TW201806040A - 切晶黏晶膜及半導體裝置之製造方法 - Google Patents

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木村雄大
福井章洋
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Abstract

本發明提供一種切晶黏晶膜，其能夠抑制於冷卻擴展步驟中黏晶膜自切晶片浮起，並且能夠於拾取步驟中自切晶片適宜地剝離附黏晶膜之半導體晶片。一種切晶黏晶膜，其具有：切晶片；及積層於切晶片上之黏晶膜，切晶片與黏晶膜之23℃下之剝離力A在0.1 N/20 mm以上且0.25 N/20 mm以下之範圍內，切晶片與黏晶膜之-15℃下之剝離力B於下述剝離力B之測定條件下在0.15 N/20 mm以上且0.5 N/20 mm以下之範圍內，黏晶膜係藉由施加延伸張力而斷裂來使用。

Description

切晶黏晶膜及半導體裝置之製造方法
本發明係關於一種切晶黏晶膜、及半導體裝置之製造方法。
先前，於半導體裝置之製造中，有時使用切晶黏晶膜。切晶黏晶膜係於切晶片上可剝離地設置黏晶膜而成者。於半導體裝置之製造中，於切晶黏晶膜之黏晶膜上保持半導體晶圓，對半導體晶圓進行切割而製成各個晶片。然後，將晶片與黏晶膜一同自切晶片剝離，經由黏晶膜使其固定於引線框架等被接著體。 使用於切晶片上積層有黏晶膜之切晶黏晶膜，並於黏晶膜之保持下切割半導體晶圓時，需要將黏晶膜與半導體晶圓同時切斷。但是，於使用金剛石刀片之通常之切割方法中，會擔心切割時產生之熱之影響造成之黏晶膜與切晶片之黏連、切削屑之產生造成之半導體晶片彼此之固定、切削屑附著於半導體晶片側面等，因此，需要降低切斷速度，從而導致成本上升。 因此，近年提出如下之方法：藉由對半導體晶圓中之預分割線照射雷射光而形成改性區域，從而使半導體晶圓可沿預分割線容易地分割，然後藉由將該半導體晶圓貼合於切晶黏晶膜，之後於低溫下(例如，-15℃～5℃)擴展(以下，亦稱為「冷卻擴展」)切晶黏晶膜，從而使半導體晶圓與黏晶膜斷裂，獲得各個半導體晶片(附黏晶膜之半導體晶片)(例如，參照專利文獻1)。該方法係所謂之稱為隱形切割(Stealth Dicing，註冊商標)之方法。 [先前技術文獻] [專利文獻] [專利文獻1]日本專利特開2009-164556號公報
[發明所欲解決之問題] 然而，先前之隱形切割中，存在如下問題：於冷卻擴展後至進行拾取之期間，附黏晶膜之半導體晶片有時自切晶片剝離。另一方面，存在下述問題：於拾取時晶片無法自切晶片剝離，有無法適宜地拾取之情形。 本發明者等人針對該等問題進行深入研究，結果發現：由於冷卻擴展為低溫之條件，因此切晶片與黏晶膜之間之剝離力變低，有時黏晶膜自切晶片浮起，出於該原因，有於拾取前附黏晶膜之半導體晶片自切晶片剝離之情形。 另外，拾取係於常溫(例如，23℃)下進行。本發明者等人發現：因此，於使用切晶片與黏晶膜之間之剝離力於低溫條件下亦比較高之切晶黏晶膜之情形時，於拾取時，剝離力變得過高，出於該原因，有時無法適宜地拾取。 本發明係鑒於上述問題方面而成者，其目的在於提供一種切晶黏晶膜，其能夠抑制於冷卻擴展步驟中黏晶膜自切晶片浮起，並且能夠於拾取步驟中自切晶片適宜地剝離附黏晶膜之半導體晶片。 另外，本發明之目的在於提供一種使用該切晶黏晶膜之半導體裝置之製造方法。 [解決問題之技術手段] 本發明者等人為了解決上述問題方面，針對切晶黏晶膜進行研究。其結果發現，藉由採用下述構成之切晶黏晶膜，能夠抑制於冷卻擴展步驟中黏晶膜自切晶片浮起，並且能夠於拾取步驟中自切晶片適宜地剝離附黏晶膜之半導體晶片，從而完成本發明。 即，本發明之切晶黏晶膜之特徵在於，具有： 切晶片；及 積層於上述切晶片上之黏晶膜； 上述切晶片與上述黏晶膜之23℃下之剝離力A於下述剝離力A之測定條件下在0.1 N/20 mm以上且0.25 N/20 mm以下之範圍內， 上述切晶片與上述黏晶膜之-15℃下之剝離力B於下述剝離力B之測定條件下在0.15 N/20 mm以上且0.5 N/20 mm以下之範圍內， 上述黏晶膜係藉由施加延伸張力而斷裂來使用。 ＜剝離力A之測定條件＞ T型剝離試驗 剝離速度300 mm/分鐘 ＜剝離力B之測定條件＞ T型剝離試驗 剝離速度300 mm/分鐘。 根據上述構成，上述剝離力A於上述剝離力A之測定條件下在0.1 N/20 mm以上且0.25 N/20 mm以下之範圍內，因此能夠於拾取步驟中自切晶片適宜地剝離附黏晶膜之半導體晶片。另外，上述剝離力B於上述剝離力B之測定條件下在0.15 N/20 mm以上且0.5 N/20 mm以下之範圍內，因此能夠抑制於冷卻擴展步驟中黏晶膜自切晶片浮起。 另外，本發明之半導體裝置之製造方法之特徵在於，包括如下步驟： 步驟A，於切晶黏晶膜上貼合半導體晶圓； 步驟B，於0℃以下之條件下，擴展上述切晶黏晶膜，至少使上述黏晶膜斷裂，獲得附黏晶膜之晶片；及 步驟C，拾取上述附黏晶膜之晶片； 上述切晶黏晶膜具有： 切晶片；及 積層於上述切晶片上之黏晶膜； 上述切晶片與上述黏晶膜之23℃下之剝離力A於下述剝離力A之測定條件下在0.1 N/20 mm以上且0.25 N/20 mm以下之範圍內， 上述切晶片與上述黏晶膜之-15℃下之剝離力B於下述剝離力B之測定條件下在0.15 N/20 mm以上且0.5 N/20 mm以下之範圍內。 ＜剝離力A之測定條件＞ T型剝離試驗 剝離速度300 mm/分鐘 ＜剝離力B之測定條件＞ T型剝離試驗 剝離速度300 mm/分鐘。 根據上述構成，上述剝離力A於上述剝離力A之測定條件下在0.1 N/20 mm以上且0.25 N/20 mm以下之範圍內，因此，能夠於步驟C(拾取步驟)中自切晶片適宜地剝離附黏晶膜之半導體晶片。另外，上述剝離力B於上述剝離力B之測定條件下在0.15 N/20 mm以上且0.5 N/20 mm以下之範圍內，因此，能夠抑制於步驟B(冷卻擴展步驟)中黏晶膜自切晶片浮起。 再者，本發明之半導體裝置之製造方法中，包括如下情形：使半導體晶圓與黏晶膜同時於冷卻擴展步驟中斷裂之情形；及僅使黏晶膜於冷卻擴展步驟中斷裂之情形。 [發明之效果] 根據本發明，可提供一種切晶黏晶膜，其能夠抑制於冷卻擴展步驟中黏晶膜自切晶片浮起，並且能夠於拾取步驟中自切晶片適宜地剝離附黏晶膜之半導體晶片。另外，可提供一種使用該切晶黏晶膜之半導體裝置之製造方法。
(切晶黏晶膜) 以下對本發明之一實施形態之切晶黏晶膜進行說明。圖1為表示本發明之一實施形態之切晶黏晶膜的截面示意圖。 如圖1所示，切晶黏晶膜10具有於切晶片11上積層有黏晶膜3之構成。切晶片11具有於基材1上積層有黏著劑層2之構成。黏晶膜3設置於黏著劑層2上。 再者，本實施形態中，對切晶片11中存在未被黏晶膜3覆蓋之部分2b之情形進行說明，但本發明之切晶黏晶膜並不限定於此例，亦可按照覆蓋切晶片整體之方式於切晶片上積層黏晶膜。 切晶片11與黏晶膜3之23℃下之剝離力A於下述剝離力A之測定條件下在0.1 N/20 mm以上且0.25 N/20 mm以下之範圍內，較佳為在0.12 N/20 mm以上且0.23 N/20 mm以下之範圍內，更佳為在0.14 N/20 mm以上且0.22 N/20 mm以下之範圍內。 ＜剝離力A之測定條件＞ T型剝離試驗 剝離速度300 mm/分鐘 上述剝離力A於上述剝離力A之測定條件下在0.1 N/20 mm以上且0.25 N/20 mm以下之範圍內，因此，能夠於拾取步驟中自切晶片11適宜地剝離附黏晶膜3之半導體晶片5(參照圖4(b))。 切晶片11與黏晶膜3之-15℃下之剝離力B於下述剝離力B之測定條件下在0.15 N/20 mm以上且0.5 N/20 mm以下之範圍內，較佳為在0.20 N/20 mm以上且0.45 N/20 mm以下之範圍內，更佳為在0.24 N/20 mm以上且0.40 N/20 mm以下之範圍內。 ＜剝離力B之測定條件＞ T型剝離試驗 剝離速度300 mm/分鐘 上述剝離力B於上述剝離力B之測定條件下在0.15 N/20 mm以上且0.5 N/20 mm以下之範圍內，因此能夠抑制於冷卻擴展步驟中黏晶膜3自切晶片11浮起。 上述剝離力B較佳為大於上述剝離力A。上述剝離力B大於上述剝離力A時，能夠進一步抑制於冷卻擴展步驟中黏晶膜3自切晶片11浮起，並且能夠於拾取步驟中自切晶片11更適宜地剝離附黏晶膜3之半導體晶片5。 上述剝離力A與上述剝離力B之差[(剝離力B)－(剝離力A)]較佳為0.03 N/20 mm以上，更佳為0.05 N/20 mm以上。另外，上述差[(剝離力B)－(剝離力A)]越大越佳，但例如為0.5 N/20 mm以下。 上述剝離力A、及上述剝離力B之更詳細之測定方法採用實施例記載的方法。 (黏晶膜) 黏晶膜3之玻璃轉移溫度(Tg)較佳為50℃以下，更佳為40℃以下。黏晶膜3之玻璃轉移溫度(Tg)為50℃以下時，可有效地顯示常溫與低溫之剝離力之差。另外，黏晶膜3之玻璃轉移溫度(Tg)越低越佳，但自拾取性之觀點而言，例如為0℃以上。 上述玻璃轉移溫度(Tg)之更詳細之測定方法採用實施例記載的方法。 黏晶膜3的23℃下之延伸儲存模數A較佳為5 MPa以上且3000 MPa以下，更佳為10 MPa以上且1000 MPa以下。上述延伸儲存模數A為5 MPa以上時，能夠於拾取步驟中適宜地拾取。另一方面，上述延伸儲存模數A為3000 MPa以下時，能夠防止於冷卻擴展步驟後至拾取步驟之期間黏晶膜3自切晶片11剝離。 黏晶膜3之-15℃下之延伸儲存模數B較佳為1 GPa以上且10 GPa以下，更佳為2 GPa以上且5 GPa以下。上述延伸儲存模數B為1 GPa以上時，黏晶膜3於冷卻擴展步驟中適宜地斷裂。另一方面，上述延伸儲存模數B為10 GPa以下時，能夠適宜地抑制於冷卻擴展步驟中黏晶膜3自切晶片11浮起。 上述延伸儲存模數A與上述延伸儲存模數B之比[(延伸儲存模數B)/(延伸儲存模數A)]較佳為2以上，更佳為30以上。上述比[(延伸儲存模數B)/(延伸儲存模數A)]為2以上時，能夠進一步抑制於冷卻擴展步驟中黏晶膜3自切晶片11浮起，並且能夠於拾取步驟中自切晶片11更適宜地剝離附黏晶膜3之半導體晶片5。另外，上述比[(延伸儲存模數B)/(延伸儲存模數A)]越大越佳，但自割斷性及拾取性之平衡之觀點而言，例如為300以下。 上述延伸儲存模數A、及上述延伸儲存模數B之更詳細之測定方法採用實施例記載的方法。 如圖1所示，黏晶膜3之層構成可列舉包含單層之接著劑層者。再者，本說明書中，單層係指包含同一組成之層，包括積層複數層包含同一組成之層而成者。 但是，本發明中之黏晶膜不限定於該例。例如，可為積層組成不同之2種以上之接著劑層而成的多層結構。 作為構成黏晶膜3之材料，可列舉熱硬化性樹脂。另外，亦可將熱塑性樹脂與熱硬化性樹脂併用。 作為上述熱硬化性樹脂，可列舉苯酚樹脂、胺基樹脂、不飽和聚酯樹脂、環氧樹脂、聚胺基甲酸酯樹脂、有機矽樹脂、熱硬化性聚醯亞胺樹脂等。該等樹脂可單獨使用或將2種以上併用使用。特別較佳為含有較少會腐蝕半導體元件之離子性雜質等的環氧樹脂。另外，作為環氧樹脂之硬化劑，較佳為苯酚樹脂。 上述環氧樹脂只要為通常用作接著劑組合物之環氧樹脂則無特別限定，例如可使用雙酚A型、雙酚F型、雙酚S型、溴化雙酚A型、氫化雙酚A型、雙酚AF型、聯苯型、萘型、芴型、苯酚酚醛清漆型、鄰甲酚酚醛清漆型、三羥基苯基甲烷型、四(苯基羥基)乙烷型等二官能環氧樹脂、或多官能環氧樹脂；乙內醯脲型、三縮水甘油基異氰脲酸酯型、縮水甘油胺型等環氧樹脂。該等可單獨使用或將2種以上併用使用。該等環氧樹脂之中，特別較佳為酚醛清漆型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、三羥基苯基甲烷型樹脂、四(苯基羥基)乙烷型環氧樹脂。其原因在於，該等環氧樹脂富於與作為硬化劑之苯酚樹脂之反應性，耐熱性等優異。 上述苯酚樹脂作為上述環氧樹脂之硬化劑而起作用，例如可列舉苯酚酚醛清漆樹脂、苯酚芳烷基樹脂、甲酚酚醛清漆樹脂、第三丁基苯酚酚醛清漆樹脂、壬基苯酚酚醛清漆樹脂等酚醛清漆型苯酚樹脂、可溶酚醛型苯酚樹脂、聚對氧苯乙烯等聚氧苯乙烯等。該等可單獨使用、或者將2種以上併用使用。該等苯酚樹脂之中，特別較佳為苯酚酚醛清漆樹脂、苯酚芳烷基樹脂。其原因在於，能夠提高半導體裝置之連接可靠性。 對於上述環氧樹脂與苯酚樹脂之調配比例，例如，較佳為以相對於上述環氧樹脂成分中之環氧基1當量，苯酚樹脂中之羥基成為0.5～2.0當量之方式調配。更佳為0.8～1.2當量。即，其原因在於，若兩者之調配比例在上述範圍外，則不會進行充分之硬化反應，環氧樹脂硬化物之特性變得容易劣化。 作為上述熱塑性樹脂，可列舉：天然橡膠、丁基橡膠、異戊二烯橡膠、氯丁二烯橡膠、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、乙烯-丙烯酸酯共聚物、聚丁二烯樹脂、聚碳酸酯樹脂、熱塑性聚醯亞胺樹脂、6-尼龍、或6,6-尼龍等聚醯胺樹脂、苯氧基樹脂、丙烯酸系樹脂、PET、或PBT等飽和聚酯樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂、或氟樹脂等。該等熱塑性樹脂可單獨使用，或者將2種以上併用使用。該等熱塑性樹脂之中，特別較佳為離子性雜質較少、耐熱性較高、能夠確保半導體元件之可靠性的丙烯酸系樹脂。 作為上述丙烯酸系樹脂，並無特別限定，可列舉將具有碳數30以下、尤其是碳數4～18之直鏈或支鏈之烷基的丙烯酸或甲基丙烯酸之酯的1種或2種以上作為成分的聚合物(丙烯酸系共聚物)等。作為上述烷基，例如可列舉：甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、第三丁基、異丁基、戊基、異戊基、己基、庚基、環己基、2-乙基己基、辛基、異辛基、壬基、異壬基、癸基、異癸基、十一烷基、月桂基、十三烷基、十四烷基、硬脂基、十八烷基、或十二烷基等。 上述丙烯酸系樹脂之中，就提高凝聚力之理由而言，特別較佳為丙烯酸系共聚物。作為上述丙烯酸系共聚物，例如可列舉丙烯酸乙酯與甲基丙烯酸甲酯之共聚物、丙烯酸與丙烯腈之共聚物、丙烯酸丁酯與丙烯腈之共聚物。 另外，作為形成上述聚合物之其他單體，並無特別限定，例如可列舉丙烯酸、甲基丙烯酸、丙烯酸羧基乙酯、丙烯酸羧基戊酯、衣康酸、馬來酸、富馬酸或巴豆酸等之類之含羧基單體；馬來酸酐或衣康酸酐等之類的酸酐單體；(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸4-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸6-羥基己酯、(甲基)丙烯酸8-羥基辛酯、(甲基)丙烯酸10-羥基癸酯、(甲基)丙烯酸12-羥基月桂酯或丙烯酸(4-羥基甲基環己基)-甲酯等之類的含羥基單體；苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基)丙烯醯胺-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯醯胺丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺丙酯或(甲基)丙烯醯氧基萘磺酸等之類的含磺酸基單體；或者2-羥基乙基丙烯醯基磷酸酯等之類的含磷酸基單體。 作為上述熱硬化性樹脂之調配比例，只要為於特定條件下加熱時黏晶膜3會發揮作為熱硬化型之功能的程度，則無特別限定，相對於黏晶膜3整體，較佳為5～60重量%之範圍內，更佳為10～50重量%之範圍內。 對於黏晶膜3而言，其中包含23℃時為液體之環氧樹脂、23℃時為液體之苯酚樹脂、及玻璃轉移溫度(Tg)為50℃以下之丙烯酸系樹脂，較佳為該等之合計含量相對於黏晶膜3整體為20重量%以上。由此，可提高低溫下之切晶片11與黏晶膜3之剝離力。 再者，23℃時為液體係指，23℃時之黏度未達5000 Pa・s。上述黏度係指使用Thermo Scientific公司製造之型號HAAKE Roto VISCO1測定的值。 於使本發明之黏晶膜3預先以某種程度進行交聯之情形時，於製作時，可預先添加與聚合物之分子鏈末端之官能基等反應的多官能性化合物作為交聯劑。由此，可提高高溫下之接著特性，實現耐熱性之改善。 作為上述交聯劑，可採用先前公知之交聯劑。尤其是，更佳為甲苯二異氰酸酯、二苯基甲烷二異氰酸酯、對苯二異氰酸酯、1,5-萘二異氰酸酯、多元醇與二異氰酸酯之加成物等聚異氰酸酯化合物。作為交聯劑之添加量，相對於上述聚合物100重量份，通常較佳為0.05～7重量份。交聯劑之量多於7重量份時，接著力會降低，因此不佳。另一方面，少於0.05重量份時，凝聚力不足，因此不佳。另外，於含有此種聚異氰酸酯化合物的同時，亦可根據需要一併含有環氧樹脂等其他多官能性化合物。 另外，於黏晶膜3中可根據其用途而適當調配填料。填料之調配可賦予導電性、或提高導熱性、調節彈性模數等。作為上述填料，可列舉無機填料及有機填料，就提高處理性、提高導熱性、調節熔融黏度、賦予觸變性等特性之觀點而言，較佳為無機填料。作為上述無機填料，並無特別限定，例如可列舉：氫氧化鋁、氫氧化鎂、碳酸鈣、碳酸鎂、矽酸鈣、矽酸鎂、氧化鈣、氧化鎂、氧化鋁、氮化鋁、硼酸鋁晶鬚、氮化硼、晶質二氧化矽、非晶質二氧化矽等。該等可單獨使用或將2種以上併用使用。就提高導熱性之觀點而言，較佳為氧化鋁、氮化鋁、氮化硼、晶質二氧化矽、非晶質二氧化矽。另外，就上述各特性之平衡良好之觀點而言，較佳為晶質二氧化矽或非晶質二氧化矽。另外，基於賦予導電性、提高導熱性等目的，作為無機填料，亦可使用導電性物質(導電填料)。作為導電填料，可列舉將銀、鋁、金、銅、鎳、導電性合金等製成球狀、針狀、鱗片狀之金屬粉、氧化鋁等金屬氧化物、無定形碳黑、石墨等。 上述填料之平均粒徑較佳為0.005～10 μm，更佳為0.005～1 μm。其原因在於，藉由使上述填料之平均粒徑為0.005 μm以上，能夠使對於被接著體之潤濕性及接著性良好。另外，藉由使其為10 μm以下，能夠使為了賦予上述各特性而加入之填料之效果充分，並且能夠確保耐熱性。再者，填料之平均粒徑例如為利用光度式之粒度分佈計(HORIBA製造，裝置名；LA-910)求得的值。 再者，於黏晶膜3中，除了上述填料以外，亦可根據需要適當地調配其他添加劑。作為其他添加劑，例如可列舉：阻燃劑、矽烷偶合劑或離子捕獲劑等。作為上述阻燃劑，例如可列舉：三氧化銻、五氧化銻、溴化環氧樹脂等。該等可單獨使用或將2種以上併用使用。作為上述矽烷偶合劑，例如可列舉：β-(3,4-環氧環己基)乙基三甲氧基矽烷、γ-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷、γ-環氧丙氧基丙基甲基二乙氧基矽烷等。該等化合物可單獨使用或將2種以上併用使用。作為上述離子捕獲劑，例如可列舉：水滑石類、氫氧化鉍等。該等可單獨使用或將2種以上併用使用。 對黏晶膜3之厚度(積層體之情形為總厚度)並無特別限定，例如可自1～200 μm之範圍選擇，較佳為5～100 μm，更佳為10～80 μm。 (切晶片) 本實施形態之切晶片11具有於基材1上積層有黏著劑層2之構成。但是，對於本發明中之切晶片，只要於冷卻擴展步驟中使黏晶膜3斷裂而單片化時能夠固定黏晶膜3，則不限定於該例。例如，可於基材與黏著劑層之間存在其他層。 (基材) 基材1較佳為具有紫外線透射性，成為切晶黏晶膜10之強度基體。例如可列舉：低密度聚乙烯、直鏈狀聚乙烯、中密度聚乙烯、高密度聚乙烯、超低密度聚乙烯、無規共聚聚丙烯、嵌段共聚聚丙烯、均聚聚丙烯、聚丁烯、聚甲基戊烯等聚烯烴、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、離聚物樹脂、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯(無規、交替)共聚物、乙烯-丁烯共聚物、乙烯-己烯共聚物、聚胺基甲酸酯、聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯等聚酯、聚碳酸酯、聚醯亞胺、聚醚醚酮、聚醯亞胺、聚醚醯亞胺、聚醯胺、全芳香族聚醯胺、聚苯硫醚、芳綸(紙)、玻璃、玻璃布、氟樹脂、聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯、纖維素系樹脂、有機矽樹脂、金屬(箔)、紙等。 另外，作為基材1之材料，可列舉上述樹脂之交聯體等聚合物。上述塑膠薄膜可未延伸進行使用，亦可根據需要使用實施單軸或雙軸之延伸處理之塑膠薄膜。利用藉由延伸處理等賦予熱收縮性之樹脂片材，於冷卻擴展後藉由使基材1之半導體晶圓之外周部分熱收縮(加熱擴展)，從而擴展附黏晶膜3之半導體晶片5彼此之間隔，可實現半導體晶片5之回收之容易化。 為了提高與鄰接之層之密接性、保持性等，基材1之表面可實施慣用之表面處理，例如鉻酸處理、臭氧暴露、火焰暴露、高壓電擊暴露、離子化輻射處理等化學處理或物理處理；利用底塗劑(例如後述之黏著物質)之塗佈處理。基材1可適當選擇使用同種或不同種之基材，可根據需要使用共混數種材料而獲得的基材。另外，為了對基材1賦予抗靜電性能，可於基材1上設置包含金屬、合金、該等之氧化物等之厚度為30～500 Å左右之導電性物質的蒸鍍層。基材1可為單層或2種以上之複數層。 基材1於-15℃下伸長率100%時之延伸強度較佳為10 N/10 mm以上，更佳為12 N/10 mm以上。基材1之-15℃之伸長率100%時的延伸強度為10 N/10 mm以上時，割斷之力被有效地傳遞至晶圓部分，實現均勻之割斷。 基材1之厚度並無特別限制，可適當確定，但一般為5～200 μm左右。 (黏著劑層) 黏著劑層2之23℃時之延伸儲存模數A較佳為1 MPa以上且100 MPa以下，更佳為2 MPa以上且30 MPa以下。上述延伸儲存模數A為1 MPa以上時，能夠於拾取步驟中更適宜地拾取附黏晶膜3之晶片。另一方面，上述延伸儲存模數A為100 MPa以下時，於冷卻擴展步驟之後至拾取步驟之期間，可防止黏晶膜3自切晶片11剝離。 黏著劑層2之-15℃時之延伸儲存模數B較佳為5 MPa以上且500 MPa以下，更佳為10 MPa以上且200 MPa以下。上述延伸儲存模數B為5 MPa以上時，可於割斷時將割斷之力有效地傳遞至接著膜。另一方面，上述延伸儲存模數B為500 MPa以下時，可適宜地抑制於冷卻擴展步驟中黏晶膜3自切晶片11浮起。 上述延伸儲存模數A與上述延伸儲存模數B之比[(延伸儲存模數B)/(延伸儲存模數A)]較佳為2以上，更佳為4以上。上述比[(延伸儲存模數B)/(延伸儲存模數A)]為2以上時，可進一步抑制於冷卻擴展步驟中黏晶膜3自切晶片11浮起，並且能夠於拾取步驟中自切晶片11更適宜地剝離附黏晶膜3之半導體晶片5。另外，上述比[(延伸儲存模數B)/(延伸儲存模數A)]越大越佳，但自拾取與割斷性之平衡之觀點而言，例如為100以下。 上述延伸儲存模數A、及上述延伸儲存模數B之更詳細之測定方法採用實施例記載的方法。 作為黏著劑層2之形成所使用之黏著劑並無特別限定，例如可使用丙烯酸系黏著劑、橡膠系黏著劑等通常之感壓性黏著劑。作為上述感壓性黏著劑，就半導體晶圓、或玻璃等怕污染之電子零件之利用超純水、或醇等有機溶劑之清潔清洗性等方面而言，較佳為以丙烯酸系聚合物為基礎聚合物之丙烯酸系黏著劑。 作為上述丙烯酸系聚合物，例如可列舉：將(甲基)丙烯酸烷基酯(例如甲酯、乙酯、丙酯、異丙酯、丁酯、異丁酯、第二丁酯、第三丁酯、戊酯、異戊酯、己酯、庚酯、辛酯、2-乙基己酯、異辛酯、壬酯、癸酯、異癸酯、十一烷基酯、十二烷基酯、十三烷基酯、十四烷基酯、十六烷基酯、十八烷基酯、二十烷基酯等烷基之碳數1～30、尤其是碳數4～18之直鏈狀或支鏈狀之烷基酯等)以及(甲基)丙烯酸環烷基酯(例如環戊酯、環己酯等)中之1種或2種以上用作單體成分的丙烯酸系聚合物等。再者，(甲基)丙烯酸酯係指丙烯酸酯及/或甲基丙烯酸酯，本發明之(甲基)全部為相同之含義。 出於改性凝聚力、耐熱性等目的，上述丙烯酸系聚合物可根據需要包含對應於能夠與上述(甲基)丙烯酸烷基酯或環烷基酯共聚之其他單體成分的單元。作為此種單體成分，例如可列舉：丙烯酸、甲基丙烯酸、(甲基)丙烯酸羧基乙酯、(甲基)丙烯酸羧基戊酯、衣康酸、馬來酸、富馬酸、巴豆酸等含羧基單體；馬來酸酐、衣康酸酐等酸酐單體；(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸4-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸6-羥基己酯、(甲基)丙烯酸8-羥基辛酯、(甲基)丙烯酸10-羥基癸酯、(甲基)丙烯酸12-羥基月桂酯、(甲基)丙烯酸(4-羥基甲基環己基)甲酯等含羥基單體；苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基)丙烯醯胺-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯醯胺丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺丙酯、(甲基)丙烯醯氧基萘磺酸等含磺酸基單體；2-羥基乙基丙烯醯基磷酸酯等含磷酸基單體；丙烯醯胺、丙烯腈等。該等能夠共聚之單體成分可使用1種或2種以上。該等能夠共聚之單體之使用量較佳為全部單體成分之40重量%以下。 進而，為了使上述丙烯酸系聚合物交聯，亦可根據需要包含多官能性單體等作為共聚用單體成分。作為此種多官能性單體，例如可列舉：己二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、環氧(甲基)丙烯酸酯、聚酯(甲基)丙烯酸酯、胺基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯等。該等多官能性單體亦可使用1種或2種以上。就黏著特性等方面而言，多官能性單體之使用量較佳為全部單體成分之30重量%以下。 上述丙烯酸系聚合物可藉由使單一單體或2種以上之單體混合物聚合而獲得。聚合亦可利用溶液聚合、乳液聚合、塊狀聚合、懸浮聚合等任意方式來進行。就防止對清潔之被接著體之污染等方面而言，較佳為低分子量物質之含量較少。就該方面而言，丙烯酸系聚合物之數量平均分子量較佳為30萬以上，進而較佳為40萬～300萬左右。 另外，於上述黏著劑中，為了提高作為基礎聚合物之丙烯酸系聚合物等之數量平均分子量，亦可適當採用外部交聯劑。作為外部交聯方法之具體之手段，可列舉：添加聚異氰酸酯化合物、環氧化合物、氮丙啶化合物、三聚氰胺系交聯劑等所謂交聯劑並使其反應的方法。使用外部交聯劑時，其使用量根據其與要交聯之基礎聚合物的平衡、進而根據作為黏著劑之使用用途來適當確定。通常較佳為，相對於上述基礎聚合物100重量份，調配5重量份左右以下、進而0.1～5重量份。進而，於黏著劑中，根據需要，除了上述成分以外，亦可使用先前公知之各種增黏劑、防老劑等添加劑。 黏著劑層2可利用輻射硬化型黏著劑來形成。於貼合黏晶膜3之狀態下照射紫外線時，與黏晶膜3之間能夠產生錨固效果。由此，可提高低溫(例如，-15℃)下之黏著劑層2與黏晶膜3之密接性。 再者，對於基於錨固效果之密接性，溫度越低，密接性變得越高。即便於常溫(例如，23℃)亦具有錨固效果，但於常溫下與低溫時相比無法發揮基於錨固效果之密接性。其結果，能夠適宜地提高剝離力B，並且降低剝離力A。 輻射硬化型黏著劑只要具有碳-碳雙鍵等輻射硬化性之官能基且顯示黏著性，則可無特別限定地使用。作為輻射硬化型黏著劑，例如可例示於上述丙烯酸系黏著劑、橡膠系黏著劑等通常之感壓性黏著劑中調配輻射硬化性之單體成分、或低聚物成分而成的添加型輻射硬化型黏著劑。 作為所調配之輻射硬化性之單體成分，例如可列舉：胺基甲酸酯低聚物、胺基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、四羥甲基甲烷四(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇單羥基五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯等。另外，輻射硬化性之低聚物成分可列舉：胺基甲酸酯系、聚醚系、聚酯系、聚碳酸酯系、聚丁二烯系等各種低聚物，其分子量在100～30000左右之範圍內較為適當。輻射硬化性之單體成分、或低聚物成分之調配量可根據上述黏著劑層之種類來適當決定能夠降低黏著劑層黏著力的量。通常，相對於構成黏著劑之丙烯酸系聚合物等基礎聚合物100重量份，例如為5～500重量份，較佳為40～150重量份左右。 另外，作為輻射硬化型黏著劑，除了上述說明之添加型輻射硬化型黏著劑以外，亦可列舉使用於聚合物側鏈或主鏈中或者於主鏈末端具有碳-碳雙鍵之聚合物作為基礎聚合物之內在型輻射硬化型黏著劑。內在型輻射硬化型黏著劑不需要含有或不含有較多作為低分子成分之低聚物成分等，因此低聚物成分等不會經時地於黏著劑中移動，能夠形成層結構穩定之黏著劑層，故而較佳。 上述具有碳-碳雙鍵之基礎聚合物可無特別限制地使用具有碳-碳雙鍵且具有黏著性的聚合物。作為此種基礎聚合物，較佳為以丙烯酸系聚合物作為基本骨架之聚合物。作為丙烯酸系聚合物之基本骨架，可列舉上述例示之丙烯酸系聚合物。 於上述丙烯酸系聚合物中導入碳-碳雙鍵之方法並無特別限定，可採用各種方法，碳-碳雙鍵導入聚合物側鏈於分子設計方面容易。例如可列舉如下方法：使丙烯酸系聚合物與具有官能基的單體共聚之後，使具有能夠與該官能基反應之官能基及碳-碳雙鍵的化合物於維持碳-碳雙鍵的輻射硬化性之狀態下縮合或進行加成反應。 作為該等官能基之組合的例，可列舉：羧酸基與環氧基、羧酸基與氮丙啶基、羥基與異氰酸酯基等。該等官能基之組合之中，就追蹤反應之容易程度而言，羥基與異氰酸酯基之組合較為適宜。另外，只要為藉由該等官能基之組合來生成上述具有碳-碳雙鍵之丙烯酸系聚合物般的組合，則官能基可位於丙烯酸系聚合物與上述化合物中之任一側，但於上述較佳之組合中，丙烯酸系聚合物具有羥基且上述化合物具有異氰酸酯基之情形較為適宜。此時，作為具有碳-碳雙鍵之異氰酸酯化合物，例如可列舉：甲基丙烯醯基異氰酸酯、2-甲基丙烯醯氧基乙基異氰酸酯、間異丙烯基-α,α-二甲基苄基異氰酸酯等。另外，作為丙烯酸系聚合物，可使用將上述例示之含羥基單體、或2-羥基乙基乙烯基醚、4-羥基丁基乙烯基醚、二乙二醇單乙烯基醚之醚系化合物等共聚而成的聚合物。 上述內在型輻射硬化型黏著劑可單獨使用上述具有碳-碳雙鍵之基礎聚合物(尤其是丙烯酸系聚合物)，亦可於不會使特性變差之程度下調配上述輻射硬化性單體成分、或低聚物成分。輻射硬化性之低聚物成分等通常相對於基礎聚合物100重量份在30重量份之範圍內，較佳為在0～10重量份之範圍內。 上述輻射硬化型黏著劑在利用紫外線等進行硬化時含有光聚合起始劑。作為光聚合起始劑，例如可列舉：4-(2-羥基乙氧基)苯基(2-羥基-2-丙基)酮、α-羥基-α,α'-二甲基苯乙酮、2-甲基-2-羥基苯丙酮、1-羥基環己基苯基酮等α-酮醇系化合物；甲氧基苯乙酮、2,2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮、2,2-二乙氧基苯乙酮、2-甲基-1-[4-(甲硫基)-苯基]-2-嗎啉代丙烷-1-酮等苯乙酮系化合物；安息香乙基醚、安息香異丙基醚、茴香偶姻甲基醚等安息香醚系化合物；苯偶醯二甲基縮酮等縮酮系化合物；2-萘磺醯氯等芳香族磺醯氯系化合物；1-苯基-1,1-丙二酮-2-(鄰乙氧基羰基)肟等光活性肟系化合物；二苯甲酮、苯甲醯基苯甲酸、3,3'-二甲基-4-甲氧基二苯甲酮等二苯甲酮系化合物；噻噸酮、2-氯代噻噸酮、2-甲基噻噸銅、2,4-二甲基噻噸酮、異丙基噻噸酮、2,4-二氯代噻噸酮、2,4-二乙基噻噸酮、2,4-二異丙基噻噸酮等噻噸酮系化合物；樟腦醌；鹵代酮；醯基氧化膦；醯基膦酸酯等。光聚合起始劑之調配量相對於構成黏著劑之丙烯酸系聚合物等基礎聚合物100重量份，例如為0.05～20重量份左右。 另外，作為輻射硬化型黏著劑，例如可列舉：日本專利特開昭60-196956號公報中揭示之含有具有2個以上不飽和鍵之加成聚合性化合物、具有環氧基之烷氧基矽烷等光聚合性化合物與羰基化合物、有機硫化合物、過氧化物、胺、鎓鹽系化合物等光聚合起始劑的橡膠系黏著劑、或丙烯酸系黏著劑等。 黏著劑層2之厚度並無特別限定，就防止晶片切斷面之缺口、或黏晶膜3之固定保持的兼具性等方面而言，較佳為1～50 μm左右，更佳為2～30 μm，進而較佳為5～25 μm。 上述切晶黏晶膜10之黏晶膜3較佳為利用隔離膜進行保護(未圖示)。隔離膜具有於供於實用之前作為保護黏晶膜3之保護材料的功能。另外，隔離膜亦可作為向黏著劑層2轉印黏晶膜3時之支持基材使用。隔離膜於向切晶黏晶膜之黏晶膜3上貼合工件時被剝離。作為隔離膜，亦可使用通過聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚乙烯、聚丙烯、或氟系剝離劑、長鏈烷基丙烯酸酯系剝離劑等剝離劑進行表面塗佈的塑膠薄膜、或紙等。 本實施形態之切晶黏晶膜10例如可以如下操作來製作。 首先，基材1可利用先前公知之製膜方法來製膜。作為該製膜方法，例如可例示壓延製膜法、於有機溶劑中之流延法、於密閉體系中之吹脹擠出法、T模具擠出法、共擠出法、乾式層壓法等。 繼而，於基材1上塗佈黏著劑組合物溶液而形成塗佈膜後，使該塗佈膜於特定條件下乾燥(根據需要使其加熱交聯)，形成前驅層。作為塗佈方法並無特別限定，例如可列舉輥塗覆、絲網印刷塗覆、凹版塗覆等。另外，作為乾燥條件，例如於乾燥溫度80～150℃、乾燥時間0.5～5分鐘之範圍內進行。另外，亦可於隔離膜上塗佈黏著劑組合物形成塗佈膜後，以上述乾燥條件使塗佈膜乾燥，形成上述前驅層。之後，將上述前驅層與隔離膜一起貼合於基材1上。由此來製作切晶片前驅體。 黏晶膜3例如可以如下操作來製作。 首先，製作作為黏晶膜3之形成材料之接著劑組合物溶液。於該接著劑組合物溶液中，如前所述，調配有上述接著劑組合物、或填料、其他各種添加劑等。 繼而，將接著劑組合物溶液以成為特定厚度之方式塗佈於基材隔離膜上，形成塗佈膜後，使該塗佈膜於特定條件下乾燥，形成黏晶膜3。作為塗佈方法，並無特別限定，例如可列舉輥塗覆、絲網印刷塗覆、凹版塗覆等。另外，作為乾燥條件，例如於乾燥溫度70～160℃、乾燥時間1～5分鐘之範圍內進行。另外，亦可於隔離膜上塗佈黏著劑組合物溶液而形成塗佈膜後，以上述乾燥條件使塗佈膜乾燥，形成黏晶膜3。之後，將黏晶膜3與隔離膜一起貼合於基材隔離膜上。 繼而，自上述切晶片前驅體及黏晶膜3分別剝離隔離膜，以使黏晶膜3與黏著劑層成為貼合面之方式將兩者進行貼合。貼合例如可藉由壓接來進行。此時，對層壓溫度並無特別限定，例如較佳為30～50℃，更佳為35～45℃。另外，對線壓並無特別限定，例如較佳為0.1～20 kgf/cm，更佳為1～10 kgf/cm。之後，可自基材1側照射紫外線。作為紫外線之照射量，較佳為使上述剝離力A及上述剝離力B成為上述數值範圍內之量。具體之紫外線的照射量根據黏著劑層之組成、或厚度等而有所不同，例如較佳為50 mJ～500 mJ，更佳為100 mJ～300 mJ。由此，可獲得本實施形態之切晶黏晶膜。 (半導體裝置之製造方法) 繼而，一面參照圖2～圖7，一面針對使用切晶黏晶膜10之半導體裝置之製造方法進行說明。圖2～圖5為用以說明本實施形態之半導體裝置的一製造方法的截面示意圖。首先，對半導體晶圓4之預分割線4L照射雷射光而於預分割線4L上形成改性區域。本方法為如下方法：使聚光點對準半導體晶圓之內部並沿著格子狀之預分割線照射雷射光，藉由多光子吸收造成之燒蝕，於半導體晶圓之內部形成改性區域。作為雷射光照射條件，於以下之條件的範圍內適當調整即可。 ＜雷射光照射條件＞ (A)雷射光 雷射光源 半導體雷射光激發Nd：YAG雷射 波長 1064 nm 雷射光光斑截面積 3.14×10-8 cm2 振盪形態 Q開關脈衝 重複頻率 100 kHz以下 脈衝寬度 1 μs以下 輸出 1 mJ以下 雷射光品質 TEM00 偏光特性 直線偏光 (B)聚光用透鏡 倍率 100倍以下 NA 0.55 對雷射光波長之透過率 100%以下 (C)載置半導體基板之載置台的移動速度 280 mm/秒以下 再者，關於照射雷射光而於預分割線4L上形成改性區域之方法，由於於日本專利第3408805號公報、或日本專利特開2003-338567號公報進行詳細說明，因此省略此處之詳細說明。 繼而，如圖3所示，於黏晶膜3上壓接改性區域形成後之半導體晶圓4，使其接著保持並固定(固定步驟)。本步驟一面利用壓接輥等按壓手段來按壓一面進行。對安裝時之貼附溫度並無特別限定，較佳為40～80℃之範圍內。其原因在於，能夠有效地防止半導體晶圓4之翹曲，並且能夠減少切晶黏晶膜之伸縮影響。 繼而，藉由對切晶黏晶膜10施加延伸張力，使半導體晶圓4與黏晶膜3於預分割線4L斷裂，形成半導體晶片5(冷卻擴展步驟)。本步驟中例如可使用市售之晶圓擴展裝置。具體而言，如圖4(a)所示，於貼合有半導體晶圓4之切晶黏晶膜10的黏著劑層2周邊部貼附切割環31後，固定於晶圓擴展裝置32。繼而，如圖4(b)所示，使頂起部33上升，對切晶黏晶膜12施加張力。 上述冷卻擴展步驟較佳為於0～-15℃之條件下進行，更佳為於-5～-15℃之條件下進行。由於上述冷卻擴展步驟係於0～-15℃之條件下進行，因此可適宜地使黏晶膜3斷裂。 另外，上述冷卻擴展步驟中，擴展速度(頂起部上升之速度)較佳為100～400 mm/秒，更佳為100～350 mm/秒，進而較佳為100～300 mm/秒。若使擴展速度為100 mm/秒以上，則可容易使半導體晶圓4與黏晶膜3大致同時地斷裂。另外，若使擴展速度為400 mm/秒以下，則可防止切晶片11斷裂。 另外，於上述冷卻擴展步驟中，擴展量較佳為擴展量4～16 mm。上述擴展量可根據形成之晶片尺寸於上述數值範圍內適宜調節。若使擴展量為4 mm以上，則可使半導體晶圓4及黏晶膜3之斷裂更容易。另外，若使擴展量為16 mm以下，則可進一步防止切晶片11斷裂。 如此，藉由對切晶黏晶膜10施加延伸張力，能夠以半導體晶圓4之改性區域作為起點，使半導體晶圓4之厚度方向上產生裂紋，同時能夠使與半導體晶圓4密接之黏晶膜3斷裂，可獲得附黏晶膜3之半導體晶片5。 繼而，根據需要進行加熱擴展步驟。加熱擴展步驟中，對切晶片11之比貼附有半導體晶圓4之部分靠外側的部分進行加熱使其熱收縮。由此，擴展半導體晶片5彼此之間隔。加熱擴展步驟中之條件並無特別限定，較佳為：擴展量4～16 mm、加熱溫度200～260℃、加熱距離2～30mm、旋轉速度3°/秒～10°/秒之範圍內。 繼而，根據需要進行清潔步驟。清潔步驟中，將固定有附黏晶膜3之半導體晶片5之狀態的切晶片11設置於旋塗器。繼而，一面向半導體晶片5滴加清洗液一面使旋塗器旋轉。由此，清洗半導體晶片5之表面。作為清洗液，例如可列舉水。旋塗器之旋轉速度、或旋轉時間根據清洗液之種類等而有所不同，例如可設為旋轉速度400～3000 rpm、旋轉時間1～5分鐘。 繼而，為了將接著固定於切晶黏晶膜10上之半導體晶片5剝離，進行半導體晶片5之拾取(拾取步驟)。作為拾取之方法並無特別限定，可採用先前公知之各種方法。例如可列舉：用針自切晶黏晶膜10側將各個半導體晶片5頂起，並利用拾取裝置拾取被頂起之半導體晶片5的方法等。 繼而，如圖5所示，將拾取之半導體晶片5經由黏晶膜3黏晶於被接著體6(臨時固定步驟)。作為被接著體6，可列舉引線框架、TAB膜、基板或另外製作之半導體晶片等。被接著體6例如可為容易變形般的變形型被接著體，亦可為變形困難之非變形型被接著體(半導體晶圓等)。 作為上述基板，可使用先前公知之基板。另外，作為上述引線框架，可使用Cu引線框架、42合金引線框等金屬引線框架、或包含玻璃環氧樹脂、BT(雙馬來醯亞胺-三嗪)、聚醯亞胺等之有機基板。但是，本發明不限定於此，亦包括能夠將半導體元件接著固定並與半導體元件進行電連接而使用之電路基板。 黏晶膜3之臨時固定時之25℃下的剪切接著力相對於被接著體6較佳為0.2 MPa以上，更佳為0.2～10 MPa。黏晶膜3之剪切接著力至少為0.2 MPa以上時，於引線結合步驟時，由於該步驟中之超聲波振動、或加熱而於黏晶膜3與半導體晶片5或被接著體6的接著面產生剪切變形的情況較少。即，由於引線結合時之超聲波振動而導致半導體元件移動之情況較少，由此能防止引線結合之成功率降低。另外，黏晶膜3之臨時固定時之175℃下的剪切接著力相對於被接著體6較佳為0.01 MPa以上，更佳為0.01～5 MPa。 繼而，進行將被接著體6之端子部(內部引線)的前端與半導體晶片5上之電極極板(未圖示)用結合引線7進行電連接的引線結合(引線結合步驟)。作為上述結合引線7，例如可使用金線、鋁線或銅線等。關於進行引線結合時之溫度，可於80～250℃、較佳為80～220℃之範圍內進行。另外，於其加熱時間為數秒～數分鐘下進行。線連接可於加熱成上述溫度範圍內的狀態下藉由將基於超聲波之振動能量及基於施加加壓之壓接能量併用來進行。本步驟可不進行黏晶膜3之熱硬化而進行。另外，於本步驟之過程中，由於黏晶膜3，半導體晶片5與被接著體6未固定在一起。 繼而，利用封裝樹脂8來封裝半導體晶片5(封裝步驟)。本步驟係為了保護搭載於被接著體6之半導體晶片5、或結合引線7而進行。本步驟可藉由利用模具將封裝用樹脂成型來進行。作為封裝樹脂8，例如使用環氧系樹脂。樹脂封裝時之加熱溫度通常於175℃下進行60～90秒，但本發明並不限定於此，例如可於165～185℃下硬化數分鐘。由此，使封裝樹脂硬化並且經由黏晶膜3使半導體晶片5與被接著體6固定在一起。即，本發明中，即便於不進行後述之後硬化步驟的情形時，亦能夠於本步驟中利用黏晶膜3進行固定，能夠有助於減少製造步驟數及縮短半導體裝置之製造週期。 於上述後硬化步驟中，使上述封裝步驟中未充分硬化之封裝樹脂8完全硬化。即便於封裝步驟中黏晶膜3未完全熱硬化之情形時，本步驟中亦能夠實現使黏晶膜3與封裝樹脂8一同完全熱硬化。本步驟中之加熱溫度因封裝樹脂之種類而有所不同，例如為165～185℃之範圍內，加熱時間為0.5～8小時左右。 上述實施形態中，對將附黏晶膜3之半導體晶片5臨時固定於被接著體6後進行引線結合步驟而不使黏晶膜3完全熱硬化的情形進行說明。然而，本發明中，亦可進行通常之黏晶步驟，即，於將附黏晶膜3之半導體晶片5臨時固定於被接著體6上後，使黏晶膜3熱硬化，然後進行引線結合步驟。 再者，本發明之切晶黏晶膜於將複數個半導體晶片積層而進行三維安裝之情形時亦可適宜地使用。此時，可於半導體晶片之間積層黏晶膜及間隔物，亦可於半導體晶片之間僅積層黏晶膜而不積層間隔物，可根據製造條件、或用途等進行適當變更。 繼而，以下針對採用於半導體晶圓之表面形成槽後進行背面磨削之步驟的半導體裝置之製造方法進行說明。 圖6、圖7為用以說明本實施形態之半導體裝置之另一製造方法的截面示意圖。首先，如圖6(a)所示，用旋轉刀片41於半導體晶圓4之表面4F上形成未到達背面4R之槽4S。再者，於形成槽4S時，半導體晶圓4用未圖示之支持基材進行支持。槽4S之深度可根據半導體晶圓4之厚度、或擴展之條件進行適當設定。繼而，如圖6(b)所示，以表面4F抵接之方式使半導體晶圓4被保護基材42支持。之後，用磨削磨石45進行背面磨削，自背面4R使槽4S顯現。再者，保護基材42向半導體晶圓之貼附可使用先前公知之貼附裝置，背面磨削亦可使用先前公知之磨削裝置。 繼而，如圖7所示，於切晶黏晶膜10上壓接顯現出槽4S之半導體晶圓4，使其接著保持並固定(臨時固定步驟)。之後，剝離保護基材42，利用晶圓擴展裝置32對切晶黏晶膜10施加張力。由此，使黏晶膜3斷裂，形成半導體晶片5(晶片形成步驟)。再者，晶片形成步驟中之溫度、擴展速度、擴展量與照射雷射光而於預分割線4L上形成改性區域之情形同樣。以後之步驟與照射雷射光而於預分割線4L上形成改性區域之情形同樣，因此省略此處之說明。 本發明之半導體裝置之製造方法只要使半導體晶圓與黏晶膜同時於冷卻擴展步驟中斷裂、或僅使黏晶膜於冷卻擴展步驟中斷裂，則不限定於上述實施形態。作為其他實施形態，例如如圖6(a)所示，用旋轉刀片41於半導體晶圓4之表面4F形成未到達背面4R之槽4S後，於切晶黏晶膜上壓接顯現槽4S之半導體晶圓4，使其接著保持並固定(臨時固定步驟)。之後，利用晶圓擴展裝置對切晶黏晶膜施加張力。由此，可於槽4S之部分使半導體晶圓4與黏晶膜3斷裂，形成半導體晶片5。 實施例 以下，使用實施例對本發明進行詳細說明，但本發明只要未超出其主旨，則不限定於以下之實施例。另外，各例中，只要未特別記載，則份均係指重量基準。 (實施例1) ＜切晶片之製作＞ 於具備冷卻管、氮氣導入管、溫度計及攪拌裝置之反應容器中放入丙烯酸2-乙基己酯(以下，亦稱為「2EHA」)100份、丙烯酸-2-羥基乙酯(以下，亦稱為「HEA」)19份、過氧化苯甲醯0.4份、及甲苯80份，於氮氣氣流中於60℃下進行10小時聚合處理，獲得丙烯酸系聚合物A。 於該丙烯酸系聚合物A中加入2-甲基丙烯醯氧基乙基異氰酸酯(以下，亦稱為「MOI」)1.2份，於空氣氣流中於50℃下進行60小時加成反應處理，獲得丙烯酸系聚合物A'。 繼而，相對於丙烯酸系聚合物A' 100份，加入聚異氰酸酯化合物(商品名「CORONATE L」，日本聚胺酯股份有限公司製造)1.3份、及光聚合起始劑(商品名「IRGACURE 184」，Ciba Specialty Chemicals Inc.製造)3份，製作黏著劑溶液(亦稱為「黏著劑溶液A」)。 將上述製備之黏著劑溶液A塗佈於PET剝離襯墊之實施有機矽處理之面上，於120℃下加熱乾燥2分鐘，形成厚度10 μm之黏著劑層A。繼而，於黏著劑層A之露出面貼合厚度115 μm之GUNZE LIMITED製造之EVA膜(乙烯・乙酸乙烯酯共聚物膜)，於23℃下保存72小時，獲得切晶片A。 ＜黏晶膜之製作＞ 使下述(a)～(d)溶解於甲基乙基酮，獲得固形物成分濃度20重量%之接著劑組合物溶液A。 (a)丙烯酸系樹脂(商品名「SG-708-6」Nagase ChemteX Corporation製造，玻璃轉移溫度(Tg)：4℃)：100份 (b)環氧樹脂(商品名「JER828」三菱化學股份有限公司製造，23℃下為液體)：11份 (c)苯酚樹脂(商品名「MEH-7851ss」明和化成股份有限公司製造，23℃下為固體)：5份 (d)球狀二氧化矽(商品名「SO-25R」Admatechs Co.,Ltd.製造)：110份 將接著劑組合物溶液A塗佈於進行有機矽脫模處理之厚度為50 μm的包含聚對苯二甲酸乙二酯膜之脫模處理膜(剝離襯墊)上，然後於130℃下乾燥2分鐘。由此製作厚度(平均厚度)10 μm之黏晶膜A。 ＜切晶黏晶膜之製作＞ 自切晶片A剝離PET剝離襯墊，於露出之黏著劑層上貼合黏晶膜A。貼合係使用手壓輥。繼而，自切晶片側照射300 mJ之紫外線。由此，獲得切晶黏晶膜A。 (實施例2) ＜黏晶膜之製作＞ 使下述(a)～(e)溶解於甲基乙基酮，獲得固形物成分濃度20重量%之接著劑組合物溶液B。 (a)丙烯酸系樹脂(商品名「SG-708-6」Nagase ChemteX Corporation製造，玻璃轉移溫度(Tg)：4℃)：100份 (b)環氧樹脂(商品名「JER1010」三菱化學股份有限公司製造，23℃下為固體)：140份 (c)環氧樹脂(商品名「JER828」三菱化學股份有限公司製造，23℃下為液體)：60份 (d)苯酚樹脂(商品名「MEH-7851ss」明和化成股份有限公司製造，23℃下為固體)：100份 (e)球狀二氧化矽(商品名「SO-25R」Admatechs Co.,Ltd.製造)：40份 將接著劑組合物溶液B塗佈於進行有機矽脫模處理之厚度為50 μm之包含聚對苯二甲酸乙二酯膜之脫模處理膜(剝離襯墊)上，然後於130℃下乾燥2分鐘。由此製作厚度(平均厚度)10 μm之黏晶膜B。 ＜切晶黏晶膜之製作＞ 準備與實施例1中使用之切晶片A相同的切晶片。繼而，自切晶片A剝離PET剝離襯墊，於露出之黏著劑層上貼合黏晶膜B。貼合係使用手壓輥。繼而，自切晶片側照射300 mJ之紫外線。根據以上，獲得切晶黏晶膜B。 (實施例3) ＜黏晶膜之製作＞ 使下述(a)～(e)溶解於甲基乙基酮，獲得固形物成分濃度20重量%之接著劑組合物溶液C。 (a)丙烯酸系樹脂(商品名「SG-70L」Nagase ChemteX Corporation製造，玻璃轉移溫度(Tg)：-13℃)：100份 (b)環氧樹脂(商品名「JER1010」三菱化學股份有限公司製造，23℃下為固體)：140份 (c)環氧樹脂(商品名「JER828」三菱化學股份有限公司製造，23℃下為液體)：60份 (d)苯酚樹脂(商品名「MEH-7851ss」明和化成股份有限公司製造，23℃下為固體)100份 (e)球狀二氧化矽(商品名「SO-25R」Admatechs Co.,Ltd.製造)：100份 將接著劑組合物溶液C塗佈於進行有機矽脫模處理之厚度為50 μm的包含聚對苯二甲酸乙二酯膜之脫模處理膜(剝離襯墊)上，然後於130℃下乾燥2分鐘。由此獲得厚度(平均厚度)10 μm之黏晶膜C。 ＜切晶黏晶膜之製作＞ 準備與實施例1使用之切晶片A同樣的切晶片。繼而，自切晶片A剝離PET剝離襯墊，於露出之黏著劑層上貼合黏晶膜C。貼合使用手壓輥。繼而，自切晶片側照射300 mJ之紫外線。根據以上，獲得切晶黏晶膜C。 (實施例4) ＜切晶黏晶膜之製作＞ 準備與實施例1中使用之切晶片A同樣的切晶片。另外，準備與實施例1中使用之黏晶膜A相同的黏晶膜。繼而，自切晶片A剝離PET剝離襯墊，於露出之黏著劑層上貼合黏晶膜A。貼合係使用手壓輥。繼而，自切晶片側照射40 mJ之紫外線。根據以上，獲得切晶黏晶膜D。 (實施例5) ＜切晶黏晶膜之製作＞ 準備與實施例1中使用之切晶片A同樣的切晶片。另外，準備與實施例1中使用之黏晶膜A同樣的黏晶膜。繼而，自切晶片A剝離PET剝離襯墊，於露出之黏著劑層上貼合黏晶膜A。貼合係使用手壓輥。繼而，自切晶片側照射80 mJ之紫外線。根據以上，獲得切晶黏晶膜E。 (實施例6) ＜切晶片之製作＞ 將與實施例1同樣製備之黏著劑溶液A塗佈於PET剝離襯墊之實施有機矽處理的面上，於120℃下加熱乾燥2分鐘，形成厚度10 μm之黏著劑層A。繼而，於黏著劑層A之露出面貼合厚度100 μm之聚氯乙烯膜(Achilles公司製造，產品名：V-9KN)，於23℃下保存72小時，獲得切晶片C。 ＜切晶黏晶膜之製作＞ 準備與實施例1中使用之黏晶膜A同樣的黏晶膜A。繼而，自切晶片C剝離PET剝離襯墊，於露出之黏著劑層上貼合黏晶膜A。貼合係使用手壓輥。繼而，自切晶片側照射300 mJ之紫外線。根據以上，獲得切晶黏晶膜I。 (比較例1) ＜切晶片之製作＞ 將與實施例1同樣製備之黏著劑溶液A塗佈於PET剝離襯墊的實施有機矽處理之面上，於120℃下加熱乾燥2分鐘，形成厚度10 μm之黏著劑層A。繼而，於黏著劑層A之露出面貼合厚度115 μm之GUNZE LIMITED製造之EVA膜(乙烯・乙酸乙烯酯共聚物膜)，於23℃下保存72小時。 然後，自EVA膜側(基材側)照射300 mJ之紫外線。根據以上，獲得切晶片B。 ＜切晶黏晶膜之製作＞ 準備與實施例2中使用之黏晶膜B同樣的黏晶膜。自切晶片B剝離PET剝離襯墊，於露出之黏著劑層上貼合黏晶膜B。貼合係使用手壓輥。根據以上，獲得切晶黏晶膜F。 (比較例2) ＜黏晶膜之製作＞ 使下述(a)～(d)溶解於甲基乙基酮，獲得固形物成分濃度20重量%之接著劑組合物溶液D。 (a)丙烯酸系樹脂(商品名「SG-70L」Nagase ChemteX Corporation製造)：100份 (b)環氧樹脂(商品名「JER828」三菱化學股份有限公司製造)：200份 (c)苯酚樹脂(商品名「MEH-7851ss」明和化成股份有限公司製造)100份 (d)球狀二氧化矽(商品名「SO-25R」Admatechs Co.,Ltd.製造)：100份 將接著劑組合物溶液D塗佈於經過有機矽脫模處理之厚度為50 μm的包含聚對苯二甲酸乙二酯膜之脫模處理膜(剝離襯墊)上，然後於130℃下乾燥2分鐘。由此獲得厚度(平均厚度)10 μm之黏晶膜D。 ＜切晶黏晶膜之製作＞ 準備與實施例1中使用之切晶片A同樣的切晶片。繼而，自切晶片A剝離PET剝離襯墊，於露出之黏著劑層上貼合黏晶膜D。貼合係使用手壓輥。繼而，自切晶片側照射300 mJ之紫外線。根據以上，獲得切晶黏晶膜G。 (比較例3) ＜切晶黏晶膜之製作＞ 準備與實施例1中使用之切晶片A同樣的切晶片。另外，準備與實施例1中使用之黏晶膜A同樣的黏晶膜。繼而，自切晶片A剝離PET剝離襯墊，於露出之黏著劑層上貼合黏晶膜A。貼合係使用手壓輥。根據以上，獲得切晶黏晶膜H。 (切晶片與黏晶膜之剝離力之測定) 自實施例及比較例之切晶黏晶膜剝離脫模處理膜，使黏晶膜露出。然後，於露出之黏晶膜上貼合寬度50 mm之內襯膠帶(BT315，日東電工製造)。沿著內襯膠帶之寬度50 mm切下切晶黏晶膜，以50 mm寬度測定切晶片與黏晶膜(貼合有內襯膠帶之黏晶膜)的剝離力。將測定溫度23℃下之剝離力設為剝離力A、將測定溫度-15℃下之剝離力設為剝離力B。剝離力A、剝離力B各自之測定條件如下所述。將結果示於表1。 ＜剝離力A之測定條件＞ T型剝離試驗 剝離速度300 mm/分鐘 測定裝置：SHIMADZU公司製造，AG-20KNSD ＜剝離力B之測定條件＞ T型剝離試驗 於-15℃之環境下設置樣品，2分鐘後測定 剝離速度300 mm/分鐘。 測定裝置：SHIMADZU公司製造，附恆溫恆濕槽之3重延伸試驗機 [黏晶膜於-15℃下之延伸儲存模數、23℃下之延伸儲存模數、及玻璃轉移溫度之測定] 重疊實施例及比較例之黏晶膜直至厚度變成200 μm。繼而，用切割刀切出長度40 mm(測定長度)、寬度10 mm之短條狀。繼而，使用固體黏彈性測定裝置(RSAIII，Rheometric Scientific Ltd.製造)，測定-50～100℃之延伸儲存模數。測定條件設為頻率1 Hz、升溫速度10℃/分鐘、卡盤間距離22.5 mm。讀取此時之-15℃及23℃下的值，作為延伸儲存模數之測定值。將測定溫度23℃下之延伸儲存模數設為延伸儲存模數A，將測定溫度-15℃下之延伸儲存模數設為延伸儲存模數B。將結果示於表1。另外，延伸儲存模數A與延伸儲存模數B之比[(延伸儲存模數B)/(延伸儲存模數A)]亦一併示於表1。進而，藉由算出tanδ(E"(損耗彈性模數)/E'(儲存模數))的值，獲得玻璃轉移溫度(Tg)。將結果示於表1。 [黏著劑層於-15℃下之延伸儲存模數、23℃下之延伸儲存模數的測定] 重疊實施例及比較例之黏著劑層直至厚度變成200 μm。繼而，用切割刀切出長度40 mm(測定長度)、寬度10 mm之短條狀。繼而，使用固體黏彈性測定裝置(RSAIII，Rheometric Scientific Ltd.製造)測定-50～100℃之延伸儲存模數。測定條件設為頻率1 Hz、升溫速度10℃/分鐘、卡盤間距離22.5 mm。讀取此時之-15℃及23℃下的值，作為延伸儲存模數之測定值。將測定溫度23℃下之延伸儲存模數設為延伸儲存模數A，將測定溫度-15℃下之延伸儲存模數設為延伸儲存模數B。將結果示於表1。另外，延伸儲存模數A與延伸儲存模數B之比[(延伸儲存模數B)/(延伸儲存模數A)]亦一併示於表1。 [基材之-15℃、伸長率100%時之延伸強度的測定] 將實施例及比較例之基材分別切斷為寬度10 mm。繼而，針對該試樣，使用延伸試驗機(Tensilon，島津製作所股份有限公司製造)，獲得於-15℃、卡盤間距離10 mm、延伸速度100 mm/分鐘下100%延伸時的延伸強度。樣品設定於-15℃之環境下後，於2分鐘後進行測定。將結果示於表1。 (擴展評價) 使用東京精密股份有限公司製造，ML300-Integration作為雷射加工裝置，使聚光點對準12英吋之半導體晶圓的內部，沿著格子狀(10 mm×10 mm)之預分割線照射雷射光，於半導體晶圓之內部形成改性區域。激光照射條件如下所述進行。 (A)雷射光 雷射光源 半導體雷射光激發Nd：YAG激光 波長 1064 nm 雷射光光斑截面積 3.14×10-8 cm2 振盪形態 Q開關脈衝 重複頻率 100 kHz 脈衝寬度 30 ns 輸出 20 μJ/脈衝 雷射光品質 TEM00 40 偏光特性 直線偏光 (B)聚光用透鏡 倍率 50倍 NA 0.55 對雷射光波長之透過率 60% (C)載置有半導體基板之載置台的移動速度 100 mm/秒 繼而，於半導體晶圓之表面貼合背磨用保護膠帶，使用DISCO Corporation製造之Back grinder DGP8760以半導體晶圓之厚度成為30 μm的方式磨削背面。 繼而，於實施例及比較例之切晶黏晶膜上貼合進行利用雷射光之前處理的上述半導體晶圓及切割環。 繼而，藉由使用DISCO Corporation製造之Die Separator DDS2300進行半導體晶圓之割斷及切晶片的熱收縮，獲得樣品。具體而言，首先，用冷卻擴展單元於擴展溫度-15℃、擴展速度200 mm/秒、擴展量12 mm之條件下割斷半導體晶圓。 然後，用加熱擴展單元於擴展量10 mm、加熱溫度250℃、風量40 L/分鐘、加熱距離20 mm、旋轉速度3°/秒之條件下使切晶片熱收縮。 用顯微鏡觀察黏晶膜自切晶片浮起之部分的面積(將黏晶膜整體之面積設為100%時之浮起之黏晶膜的面積的比例)。將浮起之面積未達30%的情形設為○，將30%以上的情形設為×進行評價。將結果示於表1。 (由清潔導致之晶片飛散評價) 使用擴展評價後之樣品，進行由清潔導致之晶片飛散評價。具體而言，首先，將固定有附黏晶膜之半導體晶片之狀態的切晶片設置於旋塗器。繼而，一面向半導體晶片滴加作為清洗液之水一面使旋塗器旋轉。由此，清洗半導體晶片之表面。將旋塗器之旋轉速度設為2500 rpm、旋轉時間設為1分鐘。之後，以800 rpm進行1分鐘乾燥。確認晶片是否飛散消失。將所有晶片殘留之情形評價為○，將即便為1個晶片亦消失之情形評價為×。將結果示於表1。 (拾取評價) 使用由清潔導致之晶片飛散評價後之樣品，進行拾取評價。具體而言，使用Die bonder SPA-300(新川股份有限公司製造)，於以下之條件進行拾取。將全部能夠拾取之情形設為○，將無法拾取之晶片即便為1個亦設為×進行評價。將結果示於表1。 ＜拾取條件＞ 管腳數：5 拾取高度：500 μm 拾取評價數：50個晶片 [表1]
1‧‧‧基材
2‧‧‧黏著劑層
3‧‧‧黏晶膜
4‧‧‧半導體晶圓
5‧‧‧半導體晶片
6‧‧‧被接著體
7‧‧‧結合引線
8‧‧‧封裝樹脂
10‧‧‧切晶黏晶膜
11‧‧‧切晶片
圖1係表示本發明之一實施形態之切晶黏晶膜之截面示意圖。 圖2係用以說明本實施形態之半導體裝置之製造方法之截面示意圖。 圖3係用以說明本實施形態之半導體裝置之製造方法之截面示意圖。 圖4(a)、(b)係用以說明本實施形態之半導體裝置之製造方法之截面示意圖。 圖5係用以說明本實施形態之半導體裝置之製造方法之截面示意圖。 圖6(a)、及(b)係用以說明另一實施形態之半導體裝置之製造方法之截面示意圖。 圖7係用以說明另一實施形態之半導體裝置之另一製造方法之截面示意圖。
1‧‧‧基材
2‧‧‧黏著劑層
3‧‧‧黏晶膜
10‧‧‧切晶黏晶膜
11‧‧‧切晶片

Claims (2)

  1. 一種切晶黏晶膜，其特徵在於，具有： 切晶片；及 積層於上述切晶片上之黏晶膜； 且上述切晶片與上述黏晶膜之23℃下之剝離力A於下述剝離力A之測定條件下在0.1 N/20 mm以上且0.25 N/20 mm以下之範圍內， 上述切晶片與上述黏晶膜之-15℃下之剝離力B於下述剝離力B之測定條件下在0.15 N/20 mm以上且0.5 N/20 mm以下之範圍內， 上述黏晶膜係藉由施加延伸張力而斷裂來使用， ＜剝離力A之測定條件＞ T型剝離試驗 剝離速度300 mm/分鐘 ＜剝離力B之測定條件＞ T型剝離試驗 剝離速度300 mm/分鐘。
  2. 一種半導體裝置之製造方法，其特徵在於，包括如下步驟： 步驟A，於切晶黏晶膜上貼合半導體晶圓； 步驟B，於0℃以下之條件下，擴展上述切晶黏晶膜，至少使上述黏晶膜斷裂，獲得附黏晶膜之晶片；及 步驟C，拾取上述附黏晶膜之晶片； 且上述切晶黏晶膜具有： 切晶片；及 積層於上述切晶片上之黏晶膜； 且上述切晶片與上述黏晶膜之23℃下之剝離力A於下述剝離力A之測定條件下在0.1 N/20 mm以上且0.25 N/20 mm以下之範圍內， 上述切晶片與上述黏晶膜之-15℃下之剝離力B於下述剝離力B之測定條件下在0.15 N/20 mm以上且0.5 N/20 mm以下之範圍內， ＜剝離力A之測定條件＞ T型剝離試驗 剝離速度300 mm/分鐘 ＜剝離力B之測定條件＞ T型剝離試驗 剝離速度300 mm/分鐘。
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