JPWO2019208520A1 - 表面処理銅箔、銅張積層板及びプリント配線板 - Google Patents
表面処理銅箔、銅張積層板及びプリント配線板 Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2019208520A1 JPWO2019208520A1 JP2020516355A JP2020516355A JPWO2019208520A1 JP WO2019208520 A1 JPWO2019208520 A1 JP WO2019208520A1 JP 2020516355 A JP2020516355 A JP 2020516355A JP 2020516355 A JP2020516355 A JP 2020516355A JP WO2019208520 A1 JPWO2019208520 A1 JP WO2019208520A1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- copper foil
- treated
- treatment layer
- layer
- surface treatment
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 148
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 title claims abstract description 128
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims abstract description 61
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims abstract description 55
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 47
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims abstract description 38
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims abstract description 37
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 35
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 26
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 23
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 21
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 21
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 21
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 142
- 239000002335 surface treatment layer Substances 0.000 claims description 138
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 97
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 25
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 97
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 84
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 58
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 50
- ZCDOYSPFYFSLEW-UHFFFAOYSA-N chromate(2-) Chemical compound [O-][Cr]([O-])(=O)=O ZCDOYSPFYFSLEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 39
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 35
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 31
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 30
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 30
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 29
- 238000000034 method Methods 0.000 description 26
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 22
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 20
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 19
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 19
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 13
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 10
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 10
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 10
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 9
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 9
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 9
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 9
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 9
- XDLMVUHYZWKMMD-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCOC(=O)C(C)=C XDLMVUHYZWKMMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 7
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 7
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 7
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 7
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 5
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 5
- URDOJQUSEUXVRP-UHFFFAOYSA-N 3-triethoxysilylpropyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCOC(=O)C(C)=C URDOJQUSEUXVRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 4
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 4
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- MPTQRFCYZCXJFQ-UHFFFAOYSA-L copper(II) chloride dihydrate Chemical compound O.O.[Cl-].[Cl-].[Cu+2] MPTQRFCYZCXJFQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- PHQOGHDTIVQXHL-UHFFFAOYSA-N n'-(3-trimethoxysilylpropyl)ethane-1,2-diamine Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCNCCN PHQOGHDTIVQXHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KMUONIBRACKNSN-UHFFFAOYSA-N potassium dichromate Chemical compound [K+].[K+].[O-][Cr](=O)(=O)O[Cr]([O-])(=O)=O KMUONIBRACKNSN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 4
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 3
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 3
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 3
- RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N imidazole Natural products C1=CNC=N1 RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 3
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- 230000003449 preventive effect Effects 0.000 description 3
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 3
- SJECZPVISLOESU-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropan-1-amine Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCN SJECZPVISLOESU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001297 Zn alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005065 mining Methods 0.000 description 2
- QELJHCBNGDEXLD-UHFFFAOYSA-N nickel zinc Chemical compound [Ni].[Zn] QELJHCBNGDEXLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 125000002924 primary amino group Chemical group [H]N([H])* 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-triazine Chemical compound C1=CN=NN=C1 JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HKHOJUXNSUWOTC-UHFFFAOYSA-N 2-(dimethoxysilylmethyl)butane-1,4-diamine Chemical compound NCCC(C[SiH](OC)OC)CN HKHOJUXNSUWOTC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000967 As alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000531 Co alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001200 Ferrotitanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000106 Liquid crystal polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004977 Liquid-crystal polymers (LCPs) Substances 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018605 Ni—Zn Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VDGMIGHRDCJLMN-UHFFFAOYSA-N [Cu].[Co].[Ni] Chemical compound [Cu].[Co].[Ni] VDGMIGHRDCJLMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 238000001479 atomic absorption spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- KRVSOGSZCMJSLX-UHFFFAOYSA-L chromic acid Substances O[Cr](O)(=O)=O KRVSOGSZCMJSLX-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- ZGDWHDKHJKZZIQ-UHFFFAOYSA-N cobalt nickel Chemical compound [Co].[Ni].[Ni].[Ni] ZGDWHDKHJKZZIQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 229910000365 copper sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L copper(II) sulfate Chemical compound [Cu+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000006059 cover glass Substances 0.000 description 1
- 238000002788 crimping Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- UREBDLICKHMUKA-CXSFZGCWSA-N dexamethasone Chemical compound C1CC2=CC(=O)C=C[C@]2(C)[C@]2(F)[C@@H]1[C@@H]1C[C@@H](C)[C@@](C(=O)CO)(O)[C@@]1(C)C[C@@H]2O UREBDLICKHMUKA-CXSFZGCWSA-N 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- SOCTUWSJJQCPFX-UHFFFAOYSA-N dichromate(2-) Chemical compound [O-][Cr](=O)(=O)O[Cr]([O-])(=O)=O SOCTUWSJJQCPFX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CMMUKUYEPRGBFB-UHFFFAOYSA-L dichromic acid Chemical compound O[Cr](=O)(=O)O[Cr](O)(=O)=O CMMUKUYEPRGBFB-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- AWJWCTOOIBYHON-UHFFFAOYSA-N furo[3,4-b]pyrazine-5,7-dione Chemical compound C1=CN=C2C(=O)OC(=O)C2=N1 AWJWCTOOIBYHON-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 230000003472 neutralizing effect Effects 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004745 nonwoven fabric Substances 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical group [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920006267 polyester film Polymers 0.000 description 1
- 238000002203 pretreatment Methods 0.000 description 1
- 238000004445 quantitative analysis Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000011163 secondary particle Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 239000012209 synthetic fiber Substances 0.000 description 1
- 229920002994 synthetic fiber Polymers 0.000 description 1
- 125000003396 thiol group Chemical class [H]S* 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/38—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal
- H05K3/382—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal by special treatment of the metal
- H05K3/384—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal by special treatment of the metal by plating
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B15/00—Layered products comprising a layer of metal
- B32B15/01—Layered products comprising a layer of metal all layers being exclusively metallic
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B15/00—Layered products comprising a layer of metal
- B32B15/04—Layered products comprising a layer of metal comprising metal as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B15/00—Layered products comprising a layer of metal
- B32B15/04—Layered products comprising a layer of metal comprising metal as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material
- B32B15/12—Layered products comprising a layer of metal comprising metal as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material of paper or cardboard
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B15/00—Layered products comprising a layer of metal
- B32B15/14—Layered products comprising a layer of metal next to a fibrous or filamentary layer
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B15/00—Layered products comprising a layer of metal
- B32B15/20—Layered products comprising a layer of metal comprising aluminium or copper
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C9/00—Alloys based on copper
- C22C9/04—Alloys based on copper with zinc as the next major constituent
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
- C23F1/02—Local etching
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
- C23F1/10—Etching compositions
- C23F1/14—Aqueous compositions
- C23F1/16—Acidic compositions
- C23F1/18—Acidic compositions for etching copper or alloys thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
- C25D5/10—Electroplating with more than one layer of the same or of different metals
- C25D5/12—Electroplating with more than one layer of the same or of different metals at least one layer being of nickel or chromium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
- C25D5/10—Electroplating with more than one layer of the same or of different metals
- C25D5/12—Electroplating with more than one layer of the same or of different metals at least one layer being of nickel or chromium
- C25D5/14—Electroplating with more than one layer of the same or of different metals at least one layer being of nickel or chromium two or more layers being of nickel or chromium, e.g. duplex or triplex layers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
- C25D5/48—After-treatment of electroplated surfaces
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
- C25D5/60—Electroplating characterised by the structure or texture of the layers
- C25D5/605—Surface topography of the layers, e.g. rough, dendritic or nodular layers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
- C25D5/627—Electroplating characterised by the visual appearance of the layers, e.g. colour, brightness or mat appearance
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D7/00—Electroplating characterised by the article coated
- C25D7/06—Wires; Strips; Foils
- C25D7/0614—Strips or foils
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D9/00—Electrolytic coating other than with metals
- C25D9/04—Electrolytic coating other than with metals with inorganic materials
- C25D9/08—Electrolytic coating other than with metals with inorganic materials by cathodic processes
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/09—Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/02—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
- H05K3/022—Processes for manufacturing precursors of printed circuits, i.e. copper-clad substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/02—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
- H05K3/06—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed chemically or electrolytically, e.g. by photo-etch process
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B2255/00—Coating on the layer surface
- B32B2255/06—Coating on the layer surface on metal layer
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B2255/00—Coating on the layer surface
- B32B2255/20—Inorganic coating
- B32B2255/205—Metallic coating
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B2260/00—Layered product comprising an impregnated, embedded, or bonded layer wherein the layer comprises an impregnation, embedding, or binder material
- B32B2260/02—Composition of the impregnated, bonded or embedded layer
- B32B2260/021—Fibrous or filamentary layer
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B2260/00—Layered product comprising an impregnated, embedded, or bonded layer wherein the layer comprises an impregnation, embedding, or binder material
- B32B2260/02—Composition of the impregnated, bonded or embedded layer
- B32B2260/028—Paper layer
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B2260/00—Layered product comprising an impregnated, embedded, or bonded layer wherein the layer comprises an impregnation, embedding, or binder material
- B32B2260/04—Impregnation, embedding, or binder material
- B32B2260/046—Synthetic resin
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B2307/00—Properties of the layers or laminate
- B32B2307/20—Properties of the layers or laminate having particular electrical or magnetic properties, e.g. piezoelectric
- B32B2307/206—Insulating
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B2307/00—Properties of the layers or laminate
- B32B2307/50—Properties of the layers or laminate having particular mechanical properties
- B32B2307/538—Roughness
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B2307/00—Properties of the layers or laminate
- B32B2307/70—Other properties
- B32B2307/748—Releasability
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B2457/00—Electrical equipment
- B32B2457/08—PCBs, i.e. printed circuit boards
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D11/00—Electrolytic coating by surface reaction, i.e. forming conversion layers
- C25D11/38—Chromatising
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
- C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
- C25D3/04—Electroplating: Baths therefor from solutions of chromium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
- C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
- C25D3/12—Electroplating: Baths therefor from solutions of nickel or cobalt
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
- C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
- C25D3/38—Electroplating: Baths therefor from solutions of copper
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
- C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
- C25D3/56—Electroplating: Baths therefor from solutions of alloys
- C25D3/562—Electroplating: Baths therefor from solutions of alloys containing more than 50% by weight of iron or nickel or cobalt
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/03—Conductive materials
- H05K2201/0332—Structure of the conductor
- H05K2201/0335—Layered conductors or foils
- H05K2201/0338—Layered conductor, e.g. layered metal substrate, layered finish layer, layered thin film adhesion layer
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/03—Conductive materials
- H05K2201/0332—Structure of the conductor
- H05K2201/0335—Layered conductors or foils
- H05K2201/0355—Metal foils
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/03—Metal processing
- H05K2203/0307—Providing micro- or nanometer scale roughness on a metal surface, e.g. by plating of nodules or dendrites
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
- Y02E60/10—Energy storage using batteries
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12431—Foil or filament smaller than 6 mils
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
- Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)
- Electroplating And Plating Baths Therefor (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
銅箔２と、銅箔２の一方の面に形成された第一表面処理層３とを有する表面処理銅箔１である。この表面処理銅箔１の第一表面処理層３は、ＸＰＳのデプスプロファイルにおいて、スパッタリングレート２．５ｎｍ／分（ＳｉＯ2換算）で１分スパッタリングを行ったときのＣ、Ｎ、Ｏ、Ｚｎ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｓｉ及びＣｕの元素の合計量に対するＮｉ濃度が０．１〜１５．０ａｔｍ％である。また、銅張積層板１０は、表面処理銅箔１と、表面処理銅箔１の第一表面処理層３に接着された絶縁基材１１とを備える。
Description
本開示は、表面処理銅箔、銅張積層板及びプリント配線板に関する。
近年、電子機器の小型化、高性能化などのニーズの増大に伴い、電子機器に搭載されるプリント配線板に対する回路パターン（「導体パターン」ともいう）のファインピッチ化（微細化）が要求されている。
プリント配線板の製造方法としては、サブトラクティブ法、セミアディティブ法などの様々な方法が知られている。その中でもサブトラクティブ法では、銅箔に絶縁基材を接着させて銅張積層板を形成した後、銅箔表面にレジストを塗布及び露光して所定のレジストパターンを形成し、レジストパターンが形成されていない部分（不要部）をエッチングにて除去することによって回路パターンが形成される。
プリント配線板の製造方法としては、サブトラクティブ法、セミアディティブ法などの様々な方法が知られている。その中でもサブトラクティブ法では、銅箔に絶縁基材を接着させて銅張積層板を形成した後、銅箔表面にレジストを塗布及び露光して所定のレジストパターンを形成し、レジストパターンが形成されていない部分（不要部）をエッチングにて除去することによって回路パターンが形成される。
上記のファインピッチ化の要求に対し、例えば、特許文献１には、銅箔の表面に銅−コバルト−ニッケル合金めっきによる粗化処理を行った後、コバルト−ニッケル合金めっき層を形成し、更に亜鉛−ニッケル合金めっき層を形成することにより、回路パターンのファインピッチ化が可能な表面処理銅箔が得られることが記載されている。
しかしながら、従来の表面処理銅箔は、表面処理層（めっき層）のエッチング速度が銅箔のエッチング速度に比べて遅いため、銅箔表面（トップ）から絶縁基材（ボトム）側に向かって末広がりにエッチングされてしまい、回路パターンのエッチングファクタが低下する。そして、回路パターンのエッチングファクタが低いと、隣接する回路間のスペースを広くする必要があるため、回路パターンのファインピッチ化が難しくなる。このように従来の表面処理銅箔は、回路形成性が十分でないという問題があった。
本発明の実施形態は、上記のような問題を解決するためになされたものであり、回路形成性に優れた表面処理銅箔及び銅張積層板を提供することを目的とする。
また、本発明の実施形態は、ファインピッチ化された回路パターンを有するプリント配線板を提供することを目的とする。
また、本発明の実施形態は、ファインピッチ化された回路パターンを有するプリント配線板を提供することを目的とする。
本発明者らは、上記の問題を解決すべく鋭意研究を行った結果、銅箔の一方の面に形成された表面処理層において、ＸＰＳのデプスプロファイルから得られるＮｉ濃度を特定の範囲に制御することにより、回路形成性を向上させ得ることを見出し、本発明の実施形態に至った。
すなわち、本発明の実施形態は、銅箔と、前記銅箔の一方の面に形成された第一表面処理層とを有し、前記第一表面処理層は、ＸＰＳのデプスプロファイルにおいて、スパッタリングレート２．５ｎｍ／分（ＳｉＯ2換算）で１分スパッタリングを行ったときのＣ、Ｎ、Ｏ、Ｚｎ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｓｉ及びＣｕの元素の合計量に対するＮｉ濃度が０．１〜１５．０ａｔｍ％である表面処理銅箔に関する。
また、本発明の実施形態は、前記表面処理銅箔と、前記表面処理銅箔の第一表面処理層に接着された絶縁基材とを備える銅張積層板に関する。
さらに、本発明の実施形態は、前記銅張積層板の前記表面処理銅箔をエッチングして形成された回路パターンを備えるプリント配線板に関する。
また、本発明の実施形態は、前記表面処理銅箔と、前記表面処理銅箔の第一表面処理層に接着された絶縁基材とを備える銅張積層板に関する。
さらに、本発明の実施形態は、前記銅張積層板の前記表面処理銅箔をエッチングして形成された回路パターンを備えるプリント配線板に関する。
本発明の実施形態によれば、回路形成性に優れた表面処理銅箔及び銅張積層板を提供することができる。
また、本発明の実施形態によれば、ファインピッチ化された回路パターンを有するプリント配線板を提供することができる。
また、本発明の実施形態によれば、ファインピッチ化された回路パターンを有するプリント配線板を提供することができる。
以下、本発明の好適な実施形態について具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されて解釈されるべきものではなく、本発明の要旨を逸脱しない限りにおいて、当業者の知識に基づいて、種々の変更、改良などを行うことができる。この実施形態に開示されている複数の構成要素は、適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。例えば、この実施形態に示される全構成要素からいくつかの構成要素を削除してもよいし、異なる実施形態の構成要素を適宜組み合わせてもよい。
図１は、本発明の実施形態の表面処理銅箔を用いた銅張積層板の断面図である。
表面処理銅箔１は、銅箔２と、銅箔２の一方の面に形成された第一表面処理層３とを有する。また、銅張積層板１０は、表面処理銅箔１と、表面処理銅箔１の第一表面処理層３に接着された絶縁基材１１とを有する。
表面処理銅箔１は、銅箔２と、銅箔２の一方の面に形成された第一表面処理層３とを有する。また、銅張積層板１０は、表面処理銅箔１と、表面処理銅箔１の第一表面処理層３に接着された絶縁基材１１とを有する。
第一表面処理層３は、ＸＰＳのデプスプロファイルにおいて、スパッタリングレート２．５ｎｍ／分（ＳｉＯ2換算）で１分スパッタリングを行ったときのＣ、Ｎ、Ｏ、Ｚｎ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｓｉ及びＣｕの元素の合計量に対するＮｉ濃度が０．１〜１５．０ａｔｍ％である。ここで、本明細書において「スパッタリングレート２．５ｎｍ／分（ＳｉＯ2換算）でスパッタリングを行った」とは、「ＳｉＯ2をスパッタリングした場合に、ＳｉＯ2がスパッタリングレート２．５ｎｍ／分でスパッタリングされる条件下でスパッタリングを行った」ことを意味する。より具体的には、本発明の実施形態においては、本発明の実施形態に係る表面処理銅箔１の第一表面処理層３を、高真空下、３ｋＶで加速したＡｒ+によってスパッタリングを行ったことを意味する。
このＮｉ濃度は、第一表面処理層３の表面からの深さ２．５ｎｍにおけるＮｉ濃度であり、第一表面処理層３の最表層近傍におけるＮｉの比率の指標となる。このＮｉ濃度を１５．０ａｔｍ％以下に制御することにより、第一表面処理層３がエッチング液に溶解し易くなり、回路パターンのエッチングファクタを高めることが可能になる。エッチングファクタを安定して高める観点からは、このＮｉ濃度を、好ましくは１０．０ａｔｍ％以下、より好ましくは５．０ａｔｍ％以下、さらに好ましくは３．５ａｔｍ％以下に制御する。一方、Ｎｉは、耐熱性などの効果を与える成分であるため、このＮｉ濃度を０．１ａｔｍ％以上に制御することにより、耐熱性などの効果を確保することができる。当該効果を安定して確保する観点からは、このＮｉ濃度を、好ましくは０．５ａｔｍ％以上、より好ましくは１．０ａｔｍ％以上、さらに好ましくは１．５ａｔｍ％以上に制御する。
このＮｉ濃度は、第一表面処理層３の表面からの深さ２．５ｎｍにおけるＮｉ濃度であり、第一表面処理層３の最表層近傍におけるＮｉの比率の指標となる。このＮｉ濃度を１５．０ａｔｍ％以下に制御することにより、第一表面処理層３がエッチング液に溶解し易くなり、回路パターンのエッチングファクタを高めることが可能になる。エッチングファクタを安定して高める観点からは、このＮｉ濃度を、好ましくは１０．０ａｔｍ％以下、より好ましくは５．０ａｔｍ％以下、さらに好ましくは３．５ａｔｍ％以下に制御する。一方、Ｎｉは、耐熱性などの効果を与える成分であるため、このＮｉ濃度を０．１ａｔｍ％以上に制御することにより、耐熱性などの効果を確保することができる。当該効果を安定して確保する観点からは、このＮｉ濃度を、好ましくは０．５ａｔｍ％以上、より好ましくは１．０ａｔｍ％以上、さらに好ましくは１．５ａｔｍ％以上に制御する。
第一表面処理層３は、ＸＰＳのデプスプロファイルにおいて、スパッタリングレート２．５ｎｍ／分（ＳｉＯ2換算）で１分スパッタリングを行ったときのＣ、Ｎ、Ｏ、Ｚｎ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｓｉ及びＣｕの元素の合計量に対するＺｎ濃度が５．０〜４０．０ａｔｍ％であることが好ましい。
このＺｎ濃度は、第一表面処理層３の表面からの深さ２．５ｎｍにおけるＺｎ濃度であり、第一表面処理層３の最表層近傍におけるＺｎの比率の指標となる。このＺｎ濃度を５．０ａｔｍ％以上に制御することにより、第一表面処理層３がエッチング液に溶解し易くなり、回路パターンのエッチングファクタを高めることが可能になる。エッチングファクタを安定して高める観点からは、このＺｎ濃度を、好ましくは１０．０ａｔｍ％以上、より好ましくは１５．０ａｔｍ％以上に制御する。一方、Ｚｎは、耐熱性、耐薬品性などの効果を与える成分であるが、濃度が高すぎると、当該効果が低下してしまう恐れがある。また、Ｚｎは塩酸に比較的溶け易い成分であるため、塩酸系である塩化銅エッチング液により、回路ボトム（表面処理銅箔１の第一表面処理層３と絶縁基材１１との間）に染み込む可能性がある。その結果、銅回路と絶縁基材１１との密着性が低下し、回路剥がれなどの不具合が発生する可能性がある。そのため、Ｚｎによる耐熱性、耐薬品性などの効果を確保しつつ回路剥がれなどを防止する観点からは、このＺｎ濃度を４０．０ａｔｍ％以下に制御する。当該効果を安定して得る観点からは、このＺｎ濃度を、好ましくは３５ａｔｍ％以下、より好ましくは３０ａｔｍ％以下に制御する。
このＺｎ濃度は、第一表面処理層３の表面からの深さ２．５ｎｍにおけるＺｎ濃度であり、第一表面処理層３の最表層近傍におけるＺｎの比率の指標となる。このＺｎ濃度を５．０ａｔｍ％以上に制御することにより、第一表面処理層３がエッチング液に溶解し易くなり、回路パターンのエッチングファクタを高めることが可能になる。エッチングファクタを安定して高める観点からは、このＺｎ濃度を、好ましくは１０．０ａｔｍ％以上、より好ましくは１５．０ａｔｍ％以上に制御する。一方、Ｚｎは、耐熱性、耐薬品性などの効果を与える成分であるが、濃度が高すぎると、当該効果が低下してしまう恐れがある。また、Ｚｎは塩酸に比較的溶け易い成分であるため、塩酸系である塩化銅エッチング液により、回路ボトム（表面処理銅箔１の第一表面処理層３と絶縁基材１１との間）に染み込む可能性がある。その結果、銅回路と絶縁基材１１との密着性が低下し、回路剥がれなどの不具合が発生する可能性がある。そのため、Ｚｎによる耐熱性、耐薬品性などの効果を確保しつつ回路剥がれなどを防止する観点からは、このＺｎ濃度を４０．０ａｔｍ％以下に制御する。当該効果を安定して得る観点からは、このＺｎ濃度を、好ましくは３５ａｔｍ％以下、より好ましくは３０ａｔｍ％以下に制御する。
第一表面処理層３は、ＸＰＳのデプスプロファイルにおいて、スパッタリングレート２．５ｎｍ／分（ＳｉＯ2換算）でスパッタリングを行ったときの１分〜２分間のＣ、Ｎ、Ｏ、Ｚｎ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｓｉ及びＣｕの元素の合計量に対するＮｉ濃度の積分値が０．１〜１８．０ａｔｍ％であることが好ましい。
このＮｉ濃度の積分値は、第一表面処理層３の表面からの深さ２．５〜５．０ｎｍにおけるＮｉ濃度の積分値であり、第一表面処理層３の最表層近傍におけるＮｉの比率の指標となる。このＮｉ濃度の積分値を１８．０ａｔｍ％以下に制御することにより、第一表面処理層３がエッチング液に溶解し易くなり、回路パターンのエッチングファクタを高めることが可能になる。エッチングファクタを安定して高める観点からは、このＮｉ濃度の積分値を、好ましくは１５．０ａｔｍ％以下、より好ましくは１０．０ａｔｍ％以下、さらに好ましくは８．０ａｔｍ％以下に制御する。一方、このＮｉ濃度の積分値を０．１ａｔｍ％以上に制御することにより、耐熱性などの効果を確保することができる。当該効果を安定して確保する観点からは、このＮｉ濃度の積分値を、好ましくは０．５ａｔｍ％以上、より好ましくは１．０ａｔｍ％以上、さらに好ましくは１．５ａｔｍ％以上に制御する。
このＮｉ濃度の積分値は、第一表面処理層３の表面からの深さ２．５〜５．０ｎｍにおけるＮｉ濃度の積分値であり、第一表面処理層３の最表層近傍におけるＮｉの比率の指標となる。このＮｉ濃度の積分値を１８．０ａｔｍ％以下に制御することにより、第一表面処理層３がエッチング液に溶解し易くなり、回路パターンのエッチングファクタを高めることが可能になる。エッチングファクタを安定して高める観点からは、このＮｉ濃度の積分値を、好ましくは１５．０ａｔｍ％以下、より好ましくは１０．０ａｔｍ％以下、さらに好ましくは８．０ａｔｍ％以下に制御する。一方、このＮｉ濃度の積分値を０．１ａｔｍ％以上に制御することにより、耐熱性などの効果を確保することができる。当該効果を安定して確保する観点からは、このＮｉ濃度の積分値を、好ましくは０．５ａｔｍ％以上、より好ましくは１．０ａｔｍ％以上、さらに好ましくは１．５ａｔｍ％以上に制御する。
第一表面処理層３は、ＸＰＳのデプスプロファイルにおいて、スパッタリングレート２．５ｎｍ／分（ＳｉＯ2換算）でスパッタリングを行ったときの１分〜２分間のＣ、Ｎ、Ｏ、Ｚｎ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｓｉ及びＣｕの元素の合計量に対するＺｎ濃度の積分値が５．０〜４０．０ａｔｍ％であることが好ましい。
このＺｎ濃度の積分値は、第一表面処理層３の表面からの深さ２．５〜５．０ｎｍにおけるＺｎ濃度の積分値であり、第一表面処理層３の最表層近傍におけるＺｎの比率の指標となる。このＺｎ濃度の積分値を５．０ａｔｍ％以上に制御することにより、第一表面処理層３がエッチング液に溶解し易くなり、回路パターンのエッチングファクタを高めることが可能になる。エッチングファクタを安定して高める観点からは、このＺｎ濃度の積分値を、好ましくは１０．０ａｔｍ％以上、より好ましくは１２．０ａｔｍ％以上に制御する。一方、Ｚｎ濃度の積分値を４０．０ａｔｍ％以下に制御することにより、耐熱性、耐薬品性などの効果を確保することができる。当該効果を安定して確保する観点からは、このＺｎ濃度の積分値を、好ましくは３８ａｔｍ％以下、より好ましくは３５ａｔｍ％以下に制御する。
このＺｎ濃度の積分値は、第一表面処理層３の表面からの深さ２．５〜５．０ｎｍにおけるＺｎ濃度の積分値であり、第一表面処理層３の最表層近傍におけるＺｎの比率の指標となる。このＺｎ濃度の積分値を５．０ａｔｍ％以上に制御することにより、第一表面処理層３がエッチング液に溶解し易くなり、回路パターンのエッチングファクタを高めることが可能になる。エッチングファクタを安定して高める観点からは、このＺｎ濃度の積分値を、好ましくは１０．０ａｔｍ％以上、より好ましくは１２．０ａｔｍ％以上に制御する。一方、Ｚｎ濃度の積分値を４０．０ａｔｍ％以下に制御することにより、耐熱性、耐薬品性などの効果を確保することができる。当該効果を安定して確保する観点からは、このＺｎ濃度の積分値を、好ましくは３８ａｔｍ％以下、より好ましくは３５ａｔｍ％以下に制御する。
第一表面処理層３は、ＸＰＳのデプスプロファイルにおいて、スパッタリングレート２．５ｎｍ／分（ＳｉＯ2換算）でスパッタリングを行ったときの１分〜２分間のＣ、Ｎ、Ｏ、Ｚｎ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｓｉ及びＣｕの元素の合計量に対するＮｉ及びＺｎ濃度の積分値の和（以下、単に「Ｎｉ及びＺｎ濃度の積分値の和」ともいう。）が１０．０〜４５．０ａｔｍ％であることが好ましい。
この積分値の和は、第一表面処理層３の最表層近傍におけるＮｉ及びＺｎの比率の指標となる。この積分値の和を１０．０ａｔｍ％以上に制御することにより、耐熱性、耐薬品性などの効果を確保することができる。この効果を安定して確保する観点から、この積分値の和を、好ましくは１５．０ａｔｍ％以上、より好ましくは２０．０ａｔｍ％以上に制御する。一方、この積分値の和を４５．０ａｔｍ％以下に制御することにより、耐熱性、耐薬品性などの効果を付与しつつ、エッチングファクタを安定して高めることができる。この効果を安定して確保する観点から、この積分値の和を、好ましくは４０ａｔｍ％以下、より好ましくは３８ａｔｍ％以下に制御する。
この積分値の和は、第一表面処理層３の最表層近傍におけるＮｉ及びＺｎの比率の指標となる。この積分値の和を１０．０ａｔｍ％以上に制御することにより、耐熱性、耐薬品性などの効果を確保することができる。この効果を安定して確保する観点から、この積分値の和を、好ましくは１５．０ａｔｍ％以上、より好ましくは２０．０ａｔｍ％以上に制御する。一方、この積分値の和を４５．０ａｔｍ％以下に制御することにより、耐熱性、耐薬品性などの効果を付与しつつ、エッチングファクタを安定して高めることができる。この効果を安定して確保する観点から、この積分値の和を、好ましくは４０ａｔｍ％以下、より好ましくは３８ａｔｍ％以下に制御する。
第一表面処理層３は、ＸＰＳのデプスプロファイルにおいて、スパッタリングレート２．５ｎｍ／分（ＳｉＯ2換算）で７分スパッタリングを行ったときのＣ、Ｎ、Ｏ、Ｚｎ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｓｉ及びＣｕの元素の合計量に対するＣｕ濃度が７０〜９８ａｔｍ％であることが好ましい。
このＣｕ濃度は、第一表面処理層３の表面からの深さ１７．５ｎｍにおけるＣｕ濃度であり、この深さにおける銅の比率の指標となる。このＣｕ濃度を７０ａｔｍ％以上に制御することにより、エッチング液への溶解性が高まり、エッチングファクタを高くする効果を得ることができる。この効果を安定して確保する観点から、このＣｕ濃度を、好ましくは８０ａｔｍ％以上、より好ましくは９０ａｔｍ％以上に制御する。一方、このＣｕ濃度を９８ａｔｍ％以下に制御することにより、耐熱性、耐薬品性などの特性の低下を防止することができる。この効果を安定して確保する観点から、このＣｕ濃度を、好ましくは９７ａｔｍ％以下、より好ましくは９６ａｔｍ％以下に制御する。
このＣｕ濃度は、第一表面処理層３の表面からの深さ１７．５ｎｍにおけるＣｕ濃度であり、この深さにおける銅の比率の指標となる。このＣｕ濃度を７０ａｔｍ％以上に制御することにより、エッチング液への溶解性が高まり、エッチングファクタを高くする効果を得ることができる。この効果を安定して確保する観点から、このＣｕ濃度を、好ましくは８０ａｔｍ％以上、より好ましくは９０ａｔｍ％以上に制御する。一方、このＣｕ濃度を９８ａｔｍ％以下に制御することにより、耐熱性、耐薬品性などの特性の低下を防止することができる。この効果を安定して確保する観点から、このＣｕ濃度を、好ましくは９７ａｔｍ％以下、より好ましくは９６ａｔｍ％以下に制御する。
なお、このＣｕ濃度、すなわち第一表面処理層３の表面からの深さ１７．５ｎｍにおけるＣｕ濃度が上記のように７０ａｔｍ％以上と高い場合は、表面処理銅箔１のエッチングの際に第一表面処理層３のエッチングが速く進行するが、第一表面処理層３の最表層近傍におけるＮｉ及びＺｎの比率である、Ｎｉ及びＺｎの積分値の和を１０．０〜４５．０ａｔｍ％、好ましくは１５．０ａｔｍ％〜４０ａｔｍ％、さらに好ましくは２０．０ａｔｍ％〜３８ａｔｍ％となるように制御することで、高エッチングファクタと耐熱性、耐薬品性の確保とを高いレベルで両立させることができる。高耐熱性を維持することができると、例えば、表面処理銅箔１を絶縁基材１１に接合した場合に、加熱後も絶縁基材１１とのピール強度を維持することができる。さらには、第一表面処理層３中の磁性金属（Ｎｉ、Ｃｏなど）の含有量を低下させることで、近年用途が拡大している高周波信号用回路を形成するための表面処理銅箔１としても好適に用いることができる。
第一表面処理層３は、ＪＩＳ Ｂ０６０１：１９９４に規定される十点平均粗さＲｚが０．４〜１．２μｍであることが好ましい。この範囲に十点平均粗さＲｚを制御することにより、絶縁基材１１に対する第一表面処理層３の接着性の向上とエッチングファクタの向上との両立を図ることができる。この効果を安定して高める観点からは、第一表面処理層３のＲｚは、より好ましくは０．５〜０．９μｍである。
第一表面処理層３は、二乗平均平方根高さＳｑが０．３２μｍ以下であることが好ましく、０．３０μｍ以下であることがより好ましい。二乗平均平方根高さＳｑは、表面の高さ方向の振幅平均を表す指標である。二乗平均平方根高さＳｑが大きくなると、表面が粗くなり、絶縁基材１１に対する第一表面処理層３の接着性は向上する一方で、エッチングファクタが低下する傾向にある。そのため、この範囲に二乗平均平方根高さＳｑを制御することにより、絶縁基材１１に対する第一表面処理層３の接着性の向上とエッチングファクタの向上との両立を図ることが可能になる。なお、二乗平均平方根高さＳｑの下限は、特に限定されないが、好ましくは０．２０μｍ以上である。
第一表面処理層３は、突出谷部深さＳｖｋが０．３８μｍ以下であることが好ましく、０．３５μｍ以下であることがより好ましい。突出谷部深さＳｖｋは、突出谷部の平均深さを表す指標である。突出谷部深さＳｖｋが大きくなると、表面が粗くなり、絶縁基材１１に対する第一表面処理層３の接着性は向上する一方で、エッチングファクタが低下する傾向にある。そのため、この範囲に突出谷部深さＳｖｋを制御することにより、絶縁基材１１に対する第一表面処理層３の接着性の向上とエッチングファクタの向上との両立を図ることが可能になる。なお、突出谷部深さＳｖｋの下限は、特に限定されないが、好ましくは０．３１μｍ以上である。
また、第一表面処理層３のＳｖｋは、エッチング残渣とも関連している。エッチング残渣は、回路パターンをエッチングによって形成した後に回路パターンの周囲に残る絶縁基材１１上の残渣のことであり、図２に示すような回路パターンのＳＥＭ像（３０００倍）によって確認することができる。エッチング残渣が多くなると、回路幅の狭い回路パターンでは短絡が生じ易くなるため、回路パターンのファインピッチ化の観点からは好ましくない。そこで、エッチング残渣を少なくするために、Ｓｖｋを上記の範囲に制御することが好ましい。
第一表面処理層３は、ＪＩＳ Ｂ０６０１：２０１３に基づく粗さ曲線要素の平均長さＲＳｍが５〜１０μｍであることが好ましい。
ここで、ＲＳｍは、表面の凹凸形状の平均間隔を表す指標である。一般的に、第一表面処理層３を形成する粒子のサイズが大きくなると、表面の凹凸間隔が広くなるためＲＳｍが大きくなる。ＲＳｍが大きくなると、表面処理銅箔１の絶縁基材に対する接着力は強くなるが、エッチング処理で溶け残る部分が発生し易くなる。すなわち、エッチング処理によってボトム部が裾を引いたような台形形状の回路パターンになり易く、エッチングファクタが低下する傾向にある。一方、第一表面処理層３を形成する粒子のサイズが小さくなると、上記と逆の傾向になり易い。すなわち、エッチングファクタは向上するが、表面処理銅箔１の絶縁基材に対する接着力が低下する傾向にある。
そこで、絶縁基材に対する接着性の向上とエッチング性の向上とを両立させるために、第一表面処理層３のＲＳｍを上記の範囲に制御することが好ましい。このようなＲＳｍの制御を行うことにより、第一表面処理層３の表面を、絶縁基材に対する接着性の向上とエッチング性の向上とを両立させるのに適した表面形状にすることができる。具体的には、第一表面処理層３の表面の凹凸形状が適切なバランスで形成されるため、回路パターンのエッチングファクタ及び絶縁基材に対する接着性を高めることができる。このような効果を安定して得る観点からは、ＲＳｍを５〜９μｍに制御することが好ましい。
ここで、ＲＳｍは、表面の凹凸形状の平均間隔を表す指標である。一般的に、第一表面処理層３を形成する粒子のサイズが大きくなると、表面の凹凸間隔が広くなるためＲＳｍが大きくなる。ＲＳｍが大きくなると、表面処理銅箔１の絶縁基材に対する接着力は強くなるが、エッチング処理で溶け残る部分が発生し易くなる。すなわち、エッチング処理によってボトム部が裾を引いたような台形形状の回路パターンになり易く、エッチングファクタが低下する傾向にある。一方、第一表面処理層３を形成する粒子のサイズが小さくなると、上記と逆の傾向になり易い。すなわち、エッチングファクタは向上するが、表面処理銅箔１の絶縁基材に対する接着力が低下する傾向にある。
そこで、絶縁基材に対する接着性の向上とエッチング性の向上とを両立させるために、第一表面処理層３のＲＳｍを上記の範囲に制御することが好ましい。このようなＲＳｍの制御を行うことにより、第一表面処理層３の表面を、絶縁基材に対する接着性の向上とエッチング性の向上とを両立させるのに適した表面形状にすることができる。具体的には、第一表面処理層３の表面の凹凸形状が適切なバランスで形成されるため、回路パターンのエッチングファクタ及び絶縁基材に対する接着性を高めることができる。このような効果を安定して得る観点からは、ＲＳｍを５〜９μｍに制御することが好ましい。
第一表面処理層３は、ＪＩＳ Ｂ０６３１：２０００に基づく粗さモチーフの平均長さＡＲが６〜２０μｍであることが好ましい。
ここで、ＡＲは、表面の微細な凹凸形状を表す指標である。一般的に、第一表面処理層３を形成する粒子のサイズが大きくなると、表面の凹凸間隔が広くなるためＡＲが大きくなる。ＡＲが大きくなると、表面処理銅箔１の絶縁基材に対する接着力は強くなるが、エッチング処理で溶け残る部分が発生し易くなる。すなわち、エッチング処理によってボトム部が裾を引いたような台形形状の回路パターンになり易く、エッチングファクタが低下する傾向にある。一方、第一表面処理層３を形成する粒子のサイズが小さくなると、上記と逆の傾向になり易い。すなわち、エッチングファクタは向上するが、表面処理銅箔１の絶縁基材に対する接着力が低下する傾向にある。
そこで、絶縁基材に対する接着性の向上とエッチング性の向上とを両立させるために、第一表面処理層３のＡＲを上記の範囲に制御することが好ましい。このようなＡＲの制御を行うことにより、第一表面処理層３の表面を、絶縁基材に対する接着性の向上とエッチング性の向上とを両立させるのに適した表面形状にすることができる。具体的には、第一表面処理層３の表面の凹凸形状が適切なバランスで形成されるため、回路パターンのエッチングファクタ及び絶縁基材に対する接着性を高めることができる。このような効果を安定して得る観点からは、ＡＲを７〜１８μｍに制御することが好ましい。
ここで、ＡＲは、表面の微細な凹凸形状を表す指標である。一般的に、第一表面処理層３を形成する粒子のサイズが大きくなると、表面の凹凸間隔が広くなるためＡＲが大きくなる。ＡＲが大きくなると、表面処理銅箔１の絶縁基材に対する接着力は強くなるが、エッチング処理で溶け残る部分が発生し易くなる。すなわち、エッチング処理によってボトム部が裾を引いたような台形形状の回路パターンになり易く、エッチングファクタが低下する傾向にある。一方、第一表面処理層３を形成する粒子のサイズが小さくなると、上記と逆の傾向になり易い。すなわち、エッチングファクタは向上するが、表面処理銅箔１の絶縁基材に対する接着力が低下する傾向にある。
そこで、絶縁基材に対する接着性の向上とエッチング性の向上とを両立させるために、第一表面処理層３のＡＲを上記の範囲に制御することが好ましい。このようなＡＲの制御を行うことにより、第一表面処理層３の表面を、絶縁基材に対する接着性の向上とエッチング性の向上とを両立させるのに適した表面形状にすることができる。具体的には、第一表面処理層３の表面の凹凸形状が適切なバランスで形成されるため、回路パターンのエッチングファクタ及び絶縁基材に対する接着性を高めることができる。このような効果を安定して得る観点からは、ＡＲを７〜１８μｍに制御することが好ましい。
第一表面処理層３は、ＪＩＳ Ｚ８７３０：２００９の幾何条件Ｃに基づき測定されるＣＩＥ Ｌ*ａ*ｂ*表色系のａ*（以下、「ａ*」ともいう。）が３．０〜２８．０であることが好ましい。ａ*は赤色を表現する値であり、銅は赤色に近い色を呈する。そのため、ａ*を上記の範囲内に制御することにより、第一表面処理層３中の銅の量を、エッチング液への溶解性が良好な範囲に調整することができるため、回路パターンのエッチングファクタを高めることができる。このような効果を安定して得る観点からは、ａ*を５．０〜２３．０に制御することが好ましい。
第一表面処理層３は、ＪＩＳ Ｚ８７３０：２００９の幾何条件Ｃに基づき測定されるＣＩＥ Ｌ*ａ*ｂ*表色系のＬ*（以下、「Ｌ*」ともいう。）が３９．０〜９４．０であることが好ましい。Ｌ*は主として白黒に関連する指標であり、耐熱性を制御するＺｎの量と関係がある。Ｚｎは、後述するようにＮｉに比べてエッチング液に溶解し易い特性を持つため、Ｌ*を上記の範囲内に制御することにより、耐熱性及びエッチングファクタに影響があるＺｎの量を適切な範囲に調整することができる。そのため、回路パターンのエッチングファクタを高めることができる。このような効果を安定して得る観点からは、Ｌ*を４４．０〜８４．０に制御することが好ましく、５４．０〜７０．０に制御することがさらに好ましい。
第一表面処理層３は、付着元素としてＮｉ及びＺｎを少なくとも含むことが好ましい。
Ｎｉはエッチング液に溶解し難い成分であるため、第一表面処理層３のＮｉ付着量を２００μｇ／ｄｍ2以下に制御することにより、第一表面処理層３がエッチング液に溶解し易くなる。その結果、回路パターンのエッチングファクタを高めることが可能になる。このエッチングファクタを安定して高める観点からは、第一表面処理層３のＮｉ付着量を、好ましくは１８０μｇ／ｄｍ2以下、より好ましくは１００μｇ／ｄｍ2以下に制御する。一方、第一表面処理層３による所定の効果（例えば、耐熱性など）を確保する観点から、第一表面処理層３のＮｉ付着量を２０μｇ／ｄｍ2以上に制御する。
また、回路パターンを形成した後には金めっきなどの表面処理が行われることがあるが、その前処理として、回路パターンの表面から不要な物質を取り除くソフトエッチングを行うと、回路パターンのエッジ部にソフトエッチング液が染み込むことがある。Ｎｉは、このソフトエッチング液の染み込みを抑制する効果がある。この効果を十分に確保する観点からは、第一表面処理層３のＮｉ付着量を、３０μｇ／ｄｍ2以上に制御することが好ましく、４０μｇ／ｄｍ2以上に制御することがより好ましい。
Ｎｉはエッチング液に溶解し難い成分であるため、第一表面処理層３のＮｉ付着量を２００μｇ／ｄｍ2以下に制御することにより、第一表面処理層３がエッチング液に溶解し易くなる。その結果、回路パターンのエッチングファクタを高めることが可能になる。このエッチングファクタを安定して高める観点からは、第一表面処理層３のＮｉ付着量を、好ましくは１８０μｇ／ｄｍ2以下、より好ましくは１００μｇ／ｄｍ2以下に制御する。一方、第一表面処理層３による所定の効果（例えば、耐熱性など）を確保する観点から、第一表面処理層３のＮｉ付着量を２０μｇ／ｄｍ2以上に制御する。
また、回路パターンを形成した後には金めっきなどの表面処理が行われることがあるが、その前処理として、回路パターンの表面から不要な物質を取り除くソフトエッチングを行うと、回路パターンのエッジ部にソフトエッチング液が染み込むことがある。Ｎｉは、このソフトエッチング液の染み込みを抑制する効果がある。この効果を十分に確保する観点からは、第一表面処理層３のＮｉ付着量を、３０μｇ／ｄｍ2以上に制御することが好ましく、４０μｇ／ｄｍ2以上に制御することがより好ましい。
Ｚｎは、Ｎｉに比べてエッチング液に溶解し易いため、比較的多く付着させることができる。そのため、第一表面処理層３のＺｎ付着量を１０００μｇ／ｄｍ2以下に制御することにより、第一表面処理層３が溶解し易くなる結果、回路パターンのエッチングファクタを高めることが可能になる。このエッチングファクタを安定して高める観点からは、第一表面処理層３のＺｎ付着量を、好ましくは７００μｇ／ｄｍ2以下、より好ましくは６００μｇ／ｄｍ2以下に制御する。一方、第一表面処理層３による所定の効果（例えば、耐熱性、耐薬品性など）を確保する観点から、第一表面処理層３のＺｎ付着量を２０μｇ／ｄｍ2以上、好ましくは１００μｇ／ｄｍ2以上、より好ましくは３００μｇ／ｄｍ2以上に制御する。例えば、Ｚｎは銅の熱拡散を防止するバリア効果があるため、粗化粒子及び銅箔中の銅が熱拡散によって表層に出てくることを抑制することができる。その結果、銅がソフトエッチング液などの薬液に直接触れ難くなるため、回路パターンのエッジ部にソフトエッチング液が染み込むことを抑制することが可能になる。
第一表面処理層３は、付着元素として、Ｎｉ及びＺｎ以外にＣｏ、Ｃｒなどの元素をさらに含むことができる。
第一表面処理層３のＣｏ付着量は、第一表面処理層３の種類に依存するため特に限定されないが、好ましくは１５００μｇ／ｄｍ2以下、より好ましくは５００μｇ／ｄｍ2以下、さらに好ましくは１００μｇ／ｄｍ2以下、特に好ましくは３０μｇ／ｄｍ2以下である。第一表面処理層３のＣｏ付着量を上記範囲内とすることにより、回路パターンのエッチングファクタを安定して高めることができる。なお、Ｃｏ付着量の下限は、特に限定されないが、典型的に０．１μｇ／ｄｍ2、好ましくは０．５μｇ／ｄｍ2である。
また、Ｃｏは磁性金属であるため、第一表面処理層３のＣｏ付着量を特に１００μｇ／ｄｍ2以下、好ましくは０．５〜１００μｇ／ｄｍ2に抑えることにより、高周波特性に優れたプリント配線板を作製可能な表面処理銅箔１を得ることができる。
第一表面処理層３のＣｏ付着量は、第一表面処理層３の種類に依存するため特に限定されないが、好ましくは１５００μｇ／ｄｍ2以下、より好ましくは５００μｇ／ｄｍ2以下、さらに好ましくは１００μｇ／ｄｍ2以下、特に好ましくは３０μｇ／ｄｍ2以下である。第一表面処理層３のＣｏ付着量を上記範囲内とすることにより、回路パターンのエッチングファクタを安定して高めることができる。なお、Ｃｏ付着量の下限は、特に限定されないが、典型的に０．１μｇ／ｄｍ2、好ましくは０．５μｇ／ｄｍ2である。
また、Ｃｏは磁性金属であるため、第一表面処理層３のＣｏ付着量を特に１００μｇ／ｄｍ2以下、好ましくは０．５〜１００μｇ／ｄｍ2に抑えることにより、高周波特性に優れたプリント配線板を作製可能な表面処理銅箔１を得ることができる。
第一表面処理層３のＣｒ付着量は、第一表面処理層３の種類に依存するため特に限定されないが、好ましくは５００μｇ／ｄｍ2以下、より好ましくは０．５〜３００μｇ／ｄｍ2、さらに好ましくは１〜１００μｇ／ｄｍ2である。第一表面処理層３のＣｒ付着量を上記範囲内とすることにより、防錆効果を得るととともに、回路パターンのエッチングファクタを安定して高めることができる。
第一表面処理層３の種類は、特に限定されず、当該技術分野において公知の各種表面処理層を用いることができる。第一表面処理層３に用いられる表面処理層の例としては、粗化処理層、耐熱層、防錆層、クロメート処理層、シランカップリング処理層などが挙げられる。これらの層は、単一又は２種以上を組み合わせて用いることができる。その中でも第一表面処理層３は、絶縁基材１１との接着性の観点から、粗化処理層を有することが好ましい。
ここで、本明細書において「粗化処理層」とは、粗化処理によって形成される層であり、粗化粒子の層を含む。また、粗化処理では、前処理として通常の銅メッキなどが行われたり、仕上げ処理として粗化粒子の脱落を防止するために通常の銅メッキなどが行われたりする場合があるが、本明細書における「粗化処理層」は、これらの前処理及び仕上げ処理によって形成される層を含む。
ここで、本明細書において「粗化処理層」とは、粗化処理によって形成される層であり、粗化粒子の層を含む。また、粗化処理では、前処理として通常の銅メッキなどが行われたり、仕上げ処理として粗化粒子の脱落を防止するために通常の銅メッキなどが行われたりする場合があるが、本明細書における「粗化処理層」は、これらの前処理及び仕上げ処理によって形成される層を含む。
粗化粒子としては、特に限定されないが、銅、ニッケル、コバルト、リン、タングステン、ヒ素、モリブデン、クロム及び亜鉛からなる群から選択されたいずれかの単体又はいずれか１種以上を含む合金から形成することができる。また、粗化粒子を形成した後、更にニッケル、コバルト、銅、亜鉛の単体又は合金などで二次粒子及び三次粒子を設ける粗化処理を行うこともできる。
粗化処理層は、電気めっきによって形成することができる。その条件は、特に限定されないが、典型的な条件は以下の通りである。また、電気めっきは２段階に分けて行ってもよい。
めっき液組成：１０〜２０ｇ／ＬのＣｕ、５０〜１００ｇ／Ｌの硫酸
めっき液温度：２５〜５０℃
電気めっき条件：電流密度１〜６０Ａ/ｄｍ2、時間１〜１０秒
めっき液組成：１０〜２０ｇ／ＬのＣｕ、５０〜１００ｇ／Ｌの硫酸
めっき液温度：２５〜５０℃
電気めっき条件：電流密度１〜６０Ａ/ｄｍ2、時間１〜１０秒
耐熱層及び防錆層としては、特に限定されず、当該技術分野において公知の材料から形成することができる。なお、耐熱層は防錆層としても機能することがあるため、耐熱層及び防錆層として、耐熱層及び防錆層の両方の機能を有する１つの層を形成してもよい。
耐熱層及び／又は防錆層としては、ニッケル、亜鉛、錫、コバルト、モリブデン、銅、タングステン、リン、ヒ素、クロム、バナジウム、チタン、アルミニウム、金、銀、白金族元素、鉄、タンタルの群から選択される１種以上の元素（金属、合金、酸化物、窒化物、硫化物などのいずれの形態であってもよい）を含む層であることができる。耐熱層及び／又は防錆層の例としては、ニッケル−亜鉛合金を含む層が挙げられる。
耐熱層及び／又は防錆層としては、ニッケル、亜鉛、錫、コバルト、モリブデン、銅、タングステン、リン、ヒ素、クロム、バナジウム、チタン、アルミニウム、金、銀、白金族元素、鉄、タンタルの群から選択される１種以上の元素（金属、合金、酸化物、窒化物、硫化物などのいずれの形態であってもよい）を含む層であることができる。耐熱層及び／又は防錆層の例としては、ニッケル−亜鉛合金を含む層が挙げられる。
耐熱層及び防錆層は、電気めっきによって形成することができる。その条件は、特に限定されないが、典型的な耐熱層（Ｎｉ−Ｚｎ層）の条件は以下の通りである。
めっき液組成：１〜３０ｇ／ＬのＮｉ、１〜３０ｇ／ＬのＺｎ
めっき液ｐＨ：２〜５
めっき液温度：３０〜５０℃
電気めっき条件：電流密度１〜１０Ａ/ｄｍ2、時間０．１〜５秒
めっき液組成：１〜３０ｇ／ＬのＮｉ、１〜３０ｇ／ＬのＺｎ
めっき液ｐＨ：２〜５
めっき液温度：３０〜５０℃
電気めっき条件：電流密度１〜１０Ａ/ｄｍ2、時間０．１〜５秒
クロメート処理層としては、特に限定されず、当該技術分野において公知の材料から形成することができる。
ここで、本明細書において「クロメート処理層」とは、無水クロム酸、クロム酸、二クロム酸、クロム酸塩又は二クロム酸塩を含む液で形成された層を意味する。クロメート処理層は、コバルト、鉄、ニッケル、モリブデン、亜鉛、タンタル、銅、アルミニウム、リン、タングステン、錫、砒素、チタンなどの元素（金属、合金、酸化物、窒化物、硫化物などのいずれの形態であってもよい）を含む層であることができる。クロメート処理層の例としては、無水クロム酸又は二クロム酸カリウム水溶液で処理したクロメート処理層、無水クロム酸又は二クロム酸カリウム及び亜鉛を含む処理液で処理したクロメート処理層などが挙げられる。
ここで、本明細書において「クロメート処理層」とは、無水クロム酸、クロム酸、二クロム酸、クロム酸塩又は二クロム酸塩を含む液で形成された層を意味する。クロメート処理層は、コバルト、鉄、ニッケル、モリブデン、亜鉛、タンタル、銅、アルミニウム、リン、タングステン、錫、砒素、チタンなどの元素（金属、合金、酸化物、窒化物、硫化物などのいずれの形態であってもよい）を含む層であることができる。クロメート処理層の例としては、無水クロム酸又は二クロム酸カリウム水溶液で処理したクロメート処理層、無水クロム酸又は二クロム酸カリウム及び亜鉛を含む処理液で処理したクロメート処理層などが挙げられる。
クロメート処理層は、浸漬クロメート処理、電解クロメート処理などの公知の方法によって形成することができる。それらの条件は、特に限定されないが、例えば、典型的な浸漬クロメート処理層の条件は以下の通りである。
クロメート液組成：１〜１０ｇ／ＬのＫ2Ｃｒ2Ｏ7、０．０１〜１０ｇ／ＬのＺｎ
クロメート液ｐＨ：２〜５
クロメート液温度：３０〜５０℃
クロメート液組成：１〜１０ｇ／ＬのＫ2Ｃｒ2Ｏ7、０．０１〜１０ｇ／ＬのＺｎ
クロメート液ｐＨ：２〜５
クロメート液温度：３０〜５０℃
シランカップリング処理層としては、特に限定されず、当該技術分野において公知の材料から形成することができる。
ここで、本明細書において「シランカップリング処理層」とは、シランカップリング剤で形成された層を意味する。
シランカップリング剤としては、特に限定されず、当該技術分野において公知のものを用いることができる。シランカップリング剤の例としては、アミノ系シランカップリング剤、エポキシ系シランカップリング剤、メルカプト系シランカップリング剤、メタクリロキシ系シランカップリング剤、ビニル系シランカップリング剤、イミダゾール系シランカップリング剤、トリアジン系シランカップリング剤などが挙げられる。これらの中でも、アミノ系シランカップリング剤、エポキシ系シランカップリング剤が好ましい。上述のシランカップリング剤は、単独又は２種以上を組み合わせて用いることができる。
ここで、本明細書において「シランカップリング処理層」とは、シランカップリング剤で形成された層を意味する。
シランカップリング剤としては、特に限定されず、当該技術分野において公知のものを用いることができる。シランカップリング剤の例としては、アミノ系シランカップリング剤、エポキシ系シランカップリング剤、メルカプト系シランカップリング剤、メタクリロキシ系シランカップリング剤、ビニル系シランカップリング剤、イミダゾール系シランカップリング剤、トリアジン系シランカップリング剤などが挙げられる。これらの中でも、アミノ系シランカップリング剤、エポキシ系シランカップリング剤が好ましい。上述のシランカップリング剤は、単独又は２種以上を組み合わせて用いることができる。
シランカップリング剤は、公知の方法によって製造することができるが、市販品を用いてもよい。シランカップリング剤として利用可能な市販品の例としては、信越化学工業株式会社製のＫＢＭシリーズ、ＫＢＥシリーズなどが挙げられる。市販品のシランカップリング剤は、単独で用いてもよいが、第一表面処理層３と絶縁基材１１との接着性（ピール強度）の観点から、２種以上のシランカップリング剤の混合物とすることが好ましい。その中でも好ましいシランカップリング剤の混合物は、ＫＢＭ６０３（Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン）とＫＢＭ５０３（３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン）との混合物、ＫＢＭ６０２（Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルジメトキシシラン）とＫＢＭ５０３（３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン）との混合物、ＫＢＭ６０３（Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン）とＫＢＥ５０３（３−メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン）との混合物、ＫＢＭ６０２（Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルジメトキシシラン）とＫＢＥ５０３（３−メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン）との混合物、ＫＢＭ９０３（３−アミノプロピルトリメトキシシラン）とＫＢＭ５０３（３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン）との混合物、ＫＢＥ９０３（３−アミノトリエトキシシラン）とＫＢＭ５０３（３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン）との混合物、ＫＢＥ９０３（３−アミノトリエトキシシラン）とＫＢＥ５０３（３−メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン）との混合物、ＫＢＭ９０３（３−アミノプロピルトリメトキシシラン）とＫＢＥ５０３（３−メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン）との混合物である。
２種以上のシランカップリング剤の混合物とする場合、その混合比率は、特に限定されず、使用するシランカップリング剤の種類に応じて適宜調整すればよい。
２種以上のシランカップリング剤の混合物とする場合、その混合比率は、特に限定されず、使用するシランカップリング剤の種類に応じて適宜調整すればよい。
また、表面処理銅箔１は、図３に示すように、銅箔２の他方の面に形成された第二表面処理層４をさらに有することができる。
第二表面処理層４の種類は、特に限定されず、第一表面処理層３と同様に、当該技術分野において公知の各種表面処理層を用いることができる。また、第二表面処理層４の種類は、第一表面処理層３と同一であっても異なっていてもよい。
第二表面処理層４の種類は、特に限定されず、第一表面処理層３と同様に、当該技術分野において公知の各種表面処理層を用いることができる。また、第二表面処理層４の種類は、第一表面処理層３と同一であっても異なっていてもよい。
第二表面処理層４は、付着元素として、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｃｒなどの元素を含むことができる。
第二表面処理層４のＮｉ付着量に対する第一表面処理層３のＮｉ付着量の比は、好ましくは０．０１〜２．５、より好ましくは０．６〜２．２である。Ｎｉはエッチング液に溶解し難い成分であるため、Ｎｉ付着量の比を上記の範囲とすることにより、銅張積層板１０をエッチングする際に、回路パターンのボトム側となる第一表面処理層３の溶解を促進すると共に、回路パターンのトップ側となる第二表面処理層４の溶解を抑制することができる。そのため、トップ幅とボトム幅との差が小さく、エッチングファクタが高い回路パターンを得ることが可能になる。
第二表面処理層４のＮｉ付着量に対する第一表面処理層３のＮｉ付着量の比は、好ましくは０．０１〜２．５、より好ましくは０．６〜２．２である。Ｎｉはエッチング液に溶解し難い成分であるため、Ｎｉ付着量の比を上記の範囲とすることにより、銅張積層板１０をエッチングする際に、回路パターンのボトム側となる第一表面処理層３の溶解を促進すると共に、回路パターンのトップ側となる第二表面処理層４の溶解を抑制することができる。そのため、トップ幅とボトム幅との差が小さく、エッチングファクタが高い回路パターンを得ることが可能になる。
第二表面処理層４のＮｉ付着量は、第二表面処理層４の種類に依存するため特に限定されないが、好ましくは０．１〜５００μｇ／ｄｍ2、より好ましくは０．５〜２００μｇ／ｄｍ2、さらに好ましくは１〜１００μｇ／ｄｍ2である。第二表面処理層４のＮｉ付着量を上記範囲内とすることにより、回路パターンのエッチングファクタを安定して高めることができる。
第二表面処理層４のＺｎ付着量は、第二表面処理層４の種類に依存するため特に限定されないが、第二表面処理層４にＺｎが含有される場合、好ましくは１０〜１０００μｇ／ｄｍ2、より好ましくは５０〜５００μｇ／ｄｍ2、さらに好ましくは１００〜３００μｇ／ｄｍ2である。第二表面処理層４のＺｎ付着量を上記範囲内とすることにより、耐熱性及び耐薬品性の効果を得るとともに、回路パターンのエッチングファクタを安定して高めることができる。
第二表面処理層４のＣｒ付着量は、第二表面処理層４の種類に依存するため特に限定されないが、第二表面処理層４にＣｒが含有される場合、好ましくは０μｇ／ｄｍ2超過５００μｇ／ｄｍ2以下、より好ましくは０．１〜１００μｇ／ｄｍ2、さらに好ましくは１〜５０μｇ／ｄｍ2である。第二表面処理層４のＣｒ付着量を上記範囲内とすることにより、防錆効果を得るとともに、回路パターンのエッチングファクタを安定して高めることができる。
銅箔２としては、特に限定されず、電解銅箔又は圧延銅箔のいずれであってもよい。電解銅箔は、硫酸銅メッキ浴からチタン又はステンレスのドラム上に銅を電解析出させることによって一般に製造されるが、ドラム側に形成される平坦なＳ面（シャイン面）と、Ｓ面の反対側に形成されるＭ面（マット面）とを有する。一般に、電解銅箔のＭ面は凹凸を有しているため、第一表面処理層３を電解銅箔のＭ面、第二表面処理層４を電解銅箔のＳ面に形成することにより、第一表面処理層３と絶縁基材１１との接着性を高めることができる。
銅箔２の材料としては、特に限定されないが、銅箔２が圧延銅箔の場合、プリント配線板の回路パターンとして通常使用されるタフピッチ銅（ＪＩＳ Ｈ３１００ 合金番号Ｃ１１００）、無酸素銅（ＪＩＳ Ｈ３１００ 合金番号Ｃ１０２０又はＪＩＳ Ｈ３５１０ 合金番号Ｃ１０１１）などの高純度の銅を用いることができる。また、例えば、Ｓｎ入り銅、Ａｇ入り銅、Ｃｒ、Ｚｒ又はＭｇなどを添加した銅合金、Ｎｉ及びＳｉなどを添加したコルソン系銅合金のような銅合金も用いることができる。なお、本明細書において「銅箔２」とは、銅合金箔も含む概念である。
銅箔２の厚みは、特に限定されないが、例えば１〜１０００μｍ、或いは１〜５００μｍ、或いは１〜３００μｍ、或いは３〜１００μｍ、或いは５〜７０μｍ、或いは６〜３５μｍ、或いは９〜１８μｍとすることができる。
上記のような構成を有する表面処理銅箔１は、当該技術分野において公知の方法に準じて製造することができる。ここで、第一表面処理層３及び第二表面処理層４のＮｉ付着量、Ｎｉ付着量の比は、例えば、形成する表面処理層の種類、厚みなどを変えることによって制御することができる。また、第一表面処理層３のＲｚは、例えば、第一表面処理層３の形成条件などを調整することによって制御することができる。
銅張積層板１０は、表面処理銅箔１の第一表面処理層３に絶縁基材１１を接着することによって製造することができる。
絶縁基材１１としては、特に限定されず、当該技術分野において公知のものを用いることができる。絶縁基材１１の例としては、紙基材フェノール樹脂、紙基材エポキシ樹脂、合成繊維布基材エポキシ樹脂、ガラス布・紙複合基材エポキシ樹脂、ガラス布・ガラス不織布複合基材エポキシ樹脂、ガラス布基材エポキシ樹脂、ポリエステルフィルム、ポリイミドフィルム、液晶ポリマー、フッ素樹脂などが挙げられる。
絶縁基材１１としては、特に限定されず、当該技術分野において公知のものを用いることができる。絶縁基材１１の例としては、紙基材フェノール樹脂、紙基材エポキシ樹脂、合成繊維布基材エポキシ樹脂、ガラス布・紙複合基材エポキシ樹脂、ガラス布・ガラス不織布複合基材エポキシ樹脂、ガラス布基材エポキシ樹脂、ポリエステルフィルム、ポリイミドフィルム、液晶ポリマー、フッ素樹脂などが挙げられる。
表面処理銅箔１と絶縁基材１１との接着方法としては、特に限定されず、当該技術分野において公知の方法に準じて行うことができる。例えば、表面処理銅箔１と絶縁基材１１とを積層させて熱圧着すればよい。
上記のようにして製造された銅張積層板１０は、プリント配線板の製造に用いることができる。プリント配線板の製造方法としては、特に限定されず、サブトラクティブ法、セミアディティブ法などの公知の方法を用いることができる。その中でも銅張積層板１０は、サブトラクティブ法で用いるのに最適である。
図４は、サブトラクティブ法によるプリント配線板の製造方法を説明するための断面図である。
図４において、まず、銅張積層板１０の表面処理銅箔１の表面にレジストを塗布、露光及び現像することによって所定のレジストパターン２０を形成する（工程（ａ））。次に、レジストパターン２０が形成されていない部分（不要部）の表面処理銅箔１をエッチングによって除去する（工程（ｂ））。最後に、表面処理銅箔１上のレジストパターン２０を除去する（工程（ｃ））。
なお、このサブトラクティブ法における各種条件は、特に限定されず、当該技術分野において公知の条件に準じて行うことができる。
図４において、まず、銅張積層板１０の表面処理銅箔１の表面にレジストを塗布、露光及び現像することによって所定のレジストパターン２０を形成する（工程（ａ））。次に、レジストパターン２０が形成されていない部分（不要部）の表面処理銅箔１をエッチングによって除去する（工程（ｂ））。最後に、表面処理銅箔１上のレジストパターン２０を除去する（工程（ｃ））。
なお、このサブトラクティブ法における各種条件は、特に限定されず、当該技術分野において公知の条件に準じて行うことができる。
以下、本発明の実施形態を実施例によって更に具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例によって何ら限定されるものではない。
（実施例１）
厚さ１２μｍの圧延銅箔（ＪＸ金属社製ＨＡ−Ｖ２箔）を準備し、一方の面に第一表面処理層として粗化処理層、耐熱層、クロメート処理層及びシランカップリング処理層を順次形成すると共に、他方の面に第二表面処理層として耐熱層及びクロメート処理層を順次形成することによって表面処理銅箔を得た。各層を形成するための条件は下記の通りである。
厚さ１２μｍの圧延銅箔（ＪＸ金属社製ＨＡ−Ｖ２箔）を準備し、一方の面に第一表面処理層として粗化処理層、耐熱層、クロメート処理層及びシランカップリング処理層を順次形成すると共に、他方の面に第二表面処理層として耐熱層及びクロメート処理層を順次形成することによって表面処理銅箔を得た。各層を形成するための条件は下記の通りである。
＜第一表面処理層の粗化処理層＞
電気めっきによって粗化処理層を形成した。電気めっきは２段階に分けて行った。
（１段目の条件）
めっき液組成：１１ｇ／ＬのＣｕ、５０ｇ／Ｌの硫酸
めっき液温度：２５℃
電気めっき条件：電流密度４２．７Ａ/ｄｍ2、時間１．４秒
（２段目の条件）
めっき液組成：２０ｇ／ＬのＣｕ、１００ｇ／Ｌの硫酸
めっき液温度：５０℃
電気めっき条件：電流密度３．８Ａ/ｄｍ2、時間２．８秒
電気めっきによって粗化処理層を形成した。電気めっきは２段階に分けて行った。
（１段目の条件）
めっき液組成：１１ｇ／ＬのＣｕ、５０ｇ／Ｌの硫酸
めっき液温度：２５℃
電気めっき条件：電流密度４２．７Ａ/ｄｍ2、時間１．４秒
（２段目の条件）
めっき液組成：２０ｇ／ＬのＣｕ、１００ｇ／Ｌの硫酸
めっき液温度：５０℃
電気めっき条件：電流密度３．８Ａ/ｄｍ2、時間２．８秒
＜第一表面処理層の耐熱層＞
電気めっきによって耐熱層を形成した。
めっき液組成：２３．５ｇ／ＬのＮｉ、４．５ｇ／ＬのＺｎ
めっき液ｐＨ：３．６
めっき液温度：４０℃
電気めっき条件：電流密度１．１Ａ/ｄｍ2、時間０．７秒
電気めっきによって耐熱層を形成した。
めっき液組成：２３．５ｇ／ＬのＮｉ、４．５ｇ／ＬのＺｎ
めっき液ｐＨ：３．６
めっき液温度：４０℃
電気めっき条件：電流密度１．１Ａ/ｄｍ2、時間０．７秒
＜第一表面処理層のクロメート処理層＞
電気めっきによってクロメート処理層を形成した。
めっき液組成：３．０ｇ／ＬのＫ2Ｃｒ2Ｏ7、０．３３ｇ／ＬのＺｎ
めっき液ｐＨ：３．６
めっき液温度：５０℃
電気めっき条件：電流密度２．１Ａ/ｄｍ2、時間１．４秒
電気めっきによってクロメート処理層を形成した。
めっき液組成：３．０ｇ／ＬのＫ2Ｃｒ2Ｏ7、０．３３ｇ／ＬのＺｎ
めっき液ｐＨ：３．６
めっき液温度：５０℃
電気めっき条件：電流密度２．１Ａ/ｄｍ2、時間１．４秒
＜第一表面処理層のシランカップリング処理層＞
Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン（信越化学工業株式会社製 ＫＢＭ６０３）の１．２体積％水溶液（ｐＨ：１０）を塗布し、乾燥させることでシランカップリング処理層を形成した。
Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン（信越化学工業株式会社製 ＫＢＭ６０３）の１．２体積％水溶液（ｐＨ：１０）を塗布し、乾燥させることでシランカップリング処理層を形成した。
＜第二表面処理層の耐熱層＞
電気めっきによって耐熱層を形成した。
めっき液組成：２３．５ｇ／ＬのＮｉ、４．５ｇ／ＬのＺｎ
めっき液ｐＨ：３．６
めっき液温度：４０℃
電気めっき条件：電流密度２．８Ａ/ｄｍ2、時間０．７秒
電気めっきによって耐熱層を形成した。
めっき液組成：２３．５ｇ／ＬのＮｉ、４．５ｇ／ＬのＺｎ
めっき液ｐＨ：３．６
めっき液温度：４０℃
電気めっき条件：電流密度２．８Ａ/ｄｍ2、時間０．７秒
＜第二表面処理層のクロメート処理層＞
浸漬クロメート処理によってクロメート処理層を形成した。
クロメート液組成：３．０ｇ／ＬのＫ2Ｃｒ2Ｏ7、０．３３ｇ／ＬのＺｎ
クロメート液ｐＨ：３．６
クロメート液温度：５０℃
浸漬クロメート処理によってクロメート処理層を形成した。
クロメート液組成：３．０ｇ／ＬのＫ2Ｃｒ2Ｏ7、０．３３ｇ／ＬのＺｎ
クロメート液ｐＨ：３．６
クロメート液温度：５０℃
（実施例２）
第一表面処理層の耐熱層の形成条件を下記の通りに変更したこと以外は実施例１と同様にして表面処理銅箔を得た。
＜第一表面処理層の耐熱層＞
電気めっきによって耐熱層を形成した。
めっき液組成：２３．５ｇ／ＬのＮｉ、４．５ｇ／ＬのＺｎ
めっき液ｐＨ：３．６
めっき液温度：４０℃
電気めっき条件：電流密度２．６Ａ/ｄｍ2、時間０．７秒
第一表面処理層の耐熱層の形成条件を下記の通りに変更したこと以外は実施例１と同様にして表面処理銅箔を得た。
＜第一表面処理層の耐熱層＞
電気めっきによって耐熱層を形成した。
めっき液組成：２３．５ｇ／ＬのＮｉ、４．５ｇ／ＬのＺｎ
めっき液ｐＨ：３．６
めっき液温度：４０℃
電気めっき条件：電流密度２．６Ａ/ｄｍ2、時間０．７秒
（実施例３）
第一表面処理層の耐熱層の形成条件を下記の通りに変更したこと以外は実施例１と同様にして表面処理銅箔を得た。
＜第一表面処理層の耐熱層＞
電気めっきによって耐熱層を形成した。
めっき液組成：２３．５ｇ／ＬのＮｉ、４．５ｇ／ＬのＺｎ
めっき液ｐＨ：３．６
めっき液温度：４０℃
電気めっき条件：電流密度４．２Ａ/ｄｍ2、時間０．７秒
第一表面処理層の耐熱層の形成条件を下記の通りに変更したこと以外は実施例１と同様にして表面処理銅箔を得た。
＜第一表面処理層の耐熱層＞
電気めっきによって耐熱層を形成した。
めっき液組成：２３．５ｇ／ＬのＮｉ、４．５ｇ／ＬのＺｎ
めっき液ｐＨ：３．６
めっき液温度：４０℃
電気めっき条件：電流密度４．２Ａ/ｄｍ2、時間０．７秒
（実施例４）
第一表面処理層及び第二表面処理層の耐熱層の形成条件を下記の通りに変更したこと以外は実施例１と同様にして表面処理銅箔を得た。
＜第一表面処理層の耐熱層＞
電気めっきによって耐熱層を形成した。
めっき液組成：２３．５ｇ／ＬのＮｉ、４．５ｇ／ＬのＺｎ
めっき液ｐＨ：３．６
めっき液温度：４０℃
電気めっき条件：電流密度２．１Ａ/ｄｍ2、時間０．７秒
＜第二表面処理層の耐熱層＞
電気めっきによって耐熱層を形成した。
めっき液組成：２３．５ｇ／ＬのＮｉ、４．５ｇ／ＬのＺｎ
めっき液ｐＨ：３．６
めっき液温度：４０℃
電気めっき条件：電流密度２．８Ａ/ｄｍ2、時間０．７秒
第一表面処理層及び第二表面処理層の耐熱層の形成条件を下記の通りに変更したこと以外は実施例１と同様にして表面処理銅箔を得た。
＜第一表面処理層の耐熱層＞
電気めっきによって耐熱層を形成した。
めっき液組成：２３．５ｇ／ＬのＮｉ、４．５ｇ／ＬのＺｎ
めっき液ｐＨ：３．６
めっき液温度：４０℃
電気めっき条件：電流密度２．１Ａ/ｄｍ2、時間０．７秒
＜第二表面処理層の耐熱層＞
電気めっきによって耐熱層を形成した。
めっき液組成：２３．５ｇ／ＬのＮｉ、４．５ｇ／ＬのＺｎ
めっき液ｐＨ：３．６
めっき液温度：４０℃
電気めっき条件：電流密度２．８Ａ/ｄｍ2、時間０．７秒
（比較例１）
厚さ１２μｍの圧延銅箔（ＪＸ金属社製ＨＡ−Ｖ２箔）を準備し、一方の面に第一表面処理層として粗化処理層、耐熱層、クロメート処理層及びシランカップリング処理層を順次形成すると共に、他方の面に第二表面処理層として耐熱層及びクロメート処理層を順次形成することによって表面処理銅箔を得た。各層を形成するための条件は下記の通りである。
＜第一表面処理層の粗化処理層＞
電気めっきによって粗化処理層を形成した。
めっき液組成：１５ｇ／ＬのＣｕ、７．５ｇ／ＬのＣｏ、９．５ｇ／ＬのＮｉ
めっき液ｐＨ：２．４
めっき液温度：３６℃
電気めっき条件：電流密度３１．５Ａ/ｄｍ2、時間１．８秒
厚さ１２μｍの圧延銅箔（ＪＸ金属社製ＨＡ−Ｖ２箔）を準備し、一方の面に第一表面処理層として粗化処理層、耐熱層、クロメート処理層及びシランカップリング処理層を順次形成すると共に、他方の面に第二表面処理層として耐熱層及びクロメート処理層を順次形成することによって表面処理銅箔を得た。各層を形成するための条件は下記の通りである。
＜第一表面処理層の粗化処理層＞
電気めっきによって粗化処理層を形成した。
めっき液組成：１５ｇ／ＬのＣｕ、７．５ｇ／ＬのＣｏ、９．５ｇ／ＬのＮｉ
めっき液ｐＨ：２．４
めっき液温度：３６℃
電気めっき条件：電流密度３１．５Ａ/ｄｍ2、時間１．８秒
＜第一表面処理層の耐熱層（１）＞
電気めっきによって耐熱層（１）を形成した。
めっき液組成：３ｇ／ＬのＣｏ、１３ｇ／ＬのＮｉ
めっき液ｐＨ：２．０
めっき液温度：５０℃
電気めっき条件：電流密度１９．１Ａ/ｄｍ2、時間０．４秒
電気めっきによって耐熱層（１）を形成した。
めっき液組成：３ｇ／ＬのＣｏ、１３ｇ／ＬのＮｉ
めっき液ｐＨ：２．０
めっき液温度：５０℃
電気めっき条件：電流密度１９．１Ａ/ｄｍ2、時間０．４秒
＜第一表面処理層の耐熱層（２）＞
電気めっきによって耐熱層（２）を形成した。
めっき液組成：２３．５ｇ／ＬのＮｉ、４．５ｇ／ＬのＺｎ
めっき液ｐＨ：３．６
めっき液温度：４０℃
電気めっき条件：電流密度３．５Ａ/ｄｍ2、時間０．４秒
電気めっきによって耐熱層（２）を形成した。
めっき液組成：２３．５ｇ／ＬのＮｉ、４．５ｇ／ＬのＺｎ
めっき液ｐＨ：３．６
めっき液温度：４０℃
電気めっき条件：電流密度３．５Ａ/ｄｍ2、時間０．４秒
＜第一表面処理層のクロメート処理層＞
浸漬クロメート処理によってクロメート処理層を形成した。
クロメート液組成：３．０ｇ／ＬのＫ2Ｃｒ2Ｏ7、０．３３ｇ／ＬのＺｎ
クロメート液ｐＨ：３．６
クロメート液温度：５０℃
浸漬クロメート処理によってクロメート処理層を形成した。
クロメート液組成：３．０ｇ／ＬのＫ2Ｃｒ2Ｏ7、０．３３ｇ／ＬのＺｎ
クロメート液ｐＨ：３．６
クロメート液温度：５０℃
＜第一表面処理層のシランカップリング処理層＞
Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン（信越化学工業株式会社製 ＫＢＭ６０３）の１．２体積％水溶液（ｐＨ：１０）を塗布し、乾燥させることでシランカップリング処理層を形成した。
Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン（信越化学工業株式会社製 ＫＢＭ６０３）の１．２体積％水溶液（ｐＨ：１０）を塗布し、乾燥させることでシランカップリング処理層を形成した。
＜第二表面処理層の耐熱層＞
電気めっきによって耐熱層を形成した。
めっき液組成：２３．５ｇ／ＬのＮｉ、４．５ｇ／ＬのＺｎ
めっき液ｐＨ：３．６
めっき液温度：４０℃
電気めっき条件：電流密度４．１Ａ/ｄｍ2、時間０．４秒
電気めっきによって耐熱層を形成した。
めっき液組成：２３．５ｇ／ＬのＮｉ、４．５ｇ／ＬのＺｎ
めっき液ｐＨ：３．６
めっき液温度：４０℃
電気めっき条件：電流密度４．１Ａ/ｄｍ2、時間０．４秒
＜第二表面処理層のクロメート処理層＞
浸漬クロメート処理によってクロメート処理層を形成した。
クロメート液組成：３．０ｇ／ＬのＫ2Ｃｒ2Ｏ7、０．３３ｇ／ＬのＺｎ
クロメート液ｐＨ：３．６
クロメート液温度：５０℃
浸漬クロメート処理によってクロメート処理層を形成した。
クロメート液組成：３．０ｇ／ＬのＫ2Ｃｒ2Ｏ7、０．３３ｇ／ＬのＺｎ
クロメート液ｐＨ：３．６
クロメート液温度：５０℃
上記の実施例及び比較例で得られた表面処理銅箔について、下記の評価を行った。
＜第一表面処理層及び第二表面処理層における各元素の付着量の測定＞
Ｎｉ、Ｚｎ及びＣｏの付着量は、各表面処理層を濃度２０質量％の硝酸に溶解し、ＶＡＲＩＡＮ社製の原子吸光分光光度計（型式：ＡＡ２４０ＦＳ）を用いて原子吸光法で定量分析を行うことによって測定した。また、Ｃｒの付着量は各表面処理層を濃度７質量％の塩酸に溶解し、上記と同様に原子吸光法で定量分析を行うことによって測定した。
＜第一表面処理層及び第二表面処理層における各元素の付着量の測定＞
Ｎｉ、Ｚｎ及びＣｏの付着量は、各表面処理層を濃度２０質量％の硝酸に溶解し、ＶＡＲＩＡＮ社製の原子吸光分光光度計（型式：ＡＡ２４０ＦＳ）を用いて原子吸光法で定量分析を行うことによって測定した。また、Ｃｒの付着量は各表面処理層を濃度７質量％の塩酸に溶解し、上記と同様に原子吸光法で定量分析を行うことによって測定した。
＜表面処理銅箔の第一表面処理層のＸＰＳのデプスプロファイルにおける評価＞
この評価では、第一表面処理層の所定の深さにおけるＮｉ濃度、Ｚｎ濃度及びＣｕ濃度を測定した。また、前記の測定値をもとに、Ｎｉ濃度の積分値及びＺｎ濃度の積分値を算出した。
Ｎｉ濃度及びＺｎ濃度は、表面処理銅箔の第一表面処理層に対して深さ方向にＸＰＳ分析を行い、スパッタリングレート２．５ｎｍ／分（ＳｉＯ2換算）で１分スパッタリングを行ったときの測定対象元素の合計量に対するＮｉ及びＺｎの濃度をそれぞれ測定することによって求めた。
Ｃｕ濃度は、表面処理銅箔の第一表面処理層に対して深さ方向にＸＰＳ分析を行い、スパッタリングレート２．５ｎｍ／分（ＳｉＯ2換算）で７分スパッタリングを行ったときの測定対象元素の合計量に対するＣｕの濃度を測定することによって求めた。
Ｎｉ濃度及びＺｎ濃度の積分値は、表面処理銅箔の第一表面処理層に対して深さ方向にＸＰＳ分析を行い、スパッタリングレート２．５ｎｍ／分（ＳｉＯ2換算）でスパッタリングを行ったときの１分〜２分間の測定対象元素の合計量に対するＮｉ濃度及びＺｎ濃度を測定し、後述の方法で積分値をそれぞれ算出した。その具体例を、Ｎｉ濃度の積分値の算出方法を例に説明するが、Ｚｎ濃度の積分値も同様の手法によって算出した。
スパッタタイム０．２分毎にＸＰＳ分析でＮｉ濃度を取得し、横軸にスパッタタイム、縦軸にＮｉ濃度をプロットしたグラフを作成した。次に、このグラフを用いて台形に近似した図を作成した後、その面積を求めることによって、１〜２分のスパッタリングを行った際のＮｉ濃度の積分値を算出した。その際、取得したＮｉ濃度の値は１０-4の値まで取得して計算した。台形に近似した図の一例を図５に示す。図５において、斜線部が、１〜２分のスパッタリングを行った際のＮｉ濃度の積分値に相当する部分の面積である。なお、図５はＮｉ濃度の積分値の計算方法の説明のための図に過ぎず、本明細書に記載の実施例の測定結果ではない。
この評価では、第一表面処理層の所定の深さにおけるＮｉ濃度、Ｚｎ濃度及びＣｕ濃度を測定した。また、前記の測定値をもとに、Ｎｉ濃度の積分値及びＺｎ濃度の積分値を算出した。
Ｎｉ濃度及びＺｎ濃度は、表面処理銅箔の第一表面処理層に対して深さ方向にＸＰＳ分析を行い、スパッタリングレート２．５ｎｍ／分（ＳｉＯ2換算）で１分スパッタリングを行ったときの測定対象元素の合計量に対するＮｉ及びＺｎの濃度をそれぞれ測定することによって求めた。
Ｃｕ濃度は、表面処理銅箔の第一表面処理層に対して深さ方向にＸＰＳ分析を行い、スパッタリングレート２．５ｎｍ／分（ＳｉＯ2換算）で７分スパッタリングを行ったときの測定対象元素の合計量に対するＣｕの濃度を測定することによって求めた。
Ｎｉ濃度及びＺｎ濃度の積分値は、表面処理銅箔の第一表面処理層に対して深さ方向にＸＰＳ分析を行い、スパッタリングレート２．５ｎｍ／分（ＳｉＯ2換算）でスパッタリングを行ったときの１分〜２分間の測定対象元素の合計量に対するＮｉ濃度及びＺｎ濃度を測定し、後述の方法で積分値をそれぞれ算出した。その具体例を、Ｎｉ濃度の積分値の算出方法を例に説明するが、Ｚｎ濃度の積分値も同様の手法によって算出した。
スパッタタイム０．２分毎にＸＰＳ分析でＮｉ濃度を取得し、横軸にスパッタタイム、縦軸にＮｉ濃度をプロットしたグラフを作成した。次に、このグラフを用いて台形に近似した図を作成した後、その面積を求めることによって、１〜２分のスパッタリングを行った際のＮｉ濃度の積分値を算出した。その際、取得したＮｉ濃度の値は１０-4の値まで取得して計算した。台形に近似した図の一例を図５に示す。図５において、斜線部が、１〜２分のスパッタリングを行った際のＮｉ濃度の積分値に相当する部分の面積である。なお、図５はＮｉ濃度の積分値の計算方法の説明のための図に過ぎず、本明細書に記載の実施例の測定結果ではない。
ＸＰＳのデプスプロファイルにおけるその他の条件は以下の通りとした。
装置：アルバック・ファイ株式会社製５６００ＭＣ
到達真空度：５．７×１０-7Ｐａ
励起源：単色化 ＭｇＫα
出力：４００Ｗ
検出面積：８００μｍφ
入射角：８１°
取り出し角：４５°
中和銃なし
測定対象元素：Ｃ、Ｎ、Ｏ、Ｚｎ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｓｉ及びＣｕ
＜スパッタ条件＞
イオン種：Ａｒ＋
加速電圧：３ｋＶ
掃引領域：３ｍｍ×３ｍｍ
装置：アルバック・ファイ株式会社製５６００ＭＣ
到達真空度：５．７×１０-7Ｐａ
励起源：単色化 ＭｇＫα
出力：４００Ｗ
検出面積：８００μｍφ
入射角：８１°
取り出し角：４５°
中和銃なし
測定対象元素：Ｃ、Ｎ、Ｏ、Ｚｎ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｓｉ及びＣｕ
＜スパッタ条件＞
イオン種：Ａｒ＋
加速電圧：３ｋＶ
掃引領域：３ｍｍ×３ｍｍ
＜表面処理銅箔の第一表面処理層のＲｚの測定＞
株式会社小坂研究所製の接触粗さ計Ｓｕｒｆｃｏｒｄｅｒ ＳＥ−３Ｃを用い、ＪＩＳ Ｂ０６０１：１９９４に準拠してＲｚ（十点平均粗さ）を測定した。この測定は、測定基準長さを０．８ｍｍ、評価長さを４ｍｍ、カットオフ値を０．２５ｍｍ、送り速さを０．１ｍｍ／秒とし、表面処理銅箔の幅方向に測定位置を変えて１０回行い、１０回の測定値の平均値を評価結果とした。
株式会社小坂研究所製の接触粗さ計Ｓｕｒｆｃｏｒｄｅｒ ＳＥ−３Ｃを用い、ＪＩＳ Ｂ０６０１：１９９４に準拠してＲｚ（十点平均粗さ）を測定した。この測定は、測定基準長さを０．８ｍｍ、評価長さを４ｍｍ、カットオフ値を０．２５ｍｍ、送り速さを０．１ｍｍ／秒とし、表面処理銅箔の幅方向に測定位置を変えて１０回行い、１０回の測定値の平均値を評価結果とした。
＜表面処理銅箔の第一表面処理層におけるＳｑ、Ｓｖｋ、ＲＳｍ及びＡＲの測定＞
オリンパス株式会社製のレーザー顕微鏡（ＬＥＸＴ ＯＬＳ４０００）を用い、Ｓｑ（二乗平均平方根高さ）、Ｓｖｋ（突出谷部深さ）、ＲＳｍ（粗さ曲線要素の平均長さ）及びＡＲ（粗さモチーフの平均長さ）を測定した。ＲＳｍ及びＡＲの測定は、ＪＩＳ Ｂ０６０１：２０１３及びＪＩＳ Ｂ０６３１：２０００にそれぞれ準拠して行った。また、Ｓｑ、Ｓｖｋ、ＲＳｍ及びＡＲは、任意の１０か所で測定した値の平均値を測定結果とした。なお、測定時の温度は２３〜２５℃とした。また、レーザー顕微鏡における主要な設定条件は下記の通りである。
対物レンズ：ＭＰＬＡＰＯＮ５０ＬＥＸＴ（倍率：５０倍、開口数：０．９５、液浸タイプ：空気、機械的鏡筒長：∞、カバーガラス厚：０、視野数：ＦＮ１８）
走査モード：ＸＹＺ高精度（高さ分解能：１０ｎｍ）
取込み画像サイズ［画素数］：横２５７μｍ×縦２５８μｍ［１０２４×１０２４］
（横方向に測定するため、評価長さとしては２５７μｍに相当）
ＤＩＣ：オフ
マルチレイヤー：オフ
レーザー強度：１００
オフセット：０
コンフォーカルレベル：０
ビーム径絞り：オフ
画像平均：１回
ノイズリダクション：オン
輝度むら補正：オン
光学的ノイズフィルタ：オン
カットオフ：無し（λｃ、λｓ、λｆ全て無し）
フィルタ：ガウシアンフィルタ
ノイズ除去：測定前処理
傾き補正：実施
最少高さの識別値：Ｒｚに対する比の１０％
モチーフパラメータ：粗さモチーフの上限高さＡ／うねりモチーフの上限高さＢ＝０．１ｍｍ／０．５ｍｍ
オリンパス株式会社製のレーザー顕微鏡（ＬＥＸＴ ＯＬＳ４０００）を用い、Ｓｑ（二乗平均平方根高さ）、Ｓｖｋ（突出谷部深さ）、ＲＳｍ（粗さ曲線要素の平均長さ）及びＡＲ（粗さモチーフの平均長さ）を測定した。ＲＳｍ及びＡＲの測定は、ＪＩＳ Ｂ０６０１：２０１３及びＪＩＳ Ｂ０６３１：２０００にそれぞれ準拠して行った。また、Ｓｑ、Ｓｖｋ、ＲＳｍ及びＡＲは、任意の１０か所で測定した値の平均値を測定結果とした。なお、測定時の温度は２３〜２５℃とした。また、レーザー顕微鏡における主要な設定条件は下記の通りである。
対物レンズ：ＭＰＬＡＰＯＮ５０ＬＥＸＴ（倍率：５０倍、開口数：０．９５、液浸タイプ：空気、機械的鏡筒長：∞、カバーガラス厚：０、視野数：ＦＮ１８）
走査モード：ＸＹＺ高精度（高さ分解能：１０ｎｍ）
取込み画像サイズ［画素数］：横２５７μｍ×縦２５８μｍ［１０２４×１０２４］
（横方向に測定するため、評価長さとしては２５７μｍに相当）
ＤＩＣ：オフ
マルチレイヤー：オフ
レーザー強度：１００
オフセット：０
コンフォーカルレベル：０
ビーム径絞り：オフ
画像平均：１回
ノイズリダクション：オン
輝度むら補正：オン
光学的ノイズフィルタ：オン
カットオフ：無し（λｃ、λｓ、λｆ全て無し）
フィルタ：ガウシアンフィルタ
ノイズ除去：測定前処理
傾き補正：実施
最少高さの識別値：Ｒｚに対する比の１０％
モチーフパラメータ：粗さモチーフの上限高さＡ／うねりモチーフの上限高さＢ＝０．１ｍｍ／０．５ｍｍ
＜表面処理銅箔の第一表面処理層のａ*及びＬ*の測定＞
測定器としてＨｕｎｔｅｒＬａｂ社製のＭｉｎｉＳｃａｎ（登録商標）ＥＺ Ｍｏｄｅｌ ４０００Ｌを用い、ＪＩＳ Ｚ８７３０：２００９に準拠してＣＩＥ Ｌ*ａ*ｂ*表色系のａ*及びＬ*の測定を行った。具体的には、上記の実施例及び比較例で得られた表面処理銅箔の第一表面処理層を測定器の感光部に押し当て、外から光が入らないようにしつつａ*を測定した。また、ａ*及びＬ*の測定は、ＪＩＳ Ｚ８７２２の幾何条件Ｃに基づいて行った。なお、測定器の主な条件は下記の通りである。
光学系 ｄ/８°、積分球サイズ ６３．５ｍｍ、観察光源 Ｄ６５
測定方式 反射
照明径 ２５．４ｍｍ
測定径 ２０．０ｍｍ
測定波長・間隔 ４００〜７００ｎｍ・１０ｎｍ
光源 パルスキセノンランプ・１発光/測定
トレーサビリティ標準 ＣＩＥ ４４及びＡＳＴＭ Ｅ２５９に基づく、米国標準技術研究所（ＮＩＳＴ）準拠校正
標準観察者 １０°
また、測定基準となる白色タイルは、下記の物体色のものを使用した。
Ｄ６５／１０°にて測定した場合に、ＣＩＥ ＸＹＺ表色系での値がＸ：８１．９０、Ｙ：８７．０２、Ｚ：９３．７６（これは、ＣＩＥ Ｌ*ａ*ｂ*表色系に数値を変換すると、Ｌ*：９４．８、ａ*：−１．６、ｂ*：０．７に相当する）である。
測定器としてＨｕｎｔｅｒＬａｂ社製のＭｉｎｉＳｃａｎ（登録商標）ＥＺ Ｍｏｄｅｌ ４０００Ｌを用い、ＪＩＳ Ｚ８７３０：２００９に準拠してＣＩＥ Ｌ*ａ*ｂ*表色系のａ*及びＬ*の測定を行った。具体的には、上記の実施例及び比較例で得られた表面処理銅箔の第一表面処理層を測定器の感光部に押し当て、外から光が入らないようにしつつａ*を測定した。また、ａ*及びＬ*の測定は、ＪＩＳ Ｚ８７２２の幾何条件Ｃに基づいて行った。なお、測定器の主な条件は下記の通りである。
光学系 ｄ/８°、積分球サイズ ６３．５ｍｍ、観察光源 Ｄ６５
測定方式 反射
照明径 ２５．４ｍｍ
測定径 ２０．０ｍｍ
測定波長・間隔 ４００〜７００ｎｍ・１０ｎｍ
光源 パルスキセノンランプ・１発光/測定
トレーサビリティ標準 ＣＩＥ ４４及びＡＳＴＭ Ｅ２５９に基づく、米国標準技術研究所（ＮＩＳＴ）準拠校正
標準観察者 １０°
また、測定基準となる白色タイルは、下記の物体色のものを使用した。
Ｄ６５／１０°にて測定した場合に、ＣＩＥ ＸＹＺ表色系での値がＸ：８１．９０、Ｙ：８７．０２、Ｚ：９３．７６（これは、ＣＩＥ Ｌ*ａ*ｂ*表色系に数値を変換すると、Ｌ*：９４．８、ａ*：−１．６、ｂ*：０．７に相当する）である。
＜エッチングファクタ及びエッチング残渣の評価＞
表面処理銅箔の第一表面処理層上にポリイミド基板を積層して３００℃で１時間加熱して圧着させることによって銅張積層板を作製した。次に、表面処理銅箔の第二表面処理層上に感光性レジストを塗布して露光及び現像することにより、Ｌ／Ｓ＝２９μｍ／２１μｍ幅のレジストパターンを形成した。その後、表面処理銅箔の露出部（不要部）をエッチングによって除去することにより、Ｌ／Ｓ＝２５μｍ／２５μｍ幅の銅の回路パターンを有するプリント配線板を得た。なお、前記回路パターンのＬ及びＳの幅は、回路のボトム面、すなわちポリイミド基板に接している面の幅である。エッチングはスプレーエッチングを用いて下記の条件にて行った。
エッチング液：塩化銅エッチング液（塩化銅（ＩＩ）２水和物４００ｇ／Ｌ、３５％塩酸として２００ｍｌ/Ｌ）
液温：４５℃
スプレー圧：０．１８ＭＰａ
次に、形成された回路パターンをＳＥＭ観察し、下記の式に基づいてエッチングファクタ（ＥＦ）を求めた。
ＥＦ＝回路高さ／｛（回路ボトム幅−回路トップ幅）／２｝
エッチングファクタは、数値が大きいほど回路側面の傾斜角が大きいことを意味する。
ＥＦの値は各実施例及び比較例につき５回実験した結果の平均値である。
表面処理銅箔の第一表面処理層上にポリイミド基板を積層して３００℃で１時間加熱して圧着させることによって銅張積層板を作製した。次に、表面処理銅箔の第二表面処理層上に感光性レジストを塗布して露光及び現像することにより、Ｌ／Ｓ＝２９μｍ／２１μｍ幅のレジストパターンを形成した。その後、表面処理銅箔の露出部（不要部）をエッチングによって除去することにより、Ｌ／Ｓ＝２５μｍ／２５μｍ幅の銅の回路パターンを有するプリント配線板を得た。なお、前記回路パターンのＬ及びＳの幅は、回路のボトム面、すなわちポリイミド基板に接している面の幅である。エッチングはスプレーエッチングを用いて下記の条件にて行った。
エッチング液：塩化銅エッチング液（塩化銅（ＩＩ）２水和物４００ｇ／Ｌ、３５％塩酸として２００ｍｌ/Ｌ）
液温：４５℃
スプレー圧：０．１８ＭＰａ
次に、形成された回路パターンをＳＥＭ観察し、下記の式に基づいてエッチングファクタ（ＥＦ）を求めた。
ＥＦ＝回路高さ／｛（回路ボトム幅−回路トップ幅）／２｝
エッチングファクタは、数値が大きいほど回路側面の傾斜角が大きいことを意味する。
ＥＦの値は各実施例及び比較例につき５回実験した結果の平均値である。
エッチング残渣は、回路パターンのＳＥＭ像を撮影し、３０００倍のＳＥＭ像から、その発生状態を評価した。具体的には、図２に示すように、回路パターンに対して垂直に直線を引き、回路パターンのボトムからエッチング残渣が発生している部分までの距離の最大値を求めることによってエッチング残渣を評価した。この評価において、当該距離の最大値が１μｍ以下であったものを〇、当該距離の最大値が１μｍを超えたものを×と表す。
＜ピール強度の評価＞
９０度ピール強度の測定は、ＪＩＳ Ｃ６４７１：１９９５に準拠して行った。具体的には、回路（表面処理銅箔）幅を３ｍｍとし、９０度の角度で５０ｍｍ／分の速度で市販の基材（ＦＲ−４プリプレグ）と表面処理銅箔との間を引き剥がしたときの強度を測定した。測定は２回行い、その平均値をピール強度の結果とした。なお、ピール強度は、０．５ｋｇｆ／ｃｍ以上であれば、導体と基材との接着性が良好であるといえる。
なお、回路幅の調整は、塩化銅エッチング液を用いる通常のサブトラクティブエッチング方法によって行った。また、ピール強度の評価は、初期（エッチング直後）、及びはんだリフロー相当の熱履歴（２６０℃、２０秒）後の２条件で評価した。
９０度ピール強度の測定は、ＪＩＳ Ｃ６４７１：１９９５に準拠して行った。具体的には、回路（表面処理銅箔）幅を３ｍｍとし、９０度の角度で５０ｍｍ／分の速度で市販の基材（ＦＲ−４プリプレグ）と表面処理銅箔との間を引き剥がしたときの強度を測定した。測定は２回行い、その平均値をピール強度の結果とした。なお、ピール強度は、０．５ｋｇｆ／ｃｍ以上であれば、導体と基材との接着性が良好であるといえる。
なお、回路幅の調整は、塩化銅エッチング液を用いる通常のサブトラクティブエッチング方法によって行った。また、ピール強度の評価は、初期（エッチング直後）、及びはんだリフロー相当の熱履歴（２６０℃、２０秒）後の２条件で評価した。
上記の評価結果を表１〜３に示す。
表１〜３に示されるように、第一表面処理層のＮｉ濃度が０．１〜１５．０ａｔｍ％である表面処理銅箔実施例１〜４は、エッチングファクタが高かったのに対し、第一表面処理層のＮｉ濃度が１５．０ａｔｍ％を超えた比較例１は、エッチングファクタが低かった。また、実施例１〜４は、ピール強度も高く、エッチング残渣も少なかった。
以上の結果からわかるように、本発明の実施形態によれば、回路形成性に優れた表面処理銅箔及び銅張積層板を提供することができる。また、本発明の実施形態によれば、ファインピッチ化された回路パターンを有するプリント配線板を提供することができる。
本発明の実施形態は、以下の態様をとることもできる。
＜１＞
銅箔と、前記銅箔の一方の面に形成された第一表面処理層とを有し、
前記第一表面処理層は、ＸＰＳのデプスプロファイルにおいて、スパッタリングレート２．５ｎｍ／分（ＳｉＯ2換算）で１分スパッタリングを行ったときのＣ、Ｎ、Ｏ、Ｚｎ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｓｉ及びＣｕの元素の合計量に対するＮｉ濃度が０．１〜１５．０ａｔｍ％である表面処理銅箔。
＜２＞
前記Ｎｉ濃度が１．０〜３．５ａｔｍ％である、上記＜１＞に記載の表面処理銅箔。
＜３＞
前記第一表面処理層は、ＸＰＳのデプスプロファイルにおいて、スパッタリングレート２．５ｎｍ／分（ＳｉＯ2換算）で１分スパッタリングを行ったときのＣ、Ｎ、Ｏ、Ｚｎ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｓｉ及びＣｕの元素の合計量に対するＺｎ濃度が５．０〜４０．０ａｔｍ％である、上記＜１＞又は＜２＞に記載の表面処理銅箔。
＜１＞
銅箔と、前記銅箔の一方の面に形成された第一表面処理層とを有し、
前記第一表面処理層は、ＸＰＳのデプスプロファイルにおいて、スパッタリングレート２．５ｎｍ／分（ＳｉＯ2換算）で１分スパッタリングを行ったときのＣ、Ｎ、Ｏ、Ｚｎ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｓｉ及びＣｕの元素の合計量に対するＮｉ濃度が０．１〜１５．０ａｔｍ％である表面処理銅箔。
＜２＞
前記Ｎｉ濃度が１．０〜３．５ａｔｍ％である、上記＜１＞に記載の表面処理銅箔。
＜３＞
前記第一表面処理層は、ＸＰＳのデプスプロファイルにおいて、スパッタリングレート２．５ｎｍ／分（ＳｉＯ2換算）で１分スパッタリングを行ったときのＣ、Ｎ、Ｏ、Ｚｎ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｓｉ及びＣｕの元素の合計量に対するＺｎ濃度が５．０〜４０．０ａｔｍ％である、上記＜１＞又は＜２＞に記載の表面処理銅箔。
＜４＞
前記Ｚｎ濃度が１０．０〜３０．０ａｔｍ％である、上記＜３＞に記載の表面処理銅箔。
＜５＞
前記第一表面処理層は、ＸＰＳのデプスプロファイルにおいて、スパッタリングレート２．５ｎｍ／分（ＳｉＯ2換算）でスパッタリングを行ったときの１分〜２分間のＣ、Ｎ、Ｏ、Ｚｎ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｓｉ及びＣｕの元素の合計量に対するＮｉ濃度の積分値が０．１〜１８．０ａｔｍ％である、上記＜１＞〜＜４＞のいずれか一つに記載の表面処理銅箔。
＜６＞
前記第一表面処理層は、ＸＰＳのデプスプロファイルにおいて、スパッタリングレート２．５ｎｍ／分（ＳｉＯ2換算）でスパッタリングを行ったときの１分〜２分間のＣ、Ｎ、Ｏ、Ｚｎ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｓｉ及びＣｕの元素の合計量に対するＺｎ濃度の積分値が５．０〜４０．０ａｔｍ％である、上記＜１＞〜＜５＞のいずれか一つに記載の表面処理銅箔。
＜７＞
前記第一表面処理層は、ＸＰＳのデプスプロファイルにおいて、スパッタリングレート２．５ｎｍ／分（ＳｉＯ2換算）でスパッタリングを行ったときの１分〜２分間のＣ、Ｎ、Ｏ、Ｚｎ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｓｉ及びＣｕの元素の合計量に対するＮｉ及びＺｎ濃度の積分値の和が１０．０〜４５．０ａｔｍ％である、上記＜１＞〜＜６＞のいずれか一つに記載の表面処理銅箔。
前記Ｚｎ濃度が１０．０〜３０．０ａｔｍ％である、上記＜３＞に記載の表面処理銅箔。
＜５＞
前記第一表面処理層は、ＸＰＳのデプスプロファイルにおいて、スパッタリングレート２．５ｎｍ／分（ＳｉＯ2換算）でスパッタリングを行ったときの１分〜２分間のＣ、Ｎ、Ｏ、Ｚｎ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｓｉ及びＣｕの元素の合計量に対するＮｉ濃度の積分値が０．１〜１８．０ａｔｍ％である、上記＜１＞〜＜４＞のいずれか一つに記載の表面処理銅箔。
＜６＞
前記第一表面処理層は、ＸＰＳのデプスプロファイルにおいて、スパッタリングレート２．５ｎｍ／分（ＳｉＯ2換算）でスパッタリングを行ったときの１分〜２分間のＣ、Ｎ、Ｏ、Ｚｎ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｓｉ及びＣｕの元素の合計量に対するＺｎ濃度の積分値が５．０〜４０．０ａｔｍ％である、上記＜１＞〜＜５＞のいずれか一つに記載の表面処理銅箔。
＜７＞
前記第一表面処理層は、ＸＰＳのデプスプロファイルにおいて、スパッタリングレート２．５ｎｍ／分（ＳｉＯ2換算）でスパッタリングを行ったときの１分〜２分間のＣ、Ｎ、Ｏ、Ｚｎ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｓｉ及びＣｕの元素の合計量に対するＮｉ及びＺｎ濃度の積分値の和が１０．０〜４５．０ａｔｍ％である、上記＜１＞〜＜６＞のいずれか一つに記載の表面処理銅箔。
＜８＞
前記第一表面処理層は、ＸＰＳのデプスプロファイルにおいて、スパッタリングレート２．５ｎｍ／分（ＳｉＯ2換算）で７分スパッタリングを行ったときのＣ、Ｎ、Ｏ、Ｚｎ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｓｉ及びＣｕの元素の合計量に対するＣｕ濃度が７０〜９８ａｔｍ％である、上記＜１＞〜＜７＞のいずれか一つに記載の表面処理銅箔。
＜９＞
前記第一表面処理層は、ＪＩＳ Ｂ０６０１：１９９４に規定される十点平均粗さＲｚが０．４〜１．２μｍである、上記＜１＞〜＜８＞のいずれか一つに記載の表面処理銅箔。
＜１０＞
前記第一表面処理層は、以下の（Ａ）〜（Ｅ）の少なくとも１つを満たす、上記＜１＞〜＜９＞のいずれか一つに記載の表面処理銅箔。
（Ａ）二乗平均平方根高さＳｑが０．２０〜０．３２μｍである
（Ｂ）突出谷部深さＳｖｋが０．３１〜０．３８μｍである
（Ｃ）ＪＩＳ Ｂ０６０１：２０１３に基づく粗さ曲線要素の平均長さＲＳｍが５〜１０μｍである
（Ｄ）ＪＩＳ Ｂ０６３１：２０００に基づく粗さモチーフの平均長さＡＲが６〜２０μｍである
（Ｅ）ＪＩＳ Ｚ８７３０：２００９の幾何条件Ｃに基づき測定されるＣＩＥ Ｌ*ａ*ｂ*表色系のＬ*が３９．０〜９４．０である
前記第一表面処理層は、ＸＰＳのデプスプロファイルにおいて、スパッタリングレート２．５ｎｍ／分（ＳｉＯ2換算）で７分スパッタリングを行ったときのＣ、Ｎ、Ｏ、Ｚｎ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｓｉ及びＣｕの元素の合計量に対するＣｕ濃度が７０〜９８ａｔｍ％である、上記＜１＞〜＜７＞のいずれか一つに記載の表面処理銅箔。
＜９＞
前記第一表面処理層は、ＪＩＳ Ｂ０６０１：１９９４に規定される十点平均粗さＲｚが０．４〜１．２μｍである、上記＜１＞〜＜８＞のいずれか一つに記載の表面処理銅箔。
＜１０＞
前記第一表面処理層は、以下の（Ａ）〜（Ｅ）の少なくとも１つを満たす、上記＜１＞〜＜９＞のいずれか一つに記載の表面処理銅箔。
（Ａ）二乗平均平方根高さＳｑが０．２０〜０．３２μｍである
（Ｂ）突出谷部深さＳｖｋが０．３１〜０．３８μｍである
（Ｃ）ＪＩＳ Ｂ０６０１：２０１３に基づく粗さ曲線要素の平均長さＲＳｍが５〜１０μｍである
（Ｄ）ＪＩＳ Ｂ０６３１：２０００に基づく粗さモチーフの平均長さＡＲが６〜２０μｍである
（Ｅ）ＪＩＳ Ｚ８７３０：２００９の幾何条件Ｃに基づき測定されるＣＩＥ Ｌ*ａ*ｂ*表色系のＬ*が３９．０〜９４．０である
＜１１＞
前記銅箔が圧延銅箔である、上記＜１＞〜＜１０＞のいずれか一つに記載の表面処理銅箔。
＜１２＞
上記＜１＞〜＜１１＞のいずれか一つに記載の表面処理銅箔と、前記表面処理銅箔の第一表面処理層に接着された絶縁基材とを備える銅張積層板。
＜１３＞
上記＜１２＞に記載の銅張積層板の前記表面処理銅箔をエッチングして形成された回路パターンを備えるプリント配線板。
前記銅箔が圧延銅箔である、上記＜１＞〜＜１０＞のいずれか一つに記載の表面処理銅箔。
＜１２＞
上記＜１＞〜＜１１＞のいずれか一つに記載の表面処理銅箔と、前記表面処理銅箔の第一表面処理層に接着された絶縁基材とを備える銅張積層板。
＜１３＞
上記＜１２＞に記載の銅張積層板の前記表面処理銅箔をエッチングして形成された回路パターンを備えるプリント配線板。
１ 表面処理銅箔
２ 銅箔
３ 第一表面処理層
４ 第二表面処理層
１０ 銅張積層板
１１ 絶縁基材
２０ レジストパターン
２ 銅箔
３ 第一表面処理層
４ 第二表面処理層
１０ 銅張積層板
１１ 絶縁基材
２０ レジストパターン
Claims (13)
- 銅箔と、前記銅箔の一方の面に形成された第一表面処理層とを有し、
前記第一表面処理層は、ＸＰＳのデプスプロファイルにおいて、スパッタリングレート２．５ｎｍ／分（ＳｉＯ2換算）で１分スパッタリングを行ったときのＣ、Ｎ、Ｏ、Ｚｎ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｓｉ及びＣｕの元素の合計量に対するＮｉ濃度が０．１〜１５．０ａｔｍ％である表面処理銅箔。 - 前記Ｎｉ濃度が１．０〜３．５ａｔｍ％である、請求項１に記載の表面処理銅箔。
- 前記第一表面処理層は、ＸＰＳのデプスプロファイルにおいて、スパッタリングレート２．５ｎｍ／分（ＳｉＯ2換算）で１分スパッタリングを行ったときのＣ、Ｎ、Ｏ、Ｚｎ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｓｉ及びＣｕの元素の合計量に対するＺｎ濃度が５．０〜４０．０ａｔｍ％である、請求項１又は２に記載の表面処理銅箔。
- 前記Ｚｎ濃度が１０．０〜３０．０ａｔｍ％である、請求項３に記載の表面処理銅箔。
- 前記第一表面処理層は、ＸＰＳのデプスプロファイルにおいて、スパッタリングレート２．５ｎｍ／分（ＳｉＯ2換算）でスパッタリングを行ったときの１分〜２分間のＣ、Ｎ、Ｏ、Ｚｎ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｓｉ及びＣｕの元素の合計量に対するＮｉ濃度の積分値が０．１〜１８．０ａｔｍ％である、請求項１〜４のいずれか一項に記載の表面処理銅箔。
- 前記第一表面処理層は、ＸＰＳのデプスプロファイルにおいて、スパッタリングレート２．５ｎｍ／分（ＳｉＯ2換算）でスパッタリングを行ったときの１分〜２分間のＣ、Ｎ、Ｏ、Ｚｎ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｓｉ及びＣｕの元素の合計量に対するＺｎ濃度の積分値が５．０〜４０．０ａｔｍ％である、請求項１〜５のいずれか一項に記載の表面処理銅箔。
- 前記第一表面処理層は、ＸＰＳのデプスプロファイルにおいて、スパッタリングレート２．５ｎｍ／分（ＳｉＯ2換算）でスパッタリングを行ったときの１分〜２分間のＣ、Ｎ、Ｏ、Ｚｎ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｓｉ及びＣｕの元素の合計量に対するＮｉ及びＺｎ濃度の積分値の和が１０．０〜４５．０ａｔｍ％である、請求項１〜６のいずれか一項に記載の表面処理銅箔。
- 前記第一表面処理層は、ＸＰＳのデプスプロファイルにおいて、スパッタリングレート２．５ｎｍ／分（ＳｉＯ2換算）で７分スパッタリングを行ったときのＣ、Ｎ、Ｏ、Ｚｎ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｓｉ及びＣｕの元素の合計量に対するＣｕ濃度が７０〜９８ａｔｍ％である、請求項１〜７のいずれか一項に記載の表面処理銅箔。
- 前記第一表面処理層は、ＪＩＳ Ｂ０６０１：１９９４に規定される十点平均粗さＲｚが０．４〜１．２μｍである、請求項１〜８のいずれか一項に記載の表面処理銅箔。
- 前記第一表面処理層は、以下の（Ａ）〜（Ｅ）の少なくとも１つを満たす、請求項１〜９のいずれか一項に記載の表面処理銅箔。
（Ａ）二乗平均平方根高さＳｑが０．２０〜０．３２μｍである
（Ｂ）突出谷部深さＳｖｋが０．３１〜０．３８μｍである
（Ｃ）ＪＩＳ Ｂ０６０１：２０１３に基づく粗さ曲線要素の平均長さＲＳｍが５〜１０μｍである
（Ｄ）ＪＩＳ Ｂ０６３１：２０００に基づく粗さモチーフの平均長さＡＲが６〜２０μｍである
（Ｅ）ＪＩＳ Ｚ８７３０：２００９の幾何条件Ｃに基づき測定されるＣＩＥ Ｌ*ａ*ｂ*表色系のＬ*が３９．０〜９４．０である - 前記銅箔が圧延銅箔である、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の表面処理銅箔。
- 請求項１〜１１のいずれか一項に記載の表面処理銅箔と、前記表面処理銅箔の第一表面処理層に接着された絶縁基材とを備える銅張積層板。
- 請求項１２に記載の銅張積層板の前記表面処理銅箔をエッチングして形成された回路パターンを備えるプリント配線板。
Applications Claiming Priority (9)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2018087551 | 2018-04-27 | ||
| JP2018087554 | 2018-04-27 | ||
| JP2018087551A JP2019081943A (ja) | 2017-10-27 | 2018-04-27 | 表面処理銅箔、銅張積層板及びプリント配線板 |
| JP2018087554 | 2018-04-27 | ||
| JP2018105116 | 2018-05-31 | ||
| JP2018105116 | 2018-05-31 | ||
| JP2018136096 | 2018-07-19 | ||
| JP2018136096 | 2018-07-19 | ||
| PCT/JP2019/017091 WO2019208520A1 (ja) | 2018-04-27 | 2019-04-22 | 表面処理銅箔、銅張積層板及びプリント配線板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPWO2019208520A1 true JPWO2019208520A1 (ja) | 2021-06-17 |
Family
ID=68294063
Family Applications (5)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2020516357A Active JP7330172B2 (ja) | 2018-04-27 | 2019-04-22 | 表面処理銅箔、銅張積層板及びプリント配線板 |
| JP2020516356A Pending JPWO2019208521A1 (ja) | 2018-04-27 | 2019-04-22 | 表面処理銅箔、銅張積層板及びプリント配線板 |
| JP2020516355A Pending JPWO2019208520A1 (ja) | 2018-04-27 | 2019-04-22 | 表面処理銅箔、銅張積層板及びプリント配線板 |
| JP2023116118A Pending JP2023143918A (ja) | 2018-04-27 | 2023-07-14 | 表面処理銅箔、銅張積層板及びプリント配線板 |
| JP2023119346A Pending JP2023133413A (ja) | 2018-04-27 | 2023-07-21 | 表面処理銅箔、銅張積層板及びプリント配線板 |
Family Applications Before (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2020516357A Active JP7330172B2 (ja) | 2018-04-27 | 2019-04-22 | 表面処理銅箔、銅張積層板及びプリント配線板 |
| JP2020516356A Pending JPWO2019208521A1 (ja) | 2018-04-27 | 2019-04-22 | 表面処理銅箔、銅張積層板及びプリント配線板 |
Family Applications After (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2023116118A Pending JP2023143918A (ja) | 2018-04-27 | 2023-07-14 | 表面処理銅箔、銅張積層板及びプリント配線板 |
| JP2023119346A Pending JP2023133413A (ja) | 2018-04-27 | 2023-07-21 | 表面処理銅箔、銅張積層板及びプリント配線板 |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (4) | US11337314B2 (ja) |
| EP (4) | EP3786317A4 (ja) |
| JP (5) | JP7330172B2 (ja) |
| KR (4) | KR102520812B1 (ja) |
| CN (4) | CN111971421B (ja) |
| PH (4) | PH12020551282A1 (ja) |
| TW (6) | TW202314056A (ja) |
| WO (4) | WO2019208521A1 (ja) |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP3786317A4 (en) | 2018-04-27 | 2022-04-20 | JX Nippon Mining & Metals Corporation | SURFACE TREATED COPPER FOIL, COPPER COATED LAMINATE AND CIRCUIT BOARD |
| CN112805150B (zh) * | 2018-10-05 | 2023-05-02 | 松下知识产权经营株式会社 | 覆金属箔层压板、布线板、带树脂的金属箔、以及树脂组合物 |
| JP7114500B2 (ja) * | 2019-01-30 | 2022-08-08 | Ｊｘ金属株式会社 | 表面処理銅箔、銅張積層板及びプリント配線板 |
| US20230094806A1 (en) * | 2019-10-25 | 2023-03-30 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Metal-clad laminate, wiring board, resin-including metal foil, and resin composition |
| JP2023040316A (ja) * | 2020-02-21 | 2023-03-23 | 三井金属鉱業株式会社 | 表面処理金属箔及び金属張積層板 |
| KR102496228B1 (ko) * | 2020-06-11 | 2023-02-06 | 미쓰이금속광업주식회사 | 양면 동장 적층판 |
| CN115997047A (zh) * | 2020-07-16 | 2023-04-21 | 三井金属矿业株式会社 | 覆铜层叠板及印刷电路板的制造方法 |
| JPWO2022014648A1 (ja) * | 2020-07-16 | 2022-01-20 | ||
| JP7014884B1 (ja) * | 2020-12-23 | 2022-02-01 | Ｊｘ金属株式会社 | 表面処理銅箔、銅張積層板及びプリント配線板 |
| WO2022255468A1 (ja) * | 2021-06-03 | 2022-12-08 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 銅張積層板 |
| CN113540470B (zh) * | 2021-06-08 | 2022-10-28 | 浙江工业大学 | 一种双面粗糙铜箔及其制备方法 |
| WO2023181627A1 (ja) * | 2022-03-22 | 2023-09-28 | 三井化学株式会社 | 構造体、構造体の製造方法及び接合体 |
| WO2024070246A1 (ja) * | 2022-09-28 | 2024-04-04 | Ｊｘ金属株式会社 | 表面処理銅箔、銅張積層板及びプリント配線板 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010074053A1 (ja) * | 2008-12-26 | 2010-07-01 | 日鉱金属株式会社 | 電子回路用の圧延銅箔又は電解銅箔及びこれらを用いた電子回路の形成方法 |
| WO2010074072A1 (ja) * | 2008-12-26 | 2010-07-01 | 日鉱金属株式会社 | 電子回路用の圧延銅箔又は電解銅箔及びこれらを用いた電子回路の形成方法 |
| WO2010074061A1 (ja) * | 2008-12-26 | 2010-07-01 | 日鉱金属株式会社 | 電子回路用の圧延銅箔又は電解銅箔及びこれらを用いた電子回路の形成方法 |
| WO2010147013A1 (ja) * | 2009-06-19 | 2010-12-23 | Jx日鉱日石金属株式会社 | 銅箔及びその製造方法 |
| JP2016010961A (ja) * | 2013-07-30 | 2016-01-21 | 古河電気工業株式会社 | 配線板用銅箔及び配線板 |
| WO2016038923A1 (ja) * | 2014-09-09 | 2016-03-17 | 古河電気工業株式会社 | プリント配線板用銅箔及び銅張積層板 |
Family Cites Families (60)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW230290B (ja) * | 1991-11-15 | 1994-09-11 | Nikko Guruder Foreer Kk | |
| JPH0787270B2 (ja) | 1992-02-19 | 1995-09-20 | 日鉱グールド・フォイル株式会社 | 印刷回路用銅箔及びその製造方法 |
| US5552234A (en) | 1993-03-29 | 1996-09-03 | Japan Energy Corporation | Copper foil for printed circuits |
| JP2849059B2 (ja) | 1995-09-28 | 1999-01-20 | 日鉱グールド・フォイル株式会社 | 印刷回路用銅箔の処理方法 |
| JP3032514B1 (ja) * | 1998-12-14 | 2000-04-17 | 株式会社日鉱マテリアルズ | 光沢面の耐酸化性に優れた銅箔及びその製造方法 |
| US6497806B1 (en) | 2000-04-25 | 2002-12-24 | Nippon Denkai, Ltd. | Method of producing a roughening-treated copper foil |
| JP3258308B2 (ja) | 2000-02-03 | 2002-02-18 | 株式会社日鉱マテリアルズ | レーザー穴開け性に優れた銅箔及びその製造方法 |
| TW511408B (en) | 2000-09-18 | 2002-11-21 | Nippon Denkai Kk | Method of producing copper foil for fine wiring |
| KR100602896B1 (ko) * | 2002-06-04 | 2006-07-19 | 미쓰이 긴조꾸 고교 가부시키가이샤 | 저유전성 기재용 표면처리 동박과 그것을 사용한 동클래드적층판 및 프린트 배선판 |
| JP2008279663A (ja) * | 2007-05-10 | 2008-11-20 | Nikko Kinzoku Kk | 銅張り積層板用Ａｌ被膜付き銅箔及び銅張り積層板 |
| EP2216427B1 (en) * | 2007-09-28 | 2013-01-23 | JX Nippon Mining & Metals Corporation | Copper foil for printed circuit and copper clad laminate |
| JP4938130B2 (ja) * | 2008-06-17 | 2012-05-23 | Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 | 印刷回路基板用銅箔及び印刷回路基板用銅張積層板 |
| WO2010010892A1 (ja) | 2008-07-22 | 2010-01-28 | 古河電気工業株式会社 | フレキシブル銅張積層板 |
| EP2351876A1 (en) | 2008-11-25 | 2011-08-03 | JX Nippon Mining & Metals Corporation | Copper foil for printed circuit |
| WO2010074054A1 (ja) * | 2008-12-26 | 2010-07-01 | 日鉱金属株式会社 | 電子回路の形成方法 |
| EP2384101A4 (en) * | 2009-01-29 | 2012-08-29 | Jx Nippon Mining & Metals Corp | ROLLED COPPER FOIL OR ELECTROLYTE COPPER FOIL FOR ELECTRONIC CIRCUITS, AND METHOD FOR CONSTRUCTION OF ELECTRONIC SWITCHING THEREWITH |
| JP5282675B2 (ja) | 2009-06-23 | 2013-09-04 | 日立電線株式会社 | プリント配線板用銅箔およびその製造方法 |
| CN102124823B (zh) | 2009-06-30 | 2013-03-06 | Jx日矿日石金属株式会社 | 印刷布线板用铜箔 |
| WO2011078077A1 (ja) | 2009-12-24 | 2011-06-30 | Jx日鉱日石金属株式会社 | 表面処理銅箔 |
| JP4927963B2 (ja) * | 2010-01-22 | 2012-05-09 | 古河電気工業株式会社 | 表面処理銅箔、その製造方法及び銅張積層基板 |
| CN102783255B (zh) * | 2010-02-24 | 2017-04-19 | 吉坤日矿日石金属株式会社 | 印刷电路基板用铜箔及印刷电路基板用覆铜层压板 |
| KR101328235B1 (ko) | 2010-05-07 | 2013-11-14 | 제이엑스 닛코 닛세키 킨조쿠 가부시키가이샤 | 인쇄 회로용 동박 |
| JP2012204267A (ja) | 2011-03-28 | 2012-10-22 | Fujifilm Corp | 面状照明装置 |
| JP5794806B2 (ja) * | 2011-03-30 | 2015-10-14 | 古河電気工業株式会社 | 表面処理銅箔、および、該表面処理銅箔を用いた銅張積層基板、並びにプリント配線基板 |
| WO2012132577A1 (ja) * | 2011-03-30 | 2012-10-04 | Jx日鉱日石金属株式会社 | 印刷回路用銅箔 |
| JP5654416B2 (ja) * | 2011-06-07 | 2015-01-14 | Jx日鉱日石金属株式会社 | 液晶ポリマー銅張積層板及び当該積層板に用いる銅箔 |
| JP5970457B2 (ja) | 2011-07-26 | 2016-08-17 | 株式会社きもと | 静電容量式タッチパネルおよび防眩性フィルム |
| JP6111017B2 (ja) | 2012-02-03 | 2017-04-05 | Ｊｘ金属株式会社 | プリント配線板用銅箔及びそれを用いた積層体、プリント配線板及び電子部品 |
| CN102586831B (zh) * | 2012-03-12 | 2014-11-19 | 山东金宝电子股份有限公司 | 一种降低电解铜箔粗糙度的表面处理工艺 |
| JP5204908B1 (ja) * | 2012-03-26 | 2013-06-05 | Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 | キャリア付銅箔、キャリア付銅箔の製造方法、プリント配線板用キャリア付銅箔及びプリント配線板 |
| MY169065A (en) * | 2012-03-29 | 2019-02-12 | Jx Nippon Mining & Metals Corp | Surface-treated copper foil |
| US10070521B2 (en) | 2012-03-29 | 2018-09-04 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Surface-treated copper foil |
| JP5362921B1 (ja) * | 2012-11-09 | 2013-12-11 | Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 | 表面処理銅箔及びそれを用いた積層板 |
| JP5362924B1 (ja) * | 2012-11-09 | 2013-12-11 | Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 | 表面処理銅箔及びそれを用いた積層板 |
| JP5362898B1 (ja) * | 2012-11-09 | 2013-12-11 | Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 | 表面処理銅箔及びそれを用いた積層板、プリント配線板並びに銅張積層板 |
| JP6140480B2 (ja) * | 2013-03-05 | 2017-05-31 | Ｊｘ金属株式会社 | キャリア付銅箔、キャリア付銅箔の製造方法、プリント配線板、プリント回路板、銅張積層板、及び、プリント配線板の製造方法 |
| JP6266907B2 (ja) | 2013-07-03 | 2018-01-24 | 新光電気工業株式会社 | 配線基板及び配線基板の製造方法 |
| TW201528449A (zh) | 2013-11-07 | 2015-07-16 | Asahi Glass Co Ltd | 脫模膜、及半導體封裝件之製造方法 |
| JP5710737B1 (ja) | 2013-11-29 | 2015-04-30 | Jx日鉱日石金属株式会社 | 表面処理銅箔、積層板、プリント配線板、プリント回路板及び電子機器 |
| TWI574589B (zh) * | 2013-12-10 | 2017-03-11 | Jx Nippon Mining & Metals Corp | Manufacturing method of surface-treated copper foil, copper-clad laminate, printed wiring board, electronic machine and printed wiring board |
| JP2015124426A (ja) * | 2013-12-27 | 2015-07-06 | 株式会社Ｓｈカッパープロダクツ | 表面処理銅箔及び積層板 |
| JP2015134953A (ja) * | 2014-01-17 | 2015-07-27 | Jx日鉱日石金属株式会社 | 表面処理銅箔、キャリア付銅箔、プリント配線板、プリント回路板、銅張積層板及びプリント配線板の製造方法 |
| TWI616122B (zh) * | 2014-05-28 | 2018-02-21 | Jx Nippon Mining & Metals Corp | 表面處理銅箔、附載體銅箔、積層體、印刷配線板、電子機器、表面處理銅箔的製造方法及印刷配線板的製造方法 |
| CN106687623B (zh) * | 2014-09-02 | 2019-07-16 | 三井金属矿业株式会社 | 黑化表面处理铜箔和带有载体箔的铜箔 |
| JP6248020B2 (ja) | 2014-09-29 | 2017-12-13 | 積水化成品工業株式会社 | 繊維強化複合体の製造方法 |
| JP6023367B1 (ja) * | 2015-06-17 | 2016-11-09 | Ｊｘ金属株式会社 | キャリア付銅箔、積層体、プリント配線板の製造方法及び電子機器の製造方法 |
| JP6064308B2 (ja) * | 2015-07-03 | 2017-01-25 | Toto株式会社 | ボンディングキャピラリ |
| MY177676A (en) | 2015-07-03 | 2020-09-23 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | Roughened copper foil, copper-clad laminate and printed wiring board |
| JP6058182B1 (ja) * | 2015-07-27 | 2017-01-11 | Ｊｘ金属株式会社 | キャリア付銅箔、積層体、プリント配線板の製造方法及び電子機器の製造方法 |
| JP6006445B1 (ja) | 2015-07-27 | 2016-10-12 | Ｊｘ金属株式会社 | キャリア付銅箔、積層体、プリント配線板の製造方法及び電子機器の製造方法 |
| JP6339636B2 (ja) * | 2015-08-06 | 2018-06-06 | Ｊｘ金属株式会社 | キャリア付銅箔、積層体、プリント配線板の製造方法及び電子機器の製造方法 |
| TWI597390B (zh) * | 2015-11-10 | 2017-09-01 | Jx Nippon Mining & Metals Corp | Electrolytic copper foil, manufacturing method of electrolytic copper foil, copper clad laminated board, printed wiring board, the manufacturing method of a printed wiring board, and the manufacturing method of an electronic device |
| US10495788B2 (en) | 2016-05-17 | 2019-12-03 | Canon Kabushiki Kaisha | Resin molded product, interchangeable lens for camera, and method of manufacturing resin molded product |
| US10820414B2 (en) * | 2016-12-05 | 2020-10-27 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Surface treated copper foil, copper foil with carrier, laminate, method for manufacturing printed wiring board, and method for manufacturing electronic device |
| US10529992B2 (en) * | 2017-02-03 | 2020-01-07 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Surface-treated copper foil, and current collector, electrode, and battery cell using the surface-treated copper foil |
| JP7033905B2 (ja) * | 2017-02-07 | 2022-03-11 | Ｊｘ金属株式会社 | 表面処理銅箔、キャリア付銅箔、積層体、プリント配線板の製造方法及び電子機器の製造方法 |
| JP2018145519A (ja) * | 2017-03-03 | 2018-09-20 | Ｊｘ金属株式会社 | 表面処理銅箔、キャリア付銅箔、積層体、プリント配線板の製造方法及び電子機器の製造方法 |
| JP7055049B2 (ja) * | 2017-03-31 | 2022-04-15 | Ｊｘ金属株式会社 | 表面処理銅箔及びそれを用いた積層板、キャリア付銅箔、プリント配線板、電子機器、並びに、プリント配線板の製造方法 |
| TWI652163B (zh) | 2017-11-15 | 2019-03-01 | 財團法人工業技術研究院 | 高頻電路用銅箔及其製造方法 |
| EP3786317A4 (en) | 2018-04-27 | 2022-04-20 | JX Nippon Mining & Metals Corporation | SURFACE TREATED COPPER FOIL, COPPER COATED LAMINATE AND CIRCUIT BOARD |
-
2019
- 2019-04-22 EP EP19793376.5A patent/EP3786317A4/en active Pending
- 2019-04-22 WO PCT/JP2019/017092 patent/WO2019208521A1/ja active Application Filing
- 2019-04-22 JP JP2020516357A patent/JP7330172B2/ja active Active
- 2019-04-22 US US16/497,996 patent/US11337314B2/en active Active
- 2019-04-22 CN CN201980025877.7A patent/CN111971421B/zh active Active
- 2019-04-22 CN CN201980025253.5A patent/CN111971420B/zh active Active
- 2019-04-22 KR KR1020207033189A patent/KR102520812B1/ko active IP Right Grant
- 2019-04-22 CN CN201980026041.9A patent/CN111989425B/zh active Active
- 2019-04-22 EP EP19793296.5A patent/EP3786316A4/en active Pending
- 2019-04-22 US US16/498,032 patent/US11337315B2/en active Active
- 2019-04-22 US US16/498,003 patent/US11375624B2/en active Active
- 2019-04-22 KR KR1020207033187A patent/KR102499096B1/ko active IP Right Grant
- 2019-04-22 EP EP19793637.0A patent/EP3786318A4/en active Pending
- 2019-04-22 CN CN201980028017.9A patent/CN112041485B/zh active Active
- 2019-04-22 WO PCT/JP2019/017096 patent/WO2019208525A1/ja active Application Filing
- 2019-04-22 JP JP2020516356A patent/JPWO2019208521A1/ja active Pending
- 2019-04-22 WO PCT/JP2019/017093 patent/WO2019208522A1/ja active Application Filing
- 2019-04-22 EP EP19791996.2A patent/EP3786315A4/en active Pending
- 2019-04-22 JP JP2020516355A patent/JPWO2019208520A1/ja active Pending
- 2019-04-22 WO PCT/JP2019/017091 patent/WO2019208520A1/ja active Application Filing
- 2019-04-22 KR KR1020207029313A patent/KR102393826B1/ko active IP Right Grant
- 2019-04-22 KR KR1020207029286A patent/KR102394732B1/ko active IP Right Grant
- 2019-04-22 US US16/498,010 patent/US11382217B2/en active Active
- 2019-04-25 TW TW111147252A patent/TW202314056A/zh unknown
- 2019-04-25 TW TW108114428A patent/TWI776049B/zh active
- 2019-04-25 TW TW108114431A patent/TW201945598A/zh unknown
- 2019-04-25 TW TW112120131A patent/TW202340543A/zh unknown
- 2019-04-25 TW TW108114432A patent/TWI707071B/zh active
- 2019-04-25 TW TW108114434A patent/TWI701361B/zh active
-
2020
- 2020-08-19 PH PH12020551282A patent/PH12020551282A1/en unknown
- 2020-08-26 PH PH12020551364A patent/PH12020551364A1/en unknown
- 2020-08-26 PH PH12020551363A patent/PH12020551363A1/en unknown
- 2020-10-19 PH PH12020551737A patent/PH12020551737A1/en unknown
-
2023
- 2023-07-14 JP JP2023116118A patent/JP2023143918A/ja active Pending
- 2023-07-21 JP JP2023119346A patent/JP2023133413A/ja active Pending
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010074053A1 (ja) * | 2008-12-26 | 2010-07-01 | 日鉱金属株式会社 | 電子回路用の圧延銅箔又は電解銅箔及びこれらを用いた電子回路の形成方法 |
| WO2010074072A1 (ja) * | 2008-12-26 | 2010-07-01 | 日鉱金属株式会社 | 電子回路用の圧延銅箔又は電解銅箔及びこれらを用いた電子回路の形成方法 |
| WO2010074061A1 (ja) * | 2008-12-26 | 2010-07-01 | 日鉱金属株式会社 | 電子回路用の圧延銅箔又は電解銅箔及びこれらを用いた電子回路の形成方法 |
| WO2010147013A1 (ja) * | 2009-06-19 | 2010-12-23 | Jx日鉱日石金属株式会社 | 銅箔及びその製造方法 |
| JP2016010961A (ja) * | 2013-07-30 | 2016-01-21 | 古河電気工業株式会社 | 配線板用銅箔及び配線板 |
| WO2016038923A1 (ja) * | 2014-09-09 | 2016-03-17 | 古河電気工業株式会社 | プリント配線板用銅箔及び銅張積層板 |
Also Published As
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPWO2019208520A1 (ja) | 表面処理銅箔、銅張積層板及びプリント配線板 | |
| JP2023009304A (ja) | 表面処理銅箔、銅張積層板及びプリント配線板 | |
| JP2023009305A (ja) | 表面処理銅箔、銅張積層板及びプリント配線板 | |
| JP7526093B2 (ja) | 表面処理銅箔、銅張積層板及びプリント配線板 | |
| WO2024070248A1 (ja) | 表面処理銅箔、銅張積層板及びプリント配線板 | |
| WO2024070245A1 (ja) | 表面処理銅箔、銅張積層板及びプリント配線板 | |
| WO2024070247A1 (ja) | 表面処理銅箔、銅張積層板及びプリント配線板 | |
| WO2022153580A1 (ja) | 表面処理銅箔、銅張積層板及びプリント配線板 | |
| WO2024070246A1 (ja) | 表面処理銅箔、銅張積層板及びプリント配線板 | |
| WO2023281773A1 (ja) | 表面処理銅箔、銅張積層板及びプリント配線板 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20220316 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20230307 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230425 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20230613 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20231017 |