TW201536710A - 玻璃積層體之製造方法及電子裝置之製造方法 - Google Patents

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Abstract

本發明係關於一種玻璃積層體之製造方法，其係依序具有支持基板、聚矽氧樹脂層及玻璃基板之玻璃積層體之製造方法，且其包含：加熱步驟，其係對包含具有第1主面及第2主面之支持基板以及配置於上述支持基板之上述第1主面上之硬化性聚矽氧組合物層的附硬化性層之支持基板自上述支持基板之上述第2主面側利用複數個支持銷進行支持，對上述附硬化性層之支持基板實施加熱處理而形成聚矽氧樹脂層；積層步驟，其係於上述加熱步驟後，於上述聚矽氧樹脂層上積層玻璃基板；及表面處理步驟，其係於上述積層步驟後，或於上述加熱步驟後且上述積層步驟前，至少對上述支持基板之上述第2主面實施選自由電暈處理、電漿處理、及UV臭氧處理所組成之群中之至少1種處理。

Description

玻璃積層體之製造方法及電子裝置之製造方法
本發明係關於一種玻璃積層體之製造方法、及電子裝置之製造方法。
近年來，太陽電池(PV)、液晶面板(LCD)、有機EL(Electroluminescence，電致發光)面板(OLED)等裝置(電子設備)之薄型化、輕量化不斷進展，該等裝置所使用之玻璃基板之薄板化正不斷發展。若因薄板化導致玻璃基板之強度不足，則於裝置之製造步驟中，玻璃基板之操作性降低。
最近，為了應對上述課題，而提出有如下方法，即準備積層有玻璃基板與補強板之玻璃積層體，於玻璃積層體之玻璃基板上形成顯示裝置等電子裝置用構件後，將補強板自玻璃基板分離(例如，參照專利文獻1)。補強板具有支持基板、及固定於該支持基板上之聚矽氧樹脂層，且將聚矽氧樹脂層與玻璃基板以可剝離之方式進行密接。於玻璃積層體之聚矽氧樹脂層與玻璃基板之界面將補強板剝離，自玻璃基板分離之補強板可與新的玻璃基板積層，而作為玻璃積層體進行再利用。
再者，亦有對所形成之玻璃積層體為了研磨玻璃基板之表面而實施研磨處理之情形(專利文獻2)。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]國際公開第2007/018028號
[專利文獻2]日本專利特開2013-149713號
另一方面，自先前已知有將表面配置有塗膜之支持基板載置於複數個支持銷之頂部而進行加熱乾燥之方法。
本發明者等人依據專利文獻1所記載之方法而製作補強板時，將表面配置有藉由加熱而成為聚矽氧樹脂層之塗膜的支持基板載置於複數個支持銷之頂部而進行加熱乾燥，形成聚矽氧樹脂層後，於聚矽氧樹脂層上積層玻璃基板而製作玻璃積層體。其後，使所獲得之玻璃積層體中之支持基板側朝向特定之基板側，將玻璃積層體載置於特定之基板上，如專利文獻1或2所記載般，於玻璃積層體中之玻璃基板上形成電子裝置用構件、或對玻璃基板表面進行研磨處理。其後，於欲自特定之基板卸除玻璃積層體時，特定之基板與支持基板密接，玻璃積層體被固定於特定之基板上而無法容易地卸除。因此，引起由製程時間之長期化引起之生產性之降低、或電子裝置之製造良率之降低。
本發明係鑒於上述課題而完成者，其目的在於提供一種玻璃積層體之製造方法，該製造方法可製造使支持基板側朝向各種基板上載置後可容易自該基板剝離之玻璃積層體。
又，本發明之目的亦在於提供一種使用藉由該玻璃積層體之製造方法製造之玻璃積層體的電子裝置之製造方法。
本發明者等人為解決上述課題而進行努力研究，結果完成本發明。
即，本發明之第1態樣係一種玻璃積層體之製造方法，其係依序具有支持基板、聚矽氧樹脂層及玻璃基板之玻璃積層體之製造方法， 且其包含：加熱步驟，其係對包含具有第1主面及第2主面之支持基板以及配置於支持基板之第1主面上之硬化性聚矽氧組合物層的附硬化性層之支持基板自支持基板之第2主面側利用複數個支持銷進行支持，對附硬化性層之支持基板實施加熱處理而形成聚矽氧樹脂層；積層步驟，其係於加熱步驟後，於聚矽氧樹脂層上積層玻璃基板；及表面處理步驟，其係於積層步驟後，或於加熱步驟後且積層步驟前，至少對支持基板之第2主面實施選自由電暈處理、電漿處理、及UV(Ultra Violet，紫外線)臭氧處理所組成之群中之至少1種處理。
於第1態樣中，較佳為於硬化性聚矽氧組合物層中至少含有具有烯基之有機烯基聚矽氧烷、及具有鍵結於矽原子之氫原子之有機氫聚矽氧烷。
於第1態樣中，加熱步驟較佳為依序包含於第1溫度下實施加熱處理之第1加熱步驟、及於較第1溫度高之第2溫度下實施加熱處理之第2加熱步驟。
於第1態樣中，附硬化性層之支持基板係藉由將包含硬化性聚矽氧與溶劑之硬化性聚矽氧組合物塗佈於支持基板之第1主面上而形成，且 第1溫度較佳為滿足溶劑之初餾點-30℃≦第1溫度≦溶劑之初餾點+30℃。
於第1態樣中，較佳為於積層步驟後實施表面處理步驟。
於第1態樣中，較佳為於表面處理步驟中，使複數對包含隔著積層步驟中所獲得之玻璃積層體被搬送之搬送路徑相對向之高壓電極與接地電極的電極對沿著玻璃積層體之搬送方向進行排列，將鄰接之電極對中之一者之高壓電極配置於隔著搬送路徑之一側，將另一者之高壓電極配置於隔著搬送路徑之另一側，且一面將玻璃積層體沿著搬送路徑進行搬送，一面向高壓電極施加高頻電壓，而對玻璃積層體實施 電暈處理。
本發明之第2態樣係一種電子裝置之製造方法，其包含：構件形成步驟，其係於藉由上述第1態樣之製造方法製造之玻璃積層體之玻璃基板的表面上形成電子裝置用構件，而獲得附電子裝置用構件之積層體；及分離步驟，其係自附電子裝置用構件之積層體去除具有聚矽氧樹脂層及支持基板之附樹脂層之支持基板，而獲得具有玻璃基板與電子裝置用構件之電子裝置。
根據本發明，可提供一種玻璃積層體之製造方法，該製造方法可製造使支持基板側朝向各種基板上載置後可容易自該基板剝離之玻璃積層體。
又，根據本發明，亦可提供一種使用藉由該玻璃積層體之製造方法製造之玻璃積層體的電子裝置之製造方法。
10‧‧‧支持基板
10a‧‧‧支持基板之第2主面
12‧‧‧硬化性聚矽氧組合物層
14‧‧‧附硬化性層之支持基板
16‧‧‧聚矽氧樹脂層
16a‧‧‧聚矽氧樹脂層中之與支持基板側相反側之表面
18‧‧‧附樹脂層之支持基板
20‧‧‧玻璃基板
20a‧‧‧玻璃基板之第1主面
20b‧‧‧玻璃基板之第2主面
22‧‧‧電子裝置用構件
24‧‧‧附電子裝置用構件之積層體
26‧‧‧電子裝置
50‧‧‧支持台
52‧‧‧支持銷
60‧‧‧電暈處理裝置
62‧‧‧第1高壓電極
64‧‧‧第1接地電極
66‧‧‧第2高壓電極
68‧‧‧第2接地電極
70‧‧‧第1電極對
72‧‧‧第2電極對
74‧‧‧搬送輥
76‧‧‧第1高頻電源
78‧‧‧第2高頻電源
100‧‧‧玻璃積層體
X‧‧‧玻璃積層體
圖1係表示本發明之玻璃積層體之製造方法之第1態樣的製造步驟之流程圖。
圖2(A)、(B)及(C)係以步驟順序表示本發明之玻璃積層體之製造方法之第1態樣的模式剖面圖。
圖3係表示加熱步驟中之附硬化性層之支持基板之配置狀態之模式圖。
圖4係表示電暈處理裝置之一實施形態之側視圖。
圖5係表示本發明之玻璃積層體之製造方法之第2態樣的製造步驟之流程圖。
圖6(A)及(B)係以步驟順序表示本發明之電子裝置之製造方法之一實施形態的模式剖面圖。
以下，針對本發明之較佳實施態樣，參照圖式進行說明，但本發明並不受以下之實施形態限制，於不脫離本發明之範圍之情況下，可於以下之實施形態中施加各種變化及置換。
本發明者等人對上述問題進行研究時發現，於加熱步驟後或製作玻璃積層體後(積層步驟後)聚矽氧樹脂附著於支持基板之第2主面(背面)側，其係上述問題之原因之一。
更具體而言，於加熱步驟時，聚矽氧樹脂或其原料之一部分揮發，從而聚矽氧樹脂附著於支持銷所支持之支持基板之第2主面側。因此，使玻璃積層體之支持基板側朝向特定之基板側並將玻璃積層體載置於特定之基板上時，由於存在於該特定之基板與玻璃積層體中之支持基板之間的聚矽氧樹脂而使特定之基板與支持基板之剝離強度上升，從而兩者變得難以剝離。因此，發現於製作玻璃積層體後對支持基板之第2主面側實施各種處理而將聚矽氧樹脂去除，藉此可解決上述課題。
本發明之玻璃積層體之製造方法包含：對附硬化性層之支持基板實施加熱處理之加熱步驟；積層玻璃基板之積層步驟；及進行表面處理之表面處理步驟。再者，表面處理步驟係於上述積層步驟後，或者於上述加熱步驟後且上述積層步驟前實施。以下，將前者之態樣作為第1態樣，將後者之態樣作為第2態樣而進行說明。
<<第1態樣>>
圖1係表示本發明之玻璃積層體之製造方法之第1態樣的製造步驟之流程圖。如圖1所示般，第1態樣依序包含：加熱步驟S102、積層步驟S104、及表面處理步驟S106。
以下，針對各步驟中所使用之材料及其程序進行詳述。首先，對加熱步驟S102進行詳述。
<加熱步驟>
加熱步驟S102係如下步驟，即以複數個支持銷，將包含具有第1主面及第2主面之支持基板以及配置於支持基板之第1主面上之硬化性聚矽氧組合物層的附硬化性層之支持基板自支持基板之第2主面(與有硬化性聚矽氧組合物層之側相反側之面)側進行支持，對附硬化性層之支持基板實施加熱處理而形成聚矽氧樹脂層。更具體而言，針對圖2(A)中之包含支持基板10與硬化性聚矽氧組合物層12之附硬化性層之支持基板14，實施該步驟S102，藉此可獲得如圖2(B)所示般包含支持基板10與聚矽氧樹脂層16之附樹脂層之支持基板18。
以下，首先對本步驟S102中所使用之構件、材料(支持基板、硬化性聚矽氧組合物層)進行詳述，其後，針對步驟S102之程序進行詳述。
(支持基板)
支持基板10具有第1主面與第2主面2個主面，且與下述之聚矽氧樹脂層16協動，支持並補強下述之玻璃基板20，而於下述之構件形成步驟(電子裝置用構件之製造步驟)中防止電子裝置用構件之製造時玻璃基板20之變形、損傷、破損等。又，於使用厚度較先前薄之玻璃基板之情形時，可藉由製成與先前之玻璃基板相同厚度之玻璃積層體，而於構件形成步驟中使用適合先前之厚度之玻璃基板之製造技術或製造設備，其亦為使用支持基板10之目的之一。
作為支持基板10，例如可使用玻璃板、塑膠板、SUS(Steel Use Stainless，日本不鏽鋼標準)板等金屬板、陶瓷板等。於構件形成步驟伴隨著熱處理之情形時，支持基板10較佳為由與玻璃基板20之線膨脹係數之差較小之材料形成，更佳為由與玻璃基板20相同之材料形成。即，支持基板10較佳為玻璃板。尤其是支持基板10較佳為包含與玻璃基板20相同之玻璃材料之玻璃板。
關於支持基板10之厚度，可厚於玻璃基板20，亦可薄於玻璃基 板20。較佳為基於玻璃基板20之厚度、樹脂層16之厚度、及玻璃積層體之厚度而選擇支持基板10之厚度。例如，現行之構件形成步驟係為了對厚度0.5mm之基板進行處理而設計者，於玻璃基板20之厚度與樹脂層16之厚度之和為0.1mm之情形時，將支持基板10之厚度設為0.4mm。支持基板10之厚度於通常之情形時較佳為0.2~5.0mm。
於支持基板10為玻璃板之情形時，關於玻璃板之厚度，就操作容易、難以破損等理由而言，較佳為0.08mm以上。又，關於玻璃板之厚度，就於電子裝置用構件形成後進行剝離時，期望有如不破損而適度彎曲之剛性之理由而言，較佳為1.0mm以下。
支持基板10與玻璃基板20之於25~300℃下之平均線膨脹係數(以下，簡稱為「平均線膨脹係數」)之差較佳為500×10-7/℃以下，更佳為300×10-7/℃以下，進而較佳為200×10-7/℃以下。若差過大，則於構件形成步驟中之加熱冷卻時，有玻璃積層體猛烈地彎曲，或玻璃基板20與下述之附樹脂層之支持基板18剝離之可能性。於玻璃基板20之材料與支持基板10之材料相同之情形時，可抑制上述問題產生。
(硬化性聚矽氧組合物層)
硬化性聚矽氧組合物層係可於本步驟S102中形成聚矽氧樹脂層之組合物之層。
硬化性聚矽氧組合物層包含進行硬化而成為聚矽氧樹脂之硬化性聚矽氧。此種硬化性聚矽氧係根據其硬化機制而被分類為縮合反應型聚矽氧、加成反應型聚矽氧、紫外線硬化型聚矽氧及電子束硬化型聚矽氧，可使用上述中任一種之硬化型聚矽氧。該等中較佳為加成反應型聚矽氧。其原因在於：硬化反應容易進行，且形成聚矽氧樹脂層時之剝離性之程度良好，並且耐熱性亦較高。
加成反應型聚矽氧係含有主劑及交聯劑，且於鉑系觸媒等觸媒之存在下進行硬化之硬化性組合物。加成反應型聚矽氧之硬化係藉由 加熱處理而促進。加成反應型聚矽氧中之主劑較佳為具有鍵結於矽原子之烯基(乙烯基等)之有機聚矽氧烷(即，有機烯基聚矽氧烷；再者，較佳為直鏈狀)，且烯基等成為交聯點。加成反應型聚矽氧中之交聯劑較佳為具有鍵結於矽原子之氫原子(氫化矽烷基)之有機聚矽氧烷(即，有機氫聚矽氧烷；再者，較佳為直鏈狀)，且氫化矽烷基等成為交聯點。
加成反應型聚矽氧係藉由主劑與交聯劑之交聯點進行加成反應而進行硬化。再者，就源自交聯結構之耐熱性更優異之方面而言，有機氫聚矽氧烷之鍵結於矽原子之氫原子相對於有機烯基聚矽氧烷之烯基的莫耳比較佳為0.5~2。
於硬化性聚矽氧組合物層所含有之硬化性聚矽氧為加成反應型聚矽氧之情形時，硬化性聚矽氧組合物層亦可進而含有觸媒(尤其是鉑族金屬系觸媒)、或反應抑制劑。
鉑族金屬系觸媒(矽氫化用鉑族金屬觸媒)係用以進行、促進上述有機烯基聚矽氧烷中之烯基、與上述有機氫聚矽氧烷中之氫原子之矽氫化反應之觸媒。作為鉑族金屬系觸媒，可列舉：鉑系、鈀系、銠系等觸媒，就經濟性、反應性之方面而言，尤佳為使用鉑系觸媒。
反應抑制劑(矽氫化用反應抑制劑)係抑制上述觸媒(尤其是鉑族金屬系觸媒)於常溫下之觸媒活性，而使硬化性聚矽氧組合物之使用壽命變長之所謂適用期延長劑(亦稱為延遲劑)。作為反應抑制劑，例如可列舉：各種有機氮化合物、有機磷化合物、乙炔系化合物、肟化合物、有機氯化合物等。尤佳為乙炔系化合物(例如乙炔醇類及乙炔醇之矽烷化物)。
於支持基板上形成硬化性聚矽氧組合物層之方法並無特別限制，可採用公知之方法。例如可列舉：將上述之包含硬化性聚矽氧之硬化性聚矽氧組合物塗佈於支持基板上之方法。再者，進行塗佈之方 法並無特別限制，可採用公知之方法。例如作為塗佈方法，可列舉：噴塗法、模具塗佈法、旋轉塗佈法、浸漬塗佈法、輥塗法、棒式塗佈法、網版印刷法、凹版塗佈法等。可自上述方法中，視硬化性聚矽氧組合物之種類而適當進行選擇。
於硬化性聚矽氧組合物中，亦可視需要而包含溶劑。溶劑較佳為可容易地使各種成分溶解，且可容易地被揮發去除者。具體而言，例如可列示：乙酸丁酯、庚烷、2-庚酮、1-甲氧基-2-丙醇乙酸酯、甲苯、二甲苯、THF(Tetrahydrofuran，四氫呋喃)、氯仿等。其中，較佳為飽和烴，可自各種飽和烴(直鏈狀飽和烴、支鏈狀飽和烴、脂環式飽和烴)之1種或2種以上使用成為實際之各種飽和烴溶劑。例如可列舉：Isopar G(Exxon Mobil有限公司製造)、Isopar L(Exxon Mobil有限公司製造)、Isopar H(Exxon Mobil有限公司製造)、Isopar M(Exxon Mobil有限公司製造)、NORPAR 13(Exxon Mobil有限公司製造)、NORPAR 15(Exxon Mobil有限公司製造)、Exxsol D40(Exxon Mobil有限公司製造)、Exxsol D60(Exxon Mobil有限公司製造)、Exxsol D80(Exxon Mobil有限公司製造)、Neothiosol(中央化成股份有限公司製造)、IP Solvent 2028(出光興產股份有限公司製造)。
其中，就於如下述般以2個階段實施步驟S102之情形時於第1加熱階段溶劑容易揮發之方面而言，較佳為使用初餾點(大氣壓下)為210℃以下之溶劑。
再者，硬化性聚矽氧組合物層之厚度並無特別限制，以可獲得下述之具有較佳厚度之聚矽氧樹脂層之方式適當進行調整。
(步驟之順序)
於本步驟S102中，以複數個支持銷，將附硬化性層之支持基板自支持基板之第2主面側進行支持而實施加熱處理。即，一面以支持銷支持附硬化性層之支持基板一面進行加熱。更具體而言，如圖3所 示般於支持台50上所間隔配置之複數個支持銷52之頂端(頂部)上配置附硬化性層之支持基板14，於該狀態下對附硬化性層之支持基板14實施加熱處理。再者，支持銷52係如圖3所示般支持附硬化性層之支持基板14中之支持基板10之第2主面10a。
於圖3中僅圖示3根支持銷52，但支持銷之數量並無特別限定，亦可為10根以上。又，支持銷52之配置位置並無特別限制，可隔著特定之間隔進行配置，亦可隨機配置。進而，支持銷52之形狀並無特別限制，亦可為圓柱狀、多角形狀等中之任一形狀。
再者，如圖3所示般，支持銷52係與支持基板10之第2主面10a側之一部分接觸，因此於支持基板10之第2主面10a側存在未與支持銷52接觸之區域。
對附硬化性層之支持基板實施加熱處理之方法只要可於以上述支持銷支持附硬化性層之支持基板之狀態下進行加熱，則無特別限制，例如可使用於加熱室內設置有支持銷之烘箱等公知之加熱處理裝置。更具體而言，可列舉：使用包含加熱板之加熱處理裝置之方法(例如，於在配置於支持銷上之附硬化性層之支持基板中之硬化性聚矽氧組合物層之上部設置有加熱板之加熱處理裝置內進行加熱之方法)。
使硬化性聚矽氧組合物層熱硬化之加熱條件係視所使用之硬化性聚矽氧之種類而適當選擇最佳之條件。其中，就硬化性聚矽氧之硬化速度及所形成之聚矽氧樹脂層之耐熱性等方面而言，較佳為於150~300℃(較佳為180~250℃)下進行10~120分鐘(較佳為30~60分鐘)加熱處理。
作為本步驟S102之較佳態樣，較佳為於不同之溫度條件下以2個階段實施加熱處理之態樣。即，更佳為包含：於第1溫度下實施加熱處理之步驟、與於較第1溫度高之第2溫度下實施加熱處理之步驟。藉 由以2個階段實施加熱處理，從而所形成之聚矽氧樹脂層16之表面面狀更優異，而與下述之玻璃基板20之密接性更為提高。再者，於以2個階段實施加熱處理之情形時，亦可利用不同之加熱處理裝置實施第1加熱步驟與第2加熱步驟。
再者，於附硬化性層之支持基板係藉由將包含硬化性聚矽氧與溶劑之硬化性聚矽氧組合物塗佈於支持基板上而形成之情形時，就溶劑之去除性更優異而硬化性聚矽氧組合物層之表面變得平坦，並且更為抑制硬化性聚矽氧之分解之方面而言，第1溫度較佳為溶劑之初餾點-30℃~溶劑之初餾點+30℃之範圍內。換言之，第1溫度較佳為滿足以下之關係式。
式 溶劑之初餾點-30℃≦第1溫度≦溶劑之初餾點+30℃
再者，所謂溶劑之初餾點，意指依據JIS K0066(1992)而測得之值。JIS K0066(1992)之內容係作為參照而併入本文中。
上述第1溫度與第2溫度之差並無特別限制，較佳為10℃以上，更佳為30℃以上。上限並無特別限制，通常較佳為100℃以下，更佳為70℃以下。
又，第1溫度較佳為210℃以下。即，較佳為包含：於210℃以下實施加熱處理之第1加熱步驟、與於超過210℃之溫度下實施加熱處理之第2加熱步驟。若為210℃以下，則更為抑制溶劑之爆沸或聚矽氧樹脂之揮發，從而所形成之聚矽氧樹脂層16之表面面狀更優異。以下，針對上述溫度條件下之上述第1加熱步驟及上述第2加熱步驟進行詳述。
第1加熱步驟係所謂預烘烤步驟，主要將殘留於硬化性聚矽氧組合物層12中之溶劑等揮發成分去除，而防止於下述之第2加熱步驟中溶劑爆沸。第1加熱步驟之溫度條件較佳為210℃以下，就聚矽氧樹脂層16之表面面狀更優異之方面而言，更佳為150~210℃。加熱時間係 根據所使用之材料而適當選擇最佳之條件，就生產性及溶劑之去除性之方面而言，較佳為1~5分鐘，更佳為2~3分鐘。
第2加熱步驟係所謂後烘烤步驟，主要促進硬化性聚矽氧組合物層12之硬化而形成聚矽氧樹脂層16。第2加熱步驟之溫度條件較佳為超過210℃，就硬化性聚矽氧組合物層12之溶劑去除及硬化反應更優異之方面而言，更佳為超過210℃且為250℃以下。加熱時間係根據所使用之材料而適當選擇最佳之條件，就生產性及溶劑之去除性之方面而言，較佳為10~120分鐘，更佳為30~60分鐘。
經過本步驟S102而形成之聚矽氧樹脂層16係藉由於支持基板10上實施硬化性聚矽氧組合物層12之硬化反應而被固定於支持基板10之單面上，又，以可剝離之方式與下述之玻璃基板20進行密接。聚矽氧樹脂層16係防止玻璃基板20之錯位直至進行將玻璃基板20與支持基板10進行分離之操作，並且防止由於分離操作而容易地自玻璃基板20剝離，玻璃基板20等由於分離操作而破損。又，聚矽氧樹脂層16係被固定於支持基板10，於分離操作中未使聚矽氧樹脂層16與支持基板10剝離，可藉由分離操作而獲得附樹脂層之支持基板18。
聚矽氧樹脂層16之與玻璃基板20接觸之表面係以可剝離之方式密接於玻璃基板20之第1主面。本發明中，將該聚矽氧樹脂層16表面之可容易剝離之性質稱為易剝離性(剝離性)。
於本發明中，對於上述固定與可剝離之密接而言，剝離強度(即，剝離所需要之應力)存在差異，固定意指相對於密接，剝離強度較大。又，所謂可剝離之密接，亦意指於可剝離之同時，於不產生所固定之面之剝離之情況下可剝離。具體而言，於本發明之玻璃積層體中，進行將玻璃基板20與支持基板10進行分離之操作之情形時，意指於密接之面剝離，於固定之面未剝離之情況。因此，於玻璃積層體中，若進行將玻璃基板20與支持基板10進行分離之操作，則玻璃積層 體被分成玻璃基板20與附樹脂層之支持基板18兩者。
即，聚矽氧樹脂層16對支持基板10之第1主面之結合力相對高於聚矽氧樹脂層16對玻璃基板20之第1主面的結合力。
聚矽氧樹脂層16之厚度並無特別限定，較佳為2~100μm，更佳為3~50μm，進而較佳為7~20μm。若聚矽氧樹脂層16之厚度為上述範圍，則即便於聚矽氧樹脂層16與玻璃基板20之間存在氣泡或異物，亦可抑制玻璃基板20之變形缺陷之產生。又，若聚矽氧樹脂層16之厚度過厚，則有因形成需要時間及材料，故而不經濟，且耐熱性降低之情形。又，若聚矽氧樹脂層16之厚度過薄，則有聚矽氧樹脂層16與玻璃基板20之密接性降低之情形。
<積層步驟>
積層步驟S104係如下步驟，即於上述步驟S102中所獲得之聚矽氧樹脂層16之表面上積層玻璃基板20，而獲得依序包含支持基板10、聚矽氧樹脂層16、及玻璃基板20之玻璃積層體100。更具體而言，如圖2(C)所示般，以聚矽氧樹脂層16之與支持基板10側相反側之表面16a、與具有第1主面20a及第2主面20b之玻璃基板20之第1主面20a為積層面，將聚矽氧樹脂層16與玻璃基板20進行積層，而獲得玻璃積層體100。再者，如下所述，所獲得之玻璃積層體100係實施下述之表面處理步驟S106前之處理前玻璃積層體，而推測於玻璃積層體100之支持基板10之與聚矽氧樹脂層16側相反側之表面(支持基板10之第2主面10a)附著有聚矽氧樹脂或其原料。
針對所使用之玻璃基板20，於下文進行詳述。
將玻璃基板20積層於聚矽氧樹脂層16上之方法並無特別限制，可採用公知之方法。
例如可列舉於常壓環境下於聚矽氧樹脂層16之表面上重疊玻璃基板20之方法。再者，亦可視需要，於聚矽氧樹脂層16之表面上重疊 玻璃基板20後，使用輥或加壓而使玻璃基板20壓接於聚矽氧樹脂層16。藉由利用輥或加壓之壓接，而相對容易去除混入聚矽氧樹脂層16與玻璃基板20之間之氣泡，故而較佳。
若藉由真空層壓法或真空加壓法而將聚矽氧樹脂層16與玻璃基板20進行壓接，則抑制氣泡之混入或確保良好之密接，故而更佳。亦有如下優點，即藉由於真空下進行壓接，即便於殘留有微小之氣泡之情形時，亦無由於加熱而氣泡成長之情況，而難以導致玻璃基板20之變形缺陷。
於積層玻璃基板20時，較佳為將與聚矽氧樹脂層16接觸之玻璃基板20之表面充分洗淨，而於潔淨度較高之環境下進行積層。潔淨度越高，玻璃基板20之平坦性變得越良好，故而較佳。
再者，積層玻璃基板20後，亦可視需要而進行預退火處理(加熱處理)。藉由進行該預退火處理，從而積層之玻璃基板20之對聚矽氧樹脂層16之密接性提高，可成為適當之剝離強度，而於下述之構件形成步驟時變得難以產生電子裝置用構件之錯位等，而電子裝置之生產性提高。
預退火處理之條件係視所使用之聚矽氧樹脂層16之種類而適當選擇最佳之條件，就使玻璃基板20與聚矽氧樹脂層16之間之剝離強度變得更適當之方面而言，較佳為於300℃以上(較佳為300~400℃)之溫度下進行5分鐘以上(較佳為5~30分鐘)加熱處理。
(玻璃基板)
玻璃基板20係其第1主面20a與聚矽氧樹脂層16接觸，且於其與聚矽氧樹脂層16側相反側之第2主面20b設置有電子裝置用構件。
玻璃基板20之種類可為通常者，例如可列舉LCD(liquid crystal display，液晶顯示裝置)、OLED(Organic Light-Emitting Diode，有機發光二極體)等顯示裝置用之玻璃基板等。玻璃基板20之耐化學品 性、耐透濕性優異，且熱收縮率較低。作為熱收縮率之指標，可使用JIS R 3102(1995年修正)所規定之線膨脹係數。JIS R 3102(1995年修正)之內容係作為參照被併入本文中。
若玻璃基板20之線膨脹係數較大，則因下述之構件形成步驟大多伴隨著加熱處理，故容易產生各種問題。例如於玻璃基板20上形成薄膜電晶體(TFT)之情形時，有如下之虞：若於加熱下將形成有TFT之玻璃基板20進行冷卻，則由於玻璃基板20之熱收縮而導致TFT之錯位變得過大。
玻璃基板20係使玻璃原料熔融並將熔融玻璃成形為板狀而獲得。此種成形方法可為通常者，例如可使用浮式法、熔融法、流孔下引法、富可法、魯伯法等。又，尤其是厚度較薄之玻璃基板20可利用將暫時成形為板狀之玻璃加熱至可成形之溫度，利用延伸等方法進行拉伸而使玻璃變薄之方法(再曳引法)進行成形而獲得。
玻璃基板20之玻璃之種類並無特別限定，較佳為無鹼硼矽酸玻璃、硼矽酸玻璃、鈉鈣玻璃、高二氧化矽玻璃、其他以氧化矽為主要成分之氧化物系玻璃。作為氧化物系玻璃，較佳為利用氧化物換算之氧化矽之含量為40~90質量%之玻璃。
作為玻璃基板20之玻璃，係採用適合電子裝置用構件之種類或其製造步驟之玻璃。例如液晶面板用之玻璃基板因鹼金屬成分之溶出容易對液晶產生影響，故由實質上不含有鹼金屬成分之玻璃(無鹼玻璃)(其中，包括通常鹼土金屬成分)構成。如上所述，玻璃基板20之玻璃係基於所適用之裝置之種類及其製造步驟而適當選擇。
關於玻璃基板20之厚度，就玻璃基板20之薄型化及/或輕量化之觀點而言，較佳為0.3mm以下，更佳為0.15mm以下，進而較佳為0.10mm以下。於玻璃基板20之厚度為0.3mm以下之情形時，可向玻璃基板20賦予良好之可撓性。於玻璃基板20之厚度為0.15mm以下之 情形時，可將玻璃基板20捲取成輥狀。
又，就玻璃基板20之製造容易，及玻璃基板20之操作容易等理由而言，玻璃基板20之厚度較佳為0.03mm以上。
再者，玻璃基板20亦可包含2層以上，於該情形時，形成各層之材料可為同種材料，亦可為異種材料。又，於該情形時，「玻璃基板20之厚度」意指全部層之合計之厚度。
(玻璃積層體)
玻璃積層體100係具有支持基板10、玻璃基板20及存在於該等之間之聚矽氧樹脂層16之積層體。聚矽氧樹脂層16係其一面與支持基板10之第1主面接觸，並且其另一面與玻璃基板20之第1主面20a接觸。
該玻璃積層體100係被使用至下述之構件形成步驟。即，該玻璃積層體100係被使用至於其玻璃基板20之第2主面20b表面上形成有液晶顯示裝置等電子裝置用構件為止。其後，形成有電子裝置用構件之玻璃積層體被分離為附樹脂層之支持基板18與電子裝置，附樹脂層之支持基板18不會成為構成電子裝置之部分。可於附樹脂層之支持基板18積層新的玻璃基板20而作為新的玻璃積層體100進行再利用。
支持基板10與聚矽氧樹脂層16之界面具有剝離強度(x)，若向支持基板10與聚矽氧樹脂層16之界面施加超過剝離強度(x)之剝離方向之應力，則於支持基板10與聚矽氧樹脂層16之界面產生剝離。聚矽氧樹脂層16與玻璃基板20之界面具有剝離強度(y)，若向聚矽氧樹脂層16與玻璃基板20之界面施加超過剝離強度(y)之剝離方向之應力，則於聚矽氧樹脂層16與玻璃基板20之界面產生剝離。
如上所述，於玻璃積層體100(亦意指下述之附電子裝置用構件之積層體)中，上述剝離強度(x)大於(高於)上述剝離強度(y)。因此，若向玻璃積層體100施加將支持基板10與玻璃基板20進行剝離之方向之應力，則玻璃積層體100係於聚矽氧樹脂層16與玻璃基板20之界面產 生剝離而分離為玻璃基板20與附樹脂層之支持基板18。
即，聚矽氧樹脂層16係被固定於支持基板10上而形成附樹脂層之支持基板18，玻璃基板20以可剝離之方式密接於聚矽氧樹脂層16上。
剝離強度(x)較佳為充分高於剝離強度(y)。提高剝離強度(x)意指可提高聚矽氧樹脂層16對支持基板10之附著力，且可維持於加熱處理後對玻璃基板20之相對較高之附著力。
聚矽氧樹脂層16對支持基板10之附著力之提高係藉由如下方式達成，即如上述般使硬化性聚矽氧組合物層12於支持基板10上進行交聯硬化而形成聚矽氧樹脂層16。可利用交聯硬化時之接著力形成以較高之結合力結合於支持基板10之聚矽氧樹脂層16。
另一方面，硬化性聚矽氧組合物層12之硬化物對玻璃基板20之結合力通常低於上述交聯硬化時所產生之結合力。
玻璃積層體100可用於各種用途，例如可列舉：製造下述之顯示裝置用面板、PV、薄膜2次電池、表面形成有電路之半導體晶圓等電子零件之用途等。再者，於該用途中，玻璃積層體100大多被暴露於高溫條件(例如360℃以上)下(例如1小時以上)。
此處，所謂顯示裝置用面板，包括LCD、OLED、電子紙、電漿顯示器面板、場發射面板、量子點LED面板、MEMS(Micro Electro Mechanical Systems，微電子機械系統)快門面板等。
<表面處理步驟>
表面處理步驟S106係如下步驟，即針對至少支持基板之第2主面(與有聚矽氧樹脂層之側相反側之面)實施選自由電暈處理、電漿處理、及UV臭氧處理所組成之群中之至少1種處理。於第1態樣中，刻意地對上述中所形成之玻璃積層體中之支持基板之第2主面實施上述處理。更具體而言，對圖2(C)之支持基板10之第2主面10a實施上述處 理。藉由實施本步驟S106，而將於上述加熱步驟S102時揮發而附著於支持基板10之第2主面10a之聚矽氧樹脂或其原料成分等去除，而使支持基板10之第2主面10a潔淨化。即，藉由對上述積層步驟S104中所獲得之玻璃積層體實施上述處理，而可獲得經過處理之玻璃積層體。再者，亦可如下述般，於本步驟S106中，對玻璃積層體中之支持基板之第2主面、與玻璃積層體中之玻璃基板之露出表面一併實施上述處理。
作為本步驟S106中所實施之電暈處理(電暈洗淨)，係實施公知之電暈處理。再者，所謂電暈處理，係藉由電暈放電照射而使塑膠膜、紙、及金屬箔等處理基材之表面改質之表面處理技術。若自高頻電源裝置將振盪之高頻．高電壓施加於高壓電極與接地電極之間，則產生電暈放電。
電暈處理之方法並無特別限制，例如較佳為如下方法，即向支持玻璃積層體之搬送輥、與與其對向設置之電極之間施加高電壓而進行電暈放電，並在此期間使玻璃積層體依序移動而進行表面處理。作為具體之電暈處理用裝置，可列舉：包含高頻電源(高頻振盪機)、高壓變壓器、及放電電極，且於其前後安裝有搬送玻璃積層體之搬送機之裝置。高頻振盪機之頻率並無特別限制，例如較佳為0.1~100kHz，較佳為最大輸出0.5~50kW左右者。玻璃積層體之搬送速度(處理速度)並無特別限制，較佳為1~10m/min。
再者，於積層步驟S104後實施表面處理步驟S106之情形時，較佳為使用以下所說明之電暈處理裝置。
圖4係表示電暈處理裝置之一實施形態之側視圖。電暈處理裝置60至少包含：第1高壓電極62、第1接地電極64、第2高壓電極66、及第2接地電極68。第1高壓電極62與第1接地電極64係隔著特定間隔對向配置而構成第1電極對70，且於該等第1高壓電極62與第1接地電極 64之間形成有放電空間。又，第2高壓電極66與第2接地電極68係隔著特定間隔對向配置而構成第2電極對72，且於該等第2高壓電極66與第2接地電極68之間形成有放電空間。第1電極對70與第2電極對72係如圖4所示般，沿著將積層步驟S104中所獲得之依序具有支持基板、聚矽氧樹脂層及玻璃基板之玻璃積層體X進行搬送之方向鄰接配置。進而，如圖4所示般，玻璃積層體X係藉由搬送輥74進行搬送，且於第1高壓電極62與第1接地電極64之間、及第2高壓電極66與第2接地電極68之間移行。
又，第1高壓電極62係與第1高頻電源76連接而被施加高頻電壓。又，第2高壓電極66係與第2高頻電源78連接而被施加高頻電壓。再者，於圖4中，使用有第1高頻電源76與第2高頻電源78兩者，但並不限定於該態樣，第1高頻電源76與第2高頻電源78亦可使用(共用)同一電源。
進而，第1高壓電極62與第2高壓電極66係分別配置於圖4中之隔著搬送玻璃積層體X之路徑(搬送路徑)之上側(一側)與下側(另一側)。換言之，第1高壓電極62與第2高壓電極66係沿著玻璃積層體X之搬送方向交錯配置。
若使用搬送輥74將玻璃積層體X向上述電暈處理裝置60進行搬送，則因第1高壓電極62與第2高壓電極66被分別配置於玻璃積層體X之搬送路徑之一側及另一側，故而可有效率地對所搬送之玻璃積層體X之兩面進行電暈處理。即，可對玻璃積層體X中之支持基板之第2主面(與聚矽氧樹脂層側相反側之面)、及玻璃基板之露出表面(與聚矽氧樹脂層側相反側之面)實施電暈處理。
再者，高頻電源之條件、或玻璃積層體X之搬送速度(處理速度)之條件之較佳範圍係如上所述。
又，於圖4中，第1高壓電極62被配置於圖式中之上側，第2高壓 電極66被配置於圖式中之下側，但並不限定於該態樣，上述位置關係亦可反轉。
又，於欲僅對玻璃積層體X之單側面(支持基板之第2主面)強力地實施電暈處理之情形時，亦可將第1高壓電極62及第2高壓電極66一起配置於圖式中之上側、或下側。
進而，於圖4中，記載有包含第1電極對70與第2電極對72兩者之電暈處理裝置，但電極對之數量並不限定於該態樣。
作為第1高壓電極62、第2高壓電極66、第1接地電極64、及第2接地電極68，可使用金屬電極、或被介電體被覆之電極，但為了穩定地進行用以電暈處理之放電，較佳為對向配置之第1高壓電極62及第1接地電極64之至少1者、及對向配置之第2高壓電極66及第2接地電極68之至少1者被介電體被覆。更佳為第1高壓電極62及第1接地電極64兩者、以及第2高壓電極66及第2接地電極68兩者被介電體覆蓋。藉此，可擴大高壓電極與接地電極間之間隔，而變得容易穩定地搬送玻璃積層體X。
再者，作為被介電體被覆之電極(介電體被覆電極)，較佳為於不鏽鋼或鋁等金屬等導電性之芯材之表面塗佈陶瓷等而成之陶瓷電極。通常於對樹脂膜進行電暈處理之情形時等，可使用於金屬芯材塗佈橡膠材而成之橡膠電極作為介電體被覆電極，但由於重量與剛性之關係而直徑較粗，因此有如下情況，即電暈處理裝置60大型化，搬送輥間有空隙而於搬送較薄之玻璃積層體X時產生問題。陶瓷電極輕量且剛性較高，因此直徑小於橡膠電極，故而難以產生上述問題。
又，對於橡膠電極而言，由於放電而橡膠覆膜容易損傷，故而難以固定電極並使用。因此，於橡膠電極上設置有轉動機構，通常一面轉動一面使用，但有裝置複雜且大型化之問題。關於陶瓷電極，即便於相同位置反覆進行放電亦難以損傷，因此無需設置上述之轉動機 構。
電漿處理(電漿洗淨)有大氣壓(或常壓)電漿處理、及低壓低溫電漿處理。
於常壓電漿處理中，向氣體施加放電能量，於常壓下進行游離而使電漿產生。作為其特徵，可列舉：因常壓製程故無需設為真空，且設備簡單，生產性亦較高。作為方式，主要有稀有氣體系常壓電漿、與控制施加電壓而進行輝光放電之脈衝方式常壓電漿，可使用上述方式中之任一種。
於低壓低溫電漿處理中，使玻璃積層體通過可減壓之低溫電漿處理裝置內，使裝置內成為無機氣體之氛圍，於將壓力保持為0.001~10Torr、較佳為0.01~1Torr之狀態下向電極間施加頻率50Hz~13.6MHz之電力。藉由施加0.1~50kW之電力而進行輝光放電，而使無機氣體之低溫電漿產生。於其中設置玻璃積層體而對支持基板進行處理。於連續對玻璃積層體進行處理之情形時，一面使玻璃積層體依序移動一面對表面進行電漿處理。作為該無機氣體，可使用氦氣、氖氣、氬氣等稀有氣體、及氧氣、氮氣、空氣、二氧化碳氣體、氨氣等。該等氣體並不限於1種，亦可為2種以上氣體之混合物。
於常壓電漿處理及低壓低溫電漿處理中之任一種處理中，電漿處理時間較佳為0.1~1,000秒，更佳為1~100秒。
所謂UV臭氧處理，係照射UV(紫外線)，使空氣中之氧變為臭氧，藉由該臭氧及紫外線而使被照射面潔淨化之處理。
UV光源只要可藉由UV照射而使氧變為臭氧，則無特別限制。作為UV光源，可列舉低壓水銀燈。低壓水銀燈產生185nm與254nm之UV光，185nm線可使氧變為臭氧。照射時之照度係根據所使用之光源而不同，通常使用數十~數百mW/cm2者。又，亦可藉由集光或擴散而變更照度。照射時間係根據燈之照度及未處理層之種類而不同， 通常為1分鐘~24小時。處理溫度通常為10~200℃。又，UV之照射量(即，紫外線量)通常為1mJ/cm2以上，較佳為1~100000mJ/cm2，更佳為10~100000mJ/cm2。
藉由實施上述步驟S106，而將附著於支持基板10之第2主面10a側之附著物去除。
於上述步驟S106之處理前後之支持基板10之第2主面10a之水接觸角的差(處理前之水接觸角-處理後之水接觸角)較佳為30度以上，更佳為50度以上。上限並無特別限制，通常為70度以下。
<<第2態樣>>
圖5係表示本發明之玻璃積層體之製造方法之第2態樣中的製造步驟之流程圖。如圖5所示般，第2態樣依序包含：加熱步驟S102、表面處理步驟S106、及積層步驟S104。
與上述之第1態樣相比，除表面處理步驟S106之實施順序不同以外，係與上述之第1態樣之各步驟與其處理之方法相同。更具體而言，於第2態樣中，於加熱步驟S102中製造附樹脂層之支持基板，繼而對該附樹脂層之支持基板中之支持基板之第2主面側實施上述之表面處理(例如，電暈處理)，其後，於附樹脂層之支持基板中之聚矽氧樹脂層上積層玻璃基板而獲得玻璃積層體。於本實施態樣中亦可獲得所需之玻璃積層體。
再者，若將上述之第1態樣與第2態樣進行比較，則較佳為第1態樣。於第1態樣之情形時，因於形成聚矽氧樹脂層後且於表面處理步驟S106前積層玻璃基板，故而雜質難以附著於聚矽氧樹脂層上，而玻璃基板之密接性更優異。
使用於上述之第1態樣及第2態樣中所獲得之玻璃積層體，而製造電子裝置(包含玻璃基板與電子裝置用構件之附構件之玻璃基板)。又，視需要，對玻璃積層體之玻璃基板實施研磨處理。
以下，對該等研磨步驟、及電子裝置製造步驟(構件形成步驟及分離步驟)之程序進行詳述。
<研磨步驟>
研磨步驟係對所獲得之玻璃積層體100中之玻璃基板20之第2主面20b進行研磨之步驟。藉由設置本步驟，可將玻璃基板20之第2主面20b之微小之凹凸及損傷去除，而使供形成電子裝置用構件之面之平坦性提高。因此，可提高作為製品之電子裝置之可靠性。該效果對本發明中所使用之厚度為0.3mm以下之玻璃基板明顯。其原因在於：厚度0.3mm以下之玻璃基板難以單獨地進行研磨，從而難以於用於玻璃積層體100之製作前預先進行研磨。
研磨之方法並無特別限制，可採用公知之方法，可使用機械研磨(物理研磨)或化學性研磨(化學研磨)。作為機械研磨，可使用吹送陶瓷研磨粒而進行研磨之噴砂方法、使用研磨片或磨石之研磨、及併用研磨粒與化學溶劑之化學機械研磨(CMP：Chemical Mechanical Polishing)法等。
又，作為化學研磨(亦有稱為濕式蝕刻之情況)，可使用如下方法，即使用藥液對玻璃基板之表面進行研磨。
其中，就研磨後之玻璃基板20之第2主面20b之平坦性及潔淨度更高之方面而言，較佳為化學機械研磨。再者，作為化學機械研磨所使用之研磨粒，可使用氧化鈰等公知之研磨粒。
<電子裝置(附構件之玻璃基板)及其製造方法>
本發明中，使用上述之玻璃積層體而製造包含玻璃基板與電子裝置用構件之電子裝置(附構件之玻璃基板)。
該電子裝置之製造方法並無特別限定，就電子裝置之生產性優異之方面而言，較佳為如下方法，即於上述玻璃積層體中之玻璃基板上形成電子裝置用構件而製造附電子裝置用構件之積層體，以聚矽氧 樹脂層之玻璃基板側界面為剝離面，自所獲得之附電子裝置用構件之積層體分離為電子裝置與附樹脂層之支持基板。
以下，將於上述玻璃積層體中之玻璃基板上形成電子裝置用構件而製造附電子裝置用構件之積層體的步驟稱為構件形成步驟，將以聚矽氧樹脂層之玻璃基板側界面為剝離面，自附電子裝置用構件之積層體分離為電子裝置與附樹脂層之支持基板之步驟稱為分離步驟。
以下，針對各步驟中所使用之材料及程序進行詳述。
(構件形成步驟)
構件形成步驟係於上述積層步驟中所獲得之玻璃積層體100中之玻璃基板20上形成電子裝置用構件之步驟。更具體而言，如圖6(A)所示般於玻璃基板20之第2主面20b(露出表面)上形成電子裝置用構件22而獲得附電子裝置用構件之積層體24。
首先，針對本步驟中所使用之電子裝置用構件22進行詳述，其後對步驟之程序進行詳述。
(電子裝置用構件(功能性元件))
電子裝置用構件22係形成於玻璃積層體100中之玻璃基板20上，且係構成電子裝置之至少一部分之構件。更具體而言，作為電子裝置用構件22，可列舉顯示裝置用面板、太陽電池、薄膜2次電池、或表面形成有電路之半導體晶圓等電子零件等所使用之構件(例如顯示裝置用構件、太陽電池用構件、薄膜2次電池用構件、電子零件用電路)。
例如，作為太陽電池用構件，就矽型而言，可列舉正極之氧化錫等透明電極、由p層/i層/n層表示之矽層、及負極之金屬等，除上述以外，亦可列舉對應於化合物型、色素增感型、量子點型等之各種構件等。
又，作為薄膜2次電池用構件，對於鋰離子型而言，可列舉正極 及負極之金屬或金屬氧化物等透明電極、電解質層之鋰化合物、集電層之金屬、作為密封層之樹脂等，除上述以外，亦可列舉對應於鎳氫型、聚合物型、陶瓷電解質型等之各種構件等。
又，作為電子零件用電路，對於CCD(Charge Coupled Device，電荷耦合元件)或CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor，互補金氧半導體)而言，可列舉導電部之金屬、絕緣部之氧化矽或氮化矽等，除上述以外，亦可列舉對應於壓力感測器、加速度感測器等各種感測器或剛性印刷基板、軟性印刷基板、剛性軟性印刷基板等之各種構件等。
(步驟之順序)
上述之附電子裝置用構件之積層體24之製造方法並無特別限定，視電子裝置用構件之構成構件之種類，利用先前公知之方法，於玻璃積層體100之玻璃基板20之第2主面20b上形成電子裝置用構件22。
再者，電子裝置用構件22亦可並非最終形成於玻璃基板20之第2主面20b之構件之全部(以下稱為「全部構件」)，而為全部構件之一部分(以下稱為「部分構件」)。亦可將自聚矽氧樹脂層16剝離之附部分構件之玻璃基板於其後之步驟中製成附全部構件之玻璃基板(相當於下述之電子裝置)。
又，對於自聚矽氧樹脂層16剝離之附全部構件之玻璃基板而言，亦可於其剝離面(第1主面20a)形成其他電子裝置用構件。又，亦可將附全部構件之積層體組合，其後自附全部構件之積層體將附樹脂層之支持基板18剝離而製造電子裝置。進而，亦可使用2片附全部構件之積層體而組裝電子裝置，其後自附全部構件之積層體將2片附樹脂層之支持基板18剝離，而製造具有2片玻璃基板之電子裝置。
例如，若以製造OLED之情形為例，則為了於玻璃積層體100之 玻璃基板20之與聚矽氧樹脂層16側相反側之表面上(相當於玻璃基板20之第2主面20b)形成有機EL構造體，而進行如下各種層形成或處理，即形成透明電極；進而於形成有透明電極之面上蒸鍍電洞注入層．電洞傳輸層．發光層．電子傳輸層等；形成背面電極；及使用密封板進行密封等。作為該等層形成或處理，具體而言，例如可列舉：成膜處理、蒸鍍處理、密封板之接著處理等。
又，例如於製造TFT-LCD之情形時，該製造方法具有TFT形成步驟、CF形成步驟、及貼合步驟等各種步驟，上述TFT形成步驟係於玻璃積層體100之玻璃基板20之第2主面20b上，使用抗蝕液，於藉由CVD(Chemical vapor deposition，化學氣相沈積)法及濺鍍法等通常之成膜法而形成之金屬膜及金屬氧化膜等進行圖案形成而形成薄膜電晶體(TFT)；上述CF形成步驟係於另一玻璃積層體100之玻璃基板20之第2主面20b上，將抗蝕液用於圖案形成而形成彩色濾光片(CF)；貼合步驟係將TFT形成步驟中所獲得之附TFT之積層體與CF形成步驟中所獲得之附CF之積層體進行積層。
於TFT形成步驟或CF形成步驟中，使用周知之光微影技術或蝕刻技術等而於玻璃基板20之第2主面20b形成TFT或CF。此時，可使用抗蝕液作為圖案形成用之塗佈液。
再者，於形成TFT或CF前，亦可視需要而將玻璃基板20之第2主面20b洗淨。作為洗淨方法，可使用周知之乾式洗淨或濕式洗淨。
於貼合步驟中，使附TFT之積層體之薄膜電晶體形成面、與附CF之積層體之彩色濾光片形成面對向，並使用密封劑(例如，單元形成用紫外線硬化型密封劑)進行貼合。其後，向由附TFT之積層體與附CF之積層體所形成之單元內注入液晶材。作為注入液晶材之方法，例如有減壓注入法、滴加注入法。
(分離步驟)
分離步驟係如圖6(B)所示般，以聚矽氧樹脂層16與玻璃基板20之界面為剝離面，自上述構件形成步驟中所獲得之附電子裝置用構件之積層體24分離為積層有電子裝置用構件22之玻璃基板20(電子裝置)、與附樹脂層之支持基板18，而獲得包含電子裝置用構件22及玻璃基板20之電子裝置26的步驟。
於剝離時之玻璃基板20上之電子裝置用構件22為必需之全部構成構件之形成之一部分的情形時，亦可於分離後，將剩餘之構成構件形成於玻璃基板20上。
將玻璃基板20與附樹脂層之支持基板18進行剝離之方法並無特別限定。具體而言，例如可向玻璃基板20與聚矽氧樹脂層16之界面***銳利之刃具狀者，賦予剝離之起點後，吹送水與壓縮空氣之混合流體而進行剝離。較佳為以附電子裝置用構件之積層體24之支持基板10成為上側，電子裝置用構件22側成為下側之方式設置於壓盤上，將電子裝置用構件22側真空吸附於壓盤上(於兩面積層有支持基板之情形時依序進行)，於該狀態下首先使刃具侵入玻璃基板20-聚矽氧樹脂層16界面。然後，其後利用複數個真空吸附墊吸附支持基板10側，自***刃具處附近開始依序使真空吸附墊上升。藉此於聚矽氧樹脂層16與玻璃基板20之界面或聚矽氧樹脂層16之凝聚破損面形成空氣層，該空氣層擴展至界面或凝聚破損面之整面，而可容易地剝離支持基板10。
又，支持基板10可與新的玻璃基板進行積層而製造本發明之玻璃積層體100。
再者，於自附電子裝置用構件之積層體24分離電子裝置26時，可藉由控制利用離子化器之吹送或濕度，而更為抑制聚矽氧樹脂層16之碎片靜電吸附於電子裝置26之情況。
上述之電子裝置26之製造方法較佳用於如行動電話或PDA(Personal Digital Assistant，個人數位助理)之移動終端所使用之 小型顯示裝置之製造。顯示裝置主要有LCD或OLED，作為LCD，包括TN(Twisted Nematic，扭轉向列)型、STN(Super Twisted Nematic，超扭轉向列)型、FE(Ferroelectric，鐵電)型、TFT(Thin-film transistor，薄膜電晶體)型、MIM(Metal-Insulator-Metal，金屬-絕緣層-金屬)型、IPS(In-Plane Switching，橫向電場效應)型、VA(Vertical Aligned，垂直配向)型等。基本上於被動驅動型、主動驅動型中之任一種顯示裝置之情形時亦可應用。
作為利用上述方法製造之電子裝置26，可列舉：具有玻璃基板與顯示裝置用構件之顯示裝置用面板、具有玻璃基板與太陽電池用構件之太陽電池、具有玻璃基板與薄膜2次電池用構件之薄膜2次電池、具有玻璃基板與電子裝置用構件之電子零件等。作為顯示裝置用面板，包括液晶面板、有機EL面板、電漿顯示器面板、場發射面板等。
[實施例]
以下，藉由實施例等而對本發明具體地進行說明，但本發明並不受該等例限定。
於以下之實施例及比較例中，使用由無鹼硼矽酸玻璃構成之玻璃板(長度880mm、寬度680mm、板厚0.2mm，線膨脹係數38×10-7/℃，旭硝子公司製造，商品名「AN100」)作為玻璃基板。又，作為支持基板，使用相同之由無鹼硼矽酸玻璃構成之玻璃板(長度920mm、寬度730mm、板厚0.5mm，線膨脹係數38×10-7/℃，旭硝子公司製造，商品名「AN100」)。
<實施例1>
首先，利用鹼性水溶液將支持基板之表面洗淨，之後利用純水進行洗淨而潔淨化。
繼而，利用模具塗佈機(塗佈速度：40mm/s，吐出量：8ml)， 於支持基板之第1主面上塗佈下述之溶液S，將包含未硬化之交聯性有機聚矽氧烷之層(硬化性聚矽氧組合物層)設置於支持基板上，而獲得附硬化性層之支持基板(塗佈量20g/m2)。
(溶液S)
將作為成分(A)之直鏈狀乙烯基甲基聚矽氧烷(Azmax公司製造，商品名「VDT-127」，25℃下之黏度：700-800cP(厘泊)，有機聚矽氧烷1mol中之乙烯基之mol%：0.325)、作為成分(B)之直鏈狀甲基氫化聚矽氧烷(Azmax公司製造，商品名「HMS-301」，25℃下之黏度：25-35cP(厘泊)，1分子內之鍵結於矽原子之氫原子之數量：8個)以全部乙烯基與鍵結於矽原子之全部氫原子的莫耳比(氫原子/乙烯基)成為0.9之方式進行混合，相對於該矽氧烷混合物100重量份，混合作為成分(C)之下述式(1)所示之具有乙炔系不飽和基之矽化合物(沸點：120℃)1質量份。
HC≡C-C(CH3)2-O-Si(CH3)3 式(1)
繼而，相對於成分(A)與成分(B)與成分(C)之合計量，以鉑換算計鉑金屬濃度成為100ppm之方式添加鉑系觸媒(Shin-Etsu Silicones股份有限公司製造，商品名「CAT-PL-56」)而獲得有機聚矽氧烷組合物之混合液。進而，相對於所獲得之混合液100重量份，添加IP solvent 2028(初餾點：200℃，出光興產製造)150重量份而獲得混合溶液。
繼而，於設置於加熱處理裝置內之底部之複數個支持銷之頂端載置上述附硬化性層之支持基板。再者，支持銷之頂端係與附硬化性層之支持基板中之支持基板之第2主面側(與有硬化性聚矽氧組合物層之側相反側)的表面接觸，且於支持基板之第2主面側存在未與支持銷接觸之區域。
於加熱處理裝置內，於附硬化性層之支持基板之硬化性聚矽氧組合物層之上部配置加熱板，藉由該加熱板，於200℃下對附硬化性 層之支持基板加熱(預烘烤加熱)3分鐘。
繼而，針對上述加熱處理後之附硬化性層之支持基板，進而於250℃下實施1450秒鐘之加熱處理(後烘烤處理)，而於支持基板之第1主面形成厚度8μm之聚矽氧樹脂層。
其後，於室溫下，藉由大氣壓加壓而將玻璃基板與支持基板上之聚矽氧樹脂層面進行貼合而獲得玻璃積層體A。
於所獲得之玻璃積層體A中，支持基板與玻璃基板係於與聚矽氧樹脂層之間不產生氣泡之情況下進行密接，沒有變形缺陷，平滑性亦良好。再者，於玻璃積層體A中，聚矽氧樹脂層與支持基板之層之界面之剝離強度大於玻璃基板之層與聚矽氧樹脂層之界面的剝離強度。
繼而，針對所獲得之玻璃積層體A中之支持基板之第2主面，實施電暈處理(電力1kW，處理速度4m/min)。
對玻璃積層體A中之支持基板之第2主面之電暈處理前後的水接觸角進行測定，結果為電暈處理前為70度，電暈處理後為5度。自該等測定結果確認如下情況，即藉由電暈處理，從而附著於支持基板之第2主面側之聚矽氧樹脂被去除。
(剝離評價)
以實施過電暈處理之玻璃積層體A中之支持基板與胺基甲酸酯製之台墊接觸之方式將該玻璃積層體A載置於台墊上。繼而，將玻璃積層體A以100g/cm2壓接於台墊120秒鐘。壓接後，一面向支持基板與台墊之間吹送空氣與水，一面進行兩者之剝離，結果可剝離。
再者，即便於將電暈處理中之處理速度變更為1m/min、6m/min之情形時，亦可獲得與上述相同之結果。
<比較例1>
不實施電暈處理，除此以外，依據與上述實施例1相同之程序而獲得玻璃積層體B。
使用玻璃積層體B代替玻璃積層體A而進行上述(剝離評價)時，無法剝離玻璃積層體B。
<實施例2>
於本例中，使用實施例1中所獲得之實施過電暈處理之玻璃積層體A而製造OLED。
首先，於玻璃積層體A之玻璃基板之第2主面上，藉由電漿CVD法而依序將氮化矽、氧化矽、非晶矽成膜。繼而，藉由離子摻雜裝置而將低濃度之硼注入非晶矽層，於氮氣氛圍下進行加熱處理而進行脫氫處理。繼而，藉由雷射退火裝置而進行非晶矽層之結晶化處理。繼而，藉由使用光微影法之蝕刻及離子摻雜裝置，將低濃度之磷注入非晶矽層而形成N型及P型之TFT區域。繼而，於玻璃基板之第2主面側，藉由電漿CVD法將氧化矽膜成膜而形成閘極絕緣膜後，藉由濺鍍法而將鉬成膜，藉由使用光微影法之蝕刻而形成閘極電極。繼而，藉由光微影法與離子摻雜裝置，將高濃度之硼與磷注入N型、P型各自之所需區域而形成源極區域及汲極區域。繼而，於玻璃基板之第2主面側，以利用電漿CVD法之氧化矽之成膜形成層間絕緣膜，且藉由濺鍍法將鋁成膜，及藉由使用光微影法之蝕刻而形成TFT電極。繼而，於氫環境下，進行加熱處理而進行氫化處理後，以利用電漿CVD法之氮化矽之成膜形成鈍化層。繼而，於玻璃基板之第2主面側塗佈紫外線硬化性樹脂，藉由光微影法而形成平坦化層及接觸孔。繼而，藉由濺鍍法將氧化銦錫成膜，藉由使用光微影法之蝕刻而形成像素電極。
繼而，於玻璃基板之第2主面側，藉由蒸鍍法，依序將作為電洞注入層之4,4',4"-三(3-甲基苯基苯基胺基)三苯胺、作為電洞傳輸層之雙[(N-萘基)-N-苯基]聯苯胺、作為發光層之於8-羥喹啉鋁錯合物(Alq3)中混合有2,6-雙[4-[N-(4-甲氧基苯基)-N-苯基]胺基苯乙烯基]萘-1,5-二腈(BSN-BCN)40體積%者、及作為電子傳輸層之Alq3成膜。繼 而，藉由濺鍍法將鋁成膜，藉由使用光微影法之蝕刻形成對向電極。繼而，於玻璃基板之第2主面側，隔著紫外線硬化型之接著層而貼合另一片玻璃基板而進行密封。藉由上述程序而於玻璃基板上形成有機EL構造體。玻璃基板上具有有機EL構造體之玻璃積層體A(以下，稱為面板A)為本發明之附電子裝置用構件之積層體。
繼而，使面板A之密封體側真空吸附於壓盤後，向面板A之角隅部之玻璃基板與樹脂層之界面***厚度0.1mm之不鏽鋼製刃具，而向玻璃基板與樹脂層之界面賦予剝離之起點。然後，利用真空吸附墊吸附面板A之支持基板第1主面後，使吸附墊上升。此處，刃具之***係與自離子化器(KEYENCE公司製造)將除電性流體向上述玻璃基板與樹脂層之界面進行吹送一起進行。繼而，自離子化器繼續向所形成之空隙吹送除電性流體，並且將水注入剝離鋒面，同時提昇真空吸附墊。其結果為，於壓盤上僅殘留形成有有機EL構造體之玻璃基板，可將附樹脂層之支持基板剝離。
繼而，使用雷射裁刀或刻劃-斷裂法將被分離之玻璃基板進行切割，分割為複數個單元後，將形成有有機EL構造體之玻璃基板與對向基板組合，實施模組形成步驟而製作OLED。以上述方式獲得之OLED於特性上沒有問題。
已詳細且參照特定之實施態樣對本發明進行了說明，但對從業者而言很明確，可不脫離本發明之精神及範圍而添加各種變更或修正。
本申請案係基於2013年12月17日提出申請之日本專利申請2013-260453者，且將其內容作為參照併入本文中。

Claims (7)

  1. 一種玻璃積層體之製造方法，其係依序具有支持基板、聚矽氧樹脂層及玻璃基板之玻璃積層體之製造方法，且其包含：加熱步驟，其係對包含具有第1主面及第2主面之支持基板以及配置於上述支持基板之上述第1主面上之硬化性聚矽氧組合物層的附硬化性層之支持基板自上述支持基板之上述第2主面側利用複數個支持銷進行支持，對上述附硬化性層之支持基板實施加熱處理而形成聚矽氧樹脂層；積層步驟，其係於上述加熱步驟後，於上述聚矽氧樹脂層上積層玻璃基板；及表面處理步驟，其係於上述積層步驟後，或於上述加熱步驟後且上述積層步驟前，至少對上述支持基板之上述第2主面實施選自由電暈處理、電漿處理、及UV臭氧處理所組成之群中之至少1種處理。
  2. 如請求項1之玻璃積層體之製造方法，其中上述硬化性聚矽氧組合物層至少包含具有烯基之有機烯基聚矽氧烷、及具有鍵結於矽原子之氫原子之有機氫聚矽氧烷。
  3. 如請求項1或2之玻璃積層體之製造方法，其中上述加熱步驟依序包含於第1溫度下實施加熱處理之第1加熱步驟、及於較上述第1溫度高之第2溫度下實施加熱處理之第2加熱步驟。
  4. 如請求項3之玻璃積層體之製造方法，其中上述附硬化性層之支持基板係藉由將包含硬化性聚矽氧與溶劑之硬化性聚矽氧組合物塗佈於上述支持基板之上述第1主面上而形成，且上述第1溫度滿足上述溶劑之初餾點-30℃≦第1溫度≦上述溶劑之初餾點+30℃。
  5. 如請求項1至4中任一項之玻璃積層體之製造方法，其中於上述積層步驟後實施表面處理步驟。
  6. 如請求項5之玻璃積層體之製造方法，其中於上述表面處理步驟中，使複數對之包含隔著上述積層步驟中所獲得之玻璃積層體被搬送之搬送路徑相對向之高壓電極與接地電極的電極對沿著上述玻璃積層體之搬送方向進行排列，將鄰接之上述電極對中之一者之高壓電極配置於隔著上述搬送路徑之一側，將另一者之高壓電極配置於隔著上述搬送路徑之另一側，且一面將上述玻璃積層體沿著上述搬送路徑進行搬送，一面向上述高壓電極施加高頻電壓，而對上述玻璃積層體實施電暈處理。
  7. 一種電子裝置之製造方法，其包含：構件形成步驟，其係於藉由如請求項1至6中任一項之製造方法製造之玻璃積層體之上述玻璃基板的表面上形成電子裝置用構件，而獲得附電子裝置用構件之積層體；及分離步驟，其係自上述附電子裝置用構件之積層體去除具有上述聚矽氧樹脂層及上述支持基板之附樹脂層之支持基板，而獲得具有上述玻璃基板與上述電子裝置用構件之電子裝置。
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