TW201617389A - 密封片材、其製造方法、光半導體裝置及密封光半導體元件 - Google Patents

密封片材、其製造方法、光半導體裝置及密封光半導體元件 Download PDF

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Abstract

本發明之密封片材係由如下密封組合物形成為片狀，該密封組合物含有：聚矽氧樹脂組合物，其含有於分子內含有2個以上之烯基及/或環烯基之含有烯基之聚矽氧烷、於分子內含有2個以上之氫矽烷基之含有氫矽烷基之聚矽氧烷、及矽氫化觸媒；及無機填料，其折射率為1.50以上、且1.60以下，平均粒徑為10μm以上、且50μm以下。密封片材係用於將光半導體元件密封。含有烯基之聚矽氧烷係由下述平均組成式(1)所表示。 平均組成式(1)：R1aR2bSiO(4-a-b)/2含有氫矽烷基之聚矽氧烷係由下述平均組成式(2)所表示。 平均組成式(2)：HcR3dSiO(4-c-d)/2平均組成式(1)及平均組成式(2)中，R2及R3之至少任一者包含苯基。 藉由使聚矽氧樹脂組合物反應而獲得之產物係由下述平均組成式(3)所表示。 平均組成式(3)：R5eSiO(4-e)/2平均組成式(3)之R5中之苯基之含有比率為30莫耳%以上、且55莫耳%以下。

Description

密封片材、其製造方法、光半導體裝置及密封光半導體元件
本發明係關於一種密封片材、其製造方法、光半導體裝置及密封光半導體元件，詳細而言，係關於一種密封片材、其製造方法、包括安裝於基板且被密封片材密封之光半導體元件之光半導體裝置、及包括被密封片材密封之光半導體元件之密封光半導體元件。
先前，已知包含聚矽氧樹脂組合物之密封材料係用於將光半導體元件密封。密封材料將包含端子之光半導體元件埋設並被覆。
近年來，作為對硫化氫氣體或硫酸氣體等腐蝕性氣體之阻氣性優異之密封材料，提出有含有於分子內含有苯基之聚矽氧樹脂、與液狀酚樹脂的光半導體元件用密封劑(例如，參照下述專利文獻1)。專利文獻1之光半導體元件用密封劑為液體狀之熱硬化性樹脂組合物，被注入至由包圍安裝於基板之光半導體元件之外殼材料劃分出之凹部，其後，藉由加熱而進行硬化。而且，專利文獻1所記載之光半導體元件用密封劑於硬化後，抑制腐蝕性氣體之透過，而防止光半導體元件之端子之腐蝕。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2011-178892號公報
然而，專利文獻1所記載之液體狀之光半導體元件用密封劑具有無法成形為所需厚度之固體狀片材之不良情況。
又，亦研究向專利文獻1之光半導體元件用密封劑中調配填充劑來改善片材之成形性，但於此情形時，有片材之透明性降低、或者於液體狀之光半導體元件用密封劑中填充劑發生沈澱而填充劑不均勻地分散之不良情況。
本發明之目的在於提供一種密封片材、其製造方法、光半導體裝置及密封光半導體元件，該密封片材即便含有苯基，亦可確實且均勻地形成為所需厚度之片狀，且粒子均勻地分散，透明性優異，將光半導體元件確實地密封。
本發明係如下所述。
[1]一種密封片材，其特徵在於：其係由如下密封組合物形成為片狀，且用於將光半導體元件密封，該密封組合物含有：聚矽氧樹脂組合物，其含有於分子內含有2個以上之烯基及/或環烯基之含有烯基之聚矽氧烷、於分子內含有2個以上之氫矽烷基之含有氫矽烷基之聚矽氧烷、及矽氫化觸媒；及無機填料，其折射率為1.50以上、且1.60以下，平均粒徑為10μm以上、且50μm以下；且上述含有烯基之聚矽氧烷係由下述平均組成式(1)所表示，平均組成式(1)：R1 aR2 bSiO(4-a-b)/2
(式中，R1表示碳數2~10之烯基及/或碳數3~10之環烯基；R2表示未經取代或經取代之碳數1~10之一價烴基(其中，烯基及環烯基除外)；a為0.05以上、且0.50以下，b為0.80以上、且1.80以下)
上述含有氫矽烷基之聚矽氧烷係由下述平均組成式(2)所表示，平均組成式(2)： HcR3 dSiO(4-c-d)/2
(式中，R3表示未經取代或經取代之碳數1~10之一價烴基(其中，烯基及/或環烯基除外)；c為0.30以上、且1.0以下，d為0.90以上、且2.0以下)
上述平均組成式(1)及上述平均組成式(2)中，R2及R3之至少任一者包含苯基，藉由使上述聚矽氧樹脂組合物反應而獲得之產物係由下述平均組成式(3)所表示，平均組成式(3)：R5 eSiO(4-e)/2
(式中，R5表示包含苯基、且未經取代或經取代之碳數1~10之一價烴基(其中，烯基及環烯基除外)；e為1.0以上、且3.0以下)
上述平均組成式(3)之R5中之苯基之含有比率為30莫耳%以上、且55莫耳%以下。
[2]如上述[1]之密封片材，其特徵在於：上述無機填料之調配比率係相對於上述密封組合物為30質量%以上、且80質量%以下。
[3]如上述[1]或[2]之密封片材，其特徵在於：上述聚矽氧樹脂組合物為2階段硬化性，且為B階段。
[4]如上述[3]之密封片材，其特徵在於：上述B階段之聚矽氧樹脂組合物同時具有熱塑性及熱硬化性。
[5]如上述[1]~[4]中任一項之密封片材，其特徵在於：利用頻率1Hz、升溫速度20℃/分、溫度範圍20~150℃之條件下之動態黏彈性測定獲得的80℃之剪切儲存彈性模數G'為3Pa以上、且140Pa以下。
[6]如上述[1]~[5]中任一項之密封片材，其特徵在於：厚度為600μm時對波長460nm之光之透過率為70%以上。
[7]一種密封片材之製造方法，其特徵在於：其係如上述[1]~[6] 中任一項之密封片材之製造方法，且包括如下步驟：塗佈上述密封組合物而形成塗膜；及於70℃以上、120℃以下、且8分鐘以上、15分鐘以下之條件下對上述塗膜進行加熱。
[8]一種光半導體裝置，其特徵在於包括：基板；光半導體元件，其安裝於上述基板；及如上述[1]~[7]中任一項之密封片材，其將上述光半導體元件密封。
[9]一種密封光半導體元件，其特徵在於包括：光半導體元件；及如上述[1]~[7]中任一項之密封片材，其將上述光半導體元件密封。
於本發明之密封片材中，無機填料之平均粒徑處於上述之特定範圍內，故而形成為所需厚度之片材，又，無機填料均勻地分散。
又，於本發明之密封片材中，無機填料之折射率處於上述之範圍內，故而可降低與具有上述之苯基濃度的聚矽氧樹脂組合物之折射率之差，因此，密封片材之透明性優異。
進而，於本發明之密封片材中，藉由使聚矽氧樹脂組合物反應而獲得之產物之平均組成式(3)之R5中苯基之含有比率處於特定之範圍內，故而可將光半導體元件確實地埋設並密封。
因此，本發明之密封片材之成形性、透明性及密封性優異。
又，本發明之密封片材之製造方法可以所需之均勻之厚度製造無機填料均勻地分散於聚矽氧樹脂組合物中而成之密封片材。
本發明之光半導體裝置及密封光半導體元件係光半導體元件由成形性、透明性及密封性優異之密封片材進行密封，故而可靠性優異，並且發光效率優異。
1‧‧‧密封片材
2‧‧‧剝離片材
3‧‧‧光半導體元件
4‧‧‧導線
5‧‧‧基板
6‧‧‧光半導體裝置
7‧‧‧密封構件
8‧‧‧密封光半導體元件
9‧‧‧支持片材
10‧‧‧支持板
11‧‧‧黏著層
圖1A~圖1C係表示使用本發明之密封片材之一實施形態，製造 本發明之光半導體裝置之一實施形態之步驟，圖1A表示準備步驟，圖1B表示密封步驟，圖1C表示剝離步驟。
圖2A~圖2D係表示使用圖1A之密封片材製造光半導體裝置之變化例之步驟，圖2A表示準備步驟，圖2B表示密封步驟及第1剝離步驟，圖2C表示第2剝離步驟，圖2D表示安裝步驟。
於圖1A~圖1C中，將紙面上側設為上側(第1方向一側、厚度方向一側)，將紙面下側設為下側(第1方向另一側、厚度方向另一側)。
[密封片材1]
作為本發明之一實施形態之密封片材1係如圖1A所示，具有平板形狀，具體而言，具有特定之厚度，沿與密封片材1之厚度方向正交之特定方向延伸，具有平坦之上表面及平坦之下表面。又，密封片材1並非為下述之光半導體裝置6(參照圖1C)，而為光半導體裝置6之一零件、即用以製作光半導體裝置6之零件，不包含光半導體元件3及搭載光半導體元件3之基板5，如圖1A所示，與剝離片材2一起包含於密封構件7。
密封構件7包括剝離片材2、與配置於剝離片材2之表面(下表面)之密封片材1。較佳為，密封構件7包含剝離片材2及密封片材1。密封構件7以零件之形式單獨流通，為產業上可利用之器件。
而且，密封片材1係由密封組合物形成為片狀，用於將光半導體元件3(參照圖1C)密封。
(密封組合物)
密封組合物含有聚矽氧樹脂組合物、與無機填料。
(聚矽氧樹脂組合物)
聚矽氧樹脂組合物例如為2階段硬化性，具體而言，為2階段熱硬化性或2階段紫外線硬化性，較佳為2階段熱硬化性。
(聚矽氧樹脂組合物之原料)
聚矽氧樹脂組合物例如包括含有烯基之聚矽氧烷、含有氫矽烷基之聚矽氧烷、及矽氫化觸媒。
其次，對上述之各成分進行說明。
<含有烯基之聚矽氧烷>
含有烯基之聚矽氧烷於分子內含有2個以上之烯基及/或環烯基。含有烯基之聚矽氧烷具體而言由下述平均組成式(1)所表示。
平均組成式(1)：R1 aR2 bSiO(4-a-b)/2
(式中，R1表示碳數2~10之烯基及/或碳數3~10之環烯基；R2表示未經取代或經取代之碳數1~10之一價烴基(其中，烯基及環烯基除外)；a為0.05以上、且0.50以下，b為0.80以上、且1.80以下)。
式(1)中，作為R1所表示之烯基，例如可列舉乙烯基、烯丙基、丙烯基、丁烯基、戊烯基、己烯基、庚烯基、辛烯基等碳數2~10之烯基。作為R1所表示之環烯基，例如可列舉環己烯基、降烯基等碳數3~10之環烯基。
作為R1，較佳可列舉烯基，更佳可列舉碳數2~4之烯基，進而較佳可列舉乙烯基。
R1所表示之烯基可為相同種類或複數種類之任一情況。
R2所表示之一價烴基為烯基及環烯基以外之未經取代或經取代之碳原子數1~10之一價烴基。
作為未經取代之一價烴基，可列舉例如甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、第二丁基、第三丁基、戊基、己基、戊基、庚基、辛基、2-乙基己基、壬基、癸基等碳數1~10之烷基，例如環丙基、環丁基、環戊基、環己基等碳數3~6之環烷基，例如苯基、甲苯基、萘基等碳數6~10之芳基，例如苄基、苄基乙基等碳數7~8之芳 烷基。較佳可列舉碳數1~3之烷基、碳數6~10之芳基，更佳可列舉甲基及苯基。
另一方面，經取代之一價烴基可列舉將上述之未經取代之一價烴基中之氫原子以取代基進行取代而得者。
作為取代基，可列舉例如氯原子等鹵素原子、例如縮水甘油醚基等。
作為經取代之一價烴基，具體而言，可列舉3-氯丙基、縮水甘油氧基丙基等。
一價烴基可為未經取代及經取代之任一者，較佳為未經取代。
R2所表示之一價烴基可為相同種類或複數種類。較佳可列舉甲基及苯基之併用。
a較佳為0.10以上、且0.40以下。
b較佳為1.5以上、且1.75以下。
含有烯基之聚矽氧烷之重量平均分子量例如為100以上，較佳為500以上，又，例如為10000以下，較佳為5000以下。含有烯基之聚矽氧烷之重量平均分子量為藉由凝膠滲透層析法測定之標準聚苯乙烯之換算值。
含有烯基之聚矽氧烷係藉由適當之方法而製備，又，亦可使用市售品。
又，含有烯基之聚矽氧烷可為相同種類或複數種類。
<含有氫矽烷基之聚矽氧烷>
含有氫矽烷基之聚矽氧烷例如於分子內含有2個以上之氫矽烷基(SiH基)。含有氫矽烷基之聚矽氧烷具體而言由下述平均組成式(2)所表示。
平均組成式(2)：HcR3 dSiO(4-c-d)/2
(式中，R3表示未經取代或經取代之碳數1~10之一價烴基(其中，烯基及/或環烯基除外)；c為0.30以上、且1.0以下，d為0.90以上、且2.0以下)。
式(2)中，R3所表示之未經取代或經取代之碳數1~10之一價烴基可例示與式(1)之R2所表示之未經取代或經取代之碳數1~10之一價烴基相同者。較佳可列舉未經取代之碳數1~10之一價烴基，更佳可列舉碳數1~10之烷基、碳數6~10之芳基，進而較佳可列舉苯基及甲基之併用。
c較佳為0.5以下。
d較佳為1.3以上、且1.7以下。
含有氫矽烷基之聚矽氧烷之重量平均分子量例如為100以上，較佳為500以上，又，例如為10000以下，較佳為5000以下。含有氫矽烷基之聚矽氧烷之重量平均分子量為藉由凝膠滲透層析法測定之標準聚苯乙烯之換算值。
含有氫矽烷基之聚矽氧烷係藉由適當之方法而製備，又，亦可使用市售品。
上述之平均組成式(1)及平均組成式(2)中，R2及R3之至少任一者之烴基包含苯基。較佳為，R2及R3兩者之烴包含苯基。
由於R2及R3之至少任一者包含苯基，故而含有上述之平均組成式(1)所表示之含有烯基之聚矽氧烷、及/或平均組成式(2)所表示之含有氫矽烷基之聚矽氧烷的聚矽氧樹脂組合物係以含有苯基之苯基系聚矽氧樹脂組合物之形式而製備。
又，含有氫矽烷基之聚矽氧烷可為相同種類或複數種類。
含有氫矽烷基之聚矽氧烷之調配比率係以如下方式進行調整：含有烯基之聚矽氧烷之烯基及環烯基之莫耳數相對於含有氫矽烷基之聚矽氧烷之氫矽烷基之莫耳數的比率(烯基及環烯基之莫耳數/氫矽烷 基之莫耳數)例如為1/30以上，較佳為1/3以上，又，例如為30/1以下，較佳為3/1以下。
<矽氫化觸媒>
矽氫化觸媒只要為提高含有烯基之聚矽氧烷之烯基及/或環烯基與含有氫矽烷基之聚矽氧烷之氫矽烷基的矽氫化反應(矽氫加成)之反應速度的物質(加成觸媒)，則並無特別限定，例如可列舉金屬觸媒。作為金屬觸媒，可列舉例如鉑黑、氯化鉑、氯鉑酸、鉑-烯烴錯合物、鉑-羰基錯合物、鉑-乙醯乙酸酯等鉑觸媒，例如鈀觸媒，例如銠觸媒等。
關於矽氫化觸媒之調配比率，作為金屬觸媒之金屬量(具體而言，金屬原子)，相對於含有烯基之聚矽氧烷及含有氫矽烷基之聚矽氧烷，以質量基準計，例如為1.0ppm以上，又，例如為10000ppm以下，較佳為1000ppm以下，更佳為500ppm以下。
(聚矽氧樹脂組合物之製備)
聚矽氧樹脂組合物係藉由以上述之比率調配含有烯基之聚矽氧烷、含有氫矽烷基之聚矽氧烷及矽氫化觸媒而製備。
具體而言，聚矽氧樹脂組合物藉由調配含有烯基之聚矽氧烷、含有氫矽烷基之聚矽氧烷及矽氫化觸媒，而製成為2階段硬化性(較佳為2階段熱硬化性)樹脂組合物之A階段(液體狀)。
再者，A階段之聚矽氧樹脂組合物可自A階段(液體狀)經由B階段(半硬化之固體狀或者半固體狀)而進入C階段(完全硬化之固體狀)。
更具體而言，A階段之聚矽氧樹脂組合物藉由含有烯基之聚矽氧烷之烯基及/或環烯基、與含有氫矽烷基之聚矽氧烷之氫矽烷基於下述之條件下進行矽氫化反應，而生成B階段之聚矽氧樹脂組合物。
聚矽氧樹脂組合物之折射率例如為1.50以上，又，例如為1.60以下。聚矽氧樹脂組合物之折射率係藉由阿貝折射計而算出。再者，聚 矽氧樹脂組合物之折射率於聚矽氧樹脂組合物為2階段硬化性之情形時，係作為C階段之聚矽氧樹脂組合物(相當於下述之產物)之折射率而算出。
聚矽氧樹脂組合物之調配比率係相對於密封組合物例如為20質量%以上，較佳為25質量%以上，又，例如為70質量%以下，較佳為50質量%以下，更佳為未達50質量%，進而較佳為40質量%以下，尤佳為30質量%以下。若聚矽氧樹脂組合物之調配比率為上述範圍內，則可確保密封片材1之成形性。
(無機填料)
無機填料係為了提高密封片材1(參照圖1A)之成形性而調配於密封組合物中。具體而言，無機填料係調配於反應前(具體而言，A階段)之聚矽氧樹脂組合物中。作為無機填料，可列舉例如二氧化矽(SiO2)、滑石(Mg3(Si4O10)(HO)2)、氧化鋁(Al2O3)、氧化硼(B2O3)、氧化鈣(CaO)、氧化鋅(ZnO)、氧化鍶(SrO)、氧化鎂(MgO)、氧化鋯(ZrO2)、氧化鋇(BaO)、氧化銻(Sb2O3)等氧化物，例如氮化鋁(AlN)、氮化矽(Si3N4)等氮化物等無機物粒子(無機物)。又，作為無機填料，例如可列舉由上述例示之無機物製備而成之複合無機物粒子，較佳可列舉由氧化物製備而成之複合無機氧化物粒子(具體而言，玻璃粒子等)。
作為複合無機氧化物粒子，例如含有二氧化矽、或者二氧化矽及氧化硼作為主成分，又，含有氧化鋁、氧化鈣、氧化鋅、氧化鍶、氧化鎂、氧化鋯、氧化鋇、氧化銻等作為副成分。複合無機氧化物粒子中之主成分之含有比率係相對於複合無機氧化物粒子例如超過40質量%，較佳為50質量%以上，又，例如為90質量%以下，較佳為80質量%以下。副成分之含有比率為上述之主成分之含有比率之剩餘部分。
複合氧化物粒子係調配上述之主成分及副成分，加熱使之熔融，將該等之熔融物急冷，其後，例如藉由球磨機等進行粉碎，其後，視需要實施適當之表面加工(具體而言，球體化等)而獲得。
無機填料之形狀並不特別限定，例如可列舉球狀、板狀、針狀等。較佳為就流動性之觀點而言，可列舉球狀。無機填料之平均粒徑為10μm以上，較佳為15μm以上，又，為50μm以下，較佳為40μm以下，更佳為30μm以下，進而較佳為25μm以下。於無機填料之平均粒徑超過上述上限之情形時，有於密封組合物(下述之清漆)中無機填料發生沈澱之傾向。另一方面，於無機填料之平均粒徑不足上述下限之情形時，有密封組合物之片材成形性降低、或者密封片材1(參照圖1A)之透明性降低之傾向。無機填料之平均粒徑係以D50值之形式算出。具體而言，係藉由雷射繞射式粒度分佈計而測定。
無機填料之折射率為1.50以上，較佳為1.52以上，又，為1.60以下，較佳為1.58以下。若無機填料之折射率為上述範圍內，則可使與上述之聚矽氧樹脂組合物之折射率之差處於所需範圍內。即，可縮小聚矽氧樹脂組合物及無機填料之折射率之差之絕對值，因此，可提高密封片材1之透明性。無機填料之折射率係藉由阿貝折射計而算出。
聚矽氧樹脂組合物及無機填料之折射率之差之絕對值例如為0.10以下，較佳為0.05以下，通常例如為0以上。若上述之折射率之差之絕對值為上述上限以下，則密封片材1之透明性優異。
無機填料之調配比率係相對於密封組合物例如為30質量%以上，較佳為50質量%以上，更佳為超過50質量%，進而較佳為60質量%以上，尤佳為70質量%以上，又，例如為80質量%以下，較佳為75質量%以下。又，無機填料之調配比率係相對於聚矽氧樹脂組合物100質量份例如為50質量份以上，較佳為100質量份以上，更佳為200質量份以上，又，例如為400質量份以下，較佳為300質量份以下。
若無機填料之調配比率為上述範圍內，則可確保利用無機填料形成之密封片材1之優異之成形性。
[密封片材之製造]
製造密封片材1時，首先，製備含有上述之聚矽氧樹脂組合物與無機填料之密封性組合物。具體而言，於聚矽氧樹脂組合物為2階段硬化性之情形時，製備含有A階段之聚矽氧樹脂組合物與無機填料之密封性組合物。
例如，以上述之調配比率將聚矽氧樹脂組合物與無機填料混合。又，亦可向該等成分中進而以適當之比率添加螢光體等添加劑。
藉此，將無機填料分散於聚矽氧樹脂組合物中而成之密封組合物以清漆之形式進行製備。
清漆於25℃下之黏度例如為1,000mPa‧s以上，較佳為4,000mPa‧s以上，又，例如為1,000,000mPa‧s以下，較佳為200,000mPa‧s以下。再者，黏度係將清漆之溫度調節為25℃，並使用E型圓錐而測定。
繼而，塗佈製備而成之清漆。具體而言，如圖1A所示，將清漆塗佈於剝離片材2之表面(下表面)。
脫模片材2係於直至藉由密封片材1將光半導體元件3密封為止之期間保護密封片材1，因此，可剝離地貼附於密封片材1之背面(圖1A中之上表面)。即，剝離片材2係如下可撓性膜：於密封構件7之出貨、搬送、保管時，以被覆密封片材1之背面之方式，積層於密封片材1之背面，於即將使用密封構件7之前，可自密封片材1之背面以彎曲為大致U字狀之方式剝離。即，剝離片材2不包含密封片材1及/或被其密封之光半導體元件3，即，剝離片材2由可撓性膜構成。又，剝離片材2之貼附面、即對密封片材1之接觸面視需要亦可經氟處理等剝離處理。
作為剝離片材2，可列舉例如聚乙烯膜、聚酯膜(PET(polyethylene terephthalate，聚對苯二甲酸乙二酯)等)等聚合物膜，例如陶瓷片材，例如金屬箔等。較佳可列舉聚合物膜。又，脫模片材2之形狀並無特別限定，例如形成為俯視時大致矩形狀(包括短條狀、長條狀)等。剝離片材2之厚度例如為1μm以上，較佳為10μm以上，又，例如為2,000μm以下，較佳為1,000μm以下。
將清漆塗佈於脫模片材2之表面時，例如使用分注器、敷料器、狹縫模嘴塗佈機等塗佈裝置。
藉由將清漆塗佈於脫模片材2，而形成塗膜。
其後，使塗膜半硬化。具體而言，若聚矽氧樹脂組合物為2階段熱硬化性，則對塗膜進行加熱。作為加熱條件，加熱溫度為70℃以上，較佳為80℃以上，又，為120℃以下，較佳為100℃以下。若加熱溫度為上述範圍，則可確實地使聚矽氧樹脂組合物進入B階段。又，加熱時間例如為5分鐘以上，較佳為8分鐘以上，又，例如為30分鐘以下，較佳為20分鐘以下。
或者，若聚矽氧樹脂組合物為2階段紫外線硬化性，則對塗膜照射紫外線。具體而言，使用UV(ultraviolet，紫外線)燈等，對塗膜照射紫外線。
藉此，使塗膜中之A階段之聚矽氧樹脂組合物進入B階段。
即，於聚矽氧樹脂組合物中，烯基及/或環烯基與氫矽烷基之矽氫化反應進行至中途，暫時停止。
於聚矽氧樹脂組合物成為B階段時，密封片材1(或者塗膜)自剝離片材2彈開，因此，密封片材1於俯視時凝聚，而俯視下之面積變小。其結果為，密封片材1有厚度變厚之傾向。另一方面，於密封片材1藉由加熱而成為B階段之情形時，有伴隨加熱而收縮之傾向，尤其是有於厚度方向變薄之傾向。因此，由密封片材1自剝離片材2彈開所導致 之厚度之增加量、與伴隨加熱收縮之厚度之減少量相抵，而密封片材1之厚度實質上並無變化。
藉此，如圖1A所示，獲得包括剝離片材2、與積層於剝離片材2之密封片材1之密封構件7。
於密封片材1中，無機填料均勻地分散於作為基質之聚矽氧樹脂組合物中。又，若聚矽氧樹脂組合物為半硬化(B階段)狀態，則密封片材1亦如上所述，為半硬化(B階段)狀態。
半硬化(B階段)狀態之密封片材1具有可撓性，成為半硬化(B階段)狀態之後，為能成為下述之完全硬化(C階段)狀態(即，生成C階段之產物)之狀態。
又，B階段之密封片材1同時具有可塑性及硬化性，具體而言，同時具有熱塑性及熱硬化性。即，B階段之密封片材1可藉由加熱而暫時塑化，此後進行硬化。
密封片材1之熱塑溫度例如為40℃以上，較佳為60℃以上，又，例如為120℃以下，較佳為100℃以下。再者，熱塑溫度係密封片材1表示出熱塑性之溫度，具體而言，係B階段之聚矽氧樹脂組合物因加熱而軟化之溫度，與軟化溫度實質上相同。
密封片材1之熱硬化溫度例如為100℃以上，較佳為120℃以上，又，例如為150℃以下。熱硬化溫度係B階段之密封片材1表示出熱硬化性之溫度，具體而言，係已塑化之密封片材1因加熱而完全硬化、成為固體狀之溫度。
(密封片材之物性)
密封片材1(若聚矽氧樹脂組合物為2階段硬化性，則為含有B階段之聚矽氧樹脂組合物之密封片材1、即B階段之密封片材1)於80℃之剪切儲存彈性模數G'例如為3Pa以上，較佳為12Pa以上，又，例如為140Pa以下，較佳為70Pa以下。若密封片材1於80℃之剪切儲存彈性 模數G'為上述上限以下，則於將下文說明之光半導體元件3密封時，可有效地防止光半導體元件3或導線4損傷。另一方面，若密封片材1於80℃之剪切儲存彈性模數G'為上述下限以上，則可確保將光半導體元件3密封時之密封片材1之良好之保形性，而提高密封片材1之操作性。又，若密封片材1於80℃之剪切儲存彈性模數G'為上述下限以上，則可確保密封片材1之厚度之均勻性，又，可進行成為所需厚度之調節。
密封片材1於80℃之剪切儲存彈性模數G'係利用頻率1Hz、升溫速度20℃/分、溫度範圍20~150℃之條件下之動態黏彈性測定而獲得。
又，密封片材1於厚度600μm時對波長460nm之光之透過率例如為70%以上，較佳為80%以上，更佳為90%以上，進而較佳為95%以上，又，例如為100%以下。若透過率為上述下限以上，則於將光半導體元件3密封之後，可使自光半導體元件3發出之光充分地透過。密封片材1之透過率例如係使用積分球而測定。
[光半導體裝置之製造]
繼而，參照圖1A~圖1C對使用密封片材1將光半導體元件3密封之光半導體裝置6之製造方法進行說明。
光半導體裝置6之製造方法例如包括準備步驟(參照圖1A)、密封步驟(參照圖2B)、及剝離步驟(參照圖1C)。以下，對各步驟進行詳細敍述。
(準備步驟)
於準備步驟中，如圖1A所示，分別準備積層於剝離片材2之密封片材1、基板5及安裝於基板5之光半導體元件3。
關於密封片材1，若聚矽氧樹脂組合物為2階段硬化性，則以B階段之聚矽氧樹脂組合物之形式製備。
基板5例如包含絕緣基板。再者，於基板5之表面形成有包含電極之導體圖案(未圖示)。
光半導體元件3於基板5安裝有複數個，複數個光半導體元件3於面方向(相對於厚度方向之正交方向)空出間隔而排列配置。各光半導體元件3打線接合連接於基板5之電極(未圖示)。再者，於打線接合連接中，經由導線4(參照假想線)，將設置於光半導體元件3之上表面之端子(未圖示)、與設置於基板5之上表面之電極(未圖示)電性連接。
再者，光半導體元件3亦可覆晶安裝(參照實線)於基板5。
(密封步驟)
於密封步驟中，在準備步驟之後，如圖1B所示，藉由密封片材1(若聚矽氧樹脂組合物為2階段硬化性，則為B階段之密封片材1)將光半導體元件3密封。具體而言，於光半導體元件3打線接合連接於基板5之情形時，埋設光半導體元件3及導線4。
詳細而言，將密封片材1鄰接配置於光半導體元件3及導線4，具體而言，將密封片材1載置於光半導體元件3之上表面，並且使B階段之密封片材1塑化(軟化)。藉此，埋設光半導體元件3及導線4。使密封片材1塑化時，例如於聚矽氧樹脂組合物為2階段熱硬化性之情形時，對B階段之密封片材1進行加熱(第1加熱步驟)。
加熱溫度為與密封片材1之熱塑溫度相同或高於其之溫度，且未達密封片材1之熱硬化溫度，具體而言，例如為40℃以上，較佳為60℃以上，又，例如為120℃以下，較佳為100℃以下。又，加熱時間例如為5分鐘以上，較佳為8分鐘以上，又，例如為30分鐘以下，較佳為20分鐘以下。
加熱B階段之密封片材1時，例如，預先將安裝光半導體元件3之基板5載置於加熱板(未圖示)之表面，對基板5及光半導體元件3(並且包括導線4)進行加熱，繼而，將密封片材1載置於光半導體元件3之上 表面。或者，亦可將安裝光半導體元件3之基板5、及/或積層於剝離片材2之密封片材1投入至加熱爐中。
藉此，於密封片材1中，B階段之聚矽氧樹脂組合物中之含有烯基之聚矽氧烷及/或含有氫矽烷基之聚矽氧烷之運動性上升，藉此表現出熱塑性。因此，密封片材1發生塑化，繼而流動至相互鄰接之光半導體元件3之間，並且無間隙地被覆導線4。藉此，藉由密封片材1而埋設光半導體元件3及導線4，將該等密封。即，密封片材1將光半導體元件3之上表面及側面被覆，並且填充至於面方向鄰接配置之光半導體元件3之間。
此時，剝離片材2即便於不對基板5及光半導體元件3加壓之情況下，亦以相互近接之方式相對移動。
其後，使B階段之密封片材1硬化。具體而言，使密封片材1之B階段之聚矽氧樹脂組合物完全硬化。
詳細而言，於聚矽氧樹脂組合物為2階段熱硬化性之情形時，對密封片材1進行加熱。加熱溫度為與密封片材1之熱硬化溫度相同或高於其之溫度，具體而言，例如為100℃以上，較佳為120℃以上，又，例如為150℃以下。又，加熱時間例如為10分鐘以上，較佳為30分鐘以上，又，例如為180分鐘以下，較佳為120分鐘以下。
藉此，使已塑化之密封片材1之聚矽氧樹脂組合物硬化(C階段化)。藉此，使聚矽氧樹脂組合物完全反應而獲得產物。
(產物)
於聚矽氧樹脂組合物之反應(C階段化反應)中，含有烯基之聚矽氧烷之烯基及/或環烯基與含有氫矽烷基之聚矽氧烷之氫矽烷基的矽氫加成反應得到進一步促進。其後，烯基及/或環烯基、或者含有氫矽烷基之聚矽氧烷之氫矽烷基消失，矽氫加成反應完結，藉此獲得C階段之聚矽氧樹脂組合物、即產物(或者硬化物)。即，藉由矽氫加成 反應之完結，於聚矽氧樹脂組合物中，表現出硬化性(具體而言，熱硬化性)。
C階段之聚矽氧樹脂組合物依然作為使無機填料分散之基質而使用。又，C階段之聚矽氧樹脂組合物為硬化物，因此密封片材1為含有聚矽氧樹脂組合物之硬化物與均勻地分散於其中之無機填料的硬化體。
上述之產物係由下述平均組成式(3)所表示。
平均組成式(3)：R5 eSiO(4-e)/2
(式中，R5表示包含苯基、且未經取代或經取代之碳數1~10之一價烴基(其中，烯基及環烯基除外)；e為1.0以上、且3.0以下)。
作為R5所表示之未經取代或經取代之碳數1~10之一價烴基，可例示與式(1)之R2所表示之未經取代或經取代之碳數1~10之一價烴基、及式(2)之R3所表示之未經取代或經取代之碳數1~10之一價烴基相同者。較佳可列舉未經取代之一價烴基，更佳可列舉碳數1~10之烷基、碳數6~10之芳基，進而較佳可列舉苯基及甲基之併用。
而且，產物之平均組成式(3)之R5中苯基之含有比率為30莫耳%以上，較佳為35莫耳%以上，又，為55莫耳%以下，較佳為50莫耳%以下。
於產物之平均組成式(3)之R5中的苯基之含有比率不足上述之下限之情形時，無法確保B階段之密封片材1(參照圖1A)之熱塑性，即，下述之密封片材1於80℃之剪切儲存彈性模數G'超過所需範圍，故而無法將光半導體元件6確實地埋設並密封。
另一方面，若產物之平均組成式(3)之R5中的苯基之含有比率為上述之上限以下，則可防止C階段之密封片材1(參照圖1A)之可撓性降低。
產物之平均組成式(3)之R5中的苯基之含有比率為產物之直接鍵結於矽原子之一價烴基(於平均組成式(3)中，由R5表示)中之苯基濃度。
產物之平均組成式(3)之R5中的苯基之含有比率係藉由1H-NMR及29Si-NMR算出。R5中之苯基之含有比率的算出方法之詳細內容於下述之實施例中有所記載，又，例如基於WO2011/125463公報等之記載，藉由1H-NMR及29Si-NMR而算出。
(剝離步驟)
於剝離步驟中，在密封步驟之後，如圖1B之假想線及圖1C所示，將剝離片材2自密封片材1剝離。具體而言，將剝離片材2自密封片材1之背面以彎曲為大致U字狀之方式剝離。
藉此，製造包括基板5、安裝於基板5之光半導體元件3、及將光半導體元件3密封之密封片材1的光半導體裝置6。
[作用效果]
而且，該密封片材1中，無機填料之平均粒徑處於上述之特定範圍內，故而成形為所需厚度之片材，又，均勻地分散有無機填料。
又，於該密封片材1中，無機填料之折射率處於上述之範圍內，故而可降低與具有上述之苯基濃度的聚矽氧樹脂組合物之折射率之差，因此，密封片材1之透明性優異。
進而，於該密封片材1中，藉由使聚矽氧樹脂組合物反應而獲得之產物之平均組成式(3)的R5中苯基之含有比率處於特定之範圍內，故而可將光半導體元件3確實地埋設並密封。
因此，該密封片材1之成形性、透明性及密封性優異。
又，該密封片材1之製造方法能以所需之均勻之厚度製造無機填料均勻地分散於聚矽氧樹脂組合物而成之密封片材1。
又，光半導體裝置6中，光半導體元件3由成形性、透明性及密 封性優異之密封片材1密封，故而可靠性優異，並且發光效率優異。
[變化例]
於變化例中，對與上述之一實施形態相同之構件及步驟，標註相同之參照符號，並省略其詳細之說明。
於上述之一實施形態中，如圖1B所示，藉由密封片材1而將安裝於基板5之光半導體元件3密封，但例如，如圖2B所示，亦可將尚未安裝於基板5、而被支持片材9支持之光半導體元件3密封。
於該變化例中，光半導體裝置6之製造方法例如包括準備步驟(參照圖2A)、密封步驟(參照圖2B)、第1剝離步驟(參照圖2B之假想線)、第2剝離步驟(參照圖2C)、及安裝步驟。以下，對各步驟詳細進行敍述。
(準備步驟)
於準備步驟中，如圖2A所示，準備積層於剝離片材2之密封片材1、與支持片材9及被支持片材9支持之光半導體元件3。
支持片材9包括支持板10、與積層於支持板10之上表面之黏著層11。
支持板10形成沿面方向延伸之板形狀，設置於支持片材9之下部，形成為與支持片材9於俯視時大致相同之形狀。支持板10包含不能沿面方向延伸之硬質之材料，具體而言，作為此種材料，可列舉例如氧化矽(石英等)、氧化鋁等氧化物，例如不鏽鋼等金屬，例如矽等。支持板10之厚度例如為0.1mm以上，較佳為0.3mm以上，又，例如為5mm以下，較佳為2mm以下。
黏著層11形成於支持板10之上表面整面。作為形成黏著層11之黏著材料，例如可列舉丙烯酸系感壓接著劑、聚矽氧系感壓接著劑等感壓接著劑。又，亦可由例如因活性能量線之照射而黏著力降低之活性能量線照射剝離片材(具體而言，日本專利特開2005-286003號公報等 所記載之活性能量線照射剝離片材)等形成黏著層11。黏著層11之厚度例如為0.1mm以上，較佳為0.2mm以上，又，為1mm以下，較佳為0.5mm以下。
準備支持片材9時，例如，將支持板10與黏著層11貼合。再者，亦可首先準備支持板10，繼而將由上述之黏著材料及視需要調配之溶劑製備而成之清漆塗佈於支持板10，其後，視需要藉由將溶劑蒸餾去除之塗佈方法等而將黏著層11直接積層於支持板10。
支持片材9之厚度例如為0.2mm以上，較佳為0.5mm以上，又，為6mm以下，較佳為2.5mm以下。
其次，將複數個光半導體元件3積層於支持片材9。具體而言，使各光半導體元件3之下表面接觸黏著層11之上表面。
藉此，將複數個光半導體元件3配置(載置)於支持片材9。即，使複數個光半導體元件3支持於支持片材9。
(密封步驟及第1剝離步驟)
如圖2B所示，密封步驟及第1剝離步驟之各者與上述之一實施形態之密封步驟及剝離步驟之各者相同。
藉由密封步驟及第1剝離步驟，獲得包括複數個光半導體元件3、與將複數個光半導體元件3集中密封之密封片材1的密封光半導體元件8。再者，密封片材1被覆光半導體元件3之上表面及側面。各光半導體元件3之下表面自密封片材1露出，與黏著層11之上表面接觸。
(第2剝離步驟)
於第1剝離步驟之後，如圖2C之虛線所示，首先，將密封片材1對應於光半導體元件3而切斷。具體而言，將密封層6以包圍光半導體元件3之方式沿厚度方向進行切斷。藉此，獲得複數個包括一個光半導體元件3、與將一個光半導體元件3密封之密封片材1的密封光半導體元件8。
繼而，如圖2C之箭頭所示，將密封光半導體元件8自黏著層11之上表面剝離(第2剝離步驟)。具體而言，於黏著層11為活性能量線照射剝離片材之情形時，對黏著層11照射活性能量線。
藉此，將密封光半導體元件8對應於光半導體元件3而進行單片化。
經單片化之密封光半導體元件8並非為下述之光半導體裝置6(參照圖2D)，即，不包含光半導體裝置6所包括之基板5(參照圖2D)，具體而言，包含密封片材1、與被密封片材1被覆之光半導體元件3。即，密封光半導體元件8係以尚未與光半導體裝置6之基板5所包括之電極電性連接之方式構成。又，密封光半導體元件8為光半導體裝置6(參照圖2D)之一零件、即用以製作光半導體裝置6之零件，以零件之形式單獨流通，為產業上可利用之器件。
(安裝步驟)
其後，根據發光波長或發光效率篩選經單片化之密封光半導體元件8之後，如圖2D所示，將密封光半導體元件8安裝於基板5。具體而言，將設置於光半導體元件3之下表面之端子(未圖示)與基板5之電極(未圖示)連接，而將密封光半導體元件8覆晶安裝於基板5。
藉此，製造包括基板5、一個光半導體元件3及密封片材1之LED(Light Emitting Diode，發光二極體)裝置6。
即便藉由該方法，亦可發揮與上述同樣之作用效果。即，密封光半導體元件8及光半導體裝置6中，光半導體元件3由成形性、透明性及密封性優異之密封片材1密封，故而可靠性優異，並且發光效率優異。
又，於上述之一實施形態之密封步驟中，藉由不同之溫度下之2次加熱、即2階段加熱實施B階段之密封片材1中之聚矽氧樹脂組合物之熱塑化及熱硬化，但例如亦可藉由1次加熱、即1階段加熱使B階段 之密封片材1熱塑化，繼而使其熱硬化。
[實施例]
以下所示之合成例、製備例及實施例之數值可代替上述之實施形態中所記載之數值(即，上限值或下限值)。
<含有烯基之聚矽氧烷及含有氫矽烷基之聚矽氧烷之合成>
合成例1
向配備有攪拌機、回流冷卻管、投入口及溫度計之四口燒瓶中，投入1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二矽氧烷93.2g、水140g、三氟甲磺酸0.38g及甲苯500g並進行混合，一面進行攪拌一面耗費1小時滴加甲基苯基二甲氧基矽烷729.2g與苯基三甲氧基矽烷330.5g之混合物，其後，加熱回流1小時。其後，進行冷卻，將下層(水層)分離並去除，將上層(甲苯溶液)水洗3次。向水洗過之甲苯溶液中加入氫氧化鉀0.40g，一面自水分離管將水去除一面進行回流。水之去除結束後，進而回流5小時，進行冷卻。其後，投入乙酸0.6g進行中和之後，將進行過濾獲得之甲苯溶液水洗3次。其後，藉由減壓濃縮，而獲得液體狀之含有烯基之聚矽氧烷A。含有烯基之聚矽氧烷A之平均單元式及平均組成式係如下所述。
平均單元式：((CH2=CH)(CH3)2SiO1/2)0.15(CH3C6H5SiO2/2)0.60(C6H5SiO3/2)0.25
平均組成式：(CH2=CH)0.15(CH3)0.90(C6H5)0.85SiO1.05
即，含有烯基之聚矽氧烷A係由R1為乙烯基、R2為甲基及苯基、a=0.15、b=1.75之上述平均組成式(1)所表示。
又，藉由凝膠滲透層析法測定含有烯基之聚矽氧烷A之聚苯乙烯換算之重量平均分子量，結果得出重量平均分子量為2300。
合成例2
向配備有攪拌機、回流冷卻管、投入口及溫度計之四口燒瓶中，投入1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二矽氧烷93.2g、水140g、三氟甲磺酸0.38g及甲苯500g並進行混合，一面進行攪拌一面耗費1小時滴加二苯基二甲氧基矽烷173.4g與苯基三甲氧基矽烷300.6g之混合物，滴加結束後，加熱回流1小時。其後，進行冷卻，將下層(水層)分離並去除，將上層(甲苯溶液)水洗3次。向水洗過之甲苯溶液中加入氫氧化鉀0.40g，一面自水分離管將水去除一面進行回流。水之去除結束後，進而回流5小時，進行冷卻。於投入乙酸0.6g進行中和之後，將進行過濾獲得之甲苯溶液水洗3次。其後，藉由減壓濃縮，獲得液體狀之含有烯基之聚矽氧烷B。含有烯基之聚矽氧烷B之平均單元式及平均組成式係如下所述。
平均單元式：(CH2=CH(CH3)2SiO1/2)0.31((C6H5)2SiO2/2)0.22(C6H5SiO3/2)0.47
平均組成式：(CH2=CH)0.31(CH3)0.62(C6H5)0.91SiO1.08
即，含有烯基之聚矽氧烷B係由R1為乙烯基、R2為甲基及苯基、a=0.31、b=1.53之上述平均組成式(1)所表示。
又，藉由凝膠滲透層析法測定含有烯基之聚矽氧烷B之聚苯乙烯換算之重量平均分子量，結果得出重量平均分子量為1000。
合成例3
向配備有攪拌機、回流冷卻管、投入口及溫度計之四口燒瓶中，投入二苯基二甲氧基矽烷325.9g、苯基三甲氧基矽烷564.9g、及三氟甲磺酸2.36g並進行混合，添加1,1,3,3-四甲基二矽氧烷134.3g，一面進行攪拌一面耗費30分鐘滴加乙酸432g。滴加結束後，一面攪拌混合物一面升溫至50℃，使其反應3小時。冷卻至室溫之後，添加甲苯與水，良好地混合並靜置，將下層(水層)分離並去除。其後， 將上層(甲苯溶液)水洗3次後，進行減壓濃縮，藉此獲得含有氫矽烷基之聚矽氧烷C(交聯劑C)。
含有氫矽烷基之聚矽氧烷C之平均單元式及平均組成式係如下所述。
平均單元式：(H(CH3)2SiO1/2)0.33((C6H5)2SiO2/2)0.22(C6H5PhSiO3/2)0.45
平均組成式：H0.33(CH3)0.66(C6H5)0.89SiO1.06
即，含有氫矽烷基之聚矽氧烷C係由R3為甲基及苯基、c=0.33、d=1.55之上述平均組成式(2)所表示。
又，藉由凝膠滲透層析法測定含有氫矽烷基之聚矽氧烷C之聚苯乙烯換算之重量平均分子量，結果得出重量平均分子量為1000。
合成例4
向配備有攪拌機、回流冷卻管、投入口及溫度計之四口燒瓶中，投入甲苯100g、水50g及異丙醇50g並進行混合，一面進行攪拌一面耗費1小時滴加乙烯基三氯矽烷16.7g、甲基三氯矽烷87.1g、苯基三氯矽烷66.4g之混合液，滴加結束後，於常溫下攪拌1小時。將下層(水層)分離並去除，將上層(甲苯溶液)水洗3次。向水洗過之甲苯溶液中加入氫氧化鉀0.12g，一面自水分離管將水去除一面進行回流。水之去除結束後，進而回流5小時並進行冷卻。其後，藉由減壓濃縮，獲得液體狀之含有烯基之聚矽氧烷D。
含有烯基之聚矽氧烷D之平均單元式及平均組成式係如下所述。
平均單元式：(CH2=CHSiO3/2)0.10(CH3SiO3/2)0.58(C6H5SiO3/2)0.31
平均組成式：(CH2=CH)0.10(CH3)0.58(C6H5)0.31SiO1.50
即，含有烯基之聚矽氧烷D係由R1為乙烯基、R2為甲基及苯基、a=0.10、b=0.89之平均組成式(1)所表示。
又，藉由凝膠滲透層析法測定含有烯基之聚矽氧烷D之聚苯乙烯換算之重量平均分子量，結果得出重量平均分子量為3400。
<其他原料>
關於含有烯基之聚矽氧烷及含有氫矽烷基之聚矽氧烷以外之原料，以下進行詳細敍述。
LR7665：
商品名，甲基系聚矽氧樹脂組合物，旭化成瓦克矽酮公司製造
無機填料A：
為折射率1.55、組成及組成比率(質量%)：SiO2/Al2O3/CaO/MgO=60/20/15/5之無機填料，平均粒徑：3μm、15μm、30μm、80μm(以成為各平均粒徑之方式進行分級，調整平均粒徑)。
無機填料B：
為折射率1.57、組成及組成比率(質量%)：SiO2/Al2O3/CaO/SrO=57.3/15.0/21.2/6.5之無機填料，平均粒徑：15μm。
無機填料C：
為折射率1.52、組成及組成比率(質量%)：SiO2/ZrO2/Al2O3/CaO/BaO/Sb2O3=51.1/2.9/15.1/9.9/20.5/0.5之無機填料，平均粒徑：15μm。
FB-40S：
商品名，電氣化學工業公司製造，折射率1.46，二氧化矽，平均粒徑：40μm
鉑羰基錯合物：
商品名「SIP6829.2」，Gelest公司製造，鉑濃度2.0質量%
<聚矽氧樹脂組合物之製備>
製備例1
將含有烯基之聚矽氧烷A(合成例1)20g、含有烯基之聚矽氧烷 B(合成例2)25g、含有氫矽烷基之聚矽氧烷C(合成例3，交聯劑C)25g、及鉑羰基錯合物5mg混合，而製備聚矽氧樹脂組合物A。
製備例2
將含有烯基之聚矽氧烷D(製備例4)70g、含有氫矽烷基之聚矽氧烷C(製備例3，交聯劑C)30g、及鉑羰基錯合物5mg混合，而製備聚矽氧樹脂組合物B。
比較製備例1
將製備例1之聚矽氧樹脂組合物A與LR7665以質量比成為1：1之方式進行混合，而製備聚矽氧樹脂組合物C。
<密封片材之製造>
實施例1
對聚矽氧樹脂組合物A將無機填料A以相對於其等之總量成為50質量%之方式混合，而製備密封組合物之清漆。即，於密封組合物中，聚矽氧樹脂組合物A之調配比率為50質量%，無機填料A之調配比率為50質量%。
繼而，利用敷料器將製備而成之清漆於厚度600μm之剝離片材(PTE片材，商品名「SS4C」，Nippa公司製造)之表面，以加熱後之厚度成為600μm之方式進行塗佈，其後，於90℃下加熱9.5分鐘，藉此，使清漆中之聚矽氧樹脂組合物B階段化(半硬化)。藉此，製造密封片材。
實施例2~7及比較例1~5
使清漆之製備及加熱條件按照下述表1之記載，除此以外，與實施例1同樣地進行處理，其後，製造密封片材。
再者，於比較例3中無法製備均勻之清漆，因此，無法將該清漆向剝離片材進行塗佈。
(評價)
實施下述之各評價。將該等之結果表示於表1中。
(1)藉由聚矽氧樹脂組合物之反應而獲得之產物之烴基(R5)中苯基之含有比率之測定
藉由1H-NMR及29Si-NMR算出僅藉由聚矽氧樹脂組合物A~C(即，不含無機填料之聚矽氧樹脂組合物)之反應而獲得之產物中直接鍵結於矽原子之烴基(平均組成式(3)之R5)中的苯基之含有比率(莫耳%)。
具體而言，使A階段之聚矽氧樹脂組合物A~C各者於不添加無機填料之情況下，於100℃、1小時之條件下進行反應(完全硬化，C階段化)，而獲得產物。
繼而，藉由對所得之產物之1H-NMR及29Si-NMR進行測定，而算出直接鍵結於矽原子之烴基(R5)中苯基所占之比率(莫耳%)。
(2)清漆中有無無機填料之沈澱
藉由於製備清漆後靜置24小時，用肉眼觀察A階段之清漆中有無無機填料之沈澱。
(3)密封片材於80℃之剪切儲存彈性模數G'
自B階段之密封片材選取樣本，實施該樣本之動態黏彈性測定(DMA，dynamic mechanical analysis，動態機械分析)。以下記載動態黏彈性測定之條件。然後，算出樣本於80℃之剪切儲存彈性模數G'。
DMA裝置：旋轉式流變儀(C-VOR裝置，Malvern公司製造)
樣本量：0.1g
應變量：1%
頻率：1Hz
板直徑：25mm
板間間距：450μm
升溫速度：20℃/分
溫度範圍：20~150℃
(4)密封片材之厚度之均勻性
按照下述基準對B階段之密封片材之厚度之均勻性進行評價。
○：目標厚度(600μm)與實際厚度之差之絕對值未達10%。
△：目標厚度與實際厚度之差之絕對值為10%以上、且未達20%。
×：目標厚度與實際厚度之差之絕對值為20%以上。
(5)密封片材對波長460nm之光之透過率
藉由積分球(HalfMoon，大塚電子公司製造)測定B階段之厚度600μm之密封片材對波長460nm之光之透過率。
(6)切斷加工性
按照下述基準對B階段之密封片材之切斷加工性進行評價。
○：保形性(片材之自我支持性)較高，可進行端部(無用部分)之切斷加工(切割)。
×：保形性較低，不可進行端部之切斷加工。
(7)密封性(導線有無變形)
藉由B階段之密封片材，將打線接合連接於基板之電極之光半導體元件密封。
具體而言，準備積層於剝離片材之B階段之密封片材、與基板及安裝於基板之光半導體元件(參照圖1A，準備步驟)。繼而，藉由密封片材，將光半導體元件密封(參照圖1B，密封步驟)。具體而言，將安裝光半導體元件之基板載置於60℃之加熱板，繼而，於基板及光半導體元件上載置密封片材，並使密封片材軟化，繼而，使密封片材完全硬化(C階段化)。其後，將基板自加熱板拉起並放冷之後，將剝離片材自密封片材剝離(參照圖1C，剝離步驟)。
然後，於密封步驟中，藉由觀察導線之變形，而按照下述之基 準對密封片材之密封性進行評價。
○：於導線未觀察到變形。又，於光半導體裝置中，光半導體元件點亮。
△：於導線觀察到微小之變形。又，於光半導體裝置中，光半導體元件點亮。
×：於導線觀察到較大之變形。另一方面，於光半導體裝置中，光半導體元件並未點亮。
再者，上述說明係作為本發明之例示之實施形態而提供，其僅僅為例示，並不作限定性解釋。該技術領域之業者所明瞭之本發明之變化例包含於下述之申請專利範圍中。
[產業上之可利用性]
密封片材係用於將光半導體元件密封。
1‧‧‧密封片材
2‧‧‧剝離片材
3‧‧‧光半導體元件
4‧‧‧導線
5‧‧‧基板
6‧‧‧光半導體裝置
7‧‧‧密封構件

Claims (9)

  1. 一種密封片材，其特徵在於：其係由如下密封組合物形成為片狀，且用於將光半導體元件密封，該密封組合物含有：聚矽氧樹脂組合物，其含有於分子內含有2個以上之烯基及/或環烯基之含有烯基之聚矽氧烷、於分子內含有2個以上之氫矽烷基之含有氫矽烷基之聚矽氧烷、及矽氫化觸媒；及無機填料，其折射率為1.50以上、且1.60以下，平均粒徑為10μm以上、且50μm以下；且上述含有烯基之聚矽氧烷係由下述平均組成式(1)所表示，平均組成式(1)：R1 aR2 bSiO(4-a-b)/2(式中，R1表示碳數2~10之烯基及/或碳數3~10之環烯基；R2表示未經取代或經取代之碳數1~10之一價烴基(其中，烯基及環烯基除外)；a為0.05以上、且0.50以下，b為0.80以上、且1.80以下)上述含有氫矽烷基之聚矽氧烷係由下述平均組成式(2)所表示，平均組成式(2)：HcR3 dSiO(4-c-d)/2(式中，R3表示未經取代或經取代之碳數1~10之一價烴基(其中，烯基及/或環烯基除外)；c為0.30以上、且1.0以下，d為0.90以上、且2.0以下)上述平均組成式(1)及上述平均組成式(2)中，R2及R3之至少任一者含有苯基，藉由使上述聚矽氧樹脂組合物反應而獲得之產物係由下述平 均組成式(3)所表示，平均組成式(3)：R5 eSiO(4-e)/2(式中，R5表示含有苯基、且未經取代或經取代之碳數1~10之一價烴基(其中，烯基及環烯基除外)；e為1.0以上、且3.0以下)上述平均組成式(3)之R5中之苯基之含有比率為30莫耳%以上、且55莫耳%以下。
  2. 如請求項1之密封片材，其中上述無機填料之調配比率係相對於上述密封組合物為30質量%以上、且80質量%以下。
  3. 如請求項1之密封片材，其中上述聚矽氧樹脂組合物為2階段硬化性，且為B階段。
  4. 如請求項3之密封片材，其中上述B階段之聚矽氧樹脂組合物同時具有熱塑性及熱硬化性。
  5. 如請求項1之密封片材，其中利用頻率1Hz、升溫速度20℃/分、溫度範圍20~150℃之條件下之動態黏彈性測定獲得的80℃之剪切儲存彈性模數G'為3Pa以上、且140Pa以下。
  6. 如請求項1之密封片材，其於厚度為600μm時對波長460nm之光之透過率為70%以上。
  7. 一種密封片材之製造方法，其特徵在於：其係如請求項1之密封片材之製造方法，且其包括如下步驟：塗佈上述密封組合物而形成塗膜；及於70℃以上、120℃以下、且8分鐘以上、15分鐘以下之條件下，對上述塗膜進行加熱。
  8. 一種光半導體裝置，其特徵在於包括：基板；光半導體元件，其安裝於上述基板；及 如請求項1之密封片材，其將上述光半導體元件密封。
  9. 一種密封光半導體元件，其特徵在於包括：光半導體元件；及如請求項1之密封片材，其將上述光半導體元件密封。
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