JP6752163B2 - 基板処理システム及び基板搬送方法 - Google Patents

基板処理システム及び基板搬送方法 Download PDF

Info

Publication number
JP6752163B2
JP6752163B2 JP2017024176A JP2017024176A JP6752163B2 JP 6752163 B2 JP6752163 B2 JP 6752163B2 JP 2017024176 A JP2017024176 A JP 2017024176A JP 2017024176 A JP2017024176 A JP 2017024176A JP 6752163 B2 JP6752163 B2 JP 6752163B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
pressure
carrier
transport region
space
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2017024176A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2018133364A (ja
Inventor
任弘 阿部
任弘 阿部
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP2017024176A priority Critical patent/JP6752163B2/ja
Priority to TW107103347A priority patent/TWI707422B/zh
Priority to KR1020180015758A priority patent/KR102239201B1/ko
Priority to US15/893,490 priority patent/US10784138B2/en
Priority to CN201810135324.4A priority patent/CN108428654B/zh
Publication of JP2018133364A publication Critical patent/JP2018133364A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6752163B2 publication Critical patent/JP6752163B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
    • H01L21/67766—Mechanical parts of transfer devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
    • H01L21/67772—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading involving removal of lid, door, cover
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
    • H01L21/6735—Closed carriers
    • H01L21/67389—Closed carriers characterised by atmosphere control
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
    • H01L21/6735—Closed carriers
    • H01L21/67389—Closed carriers characterised by atmosphere control
    • H01L21/67393—Closed carriers characterised by atmosphere control characterised by the presence of atmosphere modifying elements inside or attached to the closed carrierl
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
    • H01L21/67769—Storage means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
    • H01L21/67775—Docking arrangements

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Robotics (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Description

本発明は、基板処理システム及び基板搬送方法に関する。
従来から、半導体製造プロセスにおいては、複数種類の処理を異なる処理装置で行う場合がある。この場合、処理装置間で半導体ウエハ（以下単に「ウエハ」ともいう。）を搬送する際、ＦＯＵＰ（Front-Opening Unified Pod）と呼ばれる基板収納容器（キャリア）が用いられる。ＦＯＵＰは、複数枚のウエハが水平に載置可能な容器と、容器の前面に設けられた出入口を塞ぐ蓋体とを有し、ウエハを密閉可能に構成されている。
処理装置には、キャリアに収納されたウエハをウエハ搬送領域へ搬入するための搬送口が形成されている。搬送口は、ＦＩＭＳ（Front-Opening Interface Mechanical Standard）規格に従った開閉ドアにより開閉される。開閉ドアは、ＦＯＵＰの前面に設けられる蓋体を取り外すための蓋体開閉機構を備えている。
蓋体を取り外す場合、まず、ＦＯＵＰの前面が処理装置の搬送口に密着した状態で、蓋体開閉機構がＦＯＵＰの蓋体に向かって前進し、蓋体に設けられたロック機構に作用し、ロックを解除する。続いて、蓋体開閉機構が、ロックが解除された蓋体を保持した状態で処理装置内のウエハ搬送領域の方向に後退し、ＦＯＵＰ内のウエハがウエハ搬送領域に開放される。
ＦＯＵＰを開放する際、開閉ドアとＦＯＵＰとの間の空間に不活性ガスが供給され、ＦＯＵＰの内部が不活性ガスで置換される（例えば、特許文献１参照）。このように、ＦＯＵＰから搬出されるウエハが酸素に露出されず、また、処理装置内に酸素が入り込まないような状態でウエハの処理装置内への搬入が行われる。
特開２０１０−１６６０７７号公報
しかしながら、上記の方法では、開閉ドアとＦＯＵＰとの間の空間の圧力と、基板搬送領域の圧力とが異なる場合、ＦＯＵＰ内のウエハがウエハ搬送領域に開放される時、両者の圧力差によって、一方から他方へ向かうガスの流れが生じる。そのため、パーティクルが飛散する場合がある。
そこで、上記課題に鑑み、パーティクルの飛散を抑制することが可能な基板処理システムを提供することを目的とする。
上記目的を達成するため、本発明の一態様に係る基板処理システムは、基板を収容するキャリアを基板処理装置に対して搬送するためのキャリア搬送領域と、前記キャリア搬送領域と隔壁により仕切られ、前記キャリアに収容される前記基板を処理炉に搬送するための基板搬送領域と、前記隔壁に形成され、前記キャリア搬送領域と前記基板搬送領域との間で前記基板を搬送するための搬送口と、前記搬送口を開閉する開閉ドアと、前記基板搬送領域の圧力と、前記キャリアと前記開閉ドアとに囲まれる空間の圧力と、を略同圧にする同圧化手段と、を備え、前記同圧化手段は、第１の接続配管と第２の接続配管とを含み、前記第１の接続配管は、前記基板搬送領域と前記空間とを接続し、前記基板搬送領域の圧力が前記空間の圧力よりも高い場合に前記基板搬送領域のガスを前記空間に通流させ、前記第２の接続配管は、前記基板搬送領域と前記空間とを接続し、前記基板搬送領域の圧力が前記空間の圧力よりも低い場合に前記空間のガスを前記基板搬送領域に通流させる。
開示の基板処理装置によれば、パーティクルの飛散を抑制することができる。
実施形態に係る基板処理システムの断面図 図１の基板処理システムの平面図 図１の基板処理システムの同圧化手段の第１構成例を示す縦断面図 図１の基板処理システムの開閉ドア近傍の横断面図 図１の基板処理システムの同圧化手段の第２構成例を示す概略図 図１の基板処理システムの同圧化手段の第３構成例を示す概略図 図１の基板処理システムの同圧化手段の第４構成例を示す概略図
以下、本発明を実施するための形態について図面を参照して説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の構成については、同一の符号を付することにより重複した説明を省く。
本発明の実施形態に係る基板処理システムについて説明する。図１は、実施形態に係る基板処理システムの断面図である。図２は、図１の基板処理システムの平面図である。なお、実施形態では、縦型の熱処理炉を有する縦型熱処理装置を備える基板処理システムを例に挙げて説明するが、これに限定されず、縦型熱処理装置以外の種々の基板処理装置を備える基板処理システムに適用することができる。
図１及び図２に示されるように、縦型熱処理装置１は、筐体１１に収容されて構成される。筐体１１は、縦型熱処理装置１の外装体を構成する。筐体１１内には、ウエハＷを収納した容器であるキャリアＣが装置に対して搬入、搬出されるためのキャリア搬送領域Ｓ１と、キャリアＣ内のウエハＷを搬送して後述の熱処理炉２２内に搬入するための移載領域であるウエハ搬送領域Ｓ２とが形成されている。キャリアＣは、例えばＦＯＵＰ（Front-Opening Unified Pod）と呼ばれる基板収納容器である。
キャリア搬送領域Ｓ１とウエハ搬送領域Ｓ２とは、隔壁２により仕切られている。キャリア搬送領域Ｓ１は、大気雰囲気下にある領域であり、キャリアＣに収納したウエハＷを搬送する領域である。各処理装置間の領域がキャリア搬送領域Ｓ１に該当し、本実施形態においては、縦型熱処理装置１の外部のクリーンルーム内の空間がキャリア搬送領域Ｓ１に該当する。一方、ウエハ搬送領域Ｓ２は、搬入されたウエハＷに酸化膜が形成されることを防ぐために、不活性ガス雰囲気、例えば窒素（Ｎ２）ガス雰囲気とされており、キャリア搬送領域Ｓ１よりも清浄度が高く、且つ、低い酸素濃度に維持されている。以後の説明では、キャリア搬送領域Ｓ１及びウエハ搬送領域Ｓ２の配列方向を縦型熱処理装置１の前後方向とする。
隔壁２には、キャリア搬送領域Ｓ１とウエハ搬送領域Ｓ２との間でウエハＷを搬送するための搬送口２０が設けられている。搬送口２０には、搬送口２０を開閉する開閉ドア５が設けられ、開閉ドア５のキャリア搬送領域Ｓ１側には、蓋体開閉機構６が設けられている。搬送口２０、開閉ドア５、及び蓋体開閉機構６は、ＦＩＭＳ（Front-Opening Interface Mechanical Standard）規格に従って構成されている。
キャリア搬送領域Ｓ１は、第１の搬送領域１２と、第１の搬送領域１２の後方側（ウエハ搬送領域Ｓ２側）に位置する第２の搬送領域１３とを含む。
図１に示されるように、第１の搬送領域１２には、上下方向に２段に配置されたロードポート１４と、キャリア保管棚１８が備えられている。ロードポート１４は、キャリアＣが縦型熱処理装置１に搬入されたときに、キャリアＣを受け入れる搬入用の載置台である。ロードポート１４は、筐体１１の壁が開放された箇所に設けられ、外部から縦型熱処理装置１へのアクセスが可能となっている。具体的には、縦型熱処理装置１の外部に設けられたキャリア搬送装置（図示せず）により、ロードポート１４上へのキャリアＣの搬入載置と、ロードポート１４から外部へのキャリアＣの搬出が可能となっている。また、ロードポート１４は、上下に２段存在するので、両方でのキャリアＣの搬入及び搬出が可能となっている。
また、第１の搬送領域１２の上下方向に２段に配置されたロードポート１４の間には、キャリア保管棚１８が設けられている。キャリア保管棚１８は、第２の搬送領域１３にも設けられているが、縦型熱処理装置１内にキャリアＣを多く保管できるようにすべく、第１の搬送領域１２のロードポート１４が存在しない位置にも設けるようにしてもよい。
図２に示されるように、キャリアＣを載置するロードポート１４は、第１の搬送領域１２の左右方向に２つ並べて設けられてもよい。図２においては、図１における下段側のロードポート１４が示されているが、上段側のロードポート１４も、左右方向に複数並べて設けられてよい。また、各ロードポート１４の載置面には、キャリアＣを位置決めするピン１５が例えば３個所に設けられている。
ロードポート１４には、供給ノズル１９ａと、排気ノズル１９ｂとが設けられてもよい。キャリアＣの底面には、吸気口及び排気口が設けられているのが一般的である。そこで、ロードポート１４には、キャリアＣが載置されたときに、キャリアＣの吸気口と嵌合する位置に供給ノズル１９ａを設け、キャリアＣの排気口と嵌合する位置に排気ノズル１９ｂを設けるようにしてもよい。供給ノズル１９ａ及び排気ノズル１９ｂを設けることにより、キャリアＣがロードポート１４上に載置された際、キャリアＣの内部にＮ２ガス等の不活性ガスを供給し、キャリアＣ内部の不活性ガス置換を行うことができる。これにより、空間内が不活性ガスで満たされているものの、不活性ガスの供給が無い状態で搬送されていたキャリアＣが、縦型熱処理装置１内のロードポート１４に搬入された段階ですぐに不活性ガスの供給を再開することができる。このため、キャリアＣ内を継続的に清浄な状態に保つことができる。
なお、ロードポート１４上でのキャリアＣの不活性ガス置換は、処理終了済みのウエハＷを収容したキャリアＣを縦型熱処理装置１から搬出する際にも行うことができ、搬出の際にロードポート１４上に載置されたキャリアＣ内部の不活性ガス置換も行ってよい。
また、ロードポート１４上における不活性ガス置換の際にキャリアＣに供給される不活性ガスの流量は、Ｎ２ガスを例に挙げると、１（ｌ／ｍｉｎ）以上は必要である。具体的には、例えば、１０〜２０（ｌ／ｍｉｎ）の範囲であってもよく、好ましくは１３〜１７（ｌ／ｍｉｎ）であってもよく、より好ましくは１５（ｌ／ｍｉｎ）であってもよい。
第２の搬送領域１３には、ロードポート１４に対して前後に並ぶように、左右に２つのキャリア載置台１６が配置されている。各キャリア載置台１６は前後に移動自在に構成されている。キャリア載置台１６の載置面にも、ロードポート１４と同様に、キャリアＣを位置決めするピン１５が３個所に設けられている。更に、キャリア載置台１６の載置面には、キャリアＣを固定するためのフック１６ａも設けられている。本実施形態では、キャリア載置台１６が左右方向に２つ並べて設けられているが、上下方向に複数並べて設けられてよい。
図１に示されるように、第２の搬送領域１３の上部側にはキャリアＣを保管するキャリア保管棚１８が設けられている。キャリア保管棚１８は、２段以上の棚により構成されており、各棚は左右に２つのキャリアＣを載置することができる。図１では棚が２段である例を示している。なお、キャリア保管棚１８は、ストッカとも称される。
キャリア保管棚１８の底面にも、ロードポート１４と同じように、供給ノズル及び排気ノズルを設け、キャリア保管棚１８上に載置されたキャリアＣ内部の不活性ガス置換を行うようにしてよい。キャリア保管棚１８上での不活性ガス置換において、キャリアＣに供給される不活性ガスの流量も、ロードポート１４と同様であってよく、Ｎ２ガスを例に挙げると、１（ｌ／ｍｉｎ）以上は必要である。具体的には、例えば、１０〜２０（ｌ／ｍｉｎ）の範囲、好ましくは１３〜１７（ｌ／ｍｉｎ）の範囲、より好ましくは１５（ｌ／ｍｉｎ）であってもよい。
このように、ロードポート１４及びキャリア保管棚１８では、必須ではないが、小流量の不活性ガス置換を行うことが好ましい。ＦＯＵＰ等のキャリアＣは、完全密封されたものではないため、蓋体開閉機構６を用いた後述の閉塞空間５４での不活性ガス置換の後も、湿度維持するには、不活性ガス置換を継続的に行うことが好ましい。そのため、ロードポート１４及びキャリア保管棚１８においても、不活性ガスを置換し続けることが好ましい。なお、蓋体開閉機構６を用いた不活性ガス置換の後に、キャリアＣ内の湿度を継続維持するためには、上述のように、１（ｌ／ｍｉｎ）以上は必要である。
第２の搬送領域１３には、キャリアＣを、ロードポート１４とキャリア載置台１６とキャリア保管棚１８との間で搬送するキャリア搬送機構２１が設けられている。キャリア搬送機構２１は、左右に伸び且つ昇降自在なガイド部２１ａと、ガイド部２１ａにガイドされながら左右に移動する移動部２１ｂと、移動部２１ｂに設けられ、キャリアＣを保持して水平方向に搬送する関節アーム２１ｃと、を備えている。
隔壁２には、キャリア搬送領域Ｓ１とウエハ搬送領域Ｓ２とを連通させるウエハＷの搬送口２０が設けられている。搬送口２０には、当該搬送口２０をウエハ搬送領域Ｓ２側から塞ぐ開閉ドア５が設けられている。開閉ドア５には駆動機構５０が接続されており、駆動機構５０により開閉ドア５は前後方向及び上下方向に移動自在に構成され、搬送口２０が開閉される。開閉ドア５及び搬送口２０の周囲の構成の詳細については後述する。
ウエハ搬送領域Ｓ２には、下端が炉口として開口された縦型の熱処理炉２２が設けられている。熱処理炉２２の下方側には、多数枚のウエハＷを棚状に保持するウエハボート２３が、断熱部２４を介してキャップ２５の上に載置されている。キャップ２５は、昇降機構２６の上に支持されており、昇降機構２６によりウエハボート２３が熱処理炉２２に対して搬入又は搬出される。
ウエハボート２３と隔壁２の搬送口２０との間には、ウエハ搬送機構２７が設けられている。ウエハ搬送機構２７は、左右に伸びるガイド機構２７ａに沿って移動すると共に、鉛直軸回りに回動する移動体２７ｂに、例えば５枚の進退自在なアーム２７ｃを設けて構成され、ウエハボート２３とキャリア載置台１６上のキャリアＣとの間でウエハＷを搬送する。
また、縦型熱処理装置１には、例えばコンピュータからなる制御部１Ａが設けられている。制御部１Ａはプログラム、メモリ、ＣＰＵからなるデータ処理部などを備えている。プログラムには、制御部１Ａから縦型熱処理装置１の各部に制御信号を送り、既述の各処理工程を進行させるように命令（各ステップ）が組み込まれている。その制御信号によりキャリアＣの搬送、ウエハＷの搬送、蓋体４１の開閉、開閉ドア５の開閉、キャリアＣ内への不活性ガスの供給、後述する開閉弁８２の開閉等の動作が制御され、ウエハＷの搬送及び処理が行われる。プログラムは、コンピュータ記憶媒体、例えばフレキシブルディスク、コンパクトディスク、ハードディスク、ＭＯ（光磁気ディスク）及びメモリーカード等の記憶媒体に格納されて制御部１Ａにインストールされる。
図３は、図１の基板処理システムの同圧化手段の第１構成例を示す縦断面図である。図４は、図１の基板処理システムの開閉ドア５近傍の横断面図である。なお、図３及び図４では、キャリア載置台１６により、キャリアＣがウエハ搬送領域Ｓ２との間でウエハＷを受け渡すための受け渡し位置に移動した状態を示している。
キャリアＣについて説明する。キャリアＣは、容器本体であるキャリア本体３１と、蓋体４１とを含む。キャリア本体３１の左右には、ウエハＷの裏面側周縁部を支持する支持部３２が多段に設けられる。キャリア本体３１の前面には、ウエハＷの取出口３３が形成されている。
キャリア本体３１の上部には、キャリア搬送機構２１がキャリアＣを搬送する際に、キャリアＣを把持するための把持部３６が設けられる。キャリア本体３１の下部には、凹部３７と溝部３８とが設けられている。凹部３７は、ロードポート１４及びキャリア載置台１６のピン１５に嵌合する。溝部３８は、キャリア載置台１６のフック１６ａと係合する。溝部３８とフック１６ａとの係合によって、キャリア本体３１がキャリア載置台１６に固定される。
蓋体４１には、水平軸回りに回動する円板状の回動部４３が設けられている。回動部４３は、ラッチキー６７と係合する係合孔４４を備えている。回動部４３が９０度回動することにより、蓋体４１がキャリア本体３１に固定される。例えば、キャリアＣは、このようなロック機構を備え、蓋体４１をキャリア本体３１にロックすることができる。
蓋体４１の前面には、回動部４３の係合孔４４に重なるようにラッチキー６７の差し込み口４０が開口している。ラッチキー６７が差し込み口４０に挿入され、係合孔４４まで到達し、回動部４３を回転させることにより、キャリアＣの蓋体４１のロックを解除することができる。
開閉ドア５及びウエハＷの搬送口２０について説明する。搬送口２０におけるキャリア搬送領域Ｓ１側の口縁部には、キャリア本体３１の開口縁部３４が当接する位置にシール部材５１が設けられている。搬送口２０における側縁部側には、不活性ガス供給管５２が垂直に設けられている。不活性ガス供給管５２は、鉛直方向に延在するガス供給口５３を上下に備え、ウエハＷの受け渡し位置におけるキャリアＣと開閉ドア５とに囲まれる閉塞空間５４に不活性ガスを供給する。搬送口２０の下端部には、横長の排気口５５が設けられている。排気口５５には、横方向における排気の偏りを抑えるために多孔質体５５ａが設けられている。
開閉ドア５は、その周縁部がキャリア搬送領域Ｓ１側へ向けて屈曲され、全体として凹状となるように屈曲された箱体として形成されている。箱体をなす開閉ドア５の開口縁にはシール部材５６が設けられ、シール部材５６を介して開閉ドア５は搬送口２０の縁部に密着する。
開閉ドア５のキャリア搬送領域Ｓ１側には、蓋体４１を取り外すための蓋体開閉機構６が設けられている。蓋体開閉機構６は、蓋体４１に対向すると共に、蓋体開閉機構６の駆動機構を収容する対向板６１を備え、対向板６１は進退機構６２により前後方向に移動自在に構成される。
対向板６１の内部には、蓋体開閉機構６を駆動させるメカ部分の駆動機構が収容されるが、必要に応じて、その内部空間に接続される排気ポート６０２が設けられてもよい。排気ポート６０２は、真空ポンプ６０４に接続され、対向板６１の内部空間が排気可能に構成されてよい。図３において、排気ポート６０２は、対向板６１の下部に接続された下部排気ポート６０２ａと、対向板６１の中央部に接続された中央排気ポート６０２ｂの２つが設けられ、最終的に合流して排気ポート６０２が真空ポンプ６０４に接続された構成となっている。しかしながら、対向板６１の内部空間を排気できれば、排気ポート６０２は対向板６１の内部空間と連通する種々の場所に設けることができる。また、排気ポート６０２の数も、用途に応じて種々変化させてよい。
また、縦型熱処理装置１には、ウエハ搬送領域Ｓ２の圧力と、キャリアＣと開閉ドア５とに囲まれる閉塞空間５４の圧力と、を略同圧にする同圧化手段８０Ａが設けられている。同圧化手段８０Ａは、接続配管８１と、開閉弁８２とを含む。
接続配管８１は、ウエハ搬送領域Ｓ２と閉塞空間５４とを接続するガス配管である。接続配管８１は、一端が搬送口２０の下方においてウエハ搬送領域Ｓ２と連通し、他端が排気口５５の近傍において閉塞空間５４と連通している。接続配管８１は、ＰＴＦＥ（polytetrafluoroethylene）チューブ等のフッ素樹脂チューブであることが好ましい。これにより、開閉弁８２の開閉時等に接続配管８１の内部に生じるパーティクル等をチューブの帯電によって除去するフィルタ効果が得られる。
開閉弁８２は、接続配管８１に設けられている。開閉弁８２を開くことによって、接続配管８１を介して接続されたウエハ搬送領域Ｓ２と閉塞空間５４とが連通し、ウエハ搬送領域Ｓ２の圧力と閉塞空間５４の圧力とが略同圧になる。なお、「略同圧」とは、同圧であること、及び二つの圧力差の絶対値が４００Ｐａ未満の範囲にあることを意味する。開閉弁８２は、制御部１Ａによって動作が制御される。制御部１Ａは、例えばシール部材５６を介して搬送口２０の縁部に密着している開閉ドア５を搬送口２０の縁部から離間させる前に、開閉弁８２を開く。これにより、ウエハ搬送領域Ｓ２と閉塞空間５４とが連通し、ウエハ搬送領域Ｓ２の圧力と閉塞空間５４の圧力とが略同圧になる。このため、開閉ドア５を搬送口２０の縁部から離間させる際、ウエハ搬送領域Ｓ２から閉塞空間５４へ、又は、閉塞空間５４からウエハ搬送領域Ｓ２へ向かうガスの流れが生じない。その結果、ウエハ搬送領域Ｓ２と閉塞空間５４との間でパーティクルが飛散することを抑制することができる。
図５は、図１の基板処理システムの同圧化手段の第２構成例を示す概略図である。図５に示されるように、第２構成例の同圧化手段は、接続配管８１に、開閉弁８２に加えて、フィルタ８３及びオリフィス８４が設けられている点で、第１構成例と異なる。
同圧化手段８０Ｂは、接続配管８１と、開閉弁８２と、フィルタ８３と、オリフィス８４とを含む。
接続配管８１は、ウエハ搬送領域Ｓ２と閉塞空間５４とを接続するガス配管である。接続配管８１は、一端がウエハ搬送領域Ｓ２と連通し、他端が閉塞空間５４と連通している。
開閉弁８２は、接続配管８１に設けられている。開閉弁８２を開くことによって、接続配管８１を介して接続されたウエハ搬送領域Ｓ２と閉塞空間５４とが連通し、ウエハ搬送領域Ｓ２の圧力と閉塞空間５４の圧力とが略同圧になる。開閉弁８２は、制御部１Ａによって動作が制御される。制御部１Ａは、例えばシール部材５６を介して搬送口２０の縁部に密着している開閉ドア５を搬送口２０の縁部から離間させる前に、開閉弁８２を開く。これにより、ウエハ搬送領域Ｓ２と閉塞空間５４とが連通し、ウエハ搬送領域Ｓ２の圧力と閉塞空間５４の圧力とが略同圧になる。このため、開閉ドア５を搬送口２０の縁部から離間させる際、ウエハ搬送領域Ｓ２から閉塞空間５４へ、又は、閉塞空間５４からウエハ搬送領域Ｓ２へ向かうガスの流れが生じない。その結果、ウエハ搬送領域Ｓ２と閉塞空間５４との間でパーティクルが飛散することを抑制することができる。
フィルタ８３は、接続配管８１における閉塞空間５４と開閉弁８２との間に設けられている。フィルタ８３は、開閉弁８２の開閉時等に接続配管８１の内部に生じるパーティクル等を除去する。図５では、フィルタ８３が接続配管８１における開閉ドア５と開閉弁８２との間に設けられている場合を示しているが、これに限定されず、例えばフィルタ８３は接続配管８１におけるウエハ搬送領域Ｓ２と開閉弁８２との間に設けられていてもよい。また、フィルタ８３は、接続配管８１における開閉ドア５と開閉弁８２との間、及び接続配管８１におけるウエハ搬送領域Ｓ２と開閉弁８２との間に設けられていてもよい。
オリフィス８４は、接続配管８１における閉塞空間５４とフィルタ８３との間に設けられている。オリフィス８４は、開閉弁８２を開いたときの急激な圧力変動を抑制する。図５では、オリフィス８４が接続配管８１における閉塞空間５４とフィルタ８３との間に設けられている場合を示しているが、これに限定されず、接続配管８１における他の位置に設けられていてもよい。
図６は、図１の基板処理システムの同圧化手段の第３構成例を示す概略図である。図６に示されるように、第３構成例の同圧化手段８０Ｃは、２系統の接続配管を含む点で、第１構成例と異なる。
同圧化手段８０Ｃは、第１の接続配管８１ａと、第２の接続配管８１ｂとを含む。
第１の接続配管８１ａは、ウエハ搬送領域Ｓ２と閉塞空間５４とを接続するガス配管である。第１の接続配管８１ａは、一端がウエハ搬送領域Ｓ２と連通し、他端が閉塞空間５４と連通している。第１の接続配管８１ａには、ウエハ搬送領域Ｓ２側から逆止弁８５ａ、フィルタ８３ａ、開閉弁８２ａ、及びオリフィス８４ａがこの順番で設けられている。
第２の接続配管８１ｂは、ウエハ搬送領域Ｓ２と閉塞空間５４とを接続するガス配管である。第２の接続配管８１ｂは、一端がウエハ搬送領域Ｓ２と連通し、他端が閉塞空間５４と連通している。第２の接続配管８１ｂには、閉塞空間５４側から逆止弁８５ｂ、フィルタ８３ｂ、開閉弁８２ｂ、及びオリフィス８４ｂがこの順番で設けられている。
開閉弁８２ａ及び開閉弁８２ｂは、制御部１Ａによって連動して動作するように制御される。制御部１Ａは、例えばシール部材５６を介して搬送口２０の縁部に密着している開閉ドア５を搬送口２０の縁部から離間させる前に、開閉弁８２ａ及び開閉弁８２ｂを開く。これにより、ウエハ搬送領域Ｓ２と閉塞空間５４とが連通し、ウエハ搬送領域Ｓ２の圧力と閉塞空間５４の圧力とが略同圧になる。具体的には、ウエハ搬送領域Ｓ２の圧力が閉塞空間５４の圧力よりも高い場合、ウエハ搬送領域Ｓ２のガスが第１の接続配管８１ａを通って閉塞空間５４に流れることにより、ウエハ搬送領域Ｓ２の圧力と閉塞空間５４の圧力とが略同圧になる。一方、ウエハ搬送領域Ｓ２の圧力が閉塞空間５４の圧力よりも低い場合、閉塞空間５４のガスが第２の接続配管８１ｂを通ってウエハ搬送領域Ｓ２に流れることにより、ウエハ搬送領域Ｓ２の圧力と閉塞空間５４の圧力とが略同圧になる。このため、開閉ドア５を搬送口２０の縁部から離間させる際、ウエハ搬送領域Ｓ２から閉塞空間５４へ、又は、閉塞空間５４からウエハ搬送領域Ｓ２へ向かうガスの流れが生じない。その結果、ウエハ搬送領域Ｓ２と閉塞空間５４との間でパーティクルが飛散することを抑制することができる。
図７は、図１の基板処理システムの同圧化手段の第４構成例を示す概略図である。図７においては、ガスラインを太実線で示し、電気制御系を破線で示している。図７に示されるように、第４構成例の同圧化手段８０Ｄは、ウエハ搬送領域Ｓ２と閉塞空間５４との圧力差に基づいて、ウエハ搬送領域Ｓ２の圧力と閉塞空間５４の圧力とが略同圧となるように制御する点で、第１構成例と異なる。
ウエハ搬送領域Ｓ２には、不活性ガス供給装置９１ａ、酸素濃度計９２ａ、排気調整弁９３ａ、排気ポンプ９４ａ等が接続されている。不活性ガス供給装置９１ａは、不活性ガス供給管５２及びガス供給口５３（いずれも図３参照）を介して、Ｎ２ガス等の不活性ガスをウエハ搬送領域Ｓ２に供給する。不活性ガス供給装置９１ａから供給される不活性ガスの流量はコントローラ１００によって制御される。酸素濃度計９２ａは、ウエハ搬送領域Ｓ２内の酸素濃度を検出し、検出値をコントローラ１００へ送信する。排気調整弁９３ａは、排気ポンプ９４ａにより排出される不活性ガスの流量を制御する弁である。排気調整弁９３ａの開度は、コントローラ１００によって制御される。
閉塞空間５４には、不活性ガス供給装置９１ｂ、酸素濃度計９２ｂ、排気調整弁９３ｂ、排気ポンプ９４ｂ等が接続されている。不活性ガス供給装置９１ｂは、閉塞空間５４にＮ２ガス等の不活性ガスを供給する。不活性ガス供給装置９１ｂから供給される不活性ガスの流量はコントローラ１００によって制御される。酸素濃度計９２ｂは、閉塞空間５４内の酸素濃度を検出し、検出値をコントローラ１００へ送信する。排気調整弁９３ｂは、排気ポンプ９４ｂにより排出される不活性ガスの流量を制御する弁である。排気調整弁９３ｂの開度は、コントローラ１００によって制御される。
同圧化手段８０Ｄは、接続配管８１と、差圧計８６と、コントローラ１００とを含む。
接続配管８１は、ウエハ搬送領域Ｓ２と閉塞空間５４とを接続するガス配管である。接続配管８１は、一端がウエハ搬送領域Ｓ２と連通し、他端が閉塞空間５４と連通している。
差圧計８６は、接続配管８１に設けられている。差圧計８６は、接続配管８１内のウエハ搬送領域Ｓ２側の圧力と閉塞空間５４側の圧力との差を検出する圧力センサである。差圧計８６で検出された検出値は、コントローラ１００に送信される。
コントローラ１００は、酸素濃度計９２ａにより検出されるウエハ搬送領域Ｓ２内の酸素濃度に基づいて、不活性ガス供給装置９１ａから供給される不活性ガスの流量、及び排気調整弁９３ａの開度を調整する。コントローラ１００は、酸素濃度計９２ｂにより検出される閉塞空間５４内の酸素濃度に基づいて、不活性ガス供給装置９１ｂから供給される不活性ガスの流量、及び排気調整弁９３ｂの開度を調整する。
また、コントローラ１００は、ウエハ搬送領域Ｓ２内及び閉塞空間５４内の酸素濃度を制御した後、差圧計８６により検出される検出値に基づいて、ウエハ搬送領域Ｓ２の圧力と閉塞空間５４の圧力とが略同圧となるように、ウエハ搬送領域Ｓ２の圧力及び閉塞空間５４の圧力の少なくともいずれかを制御する。具体的には、コントローラ１００は、不活性ガス供給装置９１ａから供給される不活性ガスの流量、不活性ガス供給装置９１ｂから供給される不活性ガスの流量、排気調整弁９３ａの開度、及び排気調整弁９３ｂの開度の少なくともいずれかを調整する。これにより、ウエハ搬送領域Ｓ２の圧力及び閉塞空間５４の圧力の少なくともいずれかが制御され、ウエハ搬送領域Ｓ２の圧力と閉塞空間５４の圧力とが略同圧となる。このため、開閉ドア５を搬送口２０の縁部から離間させる際、ウエハ搬送領域Ｓ２から閉塞空間５４へ、又は、閉塞空間５４からウエハ搬送領域Ｓ２へ向かうガスの流れが生じない。その結果、ウエハ搬送領域Ｓ２と閉塞空間５４との間でパーティクルが飛散することを抑制することができる。
第４構成例では、コントローラ１００がウエハ搬送領域Ｓ２の圧力と閉塞空間５４の圧力とが略同圧となるように制御する場合を例に挙げて説明したが、コントローラ１００を用いることなく、制御部１Ａが上記の制御を行ってもよい。
なお、上記の実施形態において、ウエハＷは基板の一例であり、ウエハ搬送領域Ｓ２は基板搬送領域の一例である。不活性ガス供給装置９１ａは第１の不活性ガス供給装置の一例であり、不活性ガス供給装置９１ｂは第２の不活性ガス供給装置の一例である。排気調整弁９３ａ及び排気ポンプ９４ａは第１の排気装置の一例であり、排気調整弁９３ｂ及び排気ポンプ９４ｂは第２の排気装置の一例である。
以上、本発明を実施するための形態について説明したが、上記内容は、発明の内容を限定するものではなく、本発明の範囲内で種々の変形及び改良が可能である。
１ 縦型熱処理装置
２ 隔壁
５ 開閉ドア
２０ 搬送口
２２ 熱処理炉
５４ 閉塞空間
８０Ａ〜Ｄ 同圧化手段
８１ 接続配管
８２ 開閉弁
８３ フィルタ
８４ オリフィス
８５ 逆止弁
８６ 差圧計
９１ａ，９１ｂ 不活性ガス供給装置
９３ａ，９３ｂ 排気調整弁
９４ａ，９４ｂ 排気ポンプ
Ｓ１ キャリア搬送領域
Ｓ２ ウエハ搬送領域
Ｃ キャリア
Ｗ ウエハ

Claims (8)

  1. 基板を収容するキャリアを基板処理装置に対して搬送するためのキャリア搬送領域と、
    前記キャリア搬送領域と隔壁により仕切られ、前記キャリアに収容される前記基板を処理炉に搬送するための基板搬送領域と、
    前記隔壁に形成され、前記キャリア搬送領域と前記基板搬送領域との間で前記基板を搬送するための搬送口と、
    前記搬送口を開閉する開閉ドアと、
    前記基板搬送領域の圧力と、前記キャリアと前記開閉ドアとに囲まれる空間の圧力と、を略同圧にする同圧化手段と、
    を備え、
    前記同圧化手段は、第１の接続配管と第２の接続配管とを含み、
    前記第１の接続配管は、前記基板搬送領域と前記空間とを接続し、前記基板搬送領域の圧力が前記空間の圧力よりも高い場合に前記基板搬送領域のガスを前記空間に通流させ、
    前記第２の接続配管は、前記基板搬送領域と前記空間とを接続し、前記基板搬送領域の圧力が前記空間の圧力よりも低い場合に前記空間のガスを前記基板搬送領域に通流させる、
    基板処理システム。
  2. 前記同圧化手段は、前記第１の接続配管に設けられる開閉弁と、前記第２の接続配管に設けられる開閉弁と、を含む、
    請求項１に記載の基板処理システム。
  3. 前記同圧化手段は、前記第１の接続配管に設けられるオリフィスと、前記第２の接続配管に設けられるオリフィスと、を更に含む、
    請求項２に記載の基板処理システム。
  4. 前記同圧化手段は、前記第１の接続配管に設けられるフィルタと、前記第２の接続配管に設けられるフィルタと、を更に含む、
    請求項２又は３に記載の基板処理システム。
  5. 前記同圧化手段は、前記第１の接続配管に設けられる逆止弁と、前記第２の接続配管に設けられる逆止弁と、を更に含む、
    請求項２又は３に記載の基板処理システム。
  6. 前記第１の接続配管及び前記第２の接続配管は、フッ素樹脂により形成されている、
    請求項２乃至５のいずれか一項に記載の基板処理システム。
  7. 基板を収容するキャリアを基板処理装置に対して搬送するためのキャリア搬送領域と、
    前記キャリア搬送領域と隔壁により仕切られ、前記キャリアに収容される前記基板を処理炉に搬送するための基板搬送領域と、
    前記隔壁に形成され、前記キャリア搬送領域と前記基板搬送領域との間で前記基板を搬送するための搬送口と、
    前記搬送口を開閉する開閉ドアと、
    前記基板搬送領域の圧力と、前記キャリアと前記開閉ドアとに囲まれる空間の圧力と、を略同圧にする同圧化手段と、
    を備える基板処理システムにおける基板搬送方法であって、
    前記同圧化手段は、前記基板搬送領域と前記空間とを接続する第１の接続配管及び第２の接続配管を含み、
    前記基板搬送領域と前記空間とを連通させる前に、前記基板搬送領域の圧力が前記空間の圧力よりも高い場合には前記第１の接続配管を介して前記基板搬送領域のガスを前記空間に通流させ、前記基板搬送領域の圧力が前記空間の圧力よりも低い場合には前記第２の接続配管を介して前記空間のガスを前記基板搬送領域に通流させることにより、前記基板搬送領域の圧力と前記空間の圧力とを略同圧にする、
    基板搬送方法。
  8. 前記基板搬送領域及び前記空間に不活性ガスを供給した状態で、前記基板搬送領域の圧力と前記空間の圧力とを略同圧にする、
    請求項７に記載の基板搬送方法。
JP2017024176A 2017-02-13 2017-02-13 基板処理システム及び基板搬送方法 Active JP6752163B2 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017024176A JP6752163B2 (ja) 2017-02-13 2017-02-13 基板処理システム及び基板搬送方法
TW107103347A TWI707422B (zh) 2017-02-13 2018-01-31 基板處理系統及基板搬送方法
KR1020180015758A KR102239201B1 (ko) 2017-02-13 2018-02-08 기판 처리 시스템 및 기판 반송 방법
US15/893,490 US10784138B2 (en) 2017-02-13 2018-02-09 Substrate processing system and substrate transfer method
CN201810135324.4A CN108428654B (zh) 2017-02-13 2018-02-09 基板处理***和基板输送方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017024176A JP6752163B2 (ja) 2017-02-13 2017-02-13 基板処理システム及び基板搬送方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2018133364A JP2018133364A (ja) 2018-08-23
JP6752163B2 true JP6752163B2 (ja) 2020-09-09

Family

ID=63106463

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2017024176A Active JP6752163B2 (ja) 2017-02-13 2017-02-13 基板処理システム及び基板搬送方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US10784138B2 (ja)
JP (1) JP6752163B2 (ja)
KR (1) KR102239201B1 (ja)
CN (1) CN108428654B (ja)
TW (1) TWI707422B (ja)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI788061B (zh) * 2015-08-04 2022-12-21 日商昕芙旎雅股份有限公司 門開閉系統及具備門開閉系統之載入埠
TWI727562B (zh) * 2015-08-04 2021-05-11 日商昕芙旎雅股份有限公司 裝載埠
US10403514B1 (en) * 2018-04-12 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Substrate transporting system, storage medium and substrate transporting method
JP7234527B2 (ja) * 2018-07-30 2023-03-08 Tdk株式会社 センサー内蔵フィルタ構造体及びウエハ収容容器
JP7090513B2 (ja) * 2018-09-06 2022-06-24 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及びパージ方法
CN112011831B (zh) * 2019-05-30 2022-03-22 北京北方华创微电子装备有限公司 一种用于立式热处理炉的开关门组件及立式热处理炉

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100271758B1 (ko) * 1997-06-25 2001-01-15 윤종용 반도체장치 제조설비 및 이의 구동방법
JPH11214479A (ja) * 1998-01-23 1999-08-06 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置及びその方法並びに基板搬送装置
FR2874744B1 (fr) 2004-08-30 2006-11-24 Cit Alcatel Interface sous vide entre une boite de mini-environnement et un equipement
JP4516966B2 (ja) 2004-09-15 2010-08-04 株式会社日立国際電気 半導体製造装置、基板の装填脱装方法および半導体装置の製造方法
JP2009026779A (ja) * 2007-07-17 2009-02-05 Hitachi High-Technologies Corp 真空処理装置
JP5597433B2 (ja) * 2010-04-16 2014-10-01 株式会社日立ハイテクノロジーズ 真空処理装置
JP6106501B2 (ja) * 2013-04-12 2017-04-05 東京エレクトロン株式会社 収納容器内の雰囲気管理方法
KR101791490B1 (ko) * 2013-07-23 2017-10-30 쿠리타 고교 가부시키가이샤 전산화성 물질 농도의 측정 방법, 기판 세정 방법 및 기판 세정 시스템
KR102400424B1 (ko) * 2014-09-05 2022-05-19 로제 가부시키가이샤 로드 포트 및 로드 포트의 분위기 치환 방법
TWI788061B (zh) * 2015-08-04 2022-12-21 日商昕芙旎雅股份有限公司 門開閉系統及具備門開閉系統之載入埠

Also Published As

Publication number Publication date
TWI707422B (zh) 2020-10-11
KR20180093804A (ko) 2018-08-22
US10784138B2 (en) 2020-09-22
CN108428654A (zh) 2018-08-21
JP2018133364A (ja) 2018-08-23
US20180233392A1 (en) 2018-08-16
KR102239201B1 (ko) 2021-04-09
TW201841288A (zh) 2018-11-16
CN108428654B (zh) 2023-05-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6752163B2 (ja) 基板処理システム及び基板搬送方法
JP5993252B2 (ja) 蓋体開閉装置及びこれを用いた熱処理装置、並びに蓋体開閉方法
TWI717034B (zh) 側儲存倉、電子裝置處理系統、和處理基板的方法
KR101220790B1 (ko) 진공 처리 장치, 진공 처리 장치의 운전 방법 및 기억 매체
US20210343564A1 (en) Load port operation in electronic device manufacturing apparatus, systems, and methods
TWI593043B (zh) 搬運方法及基板處理裝置
KR101731144B1 (ko) 수납 용기 내의 분위기 관리 방법
US11404297B2 (en) Systems, apparatus, and methods for an improved load port
JP2017139274A (ja) 基板収納容器の連結機構および連結方法
JPH054666A (ja) 通気孔を設けた半導体ウエーハ用真空カセツト
CN109560021B (zh) 基板处理装置、基板处理方法以及计算机存储介质
US20060045668A1 (en) System for handling of wafers within a process tool
JP7090513B2 (ja) 基板処理装置及びパージ方法
US20080056861A1 (en) Processing apparatus and processing method
TWI606536B (zh) 基板處理裝置及基板處理方法
KR102338151B1 (ko) 진공 반송 모듈 및 진공 반송 방법
JP2005026513A (ja) 処理装置
KR20140118718A (ko) 진공 처리 장치 및 진공 처리 장치의 운전 방법
JP6906559B2 (ja) 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム
JP6739370B2 (ja) 基板処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20190620

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20200325

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20200414

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20200603

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20200721

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20200818

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6752163

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250