JP6782561B2 - キャリア付銅箔、積層体、積層体の製造方法、プリント配線板の製造方法及び電子機器の製造方法 - Google Patents
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Description
本発明のキャリア付銅箔は、キャリアの一方の面、又は、両方の面に、中間層、極薄銅層をこの順に備える。キャリア付銅箔自体の使用方法は公知の使用方法を用いることができる。例えば極薄銅層の表面を紙基材フェノール樹脂、紙基材エポキシ樹脂、合成繊維布基材エポキシ樹脂、ガラス布・紙複合基材エポキシ樹脂、ガラス布・ガラス不織布複合基材エポキシ樹脂及びガラス布基材エポキシ樹脂、ポリエステルフィルム、ポリイミドフィルム等の絶縁基板に貼り合わせて熱圧着後にキャリアを剥がし、絶縁基板に接着した極薄銅層を目的とする導体パターンにエッチングし、最終的にプリント配線板を製造することができる。
本発明に用いることのできるキャリアは典型的には金属箔または樹脂フィルムであり、例えば銅箔、銅合金箔、ニッケル箔、ニッケル合金箔、鉄箔、鉄合金箔、ステンレス箔、アルミニウム箔、アルミニウム合金箔、絶縁樹脂フィルム、ポリイミドフィルム、LCP(液晶ポリマー)フィルム、フッ素樹脂フィルム、ポリアミドフィルム、PETフィルムの形態で提供される。
本発明に用いることのできるキャリアは典型的には圧延銅箔や電解銅箔の形態で提供される。一般的には、電解銅箔は硫酸銅めっき浴からチタンやステンレスのドラム上に銅を電解析出して製造され、圧延銅箔は圧延ロールによる塑性加工と熱処理を繰り返して製造される。銅箔の材料としてはタフピッチ銅(JIS H3100 合金番号C1100)や無酸素銅(JIS H3100 合金番号C1020またはJIS H3510 合金番号C1011)といった高純度の銅の他、例えばSn入り銅、Ag入り銅、Cr、Zr又はMg等を添加した銅合金、Ni及びSi等を添加したコルソン系銅合金のような銅合金も使用可能である。なお、本明細書において用語「銅箔」を単独で用いたときには銅合金箔も含むものとする。
なお、キャリアの極薄銅層を設ける側の表面とは反対側の表面に粗化処理層を設けてもよい。当該粗化処理層を公知の方法を用いて設けてもよく、後述の粗化処理により設けてもよい。キャリアの極薄銅層を設ける側の表面とは反対側の表面に粗化処理層を設けることは、キャリアを当該粗化処理層を有する表面側から樹脂基板などの支持体に積層する際、キャリアと樹脂基板が剥離し難くなるという利点を有する。
電解液中の塩素濃度が高い場合、電解液の線速が高い場合、電解液の温度が低い場合、電解液中の銅濃度が高い場合、電解液中の硫酸濃度が低い場合、Sz/Saの値が小さくなる傾向にある。一方で電解液中の塩素濃度が低い場合、電解液の線速が低い場合、電解液の温度が高い場合、電解液中の銅濃度が低い場合、電解液中の硫酸濃度が高い場合、Sz/Saの値が大きくなる傾向にある。
<電解液組成>
銅:70〜150g/L
硫酸:80〜120g/L
塩素:10〜200ppm
電流密度:50〜150A/dm2
電解液温度:40〜80℃
電解液線速:3〜7m/sec
電解時間:0.5〜10分間
なお、少量であれば電解液に光沢剤を添加しても良い。光沢剤としては以下の化合物や公知の化合物を用いることができる。
レべリング剤1(ビス(3スルホプロピル)ジスルフィド):0.5〜3ppm
レべリング剤2(アミン化合物):0.5〜3ppm
上記のアミン化合物には以下の化学式のアミン化合物を用いることができる。
なお、本発明に用いられる電解、表面処理又はめっき等に用いられる処理液の残部は特に明記しない限り水である。
具体的には、表面粗さSzが0.8μm〜3.1μmであり、Saが0.05〜0.45μmであり、60度鏡面光沢度が30〜250(%)のキャリアに対して、ソフトエッチング処理(例えば、硫酸20〜100g/L、過酸化水素10〜20g/Lまたは過硫酸カリウム10〜50g/Lまたは過硫酸アンモニウム10〜50g/L、添加剤成分としてのトリアゾール系の有機化合物1〜5g/Lの水溶液で、25〜35℃にて5〜60秒間のエッチング処理)を行う。
なお、トリアゾール系の有機化合物として、1,2,3−ベンゾトリアゾール、カルボキシベンゾトリアゾール、N’,N’−ビス(ベンゾトリアゾリルメチル)ユリア、1H−1,2,4−トリアゾール及び3−アミノ−1H−1,2,4−トリアゾールからなる群から選択される1種以上を用いることができる。
具体的には、キャリアとして圧延銅箔等の金属箔を用意し、当該圧延銅箔等の金属箔に対し、表面の算術平均粗さRaを所定範囲に制御した圧延ロールを用いて仕上げの冷間圧延を行う。このとき、圧延ロールの表面のJIS B0601 1994に定義される算術平均粗さRa=0.2〜0.3μm、油膜当量41000〜65000とすることができる。
ここで油膜当量は以下の式で表される。
油膜当量={(圧延油粘度[cSt])×(通板速度[mpm]+ロール周速度[mpm])}/{(ロールの噛み込み角[rad])×(材料の降伏応力[kg/mm2])}
圧延油粘度[cSt]は40℃での動粘度である。
油膜当量を41000〜65000とするためには、高粘度の圧延油を用いたり、金属箔の通板速度を速くしたりする等、公知の方法を用いればよい。
キャリアの片面又は両面上には中間層を設ける。キャリアと中間層との間には他の層を設けてもよい。本発明で用いる中間層は、キャリア付銅箔が絶縁基板への積層工程前にはキャリアから極薄銅層が剥離し難い一方で、絶縁基板への積層工程後にはキャリアから極薄銅層が剥離可能となるような構成であれば特に限定されない。例えば、本発明のキャリア付銅箔の中間層はCr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn、これらの合金、これらの水和物、これらの酸化物、有機物からなる群から選択される一種又は二種以上を含んでも良い。また、中間層は複数の層であっても良い。
また、例えば、中間層はキャリア側からCr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Znで構成された元素群から選択された一種の元素からなる単一金属層、或いは、Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Znで構成された元素群から選択された一種又は二種以上の元素からなる合金層、或いは、有機物層を形成し、その上にCr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Znで構成された元素群から選択された一種又は二種以上の元素の水和物または酸化物からなる層、或いは、Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Znで構成された元素群から選択された一種の元素からなる単一金属層、或いは、Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Znで構成された元素群から選択された一種又は二種以上の元素からなる合金層を形成することで構成することができる。
中間層を片面にのみ設ける場合、キャリアの反対面にはNiめっき層などの防錆層を設けることが好ましい。なお、中間層をクロメート処理や亜鉛クロメート処理やめっき処理で設けた場合には、クロムや亜鉛など、付着した金属の一部は水和物や酸化物となっている場合があると考えられる。
また、例えば、中間層は、キャリア上に、ニッケル、ニッケル−リン合金又はニッケル−コバルト合金と、クロムとがこの順で積層されて構成することができる。ニッケルと銅との接着力はクロムと銅の接着力よりも高いので、極薄銅層を剥離する際に、極薄銅層とクロムとの界面で剥離するようになる。また、中間層のニッケルにはキャリアから銅成分が極薄銅層へと拡散していくのを防ぐバリア効果が期待される。中間層におけるニッケルの付着量は好ましくは100μg/dm2以上40000μg/dm2以下、より好ましくは100μg/dm2以上4000μg/dm2以下、より好ましくは100μg/dm2以上2500μg/dm2以下、より好ましくは100μg/dm2以上1000μg/dm2未満であり、中間層におけるクロムの付着量は5μg/dm2以上100μg/dm2以下であることが好ましい。中間層を片面にのみ設ける場合、キャリアの反対面にはNiめっき層などの防錆層を設けることが好ましい。
また、中間層が含む有機物は窒素含有有機化合物、硫黄含有有機化合物及びカルボン酸からなる群から選択される一種以上の有機物であることが好ましい。具体的な窒素含有有機化合物としては、置換基を有するトリアゾール化合物である1,2,3−ベンゾトリアゾール、カルボキシベンゾトリアゾール、N’,N’−ビス(ベンゾトリアゾリルメチル)ユリア、1H−1,2,4−トリアゾール及び3−アミノ−1H−1,2,4−トリアゾール等を用いることが好ましい。
硫黄含有有機化合物には、メルカプトベンゾチアゾール、2−メルカプトベンゾチアゾールナトリウム、チオシアヌル酸及び2−ベンズイミダゾールチオール等を用いることが好ましい。
カルボン酸としては、特にモノカルボン酸を用いることが好ましく、中でもオレイン酸、リノール酸及びリノレイン酸等を用いることが好ましい。
中間層の上には極薄銅層を設ける。中間層と極薄銅層との間には他の層を設けてもよい。極薄銅層は、硫酸銅、ピロリン酸銅、スルファミン酸銅、シアン化銅等の電解浴を利用した電気めっきにより形成することができ、一般的な電解銅箔で使用され、高電流密度での銅箔形成が可能であることから硫酸銅浴が好ましい。極薄銅層の厚みは特に制限はないが、一般的にはキャリアよりも薄く、例えば12μm以下である。典型的には0.5〜12μmであり、より典型的には1〜5μm、更に典型的には1.5〜5μm、更に典型的には2〜5μmである。なお、キャリアの両面に極薄銅層を設けてもよい。
極薄銅層の表面またはキャリアの表面のいずれか一方または両方には、例えば絶縁基板との密着性を良好にすること等のために粗化処理を施すことで粗化処理層を設けてもよい。粗化処理は、例えば、銅又は銅合金で粗化粒子を形成することにより行うことができる。粗化処理は微細なものであっても良い。粗化処理層は、銅、ニッケル、りん、タングステン、ヒ素、モリブデン、クロム、鉄、バナジウム、コバルト及び亜鉛からなる群から選択されたいずれかの単体又はいずれか1種以上を含む合金からなる層などであってもよい。また、銅又は銅合金で粗化粒子を形成した後、更にニッケル、コバルト、銅、亜鉛の単体または合金等で二次粒子や三次粒子を設ける粗化処理を行うこともできる。その後に、ニッケル、コバルト、銅、亜鉛の単体または合金等で耐熱層または防錆層を形成しても良く、更にその表面にクロメート処理、シランカップリング処理などの処理を施してもよい。または粗化処理を行わずに、ニッケル、コバルト、銅、亜鉛の単体または合金等で耐熱層又は防錆層を形成し、さらにその表面にクロメート処理、シランカップリング処理などの処理を施してもよい。すなわち、粗化処理層の表面に、耐熱層、防錆層、クロメート処理層及びシランカップリング処理層からなる群から選択された1種以上の層を形成してもよく、極薄銅層の表面またはキャリアの表面に、耐熱層、防錆層、クロメート処理層及びシランカップリング処理層からなる群から選択された1種以上の層を形成してもよい。なお、上述の耐熱層、防錆層、クロメート処理層、シランカップリング処理層はそれぞれ複数の層で形成されてもよい(例えば2層以上、3層以上など)。
めっき浴組成:Cu10〜20g/L、Co1〜10g/L、Ni1〜10g/L
pH:1〜4
温度:30〜50℃
電流密度Dk:20〜30A/dm2
めっき時間:1〜5秒
また、前記極薄銅層上に粗化処理層を備えても良く、前記粗化処理層上に、耐熱層、防錆層を備えてもよく、前記耐熱層、防錆層上にクロメート処理層を備えてもよく、前記クロメート処理層上にシランカップリング処理層を備えても良い。
また、前記キャリア付銅箔は前記極薄銅層上、あるいは前記粗化処理層上、あるいは前記耐熱層、防錆層、あるいはクロメート処理層、あるいはシランカップリング処理層の上に樹脂層を備えても良い。前記樹脂層は絶縁樹脂層であってもよい。
前記リン含有エポキシ樹脂として公知のリンを含有するエポキシ樹脂を用いることができる。また、前記リン含有エポキシ樹脂は例えば、分子内に2以上のエポキシ基を備える9,10−ジヒドロ−9−オキサ−10−ホスファフェナントレン−10−オキサイドからの誘導体として得られるエポキシ樹脂であることが好ましい。
前記樹脂層は誘電体(誘電体フィラー)を含んでもよい。
上記いずれかの樹脂層または樹脂組成物に誘電体(誘電体フィラー)を含ませる場合には、キャパシタ層を形成する用途に用い、キャパシタ回路の電気容量を増大させることができるのである。この誘電体(誘電体フィラー)には、BaTiO3、SrTiO3、Pb(Zr−Ti)O3(通称PZT)、PbLaTiO3・PbLaZrO(通称PLZT)、SrBi2Ta2O9(通称SBT)等のペブロスカイト構造を持つ複合酸化物の誘電体粉を用いる。
また、当該プリント配線板を用いて電子機器を作製してもよく、当該電子部品類が搭載されたプリント回路板を用いて電子機器を作製してもよく、当該電子部品類が搭載されたプリント基板を用いて電子機器を作製してもよい。以下に、本発明に係るキャリア付銅箔を用いたプリント配線板の製造工程の例を幾つか示す。
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層を酸などの腐食溶液を用いたエッチングやプラズマなどの方法によりすべて除去する工程、
前記極薄銅層をエッチングにより除去することにより露出した前記樹脂にスルーホールまたは/およびブラインドビアを設ける工程、
前記スルーホールまたは/およびブラインドビアを含む領域についてデスミア処理を行う工程、
前記樹脂および前記スルーホールまたは/およびブラインドビアを含む領域について無電解めっき層を設ける工程、
前記無電解めっき層の上にめっきレジストを設ける工程、
前記めっきレジストに対して露光し、その後、回路が形成される領域のめっきレジストを除去する工程、
前記めっきレジストが除去された前記回路が形成される領域に、電解めっき層を設ける工程、
前記めっきレジストを除去する工程、
前記回路が形成される領域以外の領域にある無電解めっき層をフラッシュエッチングなどにより除去する工程、
を含む。
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層と、前記絶縁樹脂基板とにスルーホールまたは/およびブラインドビアを設ける工程、
前記スルーホールまたは/およびブラインドビアを含む領域についてデスミア処理を行う工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層を酸などの腐食溶液を用いたエッチングやプラズマなどの方法によりすべて除去する工程、
前記極薄銅層をエッチング等により除去することにより露出した前記樹脂および前記スルーホールまたは/およびブラインドビアを含む領域について無電解めっき層を設ける工程、
前記無電解めっき層の上にめっきレジストを設ける工程、
前記めっきレジストに対して露光し、その後、回路が形成される領域のめっきレジストを除去する工程、
前記めっきレジストが除去された前記回路が形成される領域に、電解めっき層を設ける工程、
前記めっきレジストを除去する工程、
前記回路が形成される領域以外の領域にある無電解めっき層をフラッシュエッチングなどにより除去する工程、
を含む。
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層と、前記絶縁樹脂基板とにスルーホールまたは/およびブラインドビアを設ける工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層を酸などの腐食溶液を用いたエッチングやプラズマなどの方法によりすべて除去する工程、
前記スルーホールまたは/およびブラインドビアを含む領域についてデスミア処理を行う工程、
前記極薄銅層をエッチング等により除去することにより露出した前記樹脂および前記スルーホールまたは/およびブラインドビアを含む領域について無電解めっき層を設ける工程、
前記無電解めっき層の上にめっきレジストを設ける工程、
前記めっきレジストに対して露光し、その後、回路が形成される領域のめっきレジストを除去する工程、
前記めっきレジストが除去された前記回路が形成される領域に、電解めっき層を設ける工程、
前記めっきレジストを除去する工程、
前記回路が形成される領域以外の領域にある無電解めっき層をフラッシュエッチングなどにより除去する工程、
を含む。
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層を酸などの腐食溶液を用いたエッチングやプラズマなどの方法によりすべて除去する工程、
前記極薄銅層をエッチングにより除去することにより露出した前記樹脂の表面について無電解めっき層を設ける工程、
前記無電解めっき層の上にめっきレジストを設ける工程、
前記めっきレジストに対して露光し、その後、回路が形成される領域のめっきレジストを除去する工程、
前記めっきレジストが除去された前記回路が形成される領域に、電解めっき層を設ける工程、
前記めっきレジストを除去する工程、
前記回路が形成される領域以外の領域にある無電解めっき層及び極薄銅層をフラッシュエッチングなどにより除去する工程、
を含む。
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層と絶縁基板にスルーホールまたは/およびブラインドビアを設ける工程、
前記スルーホールまたは/およびブラインドビアを含む領域についてデスミア処理を行う工程、
前記スルーホールまたは/およびブラインドビアを含む領域について無電解めっき層を設ける工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層表面にめっきレジストを設ける工程、
前記めっきレジストを設けた後に、電解めっきにより回路を形成する工程、
前記めっきレジストを除去する工程、
前記めっきレジストを除去することにより露出した極薄銅層をフラッシュエッチングにより除去する工程、
を含む。
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層の上にめっきレジストを設ける工程、
前記めっきレジストに対して露光し、その後、回路が形成される領域のめっきレジストを除去する工程、
前記めっきレジストが除去された前記回路が形成される領域に、電解めっき層を設ける工程、
前記めっきレジストを除去する工程、
前記回路が形成される領域以外の領域にある無電解めっき層及び極薄銅層をフラッシュエッチングなどにより除去する工程、
を含む。
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層と絶縁基板にスルーホールまたは/およびブラインドビアを設ける工程、
前記スルーホールまたは/およびブラインドビアを含む領域についてデスミア処理を行う工程、
前記スルーホールまたは/およびブラインドビアを含む領域について触媒核を付与する工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層表面にエッチングレジストを設ける工程、
前記エッチングレジストに対して露光し、回路パターンを形成する工程、
前記極薄銅層および前記触媒核を酸などの腐食溶液を用いたエッチングやプラズマなどの方法により除去して、回路を形成する工程、
前記エッチングレジストを除去する工程、
前記極薄銅層および前記触媒核を酸などの腐食溶液を用いたエッチングやプラズマなどの方法により除去して露出した前記絶縁基板表面に、ソルダレジストまたはメッキレジストを設ける工程、
前記ソルダレジストまたはメッキレジストが設けられていない領域に無電解めっき層を設ける工程、
を含む。
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層と絶縁基板にスルーホールまたは/およびブラインドビアを設ける工程、
前記スルーホールまたは/およびブラインドビアを含む領域についてデスミア処理を行う工程、
前記スルーホールまたは/およびブラインドビアを含む領域について無電解めっき層を設ける工程、
前記無電解めっき層の表面に、電解めっき層を設ける工程、
前記電解めっき層または/および前記極薄銅層の表面にエッチングレジストを設ける工程、
前記エッチングレジストに対して露光し、回路パターンを形成する工程、
前記極薄銅層および前記無電解めっき層および前記電解めっき層を酸などの腐食溶液を用いたエッチングやプラズマなどの方法により除去して、回路を形成する工程、
前記エッチングレジストを除去する工程、
を含む。
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層と絶縁基板にスルーホールまたは/およびブラインドビアを設ける工程、
前記スルーホールまたは/およびブラインドビアを含む領域についてデスミア処理を行う工程、
前記スルーホールまたは/およびブラインドビアを含む領域について無電解めっき層を設ける工程、
前記無電解めっき層の表面にマスクを形成する工程、
マスクが形成されいない前記無電解めっき層の表面に電解めっき層を設ける工程、
前記電解めっき層または/および前記極薄銅層の表面にエッチングレジストを設ける工程、
前記エッチングレジストに対して露光し、回路パターンを形成する工程、
前記極薄銅層および前記無電解めっき層を酸などの腐食溶液を用いたエッチングやプラズマなどの方法により除去して、回路を形成する工程、
前記エッチングレジストを除去する工程、
を含む。
まず、図1−Aに示すように、表面に粗化処理層が形成された極薄銅層を有するキャリア付銅箔(1層目)を準備する。
次に、図1−Bに示すように、極薄銅層の粗化処理層上にレジストを塗布し、露光・現像を行い、レジストを所定の形状にエッチングする。
次に、図1−Cに示すように、回路用のめっきを形成した後、レジストを除去することで、所定の形状の回路めっきを形成する。
次に、図2−Dに示すように、回路めっきを覆うように(回路めっきが埋没するように)極薄銅層上に埋め込み樹脂を設けて樹脂層を積層し、続いて別のキャリア付銅箔(2層目)を極薄銅層側から接着させる。
次に、図2−Eに示すように、2層目のキャリア付銅箔からキャリアを剥がす。
次に、図2−Fに示すように、樹脂層の所定位置にレーザー穴あけを行い、回路めっきを露出させてブラインドビアを形成する。
次に、図3−Gに示すように、ブラインドビアに銅を埋め込みビアフィルを形成する。
次に、図3−Hに示すように、ビアフィル上に、上記図1−B及び図1−Cのようにして回路めっきを形成する。
次に、図3−Iに示すように、1層目のキャリア付銅箔からキャリアを剥がす。
次に、図4−Jに示すように、フラッシュエッチングにより両表面の極薄銅層を除去し、樹脂層内の回路めっきの表面を露出させる。
次に、図4−Kに示すように、樹脂層内の回路めっき上にバンプを形成し、当該はんだ上に銅ピラーを形成する。このようにして本発明のキャリア付銅箔を用いたプリント配線板を作製する。
なお、上述のプリント配線板の製造方法で、「極薄銅層」をキャリアに、「キャリア」を極薄銅層に読み替えて、キャリア付銅箔のキャリア側の表面に回路を形成して、樹脂で回路を埋め込み、プリント配線板を製造することも可能である。
なお、本明細書において、「積層体A」または「積層体B」と特に記載していない「積層体」は、少なくとも積層体A及び積層体Bを含む積層体を示す。
(a)冶金的接合方法:融接(アーク溶接、TIG(タングステン・イナート・ガス)溶接、MIG(メタル・イナート・ガス)溶接、抵抗溶接、シーム溶接、スポット溶接)、圧接(超音波溶接、摩擦撹拌溶接)、ろう接;
(b)機械的接合方法:かしめ、リベットによる接合(セルフピアッシングリベットによる接合、リベットによる接合)、ステッチャー;
(c)物理的接合方法:接着剤、(両面)粘着テープ
前述した積層体に用いる樹脂基板、樹脂層、樹脂、プリプレグは、本明細書に記載した樹脂層であってもよく、本明細書に記載た樹脂層に用いる樹脂、樹脂硬化剤、化合物、硬化促進剤、誘電体、反応触媒、架橋剤、ポリマー、プリプレグ、骨格材等を含んでもよい。なお、キャリア付銅箔は平面視したときに樹脂又はプリプレグより小さくてもよい。
電解槽の中に、チタン製の回転ドラムと、ドラムの周囲に極間距離を置いて電極を配置した。次に、電解槽において電解を行い、回転ドラムの表面に銅を析出させ、回転ドラムの表面に析出した銅を剥ぎ取り、連続的に厚さ18μmの電解銅箔を製造し、これを銅箔キャリアとした。ここで、SUSの表面にクロムメッキを行い、バフ研磨したものを回転ドラムとした。回転ドラムの表面形状は、そのまま製造される銅箔キャリアの表面形状となるため、回転ドラムの回転速度及び研磨ベルトの送り速度の調整と共に、バフ研磨に用いるバフの砥粒の番手を調整することで、銅箔キャリアの表面形状(表面粗さSz、Sa、60度鏡面光沢度)を制御した。
以下に、当該電解銅箔(銅箔キャリア)の形成条件を示す。
・実験No.1〜14、22〜53
<電解液組成>
銅:100g/L
硫酸:100g/L
塩素:65ppm
<電解条件>
電流密度:80A/dm2
電解液温度:55℃
電解液線速:4m/sec
電解時間:60秒
作製した銅箔キャリアの表面粗さSz、Sa、MD方向の60度鏡面光沢度は、表2〜4の通りであった。
<電解液組成>
銅:100g/L
硫酸:100g/L
塩素:120ppm
<電解条件>
電流密度:80A/dm2
電解液温度:65℃
電解液線速:4m/sec
電解時間:60秒
<電解液組成>
銅:100g/L
硫酸:100g/L
塩素:100ppm
光沢剤:
レべリング剤1(ビス(3スルホプロピル)ジスルフィド):1ppm
レべリング剤2(アミン化合物):1ppm
上記のアミン化合物として以下の化学式のアミン化合物を用いた。
<電解条件>
電流密度:80A/dm2
電解液温度:55℃
電解液線速:4m/sec
電解時間:60秒
<電解液組成>
銅:100g/L
硫酸:100g/L
塩素:65ppm
光沢剤:
レべリング剤1(ビス(3スルホプロピル)ジスルフィド):3ppm
レべリング剤2(アミン化合物):3ppm
上記のアミン化合物として以下の化学式のアミン化合物を用いた。
<電解条件>
電流密度:80A/dm2
電解液温度:55℃
電解液線速:4m/sec
電解時間:60秒
電解槽の中に、チタン製の回転ドラムと、ドラムの周囲に極間距離を置いて電極を配置した。次に、電解槽において表1に記載のキャリア箔製造条件で電解を行い、回転ドラムの表面に銅を析出させ、回転ドラムの表面に析出した銅を剥ぎ取り、連続的に厚さ18μmの電解銅箔を製造し、これを銅箔キャリアとした。
表1に記載のキャリア箔製造条件で、圧延銅箔(タフピッチ銅、JIS H3100 C1100)を準備し、当該圧延銅箔に対し、サンドブラストにより表面を粗化した圧延ロールを用いて仕上げの冷間圧延を行った。このとき、圧延ロール粗さRa=0.39〜0.42μm、油膜当量35000とした。これにより銅箔キャリアを得た。
・実験No.1〜2、22〜23、36〜37
形成した電解銅箔(銅箔キャリア)の光沢面(シャイニー面またはS面ともいう)に、硫酸500g/L、過酸化水素50g/L、添加剤成分としての1,2,3−ベンゾトリアゾール5g/Lの水溶液で、下記温度及び時間のエッチング処理を行った。
・エッチング処理条件(温度、時間)
実験No.1、22、36:(35℃、30秒)
実験No.2、23、37:(25℃、30秒)
形成した銅箔キャリアに表面処理を行わず、このまま後述の中間層処理を行った。
形成した電解銅箔(銅箔キャリア)の光沢面(シャイニー面またはS面ともいう)或いは圧延銅箔に、硫酸100g/L、過硫酸カリウム50g/L、添加剤成分としての1,2,3−ベンゾトリアゾール5g/Lの水溶液で、下記温度及び時間のソフトエッチング処理を行った。
・エッチング処理条件(温度、時間)
実験No.4、25、39、50:(35℃、10秒)
実験No.5、26、40、51:(35℃、60秒)
実験No.6、27、41、52:(25℃、10秒)
実験No.7、28、42、53:(25℃、60秒)
実験No.21:(35℃、45秒)
形成した電解銅箔(銅箔キャリア)の光沢面(シャイニー面またはS面ともいう)に、硫酸20g/L、過酸化水素10g/L、添加剤成分としての1,2,3−ベンゾトリアゾール1g/Lの水溶液で、下記温度及び時間のソフトエッチング処理を行った。
・エッチング処理条件(温度、時間)
実験No.8、29、43:(35℃、30秒)
形成した電解銅箔(銅箔キャリア)の光沢面(シャイニー面またはS面ともいう)に、硫酸20g/L、過硫酸カリウム10g/L、添加剤成分としてのカルボキシベンゾトリアゾール1g/Lの水溶液で、下記温度及び時間のソフトエッチング処理を行った。
・エッチング処理条件(温度、時間)
実験No.9、30、44:(35℃、30秒)
形成した電解銅箔(銅箔キャリア)の光沢面(シャイニー面またはS面ともいう)に、硫酸100g/L、過硫酸アンモニウム50g/L、添加剤成分としての1H−1,2,4−トリアゾール5g/Lの水溶液で、下記温度及び時間のソフトエッチング処理を行った。
・エッチング処理条件(温度、時間)
実験No.10、31、45:(25℃、5秒)
形成した電解銅箔(銅箔キャリア)の光沢面(シャイニー面またはS面ともいう)に、硫酸100g/L、過酸化水素20g/L、添加剤成分としての1,2,3−ベンゾトリアゾール5g/Lの水溶液で、下記温度及び時間のソフトエッチング処理を行った。
・エッチング処理条件(温度、時間)
実験No.11、32、46:(35℃、10秒)
実験No.12、33、47:(35℃、60秒)
実験No.13、34、48:(25℃、10秒)
実験No.14、35、49:(25℃、60秒)
形成した電解銅箔(銅箔キャリア)の非光沢面(マット面またはM面ともいう)に、硫酸10vol%、過酸化水素2.0wt%の水溶液で、下記温度及び時間のソフトエッチング処理を行った。
・エッチング処理条件(温度、時間)
実験No.15:(25℃、1分)
形成した電解銅箔(銅箔キャリア)の光沢面(シャイニー面またはS面ともいう)側にカソードを配置し、銅箔をアノードとして、直流による電解処理(処理液:硫酸100g/L)を施すことにより、銅箔の光沢面に逆電解研磨処理を行い、銅をキャリアの単位面積(1m2)当たり5g(=5g/m2)溶解させた。なお、逆電解研磨処理の電流密度は10A/dm2とし、処理温度は30℃とした。
形成した電解銅箔(銅箔キャリア)に表面処理を行わず、このまま後述の中間層処理を行った。
形成した電解銅箔(銅箔キャリア)の非光沢面(マット面またはM面ともいう)に、硫酸10vol%、過酸化水素1.5wt%の水溶液で、下記温度及び時間のソフトエッチング処理を行った。
・エッチング処理条件(温度、時間)
実験No.18:(25℃、1分)
形成した電解銅箔(銅箔キャリア)の光沢面(シャイニー面またはS面ともいう)側にカソードを配置し、銅箔をアノードとして、直流による電解処理(処理液:硫酸100g/L)を施すことにより、銅箔の光沢面に逆電解研磨処理を行い、銅をキャリアの単位面積(1m2)当たり12g(=12g/m2)溶解させた。なお、逆電解研磨処理の電流密度は20A/dm2とし、処理温度は30℃とした。
形成した電解銅箔(銅箔キャリア)の非光沢面(マット面またはM面ともいう)に、硫酸10vol%、過酸化水素2.0wt%の水溶液で、下記温度及び時間のソフトエッチング処理を行った。
・エッチング処理条件(温度、時間)
実験No.20:(25℃、1分)
形成した電解銅箔(銅箔キャリア)の光沢面(シャイニー面またはS面ともいう)に、硫酸20g/L、過酸化水素10g/L、添加剤成分としての1,2,3−ベンゾトリアゾール10g/Lの水溶液で、下記温度及び時間のソフトエッチング処理を行った。
・エッチング処理条件(温度、時間)
実験No.54〜56:(25℃、1分)
形成した電解銅箔(銅箔キャリア)の非光沢面(マット面またはM面ともいう)に、硫酸10vol%、過酸化水素8.0wt%の水溶液で、下記温度及び時間のソフトエッチング処理を行った。
・エッチング処理条件(温度、時間)
実験No.61:(25℃、1分)
以下の条件でロール・トウ・ロール型の連続めっきラインで電気めっきすることにより4000μg/dm2の付着量のNi層を形成した。
硫酸ニッケル:250〜300g/L
塩化ニッケル:35〜45g/L
酢酸ニッケル:10〜20g/L
クエン酸三ナトリウム:15〜30g/L
光沢剤:サッカリン、ブチンジオール等
ドデシル硫酸ナトリウム:30〜100ppm
pH:4〜6
液温:50〜70℃
電流密度:3〜15A/dm2
・電解クロメート処理
液組成:重クロム酸カリウム1〜10g/L、亜鉛0〜5g/L
pH:3〜4
液温:50〜60℃
電流密度:0.1〜2.6A/dm2
クーロン量:0.5〜30As/dm2
以下の条件でロール・トウ・ロール型の連続めっきラインで電気めっきすることにより3000μg/dm2の付着量のNi−Mo層を形成した。
・Ni−Mo層(ニッケルモリブデン合金めっき)
液組成:硫酸Ni六水和物:50g/dm3、モリブデン酸ナトリウム二水和物:60g/dm3、クエン酸ナトリウム:90g/dm3
液温:30℃
電流密度:1〜4A/dm2
通電時間:3〜25秒
・Ni層
実験No.1〜49、54〜61と同じ条件でNi層を形成した。
・有機物層(有機物層形成処理)
次に、形成したNi層表面を水洗及び酸洗後、引き続き、下記の条件でNi層表面に対して濃度1〜30g/Lのカルボキシベンゾトリアゾール(CBTA)を含む、液温40℃、pH5の水溶液を、20〜120秒間シャワーリングして噴霧することにより有機物層を形成した。
以下の条件でロール・トウ・ロール型の連続めっきラインで表面処理をすることにより有機物層を形成した。
・有機物層(有機物層形成処理)
実験No.51と同じ条件で形成した。
・Ni層
次に、形成した有機物層の表面に、実験No.1〜49、54〜61と同じ条件でNi層を形成した。
以下の条件でロール・トウ・ロール型の連続めっきラインで電気めっきすることにより4000μg/dm2の付着量のCo-Mo層を形成した。
・Co-Mo層(コバルトモリブデン合金めっき)
キャリアに対して、以下の条件でロール・トウ・ロール型の連続メッキラインで電気メッキすることにより4000μg/dm2の付着量のCo-Mo層を形成した。具体的なメッキ条件を以下に記す。
液組成:硫酸Co:50g/dm3、モリブデン酸ナトリウム二水和物:60g/dm3、クエン酸ナトリウム:90g/dm3
液温:30℃
電流密度:1〜4A/dm2
通電時間:3〜25秒
・極薄銅層
銅濃度:30〜120g/L
H2SO4濃度:20〜120g/L
電解液温度:20〜80℃
電流密度:10〜100A/dm2
なお、実験No.6、26、45には極薄銅層の上に更に、粗化処理層、耐熱処理層、クロメート層、シランカップリング処理層を設けた。
・粗化処理
Cu:10〜20g/L
Co:1〜10g/L
Ni:1〜10g/L
pH:1〜4
温度:40〜50℃
電流密度Dk:20〜30A/dm2
時間:1〜5秒
Cu付着量:15〜40mg/dm2
Co付着量:100〜3000μg/dm2
Ni付着量:100〜1000μg/dm2
・耐熱処理
Zn:0〜20g/L
Ni:0〜5g/L
pH:3.5
温度:40℃
電流密度Dk:0〜1.7A/dm2
時間:1秒
Zn付着量:5〜250μg/dm2
Ni付着量:5〜300μg/dm2
・クロメート処理
K2Cr2O7
(Na2Cr2O7或いはCrO3):2〜10g/L
NaOH或いはKOH:10〜50g/L
ZnO或いはZnSO47H2O:0.05〜10g/L
pH:7〜13
浴温:20〜80℃
電流密度0.05〜5A/dm2
時間:5〜30秒
Cr付着量:10〜150μg/dm2
・シランカップリング処理
ビニルトリエトキシシラン水溶液
(ビニルトリエトキシシラン濃度:0.1〜1.4wt%)
pH:4〜5
時間:5〜30秒
圧延銅箔(タフピッチ銅、JIS H3100 C1100)を準備し、当該圧延銅箔に対し、サンドブラストにより表面を粗化した圧延ロールを用いて仕上げの冷間圧延を行った。このとき、圧延ロール粗さRa=0.45〜0.48μm、油膜当量41000とした。これにより銅箔キャリアを得た。
続いて、実験No.6と同様の条件で銅箔キャリア表面に中間層及び極薄銅層を形成することでキャリア付銅箔を作製した。
極薄銅層の厚みは以下の重量法により測定した。
キャリア付銅箔の重量を測定した後、極薄銅層を引き剥がし、キャリアの重量を測定し、前者と後者との差を極薄銅層の重量と定義する。
・試料の大きさ:10cm角シート(プレス機で打ち抜いた10cm角シート)
・試料の採取:任意の3箇所
・以下の式により各試料の重量法による極薄銅層の厚みを算出した。
重量法による極薄銅層の厚み(μm)={(10cm角シートのキャリア付銅箔の重量(g/100cm2))−(前記10cm角シートのキャリア付銅箔から極薄銅層を引き剥がした後の、キャリアの重量(g/100cm2))}/銅の密度(8.96g/cm3)×0.01(100cm2/cm2)×10000μm/cm
なお、試料の重量測定には、小数点以下4桁まで測定可能な精密天秤を使用した。そして、得られた重量の測定値をそのまま上記計算に使用した。
・3箇所の重量法による極薄銅層の厚みの算術平均値を、重量法による極薄銅層の厚みとした。
また、精密天秤にはアズワン株式会社製IBA−200を用い、プレス機は、野口プレス株式会社製HAP−12を用いた。
なお、極薄銅層の上に粗化処理層等の表面処理層を形成した場合には、当該表面処理層を形成した後に上記測定を行った。
この結果、実験No.1〜61の全てについて、極薄銅層の厚みが1〜3μmであることを確認した。
キャリア付極薄銅層と基材(三菱ガス化学(株)製:GHPL−832NX−A)に対して、圧力20kgf/cm2で220℃で2時間加熱の積層プレスを行った後、銅箔キャリアをJIS C 6471(1995、なお、銅箔を引き剥がす方法は、8.1 銅箔の引き剥がし強さ 8.1.1試験方法の種類(1)方法A(銅箔を銅箔除去面に対して90°方向に引き剥がす方法)とした。)に準拠して引き剥がし、極薄銅層を露出させた。次に、以下の手順により、極薄銅層の露出面の各種粗さを測定した。
ISO25178に準拠して、オリンパス社製レーザー顕微鏡OLS4000(LEXT OLS 4000)にて、極薄銅層の露出面のSz(最大高さ)、Sa(算術平均高さ)を測定した。また、表面処理前と表面処理後のキャリアの極薄銅層を設ける側の表面についても同様にSz、Saを測定した。レーザー顕微鏡における対物レンズ50倍を使用して約200μm×200μm面積(具体的には40106μm2)の測定を行い、Sz、Saを算出した。なおレーザー顕微鏡測定において、測定結果の測定面が平面でない、曲面になった場合は、平面補正を行った後に、Sz、Saを算出した。なお、レーザー顕微鏡によるSz、Saの測定環境温度は23〜25℃とした。
キャリア付極薄銅層と基材(三菱ガス化学(株)製:GHPL−832NX−A)に対して、圧力20kgf/cm2で220℃で2時間加熱の積層プレスを行った後、銅箔キャリアをJIS C 6471(1995、なお、銅箔を引き剥がす方法は、8.1 銅箔の引き剥がし強さ 8.1.1試験方法の種類(1)方法A(銅箔を銅箔除去面に対して90°方向に引き剥がす方法)とした。)に準拠して引き剥がし、極薄銅層を露出させた。次に、JIS Z8741に準拠した日本電色工業株式会社製光沢度計ハンディーグロスメーターPG−1を使用し、入射角60度で、極薄銅層の露出面のMD方向(極薄銅層のスジ方向)の60度光沢度GMDを測定した。
次に、極薄銅層の未処理表面に、レーザーを下記条件にて照射し、照射後の穴形状を顕微鏡にて観察し、計測を実施した。レーザー穴開け時のエネルギーは、極薄銅層の厚みが2μmの場合は、穴径φ60μmを狙って、サンプル毎に3〜7mJの範囲で適宜調整し、極薄銅層の厚みが1μmの場合は、穴径φ50μmを狙って、サンプル毎に1〜5mJの範囲で適宜調整し、極薄銅層の厚みが3μmの場合は、穴径φ70μmを狙って、サンプル毎に3〜10mJの範囲で適宜調整した。穴開けしたビアの測定点は100点であり、穴の径は、穴を取り囲む最小円の直径とした。そして、当該穴の径を測定し、標準偏差を求め、下記の基準によりレーザー穴開け性を評価した。なお、レーザー加工機には三菱電機株式会社製のレーザー加工機ML605GTW4を用いた。
(レーザー照射条件)
・レーザー波長:9.4μm
・出力:250W
・パルスエネルギー:3〜7mJの範囲で適宜調整
・パルス幅:10μ秒
・加工方式:バーストモード
・ショット数:1ショット
(レーザー穴開け性の評価基準)
標準偏差6.0μm超:×
標準偏差4.0μm超6.0μm以下:△
標準偏差2.5μm超4.0μm以下:〇
標準偏差2.5μm以下:〇〇
キャリア付銅箔(極薄銅層への表面処理を施されたキャリア付銅箔は、当該表面処理後のキャリア付銅箔)を極薄銅層側からビスマレイミドトリアジン樹脂基板に貼り合わせた後、キャリアを剥がし、続いて、M−SAP回路として、露出した極薄銅層表面に、極薄銅層の厚みが2μmの場合は15μm幅のパターン銅めっき層をL/S=15μm/15μmとなるように形成し、極薄銅層の厚みが1μmの場合は12μm幅のパターン銅めっき層をL/S=12μm/12μmとなるように形成し、極薄銅層の厚みが3μmの場合は20μm幅のパターン銅めっき層をL/S=20μm/20μmとなるように形成し、その後エッチングを行って回路を形成した。このときのエッチング条件を以下に示す。そして、当該回路について1mmの線長さの箇所を100個(すなわち、1mmの線長さの回路を100本)平面観察して、裾引き部の長さを測定した。当該測定によって得られた回路の裾引き部の最大長さに関して、以下の基準により回路形成性を評価した。図5に、当該裾引き部を示した回路の平面観察写真を示す。裾引き部は、図5に示すように、回路のボトムに薄く生じるエッチング残りである。
(エッチング条件)
・エッチング形式:スプレーエッチング
・スプレーノズル:フルコーン型
・スプレー圧:0.10MPa
・エッチング液温:30℃
・エッチング液組成:
H2O2:18g/L
H2SO4:92g/L
Cu:8g/L
添加剤:株式会社JCU製 FE−830IIW3C 適量
(回路形成性の評価基準)
配線間ショート多発または断線多発などの回路形成不良状態:××
裾引き部の最大長さが5μm以上であるが配線間ショートまでは至ってない:×
裾引き部の最大長さが2μm以上5μm未満:○
裾引き部の最大長さが2μm未満:○○
試験条件及び試験結果を表2〜4に示す。
Claims (25)
- キャリアの一方の面、又は、両方の面に、中間層と、極薄銅層とをこの順に備えたキャリア付銅箔であって、
前記キャリア付銅箔を前記極薄銅層側から絶縁基板に圧力20kgf/cm2で積層して220℃で2時間加熱した後、JIS C 6471に準拠して前記キャリア付銅箔からキャリアを剥がしたとき、
レーザー顕微鏡で測定される前記極薄銅層の前記中間層側の表面粗さSz及び表面粗さSaについて、Sz≦3.6μm、10.77≦Sz/Sa≦14.00を満たし、且つ、
前記極薄銅層の前記中間層側表面のMD方向の60度光沢度GMDについて、GMD≦150を満たすキャリア付銅箔。 - 前記キャリア付銅箔を前記極薄銅層側から絶縁基板に圧力20kgf/cm2で積層して220℃で2時間加熱した後、JIS C 6471に準拠して前記キャリア付銅箔からキャリアを剥がしたとき、
前記極薄銅層の前記中間層側表面のMD方向の60度光沢度GMDについて、GMD≦80を満たす請求項1に記載のキャリア付銅箔。 - 前記キャリア付銅箔を前記極薄銅層側から絶縁基板に圧力20kgf/cm2で積層して220℃で2時間加熱した後、JIS C 6471に準拠して前記キャリア付銅箔からキャリアを剥がしたとき、
前記極薄銅層の前記中間層側表面のMD方向の60度光沢度GMDについて、GMD≦70を満たす請求項1に記載のキャリア付銅箔。 - 前記キャリア付銅箔を前記極薄銅層側から絶縁基板に圧力20kgf/cm2で積層して220℃で2時間加熱した後、JIS C 6471に準拠して前記キャリア付銅箔からキャリアを剥がしたとき、
前記極薄銅層の前記中間層側表面のMD方向の60度光沢度GMDについて、GMD≦65を満たす請求項1に記載のキャリア付銅箔。 - キャリアの一方の面、又は、両方の面に、中間層と、極薄銅層とをこの順に備えたキャリア付銅箔であって、
前記キャリア付銅箔を前記極薄銅層側から絶縁基板に圧力20kgf/cm 2 で積層して220℃で2時間加熱した後、JIS C 6471に準拠して前記キャリア付銅箔からキャリアを剥がしたとき、
レーザー顕微鏡で測定される前記極薄銅層の前記中間層側の表面粗さSz及び表面粗さSaについて、Sz≦3.6μm、Sz/Sa≦14.00を満たし、且つ、
前記極薄銅層の前記中間層側表面のMD方向の60度光沢度GMDについて、GMD≦9.6を満たすキャリア付銅箔。 - 前記キャリア付銅箔を前記極薄銅層側から絶縁基板に圧力20kgf/cm2で積層して220℃で2時間加熱した後、JIS C 6471に準拠して前記キャリア付銅箔からキャリアを剥がしたとき、
前記極薄銅層の前記中間層側表面のMD方向の60度光沢度GMDについて、GMD≦5を満たす請求項1又は5に記載のキャリア付銅箔。 - 前記キャリア付銅箔を前記極薄銅層側から絶縁基板に圧力20kgf/cm2で積層して220℃で2時間加熱した後、JIS C 6471に準拠して前記キャリア付銅箔からキャリアを剥がしたとき、
レーザー顕微鏡で測定される前記極薄銅層の前記中間層側の表面粗さSz及び表面粗さSaについて、Sz/Sa≦10.50を満たす請求項5に記載のキャリア付銅箔。 - 前記キャリア付銅箔を前記極薄銅層側から絶縁基板に圧力20kgf/cm2で積層して220℃で2時間加熱した後、JIS C 6471に準拠して前記キャリア付銅箔からキャリアを剥がしたとき、
レーザー顕微鏡で測定される前記極薄銅層の前記中間層側の表面粗さSz及び表面粗さSaについて、Sz/Sa≦9.50を満たす請求項5に記載のキャリア付銅箔。 - 前記キャリア付銅箔を前記極薄銅層側から絶縁基板に圧力20kgf/cm2で積層して220℃で2時間加熱した後、JIS C 6471に準拠して前記キャリア付銅箔からキャリアを剥がしたとき、
レーザー顕微鏡で測定される前記極薄銅層の前記中間層側の表面粗さSzについて、0.01μm≦Szを満たす請求項1〜8のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔。 - 前記キャリア付銅箔を前記極薄銅層側から絶縁基板に圧力20kgf/cm2で積層して220℃で2時間加熱した後、JIS C 6471に準拠して前記キャリア付銅箔からキャリアを剥がしたとき、
レーザー顕微鏡で測定される前記極薄銅層の前記中間層側の表面粗さSz及び表面粗さSaについて、1.00≦Sz/Saを満たす請求項5、7、8のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔。 - 前記キャリア付銅箔を前記極薄銅層側から絶縁基板に圧力20kgf/cm2で積層して220℃で2時間加熱した後、JIS C 6471に準拠して前記キャリア付銅箔からキャリアを剥がしたとき、
前記極薄銅層の前記中間層側表面のMD方向の60度光沢度GMDについて、0.01≦GMDを満たす請求項1〜10のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔。 - 請求項1〜11のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔がキャリアの一方の面に極薄銅層を有する場合において、前記極薄銅層側及び前記キャリア側の少なくとも一方の表面、又は、両方の表面に、または、
請求項1〜11のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔がキャリアの両方の面に極薄銅層を有する場合において、当該一方または両方の極薄銅層側の表面に、
粗化処理層、耐熱層、防錆層、クロメート処理層及びシランカップリング処理層からなる群から選択された1種以上の層を有する請求項1〜11のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔。 - 前記極薄銅層上に樹脂層を備える請求項1〜11のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔。
- 前記粗化処理層、前記耐熱層、防錆層、クロメート処理層及びシランカップリング処理層からなる群から選択された1種以上の層の上に樹脂層を備える請求項12に記載のキャリア付銅箔。
- 請求項1〜14のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔を用いて積層体を製造する方法。
- 請求項1〜14のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔と樹脂とを含む積層体であって、前記キャリア付銅箔の端面の一部または全部が前記樹脂により覆われている積層体。
- 一つの請求項1〜14のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔を前記キャリア側又は前記極薄銅層側から、もう一つの請求項1〜14のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔の前記キャリア側又は前記極薄銅層側に積層した積層体。
- 請求項17に記載の積層体であって、前記積層体の端面の一部または全部が樹脂により覆われている積層体。
- 請求項15に記載の積層体を製造する方法により製造した積層体または請求項16〜18のいずれか一項に記載の積層体を用いたプリント配線板の製造方法。
- 請求項15に記載の積層体を製造する方法により製造した積層体または請求項16〜18のいずれか一項に記載の積層体に樹脂層と回路との2層を、少なくとも1回設ける工程、及び、
前記樹脂層及び回路の2層を少なくとも1回形成した後に、前記積層体のキャリア付銅箔から前記極薄銅層又は前記キャリアを剥離させる工程
を含むプリント配線板の製造方法。 - 請求項1〜14のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔を用いてプリント配線板を製造する方法。
- 請求項21に記載のプリント配線板を製造する方法により製造したプリント配線板を用いて電子機器を製造する方法。
- 請求項1〜14のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔と絶縁基板とを準備する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板とを積層する工程、及び、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板とを積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程を経て銅張積層板を形成し、
その後、セミアディティブ法、サブトラクティブ法、パートリーアディティブ法又はモディファイドセミアディティブ法のいずれかの方法によって、回路を形成する工程を含むプリント配線板の製造方法。 - 請求項1〜14のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔の前記極薄銅層側表面または前記キャリア側表面に回路を形成する工程、
前記回路が埋没するように前記キャリア付銅箔の前記極薄銅層側表面または前記キャリア側表面に樹脂層を形成する工程、
前記キャリアまたは前記極薄銅層を剥離させる工程、及び、
前記キャリアまたは前記極薄銅層を剥離させた後に、前記極薄銅層または前記キャリアを除去することで、前記極薄銅層側表面または前記キャリア側表面に形成した、前記樹脂層に埋没している回路を露出させる工程
を含むプリント配線板の製造方法。 - 請求項1〜14のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔の前記極薄銅層側表面または前記キャリア側表面と樹脂基板とを積層する工程、
前記キャリア付銅箔の樹脂基板と積層した側とは反対側の極薄銅層側表面または前記キャリア側表面に樹脂層と回路との2層を、少なくとも1回設ける工程、及び、
前記樹脂層及び回路の2層を形成した後に、前記キャリア付銅箔から前記キャリアまたは前記極薄銅層を剥離させる工程
を含むプリント配線板の製造方法。
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