TWI524388B - A substrate processing apparatus, a manufacturing method of a semiconductor device, and a recording medium - Google Patents

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TWI524388B
TWI524388B TW103105764A TW103105764A TWI524388B TW I524388 B TWI524388 B TW I524388B TW 103105764 A TW103105764 A TW 103105764A TW 103105764 A TW103105764 A TW 103105764A TW I524388 B TWI524388 B TW I524388B
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Hiroshi Ashihara
Arito Ogawa
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Description

基板處理裝置、半導體裝置之製造方法及記錄媒體
本發明係有關基板處理裝置、半導體裝置之製造方法及記錄媒體。
已知在半導體製造裝置等基板處理裝置中，為了實施超高真空製程(process)，而於排氣系統中使用渦輪分子泵(TMP(Turbo Molecular Pump))等真空泵(例如下述之專利文獻1)。
先前技術文獻 專利文獻
專利文獻1 日本國特開平11-300193號公報
一般而言，渦輪分子泵等實現高真空或超真空的真空泵的臨界背壓說不上高，在其下游側會設置輔助泵，幫助排氣至達到大氣壓。如上述，在真空泵的下游側連接其他的構成要素乃是普遍的作法，但該其他的構成要素可能會成為引起真空泵下游側壓力變動的主因。當真空泵下游側的壓力因某些理由而上升時，氣體(gas)會逆流回該真空泵，有真空泵動作變得不穩定之虞。
有鑒於上述課題，本發明的目的在於提供可以防止排氣系統中設置的真空泵的動作變得不穩定的基板處理裝置、半導體裝置之製造方法及記錄媒體。
本發明一態樣的基板處理裝置係供給氣體至處理空間而對基板進行處理的基板處理裝置，係具備：緩衝(buffer)空間，係在前述處理空間的上游側使前述氣體分散；搬送空間，係在將前述基板搬送至前述處理空間時前述基板所通過；第1排氣管，係連接前述搬送空間；第2排氣管，係連接前述緩衝空間；第3排氣管，係連接前述處理空間；第4排氣管，係連接前述第1排氣管、前述第2排氣管及前述第3排氣管各管的下游側；第1真空泵，係設置在前述第1排氣管；第2真空泵，係設置在前述第4排氣管；第1閥，係在前述第1排氣管中，設置在前述第1真空泵的下游側；第2閥，係設置在前述第2排氣管；及第3閥，係設置在前述第3排氣管。
本發明其他態樣的基板處理裝置係具備：處理容器，係對基板進行處理；複數根排氣管，係連接前述處理容器；第1真空泵，係設置在前述複數根排氣管其中一根；第2真空泵，係設置在前述複數根排氣管的下游側；閥，係在設置前述第1真空泵的排氣管中，設置在前述第1真空泵的上游側；及惰性氣體供給部，係在設置前述第1真空泵的排氣管中，連接於前述第1真空泵與前述閥之間。
本發明一態樣的半導體裝置之製造方法係將在處理空間上游側的緩衝空間分散的氣體供給至前述處理空間而對基板進行處理的半導體裝置之製造方法，係具有下述步驟：一邊以第1真空泵與設置在其下游側的第2真空泵對前述基板的搬送空間進行排氣，一邊將前述基板搬送至前述處理空間之步驟；將設置在屬於前述第1真空泵下游側且屬於前述第2真空泵上游側的閥關閉之步驟；經由前述緩衝空間將前述氣體供給至前述處理空間之步驟；及藉由前述第2真空泵，經由在前述閥的下游側連接前述第2真空泵的排氣管對前述緩衝空間進行排氣之步驟。
本發明其他態樣的半導體裝置之製造方法係供給氣體至處理容器而對基板進行處理的半導體裝置之製造方法，係具有下述步驟：以設置在連接前述處理容器的複數根排氣管其中一根的第1真空泵、與設置在前述複數根排氣管下游側的第2真空泵對前述處理容器進行排氣之步驟；將在設置前述第1真空泵的排氣管中、設置在前述第1真空泵上游側的閥關閉，並且從在設置前述第1真空泵的排氣管中、連接於前述第1真空泵與前述閥之間的惰性氣體供給部，供給惰性氣體至前述第1真空泵之步驟；將前述氣體供給至前述處理容器之步驟；及藉由前述第2真空泵，經由前述複數根排氣管之中除了設置前述第1真空泵的排氣管之外的排氣管對前述處理容器進行排氣之步驟。
本發明一態樣的記錄媒體係儲存有用以將在處理空間上游側的緩衝空間分散的氣體供給至前述處理空間而對基板進行處理的程式之電腦可讀取的記錄媒體，該記錄媒體係使電腦執行下述程序：一邊以第1真空泵與設置在其下游側的第2真空泵對前述基板的搬送空間進行排氣，一邊將前述基板搬送至前述處理空間之程序；將設置在屬於前述第1真空泵下游側且屬於前述第2真空泵上游側的閥關閉之程序；經由前述緩衝空間將前述氣體供給至前述處理空間之程序；及藉由前述第2真空泵，經由在前述閥的下游側連接前述第2真空泵的排氣管對前述緩衝空間進行排氣之程序。
本發明其他態樣的記錄媒體係儲存有用以將氣體供給至處理容器而對基板進行處理的程式之電腦可讀取的記錄媒體，該記錄媒體係使電腦執行下述程序：以設置在連接前述處理容器的複數根排氣管其中一根的第1真空泵與設置在前述複數根排氣管下游側的第2真空泵對前述處理容器進行排氣之程序；將設置前述第1真空泵的排氣管中、設置在前述第1真空泵上游側的閥關閉，並且從設置前述第1真空泵的排氣管中、連接於前述第1真空泵與前述閥之間的惰性氣體供給部供給惰性氣體至前述第1真空泵之程序；將前述氣體供給至前述處理容器之程序；及藉由前述第2真空泵，經由前述複數根排氣管之中除了設置前述第1真空泵的排氣管之外的排氣管對前述處理容器進行排氣之程序。
依據本發明，能夠防止排氣系統中設置的真空泵的動作變得不穩定。
100、102‧‧‧基板處理裝置
200‧‧‧晶圓(基板)
201‧‧‧處理空間
202‧‧‧反應容器
203‧‧‧搬送空間
232‧‧‧緩衝空間
261、262、263、264‧‧‧排氣管
261a‧‧‧旁路管
265‧‧‧TMP(渦輪分子泵)
272‧‧‧DP(乾式泵)
261b、266、267、268、270、271、292‧‧‧閥
第1圖係顯示本發明第1實施形態的基板處理裝置之圖。
第2圖係顯示第1圖所示基板處理裝置的基板處理步驟之流程圖。
第3圖係顯示第2圖所示成膜步驟的詳細內容之流程圖。
第4圖係顯示第1圖所示基板處理裝置的排氣系統的動作之順序(sequence)圖。
第5圖係顯示本發明第2實施形態的基板處理裝置之圖。
第6圖係顯示第5圖所示基板處理裝置的排氣系統的動作之順序圖。
以下，說明本發明的第1實施形態。
<裝置構成>
第1圖顯示本實施形態的基板處理裝置100的構成。基板處理裝置100係如第1圖所示，以枚葉式基板處理裝置的形式構成。
(處理容器)如第1圖所示，基板處理裝置100係具備處理容器202。處理容器202係例如以橫 剖面為圓形的扁平密閉容器的形式構成。此外，處理容器202係例如以鋁(Al)、不鏽鋼(SUS)等金屬材料構成。在處理容器202內係形成有對作為基板的矽晶圓(silicon wafer)等的晶圓200進行處理的處理空間201、及將晶圓200搬送至處理空間201時晶圓200所通過的搬送空間203。處理容器202係以上部容器202a與下部容器202b構成。上部容器202a與下部容器202b之間設有隔板204。
下部容器202b的側面係設有與閘閥(gate valve)205鄰接的基板搬入搬出口206，晶圓200係經由基板搬入搬出口206而在下部容器202b與未圖示的搬送室之間移動。下部容器202b的底部係設有複數個頂銷(lift pin)207。此外，下部容器202b係接地。
在處理空間201內係設有支撐晶圓200的基板支撐部210。基板支撐部210主要具有：載置晶圓200的載置面211、表面具有載置面211的載置台212、內含於基板載置台212的作為加熱源的加熱器(heater)213。於基板載置台212係在與頂銷207對應的位置分別設有讓頂銷207貫通的貫通孔214。
基板載置台212係由軸(shaft)217所支撐。軸217係貫通處理容器202的底部，並在處理容器202的外部連接至升降機構218。令升降機構218作動使軸217及支撐台212升降，藉此而能夠令載置於基板載置面211上的晶圓200升降。另外，軸217下端部的周圍係由伸縮囊(bellows)219所包覆，處理容器202內係保持著氣密。
在進行晶圓200的搬送時，基板載置台212係下降至使基板載置面211與基板搬入搬出口206相向的位置(晶圓搬送位置)，而在進行晶圓200的處理時，如第1圖所示，基板載置台212係上升至使晶圓200位於處理空間201內的處理位置(晶圓處理位置)。
具體而言，在令基板載置台212下降至晶圓搬送位置時，頂銷207的上端部會自基板載置面211的上表面突出，形成由頂銷207從下方支撐晶圓200。此外，在令基板載置台212上升至晶圓處理位置時，頂銷207會自基板載置面211的上表面埋没，形成由基板載置面211從下方支撐晶圓200。另外，因為頂銷207係與晶圓200直接接觸，因此較佳為例如以石英、氧化鋁(alumina)等材質形成。
在處理空間201的上部(上游側)係設有作為氣體分散機構的淋氣頭(shower head)230。在淋氣頭230的蓋231係設有氣體導入口241，該氣體導入口241係與後述的供給系統連接。從氣體導入口241導入的氣體係供給至淋氣頭230的緩衝空間232。
淋氣頭的蓋231係以具導電性的金屬形成，用作為在緩衝空間232或處理空間201內產生電漿(plasma)之用的電極。蓋231與上部容器202a之間係設有絕緣塊件(block)233，將蓋231與上部容器202a之間加以絕緣。
淋氣頭230係具備分散板234，係用於使經由氣體導入口241從供給系統供給的氣體分散。該分 散板234的上游側為緩衝空間232，下游側為處理空間201。在分散板234係設有複數個貫通孔234a。分散板234係以與基板載置面211相對向之方式配置。
在緩衝空間232係設有形成所供給氣體的氣體流之氣體導引部(guide)235。氣體導引部235係以氣體導入口241為頂點隨著愈往分散板234方向，直徑愈大的圓錐形狀。氣體導引部235係以其下端位於比形成在分散板234最外周側的貫通孔234a更外周側之方式形成。
(供給系統)在淋氣頭230的蓋231所設置的氣體導入孔241係連接有共通氣體供給管242。在共通氣體供給管242係連接有第一氣體供給管243a、第二氣體供給管244a、第三氣體供給管245a。第二氣體供給管244a係經由遠端電漿單元(remote plasma unit)244e連接至共通氣體供給管242。
從含有第一氣體供給管243a的第一氣體供給系統243主要係供給含第一元素氣體，從含有第二氣體供給管244a的第二氣體供給系統244主要係供給含第二元素氣體。從含有第三氣體供給管245a的第三氣體供給系統245，在處理晶圓時主要係供給惰性氣體，在清洗(cleaning)淋氣頭230和處理空間201時主要係供給清洗氣體。
(第一氣體供給系統)在第一氣體供給管243a係自上游方向依序設有第一氣體供給源243b、屬於流量控制器(流量控制部)的質量流量控制器(MFC；Mass Flow Controller)243c、屬於開閉閥的閥243d。
從第一氣體供給管243a，含第一元素的氣體(以下稱為「含第一元素氣體」)經由質量流量控制器243c、閥243d、共通氣體供給管242供給至淋氣頭230。
含第一元素氣體係原料氣體，亦即處理氣體之一。此處，第一元素係例如矽(Si)。亦即，含第一元素氣體係例如為含矽氣體。就含矽氣體而言，例如能夠使用SiH2(NH(C4H9))2(雙三級丁胺基矽烷，簡稱：BTBAS)氣體。另外，含第一元素氣體在常溫常壓下可為固體、液體、及氣體其中任一者。當含第一元素氣體在常溫常壓下為液體時，只要在第一氣體供給源243b與質量流量控制器243c之間設置未圖示的汽化器即可。此處係採用氣體進行說明。
另外，就含矽氣體而言，除了BTBAS之外，例如還能夠使用屬於有機矽材料的六甲基二矽氮烷(hexamethyldisilazane)(C6H19NSi2，簡稱：HMDS)和三矽烷基胺(trisilylamine)((SiH3)3N，簡稱：TSA)等。該些氣體係作為前驅物(precursor)發揮用途。
在第一氣體供給管243a的比閥243d更下游側係有第一惰性氣體供給管246a的下游端連接。在第一惰性氣體供給管246a係自上游方向依序設有惰性氣體供給源246b、屬於流量控制器(流量控制部)的質量流量控制器(MFC)246c、屬於開閉閥的閥246d。
此處，惰性氣體係例如為氮(N2)氣體。另外，就惰性氣體而言，除了N2氣體之外，還能夠使用例如氦(He)氣體、氖(Ne)氣體、氬(Ar)氣體等稀有氣體。
主要由第一氣體供給管243a、質量流量控制器243c、閥243d構成含第一元素氣體供給系統243(亦稱為含矽氣體供給系統)。
此外，主要由第一惰性氣體供給管246a、質量流量控制器246c及閥246d構成第一惰性氣體供給系統。另外，亦可考慮將惰性氣體供給源234b、第一氣體供給管243a納入第一惰性氣體供給系統。
此外，亦可考慮將第一氣體供給源243b、第一惰性氣體供給系統納入含第一元素氣體供給系統243。
(第二氣體供給系統)於第二氣體供給管244a係在下游設有遠端電漿單元244e。在上游係自上游方向依序設有第二氣體供給源244b、屬於流量控制器(流量控制部)的質量流量控制器(MFC)244c、屬於開閉閥的閥244d。
從第二氣體供給管244a，含第二元素的氣體(以下稱為「含第二元素氣體」)經由質量流量控制器244c、閥244d、遠端電漿單元244e、共通氣體供給管242供給至淋氣頭230內。含第二元素氣體係藉由遠端電漿單元244e而變成電漿狀態，照射至晶圓200上。
含第二元素氣體係處理氣體之一。另外，含第二元素氣體亦可考慮作為反應氣體或改質氣體。
此處，含第二元素氣體係含有不同於第一元素的第二元素。就第二元素而言，例如為氧(O)、氮(N)、碳(C)其中任一者。在本實施形態中，含第二元素 氣體係例如採用含氧氣體。具體而言，就含氧氣體而言係使用氧(O2)氣體。
主要由第二氣體供給管244a、質量流量控制器244c、閥244d構成含第二元素氣體供給系統244(亦稱為含氧氣體供給系統)。
此外，在第二氣體供給管244a的比閥244d更下游側係有第二惰性氣體供給管247a的下游端連接。在第二惰性氣體供給管247a係自上游方向依序設有惰性氣體供給源247b、屬於流量控制器(流量控制部)的質量流量控制器(MFC)247c、及屬於開閉閥的閥247d。
從第二惰性氣體供給管247a，惰性氣體經由質量流量控制器247c、閥247d、第二氣體供給管244a、遠端電漿單元244e供給至淋氣頭230內。在薄膜形成步驟(S104)中，惰性氣體係作為載體(carrier)氣體或稀釋氣體發生作用。
主要由第二惰性氣體供給管247a、質量流量控制器247c及閥247d構成第二惰性氣體供給系統。另外，亦可考慮將惰性氣體供給源247b、第二氣體供給管243a、遠端電漿單元244e納入第二惰性氣體供給系統。
此外，亦可考慮將第二氣體供給源244b、遠端電漿單元244e、第二惰性氣體供給系統納入含第二元素氣體供給系統244。
(第三氣體供給系統)在第三氣體供給管245a係自上游方向依序設有第三氣體供給源245b、屬於 流量控制器(流量控制部)的質量流量控制器(MFC)245c、屬於開閉閥的閥245d。
從第三氣體供給管245a，作為沖洗(purge)氣體的惰性氣體經由質量流量控制器245c、閥245d、共通氣體供給管242供給至淋氣頭230。
此處，惰性氣體係例如為氮(N2)氣體。另外，就惰性氣體而言，除了N2氣體之外，還能夠使用例如氦(He)氣體、氖(Ne)氣體、氬(Ar)氣體等稀有氣體。
在第三氣體供給管245a的比閥245d更下游側係有清洗氣體供給管248a的下游端連接。在清洗氣體供給管248a係自上游方向依序設有清洗氣體供給源248b、屬於流量控制器(流量控制部)的質量流量控制器(MFC)248c、及屬於開閉閥的閥248d。
主要由第三氣體供給管245a、質量流量控制器245c、閥245d構成第三氣體供給系統245。
此外，主要由清洗氣體供給管248a、質量流量控制器248c及閥248d構成清洗氣體供給系統。另外，亦可考慮將清洗氣體供給源248b、第三氣體供給管245a納入清洗氣體供給系統b
此外，亦可考慮將第三氣體供給源245b、清洗氣體供給系統納入第三氣體供給系統245。
在基板處理步驟中，從第三氣體供給管245a，惰性氣體經由質量流量控制器245c、閥245d、共通氣體供給管242供給至淋氣頭230內。此外，在清洗步驟中，清洗氣體經由質量流量控制器248c、閥248d、共通氣體供給管242供給至淋氣頭230內。
在基板處理步驟中，從惰性氣體供給源245b供給的惰性氣體係作為將滯留在處理容器202和淋氣頭230內的氣體予以沖洗的沖洗氣體發揮作用。此外，在清洗步驟中，亦可作為清洗氣體的載體氣體或稀釋氣體發揮作用。
在清洗步驟中，從清洗氣體供給源248b供給的清洗氣體係作為將附著在淋氣頭230和處理容器202的副生成物等予以除去的清洗氣體發揮作用。
此處，清洗氣體係例如為三氟化氮(NF3)氣體。另外，就清洗氣體而言，例如亦可使用氟化氫(HF)氣體、三氟化氯(ClF3)氣體、氟(F2)氣體等，此外，亦可組合使用該些氣體。
(電漿產生部)在淋氣頭的蓋231係連接有匹配器251、高頻電源252。以高頻電源252、匹配器251調整阻抗(impedance)，藉此在淋氣頭230、處理空間201產生電漿。
(排氣系統)將處理容器202的環境氣體排出的排氣系統係具有複數根連接至處理容器202的排氣管。具體而言，係具有連接至搬送空間203的排氣管(第1排氣管)261、連接至緩衝空間232的排氣管(第2排氣管)262、連接至處理空間201的排氣管(第3排氣管)263。此外，在各排氣管261、262、263的下游側係連接排氣管(第4排氣管)264。
排氣管261係連接搬送空間203的側面或底面。在排氣管261係設置TMP(Turbo Molecular Pump； 渦輪分子泵)(第1真空泵)265作為實現高真空或超高真空的真空泵。於排氣管261，在TMP 265的下游側係設置閥266。此外，在排氣管261，於TMP 265的上游側係設置閥267。此外，在排氣管261，於閥267的上游側係連接旁路(bypass)管261a。在旁路管261a係設置閥261b。旁路管261a的下游側係與排氣管264連接。
排氣管262係連接至緩衝空間232的頂面或側面。排氣管262係與閥268連接。
排氣管263係連接至處理空間201的側向。在排氣管263係設置屬於壓力控制器的APC(Auto Pressure Controller；自動壓力控制器)269，用以將處理空間201內控制在預定壓力。APC 269係具有可調整開度的閥體(未圖示)，依來自後述的控制器的指示，調整排氣管263的氣導度(conductance)。在排氣管263，於APC 269的下游側係設置閥270。此外，在排氣管263，於APC 269的上游側係設置閥271。
在排氣管264係設置DP(Dry Pump；乾式泵)272。如圖示，在排氣管264係自其上游側連接排氣管262、排氣管263、排氣管261、旁路管261a，並在該些管的下游設置DP 272。DP 272係經由排氣管262、排氣管263、排氣管261及旁路管261a各管將緩衝空間232、處理空間201及搬送空間203各空間的環境氣體排出。此外，當TMP 265動作時，DP 272亦作為TMP 265的輔助泵發揮功能。亦即，因為屬於高真空(或超高真空)泵的TMP 265難以獨力排氣至達到大氣壓，故使用DP 272作為排氣至達到大氣壓的輔助泵。上述排氣系統的各閥係例如使用氣閥(air valve)。
(控制器)基板處理裝置100係具有控制基板處理裝置100各部動作的控制器280。控制器280係至少具有演算部281及記憶部282。控制器280係與上述各構成連接，依上位控制器和使用者的指示，從記憶部282呼叫程式和配方(recipe)，依照其內容控制各構成的動作。
另外，控制器280係可採用專用型電腦的形式構成，亦可採用泛用型電腦的形式構成。例如，準備儲存有上述程式的外部記憶裝置(例如，磁帶、軟碟和硬碟等磁碟；CD和DVD等光碟；MO等光磁碟；USB記憶體(USB Flash Drive)和記憶卡等半導體記憶體)283，使用外部記憶裝置283將程式安裝(install)至泛用型電腦，藉此而能夠構成本實施形態的控制器280。
此外，將程式提供至電腦所使用的手段並不限於透過外部記憶裝置283提供的情況。例如，亦可使用網際網路(internet)和專用線路等通訊手段，而不透過外部記憶裝置283地提供程式。另外，記憶部282和外部記憶裝置283係以電腦可讀取的記錄媒體的形式構成。以下，上述的記憶部282和外部記憶裝置283亦簡單以記錄媒體總稱之。另外，在本說明書中，「記錄媒體」此用語有時單指記憶部282，有時單指外部記憶裝置283，有時指記憶部282及外部記憶裝置283雙方。
另外，控制器280係可採用專用型電腦的形式構成，亦可採用泛用型電腦的形式構成。例如，準備儲存有上述程式的外部記憶裝置(例如，磁帶、軟碟和硬碟等磁碟、CD和DVD等光碟、MO等光磁碟、USB記憶體(USB Flash Drive)和記憶卡等半導體記憶體)283，使用外部記憶裝置283將程式安裝至泛用型電腦，藉此而能夠構成本實施形態的控制器280。
此外，將程式提供至電腦所使用的手段並不限於透過外部記憶裝置283提供的情況。例如，亦可使用網際網路和專用線路等通訊手段，而不透過外部記憶裝置283地提供程式。另外，記憶部282和外部記憶裝置283係以電腦可讀取的記錄媒體的形式構成。以下，上述的記憶部282和外部記憶裝置283亦簡單以記錄媒體總稱之。另外，在本說明書中，「記錄媒體」此用語有時單指記憶部282，有時單指外部記憶裝置283，有時指記憶部282及外部記憶裝置283雙方。
<基板處理步驟>
接著，針對使用基板處理裝置100在晶圓200上形成薄膜的步驟進行說明。另外，在下述的說明中，構成基板處理裝置100的各部的動作係由控制器280控制。
第2圖係顯示本實施形態的基板處理步驟之流程圖。第3圖係顯示第2圖的成膜步驟的詳細內容之流程圖。此外，第4圖係顯示各步驟中排氣系統的閥的開閉之順序圖。在第4圖中，「O」代表閥開(Open)，「C」代表閥閉(Close)。
以下，針對使用BTBAS氣體作為第一處理氣體、使用氧(O2)氣體作為第二處理氣體，在晶圓200上形成矽氧化膜作為薄膜的例子進行說明。
(基板搬入．載置步驟S102)在處理裝置100中，令基板載置台212下降至晶圓200的搬送位置，藉此使頂銷207貫通基板載置台212的貫通孔214。如此一來，形成頂銷207僅比基板載置台212表面突出預定高度量的狀態。接著，打開閘閥205，使搬送空間203與移載室(未圖示)連通。接著，利用晶圓移載機(未圖示)將晶圓200從該移載室搬入搬送空間203，將晶圓200移載至頂銷207上。藉此，晶圓200係在突出於基板載置台212表面的頂銷207上，以水平姿勢受到支撐。
待晶圓200搬入至處理容器202內後，便令晶圓移載機退避到處理容器202外面，關閉閘閥205，將處理容器202內密閉。然後，令基板載置台212上升，藉此使晶圓200載置至設置在基板載置台212的基板載置面211上，再進一步令基板載置台212上升，藉此使晶圓200上升至前述處理空間201內的處理位置。
針對基板搬入步驟S102中排氣系統各閥的動作，參照第4圖進行說明。首先，在將晶圓200搬入處理容器202內時，將閥266與閥267打開(開閥)，使搬送空間203與TMP 265之間連通，並且使TMP 265與DP 272之間連通。另一方面，閥266與閥267以外的排氣系統的閥係關閉(閉閥)。藉此，搬送空間203的環境氣體藉由TMP 265(及DP 272)排出，使處理容器202 達到高真空(超高真空)狀態(例如10-5Pa以下)。在此步驟中將處理容器202形成高真空(超高真空)狀態，是為了減少與同樣保持在高真空(超高真空)狀態(例如10-6Pa以下)的移載室間的壓力差。在此狀態下，打開閘閥205，將晶圓200從移載室搬入搬送空間203。另外，在第2圖及第3圖所示的步驟中，TMP 265及DP 272一直處於動作狀態，以避免進行啟動會導致處理步驟延遲。
在晶圓200搬入搬送空間203後，當上升至處理空間201內的處理位置，便將閥266與閥267關閉。藉此，搬送空間203與TMP 265之間及TMP 265與排氣管264之間遭到阻斷，藉由TMP 265進行的搬送空間203之排氣結束。另一方面，打開閥270與閥271，使處理空間201與APC 269之間連通，並且使APC 269與DP 272之間連通。APC 269係調整排氣管263的氣導度，藉此，控制藉由DP 272進行的處理空間201的排氣流量，將處理空間201維持在預定壓力(例如10-5至10-1Pa的高真空)。另外，其他排氣系統的閥係維持關閉。此外，要關閉閥266與閥267時，係關閉位於TMP 265上游側的閥267後再關閉閥266，藉此使TMP 265的動作維持穩定。
另外，在此步驟中，亦可一邊對處理容器202內進行排氣，一邊從惰性氣體供給系統將作為惰性氣體的N2氣體供給至處理容器202內。亦即，亦可一邊以TMP 265或DP 272對處理容器202內進行排氣，一邊至少打開第三氣體供給系統的閥245d，藉此將N2氣體供給至處理容器202內。
又，在將晶圓200載置至基板載置台212上時，係對埋設在基板載置台212內部的加熱器213供給電力，控制成使晶圓200表面達到預定溫度。晶圓200的溫度係例如為室溫以上、500℃以下，更佳為室溫以上、400℃以下。此時，係根據由未圖示的溫度感測器(sensor)所檢測出的溫度資訊來控制加熱器213的通電情形，藉此調整加熱器213的溫度。
(成膜步驟S104)接著，進行薄膜形成步驟S104。以下，參照第3圖，針對成膜步驟S104進行詳細說明。另外，成膜步驟S104係循環(cyclic)處理，重複進行交替供給不同處理氣體的步驟。
(第一處理氣體供給步驟S202)當加熱晶圓200達到所期望的溫度，便打開閥243d，並且以使BTBAS氣體的流量達到預定流量之方式調整質量流量控制器243c。另外，BTBAS的供給流量係例如為100sccm以上、5000sccm以下。此時，打開第三氣體供給系統的閥245d，從第三氣體供給管245a供給N2氣體。此外，亦可從第一惰性氣體供給系統放流N2氣體。此外，亦可在此步驟之前先開始從第三氣體供給管245a供給N2氣體。
供給至處理容器202的BTBAS氣體係供給至晶圓200上。BTBAS氣體係與晶圓200上接觸，藉此，在晶圓200的表面係形成作為「含第一元素層」的含矽層。
含矽層係例如相應於處理容器202內的壓力、BTBAS氣體的流量、晶座(susceptor)217的溫度、通過處理空間201所花費的時間等，以預定厚度及預定的分布形成。另外，亦可在晶圓200上預先形成預定的膜。此外，亦可在晶圓200或預定的膜預先形成預定的圖案(pattern)。
自開始BTBAS氣體的供給經過預定時間後，關閉閥243d，停止BTBAS氣體的供給。如第4圖所示，在前述的S202的步驟中，閥270及閥271係打開，進行藉由APC 269使處理空間201的壓力成為預定壓力之控制。在S202中，閥270及閥271以外的排氣系統的閥皆關閉。
(沖洗步驟S204)接著，從第三氣體供給管245a供給N2氣體，進行淋氣頭230及處理空間201的沖洗。此時，閥270及閥271也打開，進行藉由APC 269使處理空間201的壓力成為預定壓力之控制。另一方面，閥270及閥271以外的排氣系統的閥皆關閉。藉此，在第一處理氣體供給步驟S202中無法與晶圓200結合的BTBAS氣體係藉由DP 272而從處理空間201經由排氣管263除去。
接著，從第三氣體供給管245a供給N2氣體，進行淋氣頭230的沖洗。此時的排氣系統的閥係如第4圖的「SHP」所示，閥270及閥271係關閉，另一方面，閥268係打開。其他排氣系統的閥始終關閉。亦即，在進行淋氣頭230的沖洗時，係將處理空間201與 APC 269之間阻斷，並且將APC 269與排氣管264之間阻斷，停止藉由APC 269進行的壓力控制，另一方面，將緩衝空間232與DP 272之間連通。藉此，殘留在淋氣頭230(緩衝空間232)內的BTBAS氣體係藉由DP 272而從淋氣頭230經由排氣管262排出。另外，此時，APC 269下游側的閥270亦可打開。
當淋氣頭230的沖洗結束，便打開閥270及閥271而恢復藉由APC 269進行的壓力控制，並且關閉閥268而將淋氣頭230與排氣管264之間阻斷。其他排氣系統的閥始終關閉。此時，來自第三氣體供給管245a的N2氣體的供給仍繼續，淋氣頭230及處理空間201的沖洗仍繼續。另外，在沖洗步驟S204中採取的是在進行經由排氣管262的沖洗之前後進行經由排氣管263的沖洗，但亦可只進行經由排氣管262的沖洗。此外，亦可同時進行經由排氣管262的沖洗與經由排氣管263的沖洗。
(第二處理氣體供給步驟S206)在沖洗步驟S204之後，打開閥244d，經由遠端電漿單元244e、淋氣頭230，開始將氧氣體供給至處理空間201內。
此時，以使氧氣體的流量達到預定流量之方式調整質量流量控制器244c。另外，氧氣體的供給流量係例如為100sccm以上、5000sccm以下。另外，亦可伴隨氧氣體，從第二惰性氣體供給系統放流N2氣體作為載體氣體。此外，在此步驟中，第三氣體供給系統的閥245d也打開，從第三氣體供給管245a供給N2氣體。
電漿狀態的氧氣體係供給至晶圓200上。已形成的含矽層因氧氣體的電漿而改質，藉此，在晶圓200上形成例如含矽元素及氧元素的層。
改質層係例如相應於處理容器203內的壓力、氧氣體的流量、基板載置台212的溫度、電漿產生部206的電力供給情形等，以預定厚度、預定的分布、氧成分等侵入含矽層的預定深度而形成。
在經過預定的時間後，將閥244d關閉，停止氧氣體的供給。
在S206中係與前述S202同樣，閥270及閥271係打開，進行藉由APC 269使處理空間201的壓力成為預定壓力之控制。此外，閥270及閥271以外的排氣系統的閥皆關閉。
(沖洗步驟S208)接著，執行與S204同樣的沖洗步驟。各部的動作係和之前在S204中說明過的一樣，故此處省略說明。
(判定S210)控制器280係判定上述1個循環(cycle)是否實施有預定次數(n cycle)。
當還未實施達預定次數時(S210為「否」的情況)，重複第一處理氣體供給步驟S202、沖洗步驟S204、第二處理氣體供給步驟S206、沖洗步驟S208的循環。當實施達預定次數時(S210為「是」的情況)，結束第3圖所示的處理。
回到第2圖的說明，接著，執行基板搬出步驟S106。
(基板搬出步驟S106)在基板搬出步驟S106中，令基板載置台212下降，使晶圓200支撐於從基板載置台212表面突出的頂銷207上。藉此，晶圓200係從處理位置移至搬送位置。然後，打開閘閥205，利用晶圓移載機將晶圓200搬出至處理容器202外面。此時，關閉閥245d，停止從第三氣體供給系統將惰性氣體供給至處理容器202內。
基板搬出步驟S106中的排氣系統各閥的動作係如第4圖所示。首先，在晶圓200從處理位置移動至搬送位置的期間係關閉閥270與閥271，停止藉由APC 269進行的壓力控制。另一方面，打開閥261b，將搬送空間203與DP 272之間連通，藉由DP 272對搬送空間203進行排氣。此時，其他排氣系統的閥係關閉。
接著，當晶圓200移動到搬送位置，便關閉閥261b，將搬送空間203與排氣管264之間阻斷。另一方面，打開閥266與閥267，藉由TMP 265(及DP 272)將搬送空間203的環境氣體排出，藉此，將處理容器202維持在高真空(超高真空)狀態(例如10-5Pa以下)，減少與同樣維持在高真空(超高真空)狀態(例如10-6Pa以下)的移載室間的壓力差。在此狀態下，打開閘閥205，將晶圓200從處理容器202搬出至移載室。
(處理次數判定步驟S108)在搬出晶圓200後，判定薄膜形成步驟是否達到預定次數。當判斷為已達到預定次數，便跳到清洗步驟。當判斷為未達到預定次數，為了開始下一片待機中的晶圓200的處理，便移到基板搬入．載置步驟S102。
(清洗步驟110)當在處理次數判定步驟S108中判斷薄膜形成步驟達到了預定次數，便進行清洗步驟。此處，打開清洗氣體供給系統的閥248d，經由淋氣頭230將清洗氣體給供至處理空間201。
待清洗氣體充滿淋氣頭230、處理室201，便以高頻電源252施加電力，並且藉由匹配器251使阻抗匹配，在淋氣頭230、處理空間201產生清洗氣體的電漿。所產生的清洗氣體電漿係將附著在淋氣頭230、處理空間201內壁的副生成物予以除去。
如上述，在處理容器202中，處理空間201、搬送空間203、及緩衝空間232各空間係與複數個排氣系統，即排氣管263、261、262連接。此外，在與搬送空間203連接的排氣管261係設置TMP 265。此外，在各排氣管263、261、262的下游側係連接排氣管264，在該排氣管264係設置DP 272。如上述，當各排氣系統共用DP 272，則在藉由DP 272從除了設有TMP 265的排氣管261以外的排氣系統進行排氣時，TMP 265下游側的壓力(排氣管264的壓力)會上升，氣體會逆流回TMP 265，有TMP 265的動作變得不穩定之虞。當氣體逆流回TMP 265，依情況也有演變成TMP 265故障和破損之虞。尤其是在重複交替供給不同處理氣體的循環處理中，排氣系統在短期間內重複發生多次較大的壓力變動，故要維持TMP 265動作穩定，TMP 265下游側的壓力管理實屬重要。
有鑒於此，關於本實施形態，係構成為在設置TMP 265的排氣管261中於TMP 265的下游側設置閥266，當藉由DP 272經由其他排氣管262、263進行排氣時，將閥266閉閥而將TMP 265與其下游側的排氣管264之間阻斷。具體而言，設置在排氣管262的閥268打開時，亦即進行淋氣頭230(緩衝空間232)的沖洗時，TMP 265下游側的閥266係一直關閉，將TMP 265與排氣管264之間阻斷。此外，設置在排氣管263的閥270、271打開時，亦即藉由APC 269調整處理空間201的壓力時或進行處理空間201的沖洗時，閥266係一直關閉，將TMP 265與排氣管264之間阻斷。藉此，流動在排氣管264的氣體便不會逆流回TMP 265，能夠防止TMP 265的動作變得不穩定。尤其是在重複交替供給不同處理氣體的循環處理中，即使排氣系統的壓力變動頻繁發生，TMP 265的動作也不會變得不穩定，能夠降低TMP 265故障等的發生機率。此外，要關閉TMP 265前後的閥266與閥267時，係關閉位於TMP 265上游側的閥267後再關閉閥266，藉此，能夠使TMP 265的動作維持穩定，能夠進一步降低TMP 265故障等的發生機率。
接著，說明本發明的第2實施形態。
<裝置構成>
第5圖顯示第2實施形態的基板處理裝置102。另外，針對與第1實施形態的基板處理裝置100相同的構成係標註相同的元件符號且省略說明。
關於第2實施形態的基板處理裝置102，係在排氣管261中於TMP 265與其上游側的閥267之間設有供給N2氣體的惰性氣體供給部。惰性氣體供給部係具有供給管290、連接供給管290下游的惰性氣體供給源291、在供給管290中設置在惰性氣體供給源291上游側的閥292、及在供給管290中設置在惰性氣體供給源291與閥292之間的質量流量控制器(MFC)293。閥292和質量流量控制器293的動作係由控制器280控制。另外，關於第2實施形態的基板處理裝置102，在與搬送空間203連接的排氣管261中，並未設置TMP 265下游側的閥。此外，從惰性氣體供給部供給的惰性氣體除了N2氣體之外，亦可為前述的各種稀有氣體。
<基板處理步驟>
接著，針對使用基板處理裝置102在晶圓200上形成薄膜的步驟進行說明。與第1實施形態的差異在於排氣系統的動作，基板處理步驟的基本流程係與第2圖及第3圖所示的流程圖相同，故此處僅說明排氣系統的動作。
第6圖係顯示第2實施形態的成膜步驟中排氣系統的閥的開閉之順序圖。如第6圖所示，在S102(基板搬入步驟)中，在將晶圓200搬入處理容器202內時係打開閥267，使搬送空間203與TMP 265之間連通。藉此，藉由TMP 265(及DR272)使搬送空間203的環境氣體排出，使處理容器202達到高真空(超高真空)狀態(例如10-5Pa以下)。此時，閥267以外的排氣系統的閥係關閉。
在晶圓200搬入搬送空間203後，當上升至處理空間201內的處理位置，便將閥267關閉。藉此，搬送空間203與TMP 265之間遭到阻斷，藉由TMP 265進行的搬送空間203之排氣結束。另一方面，打開閥270與閥271，藉由APC265使處理空間201維持在預定壓力(例如10-5至10-1Pa的高真空)。此外，打開供給管290的閥292，藉此將N2氣體供給至TMP 265的上游側。TMP 265係將該N2氣體排至下游側。此時，係藉由質量流量控制器293，以使從TMP 265排出的N2氣體的壓力變得比排氣管264壓力高之方式(換言之，以使TMP 265的排氣壓力變得比從TMP 265至DP 272為止的排氣管的壓力高之方式)控制N2氣體的流量。藉此，防止氣體從排氣管264逆流回TMP 265，而能夠防止TMP 265的動作變得不穩定。
接著，針對成膜步驟的各步驟中排氣系統的閥的動作進行說明。在S202(第一處理氣體供給步驟)中，閥270及閥271係打開，進行藉由APC 269使處理空間201的壓力成為預定壓力之控制。此外，閥292亦繼續打開，N2氣體供給至TMP 265。此時，係藉由質量流量控制器293，以使從TMP 265排出的N2氣體的壓力變得比排氣管264的壓力(經由排氣管263流入排氣管264的氣體的壓力)高之方式控制N2氣體的流量。此外，其他排氣系統的閥皆關閉。
在S204(沖洗步驟)中，當進行淋氣頭230及處理空間201的沖洗時，閥270及閥271係打開，進 行藉由APC 269使處理空間201的壓力成為預定壓力之控制。此外，閥292亦繼續打開，N2氣體供給至TMP 265。此時，係藉由質量流量控制器293，以使從TMP 265排出的N2氣體的壓力變得比排氣管264的壓力(經由排氣管263流入排氣管264的氣體的壓力)高之方式控制N2氣體的流量。此外，其他排氣系統的閥皆關閉。
接著，當進行淋氣頭230的沖洗時，閥270及閥271係關閉，另一方面，閥268係打開。亦即，停止藉由APC 269進行的壓力控制，另一方面，藉由DP 272而對淋氣頭230(緩衝空間232)經由排氣管262進行排氣。另外，此時，APC265下游側的閥270亦可打開。此外，閥292亦繼續打開，N2氣體供給至TMP 265。此時，係藉由質量流量控制器293，以使從TMP 265排出的N2氣體的壓力變得比排氣管264的壓力(經由排氣管262流入排氣管264的氣體的壓力)高之方式控制N2氣體的流量。其他閥皆關閉。
當淋氣頭230的沖洗結束，便將閥270及閥271打開而恢復藉由APC 269進行的壓力控制，並且關閉閥268而將淋氣頭230與排氣管264之間阻斷。此外，閥292亦繼續打開，N2氣體供給至TMP 265。此時，係藉由質量流量控制器293，以使從TMP 265排出的N2氣體的壓力變得比排氣管264的壓力(經由排氣管263流入排氣管264的氣體的壓力)高之方式控制N2氣體的流量。其他排氣系統的閥始終關閉。
在S206(第二處理氣體供給步驟)及S208(沖洗步驟)中，亦分別進行與S202及S204同樣的動作。
在S106(基板搬出步驟)中，在晶圓200從處理位置移動至搬送位置的期間係關閉閥270與閥271，停止藉由APC 269進行的壓力控制。另一方面，打開閥261b，藉由DP 272對搬送空間203進行排氣。此外，閥292亦繼續打開，N2氣體供給至TMP 265。此時，係藉由質量流量控制器293，以使從TMP 265排出的N2氣體的壓力變得比排氣管264的壓力(經由旁路管261a流入排氣管264的氣體的壓力)高之方式控制N2氣體的流量。其他排氣系統的閥始終關閉。
接著，當晶圓200移動到搬送位置，便關閉閥261b，將搬送空間203與排氣管264之間阻斷。另一方面，打開閥267，藉由TMP 265(及DP 272)將搬送空間203的環境氣體排出。此外，關閉閥292，停止朝TMP的N2氣體的供給。
如上述，關於第2實施形態，係構成為在經由設有TMP 265的排氣系統以外的排氣系統對處理容器202進行排氣時，關閉排氣管261中TMP 265上游側的閥267，並且將N2氣體供給至閥267與TMP 265之間。TMP 265係將該N2氣體排往下游側，藉此，防止氣體從排氣管264向TMP 265逆流，而能夠防止TMP 265的動作變得不穩定。
此外，TMP 265下游側的閥係有其前後壓差大而導致故障等不良情形之虞，而第2實施形態能夠不需要該閥，故能夠進一步降低TMP 265動作變得不穩定的可能性。
另外，供給至TMP 265上游側的N2氣體的流量係可根據在基板處理步驟中所預想的排氣管264的最大壓力而設定為單一值，亦可根據在各步驟中供給至處理容器202的氣體的流量而按各個步驟設定，於每個步驟以質量流量控制器293變更流量。此外，可以在藉由TMP 265對搬送空間203進行排氣時亦打開閥292，一直持續將N2氣體供給至TMP 265的上游側。此外，在第2實施形態中亦可構成為在TMP 265的下游側設置第1實施形態中所示的閥266，藉由該閥266來開閉TMP 265與排氣管264之間。此時，在將惰性氣體供給至閥267與TMP 265之間時係將閥266打開。此外，此時亦可適當地組合使用藉由將閥266閉閥而達成的TMP 265的保護、與藉由供給惰性氣體而達成的TMP 265的保護。例如，亦可構成為當供給至處理空間201的氣體流量大而導致排氣管264的壓力上升至預定值以上時和對處理空間201連續供給氣體達預定時間以上時，藉由將閥266閉閥來保護TMP 265，當排氣管264的壓力未滿預定值時、和對處理空間201連續供給氣體的時間未滿預定時間時，藉由供給惰性氣體來保護TMP 265。
以上，已就本發明的各種典型實施形態針對成膜技術進行說明，但本發明並不限定為這些實施形 態。例如，亦能夠適用於進行除了上述所例示的薄膜以外的成膜處理、擴散處理、氧化處理、氮化處理、微影(lithography)處理等其他的基板處理的情況。此外，本發明係除了退火(anneal)處置裝置之外，亦能夠適用於薄膜形成裝置、蝕刻(etching)裝置、氧化處理裝置、氮化處理裝置、塗布裝置、加熱裝置等其他的基板處理裝置。此外，本發明係亦可混合這些裝置。此外，能夠將一實施形態的構成的一部分取代成其他實施形態的構成，此外，亦能夠在一實施形態的構成中加入其他實施形態的構成。此外，針對各實施形態的構成的一部分，亦能夠進行其他構成的追加、刪除、取代。
(本發明的較佳態樣)以下，附記本發明的較佳態樣。
[附記1]
一種基板處理裝置，係供給氣體至處理空間而對基板進行處理的基板處理裝置，係具備：緩衝空間，係在前述處理空間的上游側使前述氣體分散；搬送空間，係在將前述基板搬送至前述處理空間時前述基板所通過；第1排氣管，係連接前述搬送空間；第2排氣管，係連接前述緩衝空間；第3排氣管，係連接前述處理空間；第4排氣管，係連接前述第1排氣管、前述第2排氣管及前述第3排氣管各管的下游側；第1真空泵，係設置在前述第1排氣管；第2真空泵，係設置在前述第4排氣管；第1閥，係在前述第1排氣管中，設置在前述第1真空泵的下游側；第2閥，係設置在前述第2排氣管；及第3閥，係設置在前述第3排氣管。
[附記2]
如附記1之基板處理裝置，其具備控制部，該控制部係以前述第2閥打開時前述第1閥關閉之方式控制前述第1閥與前述第2閥。
[附記3]
如附記2之基板處理裝置，其中前述控制部係以前述第1閥關閉時前述第1真空泵的動作仍繼續之方式控制前述第1閥與前述第1真空泵。
[附記4]
如附記2或3之基板處理裝置，其具備第4閥，該第4閥係在前述第1排氣管中，設置在前述第1真空泵的上游側；前述控制部係以前述第4閥關閉後前述第1閥關閉之方式控制前述第1閥與前述第4閥。
[附記5]
如附記2至4中任一者之基板處理裝置，其中前述控制部係以前述第3閥打開時前述第1閥關閉之方式控制前述第1閥與前述第3閥。
[附記6]
如附記1至5中任一者之基板處理裝置，其中前述第1真空泵係渦輪分子泵。
[附記7]
一種基板處理裝置，係具備：處理容器，係對基板進行處理；複數根排氣管，係連接前述處理容器；第1真空泵，係設置在前述複數根排氣管其中一根； 第2真空泵，係設置在前述複數根排氣管的下游側；閥，係在設置前述第1真空泵的排氣管中，設置在前述第1真空泵的上游側；及惰性氣體供給部，係在設置前述第1真空泵的排氣管中，連接於前述第1真空泵與前述閥之間。
[附記8]
如附記7之基板處理裝置，其具備控制部，該控制部係以當前述閥關閉時從前述惰性氣體供給部供給惰性氣體至前述第1真空泵之方式控制前述閥與前述惰性氣體供給部。
[附記9]
如附記8之基板處理裝置，其中前述控制部係以使前述第1真空泵的排氣壓力變得比從前述第1真空泵至前述第2真空泵為止的排氣管的壓力高之方式，控制從前述惰性氣體供給部供給的惰性氣體的流量。
[附記10]
如附記9之基板處理裝置，其中前述控制部係根據供給至前述處理容器的氣體的流量，控制從前述惰性氣體供給部供給的惰性氣體的流量。
[附記11]
一種半導體裝置之製造方法，係將在處理空間上游側的緩衝空間分散的氣體供給至前述處理空間而對基板進行處理的半導體裝置之製造方法，係具有下述步驟：一邊以第1真空泵與設置在其下游側的第2真空泵對前述基板的搬送空間進行排氣，一邊將前述基板 搬送至前述處理空間之步驟；將設置在屬於前述第1真空泵下游側且屬於前述第2真空泵上游側的閥關閉之步驟；經由前述緩衝空間將前述氣體供給至前述處理空間之步驟；及藉由前述第2真空泵，經由在前述閥的下游側連接前述第2真空泵的排氣管對前述緩衝空間進行排氣之步驟。
[附記12]
一種半導體裝置之製造方法，係供給氣體至處理容器而對基板進行處理的半導體裝置之製造方法，係具有下述步驟：以設置在連接前述處理容器的複數根排氣管其中一根的第1真空泵、與設置在前述複數根排氣管下游側的第2真空泵對前述處理容器進行排氣之步驟；將在設置前述第1真空泵的排氣管中、設置在前述第1真空泵上游側的閥關閉，並且從在設置前述第1真空泵的排氣管中、連接於前述第1真空泵與前述閥之間的惰性氣體供給部供給惰性氣體至前述第1真空泵之步驟；將前述氣體供給至前述處理容器之步驟；及藉由前述第2真空泵，經由前述複數根排氣管之中除了設置前述第1真空泵的排氣管之外的排氣管對前述處理容器進行排氣之步驟。
[附記13]
一種程式，係用以將在處理空間上游側的緩衝空間分散的氣體供給至前述處理空間而對基板進行 處理的程式，係使電腦執行下述程序：一邊以第1真空泵、與設置在其下游側的第2真空泵對前述基板的搬送空間進行排氣，一邊將前述基板搬送至前述處理空間之程序；將設置在屬於前述第1真空泵下游側且屬於前述第2真空泵上游側的閥關閉之程序；經由前述緩衝空間將前述氣體供給至前述處理空間之程序；及藉由前述第2真空泵，經由在前述閥的下游側連接前述第2真空泵的排氣管對前述緩衝空間進行排氣之程序。
[附記14]
一種程式，係用以將氣體供給至處理容器而對基板進行處理的程式，係使電腦執行下述程序：以設置在連接前述處理容器的複數根排氣管其中一根的第1真空泵、與設置在前述複數根排氣管下游側的第2真空泵對前述處理容器進行排氣之程序；將在設置前述第1真空泵的排氣管中、設置在前述第1真空泵上游側的閥關閉，並且從在設置前述第1真空泵的排氣管中、連接於前述第1真空泵與前述閥之間的惰性氣體供給部供給惰性氣體至前述第1真空泵之程序；將前述氣體供給至前述處理容器之程序；及藉由前述第2真空泵，經由前述複數根排氣管之中除了設置前述第1真空泵的排氣管之外的排氣管對前述處理容器進行排氣之程序。
[附記15]
一種記錄媒體，係儲存有用以將在處理空間上游側的緩衝空間分散的氣體供給至前述處理空間而對基板進行處理的程式之電腦可讀取的記錄媒體，該電腦可讀取的記錄媒體所儲存的程式係使電腦執行下述程序：一邊以第1真空泵與設置在其下游側的第2真空泵對前述基板的搬送空間進行排氣，一邊將前述基板搬送至前述處理空間之程序；將設置在屬於前述第1真空泵下游側且屬於前述第2真空泵上游側的閥關閉之程序；經由前述緩衝空間將前述氣體供給至前述處理空間之程序；及藉由前述第2真空泵，經由在前述閥的下游側連接前述第2真空泵的排氣管對前述緩衝空間進行排氣之程序。
[附記16]
一種記錄媒體，係儲存有用以將氣體供給至處理容器而對基板進行處理的程式之電腦可讀取的記錄媒體，該電腦可讀取的記錄媒體所儲存的程式係使電腦執行下述程序：以設置在連接前述處理容器的複數根排氣管其中一根的第1真空泵、與設置在前述複數根排氣管下游側的第2真空泵對前述處理容器進行排氣之程序；將在設置前述第1真空泵的排氣管中、設置在前述第1真空泵上游側的閥關閉，並且從在設置前述第1真空泵的排氣管中、連接於前述第1真空泵與前述閥之間的惰性氣體供給部供給惰性氣體至前述第1真空泵之程序； 將前述氣體供給至前述處理容器之程序；及藉由前述第2真空泵，經由前述複數根排氣管之中除了設置前述第1真空泵的排氣管之外的排氣管對前述處理容器進行排氣之程序。
100‧‧‧基板處理裝置
200‧‧‧晶圓
201‧‧‧處理空間
202‧‧‧處理容器
202a‧‧‧上部容器
202b‧‧‧下部容器
203‧‧‧搬送空間
204‧‧‧隔板
205‧‧‧閘閥
206‧‧‧基板搬入搬出口
207‧‧‧頂銷
210‧‧‧基板支撐部
211‧‧‧載置面
212‧‧‧載置台
213‧‧‧加熱器
214‧‧‧貫通孔
217‧‧‧軸
218‧‧‧升降機構
219‧‧‧伸縮囊
230‧‧‧淋氣頭
231‧‧‧蓋
232‧‧‧緩衝空間
233‧‧‧絕緣塊件
234‧‧‧分散板
234a‧‧‧貫通孔
235‧‧‧氣體導引部
241‧‧‧氣體導入口
242‧‧‧共通氣體供給管
243‧‧‧第一氣體供給系統
243a‧‧‧第一氣體供給管
243b‧‧‧第一氣體供給源
243c‧‧‧質量流量控制器
243d‧‧‧閥
244‧‧‧第二氣體供給系統
244a‧‧‧第二氣體供給管
244b‧‧‧第二氣體供給源
244c‧‧‧質量流量控制器
244d‧‧‧閥
244e‧‧‧遠端電漿單元
245‧‧‧第三氣體供給系統
245a‧‧‧第三氣體供給管
245b‧‧‧第三氣體供給源
245c‧‧‧質量流量控制器
245d‧‧‧閥
246a‧‧‧第一惰性氣體供給管
246b‧‧‧惰性氣體供給源
246c‧‧‧質量流量控制器
246d‧‧‧閥
247a‧‧‧第二惰性氣體供給管
247b‧‧‧惰性氣體供給源
247c‧‧‧質量流量控制器
247d‧‧‧閥
248a‧‧‧清洗氣體供給管
248b‧‧‧清洗氣體供給源
248c‧‧‧質量流量控制器
248d‧‧‧閥
251‧‧‧匹配器
252‧‧‧高頻電源
261‧‧‧排氣管(第1排氣管)
261a‧‧‧旁路管
261b‧‧‧閥
262‧‧‧排氣管(第2排氣管)
263‧‧‧排氣管(第3排氣管)
264‧‧‧排氣管(第4排氣管)
265‧‧‧渦輪分子泵(第1真空泵)
266‧‧‧閥
267‧‧‧閥
268‧‧‧閥
269‧‧‧自動壓力控制器
270‧‧‧閥
271‧‧‧閥
272‧‧‧乾式泵
280‧‧‧控制器
281‧‧‧演算部
282‧‧‧記憶部
283‧‧‧外部記憶裝置

Claims (13)

  1. 一種基板處理裝置，係供給氣體至處理空間而對基板進行處理的基板處理裝置，係具備：緩衝空間，係在前述處理空間的上游側使前述氣體分散；搬送空間，係在將前述基板搬送至前述處理空間時供前述基板通過；氣體供給部，將處理氣體和沖洗氣體的任一者或兩者供給到前述基板；第1排氣管，係連接前述搬送空間和第1真空泵，且在該第1真空泵的下游側具有第1閥；第2排氣管，係連接於前述緩衝空間，且具有第2閥；第3排氣管，係連接於前述處理空間，且具有第3閥；第4排氣管，係連接於前述第1排氣管、前述第2排氣管及前述第3排氣管各管的下游側；及控制部，係控制前述氣體供給部和前述第2閥和前述第3閥，使得在將前述沖洗氣體供給至前述緩衝空間並將前述緩衝空間內的環境氣體從前述第2排氣管排出之前，經由前述緩衝空間將前述沖洗氣體供給至前述處理空間並將前述處理空間內的環境氣體從前述第3排氣管排出。
  2. 如請求項1之基板處理裝置，其具備控制部，該控制部係以前述第2閥打開時前述第1閥關閉之方式控制 前述第1閥與前述第2閥。
  3. 如請求項2之基板處理裝置，其具備第4閥，該第4閥係在前述第1排氣管中，設置在前述第1真空泵的上游側；前述控制部係以前述第4閥關閉後前述第1閥關閉之方式控制前述第1閥與前述第4閥。
  4. 如請求項2之基板處理裝置，其中前述控制部係以前述第3閥打開時前述第1閥關閉之方式控制前述第1閥與前述第3閥。
  5. 如請求項1之基板處理裝置，其具備：第4閥，係在前述第1排氣管中，設置在前述第1真空泵的上游側；及惰性氣體供給部，係在設置前述第1真空泵的排氣管中，連接於前述第1真空泵與前述第4閥之間。
  6. 如請求項1之基板處理裝置，其中前述控制部係控制前述氣體供給部和前述第2閥和前述第3閥，使得在將前述沖洗氣體供給至前述緩衝空間並將前述緩衝空間內的環境氣體從前述第2排氣管排出之後，將沖洗氣體供給至前述處理空間並將前述處理空間內的環境氣體從前述第3排氣管排出。
  7. 如請求項1之基板處理裝置，其中前述控制部係控制前述前述第2閥和前述第3閥，使得前述緩衝空間內之環境氣體的排氣，是在停止前述處理氣體的供給後且在關閉前述第3閥的狀態下進行，並且排出前述處理空間內的環境氣體時之前述沖洗氣體的供給是在關閉前述第2閥的狀態下進行。
  8. 一種半導體裝置之製造方法，係將在處理空間上游側的緩衝空間分散的氣體供給至前述處理空間而對基板進行處理的半導體裝置之製造方法，係具有下述步驟：一邊以第1真空泵對前述基板的搬送空間進行排氣，一邊將前述基板搬送至前述處理空間之步驟；將設置在前述第1真空泵下游側的閥關閉之步驟；經由前述緩衝空間將前述氣體供給至前述處理空間之步驟；將沖洗氣體供給至前述緩衝空間並將前述緩衝空間內的環境氣體排出之步驟；及在對前述緩衝空間進行排氣之前，經由前述緩衝空間將前述沖洗氣體供給至前述處理空間，並將前述處理空間內的環境氣體排出之步驟。
  9. 如請求項8之半導體裝置之製造方法，其中具有：在將沖洗氣體經由前述緩衝空間供給至前述處理空間並將前述處理空間內的環境氣體排出之步驟後，對前述緩衝空間進行排氣之步驟。
  10. 如請求項8之半導體裝置之製造方法，其中排出前述緩衝空間內之環境氣體的步驟，是在停止前述氣體的供給後且在關閉與前述處理空間連接的第3閥的狀態下進行，並且排出前述處理空間內的環境氣體的步驟是在關閉與前述緩衝空間連接的第2閥的狀態下進行。
  11. 一種電腦可讀取的記錄媒體，係儲存有用以將在處理空間上游側的緩衝空間分散的氣體供給至前述處理空間而對基板進行處理的程式，該程式係使電腦執行下 述程序：一邊以第1真空泵對前述基板的搬送空間進行排氣，一邊將前述基板搬送至前述處理空間之程序；將設置在前述第1真空泵下游側的閥關閉之程序；經由前述緩衝空間將前述氣體供給至前述處理空間之程序；將沖洗氣體供給至前述緩衝空間並將前述緩衝空間內的環境氣體排出之程序；及在將前述緩衝空間進行排氣之前，經由前述緩衝空間將前述沖洗氣體供給到前述處理空間，並將前述處理空間內的環境氣體排出之程序。
  12. 如請求項11之電腦可讀取的記錄媒體，係儲存有使電腦執行下述程序的程式：在將沖洗氣體經由前述緩衝空間供給至前述處理空間並將前述處理空間內的環境氣體排出之程序後，對前述緩衝空間進行排氣之程序。
  13. 如請求項11之電腦可讀取的記錄媒體，其中，排出前述緩衝空間內之環境氣體的程序是在停止前述氣體的供給後且在關閉與前述處理空間連接的第3閥的狀態下進行，並且排出前述處理空間內的環境氣體的程序是在關閉與前述緩衝空間連接的第2閥的狀態下進行。
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Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5859583B2 (ja) * 2014-01-30 2016-02-10 株式会社日立国際電気 基板処理装置及び半導体装置の製造方法
JP5764228B1 (ja) * 2014-03-18 2015-08-12 株式会社日立国際電気 基板処理装置、半導体装置の製造方法、プログラム及び記録媒体
JP6502779B2 (ja) * 2015-07-29 2019-04-17 東京エレクトロン株式会社 ガス供給系のバルブのリークを検査する方法
US10403474B2 (en) 2016-07-11 2019-09-03 Lam Research Corporation Collar, conical showerheads and/or top plates for reducing recirculation in a substrate processing system
US11332824B2 (en) * 2016-09-13 2022-05-17 Lam Research Corporation Systems and methods for reducing effluent build-up in a pumping exhaust system
CN108335978B (zh) * 2017-01-20 2022-08-26 东京毅力科创株式会社 等离子体处理装置
JP6777614B2 (ja) * 2017-09-26 2020-10-28 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ 半導体装置の製造方法、基板処理装置、およびプログラム
CN110387536A (zh) * 2018-04-23 2019-10-29 长鑫存储技术有限公司 原子层沉积方法及炉管设备
KR102175089B1 (ko) * 2018-08-23 2020-11-06 세메스 주식회사 버퍼 유닛, 그리고 이를 가지는 기판 처리 장치 및 방법
JP2020122206A (ja) * 2019-01-31 2020-08-13 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置の制御方法及び基板処理装置
TWI838240B (zh) * 2019-05-28 2024-04-01 美商應用材料股份有限公司 具有背側泵送的熱處理腔室蓋

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0653780U (ja) 1992-12-25 1994-07-22 三菱アルミニウム株式会社 真空排気配管
US5637153A (en) * 1993-04-30 1997-06-10 Tokyo Electron Limited Method of cleaning reaction tube and exhaustion piping system in heat processing apparatus
JPH0897147A (ja) * 1994-09-29 1996-04-12 Mitsubishi Electric Corp エピタキシャル結晶成長装置
JPH08260158A (ja) * 1995-01-27 1996-10-08 Kokusai Electric Co Ltd 基板処理装置
JPH09195976A (ja) * 1996-01-18 1997-07-29 Kokusai Electric Co Ltd 真空排気装置
JP3317209B2 (ja) * 1997-08-12 2002-08-26 東京エレクトロンエイ・ティー株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
JP4521889B2 (ja) * 1998-04-23 2010-08-11 株式会社日立国際電気 基板処理装置
JP2001053008A (ja) * 1999-08-04 2001-02-23 Applied Materials Inc 半導体製造装置のクリーニング方法
KR20040096317A (ko) * 2003-05-09 2004-11-16 삼성전자주식회사 배기 가스 처리 시스템
US7408225B2 (en) 2003-10-09 2008-08-05 Asm Japan K.K. Apparatus and method for forming thin film using upstream and downstream exhaust mechanisms
WO2005059974A1 (en) * 2003-12-15 2005-06-30 Applied Materials, Inc. Edge flow faceplate for improvement of cvd film properties
US7273526B2 (en) * 2004-04-15 2007-09-25 Asm Japan K.K. Thin-film deposition apparatus
JP5280861B2 (ja) * 2006-01-19 2013-09-04 エーエスエム アメリカ インコーポレイテッド 高温ａｌｄインレットマニホールド
JP5128080B2 (ja) * 2006-03-29 2013-01-23 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置の制御装置およびその制御方法
JP5048352B2 (ja) * 2007-01-31 2012-10-17 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法及び基板処理装置
JP5329099B2 (ja) * 2008-01-22 2013-10-30 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置及びその運転方法
CN201321490Y (zh) * 2008-12-10 2009-10-07 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 低压化学气相淀积***
WO2011114940A1 (ja) * 2010-03-16 2011-09-22 東京エレクトロン株式会社 成膜装置
JP2011199003A (ja) * 2010-03-19 2011-10-06 Tokyo Electron Ltd シリコン酸化膜の形成方法、及びプラズマ処理装置

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