JP5919345B2 - キャリア付銅箔の製造方法、銅張積層板の製造方法、プリント配線板の製造方法、電子機器の製造方法、キャリア付銅箔、銅張積層板、プリント配線板及び電子機器 - Google Patents
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Description
前記キャリア付銅箔と絶縁基板とを積層する工程、及び、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板とを積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程を経て銅張積層板を形成し、
その後、セミアディティブ法、サブトラクティブ法、パートリーアディティブ法又はモディファイドセミアディティブ法のいずれかの方法によって、回路を形成する工程を含むプリント配線板の製造方法である。
前記回路が埋没するように前記キャリア付銅箔の前記極薄銅層側表面に樹脂層を形成する工程、
前記樹脂層上に回路を形成する工程、
前記樹脂層上に回路を形成した後に、前記キャリアを剥離させる工程、及び、
前記キャリアを剥離させた後に、前記極薄銅層を除去することで、前記極薄銅層側表面に形成した、前記樹脂層に埋没している回路を露出させる工程
を含むプリント配線板の製造方法である。
(1)非接触式粗さ測定によって得られた表面の断面形状において、隣接する凹部から凸部までの高さの平均値が20〜60μm
(2)非接触式粗さ測定によって得られた表面の断面形状において、隣接する凹部と凹部との距離の平均値が400〜700μm
キャリア、中間層、極薄銅層をこの順に備えたキャリア付銅箔の使用形態としては、まず、極薄銅層の表面を絶縁基板に貼り合わせて熱圧着後にキャリアを剥がす。続いて、絶縁基板に接着した極薄銅層を目的とする導体パターンに銅めっきおよび/またはエッチングすることで、例えば、所定の回路を有するプリント配線板等を作製する。ここで、上述のように極薄銅層の表面を絶縁基板に貼り合わせて熱圧着したとき、キャリア/極薄銅層間、又は、粗化処理層等に発生する水蒸気等の気体によって気泡(フクレ)が発生することがある。このようなフクレが発生すると、回路形成に用いる極薄銅層が陥没し、回路形成性に悪影響を及ぼすという問題が生じる。これに対し、本発明のキャリア付銅箔の製造方法では、キャリア、中間層、極薄銅層をこの順に備えたキャリア付銅箔を準備した後、当該キャリア付銅箔に対し、120〜240℃で0.5〜4時間の加熱処理を行う。このように、事前に120〜240℃で0.5〜4時間の加熱処理を行っておくことで、キャリア/極薄銅層間、又は、粗化処理層等に発生する水蒸気等の気体が除去されるため、当該キャリア付銅箔を絶縁基板に貼り合わせて熱圧着するときに、フクレの発生を良好に抑制することができる。当該事前の加熱処理において、温度が120℃未満、または、加熱時間が0.5時間未満の場合、水蒸気等の気体の除去を十分に行うことが困難となる。また、当該事前の加熱処理において、温度が240℃超、または、加熱時間が4時間超の場合、酸化による銅箔の変色の発生、及び、キャリアと極薄銅層との密着特性の劣化等の問題が生じる。当該加熱処理工程において、160〜200℃で1〜4時間の加熱処理を行うのが好ましく、180〜200℃で2〜4時間の加熱処理を行うのがより好ましい。また、当該加熱処理工程において、フクレを生じさせる水蒸気等の気体を含まないような雰囲気下で加熱処理を行うのが好ましく、例えば、ヘリウム、ネオン、アルゴン、窒素等の不活性ガス雰囲気下で加熱処理を行うのが好ましい。
以下、特に明記しない限り、キャリア付銅箔の実施形態は本発明に係る事前加熱処理前のものについて説明するが、当該実施形態は、事前加熱処理後のもの(本発明に係るキャリア付銅箔の製造方法によって作製されたキャリア付銅箔)にも同様に当てはまる。
本発明のキャリア付銅箔は、キャリアと、中間層と、極薄銅層とをこの順で有する。キャリア付銅箔自体の使用方法は当業者に周知であるが、例えば極薄銅層の表面を紙基材フェノール樹脂、紙基材エポキシ樹脂、合成繊維布基材エポキシ樹脂、ガラス布・紙複合基材エポキシ樹脂、ガラス布・ガラス不織布複合基材エポキシ樹脂及びガラス布基材エポキシ樹脂、ポリエステルフィルム、ポリイミドフィルム、液晶ポリマーフィルム、フッ素樹脂フィルム等の絶縁基板に貼り合わせて熱圧着後にキャリアを剥がし、絶縁基板に接着した極薄銅層を目的とする導体パターンにエッチングし、最終的にプリント配線板を製造することができる。
(1)非接触式粗さ測定によって得られた表面の断面形状において、隣接する凹部から凸部までの高さの平均値が20〜60μm
(2)非接触式粗さ測定によって得られた表面の断面形状において、隣接する凹部と凹部との距離の平均値が400〜700μm
本発明に用いることのできるキャリアは典型的には金属箔または樹脂フィルムであり、例えば銅箔、銅合金箔、ニッケル箔、ニッケル合金箔、鉄箔、鉄合金箔、ステンレス箔、アルミニウム箔、アルミニウム合金箔、絶縁樹脂フィルム、ポリイミドフィルム、LCDフィルムの形態で提供される。
本発明に用いることのできるキャリアは典型的には圧延銅箔や電解銅箔の形態で提供される。一般的には、電解銅箔は硫酸銅めっき浴からチタンやステンレスのドラム上に銅を電解析出して製造され、圧延銅箔は圧延ロールによる塑性加工と熱処理を繰り返して製造される。銅箔の材料としてはタフピッチ銅(JIS H3100 合金番号C1100)や無酸素銅(JIS H3100 合金番号C1020またはJIS H3510 合金番号C1011)といった高純度の銅の他、例えばSn入り銅、Ag入り銅、Cr、Zr又はMg等を添加した銅合金、Ni及びSi等を添加したコルソン系銅合金のような銅合金も使用可能である。
また、電解銅箔としては、以下の電解液組成及び製造条件にて作製することができる。
なお、本明細書に記載されている銅箔の製造、銅箔の表面処理又は銅箔のめっき等に用いられる処理液の残部は特に明記しない限り水である。
<電解液組成>
銅:90〜110g/L
硫酸:90〜110g/L
塩素:50〜100ppm
レベリング剤1(ビス(3スルホプロピル)ジスルフィド):10〜30ppm
レベリング剤2(アミン化合物):10〜30ppm
上記のアミン化合物には以下の化学式のアミン化合物を用いることができる。
電流密度:70〜100A/dm2
電解液温度:50〜60℃
電解液線速:3〜5m/sec
電解時間:0.5〜10分間
なお、本明細書において用語「銅箔」を単独で用いたときには銅合金箔も含むものとする。
キャリア上には中間層を設ける。キャリアと中間層との間に他の層を設けてもよい。本発明で用いる中間層は、キャリア付銅箔が絶縁基板への積層工程前にはキャリアから極薄銅層が剥離し難い一方で、絶縁基板への積層工程後にはキャリアから極薄銅層が剥離可能となるような構成であれば特に限定されない。例えば、本発明のキャリア付銅箔の中間層はCr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn、これらの合金、これらの水和物、これらの酸化物、有機物からなる群から選択される一種又は二種以上を含んでも良い。また、中間層は複数の層であっても良い。また、中間層はキャリアの両面に設けてもよい。
キャリアとして電解銅箔を使用する場合には、ピンホールを減少させる観点からシャイニー面に中間層を設けることが好ましい。
また、クロメート処理層は、例えば電解クロメートや浸漬クロメート等で形成することができるが、クロム濃度を高くすることができ、キャリアからの極薄銅層の剥離強度が良好となるため、電解クロメートで形成するのが好ましい。
なお、中間層にニッケルが含まれる場合には、ニッケル付着量は100〜40000μg/dm2であることが好ましく、500〜30000μg/dm2であることが好ましく、800〜20000μg/dm2であることが好ましく、900〜15000μg/dm2であることがより好ましい。
また、中間層にクロムが含まれる場合には、クロム付着量は1〜1000μg/dm2であることが好ましく、2〜800μg/dm2であることが好ましく、3〜150μg/dm2であることが好ましく、4〜100μg/dm2であることが好ましく、5〜50μg/dm2であることがより好ましい。
なお、中間層にモリブデン(Mo)が含まれる場合は、Moを50μg/dm2以上1000μg/dm2以下含有するのが好ましく、70μg/dm2以上650μg/dm2以下含有するのがより好ましい。
なお、中間層に亜鉛(Zn)が含まれる場合は、Znを1μg/dm2以上120μg/dm2以下含有するのが好ましく、2μg/dm2以上70μg/dm2以下含有するのがより好ましく、5μg/dm2以上50μg/dm2以下含有するのがより好ましい。
硫黄含有有機化合物には、メルカプトベンゾチアゾール、2−メルカプトベンゾチアゾールナトリウム、チオシアヌル酸及び2−ベンズイミダゾールチオール等を用いることが好ましい。
カルボン酸としては、特にモノカルボン酸を用いることが好ましく、中でもオレイン酸、リノール酸及びリノレイン酸等を用いることが好ましい。
前述の有機物は厚みで25nm以上80nm以下含有するのが好ましく、30nm以上70nm以下含有するのがより好ましい。中間層は前述の有機物を複数種類(一種以上)含んでもよい。
なお、有機物の厚みは以下のようにして測定することができる。
キャリア付銅箔の極薄銅層をキャリアから剥離した後に、露出した極薄銅層の中間層側の表面と、露出したキャリアの中間層側の表面をXPS測定し、デプスプロファイルを作成する。そして、極薄銅層の中間層側の表面から最初に炭素濃度が3at%以下となった深さをA(nm)とし、キャリアの中間層側の表面から最初に炭素濃度が3at%以下となった深さをB(nm)とし、AとBとの合計を中間層の有機物の厚み(nm)とすることができる。
XPSの稼働条件を以下に示す。
・装置:XPS測定装置(アルバックファイ社、型式5600MC)
・到達真空度:3.8×10-7Pa
・X線:単色AlKαまたは非単色MgKα、エックス線出力300W、検出面積800μmφ、試料と検出器のなす角度45°
・イオン線:イオン種Ar+、加速電圧3kV、掃引面積3mm×3mm、スパッタリングレート2.8nm/min(SiO2換算)
中間層の上には極薄銅層を設ける。中間層と極薄銅層との間には他の層を設けてもよい。極薄銅層は、硫酸銅、ピロリン酸銅、スルファミン酸銅、シアン化銅等の電解浴を利用した電気めっきにより形成することができ、高電流密度での銅層形成が可能であることから硫酸銅浴が好ましい。極薄銅層の厚みは特に制限はないが、一般的にはキャリアよりも薄く、例えば12μm以下である。典型的には0.5〜12μmであり、より典型的には1〜5μmであり、更により典型的には1.5〜5μmであり、更により典型的には2〜5μmである。なお、極薄銅層はキャリアの両面に設けてもよい。また、極薄銅層の一方の表面、又は、両方の表面に、粗化処理層、耐熱層、防錆層、クロメート処理層及びシランカップリング処理層からなる群から選択された1種以上の層を設けてもよく、表面処理層を設けてもよい。表面処理層は粗化処理層、耐熱層、防錆層、クロメート処理層及びシランカップリング処理層からなる群から選択された1種以上の層であってもよい。
また、前記粗化処理層上に、耐熱層、防錆層を備えてもよく、前記耐熱層、防錆層上にクロメート処理層を備えてもよく、前記クロメート処理層上にシランカップリング処理層を備えても良い。
また、前記キャリア付銅箔は前記極薄銅層上、あるいは前記粗化処理層上、あるいは前記耐熱層、防錆層、あるいはクロメート処理層、あるいはシランカップリング処理層の上に樹脂層を備えても良い。前記樹脂層は絶縁樹脂層であってもよい。
また、キャリア付銅箔は、キャリア上に粗化処理層を備えてもよく、キャリア上に粗化処理層、耐熱層、防錆層、クロメート処理層およびシランカップリング処理層からなる群から選択された層を一つ以上備えてもよい。前記粗化処理層、耐熱層、防錆層、クロメート処理層およびシランカップリング処理層は、公知の方法を用いて設けてもよく、本願明細書、特許請求の範囲、図面に記載の方法により設けてもよい。キャリアに前記粗化処理層、耐熱層、防錆層、クロメート処理層、シランカップリング処理層から選択された層を一つ以上設けることは、前記粗化処理層等を有する表面側から、キャリアを樹脂基板等の支持体に積層する場合に、キャリアと支持体が剥離しにくくなるという利点を有する。
前記リン含有エポキシ樹脂として公知のリンを含有するエポキシ樹脂を用いることができる。また、前記リン含有エポキシ樹脂は例えば、分子内に2以上のエポキシ基を備える9,10−ジヒドロ−9−オキサ−10−ホスファフェナントレン−10−オキサイドからの誘導体として得られるエポキシ樹脂であることが好ましい。
前記樹脂層は誘電体(誘電体フィラー)を含んでもよい。
上記いずれかの樹脂層または樹脂組成物に誘電体(誘電体フィラー)を含ませる場合には、キャパシタ層を形成する用途に用い、キャパシタ回路の電気容量を増大させることができるのである。この誘電体(誘電体フィラー)には、BaTiO3、SrTiO3、Pb(Zr−Ti)O3(通称PZT)、PbLaTiO3・PbLaZrO(通称PLZT)、SrBi2Ta2O9(通称SBT)等のペブロスカイト構造を持つ複合酸化物の誘電体粉を用いる。
また、前記樹脂層はMIL規格におけるMIL−P−13949Gに準拠して測定したときのレジンフローが5%〜35%の範囲にある半硬化樹脂膜であることが好ましい。
本件明細書において、レジンフローとは、MIL規格におけるMIL−P−13949Gに準拠して、樹脂厚さを55μmとした樹脂付表面処理銅箔から10cm角試料を4枚サンプリングし、この4枚の試料を重ねた状態(積層体)でプレス温度171℃、プレス圧14kgf/cm2、プレス時間10分の条件で張り合わせ、そのときの樹脂流出重量を測定した結果から数1に基づいて算出した値である。
この樹脂層の厚みは0.1〜120μmであることが好ましい。
なお、樹脂層を有する表面処理銅箔が極薄の多層プリント配線板を製造することに用いられる場合には、前記樹脂層の厚みを0.1μm〜5μm、より好ましくは0.5μm〜5μm、より好ましくは1μm〜5μmとすることが、多層プリント配線板の厚みを小さくするために好ましい。
また、当該プリント配線板を用いて電子機器を作製してもよく、当該電子部品類が搭載されたプリント回路板を用いて電子機器を作製してもよく、当該電子部品類が搭載されたプリント基板を用いて電子機器を作製してもよい。以下に、本発明に係るキャリア付銅箔を用いたプリント配線板の製造工程の例を幾つか示す。
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層を酸などの腐食溶液を用いたエッチングやプラズマなどの方法によりすべて除去する工程、
前記極薄銅層をエッチングにより除去することにより露出した前記樹脂にスルーホールまたは/およびブラインドビアを設ける工程、
前記スルーホールまたは/およびブラインドビアを含む領域についてデスミア処理を行う工程、
前記樹脂および前記スルーホールまたは/およびブラインドビアを含む領域について無電解めっき層を設ける工程、
前記無電解めっき層の上にめっきレジストを設ける工程、
前記めっきレジストに対して露光し、その後、回路が形成される領域のめっきレジストを除去する工程、
前記めっきレジストが除去された前記回路が形成される領域に、電解めっき層を設ける工程、
前記めっきレジストを除去する工程、
前記回路が形成される領域以外の領域にある無電解めっき層をフラッシュエッチングなどにより除去する工程、
を含む。
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層と、前記絶縁樹脂基板とにスルーホールまたは/およびブラインドビアを設ける工程、
前記スルーホールまたは/およびブラインドビアを含む領域についてデスミア処理を行う工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層を酸などの腐食溶液を用いたエッチングやプラズマなどの方法によりすべて除去する工程、
前記極薄銅層をエッチング等により除去することにより露出した前記樹脂および前記スルーホールまたは/およびブラインドビアを含む領域について無電解めっき層を設ける工程、
前記無電解めっき層の上にめっきレジストを設ける工程、
前記めっきレジストに対して露光し、その後、回路が形成される領域のめっきレジストを除去する工程、
前記めっきレジストが除去された前記回路が形成される領域に、電解めっき層を設ける工程、
前記めっきレジストを除去する工程、
前記回路が形成される領域以外の領域にある無電解めっき層をフラッシュエッチングなどにより除去する工程、
を含む。
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層と、前記絶縁樹脂基板とにスルーホールまたは/およびブラインドビアを設ける工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層を酸などの腐食溶液を用いたエッチングやプラズマなどの方法によりすべて除去する工程、
前記スルーホールまたは/およびブラインドビアを含む領域についてデスミア処理を行う工程、
前記極薄銅層をエッチング等により除去することにより露出した前記樹脂および前記スルーホールまたは/およびブラインドビアを含む領域について無電解めっき層を設ける工程、
前記無電解めっき層の上にめっきレジストを設ける工程、
前記めっきレジストに対して露光し、その後、回路が形成される領域のめっきレジストを除去する工程、
前記めっきレジストが除去された前記回路が形成される領域に、電解めっき層を設ける工程、
前記めっきレジストを除去する工程、
前記回路が形成される領域以外の領域にある無電解めっき層をフラッシュエッチングなどにより除去する工程、
を含む。
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層を酸などの腐食溶液を用いたエッチングやプラズマなどの方法によりすべて除去する工程、
前記極薄銅層をエッチングにより除去することにより露出した前記樹脂の表面について無電解めっき層を設ける工程、
前記無電解めっき層の上にめっきレジストを設ける工程、
前記めっきレジストに対して露光し、その後、回路が形成される領域のめっきレジストを除去する工程、
前記めっきレジストが除去された前記回路が形成される領域に、電解めっき層を設ける工程、
前記めっきレジストを除去する工程、
前記回路が形成される領域以外の領域にある無電解めっき層及び極薄銅層をフラッシュエッチングなどにより除去する工程、
を含む。
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層と絶縁基板にスルーホールまたは/およびブラインドビアを設ける工程、
前記スルーホールまたは/およびブラインドビアを含む領域についてデスミア処理を行う工程、
前記スルーホールまたは/およびブラインドビアを含む領域について無電解めっき層を設ける工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層表面にめっきレジストを設ける工程、
前記めっきレジストを設けた後に、電解めっきにより回路を形成する工程、
前記めっきレジストを除去する工程、
前記めっきレジストを除去することにより露出した極薄銅層をフラッシュエッチングにより除去する工程、
を含む。
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層の上にめっきレジストを設ける工程、
前記めっきレジストに対して露光し、その後、回路が形成される領域のめっきレジストを除去する工程、
前記めっきレジストが除去された前記回路が形成される領域に、電解めっき層を設ける工程、
前記めっきレジストを除去する工程、
前記回路が形成される領域以外の領域にある極薄銅層をフラッシュエッチングなどにより除去する工程、
を含む。
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層と絶縁基板にスルーホールまたは/およびブラインドビアを設ける工程、
前記スルーホールまたは/およびブラインドビアを含む領域についてデスミア処理を行う工程、
前記スルーホールまたは/およびブラインドビアを含む領域について触媒核を付与する工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層表面にエッチングレジストを設ける工程、
前記エッチングレジストに対して露光し、回路パターンを形成する工程、
前記極薄銅層および前記触媒核を酸などの腐食溶液を用いたエッチングやプラズマなどの方法により除去して、回路を形成する工程、
前記エッチングレジストを除去する工程、
前記極薄銅層および前記触媒核を酸などの腐食溶液を用いたエッチングやプラズマなどの方法により除去して露出した前記絶縁基板表面に、ソルダレジストまたはメッキレジストを設ける工程、
前記ソルダレジストまたはメッキレジストが設けられていない領域に無電解めっき層を設ける工程、
を含む。
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層と絶縁基板にスルーホールまたは/およびブラインドビアを設ける工程、
前記スルーホールまたは/およびブラインドビアを含む領域についてデスミア処理を行う工程、
前記スルーホールまたは/およびブラインドビアを含む領域について無電解めっき層を設ける工程、
前記無電解めっき層の表面に、電解めっき層を設ける工程、
前記電解めっき層または/および前記極薄銅層の表面にエッチングレジストを設ける工程、
前記エッチングレジストに対して露光し、回路パターンを形成する工程、
前記極薄銅層および前記無電解めっき層および前記電解めっき層を酸などの腐食溶液を用いたエッチングやプラズマなどの方法により除去して、回路を形成する工程、
前記エッチングレジストを除去する工程、
を含む。
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層と絶縁基板にスルーホールまたは/およびブラインドビアを設ける工程、
前記スルーホールまたは/およびブラインドビアを含む領域についてデスミア処理を行う工程、
前記スルーホールまたは/およびブラインドビアを含む領域について無電解めっき層を設ける工程、
前記無電解めっき層の表面にマスクを形成する工程、
マスクが形成されいない前記無電解めっき層の表面に電解めっき層を設ける工程、
前記電解めっき層または/および前記極薄銅層の表面にエッチングレジストを設ける工程、
前記エッチングレジストに対して露光し、回路パターンを形成する工程、
前記極薄銅層および前記無電解めっき層を酸などの腐食溶液を用いたエッチングやプラズマなどの方法により除去して、回路を形成する工程、
前記エッチングレジストを除去する工程、
を含む。
まず、図1−Aに示すように、表面に粗化処理層が形成された極薄銅層を有するキャリア付銅箔(1層目)を準備する。
次に、図1−Bに示すように、極薄銅層の粗化処理層上にレジストを塗布し、露光・現像を行い、レジストを所定の形状にエッチングする。
次に、図1−Cに示すように、回路用のめっきを形成した後、レジストを除去することで、所定の形状の回路めっきを形成する。
次に、図2−Dに示すように、回路めっきを覆うように(回路めっきが埋没するように)極薄銅層上に埋め込み樹脂を設けて樹脂層を積層し、続いて別のキャリア付銅箔(2層目)を極薄銅層側から接着させる。
次に、図2−Eに示すように、2層目のキャリア付銅箔からキャリアを剥がす。
次に、図2−Fに示すように、樹脂層の所定位置にレーザー穴あけを行い、回路めっきを露出させてブラインドビアを形成する。
次に、図3−Gに示すように、ブラインドビアに銅を埋め込みビアフィルを形成する。
次に、図3−Hに示すように、ビアフィル上に、上記図1−B及び図1−Cのようにして回路めっきを形成する。
次に、図3−Iに示すように、1層目のキャリア付銅箔からキャリアを剥がす。
次に、図4−Jに示すように、フラッシュエッチングにより両表面の極薄銅層を除去し、樹脂層内の回路めっきの表面を露出させる。
次に、図4−Kに示すように、樹脂層内の回路めっき上にバンプを形成し、当該はんだ上に銅ピラーを形成する。このようにして本発明のキャリア付銅箔を用いたプリント配線板を作製する。
以下の手順で、例1〜9に係るキャリア付銅箔を作製した。
まず、キャリアとして、表1に記載の厚さを有する長尺の電解銅箔を用意した。電解銅箔として、JX日鉱日石金属社製JTC箔を用いた。この銅箔の光沢面(シャイニー面)に対して、以下の条件でロール・トウ・ロール型の連続めっきラインで電気めっきすることにより中間層を形成した。
・「Ni」:ニッケルめっき
(液組成)硫酸ニッケル:270〜280g/L、塩化ニッケル:35〜45g/L、酢酸ニッケル:10〜20g/L、クエン酸三ナトリウム:15〜25g/L、光沢剤:サッカリン、ブチンジオール等、ドデシル硫酸ナトリウム:55〜75ppm
(pH)4〜6
(液温)55〜65℃
(電流密度)1〜11A/dm2
(通電時間)1〜20秒
(液組成)重クロム酸カリウム:1〜10g/L、亜鉛:0〜5g/L、モリブデン:0〜5g/L
(pH)7〜10
(液温)40〜60℃
(電流密度)0.1〜2.6A/dm2
(クーロン量)0.5〜90As/dm2
(通電時間)1〜30秒
濃度1〜30g/Lのカルボキシベンゾトリアゾール(CBTA)を含む、液温40℃、pH5の水溶液を、20〜120秒間シャワーリングして噴霧することにより行った。
・極薄銅層
銅濃度:30〜120g/L
H2SO4濃度:20〜120g/L
ビス(3スルホプロピル)ジスルフィド−濃度:10〜100ppm
3級アミン化合物:10〜100ppm
塩素:10〜100ppm
電解液温度:20〜80℃
電流密度:10〜100A/dm2
なお、前述の3級アミン化合物として以下の化合物を用いた。
上記化合物は例えばナガセケムテックス株式会社製デコナール Ex−314とジメチルアミンを所定量混合させ、60℃で3時間反応を行うことで得ることができる。
・例1〜3の表面処理条件
・粗化処理1
(液組成1)
Cu:10〜30g/L
H2SO4:10〜150g/L
W:0〜50mg/L
ドデシル硫酸ナトリウム:0〜50mg/L
As:0〜200mg/L
(電気めっき条件1)
温度:30〜70℃
電流密度:25〜110A/dm2
粗化クーロン量:50〜500As/dm2
めっき時間:0.5〜20秒
・粗化処理2
(液組成2)
Cu:20〜80g/L
H2SO4:50〜200g/L
(電気めっき条件2)
温度:30〜70℃
電流密度:5〜50A/dm2
粗化クーロン量:50〜300As/dm2
めっき時間:1〜60秒
・防錆処理
(液組成)
NaOH:40〜200g/L
NaCN:70〜250g/L
CuCN:50〜200g/L
Zn(CN)2:2〜100g/L
As2O3:0.01〜1g/L
(液温)
40〜90℃
(電流条件)
電流密度:1〜50A/dm2
めっき時間:1〜20秒
・クロメート処理
K2Cr2O7(Na2Cr2O7或いはCrO3):2〜10g/L
NaOH又はKOH:10〜50g/L
ZnOH又はZnSO4・7H2O:0.05〜10g/L
pH:7〜13
浴温:20〜80℃
電流密度:0.05〜5A/dm2
時間:5〜30秒
・シランカップリング処理
0.1vol%〜0.3vol%の3‐グリシドキシプロピルトリメトキシシラン水溶液をスプレー塗布した後、100〜200℃の空気中で0.1〜10秒間乾燥・加熱する。
・粗化処理1
液組成 :銅10〜20g/L、硫酸50〜100g/L
液温 :25〜50℃
電流密度 :1〜58A/dm2
クーロン量:4〜81As/dm2
・粗化処理2
液組成 :銅10〜20g/L、ニッケル5〜15g/L、コバルト5〜15g/L
pH :2〜3
液温 :30〜50℃
電流密度 :24〜50A/dm2
クーロン量:34〜48As/dm2
・防錆処理
液組成 :ニッケル5〜20g/L、コバルト1〜8g/L
pH :2〜3
液温 :40〜60℃
電流密度 :5〜20A/dm2
クーロン量:10〜20As/dm2
・クロメート処理
液組成 :重クロム酸カリウム1〜10g/L、亜鉛0〜5g/L
pH :3〜4
液温 :50〜60℃
電流密度 :0〜2A/dm2(浸漬クロメート処理のため無電解での実施も可能)
クーロン量:0〜2As/dm2(浸漬クロメート処理のため無電解での実施も可能)
・シランカップリング処理
ジアミノシラン水溶液の塗布(ジアミノシラン濃度:0.1〜0.5wt%)
・粗化処理
Cu: 10〜20g/L
Co: 1〜10g/L
Ni: 1〜10g/L
pH: 1〜4
液温: 40〜50℃
電流密度Dk : 20〜30A/dm2
時間: 1〜5秒
Cu付着量:15〜40mg/dm2
Co付着量:100〜3000μg/dm2
Ni付着量:100〜1000μg/dm2
・防錆処理
Zn:0を超え〜20g/L
Ni:0を超え〜5g/L
pH:2.5〜4.5
液温:30〜50℃
電流密度Dk :0を超え〜1.7A/dm2
時間:1秒
Zn付着量:5〜250μg/dm2
Ni付着量:5〜300μg/dm2
・クロメート処理
K2Cr2O7
(Na2Cr2O7或いはCrO3):2〜10g/L
NaOH或いはKOH:10〜50g/L
ZnO或いはZnSO4・7H2O:0.05〜10g/L
pH:7〜13
浴温:20〜80℃
電流密度 0.05〜5A/dm2
時間:5〜30秒
Cr付着量:10〜150μg/dm2
・シランカップリング処理
ビニルトリエトキシシラン水溶液
(ビニルトリエトキシシラン濃度:0.1〜1.4wt%)
pH:4〜5
浴温:25〜60℃
浸漬時間:5〜30秒
また、例2、5のキャリア付銅箔については耐熱処理のみ行った。例3のキャリア付銅箔についてはクロメート処理のみ行った。例6のキャリア付銅箔についてはシランカップリング処理のみ行った。例9のキャリア付銅箔についてはクロメート処理ならびにシランカップリング処理をこの順で行った。
液組成 :ニッケル5〜20g/L、コバルト1〜8g/L
pH :2〜3
液温 :40〜60℃
電流密度 :5〜20A/dm2
クーロン量:10〜20As/dm2
液組成 :重クロム酸カリウム1〜10g/L、亜鉛0〜5g/L
pH :3〜4
液温 :50〜60℃
電流密度 :0〜2A/dm2(浸漬クロメート処理のため)
クーロン量:0〜2As/dm2(浸漬クロメート処理のため)
0.2〜2質量%のアルコキシシランを含有するpH7〜8、60℃の水溶液を噴霧することで、でシランカップリング剤塗布処理を行った。
次に、各キャリア付銅箔に対し、「事前加熱処理(事前ベーク)」として、窒素ガス雰囲気下で、それぞれ以下の加熱処理を行った。
・250℃×0.5又は4時間の事前ベーク
・240℃×0.3、0.5、3、4又は5時間の事前ベーク
・220℃×4時間の事前ベーク
・200℃×0.3、0.5、1、2、4又は5時間の事前ベーク
・195℃×4、6又は10時間の事前ベーク
・190℃×4時間の事前ベーク
・180℃×0.3、0.5、1、2、4又は6時間の事前ベーク
・170℃×4時間の事前ベーク
・160℃×0.3、0.5、1、2、4又は5時間の事前ベーク
・150℃×1、2、4時間の事前ベーク
・120℃×0.3、0.5、1、2、3、4又は6時間の事前ベーク
・110℃×0.5又は4時間の事前ベーク
上述のように作製したキャリア付銅箔について、それぞれ以下の評価試験を行った。なお、評価対象のキャリア付銅箔は、上述の各種事前ベーク後のもの、及び、事前ベーク無しのものとした。評価条件及び評価結果を表2〜9に示す。
キャリア付銅箔の極薄銅箔側を熱圧着(プレス条件:220℃×2時間)によりビスマレイミドトリアジン樹脂プリプレグに貼り合わせて銅張積層板(CCL)を作製した後、当該CCLを幅5cmに切断し、キャリア付銅箔のキャリア側を50mm/分の剥離速度、引き剥がし角度は90°でJIS C6471に準拠して剥離した際の強度を求めた。
製造工程の違いにより表面の凹凸がある程度大きいプリプレグが製造される場合がある。そして、本発明者が調査したところ、当該、表面の凹凸がある程度大きいプリプレグを用いた場合、フクレが発生しやすいことが判明した。そのため、本発明では、ある程度表面の凹凸が大きいプリプレグを模擬して、以下の(1)且つ(2)の条件を満たす表面の凹凸を有するビスマレイミドトリアジン樹脂プリプレグを評価に用いた。なお、ビスマレイミドトリアジン樹脂プリプレグの当該表面は、化学研磨または機械研磨により調整することができる。また、当該(1)且つ(2)の条件を満たす表面形状を有するものであれば、本発明のフクレの評価において、市販のプリプレグを用いてもよい。
上記プリプレグの隣接する凹部から凸部までの高さの平均値は、非接触式粗さ測定機(オリンパス製 レーザー顕微鏡 LEXT OLS 4000)を用いて以下の条件で測定した。図5に、当該ビスマレイミドトリアジン樹脂プリプレグの凹凸表面の非接触式粗さ測定結果を示す。図5の縦軸は凹凸の高さ(μm)を示し、横軸は測定表面の平面方向に沿って測定したときの測定位置(μm)を示している。
<測定条件>
カットオフ:無
基準長さ:1600μm以上1850μm(本例では1680〜1750μm)
測定環境温度:23〜25℃
まず、凸部を特定し、凸部の最も高い箇所の高さをH1とし、凸部の両側の最も低い箇所を凹部とし、その高さをL1、L2とする。そして、隣接する凹部から凸部までの高さK1を以下のように算出する。
K1=((H1−L1)+(H1−L2))/2
そして、隣接する凹部から凸部までの高さK1の算術平均値を隣接する凹部から凸部までの高さの平均値とした。本例では以下の測定結果となった。
K1=(H1−L1)+(H1−L2))/2
K2=(H2−L2)+(H2−L3))/2
H1=67.4μm、H2=72.0μm、L1=24.2μm、L2=30.0μm、L3=28.0μm、K1=40.3μm、K2=43.0μm
隣接する凹部から凸部までの高さの平均値=(K1+K2)/2=41.7μm
上記プリプレグの隣接する凹部と凹部との距離は以下のように測定した。
上記の非接触式粗さ測定機(オリンパス製 レーザー顕微鏡 LEXT OLS 4000)を用いて測定した図5に示すグラフにおいて、凹部1の位置を表す値をX1(μm)、凹部2の位置を表す値をX2(μm)、凹部3の位置を表す値をX3(μm)とした。そして、隣接する凹部1と凹部2との距離W1、及び、隣接する凹部2と凹部3との距離W2を以下の式で求めた。
隣接する凹部1と凹部2との距離W1=X2−X1=629.2μm
隣接する凹部2と凹部3との距離W2=X3−X2=502.6μm
X1=285.1μm、X2=914.3μm、X3=1416.9μm
隣接する凹部と凹部との距離の平均値(μm)=(W1+W2)/2=565.9μm
なお、上記隣接する凹部から凸部までの高さの平均値および隣接する凹部と凹部との距離の平均値は最も凸部の高さが高く、最も凹部の高さが低いと想定される線上において、非接触式粗さ測定機を用いて直線状に測定を行うことで求める。
なお、キャリア付銅箔とプリプレグとのプレスによる積層後、上述の窒素雰囲気下で220℃×10時間加熱した場合、プリプレグの表面の凹凸が、プレス直後に比べて大きくなる場合がある。その場合には、プレス条件の温度を少し高め例えば230〜270℃に設定し、時間は少し短め1.5〜2時間に設定すると、220℃×10時間加熱した場合、プリプレグの表面の凹凸が、プレス直後に比べて大きくなりにくいため好ましい。
各キャリア付銅箔に対し、事前加熱処理(事前ベーク)を行った後に、または、事前加熱処理を行わないで、更に窒素雰囲気下で220℃×10時間の条件で加熱処理後、1巻巻きほぐして、2巻目の長さ1mのサンプルについて目視で観察した。このとき、酸化による変色面積が5%以下であるものを◎、酸化による変色面積が5%超え10%以下であるものを○○、酸化による変色面積が10%超え15%以下であるものを〇、酸化による変色面積が15%超え20%以下であるものを△、酸化による変色面積20%超えであるものを×とした。
ニッケル付着量はサンプルを濃度20質量%の硝酸で溶解してSII社製のICP発光分光分析装置(型式:SPS3100)を用いてICP発光分析によって測定し、亜鉛及びクロム付着量はサンプルを温度が100℃である濃度7質量%の塩酸にて溶解して、VARIAN社製の原子吸光分光光度計(型式:AA240FS)を用いて原子吸光法により定量分析を行うことで測定し、モリブデン付着量はサンプルを硝酸と塩酸の混合液(硝酸濃度:20質量%、塩酸濃度:12質量%)にて溶解して、VARIAN社製の原子吸光分光光度計(型式:AA240FS)を用いて原子吸光法により定量分析を行うことで測定した。なお、前記ニッケル、亜鉛、クロム、モリブデン付着量の測定は以下のようにして行った。まず、キャリア付銅箔から極薄銅層を剥離した後、極薄銅層の中間層側の表面付近のみを溶解して(表面から0.5μm厚みのみ溶解する。)、極薄銅層の中間層側の表面の付着量を測定する。また、極薄銅層を剥離した後に、キャリアの中間層側の表面付近のみを溶解して(表面から0.5μm厚みのみ溶解する)、キャリアの中間層側の表面の付着量を測定する。そして、極薄銅層の中間層側の表面の付着量とキャリアの中間層側の表面の付着量とを合計した値を、中間層の金属付着量とした。なお、極薄銅層の凹凸が大きいときであって、極薄銅層の厚みが1.5μm以下である場合等では、極薄銅層の中間層側の表面から0.5μm厚みだけ溶解したとき、極薄銅層表面の粗化処理成分も溶解してしまうことがある。そのため、このような場合は、極薄銅層の中間層側の厚み30%を溶解する。
なお、サンプルが上記濃度20質量%の硝酸または上記濃度7質量%の塩酸に溶解しにくい場合には、硝酸と塩酸の混合液(硝酸濃度:20質量%、塩酸濃度:12質量%)にてサンプルを溶解した後に、上述の方法によって、ニッケル、亜鉛、クロムの付着量を測定することができる。
なお、「金属付着量」とは、サンプル単位面積(1dm2)当たりの当該金属付着量(質量)のことを言う。
キャリア付銅箔の極薄銅層をキャリアから剥離した後に、露出した極薄銅層の中間層側の表面と、露出したキャリアの中間層側の表面をXPS測定し、デプスプロファイルを作成した。そして、極薄銅層の中間層側の表面から最初に炭素濃度が3at%以下となった深さをA(nm)とし、キャリアの中間層側の表面から最初に炭素濃度が3at%以下となった深さをB(nm)とし、AとBとの合計を中間層の有機物の厚み(nm)とした。なお、深さ方向(x:単位nm)の金属の原子濃度の測定間隔は0.18〜0.30nm(SiO2換算)とするとよい。本実施例においては、深さ方向の金属の原子濃度を0.28nm(SiO2換算)間隔で測定した(スパッタリング時間で、0.1分おきに測定した)。
なお、上記XPS測定による炭素濃度のデプスプロファイルは、露出した極薄銅層の中間層側の表面および露出したキャリアの中間層側の表面について、それぞれ、各サンプルシートの長辺方向において、両端から50mm以内の領域内の各1箇所、中央部の50mm×50mmの領域内の1箇所の合計3箇所、すなわち、露出した極薄銅層の中間層側の表面および露出したキャリアの中間層側の表面において合計6箇所について作成した。当該露出した極薄銅層の中間層側の表面3箇所、露出したキャリアの中間層側の表面の3箇所の測定箇所を図6に示す。続いて、露出した極薄銅層の中間層側の表面および露出したキャリアの中間層側のそれぞれの3箇所の領域について作成されたデプスプロファイルから、それぞれ上述の極薄銅層の中間層側の表面から最初に炭素濃度が3at%以下となった深さA(nm)、及び、キャリアの中間層側の表面から最初に炭素濃度が3at%以下となった深さB(nm)を算出し、A(nm)の算術平均値とB(nm)の算術平均値との合計を中間層の有機物の厚み(nm)とした。
なお、サンプルの大きさが小さい場合には、上述の両端から50mm以内の領域ならびに中央部の50mm×50mmの領域は重なってもよい。
XPSの稼働条件を以下に示す。
・装置:XPS測定装置(アルバックファイ社、型式5600MC)
・到達真空度:3.8×10-7Pa
・X線:単色AlKαまたは非単色MgKα、エックス線出力300W、検出面積800μmφ、試料と検出器のなす角度45°
・イオン線:イオン種Ar+、加速電圧3kV、掃引面積3mm×3mm、スパッタリングレート2.8nm/min(SiO2換算)
なお、XPSとはX線光電子分光法のことを意味する。本発明においては、アルバックファイ社のXPS測定装置(型式5600MC又は、アルバックファイ社が製造販売する同等の測定装置)を用いることを前提とするが、こうした測定装置が入手できないような場合には、深さ方向の各元素濃度の測定間隔を0.10〜0.30nm(SiO2換算)とし、スパッタリングレートを1.0〜3.0nm/min(SiO2換算)とすれば、その他のXPS測定装置を用いてもよい。
Claims (21)
- キャリア、中間層、極薄銅層をこの順に備え、且つ、前記中間層に接触する、チタン、ジルコニウム、バリウム、マグネシウム、珪素、ニオブ、カルシウム、及びそれらの混合物からなる群から選択された元素を含有する層を有さないキャリア付銅箔に対し、180〜200℃で2〜4時間の加熱処理を行う加熱処理工程を含むキャリア付銅箔の製造方法であり、
前記中間層はNi層と、クロム、クロム合金、クロムの酸化物のいずれか一種以上を含む層および有機物を含む層からなる群から選択される1種以上の層とを含むキャリア付銅箔の製造方法。 - 前記加熱処理工程において、不活性ガス雰囲気下で加熱処理を行う請求項1に記載のキャリア付銅箔の製造方法。
- 前記加熱処理工程前又は前記加熱処理工程後に前記キャリア付銅箔の前記極薄銅層表面または前記キャリアの表面のいずれか一方または両方に粗化処理層を設ける請求項1又は2に記載のキャリア付銅箔の製造方法。
- 前記加熱処理工程前又は前記加熱処理工程後に前記キャリア付銅箔の前記粗化処理層の表面に、耐熱層、防錆層、クロメート処理層及びシランカップリング処理層からなる群から選択された1種以上の層を設ける請求項3に記載のキャリア付銅箔の製造方法。
- 前記加熱処理工程前又は前記加熱処理工程後に前記キャリア付銅箔の前記極薄銅層の表面に、粗化処理層、耐熱層、防錆層、クロメート処理層及びシランカップリング処理層からなる群から選択された1種以上の層を設ける請求項1〜4のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔の製造方法。
- 前記加熱処理工程前又は前記加熱処理工程後に前記キャリア付銅箔の前記極薄銅層上に樹脂層を設ける請求項1又は2に記載のキャリア付銅箔の製造方法。
- 前記加熱処理工程前又は前記加熱処理工程後に前記キャリア付銅箔の前記粗化処理層上に樹脂層を設ける請求項3又は4に記載のキャリア付銅箔の製造方法。
- 前記加熱処理工程前又は前記加熱処理工程後に前記キャリア付銅箔の前記粗化処理層、耐熱層、防錆層、クロメート処理層及びシランカップリング処理層からなる群から選択された1種以上の層の上に樹脂層を設ける請求項4又は5に記載のキャリア付銅箔の製造方法。
- 前記加熱処理工程前又は前記加熱処理工程後のキャリア付銅箔が、前記キャリアの一方の面に、中間層及び極薄銅層をこの順に有するキャリア付銅箔であり、前記キャリアの、前記極薄銅層側の表面とは反対側の面に、粗化処理層が設けられている請求項3〜8のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔の製造方法。
- 前記加熱処理工程前又は前記加熱処理工程後のキャリア付銅箔が、前記キャリア両方の面に中間層及び極薄銅層をこの順に有する請求項1〜8のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔の製造方法。
- 請求項1〜10のいずれか一項に記載の方法によって作製したキャリア付銅箔を用いて銅張積層板を製造する、銅張積層板の製造方法。
- 請求項1〜10のいずれか一項に記載の方法によって作製したキャリア付銅箔を用いてプリント配線板を製造する、プリント配線板の製造方法。
- 請求項1〜10のいずれか一項に記載の方法によって作製したキャリア付銅箔と絶縁基板とを準備する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板とを積層する工程、及び、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板とを積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程を経て銅張積層板を形成し、
その後、セミアディティブ法、サブトラクティブ法、パートリーアディティブ法又はモディファイドセミアディティブ法のいずれかの方法によって、回路を形成する工程を含むプリント配線板の製造方法。 - 請求項1〜10のいずれか一項に記載の方法によって作製したキャリア付銅箔の前記極薄銅層側表面に回路を形成する工程、
前記回路が埋没するように前記キャリア付銅箔の前記極薄銅層側表面に樹脂層を形成する工程、
前記樹脂層上に回路を形成する工程、
前記樹脂層上に回路を形成した後に、前記キャリアを剥離させる工程、及び、
前記キャリアを剥離させた後に、前記極薄銅層を除去することで、前記極薄銅層側表面に形成した、前記樹脂層に埋没している回路を露出させる工程
を含むプリント配線板の製造方法。 - 請求項12〜14のいずれか一項に記載の方法によって作製したプリント配線板を用いて電子機器を製造する電子機器の製造方法。
- キャリア、中間層、極薄銅層をこの順に備え、且つ、前記中間層に接触する、チタン、ジルコニウム、バリウム、マグネシウム、珪素、ニオブ、カルシウム、及びそれらの混合物からなる群から選択された元素を含有する層を有さないキャリア付銅箔であって、
前記キャリア付銅箔を極薄銅箔側から熱圧着(プレス条件:220℃×2時間)により以下の(1)且つ(2)の条件を満たす表面の凹凸を有するプリプレグに貼り合わせて銅張積層板を作製し、前記銅張積層板を窒素雰囲気下で220℃×10時間の条件で加熱処理した後、キャリアを剥離し、続いて、前記キャリア側の剥離面に存在するφ10μm以上の凹部をフクレとし、フクレの個数を測定したときのフクレ個数が、0個/625cm2であり、
前記キャリア付銅箔を窒素雰囲気下で220℃×10時間の条件で加熱処理したとき、酸化による変色面積が15%以下となり、
前記中間層はNi層と、クロム、クロム合金、クロムの酸化物のいずれか一種以上を含む層および有機物を含む層からなる群から選択される1種以上の層とを含むキャリア付銅箔。
(1)非接触式粗さ測定によって得られた表面の断面形状において、隣接する凹部から凸部までの高さの平均値が20〜60μm
(2)非接触式粗さ測定によって得られた表面の断面形状において、隣接する凹部と凹部との距離の平均値が400〜700μm - キャリア、中間層、極薄銅層をこの順に備え、且つ、前記中間層に接触する、チタン、ジルコニウム、バリウム、マグネシウム、珪素、ニオブ、カルシウム、及びそれらの混合物からなる群から選択された元素を含有する層を有さないキャリア付銅箔であって、
前記キャリア付銅箔を極薄銅箔側から熱圧着(プレス条件:220℃×2時間)により以下の(1)且つ(2)の条件を満たす表面の凹凸を有するプリプレグに貼り合わせて銅張積層板を作製し、前記銅張積層板を窒素雰囲気下で220℃×10時間の条件で加熱処理した後、キャリアを剥離し、続いて、前記キャリア側の剥離面に存在するφ10μm以上の凹部をフクレとし、フクレの個数を測定したときのフクレ個数が、0個/625cm 2 であり、
前記中間層はNi層と、クロム、クロム合金、クロムの酸化物のいずれか一種以上を含む層とを含み、且つ、有機物を含まない層であるキャリア付銅箔。
(1)非接触式粗さ測定によって得られた表面の断面形状において、隣接する凹部から凸部までの高さの平均値が20〜60μm
(2)非接触式粗さ測定によって得られた表面の断面形状において、隣接する凹部と凹部との距離の平均値が400〜700μm - 前記キャリア付銅箔の極薄銅箔側を220℃×2時間の熱圧着により前記プリプレグに貼り合わせて前記銅張積層板を作製した後、前記銅張積層板を幅5cmに切断し、前記キャリア付銅箔のキャリア側を50mm/分の剥離速度且つ90°の引き剥がし角度でJIS C6471に準拠して剥離した前記キャリアの剥離強度が5〜30N/mであり、且つ、
前記銅張積層板を窒素雰囲気下で220℃×10時間の条件で加熱処理した後、キャリアを剥離し、続いて、前記キャリア側の剥離面に存在するφ10μm以上の凹部をフクレとし、フクレの個数を測定したときのフクレ個数が0個/625cm2であり、
前記プリプレグがビスマレイミドトリアジン樹脂である請求項16又は17に記載のキャリア付銅箔。 - 請求項16〜18のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔を用いて銅張積層板を製造する銅張積層板の製造方法。
- 請求項16〜18のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔を用いてプリント配線板を製造するプリント配線板の製造方法。
- 請求項20に記載のプリント配線板を用いて電子機器を製造する電子機器の製造方法。
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