JP7085392B2 - 基板処理装置、基板処理方法及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体 - Google Patents

Description

本開示は、基板処理装置、基板処理方法及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体に関する。

特許文献１は、金属を含むコーティング材の層（以下、「金属含有被膜」という。）を基板上に形成する基板処理方法を開示している。

特開２０１６－２９４９８号公報

本開示は、金属含有被膜の利用に伴う金属汚染を抑制することが可能な基板処理装置、基板処理方法及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体を説明する。

本開示の一つの観点に係る基板処理装置は、基板の表面に、金属を含有する被膜を形成するように構成された成膜部と、基板の周縁部の被膜を洗浄するように構成された被膜洗浄部と、制御部とを備える。制御部は、基板の表面に被膜を形成するように、成膜部を制御することと、基板の周縁部の第１の位置に、被膜を溶解する機能を有する第１の薬液を供給するように、被膜洗浄部を制御することと、第１の薬液により溶解した被膜が乾燥した後に、基板の周縁部の第２の位置であって、第１の位置よりも基板の周縁側である第２の位置に、被膜を溶解する機能を有する第２の薬液を供給するように、被膜洗浄部を制御することとを実行する。

本開示に係る基板処理装置、基板処理方法及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体によれば、金属含有被膜の利用に伴う金属汚染を抑制することが可能となる。

図１は、本実施形態に係る基板処理システムの概略構成を示す斜視図である。 図２は、図１のＩＩ－ＩＩ線断面図である。 図３は、図２のＩＩＩ－ＩＩＩ線断面図である。 図４は、保護膜形成用の液処理ユニットを示す模式図である。 図５は、成膜・被膜洗浄用の液処理ユニットを示す模式図である。 図６は、保護膜洗浄用の液処理ユニットを示す模式図である。 図７は、コントローラの機能的な構成を示すブロック図である。 図８は、コントローラのハードウェア構成を示すブロック図である。 図９は、基板処理手順を示すフローチャートである。 図１０は、保護膜形成手順を示すフローチャートである。 図１１は、保護膜形成中の液処理ユニットを示す模式図である。 図１２は、保護膜形成後のウエハ周縁部を示す模式図である。 図１３は、レジスト膜形成手順を示すフローチャートである。 図１４は、レジスト膜形成中の液処理ユニットを示す模式図である。 図１５は、レジスト膜形成中のウエハ周縁部を示す模式図である。 図１６は、保護膜洗浄手順を示すフローチャートである。 図１７は、保護膜洗浄中の液処理ユニットを示す模式図である。 図１８は、保護膜洗浄後のウエハ周縁部を示す模式図である。 図１９は、金属成分の残留量の比較結果を示すグラフである。 図２０は、保護膜の残渣数の比較結果を示すグラフである。 図２１は、金属成分の残留量の比較結果を示すグラフである。

以下に、本開示に係る実施形態の一例について、図面を参照しつつより詳細に説明する。以下の説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。

［基板処理システム］
図１に示されるように、基板処理システム１（基板処理装置）は、塗布現像装置２（基板処理装置）と、露光装置３と、コントローラ１０（制御部）とを備える。露光装置３は、ウエハＷ（基板）の表面に形成されたレジスト膜の露光処理（パターン露光）を行う。具体的には、液浸露光等の方法によりレジスト膜（感光性被膜）の露光対象部分に選択的にエネルギー線を照射する。エネルギー線としては、例えばＡｒＦエキシマレーザー、ＫｒＦエキシマレーザー、ｇ線、ｉ線、又は極端紫外線（ＥＵＶ：Extreme Ultraviolet）が挙げられる。

塗布現像装置２は、露光装置３による露光処理の前に、ウエハＷの表面にレジスト膜を形成する処理を行い、露光処理後にレジスト膜の現像処理を行う。ウエハＷは、円板状を呈してもよいし、円形の一部が切り欠かれていてもよいし、多角形など円形以外の形状を呈していてもよい。ウエハＷは、例えば、半導体基板、ガラス基板、マスク基板、ＦＰＤ（Flat Panel Display）基板その他の各種基板であってもよい。ウエハＷの直径は、例えば２００ｍｍ～４５０ｍｍ程度であってもよい。

図１～図３に示されるように、塗布現像装置２は、キャリアブロック４と、処理ブロック５と、インターフェースブロック６とを備える。キャリアブロック４、処理ブロック５及びインターフェースブロック６は、水平方向に並んでいる。

キャリアブロック４は、図１及び図３に示されるように、キャリアステーション１２と、搬入搬出部１３とを有する。キャリアステーション１２は複数のキャリア１１を支持する。キャリア１１は、少なくとも一つのウエハＷを密封状態で収容する。キャリア１１の側面１１ａには、ウエハＷを出し入れするための開閉扉（図示せず）が設けられている。キャリア１１は、側面１１ａが搬入搬出部１３側に面するように、キャリアステーション１２上に着脱自在に設置される。

搬入搬出部１３は、キャリアステーション１２及び処理ブロック５の間に位置している。搬入搬出部１３は、複数の開閉扉１３ａを有する。キャリアステーション１２上にキャリア１１が載置される際には、キャリア１１の開閉扉が開閉扉１３ａに面した状態とされる。開閉扉１３ａ及び側面１１ａの開閉扉を同時に開放することで、キャリア１１内と搬入搬出部１３内とが連通する。搬入搬出部１３は、搬送アームＡ１を内蔵している。搬送アームＡ１は、キャリア１１からウエハＷを取り出して処理ブロック５に渡し、処理ブロック５からウエハＷを受け取ってキャリア１１内に戻す。

処理ブロック５は、図１及び図２に示されるように、モジュール１４～１７を有する。これらのモジュールは、床面側からモジュール１７、モジュール１４、モジュール１５、モジュール１６の順に並んでいる。図２及び図３に示されるように、モジュール１４～１７は、それぞれ、複数の液処理ユニットＵ１と、複数の熱処理ユニットＵ２と、これらのユニットにウエハＷを搬送する搬送アームＡ２とを内蔵している。液処理ユニットＵ１は、処理液をウエハＷの表面に塗布して塗布膜を形成するように構成されている。熱処理ユニットＵ２は、例えば熱板及び冷却板を内蔵しており、熱板によりウエハＷを加熱し、加熱後のウエハＷを冷却板により冷却して熱処理を行うように構成されている。

モジュール１４は、ウエハＷの表面上に下層膜を形成するように構成されており、ＢＣＴモジュールとも呼ばれる。モジュール１４の液処理ユニットＵ１は、下層膜形成用の塗布液をウエハＷの表面に塗布するように構成されている。モジュール１４の熱処理ユニットＵ２は、塗布膜を硬化させて下層膜とするための加熱処理を行うように構成されている。下層膜としては、例えば、反射防止（ＳｉＡＲＣ）膜が挙げられる。ただし、図面においては下層膜の図示を省略する。

モジュール１５は、下層膜上に中間膜（ハードマスク）を形成するように構成されており、ＨＭＣＴモジュールとも呼ばれる。モジュール１５の液処理ユニットＵ１は、中間膜形成用の塗布液をウエハＷの表面に塗布するように構成されている。モジュール１５の熱処理ユニットＵ２は、塗布膜を硬化させて中間膜とするための加熱処理を行うように構成されている。中間膜としては、例えば、ＳＯＣ（Spin On Carbon）膜、アモルファスカーボン膜が挙げられる。ただし、図面においては中間膜の図示を省略する。

モジュール１６は、中間膜上に熱硬化性且つ感光性のレジスト膜を形成するように構成されており、ＣＯＴモジュールとも呼ばれる。モジュール１６の液処理ユニットＵ１は、レジスト膜形成用の処理液（レジスト剤）を中間膜の上に塗布するように構成されている。モジュール１６の熱処理ユニットＵ２は、塗布膜を硬化させてレジスト膜とするための加熱処理（ＰＡＢ：Pre Applied Bake）を行うように構成されている。

モジュール１７は、露光されたレジスト膜の現像処理を行うように構成されており、ＤＥＶモジュールとも呼ばれる。モジュール１７は、液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２を経ずにウエハＷを棚ユニットＵ９，Ｕ１０（後述する）間において直接搬送する搬送アームＡ６をさらに内蔵している。モジュール１７の液処理ユニットＵ１は、レジスト膜を部分的に除去してレジストパターンを形成するように構成されている。モジュール１７の熱処理ユニットＵ２は、現像処理前の加熱処理（ＰＥＢ：Post Exposure Bake）、現像処理後の加熱処理（ＰＢ：Post Bake）等を行うように構成されている。

処理ブロック５内におけるキャリアブロック４側には、図２及び図３に示されるように、棚ユニットＵ９が設けられている。棚ユニットＵ９は、床面からモジュール１５に亘るように設けられており、上下方向に並ぶ複数のセルに区画されている。棚ユニットＵ９の近傍には搬送アームＡ７が設けられている。搬送アームＡ７は、棚ユニットＵ９のセル同士の間でウエハＷを昇降させる。

処理ブロック５内におけるインターフェースブロック６側には、棚ユニットＵ１０が設けられている。棚ユニットＵ１０は床面からモジュール１７の上部に亘るように設けられており、上下方向に並ぶ複数のセルに区画されている。

インターフェースブロック６は、搬送アームＡ８を内蔵しており、露光装置３に接続される。搬送アームＡ８は、棚ユニットＵ１０のウエハＷを取り出して露光装置３に渡し、露光装置３からウエハＷを受け取って棚ユニットＵ１０に戻すように構成されている。

コントローラ１０は、基板処理システム１を部分的又は全体的に制御する。コントローラ１０の詳細については後述する。

［液処理ユニットの構成］
図３～図６を参照して、液処理ユニットＵ１の構成について詳細に説明する。本実施形態では、液処理ユニットＵ１の一例として、モジュール１６の液処理ユニットＵ１について説明する。図３に示されるように、複数の液処理ユニットＵ１は、保護膜形成用の液処理ユニットＵ１１と、成膜・被膜洗浄用の液処理ユニットＵ１２と、保護膜洗浄用の液処理ユニットＵ１３とを含む。

保護膜形成用の液処理ユニットＵ１１は、図４に示されるように、保護処理部１００を有する。保護処理部１００は、ウエハＷの周縁部Ｗｃに保護膜を形成するように構成されている。例えば保護処理部１００は、保護膜を形成するための薬液（以下、「保護液」という。）をウエハＷの周縁部Ｗｃに塗布するように構成されている。なお、保護膜は、少なくとも保護液の塗布及び加熱を経て形成されるものであるが、以下においては、便宜上加熱前後の膜の両方を「保護膜」という。保護処理部１００は、回転保持部１１０と、液供給部１２０と、ノズル位置調節部１３０とを有する。

回転保持部１１０は、水平に配置されたウエハＷを真空吸着等により保持し、電動モータ等を動力源として鉛直な軸線まわりに回転させるように構成されている。

液供給部１２０は、回転保持部１１０により保持されたウエハＷの周縁部Ｗｃに保護液を供給する。保護液の具体例としては、例えばフェノール系樹脂、ナフタレン系樹脂、ポリスチレン系樹脂、又はベンゼン系樹脂等の原料となる有機成分を含む保護液が挙げられる。液供給部１２０は、例えばノズル１２１，１２２と、供給源１２３と、バルブ１２４，１２５とを有する。

ノズル１２１，１２２は、ウエハＷの周縁部Ｗｃに保護液を吐出する。ノズル１２１は、ウエハＷの周縁部Ｗｃの上方に配置され、下方に開口している。ノズル１２１は、例えば、斜め下方（下向きで且つウエハＷの径方向外方）に開口していてもよい。ノズル１２２は、ウエハＷの周縁部Ｗｃの下方に配置され、上方に開口している。ノズル１２２は、例えば、斜め上方（上向きで且つウエハＷの径方向外方）に開口していてもよい。供給源１２３は、供給用の保護液を収容し、ノズル１２１，１２２に圧送する。バルブ１２４，１２５は、供給源１２３からノズル１２１，１２２への保護液の流路をそれぞれ開閉する。バルブ１２４は、例えばエアオペレーションバルブであり、供給源１２３及びノズル１２１を接続する管路に設けられている。バルブ１２５は、例えばエアオペレーションバルブであり、供給源１２３及びノズル１２２を接続する管路に設けられている。

ノズル位置調節部１３０は、ノズル１２１の位置を調節する機能を有する。ノズル位置調節部１３０は、電動モータ等を動力源として、ウエハＷの上方を横切るラインに沿ってノズル１２１を移動させるように構成されている。

成膜・被膜洗浄用の液処理ユニットＵ１２は、図５に示されるように、成膜部２００と、被膜洗浄部３００とを有する。成膜部２００は、ウエハＷの表面Ｗａに、金属を含有するレジスト膜（被膜）を形成するように構成されている。なお、レジスト膜は、後述するように薬液の塗布及び加熱を経て形成されるものであるが、以下においては、便宜上加熱前後の膜の両方を「レジスト膜」という。成膜部２００は、回転保持部２１０と、液供給部２２０と、ノズル位置調節部２３０とを有する。

回転保持部２１０ は、水平に配置されたウエハＷを真空吸着等により保持し、電動モータ等を動力源として鉛直な軸線まわりに回転させるように構成されている。

液供給部２２０は、回転保持部２１０により保持されたウエハＷの表面Ｗａにレジスト膜形成用の処理液（以下、「レジスト液」という。）を塗布するように構成されている。液供給部２２０は、例えばノズル２２１と、供給源２２２と、バルブ２２３とを有する。

ノズル２２１は、ウエハＷの表面Ｗａにレジスト液を吐出する。ノズル２２１は、ウエハＷの上方に配置され、下方（例えば鉛直下方）に開口している。供給源２２２は、供給用のレジスト液を収容し、ノズル２２１に圧送する。バルブ２２３は、供給源２２２からノズル２２１へのレジスト液の流路を開閉する。バルブ２２３は、例えばエアオペレーションバルブであり、供給源２２２及びノズル２２１を接続する管路に設けられている。

ノズル位置調節部２３０は、ノズル２２１の位置を調節する機能を有する。より具体的に、ノズル位置調節部２３０は、電動モータ等を動力源として、ウエハＷの上方を横切るラインに沿ってノズル２２１を移動させるように構成されている。

被膜洗浄部３００は、ウエハＷの周縁部Ｗｃのレジスト膜を洗浄するように構成されている。被膜洗浄部３００は、液供給部３１０，３２０と、ノズル位置調節部３３０とを有する。

液供給部３１０は、回転保持部２１０により保持されたウエハＷの周縁部Ｗｃに、レジスト膜を溶解させる機能を有する第１の薬液を供給するように構成されている。第１の薬液の具体例としては、例えばプロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ）、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）等の有機溶剤が挙げられる。液供給部３１０は、例えばノズル３１１，３１２と、供給源３１３と、バルブ３１４，３１５とを有する。

ノズル３１１，３１２は、ウエハＷの周縁部Ｗｃに第１の薬液を吐出する。ノズル３１１は、第１の薬液の吐出により、液供給部３１０がウエハＷの周縁部Ｗｃの位置Ｐ１（第１の位置）に第１の薬液を供給するように配置されている。位置Ｐ１は、例えばウエハＷの端面ＷｂからウエハＷの中心側に５ｍｍ程度近づいた位置を含む。ノズル３１１は、ウエハＷの周縁部Ｗｃの上方に配置され、下方に開口している。ノズル３１１は、例えば、斜め下方（下向きで且つウエハＷの径方向外方）に開口していてもよい。以下、第１の薬液の吐出により、液供給部３１０がウエハＷの周縁部Ｗｃの位置Ｐ１に第１の薬液を供給するノズル３１１の配置を「吐出配置Ａ」という。ノズル３１２は、ウエハＷの周縁部Ｗｃの下方に配置され、上方に開口している。ノズル３１２は、例えば、斜め上方（上向きで且つウエハＷの径方向外方）に開口していてもよい。

供給源３１３は、供給用の第１の薬液を収容し、ノズル３１１，３１２に圧送する。バルブ３１４，３１５は、供給源３１３からノズル３１１，３１２への第１の薬液の流路をそれぞれ開閉する。バルブ３１４は、例えばエアオペレーションバルブであり、供給源３１３及びノズル３１１を接続する管路に設けられている。バルブ３１５は、例えばエアオペレーションバルブであり、供給源３１３及びノズル３１２を接続する管路に設けられている。

液供給部３２０は、回転保持部２１０により保持されたウエハＷの周縁部Ｗｃに、レジスト膜を溶解させる機能を有する第２の薬液を供給するように構成されている。第２の薬液の具体例としては、例えばプロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ）、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）等の有機溶剤が挙げられる。第２の薬液は、第１の薬液と同じ薬液であってもよいし、第１の薬液と異なる薬液であってもよい。液供給部３２０は、例えばノズル３２１，３２２と、供給源３２３と、バルブ３２４，３２５とを有する。

ノズル３２１，３２２は、ウエハＷの周縁部Ｗｃに第２の薬液を吐出する。ノズル３２１は、第２の薬液の吐出により、液供給部３２０がウエハＷの周縁部Ｗｃの位置Ｐ２（第２の位置）に第２の薬液を供給するように配置される。位置Ｐ２は、ウエハＷの周縁部Ｗｃにおいて、位置Ｐ１よりも周縁側の位置である。位置Ｐ２は、吐出された第２の薬液が位置Ｐ１に到達しない位置であって、ノズル３２１の吐出口の大きさ又は第２の薬液の流量等に応じて適宜設定されてよい。位置Ｐ２は、例えばウエハＷの端面ＷｂからウエハＷの中心側に３ｍｍ程度近づいた位置を含んでもよい。ノズル３２１は、ウエハＷの周縁部Ｗｃの上方であってノズル３１１よりも周縁側に配置され、下方であってノズル３１１よりも周縁側に開口している。ノズル３２１は、例えば、斜め下方（下向きで且つウエハＷの径方向外方）に開口していてもよい。以下、第２の薬液の吐出により、液供給部３２０がウエハＷの周縁部Ｗｃの位置Ｐ２に第２の薬液を供給するノズル３２１の配置を「吐出配置Ｂ」という。ノズル３２２は、ウエハＷの周縁部Ｗｃの下方に配置され、上方に開口している。ノズル３２２は、例えば、斜め上方（上向きで且つウエハＷの径方向外方）に開口していてもよい。

供給源３２３は、供給用の第２の薬液を収容し、ノズル３２１，３２２に圧送する。バルブ３２４，３２５は、供給源３２３からノズル３２１，３２２への第２の薬液の流路をそれぞれ開閉する。バルブ３２４は、例えばエアオペレーションバルブであり、供給源３２３及びノズル３２１を接続する管路に設けられている。バルブ３２５は、例えばエアオペレーションバルブであり、供給源３２３及びノズル３２２を接続する管路に設けられている。

ノズル位置調節部３３０は、ノズル３１１，３２１の位置を調節する機能を有する。ノズル位置調節部３３０は、電動モータ等を動力源として、ウエハＷの上方を横切るラインに沿ってノズル３１１，３２１を移動させるように構成されている。

保護膜洗浄用の液処理ユニットＵ１３は、図６に示されるように、保護膜洗浄部４００を有する。保護膜洗浄部４００は、ウエハＷの周縁部Ｗｃの保護膜を洗浄するように構成されている。保護膜洗浄部４００は、回転保持部４１０と、液供給部４２０，４３０とを有する。

回転保持部４１０は、水平に配置されたウエハＷを真空吸着等により保持し、電動モータ等を動力源として鉛直な軸線まわりに回転させるように構成されている。

液供給部４２０は、回転保持部４１０により保持されたウエハＷの周縁部Ｗｃに、保護膜を溶解させる機能を有する第３の薬液を供給するように構成されている。第３の薬液としては、金属成分に対し高い洗浄性を有する薬液が用いられてもよい。第３の薬液は、例えば弱酸性を有する薬液であり、第３の薬液の具体例としては、有機溶剤に酸性成分を混ぜ合わせた薬液が挙げられる。酸性成分としては、無機酸又は有機酸が挙げられる。酸性成分の具体例としては、酢酸、クエン酸、塩酸又は硫酸等が挙げられる。液供給部４２０は、例えばノズル４２１，４２２と、供給源４２３と、バルブ４２４，４２５とを有する。

ノズル４２１，４２２は、ウエハＷの周縁部Ｗｃに第３の薬液を吐出する。ノズル４２１は、ウエハＷの周縁部Ｗｃの上方に配置され、下方に開口している。ノズル４２１は、例えば、斜め下方（下向きで且つウエハＷの径方向外方）に開口していてもよい。ノズル４２２は、ウエハＷの周縁部Ｗｃの下方に配置され、上方に開口している。ノズル４２２は、例えば、斜め上方（上向きで且つウエハＷの径方向外方）に開口していてもよい。供給源４２３は、供給用の第３の薬液を収容し、ノズル４２１，４２２に圧送する。バルブ４２４，４２５は、供給源４２３からノズル４２１，４２２への第３の薬液の流路をそれぞれ開閉する。バルブ４２４は、例えばエアオペレーションバルブであり、供給源４２３及びノズル４２１を接続する管路に設けられている。バルブ４２５は、例えばエアオペレーションバルブであり、供給源４２３及びノズル４２２を接続する管路に設けられている。

液供給部４３０は、回転保持部４１０により保持されたウエハＷの周縁部Ｗｃに、保護膜を溶解させる機能を有する第４の薬液を供給するように構成されている。第４の薬液は、第３の薬液と比較して水素イオン濃度が低い薬液が用いられてもよい。換言すると、第３の薬液は、第４の薬液に比較して強い酸性を有する薬液が用いられてもよい。第３の薬液と第４の薬液とは、例えばｐＨメーターによって測定されたｐＨ値によって比較することができる。このとき、第４の薬液は、水素イオン濃度が第３の薬液の水素イオン濃度よりも低い薬液であればよく、第４の薬液としては、酸性が示される薬液であってもよいし、中性が示される薬液であってもよいし、アルカリ性が示される薬液であってもよい。第４の薬液の具体例としては、有機溶剤、又は有機溶剤に酸性成分を混ぜ合わせた薬液が挙げられる。酸性成分としては、無機酸又は有機酸が挙げられる。酸性成分の具体例としては、酢酸、クエン酸、塩酸又は硫酸等が挙げられる。或いは、第３の薬液が有機溶剤に酸性成分が混ぜ合わされた薬液であり、第４の薬液が有機溶剤に酸性成分が混ぜ合わされていない薬液であってもよい。液供給部４３０は、例えばノズル４３１，４３２と、供給源４３３と、バルブ４３４，４３５とを有する。

ノズル４３１，４３２は、ウエハＷの周縁部Ｗｃに第４の薬液を吐出する。ノズル４３１は、ウエハＷの周縁部Ｗｃの上方に配置され、下方に開口している。ノズル４３１は、例えば、斜め下方（下向きで且つウエハＷの径方向外方）に開口していてもよい。ノズル４３２は、ウエハＷの周縁部Ｗｃの下方に配置され、上方（例えばウエハＷの外周側の斜め上方）に開口している。ノズル４３２は、例えば、斜め上方（上向きで且つウエハＷの径方向外方）に開口していてもよい。供給源４３３は、供給用の第４の薬液を収容し、ノズル４３１，４３２に圧送する。バルブ４３４，４３５は、供給源４３３からノズル４３１，４３２への第４の薬液の流路をそれぞれ開閉する。バルブ４３４は、例えばエアオペレーションバルブであり、供給源４３３及びノズル４３１を接続する管路に設けられている。バルブ４３５は、例えばエアオペレーションバルブであり、供給源４３３及びノズル４３２を接続する管路に設けられている。

ノズル位置調節部４４０は、ノズル４２１，４３１の位置を調節する機能を有する。ノズル位置調節部４４０は、電動モータ等を動力源として、ウエハＷの上方を横切るラインに沿ってノズル４２１，４３１を移動させるように構成されている。

［コントローラの構成］
コントローラ１０は、図７に示されるように、機能モジュールとして、読取部Ｍ１と、記憶部Ｍ２と、保護制御部Ｍ３と、成膜制御部Ｍ４と、被膜洗浄制御部Ｍ５と、保護膜洗浄制御部Ｍ６と、搬送制御部Ｍ７とを有する。これらの機能モジュールは、コントローラ１０の機能を便宜上複数のモジュールに区切ったものに過ぎず、コントローラ１０を構成するハードウェアがこのようなモジュールに分かれていることを必ずしも意味するものではない。各機能モジュールは、プログラムの実行により実現されるものに限られず、専用の電気回路（例えば論理回路）、又は、これを集積した集積回路（ＡＳＩＣ：Application Specific Integrated Circuit）により実現されるものであってもよい。

読取部Ｍ１は、コンピュータ読み取り可能な記録媒体ＲＭからプログラムを読み取る。記録媒体ＲＭは、基板処理システム１の各部を動作させるためのプログラムを記録している。記録媒体ＲＭとしては、例えば、半導体メモリ、光記録ディスク、磁気記録ディスク、光磁気記録ディスクであってもよい。記憶部Ｍ２は、種々のデータを記憶する。記憶部Ｍ２が記憶するデータとしては、例えば、読取部Ｍ１において記録媒体ＲＭから読み取られたプログラム等が挙げられる。

保護制御部Ｍ３は、レジスト膜が形成される前のウエハＷの周縁部Ｗｃに保護膜を形成するように液処理ユニットＵ１１の保護処理部１００を制御する。例えば保護制御部Ｍ３は、保護液をウエハＷの周縁部Ｗｃに塗布するように保護処理部１００を制御する。保護制御部Ｍ３は、ウエハＷを加熱するように熱処理ユニットＵ２を制御することをさらに実行してもよい。

成膜制御部Ｍ４は、ウエハＷの表面Ｗａにレジスト膜を形成するように、成膜部２００を制御する。例えば成膜制御部Ｍ４は、ウエハＷの表面Ｗａにレジスト液を塗布するように成膜部２００を制御する。

被膜洗浄制御部Ｍ５は、レジスト膜が形成されたウエハＷの周縁部Ｗｃの位置Ｐ１に第１の薬液を供給するように液処理ユニットＵ１２の被膜洗浄部３００を制御することと、第１の薬液により溶解したレジスト膜が乾燥した後に、ウエハＷの周縁部Ｗｃの位置Ｐ２に第２の薬液を供給するように液処理ユニットＵ１２の被膜洗浄部３００を制御することとを実行する。位置Ｐ１に第１の薬液を供給するように液処理ユニットＵ１２の被膜洗浄部３００を制御することは、例えばノズル３１１が吐出配置Ａである状態において、バルブ３１４を開いてノズル３１１から第１の薬液を吐出させるように被膜洗浄部３００を制御することを含む。位置Ｐ２に第２の薬液を供給するように液処理ユニットＵ１２の被膜洗浄部３００を制御することは、例えばノズル３２１が吐出配置Ｂである状態において、バルブ３２４を開いてノズル３２１から第２の薬液を吐出させるように被膜洗浄部３００を制御することを含む。

保護膜洗浄制御部Ｍ６は、位置Ｐ２に第２の薬液が供給された後に、ウエハＷの周縁部Ｗｃに、第３の薬液を供給するように液処理ユニットＵ１３の保護膜洗浄部４００を制御する。保護膜洗浄制御部Ｍ６は、ウエハＷの周縁部Ｗｃに第３の薬液が供給された後に、ウエハＷの周縁部Ｗｃに、第４の薬液を供給するように、液処理ユニットＵ１３の保護膜洗浄部４００を制御することと、ウエハＷを加熱するように熱処理ユニットＵ２を制御することと、さらに実行してもよい。

搬送制御部Ｍ７は、液処理ユニットＵ１（液処理ユニットＵ１１～Ｕ１３）及び熱処理ユニットＵ２間でウエハＷを搬送するように搬送アームＡ２を制御する。

コントローラ１０のハードウェアは、例えば一つ又は複数の制御用のコンピュータにより構成される。コントローラ１０は、ハードウェア上の構成として、例えば図８に示される回路１０Ａを有する。回路１０Ａは、電気回路要素（circuitry）で構成されていてもよい。回路１０Ａは、具体的には、プロセッサ１０Ｂと、メモリ１０Ｃ（記憶部）と、ストレージ１０Ｄ（記憶部）と、入出力ポート１０Ｅとを有する。プロセッサ１０Ｂは、メモリ１０Ｃ及びストレージ１０Ｄの少なくとも一方と協働してプログラムを実行し、入出力ポート１０Ｅを介した信号の入出力を実行することで、上述した各機能モジュールを構成する。入出力ポート１０Ｅは、プロセッサ１０Ｂ、メモリ１０Ｃ及びストレージ１０Ｄと、基板処理システム１の各種装置との間で、信号の入出力を行う。

本実施形態では、基板処理システム１は、一つのコントローラ１０を備えているが、複数のコントローラ１０で構成されるコントローラ群（制御部）を備えていてもよい。基板処理システム１がコントローラ群を備えている場合には、上記の機能モジュールがそれぞれ、一つのコントローラ１０によって実現されていてもよいし、２個以上のコントローラ１０の組み合わせによって実現されていてもよい。コントローラ１０が複数のコンピュータ（回路１０Ａ）で構成されている場合には、上記の機能モジュールがそれぞれ、一つのコンピュータ（回路１０Ａ）によって実現されていてもよいし、２つ以上のコンピュータ（回路１０Ａ）の組み合わせによって実現されていてもよい。コントローラ１０は、複数のプロセッサ１０Ｂを有していてもよい。この場合、上記の機能モジュールがそれぞれ、一つのプロセッサ１０Ｂによって実現されていてもよいし、２つ以上のプロセッサ１０Ｂの組み合わせによって実現されていてもよい。

［基板処理方法］
続いて、図９～図１８を参照し、基板処理方法の一例として、コントローラ１０が実行する基板処理の手順を説明する。まず、基板処理の概要について説明する。図９に示されるように、コントローラ１０は、まずステップＳ０１を実行する。ステップＳ０１は、ウエハＷの周縁部Ｗｃに保護膜を形成するように液処理ユニットＵ１１の保護処理部１００を制御することを含む。より具体的な処理内容については後述する。

次に、コントローラ１０はステップＳ０２を実行する。ステップＳ０２は、ウエハＷの表面Ｗａにレジスト膜を形成するように液処理ユニットＵ１２の成膜部２００を制御することと、ウエハＷの周縁部Ｗｃの位置Ｐ１に第１の薬液を供給するように液処理ユニットＵ１２の被膜洗浄部３００を制御することと、第１の薬液により溶解したレジスト膜が乾燥した後に、ウエハＷの周縁部Ｗｃの位置Ｐ２に第２の薬液を供給するように液処理ユニットＵ１２の被膜洗浄部３００を制御することとを含む。ステップＳ０２は、位置Ｐ１に第１の薬液を供給することの後で且つ位置Ｐ２に第２の薬液を供給することの前に、第１の薬液により溶解したレジスト膜を乾燥させるようにウエハＷを回転させることをさらに含んでもよい。より具体的な処理内容については後述する。

次に、コントローラ１０はステップＳ０３を実行する。ステップＳ０３は、ウエハＷの周縁部Ｗｃに第３の薬液を供給するように液処理ユニットＵ１３の保護膜洗浄部４００を制御することを含む。ステップＳ０３は、第３の薬液を供給することの後に、ウエハＷの周縁部Ｗｃに第４の薬液を供給するように液処理ユニットＵ１３の保護膜洗浄部４００を制御することをさらに含んでもよい。より具体的な処理内容については後述する。

［保護膜形成手順］
続いて、上記ステップＳ０１の具体的な処理内容を説明する。図１０に示されるように、コントローラ１０は、まずステップＳ１１を実行する。ステップＳ１１では、搬送制御部Ｍ７が、キャリア１１から搬出されたウエハＷを液処理ユニットＵ１１に搬入するように搬送アームＡ２を制御し、当該ウエハＷを保持するように回転保持部１１０を制御する。

次に、コントローラ１０はステップＳ１２を実行する。ステップＳ１２では、保護制御部Ｍ３が、ウエハＷの回転を開始するように回転保持部１１０を制御する。

次に、コントローラ１０はステップＳ１３を実行する。ステップＳ１３では、保護制御部Ｍ３が、回転保持部１１０により保持されたウエハＷの周縁部Ｗｃの上方にノズル１２１を配置するようにノズル位置調節部１３０を制御する。その後、保護制御部Ｍ３は、バルブ１２４，１２５を開いてノズル１２１，１２２からの保護液ＰＬの吐出を開始するように液供給部１２０を制御する（図１１参照）。これにより、回転中のウエハＷの周縁部Ｗｃに上下から保護液ＰＬが供給され、当該周縁部Ｗｃに保護液ＰＬの液膜が形成される。その後、保護制御部Ｍ３は、バルブ１２４，１２５を閉じてノズル１２１，１２２からの保護液ＰＬの吐出を停止するように液供給部１２０を制御する。

次に、コントローラ１０はステップＳ１４を実行する。ステップＳ１４では、保護制御部Ｍ３が、回転保持部１１０によるウエハＷの回転を継続させて周縁部Ｗｃにおける保護液ＰＬを乾燥させる（溶剤を揮発させる）。これにより、ウエハＷの周縁部Ｗｃに保護膜ＰＦが形成される（図１２参照）。

次に、コントローラ１０はステップＳ１５を実行する。ステップＳ１５では、保護制御部Ｍ３が、ウエハＷの回転を停止させるように回転保持部１１０を制御する。

次に、コントローラ１０はステップＳ１６を実行する。ステップＳ１６では、搬送制御部Ｍ７が、液処理ユニットＵ１１からウエハＷを搬出して熱処理ユニットＵ２に搬入するように搬送アームＡ２を制御する。

次に、コントローラ１０はステップＳ１７を実行する。ステップＳ１７では、保護制御部Ｍ３が、ウエハＷを加熱するように熱処理ユニットＵ２を制御する。ウエハＷの加熱に伴い、当該ウエハＷの周縁部Ｗｃに形成された保護膜ＰＦが加熱される。これにより、保護膜ＰＦにおける架橋反応等が促進され、保護膜ＰＦの強度が向上する。以上により、コントローラ１０は、保護膜形成用の制御を完了する。

［レジスト膜形成手順］
続いて、上記ステップＳ０２の具体的な処理内容を説明する。図１３に示されるように、コントローラ１０は、まずステップＳ２１を実行する。ステップＳ２１では、搬送制御部Ｍ７が、熱処理ユニットＵ２からウエハＷを搬出して液処理ユニットＵ１２に搬入するように搬送アームＡ２を制御し、当該ウエハＷを保持するように回転保持部２１０を制御する。

次に、コントローラ１０はステップＳ２２を実行する。ステップＳ２２では、保護制御部Ｍ３が、ウエハＷの回転を開始するように回転保持部２１０を制御する。

次に、コントローラ１０はステップＳ２３を実行する。ステップＳ２３では、成膜制御部Ｍ４が、回転保持部２１０により保持されたウエハＷの回転中心の上方にノズル２２１を配置するようにノズル位置調節部２３０を制御する。その後、成膜制御部Ｍ４は、バルブ２２３を開いてノズル２２１からのレジスト液ＦＬの吐出を開始するように液供給部２２０を制御する（図１４の（ａ）参照）。これにより、回転中のウエハＷの表面Ｗａにレジスト液ＦＬが塗布され、レジスト液ＦＬの液膜が形成される。その後、成膜制御部Ｍ４は、バルブ２２３を閉じてノズル２２１からのレジスト液ＦＬの吐出を停止するように液供給部２２０を制御する。

次に、コントローラ１０はステップＳ２４を実行する。ステップＳ２４では、成膜制御部Ｍ４が、回転保持部２１０によるウエハＷの回転を継続させて表面Ｗａにおけるレジスト液ＦＬを乾燥させる（溶剤を揮発させる）。これにより、ウエハＷの表面Ｗａにレジスト膜ＭＦが形成される（図１５の（ａ）参照）。

次に、コントローラ１０はステップＳ２５を実行する。ステップＳ２５では、被膜洗浄制御部Ｍ５が、吐出配置Ａ（第１の薬液の吐出により、液供給部３１０がウエハＷの周縁部Ｗｃの位置Ｐ１に第１の薬液を供給する配置）にノズル３１１を配置するようにノズル位置調節部３３０を制御する。その後、被膜洗浄制御部Ｍ５は、バルブ３１４，３１５を開いてノズル３１１，３１２からの第１の薬液ＣＳ１の吐出を開始するように液供給部３１０を制御する（図１４の（ｂ）参照）。これにより、回転中のウエハＷの周縁部Ｗｃに上下から第１の薬液ＣＳ１が供給される。このとき、ノズル３１１が吐出配置Ａの状態にあることにより、位置Ｐ１に第１の薬液ＣＳ１が供給され、当該位置Ｐ１においてレジスト膜ＭＦが溶解する。第１の薬液ＣＳ１によってレジスト膜ＭＦが溶解する際、レジスト膜ＭＦの溶解部分から、金属成分Ｍが溶出する場合がある（図１５の（ｂ）参照）。その後、被膜洗浄制御部Ｍ５は、バルブ３１４，３１５を閉じてノズル３１１，３１２からの第１の薬液ＣＳ１の吐出を停止するように液供給部３１０を制御する。

次に、コントローラ１０はステップＳ２６を実行する。ステップＳ２６では、成膜制御部Ｍ４が、ウエハＷの表面Ｗａにおけるレジスト膜ＭＦであって、第１の薬液ＣＳ１により溶解したレジスト膜ＭＦを乾燥させるように、回転保持部２１０によるウエハＷの回転を継続させる（図１４の（ｃ）参照）。回転保持部２１０がウエハＷを回転させる回転速度は、例えば、１０００ｒｐｍ以上且つ３５００ｒｐｍ以下であってもよいし、１５００ｒｐｍ以上３０００ｒｐｍ以下であってもよいし、２０００ｒｐｍ以上且つ２５００ｒｐｍ以下であってもよいし、２０００ｒｐｍであってもよい。回転保持部２１０がウエハＷを回転させる時間は、例えば、３秒以上１０秒以下であってもよいし、４秒以上８秒以下であってもよいし、５秒以上７秒以下であってもよいし、５秒であってもよい。第１の薬液ＣＳ１により溶解したレジスト膜ＭＦの乾燥により、ウエハＷの表面Ｗａにおける位置Ｐ１よりも周縁側に残留したレジスト膜ＭＦは、ウエハＷの中心側のレジスト膜ＭＦと切り離された状態となる。

次に、コントローラ１０はステップＳ２７を実行する。ステップＳ２７では、被膜洗浄制御部Ｍ５が、吐出配置Ｂ（第２の薬液の吐出により、液供給部３２０がウエハＷの周縁部Ｗｃの位置Ｐ２に第２の薬液を供給する配置）にノズル３２１を配置するようにノズル位置調節部３３０を制御する。その後、被膜洗浄制御部Ｍ５は、バルブ３２４，３２５を開いてノズル３２１，３２２からの第２の薬液ＣＳ２の吐出を開始するように液供給部３２０を制御する（図１４の（ｄ）参照）。これにより、回転中のウエハＷの周縁部Ｗｃに上下から第２の薬液ＣＳ２が供給される。このとき、ノズル３２１が吐出配置Ｂの状態にあることにより、位置Ｐ２に第２の薬液ＣＳ２が供給され、当該位置Ｐ２においてレジスト膜ＭＦが溶解する。第２の薬液ＣＳ２によってレジスト膜ＭＦが溶解する際にも、第１の薬液ＣＳ１の場合と同様に、レジスト膜ＭＦの溶解部分から、金属成分Ｍが溶出する場合がある（図１５の（図１５の（ｃ）参照）。

一方で、ステップＳ２７が実行される前には、第１の薬液ＣＳ１により溶けたレジスト膜ＭＦがすでに乾燥しているので、位置Ｐ１よりも周縁側の位置Ｐ２に第２の薬液ＣＳ２が供給されることで、ウエハＷの中心側のレジスト膜ＭＦには第２の薬液ＣＳ２が供給され難くなる。従って、ウエハＷの中心側においてはレジスト膜ＭＦの溶解が抑制され、ウエハＷの中心側のレジスト膜ＭＦが溶けて金属成分Ｍの溶出源となることが回避される（図１５の（ｃ）参照）その後、被膜洗浄制御部Ｍ５は、バルブ３２４，３２５を閉じてノズル３２１，３２２からの第２の薬液ＣＳ２の吐出を停止するように液供給部３２０を制御する。

次に、コントローラ１０はステップＳ２８を実行する。ステップＳ２８では、成膜制御部Ｍ４が、第２の薬液ＣＳ２により溶解したレジスト膜ＭＦを乾燥させるように、回転保持部２１０によるウエハＷの回転を継続させる（ウエハＷの表面Ｗａにおけるレジスト液ＦＬを乾燥させる（溶剤を揮発させる）。）。

次に、コントローラ１０はステップＳ２９を実行する。ステップＳ２９では、成膜制御部Ｍ４が、ウエハＷの回転を停止させるように回転保持部２１０を制御する。以上により、コントローラ１０は、レジスト膜形成用の制御を完了する。

［保護膜洗浄手順］
続いて、上記ステップＳ０３の具体的な処理内容を説明する。図１６に示されるように、コントローラ１０は、まずステップＳ４１を実行する。ステップＳ４１では、搬送制御部Ｍ７が、液処理ユニットＵ１２からウエハＷを搬出して液処理ユニットＵ１３に搬入するように搬送アームＡ２を制御し、当該ウエハＷを保持するように回転保持部４１０を制御する。

次に、コントローラ１０はステップＳ４２を実行する。ステップＳ４２では、保護膜洗浄制御部Ｍ６が、ウエハＷの回転を開始するように回転保持部４１０を制御する。

次に、コントローラ１０はステップＳ４３を実行する。ステップＳ４３では、保護膜洗浄制御部Ｍ６が、回転保持部４１０により保持されたウエハＷの回転中心の上方にノズル４２１を配置するようにノズル位置調節部４４０を制御する。その後、保護膜洗浄制御部Ｍ６は、バルブ４２４，４２５を開いてノズル４２１，４２２からの第３の薬液ＣＳ３の吐出を開始するように液供給部４２０を制御する（図１７の（ａ）参照）。これにより、回転中のウエハＷの周縁部Ｗｃに上下から第３の薬液ＣＳ３が供給され、保護膜ＰＦが溶解する。その後、成膜制御部Ｍ４は、バルブ４２４，４２５を閉じてノズル４２１，４２２からの第３の薬液ＣＳ３の吐出を停止するように液供給部４２０を制御する。

ところで、上記ステップＳ２７において第２の薬液ＣＳ２の吐出が停止された後、レジスト膜ＭＦが除去された場合であっても、保護膜ＰＦには金属成分Ｍが残留する場合がある（図１５の（ｄ）参照）。保護膜ＰＦの表層には、保護膜ＰＦの成分と金属成分Ｍとが結合したインターミキシング層が形成される場合もある。ステップＳ４３により、回転中のウエハＷの周縁部Ｗｃに上下から第３の薬液ＣＳ３が供給されることで、保護膜ＰＦに付着していた金属成分Ｍも除去される。

次に、コントローラ１０はステップＳ４４を実行する。ステップＳ４４では、保護膜洗浄制御部Ｍ６が、回転保持部４１０により保持されたウエハＷの回転中心の上方にノズル４３１を配置するようにノズル位置調節部４４０を制御する。その後、保護膜洗浄制御部Ｍ６は、バルブ４２４，４２５を開いてノズル４２１，４２２からの第４の薬液ＣＳ４の吐出を開始するように液供給部４３０を制御する（図１７の（ｂ）参照）。これにより、回転中のウエハＷの周縁部Ｗｃに上下から第４の薬液ＣＳ４が供給され、保護膜ＰＦが溶解する。その後、保護膜洗浄制御部Ｍ６は、バルブ４２４，４２５を閉じてノズル４２１，４２２からの第４の薬液ＣＳ４の吐出を停止するように液供給部４２０を制御する。これにより、保護膜ＰＦがウエハＷの端面Ｗｂに残存していた場合（図１８の（ａ）参照）であっても、保護膜ＰＦも十分に除去される（図１８の（ｂ）参照）。

次に、コントローラ１０はステップＳ４５を実行する。ステップＳ４５では、保護膜洗浄制御部Ｍ６が、回転保持部４１０によるウエハＷの回転を継続させて周縁部Ｗｃにおける第３の薬液ＣＳ３及び第４の薬液ＣＳ４を乾燥させる（溶剤を揮発させる）。

次に、コントローラ１０はステップＳ４６を実行する。ステップＳ４６では、保護膜洗浄制御部Ｍ６が、ウエハＷの回転を停止させるように回転保持部４１０を制御する。

次に、コントローラ１０はステップＳ４７を実行する。ステップＳ４７では、搬送制御部Ｍ７が、液処理ユニットＵ１３からウエハＷを搬出して熱処理ユニットＵ２に搬入するように搬送アームＡ２を制御する。

次に、コントローラ１０はステップＳ４８を実行する。ステップＳ４８では、保護膜洗浄制御部Ｍ６が、ウエハＷを加熱するように熱処理ユニットＵ２を制御する。ウエハＷの加熱に伴い、当該ウエハＷの周縁部Ｗｃに形成されたレジスト膜ＭＦが加熱される。これにより、レジスト膜ＭＦにおける架橋反応等が促進され、レジスト膜ＭＦの強度が向上する。その後、搬送制御部Ｍ７が、熱処理ユニットＵ２からウエハＷを搬出するように搬送アームＡ２を制御する。以上により、コントローラ１０は、保護膜洗浄用の制御を完了する。

［作用］
以上のような本実施形態においては、第１の薬液ＣＳ１が位置Ｐ１に供給されてウエハＷの周縁部Ｗｃのレジスト膜ＭＦが洗浄された後、第２の薬液ＣＳ２が位置Ｐ２に供給されることで、ウエハＷの周縁部Ｗｃの位置Ｐ１よりも周縁側のレジスト膜ＭＦが洗浄される。第２の薬液ＣＳ２の供給前には、第１の薬液ＣＳ１により溶けたレジスト膜ＭＦがすでに乾燥しているので、位置Ｐ１よりも周縁側のレジスト膜ＭＦは、ウエハＷの中心側のレジスト膜ＭＦと切り離された状態となっている。そのため、位置Ｐ１よりも周縁側の位置Ｐ２に第２の薬液ＣＳ２が供給されることで、ウエハＷの中心側のレジスト膜ＭＦに第２の薬液ＣＳ２が供給され難くなる。従って、第２の薬液ＣＳ２によりウエハＷの中心側のレジスト膜ＭＦが溶けて金属成分Ｍの溶出源となることが回避される。換言すれば、第２の薬液ＣＳ２が供給されてウエハＷの周縁部Ｗｃのレジスト膜ＭＦが洗浄されると、金属成分Ｍのさらなる溶出が抑えられた状態で、第１の薬液ＣＳ１の供給後にウエハＷの周縁部Ｗｃに残留した金属成分Ｍの多くを除去しうる。以上により、金属含有被膜の利用に伴う金属汚染を抑制することが可能となる。

本実施形態において、コントローラ１０は、位置Ｐ１に第１の薬液ＣＳ１が供給された後で且つ位置Ｐ２に第２の薬液ＣＳ２が供給される前に、第１の薬液ＣＳ１により溶解したレジスト膜ＭＦを乾燥させるように、ウエハＷを回転させることをさらに実行してもよい。この場合、ウエハＷの回転に伴いレジスト膜ＭＦの周囲に気流が生ずるので、レジスト膜ＭＦの乾燥を促すことができる。また、レジスト膜ＭＦを乾燥させるための他の機器（送風機又は加熱器等）が不要であるので、装置の簡略化を図ることができる。

本実施形態において、ウエハＷの周縁部Ｗｃに保護膜ＰＦを形成する保護処理部１００と、ウエハＷの周縁部Ｗｃの保護膜ＰＦを洗浄するように構成された保護膜洗浄部４００とをさらに備え、コントローラ１０は、ウエハＷの表面Ｗａにレジスト膜ＭＦが形成される前に、ウエハＷの周縁部Ｗｃに保護膜ＰＦを形成するように保護処理部１００を制御することと、位置Ｐ２に第２の薬液ＣＳ２が供給された後に、ウエハＷの周縁部Ｗｃに、保護膜ＰＦを溶解させる機能を有する第３の薬液ＣＳ３を供給するように保護膜洗浄部４００を制御することとをさらに実行してもよい。

ところで、金属成分Ｍの除去性能の向上を図るために、例えば、第１の薬液ＣＳ１及び第２の薬液ＣＳ２として、金属成分Ｍに対し高い洗浄性を有する薬液を用いることが考えられる。一方で、金属成分Ｍに対し高い洗浄性を有する薬液に晒されることでウエハＷが浸食されるおそれがある。これに対し、本実施形態によれば、第１の薬液ＣＳ１の供給に先立って保護膜ＰＦが形成され、当該保護膜ＰＦを溶解させる機能を有する第３の薬液ＣＳ３の供給に先立って第２の薬液ＣＳ２が供給される。そのため、第１の薬液ＣＳ１の供給時及び第２の薬液ＣＳ２の供給時に、ウエハＷの周縁部Ｗｃが保護膜ＰＦにより保護される。従って、第１の薬液ＣＳ１及び第２の薬液ＣＳ２として、金属成分Ｍに対し高い洗浄性を有する薬液を用いた場合にも、第１の薬液ＣＳ１及び第２の薬液ＣＳ２によるウエハＷの浸食を抑制することができる。また、レジスト膜ＭＦの形成に先立って保護膜ＰＦが形成され、第３の薬液ＣＳ３の供給に先立って第２の薬液ＣＳ２が供給されることにより、保護膜ＰＦを除去した後にウエハＷの周縁部Ｗｃに残留する金属成分Ｍを大幅に低減することができる。

本実施形態において、コントローラ１０は、ウエハＷの周縁部Ｗｃに第３の薬液ＣＳ３が供給された後に、ウエハＷの周縁部Ｗｃに、保護膜ＰＦを除去するための第４の薬液ＣＳ４であって、第３の薬液ＣＳ３と比較して水素イオン濃度が低い第４の薬液ＣＳ４を供給するように、保護膜洗浄部４００を制御することをさらに実行していてもよい。強い酸性を有する薬液（すなわち、水素イオン濃度が比較的高い薬液）は、金属成分Ｍに対する高い洗浄性も期待される。一方で、強い酸性を有する薬液は保護膜ＰＦに対する除去性能が低い場合がある。そこで、本実施形態のように、第４の薬液ＣＳ４として第３の薬液ＣＳ３に比較して水素イオン濃度が低い薬液が用いられることにより（すなわち、第３の薬液ＣＳ３として、第４の薬液ＣＳ４に比較して強い酸性を有する薬液が用いられることにより）、比較的強い酸性を有する第３の薬液ＣＳ３により金属成分Ｍを十分に除去しつつ、比較的弱い酸性を有する第４の薬液ＣＳ４により保護膜ＰＦも十分に除去することができる。

［変形例］
今回開示された実施形態及び変形例はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその主旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。

例えば、液処理ユニットＵ１は、金属を含有するレジスト膜ＭＦ以外の被膜形成用のモジュールの液処理ユニットＵ１にも適用可能である。金属を含有するレジスト膜ＭＦ以外の被膜の具体例としては、例えば金属を含有するハードマスク（メタルハードマスク）等が挙げられる。この場合、液処理ユニットＵ１は、モジュール１５の液処理ユニットＵ１であってもよい。

成膜・被膜洗浄用の液処理ユニットＵ１２が送風機を備え、コントローラ１０が、ステップＳ２６において送風機によってウエハＷの表面Ｗａにガス（例えば、空気又は窒素等）を吹き付けるように液処理ユニットＵ１２を制御することにより、第１の薬液ＣＳ１により溶解したレジスト膜ＭＦを乾燥させてもよい。或いは、成膜・被膜洗浄用の液処理ユニットＵ１２が熱源を備え、コントローラ１０が、ステップＳ２６において熱源によってウエハＷの表面Ｗａを加熱するように液処理ユニットＵ１２を制御することにより、第１の薬液ＣＳ１により溶解したレジスト膜ＭＦを乾燥させてもよい。

第１の薬液ＣＳ１及び第２の薬液ＣＳ２として同じ薬液を用いる場合、被膜洗浄部３００は、液供給部３１０，３２０のうちいずれか一方を有していなくてもよい。このとき、ノズル位置調節部３３０によるノズル３１１又はノズル３２１の位置の調節により、液供給部３１０又は液供給部３２０が位置Ｐ１、位置Ｐ２に第１の薬液ＣＳ１及び第２の薬液ＣＳ２を供給してもよい。

液供給部３１０は、ノズル３１２及びバルブ３１５を有していなくてもよい。液供給部３２０は、ノズル３２２及びバルブ３２５を有していなくてもよい。

液供給部４３０は、ノズル４３１，４３２のうちいずれか一方を有していなくてもよい。液供給部４３０がノズル４３１を有していない場合、液供給部４３０はバルブ４３４を有していなくてもよい。液供給部４３０がノズル４３２を有していない場合、液供給部４３０はバルブ４３５を有していなくてもよい。

コントローラ１０は、保護膜洗浄処理（ステップＳ０３）において、ステップＳ４７，Ｓ４８の処理を、ステップＳ４６の後ではなく、ステップＳ４１の前に実行してもよい。換言すると、保護膜ＰＦが洗浄される前にレジスト膜ＭＦが加熱されてもよい。

［例示］
ところで、金属含有被膜は、基板処理における様々な場面にて活用可能である。例えば、金属含有被膜をレジスト膜として用いることにより、露光処理に対する感度向上が期待される。また、金属含有膜を所謂ハードマスクとして用いることにより、エッチング耐性の向上が期待される。しかしながら、金属含有被膜の利用に際しては、基板自体及び当該基板に接する機器の金属汚染を抑制する必要がある。

金属汚染を抑制する目的で、基板保持などのために機器が接触しやすい基板の周縁部に、被膜を除去するための薬液（例えば被膜を溶解させる機能を有する薬液）を供給することが考えられる。しかしながら、本願発明者等が鋭意研究したところ、基板の周縁部に被膜を溶解させる機能を有する薬液を供給するだけでは、当該薬液の供給後にも、当該薬液によって溶けた被膜から金属成分が溶出し、溶出した金属成分の一部が基板の周縁部に残留することがあるとの新たな知見を得た。そこで、以下に、金属含有被膜の利用に伴う金属汚染を抑制することが可能な基板処理装置、基板処理方法及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体を例示する。

例１．本開示の一つの例に係る基板処理装置（１）は、基板（Ｗ）の表面（Ｗａ）に、金属を含有する被膜（ＭＦ）を形成するように構成された成膜部（２００）と、基板（Ｗ）の周縁部（Ｗｃ）の被膜（ＭＦ）を洗浄するように構成された被膜洗浄部（３００）と、制御部（１０）とを備える。制御部（１０）は、基板（Ｗ）の表面（Ｗａ）に被膜（ＭＦ）を形成するように、成膜部（２００）を制御することと、基板（Ｗ）の周縁部（Ｗｃ）の第１の位置（Ｐ１）に、被膜（ＭＦ）を溶解させる機能を有する第１の薬液（ＣＳ１）を供給するように、被膜洗浄部（３００）を制御することと、第１の薬液（ＣＳ１）により溶解した被膜（ＭＦ）が乾燥した後に、基板（Ｗ）の周縁部（Ｗｃ）の第２の位置（Ｐ２）であって、第１の位置（Ｐ１）よりも基板（Ｗ）の周縁側である第２の位置（Ｐ２）に、被膜（ＭＦ）を溶解させる機能を有する第２の薬液（ＣＳ２）を供給するように、被膜洗浄部（３００）を制御することとを実行する。

この基板処理装置（１）によれば、第１の薬液（ＣＳ１）が第１の位置（Ｐ１）に供給されて基板（Ｗ）の周縁部（Ｗｃ）の被膜（ＭＦ）が洗浄された後、第２の薬液（ＣＳ２）が第２の位置（Ｐ２）に供給されることで、基板（Ｗ）の周縁部（Ｗｃ）の第１の位置（Ｐ１）よりも周縁側の被膜（ＭＦ）が洗浄される。第２の薬液（ＣＳ２）の供給前には、第１の薬液（ＣＳ１）により溶けた被膜（ＭＦ）がすでに乾燥しているので、第１の位置（Ｐ１）よりも周縁側の被膜（ＭＦ）は、基板（Ｗ）の中心側の被膜（ＭＦ）と切り離された状態となっている。そのため、第１の位置（Ｐ１）よりも周縁側の第２の位置（Ｐ２）に第２の薬液（ＣＳ２）が供給されることで、基板（Ｗ）の中心側の被膜（ＭＦ）に第２の薬液（ＣＳ２）が供給され難くなる。従って、第２の薬液（ＣＳ２）により基板（Ｗ）の中心側の被膜（ＭＦ）が溶けて金属成分（Ｍ）の溶出源となることが回避される。換言すれば、第２の薬液（ＣＳ２）が供給されて基板（Ｗ）の周縁部（Ｗｃ）の被膜（ＭＦ）が洗浄されると、金属成分（Ｍ）のさらなる溶出が抑えられた状態で、第１の薬液（ＣＳ１）の供給後に基板（Ｗ）の周縁部（Ｗｃ）に残留した金属成分（Ｍ）の多くを除去しうる。以上により、金属含有被膜の利用に伴う金属汚染を抑制することが可能となる。

例２．例１に係る装置（１）において、制御部（１０）は、第１の位置（Ｐ１）に第１の薬液（ＣＳ１）が供給された後で且つ第２の位置（Ｐ２）に第２の薬液（ＣＳ２）が供給される前に、第１の薬液（ＣＳ１）により溶解した被膜（ＭＦ）を乾燥させるように、基板（Ｗ）を回転させることをさらに実行してもよい。この場合、基板（Ｗ）の回転に伴い被膜（ＭＦ）の周囲に気流が生ずるので、被膜（ＭＦ）の乾燥を促すことができる。また、被膜（ＭＦ）を乾燥させるための他の機器（送風機又は加熱器等）が不要であるので、装置の簡略化を図ることができる。

例３．例１又は例２に係る装置（１）において、基板（Ｗ）の周縁部（Ｗｃ）に保護膜（ＰＦ）を形成する保護処理部（１００）と、基板（Ｗ）の周縁部（Ｗｃ）の保護膜（ＰＦ）を洗浄するように構成された保護膜洗浄部（４００）とをさらに備え、制御部（１０）は、基板（Ｗ）の表面（Ｗａ）に被膜（ＭＦ）が形成される前に、基板（Ｗ）の周縁部（Ｗｃ）に保護膜（ＰＦ）を形成するように保護処理部（１００）を制御することと、第２の位置（Ｐ２）に第２の薬液（ＣＳ２）が供給された後に、基板（Ｗ）の周縁部（Ｗｃ）に、保護膜（ＰＦ）を溶解させる機能を有する第３の薬液（ＣＳ３）を供給するように保護膜洗浄部（４００）を制御することとをさらに実行してもよい。

ところで、金属成分（Ｍ）の除去性能の向上を図るために、例えば、第１の薬液（ＣＳ１）及び第２の薬液（ＣＳ２）として、金属成分（Ｍ）に対し高い洗浄性を有する薬液を用いることが考えられる。一方で、金属成分（Ｍ）に対し高い洗浄性を有する薬液に晒されることで基板（Ｗ）が浸食されるおそれがある。これに対し、例３の装置（１）によれば、第１の薬液（ＣＳ１）の供給に先立って保護膜（ＰＦ）が形成され、当該保護膜（ＰＦ）を溶解させる機能を有する第３の薬液（ＣＳ３）の供給に先立って第２の薬液（ＣＳ２）が供給される。そのため、第１の薬液（ＣＳ１）の供給時及び第２の薬液（ＣＳ２）の供給時に、基板（Ｗ）の周縁部（Ｗｃ）が保護膜（ＰＦ）により保護される。従って、第１の薬液（ＣＳ１）及び第２の薬液（ＣＳ２）として、金属成分（Ｍ）に対し高い洗浄性を有する薬液を用いた場合にも、第１の薬液（ＣＳ１）及び第２の薬液（ＣＳ２）による基板（Ｗ）の浸食を抑制することができる。また、被膜（ＭＦ）の形成に先立って保護膜（ＰＦ）が形成され、第３の薬液（ＣＳ３）の供給に先立って第２の薬液（ＣＳ２）が供給されることにより、保護膜（ＰＦ）を除去した後に基板（Ｗ）の周縁部（Ｗｃ）に残留する金属成分（Ｍ）を大幅に低減することができる。

例４．例３に係る装置（１）において、制御部（１０）は、基板（Ｗ）の周縁部（Ｗｃ）に第３の薬液（ＣＳ３）が供給された後に、基板（Ｗ）の周縁部（Ｗｃ）に、保護膜（ＰＦ）を除去するための第４の薬液（ＣＳ４）であって、第３の薬液（ＣＳ３）と比較して水素イオン濃度が低い第４の薬液（ＣＳ４）を供給するように、保護膜洗浄部（４００）を制御することをさらに実行していてもよい。強い酸性を有する薬液（すなわち、水素イオン濃度が比較的高い薬液）は、金属成分（Ｍ）に対する高い洗浄性も期待される。一方で、強い酸性を有する薬液は保護膜（ＰＦ）に対する除去性能が低い場合がある。そこで、例４の装置（１）のように、第４の薬液（ＣＳ４）として第３の薬液（ＣＳ３）に比較して水素イオン濃度が低い薬液が用いられることにより（すなわち、第３の薬液（ＣＳ３）として、第４の薬液（ＣＳ４）に比較して強い酸性を有する薬液が用いられることにより）、比較的強い酸性を有する第３の薬液（ＣＳ３）により金属成分（Ｍ）を十分に除去しつつ、比較的弱い酸性を有する第４の薬液（ＣＳ４）により保護膜（ＰＦ）も十分に除去することができる。

例５．本開示の他の例に係る基板処理方法は、基板（Ｗ）の表面（Ｗａ）に、金属を含有する被膜（ＭＦ）を形成することと、基板（Ｗ）の周縁部（Ｗｃ）の第１の位置（Ｐ１）に被膜（ＭＦ）を溶解させる機能を有する第１の薬液（ＣＳ１）を供給することと、第１の薬液（ＣＳ１）により溶解した被膜（ＭＦ）が乾燥した後に、基板（Ｗ）の周縁部（Ｗｃ）の第２の位置（Ｐ２）であって、第１の位置（Ｐ１）よりも基板（Ｗ）の周縁側である第２の位置（Ｐ２）に、被膜（ＭＦ）を溶解させる機能を有する第２の薬液（ＣＳ２）を供給することとを含む。例５に係る基板処置方法によれば、例１の装置（１）と同様の作用効果が得られる。

例６．例５に係る方法において、第１の位置（Ｐ１）に第１の薬液（ＣＳ１）を供給することの後で且つ第２の位置（Ｐ２）に第２の薬液（ＣＳ２）を供給することの前に、第１の薬液（ＣＳ１）により溶解した被膜（ＭＦ）を乾燥させるように、基板（Ｗ）を回転させることをさらに含んでいてもよい。この場合、例２の装置（１）と同様の作用効果が得られる。

例７．例５又は例６に係る方法において、基板（Ｗ）の表面（Ｗａ）に被膜（ＭＦ）を形成することの前に、基板（Ｗ）の周縁部（Ｗｃ）に保護膜（ＰＦ）を形成することと、第２の位置（Ｐ２）に第２の薬液（ＣＳ２）を供給することの後に、基板（Ｗ）の周縁部（Ｗｃ）に、保護膜（ＰＦ）を溶解させる機能を有する第３の薬液（ＣＳ３）を供給することとをさらに含んでいてもよい。この場合、例３の装置（１）と同様の作用効果が得られる。

例８．例７に係る方法において、基板（Ｗ）の周縁部（Ｗｃ）に第３の薬液（ＣＳ３）を供給することの後に、基板（Ｗ）の周縁部（Ｗｃ）に、保護膜（ＰＦ）を溶解させる機能を有する第４の薬液（ＣＳ４）であって、第３の薬液（ＳＣ３）と比較して水素イオン濃度が低い第４の薬液（ＣＳ４）を供給することをさらに含んでいてもよい。この場合、例４の装置（１）と同様の作用効果が得られる。

例９．本開示の他の例に係るコンピュータ読み取り可能な記録媒体（ＲＭ）は、例５～８のいずれかに記載の方法を基板処理装置（１）に実行させるためのプログラムを記録している。この場合、例５～８のいずれかの方法と同様の作用効果を有する。本明細書において、コンピュータ読み取り可能な記録媒体（ＲＭ）には、一時的でない有形の媒体（non-transitory computer recording medium）（例えば、各種の主記憶装置又は補助記憶装置）や、伝播信号（transitory computer recording medium）（例えば、ネットワークを介して提供可能なデータ信号）が含まれる。

以下、実施例について説明するが、本発明は実施例に限定されるものではない。

（実施例１）
以下の手順でウエハＷに金属含有のレジスト膜ＭＦを形成した。まず、ステップＳ１１～Ｓ１７を実行することで、ウエハＷの周縁部Ｗｃに保護膜ＰＦを形成した。次に、上述したステップＳ２１～Ｓ２９を実行することで、ウエハＷの表面Ｗａへのレジスト膜ＭＦの形成、及びウエハＷの周縁部Ｗｃのレジスト膜ＭＦの洗浄を行った。次に、ステップＳ４１～Ｓ４８のうちステップＳ４３を省略した手順を実行することで、ウエハＷの周縁部Ｗｃの保護膜ＰＦの洗浄、及びウエハＷの表面Ｗａのレジスト膜ＭＦの加熱を行った。

（比較例１）
以下の手順でウエハＷに金属含有のレジスト膜ＭＦを形成した。まず、ステップＳ１１～Ｓ１７を実行することで、ウエハＷの周縁部Ｗｃに保護膜ＰＦを形成した。次に、上述したステップＳ２１～Ｓ２９のうちステップＳ２６，Ｓ２７を省略した手順を実行することで、ウエハＷの表面Ｗａへのレジスト膜ＭＦの形成、及びウエハＷの周縁部Ｗｃのレジスト膜ＭＦの洗浄を行った。次に、ステップＳ４１～Ｓ４８のうちステップＳ４３を省略した手順を実行することで、ウエハＷの周縁部Ｗｃの保護膜ＰＦの洗浄、及びウエハＷの表面Ｗａのレジスト膜ＭＦの加熱を行った。

（金属成分の残留量の評価方法）
実施例１及び比較例１のウエハＷに対し、以下の手順で金属成分Ｍの残留量を評価した。まず、水平型基板検査装置にてウエハＷの周縁部Ｗｃの最表面を酸で接液し、接液により得られた液を全量回収し測定試液とした。この測定試液を誘導結合プラズマ質量分析法（ＩＣＰ－ＭＳ）により測定した。測定で得られた質量を原子数に変換し、接液した面積で除することで単位面積当たりの原子数に換算した。実施例１及び比較例１では、ウエハＷの周縁部Ｗｃにおける端面Ｗｂ及び裏面Ｗｄ（図１８（ｂ）参照）のそれぞれの金属成分Ｍの残留量を評価した。

（金属成分の残留量の評価結果）
図１９（ａ）に示されるように、裏面Ｗｄ、端面Ｗｂ、及び裏面Ｗｄ＋端面Ｗｂのいずれにおいても、比較例１に対し、実施例１の方が周縁部Ｗｃに残留する金属成分Ｍを削減できることが確認された。

（実施例２）
ステップＳ４１～Ｓ４８のうちステップＳ４３を省略せず、ステップＳ４４を省略するように変更した以外は、実施例１と同様の手順でウエハＷに金属含有のレジスト膜ＭＦを形成した。

（比較例２）
ステップＳ４１～Ｓ４８のうちステップＳ４３を省略せず、ステップＳ４４を省略するように変更した以外は、比較例１と同様の手順でウエハＷに金属含有のレジスト膜ＭＦを形成した。

（金属成分の残留量の評価結果）
実施例２及び比較例２のウエハＷに対し、実施例１及び比較例１と同様の手順で金属成分Ｍの残留量を評価した。その結果、図１９（ｂ）に示されるように、端面Ｗｂ、及び裏面Ｗｄ＋端面Ｗｂにおいて、比較例２に対し、実施例２の方が周縁部Ｗｃに残留する金属成分Ｍを削減できることが確認された。

（実施例３）
ステップＳ４１～Ｓ４８のうちステップＳ４３を省略せずにステップＳ４４に変更した以外は、実施例１と同様の手順でウエハＷに金属含有のレジスト膜ＭＦを形成した。すなわち、実施例３においては、ステップＳ４４を２回行った。１回目のステップＳ４４において第４の薬液ＣＳ４の供給時間は１３秒とした。２回目のステップＳ４４において第４の薬液ＣＳ４の供給時間は５秒とした。

（実施例４）
ステップＳ４１～Ｓ４８のうちステップＳ４４を省略せずにステップＳ４３に変更した以外は、実施例２と同様の手順でウエハＷに金属含有のレジスト膜ＭＦを形成した。すなわち、実施例４においては、ステップＳ４３を２回行った。１回目のステップＳ４３において第３の薬液ＣＳ３の供給時間は１３秒とした。２回目のステップＳ４３において第３の薬液ＣＳ３の供給時間は５秒とした。

（実施例５）
ステップＳ４１～Ｓ４８のうちいずれのステップも変更及び省略せずに実行した以外は、実施例１～４と同様の手順でウエハＷに金属含有のレジスト膜ＭＦを形成した。ステップＳ４３において第３の薬液ＣＳ３の供給時間は１３秒とした。ステップＳ４４において第４の薬液ＣＳ４の供給時間は５秒とした。

（保護膜の残渣の評価方法）
実施例３～５のウエハＷに対し、以下の手順で保護膜ＰＦの残渣を評価した。まず、ウエハ端部専用のマクロ検査装置にて、保護膜ＰＦを塗布する前のウエハＷの端面Ｗｂのイメージ（撮像画像）と、保護膜ＰＦを洗浄した後のウエハＷの端面Ｗｂ（図１８（ｂ）参照）のイメージ（撮像画像）とを取得した。次に、取得した各イメージを比較し、増加した残渣の個数をカウントした。実施例３～５では、３枚のウエハＷに対し、それぞれの保護膜ＰＦの残渣を評価した。

（保護膜の残渣の評価結果）
図２０に示されるように、１枚目、２枚目、及び３枚目のいずれにおいても、実施例３が周縁部Ｗｃ（端面Ｗｂ）に残留する保護膜ＰＦの残渣を最も削減できることが確認された。これに対し、実施例５の場合も実施例３と同程度で周縁部Ｗｃ（端面Ｗｂ）に残留する保護膜ＰＦの残渣を削減できることが確認された。なお、実施例４の場合、１枚目、２枚目、及び３枚目のいずれにおいても、実施例３及び実施例５と比較して保護膜ＰＦの残渣数が顕著に多かったため、計測できなかった。

（実施例６）
実施例３と同様の手順でウエハＷに金属含有のレジスト膜ＭＦを形成した。

（実施例７）
実施例４と同様の手順でウエハＷに金属含有のレジスト膜ＭＦを形成した。

（実施例８）
実施例５と同様の手順でウエハＷに金属含有のレジスト膜ＭＦを形成した。

（金属成分の残留量の評価結果）
実施例６～８のウエハＷに対し、実施例１，２及び比較例１，２と同様の手順で金属成分Ｍの残留量を評価した。その結果、図２１に示されるように、裏面Ｗｄ、端面Ｗｂ、及び裏面Ｗｄ＋端面Ｗｂのいずれにおいても、実施例７が周縁部Ｗｃに残留する金属成分Ｍを最も削減できることが確認された。これに対し、実施例６の場合には、周縁部Ｗｃに残留する金属成分Ｍを最も多く残留させていることが確認された。一方で、実施例８の場合には、実施例６と同程度で周縁部Ｗｃに残留する金属成分Ｍを削減できることが確認された。

以上より、図２０及び図２１に示されるように、実施例５及び実施例８のように、ステップＳ４１～Ｓ４８のうちいずれのステップも変更及び省略せずに実行した場合には、保護膜ＰＦの残渣数及び金属成分Ｍの両方を削減できることが確認された。

１…基板処理システム（基板処理装置）、２…塗布現像装置（基板処理装置）、１０…コントローラ（制御部）、１００…保護処理部、２００…成膜部、３００…被膜洗浄部、４００…保護膜洗浄部、Ｐ１…位置（第１の位置）、Ｐ２…位置（第２の位置）、ＣＳ１…第１の薬液、ＣＳ２…第２の薬液、ＣＳ３…第３の薬液、ＣＳ４…第４の薬液、ＭＦ…レジスト膜（被膜）、ＰＦ…保護膜、ＲＭ…記録媒体、Ｗ…ウエハ（基板）、Ｗａ…表面、Ｗｃ…周縁部。

Claims (5)

1. 基板の表面に、金属を含有する被膜を形成するように構成された成膜部と、
   前記基板の周縁部の前記被膜を洗浄するように構成された被膜洗浄部と、
   前記基板の周縁部に保護膜を形成するように構成された保護処理部と、
   前記基板の周縁部の前記保護膜を洗浄するように構成された保護膜洗浄部と、
   制御部とを備え、
   前記制御部は、
   前記基板の周縁部に前記保護膜を形成するように前記保護処理部を制御することと、
   前記基板の周縁部に前記保護膜が形成された後に、前記基板の表面に前記被膜を形成するように、前記成膜部を制御することと、
   前記基板の周縁部の第１の位置に、前記被膜を溶解させる機能を有する第１の薬液を供給するように、前記被膜洗浄部を制御することと、
   前記第１の薬液により溶解した前記被膜が乾燥した後に、前記基板の周縁部の第２の位置であって、前記第１の位置よりも前記基板の周縁側である前記第２の位置に、前記被膜を溶解させる機能を有する第２の薬液を供給するように、前記被膜洗浄部を制御することと、
   前記第２の位置に前記第２の薬液が供給された後に、前記基板の周縁部に、前記保護膜を溶解させる機能を有する第３の薬液を供給するように前記保護膜洗浄部を制御することと、
   前記基板の周縁部に前記第３の薬液が供給された後に、前記基板の周縁部に、前記保護膜を溶解させる機能を有する第４の薬液であって、前記第３の薬液と比較して水素イオン濃度が低い前記第４の薬液を供給するように、前記保護膜洗浄部を制御することとを実行する、基板処理装置。
2. 前記制御部は、前記第１の位置に前記第１の薬液が供給された後で且つ前記第２の位置に前記第２の薬液が供給される前に、前記第１の薬液により溶解した前記被膜を乾燥させるように、前記基板を回転させることをさらに実行する、請求項１に記載の装置。
3. 基板の周縁部に保護膜を形成することと、
   前記基板の周縁部に保護膜を形成した後に、前記基板の表面に、金属を含有する被膜を形成することと、
   前記基板の周縁部の第１の位置に、前記被膜を溶解させる機能を有する第１の薬液を供給することと、
   前記第１の薬液により溶解した前記被膜が乾燥した後に、前記基板の周縁部の第２の位置であって、前記第１の位置よりも前記基板の周縁側である前記第２の位置に、前記被膜を溶解させる機能を有する第２の薬液を供給することと、
   前記第２の位置に前記第２の薬液を供給することの後に、前記基板の周縁部に、前記保護膜を溶解させる機能を有する第３の薬液を供給することと、
   前記基板の周縁部に前記第３の薬液を供給することの後に、前記基板の周縁部に、前記保護膜を溶解させる機能を有する第４の薬液であって、前記第３の薬液と比較して水素イオン濃度が低い前記第４の薬液を供給することとを含む、基板処理方法。
4. 前記第１の位置に前記第１の薬液を供給することの後で且つ前記第２の位置に前記第２の薬液を供給することの前に、前記第１の薬液により溶解した前記被膜を乾燥させるように、前記基板を回転させることをさらに含む、請求項３に記載の方法。
5. 請求項３又は４に記載の方法を基板処理装置に実行させるためのプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体。

Images