TW201530647A - 基板處理裝置及半導體裝置之製造方法 - Google Patents

基板處理裝置及半導體裝置之製造方法 Download PDF

Info

Publication number
TW201530647A
TW201530647A TW103105763A TW103105763A TW201530647A TW 201530647 A TW201530647 A TW 201530647A TW 103105763 A TW103105763 A TW 103105763A TW 103105763 A TW103105763 A TW 103105763A TW 201530647 A TW201530647 A TW 201530647A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
gas
chamber
substrate
processing chamber
buffer chamber
Prior art date
Application number
TW103105763A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI564955B (zh
Inventor
Kazuyuki Toyoda
Tadashi Takasaki
Hiroshi Ashihara
Atsushi Sano
Naonori Akae
Hidehiro Yanai
Original Assignee
Hitachi Int Electric Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Int Electric Inc filed Critical Hitachi Int Electric Inc
Publication of TW201530647A publication Critical patent/TW201530647A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI564955B publication Critical patent/TWI564955B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
    • C23C16/4405—Cleaning of reactor or parts inside the reactor by using reactive gases
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4412—Details relating to the exhausts, e.g. pumps, filters, scrubbers, particle traps
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45561—Gas plumbing upstream of the reaction chamber
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563—Gas nozzles
    • C23C16/4557—Heated nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/3244—Gas supply means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/3244—Gas supply means
    • H01J37/32449—Gas control, e.g. control of the gas flow
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32532—Electrodes
    • H01J37/32577—Electrical connecting means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02296—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
    • H01L21/02318—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment
    • H01L21/02337—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment treatment by exposure to a gas or vapour
    • H01L21/0234—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment treatment by exposure to a gas or vapour treatment by exposure to a plasma

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

即使是使用淋氣頭的裝置仍能夠維持高運轉效率。 為了解決上述課題，本發明提供一種基板處理裝置，其具有：第一氣體供給系統，係具有與原料氣體源連接且設有原料氣體供給控制部的原料氣體供給管；第二氣體供給系統，係具有與反應氣體源連接且設有反應氣體供給控制部的反應氣體供給管；第三氣體供給系統，係具有與清洗氣體源連接且設有清洗氣體供給控制部的反應氣體供給管；淋氣頭部，係具有連接前述第一氣體供給系統、前述第二氣體供給系統、前述第三氣體供給系統的緩衝室；處理室，係設置在前述淋氣頭下方且內含載置基板的基板載置部；電漿產生區域切換部，係對前述緩衝室之電漿產生與前述處理室之電漿產生進行切換；電漿產生部，係具有前述電漿產生區域切換部與電源；及控制部，係至少控制前述原料氣體供給部、前述反應氣體供給控制部、和前述電漿產生部。

Description

基板處理裝置及半導體裝置之製造方法
本發明係有關基板處理裝置及半導體裝置之製造方法。
近年來，快閃記憶體(flash memory)等半導體裝置趨向高度積體化。圖案(pattern)尺寸也因而跟著顯著地微細化。在形成該些圖案時，就製造步驟的一步驟而言，有時會實施對基板進行氧化處理、氮化處理等預定處理的步驟。
就形成前述圖案的方法之一而言，有於電路間形成溝，再於溝形成種晶(seed)膜、襯墊(liner)膜、配線等的步驟。隨著近年的微細化，該溝係以成為高寬高比(aspect ratio)之方式構成。
在形成襯墊膜等時，在溝的上部側面、中部側面、下部側面、底部都要求形成無膜厚差異的良好階梯覆蓋性(step coverage)之膜。此乃因藉由形成良好階梯覆蓋性之膜，能夠使半導體元件(device)的特性在溝間一致，藉此而能夠抑制半導體元件的特性差異之故。
為了處理該高寬高比的溝，雖然曾試過將氣體(gas)加熱再進行處理的作法，和將氣體形成為電漿(plasma)狀態再進行處理的作法，但都難以形成具有良好階梯覆蓋之膜。
就形成前述膜的方法而言，有交替供給方法，係將至少兩種處理氣體：原料氣體和與該原料氣體進行反應的反應氣體，交替供給至基板，令該些氣體反應形成膜。交互供給方法係令原料氣體和反應氣體在基板表面反應，一層一層地形成膜，讓該些一層一層的膜積層而形成所期望膜厚的方法。在該方法中，為了不讓原料氣體和反應氣體在基板表面以外反應，較佳為具有在供給各氣體之間將剩餘氣體除去之用的沖洗(purge)步驟。
另一方面，由於必須使半導體元件的特性一致，因此在形成薄膜時，必須對基板面內均勻地供給氣體。為了實現該目標，已開發出一種能夠由基板的處理面均勻地供給氣體的枚葉式裝置。在該枚葉式裝置中係為了更加均勻地供給氣體而例如設置一種在基板上具有緩衝(buffer)空間的淋氣頭(shower head)。
已知在前述的交互供給方法中係為了抑制各氣體在基板表面以外反應，而在供給各氣體之間利用沖洗氣體將剩餘氣體沖洗，但有因為具有該種步驟導致成膜時間較長之問題。因此，為了將處理時間縮短，故放流大量的沖洗氣體來將剩餘氣體排出。
此外，就淋氣頭的一形態而言，雖然可以考慮按每種氣體設置用以防止各氣體混合的路徑和緩衝空間，但此作法的構造複雜，故有維護(maintenance)費工並且製造成本(cost)提高之問題。因此，使用將兩種氣體及沖洗氣體的供給系統整合在一個緩衝空間的淋氣頭才符合現實。
當所使用的淋氣頭具有兩種氣體共通的緩衝空間時，可預想到剩餘氣體彼此會在淋氣頭內反應，會有附著物堆積在淋氣頭內壁的情形。為了防止此類情形發生，較佳為設置用來對緩衝室的空間進行排氣、能夠效率佳地將緩衝室內的剩餘氣體除去的排氣部。此時，係例如在緩衝室內設置形成氣體流的氣體導引部(guide)，以避免供給至處理室的兩種氣體及沖洗氣體向連接排氣部的排氣孔之方向擴散。氣體導引部較佳為例如設置在對緩衝空間進行排氣之用的排氣孔與供給兩種氣體及沖洗氣體的供給孔之間，並面向淋氣頭的分散板呈放射狀設置。為了效率佳地從氣體導引部內側空間將氣體除去，係令氣體導引部內側與對緩衝空間進行排氣之用的排氣孔之間的空間連通，具體而言，係令氣體導引部的外周端與排氣孔之間的空間連通。
發明人致力研究的結果，發現在習知的構造中存在下述課題。亦即，當供給處理氣體時，處理氣體會從設置在氣體導引部的外周端與排氣孔之間的空間往排氣孔方向擴散。從空間往氣體導引部上部擴散的氣體係殘留在氣體導引部周邊的氣體蓄積處等處，導致難以將前述的緩衝空間內的剩餘氣體除去。附著物係有形成微粒(particle)而給基板的特性帶來不良影響或是造成良率降低之虞。
該些附著物應可在進行裝置維護時將淋氣頭拆下，由作業人員以人工作業之方式將氣體蓄積處等處的附著物除去。然而，這作法有造成停機時間(downtime)大幅增加、裝置的運轉效率下降的問題。
因此，本發明的目的在於提供即使是使用淋氣頭的裝置仍能夠維持高運轉效率的基板處理裝置及半導體裝置之製造方法。
依據本發明的一態樣，提供一種基板處理裝置，係具有：第一氣體供給系統，係具有與原料氣體源連接且設有原料氣體供給控制部的原料氣體供給管；第二氣體供給系統，係具有與反應氣體源連接且設有反應氣體供給控制部的反應氣體供給管；第三氣體供給系統，係具有與清洗(cleaning)氣體源連接且設有清洗氣體供給控制部的反應氣體供給管；淋氣頭部，係具有連接前述第一氣體供給系統、前述第二氣體供給系統、前述第三氣體供給系統的緩衝室；處理室，係設置在前述淋氣頭下方且內含載置基板的基板載置部；電漿產生區域切換部，係對前述緩衝室之電漿產生與前述處理室之電漿產生進行切換；電漿產生部，係具有前述電漿產生區域切換部與電源；及控制部，係至少控制前述原料氣體供給部、前述反應氣體供給控制部、和前述電漿產生部。
此外，依據本發明的其他態樣，提供一種半導體製造方法，係具有下述步驟：搬入步驟，係將基板搬入處理室；成膜步驟，係經由設置在前述處理室上 方且具有緩衝室的淋氣頭將處理氣體供給至前述處理室，對前述基板進行處理；搬出步驟，係將基板從前述處理室搬出；及清洗步驟，係在前述搬出步驟之後，對前述緩衝室與前述處理室進行清洗；在前述清洗步驟中係具有：緩衝室清洗步驟，係由具有電漿產生區域切換部的電漿產生部在緩衝室產生清洗氣體電漿，對前述緩衝室進行清洗；及處理室清洗步驟，係由前述電漿產生區域切換部將前述清洗氣體電漿之產生切換成在前述處理室產生，對前述處理室進行清洗。
依據本發明，本發明的目的在於提供即使是使用淋氣頭的裝置仍能夠維持高運轉效率的基板處理裝置及半導體裝置之製造方法。
100‧‧‧處理裝置
200‧‧‧晶圓
210‧‧‧基板載置部
220‧‧‧第一排氣系統
230‧‧‧淋氣頭
243‧‧‧第一氣體供給系統
244‧‧‧第二氣體供給系統
245‧‧‧第三氣體供給系統
260‧‧‧控制器
第1圖係本發明第一實施形態的基板處理裝置的剖面圖。
第2圖係顯示本發明第一實施形態的基板處理步驟之流程圖。
第3圖係顯示本發明第一實施形態的成膜步驟之流程圖。
第4圖係說明本發明第一實施形態的基板處理裝置的氣體滯留之圖。
第5圖係顯示本發明第一實施形態的清洗步驟之流程圖。
<本發明第一實施形態>(1)基板處理裝置的構成以下，針對本發明的第一實施形態的基板處理裝置，利用第1圖進行說明。第1圖係本實施形態的基板處理裝置的剖面圖。
首先，針對本發明一實施形態的基板處理裝置進行說明。
針對本實施形態的處理裝置100進行說明。基板處理裝置100乃係形成薄膜的裝置，如第1圖所示，以枚葉式基板處理裝置的形式構成。
如第1圖所示，基板處理裝置100係具備處理容器202。處理容器202係例如以橫剖面為圓形的扁平密閉容器的形式構成。此外，處理容器202的側壁和底壁係例如以鋁(Al)、不鏽鋼(SUS)等金屬材料構成。在處理容器202內係形成有對作為基板的矽晶圓(silicon wafer)等的晶圓200進行處理的處理室201、搬送空間203。處理容器202係由上部容器202a、下部容器202b、淋氣頭230(淋氣頭部)構成，從上方開始依淋氣頭230、上部容器202a、下部容器202b的順序設置。
上部容器202a與下部容器202b之間設有隔板204。上部處理容器202a及淋氣頭230所圍起的空間，比隔板204還上方的空間稱為處理室空間，下部容器202b所圍起的空間，比隔板還下方的空間稱為搬送空間。以上部處理容器202a及淋氣頭230的下端所構成的包圍處理空間的構成稱為處理室201。此外，包圍搬送 空間的構成稱為處理室內搬送室203。在各構造之間係設置有用以使處理容器202內形成氣密的O形環(O-ring)208。
下部容器202b的側面係設有與閘閥(gate valve)205鄰接的基板搬入搬出口206，晶圓200係經由基板搬入搬出口206而在下部容器202b與未圖示的搬送室之間移動。下部容器202b的底部係設有複數個頂銷(lift pin)207。此外，下部容器202b係接地。
支撐晶圓200的基板支撐部(亦稱為基板載置部)210係以位於處理室201內之方式構成。基板支撐部210主要具有：載置晶圓200的載置面211、表面具有載置面211的載置台212、內含於基板載置台212的作為加熱晶圓的加熱源之用的基板載置台加熱部213(亦稱為第一加熱部)。於基板載置台212係在與頂銷207對應的位置分別設有讓頂銷207貫通的貫通孔214。基板載置台212係連接成接地。
基板載置台212係由軸(shaft)217所支撐。軸217係貫通處理容器202的底部，並在處理容器202的外部連接至升降機構218。令升降機構218作動使軸217及支撐台212升降，藉此而能夠令載置於基板載置面211上的晶圓200升降。另外，軸217下端部的周圍係由伸縮囊(bellows)219所包覆，處理容器202內係保持著氣密。
在進行晶圓200的搬送時，基板載置台212係下降至基板支撐台，使基板載置面211位於基板 搬入搬出口206的位置(晶圓搬送位置)，而在進行晶圓200的處理時，如第1圖所示，上升至使晶圓200位於處理室201內的處理位置(晶圓處理位置)。
具體而言，在令基板載置台212下降至晶圓搬送位置時，頂銷207的上端部會自基板載置面211的上表面突出，形成頂銷207從下方支撐晶圓200。此外，在令基板載置台212上升至晶圓處理位置時，頂銷207會自基板載置面211的上表面埋沒，形成基板載置面211從下方支撐晶圓200。另外，因為頂銷207係與晶圓200直接接觸，因此較佳為例如以石英、氧化鋁(alumina)等高純度的材質形成。
(處理氣體導入孔)在設置在處理室201上部的頂板231(亦稱為蓋體231)，係設置有將處理氣體供給至處理室201內之用的氣體導入孔231b。關於連接至氣體導入孔231b的處理氣體供給系統的構成，待後述。另外，頂板231也作為淋氣頭230的頂壁、緩衝室的頂壁使用。
(淋氣頭部)以屬於頂的蓋體231(頂部)與作為底部的氣體分散板234(分散部)為主構成，構成作為氣體分散機構的淋氣頭230(淋氣頭部)。蓋體231與分散板234係例如為板狀，蓋體231與氣體分散板234係構成為平行配置。在淋氣頭230內係形成有緩衝室232。緩衝室232係由蓋體231的下端部、分散板234的上端、及側壁所構成。另外，分散部234係只要為將氣體予以分散的構造即可，例如亦可採用在球體設置孔的構成。
蓋體231係具有頂板231a，在頂板231a係設有氣體導入孔231b、絕緣構件231c、淋氣頭加熱部(亦稱為第二加熱部)231d、將環境氣體從緩衝室232排出之用的排氣孔231e、絕緣構件231f。
氣體導入孔231b係將氣體導入緩衝室232的導入孔。絕緣構件231c係將氣體導入孔231b與頂板231a間加以絕緣的構件。淋氣頭加熱部231d係例如埋設在頂板231a中，採用沿著頂板231a的板狀形成，以均勻地加熱緩衝室232的環境氣體。在供給至處理室201之前先在緩衝室232內將氣體加熱至接近反應溫度，藉此謀求促進處理室201中的反應。排氣孔231e係將緩衝室232的環境氣體排出之用的的排氣孔。絕緣構件231f係將排氣孔231e與頂板231a加以絕緣的構件。
分散板234係配置在緩衝室232內的空間與處理室201的處理空間之間，使從氣體導入孔231b導入的氣體分散。在分散板234係設有複數個貫通孔234a。分散板234係以與基板載置面211相對向之方式配置。分散板234係具有設有貫通孔234a的凸狀部與設置在凸狀部周圍的突緣(flange)部，突緣部係支撐在絕緣塊件(block)233。如後述，分散板234a係與後述的電漿產生部電性連接。
在緩衝室232係設有形成所供給氣體的氣體流之氣體導引部235。氣體導引部235係具有基端部235a、板部235b、和前端部235c。基端部235a係與氣體導入孔231b物理性且電性連接。因此，氣體導引部 235係與頂板231a絕緣。基端部235a係例如以圓周狀構成，氣體導入孔231b係以位在圓的內周側之方式與頂板231a連接。另外，此處雖然係記載基端部235a為圓周狀，但並非以此為限，亦可為四角形等形狀。
板部235b係延續自基端部235a的構成，係隨著愈往分散板234方向(處理室方向)，直徑愈大的圓錐形狀。換言之，係形成愈往分散板234愈逐漸遠離頂板231a的構造。
前端部235c係板部235b的與基端部235a不同側的端部。亦即，板部235b的處理室201側的端部。在前端部235c亦與基端部235a同樣以圓周構造構成。前端部235c的直徑係形成於比貫通孔234a群的最外周更外周處。
在本實施形態中，板部235b的內側(分散板234側)的區域稱為緩衝空間232的內側區域232a，外側(頂部231側)的區域稱為緩衝空間232的外側區域232b。
緩衝室232上方係經由淋氣頭用排氣孔23le連接有排氣管236。於排氣管236係依序串接有：切換排氣之開/關(On/Off)的閥237、將排氣緩衝室232內控制在預定壓力的APC(Auto Pressure Controller；自動壓力控制器)等壓力調整器238、真空泵(pump)239。另外，排氣管236、閥237、壓力調整器238總稱為第一排氣系統230。
(處理氣體供給系統)從含有第一氣體供給管243a的第一氣體供給系統243主要係供給含第一元素氣體，從含有第二氣體供給管244a的第二氣體供給系統244主要係供給含第二元素氣體，從含有第三氣體供給管245a的第三氣體供給系統245係供給惰性氣體或清洗氣體。第一氣體供給管243a、第二氣體供給管244a、第三氣體供給管245a係連接至第一共通氣體供給管241。在第一共通氣體供給管241的下游係設有第二共通氣體供給管242。從各個氣體供給管供給的氣體係經由第一共通氣體供給管241、第二共通氣體供給管242而供給至淋氣頭。另外，處理氣體供給系統亦稱為處理氣體供給部。
(氣體共通供給管)在第一共通氣體供給管241的上游側係與第一氣體供給管243a、第二氣體供給管244a、第三氣體供給管245a連接。另一方面，在屬於一方下游側的下游端係設置有突緣241a。
在第二共通氣體供給管242的上游端係設置有突緣242a。第二氣體共通供給管242係以導電性材質構成，此外，突緣242a係與後述的電漿產生部250連接。另一方面，下游側的管係以貫通蓋體231的氣體導入孔231b之方式構成，下游端係與氣體導引部235的基端部235a連接。從電漿產生部250供給的電力係經由第二共通氣體供給管242而供給至氣體導引部235。
在突緣241a與突緣242a之間係設置有將突緣間的電性連接加以絕緣之用的絕緣體249。
(第一氣體供給系統)在第一氣體供給管243a係自上游方向依序設有第一氣體供給源243b、屬於流量控制器(流量控制部)的質量流量控制器(MFC)243c、屬於開閉閥的閥243d。
從第一氣體供給管243a，含第一元素的氣體(以下稱為「含第一元素氣體」)經由質量流量控制器243c、閥243d、共通氣體供給管242供給至淋氣頭230。
含第一元素氣體係原料氣體，亦即處理氣體之一。此處，第一元素係例如鈦(Ti)。亦即，含第一元素氣體係例如為含鈦氣體。就含鈦氣體而言，例如能夠使用TiCl4氣體。另外，含第一元素氣體在常溫常壓下可為固體、液體、氣體其中任一者。當含第一元素氣體在常溫常壓下為液體時，只要在第一氣體供給源243b與質量流量控制器243c之間設置未圖示的汽化器即可。此處係採用氣體進行說明。
另外，亦可使用含矽(silicon)氣體。就含矽氣體而言，例如可使用屬於有機矽材料的六甲基二矽氮烷(C6H19NSi2，簡稱：HMDS)和三矽烷基胺((SiH3)3N，簡稱：TSA)、雙三級丁胺基矽烷(SiH2(NH(C4H9))2，簡稱：BTBAS)氣體等。該些氣體係作為前驅物(precursor)發揮用途。
在第一氣體供給管243a的比閥243d更下游側係有第一惰性氣體供給管246a的下游端連接。在第一惰性氣體供給管246a係自上游方向依序設有惰性氣體供給源246b、屬於流量控制器(流量控制部)的質量流量控制器(MFC)246c、屬於開閉閥的閥246d。
此處，惰性氣體係例如為氮(N2)氣體。另外，就惰性氣體而言，除了N2氣體之外，還能夠使用例如氦(He)氣體、氖(Ne)氣體、氬(Ar)氣體等稀有氣體。
從第一惰性氣體供給管246a，惰性氣體經由質量流量控制器246c、閥246d、第一氣體供給管243a供給至淋氣頭230內。在後述的薄膜形成步驟(S104)中，惰性氣體係作為載體氣體(carrier gas)或稀釋氣體發揮作用。
主要由第一氣體供給管243a、質量流量控制器243c、閥243d構成含第一元素氣體供給系統243(亦稱為含鈦氣體供給系統)。
此外，主要由第一惰性氣體供給管246a、質量流量控制器246c及閥246d構成第一惰性氣體供給系統。另外，亦可考慮將惰性氣體供給源246b、第一氣體供給管243a納入第一惰性氣體供給系統。
此外，亦可考慮將第一氣體供給源243b、第一惰性氣體供給系統納入含第一元素氣體供給系統。
另外，第一氣體供給系統亦稱為第一氣體供給部。
(第二氣體供給系統)在第二氣體供給管244a係自上游方向依序設有第二氣體供給源244b、屬於流量控制器(流量控制部)的質量流量控制器(MFC)244c、屬於開閉閥的閥244d。
從第二氣體供給管244a，含第二元素的氣體(以下稱為「含第二元素氣體」)經由質量流量控制器 244c、閥244d、共通氣體供給管241、共通氣體供給管242供給至淋氣頭230內。
含第二元素氣體係處理氣體之一。另外，含第二元素氣體亦可考慮作為反應氣體或改質氣體。
此處，含第二元素氣體係含有不同於第一元素的第二元素。就第二元素而言，例如為氧(O)、氮(N)、碳(C)其中任一者。在本實施形態中，含第二元素氣體係例如採用含氮氣體。具體而言，就含氮氣體而言可使用氨(NH3)氣體。
主要由第二氣體供給管244a、質量流量控制器244c、閥244d構成含第二元素氣體供給系統244(亦稱為含氮氣體供給系統)。
此外，在第二氣體供給管244a的比閥244d更下游側係有第二惰性氣體供給管247a的下游端連接。在第二惰性氣體供給管247a係自上游方向依序設有惰性氣體供給源247b、屬於流量控制器(流量控制部)的質量流量控制器(MFC)247c、屬於開閉閥的閥247d。
從第二惰性氣體供給管247a，惰性氣體經由質量流量控制器247c、閥247d、第二氣體供給管244a供給至淋氣頭230內。在後述的成膜步驟(亦稱為薄膜形成步驟)(S104)中，惰性氣體係作為載體氣體或稀釋氣體發生作用。
主要由第二惰性氣體供給管247a、質量流量控制器247c及閥247d構成第二惰性氣體供給系統。另外，亦可考慮將惰性氣體供給源247b、第二氣體供給管243a納入第二惰性氣體供給系統。
此外，亦可考慮將第二氣體供給源244b、第二惰性氣體供給系統納入第二氣體供給系統244。
另外，第二氣體供給系統亦稱為第二氣體供給部。
(第三氣體供給系統)在處理晶圓時，從含有第三氣體供給管245a的第三氣體供給系統245主要係供給惰性氣體。
在第三氣體供給管245a係自上游方向依序設有第三氣體供給源245b、屬於流量控制器(流量控制部)的質量流量控制器(MFC)245c、屬於開閉閥的閥245d。
從第三氣體供給管245a，作為沖洗氣體的惰性氣體經由質量流量控制器245c、閥245d、共通氣體供給管245供給至淋氣頭230。
此處，惰性氣體係例如為氮(N2)氣體。另外，就惰性氣體而言，除了N2氣體之外，還能夠使用例如氦(He)氣體、氖(Ne)氣體、氬(Ar)氣體等稀有氣體。
在第三氣體供給管245a係自上游方向依序設有惰性氣體供給源245b、及屬於流量控制器(流量控制部)的質量流量控制器(MFC)245c、及屬於開閉閥的閥245d。
主要由第三氣體供給管245a、質量流量控制器245c、閥245d構成第三氣體供給系統245。
此外，亦可考慮將第三氣體供給源245b、清洗氣體供給系統納入第三氣體供給系統245。
在基板處理步驟中，從第三氣體供給管245a，惰性氣體經由質量流量控制器245c、閥245d、共通氣體供給管242供給至淋氣頭230內。
在後述的薄膜形成步驟(S104)中，從惰性氣體供給源245b供給的惰性氣體係作為將滯留在處理室201和淋氣頭230內的氣體予以沖洗的沖洗氣體發揮作用。另外，在本說明書中，第三氣體供給系統245亦稱為第三氣體供給部。
(第二排氣系統)在處理室201(上部容器202a)的內壁係設有將處理室201的環境氣體排出的排氣口221。在排氣口221係有排氣管222連接，於排氣管222係依序串接有：切換氣體排氣的閥223、將處理室201內控制在預定壓力的APC(Auto Pressure Controller)等壓力調整器224、真空泵225。主要由排氣口221、排氣管222、閥223、壓力調整器224、真空泵225構成第二排氣系統(排氣管路(line))220。
(電漿產生部)電漿產生部250係具有高頻電源252、匹配器251、第一開關(switch)253、第二開關254。
第一開關253的一端係連接至突緣242a。另一端係連接至匹配器251或接地之任一者。匹配器251係與開關253的端子253a連接，接地係與開關253的端子253b連接。連接至匹配器251還是接地之切換係由後述的控制器260進行。
第二開關254的一端係連接至分散板234的突緣部。另一端係連接至匹配器251或接地。匹配器251係與開關254的端子254a連接，接地係與開關254的端子254b連接。連接至匹配器251還是接地之切換係由後述的控制器260進行。
高頻電源252輸出的高頻電力係藉由切換第一開關253、第二開關254而產生供給至緩衝室232和處理室201的氣體的電漿，且按各個系統，以匹配器251調整阻抗(impedance)。
第一開關253、第二開關254總稱為電漿產生區域切換部。
(控制器)基板處理裝置100係具有控制基板處理裝置100各部動作的控制器260。控制器260係至少具有演算部261及記憶部262。控制器260係依上位控制器和使用者的指示，從記憶部呼叫基板處理裝置的程式(program)和控制配方(recipe)，依照其內容控制各構成。
(2)基板處理步驟接著，針對使用作為基板處理裝置100的基板處理裝置100在晶圓200上形成薄膜的步驟，一邊參照第2圖、第3圖、第4圖、第5圖一邊進行說明。另外，在下述的說明中，構成基板處理裝置100的各部的動作係由控制器260控制。
此處，係針對使用TiCl4氣體作為含第一元素氣體、使用氨(NH3)氣體作為含第二元素氣體，在晶圓200上形成氮化鈦膜作為薄膜的例子進行說明。此 外，例如，亦可在晶圓200上預先形成預定的膜。此外，亦可在晶圓200或預定的膜預先形成預定的圖案。
(基板搬入．載置步驟S102)在處理裝置100中，令基板載置台212下降至晶圓200的搬送位置，藉此使頂銷207貫通基板載置台212的貫通孔214。如此一來，形成頂銷207僅比基板載置台212表面突出預定高度量的狀態。接著，打開閘閥205，利用未圖示的晶圓移載機，將晶圓200(處理基板)搬入處理室內，將晶圓200移載至頂銷207上。藉此，晶圓200係在從基板載置台212表面突出的頂銷207上，以水平姿勢受到支撐。
待晶圓200搬入至處理容器202內後，便令晶圓移載機退避到處理容器202外面，關閉閘閥205，將處理容器202內密閉。然後，令基板載置台212上升，藉此使晶圓200載置至設置在基板載置台212的基板載置面211上。
另外，將晶圓200搬入處理容器202內時，較佳為一邊藉由排氣系統對處理容器202內進行排氣，一邊從惰性氣體供給系統將作為惰性氣體的N2氣體供給至處理容器202內。亦即，較佳為，在藉由令真空泵225作動、打開APC閥223而對處理容器202內進行排氣的狀態下，至少打開第三氣體供給系統的閥245d，藉此將N2氣體供給至處理容器202內。藉此，便能夠抑制微粒侵入至處理容器202內和抑制微粒附著到晶圓200上。此外，係令真空泵225至少在從基板搬入．載 置步驟(S102)到後述的基板搬出步驟(S106)結束為止的期間一直處於作動狀態。
在將晶圓200載置至基板載置台212上時，係對埋設在基板載置台212內部的加熱器(heater)213及/或淋氣頭加熱部231d供給電力，控制成使晶圓200表面達到預定溫度。晶圓200的溫度係例如為室溫以上、500℃以下，更佳為室溫以上、400℃以下。此時，係根據由未圖示的溫度感測器(sensor)所檢測出的溫度資訊來控制加熱器213的通電情形，藉此調整加熱器213的溫度。
(成膜步驟S104)接著，進行薄膜形成步驟S104。針對薄膜形成步驟S104的基本流程進行說明，關於本實施形態的特徵部分，於後詳述。
在薄膜形成步驟S104中，係經由淋氣頭230的緩衝室232將TiCl4氣體供給至處理室201內。供給TiCl4氣體經過預定的時間後停止TiCl4氣體的供給，以沖洗氣體將TiCl4氣體從緩衝室232、處理室201排出。
在將TiCl4氣體排出後，經由緩衝室232將氨氣體供給至處理室201內，並且供給高頻電力，產生氨電漿。氨氣體係與形成在晶圓200上的含鈦膜反應，形成氮化鈦膜。在經過預定的時間後，停止氨氣體的供給及電漿的產生，以沖洗氣體將氨氣體從淋氣頭230、處理室201排出。
在成膜步驟104中係重複進行上述操作，藉此而形成具有所期望膜厚的氮化鈦膜。
(處理次數判定步驟S106)在將基板搬出後，判定薄膜形成步驟是否達到預定次數。當判斷為已達到預定次數，便移到後述的基板搬出步驟S110。當判斷為未達到預定次數，便移到成膜步驟S104。
(基板搬出步驟S108)接著，令基板載置台212下降，使晶圓200支撐於從基板載置台212表面突出的頂銷207上。然後打開閘閥205，利用晶圓移載機調換已完成處理的晶圓200與未處理基板後，將已完成處理的基板搬出至處理容器202外面。當進行了預定片數的基板處理而結束基板處理步驟時，停止從第三氣體供給系統供給惰性氣體至處理容器202內。
(基板搬出步驟S110)當在處理次數判定步驟S108中判斷薄膜形成步驟達到了預定次數，便令基板載置台212下降，使晶圓200支撐於從基板載置台212表面突出的頂銷207上。然後，打開閘閥205，利用晶圓移載機將已完成處理的晶圓200搬出至處理容器202外面。
(清洗步驟112)當在處理次數判定步驟S108中判斷薄膜形成步驟達到了預定次數，便進行清洗步驟。此處，打開清洗氣體供給系統的閥248d，經由淋氣頭230將清洗氣體供給至處理室201。
待清洗氣體充滿淋氣頭230、處理室201，便以高頻電源252施加電力，並且藉由匹配器251使阻抗匹配，在淋氣頭230、處理室201產生清洗氣體的電漿。所產生的清洗氣體電漿係將附著在淋氣頭230、處 理室201內壁的副生成物等予以除去。清洗步驟110的詳細內容於後說明。
接著，針對成膜步驟S104的詳細內容，利用第3圖進行說明。
(第一處理氣體供給步驟S202)當各所期望的溫度達到時，打開閥243d，經由氣體導入孔231b、緩衝室232、分散板234的複數個貫通孔234a，開始將作為第一處理氣體的TiCl4供給至處理室201內。此時，打開閥246d，亦開始供給作為載體氣體的惰性氣體。
在第二氣體供給系統中係將閥244d關閉、將閥247d打開，供給惰性氣體。如此便防止第一處理氣體供給至第二氣體供給管244a。藉此，防止在第二氣體供給管244a內的氣體附著。
在第三氣體供給系統係將閥245d打開，經由氣體導入孔231b將惰性氣體供給至緩衝室232。
在緩衝室232內，包括TiCl4氣體的氣體藉由氣體導引部235而均勻分散。均勻分散的氣體係經由分散板234的複數個貫通孔234a均勻地供給至處理室201內的晶圓200上。
此時，以使屬於第一處理氣體的TiCl4氣體的流量達到預定流量之方式調整質量流量控制器243c。此外，以使屬於第三處理氣體的惰性氣體的流量達到預定流量之方式調整質量流量控制器245c。另外，TiCl4的供給流量係例如為100sccm以上、5000sccm以 下。此外，令真空泵225作動，適當地調整APC閥223的閥開度，藉此將處理容器202內的壓力設為預定壓力。
所供給的TiCl4氣體係供給至晶圓200上。TiCl4氣體係與晶圓200上接觸，藉此，在晶圓200表面上係形成作為「含第一元素層」的含鈦層。
含鈦層係例如相應於處理容器202內的壓力、TiCl4氣體的流量、軸217的溫度、在處理空間201的處理時間等，以預定厚度及預定的分布形成。
在經過預定的時間後，將閥243d關閉，停止TiCl4氣體的供給。閥245d維持打開，繼續進行惰性氣體的供給。
(第一淋氣頭排氣步驟S204)在停止TiCl4氣體的供給後，將閥237打開，將淋氣頭230內的環境氣體排出。具體而言，係將緩衝室232內的環境氣體排出。此時，係事先令真空泵239作動。關於淋氣頭排氣步驟204，待後詳述。
此時，以使緩衝室232中來自第一排氣系統的排氣氣導度(conductance)變得比中介著處理室的真空泵225的排氣系統的氣導度高之方式控制閥237的開閉狀態。藉由如上述進行調整，形成從緩衝室232中央流向淋氣頭排氣孔231b的氣體流。如此一來，附著在緩衝室232的壁的氣體和浮游在緩衝空間內的氣體便從第一排氣系統排出，不會進入處理室201。
此外，為了早點將緩衝室232的環境氣體排出，從第三氣體供給系統供給惰性氣體。此時，更佳 為將惰性氣體供給量設定為比第一處理氣體供給步驟多。
(第一處理室排氣步驟S206)在經過預定的時間後，一邊繼續令第二排氣系統的排氣泵225作動，一邊以使處理空間中來自第二排氣系統的排氣氣導度變得比中介著淋氣頭230的來自第一排氣系統的排氣氣導度高之方式調整APC閥223的閥開度及閥237的閥開度。藉由如上述進行調整，形成流經處理室201的流向第二排氣系統的氣體流。因此，能夠確實地將供給至緩衝室232的惰性氣體供給至基板上，使基板上的殘留氣體的除去效率變高。
處理室排氣步驟中供給的惰性氣體係將在第一處理氣體供給步驟S202中無法與晶圓200結合的鈦成分從晶圓200上除去。此外，打開閥237，控制壓力調整器238、真空泵239，將殘留在淋氣頭230內的TiCl4氣體除去。在經過預定的時間後，將閥245d關小以減少惰性氣體的供給量，並且將閥237關閉以將淋氣頭230與真空泵239之間阻斷。
更佳為，在經過預定的時間後，一邊令第二排氣系統的排氣泵225繼續作動，一邊將閥237關閉。如此一來，流經處理室201的流向第二排氣系統的氣體流便不會受到第一排氣系統的影響，因此能夠更確實地將惰性氣體供給至基板上，使基板上的殘留氣體的除去效率變得更高。
此外，藉由在淋氣頭排氣步驟S204之後繼續進行處理室排氣步驟S206，能夠發現下述效果。亦即，由於在淋氣頭排氣步驟S204中已將緩衝室232內的殘留物除去，因此在處理室排氣步驟S206中，即使氣體流流經晶圓200上，仍能夠防止殘留氣體附著至基板上。
(第二處理氣體供給步驟S208)在第一氣體供給系統將閥243d關閉的狀態下維持閥247d打開，繼續供給惰性氣體。
第二氣體供給系統係將閥244d打開，開始供給氨氣體。
此時，以使氨氣體的流量達到預定流量之方式調整質量流量控制器244c。另外，氨氣體的供給流量係例如為100sccm以上、5000sccm以下。另外，亦可伴隨氨氣體，從第二惰性氣體供給系統放流N2氣體作為載體氣體。此外，藉由適當地調整APC閥223的閥開度，將處理容器202內的壓力設定為使第二氣體易激發的預定壓力。
在電漿產生部250係進行下述動作。開關253係切換至端子253a，使氣體導引部235與電源252電性連接。開關254係切換至端子254a，使分散板234與電源電性連接。亦即，氣體導引部235與分散板234係設成同電位。另一方面，在接地的基板載置部210與分散板234之間產生電位差。在此狀態下開啟電源252。
藉由啟動電源，供給至處理室201的氨氣體受激發成為電漿狀態。已形成的含鈦層因氨電漿而改質，在晶圓200上形成例如含鈦元素及氮元素的層。
改質層係例如相應於處理空間201內的壓力、氨氣體的流量、基板載置台212的溫度、電漿產生部250的電力供給情形等，以預定厚度、預定的分布、氮成分等侵入含鈦層的預定深度而形成。
在經過預定的時間後，將閥244d關閉，停止氨氣體的供給。
(第二淋氣頭排氣步驟S210)在停止氨氣體的供給後，將閥237打開，將淋氣頭230內環境氣體排出。具體而言，係將緩衝室232內的環境氣體排出。此時，係事先令真空泵239作動。關於淋氣頭排氣步驟210，待後詳述。
以使緩衝室232中來自第一排氣系統的排氣氣導度變得比中介著處理室的排氣泵225的氣導度高之方式控制閥237的開閉閥的狀態。藉由如上述進行調整，形成從緩衝室232中央流向淋氣頭排氣孔231b的氣體流。如此一來，附著在緩衝室232的壁的氣體和浮游在緩衝空間內的氣體便從第一排氣系統排出，不會進入處理室201。
(第二處理室排氣步驟S212)在經過預定的時間後，一邊令第二排氣系統的排氣泵225作動，一邊以使處理空間中來自第二排氣系統的排氣氣導度變得比中介著淋氣頭230的來自第一排氣系統的排氣氣導度高之方式調整APC閥223的閥開度及閥237的閥開度。藉由如上述進行調整，形成流經處理室201的流向第二排氣系統的氣體流。因此，能夠確實地將供給至緩 衝室232的惰性氣體供給至基板上，使基板上的殘留氣體的除去效率變高。
處理室排氣步驟中供給的惰性氣體係將在第一處理氣體供給步驟S202中無法與晶圓200結合的鈦成分從晶圓200上除去。此外，打開閥237，控制壓力調整器238、真空泵239，將殘留在淋氣頭230內的氨氣體除去。在經過預定的時間後，將閥243d關閉以停止惰性氣體的供給量，並且將閥237關閉以將淋氣頭230與真空泵239之間阻斷。
更佳為，在經過預定的時間後，一邊令第二排氣系統的排氣泵225繼續作動，一邊將閥237關閉。如此一來，緩衝室232內的殘留氣體和所供給的惰性氣體流經處理室201的流向第二排氣系統的氣體流便不會受到第一排氣系統的影響，因此能夠更確實地將惰性氣體供給至基板上，使基板上未完全與第一氣體反應的殘留氣體的除去效率變得更高。
此外，藉由在淋氣頭排氣步驟S204之後繼續進行處理室排氣步驟S206，能夠發現下述效果。亦即，由於在淋氣頭排氣步驟S204中已將緩衝室232內的殘留物除去，因此在處理室排氣步驟S206中，即使氣體流流經晶圓200上，仍能夠防止殘留氣體附著至基板上。
(判定步驟S214)其間，控制器260係判定上述1個循環(cycle)是否實施有預定次數。
當還未實施達預定次數時(S214為「否」的情況)，重複第一處理氣體供給步驟S202、第一淋氣頭 排氣步驟S204、第一處理室排氣步驟S206、第二處理氣體供給步驟S208、第二淋氣頭排氣步驟S210、第二處理室排氣步驟S212的循環。當實施達預定次數時(S214為「是」的情況)，結束成膜步驟S104。
另外，在上述成膜步驟104的第二處理氣體供給步驟S208中係於每次進行步驟時啟動電源252，但並不以此為限，亦可讓電源252持續運作。此時，遵照帕申法則(Paschen's law)，以僅在供給氨氣體的期間維持產生電漿的壓力之方式進行控制。
接著，針對清洗步驟S110的詳細內容進行說明。發明人致力研究的結果，發現除了停機時間增加的問題之外，還有一些問題存在。就緊接在停機時間增加之後的第二個問題而言，發明人發現到有緩衝室232內壁附著物的膜厚局部較厚而使膜厚產生不均的問題。這起因於緩衝室232相較於處理室201存在較多會形成氣體蓄積處的構成。因此，難以採用相同條件對緩衝室232與處理室201進行清洗。另外，所謂的氣體蓄積處，係例如由第4圖所示屬於緩衝室232角落部的滯留部232a所形成。
接著，就第三個問題而言，係氣體導引部235的板部235b表面的附著物的厚度和膜質不均勻的問題。就厚度和膜質不均勻的原因而言，例如可舉出氣體導引部235的加熱不均。氣體導引部235係受到淋氣頭加熱部231d加熱，但在板部235b中，愈往前端部235c，離淋氣頭加熱部231d的距離愈遠，因此在基端部235a 附近與前端部235c附近的加熱狀態差異很大。此外，淋氣頭加熱部231d與氣體導引部235之間的氣體流濃度高時，有時會使從淋氣頭加熱部231d放出的輻射熱遭到遮蔽，因此會因氣體的濃度而發生加熱不均。除此之外，考慮到蓋體231材質的疏密等亦有可能會對加熱不均帶來影響。
由於附著物的厚度和膜質受溫度的影響大，因此加熱不均亦會導致附著物的膜厚和膜質產生不均。此處，所謂的膜質，係例如膜的疏密和組成比等。這使得有些部位受到附著物的應力集中施加，容易發生膜的剝離。
以下，說明本實施形態中解決上述問題的清洗方法。
(緩衝室清洗步驟S302)第三氣體供給系統係將閥248d打開，開始清洗氣體的供給。清洗氣體係例如使用三氟化氮(NF3)和四氟化碳(CF4)。在電漿產生部250係進行下述動作。開關253係切換至端子253a，使氣體導引部235與電源252電性連接。開關254係切換至端子254b，使分散板234接地。亦即，在氣體導引部235與分散板234之間產生電位差。在此狀態下開啟電源252。
此時，以使清洗氣體的流量達到預定流量之方式調整質量流量控制器248c。另外，清洗氣體的供給流量係例如為100sccm以上、5000sccm以下。另外，亦可伴隨清洗氣體，從第三惰性氣體供給系統放流N2 氣體作為載體氣體。此外，藉由適當地調整APC閥238的閥開度，將緩衝室201內的壓力設定為使清洗氣體易激發的預定壓力。
由於氣體導引部235與分散板234之間有電位差產生且控制在預定壓力，因此供給至緩衝室232的清洗氣體係在緩衝室232電漿化。電漿狀態的清洗氣體係將緩衝室201的附著物等除去。清洗時間等清洗條件係依屬於清洗對象物的膜厚和膜質而適當調整。
(處理室清洗步驟S304)在電漿產生部250的電漿產生區域切換部係進行下述動作而切換清洗氣體電漿產生區域。開關253係切換至端子253a，使氣體導引部235與電源252電性連接。開關254係切換至端子254a，使分散板234與電源252電性連接。亦即，氣體導引部235與分散板234係設成同電位。另一方面，在接地的基板載置部210與分散板234之間產生電位差。在此狀態下開啟電源252。
此時，以使清洗氣體的流量達到預定流量之方式調整質量流量控制器248c。另外，清洗氣體的供給流量係例如為100sccm以上、5000sccm以下。另外，亦可伴隨清洗氣體，從第三惰性氣體供給系統放流N2氣體作為載體氣體。此外，藉由適當地調整APC閥223的閥開度，將處理室201內的壓力設定為使清洗氣體易激發的預定壓力。
由於分散板234與基板載置部210之間有電位差產生且控制在預定壓力，因此供給至處理室201 的清洗氣體係在緩衝室232形成為電漿狀態。電漿狀態的清洗氣體係將處理室201的附著物等除去。清洗時間等清洗條件係依屬於清洗對象物的膜厚和膜質而適當調整。
此外，發明人致力研究的結果，得知緩衝室的附著物與處理室的附著物如下述般存在膜厚差。在處理室中，電漿狀態的反應氣體會與附著在處理室的原料氣體發生反應，故膜容易形成。另一方面，在緩衝室中，非電漿狀態的反應氣體雖然會與附著在緩衝室的壁和氣體導引部的附著物接觸，但由於反應能量(energy)低，故形成的膜比附著在處理室的膜薄。
因此，在本實施形態中係將緩衝室清洗步驟的處理時間設定為比處理室清洗步驟的處理時間短。藉由縮短而能夠將停機時間縮短。
另外，在上述的實施形態中雖然係以緩衝室清洗步驟S302、處理室清洗步驟S304的順序實施，但並不以此為限，亦可在處理室清洗步驟S304的下一步實施緩衝室清洗步驟S302。
若如上述進行清洗處理，則緩衝室232和處理室201分別能夠獲得清洗，因此能夠對應各種的處理條件。此外，因為能夠以清洗氣體除去淋氣頭內及處理室內的附著物，因此能夠降低因維護產生的停機時間。
<本發明的第二實施形態>接著，針對本發明的第二實施形態進行說明。第二實施形態中，基板處理裝置的構成、基板處理步驟的基板搬入．載置步 驟S102至判定步驟S108係與第一實施形態相同，故省略該些部分的說明。此處係針對不同於第一實施形態的清洗步驟S110進行說明。清洗步驟S110係取代第一實施形態的清洗步驟S110之步驟。
(清洗步驟S110)在第一實施形態的清洗步驟S110中係實施緩衝室清洗步驟S302、處理室清洗步驟S304這兩個步驟。然而，當考慮到裝置的運轉率時，較佳為不增加步驟數以縮短清洗時間。
以下說明本實施形態的清洗步驟。
第三氣體供給系統係將閥248d打開，開始清洗氣體的供給。清洗氣體係例如使用三氟化氮(NF3)和四氟化碳(CF4)。在電漿產生部250係進行下述動作。開關253係切換至端子253b，使氣體導引部235接地。開關254係切換至端子254a，使分散板234與電源252電性連接。亦即，在氣體導引部235與分散板234之間產生電位差。此外，在分散板234與基板載置部210之間產生電位差。在此狀態下開啟電源252。
此時，以使清洗氣體的流量達到預定流量之方式調整質量流量控制器248c。另外，清洗氣體的供給流量係例如為100sccm以上、5000sccm以下。另外，亦可伴隨清洗氣體，從第三惰性氣體供給系統放流N2氣體作為載體氣體。此外，藉由適當地調整APC閥238及APC閥223的閥開度，將緩衝室201及處理室201內的壓力設定為使清洗氣體易激發的預定壓力。
由於氣體導引部235與分散板234之間有電位差產生且緩衝室232控制在預定壓力，因此供給至緩衝室232的清洗氣體係在緩衝室232電漿化。與此同時，由於分散板234與基板載置部210之間有電位差產生且處理室201控制在預定壓力，因此供給至處理室201的清洗氣體係在處理室201電漿化。
電漿狀態的清洗氣體係將緩衝室232及處理室201的附著物等除去。清洗時間等清洗條件係依屬於清洗對象物的膜厚和膜質而適當調整。
藉由作成為上述構成，能夠將處理室及緩衝室的清洗時間縮短，結果，能夠大幅提升運轉率。
在上述的實施形態中雖然係針對使用含鈦氣體作為含第一元素氣體、使用含氮氣體作為含第二元素氣體，在晶圓200上形成氮化鈦膜的情形進行說明，但並不以此為限。亦可例如使用矽(Si)、含鉿(Hf)氣體、含鋯(Zr)氣體、含鈦(Ti)氣體作為含第一元素氣體而在晶圓200上形成氧化鉿膜(HfO膜)、氧化鋯膜(ZrO膜)、氧化鈦膜(TiO膜)等高介電值(High-k)膜等。
此外，在上述的實施形態中雖然係將與第一排氣系統連接的淋氣頭排氣孔231b設置在淋氣頭的頂板231a，但並不以此為限，亦可例如設置在緩衝室的側面。
此外，在上述的實施形態中雖然係將第二共通氣體供給管242的突緣242a與電漿產生部電性連接，但並不以此為限，只要為氣體導引部與電漿產生部電性連接的構成即可。
此外，在上述的實施形態中雖然係將原料氣體、反應氣體、惰性氣體、清洗氣體各者的氣體供給管匯集成共通氣體供給管，但並不以此為限。亦可例如將各個供給管連接至頂板231a，從各個供給管供給氣體至緩衝室。此時，從均勻地供給氣體的觀點來看，至少原料氣體及反應氣體的供給孔構成為供給至氣體導引部235內側。
以下，記載本發明的態樣。
(附記1)
一種基板處理裝置，係具有：第一氣體供給系統，係具有與原料氣體源連接且設有原料氣體供給控制部的原料氣體供給管；第二氣體供給系統，係具有與反應氣體源連接且設有反應氣體供給控制部的反應氣體供給管；第三氣體供給系統，係具有與清洗氣體源連接且設有清洗氣體供給控制部的反應氣體供給管；淋氣頭部，係具有連接前述第一氣體供給系統、前述第二氣體供給系統、前述第三氣體供給系統的緩衝室；處理室，係設置在前述淋氣頭下方且內含載置基板的基板載置部；電漿產生區域切換部，係對前述緩衝室之電漿產生與前述處理室之電漿產生進行切換；電漿產生部，係具有前述電漿產生區域切換部與電源；及 控制部，係至少控制前述原料氣體供給部、前述反應氣體供給控制部、和前述電漿產生部。
(附記2)
如附記1之基板處理裝置，其中前述淋氣頭部係具有：頂部，係構成為前述緩衝室的蓋；氣體導引部，係具有連接至前述頂部的基端部、與以從前述基端部往前端部漸漸遠離前述頂板之方式構成的板體；加熱部，係設置在前述頂部，至少對前述緩衝室的環境氣體及前述氣體導引部進行加熱；及分散部，係構成為前述緩衝室的底部，將供給至前述緩衝室的氣體分散至前述處理室。
(附記3)
如附記1或附記2之基板處理裝置，其中前述切換部係具有：第一開關，係構成為一端與前述氣體導引部電性連接，另一端與前述電源電性連接或電性接地；及第二開關，係構成為一端與前述分散板電性連接，另一端與前述電源電性連接或電性接地。
(附記4)
如附記1至附記3中任一項之基板處理裝置，其中前述控制部係控制進行下述步驟：成膜步驟，係在前述處理室有基板的狀態下，經由前述淋氣頭將前述原料氣體或前述反應氣體供給至前述處理室以對載置在前述處理室內的基板進行處理；在前述成膜步驟之後，前述控制部係控制進行下述步驟：緩衝室清洗步驟，係令前述氣體導引部與前述分 散部之間產生電位差，產生前述緩衝室的清洗氣體電漿，對前述緩衝室進行清洗；及處理室清洗步驟，係藉由前述電漿產生區域切換部令前述分散部與前述基板載置部之間產生電位差，在前述處理室產生清洗氣體電漿，對前述處理室進行清洗。
(附記5)
如附記4之基板處理裝置，其中在前述緩衝室清洗步驟中，前述控制部係進行下述控制：使前述氣體導引部與前述電源電性連接，並且使前述分散板電性接地；在前述處理室清洗步驟中，前述控制部係進行下述控制：使前述氣體導引部電性接地，使前述分散板與前述電源連接。
(附記6)
如附記4或附記5之基板處理裝置，其中前述控制部係進行下述控制：將前述緩衝室清洗步驟的處理時間設定為比前述處理室清洗步驟的處理時間短。
(附記7)
一種半導體製造方法，係具有下述步驟：搬入步驟，係將基板搬入處理室；成膜步驟，係經由設置在前述處理室上方且具有緩衝室的淋氣頭將處理氣體供給至前述處理室，對前述基板進行處理；搬出步驟，係將基板從前述處理室搬出；及 清洗步驟，係在前述搬出步驟之後，對前述緩衝室與前述處理室進行清洗；在前述清洗步驟中係具有：緩衝室清洗步驟，係具有電漿產生區域切換部的電漿產生部在緩衝室產生清洗氣體電漿，對前述緩衝室進行清洗；及處理室清洗步驟，係前述電漿產生區域切換部將前述清洗氣體電漿之產生切換成在前述處理室產生，對前述處理室進行清洗。
100‧‧‧基板處理裝置
200‧‧‧晶圓
201‧‧‧處理室
202‧‧‧處理容器
202a‧‧‧上部容器
202b‧‧‧下部容器
203‧‧‧搬送空間
204‧‧‧隔板
205‧‧‧閘閥
206‧‧‧基板搬入搬出口
207‧‧‧頂銷
208‧‧‧O形環
210‧‧‧基板支撐部
211‧‧‧載置面
212‧‧‧載置台
213‧‧‧基板載置台加熱部
214‧‧‧貫通孔
217‧‧‧軸
218‧‧‧升降機構
219‧‧‧伸縮囊
221‧‧‧排氣口
222‧‧‧排氣管
223‧‧‧閥
224‧‧‧壓力調整器
225‧‧‧真空泵
230‧‧‧淋氣頭
231‧‧‧蓋體
231a‧‧‧頂板
231b‧‧‧氣體導入孔
231c‧‧‧絕緣構件
231d‧‧‧淋氣頭加熱部
231e‧‧‧排氣孔
231f‧‧‧絕緣構件
232‧‧‧緩衝室
233‧‧‧絕緣塊件
234‧‧‧分散板
234a‧‧‧貫通孔
235‧‧‧氣體導引部
235a‧‧‧基端部
235b‧‧‧板部
235c‧‧‧前端部
236‧‧‧排氣管
237‧‧‧閥
238‧‧‧壓力調整器
239‧‧‧真空泵
241‧‧‧第一共通氣體供給管
241a‧‧‧突緣
242‧‧‧第二共通氣體供給管
242a‧‧‧突緣
243‧‧‧第一氣體供給系統
243a‧‧‧第一氣體供給管
243b‧‧‧第一氣體供給源
243c‧‧‧質量流量控制器
243d‧‧‧閥
244‧‧‧第二氣體供給系統
244a‧‧‧第二氣體供給管
244b‧‧‧第二氣體供給源
244c‧‧‧質量流量控制器
244d‧‧‧閥
245‧‧‧第三氣體供給系統
245a‧‧‧第三氣體供給管
245b‧‧‧第三氣體供給源
245c‧‧‧質量流量控制器
245d‧‧‧閥
246a‧‧‧第一惰性氣體供給管
246b‧‧‧惰性氣體供給源
246c‧‧‧質量流量控制器
246d‧‧‧閥
247a‧‧‧第二惰性氣體供給管
247b‧‧‧惰性氣體供給源
247c‧‧‧質量流量控制器
247d‧‧‧閥
248c‧‧‧質量流量控制器
248d‧‧‧閥
249‧‧‧絕緣體
250‧‧‧電漿產生部
251‧‧‧匹配器
252‧‧‧高頻電源
253‧‧‧第一開關
253a‧‧‧端子
253b‧‧‧端子
254‧‧‧第二開關
254a‧‧‧端子
254b‧‧‧端子
260‧‧‧控制器
261‧‧‧演算部
262‧‧‧記憶部

Claims (14)

  1. 一種基板處理裝置，係具有：第一氣體供給系統，係具有與原料氣體源連接且設有原料氣體供給控制部的原料氣體供給管；第二氣體供給系統，係具有與反應氣體源連接且設有反應氣體供給控制部的反應氣體供給管；第三氣體供給系統，係具有與清洗氣體源連接且設有清洗氣體供給控制部的反應氣體供給管；緩衝室，係連接前述第一氣體供給系統、前述第二氣體供給系統、前述第三氣體供給系統；分散板，係設置在前述緩衝室下游；淋氣頭部，係具有前述緩衝室及前述分散板；基板載置部，係設置在前述分散板下游且電性接地；處理室，係內含前述基板載置部；開關，係對前述緩衝室內的電漿產生與前述處理室的電漿產生進行切換；電漿產生部，係具有前述開關與電源；及控制部，係至少控制前述原料氣體供給部、前述反應氣體供給控制部、和前述電漿產生部。
  2. 如請求項1之基板處理裝置，其中前述淋氣頭部係具有：頂部，係構成為前述緩衝室的蓋；氣體導引部，係具有連接至前述頂部的基端部、與以從前述基端部往前端部漸漸遠離前述頂板之方式構成的板體；及 加熱機構，係設置在前述頂板，至少對前述緩衝室的環境氣體及前述氣體導引部進行加熱。
  3. 如請求項1之基板處理裝置，其中前述開關係具有：第一開關，係構成為一端與前述氣體導引部電性連接，另一端與前述電源電性連接或電性接地；及第二開關，係構成為一端與前述分散板電性連接，另一端與前述電源電性連接或電性接地。
  4. 如請求項2之基板處理裝置，其中前述開關係具有：第一開關，係構成為一端與前述氣體導引部電性連接，另一端與前述電源電性連接或電性接地；及第二開關，係構成為一端與前述分散板電性連接，另一端與前述電源電性連接或電性接地。
  5. 如請求項1之基板處理裝置，其中前述控制部係控制進行下述步驟：成膜步驟，係在前述處理室有基板的狀態下，經由前述緩衝室將前述原料氣體或前述反應氣體供給至前述處理室以對載置在前述處理室內的基板進行處理；在前述成膜步驟之後，前述控制部係控制進行下述步驟：緩衝室清洗步驟，係在前述氣體導引部與前述分散板之間有電位差的狀態下，將清洗氣體供給至前述緩衝室產生清洗氣體電漿，對前述緩衝室進行清洗；及處理室清洗步驟，係在前述分散板與前述基板載置部之間有電位差的狀態下，經由前述緩衝室將清洗 氣體供給至前述處理室，在前述處理室產生清洗氣體電漿，對前述處理室進行清洗。
  6. 如請求項2之基板處理裝置，其中前述控制部係控制進行下述步驟：成膜步驟，係在前述處理室有基板的狀態下，經由前述緩衝室將前述原料氣體或前述反應氣體供給至前述處理室以對載置在前述處理室內的基板進行處理；在前述成膜步驟之後，前述控制部係控制進行下述步驟：緩衝室清洗步驟，係在前述氣體導引部與前述分散板之間有電位差的狀態下，將清洗氣體供給至前述緩衝室產生清洗氣體電漿，對前述緩衝室進行清洗；及處理室清洗步驟，係在前述分散板與前述基板載置部之間有電位差的狀態下，經由前述緩衝室將清洗氣體供給至前述處理室，在前述處理室產生清洗氣體電漿，對前述處理室進行清洗。
  7. 如請求項3之基板處理裝置，其中前述控制部係控制進行下述步驟：成膜步驟，係在前述處理室有基板的狀態下，經由前述緩衝室將前述原料氣體或前述反應氣體供給至前述處理室以對載置在前述處理室內的基板進行處理；在前述成膜步驟之後，前述控制部係控制進行下述步驟： 緩衝室清洗步驟，係在前述氣體導引部與前述分散板之間有電位差的狀態下，將清洗氣體供給至前述緩衝室產生清洗氣體電漿，對前述緩衝室進行清洗；及處理室清洗步驟，係在前述分散板與前述基板載置部之間有電位差的狀態下，經由前述緩衝室將清洗氣體供給至前述處理室，在前述處理室產生清洗氣體電漿，對前述處理室進行清洗。
  8. 如請求項5之基板處理裝置，其中在前述緩衝室清洗步驟中，前述控制部係進行下述控制：使前述氣體導引部與前述電源電性連接，並且使前述分散板電性接地；在前述處理室清洗步驟中，前述控制部係進行下述控制：使前述氣體導引部電性接地，使前述分散板與前述電源連接。
  9. 如請求項6之基板處理裝置，其中在前述緩衝室清洗步驟中，前述控制部係進行下述控制：使前述氣體導引部與前述電源電性連接，並且使前述分散板電性接地；在前述處理室清洗步驟中，前述控制部係進行下述控制：使前述氣體導引部電性接地，使前述分散板與前述電源連接。
  10. 如請求項7之基板處理裝置，其中在前述緩衝室清洗步驟中，前述控制部係進行下述控制：使前述氣體導引部與前述電源電性連接，並且使前述分散板電性接地； 在前述處理室清洗步驟中，前述控制部係進行下述控制：使前述氣體導引部電性接地，使前述分散板與前述電源連接。
  11. 如請求項5之基板處理裝置，其中前述控制部係進行下述控制：將前述緩衝室清洗步驟的處理時間設定為比前述處理室清洗步驟的處理時間短。
  12. 如請求項6之基板處理裝置，其中前述控制部係進行下述控制：將前述緩衝室清洗步驟的處理時間設定為比前述處理室清洗步驟的處理時間短。
  13. 如請求項7之基板處理裝置，其中前述控制部係進行下述控制：將前述緩衝室清洗步驟的處理時間設定為比前述處理室清洗步驟的處理時間短。
  14. 一種半導體製造方法，係具有下述步驟：搬入步驟，係將基板搬入處理室；成膜步驟，係經由設置在前述處理室上方且具有緩衝室的淋氣頭將處理氣體供給至前述處理室，對前述基板進行處理；搬出步驟，係將基板從前述處理室搬出；及清洗步驟，係在前述搬出步驟之後，對前述緩衝室與前述處理室進行清洗；在前述清洗步驟中係具有：緩衝室清洗步驟，係具有電漿產生區域切換部的電漿產生部在緩衝室產生清洗氣體電漿，對前述緩衝室進行清洗；及 處理室清洗步驟，係前述電漿產生區域切換部將前述清洗氣體電漿之產生切換成在前述處理室產生，對前述處理室進行清洗。
TW103105763A 2014-01-31 2014-02-21 A substrate processing apparatus, and a method of manufacturing the semiconductor device TWI564955B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014016860A JP5897617B2 (ja) 2014-01-31 2014-01-31 基板処理装置及び半導体装置の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201530647A true TW201530647A (zh) 2015-08-01
TWI564955B TWI564955B (zh) 2017-01-01

Family

ID=52117146

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW103105763A TWI564955B (zh) 2014-01-31 2014-02-21 A substrate processing apparatus, and a method of manufacturing the semiconductor device

Country Status (5)

Country Link
US (2) US8925562B1 (zh)
JP (1) JP5897617B2 (zh)
KR (1) KR101624605B1 (zh)
CN (1) CN104821267B (zh)
TW (1) TWI564955B (zh)

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5859583B2 (ja) * 2014-01-30 2016-02-10 株式会社日立国際電気 基板処理装置及び半導体装置の製造方法
JP5764228B1 (ja) * 2014-03-18 2015-08-12 株式会社日立国際電気 基板処理装置、半導体装置の製造方法、プログラム及び記録媒体
JP6333232B2 (ja) * 2015-12-02 2018-05-30 株式会社日立国際電気 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム
US10456709B2 (en) 2016-05-10 2019-10-29 Green Mill Supercritical, Inc. Dispersion flow device for extraction vessel and methods of use
US10043641B2 (en) * 2016-09-22 2018-08-07 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for processing chamber cleaning end point detection
JP7020951B2 (ja) * 2018-02-09 2022-02-16 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理システムおよびプラズマ処理方法
JP7023188B2 (ja) * 2018-06-11 2022-02-21 東京エレクトロン株式会社 クリーニング方法
JP6906490B2 (ja) * 2018-09-14 2021-07-21 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム
CN113597479A (zh) * 2019-03-11 2021-11-02 朗姆研究公司 用于清洁等离子体室的设备
CN112095088B (zh) * 2020-07-29 2023-05-16 苏州迈正科技有限公司 一种快速切换镀膜工艺气体的方法及设备
KR102564512B1 (ko) * 2020-12-28 2023-08-07 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
CN115789520A (zh) * 2022-11-20 2023-03-14 上海良薇机电工程有限公司 一种液态源供应装置、方法及半导体工艺***

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06260428A (ja) * 1993-03-05 1994-09-16 Mitsubishi Electric Corp プラズマｃｖｄ装置
JPH09306899A (ja) * 1996-05-16 1997-11-28 Hitachi Electron Eng Co Ltd 気相反応装置
KR20000066079A (ko) 1999-04-13 2000-11-15 윤종용 화학기상증착설비의 아크 방지용 하부 전극
US6197971B1 (en) * 1999-12-27 2001-03-06 Bayer Corporation Process for the manufacture of substituted triazolinones
US7408225B2 (en) * 2003-10-09 2008-08-05 Asm Japan K.K. Apparatus and method for forming thin film using upstream and downstream exhaust mechanisms
US7273526B2 (en) * 2004-04-15 2007-09-25 Asm Japan K.K. Thin-film deposition apparatus
KR20070070752A (ko) 2005-12-29 2007-07-04 삼성전자주식회사 반도체 소자 제조 장치 및 상기 장치의 챔버를 클리닝하는방법
CN101490307B (zh) * 2006-07-11 2011-06-08 东京毅力科创株式会社 成膜方法、清洁方法和成膜装置
KR100907438B1 (ko) 2007-01-15 2009-07-14 (주)제이하라 플라즈마 발생장치
JP5219562B2 (ja) * 2007-04-02 2013-06-26 株式会社日立国際電気 基板処理装置、基板処理方法及び半導体装置の製造方法
US8075728B2 (en) * 2008-02-28 2011-12-13 Applied Materials, Inc. Gas flow equalizer plate suitable for use in a substrate process chamber
JP2010065309A (ja) * 2008-09-12 2010-03-25 Tokyo Electron Ltd Ｔｉ系膜の成膜方法および記憶媒体
CN102414801A (zh) 2009-08-27 2012-04-11 应用材料公司 在原位腔室清洁后的处理腔室去污方法
KR101118997B1 (ko) * 2009-12-02 2012-03-13 주식회사 원익아이피에스 플라즈마 처리 장치 및 방법
TWI445065B (zh) * 2009-12-18 2014-07-11 J E T Co Ltd Substrate processing device
JP5632687B2 (ja) * 2010-09-10 2014-11-26 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法及び基板処理装置
KR20120034341A (ko) 2010-10-01 2012-04-12 주식회사 원익아이피에스 기판처리장치의 세정방법
JP2012169409A (ja) * 2011-02-14 2012-09-06 Toshiba Corp 半導体製造装置および半導体装置の製造方法
JP2012227209A (ja) 2011-04-15 2012-11-15 Mitsubishi Electric Corp 基板処理装置
JP5859583B2 (ja) * 2014-01-30 2016-02-10 株式会社日立国際電気 基板処理装置及び半導体装置の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US9508546B2 (en) 2016-11-29
JP2015144185A (ja) 2015-08-06
KR20150091207A (ko) 2015-08-10
US8925562B1 (en) 2015-01-06
JP5897617B2 (ja) 2016-03-30
CN104821267A (zh) 2015-08-05
CN104821267B (zh) 2017-08-04
TWI564955B (zh) 2017-01-01
US20150221503A1 (en) 2015-08-06
KR101624605B1 (ko) 2016-06-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI564955B (zh) A substrate processing apparatus, and a method of manufacturing the semiconductor device
KR101601662B1 (ko) 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 기록 매체
KR101847575B1 (ko) 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 기록 매체
KR101576135B1 (ko) 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 기록 매체
KR101579503B1 (ko) 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 기록 매체
TWI554640B (zh) A substrate processing apparatus, a manufacturing method and a program for a semiconductor device
KR101674928B1 (ko) 반도체 장치의 제조 방법, 프로그램 및 기판 처리 장치
KR101560610B1 (ko) 기판 처리 장치 및 반도체 장치의 제조 방법
JP5793241B1 (ja) 半導体装置の製造方法、基板処理装置、プログラム及び記録媒体
JP5800969B1 (ja) 基板処理装置、半導体装置の製造方法、プログラム、記録媒体
TWI524388B (zh) A substrate processing apparatus, a manufacturing method of a semiconductor device, and a recording medium
JP5726281B1 (ja) 基板処理装置及び半導体装置の製造方法
JP5859583B2 (ja) 基板処理装置及び半導体装置の製造方法
KR20160001609A (ko) 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 기록매체