TW201642340A - 乾式蝕刻方法、乾式蝕刻劑及半導體裝置之製造方法 - Google Patents
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Abstract
本發明係一種乾式蝕刻方法,其特徵在於:使用使實質上僅包含1,3,3,3-四氟丙烯與惰性氣體之乾式蝕刻劑電漿化而獲得之電漿氣體,對光阻劑、氧化矽、矽選擇性地蝕刻氮化矽。
Description
本發明係關於一種用以選擇性地蝕刻氮化矽之乾式蝕刻方法。
於在晶圓上形成器件之情形時,有如下步驟:僅選擇性地對覆蓋光阻劑(以下稱為PR)、氧化矽(以下稱為SiO2)膜、多晶矽(以下稱為p-Si)膜之氮化矽(以下稱為SiN)膜進行乾式蝕刻;或SiO2、p-Si及SiN均露出,僅選擇性地對SiN進行乾式蝕刻。
於該蝕刻步驟中,廣泛採用使用電漿之蝕刻裝置,作為處理氣體,要求針對PR膜、SiO2膜及p-Si膜,僅高選擇性地、例如選擇比50以上且高速地、例如SiN蝕刻速度為15nm/min以上對SiN膜進行蝕刻。
先前,作為此種蝕刻氣體,例如已知有CHF3氣體、CH2F2氣體、C4H9F等含氟飽和烴。於專利文獻1中,作為選擇足夠低之電力偏壓、以SiO2膜等作為底層之選擇性蝕刻SiN膜之氮化物蝕刻製程中使用之處理氣體,記載有包含式:CHpF4-p(p表示2或3。以下相同)所表示之化合物之氣體及氧氣之蝕刻氣體。
專利文獻2中揭示可使用高純度2-氟丁烷,有效率地且高選擇性地蝕刻SiN。又,專利文獻3中揭示有一種電漿蝕刻方法,其特徵在於包含CxHyFz(式中,x表示3、4或5,y、z分別獨立地表示正整數,且y>z。以下相同)所表示之飽和氟化烴。
另一方面,已知1,3,3,3-四氟丙烯由於臭氧破壞係數為零,且為
低GWP(全球暖化係數),故而與蝕刻劑中一般使用之全氟碳化合物類或氫氟碳化合物類相比,為地球環境負荷較小之材料,專利文獻4中揭示有使用1,3,3,3-四氟丙烯、添加氣體及惰性氣體之蝕刻方法。
專利文獻1:日本專利特開平8-059215號公報
專利文獻2:國際公開第2014/136877號
專利文獻3:國際公開第2009/123038號
專利文獻4:日本專利特開2012-114402號公報(日本專利5434970號公報)
於專利文獻1中,關於上述式:CHpF4-p所表示之化合物中之CHF3氣體,SiN膜相對於SiO2膜之選擇比(SiN膜之蝕刻速度/SiO2膜之蝕刻速度)為5以下。然而,近年來於器件製程之領域中,謀求所形成器件之小型化、薄膜化,上述CHF3或CH2F2、CH3F等式:CHpF4-p所表示之化合物之氣體於SiN膜相對於SiO2膜之選擇比及蝕刻速度方面不充分。
關於專利文獻2記載之2-氟丁烷(C4H9F)、專利文獻3記載之2,2-二氟丁烷(C4H8F2),與專利文獻1中所使用之CH3F相比,選擇比、蝕刻速度均提昇,獲得相對於SiO2之實質無限大之選擇比。但是,不存在關於相對於p-Si或PR之SiN選擇性之記載。又,C4H9F之沸點為25℃,C4H8F2之沸點為31~32℃。因此,專利文獻2及3之蝕刻方法存在如下等問題:於蝕刻氣體之使用量較多之條件下,液化氣體之溫度因蒸發熱而降低,為了連續地獲得充足之蒸汽壓而必須有加熱裝置。
專利文獻4中記載作為SiO2或SiN之選擇性蝕刻劑,1,3,3,3-四氟
丙烯對抗蝕劑材料具有較高之選擇性。然而,專利文獻4之實施例中記載SiN與SiO2具有大致同等程度之蝕刻速率,藉由專利文獻4之方法難以實現相對於SiO2或p-Si之SiN選擇性較高之蝕刻。
基於上述背景,業界要求開發可進行相對於PR、SiO2及p-Si之SiN蝕刻選擇性較高之電漿蝕刻的蝕刻方法。
本發明者等人為了達成上述目的而進行各種研究,結果發現:藉由使用不含氧化性氣體之1,3,3,3-四氟丙烯與惰性氣體之混合氣體作為乾式蝕刻劑進行電漿蝕刻,而相對於PR、SiO2及p-Si,SiN之蝕刻選擇比成為50以上之非常高之值,進而,與所熟知之作為SiN之高選擇性蝕刻氣體之C4H9F相比具有較高之蝕刻速度。
即,本發明提供以下之[發明1]~[發明8]所記載之發明。
[發明1]
一種乾式蝕刻方法,其係使用使乾式蝕刻劑電漿化而獲得之電漿氣體,對光阻劑、氧化矽、矽選擇性地蝕刻氮化矽者,其特徵在於:上述乾式蝕刻劑實質上僅包含1,3,3,3-四氟丙烯與惰性氣體。
[發明2]
一種乾式蝕刻方法,其係使用使乾式蝕刻劑電漿化而獲得之電漿氣體,對光阻劑、氧化矽、矽選擇性地蝕刻氮化矽者,其特徵在於:上述乾式蝕刻劑實質上僅包含1,3,3,3-四氟丙烯、惰性氣體及添加氣體,上述添加氣體係選自由H2、HF、HI、HBr、HCl、NH3、CF4、CF3H、CF2H2、CFH3、C2F6、C2F4H2、C2F5H、C3F8、C3F7H、C3F6H2、C3F5H3、C3F4H4、C3F3H5、C3F5H、C3F3H、C3ClF3H、
C4F8、C4F6、C5F8及C5F10所組成之群中之至少1種添加氣體。
[發明3]
如發明1或2記載之乾式蝕刻方法,其特徵在於:氧化性氣體之含量相對於1,3,3,3-四氟丙烯未達1000體積ppm。
[發明4]
如發明1至3中任一項記載之乾式蝕刻方法,其特徵在於:上述惰性氣體係選自由N2、He、Ar、Ne、Kr及Xe所組成之群中之至少1種惰性氣體。
[發明5]
如發明1至4中任一項記載之乾式蝕刻方法,其特徵在於:1,3,3,3-四氟丙烯之含量相對於上述乾式蝕刻劑之總量為1體積%以上且50體積%以下。
[發明6]
一種乾式蝕刻劑,其特徵在於:其係對光阻劑、氧化矽、矽選擇性地蝕刻氮化矽者,且該乾式蝕刻劑實質上僅包含1,3,3,3-四氟丙烯與惰性氣體。
[發明7]
一種乾式蝕刻劑,其特徵在於:其係對光阻劑、氧化矽、矽選擇性地蝕刻氮化矽者,且該乾式蝕刻劑實質上僅包含1,3,3,3-四氟丙烯、惰性氣體及添加氣體,上述添加氣體係選自由H2、HF、HI、HBr、HCl、NH3、CF4、CF3H、CF2H2、CFH3、C2F6、C2F4H2、C2F5H、C3F8、C3F7H、C3F6H2、C3F5H3、C3F4H4、C3F3H5、C3F5H、C3F3H、C3ClF3H、C4F8、C4F6、C5F8及C5F10所組成之群中之至少1種氣體。
[發明8]
如發明6或7記載之乾式蝕刻劑,其特徵在於:氧化性氣體之含量相對於1,3,3,3-四氟丙烯未達1000體積ppm。
[發明9]
一種半導體裝置之製造方法,其特徵在於包括如下步驟:對具有光阻劑膜、氧化矽膜、多晶矽膜、氮化矽膜之矽基板應用如發明1至5中任一項記載之乾式蝕刻方法而選擇性地蝕刻上述氮化矽膜。
[發明10]
一種半導體裝置之製造方法,其特徵在於包括如下步驟:於矽基板形成氧化矽膜與氮化矽膜之積層膜;於上述積層膜形成貫通孔;及對上述積層膜應用如發明1至5中任一項記載之乾式蝕刻方法,而對上述氧化矽膜選擇性地蝕刻上述氮化矽膜。
根據本發明,可於幾乎不蝕刻PR、SiO2及p-Si之情況下藉由乾式製程選擇性地去除SiN。
10‧‧‧反應裝置
11‧‧‧腔室
12‧‧‧壓力計
13‧‧‧高頻電源
14‧‧‧下部電極
15‧‧‧上部電極
16‧‧‧氣體導入口
17‧‧‧氣體排出管線
18‧‧‧試樣
圖1係實施例、比較例中所使用之反應裝置之概略圖。
以下對本發明之實施方法進行說明。再者,本發明之範圍並不限制於該等說明,除了以下之例示,亦可於無損本發明之主旨之範圍內適當變更而實施。
本發明之乾式蝕刻方法之特徵在於:藉由使用實質上僅包含1,3,3,3-四氟丙烯與惰性氣體之乾式蝕刻劑、或實質上僅包含1,3,3,3-四氟丙烯、惰性氣體及添加氣體之乾式蝕刻劑進行電漿蝕刻,而對SiO2、p-Si及PR選擇性地蝕刻SiN。
本發明中使用之1,3,3,3-四氟丙烯可藉由先前公知之方法製造。例如,關於1,3,3,3-四氟丙烯之製造,本發明者等人可藉由使日本專
利第3465865號或日本專利第3821514號中以工業規模獲得之1-氯-3,3,3-三氟丙烯於氣相氟化觸媒之存在下與HF(hydrofluoric acid,氫氟酸)發生作用而獲得。又,揭示一種可於氣相下藉由觸媒而分解1,3,3,3-五氟丙烷之方法。
本發明之蝕刻方法可於各種乾式蝕刻條件下實施。可添加O2以外之添加氣體或惰性氣體以成為所需之蝕刻速率、蝕刻選擇比及蝕刻形狀。
作為添加氣體,可使用選自由H2、HF、HI、HBr、HCl、NH3、CF4、CF3H、CF2H2、CFH3、C2F6、C2F4H2、C2F5H、C3F8、C3F7H、C3F6H2、C3F5H3、C3F4H4、C3F3H5、C3F5H、C3F3H、C3ClF3H、C4F8、C4F6、C5F8及C5F10所組成之群中之至少1種氣體。又,為了獲得所需之蝕刻形狀或蝕刻速率,亦可添加1種以上之氟碳化合物、氫氟碳化合物、含鹵素化合物進行蝕刻。
作為惰性氣體,可列舉:N2、He、Ar、Ne、Kr及Xe。
於通常之使用氫氟碳化合物之乾式蝕刻中,為了促進蝕刻氣體之分解而添加O2等氧化性氣體。然而,1,3,3,3-四氟丙烯由於分子內具有雙鍵,而於電漿作用下容易分解、活化,且分子內具有氫,故容易按照以下之式1進行SiN之蝕刻。因此,認為即便不添加O2,亦不會於SiN上形成沈積膜而進行蝕刻。此處,CxHyFz係1,3,3,3-四氟丙烯之電漿分解產物,SiN代表Si3N4等SiNx,式1不調合左右之化學計量。
SiN+CxHyFz → SiF4+CF4+HCN (式1)
另一方面,已知藉由將1,3,3,3-四氟丙烯暴露於電漿下而產生之鏈段中包含較多之碳數為2以上者,該等碳數為2以上之鏈段自由基相較於SiN上容易堆積於SiO2上,有於SiO2上形成沈積膜之效果。認為尤其於不存在O2等氧化性氣體之情形時,與添加O2之情形相比,對SiO2、SiN中之任一者均有蝕刻量降低之傾向,故形成於SiO2上之沈
積膜發揮充分之保護效果,對SiO2之蝕刻反應不及對SiN之蝕刻反應。
本發明中使用之乾式蝕刻劑較佳為實質上不含氧化性氣體。雖容許混入來自使用氣體之微量氧化性氣體,但即便於此情形時,氧化性氣體之含量相對於1,3,3,3-四氟丙烯亦較佳為未達1000體積ppm,更佳為未達500體積ppm,進而較佳為未達100體積ppm。氧化性氣體之含量意指選自由O2、O3、CO、CO2、COCl2、COF2、CF2(OF)2、CF3OF、NO2、NO、F2、NF3、Cl2、Br2、I2、YFn(式中,Y表示Cl、Br或I,n表示整數,且1≦n≦7)所組成之群中之氣體之合計含量。
於本發明中,將所使用之包含1,3,3,3-四氟丙烯與惰性氣體、或包含1,3,3,3-四氟丙烯、添加氣體及惰性氣體之蝕刻劑之較佳組成比示於以下。再者,各種氣體之體積%之總計為100體積%。
1,3,3,3-四氟丙烯之含量較佳為1體積%以上且50體積%以下,更佳為5體積%以上且40體積%以下,進而較佳為10體積%以上且30體積%以下。
又,添加氣體之含量較佳為50體積%以下,更佳為10體積%以下。
又,惰性氣體之含量較佳為5體積%以上且98體積%以下,更佳為15體積%以上且95體積%以下,進而較佳為60體積%以上且90體積%以下。
其次,對本案發明中之使用乾式蝕刻劑之蝕刻方法進行說明。
本發明中使用之蝕刻方法並無特別限定,可應用於電容耦合型電漿(CCP)蝕刻、反應性離子蝕刻(RIE)、電感耦合型電漿(ICP)蝕刻、電子迴旋共振(ECR)電漿蝕刻及微波蝕刻等各種蝕刻方法。
關於蝕刻氣體所含有之氣體成分,可分別獨立地導入至腔室內,或者亦可預先製成混合氣體後導入至腔室內。反應腔室內所導入
之乾式蝕刻劑之總流量可根據反應腔室之體積及排氣部之排氣能力,考慮到濃度條件與壓力條件而適當選擇。
為了獲得穩定之電漿,且為了提高離子之直線性而抑制旁側蝕刻,進行蝕刻時之壓力較佳為5Pa以下,尤佳為1Pa以下。另一方面,若腔室內之壓力過低,則游離離子變少,無法獲得充分之電漿密度,故較佳為0.05Pa以上。
又,進行蝕刻時之基板溫度較佳為50℃以下,尤其為了進行各向異性蝕刻,較理想為設為20℃以下。於超過50℃之高溫下,有未充分地於SiO2或p-Si、PR上形成保護膜,選擇性降低之情況。
又,關於進行蝕刻時使電極間產生之偏壓電壓,根據所需之蝕刻形狀進行選擇即可。例如,於進行各向異性蝕刻時,較理想為產生500V~10000V左右之電極間電壓而使離子高能量化。過高之偏壓電壓有放大離子之能量而導致選擇性降低之情況。另一方面,於進行各向同性蝕刻時,較理想為設為未達500V,於離子能量較低之條件下進行蝕刻。
關於蝕刻時間,若考慮到元件製造製程之效率,則較佳為30分鐘以內。此處,蝕刻時間係於腔室內產生電漿,使乾式蝕刻劑與試樣進行反應之時間。
如上所述,於在晶圓上形成器件之情形時,有進行如下步驟之情況:僅選擇性地對覆蓋PR膜、SiO2膜、p-Si膜之SiN膜進行乾式蝕刻;或SiO2、p-Si及SiN均露出,僅選擇性地對SiN進行乾式蝕刻。尤其於三維記憶體之製造製程中,於矽基板形成SiO2與SiN之積層膜,於該積層膜形成貫通孔,自貫通孔供給蝕刻氣體,應用本發明之乾式蝕刻方法,一面使SiO2殘留一面選擇性地蝕刻SiN,藉此可形成多個SiO2層空開間隔且平行地排列之構造。
實施例
以下,一併列舉本發明之實施例與比較例,但本發明並不限制於以下之實施例。
[實施例1]
(蝕刻步驟)
圖1係實施例、比較例中所使用之反應裝置10之概略圖。於腔室11內設置有下部電極14、上部電極15及壓力計12,該下部電極14具有保持晶圓之功能且亦發揮作為平台之作用。又,於腔室11上部連接有氣體導入口16。腔室11內可調整壓力,並且可藉由高頻電源(13.56MHz)13使乾式蝕刻劑獲得激發。藉此,可使經激發之乾式蝕刻劑與設置於下部電極14上之試樣18接觸,而蝕刻試樣18。腔室11係以如下方式構成:若於導入有乾式蝕刻劑之狀態下由高頻電源13施加高頻電力,則由於電漿中之離子與電子之遷移速度之差而可於上部電極15與下部電極14之間產生被稱為偏壓電壓之直流電壓。腔室11內之氣體經由氣體排出管線17排出。
將作為試樣18之具有p-Si層之矽晶圓A、具有SiO2層之矽晶圓B、具有SiN層之矽晶圓C、及具有PR層之矽晶圓D設置於冷卻至15℃之平台上。SiN層、p-Si層及SiO2層係藉由CVD(chemical vapor deposition,化學氣相沈積)法製作。又,PR層係藉由塗佈而製作。
此處,以總流量100sccm流通作為蝕刻劑之使相對於總流量分別為10體積%、90體積%之1,3,3,3-四氟丙烯(HFO-1234ze(E))及Ar混合而成之氣體,於400W下施加高頻電力而使蝕刻劑實現電漿化,藉此進行蝕刻。
再者,所使用之1,3,3,3-四氟丙烯為純度99.9%以上之高純度品,O2、O3、CO、CO2、COCl2、COF2、CF2(OF)2、CF3OF、NO2、NO、F2、NF3、Cl2、Br2、I2、YFn(式中,Y表示Cl、Br或I,n表示整數,且1≦n≦7)等氧化性氣體之含量即使是合計也在100體積ppm以下。其
後使用之1,1,3,3,3-五氟丙烯(HFO-1225zc)亦相同。又,氬氣係使用純度99.99995體積%以上之高純度品,各氧化性氣體之含量即使是合計也在1體積ppm以下。
蝕刻後,根據矽晶圓A之p-Si層、矽晶圓B之SiO2層、矽晶圓C之SiN層、矽晶圓D之PR層於蝕刻前後之厚度變化而求出蝕刻速度。進而,用SiN蝕刻速度除以其他膜之蝕刻速度,將所得之值作為各蝕刻選擇比。
結果於實施例1中,SiN之蝕刻速度為15.3nm/min.,SiO2之蝕刻速度為0.1nm/min.。因此,SiO2相對於SiN之選擇比為153。再者,其以外之膜未見蝕刻之進行。因此,選擇比為無限大。
[實施例2~4]
改變1,3,3,3-四氟丙烯(HFO-1234ze(E))及Ar之比率,除此以外,於與實施例1相同之條件下進行蝕刻。將各實施例之條件及評價結果示於表1。
[實施例5]
關於蝕刻劑,使1,3,3,3-四氟丙烯(HFO-1234ze(E))、相對於總流量分別為1%、89%之作為添加氣體之1,1,3,3,3-五氟丙烯(HFO-1225zc)及作為惰性氣體之Ar進行混合,除此以外,於與實施例1相同之條件下進行蝕刻。結果SiN之蝕刻速度為16.1nm/min.,SiO2之蝕刻速度為0.3nm/min.。因此,SiO2相對於SiN之選擇比為53.7。再者,其以外之膜未見蝕刻之進行。因此,選擇比為無限大。
[實施例6]
關於蝕刻劑,使1,3,3,3-四氟丙烯(HFO-1234ze(E))、相對於總流量分別為1%、89%之作為添加氣體之氫氣及作為惰性氣體之Ar進行混合,除此以外,於與實施例1相同之條件下進行蝕刻。將其結果示於表1。
[比較例1]
關於蝕刻劑,使相對於總流量分別為10%、1%、89%之1,3,3,3-四氟丙烯(HFO-1234ze(E))、O2及Ar進行混合,除此以外,於與實施例1相同之條件下進行蝕刻。結果SiN之蝕刻速度為19.8nm/min.,SiO2之蝕刻速度為11.2nm/min.。因此,SiO2相對於SiN之選擇比為1.8。再者,其以外之膜未見蝕刻之進行。因此,選擇比為無限大。
[參考例1]
關於蝕刻劑,使相對於總流量分別為10%、10%及80%之2-氟丁烷、作為添加氣體之O2、作為惰性氣體之Ar進行混合,除此以外,於與實施例1相同之條件下進行蝕刻。結果SiN之蝕刻速度為9.8nm/min.,p-Si之蝕刻速度為0.2nm/min.,其以外之膜未見蝕刻之進行。因此,SiO2相對於SiN及PR之選擇比為無限大,相對於p-Si之選擇比為49。
[參考例2]
關於蝕刻劑,使相對於總流量分別為10%、3%及87%之氟甲烷、作為添加氣體之O2、作為惰性氣體之Ar進行混合,除此以外,於與實施例1相同之條件下進行蝕刻。結果SiN、SiO2、p-Si及PR之蝕刻速度分別為12.1nm/min.、10.5nm/min.、7.3nm/min.及46.1nm/min.。因此,SiO2、P-Si及PR相對於SiN之選擇比分別為1.1、1.7及0.3。
將以上之結果彙總於表1。於使用實質上不含O2之1,3,3,3-四氟丙烯或其混合氣體作為乾式蝕刻劑之各實施例中,SiN相對於p-Si、PR、尤其相對於SiO2之蝕刻選擇比為50以上。藉由該乾式蝕刻方法可選擇性地蝕刻SiN。尤其若包含10體積%以上之1,3,3,3-四氟丙烯,則SiN蝕刻速度成為高速。
另一方面,於比較例1中,由於包含1%以上之O2,故而SiO2之蝕刻進行,選擇比大幅降低。
於參考例1及2中,對所熟知之作為SiN蝕刻劑之各種氣體進行評價,參考例1中相對於p-Si之選擇比未達50,參考例2中相對於SiO2、p-Si、PR任一者之選擇比均較差,進而,參考例1、2任一例中之SiN之蝕刻速度均低於實施例1之結果。
本發明對半導體製造製程中之SiN之選擇性蝕刻步驟之效率化較為有效。
10‧‧‧反應裝置
11‧‧‧腔室
12‧‧‧壓力計
13‧‧‧高頻電源
14‧‧‧下部電極
15‧‧‧上部電極
16‧‧‧氣體導入口
17‧‧‧氣體排出管線
18‧‧‧試樣
Claims (10)
- 一種乾式蝕刻方法,其係使用使乾式蝕刻劑電漿化而獲得之電漿氣體,對光阻劑、氧化矽、矽選擇性地蝕刻氮化矽者,其特徵在於:上述乾式蝕刻劑實質上僅包含1,3,3,3-四氟丙烯與惰性氣體。
- 一種乾式蝕刻方法,其係使用使乾式蝕刻劑電漿化而獲得之電漿氣體,對光阻劑、氧化矽、矽選擇性地蝕刻氮化矽者,其特徵在於:上述乾式蝕刻劑實質上僅包含1,3,3,3-四氟丙烯、惰性氣體及添加氣體,上述添加氣體係選自由H2、HF、HI、HBr、HCl、NH3、CF4、CF3H、CF2H2、CFH3、C2F6、C2F4H2、C2F5H、C3F8、C3F7H、C3F6H2、C3F5H3、C3F4H4、C3F3H5、C3F5H、C3F3H、C3ClF3H、C4F8、C4F6、C5F8及C5F10所組成之群中之至少1種添加氣體。
- 如請求項1或2之乾式蝕刻方法,其中氧化性氣體之含量相對於1,3,3,3-四氟丙烯未達1000體積ppm。
- 如請求項1或2之乾式蝕刻方法,其中上述惰性氣體係選自由N2、He、Ar、Ne、Kr及Xe所組成之群中之至少1種惰性氣體。
- 如請求項1或2之乾式蝕刻方法,其中1,3,3,3-四氟丙烯之含量相對於上述乾式蝕刻劑之總量為1體積%以上且50體積%以下。
- 一種乾式蝕刻劑,其特徵在於:其係對光阻劑、氧化矽、矽選擇性地蝕刻氮化矽者,且該乾式蝕刻劑實質上僅包含1,3,3,3-四氟丙烯與惰性氣體。
- 一種乾式蝕刻劑,其特徵在於:其係對光阻劑、氧化矽、矽選 擇性地蝕刻氮化矽者,且該乾式蝕刻劑實質上僅包含1,3,3,3-四氟丙烯、惰性氣體及添加氣體,上述添加氣體係選自由H2、HF、HI、HBr、HCl、NH3、CF4、CF3H、CF2H2、CFH3、C2F6、C2F4H2、C2F5H、C3F8、C3F7H、C3F6H2、C3F5H3、C3F4H4、C3F3H5、C3F5H、C3F3H、C3ClF3H、C4F8、C4F6、C5F8及C5F10所組成之群中之至少1種氣體。
- 如請求項6或7之乾式蝕刻劑,其中氧化性氣體之含量相對於1,3,3,3-四氟丙烯未達1000體積ppm。
- 一種半導體裝置之製造方法,其特徵在於包括如下步驟:對具有光阻劑膜、氧化矽膜、多晶矽膜、氮化矽膜之矽基板應用如請求項1或2之乾式蝕刻方法而選擇性地蝕刻上述氮化矽膜。
- 一種半導體裝置之製造方法,其特徵在於包括如下步驟:於矽基板形成氧化矽膜與氮化矽膜之積層膜;於上述積層膜形成貫通孔;及對上述積層膜應用如請求項1或2之乾式蝕刻方法,而對上述氧化矽膜選擇性地蝕刻上述氮化矽膜。
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