TW201620065A - 裝載埠及裝載埠的氣氛置換方法 - Google Patents

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Abstract

提供一種裝載埠，在將基板收納空間內部維持在淨化氣體氣氛的狀態下，可由搬運機械手臂進行基板的搬入搬出。 將基板收納容器的蓋開放之後，由從解放位置進一步前進的第3位置，藉由將基板收納容器的開口部的周緣部密閉的框體及複數遮蔽板配置於垂直方向的活門部將基板收納容器的開口部閉鎖。活門部是將複數遮蔽板的全部或是一部分局部地移動使可形成狹窄的開口部(第3開口部)，在將基板收納空間內部氣氛置換的狀態下的基板的搬運，是透過此狹窄的開口部(第3開口部)進行。

Description

裝載埠及裝載埠的氣氛置換方法
本發明，是有關於對於將半導體晶圓等的薄板狀的基板等收納的密閉容器，將該基板等搬入或搬出用的裝載埠者。尤其是，有關於將各種薄板狀的基板等處理時為了各處理過程間的搬運，對於由從外部環境被隔離的氣氛內將薄板狀的基板等複數收納的密閉容器將薄板狀的基板等搬入或是搬出時，將容器內部的氣氛置換成惰性氣體等的氣氛的具有氣氛置換功能的裝載埠及裝載埠的氣氛置換方法者。
在本說明書中，各種薄板狀的基板等，是包含半導體晶圓、液晶顯示器面板用基板、有機EL顯示器面板用基板、電漿顯示器面板用基板、或是太陽電池用面板用基板等的薄板狀的基板者，在以下的說明中，將這些的各種薄板狀的基板等，只稱為「基板，或是薄板狀基板」。
以往，在半導體晶圓等的薄板狀基板進行鍍膜和蝕刻等的各式各樣的處理的各種處理裝置、進行基板的移載的 EFEM(設備前端模組、Equipment Front End Module)、及將批次編號讀取分類的被稱為分揀機的裝置等中，為了防止空氣中浮遊的微粒附著在薄板狀基板，採用將薄板狀基板所曝露的裝置內部氣氛保持在高清淨之微環境方式。此微環境方式，是藉由將被高度清淨化的空氣只有朝EFEM內部的比較微小的空間(微環境空間)供給，藉由比較便宜的費用就可以將基板存在的空間維持於較高的清淨度。
但是近年來，半導體電路線寬度的微細化是急速進行，習知的微環境方式的高清淨化無法對應的問題出現。尤其是，藉由處理裝置被處理使朝密閉容器內部被搬入的薄板狀基板的表面會與空氣中的氧和水分反應，而會生成自然氧化膜的在各種處理過程中不佳的膜。藉由這種氧化膜存在，形成於薄板狀基板的表面的元件無法確保所期的特性的問題會發生。且，藉由在處理裝置內被使用的污染物質是附著在薄板狀基板上的狀態下朝密閉容器內搬入，使此污染物質也污染到密閉容器內的其他的薄板狀基板，對於下一個處理過程會導致負面影響，而導致成品率的惡化。
解決這種問題用的方法，以往已考慮，將進入密閉容器內的空氣和污染物質由惰性氣體除去，藉由將密閉容器內由惰性氣體充滿來防止收納於內部的薄板狀基板表面氧化的方法。在專利文獻1中揭示了，對於被載置於1個密閉容器也就是FOUP(前開口式通用容器、Front Opening Unified Pod)的晶圓，藉由從在只有隔有規定的距 離位置可進退自如地設置的淨化托板，將惰性的淨化氣體朝FOUP內部供給，將附著在晶圓表面的污染物質除去的方法。在被收納於此淨化托板的內部的淨化氣體供給噴嘴的先端部中，具備抑制淨化氣體的噴出力的元件，防止淨化氣體快速有力地朝FOUP內部噴出。
藉由此方法，藉由亂流不會發生地將大量的淨化氣體供給至FOUP內部，可將滯留在FOUP內部的塵埃不會飛散地將FOUP內部的氣氛短時間置換。
[習知技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本專利第5448000號公報
但是在上述的方法中，直到全部的處理完成的基板被收納於FOUP內為止，FOUP的開口未被蓋閉鎖。且，在藉由蓋閉塞的前夕，將FOUP內部的氣氛藉由淨化氣體置換。因此，藉由淨化氣體被置換為止期間，被載置於FOUP內部的基板的表面，是長時間被曝露在空氣中的氧和水分。尤其是，第1枚的基板從朝FOUP內部被搬運至最後的基板被搬運為止需要長時間的處理過程的情況，其間被曝露在氧和水分的基板的表面的氧化會進行， 藉由在此生成的氧化膜，具有使半導體元件無法獲得所期的特性的問題發生。
本發明，是有鑑於如以上的問題點者，提供一種氣氛置換裝置，藉由將表面處理終了朝FOUP內部被搬入來的基板的表面迅速淨化，防止形成於基板表面的半導體電路的氧化。
為了解決上述的習知的問題點，在本發明中，由比將基板收納容器的蓋取下的第2位置更進一步後方的第3位置將基板收納容器的第1開口部遮蔽並且設置可部分地開閉的活門部，朝此閉鎖空間內供給淨化氣體來防止基板的氧化等的化學變化。活門部是具備遮蔽部藉由將此遮蔽板開閉就可以將比第1開口部更狹窄的第3開口部開閉。透過此第3開口部，將基板對於基板收納容器搬出或是搬入。因為第3開口部是與第1開口部相比狹窄(小)，所以淨化氣體朝外部漏出的量少。
本發明的第1態樣的話，可提供一種具有氣氛置換功能的裝載埠，是為了將複數基板載置收納在內部，形成有在垂直方向由一定的間隔被配置的複數棚板，載置具有將前述基板出入用的第1開口部、及將該第1開口部可開閉的蓋部之基板收納容器，朝前述基板收納容器將前述基板出入用的裝載埠，具備：將前述基板收納容器載置固定於第1位置的載台；及將前述載台在前述第1位 置、第2位置及第3位置間進退移動的載台驅動部；及由從前述第1位置前進的位置也就是前述第2位置與前述基板收納容器的前述蓋部卡合，從前述基板收納容器將前述蓋部裝卸的門；及將前述門昇降移動的門昇降部；及由從前述第2位置進一步前進的位置也就是前述第3位置與前述基板收納容器的周緣部抵接的框體；及具備可開閉的複數遮蔽板，在前述框體的前述基板收納容器相反側，將由前述框體被包圍的前述第2開口部整體閉鎖地配置的活門部、及在前述活門部的所期的位置，使設置比前述第2開口部小的第3開口部的方式將前述活門部的一部分選擇性地開閉驅動的活門驅動部；及朝前述基板收納容器內部供給淨化氣體的至少一個的淨化噴嘴。
淨化噴嘴，是朝基板收納容器的底部供給淨化氣體的底部淨化噴嘴，在基板收納容器的開口部的側部設置供給淨化氣體的側部淨化噴嘴等也可以。藉由作成上述構成，可將收納基板的空間也就是基板收納容器及由活門部被包圍的空間的內部藉由淨化氣體氣氛置換，且只有基板的搬入搬出時只可將狹窄的第3開口部開閉。因此，在搬入搬出時不必要將第1開口部長時間打開，朝基板收納容器內侵入的外部氣氛被抑制。
本發明的其他的實施態樣的話，可提供一種具有氣氛置換功能的裝載埠，前述活門部是具備可上下移動地堆疊配置的複數遮蔽板，前述活門驅動部，是具備遮蔽板驅動部，其是與任意位置的前述遮蔽板卡合，藉由將 該遮蔽板及被層疊於其上的前述遮蔽板昇降移動，將前述第3開口部開閉。
本發明的其他的實施態樣的話，可提供一種裝載埠的氣氛置換方法，是為了將複數基板載置收納在內部，形成有在垂直方向由一定的間隔被配置的複數棚板，對於具有將前述基板出入用的第1開口部、及將該第1開口部可開閉的蓋部之基板收納容器，在將前述基板出入用的裝載埠中，藉由將朝前述基板收納容器內部被搬入的基板的表面迅速淨化，防止形成於基板表面的半導體電路氧化的氣氛置換方法，具備：將前述基板收納容器載置在停止於第1位置的載台的過程；及將前述載台從前述第1位置朝第2位置前進移動，將前述基板收納容器的前述蓋取下的過程；及將前述載台從前述第2位置進一步前進移動且將淨化氣體供給至前述收納容器內的過程；及將前述載台前進移動至可進行前述基板的出入的第3位置為止，將前述基板收納容器的前述第1開口部的周緣部與框體抵接的過程；及響應朝前述基板收納容器的前述棚部的存取要求訊號，將遮蔽前述框體的開口部也就是第2開口部的活門部的一部分打開，在對應存取要求的前述棚部的位置的位置形成比前述第1開口部狹窄的第3開口部的過程；及響應朝前述棚部的存取終了訊號，將前述第3開口部關閉的過程。
依據本發明的話，因為可以在將蓋取下的狀態下朝基板收納容器的內部供給淨化氣體，所以不需等待基板的搬入或是搬出完成可在基板收納容器內將淨化氣體充滿，成為可防止或是抑制基板的氧化等。且，藉由可將比基板收納容器的開口部更狹窄的第3開口部開閉將基板的搬出或是搬入，就可高濃度維持基板收納容器內部的淨化氣體氣氛，可以抑制基板表面的氧化等。
1‧‧‧複合處理裝置
2‧‧‧裝載埠
3‧‧‧微環境空間
3a‧‧‧框架
4‧‧‧搬運機械手臂
5‧‧‧風扇過濾器單元
6‧‧‧搬運腔室
7‧‧‧各種加工腔室(處理裝置)
8‧‧‧凸緣板
9‧‧‧裝載鎖定腔室
10‧‧‧底面
11‧‧‧通口開口部
12‧‧‧門(FIMS門)
13‧‧‧FOUP(前開口式通用容器)
14‧‧‧載台
15‧‧‧晶圓
16‧‧‧載體
16a‧‧‧第1開口部
17‧‧‧FOUP的蓋
18‧‧‧載體的棚
19‧‧‧門昇降部(FIMS門昇降部)
19a‧‧‧馬達
19b‧‧‧送出螺栓
22‧‧‧定位孔
23a‧‧‧定位銷
23b‧‧‧卡鎖楔
24‧‧‧卡鎖楔孔
25‧‧‧鎖定機構
26‧‧‧凸緣部分
27‧‧‧密封材
28‧‧‧保持構件
29‧‧‧載台驅動部
29a‧‧‧馬達
29b‧‧‧送出螺栓
30‧‧‧動態銷
31‧‧‧托架
32‧‧‧晶圓映射感測器
33‧‧‧感測器安裝部
34‧‧‧感測器驅動部
35‧‧‧蓋
36‧‧‧防塵蓋
37‧‧‧控制部
38‧‧‧排氣風扇
39‧‧‧淨化通口
39a‧‧‧注入用淨化通口
39b‧‧‧排出用淨化通口
40‧‧‧裝載埠
41‧‧‧框體
41a‧‧‧第2開口部
41b‧‧‧托架
42‧‧‧活門部
43‧‧‧遮蔽板
43a‧‧‧遮蔽板
43b‧‧‧遮蔽板
44‧‧‧遮蔽板驅動部
45‧‧‧基座構件
46‧‧‧密封構件
47‧‧‧載台驅動部
47a‧‧‧馬達
47b‧‧‧送出螺栓
48‧‧‧護罩蓋
49‧‧‧側面淨化噴嘴
50‧‧‧定位軸
51a，51b‧‧‧固定塊體
52‧‧‧指狀部
53‧‧‧鉤
54‧‧‧遮蔽板支撐機構
55‧‧‧昇降驅動機構
56‧‧‧鉤驅動手段
57‧‧‧支撐構件
58‧‧‧氣壓缸
59‧‧‧缺口部
60‧‧‧馬達
61‧‧‧送出螺栓
62‧‧‧移動子
63‧‧‧導引手段
64‧‧‧支撐托板
65‧‧‧第3開口部
66‧‧‧底面淨化噴嘴
67‧‧‧供給源
68‧‧‧壓力調整器
69‧‧‧壓力感測器
70‧‧‧電磁閥
70a‧‧‧電磁閥
70b‧‧‧電磁閥
70c‧‧‧電磁閥
70d‧‧‧電磁閥
71‧‧‧流量調整閥
71a‧‧‧流量調整閥
71b‧‧‧流量調整閥
71c‧‧‧流量調整閥
71d‧‧‧流量調整閥
72‧‧‧晶圓收納空間
73‧‧‧開口部淨化噴嘴
74‧‧‧屋簷部
75‧‧‧淨化塔
76‧‧‧供給口
77‧‧‧噴出抑制構件
100‧‧‧等級
[第1圖]顯示一般的複合處理裝置1的概要的立體圖。
[第2圖]複合處理裝置1的剖面圖。
[第3圖]顯示習知的裝載埠2的概要的立體圖。
[第4圖]顯示一個晶圓收納容器也就是FOUP的構造的立體圖。
[第5圖]顯示本發明的一實施例的裝載埠的剖面圖。
[第6圖]將本發明的一實施例的裝載埠的活門部周邊從上方所見的剖面圖。
[第7圖]意示活門部附近的立體圖，顯示淨化托板的一實施例的立體圖。
[第8圖]將活門部附近從側面所見的剖面圖。
[第9圖]顯示控制部的控制系統的圖。
[第10圖]顯示載台位於第1位置(待機位置)及第2位 置(基座位置)的狀態的圖。
[第11圖]顯示載台位於映射位置及第3位置(搬運位置)的狀態的圖。
[第12圖]顯示遮蔽板驅動部的動作狀態的一部分的剖面圖。
[第13圖]顯示遮蔽板驅動部的動作狀態的一部分的剖面圖。
[第14圖]顯示載體內部及晶圓收納空間內部的狀態的剖面圖。
[第15圖]將開口部附近的向下流動的狀態由外框字箭頭顯示的圖。
[第16圖]顯示開口部淨化噴嘴的圖。
[第17圖]顯示具備淨化塔的FOUP的剖面圖。
[第18圖]顯示將側面淨化噴嘴設在框體的例的圖。
在以下將本發明的實施例，參照圖面詳細說明。第1圖是顯示包含裝載埠、微環境裝置、各種處理裝置等的複合處理裝置1的立體圖，第2圖是其剖面的意示圖。複合處理裝置1是被設置於被管理在被稱為清淨室之0.5μm以上的灰塵是1立方英尺中100個以下的等級100程度的比較清淨的氣氛的工場內。複合處理裝置1主要是由裝載埠2、微環境空間3、搬運機械手臂4、風扇過濾器單元5、搬運腔室6、各種加工腔室(處理裝置)7、裝載 鎖定腔室9所構成。微環境空間3是成為由：框架3a、及被固定於框架3a與外部氣氛分離用的壁面、及被設置在頂棚的風扇過濾器單元5所形成的閉鎖空間。風扇過濾器單元5，是被設置在頂棚將來自外部的空氣朝高清淨的空氣清淨化之後，作為向下的層流朝微環境空間3導入的高清淨空氣導入手段。在風扇過濾器單元5中，具備：朝向微環境空間3的內部向下供給空氣的風扇、及將存在於被送來的空氣中的微小的塵埃和有機物等的污染物質除去的高性能的過濾器。且，在微環境空間3的底面10中安裝有沖壓托板等具有規定的開效率的空氣可流通的構件。
藉由上述的構成，從風扇過濾器單元5被供給至微環境空間3的內部的清淨的空氣，是在微環境空間3內時常朝下方流動，從底面10朝裝置外部被排出。且，藉由搬運機械手臂4等的動作發生的塵埃也乘著此向下的流動朝裝置外部被排出。因此，微環境空間3內部是被保持在高清淨氣氛。搬運機械手臂4是將薄板狀基板的1種也就是晶圓15保持在指狀部52上，在FOUP(前開口式通用容器)13及加工腔室7之間搬運者，機械手臂4的臂可動部分是藉由作成磁性流體密封件等的防止引發灰塵構造，來極力抑制由引發灰塵所產生的對於晶圓15的負面影響。進一步，微環境空間3內部的氣壓是藉由被維持在比外部氣氛更正壓1.5Pa程度，防止來自外部的污染物質和塵埃的侵入，使微環境空間3的內部被維持於0.5μm灰塵在1立方英尺內1個以下的等級1以上的較高的清淨 度。
接著首先，對於將FOUP13載置將FOUP13的蓋17開閉的習知的裝載埠2參照第3圖進行說明。至少習知的裝載埠2，是具備：被固定於形成微環境空間3的框架3a的規定的位置且將FOUP13載置在規定的位置的載台14、及具有晶圓15可通過的面積的通口開口部11、及載台14移動至規定的位置為止時與FOUP13的蓋17一體化的門(FIMS門)12、及將載台14對於FIMS門12前進、後退移動的載台驅動部29、及將FIMS門12昇降動作的FIMS門昇降部(門昇降部)19。在此，FIMS，是顯示「Front-Opening Interface Mechanical Standard的略語，由半導體相關連的國際規格也就是SEMI所決定的規格。且，載台14，是具備：將FOUP13載置在規定的位置的動態銷30、及將被載置於規定的位置的FOUP13固定的未圖示的固定手段。載台驅動部29，是具備驅動源也就是馬達29a及送出螺栓29b，馬達29a的旋轉是藉由被傳達至送出螺栓29b，成為可將載台14移動至任意位置為止的構成。又，載台驅動部29，是可取代馬達29a及送出螺栓29b，而具備利用空氣壓和油壓的流體壓的壓缸也可以。
FOUP13是藉由被配置於載台14上的動態銷30正確地被載置在載台14的規定的場所。且，藉由載台驅動部29的作動，藉由FOUP13朝向FIMS門12前進移動而使FOUP13的蓋17及FIMS門12抵接。蓋17及 FIMS門12抵接的位置為止FOUP13若移動的話，會與在形成於FOUP13的凸緣部分26及裝載埠2的通口開口部11的周圍所具備的凸緣板8成為相面對的位置關係。在此，在習知的裝載埠2的構造中，例如即使FIMS門12下降移動使載台14成為可前進的狀態，因為凸緣板8及凸緣部分26抵接，所以載台14無法更前進。
凸緣板8是將通口開口部11的周緣部圍起來的方式具備的板狀的構件，限制通口開口部11周緣部分及FOUP13的凸緣部分26的間隙的構件。藉由此凸緣板8及凸緣部分26抵接使通口開口部11被閉塞，防止包含外部的塵埃的低清淨的空氣流入微環境空間3內部。或是凸緣板8是藉由在與凸緣部分26之間設置若干的間隙地配置，在內壓高的微環境空間3內充滿的清淨空氣是藉由通過此間隙朝外部流出，負責防止包含來自外部的塵埃的空氣流入內部的功能。
FIMS門12可對於FOUP13進行開門及閉門動作，是藉由將與FOUP13的蓋17一體化的FIMS門12，直到對於FOUP13分離的位置為止往復動作，或是藉由載台驅動部29，將載置了FOUP13的載台14，直到對於與蓋17一體化的FIMS門12分離的位置為止往復動作而成為可能。
在FIMS門12中，設有：對於蓋17進行由吸附力所產生的一體化及定位用的定位銷23a、及卡鎖楔23。藉由將卡鎖楔23b嵌合於蓋17所具備的卡鎖楔孔 24(第4圖(b)參照)並旋轉，使鎖定機構25切換至鎖定狀態或鎖定解除狀態。藉由這些的構成，藉由載台驅動部29的作動與FIMS門12抵接的蓋17，是被解除與載體16的鎖定狀態。且，蓋17及FIMS門12是藉由卡鎖楔23b朝鎖定解除方向旋轉而被一體化。在此蓋17及FIMS門12「被一體化」，是指兩者是在藉由機械的手段彼此結合的狀態下被固定。又，這些的機構是成為對應藉由半導體製造的規格也就是SEMI規格被規定的FIMS(前開口接口機械標準、Front-opening Interface Mechanical Standard)系統者。
蓋17及FIMS門12被一體化的話，載台14動作將載體16朝從蓋17分離的方向後退移動使蓋17及載體16分離。或是藉由將FIMS門12後退移動的機構動作，將FIMS門12朝對於載體16分離的方向後退移動使蓋17及載體16分離。FIMS門12是透過托架31，可昇降自如地被安裝於FIMS門昇降部19。FIMS門12，是蓋17及載體16被分離之後，藉由FIMS門昇降部19下降至被規定的位置為止，搬運機械手臂4成為可朝載體16內部存取。搬運機械手臂4是藉由朝載體16內部存取，將被載置在載體16的棚18的晶圓15保持朝加工腔室7搬運，且在加工腔室7內將處理終了的晶圓15載置在載體16內的棚18。又，FIMS門昇降部19，在本實施例中藉由驅動源也就是馬達19a將送出螺栓19b正轉或是逆轉的旋轉動作，將FIMS門12昇降移動至任意位置為止的構 成，但是可取代此，使用利用空氣壓或油壓的流體壓的壓缸也可以。
且在裝載埠2中，具備檢出被收納於FOUP13內部的晶圓15的有無及載置狀態用的晶圓映射感測器32。在晶圓映射感測器32中，使用具有朝對於晶圓15的載置的面平行(且對於第3圖的紙面垂直)的方向延伸的光軸的一對透過型感測器。晶圓映射感測器32，其發光部及感測器部，是被各別安裝在U字形狀的感測器安裝部33的各先端部，感測器安裝部33的基端是被安裝於感測器驅動部34。感測器驅動部34的驅動源是馬達或旋轉致動器最佳，藉由這些驅動源旋轉動作，使感測器安裝部33以驅動源的軸為中心轉動，使晶圓映射感測器32進入載體16內部。感測器驅動部34是被固定於托架31，可與FIMS門昇降部19的動作連動地進行昇降動作。藉由FIMS門昇降部19的動作使感測器安裝部33進行昇降動作，使晶圓映射感測器32在載體19內從上面至下面為止移動。由此，在載體19內收納有晶圓15的情況時，晶圓映射感測器32的光軸因為是藉由晶圓15的厚度被遮蔽，所以成為可檢出對於載體16內的全部的棚18的晶圓15的有無。且，朝各驅動部的輸出訊號和感測器等的輸入訊號是藉由控制部37被控制。
上述的構成此外，為了防止從裝載埠2所具備的各驅動源和可動部所發生的塵埃朝微環境空間3侵入而設置蓋35，或為了防止來自外部的低清淨空氣的進入 而將面向外部的部分由防塵蓋36覆蓋也可以。且，具備將裝載埠內發生的塵埃朝外部排出用的排氣風扇38也可以。藉由這些的構成，不只可防止塵埃流出微環境空間3內，且可將微環境空間3內流動的高清淨空氣的向下流動從蓋35的上部開口部分滲入，藉由被設在裝載埠2的底面的排氣風扇38朝外部被排出。
接著，對於可密閉的容器的一例也就是FOUP13參照第4圖進行說明。FOUP13是藉由將內部維持在高清淨的氣氛，在將被收納物也就是晶圓15從低清淨的外部氣氛隔絕的狀態下，進行對於晶圓的各處理過程間的搬運用的可密閉的容器。第4圖是顯示1個半導體的晶圓收納容器也就是FOUP13的立體圖。FOUP13，是由：在內部收容晶圓15的箱狀的容器也就是載體16、及為了將晶圓15出入而將設在載體16的第1開口部16a密閉用的蓋17所構成。且，在載體16的內部壁面中將晶圓15載置用的棚板18是在垂直方向隔有規定的間隔被複數設置。又，第4圖(b)是顯示蓋17的FIMS門12側的面的圖，第4圖(c)是顯示蓋17的載體16側的面的圖。蓋17是與載體16的開放面載體16嵌合，將FOUP13內部作成密閉空間者。
在蓋17的外側，即FIMS門12側的面中，具備：限定對於FIMS門12的蓋17的位置用的定位孔22、及藉由裝載埠2所具備的卡鎖楔23b將蓋17與載體16卡合、分離用的卡鎖楔孔24。且，在蓋17的上下雖具備鎖 定機構25，但是這是為了將蓋17卡合於載體16的凸緣部分26。此鎖定機構25是與設在卡鎖楔孔24的機構連動，藉由將卡鎖楔孔24由FIMS門12所具備的卡鎖楔23b被左右旋轉，而成為可將鎖定機構25朝鎖定狀態及開放狀態操作。
參照第4圖(c)說明蓋17的載體16側的面。在與蓋17的載體16接觸的周緣部分中，設有將FOUP13內的密閉性保持用的密封材27，在中央部縱方向中具備將被收納於FOUP13的內部的晶圓15的端緣部分朝水平方向壓住固定用的具有彈性的保持構件28。這些詳細的尺寸等的資訊是藉由有關於半導體製造的規格也就是SEMI規格被規定。
進一步，在載體16的底部中，供給惰性氣體等將FOUP13內部的氣氛與惰性氣體等置換用的淨化通口39是被設在規定處。淨化通口39是設有：從外部注入惰性氣體用的注入用淨化通口39a、及將FOUP13內部的空氣朝外部排出用的排出用淨化通口39b，在各淨化通口39中具備藉由注入用氣體的注入壓或是被排出的內部氣氛的排出壓從閉狀態朝開狀態被切換的檢查閥，防止逆流。且，在注入用淨化通口39a中具備阻止朝注入用氣體混入的微小的塵埃侵入載體16內部用的過濾器構件。
接著，對於具備本發明的氣氛置換功能的裝載埠詳細說明。第5圖是將具備本發明的一實施例的氣氛置換功能的裝載埠40從側面所見的剖面圖，第6圖是將 裝載埠40移動至後述的第3位置(基板搬運位置)為止的狀態從上面所見的剖面圖。裝載埠40，是除了前述的習知的裝載埠2的構成此外，具備：被配置於從載台14所見的FIMS門12的後方即靠近搬運機械手臂4的位置的框體41、及可將形成於框體41的開口部41a閉鎖地堆疊配置的遮蔽板43。且，載台驅動部47，是被載置在載台14藉由FIMS門12將蓋17取下之後，載體16的凸緣部分26是成為至與框體41抵接的位置為止可移動載台14的構成。進一步在本案發明的一實施例的裝載埠40中，在配置有框體41的開口部41a的搬運機械手臂4側配置有活門部42。活門部42，是具備可將一部分部分地開閉的遮蔽部。且，裝載埠40是進一步具備：朝將遮蔽部的一部分部分地開閉驅動的活門驅動部、及朝FOUP13的載體16的內部供給淨化氣體的淨化噴嘴。在本說明書中遮蔽部是例示具備複數遮蔽板43的構成，活門驅動部是例示可以將遮蔽板43朝垂直方向昇降移動的遮蔽板驅動部44。對於淨化噴嘴如後述。在此，本發明的淨化氣體，是將FOUP13的載體16內部的氣氛置換的氣體，除了氮、氬、氖、氪之外，也包含乾燥空氣。
具備本發明的一實施例的裝載埠40的框體41，是在對於載台14比FIMS門12更前方，即比FIMS門12更靠近搬運機械手臂4的位置，透過托架41b被安裝於基座構件45。框體41是厚度5~10mm的板狀的構件，將通口開口部11的周圍整體覆蓋地配置。且，在框 體41中形成有開口部41a，此開口部41a是具有與載體16的開口部16a同樣的面積及形狀。搬運機械手臂4，可以通過框體41的開口部41a及載體16的開口部16a朝形成於載體16的內部的各棚18將晶圓15搬入，或是將被載置於各棚18的晶圓15朝載體16的外搬出。在此，將形成於FOUP13的載體16的開口部16a作為第1開口部，對於此，將形成於框體41的開口部41a作成為第2開口部。又，密封構件46是橫跨全周被安裝在第2開口部也就是框體41的開口部41a的周緣。此密封構件46，是直到晶圓收授位置為止前進移動與形成於載體16的第1開口部也就是形成於開口部16a的周緣的凸緣部分26氣密地抵接配置。且，藉由密封構件46，可以抑制框體41及凸緣部分26抵接時發生的塵埃。密封構件46是密閉性和緩衝性優異的橡膠或矽，由發砲尿烷的彈性體形成較佳。
框體41是透過托架41b，被固定於裝載埠40的基座構件45。此托架41b是藉由達成隔件的角色，使框體41成為隔有規定的間隔地被固定於基座構件45，防止框體41與FIMS門12或晶圓映射感測器32的各構件衝突。在框體41的開口部41a的周緣部及基座構件45之間，是將間隙閉鎖的方式固定有護罩蓋48。藉由此護罩蓋48使框體41及基座構件45的各間隙被氣密地閉鎖。但是，因為FIMS門12和晶圓映射感測器32是通過開口部41a的下方的間隙，所以護罩蓋48未被配置。且，在 此護罩蓋48，具備朝由護罩蓋48被覆蓋的空間及載體16的內部空間供給淨化氣體用的側面淨化噴嘴49也可以。對於側面淨化噴嘴49、及朝側面淨化噴嘴49的淨化氣體供給路徑是如後述。
裝載埠40所具備的載台驅動部47，是具備驅動源也就是馬達47a及送出螺栓47b，馬達47a的旋轉是朝送出螺栓47b被傳達，成為可將被固定於送出螺栓47b的載台14移動至任意位置為止。載台驅動部47，是成為可進退移動於：在手動或是未圖示的FOUP搬運裝置之間進行FOUP13的收授的第1位置也就是待機位置(第5圖的位置)；及將載台14前進使FIMS門12及蓋17抵接被一體化的第2位置也就是基座位置；及FOUP13本體也就是載體16及蓋17被分離之後，在搬運機械手臂4之間為了進行晶圓15的收授，進一步將載台14前進使形成於載體16的凸緣部分26與框體41抵接的第3位置也就是搬運位置(第6圖的位置)的構成。又，可取代馬達47a及送出螺栓47b，使用利用空氣壓或油壓的流體壓的壓缸也可以。又，與習知的裝載埠2同樣地，FOUP13是藉由被配置於載台14的定位構件也就是動態銷30被正確地載置在載台14的規定的場所，藉由未圖示的卡合手段成為與載台14卡合的構造。
在本實施例的裝載埠40中，在載台14具備底面淨化噴嘴66。此底面淨化噴嘴66，是朝載體16內部供給淨化氣體用者，被配置於對應在藉由動態銷30被定 位在載台14的規定的位置的載體16的底部所具備的淨化通口39a、39b的位置。透過此底面淨化噴嘴66，淨化氣體是朝將由載體16及活門部42被包圍的晶圓15收納的空間的內部被供給。
接著，參照第6圖、第7圖、第8圖，說明將設在框體41的第2開口部也就是開口部41a閉鎖的複數遮蔽板43及活門部42。第7圖是意示活門部42附近的立體圖，第8圖是將活門部42附近從側面所見的部分放大剖面圖。遮蔽板43是具有比設在框體41的開口部41a的水平方向的尺寸更大的長度方向的尺寸的角柱狀的構件，各遮蔽板43是各別具有與形成於FOUP13的內部的各棚18的上下方向的間隔大致相同高度方向的尺寸(厚度)。此遮蔽板43是藉由在垂直方向被堆疊配置，使形成於框體41的開口部41a藉由層疊的複數遮蔽板43被閉鎖。在各遮蔽板43的左右兩端部附近朝垂直方向設有貫通孔，限制遮蔽板43的水平方向的位置的圓柱狀的構件也就是定位軸50被***各貫通孔中。此一對定位軸50，是至少在指狀部52上使被水平支撐的晶圓15可以通過的方式隔有距離地彼此平行配置。且，在左右各定位軸50的上端及下端安裝有固定塊體51a、51b，進一步，此固定塊體51a、51b是被固定於框體41。
固定塊體51a、51b，是被固定於框體41的載體16側相反側(配置有搬運機械手臂4側)的面。且，在各遮蔽板43開口的貫通孔的直徑，是形成比定位軸50的 直徑更若干大，各遮蔽板43，是在被堆疊在被固定於框體41的開口部41a的下側的固定塊體51a上的狀態下，朝垂直方向可移動地被支撐。上側的固定塊體51b，是對於被配置於最上段的遮蔽板43的上面與上方隔有規定的間隔被固定。藉由此構成，複數各遮蔽板43可以從任一位置朝上方向擧升，擧升規定的遮蔽板43a的話，層疊於比此規定的遮蔽板43a更上方的遮蔽板43的全部皆被擧升。
如第8圖所示，擧升規定的遮蔽板43a的話，在與已被擧升的遮蔽板43a的正下方中的遮蔽板43b之間會局部地出現間隙。此間隙是成為將晶圓15及晶圓15支撐的指狀部52可通過的開口部65。在此，比朝上方已被擧升的遮蔽板43a更下方的遮蔽板43是在被堆疊的狀態下位於靜止的狀態，比遮蔽板43a更上方的遮蔽板43，是在被堆疊的狀態與遮蔽板43a一體地朝上方移動。藉此，形成比形成於框體41的開口部41a更狹窄的第3開口部65。即相當於開口部41a的領域之中，此第3開口部65以外，是維持藉由複數遮蔽板43被閉鎖的狀態。又，各遮蔽板43，是不與框體41接觸的方式，對於框體41與搬運機械手臂側隔有若干的間隙地配置。因此，各遮蔽板43是沿著定位軸50朝上下方向昇降移動時，不會藉由遮蔽板43及框體41接觸使塵埃發生。
搬運機械手臂4是對於載體16內的晶圓15存取時，透過由被擧升的遮蔽板43a的下邊及此遮蔽板 43a的正下方中的遮蔽板43b的上邊使上下方向的位置被劃界的開口部65進行。因此，在關閉的狀態下的各遮蔽板43的位置，是對應形成於被固定於載台14的載體16的棚板18的高度的方式定位較佳。例如，各棚板18的上面、及相面對於此棚板18的遮蔽板43的上面或是下面是在垂直方向成為相同高度位置地配置也可以，與各棚板18的上面相面對的遮蔽板43的上面或是下面，是只有規定的尺寸改變上下方向位置地配置也可以。尤其是，考慮從維持載體16內部的氣氛的目的，搬運機械手臂4所具備的指狀部52的厚度尺寸、和被支撐於指狀部52且通過開口時的晶圓的撓曲量等，使開口部65被調整成儘可能小的開口面積較佳。
接著參照第7圖，說明將遮蔽板43朝上下方向昇降移動的遮蔽板驅動部44。遮蔽板驅動部44，是由：在左右兩端具備鉤53的遮蔽板支撐機構54、及將遮蔽板支撐機構54朝上下方向昇降移動的昇降驅動機構55所構成。
遮蔽板支撐機構54，是由：與形成於遮蔽板43的兩端的缺口部59卡合將遮蔽板43由兩端支撐的鉤53、及將鉤53在水平面內旋轉動作使與缺口部分59卡合的鉤驅動手段56、及將鉤驅動手段56固定支撐的支撐構件57所構成。鉤53，其先端部是具有可與遮蔽板43的缺口部分59卡合的形狀及尺寸，被固定於一端被固定於支撐構件57的鉤驅動手段56的驅動軸。鉤驅動手段 56，是例如可以將氣壓缸58作為驅動源。氣壓缸58所具備的活塞桿的伸縮動作，是藉由被配置於遮蔽板支撐機構54的兩端的一對凸輪機構或是連桿機構被轉換成一對鉤53的旋轉動作。此氣壓缸58及凸輪機構等是可動作地被固定於支撐構件57，藉由此構成，藉由透過未圖示的配管及控制用的閥使壓縮空氣被供給使氣壓缸58的活塞桿伸長，且，停止壓縮空氣的供給使供給壓被解放的話藉由彈性構件等活塞桿被收縮。此活塞桿的伸縮動作是藉由凸輪機構等鉤53的正轉，被轉換成逆轉動作。
又，在本實施例中鉤驅動手段56是顯示具備氣壓缸58及凸輪機構等的例，但是本發明不限定於此。例如可取代氣壓缸58使用馬達和電磁鐵也可以，在馬達和旋轉致動器的旋轉軸將鉤53旋轉也可以。且，在本實施例中藉由將鉤53旋轉而與缺口部分59卡合，但是除此以外，藉由將鉤53滑動移動使與缺口部分59卡合也非常可能。
接著，說明將遮蔽板支撐機構54朝垂直方向昇降移動的昇降驅動機構55的構成。昇降驅動機構55，是具備驅動源也就是馬達60及送出螺栓61，馬達60的旋轉是透過未圖示的帶輪及皮帶，藉由規定的減速比被傳達至送出螺栓61使螺合於送出螺栓的移動子62昇降移動。本實施例的昇降驅動機構55所具備的馬達60，是可藉由脈衝進行馬達軸的角度控制的步進馬達或伺服馬達較佳。且，在昇降驅動機構55中，具備將移動子62的移動 朝垂直方向的直線移動導引的導引手段63。且，支撐托板64的下部是被固定在移動子62中，支撐托板64的頂部是被安裝於遮蔽板支撐機構54的支撐構件57底部，將支撐構件57從下方支撐。由此，藉由控制馬達60的旋轉角度，就成為可將規定的遮蔽板43的兩端藉由鉤53支撐地昇降移動。
在此構成中，為了將第3開口部開閉，遮蔽板43有必要可朝上下方向移動。因此，第3開口部的開閉量，是藉由上端的固定塊體51b及最上段的遮蔽板43的間隔被規定。因此，藉由將此間隔充分加大的話，可以將上下的昇降移動量擴張。即，藉由將此間隔擴大，也可將第3開口部的開口高度作成各棚板間的距離或是各遮蔽板的間距以上。
且將昇降驅動機構55朝下方移動的話，遮蔽板43是藉由自重下降，使第3開口部被關閉。在此，為了將第3開口部確實地關閉，藉由在上端的固定塊體51b及最上段的遮蔽板43之間設置捲簧(無圖示)，朝下方推壓，就可以更確實地將第3開口部關閉。且，可取代捲簧，將最上段的遮蔽板43由板彈簧或是橡膠其他的彈性構件朝下方推壓也可以。
又，在上述的說明中，顯示活門部是在對應複數棚板位置的位置具有與棚板相同數量的遮蔽板的例。但是，活門部，是具備比棚板的數量更少的遮蔽板也可以。
且遮蔽板驅動部，是藉由使成為與將前述基板1枚收納的各棚部的領域相同高度的方式將第3開口部開閉，就可以由非常小的開口進行基板的搬入搬出。但是，藉由變更由遮蔽板驅動部所產生的遮蔽板的昇降移動量，來變更第3開口部的大小也可以。例如，將遮蔽板驅動部的昇降移動量，使成為與將基板1枚收納的各棚部的領域相同高度，或是成為其高度的整數倍的高度的方式，可將第3開口部的大小選擇性地開閉也可以。
對於將以上說明的各種驅動部和本發明的裝載埠控制的控制部，參照第9圖進行說明。載台驅動部47、FIMS門驅動部19、遮蔽板驅動部44的各動作，是藉由裝載埠40所具備的控制部37被控制。進一步控制部37，也進行淨化氣體的供給時間點和供給量的切換控制。朝各淨化噴嘴66、49、73(對於淨化噴嘴73如後述)被導入的淨化氣體，是從設有複合處理裝置1的工場設備被供給的構成也可以，從在複合處理裝置1內所具備的貯留了淨化氣體的容器被供給的構成也可以。從供給源67被供給的淨化氣體，是透過供給路徑朝裝載埠40被導入，透過在裝載埠40內所具備的配管經由壓力調整器68、壓力感測器69被分配成四系統。朝四系統被分配的淨化氣體是透過配管透過各系統所具備的電磁閥70及流量調整閥71朝各淨化噴嘴66、49、73被導入。壓力調整器68是對於由供給源67發生的入口側的壓力變動將出口側(裝載埠側)的壓力一定地調整。壓力感測器69是將從壓力調整 器68被供給的淨化氣體的壓力測量者，淨化氣體是在預先被設定壓力值的上限及下限對於門檻值成為高壓狀態或是低壓狀態的情況時將警報訊號朝控制部37發訊。
電磁閥70是藉由從控制部37被發訊的訊號將淨化氣體的流通的閥開閉來限制淨化氣體的供給。控制部37是藉由利用預先被記憶在內部所具備的記憶裝置的步驟朝電磁閥70將閥的開閉訊號發訊，就成為可由規定的時間點進行規定的期間淨化氣體的供給。且，在從各電磁閥70與各淨化噴嘴連接的配管路徑中，具備流量調整閥71，藉由此流量調整閥71可調整淨化氣體的正確流量。在本實施例的裝載埠40中，具備：對於底面淨化噴嘴66將大流量的淨化氣體的流量控制的電磁閥70a、流量調整閥71a、及將小流量的淨化氣體的流量控制的電磁閥70b、流量調整閥71b的2個系統，對於側面淨化噴嘴49具備供給規定的淨化氣體的電磁閥70c、流量調整閥71c的1個系統。藉由上述構成，被導入裝載埠40內部的淨化氣體，是被調整成規定的壓力及流量之後，在規定的時間點、規定的期間，朝各淨化噴嘴被供給。
接著，對於本發明的一實施例的裝載埠40的動作參照第10圖、第11圖詳細說明。第10圖(a)是顯示載台14位於第1位置也就是待機位置中的狀態的圖，第10圖(b)，是顯示載台14是位於比第1位置更後方的第2位置(基座位置)，FIMS門12及蓋17被一體化的狀態的圖。第11圖(a)是顯示載台14是朝稍為朝前方後退的映射 位置移動，一體化的FIMS門12及蓋17是與晶圓映射感測器32一起下降動作的狀態的圖，第11圖(b)是顯示載台14從第2位置進一步朝後方前進，朝第3位置也就是搬運位置移動的狀態的圖。
為了收容複合處理裝置1中的表面處理終了的晶圓15，待機位置也就是在由第10圖(a)所示的第1位置待機的載台14的規定的位置，內部空的FOUP13被載置的話，控制部37是將FOUP13固定在載台14。其後，將載台驅動部47驅動將載台14移動至第10圖(b)所示的第2位置也就是基座位置為止。此第2位置為止的移動終了的話，控制部37，是將FIMS門12的各機構動作進行FIMS門12及蓋17的一體化，同時，進行蓋17及載體16的鎖定狀態的解除。接著如第11圖(a)所示，控制部37是將載台14後退，將蓋17及載體16分離。載台14的後退動作終了的話，將FIMS門12及晶圓映射感測器32朝垂直方向微小下降之後，將晶圓映射感測器32朝向載體16動作。晶圓映射感測器32是朝向載體16動作的話，控制部37，是再度將載台14前進至第2位置也就是基座位置為止。又，在本實施例的裝載埠40中，將載體16及蓋17分離時，將載體16後退，但是不限定於此，藉由將與蓋17一體化的FIMS門12對於載體16後退也非常可能。即，藉由將載體16及蓋17相對地移動，進行將載體16及蓋17分離的動作。
接著，控制部37是藉由將FIMS門12及晶圓 映射感測器32至規定的位置為止朝垂直方向下降來檢出晶圓15，進行晶圓15未被載置在載體16內部的棚18的確認。檢出終了的話，控制部37是將晶圓映射感測器32後退至原來的待機位置為止，將FIMS門12及晶圓映射感測器32下降至不與載台14干涉的下降位置為止。
FIMS門12及晶圓映射感測器32的下降動作終了的話，如第11圖(b)所示，控制部37是將載台14從第2位置也就是基座位置朝向被配置於前方的框體41進一步前進，移動至第3位置也就是搬運位置為止。載台14是前進至第3位置為止的話，載體16的凸緣部分26及框體41所具備的密封構件46是氣密地抵接。又，在本發明的實施例的裝載埠40中，因為習知的裝載埠2未具備在通口開口部11附近所具備的凸緣板8(第3圖參照)，所以載體16的凸緣部分26不會與任何構件干涉，可以通過通口開口部11前進至規定的位置為止。
從此第2位置至第3位置為止的移動終了期間，控制部37是將電磁閥70a打開，透過底面淨化噴嘴66朝載體16內部供給大流量的淨化氣體。且，控制部37，是將電磁閥70c透過作動使側面淨化噴嘴49朝由載體16、護罩蓋48、框體42、及活門部42被包圍的晶圓收納空間72內供給淨化氣體。被供給的淨化氣體，是充滿此晶圓收納空間72內，使被此淨化氣體壓出的方式使晶圓收納空間72內的一般大氣從被設在活門部42的各遮蔽板43及框體42之間的間隙朝外部被排出。如此進行晶 圓收納空間72內的氣氛置換。又，例如因為FOUP13的容積大而在氣氛置換需要時間的情況、和無法加大淨化氣體的供給量的情況時，FOUP13被固定於載台14隨後就開始淨化氣體的供給也可以。但是，FOUP13因為是被密閉，所以透過注入用淨化通口39a供給淨化氣體，且，透過排出用淨化通口39b將FOUP13的內部氣氛排出較佳。由此，可以將氣氛置換由短時間完成。
載台14是結束第3位置也就是搬運位置為止的移動的話，載體16及框體42是成為氣密地抵接，控制部37是將電磁閥70c關閉將來自側面淨化噴嘴49的淨化氣體的供給中止。且控制部37，是載台14至第3位置為止的移動終了且經過規定的時間的話，關閉將大流量的淨化氣體供給至底面淨化噴嘴66的電磁閥70a，並打開將小流量的淨化氣體的供給控制的電磁閥71b，開始朝淨化噴嘴66的小流量的淨化氣體的供給。在晶圓收納空間72中小流量的淨化氣體供給被持續，內部的清淨的環境被維持。又，在上述說明中使用內部未收納晶圓15的FOUP13，但是不限定於此，裝載埠40是將收納複合處理裝置1的處理被進行的預定的晶圓15的FOUP13載置將其蓋17打開，在搬運位置待機也可以。此情況，也依據上述說明的步驟將晶圓收納空間72的內部由淨化氣體進行氣氛置換也可以。
上述的動作終了的話，控制部37是朝未圖示的上位控制手段發訊晶圓16的搬運準備完成訊號，收訊 到此訊號的上位控制手段，是朝搬運機械手臂4發訊將規定的處理終了的晶圓15從加工腔室7朝裝載埠40搬運的訊號。且上位控制手段，是對於控制部37，發訊指定規定的棚18將晶圓16搬運的指令的訊號(存取要求訊號)。收訊到存取要求訊號的控制部37是將遮蔽板驅動部44作動，將對應被指定的棚18的遮蔽板43上昇移動。在此，藉由將遮蔽板43上昇，使淨化氣體從開口部65朝外部被排出，晶圓收納空間72內部的淨化氣體濃度就具有下降的可能性。因此，控制部37是藉由操作電磁閥70a及70b，將被供給至晶圓收納空間72內的淨化氣體的流量從小流量切換至大流量，使防止晶圓收納空間72內部的淨化氣體濃度下降。
接著說明，在本發明的一實施例的裝載埠40，以複合處理裝置1將表面處理終了的晶圓15收納在FOUP13內部的步驟、及淨化氣體的供給的控制。首先，依據前述的裝載埠40的動作步驟，將無收納晶圓15的FOUP13的蓋17打開，將晶圓收納領域72的內部由淨化氣體充滿。表面處理終了的晶圓15，是藉由搬運機械手臂4從複合處理裝置1被搬出。此時，上位控制手段是對於控制部37，發訊將晶圓搬運朝載體16的規定的棚18的指令訊號。收訊到訊號的控制部37，是使遮蔽板驅動部44作動。遮蔽板驅動部44，是將遮蔽板上昇至支撐機構54規定的位置為止，在對應所期的棚18的遮蔽板43的缺口部59將鉤53卡合之後，將遮蔽板支撐機構54上 昇，在對應所期的棚的位置形成可存取的開口部65。第12圖(a)參照。在此，為了抑制充滿晶圓收容空間72的內部的淨化氣體藉由從開口部65朝空間外部流出而使晶圓收納空間72內部的淨化氣體濃度下降，控制部37是將電磁閥70a及70b的作動切換，開始朝晶圓收納空間72供給大流量的淨化氣體。
上述動作終了的話，控制部37是朝上位控制手段將晶圓15的收容準備完成訊號發訊。收訊到此訊號的上位控制手段是使搬運機械手臂4作動，將指狀部52及被保持在指狀部52的晶圓15，透過開口部65移動至預先被設定的規定的棚的規定的搬運位置為止。第12圖(b)參照。水平方向的移動完成的話，搬運機械手臂4，是進行微小的下降動作，由指狀部52將保持的晶圓15載置在目的棚18。第13圖(a)參照。又，開口部65因為具有不與搬運機械手臂4的一連的動作干涉的上下尺寸，所以晶圓15和指狀部52不會與遮蔽板43衝突。且，在朝晶圓收納空間72移動的晶圓15的表面由複合處理裝置1所使用的反應氣體的分子若殘留的情況，此反應氣體的分子有可能乘著晶圓收納空間72內部的淨化氣體的流動朝晶圓收納空間72內部擴散。但是，因為淨化氣體是時常被供給且透過開口部65和遮蔽板43及框體41的間隙朝晶圓收納空間72的外部被排出，所以反應氣體是滯留在晶圓收納空間72內部，不會污染其他的晶圓。且，充滿晶圓收納空間72的淨化氣體因為不含水分子和氧分子，所 以被搬入晶圓收納領域72的晶圓15的表面也不會生成氧化膜。
搬運機械手臂4的動作終了的話，控制部37，是將遮蔽板驅動部44作動使遮蔽板43移動至原來的位置為止。第13圖(b)參照。其後，解除鉤53的卡合，將遮蔽板驅動部44移動至規定的待機位置為止。在此，下一個晶圓15的搬入開始的話，控制部37是將電磁閥70a的作動維持使持續從底面淨化噴嘴66供給大流量的淨化氣體。且，下一個晶圓15的搬入不被進行的話，規定的時間的經過後，控制部37是從底面淨化噴嘴66朝晶圓收納空間72內部供給小流量的淨化氣體的方式，將電磁閥70a及70b的作動切換。
接著，使用第14圖及第18圖說明側面淨化噴嘴49及底面淨化噴嘴66的詳細。第14圖(a)，是例示從第2位置朝第3位置移動的途中的淨化氣體的供給狀態的圖，第14圖(b)是例示第3位置中的淨化氣體供給狀態的圖。第18圖是顯示側面淨化噴嘴的其他例的圖。為了有效地進行晶圓收納空間72內部的氣氛置換，是將滯留在晶圓收納空間72內部的一般大氣藉由淨化氣體壓出的方式排出是重要的。為了供給大量的淨化氣體且快速有力地供給淨化氣體的話，藉由由淨化氣體所產生的亂流使淨化氣體及一般大氣被攪拌。如此淨化氣體及一般大氣被攪拌的話，晶圓收納空間72內部的氣氛置換完成為止需要長時間。進一步，淨化氣體發生的亂流，會在載體16內 部將殘留的塵埃朝晶圓收納空間72內部飛散，此塵埃也會附著在晶圓15。在此，使即使未從一處快速有力地供給淨化氣體也可以的方式，設置如第14圖(a)、(b)的實施例所示的側面淨化噴嘴49較佳。且，在此側面淨化噴嘴49的噴出口中，具有：將被供給的淨化氣體的流速減少，且，將淨化氣體廣泛圍地漫射的噴出抑制構件較佳。藉由此噴出抑制構件，不需將淨化氣體的供給量減少就可以將淨化氣體的威勢更下降。
側面淨化噴嘴49，是朝由載體16、活門部42及護罩蓋48被包圍的晶圓收納空間72的內部供給淨化氣體的噴嘴。如第14圖(a)所示，側面淨化噴嘴49是在護罩蓋48的上方及左右複數配置較佳。進一步，對於被配置於上方的護罩蓋48上的側面淨化噴嘴49的位置及個數，是可使橫跨開口部16a、41a的橫方向全域遍及淨化氣體較佳。且，對於被配置於左右的護罩蓋48上的側面淨化噴嘴49，是對應載體16中的棚18的上下方向的間距配置較佳，尤其是，側面淨化噴嘴49，是朝被載置於各棚18的晶圓15的上下方向的各間隙供給淨化氣體地配置較佳。
從這些複數側面淨化噴嘴49被供給的淨化氣體，是將晶圓收納空間72內部的一般大氣，透過通口開口部11、凸緣部分26及框體41的間隙、及框體41及活門部42的遮蔽板43的間隙朝外部壓出。又，預先透過底面淨化噴嘴66朝載體16內部將淨化氣體充滿的話，此氣氛置 換可以短時間終了。第14圖(a)參照。
又，在第14圖(a)、(b)及第18圖等中，顯示了將底面淨化噴嘴66配置於載體16的底面的第1開口部附近的位置的例，但是底面淨化噴嘴66，是配置於載體16的底面的中央部附近，或是第17圖(b)所示的載體16的底面的後方側也可以。
底面淨化噴嘴66，是成為對應在FOUP12的底面所具備的淨化通口39的形狀。且，底面淨化噴嘴66是透過淨化通口39朝FOUP12內部供給淨化氣體，在底面淨化噴嘴66中，不具有如側面淨化噴嘴49所具有的噴出抑制構件。如此，將淨化通口39所具備的檢查閥和不純物除去的過濾器，可達成作為噴出抑制構件的功能。且，如第14圖(b)所示，載台14是位於搬運位置時，載體16的凸緣部分26及框體41因為是氣密地抵接，所以朝晶圓收納空間72的淨化氣體的供給是透過底面淨化通口66進行。此時，晶圓收納空間72的內部氣氛，是透過框體41及遮蔽板43的間隙和開口部65朝外部被排出。且，被載置於載體16內的晶圓15是作為整流版的功能，將被供給的淨化氣體整流成朝向活門部42的平行的流動。
又，在本實施例中在第14圖所示的例中側面淨化噴嘴49是被固定於護罩蓋48，但是如第18圖所示，固定於框體41也可以。在框體41中形成有使被載置在載體16的棚18的晶圓15可通過的第2開口部41a。使淨化氣 體可朝向此開口部41a供給的方式，將側面淨化噴嘴49固定於框體41的上方及左右。
在側面淨化噴嘴49所具備的噴出抑制構件和淨化通口39所具備的過濾器中，可以使用對於被供給的淨化氣體具有所需的噴出抑制功能的各種的素材，尤其是，多孔質的材料較佳。例如可以使用：PTFE微粒子結合複合構件或燒結金屬、燒結玻璃、連續氣泡玻璃、積層濾材、或是將中空纖維膜作為濾材具備的空氣過濾器用構件。進一步，流通於配管時混入的塵埃的除去也成為可能。且，因為利用多孔質的微細的構造，所以具有所需的噴出抑制能力且也可以成為小型的外形。
本發明的淨化通口40，其活門部42、及將此活門部42操作的機構，是比習知的裝載埠2更朝微環境空間3側伸出地設置。在此，載體16是被配置在由習知的裝載埠2被規定的晶圓的搬運位置(第10圖(b)的位置)，但是在習知的搬運機械手臂4的指狀部中因為短太過，所以無法透過活門部42的開口部65存取被收納於載體16的內部的棚部的晶圓15。因此，在本發明的一實施例的裝載埠40中，將載體16的位置移動至朝搬運機械手臂4側前進的第3位置為止，將此位置作為搬運位置。藉由這樣，搬運機械手臂4，是不需交換指狀部52等，也可以容易地存取被收納於被載置於裝載埠40的載體16內的晶圓15。即，被載置於裝載埠40的基板收納容器，因為可移動至比由習知的裝載埠被規定的搬運位置更前進的 位置為止，所以不需要特別的改造，基板搬運機械手臂就可以存取被載置於本發明的裝載埠的基板收納容器。
進一步，裝載埠40，因為是與有關於半導體製造裝置的國際規格也就是SEMI(國際半導體設備材料、Semiconductor Equipment Material International)所決定的限定微環境空間3的排除領域的規格一致的構成，所以在複合處理裝置1不需進行特別的改造，在設有習知的裝載埠2的場所可設置本發明的一實施例的裝載埠40。
在本發明的一實施例的裝載埠40中，載台14是位於第3位置也就是搬運位置時，藉由透過淨化通口39供給淨化氣體將由載體16及框體41及活門部42被包圍的晶圓收納空間72的內部維持比周邊環境更正壓的淨化氣體氣氛，防止來自外部的塵埃和一般大氣的侵入。且，例如活門部42即使為了搬運而使開口部65被打開，晶圓收納空間72的內部也可被維持在正壓的氣氛的方式使充分的流量的淨化氣體被供給。但是，也有依據複合處理裝置1將風扇過濾器單元5所具備的風扇的旋轉數提高，將微環境空間3內的壓力維持於較高的正壓者。在如此的複合處理裝置1的微環境空間3中，搬運機械手臂4是將晶圓15保持通過開口部65時，晶圓15是如整流板地作動，來自風扇過濾器單元5的強力的向下的層流是變成水平方向的氣流。其結果，如第15圖的外框字箭頭所示，此包含氧和水分的水平方向的氣流會從微環境空間3透過開口部65朝晶圓收納空間72內部侵入。在此，在本 發明的裝載埠的第2實施例中，如第16圖所示，在開口部65的上方設置將來自微環境空間3的向下的氣流遮斷的屋簷部74，進一步，在此屋簷部74具備1或是複數開口部淨化噴嘴73。第16圖是顯示本發明的第2實施例的一例的圖，第16圖(a)及(b)是各別從側面方向及正面方向所見的意示圖，顯示從開口部噴嘴73供給淨化氣體的狀態的部分放大圖。
藉由在開口部65的上方具備屋簷部74，使來自風扇過濾器單元5的向下流動被遮斷，就可減少淨化氣體受負面影響。屋簷部74是設在開口部65的稍上方並與開口部65一起移動較佳。例如，透過托架將板狀的構件安裝在支撐構件57，藉由昇降驅動機構55與鉤53和遮蔽板支撐機構54一起上下移動也可以。屋簷部74，是不需要與活門部42的遮蔽板43接觸，且，朝配置有搬運機械手臂4的空間側伸出地配置。又，為了遮斷來自風扇過濾器單元5的向下流動，屋簷部74的面積愈大，遮斷效果愈大，但是在微環境空間3內縮小至被規定的排除領域內地配置較佳。
進一步，藉由從在此屋簷部74所具備的第3淨化噴嘴也就是開口部淨化噴嘴73將淨化氣體朝開口部65周邊局部地噴出，就可防止來自風扇過濾器單元5的向下流動從開口部65朝晶圓收納空間72侵入。開口部淨化噴嘴73，是被配置於與形成開口部65的遮蔽板43平行的直線上，對於通過開口部65及開口部65的晶圓15 從上方將淨化氣體噴出。開口部淨化噴嘴73因為是被安裝於屋簷部74，所以與屋簷部74同樣地成為可與鉤53和遮蔽板支撐機構54一起上下移動，無論在活門部42的那裡形成有開口部65，開口部淨化噴嘴73及開口部65的位置關係是始終一定。且，開口部65及開口部淨化噴嘴73的距離因為是比較近的距離，所以與其他的淨化噴嘴相比藉由將比較少量的淨化氣體噴出就可獲得充分的遮斷效果。
來自開口部淨化噴嘴73的淨化氣體的供給，是藉由控制部37被控制，在開口部65被關閉時無淨化氣體被供給。開口部65被打開的話，控制部37是將電磁閥70d打開朝開口部淨化噴嘴73供給淨化氣體。控制部37，是搬運機械手臂4進行朝載體16的存取時，開始將遮蔽板43開閉用的遮蔽板驅動部44的動作並且使電磁閥70d作動開始朝開口部淨化噴嘴73供給淨化氣體。
開口部淨化噴嘴73，沒有側面淨化噴嘴49所具有的噴出抑制構件，淨化氣體是從點狀的噴出口對於被保持於指狀部52上的晶圓15從上方被噴出。淨化氣體被噴出的方向，是從晶圓15的上方朝垂直方向被噴出也可以，但是為了防止起因於淨化氣體的噴出力的亂流將微環境空間3內部的空氣捲入透過開口部65朝晶圓收納空間72內部侵入，而對於開口部65朝向晶圓15進入的方向具有若干的角度地被噴出較佳。且，淨化氣體，是使防止從風扇過濾器單元5被供給的空氣通過開口部65侵入晶 圓收納空間72內部的方式藉由流量調整閥71d被調整成為充分的流量。藉由上述構成，防止從風扇過濾器單元5被供給的空氣藉由從各開口部淨化噴嘴73被噴出的淨化氣體通過開口部65侵入晶圓收納空間72內部，使晶圓收納空間72內部被維持在高純度的淨化氣體氣氛。且，藉由從開口部淨化噴嘴73被噴出的淨化氣體，附著在晶圓15表面的反應氣體的成分也被吹飛，不純物混入晶圓收納空間72內部的可能性也變少。
藉由設置這種構成的開口部淨化噴嘴，就可局部地防止被供給至微環境空間的向下的清淨的空氣透過開口部侵入收納空間內部。且，屋簷部因為是藉由將遮蔽板昇降的遮蔽板驅動部被上下移動，所以在上下方向的任何場所即使形成有開口部，屋簷部是必定可位於開口部的上方。
由此，來自風扇過濾器單元5的強力的向下的層流是藉由與基板衝突使方向改變，可以遮斷透過第3開口部欲從正面侵入的清淨空氣。且，開口部淨化噴嘴因為是被安裝於屋簷部，可與屋簷部一起上下移動，所以成為可對於開口部局部地供給淨化氣體，可以抑制收納空間內部的淨化氣體濃度下降。
又，本實施例的開口部淨化噴嘴73是被安裝於屋簷部74，從開口部65的上方朝向開口部65周邊朝垂直方向將淨化氣體噴出，但是不限定於此，例如將開口部淨化噴嘴73安裝在一對的鉤53附近，朝向開口部65 周邊從側面朝水平方向將淨化氣體噴出也可以。進一步，將從框體41及活門部42的間隙朝晶圓收納空間72的外部被吸引排出的大氣和反應氣體分子等的吸引手段設在活門部42下方也可以。藉由設置此吸引手段使晶圓收納空間72內部的氣氛置換可短時間完成。吸引手段，具體而言是軸流風扇或泵、空氣噴射器等較佳。
在上述的本發明的裝載埠的第1及第2實施例中，朝載體16內部的淨化氣體的供給，是透過在載體16的底面所具備的淨化通口39進行。此目的是在標準的FOUP13中藉由在底面具備淨化通口39，在FOUP13就不需特別的加工，不需要購入特殊的FOUP13，可有效地進行氣氛置換。但是，在透過一般的FOUP13的底面所具備的淨化通口39，將淨化氣體從底面供給的方法中，被收納於內部的晶圓15是成為障壁使朝FOUP13整體將淨化氣體遍及需要時間。在此，在本發明的裝載埠的第3實施例中，可取代從載體16的底面供給淨化氣體的構成，而從載體16的後方朝向開口部16a供給淨化氣體的FOUP13。
第17圖是例示本發明的第3實施例的圖，第17圖(a)、(b)是各別從平面方向及側面方向所見的意示圖，顯示從設在載體16內部的淨化塔75供給淨化氣體的狀態的部分放大圖。在本發明的第3實施例中，如第17圖所示，為了對應在載體16內部的後方所具備的淨化塔75，底面淨化噴嘴66是被配置於載台14的後方。透過此 底面淨化噴嘴66被供給的淨化氣體，是從在載體16的後方所具備的圓筒上的淨化塔75朝載體16內部被供給。淨化塔75是內部空洞的圓筒狀的構件，設有朝規定處供給淨化氣體用的供給口76。且，在淨化塔75內部中，具備將從供給口76被供給的淨化氣體的流速降低且使廣泛圍被漫射的噴出力抑制構件77。在淨化塔75的內部所具備的噴出抑制構件77中，可以使用對於被供給的淨化氣體具有所需的噴出抑制功能的各種的素材，尤其是，多孔質的材料較佳。例如可以使用：PTFE微粒子結合複合構件或燒結金屬、燒結玻璃、連續氣泡玻璃、積層濾材、或是將中空纖維膜作為濾材具備的空氣過濾器用構件。
形成於淨化塔75的供給口76，是為了各別對於對應的晶圓15的表面橫跨廣泛圍將淨化氣體流出，而具有橫方向(與晶圓面平列方向)長的形狀(細的橫長的開縫形狀)。從此供給口76流出的淨化氣體，是形成將載體16內部的一般大氣朝向載體開口部16a壓出的氣流。且，從淨化塔75流出的淨化氣體，是殘留於在載體16內部隔有規定的間隔朝垂直方向被堆疊地收納的晶圓15的表面的反應氣體的分子也朝向載體開口部16a被壓出。從載體16內部的後方被供給的淨化氣體及藉由淨化氣體被壓出的氧化性的大氣，是成為通過被設在框體41及活門部42的遮蔽板43之間的間隙朝晶圓收納空間72的外部被排出。尤其是，在本實施例的例中，朝垂直方向將間隙打開對於被收納的晶圓15平行地流動，是從載體16內部的後 方朝向前方的活門部42不改變方向地流動。由此，亂流的發生被抑制可達成短時間的氣氛置換。
朝淨化塔75的淨化氣體的供給，是藉由控制部37由所期的時間點進行。最佳是由與前述的其他的實施例所示的例同樣的時間點，使適切的流量被供給較佳。例如，載台14是移動至第2位置也就是基座位置為止之後，由載體16及蓋17被分離的時間點開始供給較佳。又，在本實施例中從2個淨化塔75的雙方朝向載體16內部供給淨化氣體，但是不限定於此，從一方的淨化塔75將淨化氣體供給至載體16內部，由另一方的淨化塔75吸引載體16內部的氣氛也可以。
以上，對於上述本發明雖例示說明了一些的實施例，但是本發明的範圍不限定於上述例示的實施例。例如，在上述的實施例中，顯示遮蔽板驅動部是成為與一個棚的高度幾乎相同高度的開口(第3開口部65)的方式將遮蔽板擧升的構成。但是，依據來自控制部的命令，可以將第3開口部的開口的大小(高度)改變的構成也可以。
且在上述的實施例中顯示，與棚同數量的複數遮蔽板是被堆疊在上方向的構成。如此在對應1個棚的位置設置1個遮蔽板的構成較佳，但是1個遮蔽板是作成對應2個或是3個或是以上的棚的高度的構成也可以。此情況，也藉由遮蔽板驅動部，改變第3開口部的高度較佳。
如此可以改變開口部的高度的話，例如，藉由將第3開口部作成棚2個分的高度或是以上的高度的開口，當將 被收納於載體16內的基板朝相同載體內的其他的棚移動時等，可以將作業有效率地進行。
又，在上述的實施例中，活門部是例示了堆疊在上方向的遮蔽板，活門驅動部是例示了遮蔽板驅動部，但是將活門部及活門驅動部作成其他的形態也可以。
例如活門部，將朝水平軸方向可轉動的複數平板狀的遮蔽板對應各棚板的間距配置，藉由將各遮蔽板選擇性地轉動將第3開口部開閉的構成也可以。該情況，活門驅動部藉由設置將各遮蔽板個別開閉驅動的馬達或是電磁式或是空氣驅動式的致動器，就可以將各遮蔽板選擇性地開閉。
或是將朝向載體軸16的內部朝水平軸方向可轉動的複數平板狀的遮蔽板對應各棚板的間距配置，在各遮蔽板的下部設置鉸鏈構件，藉由將各遮蔽板由彈簧等的彈力使活門部朝關閉的方向被推壓，搬運機械手臂的指狀部是藉由前進由指狀部將遮蔽板推開作為第3開口部，指狀部前進期間，指狀部是藉由持續將遮蔽板推壓使第3開口部被維持開口，指狀部後退的話藉由彈簧等的彈力(復原力)使遮蔽板返回至原來的位置使活門部成為閉鎖狀態也可以。
進一步，在各遮蔽板的內部配置超小型的馬達，在框體41中配置棒狀的齒條，將固定於馬達的旋轉軸的小齒輪齒輪及上述齒條組合，藉由超小型的馬達的旋轉將各遮蔽板個別昇降動作也可以。
且本行業者，可將載體16及蓋17開閉的機 構的變形是不言而喻。例如與蓋17一體化的FIMS門12可將下方的支點作為旋轉中心對於載體16進退移動的機構的變形是不言而喻。且，在本說明書的說明中，將適應在SEMI規格所規定的晶圓用FOUP13及FOUP13的裝載埠作為對象揭示，但是本發明不限定於此，本發明也可以適用於液晶顯示器基板和太陽能電池板基板等必要微細的處理的基板。
且處理裝置只要具有：收納應處理的基板且與外部氣氛密閉的容器、及將該容器載置或是搬運的搬運裝置、及從其容器內將被處理物搬運並施加規定的處理的構成，就可以將本發明的具有氣氛置換功能的裝載埠有用地適用。
3a‧‧‧框架
11‧‧‧通口開口部
12‧‧‧門(FIMS門)
13‧‧‧FOUP(前開口式通用容器)
14‧‧‧載台
15‧‧‧晶圓
16‧‧‧載體
17‧‧‧FOUP的蓋
19‧‧‧門昇降部(FIMS門昇降部)
23a‧‧‧定位銷
23b‧‧‧卡鎖楔
26‧‧‧凸緣部分
30‧‧‧動態銷
32‧‧‧晶圓映射感測器
33‧‧‧感測器安裝部
36‧‧‧防塵蓋
37‧‧‧控制部
38‧‧‧排氣風扇
39‧‧‧淨化通口
40‧‧‧裝載埠
41‧‧‧框體
41a‧‧‧第2開口部
41b‧‧‧托架
42‧‧‧活門部
43‧‧‧遮蔽板
45‧‧‧基座構件
46‧‧‧密封構件
47‧‧‧載台驅動部
47a‧‧‧馬達
47b‧‧‧送出螺栓
54‧‧‧遮蔽板支撐機構
55‧‧‧昇降驅動機構
56‧‧‧鉤驅動手段
57‧‧‧支撐構件
60‧‧‧馬達
66‧‧‧底面淨化噴嘴

Claims (13)

  1. 一種具有氣氛置換功能的裝載埠，是為了將複數基板載置收納在內部，形成有在垂直方向由一定的間隔被配置的複數棚板，載置具有將前述基板出入用的第1開口部、及將該第1開口部可開閉的蓋部之基板收納容器，朝前述基板收納容器將前述基板出入用的裝載埠，其特徵為，具備：將前述基板收納容器載置固定於第1位置的載台；及將前述載台在前述第1位置、第2位置及第3位置間進退移動的載台驅動部；及由從前述第1位置前進的位置也就是前述第2位置與前述基板收納容器的前述蓋部卡合，從前述基板收納容器將前述蓋部裝卸的門；及將前述門昇降移動的門昇降部；及由從前述第2位置進一步前進的位置也就是前述第3位置與前述基板收納容器的周緣部抵接的框體；及可部分地開閉，在前述框體的前述基板收納容器相反側，將由前述框體被包圍的前述第2開口部整體閉鎖地配置的活門部；及在前述活門部的所期的位置，使設置比前述第2開口部小的第3開口部的方式將前述活門部的一部分選擇性地開閉驅動的活門驅動部；及在前述基板收納容器內部供給淨化氣體的至少一個淨化噴嘴。
  2. 如申請專利範圍第1項的具有氣氛置換功能的裝載埠，其中，前述活門部，是具備可上下移動地堆疊配置的複數遮蔽板，前述活門驅動部，是具備遮蔽板驅動部，其是藉由與所期的位置的前述遮蔽板卡合，將該遮蔽板及被層疊於其上的前述遮蔽板昇降移動，而將前述第3開口部開閉。
  3. 如申請專利範圍第2項的具有氣氛置換功能的裝載埠，其中，前述活門部，是在對應前述複數棚板位置的位置具有與前述棚板相同數量的前述遮蔽板。
  4. 如申請專利範圍第1或2項的具有氣氛置換功能的裝載埠，其中，前述活門部，是具備比前述棚板的數量少的前述遮蔽板。
  5. 如申請專利範圍第2或3項的具有氣氛置換功能的裝載埠，其中，前述遮蔽板驅動部，是將前述遮蔽板的昇降移動量改變，將前述開口部的大小變更。
  6. 如申請專利範圍第2或3項的具有氣氛置換功能的裝載埠，其中，前述遮蔽板驅動部，是使成為與將前述基板1枚收納的前述各棚部的間隔相同開口高度的方式，將前述第3開口部開閉。
  7. 如申請專利範圍第2或3項的具有氣氛置換功能的裝載埠，其中，前述遮蔽板驅動部，是使可成為與將前述基板1枚收納的前述各棚部的間隔相同開口高度，或是該間隔的整數倍的開口高度的方式，將前述第3開口部選擇性地開閉。
  8. 如申請專利範圍第2或3項的具有氣氛置換功能的裝載埠，其中，前述遮蔽板，是被配置成在藉由定位軸被限制的面內可上下移動。
  9. 如申請專利範圍第2或3項的具有氣氛置換功能的裝載埠，其中，在前述第3開口部的上方，配置有藉由前述遮蔽板驅動部朝上下方向移動的屋簷部。
  10. 如申請專利範圍第1或2項的具有氣氛置換功能的裝載埠，其中，前述淨化噴嘴，具備從前述基板收納容器的底面供給前述淨化氣體的底面淨化噴嘴。
  11. 如申請專利範圍第1或2項的具有氣氛置換功能的裝載埠，其中，進一步在前述屋簷部，具有朝前述第3開口部周邊將淨化氣體噴出的開口部淨化噴嘴。
  12. 一種裝載埠的氣氛置換方法，是為了將複數基板載置收納在內部，形成有在垂直方向由一定的間隔被配置的複數棚板，對於具有將前述基板 出入用的第1開口部、及將該第1開口部可開閉的蓋部之基板收納容器，在將前述基板出入用的裝載埠中，藉由將朝前述基板收納容器內部被搬入的基板的表面迅速淨化，防止形成於基板表面的半導體電路氧化的氣氛置換方法，其特徵為，具備：將前述基板收納容器載置在停止於第1位置的載台的過程；及將前述載台從前述第1位置朝第2位置前進移動，將前述基板收納容器的前述蓋取下的過程；及將前述載台從前述第2位置進一步前進移動且將淨化氣體供給至前述收納容器內的過程；及將前述載台前進移動至可進行前述基板的出入的第3位置為止，將前述基板收納容器的前述第1開口部的周緣部與框體抵接的過程；及響應朝前述基板收納容器的前述棚部的存取要求訊號，將遮蔽前述框體的開口部也就是第2開口部的活門部的一部分打開，在對應存取要求的前述棚部的位置的位置形成比前述第1開口部更狹窄的開口的第3開口部的過程；及響應朝前述棚部的存取終了訊號，將前述第3開口部關閉的過程。
  13. 如申請專利範圍第12項的裝載埠的氣氛置換方法，其中，在形成前述第3開口部的過程，進一步，在形成前述 開口部期間，從前述第3開口部的上方，朝向下方的前述第3開口部供給淨化氣體。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111584390A (zh) * 2019-02-15 2020-08-25 Tdk株式会社 装载口
TWI765088B (zh) * 2018-07-13 2022-05-21 日商樂華股份有限公司 具有局部沖淨功能的搬送裝置
TWI776029B (zh) * 2018-03-28 2022-09-01 日商信越聚合物股份有限公司 基板收納容器
TWI787327B (zh) * 2018-03-15 2022-12-21 日商昕芙旎雅股份有限公司 設備前端模組
TWI790981B (zh) * 2017-06-16 2023-01-21 日商東京威力科創股份有限公司 基板處理裝置

Families Citing this family (233)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
JP6099945B2 (ja) * 2012-11-22 2017-03-22 東京エレクトロン株式会社 蓋開閉機構、遮蔽機構及び容器の内部パージ方法
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US9257320B2 (en) * 2013-06-05 2016-02-09 GlobalFoundries, Inc. Wafer carrier purge apparatuses, automated mechanical handling systems including the same, and methods of handling a wafer carrier during integrated circuit fabrication
JP6291878B2 (ja) 2014-01-31 2018-03-14 シンフォニアテクノロジー株式会社 ロードポート及びｅｆｅｍ
JP6226190B2 (ja) * 2014-02-20 2017-11-08 Tdk株式会社 パージシステム、及び該パージシステムに供せられるポッド及びロードポート装置
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
JP6459682B2 (ja) * 2015-03-20 2019-01-30 Tdk株式会社 ガスパージ装置、ロードポート装置およびガスパージ方法
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
JP6679907B2 (ja) * 2015-12-11 2020-04-15 Tdk株式会社 ロードポート装置及びロードポート装置における容器内への清浄化ガス導入方法
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
JP6632403B2 (ja) * 2016-02-02 2020-01-22 東京エレクトロン株式会社 基板収納容器の連結機構および連結方法
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
JP6874303B2 (ja) * 2016-08-31 2021-05-19 Tdk株式会社 ロードポート装置
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
FR3058562B1 (fr) * 2016-11-07 2019-05-10 Pfeiffer Vacuum Dispositif et procede de controle de l'etancheite d'une enceinte de transport pour le convoyage et le stockage atmospherique de substrats semi-conducteurs
US10262884B2 (en) * 2016-11-10 2019-04-16 Applied Materials, Inc. Systems, apparatus, and methods for an improved load port
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
JP6752163B2 (ja) * 2017-02-13 2020-09-09 東京エレクトロン株式会社 基板処理システム及び基板搬送方法
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
JP6867827B2 (ja) * 2017-02-28 2021-05-12 キヤノン株式会社 リソグラフィ装置および物品製造方法
CN106684023A (zh) * 2017-03-14 2017-05-17 大族激光科技产业集团股份有限公司上海分公司 全封闭式smif***
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
KR102474585B1 (ko) * 2017-05-11 2022-12-06 로제 가부시키가이샤 박판형상 기판 유지 핑거 및 이 핑거를 구비하는 반송 로봇
US10566216B2 (en) * 2017-06-09 2020-02-18 Lam Research Corporation Equipment front end module gas recirculation
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
TWI635559B (zh) * 2017-07-25 2018-09-11 春田科技顧問股份有限公司 裝載埠的吹淨裝置及其吹淨方法
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11139191B2 (en) * 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US10622236B2 (en) 2017-08-30 2020-04-14 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Apparatus and method for handling wafer carrier doors
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
KR102410974B1 (ko) * 2017-10-13 2022-06-20 삼성전자주식회사 반도체 제조 장치의 구동 방법
JP7214724B2 (ja) 2017-11-27 2023-01-30 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． バッチ炉で利用されるウェハカセットを収納するための収納装置
JP7206265B2 (ja) 2017-11-27 2023-01-17 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． クリーン・ミニエンバイロメントを備える装置
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
US11482412B2 (en) 2018-01-19 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a gap-fill layer by plasma-assisted deposition
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
JP7037379B2 (ja) * 2018-02-06 2022-03-16 ローツェ株式会社 薄板状基板保持装置、及び保持装置を備える搬送ロボット
EP3737779A1 (en) 2018-02-14 2020-11-18 ASM IP Holding B.V. A method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11355371B2 (en) * 2018-04-02 2022-06-07 Bum Je WOO Wafer storage container
US10403514B1 (en) * 2018-04-12 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Substrate transporting system, storage medium and substrate transporting method
TWI811348B (zh) 2018-05-08 2023-08-11 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11270899B2 (en) 2018-06-04 2022-03-08 Asm Ip Holding B.V. Wafer handling chamber with moisture reduction
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
DE202019101794U1 (de) * 2018-06-27 2019-10-09 Murata Machinery, Ltd. Vorrichtungen zum mindestens einen aus Substrat-Handhabung, Substrat-Lagerung, Substrat-Behandlung und Substrat-Verarbeitung
US11492703B2 (en) 2018-06-27 2022-11-08 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
WO2020003000A1 (en) 2018-06-27 2020-01-02 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
JP7234527B2 (ja) * 2018-07-30 2023-03-08 Tdk株式会社 センサー内蔵フィルタ構造体及びウエハ収容容器
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10549427B1 (en) * 2018-08-31 2020-02-04 Kawasaki Jukogyo Kabushiki Kaisha Substrate transfer robot
KR20200030162A (ko) 2018-09-11 2020-03-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
CN110970344A (zh) 2018-10-01 2020-04-07 Asm Ip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的***及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
TW202037745A (zh) 2018-12-14 2020-10-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成裝置結構之方法、其所形成之結構及施行其之系統
US11061417B2 (en) 2018-12-19 2021-07-13 Applied Materials, Inc. Selectable-rate bottom purge apparatus and methods
TWI819180B (zh) 2019-01-17 2023-10-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
TWI723329B (zh) * 2019-01-19 2021-04-01 春田科技顧問股份有限公司 裝載埠及其氣簾裝置與吹淨方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20200102357A (ko) 2019-02-20 2020-08-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
US11342216B2 (en) 2019-02-20 2022-05-24 Asm Ip Holding B.V. Cyclical deposition method and apparatus for filling a recess formed within a substrate surface
TW202044325A (zh) 2019-02-20 2020-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充一基板之一表面內所形成的一凹槽的方法、根據其所形成之半導體結構、及半導體處理設備
JP2020133004A (ja) 2019-02-22 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材を処理するための基材処理装置および方法
KR20200108248A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR20200116033A (ko) 2019-03-28 2020-10-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
KR20200123380A (ko) 2019-04-19 2020-10-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 층 형성 방법 및 장치
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
US11004713B2 (en) 2019-05-16 2021-05-11 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Robot arm device and method for transferring wafer
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
KR20200141003A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 가스 감지기를 포함하는 기상 반응기 시스템
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
CN112289718A (zh) * 2019-07-13 2021-01-29 家登精密工业股份有限公司 基板载具及其气体扩散模块
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
CN112242296A (zh) 2019-07-19 2021-01-19 Asm Ip私人控股有限公司 形成拓扑受控的无定形碳聚合物膜的方法
CN112309843A (zh) 2019-07-29 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
KR20210018759A (ko) 2019-08-05 2021-02-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 화학물질 공급원 용기를 위한 액체 레벨 센서
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112582316B (zh) * 2019-09-29 2023-01-31 长鑫存储技术有限公司 加工处理装置及方法
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
CN112635282A (zh) 2019-10-08 2021-04-09 Asm Ip私人控股有限公司 具有连接板的基板处理装置、基板处理方法
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20210043460A (ko) 2019-10-10 2021-04-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11450529B2 (en) 2019-11-26 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP2021090042A (ja) 2019-12-02 2021-06-10 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN112992667A (zh) 2019-12-17 2021-06-18 Asm Ip私人控股有限公司 形成氮化钒层的方法和包括氮化钒层的结构
KR20210080214A (ko) 2019-12-19 2021-06-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
CN113075865B (zh) * 2020-01-06 2022-11-08 夏泰鑫半导体(青岛)有限公司 一种用于处理半导体衬底的装置和方法
KR102388390B1 (ko) * 2020-01-06 2022-04-21 세메스 주식회사 로드 포트 유닛, 이를 포함하는 저장 장치 및 배기 방법
KR20210089077A (ko) 2020-01-06 2021-07-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 가스 공급 어셈블리, 이의 구성 요소, 및 이를 포함하는 반응기 시스템
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
CN113136565A (zh) 2020-01-20 2021-07-20 Asm Ip私人控股有限公司 形成薄膜的方法和改性薄膜的表面的方法
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
KR20210100010A (ko) 2020-02-04 2021-08-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 대형 물품의 투과율 측정을 위한 방법 및 장치
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
TW202146715A (zh) 2020-02-17 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於生長磷摻雜矽層之方法及其系統
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 專用於零件清潔的系統
KR20210116249A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
KR20210117157A (ko) 2020-03-12 2021-09-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
CN113555279A (zh) 2020-04-24 2021-10-26 Asm Ip私人控股有限公司 形成含氮化钒的层的方法及包含其的结构
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
TW202146831A (zh) 2020-04-24 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202147383A (zh) 2020-05-19 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
KR20210145080A (ko) 2020-05-22 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202202649A (zh) 2020-07-08 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
KR20220010438A (ko) 2020-07-17 2022-01-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
KR20220027026A (ko) 2020-08-26 2022-03-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 실리콘 산화물 및 금속 실리콘 산질화물 층을 형성하기 위한 방법 및 시스템
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
TW202217037A (zh) 2020-10-22 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
KR20220076343A (ko) 2020-11-30 2022-06-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치의 반응 챔버 내에 배열되도록 구성된 인젝터
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
JP2024040529A (ja) * 2021-01-21 2024-03-26 村田機械株式会社 パージ装置及び搬送システム
JP2022122205A (ja) * 2021-02-09 2022-08-22 株式会社ディスコ シートの貼着装置
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
CN113777234B (zh) * 2021-08-31 2023-10-31 安徽科技学院 一种防止粉尘进入能够自吸改变迎风角度的大气观测装置
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate
US11842913B2 (en) * 2021-09-24 2023-12-12 Applied Materials, Inc. Seal mechanisms for load ports
US11871550B2 (en) * 2021-10-22 2024-01-09 International Business Machines Corporation Motor controlled retractable EMC protection
US11751362B2 (en) 2021-10-22 2023-09-05 International Business Machines Corporation Thermally activated retractable EMC protection
CN114695222B (zh) * 2022-06-02 2022-08-16 江苏邑文微电子科技有限公司 晶片传输***和方法
CN116525508B (zh) * 2023-05-23 2024-03-26 乐孜芯创半导体设备(上海)有限公司 一种密闭式晶圆盒装载口及其气体置换方法

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1999028220A1 (fr) * 1997-12-03 1999-06-10 Nikon Corporation Dispositif et procede de transfert de substrats
JP4067307B2 (ja) * 2000-04-27 2008-03-26 株式会社荏原製作所 回転保持装置
KR100798437B1 (ko) * 2000-12-04 2008-01-28 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 기판처리방법
JP2004235516A (ja) 2003-01-31 2004-08-19 Trecenti Technologies Inc ウエハ収納治具のパージ方法、ロードポートおよび半導体装置の製造方法
EP1780785A4 (en) 2004-06-21 2009-04-01 Right Mfg Co Ltd LOADING PORT
JP2006237559A (ja) * 2005-01-28 2006-09-07 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
US20090053019A1 (en) 2005-03-08 2009-02-26 Kabushiki Kaisha Yaskawa Denki Load port and load port control method
JP4451854B2 (ja) * 2006-03-20 2010-04-14 東京エレクトロン株式会社 縦型熱処理装置及び縦型熱処理装置における移載機構の制御方法
JP4264115B2 (ja) 2007-07-31 2009-05-13 Ｔｄｋ株式会社 被収容物の処理方法及び当該方法に用いられる蓋開閉システム
TWI372444B (en) * 2007-10-10 2012-09-11 Semes Co Ltd Substrate support unit, and substrate treating apparatus and method using the same
CN102449752B (zh) * 2009-05-27 2015-04-01 罗兹株式会社 气氛置换装置
TWI580814B (zh) * 2010-10-21 2017-05-01 荏原製作所股份有限公司 基板處理裝置，以及鍍覆裝置及鍍覆方法
JP5998640B2 (ja) 2012-05-29 2016-09-28 Tdk株式会社 ロードポート装置
JP6099945B2 (ja) 2012-11-22 2017-03-22 東京エレクトロン株式会社 蓋開閉機構、遮蔽機構及び容器の内部パージ方法
JP6235294B2 (ja) * 2013-10-07 2017-11-22 東京エレクトロン株式会社 基板搬送室及び容器接続機構
JP6069578B2 (ja) * 2014-02-24 2017-02-01 株式会社日立国際電気 基板処理装置、半導体装置の製造方法及び記録媒体
JP6326330B2 (ja) * 2014-09-05 2018-05-16 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板収納容器、ロードポート装置および基板処理装置
JP6430195B2 (ja) * 2014-09-29 2018-11-28 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板収納容器
JP6539199B2 (ja) * 2015-12-18 2019-07-03 株式会社荏原製作所 基板搬送用移載機及び基板移載方法
JP6727044B2 (ja) * 2016-06-30 2020-07-22 株式会社荏原製作所 基板処理装置

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI790981B (zh) * 2017-06-16 2023-01-21 日商東京威力科創股份有限公司 基板處理裝置
TWI787327B (zh) * 2018-03-15 2022-12-21 日商昕芙旎雅股份有限公司 設備前端模組
TWI776029B (zh) * 2018-03-28 2022-09-01 日商信越聚合物股份有限公司 基板收納容器
TWI765088B (zh) * 2018-07-13 2022-05-21 日商樂華股份有限公司 具有局部沖淨功能的搬送裝置
CN111584390A (zh) * 2019-02-15 2020-08-25 Tdk株式会社 装载口
US11004714B2 (en) 2019-02-15 2021-05-11 Tdk Corporation Load port
TWI770389B (zh) * 2019-02-15 2022-07-11 日商Ｔｄｋ股份有限公司 裝載機台
CN111584390B (zh) * 2019-02-15 2023-09-01 Tdk株式会社 装载口

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