TWI715586B - 切割晶片接合薄膜、半導體裝置的製造方法及半導體裝置 - Google Patents

切割晶片接合薄膜、半導體裝置的製造方法及半導體裝置 Download PDF

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Abstract

本發明係關於切割晶片接合薄膜、半導體裝置的製造方法及半導體裝置。本發明提供可防止覆蓋膜的剝離不良、能夠防止半導體晶片的靜電破壞的切割晶片接合薄膜等。本發明係關於一種切割晶片接合薄膜，其形成為卷狀。切割晶片接合薄膜包含覆蓋膜和配置在覆蓋膜上的切割片一體型接著薄膜。切割片一體型接著薄膜包含切割片，前述切割片包含以第1面和與第1面相反側的第2面來定義兩面的基材層和與第1面接觸的黏合劑層。切割片一體型接著薄膜另包含接著薄膜，前述接著薄膜以與黏合劑層接觸的第1主面和與第1主面相反側的第2主面來定義兩面。第2面的表面電阻值為1.0×1011Ω/sq.以下。第2主面的表面電阻值為1.0×1012Ω/sq.以上。

Description

切割晶片接合薄膜、半導體裝置的製造方法及半導體裝置
本發明係關於切割晶片接合薄膜、半導體裝置的製造方法及半導體裝置。
已知一種切割晶片接合薄膜，其具有基材層、配置在基材層上的黏合劑層及配置在黏合劑層上的接著薄膜(例如參見專利文獻1)。基材層可以以與黏合劑層接觸的接觸面及與接觸面相反側的背面來定義兩面。
近年來，伴隨半導體晶片的高性能化，靜電破壞正成為問題。為了防止靜電破壞，有藉由向黏合劑層中添加導電性材料來提高抗靜電性能的技術。
此外，為了對接著薄膜賦予導電性，也有向接著薄膜中添加導電性材料的技術。
先前技術文獻 專利文獻
專利文獻1：日本特開2015-5636號公報
向黏合劑層中添加導電性材料的技術存在下列的問題：在切割時導電性材料會在裝置內飛散並附著於半導體晶圓、半導體晶片。在擴展時導電性材料有時也會飛散。
向接著薄膜中添加導電性材料的技術存在將接著薄膜用於引線掩埋用途時導電性材料會促進引線的腐蝕的問題。另存在切割時導電性材料飛散的問題。
此外，在切割晶片接合薄膜中，有時會無法順利剝離覆蓋膜。本發明人對剝離不良的原因進行了深入研究，結果發現，基材層的背面及覆蓋膜的帶電會引起覆蓋膜的剝離不良。
本發明的目的在於提供可防止覆蓋膜的剝離不良、能夠防止半導體晶片的靜電破壞的切割晶片接合薄膜。
本發明的目的另在於提供使用切割晶片接合薄膜的半導體裝置的製造方法。本發明的目的另在於提供使用切割晶片接合薄膜而得到的半導體裝置。
本發明係關於切割晶片接合薄膜，其形成為卷狀。本發明的切割晶片接合薄膜包含覆蓋膜及配置在覆蓋膜上的切割片一體型接著薄膜。切割片一體型接著薄膜包含切割片，前述切割片包含以第1面及與第1面相反側的第2面來定義兩面的基材層及與第1面接觸的黏合劑層。切割片 一體型接著薄膜另包含接著薄膜，前述接著薄膜以與黏合劑層接觸的第1主面及與第1主面相反側的第2主面來定義兩面。第2面的表面電阻值為1.0×1011Ω/sq.以下。由於為1.0×1011Ω/sq.以下，因此能夠防止覆蓋膜的剝離不良。第2主面的表面電阻值為1.0×1012Ω/sq.以上。由於為1.0×1012Ω/sq.以上，因此可防止封裝時等的洩漏電流，能夠防止半導體晶片的靜電破壞。
較佳的是，基材層包含具有第1面的第1基材層及具有第2面的第2基材層。較佳的是，第2基材層含有導電性成分。較佳的是，第2基材層的厚度為1μm~30μm。較佳的是，導電性成分為有機系導電性成分。較佳的是，第2基材層另包含選自由聚乙烯、聚丙烯、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物組成的組中的1種以上的樹脂。
較佳的是，切割片的斷裂伸長率為500%以上。
較佳的是，接著薄膜包含環氧樹脂或酚醛樹脂。較佳的是，接著薄膜包含丙烯酸類樹脂。較佳的是，接著薄膜在25℃的黏著強度為0.2N以上且3.0N以下。
較佳的是，覆蓋膜為聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜。較佳的是，覆蓋膜的厚度為20μm~75μm。
本發明另關於半導體裝置的製造方法，其包括下列步驟：準備切割晶片接合薄膜的步驟；將半導體晶圓壓接於切割片一體型接著薄膜的接著薄膜的步驟；在將半導體晶圓壓接於接著薄膜的步驟之後，藉由進行晶片分割而形成晶片接合用晶片的步驟；及將晶片接合用晶片壓接於被黏 物的步驟。將半導體晶圓壓接於接著薄膜的步驟包括從覆蓋膜剝離切割片一體型接著薄膜的步驟。晶片接合用晶片包含半導體晶片及配置在半導體晶片上的薄膜狀接著劑。
本發明另關於半導體裝置。
1‧‧‧切割晶片接合薄膜
11‧‧‧接著薄膜
11a‧‧‧第1主面
11b‧‧‧第2主面
12‧‧‧切割片
13‧‧‧覆蓋膜
71‧‧‧切割片一體型接著薄膜
121‧‧‧基材層
121a‧‧‧第1面
121b‧‧‧第2面
1211‧‧‧第1基材層
1212‧‧‧第2基材層
122‧‧‧黏合劑層
122A‧‧‧接觸部
122B‧‧‧周邊部
4‧‧‧半導體晶圓
5‧‧‧晶片接合用晶片
41‧‧‧半導體晶片
111‧‧‧薄膜狀接著劑
6‧‧‧被黏物
7‧‧‧接合引線
8‧‧‧封裝樹脂
61‧‧‧被黏物
606‧‧‧基板
607‧‧‧接合引線
611‧‧‧接著層
641‧‧‧半導體晶片
圖1為切割晶片接合薄膜的概略平面圖。
圖2為切割晶片接合薄膜的局部的概略剖面圖。
圖3為半導體裝置的製造步驟的概略剖面圖。
圖4為半導體裝置的製造步驟的概略剖面圖。
圖5為半導體裝置的製造步驟的概略剖面圖。
圖6為半導體裝置的製造步驟的概略剖面圖。
圖7為變形例4中的切割晶片接合薄膜的局部的概略剖面圖。
圖8為變形例7中的半導體裝置的製造步驟的概略剖面圖。
圖9為變形例8中的半導體裝置的製造步驟的概略剖面圖。
圖10為實施例中的切割片一體型接著薄膜的概略剖面圖。
以下雖揭示實施方式來對本發明進行詳細說明，但本發明並不僅限於這些實施方式。
[實施方式1] (切割芯片接合薄膜1)
如圖1所示，切割晶片接合薄膜1形成為卷狀。
切割晶片接合薄膜1包含覆蓋膜13及配置在覆蓋膜13上的切割片一體型接著薄膜71a、71b、71c、......、71m(以下總稱為“切割片一體型接著薄膜71”)。切割片一體型接著薄膜71a與切割片一體型接著薄膜71b之間的距離、切割片一體型接著薄膜71b與切割片一體型接著薄膜71c之間的距離、......切割片一體型接著薄膜711與切割片一體型接著薄膜71m之間的距離是一定的。
如圖2所示，切割片一體型接著薄膜71包含切割片12及配置在切割片12上的接著薄膜11。切割片12包含基材層121及配置在基材層121上的黏合劑層122。基材層121以與黏合劑層122接觸的第1面121a及與第1面121a相反側的第2面121b來定義兩面。接著薄膜11以與黏合劑層122接觸的第1主面11a及與第1主面11a相反側的第2主面11b來定義兩面。第2主面11b與覆蓋膜13接觸。
第2面121b的表面電阻值為1.0×1011Ω/sq.以下，較佳為8.0×1010Ω/sq.以下。由於為1.0×1011Ω/sq.以下，因此能夠防止覆蓋膜13的剝離不良。第2面121b的表面電阻值的下限例如為1.0×105Ω/sq.、1.0×107Ω/sq.、1.0×108Ω/sq.等。
第2面121b的光澤度較佳為1~20。
第2主面11b的表面電阻值為1.0×1012Ω/sq.以上，較佳為1.0×1014Ω/sq.以上。由於為1.0×1012Ω/sq.以上，因此可防止封裝時等的洩漏電流，能夠防止半導體晶片的靜電破壞。第2主面11b的表面電阻值的上限例如為1.0×1017Ω/sq.、1.0×1018Ω/sq.等。
切割片12的斷裂伸長率較佳為500%以上。如果為500%以上，則擴展性良好。切割片12的霧度較佳為45%~95%。
基材層121的厚度較佳為50μm~150μm。
基材層121包含具有第1面121a的第1基材層1211。第1基材層1211可以以第1面121a及與第1面121a相反側的隱藏面來定義兩面。基材層121另包含具有第2面121b的第2基材層1212。第2基材層1212與第1基材層1211的隱藏面接觸。
第1基材層1211包含樹脂。作為樹脂，可列舉出：聚乙烯、聚丙烯、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)等。由於表現出良好的擴展性而以聚乙烯、聚丙烯、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物較佳。從擴展性差的角度來看，聚對苯二甲酸乙二醇酯是不佳的。
第1基材層1211包含導電性成分的情況下，有時導電性成分會在切割時在裝置內飛散。因此，較佳為第1基材層1211不含導電性成分。
第1基材層1211的厚度較佳為30μm~150μm。
較佳為第2基材層1212包含導電性成分。這是由於，導電性成分會降低第2面121b的表面電阻值。
作為導電性成分，可列舉出有機系導電性成分、無機系導電性成分等。有機系導電性成分由於不容易脫落、容易與樹脂混合而較佳。作為有機系導電性成分，可列舉出導電性高分子。
較佳第2基材層1212包含樹脂。作為樹脂，可列舉出：聚乙烯、聚丙烯、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物等。聚乙烯、聚丙烯、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物由於容易與有機系導電性成分混合並表現出良好的擴展性而較佳。從擴展性差的角度來看，聚對苯二甲酸乙二醇酯是不佳的。
第2基材層1212的厚度較佳為1μm~30μm。
第1基材層1211的厚度與第2基材層1212的厚度之比(第1基材層1211的厚度/第2基材層1212的厚度)較佳為1~30。
黏合劑層122包含與接著薄膜11接觸的接觸部122A。黏合劑層122另包含配置在接觸部122A的周邊的周邊部122B。接觸部122A通過輻射線而被硬化。另一方面，周邊部122B具有通過輻射線而硬化的性質。作為輻射線，較佳為紫外線。
黏合劑層122由黏合劑所形成，具有黏合性。作為這種黏合劑，沒有特別限制，可以從公知的黏合劑中適當選擇。具體而言，作為黏合劑，例如可以從下述當中適當選擇使用具有所述特性的黏合劑：丙烯酸類黏合劑、橡膠類 黏合劑、乙烯基烷基醚類黏合劑、有機矽類黏合劑、聚酯類黏合劑、聚醯胺類黏合劑、聚氨酯類黏合劑、氟類黏合劑、苯乙烯-二烯嵌段共聚物類黏合劑、在這些黏合劑中調配了熔點約200℃以下的熱熔融性樹脂的蠕變特性改良型黏合劑等公知的黏合劑(例如參見日本特開昭56-61468號公報、日本特開昭61-174857號公報、日本特開昭63-17981號公報、日本特開昭56-13040號公報等)。此外，作為黏合劑，也可以使用輻射線硬化型黏合劑(或能量射線硬化型黏合劑)、熱膨脹性黏合劑。黏合劑可以單獨使用或將2種以上組合使用。
作為黏合劑，可以適宜地使用丙烯酸類黏合劑、橡膠類黏合劑，丙烯酸類黏合劑尤為適宜。作為丙烯酸類黏合劑，可列舉出以使用1種或2種以上(甲基)丙烯酸烷基酯作為單體成分的丙烯酸類聚合物(均聚物或共聚物)作為基礎聚合物的丙烯酸類黏合劑。
作為丙烯酸類黏合劑中的(甲基)丙烯酸烷基酯，例如可列舉出：(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸異丙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸異丁酯、(甲基)丙烯酸仲丁酯、(甲基)丙烯酸第三丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸庚酯、(甲基)丙烯酸辛酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸異辛酯、(甲基)丙烯酸壬酯、(甲基)丙烯酸異壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸異癸酯、 (甲基)丙烯酸十一烷基酯、(甲基)丙烯酸十二烷基酯、(甲基)丙烯酸十三烷基酯、(甲基)丙烯酸十四烷基酯、(甲基)丙烯酸十五烷基酯、(甲基)丙烯酸十六烷基酯、(甲基)丙烯酸十七烷基酯、(甲基)丙烯酸十八烷基酯、(甲基)丙烯酸十九烷基酯、(甲基)丙烯酸二十烷基酯等(甲基)丙烯酸烷基酯等。作為(甲基)丙烯酸烷基酯，適宜為烷基的碳數為4~18的(甲基)丙烯酸烷基酯。另外，(甲基)丙烯酸烷基酯的烷基可以是直鏈或支鏈中的任一種。
另外，為了改善內聚力、耐熱性、交聯性等，丙烯酸類聚合物可以根據需要而含有對應於可與(甲基)丙烯酸烷基酯共聚的其他單體成分(共聚性單體成分)的單元。作為這種共聚性單體成分，例如可列舉出：(甲基)丙烯酸(丙烯酸、甲基丙烯酸)、丙烯酸羧基乙酯、丙烯酸羧基戊酯、衣康酸、馬來酸、富馬酸、巴豆酸等含羧基單體；馬來酸酐、衣康酸酐等含酸酐基單體；(甲基)丙烯酸羥乙酯、(甲基)丙烯酸羥丙酯、(甲基)丙烯酸羥丁酯、(甲基)丙烯酸羥己酯、(甲基)丙烯酸羥辛酯、(甲基)丙烯酸羥癸酯、(甲基)丙烯酸羥基月桂酯、甲基丙烯酸(4-羥基甲基環己基)甲酯等含羥基單體；苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基)丙烯醯胺-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯醯胺丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺基丙酯、(甲基)丙烯醯氧基萘磺酸等含磺酸基單體；2-羥乙基丙烯醯基磷酸酯等含磷酸基單體；(甲基)丙烯醯胺、 N,N-二甲基(甲基)丙烯醯胺、N-丁基(甲基)丙烯醯胺、N-羥甲基(甲基)丙烯醯胺、N-羥甲基丙烷(甲基)丙烯醯胺等(N-取代)醯胺類單體；(甲基)丙烯酸胺基乙酯、(甲基)丙烯酸N,N-二甲胺基乙酯、(甲基)丙烯酸第三丁基胺基乙酯等(甲基)丙烯酸胺基烷基酯類單體；(甲基)丙烯酸甲氧基乙酯、(甲基)丙烯酸乙氧基乙酯等(甲基)丙烯酸烷氧基烷基酯類單體；丙烯腈、甲基丙烯腈等氰基丙烯酸酯單體；(甲基)丙烯酸縮水甘油酯等含環氧基丙烯酸類單體；苯乙烯、α-甲基苯乙烯等苯乙烯類單體；乙酸乙烯酯、丙酸乙烯酯等乙烯酯類單體；異戊二烯、丁二烯、異丁烯等烯烴類單體；乙烯醚等乙烯醚類單體；N-乙烯基吡咯烷酮、甲基乙烯基吡咯烷酮、乙烯基吡啶、乙烯基呱啶酮、乙烯基嘧啶、乙烯基呱嗪、乙烯基吡嗪、乙烯基吡咯、乙烯基咪唑、乙烯基噁唑、乙烯基嗎啉、N-乙烯基羧酸醯胺類、N-乙烯基己內醯胺等含氮單體；N-環己基馬來醯亞胺、N-異丙基馬來醯亞胺、N-月桂基馬來醯亞胺、N-苯基馬來醯亞胺等馬來醯亞胺類單體；N-甲基衣康醯亞胺、N-乙基衣康醯亞胺、N-丁基衣康醯亞胺、N-辛基衣康醯亞胺、N-2-乙基己基衣康醯亞胺、N-環己基衣康醯亞胺、N-月桂基衣康醯亞胺等衣康醯亞胺類單體；N-(甲基)丙烯醯氧基亞甲基琥珀醯亞胺、N-(甲基)丙烯醯基-6-氧基六亞甲基琥珀醯亞胺、N-(甲基)丙烯醯基-8-氧基八亞甲基琥珀醯亞胺等琥珀醯亞胺類單體；(甲基)丙烯酸聚乙二醇、(甲基)丙烯酸聚丙 二醇、(甲基)丙烯酸甲氧基乙二醇、(甲基)丙烯酸甲氧基聚丙二醇等二醇類丙烯酸酯單體；(甲基)丙烯酸四氫糠酯、氟(甲基)丙烯酸酯、有機矽(甲基)丙烯酸酯等具有雜環、鹵素原子、矽原子等的丙烯酸酯類單體；己二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、環氧丙烯酸酯、聚酯丙烯酸酯、胺基甲酸酯丙烯酸酯、二乙烯基苯、丁基二(甲基)丙烯酸酯、己基二(甲基)丙烯酸酯等多官能單體等。這些共聚性單體成分可以使用1種或2種以上。
使用輻射線硬化型黏合劑(或能量射線硬化型黏合劑)作為黏合劑時，作為輻射線硬化型黏合劑(組合物)，例如可列舉出：使用了在聚合物側鏈或主鏈中或主鏈末端具有自由基反應性碳-碳雙鍵的聚合物作為基礎聚合物的內在型的輻射線硬化型黏合劑，在黏合劑中調配有紫外線硬化性的單體成分、低聚物成分的輻射線硬化型黏合劑等。此外，使用熱膨脹性黏合劑作為黏合劑時，作為熱膨脹性黏合劑，例如可列舉出包含黏合劑及發泡劑(特別是熱膨脹性微球)的熱膨脹性黏合劑等。
較佳的單體成分是丙烯酸2-乙基己酯。較佳的丙烯酸類黏合劑包含具有胺基甲酸酯鍵的丙烯酸類聚合物。
黏合劑層122可以包含各種添加劑(例如賦黏樹脂、 著色劑、增黏劑、增量劑、填充材料、增塑劑、防老劑、抗氧化劑、表面活性劑、交聯劑等)。
黏合劑層122例如可以利用下列的慣用方法形成：將黏合劑(壓敏接著劑)與視需要而定的溶劑、其他添加劑等混合，形成片狀的層。具體而言，例如可以通過下述方法等形成黏合劑層122：將含有黏合劑和視需要而定的溶劑、其他添加劑的混合物塗布在基材層121上的方法，在合適的隔膜(剝離紙等)上塗布混合物形成黏合劑層122並將其轉印(轉移)至基材層121上的方法。
黏合劑層122的厚度較佳為3μm以上，更佳為5μm以上。黏合劑層122的厚度較佳為50μm以下，更佳為30μm以下。另外，黏合劑層122可以形成為多層形狀。
(接著薄膜11)
接著薄膜11具備熱硬化性。
接著薄膜11在25℃的黏著強度較佳為0.2N~3.0N。如果為0.2N~3.0N，則拾取性良好。
接著薄膜11在120℃的的損耗模量G”較佳為2KPa~20KPa。如果為2KPa以上，則可以防止晶片接合時的接著薄膜11的突出。如果為20KPa以下，則晶片接合時接著薄膜11對被黏物的潤濕性良好。
接著薄膜11包含樹脂成分。作為樹脂成分，可列舉出熱塑性樹脂、熱硬化性樹脂等。
較佳為熱塑性樹脂為丙烯酸類樹脂。
作為丙烯酸類樹脂，並沒有特別限定，可列舉出：以具有碳數30以下、特別是碳數4~18的直鏈或支鏈的烷基的丙烯酸或甲基丙烯酸的酯中的1種或2種以上作為成分的聚合物(丙烯酸類共聚物)等。作為前述烷基，例如可列舉出：甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、第三丁基、異丁基、戊基、異戊基、己基、庚基、環己基、2-乙基己基、辛基、異辛基、壬基、異壬基、癸基、異癸基、十一烷基、月桂基、十三烷基、十四烷基、硬脂基、十八烷基、或十二烷基等。
此外，作為形成聚合物(丙烯酸類共聚物)的其他單體，並沒有特別限定，例如可列舉出：丙烯酸、甲基丙烯酸、丙烯酸羧基乙酯、丙烯酸羧基戊酯、衣康酸、馬來酸、富馬酸或巴豆酸等之類的含羧基單體，馬來酸酐或衣康酸酐等各種酸酐單體，(甲基)丙烯酸-2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸-2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸-4-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸-6-羥基己酯、(甲基)丙烯酸-8-羥基辛酯、(甲基)丙烯酸-10-羥基癸酯、(甲基)丙烯酸-12-羥基月桂酯或丙烯酸(4-羥基甲基環己酯)-甲酯等各種含羥基單體，苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基)丙烯醯胺-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯醯胺丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺丙酯或(甲基)丙烯醯氧基萘磺酸等各種含磺酸基單體，或2-羥乙基丙烯醯基磷酸酯等各種含磷酸基單體。
丙烯酸類樹脂當中，較佳為重量平均分子量為10萬 以上，更佳為30萬~300萬，進一步較佳為50萬~200萬。這是由於，如果在該數值範圍內，則接著性和耐熱性優異。需要說明的是，重量平均分子量是通過GPC(滲透凝膠色譜)測定並通過聚苯乙烯換算算出的值。
丙烯酸類樹脂較佳為包含官能團。作為官能團，例如可列舉出：羥基、羧基、腈基等。其中，較佳為腈基。
樹脂成分100重量%中的熱塑性樹脂的含量較佳為10重量%以上，更佳為20重量%以上。如果為10重量%以上，則可撓性良好。樹脂成分100重量%中的熱塑性樹脂的含量較佳為80重量%以下，更佳為70重量%以下。
作為熱硬化性樹脂，可列舉出：環氧樹脂、酚醛樹脂等。
作為環氧樹脂，沒有特別限定，例如可使用：雙酚A型、雙酚F型、雙酚S型、溴化雙酚A型、氫化雙酚A型、雙酚AF型、聯苯型、萘型、芴型、苯酚酚醛清漆型、鄰甲酚酚醛清漆型、三羥基苯基甲烷型、四酚基乙烷型等二官能環氧樹脂、多官能環氧樹脂，或乙內醯脲型、三縮水甘油基異三聚氰酸酯型或縮水甘油胺型等的環氧樹脂。這些環氧樹脂當中，特別佳為酚醛清漆型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、三羥基苯基甲烷型樹脂或四酚基乙烷型環氧樹脂。這是由於，這些環氧樹脂富有與作為硬化劑的酚醛樹脂的反應性，耐熱性等優異。
環氧樹脂的環氧當量較佳為100g/eq.以上，更佳為120g/eq.以上。環氧樹脂的環氧當量較佳為1000g/eq.以 下，更佳為500g/eq.以下。
需要說明的是，環氧樹脂的環氧當量可以用JIS K 7236-2009中規定的方法進行測定。
酚醛樹脂發揮環氧樹脂的硬化劑的作用，例如可列舉出：苯酚酚醛清漆樹脂、苯酚芳烷基樹脂、甲酚酚醛清漆樹脂、第三丁基苯酚酚醛清漆樹脂、壬基苯酚酚醛清漆樹脂等酚醛清漆型酚醛樹脂、甲階酚醛型酚醛樹脂、聚對氧苯乙烯等聚氧苯乙烯等。這些酚醛樹脂當中，特別佳為苯酚酚醛清漆樹脂、苯酚芳烷基樹脂。這是由於，能夠提高半導體裝置的連接可靠性。
酚醛樹脂的羥基當量較佳為150g/eq.以上，更佳為200g/eq.以上。酚醛樹脂的羥基當量較佳為500g/eq.以下，更佳為300g/eq.以下。
對於環氧樹脂與酚醛樹脂的調配比例，例如適宜以酚醛樹脂中的羥基相對於環氧樹脂成分中的環氧基1當量為0.5~2.0當量的方式調配。更適宜的是0.8~1.2當量。即，這是由於，如果兩者的調配比例不在該範圍，則不進行充分的硬化反應，硬化物的特性變得容易劣化。
樹脂成分100重量%中的環氧樹脂和酚醛樹脂的合計含量較佳為20重量%以上，更佳為30重量%以上。環氧樹脂和酚醛樹脂的合計含量較佳為90重量%以下，更佳為80重量%以下。
較佳的接著薄膜11包含無機填充劑。
作為無機填充劑，例如可列舉出：二氧化矽、黏土、 石膏、碳酸鈣、硫酸鋇、氧化鋁、氧化鈹、碳化矽、氮化矽、鋁、銅、銀、金、鎳、鉻、鉛、錫、鋅、鈀、焊錫、碳等。其中，較佳為二氧化矽、氧化鋁、銀等，更佳為二氧化矽。
無機填充劑的平均粒徑較佳為0.001μm~1μm。填料的平均粒徑可以用以下的方法進行測定。
無機填充劑的平均粒徑的測定
將接著薄膜11放入坩堝，在大氣環境下以700℃灼燒2小時使其灰化。使所得灰分分散在純水中進行10分鐘超聲波處理，使用雷射繞射散射式細微性分佈測定裝置(Beckman Coulter,Inc.製造、“LS 13 320”；濕式法)求出平均粒徑。
接著薄膜11中的無機填充劑的含量較佳為0重量%以上，更佳為1重量%以上，進一步較佳為3重量%以上，更進一步較佳為20重量%以上。接著薄膜11中的無機填充劑的含量較佳為85重量%以下，更佳為20重量%以下，進一步較佳為15重量%以下。
接著薄膜11除了前述成分以外還可以適當含有在薄膜製造中常用的調配劑，例如矽烷耦合劑、硬化促進劑、交聯劑等。
接著薄膜11含有導電性成分的情況下，有時導電性成分會在切割時在裝置內飛散。有時導電性成分還會促進引線的腐蝕。因此，較佳接著薄膜11不含導電性成分。
接著薄膜11可以用通常的方法製造。例如可以製作含有前述各成分的接著劑組合物溶液，以成為規定厚度的方式將接著劑組合物溶液塗布在基材隔膜上形成塗布膜後，乾燥塗布膜，由此來製造接著薄膜11。
作為接著劑組合物溶液中使用的溶劑，沒有特別限定，較佳為能夠將前述各成分均勻地溶解、混煉或分散的有機溶劑。例如可列舉出：二甲基甲醯胺、二甲基乙醯胺、N-甲基吡咯烷酮、丙酮、甲乙酮、環己酮等酮類溶劑、甲苯、二甲苯等。對塗布方法沒有特別限定。作為溶劑塗覆的方法，例如可列舉出：模塗機、凹版塗布機、輥塗機、逆轉塗布機、逗點塗布機、管狀刮刀塗布機(pipe doctor coater)、絲網印刷等。其中，從塗布厚度的均勻性高的角度來看，較佳為模塗機。
作為基材隔膜，可以使用聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚乙烯、聚丙烯、通過氟系剝離劑、長鏈丙烯酸烷基酯類剝離劑等剝離劑進行了表面塗布的塑膠薄膜、紙等。作為接著劑組合物溶液的塗布方法，例如可列舉出：輥塗覆、絲網塗覆、凹版塗覆等。此外，對塗布膜的乾燥條件沒有特別限定，例如可以以乾燥溫度70~160℃、乾燥時間1~5分鐘進行。
作為接著薄膜11的製造方法，例如用攪拌機將前述各成分混合並對所得混合物進行壓製成型來製造接著薄膜11的方法等也是適宜的。作為攪拌機，可列舉出行星攪拌機等。
接著薄膜11的厚度較佳為2μm以上，更佳為5μm以上，進一步較佳為10μm以上。接著薄膜11的厚度較佳為200μm以下，更佳為150μm以下，進一步較佳為100μm以下。
接著薄膜11用於製造半導體裝置。具體而言，接著薄膜11用於晶片接合用途。
(覆蓋膜13)
作為覆蓋膜13，可列舉出聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)薄膜等。覆蓋膜13較佳為實施了脫模處理的聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜。
覆蓋膜13的厚度較佳為20μm~75μm，更佳為25μm~50μm。
(半導體裝置的製造方法)
如圖3所示，將半導體晶圓4壓接於切割片一體型接著薄膜71。作為半導體晶圓4，可列舉出：矽晶圓、矽碳化物晶圓、化合物半導體晶圓等。作為化合物半導體晶圓，可列舉出氮化鎵晶圓等。
作為壓接方法，例如可列舉出通過壓接輥等按壓手段進行按壓的方法等。
壓接溫度(黏貼溫度)較佳為35℃以上，更佳為37℃以上。壓接溫度的上限較低較佳，較佳為50℃以下，更佳為45℃以下。通過以低溫進行壓接，能夠防止對半 導體晶圓4的熱影響，能夠抑制半導體晶圓4的翹曲。此外，壓力較佳為1×105Pa~1×107Pa，更佳為2×105Pa~8×106Pa。
如圖4所示，通過對半導體晶圓4進行切割而形成晶片接合用晶片5。晶片接合用晶片5包括半導體晶片41和配置在半導體晶片41上的薄膜狀接著劑111。半導體晶片41包括電極極板。作為電極極板的材料，可列舉出鋁等。本步驟中可以採用進行切入直至切割片一體型接著薄膜71的、被稱為全切的切斷方式等。作為切割裝置，沒有特別限定，可以使用現有公知的裝置。此外，由於半導體晶圓4被切割片一體型接著薄膜71接著固定，因此能夠抑制晶片缺損、晶片飛濺，並且還能夠抑制半導體晶圓4的破損。
拾取晶片接合用晶片5。作為拾取的方法，沒有特別限定，可以採用現有公知的各種方法。例如可列舉出：從切割片一體型接著薄膜71側用針頂起各個半導體晶片41，接著通過拾取裝置拾取晶片接合用晶片5的方法等。
如圖5所示，通過將晶片接合用晶片5壓接於被黏物6而得到帶半導體晶片的被黏物2。帶半導體晶片的被黏物2包括被黏物6、配置在被黏物6上的薄膜狀接著劑111以及配置在薄膜狀接著劑111上的半導體晶片41。被黏物6具備端子部。作為被黏物6，可列舉出：引線框、仲介層(interposer)、TAB薄膜、半導體晶片等。被黏物為引線框的情況下，端子部可以為內部引線。
將晶片接合用晶片5壓接於被黏物6的溫度(以下稱為“黏晶溫度”)較佳為80℃以上，更佳為90℃以上。此外，黏晶溫度較佳為150℃以下，更佳為130℃以下。
通過在加壓下對帶半導體晶片的被黏物2進行加熱，使薄膜狀接著劑111硬化。由此，使半導體晶片41固著在被黏物6上。通過在加壓下使薄膜狀接著劑111硬化，能夠消滅在薄膜狀接著劑111與黏物6之間存在的空隙，能夠確保薄膜狀接著劑111與被黏物6接觸的面積。
作為在加壓下進行加熱的方法，例如可列舉出：對配置在填充有非活性氣體的腔室內的帶半導體晶片的被黏物2進行加熱的方法等。加壓環境的壓力較佳為0.5kg/cm2(4.9×10-2MPa)以上，更佳為1kg/cm2(9.8×10-2MPa)以上，進一步較佳為5kg/cm2(4.9×10-1MPa)以上。如果為0.5kg/cm2以上，則能夠容易地消滅在薄膜狀接著劑111與被黏物6之間存在的空隙。加壓環境的壓力較佳為20kg/cm2(1.96MPa)以下，更佳為18kg/cm2(1.77MPa)以下，進一步較佳為15kg/cm2(1.47MPa)以下。如果為20kg/cm2以下，則能夠抑制由過度的加壓導致的薄膜狀接著劑111的突出。
加熱溫度較佳為80℃以上，更佳為120℃以上，進一步較佳為150℃以上，特別佳為170℃以上。如果為80℃以上，則能夠使薄膜狀接著劑111為適度的硬度，能夠通過加壓硬化而有效地使空隙消失。加熱溫度較佳為260℃以下，更佳為200℃以下，更佳為180℃以下。如果為 260℃以下，則能夠防止薄膜狀接著劑111的分解。
加熱時間較佳為0.1小時以上，更佳為0.2小時以上。加熱時間較佳為24小時以下，更佳為3小時以下，進一步較佳為1小時以下，特別佳為30分以下。
如圖6所示，進行用接合引線7將半導體晶片41的電極極板與被黏物6的端子部電連接的引線接合步驟。作為接合引線7的材料，可列舉出銅等。
引線接合步驟包括將接合引線7的一端與半導體晶片41的電極極板接合的步驟、將接合引線7的另一端與被黏物6的端子部接合的步驟等。
進行了引線接合步驟後，進行通過封裝樹脂8對半導體晶片41進行封裝的封裝步驟。本步驟是為了保護搭載於被黏物6的半導體晶片41、接合引線7而進行的。本步驟通過用模具將封裝用的樹脂成型來進行。作為封裝樹脂8，例如使用環氧類的樹脂。樹脂封裝時的加熱溫度較佳為165℃以上，更佳為170℃以上，加熱溫度較佳為185℃以下，更佳為180℃以下。
可以根據需要而在封裝後進一步進行加熱(後硬化步驟)。由此，可以使在封裝步驟中硬化不足的封裝樹脂8完全硬化。加熱溫度可以適當設定。
通過以上方法而得到的半導體裝置包括被黏物6、配置在被黏物6上的接著層以及配置在接著層上的半導體晶片41。接著層通過薄膜狀接著劑111硬化而形成。半導體裝置另包括覆蓋半導體晶片41的封裝樹脂8。
如上所述，半導體裝置的製造方法包括下列步驟：準備切割晶片接合薄膜1的步驟；將半導體晶圓4壓接於切割片一體型接著薄膜71的接著薄膜11的步驟；在將半導體晶圓4壓接於接著薄膜11的步驟之後，通過進行晶片分割而形成晶片接合用晶片5的步驟；和將晶片接合用晶片5壓接於被黏物6的步驟。半導體裝置的製造方法另包括包含下列步驟的步驟：在將晶片接合用晶片5壓接於被黏物6的步驟之後，將接合引線7的一端與半導體晶片41的電極極板接合的步驟，將接合引線7的另一端與被黏物6的端子部接合的步驟。半導體裝置的製造方法另包括用封裝樹脂8對半導體晶片41進行封裝的步驟。
將半導體晶圓4壓接於接著薄膜11的步驟包括從覆蓋膜13剝離切割片一體型接著薄膜71的步驟。
(變形例1)
黏合劑層122的接觸部122A具有通過輻射線而硬化的性質。黏合劑層122的周邊部122B也具有通過輻射線而硬化的性質。在半導體裝置的製造方法中，形成晶片接合用晶片5，對黏合劑層122照射紫外線，拾取晶片接合用晶片5。由此，由於黏合劑層122對晶片接合用晶片5的黏合力降低，因此能夠容易地拾取晶片接合用晶片5。
(變形例2)
黏合劑層122的接觸部122A通過輻射線而被硬化。 黏合劑層122的周邊部122B也通過輻射線而被硬化。
(變形例3)
接著薄膜11為包括第1層和配置在第1層上的第2層的多層形狀。
(變形例4)
如圖7所示，切割片12的黏合面整體與接著薄膜11接觸。黏合劑層122較佳具有通過輻射線而硬化的性質。在半導體裝置的製造方法中，形成晶片接合用晶片5，對黏合劑層122照射紫外線，拾取晶片接合用晶片5。由此，由於黏合劑層122對晶片接合用晶片5的黏合力降低，因此能夠容易地拾取晶片接合用晶片5。
(變形例5)
基材層121為單層形狀。
(變形例6)
形成晶片接合用晶片5的步驟包括通過擴展對配置在切割片一體型接著薄膜71上的半導體晶圓4進行分割的階段。例如，形成晶片接合用晶片5的步驟包括通過對配置在切割片一體型接著薄膜71上的半導體晶圓4照射雷射而在半導體晶圓4的內部形成脆弱層的步驟。此時，形成晶片接合用晶片5的步驟另包括在形成脆弱層的步驟之 後進行擴展的步驟。通過擴展而同時對接著薄膜11和半導體晶圓4進行分割。
(變形例7)
如圖8所示，半導體裝置的製造方法包括下列步驟：將半導體晶圓4壓接於接著薄膜11的步驟；在將半導體晶圓4壓接於接著薄膜11的步驟之後，通過進行晶片分割而形成晶片接合用晶片5的步驟；和將晶片接合用晶片5壓接於被黏物61的步驟。具體而言，將晶片接合用晶片5壓接於被黏物61的步驟是將晶片接合用晶片5壓接於被黏物61的半導體晶片641的步驟。被黏物61包括基板606、半導體晶片641以及連接半導體晶片641與基板606的接合引線607。更具體而言，被黏物61包括基板606、配置在基板606上的接著層611、配置在接著層611上的半導體晶片641以及連接半導體晶片641與基板606的接合引線607。接合引線607具有埋在薄膜狀接著劑111中的部分。
(變形例8)
如圖9所示，將晶片接合用晶片5壓接於被黏物61的步驟是將晶片接合用晶片5壓接於被黏物61的基板606的步驟。接合引線607包括埋在薄膜狀接著劑111中的兩端。
(其他變形例)
變形例1~變形例8等可以任意組合。
實施例
以下對本發明使用實施例進行詳細說明，但本發明在不超出其要旨的情況下，並不限於以下實施例。
[1.切割片一體型接著薄膜的製作]
製得切割片一體型接著薄膜A~E。如圖10所示，切割片一體型接著薄膜A~E具有切割片9和配置在切割片9上的接著薄膜3。切割片9具有基材91和配置在基材91上的黏合劑層92。基材91具有第1基材911和配置在第1基材911上的第2基材912。第2基材912具有第2面912b。接著薄膜A具有第2主面3b。
(1)接著薄膜的製作
對為了製作接著薄膜而使用的成分進行說明。
丙烯酸類樹脂：Nagase ChemteX Corporation製造的Teisan Resin WS023-EK30(具有羥基和羧基的丙烯酸酯共聚物、Mw：50萬、玻璃化轉變溫度：-10℃)
環氧樹脂1：三菱化學股份有限公司製造的jER1001(固態環氧樹脂、環氧當量450g/eq.~500g/eq.)
環氧樹脂2：三菱化學股份有限公司製造的jER828(液態環氧樹脂、環氧當量180g/eq.)
酚醛樹脂1：明和化成股份有限公司製造的MEH-7851(酚醛樹脂、羥基當量201~220g/eq.)
球狀二氧化矽：Admatechs Co.,Ltd.製造的SO-25R(平均粒徑0.5μm的球狀二氧化矽)
導電性高分子：綜研化學股份有限公司製造的WED-S
按照表1記載的調配比將各成分溶解於甲乙酮，製得固體成分濃度20重量%的接著劑組合物溶液。在厚度50μm的隔膜(進行了有機矽脫模處理的PET薄膜)上塗布接著劑組合物溶液，用130℃的烘箱乾燥2分鐘，製得厚度20pm的接著薄膜A~C。
Figure 105116458-A0202-12-0026-1
(2)黏合劑層的製作
接著，向具備冷凝管、氮氣導入管、溫度計和攪拌裝置的反應容器中投入丙烯酸-2-乙基己酯(以下稱為“2EHA”)100份、丙烯酸-2-羥基乙酯(以下稱為“HEA”)10份、過氧化苯甲醯0.3份和甲苯80份，在氮氣氣流中 以60℃進行8小時聚合處理，得到丙烯酸類聚合物A。向該丙烯酸類聚合物A中加入2-甲基丙烯醯氧基乙基異氰酸酯(以下稱為“MOI”)5份，在空氣氣流中以50℃進行50小時的加成反應處理，得到丙烯酸類聚合物A’。
接著，相對於丙烯酸類聚合物A’100份，加入多異氰酸酯化合物(商品名“CORONATE L”、日本聚氨酯股份有限公司製造)5份和光聚合引發劑(商品名“IRGACURE 184”、Ciba Specialty Chemicals Inc.製造)5份，製得黏合劑溶液。將黏合劑溶液塗布於PET剝離襯墊的實施了有機矽處理的面上，在120℃下加熱乾燥2分鐘，形成厚度30μm的黏合劑層。
(3)實施例1中的切割片一體型接著薄膜A的製作
第1基材911為厚度50μm的聚丙烯製的基材。第2基材912為相對於聚乙烯100重量份含有20重量份綜研化學股份有限公司製造的WED-S的基材。第2基材912的厚度為30μm。
將黏合劑層與第1基材911貼合，在23℃下保存72小時。使用紫外線照射裝置(日東精機股份有限公司製造的UM-810)，隔著基材91對“黏合劑層中的搭載半導體晶圓的區域”照射500mJ/cm2的紫外線，由此形成切割片9。
通過使用手壓輥將接著薄膜A與切割片9貼合，製得切割片一體型接著薄膜A。
(4)實施例2中的切割片一體型接著薄膜B的製作
第1基材911為厚度80μm的聚丙烯製的基材。第2基材912為相對於乙烯-乙酸乙烯酯共聚物100重量份含有20重量份股份有限公司T & K TOKA製造的PA-200(導電性高分子)的基材。第2基材912的厚度為10μm。
將黏合劑層與第1基材911貼合，在23℃下保存72小時。使用紫外線照射裝置(日東精機股份有限公司製造的UM-810)，隔著基材91對“黏合劑層中的搭載半導體晶圓的區域”照射500mJ/cm2的紫外線，由此形成切割片9。
通過使用手壓輥將接著薄膜B與切割片9貼合，製得切割片一體型接著薄膜B。
(5)實施例3中的切割片一體型接著薄膜C的製作
第1基材911為厚度50μm的乙烯-乙酸乙烯酯共聚物製的基材。第2基材912為相對於聚乙烯100重量份含有30重量份股份有限公司T & K TOKA製造的PA-200的基材。第2基材912的厚度為30μm。
將黏合劑層與第1基材911貼合，在23℃下保存72小時。使用紫外線照射裝置(日東精機股份有限公司製造的UM-810)，隔著基材91對“黏合劑層中的搭載半導體晶圓的區域”照射500mJ/cm2的紫外線，由此形成切割片 9。
通過使用手壓輥將接著薄膜A與切割片9貼合，製得切割片一體型接著薄膜C。
(6)比較例1中的切割片一體型接著薄膜D的製作
第1基材911為厚度50μm的聚丙烯製的基材。第2基材912為厚度30μm的聚乙烯製的基材。
將黏合劑層與第1基材911貼合，在23℃下保存72小時。使用紫外線照射裝置(日東精機股份有限公司製造的UM-810)，隔著基材91對“黏合劑層中的搭載半導體晶圓的區域”照射500mJ/cm2的紫外線，由此形成切割片9。
通過使用手壓輥將接著薄膜C與切割片9貼合，製得切割片一體型接著薄膜D。
(7)比較例2中的切割片一體型接著薄膜E的製作
第1基材911為相對於聚乙烯100重量份含有20重量份綜研化學股份有限公司製造的WED-S的基材。第1基材911的厚度為50μm。第2基材912為厚度30μm的聚丙烯製的基材。
將黏合劑層與第1基材911貼合，在23℃下保存72小時。使用紫外線照射裝置(日東精機股份有限公司製造的UM-810)，隔著基材91對“黏合劑層中的搭載半導體晶圓的區域”照射500mJ/cm2的紫外線，由此形成切割片 9。
通過使用手壓輥將接著薄膜A與切割片9貼合，製得切割片一體型接著薄膜E。
[2.評價]
對切割片一體型接著薄膜A~E進行以下評價。結果示於表2。
(1)第2面912b的表面電阻值
使用Advantest Corporation製造的超高阻表TR-8601的超高電阻測定用試樣箱TR-42。在23±2℃、50±5%環境下將切割片一體型接著薄膜靜置2小時後，在該環境下對第2面912b給予施加電壓500V，讀取自施加開始1分鐘後的數值。根據用施加電壓除以表面電流而得到的數值求出表面電阻值。
(2)斷裂伸長率
從切割片9切出初始長度120mm、寬度10mm的長條狀的樣品，以卡盤間距50mm、拉伸速度300mm/min進行拉伸試驗，由此測定樣品的伸長率的變化量(mm)。作為拉伸試驗器，使用股份有限公司島津製作所製造的Autograph AG-IS，作為負荷感測器，使用股份有限公司島津製作所製造的PFG-50NA。
(3)覆蓋膜剝離試驗
在覆蓋膜上黏貼200張切割片一體型接著薄膜，捲成卷狀，使用晶圓安裝裝置MA-3000III(日東精機股份有限公司製造)進行晶圓貼合試驗。從10張切割片一體型接著薄膜剝離覆蓋膜，將在10張切割片一體型接著薄膜中全部成功剝離覆蓋膜的情況判定為○，將有1張以上未能剝離的情況判定為×。
(4)切割後的飛散狀況
在切割片一體型接著薄膜上，用晶圓安裝裝置(MA-3000III、日東精機股份有限公司製造)在60℃下以10mm/sec的速度貼合12英吋、500μm厚的鏡面晶圓。然後，用切割裝置(DFD6361、DISCO Corporation製造)切割成10mm×10mm的晶片尺寸(單切、刀片高度90μm、速度50mm/sec)。用SEM分析在晶片上是否附著有導電性成分。將導電性成分未附著在晶片上的情況判定為○，將導電性成分附著在晶片上的情況判定為×。
(5)第2主面3b的表面電阻值
使用Advantest Corporation製造的超高阻表TR-8601的超高電阻測定用試樣箱TR-42。在23±2℃、50±5%環境下將切割片一體型接著薄膜靜置2小時後，在該環境下對第2主面3b給予施加電壓500V，讀取自施加開始1分鐘後的數值。根據用施加電壓除以表面電流得到的數值求出 表面電阻值。
(6)黏著強度
將直徑5.0mm的探頭以25℃、加壓條件100gf、加壓時間1秒按壓於接著薄膜，測定探頭以測試速度120mm/min從接著薄膜離開時的荷重。
Figure 105116458-A0202-12-0033-2
1:切割晶片接合薄膜
13:覆蓋膜
71a、71b、71c、71m:切割片一體型接著薄膜

Claims (10)

  1. 一種切割晶片接合薄膜，其形成為卷狀，其包含：覆蓋膜，及配置在前述覆蓋膜上的切割片一體型接著薄膜，前述切割片一體型接著薄膜包含：切割片，前述切割片包含以第1面及與前述第1面相反側的第2面來定義兩面的基材層及與前述第1面接觸的黏合劑層；以及接著薄膜，前述接著薄膜以與前述黏合劑層接觸的第1主面及與前述第1主面相反側的第2主面來定義兩面，前述第2面的表面電阻值為1.0×1011Ω/sq.以下，前述第2主面的表面電阻值為1.0×1012Ω/sq.以上且1.0×1017Ω/sq.以下。
  2. 如請求項1的切割晶片接合薄膜，其中，前述基材層包含具有前述第1面的第1基材層及具有前述第2面的第2基材層，前述第2基材層包含導電性成分。
  3. 如請求項2的切割晶片接合薄膜，其中，前述第2基材層的厚度為1μm~30μm。
  4. 如請求項2的切割晶片接合薄膜，其中，前述導電性成分為有機系導電性成分。
  5. 如請求項2的切割晶片接合薄膜，其中，前述第2基材層另包含選自由聚乙烯、聚丙烯、乙烯乙酸乙烯酯共 聚物組成的群組中的1種以上的樹脂。
  6. 如請求項1的切割晶片接合薄膜，其中，前述切割片的斷裂伸長率為500%以上。
  7. 如請求項1的切割晶片接合薄膜，其中，前述接著薄膜包含：環氧樹脂或酚醛樹脂；以及丙烯酸類樹脂，前述接著薄膜在25℃的黏著強度為0.2N以上且3.0N以下。
  8. 如請求項1的切割晶片接合薄膜，其中，前述覆蓋膜為聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜，前述覆蓋膜的厚度為20μm~75μm。
  9. 一種半導體裝置的製造方法，其包括下列步驟：準備如請求項1~8中任一項的切割晶片接合薄膜的步驟；將半導體晶圓壓接於前述切割片一體型接著薄膜的前述接著薄膜的步驟；在將前述半導體晶圓壓接於前述接著薄膜的步驟之後，藉由進行晶片分割而形成包含半導體晶片及配置在前述半導體晶片上的薄膜狀接著劑的晶片接合用晶片的步驟；及將前述晶片接合用晶片壓接於被黏物的步驟，將前述半導體晶圓壓接於前述接著薄膜的步驟包括從前述覆蓋膜剝離前述切割片一體型接著薄膜的步驟。
  10. 一種半導體裝置，其是藉由如請求項9的製造方法而得到的。
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