TWI666290B - 黏晶（ｄｉｅ ｂｏｎｄ）薄膜、附有切割片之黏晶薄膜、半導體裝置、及半導體裝置之製造方法 - Google Patents

黏晶（ｄｉｅ ｂｏｎｄ）薄膜、附有切割片之黏晶薄膜、半導體裝置、及半導體裝置之製造方法 Download PDF

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Abstract

本發明係提供可容易地確認半導體晶片的崩裂之黏晶薄膜。一種黏晶薄膜，其特徵在於，將熱硬化前於波長400nm下的透光率設為T1(%)，且將於120℃下加熱1小時後於波長400nm下的透光率設為T2(%)時，T1為80%以上，T1與T2之差(T1-T2)為20%以下。

Description

黏晶(die bond)薄膜、附有切割片之黏晶薄膜、半導體裝置、及半導體裝置之製造方法
本發明涉及黏晶薄膜、附有切割片的黏晶薄膜、半導體裝置及半導體裝置的製造方法。
以往，在半導體裝置的製造過程中，在向引線框等被黏物固著半導體晶片時使用銀漿(silver paste)。該固著處理經由在引線框的焊墊(die pad)等上塗敷漿狀的接著劑，在其上搭載半導體晶片並使漿狀接著劑層硬化來進行。
但是，漿狀接著劑劑根據其黏度行為或劣化等於塗敷量與塗敷形狀方面產生較大的偏差。結果，形成的漿狀接著劑厚度不均勻，因此半導體晶片的固著強度可靠性不足。例如，漿狀接著劑的塗敷量不足時，半導體晶片與被黏物之間的固著強度降低，在後續的引線接合步驟中半導體晶片剝離。另一方面，漿狀接著劑的塗敷量過多時，漿狀接著劑劑流延到半導體晶片上從而產生特性不良，良率或可靠性下降。這樣的固著處理中的問題隨著半 導體晶片的大型化而變得特別顯著。
在該漿狀接著劑的塗敷步驟中，有將漿狀接著劑另外塗敷到引線框或形成晶片上的方法。但是，該方法難以實現漿狀接著劑層的均勻化，另外漿狀接著劑的塗敷需要特殊裝置或長時間。因此，以往提出了具有半導體晶片固定用的接著劑層的黏晶薄膜(例如，參考專利文獻1)。
黏晶薄膜在貼合到半導體晶圓並與半導體晶圓一起被切割後，與所形成的半導體晶片一起從切割膠帶剝離。之後，半導體晶片經由黏晶薄膜被固著於被黏物。
〔先前技術文獻〕 〔專利文獻〕
〔專利文獻1〕日本特開平05-179211號公報
本發明人對使用上述的黏晶薄膜製造的半導體裝置進行了研究。結果查明，半導體晶片的背面由黏晶薄膜覆蓋，因此即使產生崩裂，也很難發現。
本發明係有鑑於前述問題而進行，其目的在於提供可容易地確認半導體晶片的崩裂之黏晶薄膜、及附有切割片之黏晶薄膜。另外，在於提供使用該黏晶薄膜、或該附有切割片之黏晶薄膜而製造的半導體裝置。另外， 在於提供使用了該附有切割片之黏晶薄膜的半導體裝置之製造方法。
本發明人為了解決所述問題而進行了深入研究。結果發現，經由採用下述構成的黏晶薄膜，可容易地確認半導體晶片的崩裂，並完成了本發明。
即，關於本發明之黏晶薄膜的特徵在於，將熱硬化前於波長400nm下的透光率設為T1(%)，且將於120℃下加熱1小時後於波長400nm下的透光率設為T2(%)時，前述T1為80%以上，前述T1與前述T2之差(T1-T2)為20%以下。
根據前述構成，前述T1(%)為80%以上，因此在該黏晶薄膜黏貼於半導體晶片的背面的狀態，且熱硬化前的狀態(例如，切割後的狀態)下，可容易地發現半導體晶片的背面或側面是否存在崩裂。
另外，前述T1與前述T2之差(T1-T2)為20%以下，因此熱硬化後(例如，於120℃下加熱1小時後)亦具有某種程度的透光性。因此，即使在熱硬化後的狀態下，也可容易地發現半導體晶片的背面或側面是否存在崩裂。
如此，根據本發明，在熱硬化前及熱硬化後這兩個狀態下，都可容易地發現半導體晶片的背面或側面是否存在崩裂。
另外，在伴隨熱歷程的過程，例如黏晶或引線接合後，也可對黏晶薄膜的空隙(viod)進行目視確認。
前述構成中，前述T1與前述T2之比T2/T1於0.75~1.0的範圍內為佳。
若前述比T2/T1於0.75~1.0的範圍內，則熱硬化後(於120℃下加熱1小時後)與熱硬化前相比也具有某種程度的透光性。因此，在熱硬化後的狀態下，可更容易地發現半導體晶片的背面或側面是否存在崩裂。
另外，在伴隨熱歷程的過程，例如黏晶或引線接合後，對黏晶薄膜的空隙的目視確認也變得更容易。
另外，關於本發明之附有切割片之黏晶薄膜為在切割片上設置有前述黏晶薄膜的附有切割片之黏晶薄膜，其特徵在於，前述切割片於波長400nm下的透光率大於80%。
根據前述構成，切割片於波長400nm下的透光率大於80%，因此在前述附有切割片之黏晶薄膜黏貼於半導體晶片的背面的狀態下，可容易地發現半導體晶片的背面或側面是否存在崩裂。
前述構成中，熱硬化前之前述附有切割片之黏晶薄膜於波長400nm下的透光率較佳為大於50%。
若熱硬化前的前述附有切割片之黏晶薄膜於波長400nm下的透光率大於50%，則在前述附有切割片之黏晶薄膜黏貼於半導體晶片的背面的狀態下，可更容易地發現半導體晶片的背面或側面是否存在崩裂。
前述構成中，相對於全部有機樹脂成分，前述黏晶薄膜含有50重量%以上的丙烯酸系共聚物為佳。
若相對於全部有機樹脂成分，前述黏晶薄膜含有50重量%以上的丙烯酸系共聚物，則在熱硬化前、硬化後都可以提高黏晶薄膜於波長400nm下的透光率。
前述構成中，前述黏晶薄膜含有丙烯酸系共聚物為佳，前述丙烯酸系共聚物經由將以50重量%以上的比例含有丙烯酸烷基酯或甲基丙烯酸烷基酯的單體原料聚合而得到。
若前述黏晶薄膜含有丙烯酸系共聚物，且前述丙烯酸系共聚物經由將以50重量%以上的比例含有丙烯酸烷基酯或甲基丙烯酸烷基酯的單體原料聚合而得到，則可進一步提高黏晶薄膜於波長400nm下的透光率。
前述構成中，較佳為前述切割片由基材和黏著劑層構成，前述黏著劑層含有丙烯酸系共聚物，前述丙烯酸系共聚物係經由將以50重量%以上的比例含有丙烯酸烷基酯或甲基丙烯酸烷基酯的單體原料聚合而得到。
若前述黏著劑層含有丙烯酸系共聚物，且前述丙烯酸系共聚物經由將以50重量%以上的比例含有丙烯酸烷基酯或甲基丙烯酸烷基酯的單體原料聚合而得到，則可提高前述黏著劑層在波長400nm下的透光率。
前述構成中，較佳為前述黏晶薄膜含有選自脂環式環氧樹脂及脂環式酸酐中的至少1種以上作為熱硬化性樹脂。
若前述黏晶薄膜含有選自脂環式環氧樹脂及脂環式酸酐中的至少1種以上作為熱硬化性樹脂，則在熱硬化後可抑制黃變等，可將熱硬化後的黏晶薄膜於波長400nm下的透光率保持得較高。
前述構成中，較佳為前述黏晶薄膜於120℃下的損失彈性模量為0.05~0.5MPa。
若前述黏晶薄膜於120℃下的損失彈性模量為0.05MPa以上，則可容易地進行引線接合。另一方面，若前述黏晶薄膜於120℃下的損失彈性模量為0.5MPa以下，則可提高與被黏物的黏著性。
另外，關於本發明之半導體裝置之特徵在於使用前述中記載之黏晶薄膜、或前述中記載的附有切割片之黏晶薄膜而製造。
另外，關於本發明之半導體裝置的製造方法的特徵在於，包括：準備步驟，準備前述中記載的附有切割片之黏晶薄膜、貼合步驟，將前述附有切割片之黏晶薄膜之黏晶薄膜、與半導體晶圓的背面貼合、切割步驟，將前述半導體晶圓與前述黏晶薄膜一起切割，形成晶片狀的半導體晶片、拾取步驟，將前述半導體晶片與前述黏晶薄膜一起從前述附有切割片之黏晶薄膜拾取、與黏晶步驟，經由前述黏晶薄膜，在被黏物上黏晶前述 半導體晶片。
根據前述構成，黏晶薄膜於熱硬化前於波長400nm下的透光率T1為80%以上，因此在該黏晶薄膜黏貼於半導體晶片的背面的狀態且熱硬化前的狀態(例如，切割步驟後的狀態)下，可容易地發現半導體晶片的背面或側面是否存在崩裂。
另外，前述T1與所述T2之差(T1-T2)為20%以下，因此熱硬化後(於120℃下加熱1小時後)也具有某種程度的透光性。因此，即使在熱硬化後的狀態下，也可容易地發現半導體晶片的背面或側面是否存在崩裂。
10‧‧‧附有切割片之黏晶薄膜
11‧‧‧切割片
12‧‧‧基材
14‧‧‧黏著劑層
16‧‧‧黏晶薄膜
4‧‧‧半導體晶圓
5‧‧‧半導體晶片
6‧‧‧被黏物
7‧‧‧焊線
8‧‧‧密封樹脂
〔圖1〕係表示關於本發明的一個實施方式之附有切割片之黏晶薄膜之剖面示意圖。
〔圖2〕係用於說明關於本實施方式之半導體裝置之一個製造方法的剖面示意圖。
(附有切割片之黏晶薄膜)
以下對於關於本發明的一個實施方式之黏晶薄膜、及附有切割片之黏晶薄膜進行說明。關於本實施方式之黏晶薄膜，可舉出以下說明的附有切割片之黏晶薄膜中未貼合切割片的狀態者。因此，以下中，對附有切割片 之黏晶薄膜進行說明，在其中說明黏晶薄膜。圖1係表示關於本發明的一個實施方式附有切割片之黏晶薄膜的剖面示意圖。
如圖1所示，附有切割片之黏晶薄膜10具有在切割片11上層合有黏晶薄膜16的構成。切割片11經由在基材12上層合黏著劑層14而構成，黏晶薄膜16設置於黏著劑層14上。
又，本實施方式中，對切割片11存在未被黏晶薄膜16覆蓋的部分14b的情況進行說明，但關於本發明之附有切割片之黏晶薄膜並不限定於該例，也可以以覆蓋整個切割片的方式在切割片層合黏晶薄膜。
關於黏晶薄膜16，將熱硬化前於波長400nm下的透光率設為T1(%)且將於120℃下加熱1小時後於波長400nm下的透光率設為T2(%)時，前述T1為80%以上，82%以上為佳，85%以上為更佳。前述T1(%)為80%以上，因此在黏晶薄膜16黏貼於半導體晶片的背面的狀態，且熱硬化前的狀態(例如，切割後的狀態)下，可容易地發現半導體晶片的背面或側面是否存在崩裂。
另外，前述T1越高越佳，例如可以設為100%以下。
又，之所以使用在波長400nm下的透光率，其理由在於實現可進行目視確認的標準。
前述透光率T1、T2可以經由構成黏晶薄膜16的材料進行控制。例如可以經由適當選擇構成黏晶薄膜16的熱可塑性樹脂的種或含量、熱硬化劑的種或含量、填料的平 均粒徑或含量來進行控制。
黏晶薄膜於波長400nm下的透光率(%)由以下的條件求出。
<透光率測定條件>
測定裝置：紫外可見近紅外分光光度計V-670DS(日本分光股份有限公司製)
波長掃描速度：2000nm/分鐘
測定範圍：300~1200nm
積分球單元：ISN-723
點徑：1cm見方
另外，對於黏晶薄膜16而言，前述T1與前述T2之差(T1-T2)為20%以下，18%以下為佳，15%以下較佳。前述T1與前述T2之差(T1-T2)為20%以下，因此熱硬化後(於120℃下加熱1小時後)亦具有某種程度的透光性。因此，在熱硬化後的狀態下，也可容易地發現半導體晶片的背面或側面是否存在崩裂。
另外，在伴隨熱歷程的過程，例如黏晶與引線接合後，也可對黏晶薄膜的空隙進行目視確認。
另外，前述差(T1-T2)越小越佳，例如可以設定為0%以上。
另外，對於黏晶薄膜16而言，前述T1與前述T2之比T2/T1於0.75~1.0的範圍內為佳，於0.80~0.98的範圍內為較佳，更佳於0.85~0.95的範圍內。若前述比T2/T1在0.75~1.0的範圍內，則熱硬化後(於120℃下加 熱1小時後)與熱硬化前相比亦具有某種程度的透光性。因此，在熱硬化後的狀態下，可容易地發現半導體晶片的背面與側面是否存在崩裂。另外，在伴隨熱歷程的過程，例如黏晶與引線接合後，也可對黏晶薄膜的空隙進行目視確認。
另外，對於黏晶薄膜16而言，於120℃下的損失彈性模量為0.05~0.5MPa為佳，0.07~0.4MPa為較佳，更佳為0.09~0.3MPa。若黏晶薄膜16的於120℃下的損失彈性模量為0.05MPa以上，則可提高引線接合性。另一方面，若黏晶薄膜16的於120℃下的損失彈性模量為0.5MPa以下，則可提高與被黏物的黏著性。
前述損失彈性模量可經由構成黏晶薄膜16的材料進行控制。例如可以經由適當選擇構成黏晶薄膜16的熱可塑性樹脂的種或含量、熱硬化劑的種或含量、填料的平均粒徑或含量來進行控制。
作為構成黏晶薄膜16的材料，可舉出熱硬化性樹脂。另外，也可以併用熱可塑性樹脂與熱硬化性樹脂。
作為前述熱硬化性樹脂，可舉出：酚醛清漆樹脂、胺基樹脂、不飽和聚酯樹脂、環氧樹脂、聚氨酯樹脂、聚矽氧烷樹脂、或熱硬化性聚醯亞胺樹脂、脂環式酸酐等。此等樹脂可以單獨使用，或併用2種以上。特別是腐蝕半導體元件的離子性雜質等的含量少的環氧樹脂為佳。另外，作為環氧樹脂的硬化劑，酚醛清漆樹脂為佳。
前述環氧樹脂只要是一般作為黏晶用途的接著劑劑使用的環氧樹脂，則沒有特別限制，可使用例如：雙酚A型、雙酚F型、雙酚S型、溴化雙酚A型、氫化雙酚A型、雙酚AF型、聯苯型、萘型、芴型、苯酚酚醛清漆型、鄰甲酚酚醛清漆型、三羥苯基甲烷型、四(羥苯基)乙烷型等雙官能環氧樹脂與多官能環氧樹脂、或者乙內醯脲型、異氰脲酸三縮水甘油酯型或縮水甘油胺型等的環氧樹脂。另外，可以使用脂環式環氧樹脂。它們可以單獨使用，或者組合使用2種以上。此等環氧樹脂中，脂環式環氧樹脂為佳。脂環式環氧樹脂不易被氧化，可抑制熱硬化後產生黃變等，從該方面出發為佳。作為前述脂環式環氧樹脂，可舉出例如氫化雙酚型環氧樹脂。
前述酚醛清漆樹脂作為前述環氧樹脂的硬化劑發揮作用，可舉出例如：苯酚酚醛清漆樹脂、苯酚芳烷基樹脂、甲酚酚醛清漆樹脂、第三丁基苯酚酚醛清漆樹脂、壬基苯酚酚醛清漆樹脂等酚醛清漆型酚醛清漆樹脂、甲階酚醛清漆型酚醛清漆樹脂、聚對羥基苯乙烯等聚羥基苯乙烯等。它們可以單獨使用，或者組合使用2種以上。
關於前述環氧樹脂與酚醛清漆樹脂的摻合比例，例如以相對於前述環氧樹脂成分中的環氧基1當量，酚醛清漆樹脂中的羥基達到0.5~2.0當量的方式進行摻合為佳。更佳為0.8~1.2當量。即，這是因為：兩者的摻合比例如果在前述範圍以外，則硬化反應進行得不充分，環氧樹脂硬化物的特性容易變差。
前述脂環式酸酐作為前述環氧樹脂的硬化劑發揮作用，例如可舉出六氫鄰苯二甲酸酐。前述脂環式酸酐不易被氧化，可抑制熱硬化後產生黃變等，從該方面出發為佳。
作為前述熱可塑性樹脂，可舉出：天然橡膠、丁基橡膠、異戊二烯橡膠、氯丁橡膠、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、乙烯-丙烯酸酯共聚物、聚丁二烯樹脂、聚碳酸酯樹脂、熱可塑性聚醯亞胺樹脂、6-耐綸與6,6-耐綸等聚醯胺樹脂、苯氧基樹脂、丙烯酸樹脂、PET與PBT等飽和聚酯樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂或氟樹脂等。此等熱可塑性樹脂可以單獨使用，或者組合使用2種以上。此等熱可塑性樹脂中，離子性雜質少、耐熱性高、可確保半導體元件的可靠性的丙烯酸樹脂為特別佳。
作為前述丙烯酸樹脂，沒有特別限定，可舉出以1種或2種以上具有碳數30以下、特別是碳數4~18的直鏈或支鏈烷基的丙烯酸的酯或甲基丙烯酸的酯(丙烯酸烷基酯、或甲基丙烯酸烷基酯)為成分的聚合物(丙烯酸系共聚物)等。作為前述烷基，可舉出例如：甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、第三丁基、異丁基、戊基、異戊基、己基、庚基、環己基、2-乙基己基、辛基、異辛基、壬基、異壬基、癸基、異癸基、十一烷基、月桂基、十三烷基、十四烷基、硬脂基、十八烷基、或十二烷基等。
其中，黏晶薄膜16含有丙烯酸系共聚物，且前述丙烯酸系共聚物經由將以50重量%以上的比例含有丙烯酸烷基酯或甲基丙烯酸烷基酯的單體原料聚合而得到。前述比例為55重量%以上較佳，更佳為60重量%以上。若黏晶薄膜16含有丙烯酸系共聚物，且前述丙烯酸系共聚物經由將以50重量%以上的比例含有丙烯酸烷基酯或甲基丙烯酸烷基酯的單體原料聚合而得到，則可提高黏晶薄膜16於波長400nm下的透光率。
前述比例越大越佳，但例如可以設定為100重量%以下。
另外，作為形成前述聚合物的其他單體，沒有特別限制，可舉出例如：丙烯酸、甲基丙烯酸、丙烯酸羧乙酯、丙烯酸羧戊酯、衣康酸、馬來酸、富馬酸或巴豆酸等含羧基單體；馬來酸酐或衣康酸酐等酸酐單體；(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸4-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸6-羥基己酯、(甲基)丙烯酸8-羥基辛酯、(甲基)丙烯酸10-羥基癸酯、(甲基)丙烯酸12-羥基月桂酯或丙烯酸(4-羥基甲基環己基)甲酯等含羥基單體；苯乙烯磺酸、烯丙磺酸、2-(甲基)丙烯醯胺基-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯醯胺丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺丙酯或(甲基)丙烯醯氧基萘磺酸等含磺酸基單體；或者丙烯醯磷酸-2-羥基乙酯等含磷酸基單體。
作為前述熱硬化性樹脂的摻合比例，只要是 在規定條件下進行加熱時黏晶薄膜16發揮出作為熱硬化型的功能的程度，則沒有特別限定，但相對於黏晶薄膜16整體，於1~60重量%的範圍內為佳，較佳於5~50重量%的範圍內。
作為前述熱可塑性樹脂的摻合比例，沒有特別限定，但從可撓性、透明性的觀點出發，相對於黏晶薄膜16整體，10重量%以上為佳，較佳為15重量%以上。另外，從耐熱性的觀點出發，相對於黏晶薄膜16整體，100重量%以下為佳，較佳為90重量%以下。
其中，相對於全部有機樹脂成分，黏晶薄膜16含有50重量%以上的丙烯酸系共聚物為佳，較佳含有55重量%以上，佳含有60重量%以上。若相對於全部有機樹脂成分，黏晶薄膜16含有50重量%以上的丙烯酸系共聚物，則在熱硬化前、硬化後都可以提高黏晶薄膜16於波長400nm下的透光率。
在預先使黏晶薄膜16發生某種程度交聯的情況下，在製作時，可以預先添加與聚合物的分子鏈末端的官能團等進行反應的多官能性化合物作為交聯劑。由此，可提高高溫下的接著特性，改善耐熱性。
作為前述交聯劑，可以使用以往公知的交聯劑。特別是甲苯二異氰酸酯、二苯基甲烷二異氰酸酯、對苯二異氰酸酯、1,5-萘二異氰酸酯、多元醇與二異氰酸酯的加成產物等多異氰酸酯化合物為較佳。作為交聯劑的添加量，相對於前述聚合物100重量份一般設定為0.05~7 重量份為佳。交聯劑的量超過7重量份時，接著力下降，因此不佳。另一方面，低於0.05重量份時，凝聚力不足，因此不佳。另外，根據需要可以與這樣的多異氰酸酯化合物一起含有環氧樹脂等其它多官能性化合物。
另外，黏晶薄膜16中可以根據其用途適當配合填料。前述填料的摻合可賦予導電性、提高導熱性、調節彈性模量等。作為前述填料，可舉出無機填料及有機填料，但從操作性的提高、熱導電性的提高、熔融黏度的調整、觸變性的賦予等特性的觀點出發，無機填料為佳。作為前述填料的形狀，沒有特別限制，但球狀為佳。作為前述無機填料，沒有特別限制，可舉出例如氫氧化鋁、氫氧化鎂、碳酸鈣、碳酸鎂、矽酸鈣、矽酸鎂、氧化鈣、氧化鎂、氧化鋁、氮化鋁、硼酸鋁晶須、氮化硼、結晶二氧化矽、非晶二氧化矽等。它們可以單獨使用，也可以併用2種以上。從提高熱導電性的觀點出發，氧化鋁、氮化鋁、氮化硼、結晶二氧化矽、非晶二氧化矽為佳。另外，從上述各特性的平衡性高的觀點出發，結晶二氧化矽或非晶二氧化矽。另外，為了實現導電性的賦予、熱導電性的提高等目的，作為無機填料，也可以使用導電性物質(導電填料)。作為導電填料，可舉出：將銀、鋁、金、銅、鎳、導電性合金等製成球狀、針狀、薄片狀後的金屬粉、氧化鋁等金屬氧化物、無定形碳黑、石墨等。
前述填料的平均粒徑於0.001μm~0.8μm的範圍內為佳，較佳於0.005μm~0.7μm的範圍內，更佳於 0.01μm~0.5μm的範圍內。若含有平均粒徑在0.001μm~0.8μm的範圍內的無機填料，則黏晶薄膜16於波長400nm下的透光率可保持得較高。又，本說明書中，填料的平均粒徑是經由光度式之分布計(HORIBA製，裝置名；LA-910)求出的值。
作為前述填料的添加量，相對於黏晶薄膜16整體，0~50重量%為佳，較佳為1~30重量%。
又，黏晶薄膜16中除前述填料以外還可以根據根據需要適當摻合其他添加劑。其他添加劑作為，可舉出例如：阻燃劑、矽烷偶合劑或離子捕捉劑等。作為前述阻燃劑，可舉出例如：三氧化銻、五氧化銻、溴化環氧樹脂等。這些物質可以單獨使用或者兩種以上組合使用。作為前述矽烷偶合劑，可以列舉例如：β-(3,4-環氧環己基)乙基三甲氧基矽烷、γ-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷、γ-環氧丙氧基丙基甲基二乙氧基矽烷等。此等化合物可以單獨使用或者兩種以上組合使用。作為前述離子捕捉劑，可以列舉水滑石類、氫氧化鉍等。此等物質可以單獨使用或者兩種以上組合使用。
黏晶薄膜16的厚度(在層合體的情況下為總厚度)沒有特別限定，但從透光率的觀點出發，5~100μm為佳，5~60μm為較佳，更佳為5~30μm。
如上所述，切割片11具有於基材12上層合有黏著劑層14的構成。
切割片11於波長400nm下的透光率大於80% 為佳，大於82%為較佳，更佳為大於85%。若切割片11於波長400nm下的透光率大於80%，則在附有切割片之黏晶薄膜10黏貼於半導體晶片的背面的狀態下，可容易地發現半導體晶片的背面與側面是否存在崩裂。
切割片於波長400nm下的透光率經由與黏晶薄膜於波長400nm下的透光率同樣的方法得到。
前述透光率可以經由構成切割片11的材料進行控制。例如可以經由適當選擇構成基材12的材料與含量、構成黏著劑層14的材料的種與含量進行控制。
基材12成為附有切割片之黏晶薄膜10的強度母體。可舉出例如：低密度聚乙烯、直鏈狀聚乙烯、中密度聚乙烯、高密度聚乙烯、超低密度聚乙烯、聚丙烯無規共聚物、聚丙烯嵌段共聚物、聚丙烯均聚物、聚丁烯、聚甲基戊烯等之聚烯烴、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、離子聚合物樹脂、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯(無規、交替)共聚物、乙烯-丁烯共聚物、乙烯-己烯共聚物、聚氨酯、聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯等之聚酯、聚碳酸酯、聚醯亞胺、聚醚醚酮、聚醚醯亞胺、聚醯胺、全芳香族聚醯胺、聚苯硫醚、芳族聚醯胺(紙)、玻璃、玻璃布、含氟樹脂、聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯、纖維素系樹脂、聚矽氧烷樹脂、金屬(箔)等。基材12在後述的黏著劑層14由輻射線硬化型黏著劑形成的情況下，由透射該輻射線的材料形成為佳。
為了提高與鄰接層的密合性、保持性等，基材12的表面可以進行慣用的表面處理，例如鉻酸處理、臭氧暴露、火焰暴露、高壓電擊暴露、電離射線處理等化學或物理處理、底塗劑(例如，後述的黏著物質)塗敷處理。基材12可以適當選擇使用同種或異種材料，根據需要也可以將多種材料混合使用。
基材12於波長400nm下的透光率為80%以上為佳，較佳為82%以上。於波長400nm下的透光率為80%以上的基材12可經由適當選擇構成基材12的材料來得到。
另外，基材12於波長400nm下的透光率越高越佳，但例如可以設定為100%以下。
基材於波長400nm下的透光率基於與黏晶薄膜於波長400nm下的透光率同樣的方法得到。
基材12的厚度可以沒有特別限制地適當確定，但一般為5~200μm左右。其中，從透光率的觀點出發，50~150μm為佳。
作為黏著劑層14的形成中使用的黏著劑，沒有特別限制，例如，可以使用丙烯酸系黏著劑、橡膠系黏著劑等一般的壓敏性黏著劑。作為前述壓敏性膠黏劑，從半導體晶片與玻璃等避忌污染的電子零件之利用超純水與醇等有機溶劑的清潔洗滌性等觀點出發，以丙烯酸系聚合物為基礎聚合物的丙烯酸系黏著劑為佳。
作為前述丙烯酸系聚合物，可舉出例如使用 (甲基)丙烯酸烷基酯(例如，甲酯、乙酯、丙酯、異丙酯、丁酯、異丁酯、第二丁酯、第三丁酯、戊酯、異戊酯、己酯、庚酯、辛酯、2-乙基己酯、異辛酯、壬酯、癸酯、異癸酯、十一烷基酯、十二烷基酯、十三烷基酯、十四烷基酯、十六烷基酯、十八烷基酯、二十烷基酯等烷基之碳數1~30、特別是碳數4~18的直鏈狀或支鏈狀的烷基酯等)以及(甲基)丙烯酸環烷基酯(例如，環戊酯、環己酯等)中的一種或兩種以上作為單體成分的丙烯酸系聚合物等。又，(甲基)丙烯酸酯係指丙烯酸酯及/或甲基丙烯酸酯，本發明之(甲基)全部具有同樣的含義。
其中，黏著劑層14含有丙烯酸系共聚物，且前述丙烯酸系共聚物經由將以50重量%以上的比例含有丙烯酸烷基酯或甲基丙烯酸烷基酯(丙烯酸的酯或甲基丙烯酸的酯)的單體原料聚合而得到為佳。前述比例較佳為55重量%以上，更佳為60重量%以上。若黏著劑層14含有丙烯酸系共聚物，且前述丙烯酸系共聚物經由將以50重量%以上的比例含有丙烯酸烷基酯或甲基丙烯酸烷基酯的單體原料聚合而得到，則可提高黏著劑層14於波長400nm下的透光率。
前述比例越大越佳，但例如可以設定為100重量%以下。
為了改善凝聚力、耐熱性等，前述丙烯酸系聚合物可以根據需要而含有可與上述(甲基)丙烯酸烷基酯或環烷基酯共聚的其他單體成分所對應的單元。作為這 樣的單體成分，可以列舉例如：丙烯酸、甲基丙烯酸、(甲基)丙烯酸羧乙酯、(甲基)丙烯酸羧戊酯、衣康酸、馬來酸、富馬酸、巴豆酸等含羧基單體；馬來酸酐、衣康酸酐等酸酐單體；(甲基)丙烯酸-2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸-2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸-4-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸-6-羥基己酯、(甲基)丙烯酸-8-羥基辛酯、(甲基)丙烯酸-10-羥基癸酯、(甲基)丙烯酸-12-羥基月桂酯、(甲基)丙烯酸-(4-羥甲基環己基)甲酯等含羥基單體；苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基)丙烯醯胺-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯醯胺丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺丙酯、(甲基)丙烯醯氧基萘磺酸等之含磺酸基單體；2-羥基乙基丙烯醯基磷酸酯等之含磷酸基單體；丙烯醯胺；丙烯腈等。此等可共聚單體成分可以使用一種或兩種以上。此等可共聚單體的使用量為全部單體成分的40重量%以下為佳。
另外，為了進行交聯，前述丙烯酸系聚合物也可以根據需要含有多官能性單體等作為共聚用單體成分。作為這樣的多官能性單體，可舉出例如己二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、環氧(甲基)丙烯酸酯、聚酯(甲基)丙烯酸酯、胺基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯 等。此等之多官能性單體亦可以使用一種或者兩種以上。從黏著特性等觀點出發，多官能性單體的使用量為全部單體成分的30重量%以下為佳。
前述丙烯酸系聚合物可以經由將單一單體或者兩種以上單體混合物聚合而得到。聚合可以經由溶液聚合、乳化聚合、塊狀聚合、懸浮聚合等任意方式進行。從防止污染潔淨的被黏物等方面考慮，低分子量物質的含量小為佳。從該觀點出發，丙烯酸系聚合物的數平均分子量為10萬以上為佳，更佳為20萬~300萬左右，特別佳為30萬~150萬左右。
另外，為了提高作為基礎聚合物之丙烯酸系聚合物等的數平均分子量，前述黏著劑中可以適當使用外部交聯劑。作為外部交聯方法的具體方法，可舉出：添加多異氰酸酯化合物、環氧化合物、氮丙啶化合物、三聚氰胺系交聯劑等所謂的交聯劑進行反應的方法。在使用外部交聯劑的情況下，其使用量可以根據與應交聯的基礎聚合物的平衡、以及作為黏著劑的使用用途來適當確定。一般而言，相對於前述基礎聚合物100重量份，摻合5重量份左右以下，更佳為摻合0.1~5重量份。另外，根據需要，除前述成分之外，在黏著劑中還可以使用現有公知的各種增黏劑、抗老化劑等添加劑。
黏著劑層14可以利用輻射線硬化型黏著劑形成。輻射線硬化型黏著劑可以經由照射紫外線等輻射線使交聯度增大，從而容易地使其黏著力下降。
例如，經由與圖1所示的黏晶薄膜16的晶片黏貼部分16a相符地使射線硬化型黏著劑層14硬化，可以容易地形成黏著力顯著下降的前述部分14a。由於硬化而黏著力下降的前述部分14a上黏貼有黏晶薄膜16，因此黏著劑層14的前述部分14a與黏晶薄膜16的介面具有在拾取時容易剝離的性質。另一方面，未照射輻射線的部分具有充分的黏著力，形成前述部分14b。前述部分14b可以牢固地固定晶圓環。
又，在以覆蓋整個切割片的方式在切割片上層合黏晶薄膜的情況下，可以在黏晶薄膜的外周部分固定晶圓環。
輻射線硬化型黏著劑可以沒有特別限制地使用具有碳-碳雙鍵等輻射線硬化性官能基，且顯示出著性的黏著劑。作為輻射線硬化型黏著劑，可例示例如：在前述丙烯酸系黏著劑、橡膠系黏著劑等一般的壓敏性黏合劑中摻合有輻射線硬化性的單體成分與低聚物成分的添加型的輻射線硬化型黏著劑。
作為所摻合的輻射線硬化性的單體成分，可以列舉例如：胺基甲酸酯低聚物、胺基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、四羥甲基甲烷四(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇單羥基五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯等。另外，輻射線硬化性的低聚物成分可舉出胺基甲酸酯系、聚醚系、聚酯系、聚碳酸酯 系、聚丁二烯系等各種低聚物，其分子量於100~30000左右的範圍內是適當的。輻射線硬化性之單體成分與低聚物成分的摻合量，可以根據所述黏著劑層的種來適當確定可使黏著劑層的黏著力下降的量。一般而言，相對於構成黏著劑的丙烯酸系聚合物等基礎聚合物100重量份，例如為5~500重量份、40~150重量份左右為佳。
另外，作為輻射線硬化型黏著劑，除前述說明過的添加型的輻射線硬化型黏著劑以外，還可舉出：使用在聚合物側鏈或者主鏈中或主鏈末端具有碳-碳雙鍵的聚合物作為基礎聚合物的內在型的輻射線硬化型黏著劑。就內在型的輻射線硬化型黏著劑而言，其不需要含有或者不大量含有作為低分子成分的低聚物成分等，因此低聚物成分等不會經時地在黏著劑中移動，從而可以形成穩定的層結構的黏著劑層，因此為佳。
前述具有碳-碳雙鍵的基礎聚合物可以沒有特別限制地使用具有碳-碳雙鍵，且具有黏著性的基礎聚合物。作為這樣的基礎聚合物，以丙烯酸系聚合物作為基本骨架的聚合物為佳。作為丙烯酸系聚合物的基本骨架，可舉出前述例示的丙烯酸系聚合物。
在前述丙烯酸系聚合物中引入碳-碳雙鍵的方法沒有特別限制，可以採用各種方法，但在聚合物側鏈上引入碳-碳雙鍵在分子設計方面比較容易。例如可舉出下述方法：預先使具有官能基的單體與丙烯酸系聚合物共聚後，使具有可與該官能團反應的官能團、及碳-碳雙鍵的 化合物，在保持碳-碳雙鍵的輻射線硬化性的狀態下進行縮合或加成反應。
作為此等官能基的組合例，可以列舉：羧基與環氧基、羧基與氮丙啶基、羥基與異氰酸酯基等。此等官能基的組合中，從容易追蹤反應的觀點出發，羥基與異氰酸酯基的組合為佳。另外，只要是經由此等官能團的組合而生成前述具有碳-碳雙鍵的丙烯酸系聚合物的組合，則官能團可以在丙烯酸系聚合物與前述化合物中的任意一側，就前述之佳的組合而言，丙烯酸系聚合物具有羥基、前述化合物具有異氰酸酯基的情形為佳。此時，作為具有碳-碳雙鍵的異氰酸酯化合物，可舉出例如甲基丙烯醯異氰酸酯、2-甲基丙烯醯氧乙基異氰酸酯、間異丙烯基-α,α-二甲基苄基異氰酸酯等。另外，作為丙烯酸系聚合物，可以使用將前述例示的含羥基單體、2-羥基乙基乙烯基醚、4-羥基丁基乙烯基醚、二乙二醇單乙烯基醚的醚系化合物等共聚而得到的丙烯酸系聚合物。
前述內在型的輻射線硬化型黏著劑，可以單獨使用所述具有碳-碳雙鍵的基礎聚合物(特別是丙烯酸系聚合物)，也可以在不損害特性的程度下配合前述輻射線硬化性的單體成分與低聚物成分。輻射線硬化性的低聚物成分等一般相對於基礎聚合物100重量份在30重量份的範圍內，0~10重量份的範圍為佳。
前述輻射線硬化型黏著劑中，在經由紫外線等而硬化的情況下含有光聚合引發劑。作為光聚合引發 劑，可舉出例如：4-(2-羥基乙氧基)苯基(2-羥基-2-丙基)酮、α-羥基-α,α’-二甲基苯乙酮、2-甲基-2-羥基苯丙酮、1-羥基環己基苯基酮等α-酮醇系化合物；甲氧基苯乙酮、2,2’-二甲氧基-2-苯基苯乙酮、2,2’-二乙氧基苯乙酮、2-甲基-1-[4-(甲硫基)苯基]-2-嗎啉代丙烷-1-酮等苯乙酮系化合物；苯偶姻***、苯偶姻異丙醚、茴香偶姻甲醚等苯偶姻醚系化合物；苯偶醯二甲基縮酮等縮酮系化合物；2-萘磺醯氯等芳香族磺醯氯系化合物；1-苯酮-1,1-丙二酮-2-(鄰乙氧基羰基)肟等光活性肟系化合物；二苯甲酮、苯甲醯基苯甲酸、3,3’-二甲基-4-甲氧基二苯甲酮等二苯甲酮系化合物；噻噸酮、2-氯噻噸酮、2-甲基噻噸酮、2,4-二甲基噻噸酮、異丙基噻噸酮、2,4-二氯噻噸酮、2,4-二乙基噻噸酮、2,4-二異丙基噻噸酮等噻噸酮系化合物；樟腦醌；鹵代酮；醯基氧化膦；醯基膦酸酯等。相對於構成黏著劑的丙烯酸系聚合物等基礎聚合物100重量份，光聚合引發劑的摻合量例如為0.05重量份~20重量份左右。
另外，作為輻射線硬化型黏著劑，可舉出例如日本特開昭60-196956號公報中公開的橡膠系黏著劑與丙烯酸系黏著劑等，前述橡膠系黏著劑、丙烯酸系黏著劑等包含：具有兩個以上不飽和鍵的加聚性化合物、具有環氧基的烷氧基矽烷等光聚合性化合物、與羰基化合物、有機硫化合物、過氧化物、胺、鎓鹽系化合物等光聚合引發劑。
輻射線硬化型的黏著劑層14中，可以根據需要含有經由輻射線照射而著色的化合物。經由於黏著劑層14中含有經由輻射線照射而著色的化合物，可以僅使被輻射線照射後的部分著色。即，可以將圖1所示的與晶圓黏貼部分16a對應的部分14a著色。由此，可以經由目視直接判斷黏著劑層14是否被照射了輻射線，可以容易識別晶圓黏貼部分16a，工件的黏貼也容易。另外，在利用光感測器等檢測半導體晶片時，其檢測精度高，從而在半導體晶片的拾取時不產生誤操作。
經由照射輻射線而著色的化合物，為在照射輻射線前無色或淺色、但是經由照射輻射線而有色的化合物。作為所述化合物之較佳具體例，可例如隱色染料(leuco dye)。作為隱色染料，可以使用慣用的三苯基甲烷系、熒烷系、吩噻嗪系、金胺系、螺吡喃系隱色染料為佳。具體地可以列舉：3-[N-(對甲苯基胺基)]-7-苯胺基熒烷、3-[N-(對甲苯基)-N-甲基胺基]-7-苯胺基熒烷、3-[N-(對甲苯基)-N-乙基胺基]-7-苯胺基熒烷、3-二乙胺基-6-甲基-7-苯胺基熒烷、結晶紫內酯、4,4’,4”-三(二甲胺基)三苯基甲醇、4,4’,4”-三(二甲胺基)三苯基甲烷等。
作為與此等隱色染料一起使用較佳的顯色劑，可以列舉一直以來使用的酚醛清漆樹脂的預聚物、芳香族羧酸衍生物、活性白土等電子受體，另外，在要使色調變化時，可以將各種發色劑組合使用。
如此之經由照射輻射線而著色的化合物，可以先溶解於有機溶劑等中後再包含到輻射線硬化型黏著劑中，另外，也可以以細粉末形式包含在該黏著劑中。該化合物的使用比例期望在黏著劑層14中為10重量%以下，0.01~10重量%為佳，更佳為0.5~5重量%。若該化合物的比例超過10重量%，則照射到黏著劑層14的輻射線被該化合物過度吸收，因此黏著劑層14的前述部分14a的硬化不充分，有時黏著力下降不充分。另一方面，為了充分地著色，使該化合物的比例為0.01重量%以上為佳。
在由輻射線硬化型黏著劑形成黏著劑層14的情況下，可以以黏著劑層14中所述部分14a的黏著力<其他部分14b的黏著力的方式對黏著劑層14的一部分進行輻射線照射。
作為在黏著劑層14形成前述部分14a的方法，可舉出：在基材12上形成輻射線硬化型黏著劑層14後，對前述部分14a局部地照射輻射線使其硬化的方法。局部的輻射線照射可以經由形成有與黏晶薄膜16晶圓黏貼部分16a以外的部分對應的圖案的光掩模來進行。另外，可舉出點狀照射紫外線進行硬化的方法等。輻射線硬化型的黏著劑層14的形成可以經由將設置在隔片上的輻射線硬化型的黏著劑層轉印到基材12上來進行。局部的輻射線硬化也可以對設置在隔片上的輻射線硬化型的黏著劑層14進行。
另外，經由輻射線硬化型黏著劑形成黏著劑 層14的情況下，可以使用對基材12的至少單面的、與晶圓黏貼部分16a對應的部分以外的部分的全部或局部進行遮光的基材，並在該基材上形成輻射線硬化型黏著劑層14後進行輻射線照射，使與晶片黏貼部分16a對應的部分硬化，從而形成黏著力下降的前述部分14a。作為遮光材料，可以經由印刷或蒸鍍等在支撐薄膜上製作可成為光掩模的材料。經由所述製造方法，可以有效地製造附有切割片之黏晶薄膜10。
又，進行輻射線照射時因氧產生硬化障礙的情況下，利用某種方法從輻射線硬化型黏著劑層14的表面隔絕氧(空氣)為佳。可舉出例如：用隔片將黏著劑層14的表面覆蓋的方法與在氮氣氛圍中進行紫外線等輻射線的照射的方法等。
黏著劑層14的厚度沒有特別限定，但從兼具防止晶片切割面的缺損與黏晶薄膜16的固定保持等方面考慮，1μm~50μm左右為佳。較佳為2μm~30μm，更佳為5μm~25μm。
黏著劑層14於波長400nm下的透光率為80%以上為佳，較佳為82%以上。於波長400nm下的透光率為80%以上的黏著劑層14可以經由適當選擇構成黏合劑層14的材料來得到。
另外，黏合劑層14於波長400nm下的透光率越高越佳，但例如可以設定為100%以下。
黏著劑層於波長400nm下的透光率基於與黏晶薄膜 於波長400nm下的透光率同樣的方法得到。
熱硬化前的附有切割片之黏晶薄膜10於波長400nm下的透光率，50%以上為佳，較佳為55%以上，更佳為為60%以上。若熱硬化前的附有切割片之黏晶薄膜10於波長400nm下的透光率大於50%，則在附有切割片之黏晶薄膜10黏貼於半導體晶片的背面的狀態下，可更容易地發現半導體晶片的背面與側面是否存在崩裂。
作為使附有切割片之黏晶薄膜10於波長400nm下的透光率為50%以上的方法，可舉出：作為基材12，選擇於波長400nm下的透光率為一定以上的基材，作為黏著劑14，選擇於波長400nm下的透光率為一定以上的黏著劑，且作為黏晶薄膜16，選擇於波長400nm下的透光率為一定以上的黏晶薄膜的方法。
另外，附有切割片之黏晶薄膜10於波長400nm下的透光率越高越佳，但例如可以設定為100%以下。
附有切割片之黏晶薄膜於波長400nm下的透光率基於與黏晶薄膜於波長400nm下的透光率同樣的方法得到。
附有切割片之黏晶薄膜10的黏晶薄膜16由隔片保護(未圖示)為佳。隔片具有在供給實際應用之前作為保護黏晶薄膜16的保護材料的功能。另外，隔片還可以作為向黏著劑層14轉印黏晶薄膜16時的支撐基材使用。隔片在向附有切割片之黏晶薄膜10的黏晶薄膜16上黏貼工件(半導體晶圓)時剝離。作為隔片，可以使用聚 對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚乙烯、聚丙烯，也可以使用由含氟剝離劑、長鏈烷基丙烯酸酯系剝離劑等剝離劑進行過表面塗敷的塑膠膜或紙等。
關於本實施方式之附有切割片之黏晶薄膜10例如如下所述地進行製作。
首先，基材12可以經由以往公知的成膜方法成膜。作為該成膜方法，可以例示例如：壓延成膜法、有機溶劑中的澆鑄法、密閉體系中的吹塑擠出法、T形模頭擠出法、共擠出法、乾式層壓(DRY LAMINATE)法等。
接著，經由在基材12上塗佈黏著劑組合物溶液形成塗佈膜後，將該塗佈膜在預定條件下進行乾燥(根據需要進行加熱交聯)，形成黏著劑層14。作為塗佈方法，沒有特別限制，可舉出例如：輥塗、絲網塗敷、凹版塗敷等。另外，作為乾燥條件，可以為例如在乾燥溫度80℃~150℃、乾燥時間0.5分鐘~5分鐘的範圍內進行。另外，也可以在隔片上塗佈黏著劑組合物形成塗佈膜後，在前述乾燥條件下使塗佈膜乾燥而形成黏著劑層14。之後，將黏著劑層14與隔片一起黏貼到基材12上。由此，製作切割片11。
黏晶薄膜16例如如下所述製作。
首先，製作作為黏晶薄膜16的形成材料的黏著劑組合物溶液。該黏著劑組合物溶液如前所述配合有前述樹脂與其他根據需要的各種添加劑等。
接著，將黏著劑組合物溶液塗佈到基材隔片 上達到預定的厚度而形成塗佈膜，然後在預定條件下使該塗佈膜乾燥，形成黏晶薄膜16。作為塗佈方法，沒有特別限制，可舉出例如：輥塗、絲網塗敷、凹版塗敷等。另外，作為乾燥條件，可以為例如在乾燥溫度70℃~160℃、乾燥時間1分鐘~5分鐘的範圍內進行。另外，也可以在隔片上塗佈黏著劑組合物溶液形成塗佈膜後，在前述乾燥條件下使塗膜乾燥而形成黏晶薄膜16。之後，將黏著劑層與隔片一起黏貼到基材隔片上。
接著，從切割片11和黏晶薄膜16上分別剝離隔片，以黏著劑層14與黏晶薄膜16成為貼合面的方式將兩者貼合。貼合可以經由例如壓接來進行。此時，層壓溫度沒有特別限制，例如30℃~50℃為佳，較佳為35℃~45℃。另外，線壓沒有特別限制，例如0.1kgf/cm~20kgf/cm為佳，較佳為1kgf/cm~10kgf/cm。由此，可得到附有切割片之黏晶薄膜10。
(半導體裝置之製造方法)
然後，對半導體裝置的製造方法進行說明。
以下，對使用了附有切割片之黏晶薄膜10的半導體裝置的製造方法進行說明。但是，本發明中，也可以不使用附有切割片之黏晶薄膜10而使用黏晶薄膜16地製造半導體裝置。此時，不進行在黏晶薄膜16貼合切割片11而得到附有切割片之黏晶薄膜10的步驟即可，然後可以與使用了附有切割片之黏晶薄膜10的半導體裝置的製造方 法同樣。因此，以下對使用了附有切割片之黏晶薄膜10的半導體裝置的製造方法進行說明。
關於本實施方式之半導體裝置的製造方法包括：準備步驟，準備前述的附有切割片之黏晶薄膜、貼合步驟，將前述附有切割片之黏晶薄膜之黏晶薄膜、半導體晶片的背面貼合、切割步驟，將前述半導體晶圓與前述黏晶薄膜一起切割，形成晶片狀的半導體晶片、拾取步驟，將前述半導體晶片與所述黏晶薄膜一起從前述附有切割片之黏晶薄膜拾取、與黏晶步驟，經由前述黏晶薄膜，在被黏物上黏晶前述半導體晶片。
關於本實施方式的半導體裝置的製造方法中，首先，準備附有切割片之黏晶薄膜10(準備步驟)。對於附有切割片之黏晶薄膜10而言，將任意設置在黏晶薄膜16上的隔片適當剝離後，如下所述地使用。以下，參照圖1及圖2，以使用附有切割片之黏晶薄膜10的情況為例進行說明。
首先，將半導體晶圓4壓接在附有切割片之黏晶薄膜10中的黏晶薄膜16的半導體晶片黏貼部分16a上，使其接著接保持而固定(黏貼步驟)。本步驟在用壓接輥等擠壓手段擠壓的同時進行。安裝時的黏貼溫度沒有特別限制，例如於40~90℃的範圍內為佳。
接著，進行半導體晶圓4的切割(切割步驟)。由此，將半導體晶圓4切割為預定的尺寸而單片化，製造半導體晶片5。切割的方法沒有特別限制，例如從半導體晶圓4的電路面一側按照常規方法來進行。另外，本步驟中，例如可以採用切入至附有切割片之黏晶薄膜10處，稱為全切的切割方式等。本步驟中使用的切割裝置沒有特別限制，可以使用以往公知的切割裝置。另外，由於半導體晶圓4經由附有切割片之黏晶薄膜10接著固定，因此可以抑制晶片缺損或晶片飛散，同時也可以抑制半導體晶圓4的破損。
本實施方式中，使用層合有熱硬化前於波長400nm下的透光率T1(%)為80%以上的黏晶薄膜16、與於波長400nm下的透光率大於80%的切割片11的附有切割片之黏晶薄膜10。因此，切割後，可從切割片11側容易地發現半導體晶片的背面或側面是否存在崩裂。崩裂的有無例如可以經由使用光學顯微鏡來進行確認。
接著，為了將接著固定在附有切割片之黏晶薄膜10的半導體晶片5剝離，進行半導體晶片5的拾取(拾取步驟)。拾取方法沒有特別限制，可以使用以往公知的各種方法。例如，可舉出用針從附有切割片之黏晶薄膜10一側將各個半導體晶片5上推，經由拾取裝置拾取被上推的半導體晶片5的方法等。
作為拾取條件，從防止崩裂的觀點出發，使針上推速度為5~100mm/秒為佳，較佳為5~10mm/秒。
在此，黏著劑層2為輻射線硬化型時，拾取在對該黏著劑層2照射輻射線後進行。由此，黏著劑層2對黏晶薄膜16的黏著力降低，半導體晶片5的剝離變得容易。結果，可以在不損傷半導體晶片5的情況下進行拾取。輻射線照射時的照射強度、照射時間等條件沒有特別限制，可以根據需要適當設定。另外，作為用於輻射線照射的光源，可以使用公知的光源。需要說明的是，預先對黏著劑層照射輻射線使其硬化，並將該硬化後的黏著劑層與黏晶薄膜貼合的情況下，不需要此處的輻射線照射。
然後，拾取的半導體晶片5經由黏晶薄膜16接著固定到被黏物6上(黏晶步驟)。作為被黏物6，可舉出引線框、TAB膜、基板或另外製作的半導體晶片等。被黏物6例如可以為容易變形的變形型被黏物，也可以為不易變形的非變形型被黏物(半導體晶片等)。
作為前述基板，可以使用現有公知的基板。另外，作為前述引線框，可以使用Cu引線框、42合金引線框等金屬引線框與由玻璃環氧、BT(雙馬來醯亞胺-三嗪)、聚醯亞胺等製成的有機基板。但是，本發明不限於此，也包括在安裝半導體元件並與半導體元件電連接後可以使用的電路板。
接著，由於黏晶薄膜16為熱硬化型，因此經由加熱硬化，將半導體晶片5接著固定於被黏物6，使耐熱強度提高(熱硬化步驟)。可以於80~200℃、100~175℃為佳，較佳於100~140℃的加熱溫度下進行。另外，可 以在0.1~24小時、0.1~3小時為佳、較佳於0.2~1小時的加熱時間下進行。另外，加熱硬化可以在加壓條件下進行。作為加壓條件，1~20kg/cm2的範圍內為佳，較佳於3~15kg/cm2的範圍內。加壓下的加熱硬化例如可以在填充有不活潑氣體的腔室內進行。又，經由黏晶薄膜16將半導體晶片5接著固定於基板等而得到的物體可以供與回流焊步驟。
對於本實施方式的黏晶薄膜16而言，前述T1(熱硬化前於波長400nm下的透光率)與前述T2(於120℃下加熱1小時後於波長400nm下的透光率)之差(T1-T2)為20%以下。因此，熱硬化後也具有某種程度的透光性。因此，在熱硬化後的狀態下，也可容易地發現半導體晶片的背面或側面是否存在崩裂。
關於熱硬化後的黏晶薄膜16的剪切接著力，相對於被黏物6，0.2MPa以上為佳，較佳為0.2~10MPa。若黏晶薄膜16之剪切接著力為至少0.2MPa以上，則在引線接合步驟時，不會由於該步驟中的超聲波振動與加熱而使黏晶薄膜16與半導體晶片5或被黏物6的接著面產生剪切變形。即，半導體晶片不會因引線接合時的超聲波振動而移動，由此可防止引線接合成功率降低。
接著，如圖2所示，根據需要用焊線7將被黏物6的端子部(內部引線)的前端與半導體晶片5上的電極焊墊(未圖示)電連接(引線接合步驟)。作為前述焊線7，可以使用例如金線、鋁線或銅線等。進行引線接 合時的溫度為80℃~250℃，80℃~220℃的範圍為佳。另外，其加熱時間為幾秒~幾分鐘。接線在加熱至前述溫度範圍內的狀態下，經由組合使用超聲波的振動能與加壓的壓接能來進行。本步驟可以在不進行黏晶薄膜16的熱硬化的情況下實行。
接著，如圖2所示，根據需要，利用密封樹脂8將半導體晶片5密封(密封步驟)。本步驟是為了保護搭載在被黏物6上的半導體晶片5與焊線7等而進行的。本步驟經由用模具將密封用樹脂成形來進行。作為密封樹脂8，例如使用環氧樹脂。樹脂密封時的加熱溫度一般於175℃下進行60秒~90秒，但是，本發明不限於此，例如也可以於165℃~185℃下進行幾分鐘硬化。由此，使密封樹脂8硬化，並且經由黏晶薄膜16將半導體晶片5與被黏物6固著。即，本發明中，即使在不進行後述的後硬化步驟的情況下，在本步驟中也可以經由黏晶薄膜16進行固著，從而可以有助於減少製造步驟數以及縮短半導體裝置的製造時間。另外，本密封步驟中，也可以採用在片狀的密封用片中埋入半導體晶片5的方法(例如，參照日本特開2013-7028號公報)。
然後，根據需要進行加熱，將在前述密封步驟中硬化不充分的密封樹脂8進行完全硬化(後硬化步驟)。即使在密封步驟中黏晶薄膜16沒有進行完全熱硬化的情況下，在本步驟中黏晶薄膜16也可以與密封樹脂8一起完全熱硬化。本步驟中的加熱溫度根據密封樹脂的 種類的不同而不同，例如在165℃~185℃的範圍內，加熱時間為0.5小時~8小時左右。
又，關於本實施方式之半導體裝置的製造方法中，也可以在基於黏晶步驟的臨時固著之後，不經過基於黏晶薄膜16的加熱處理的熱硬化步驟而進行引線接合，然後利用密封樹脂8將半導體晶片5密封，使該密封樹脂8硬化(後硬化)。此時，關於黏晶薄膜16的臨時固著時的剪切接著力，相對於被黏物6為0.2MPa以上為佳，較佳為0.2~10MPa。若黏晶薄膜16的臨時固著時的剪切接著力為至少0.2MPa以上，則即使在不經過加熱步驟的情況下進行引線接合步驟，也不會由於該步驟中的超聲波振動與加熱而使黏晶薄膜16與半導體晶片5或被黏物6的接著面產生剪切變形。即，半導體晶片不會因引線接合時的超聲波振動而移動，由此可防止引線接合成功率降低。又，臨時固著是指，為了在以後的步驟中不產生障礙，以不達到使黏晶薄膜的硬化反應完全進行的狀態的程度，使該黏晶薄膜硬化(達到半硬化狀態)而固定半導體晶片5的狀態。又，在不經過基於黏晶薄膜的加熱處理的熱硬化步驟的情況下進行引線接合時，上述後硬化的步驟相當於本說明書中的熱硬化步驟。
又，對於本發明的附有切割片之黏晶薄膜而言，也適合用於將多個半導體晶片層合進行三維安裝的情況。此時，半導體晶片間可以層合黏晶薄膜與隔離件，也可以在半導體晶片間不層疊隔離件而僅層疊黏晶薄膜，可 以根據製造條件與用途等進行適當變更。
〔實施例〕
以下，例示性地詳細說明本發明較佳之實施例。但是，該實施例中記載的材料或配合量等只要沒有特別限定性的記載，就不將本發明的要旨僅限定在該範圍內。又，以下中，份是指重量份。
<黏晶薄膜的製作> (實施例1)
在甲乙酮中溶解下述(a)~(c)，得到濃度23重量%之接著劑組合物溶液。
(a)以丙烯酸乙酯、丙烯酸丁酯及丙烯腈為主單體的丙烯酸酯共聚物(長瀨化成(股份有限)公司製，商品名：SG-P3，各主單體的含量：丙烯酸乙酯30重量%，丙烯酸丁酯39重量%，丙烯腈28重量%) 100份
(b)環氧樹脂(三菱化學公司製，製品名：YX-8034(脂環式環氧樹脂)) 26份
(c)酸酐((股份有限)新日本理科公司製，製品名：MH-700(脂環式酸酐)) 24份
將該接著劑組合物溶液塗佈到聚矽氧烷脫模處理後的厚度為38μm的聚對苯二甲酸乙二醇酯膜形成的脫模處理膜(剝離襯墊)上後，於130℃下乾燥2分鐘。由此，製作厚度20μm的黏晶薄膜A。
(實施例2)
在甲乙酮中溶解下述(a)~(b)，得到濃度23重量%之接著劑組合物溶液。
(a)以丙烯酸乙酯、丙烯酸丁酯及丙烯腈為主單體的丙烯酸酯共聚物(長瀨化成(股份有限)公司製，商品名：SG-P3，各主單體的含量：丙烯酸乙酯30重量%，丙烯酸丁酯39重量%，丙烯腈28重量%) 100份
(b)酸酐((股份有限)新日本理科公司製，製品名：MH-700(脂環式酸酐)) 10份
將該接著劑組合物溶液塗佈到聚矽氧烷脫模處理後的厚度為38μm的聚對苯二甲酸乙二醇酯膜形成的脫模處理膜(剝離襯墊)上後，於130℃下乾燥2分鐘。由此，製作厚度20μm的黏晶薄膜B。
(實施例3)
在甲乙酮中溶解下述(a)~(c)，得到濃度23重量%之接著劑組合物溶液。
(a)以丙烯酸丁酯及丙烯腈為主單體的丙烯酸酯共聚物(長瀨化成(股份有限)公司製，商品名：SG-700AS，各主單體的含量：丙烯酸乙酯38重量%，丙烯酸丁酯40重量%，丙烯腈17重量%) 100份
(b)環氧樹脂(三菱化學公司製，製品名：YX-8034(脂環式環氧樹脂)) 14份
(c)二氧化矽填料(Admatechs公司製，製品名：SO-E2) 15份
將該接著劑組合物溶液塗布到聚矽氧烷脫模處理後的厚度為38μm的聚對苯二甲酸乙二醇酯膜形成的脫模處理膜(剝離襯墊)上後，於130℃下乾燥2分鐘。由此，製作厚度20μm的黏晶薄膜C。
(比較例1)
在甲乙酮中溶解下述(a)~(d)，得到濃度23重量%之接著劑組合物溶液。
(a)以丙烯酸丁酯及丙烯腈為主單體的丙烯酸酯共聚物(長瀨化成(股份有限)公司製，商品名：SG-700AS，各主單體的含量：丙烯酸乙酯38重量%，丙烯酸丁酯40重量%，丙烯腈17重量%) 100份
(b)環氧樹脂(DIC公司製，製品名：HP-7200L) 23份
(c)酚醛清漆樹脂(明和化成公司製，製品名：MEH-7500) 25份
(d)填料(Admatechs公司製，製品名：SO-E5，平均粒徑徑：1.5μm) 30份
將該接著劑組合物溶液塗佈到聚矽氧烷脫模處理後的厚度為38μm的聚對苯二甲酸乙二醇酯膜形成的脫模處理膜(剝離襯墊)上後，於130℃下乾燥2分鐘。由此，製作厚度20μm的黏晶薄膜D。
(比較例2)
在甲乙酮中溶解下述(a)~(c)，得到濃度23重量%之接著劑組合物溶液。
(a)以丙烯酸丁酯及丙烯腈為主單體的丙烯酸酯共聚物(長瀨化成(股份有限)公司製，商品名：SG-700AS，各主單體的含量：丙烯酸乙酯38重量%，丙烯酸丁酯40重量%，丙烯腈17重量%) 100份
(b)環氧樹脂(DIC公司製，製品名：HP-7200L) 23份
(c)酚醛清漆樹脂(明和化成公司製，製品名：MEH-7500) 25份
將該接著組合物溶液塗布到聚矽氧烷脫模處理後的厚度為38μm的聚對苯二甲酸乙二醇酯膜形成的脫模處理膜(剝離襯墊)上後，於130℃下乾燥2分鐘。由此，製作厚度20μm的黏晶薄膜E。
(比較例3)
在甲乙酮中溶解下述(a)~(b)，得到濃度23重量%之接著劑組合物溶液。
在甲乙酮中溶解下述(a)~(b)，得到濃度23重量%之接著劑組合物溶液。
(a)以丙烯酸丁酯及丙烯腈為主單體的丙烯酸酯共聚物(長瀨化成(股份有限)公司製，商品名：SG- 700AS，各主單體的含量：丙烯酸乙酯38重量%，丙烯酸丁酯40重量%，丙烯腈17重量%) 100份
(b)環氧樹脂(DIC公司製，製品名：HP-7200L) 35份
將該接著劑組合物溶液塗佈到聚矽氧烷脫模處理後的厚度為38μm的聚對苯二甲酸乙二醇酯膜形成的脫模處理膜(剝離襯墊)上後，於130℃下乾燥2分鐘。由此，製作厚度20μm之黏晶薄膜F。
(黏晶薄膜於熱硬化前於波長400nm下的透光率T1的測定)
測定關於實施例及比較例之黏晶薄膜於波長400nm下的透光率。具體地，在下述條件下對關於實施例及比較例之黏晶薄膜(厚度：20μm)進行測定，求出400nm下的透光率(%)。結果如表1所示。
<透光率測定條件>
測定裝置：紫外可見近紅外分光光度計V-670DS(日本分光公司製)
波長掃描速度：2000nm/分鐘
測定範圍：300~1200nm
積分球單元：ISN-723
點徑：1cm見方
(黏晶薄膜於120℃下加熱1小時後於波長400nm下的透 光率T2的測定)
將關於實施例及比較例之黏晶薄膜於120℃下加熱1小時。之後，測定於波長400nm下的透光率。測定條件與透光率T1同樣。結果如表1所示。
另外，表1中亦表示出T1與T2之差(T1-T2)、及T1與T2之比T2/T1。
(黏晶薄膜於120℃下之損失彈性模量的測定)
測定關於實施例及比較例之黏晶薄膜於120℃下的損失彈性模量。具體地，對於實施例、比較例的黏晶薄膜，分別層合至厚度200μm，得到寬度10mm、長度40mm的測定樣品。然後，使用動態黏彈性測定裝置(RSA(III)，Rheometrics科技公司製)，在卡盤間距22.5mm、頻率1Hz、升溫速度10℃/分鐘的條件下測定-50~300℃下的損失彈性模量，使用此時的120℃下的損失彈性模量。
<切割片>
關於實施例1~3及比較例1~3之切割片A(實施例1~3及比較例1~3中共通)如下所述地準備。
在具備冷凝管、氮導入管、溫度計及攪拌裝置的反應容器中，加入丙烯酸2-乙基己酯(2EHA)70份、丙烯酸2-羥基乙酯(HEA)25份、過酸化苯甲醯0.2份及甲苯60份，在氮氣流中在61℃聚合處理6小時，得到丙烯酸系聚合物A。
在該丙烯酸系聚合物A中加入2-甲基丙烯醯氧基乙基異氰酸酯(MOI)10份，在空氣氣流中於50℃進行48小時加成反應處理，得到丙烯酸系聚合物A’。
接著，相對於丙烯酸系聚合物A’100份加入光聚合引發劑(商品名「Irgacure 651」，汽巴精化公司製)4份，製作黏著劑溶液。
將前述中製備的黏著劑溶液塗佈到PET剝離襯墊的實施了聚矽氧烷處理的面上，於120℃下加熱交聯2分鐘，形成厚度20μm的黏著劑層前體。接著，製備具有聚丙烯層(厚度40μm)與聚乙烯層(厚度40μm)的2層構造的厚度80μm的基材膜，在該黏著劑前體表面以聚丙烯層為貼合面地貼合基材膜。僅對黏著劑層前體的與半導體晶圓黏貼部分(直徑200mm)相當的部分(直徑220mm)照射500mJ紫外線，形成黏著劑層。由此，得到關於實施例1之切割片A。
(切割片於波長400nm下的透光率的測定)
測定關於實施例及比較例之切割片於波長400nm下的透光率。具體地，在下述條件下測定關於實施例及比較例之切割片(厚度：100μm)，求出400nm下的透光率(%)。結果如表1所示。
<透光率測定條件>
測定裝置：紫外可見近紅外分光光度計V-670DS(日本分光公司製)
速度：2000nm/min
測定範圍：300~1200nm
積分球：ISN-723
點徑：1cm見方
<附有切割片之黏晶薄膜的製作> (實施例1)
將黏晶薄膜A與切割片A貼合，得到關於實施例1之附有切割片之黏晶薄膜A。貼合條件為40℃、10mm/秒、線壓30kgf/cm。
(實施例2)
將黏晶薄膜B與切割片A貼合，得到關於實施例2之附有切割片之黏晶薄膜B。貼合條件為40℃、10mm/秒、線壓30kgf/cm。
(實施例3)
將黏晶薄膜C與切割片A貼合，得到關於實施例2之附有切割片之黏晶薄膜B。貼合條件為40℃、10mm/秒、線壓30kgf/cm。
(比較例1)
將黏晶薄膜D與切割片A貼合，得到關於比較例1之附有切割片之黏晶薄膜C。貼合條件為40℃、10mm/ 秒、線壓30kgf/cm。
(比較例2)
將黏晶薄膜E與切割片A貼合，得到關於比較例2之附有切割片之黏晶薄膜D。貼合條件為貼合條件為40℃、10mm/秒、線壓30kgf/cm。
(比較例3)
將黏晶薄膜F與切割片A貼合，得到關於比較例3之附有切割片之黏晶薄膜E。貼合條件為貼合條件為40℃、10mm/秒、線壓30kgf/cm。
(附有切割片之黏晶薄膜於波長400nm下的透光率的測定)
測定關於實施例及比較例之附有切割片之黏晶薄膜於波長400nm下的透光率。具體地，在下述條件下對關於實施例及比較例之附有切割片之黏晶薄膜(厚度：120μm)進行測定，求出400nm下的透光率(%)。結果如表1所示。
<透光率測定條件>
測定裝置：紫外可見近紅外分光光度計V-670DS(日本分光公司製)
速度：2000nm/min
測定範圍：300~1200nm
積分球：ISN-723
點徑：1cm見方
(能否確認背面崩裂的評估)
將關於實施例、比較例之附有切割片之黏晶薄膜經由輥壓接而貼合於半導體晶片(直徑：12英寸，厚度：50μm)，然後進行切割。輥壓接的條件如下下述的<貼合條件>所述。另外，切割為10mm見方的晶片尺寸的全切。切割的條件如下述的<切割條件>所述。
<貼合條件>
黏貼裝置：日東精機製，MA-3000II
黏貼速度：10mm/min
黏貼壓力：0.15MPa
黏貼時的平台溫度：40℃
<切割條件>
切割裝置：DISCO公司製，DFD-6361
切割環：2-8-1(DISCO公司製)
切割速度：80mm/sec
切割刀片：
Z1；DISCO公司製2050HEDD
Z2；DISCO公司製2050HEBB
切割刀片轉速：
Z1；40,000rpm
Z2；40,000rpm
刀片高度：
Z1；0.170mm
Z2；0.090mm
切割方式：A模式/分步切割
晶片晶片尺寸：10.0mm見方
之後，對是否可從切割片側確認晶片的背面崩裂進行評估。具體地，經由目視來評估是否可確認晶片背面的狀態。可確認晶片背面的狀態的情況評估為○，無法確認的情況評估為×。又，評估為○不是指晶片的背面存在崩裂，而是指可確認到背面的狀態。同樣地，評估為×不是指晶片的背面不存在崩裂，而是指無法確認到背面的狀態。結果如表1所示。
(熱處理後能否確認側面崩裂的評估)
可確認背面崩裂的評估後，拾取附有黏晶薄膜之晶片，將其黏晶於鏡面晶片。拾取條件及黏晶條件如下所述。
<拾取條件>
裝置：新川公司製，黏晶機，SPA-300
針數：5
拾取高度：400μm
<黏晶條件>
裝置：新川公司製，黏晶機，SPA-300
溫度：120℃
載荷：10N
時間：1秒
黏晶後，用120℃的乾燥機將樣品加熱1小時，之後，對是否可確認晶片的側面崩裂進行評估。具體地，經由目視對是否可確認晶片的側面的狀態進行評估。可確認到晶片的側面的狀態的情況評估為○，無法確認到的情況評估為×。結果如表1所示。

Claims (10)

  1. 一種黏晶薄膜，其特徵在於，將熱硬化前在波長400nm下的透光率設為T1(%)，且將於120℃下加熱1小時後於波長400nm下的透光率設為T2(%)時，前述T1為80%以上，前述T1與前述T2之差(T1-T2)為20%以下。
  2. 一種附有切割片之黏晶薄膜，其係於切割片上設置有如請求項1之黏晶薄膜之附有切割片之黏晶薄膜，其特徵在於，前述切割片於波長400nm下的透光率大於80%。
  3. 如請求項2之附有切割片之黏晶薄膜，其中熱硬化前之前述附有切割片之黏晶薄膜於波長400nm下的透光率大於50%。
  4. 如請求項2之附有切割片之黏晶薄膜，其中相對於全部有機樹脂成分，前述黏晶薄膜含有50重量%以上的丙烯酸系共聚物。
  5. 如請求項2之附有切割片之黏晶薄膜，其中前述黏晶薄膜含有丙烯酸系共聚物，前述丙烯酸系共聚物係經由將以50重量%以上的比例含有丙烯酸烷基酯或甲基丙烯酸烷基酯的單體原料聚合而得到。
  6. 如請求項2之附有切割片之黏晶薄膜，其中前述切割片由基材與黏合劑層構成，前述黏著劑層含有丙烯酸系共聚物，前述丙烯酸系共聚物係經由將以50重量%以上的比例含有丙烯酸烷基酯或甲基丙烯酸烷基酯的單體原料聚合而得到。
  7. 如請求項2之附有切割片之黏晶薄膜，其中前述黏晶薄膜含有選自脂環式環氧樹脂及脂環式酸酐所成群組的至少1種以上作為熱硬化性樹脂。
  8. 如請求項2之附有切割片之黏晶薄膜，其中前述黏晶薄膜於120℃下的損失彈性模量為0.05~0.5MPa。
  9. 一種半導體裝置，其特徵在於，使用如請求項1之黏晶薄膜、或如請求項2~8中任一項之附有切割片之黏晶薄膜而製造。
  10. 一種半導體裝置的製造方法，其特徵在於，包括：準備步驟，準備如請求項2~8中任一項之附有切割片之黏晶薄膜、貼合步驟，將前述附有切割片之黏晶薄膜之黏晶薄膜、與半導體晶圓的背面貼合、切割步驟，將前述半導體晶圓與前述黏晶薄膜一起切割，形成晶片狀的半導體晶片、拾取步驟，將前述半導體晶片與前述黏晶薄膜一起從前述附有切割片之黏晶薄膜拾取、與黏晶步驟，經由前述黏晶薄膜，在被黏物上黏晶前述半導體晶片。
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