TW201740432A - 基板處理方法、基板處理裝置及電腦可讀取之記錄媒體 - Google Patents

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Abstract

一面控制光阻厚膜的形狀，一面去除***。晶圓(W)之處理方法，係包含有：第1工程，將塗佈液供給至晶圓(W)的表面(Wa)而形成塗佈膜；第2工程，從噴嘴(46)吐出有機溶劑而供給至塗佈膜的周緣部，溶解該周緣部中之凸起成凸狀的***部且整平至與塗佈膜中之其他部分相同程度的厚度；第3工程，在第2工程後，加熱塗佈膜而形成塗佈膜已固化的固化膜；及第4工程，從噴嘴(46)吐出有機溶劑而供給至前述固化膜的周緣部，溶解該周緣部而從基板上去除。

Description

基板處理方法、基板處理裝置及電腦可讀取之記錄媒體
本揭示，係關於基板處理方法、基板處理裝置及電腦可讀取之記錄媒體。
近年來，在MEMS(MicroElectro Mechanical Systems)等的製造時，為了將基板立體地進行加工，有時在基板之表面形成例如5μm~60μm左右之膜厚較厚的光阻膜(光阻厚膜)。作為光阻厚膜的材料，係例如可使用黏度高且難以在基板之表面流動的塗佈液(例如聚醯亞胺)。當對基板的表面滴下像這樣黏度高之塗佈液而進行旋轉塗佈時，在基板之周緣部會產生凸狀的凸起(所謂的***)而光阻厚膜變得特別厚，可能使光阻厚膜的面內均勻性降低。
因此，專利文獻1，係揭示一種如下述之基板處理方法，其包含有：對基板的表面滴下塗佈液而形成光阻厚膜的步驟；加熱光阻厚膜而固化的步驟；及將有機溶劑供給至已固化之光阻厚膜(固化膜)的周緣部而去除該周緣部的步驟。由於在加熱光阻厚膜而固化之際，光阻厚膜 內的溶媒會揮發，因此，固化膜，係與固化前相比，相對於有機溶劑的溶解性較高。因此，可輕易地將可能成為面內均勻性降低之要因之光阻厚膜的周緣部與***一起去除。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本特開平11-333355號公報
然而，由於光阻厚膜之周緣部的膜厚特別厚，因此，難以藉由有機溶劑僅去除光阻厚膜的周緣部。因此，存在有在周緣部的去除後之光阻厚膜之端面崩壞的可能性，且難以控制光阻厚膜的形狀。
因此，本揭示，係說明可一面控制光阻厚膜的形狀，一面去除***之基板處理方法、基板處理裝置及電腦可讀取之記錄媒體。
本揭示之一觀點之基板處理方法，係包含有：第1工程，將塗佈液供給至基板的表面而形成塗佈膜；第2工程，從第1噴嘴吐出第1有機溶劑而供給至塗 佈膜的周緣部，溶解該周緣部中之凸起成凸狀的***部且整平至與塗佈膜中之其他部分相同程度的厚度；第3工程，在第2工程後，加熱塗佈膜而形成塗佈膜已固化的固化膜；及第4工程，從第2噴嘴吐出第2有機溶劑而供給至固化膜的周緣部，溶解該周緣部而從基板上去除。
本揭示之一觀點之基板處理方法，係在第2工程中，從第1噴嘴吐出第1有機溶劑而供給至塗佈膜的周緣部，其後，在第3及第4工程中，進行加熱所致之塗佈膜的固化及第2有機溶劑朝固化膜之周緣部的供給。固化前的塗佈膜(未固化膜)，係與固化後的塗佈膜(固化膜)相比，有難以溶解於有機溶劑的傾向。因此，藉由在第2工程所供給的第1有機溶劑，並非去除所有未固化膜的周緣部而是特別去除該周緣部中之***部。如此一來，在第3及第4工程之前，藉由從塗佈膜預先去除***部的方式，使塗佈膜之周緣部的厚度成為與其他區域相同程度。因此，在接下來的第4工程中，固化膜之周緣部的去除變得容易，而在周緣部的去除後之固化膜的端面則變得難以崩壞。其結果，可一面控制光阻厚膜的形狀，一面去除***。
然而，塗佈膜的周緣部之***部，係具有預定的寬度。因此，當藉由有機溶劑將所有周緣部與***部一起去除時，則可能浪費塗佈液而導致成本增加，並且可能使基板中之可製造電子元件等的區域變得狹窄而造成生產率降低。然而，本揭示之一觀點之基板處理方法，係在 第2工程中，去除***部。因此，不需為了去除***部，而去除所有周緣部。因此，在基板的表面形成塗佈膜(固化膜)時，可實現成本的降低及生產率的提升。
第1有機溶劑中之相對於塗佈膜及固化膜之構成成分的溶解性，係亦可與第2有機溶劑中之相對於塗佈膜及固化膜之構成成分的溶解性相同或比其更高。在該情況下，藉由第1有機溶劑，可有效果地溶解比固化膜更難以溶解於有機溶劑的未固化膜。
第4工程，係亦可在使第2噴嘴之吐出口成為相對於基板之表面而垂直向下的狀態下，從第2噴嘴吐出第2有機溶劑，或在使第2噴嘴之吐出口從基板之中心部朝向周緣部而往斜下方傾斜的狀態下，從第2噴嘴吐出第2有機溶劑。在該情況下，供給至固化膜之周緣部的第2有機溶劑變得難以朝向基板的中心部濺起。因此，變得容易確保塗佈膜之面內均勻性。
第2工程，係亦可包含有：一面從第1噴嘴吐出第1有機溶劑，一面以第1速度，使第1噴嘴從基板之周緣朝向比該周緣更中心部側的位置移動；及一面從第1噴嘴吐出第1有機溶劑，一面以比第1速度慢的第2速度，使第1噴嘴從該位置朝向基板的周緣移動。在一面從第1噴嘴吐出第1有機溶劑，一面使第1噴嘴從基板之周緣朝向比該周緣更中心部側的位置移動時，與在該位置開始第1有機溶劑的吐出時相比，第1有機溶劑變得更難以往周圍濺起。在一面從第1噴嘴吐出第1有機溶劑，一面 使第1噴嘴從該位置朝向基板的周緣移動時，與在停留於預定部位的狀態下吐出第2有機溶劑時相比，更難以產生如導致特別大部分地去除預定部位的情形，且變得容易確保塗佈膜之面內均勻性。藉由使第1噴嘴朝向基板的周緣移動之際之第2速度比第1速度慢的方式，可在第1有機溶劑難以流向基板之中心部的狀態下，促進***部的去除。
本揭示之其他觀點之基板處理裝置，係具備有：塗佈液供給部，構成為將塗佈液供給至基板的表面；溶劑供給部，構成為將第1及第2有機溶劑供給至基板的表面；加熱部，構成為加熱基板；及控制部，溶劑供給部，係具有：第1噴嘴，可吐出第1有機溶劑；及第2噴嘴，可吐出第2有機溶劑，控制部，係執行：第1處理，藉由控制塗佈液供給部的方式，使塗佈液供給至基板的表面而形成塗佈膜；第2處理，藉由控制溶劑供給部的方式，使第1有機溶劑從第1噴嘴吐出而供給至塗佈膜的周緣部，溶解該周緣部中之凸起成凸狀的***部且整平至與塗佈膜中之其他部分相同程度的厚度；第3處理，在第2處理後，藉由控制加熱部的方式，使塗佈膜加熱而形成塗佈膜已固化的固化膜；及第4處理，藉由控制溶劑供給部的方式，使第2有機溶劑從第2噴嘴吐出而供給至固化膜的周緣部，溶解該周緣部而從基板上去除。
本揭示之其他觀點之基板處理裝置，係在第2處理中，使第1有機溶劑從第1噴嘴吐出而供給至塗佈膜 的周緣部，其後，在第3及第4處理中，進行加熱所致之塗佈膜的固化及第2有機溶劑朝固化膜之周緣部的供給。固化前的塗佈膜(未固化膜)，係與固化後的塗佈膜(固化膜)相比，有難以溶解於有機溶劑的傾向。因此，藉由在第2工程所供給的第1有機溶劑，並非去除所有固化前之塗佈膜的周緣部而是特別去除該周緣部中之***部。如此一來，在第3及第4處理之前，藉由從塗佈膜預先去除***部的方式，使塗佈膜之周緣部的厚度成為與其他區域相同程度。因此，在接下來的第4處理中，固化膜之周緣部的去除變得容易，而在周緣部的去除後之固化膜的端面則變得難以崩壞。其結果，可一面控制光阻厚膜的形狀，一面去除***。
然而，塗佈膜的周緣部之***部，係具有預定的寬度。因此，當藉由有機溶劑將所有周緣部與***部一起去除時，則可能浪費塗佈液而導致成本增加，並且可能使基板中之可製造電子元件等的區域變得狹窄而造成生產率降低。然而，本揭示之其他觀點之基板處理裝置，係在第2處理中，去除***部。因此，不需為了去除***部，而去除所有周緣部。因此，在基板的表面形成塗佈膜(固化膜)時，可實現成本的降低及生產率的提升。
第1有機溶劑中之相對於塗佈膜及固化膜之構成成分的溶解性，係亦可與第2有機溶劑中之相對於塗佈膜及固化膜之構成成分的溶解性相同或比其更高。在該情況下，藉由第1有機溶劑，可有效果地溶解比固化膜更 難以溶解於有機溶劑之固化前的塗佈膜。
控制部，係亦可在第4處理中，在使第2噴嘴之吐出口成為相對於基板之表面而垂直向下的狀態下，使第2有機溶劑從第2噴嘴吐出，或在使第2噴嘴之吐出口從基板之中心部朝向周緣部而往斜下方傾斜的狀態下，使第2有機溶劑從第2噴嘴吐出。在該情況下，供給至固化膜之周緣部的第2有機溶劑變得難以朝向基板的中心部濺起。因此，變得容易確保塗佈膜之面內均勻性。
控制部，係亦可在第2處理中，執行：一面從第1噴嘴使第1有機溶劑吐出，一面以第1速度，使第1噴嘴從基板之周緣朝向比該周緣更中心部側的位置移動；及一面使第1有機溶劑從第1噴嘴吐出，一面以比第1速度慢的第2速度，使第1噴嘴從該位置朝向基板的周緣移動。在一面從第1噴嘴吐出第1有機溶劑，一面使第1噴嘴從基板之周緣朝向比該周緣更中心部側的位置移動時，與在該位置開始第1有機溶劑的吐出時相比，第1有機溶劑變得更難以往周圍濺起。在一面從第1噴嘴吐出第1有機溶劑，一面使第1噴嘴從該位置朝向基板的周緣移動時，與在停留於預定部位的狀態下吐出第2有機溶劑時相比，更難以產生如導致特別大部分地去除預定部位的情形，且變得容易確保塗佈膜之面內均勻性。藉由使第1噴嘴朝向基板的周緣移動之際之第2速度比第1速度慢的方式，可在第1有機溶劑難以流向基板之中心部的狀態下，促進***部的去除。
本發明之其他觀點之電腦可讀取之記錄媒體，係記錄有用以使基板處理裝置執行上述之基板處理方法的程式。本揭示之其他觀點之電腦可讀取之記錄媒體，係與上述的基板處理方法相同地，可一面控制光阻厚膜的形狀，一面去除***。在本說明書中，在電腦可讀取之記錄媒體，係包含有：非暫態的有形媒體(non-transitory computer recording medium)(例如，各種主記憶體裝置或輔助記憶體)或傳輸信號(transitory computer recording medium)(例如，可經由網路而提供的資料信號)。
根據本揭示之基板處理方法、基板處理裝置及電腦可讀取之記錄媒體，可一面控制光阻厚膜的形狀，一面去除***。
1‧‧‧基板處理系統(基板處理裝置)
2‧‧‧塗佈顯像裝置(基板處理裝置)
10‧‧‧控制器(控制部)
20‧‧‧旋轉保持部
30‧‧‧塗佈液供給部
40‧‧‧溶劑供給部
46‧‧‧噴嘴(第1及第2噴嘴)
R‧‧‧光阻膜
RM‧‧‧記錄媒體
U1‧‧‧塗佈單元
U2‧‧‧熱處理單元(加熱部)
W‧‧‧晶圓(基板)
[圖1]圖1，係表示基板處理系統的立體圖。
[圖2]圖2，係圖1的II-II線剖面圖。
[圖3]圖3，係圖2的III-III線剖面圖。
[圖4]圖4，係表示塗佈單元的示意圖。
[圖5]圖5，係表示基板處理系統的方塊圖。
[圖6]圖6，係表示控制器之硬體構成的概略圖。
[圖7]圖7，係表示有機溶劑之滴落試驗之結果的 圖。
[圖8]圖8，係用以說明光阻膜之形成順序的流程圖。
[圖9]圖9，係用以說明光阻膜之形成順序的示意圖。
[圖10]圖10，係用以說明光阻膜之形成順序的示意圖。
由於以下所說明之本揭示之實施形態，係用以說明本發明的例示，因此，本發明，係不應限定於以下內容。在以下的說明中，對同一要素或具有同一功能的要素使用同一符號，並省略重複說明。
[基板處理系統]
如圖1所示，基板處理系統1(基板處理裝置)，係具備有塗佈顯像裝置2(基板處理裝置)、曝光裝置3及控制器10(控制部)。曝光裝置3，係進行形成於晶圓W(基板)的表面Wa(參閱圖4)之感光性光阻膜的曝光處理(圖案曝光)。具體而言，係藉由浸液曝光等的方法，對感光性光阻膜(感光性被膜)的曝光對象部分選擇性地照射能量線。作為能量線，係可列舉出例如ArF準分子雷射、KrF準分子雷射、g線、i線或極端紫外線(EUV：Extreme Ultraviolet)。
塗佈顯像裝置2，係在曝光裝置3所致之曝光處理之前，進行在晶圓W的表面Wa形成感光性光阻膜或非感光性光阻膜(以下，合併稱為「光阻膜R」(參閱圖4))的處理。塗佈顯像裝置2，係在曝光裝置3所致之感光性光阻膜的曝光處理後，進行該感光性光阻膜的顯像處理。晶圓W，係亦可呈現圓板狀，或亦可圓形之一部分缺角，或呈現多角形等圓形以外的形狀。晶圓W，係例如亦可為半導體基板、玻璃基板、遮罩基板、FPD(Flat Panel Display)基板其他的各種基板。晶圓W的直徑，係例如亦可為200mm~450mm左右。
如圖1~圖3所示，塗佈顯像裝置2，係具備有載體區塊4、處理區塊5及介面區塊6。載體區塊4、處理區塊5及介面區塊6，係排列於水平方向。
載體區塊4，係如圖1及圖3所示，具有載體站12與搬入搬出部13。載體站12，係支撐複數個載體11。載體11，係以密封狀態收容至少1個晶圓W。在載體11的側面11a，係設置有用以取出放入晶圓W的開關門(未圖示)。載體11，係以使側面11a面對搬入搬出部13側的方式，裝卸自如地設置於載體站12上。
搬入搬出部13，係位於載體站12及處理區塊5之間。搬入搬出部13，係具有複數個開關門13a。在載體11被載置於載體站12上之際，係成為載體11之開關門面對開關門13a的狀態。以同時開放開關門13a及側面11a之開關門的方式，載體11內與搬入搬出部13內便連 通。搬入搬出部13，係內建有收授臂A1。收授臂A1，係從載體11取出晶圓W而傳遞至處理區塊5，且從處理區塊5接收晶圓W而返回到載體11內。
處理區塊5，係如圖1及圖2所示，具有BCT模組14、HMCT模組15、COT模組16及DEV模組17。BCT模組14，係下層膜形成模組。HMCT模組15，係中間膜(硬遮罩)形成模組。COT模組16，係光阻膜形成模組。DEV模組17，係顯像處理模組。該些模組，係從地面側，依DEV模組17、BCT模組14、HMCT模組15、COT模組16的順序排列。
BCT模組14，係構成為在晶圓W的表面Wa上形成下層膜。BCT模組14，係內建有：複數個塗佈單元(未圖示)；複數個熱處理單元(未圖示)；及搬送臂A2，將晶圓W搬送至該些單元(參閱圖2)。塗佈單元，係構成為將下層膜形成用之塗佈液塗佈於晶圓W的表面Wa而形成塗佈膜。熱處理單元，係構成為藉由例如熱板來加熱晶圓W，且藉由例如冷卻板來冷卻加熱後的晶圓W而進行熱處理。作為在BCT模組14所進行之熱處理的具體例，係可列舉出用以使塗佈膜硬化而成為下層膜的加熱處理。作為下層膜，係例如可列舉出反射防止(SiARC)膜。
HMCT模組15，係構成為在下層膜上形成中間膜。HMCT模組15，係內建有：複數個塗佈單元(未圖示)；複數個熱處理單元(未圖示)；及搬送臂A3，將晶圓W搬送至該些單元(參閱圖2)。塗佈單元，係構成為將中 間膜形成用之塗佈液塗佈於晶圓W的表面Wa而形成塗佈膜。熱處理單元，係構成為藉由例如熱板來加熱晶圓W，且藉由例如冷卻板來冷卻加熱後的晶圓W而進行熱處理。作為在HMCT模組15所進行之熱處理的具體例，係可列舉出用以使塗佈膜硬化而成為中間膜的加熱處理。作為中間膜，係例如可列舉出SOC(Spin On Carbon)膜、非晶質碳膜。
COT模組16，係構成為在中間膜上形成具有熱硬化性的光阻膜R。COT模組16，係如圖2及圖3所示，內建有：複數個塗佈單元U1；複數個熱處理單元U2(加熱部)；及搬送臂A4，將晶圓W搬送至該些單元。塗佈單元U1，係構成為在中間膜上塗佈光阻膜形成用之處理液(光阻劑)而形成塗佈膜。關於詳細之塗佈單元U1，係如後述。熱處理單元U2，係構成為藉由例如熱板來加熱晶圓W，並藉由例如冷卻板來冷卻加熱後的晶圓W而進行熱處理。作為在COT模組16所進行之熱處理的具體例，係可列舉出用以使塗佈膜硬化而成為光阻膜R的加熱處理(PAB：Pre Applied Bake)。
DEV模組17，係構成為進行已曝光之感光性光阻膜的顯像處理。DEV模組17，係內藏有：複數個顯像單元(未圖示)；複數個熱處理單元(未圖示)；搬送臂A5，將晶圓W搬送至該些單元；及直接搬送臂A6，不經由該些單元而搬送晶圓W。顯像單元，係構成為部分地去除感光性光阻膜而形成光阻圖案。熱處理單元，係構成為 藉由例如熱板來加熱晶圓W，且藉由例如冷卻板來冷卻加熱後的晶圓W而進行熱處理。作為在DEV模組17所進行之熱處理的具體例，係可列舉出顯像處理前的加熱處理(PEB：Post Exposure Bake)、顯像處理後的加熱處理(PB：Post Bake)等。
在處理區塊5內的載體區塊4側，係如圖2及圖3所示，設置有棚架單元U10。棚架單元U10，係從地面遍及HMCT模組15而設置，且區隔成排列於上下方向的複數個單元。在棚架單元U10的附近，係設置有升降臂A7。升降臂A7，係使晶圓W在棚架單元U10的單元彼此之間升降。
在處理區塊5內的介面區塊6側，係設置有棚架單元U11。棚架單元U11，係從地面遍及DEV模組17的上部而設置，且區隔成排列於上下方向的複數個單元。
介面區塊6，係內建有收授臂A8，且連接於曝光裝置3。收授臂A8，係構成為將棚架單元U11的晶圓W取出而傳遞至曝光裝置3，且從曝光裝置3接收晶圓W而返回到棚架單元U11。
控制器10，係部分或全體地控制基板處理系統1。關於詳細之控制器10，係如後述。
[塗佈單元之構成]
接著，參閱圖4，更詳細地說明關於顯像塗佈單元 U1。塗佈單元U1，係如圖4所示，具備有旋轉保持部20、塗佈液供給部30及溶劑供給部40。
旋轉保持部20，係具有旋轉部21與保持部22。旋轉部21，係具有突出於上方的軸桿23。旋轉部21，係將例如電動馬達等作為動力源而使軸桿23旋轉。保持部22，係設置於軸桿23的前端部。在保持部22上，係配置有晶圓W。保持部22，係藉由例如吸附等來略水平地保持晶圓W。亦即，旋轉保持部20，係在晶圓W之姿勢為大致水平的狀態下，使晶圓W繞著垂直於晶圓W之表面Wa的軸(垂直軸)旋轉。在本實施形態中，由於旋轉軸，係通過呈現圓形狀之晶圓W的中心，因此，亦為中心軸。在本實施形態中，係如圖4所示，旋轉保持部20，係從上方觀之，逆時針地使晶圓W旋轉。
塗佈液供給部30，係構成為將塗佈液供給至晶圓W的表面Wa。塗佈液供給部30，係具有塗佈液源31、泵32、閥33、噴嘴34及配管35。塗佈液源31，係具有塗佈液L1之供給源的功能。作為塗佈液源31所儲存的塗佈液L1，係例如可列舉出成為感光性光阻膜的感光性光阻材料、成為非感光性光阻膜的非感光性光阻材料等。為了形成例如5μm~60μm左右之膜厚較厚的光阻膜R，而亦可使用黏度高至例如1000cP以上且難以在晶圓W之表面Wa流動的材料(例如，聚醯亞胺)作為該些光阻材料的一種。
泵32，係從塗佈液源31吸引塗佈液L1，經 由配管35及閥22而送出至噴嘴34。噴嘴34，係以吐出口朝向晶圓W之表面Wa的方式，配置於晶圓W的上方。噴嘴34，係構成為可藉由未圖示的驅動部，在水平方向及上下方向移動。具體而言，噴嘴24，係在吐出塗佈液L1之際，沿著晶圓W的徑方向，在垂直於晶圓W之旋轉軸的直線狀上移動。噴嘴34，係在使晶圓W保持於保持部22之際，上升至遠離保持部22的離間位置，在晶圓W被保持於保持部22且吐出塗佈液之際，下降至接近晶圓W(保持部22)的接近位置。噴嘴34，係可將從泵32所送出的塗佈液L1吐出至晶圓W的表面Wa。配管35，係從上游側依序連接塗佈液源31、泵32、閥33及噴嘴34。
溶劑供給部40，係構成為將一種類或二種類以上之有機溶劑(第1及第2有機溶劑)供給至晶圓W的表面Wa。塗佈液供給部30，係在本實施形態中，具有溶劑源41，42、泵43，44、閥45、噴嘴46及配管47~49。溶劑源41，42，係具有有機溶劑之供給源的功能。作為溶劑源41，42所儲存的有機溶劑，雖係可使用各種稀釋劑，但例如可列舉出混合了丙二醇單甲醚(PGME)70質量%及丙二醇甲醚醋酸酯(PGMEA)30質量%的稀釋劑(OK73稀釋劑：東京應化工業股份有限公司製造)、混合了丙二醇單甲醚(PGMEA)70質量%及環己酮(CHN)30質量%的稀釋劑(JSR股份有限公司製造)、混合了α-丁內酯95質量%及苯甲醚5質量%的稀釋劑、環己酮、丙酮C- 260(Merck KGaA公司製造)等。
溶劑源41，42，係皆亦可儲存相同的有機溶劑，或亦可儲存不同的有機溶劑。在溶劑源41，42儲存不同的有機溶劑時，儲存於溶劑源41的有機溶劑L2中之相對於塗佈液源31之塗佈液之構成成分的溶解性，係亦可與儲存於溶劑源42的有機溶劑L3中之相對於該塗佈液之構成成分的溶解性相同或比其更高。有機溶劑的溶解性，係亦可對形成於晶圓W之表面Wa的塗佈膜實際地實施滴下有機溶劑的滴下試驗，且根據塗佈膜之溶解的容易度(表示塗佈膜之每單位時間的溶解量)進行評估。抑或，有機溶劑的溶解性，係除了上述的溶解度以外，亦可綜合地考慮有機溶劑之易滲透度(有機溶劑溶解了塗佈膜時的端面是否光滑)及有機溶劑之易擴展度(有機溶劑溶解了塗佈膜時的溶解面積)而進行評估。
在此，以下述的3個有機溶劑A，B，C為例，說明滴下試驗及溶解性之評估手法的概要。
有機溶劑A：以預定比例混合了環己酮與正丁酯的稀釋劑
有機溶劑B：環己酮
有機溶劑C：以預定比例混合了PGME與OK73稀釋劑的稀釋劑
具體而言，係首先將塗佈液源31之塗佈液L1(非感光性聚醯亞胺溶液)從噴嘴34供給至晶圓W的表面Wa，在晶圓W的表面Wa形成了塗佈膜(非感光性聚醯 亞胺膜)。塗佈膜的厚度，係60μm。其次，對塗佈膜(加熱所致之固化前之未固化膜)中之分別不同的部位，分別滴下有機溶劑A，B，C各1滴(10ml)。其後，分別觀察相對於塗佈液L1之構成成分的溶解度、易滲透度、易擴展度。另外，圖7(a)，係表示對塗佈膜滴下有機溶劑A後之態樣的示意圖；圖7(b)，係表示對塗佈膜滴下有機溶劑B後之態樣的示意圖；圖7(c)，係表示對塗佈膜滴下有機溶劑C後之態樣的示意圖。
以上之滴下試驗的結果，有機溶劑A，係立即溶解了塗佈膜，相對於此，有機溶劑C，係需要時間來溶解塗佈膜。因此，相對於塗佈液L1之構成成分的溶解度，係依照有機溶劑A、有機溶劑B、有機溶劑C的順序變大(溶解度：有機溶劑A>有機溶劑B>有機溶劑C)。有機溶劑B溶解了塗佈膜時的端面，係極光滑(參閱圖7(b))，相對於此，在有機溶劑B溶解了塗佈膜時的端面，係產生有多數個凹凸(參閱圖7(c))。因此，相對於塗佈液L1之構成成分的易滲透度，係依照有機溶劑C、有機溶劑A、有機溶劑B的順序變高(易滲透度：有機溶劑C>有機溶劑A>有機溶劑B)。滴下了有機溶劑A時，產生於塗佈膜之孔的徑，係約52.2mm(參閱圖7(a))，滴下了有機溶劑B時，產生於塗佈膜之孔的徑，係約27.4mm(參閱圖7(b))，滴下了有機溶劑C時，產生於塗佈膜之孔的徑，係約42.4mm(參閱圖7(c))。因此，相對於塗佈液L1之構成成分的易擴展度，係依照有機溶劑A、有機溶劑 C、有機溶劑B的順序變高(易滲透度：有機溶劑A>有機溶劑C>有機溶劑B)。藉由以上，從僅溶解度的觀點來看，相對於塗佈液L1之構成成分的溶解性，係有機溶劑A最高且有機溶劑C最低。另一方面，當綜合地考慮相對於塗佈液L1之構成成分的溶解度、易滲透度及易擴展度時，相對於塗佈液L1之構成成分的溶解性，係有機溶劑B最高且有機溶劑C最低。
返回到圖4，泵43，係從溶劑源41吸引有機溶劑L2，經由配管47、閥45及配管49而送出至噴嘴46。泵44，係從溶劑源42吸引有機溶劑L3，經由配管48、閥45及配管49而送出至噴嘴46。閥45，係所謂的混合閥(2流體混合閥)，其構成為可混合從泵43，44所送出的各有機溶劑L2，L3。
噴嘴46，係以吐出口朝向晶圓W之表面Wa的方式，配置於晶圓W的上方。噴嘴46，係構成為可藉由未圖示的驅動部，在水平方向及上下方向移動。具體而言，噴嘴46，係在吐出塗佈液之際，沿著晶圓W的徑方向，在垂直於晶圓W之旋轉軸的直線狀上移動。噴嘴46，係在使晶圓W保持於保持部22之際，上升至遠離保持部22的離間位置，在晶圓W被保持於保持部22且吐出塗佈液之際，下降至接近晶圓W(保持部22)的接近位置。噴嘴46，係可將在閥45混合了有機溶劑L2，L3的混合液或從泵43，44之一方所送出的有機溶劑L2或有機溶劑L3吐出至晶圓W的表面Wa。另外，有機溶劑L2， L3，係亦可通過物理上分離的配管，從物理上相異之各別的噴嘴吐出。
配管47，係從上游側依序連接溶劑源41、泵43、及閥45。配管48，係從上游側依序連接溶劑源42、泵44、及閥45。配管49，係從上游側依序連接閥45及噴嘴46。
[控制器之構成]
控制器10，係如圖5所示，作為功能模組，具有讀取部M1、記憶部M2、處理部M3及指示部M4。為了方便起見，該些功能模組只不過是將控制器10的功能區割成複數個模組者，並非意味著將構成控制器10之硬體分成像這樣的模組。各功能模組，係不限於藉由程式的執行而實現者，亦可為藉由專用之電路(例如邏輯電路)或將該些集成而得到的集成電路(ASIC：Application Specific Integrated Circuit)而實現者。
讀取部M1，係從電腦可讀取之記錄媒體RM讀取程式。記錄媒體RM，係記錄有用以使基板處理系統1之各部動作的程式。作為記錄媒體RM，係例如亦可為半導體記憶體、光記錄碟片、磁記錄碟片、磁光記錄片。
記憶部M2，係記憶有各種資料。記憶部M2，係例如除了在讀取部M1中從記錄媒體RM所讀取到的程式以外，例如另記憶有將塗佈液L1及有機溶劑L2，L3供給至晶圓W之際的各種資料(所謂的處理配方)、經 由外部輸入裝置(未圖示)而由操作員輸入的設定資料等。
處理部M3，係處理各種資料。處理部M3，係例根據記憶於記憶部M2的各種資料，生成用以使塗佈單元U1(例如，旋轉保持部20、泵32，43，44、閥33，45、噴嘴34，46等)及熱處理單元U2動作的信號。
指示部M4，係將在處理部M3所生成的信號發送至塗佈單元U1(例如，旋轉保持部20、泵32，43，44、閥33，45、噴嘴34，46等)或熱處理單元U2。
控制器10之硬體，係藉由例如1個或複數個控制用之電腦所構成。控制器10，係作為硬體上之構成，具有例如圖6所示的電路10A。電路10A，係亦可由電路要素(circuitry)而構成。電路10A，係具體而言，具有處理器10B、記憶體10C、儲存器10D、驅動器10E及輸出入埠10F。處理器10B，係與記憶體10C及儲存器10D的至少一方協同而執行程式，且執行經由了輸出入埠10F之信號的輸出入，藉此，構成上述的各功能模組。驅動器10E，係分別驅動基板處理系統1之各種裝置的電路。輸出入埠10F，係在驅動器10E與基板處理系統1的各種裝置(例如，旋轉保持部20、泵32，43，44、閥33，45、噴嘴34，46等)之間，進行信號的輸出入。
在本實施形態中，基板處理系統1，雖係具備有1個控制器10，但亦可具備有由複數個控制器10所構成的控制器群(控制部)。在基板處理系統1具備有控制器群時，係亦可藉由1個控制器10而分別實現上述的功能 模組，或亦可藉由2個以上之控制器10的組合而實現。在控制器10由複數個電腦(電路10A)所構成時，係亦可藉由1個電腦(電路10A)而分別實現上述的功能模組，或亦可藉由2個以上之電腦(電路10A)的組合而實現。控制器10，係亦可具有複數個處理器10B。在該情況下，亦可藉由1個處理器10B而分別實現上述的功能模組，或亦可藉由2個以上之處理器10B的組合而實現。
[晶圓之處理方法]
接著，參閱圖8~圖10，說明關於將塗佈液及有機溶劑供給至晶圓W而處理晶圓W的方法(基板處理方法)。首先，控制器10，係控制基板處理系統1的各部，將晶圓W從載體11搬送至塗佈單元U1(步驟S11)。其次，控制器10，係控制旋轉保持部20，使晶圓W保持於保持部22，並且以預定旋轉數使晶圓W旋轉。
在該狀態下，控制器10，係控制泵32、閥33及噴嘴34(更詳細而言，係驅動噴嘴34的驅動部。)，從噴嘴34對晶圓W的表面Wa吐出塗佈液L1，在晶圓W的表面Wa形成塗佈膜F1(未固化膜)(步驟S12：第1工程；第1處理；參閱圖9(a))。此時，為了形成例如5μm~60μm左右之膜厚較厚的光阻膜R，而使用了黏度高至例如1000cP以上且難以在晶圓W之表面Wa流動的塗佈液L1時，在晶圓W之表面Wa的周緣部會產生凸狀的凸起(所謂的***)而塗佈膜F1變得特別厚(參閱圖9(b))。
因此，控制器10，係控制泵43、閥45及噴嘴46(更詳細而言，係驅動噴嘴46的驅動部。以下相同)，從噴嘴46對晶圓W的周緣部(塗佈膜F1之周緣部)吐出有機溶劑L2，溶解塗佈膜F1之周緣部(***部)(步驟S13：第2工程；第2處理；參閱圖9(b))。此時，噴嘴46的姿勢，係亦可為噴嘴46之吐出口相對於晶圓W之表面Wa而垂直向下，或亦可為噴嘴46之吐出口從晶圓W之中心部朝向周緣部而往斜下方傾斜的狀態。在該情況下，供給至塗佈膜F1之周緣部的有機溶劑L2變得難以朝向晶圓W的中心部濺起。因此，作為晶圓W之處理的結果，變得容易確保所形成之光阻膜R的面內均勻性。
在藉由有機溶劑L2溶解塗佈膜F1之周緣部(***部)的處理中，控制器10，係首先控制噴嘴46，一面使有機溶劑L2從噴嘴46吐出，一面使噴嘴46以預定的第1速度從晶圓W之周緣朝向比該周緣更中心部側的位置移動。在該情況下，與在晶圓W之中心部側的該位置開始有機溶劑L2的吐出時相比，有機溶劑L2變得更難以往周圍濺起。晶圓W之中心部側的該位置，係相當於***部之內緣的位置，例如亦可為從晶圓W之周緣往中心部側距2mm的位置。第1速度，係亦可為例如150mm/秒左右。另外，此時，亦可同時地從晶圓W之背面側將有機溶劑L2供給至晶圓W之周緣部(亦可進行所謂的背面沖洗)。在該情況下，可抑制塗佈膜F1之溶解殘渣等附著於晶圓W的背面側。因此，在晶圓W的搬送時，晶圓 W之搬送機構變得難以被該殘渣等污染。
其後，控制器10，係控制噴嘴46，一面使有機溶劑L2從噴嘴46吐出，一面使噴嘴46以第2速度從晶圓W之中心部側的上述位置朝向晶圓W的周緣移動。在該情下，與在停留於預定部位的狀態下吐出有機溶劑L2時相比，更難以產生如導致特別大部分地去除預定部位的情形，且變得容易確保塗佈膜F1之面內均勻性。第2速度，係亦可比第1速度慢，例如亦可為1mm/sec左右。在該情況下，可在有機溶劑L2難以流向晶圓W之中心部的狀態下，促進***部的去除。
控制器10，係亦可控制噴嘴46，使噴嘴46間歇地從晶圓W之中心部側的上述位置朝向晶圓W的周緣移動。具體而言，控制器10，係亦可控制噴嘴46，一面使有機溶劑L2從噴嘴46吐出，一面依序執行如下述：使噴嘴46在從晶圓W之周緣往中心部側距2mm的位置靜止30秒；使噴嘴46以1mm/秒左右的速度移動至從晶圓W之周緣往中心部側距1.9mm的第2位置；使噴嘴46在該第2位置靜止20秒；使噴嘴46以1mm/秒左右的速度移動至從晶圓W之周緣往中心部側距1.8mm的第3位置；使噴嘴46在該第3位置靜止10秒；使噴嘴46以1mm/秒左右的速度移動至從晶圓W之周緣往中心部側距1.5mm的第4位置； 使噴嘴46在該第4位置靜止10秒；及使噴嘴46以2mm/秒左右之速度移動至晶圓W之周緣的外方。
其次，控制器10，係控制旋轉保持部20，使晶圓W在短時間內高速旋轉(所謂短暫旋轉)(步驟S14)。例如，晶圓W，係以3500rpm旋轉0.5秒。藉此，可將殘留於塗佈膜F1之表面的有機溶劑L2及藉由有機溶劑L2而溶解的殘渣從塗佈膜F1的表面排出。
其次，控制器10，係控制基板處理系統1的各部，將晶圓W從塗佈單元U1搬送至熱處理單元U2(步驟S15)。其次，控制器10，係控制熱處理單元U2，將晶圓W與塗佈膜F1一起加熱，形成塗佈膜已固化的固化膜F2(步驟S16；第3工程；第3處理)。此時，亦可以預定溫度(例如120℃左右)進行加熱處理一預定時間(180秒左右)。抑或，亦可進行首先以第1溫度(例如70℃左右)進行第1加熱處理(預備加熱)一預定時間(120秒左右)，且以第2溫度(例如120℃左右)進行第2加熱處理(正式加熱)一預定時間(180秒左右)這樣的間歇加熱處理。
其次，控制器10，係控制基板處理系統1的各部，將晶圓W從熱處理單元U2搬送至塗佈單元U1(步驟S17)。其次，控制器10，係控制旋轉保持部20，使晶圓W保持於保持部22，並且以預定旋轉數使晶圓W旋轉。
其次，控制器10，係控制泵43、閥45及噴 嘴46，從噴嘴46對晶圓W的周緣部(固化膜F2之周緣部)吐出有機溶劑L3，溶解固化膜F2之周緣部(***部)(步驟S18：第4工程；第4處理；參閱圖10(a))。此時，噴嘴46的姿勢，係亦可為噴嘴46之吐出口相對於晶圓W之表面Wa而垂直向下，或亦可為噴嘴46之吐出口從晶圓W之中心部朝向周緣部而往斜下方傾斜的狀態。在該情況下，供給至固化膜F2之周緣部的有機溶劑L3變得難以朝向晶圓W的中心部濺起。因此，作為晶圓W之處理的結果，變得容易確保所形成之光阻膜R的面內均勻性。
在藉由有機溶劑L3溶解固化膜F2之周緣部(***部)的處理中，控制器10，係控制噴嘴46，一面使有機溶劑L3從噴嘴46吐出，一面使噴嘴46以預定的速度(例如5mm/秒左右)從晶圓W之周緣朝向比該周緣更中心部側的位置移動。晶圓W之中心部側的該位置，係相當於***部之內緣的位置，例如亦可為從晶圓W之周緣往中心部側距數mm的位置。另外，此時，亦可同時地從晶圓W之背面側將有機溶劑L3供給至晶圓之周緣部(亦可進行所謂的背面沖洗)。在該情況下，可抑制固化膜F2之溶解殘渣附著於晶圓W的背面側。因此，在晶圓W的搬送時，晶圓W之搬送機構變得難以被該殘渣等污染。
接著，控制器10，係控制噴嘴46，一面使有機溶劑L3從噴嘴46吐出，一面使噴嘴46在相當於***部之內緣的位置靜止預定時間(例如5秒左右)。其後，控 制器10，係控制噴嘴46，一面使有機溶劑L3從噴嘴46吐出，一面使噴嘴46以預定速度(例如5mm/秒左右)從晶圓W之中心部側的上述位置朝向晶圓W的周緣移動。藉此，固化膜F2之周緣部從晶圓W的表面Wa被去除(參閱圖10(b))。
藉由以上，晶圓W之處理結束，光阻膜R被形成於晶圓W的表面Wa(參閱圖10(b))。
如以上的本實施形態，係將有機溶劑L2從噴嘴46吐出而供給至塗佈膜F1的周緣部，其後，進行加熱所致之塗佈膜F1的固化及有機溶劑L3朝固化膜F2之周緣部的供給。固化前的塗佈膜F1(未固化膜)，係與固化後的塗佈膜(固化膜F2)相比，有難以溶解於有機溶劑的傾向。因此，藉由有機溶劑L2，並非去除所有塗佈膜F1(未固化膜)的周緣部而是特別去除該周緣部中之***部。如此一來，在固化膜F2的形成之前，藉由從塗佈膜F1預先去除***部的方式，使塗佈膜F1之周緣部的厚度成為與其他區域相同程度。因此，在接下來的步驟中，固化膜F2之周緣部的去除變得容易，而在周緣部的去除後之固化膜F2的端面則變得難以崩壞。其結果，可一面控制光阻厚膜的形狀，一面去除***。
然而，塗佈膜F1之周緣部的***部，係具有預定的寬度。因此，當藉由有機溶劑L2，L3將所有周緣部與***部一起去除時，則可能浪費塗佈液而導致成本增加，並且可能使晶圓W中之可製造電子元件等的區域變 得狹窄而造成生產率降低。然而，本實施形態，係去除塗佈膜F1(未固化膜)的***部。因此，不需為了去除***部，而去除所有周緣部。因此，在晶圓W的表面Wa形成光阻膜R時，可實現成本的降低及生產率的提升。
在本實施形態中，係儲存於溶劑源41的有機溶劑L2中之相對於塗佈液源31之塗佈液之構成成分的溶解性，係亦可與儲存於溶劑源42的有機溶劑L3中之相對於該塗佈液之構成成分的溶解性相同或比其更高。在該情況下，藉由有機溶劑L2，可有效果地溶解比固化膜F2更難以溶解於有機溶劑的塗佈膜F1(未固化膜)。
以上，雖詳細說明了本揭示之實施形態，但亦可在本發明之要旨的範圍內對上述實施形態加入各種變形。
10‧‧‧控制器
20‧‧‧旋轉保持部
21‧‧‧旋轉部
22‧‧‧保持部
23‧‧‧軸桿
30‧‧‧塗佈液供給部
31‧‧‧塗佈液源
32‧‧‧泵
33‧‧‧閥
34‧‧‧噴嘴
35、47、48、49‧‧‧配管
40‧‧‧溶劑供給部
41‧‧‧溶劑源
42‧‧‧溶劑源
43‧‧‧泵
44‧‧‧泵
45‧‧‧閥
46‧‧‧噴嘴
R‧‧‧光阻膜
W‧‧‧晶圓
L1‧‧‧塗佈液
L2‧‧‧有機溶劑
L3‧‧‧有機溶劑
U1‧‧‧塗佈單元
Wa‧‧‧表面

Claims (9)

  1. 一種基板處理方法，係包含有：第1工程，將塗佈液供給至基板的表面而形成塗佈膜；第2工程，從第1噴嘴吐出第1有機溶劑而供給至前述塗佈膜的周緣部，溶解該周緣部中之凸起成凸狀的***部且整平至與前述塗佈膜中之其他部分相同程度的厚度；第3工程，在前述第2工程後，加熱前述塗佈膜而形成前述塗佈膜已固化的固化膜；及第4工程，從第2噴嘴吐出第2有機溶劑而供給至前述固化膜的周緣部，溶解該周緣部而從前述基板上去除。
  2. 申請專利範圍第1項之基板處理方法，其中，前述第1有機溶劑中之相對於前述塗佈膜及前述固化膜之構成成分的溶解性，係與前述第2有機溶劑中之相對於前述塗佈膜及前述固化膜之構成成分的溶解性相同或比其更高。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之基板處理方法，其中，前述第4工程，係在使前述第2噴嘴之吐出口成為相對於前述基板之表面成為垂直向下的狀態下，從前述第2噴嘴吐出前述第2有機溶劑，或在使前述第2噴嘴之吐出口從前述基板之中心部朝向前述周緣部而往斜下方傾斜的狀態下，從前述第2噴嘴吐出前述第2有機溶劑。
  4. 如申請專利範圍第1或2項之基板處理方法，其中， 前述第2工程，係包含有：一面從前述第1噴嘴吐出前述第1有機溶劑，一面以第1速度，使前述第1噴嘴從前述基板之周緣朝向比該周緣更中心部側的位置移動；及一面從前述第1噴嘴吐出前述第1有機溶劑，一面以比前述第1速度慢的第2速度，使前述第1噴嘴從前述位置朝向前述基板的周緣移動。
  5. 一種基板處理裝置，係具備有：塗佈液供給部，構成為將塗佈液供給至基板的表面；溶劑供給部，構成為將第1及第2有機溶劑供給至前述基板的表面；加熱部，構成為加熱前述基板；及控制部，前述溶劑供給部，係具有：第1噴嘴，可吐出前述第1有機溶劑；及第2噴嘴，可吐出前述第2有機溶劑，前述控制部，係執行：第1處理，藉由控制前述塗佈液供給部的方式，使塗佈液供給至前述基板的表面而形成塗佈膜；第2處理，藉由控制前述溶劑供給部的方式，使前述第1有機溶劑從前述第1噴嘴吐出而供給至前述塗佈膜的周緣部，溶解該周緣部中之凸起成凸狀的***部且整平至與前述塗佈膜中之其他部分相同程度的厚度；第3處理，在前述第2處理後，藉由控制前述加熱部 的方式，使前述塗佈膜加熱而形成前述塗佈膜已固化的固化膜；及第4處理，藉由控制前述溶劑供給部的方式，使前述第2有機溶劑從前述第2噴嘴吐出而供給至前述固化膜的周緣部，溶解該周緣部而從前述基板上去除。
  6. 申請專利範圍第5項之基板處理裝置，其中，前述第1有機溶劑中之相對於前述塗佈膜及前述固化膜之構成成分的溶解性，係與前述第2有機溶劑中之相對於前述塗佈膜及前述固化膜之構成成分的溶解性相同或比其更高。
  7. 如申請專利範圍第5或6項之基板處理裝置，其中，前述控制部，係在前述第4工程中，在使前述第2噴嘴之吐出口成為相對於前述基板之表面而垂直向下的狀態下，使前述第2有機溶劑從前述第2噴嘴吐出，或在使前述第2噴嘴之吐出口從前述基板之中心部朝向前述周緣部而往斜下方傾斜的狀態下，使前述第2有機溶劑從前述第2噴嘴吐出。
  8. 如申請專利範圍第5或6項之基板處理裝置，其中，前述控制部，係在前述第2處理中，執行：一面使前述第1有機溶劑從前述第1噴嘴吐出，一面以第1速度，使前述第1噴嘴從前述基板之周緣朝向比該周緣更中心部側的位置移動；及 一面使前述第1有機溶劑從前述第1噴嘴吐出，一面以比前述第1速度慢的第2速度，使前述第1噴嘴從前述位置朝向前述基板的周緣移動。
  9. 一種電腦可讀取之記錄媒體，係記錄有用以使基板處理裝置執行如申請專利範圍第1~4項中任一項之基板處理方法的程式。
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7007869B2 (ja) * 2017-11-14 2022-01-25 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体
JP7008489B2 (ja) * 2017-12-05 2022-01-25 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
JP7085392B2 (ja) * 2018-04-11 2022-06-16 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体
TW202137839A (zh) * 2019-12-17 2021-10-01 日商東京威力科創股份有限公司 基板處理方法及基板處理裝置

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2528413B2 (ja) * 1992-02-03 1996-08-28 オリジン電気株式会社 不要塗膜の剥離方法及び装置
JP4105269B2 (ja) * 1997-01-31 2008-06-25 川崎マイクロエレクトロニクス株式会社 膜形成方法
JPH1116804A (ja) * 1997-06-19 1999-01-22 Sony Corp 液処理方法
JP3348842B2 (ja) * 2000-01-11 2002-11-20 日本電気株式会社 回転塗布膜の形成方法
CN101252030A (zh) * 2004-03-02 2008-08-27 气体产品与化学公司 用于制备含溶剂的低介电材料的组合物
JP2006080298A (ja) * 2004-09-09 2006-03-23 Fuji Photo Film Co Ltd フォトレジスト塗布方法
US7183181B2 (en) * 2004-09-27 2007-02-27 Lsi Logic Corporation Dynamic edge bead removal
JP2006253207A (ja) * 2005-03-08 2006-09-21 Sharp Corp 塗布膜形成方法，半導体装置の製造方法
JP4793927B2 (ja) * 2005-11-24 2011-10-12 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法及びその装置
JP5644192B2 (ja) * 2010-06-09 2014-12-24 住友電気工業株式会社 積層樹脂膜の形成方法及び半導体デバイスの製造方法
JP5807622B2 (ja) * 2012-07-03 2015-11-10 東京エレクトロン株式会社 塗布膜形成方法、塗布膜形成装置、基板処理装置及び記憶媒体
JP5988438B2 (ja) * 2012-08-02 2016-09-07 東京エレクトロン株式会社 塗布処理方法及び塗布処理装置
WO2015121947A1 (ja) * 2014-02-13 2015-08-20 三菱電機株式会社 レジスト等のウエハ周縁部からの溶解除去方法
TWI546376B (zh) * 2014-08-25 2016-08-21 柯伊珊 晶圓處理液及使用其移除並平坦晶圓邊緣塗佈薄膜及平坦化光阻表面的設備和方法
CN104391435B (zh) * 2014-12-12 2019-02-22 通富微电子股份有限公司 一种光阻胶边缘清洗装置及方法

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