキシナフタレンスルホン酸などの様なスルホン酸基含有モノマー、又は２−ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェートなどの様な燐酸基含有モノマーが挙げられる。
アクリル樹脂のなかでも、重量平均分子量が１０万以上のものが好ましく、３０万〜３００万のものがより好ましく、５０万〜２００万のものがさらに好ましい。かかる数値範囲内であると、接着性および耐熱性に優れるからである。なお、重量平均分子量は、ＧＰＣ（ゲル・パーミエーション・クロマトグラフィー）により測定し、ポリスチレン換算により算出された値である。
アクリル樹脂は、官能基を含むことが好ましい。官能基は、たとえばヒドロキシル基、カルボキシ基、ニトリル基などである。ヒドロキシル基、カルボキシ基が好ましい。
樹脂成分１００重量％中の熱可塑性樹脂の含有量は、好ましくは１０重量％以上、より好ましくは２０重量％以上である。１０重量％以上であると、可撓性が良好である。樹脂成分１００重量％中の熱可塑性樹脂の含有量は、好ましくは８０重量％以下、より好ましくは７０重量％以下である。
熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂などを挙げることができる。
エポキシ樹脂としては特に限定されず、たとえばビスフェノールＡ型、ビスフェノールＦ型、ビスフェノールＳ型、臭素化ビスフェノールＡ型、水添ビスフェノールＡ型、ビスフェノールＡＦ型、ビフェニル型、ナフタレン型、フルオンレン型、フェノールノボラック型、オルソクレゾールノボラック型、トリスヒドロキシフェニルメタン型、テトラフェニロールエタン型などの二官能エポキシ樹脂や多官能エポキシ樹脂、又はヒダントイン型、トリスグリシジルイソシアヌレート型若しくはグリシジルアミン型などのエポキシ樹脂が用いられる。これらのエポキシ樹脂のうちノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、トリスヒドロキシフェニルメタン型樹脂又はテトラフェニロールエタン型エポキシ樹脂が特に好ましい。これらのエポキシ樹脂は、硬化剤としてのフェノール樹脂との反応性に富み、耐熱性などに優れるからである。
エポキシ樹脂のエポキシ当量は、好ましくは１００ｇ／ｅｑ．以上、より好ましくは１２０ｇ／ｅｑ．以上である。エポキシ樹脂のエポキシ当量は、好ましくは１０００ｇ／ｅｑ．以下、より好ましくは５００ｇ／ｅｑ．以下である。
なお、エポキシ樹脂のエポキシ当量は、ＪＩＳ Ｋ ７２３６−２００９に規定された方法で測定できる。
フェノール樹脂は、エポキシ樹脂の硬化剤として作用するものであり、たとえば、フェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ｔｅｒｔ−ブチルフェノールノボラック樹脂、ノニルフェノールノボラック樹脂などのノボラック型フェノール樹脂、レゾール型フェノール樹脂、ポリパラオキシスチレンなどのポリオキシスチレンなどが挙げられる。これらのフェノール樹脂のうちフェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂が特に好ましい。半導体装置の接続信頼性を向上させることができるからである。
フェノール樹脂の水酸基当量は、好ましくは１５０ｇ／ｅｑ．以上、より好ましくは２００ｇ／ｅｑ．以上である。フェノール樹脂の水酸基当量は、好ましくは５００ｇ／ｅｑ．以下、より好ましくは３００ｇ／ｅｑ．以下である。
エポキシ樹脂とフェノール樹脂との配合割合は、たとえば、エポキシ樹脂成分中のエポキシ基１当量当たりフェノール樹脂中の水酸基が０．５〜２．０当量になるように配合することが好適である。より好適なのは、０．８〜１．２当量である。即ち、両者の配合割合がかかる範囲を外れると、十分な硬化反応が進まず、硬化物の特性が劣化し易くなるからである。
樹脂成分１００重量％中のエポキシ樹脂およびフェノール樹脂の合計含有量は、好ましくは２０重量％以上、より好ましくは３０重量％以上である。エポキシ樹脂およびフェノール樹脂の合計含有量は、好ましくは９０重量％以下、より好ましくは８０重量％以下である。
ダイボンディング層１２１は無機充填剤を含むことができる。無機充填剤としては、たとえば、シリカ、クレー、石膏、炭酸カルシウム、硫酸バリウム、アルミナ、酸化ベリリウム、炭化珪素、窒化珪素、アルミニウム、銅、銀、金、ニッケル、クロム、鉛、錫、亜鉛、パラジウム、半田、カーボンなどが挙げられる。なかでも、シリカ、アルミナ、銀などが好ましく、シリカがより好ましい。無機充填剤の平均粒径は、好ましくは０．００１μｍ〜１μｍである。フィラーの平均粒径は、次の方法で測定できる。ダイボンディング層１２１をるつぼに入れ、大気雰囲気下、７００℃で２時間強熱して灰化させ、得られた灰分を純水中に分散させて１０分間超音波処理し、レーザー回折散乱式粒度分布測定装置（ベックマンコールター社製、「ＬＳ １３ ３２０」；湿式法）を用いて平均粒径を求める。
ダイボンディング層１２１中の無機充填剤の含有量は、好ましくは１０重量％以上、より好ましくは２０重量％以上、さらに好ましくは３０重量％以上である。ダイボンディング層１２１中の無機充填剤の含有量は、好ましくは７０重量％以下、より好ましくは６０重量％以下、さらに好ましくは５０重量％以下である。
ダイボンディング層１２１は、前記成分以外にも、フィルム製造に一般に使用される配合剤、たとえば、シランカップリング剤、硬化促進剤、架橋剤などを適宜含有してよい。
ダイシングダイボンディングテープ１は、半導体装置を製造するために使用できる。
図３に示すように、ダイシングダイボンディングテープ１からセパレータ１１を除き、ダイシングリング９１と加熱テーブル９２で温められた半導体ウエハ４とをロール９３でダイシングダイボンディングフィルム１２に固定する。たとえば４０℃以上、好ましくは４５℃以上、より好ましくは５０℃以上、さらに好ましくは５５℃以上で半導体ウエハ４を固定する。たとえば８０℃以下、好ましくは７０℃以下で半導体ウエハ４を固定する。圧力は、たとえば１×１０５Ｐａ〜１×１０７Ｐａである。ロール速度は、たとえば１０ｍｍ／ｓｅｃである。半導体ウエハ４としては、シリコンウエハ、シリコンカーバイドウエハ、化合物半導体ウエハなどを挙げることができる。化合物半導体ウエハとしては、窒化ガリウムウエハなどを挙げることができる。
図４に示すように、積層体２は、ダイシングダイボンディングフィルム１２と、ウエハ固定部１２Ａに固定された半導体ウエハ４と、ダイシングリング固定部１２Ｂに固定されたダイシングリング９１とを含む。
図５に示すように、半導体ウエハ４に冷却液を吹きかけながら半導体ウエハ４をダイシングブレードで切断する。ダイシングブレードは基材層１２２に達する。ダイボンディング前チップ５は、半導体チップ４１と、半導体チップ４１上に位置するダイシング後ダイボンディング層１２１とを含む。半導体チップ４１は電極パッドを有する。
ダイボンディング前チップ５をニードルで突き上げ、ダイボンディング前チップ５をピックアップする。
図６に示すように、ダイボンディング前チップ５を被着体６に圧着する。たとえば８０℃以上、好ましくは９０℃以上で圧着をおこなう。たとえば１５０℃以下、好ましくは１３０℃以下で圧着をおこなう。被着体６は、たとえばリードフレーム、インターポーザ、ＴＡＢフィルム、半導体チップなどである。被着体６は端子部を有する。
半導体チップ４１付きかつダイシング後ダイボンディング層１２１付きの被着体６を加圧雰囲気下で加熱することによりダイシング後ダイボンディング層１２１を硬化させる。加圧雰囲気は、たとえば０．５ｋｇ／ｃｍ２（４．９×１０−２ＭＰａ）以上、好ましくは１ｋｇ／ｃｍ２（９．８×１０−２ＭＰａ）以上、より好ましくは５ｋｇ／ｃｍ２（４．９×１０−１ＭＰａ）以上である。たとえば１２０℃以上、好ましくは１５０℃以上、より好ましくは１７０℃以上で加熱をおこなう。上限は、たとえば２６０℃、２００℃、１８０℃などである。
図７に示すように、半導体チップ４１の電極パッドと被着体６の端子部とをボンディングワイヤー７で電気的に接続し、封止樹脂８で半導体チップ４１を封止する。
以上の方法により得られた半導体装置は、半導体チップ４１と被着体６とダイシング後ダイボンディング層１２１とを含む。ダイシング後ダイボンディング層１２１は、半導体チップ４１と被着体６とを接続している。半導体装置は、半導体チップ４１を覆う封止樹脂８をさらに含む。
以上のとおり、半導体装置の製造方法は、ダイシングダイボンディングテープ１からセパレータ１１を除く工程を含むことができる。製造方法は、ダイシングリング９１と半導体ウエハ４とをダイシングダイボンディングフィルム１２に固定する工程を含むことができる。製造方法は、ダイシングダイボンディングフィルム１２に固定された半導体ウエハ４をダイシングする工程を含むことができる。製造方法は、半導体ウエハ４をダイシングする工程で形成されたダイボンディング前チップ５を被着体６に圧着する工程を含むことができる。
変形例１
図８に示すように、ダイボンディング層１２１は、第１層１２１１と第２層１２１２とを含む。第１層１２１１は円盤状をなす。第１層１２１１の両面は、第１主面と第１主面に対向した第２主面とで定義される。第１層１２１１の第１主面はセパレータ１１と接している。第１層１２１１の第２主面は第２層１２１２と接している。第２層１２１２は円盤状をなす。第２層１２１２の両面は、第１主面と第１主面に対向した第２主面とで定義される。第２層１２１２の第１主面は第１層１２１１と接している。第２層１２１２の第２主面は基材層１２２と接している。
第１層１２１１は、粘着性を有することが好ましい。第２層１２１２を構成する粘着剤には、たとえば、アクリル系、ゴム系、ビニルアルキルエーテル系、シリコーン系、ポリエステル系、ポリアミド系、ウレタン系、スチレン−ジエンブロック共重合体系などの公知の粘着剤を１種または２種以上組み合わせて用いることができる。アクリル系粘着剤が好ましい。第２層１２１２の組成・物性は、第１層１２１１の組成・物性と異なることができる。第２層１２１２の組成・物性の好適な例は、実施例１のダイボンディング層１２１の例を準用する。
変形例２
図９に示すように、ダイシングダイボンディングフィルム１２は、ダイシングリング固定粘着剤部１２３を含む。ダイシングリング固定粘着剤部１２３は、ダイボンディング層１２１の周辺に位置する。ダイシングリング固定粘着剤部１２３は、ダイボンディング層１２１と接していない。ダイシングリング固定粘着剤部１２３は、たとえばドーナツ板状をなす。ダイシングリング固定粘着剤部１２３の両面は、第１主面と第１主面に対向した第２主面とで定義される。ダイシングリング固定粘着剤部１２３の第１主面はセパレータ１１と接している。ダイシングリング固定粘着剤部１２３の第２主面は、ダイシング支持層１２２と接している。
ダイシングリング固定粘着剤部１２３を構成する粘着剤には、たとえば、アクリル系、ゴム系、ビニルアルキルエーテル系、シリコーン系、ポリエステル系、ポリアミド系、ウレタン系、スチレン−ジエンブロック共重合体系などの公知の粘着剤を１種または２種以上組み合わせて用いることができる。アクリル系粘着剤が好ましい。
変形例３
図１０に示すように、ダイシングダイボンディングフィルム１２は、ダイシングリング固定粘着剤部１２４を含む。ダイシングリング固定粘着剤部１２４は、セパレータ１１とダイボンディング層１２１との間に位置する。ダイシングリング固定粘着剤部１２４は、たとえばドーナツ板状をなす。ダイシングリング固定粘着剤部１２４の両面は、第１主面と第１主面に対向した第２主面とで定義される。ダイシングリング固定粘着剤部１２４の第１主面はセパレータ１１と接している。ダイシングリング固定粘着剤部１２４の第２主面は、ダイボンディング層１２１と接している。
ダイシングリング固定粘着剤部１２４を構成する粘着剤には、たとえば、アクリル系、ゴム系、ビニルアルキルエーテル系、シリコーン系、ポリエステル系、ポリアミド系、ウレタン系、スチレン−ジエンブロック共重合体系などの公知の粘着剤を１種または２種以上組み合わせて用いることができる。アクリル系粘着剤が好ましい。
変形例４
図１１に示すように、ダイシング支持層１２２は、基材層１２２１と粘着剤層１２２２とを含む。基材層１２２１は円盤状をなす。基材層１２２１の両面は、粘着剤層１２２２と接した第１主面と第１主面に対向した第２主面とで定義される。粘着剤層１２２２は円盤状をなす。粘着剤層１２２２の両面は、ダイボンディング層１２１と接した第１主面と第１主面に対向した第２主面とで定義される。粘着剤層１２２２の第２主面は基材層１２２１と接している。
基材層１２２１は、たとえばプラスチックフィルムであり、好ましくはＥＶＡフィルムである。すなわち、基材層１２２１は、ＥＶＡを含むことが好ましい。
粘着剤層１２２２を構成する粘着剤には、たとえば、アクリル系、ゴム系、ビニルアルキルエーテル系、シリコーン系、ポリエステル系、ポリアミド系、ウレタン系、スチレン−ジエンブロック共重合体系などの公知の粘着剤を１種または２種以上組み合わせて用いることができる。アクリル系粘着剤が好ましい。
以下、本発明に関し実施例を用いて詳細に説明するが、本発明はその要旨を超えない限り、以下の実施例に限定されるものではない。
接着剤層の作製
アクリルポリマー４８重量部（ナガセケムテックス社製のＳＧ−７０Ｌ）と、エポキシ樹脂６重量部（東都化成社製のＫＩ−３０００）と、フェノール樹脂６重量部（明和化成社製のＭＥＨ７８５１−ＳＳ）と、シリカフィラー４０重量部(アドマテックス社製のＳＥ−２０５０−ＭＣＶ（平均一次粒径０．５μｍ）)とをメチルエチルケトンに溶解することにより、固形分２０ｗｔ％のワニスを作製した。ワニスをセパレータ（シリコーン処理されたＰＥＴフィルム）に塗布し、１３０℃で２分間乾燥し、厚み２０μｍの接着剤層を得た。
粘着剤層の作製
アクリルポリマー（ナガセケムテックス社製のＳＧ−７０８−６）をメチルエチルケトンに溶解することにより、固形分２０ｗｔ％のワニスを作製した。ワニスをセパレータ（シリコーン処理されたＰＥＴフィルム）に塗布し、１３０℃で２分間乾燥し、厚み３０μｍの粘着剤層を得た。
実施例１におけるダイシングダイボンディングフィルムの作製
６０℃、１０ｍｍ／ｓｅｃでＥＶＡフィルム１（厚み１００μｍ）に接着剤層を積層することにより、実施例１のダイシングダイボンディングフィルムを得た。実施例１のダイシングダイボンディングフィルムは、ＥＶＡフィルム１とＥＶＡフィルム１上に位置する接着剤層とを有する。
実施例２におけるダイシングダイボンディングフィルムの作製
ＥＶＡフィルム１の代わりにＥＶＡフィルム２（厚み１００μｍ）を用いた以外は、実施例１と同じ方法で実施例２のダイシングダイボンディングフィルムを得た。
実施例３におけるダイシングダイボンディングフィルムの作製
ＥＶＡフィルム１の代わりにＥＶＡフィルム３（厚み１００μｍ）を用いた以外は、実施例１と同じ方法で実施例３のダイシングダイボンディングフィルムを得た。
実施例４におけるダイシングダイボンディングフィルムの作製
６０℃、１０ｍｍ／ｓｅｃで接着剤層に粘着剤層を積層し、６０℃、１０ｍｍ／ｓｅｃで粘着剤層にＥＶＡフィルム３を積層することにより、実施例４のダイシングダイボンディングフィルムを得た。実施例４のダイシングダイボンディングフィルムは、ＥＶＡフィルム３と粘着剤層とから構成される粘着フィルムを有する。実施例４のダイシングダイボンディングフィルムは接着剤層をさらに有する。接着剤層とＥＶＡフィルム３との間に粘着剤層が位置する。
比較例１におけるダイシングダイボンディングフィルムの作製
ＥＶＡフィルム１の代わりにアイオノマーフィルム（厚み１００μｍ）を用いた以外は、実施例１と同じ方法で比較例１のダイシングダイボンディングフィルムを得た。
比較例２におけるダイシングダイボンディングフィルムの作製
ＥＶＡフィルム１の代わりにポリプロピレン系フィルム１（厚み１００μｍ）を用いた以外は、実施例１と同じ方法で比較例２のダイシングダイボンディングフィルムを得た。
比較例３におけるダイシングダイボンディングフィルムの作製
ＥＶＡフィルム１の代わりにポリプロピレン系フィルム２（厚み１００μｍ）を用いた以外は、実施例１と同じ方法で比較例３のダイシングダイボンディングフィルムを得た。
比較例４におけるダイシングダイボンディングフィルムの作製
ＥＶＡフィルム１の代わりにポリエチレンテレフタレートフィルム（厚み１００μｍ）を用いた以外は、実施例１と同じ方法で比較例４のダイシングダイボンディングフィルムを得た。
比較例５におけるダイシングダイボンディングフィルムの作製
ＥＶＡフィルム１の代わりにポリエチレンフィルム（厚み１００μｍ）を用いた以外は、実施例１と同じ方法で比較例５のダイシングダイボンディングフィルムを得た。
定義
ＥＶＡフィルム１〜３、アイオノマーフィルム、ポリプロピレン系フィルム１〜２、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンフィルムを「基材フィルム」と総称する。
基材フィルムにおける融点の測定 実施例１〜３・比較例１〜５
基材フィルムから１０ｍｍｇの試料を切り出した。示差走査熱量計（エスアイアイ・ナノテクノロジー社製のＤＳＣ６２２０）を用いて、試料１０ｍｍｇ、昇温速度５℃／分、３０℃から２００℃までで示差走査熱量測定をおこなった。ＤＳＣカーブにおける融解のピーク温度を読み取った。結果を表１に示す。
粘着フィルムにおける融点の測定 実施例４
粘着フィルムから１０ｍｍｇの試料を切り出した。示差走査熱量計（エスアイアイ・ナノテクノロジー社製のＤＳＣ６２２０）を用いて、試料１０ｍｍｇ、昇温速度５℃／分、３０℃から２００℃までで示差走査熱量測定をおこなった。ＤＳＣカーブには複数のピークが存在したため、最初に出現した融解ピークのピーク温度を読み取った。結果を表１に示す。
基材フィルムの引張試験 実施例１〜３・比較例１〜５
基材フィルムから、幅２５ｍｍ、長さ１５０ｍｍの試料を切り出した。引張試験機(島津製作所社製のオートグラフ)を用いて、室温２３℃、幅２５ｍｍ、長さ１５０ｍｍ、チャック間距離１００ｍｍ、引張速度３００ｍｍ／ｍｉｎで引張試験をおこなった。応力―ひずみ曲線における引張荷重１Ｎ時の点と２Ｎ時の点とを結ぶ直線の傾きを引張弾性率とした。引張弾性率を表１に示す。破断時の伸び率も表１に示す。
粘着フィルムの引張試験 実施例４
粘着フィルムから、幅２５ｍｍ、長さ１５０ｍｍの試料を切り出した。引張試験機(島津製作所社製のオートグラフ)を用いて、室温２３℃、幅２５ｍｍ、長さ１５０ｍｍ、チャック間距離１００ｍｍ、引張速度３００ｍｍ／ｍｉｎで引張試験をおこなった。応力―ひずみ曲線における引張荷重１Ｎ時の点と２Ｎ時の点とを結ぶ直線の傾きを引張弾性率とした。引張弾性率を表１に示す。破断時の伸び率も表１に示す。
繊維状クズの評価 実施例１〜４・比較例１〜５
ダイシングダイボンディングフィルムに、ダイシングリングと６０℃のミラーウエハ（厚み１００μｍ）とを固定した。ダイシング装置(ディスコ社製のＤＦＤ６３６１)を用い、シングルカットモード、ブレードタイプＺ１:ＮＢＣ-ＺＨ ２０３Ｏ-ＳＥ ２７ＨＣＤＤ、スピンドル５０Ｋｒｐｍ、ブレード高さ７０μｍ（基材フィルムを深さ３０μｍ切り込む設定）、ダイシング速度３０ｍｍ／ｓｅｃ、水量１Ｌ／ｍｉｎで、１０ｍｍ×１０ｍｍのチップを形成した。チップを突き上げ、１０個のチップを取り外し、基材フィルムのダイシングラインを観察した。長さ２ｍｍ以上の繊維状クズがあったときは×と判定した。長さ２ｍｍ以上の繊維状クズがなかったときは○と判定した。結果を表１に示す。
エキスパンドの評価 実施例１〜４・比較例１〜５
ダイシングダイボンディングフィルムに、ダイシングリングと６０℃のミラーウエハ（厚み１００μｍ）とを固定した。ダイシング装置(ディスコ社製のＤＦＤ６３６１)を用い、シングルカットモード、ブレードタイプＺ１:ＮＢＣ-ＺＨ ２０３Ｏ-ＳＥ ２７ＨＣＤＤ、スピンドル５０Ｋｒｐｍ、ブレード高さ７０μｍ、ダイシング速度３０ｍｍ／ｓｅｃ、水量１Ｌ／ｍｉｎで、１０ｍｍ×１０ｍｍのチップを形成した。ダイボンド装置(新川社製のＳＰＡ-３００)を用い、１０ｍｍエキスパンドで１０分間保持した。エキスパンド終了後、ダイシングリングからのダイシングダイボンディングフィルムの剥離、基材フィルム裂けのどちらかが生じたとき、または強度が高すぎてエキスパンド不可だったときは×と判定した。×以外のときは、○と判定した。結果を表１に示す。
Figure 0006721398

Claims (4)

  1. ダイシング支持層と、
    ダイボンディング層とを含み、
    前記ダイシング支持層の融点が６０℃〜１００℃であり、
    前記ダイシング支持層における室温の引張弾性率が３０Ｎ／ｍｍ ２ 〜１００Ｎ／ｍｍ ２ であり、
    前記ダイシング支持層が、基材層と、前記ダイボンディング層と接した粘着剤層とを含み、
    前記ダイシング支持層の融点が、昇温速度５℃／分、３０℃から２００℃までで示差走査熱量測定（ＤＳＣ）をおこない、それによって得られたＤＳＣカーブで最初に出現する融解ピークのピーク温度である、
    ダイシングダイボンディングフィルム。
  2. 前記ダイシング支持層はエチレン−酢酸ビニル共重合体を含む、請求項１に記載のダイシングダイボンディングフィルム。
  3. セパレータと、
    前記セパレータに接した、請求項１または２に記載のダイシングダイボンディングフィルムと
    を含む、ダイシングダイボンディングテープ。
  4. 請求項１または２に記載のダイシングダイボンディングフィルムに固定された半導体ウエハをダイシングする工程と、
    前記半導体ウエハをダイシングする工程で形成されたダイボンディング前チップを被着体に圧着する工程と
    を含む、半導体装置の製造方法。
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