JPH1116804A - 液処理方法 - Google Patents
液処理方法Info
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- JPH1116804A JPH1116804A JP16300697A JP16300697A JPH1116804A JP H1116804 A JPH1116804 A JP H1116804A JP 16300697 A JP16300697 A JP 16300697A JP 16300697 A JP16300697 A JP 16300697A JP H1116804 A JPH1116804 A JP H1116804A
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- Japan
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- wafer
- edge
- resist
- liquid
- supply nozzle
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 レジストエッジ剥離が容易であり、しかもレ
ジスト残りが起こらない効率の良い液処理方法を提供す
ることを目的とする。 【解決手段】 ＨＭＤＳ処理を施した被処理体に処理液
を供給して前記被処理体表面上に塗布膜を形成する工程
と、前記塗布膜の周縁部分にリンス液を供給して前記周
縁部分の塗布膜を除去する工程とを具備し、前記塗布膜
を形成する工程の前に、ＨＭＤＳ除去用の剥離液を被処
理体の周縁部分に供給することを特徴としている。
ジスト残りが起こらない効率の良い液処理方法を提供す
ることを目的とする。 【解決手段】 ＨＭＤＳ処理を施した被処理体に処理液
を供給して前記被処理体表面上に塗布膜を形成する工程
と、前記塗布膜の周縁部分にリンス液を供給して前記周
縁部分の塗布膜を除去する工程とを具備し、前記塗布膜
を形成する工程の前に、ＨＭＤＳ除去用の剥離液を被処
理体の周縁部分に供給することを特徴としている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置製造プ
ロセスにおいて半導体ウエハ等の被処理体に対して液処
理を行う方法に関する。
ロセスにおいて半導体ウエハ等の被処理体に対して液処
理を行う方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置製造プロセスにおいては、フ
ォトリソグラフィー技術によるパターニングの際に、被
処理体である半導体ウエハ（以下、ウエハと省略する）
上にレジスト液を塗布して現像する塗布・現像処理が行
われる。
ォトリソグラフィー技術によるパターニングの際に、被
処理体である半導体ウエハ（以下、ウエハと省略する）
上にレジスト液を塗布して現像する塗布・現像処理が行
われる。
【０００３】この塗布・現像処理においては、ウエハの
周縁部分にレジスト液が多く供給されるので、周縁部分
（エッジ部分）のレジスト膜が厚くなる現象が起こる。
このため、レジスト塗布直後にエッジ部分のレジスト膜
にいわゆるエッジリンス液を供給してエッジ部分のレジ
スト膜を除去している（レジストエッジの剥離）。この
レジストエッジの剥離は、現在主流であるポジ型レジス
トにおいては必須の処理である。
周縁部分にレジスト液が多く供給されるので、周縁部分
（エッジ部分）のレジスト膜が厚くなる現象が起こる。
このため、レジスト塗布直後にエッジ部分のレジスト膜
にいわゆるエッジリンス液を供給してエッジ部分のレジ
スト膜を除去している（レジストエッジの剥離）。この
レジストエッジの剥離は、現在主流であるポジ型レジス
トにおいては必須の処理である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、エッジ
リンス液を供給するだけではエッジ部分のレジスト膜が
十分に除去されない。このため、現在では、エッジ部分
のみを露光して現像の際に剥離し易くする方法が行われ
ている。
リンス液を供給するだけではエッジ部分のレジスト膜が
十分に除去されない。このため、現在では、エッジ部分
のみを露光して現像の際に剥離し易くする方法が行われ
ている。
【０００５】この方法においては、エッジ部分の露光工
程が増えるので、スループットが悪くなるという問題が
ある。また、近年化学増幅型レジストが用いられてきて
おり、エッジ部分の露光工程がＰＥＢ（Post Exposure
Bake）処理後に行われるので、エッジ露光を行ってもレ
ジスト残りが生じてしまうことがある。
程が増えるので、スループットが悪くなるという問題が
ある。また、近年化学増幅型レジストが用いられてきて
おり、エッジ部分の露光工程がＰＥＢ（Post Exposure
Bake）処理後に行われるので、エッジ露光を行ってもレ
ジスト残りが生じてしまうことがある。
【０００６】本発明はかかる点に鑑みてなされたもので
あり、レジストエッジ剥離が容易であり、しかもレジス
ト残りが起こらない効率の良い液処理方法を提供するこ
とを目的とする。
あり、レジストエッジ剥離が容易であり、しかもレジス
ト残りが起こらない効率の良い液処理方法を提供するこ
とを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明は以下の手段を講じた。すなわち、本発明は、
被処理体に処理液を供給して被処理体に対して液処理を
行う方法であって、ＨＭＤＳ処理を施した被処理体に処
理液を供給して前記被処理体表面上に塗布膜を形成する
工程と、前記塗布膜の周縁部分にリンス液を供給して前
記周縁部分の塗布膜を除去する工程とを具備し、前記塗
布膜を形成する工程の前に、ＨＭＤＳ除去用の剥離液を
被処理体の周縁部分に供給することを特徴とする液処理
方法を提供する。
に本発明は以下の手段を講じた。すなわち、本発明は、
被処理体に処理液を供給して被処理体に対して液処理を
行う方法であって、ＨＭＤＳ処理を施した被処理体に処
理液を供給して前記被処理体表面上に塗布膜を形成する
工程と、前記塗布膜の周縁部分にリンス液を供給して前
記周縁部分の塗布膜を除去する工程とを具備し、前記塗
布膜を形成する工程の前に、ＨＭＤＳ除去用の剥離液を
被処理体の周縁部分に供給することを特徴とする液処理
方法を提供する。
【０００８】この構成によれば、レジスト液を塗布する
前にエッジ部分に剥離液を供給するので、ＨＭＤＳが除
去される。このため、エッジ部分においては、ウエハと
レジスト膜との間にＨＭＤＳが存在しない状態であるの
で、ウエハとレジスト膜との間の密着性が相対的に低下
する。その結果、エッジリンス液を供給するだけでエッ
ジ部分の比較的厚いレジスト膜を容易に剥離することが
できる。
前にエッジ部分に剥離液を供給するので、ＨＭＤＳが除
去される。このため、エッジ部分においては、ウエハと
レジスト膜との間にＨＭＤＳが存在しない状態であるの
で、ウエハとレジスト膜との間の密着性が相対的に低下
する。その結果、エッジリンス液を供給するだけでエッ
ジ部分の比較的厚いレジスト膜を容易に剥離することが
できる。
【０００９】本発明の液処理方法においては、リンス液
として、極性を有する溶媒、例えばエタノール、シンナ
ー、純水等の水溶性溶媒、ヘキサン、酢酸等の有機酸性
溶媒等を用いることが好ましい。また、リンス液とし
て、エッジリンス液であるシンナー等を用いることもで
きる。
として、極性を有する溶媒、例えばエタノール、シンナ
ー、純水等の水溶性溶媒、ヘキサン、酢酸等の有機酸性
溶媒等を用いることが好ましい。また、リンス液とし
て、エッジリンス液であるシンナー等を用いることもで
きる。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態につい
て、添付図面を参照して詳細に説明する。図１は本発明
の液処理方法を説明するための工程図である。
て、添付図面を参照して詳細に説明する。図１は本発明
の液処理方法を説明するための工程図である。
【００１１】本発明の方法においては、まず、ＨＭＤＳ
除去用の剥離液を被処理体であるウエハの周縁部分に供
給する。これは、図１（ａ）に示すように、図示しない
駆動手段に連結された回転シャフト２を回転軸として回
転可能なスピンチャック１上に載置されたウエハ３のエ
ッジ部分の上方に、剥離液供給ノズル４を移動させ、ウ
エハ３を回転させながら剥離液供給ノズル４から剥離液
をエッジ部分に供給する。この場合、ウエハの回転速度
は、エッジ部のみ除去を考慮すると、１０００〜２００
０であることが好ましい。
除去用の剥離液を被処理体であるウエハの周縁部分に供
給する。これは、図１（ａ）に示すように、図示しない
駆動手段に連結された回転シャフト２を回転軸として回
転可能なスピンチャック１上に載置されたウエハ３のエ
ッジ部分の上方に、剥離液供給ノズル４を移動させ、ウ
エハ３を回転させながら剥離液供給ノズル４から剥離液
をエッジ部分に供給する。この場合、ウエハの回転速度
は、エッジ部のみ除去を考慮すると、１０００〜２００
０であることが好ましい。
【００１２】本発明においては、剥離液をウエハ３のエ
ッジ部分に供給する工程は、ＨＭＤＳ処理の前であって
も良く、ＨＭＤＳ処理の後であっても良い。
ッジ部分に供給する工程は、ＨＭＤＳ処理の前であって
も良く、ＨＭＤＳ処理の後であっても良い。
【００１３】次いで、ウエハ３に処理液であるレジスト
液を供給してウエハ３表面上に塗布膜であるレジスト膜
を形成する。これは、図１（ｂ）に示すように、レジス
ト液供給ノズル５をウエハ３の中心部上方に移動させ、
レジスト液供給ノズル５からレジスト液をウエハ３表面
に供給する。
液を供給してウエハ３表面上に塗布膜であるレジスト膜
を形成する。これは、図１（ｂ）に示すように、レジス
ト液供給ノズル５をウエハ３の中心部上方に移動させ、
レジスト液供給ノズル５からレジスト液をウエハ３表面
に供給する。
【００１４】このとき、ウエハ３は回転シャフト２を回
転軸として回転しているので、ウエハ３表面に供給され
たレジスト液は、遠心力によりウエハ３中心部からエッ
ジ部分に向って広がり、ウエハ全面に均一な厚さで塗布
される。この場合、ウエハの回転速度は、レジスト厚さ
均一性を考慮すると、２０００〜３０００であることが
好ましい。
転軸として回転しているので、ウエハ３表面に供給され
たレジスト液は、遠心力によりウエハ３中心部からエッ
ジ部分に向って広がり、ウエハ全面に均一な厚さで塗布
される。この場合、ウエハの回転速度は、レジスト厚さ
均一性を考慮すると、２０００〜３０００であることが
好ましい。
【００１５】次いで、レジスト膜のエッジ部分にリンス
液を供給してエッジ部分のレジスト膜を除去する。これ
は、図１（ｃ）に示すように、ウエハ３のエッジ部分の
上方に、エッジリンス液供給ノズル６を移動させ、ウエ
ハ３を回転させながらエッジリンス液供給ノズル６から
エッジリンス液をエッジ部分に供給する。この場合、ウ
エハの回転速度は、エッジ部のみ除去を考慮すると、１
０００〜２０００であることが好ましい。
液を供給してエッジ部分のレジスト膜を除去する。これ
は、図１（ｃ）に示すように、ウエハ３のエッジ部分の
上方に、エッジリンス液供給ノズル６を移動させ、ウエ
ハ３を回転させながらエッジリンス液供給ノズル６から
エッジリンス液をエッジ部分に供給する。この場合、ウ
エハの回転速度は、エッジ部のみ除去を考慮すると、１
０００〜２０００であることが好ましい。
【００１６】上記工程を有する本発明の方法では、エッ
ジ部分に剥離液を供給して、ＨＭＤＳを除去するので、
エッジ部分においては、ウエハとレジスト膜との間にＨ
ＭＤＳが存在せず、ウエハとレジスト膜との間の密着性
が相対的に低下する。その結果、レジスト塗布後にエッ
ジリンス液を供給するだけでエッジ部分の比較的厚いレ
ジスト膜を容易に剥離することができる。
ジ部分に剥離液を供給して、ＨＭＤＳを除去するので、
エッジ部分においては、ウエハとレジスト膜との間にＨ
ＭＤＳが存在せず、ウエハとレジスト膜との間の密着性
が相対的に低下する。その結果、レジスト塗布後にエッ
ジリンス液を供給するだけでエッジ部分の比較的厚いレ
ジスト膜を容易に剥離することができる。
【００１７】上記の方法において、剥離液としてエッジ
リンス液を用いる場合には、剥離液供給ノズル４として
エッジリンス液供給ノズル６を用いることができるの
で、装置としては簡易な構成とすることができる。
リンス液を用いる場合には、剥離液供給ノズル４として
エッジリンス液供給ノズル６を用いることができるの
で、装置としては簡易な構成とすることができる。
【００１８】次に、本発明の効果を明確にするために行
った実施例について説明する。 （実施例１）まず、ＨＭＤＳ処理後のウエハを搬送手段
により、塗布ユニット（コーター）に搬入し、塗布ユニ
ット内に設置されたスピンチャック上に載置した。次い
で、ウエハを回転速度１０００で回転させながらエッジ
部分にエッジリンス液供給ノズルを近接させ、エッジリ
ンス供給ノズルからエッジリンス液を供給してＨＭＤＳ
を除去、洗浄した。
った実施例について説明する。 （実施例１）まず、ＨＭＤＳ処理後のウエハを搬送手段
により、塗布ユニット（コーター）に搬入し、塗布ユニ
ット内に設置されたスピンチャック上に載置した。次い
で、ウエハを回転速度１０００で回転させながらエッジ
部分にエッジリンス液供給ノズルを近接させ、エッジリ
ンス供給ノズルからエッジリンス液を供給してＨＭＤＳ
を除去、洗浄した。
【００１９】次いで、エッジリンス供給ノズルを後退さ
せて、レジスト液供給ノズルをウエハの中央部上方に位
置させ、ウエハを回転速度２５００で回転させながらレ
ジスト液供給ノズルからレジスト液を供給した。ウエハ
表面に供給されたレジスト液は、遠心力によりウエハ中
心部からエッジ部分に向って広がり、ウエハ全面に均一
な厚さで塗布された。
せて、レジスト液供給ノズルをウエハの中央部上方に位
置させ、ウエハを回転速度２５００で回転させながらレ
ジスト液供給ノズルからレジスト液を供給した。ウエハ
表面に供給されたレジスト液は、遠心力によりウエハ中
心部からエッジ部分に向って広がり、ウエハ全面に均一
な厚さで塗布された。
【００２０】次いで、レジスト供給ノズルを後退させ
て、再びエッジリンス液供給ノズルをウエハのエッジ部
分に近接させ、ウエハを回転速度１０００で回転させな
がらエッジ部分にエッジリンス液供給ノズルからエッジ
リンス液を供給してエッジ部分のレジスト膜を除去し
た。
て、再びエッジリンス液供給ノズルをウエハのエッジ部
分に近接させ、ウエハを回転速度１０００で回転させな
がらエッジ部分にエッジリンス液供給ノズルからエッジ
リンス液を供給してエッジ部分のレジスト膜を除去し
た。
【００２１】このとき、ウエハのエッジ部分のレジスト
膜は十分に除去されており、エッジ露光工程を省略する
ことができた。これにより、スループットが３％程度向
上した。
膜は十分に除去されており、エッジ露光工程を省略する
ことができた。これにより、スループットが３％程度向
上した。
【００２２】（実施例２）ＨＭＤＳ処理後のウエハを搬
送手段により、塗布ユニット（コーター）に搬入し、塗
布ユニット内に設置されたスピンチャック上に載置し
た。次いで、ウエハを回転速度１０００で回転させなが
らエッジ部分に剥離液供給ノズルを近接させ、剥離液供
給ノズルから剥離液としてエタノールを供給してＨＭＤ
Ｓを除去、洗浄した。
送手段により、塗布ユニット（コーター）に搬入し、塗
布ユニット内に設置されたスピンチャック上に載置し
た。次いで、ウエハを回転速度１０００で回転させなが
らエッジ部分に剥離液供給ノズルを近接させ、剥離液供
給ノズルから剥離液としてエタノールを供給してＨＭＤ
Ｓを除去、洗浄した。
【００２３】次いで、剥離液供給ノズルを後退させて、
レジスト液供給ノズルをウエハの中央部上方に位置さ
せ、ウエハを回転速度２５００で回転させながらレジス
ト液供給ノズルからレジスト液を供給した。ウエハ表面
に供給されたレジスト液は、遠心力によりウエハ中心部
からエッジ部分に向って広がり、ウエハ全面に均一な厚
さで塗布された。
レジスト液供給ノズルをウエハの中央部上方に位置さ
せ、ウエハを回転速度２５００で回転させながらレジス
ト液供給ノズルからレジスト液を供給した。ウエハ表面
に供給されたレジスト液は、遠心力によりウエハ中心部
からエッジ部分に向って広がり、ウエハ全面に均一な厚
さで塗布された。
【００２４】次いで、レジスト供給ノズルを後退させ
て、エッジリンス液供給ノズルをウエハのエッジ部分に
近接させ、ウエハを回転速度１０００で回転させながら
エッジ部分にエッジリンス液供給ノズルからエッジリン
ス液を供給してエッジ部分のレジスト膜を除去した。
て、エッジリンス液供給ノズルをウエハのエッジ部分に
近接させ、ウエハを回転速度１０００で回転させながら
エッジ部分にエッジリンス液供給ノズルからエッジリン
ス液を供給してエッジ部分のレジスト膜を除去した。
【００２５】このとき、ウエハのエッジ部分のレジスト
膜は十分に除去されており、エッジ露光工程を省略する
ことができた。これにより、スループットが３％程度向
上した。
膜は十分に除去されており、エッジ露光工程を省略する
ことができた。これにより、スループットが３％程度向
上した。
【００２６】（実施例３，４）剥離液をヘキサン（実施
例３）、純水（実施例４）にすること以外は実施例２と
同様にして液処理を行った。その結果、いずれもスルー
プットが３％程度向上した。
例３）、純水（実施例４）にすること以外は実施例２と
同様にして液処理を行った。その結果、いずれもスルー
プットが３％程度向上した。
【００２７】上記実施形態においては、被処理体として
半導体ウエハを用いた場合について説明しているが、本
発明においては、被処理体として、他の基板、例えばガ
ラス基板等を用いても良い。
半導体ウエハを用いた場合について説明しているが、本
発明においては、被処理体として、他の基板、例えばガ
ラス基板等を用いても良い。
【００２８】
【発明の効果】以上説明したように本発明の液処理方法
は、塗布膜を形成する工程の前に、ＨＭＤＳ除去用の剥
離液を被処理体の周縁部分に供給するので、レジストエ
ッジ剥離が容易であり、しかもレジスト残りが起こらな
い方法である。
は、塗布膜を形成する工程の前に、ＨＭＤＳ除去用の剥
離液を被処理体の周縁部分に供給するので、レジストエ
ッジ剥離が容易であり、しかもレジスト残りが起こらな
い方法である。
【００２９】また、本発明の液処理方法は、エッジ露光
工程およびその後のクーリング工程を削減することがで
きるので、スループットを向上させることができる。さ
らに、エッジ露光が不要となるので、エッジ露光ユニッ
トを削減することができ、省スペース化に寄与すること
ができる。
工程およびその後のクーリング工程を削減することがで
きるので、スループットを向上させることができる。さ
らに、エッジ露光が不要となるので、エッジ露光ユニッ
トを削減することができ、省スペース化に寄与すること
ができる。
【図１】（ａ）〜（ｃ）は本発明の液処理方法を説明す
るための工程図である。
るための工程図である。
１…スピンチャック、２…回転シャフト、３…ウエハ、
４…剥離液供給ノズル、５…レジスト液供給ノズル、６
…エッジリンス液供給ノズル。
４…剥離液供給ノズル、５…レジスト液供給ノズル、６
…エッジリンス液供給ノズル。
Claims (2)
- 【請求項１】 被処理体に処理液を供給して被処理体に
対して液処理を行う方法であって、ＨＭＤＳ（Hexa met
hylen di silazane)処理を施した被処理体に処理液を供
給して前記被処理体表面上に塗布膜を形成する工程と、
前記塗布膜の周縁部分にリンス液を供給して前記周縁部
分の塗布膜を除去する工程とを具備し、前記塗布膜を形
成する工程の前に、ＨＭＤＳ除去用の剥離液を被処理体
の周縁部分に供給することを特徴とする液処理方法。 - 【請求項２】 前記リンス液として、極性を有する溶媒
を用いることを特徴とする請求項１に記載の液処理方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16300697A JPH1116804A (ja) | 1997-06-19 | 1997-06-19 | 液処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16300697A JPH1116804A (ja) | 1997-06-19 | 1997-06-19 | 液処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1116804A true JPH1116804A (ja) | 1999-01-22 |
Family
ID=15765413
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16300697A Pending JPH1116804A (ja) | 1997-06-19 | 1997-06-19 | 液処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1116804A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100605311B1 (ko) * | 1999-08-09 | 2006-07-28 | 삼성전자주식회사 | 두꺼운 감광막 형성 방법 |
| WO2017069461A1 (ko) * | 2015-10-23 | 2017-04-27 | (주)기가레인 | 고전자이동도 트랜지스터 및 그의 제조방법 |
| JP2017139320A (ja) * | 2016-02-03 | 2017-08-10 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法、基板処理装置及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体 |
-
1997
- 1997-06-19 JP JP16300697A patent/JPH1116804A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100605311B1 (ko) * | 1999-08-09 | 2006-07-28 | 삼성전자주식회사 | 두꺼운 감광막 형성 방법 |
| WO2017069461A1 (ko) * | 2015-10-23 | 2017-04-27 | (주)기가레인 | 고전자이동도 트랜지스터 및 그의 제조방법 |
| JP2017139320A (ja) * | 2016-02-03 | 2017-08-10 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法、基板処理装置及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体 |
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