KR100862447B1 - 고투과 광학 박막 및 이를 구비하는 반도체 발광소자 - Google Patents
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- 제1 굴절률을 갖는 제1 물질층;상기 제1 물질층 상에 형성된 것으로, 상기 제1 굴절률 보다 작은 제2 굴절률을 갖는 제2 물질층; 및상기 제1 물질층과 제2 물질층 사이에 개재되는 것으로, 상기 제1 물질층쪽에서 제2 물질층쪽으로 진행할수록 제1 굴절률과 제2 굴절률의 사이범위에서 그 굴절률 분포가 점차로 감소되는 다층구조로 형성된 그레이드식-굴절률층(graded-refractive index layer);을 포함하며,상기 제2 물질층 및 그레이드식-굴절률층은 미세공극을 포함하는 다공성 구조체로 형성된 것을 특징으로 하는 광학 박막.
- 제 1 항에 있어서,상기 제1 굴절률과 제2 굴절률은 1 이상 5 이하의 범위에서 선택되는 것을 특징으로 하는 광학 박막.
- 제 2 항에 있어서,상기 제1 물질층과 제2 물질층 및 그레이드식-굴절률층 각각은 TiO2, SiC, GaN, GaP, SiNy, ZrO2, ITO, AlN, Al2O3, MgO, SiO2, CaF2 및 MgF2 으로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 적어도 어느 하나로 형성된 것을 특징으로 하는 광학 박막.
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- 제 1 항에 있어서,상기 제2 물질층의 공극률(porosity density)이 상기 그레이드식-굴절률층의 공극률 보다 더 큰 것을 특징으로 하는 광학 박막.
- 제 7 항에 있어서,상기 제2 물질층에 인접할수록 상기 그레이드식-굴절률층을 구성하는 각 구 성층의 공극률이 점차로 증가되는 것을 특징으로 하는 광학 박막.
- 제 8 항에 있어서,상기 제2 물질층과 그레이드식-굴절률층은 동일한 성분의 물질로 형성된 것을 특징으로 하는 광학 박막.
- 제 1 항에 있어서,상기 미세공극은 나노-에어 포어(nano-air pore)를 포함하는 것을 특징으로 하는 광학 박막.
- n-전극, n형 반도체층, 활성층, p형 반도체층과 p-전극; 및상기 활성층으로부터 생성된 광이 출사되는 광출사면 상에 형성되는 것으로, 광투과 경로를 제공하는 광학 박막;을 포함하고, 상기 광학 박막은,상기 광출사면 상에 형성된 것으로, 제1 굴절률을 갖는 제1 물질층;상기 제1 물질층 상에 형성된 것으로, 상기 제1 굴절률 보다 작은 제2 굴절률을 갖는 제2 물질층; 및상기 제1 물질층과 제2 물질층 사이에 개재되는 것으로, 상기 제1 물질층쪽에서 제2 물질층쪽으로 진행할수록 제1 굴절률과 제2 굴절률의 사이범위에서 그 굴절률 분포가 점차로 감소되는 다층구조로 형성된 그레이드식-굴절률층(graded-refractive index layer);을 포함하며,상기 제2 물질층 및 그레이드식-굴절률층은 미세공극을 포함하는 다공성 구조체로 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
- 제 11 항에 있어서,상기 광출사면은 상기 n-전극, n형 반도체층, p형 반도체층 및 p-전극으로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 어느 하나에 의해 제공되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
- 제 11 항에 있어서,상기 제1 굴절률과 제2 굴절률은 1 이상 5 이하의 범위에서 선택되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
- 제 13 항에 있어서,상기 제1 물질층과 제2 물질층 및 그레이드식-굴절률층 각각은 TiO2, SiC, GaN, GaP, SiNy, ZrO2, ITO, AlN, Al2O3, MgO, SiO2, CaF2 및 MgF2 으로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 적어도 어느 하나로 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
- 제 14 항에 있어서,상기 제1 물질층은 상기 광출사면을 이루는 물질의 굴절률과 동일한 굴절률을 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
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- 제 11 항에 있어서,상기 제2 물질층의 공극률(porosity density)이 상기 그레이드식-굴절률층의 공극률 보다 더 큰 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
- 제 19 항에 있어서,상기 제2 물질층에 인접할수록 상기 그레이드식-굴절률층을 구성하는 각 구성층의 공극률이 점차로 증가되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
- 제 20 항에 있어서,상기 제2 물질층과 그레이드식-굴절률층은 동일한 성분의 물질로 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
- 제 11 항에 있어서,상기 미세공극은 나노-에어 포어(nano-air pore)를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
- 제 14 항에 있어서,상기 광학 박막이 상기 n-전극 상에 형성되고, 상기 n-전극이 투명전도성 질화물 또는 투명전도성 산화물로 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
- 제 14 항에 있어서,상기 광학 박막이 상기 p-전극 상에 형성되고, 상기 p-전극이 투명전도성 질화물 또는 투명전도성 산화물로 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
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