KR20120034341A - 기판처리장치의 세정방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판처리장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 기판처리를 수행하는 기판처리장치를 세정하는 기판처리장치의 세정방법에 관한 것이다.
본 발명은 공정챔버의 내부를 세정하는 기판처리장치의 세정방법으로서, 상기 공정챔버와 연결된 원격플라즈마발생장치에서 세정가스를 라디칼화하여 상기 공정챔버의 내부로 분사하여 상기 공정챔버를 세정하는 RPG세정단계와; 가스공급부를 통하여 처리공간으로 세정가스를 분사하면서 상기 처리공간에 분사된 세정가스를 플라즈마화하여 공정챔버를 세정하는 직접세정단계를 포함하며, 상기 RPG세정단계 및 상기 직접세정단계가 조합되어 수행되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치의 세정방법을 개시한다.

Description

기판처리장치의 세정방법 {Cleaning Method for substrate processing apparatus}
본 발명은 기판처리장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 기판처리를 수행하는 기판처리장치를 세정하는 기판처리장치의 세정방법에 관한 것이다.
기판처리장치는 식각, 증착 등 소정의 기판처리를 수행하는 장치로서, 밀폐된 처리공간을 형성하는 공정챔버와, 공정챔버 내에 설치되어 처리공간 내에 처리가스를 공급하는 가스공급부와, 공정챔버 내에 설치되어 기판이 안착되는 기판지지부를 포함하여 구성됨이 일반적이다.
한편 기판처리장치는 기판처리 공정을 반복하면서 부산물인 폴리머 등의 파티클이 공정챔버 내에 쌓이거나 퇴적되는데, 이러한 파티클은 공정 수행시 공정챔버의 내벽에서 박리되어 기판에 얼룩을 형성하는 문제점을 야기한다.
따라서 종래의 기판처리장치는 공정챔버 내에 퇴적된 파티클을 제거하는 세정공정을 주기적으로 수행하고 있다.
그런데 공정챔버에 퇴적되는 파티클은 그 물질의 종류에 따라서 공정챔버의 내벽 등에 견고하게 퇴적됨에 따라서 종래의 세정공정에 의한 경우 파티클이 충분히 제거되지 않아 기판처리에 영향을 미치거나, 충분한 파티클 제거를 위한 세정공정을 위한 시간이 증가하여 전체 공정시간을 증가시키는 문제점을 야기하고 있다.
특히 종래의 기판처리장치가 LF전원을 사용하여 증착공정을 수행하는 경우 HF전원 또는 VHF전원을 사용하는 공정에 비하여 공정챔버의 내벽 등에 파티클이 보다 견고하게 형성되는바 종래의 세정방법으로는 충분히 제거하지 못하는 문제점을 가지고 있다.
본 발명에 따른 기판처리장치의 세정방법은 RPG세정 및 직접세정을 조합하여 공정챔버를 세정함으로써 공정챔버 내의 파티클을 충분히 제거할 수 있는 기판처리장치의 세정방법을 제공하는 데 있다.
본 발명은 상기와 같은 본 발명의 목적을 달성하기 위하여 창출된 것으로서, 본 발명은 공정챔버의 내부를 세정하는 기판처리장치의 세정방법으로서, 상기 공정챔버와 연결된 원격플라즈마발생장치에서 세정가스를 라디칼화하여 상기 공정챔버의 내부로 분사하여 상기 공정챔버를 세정하는 RPG세정단계와; 가스공급부를 통하여 처리공간으로 세정가스를 분사하면서 상기 처리공간에 분사된 세정가스를 플라즈마화하여 공정챔버를 세정하는 직접세정단계를 포함하며, 상기 RPG세정단계 및 상기 직접세정단계가 조합되어 수행되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치의 세정방법을 개시한다.
상기 처리공간으로 퍼지가스를 공급하여 상기 공정챔버 내부에 발생된 부산물들을 배기관을 통하여 제거하는 부산물제거단계가 상기 RPG세정단계 후 및 상기 직접세정단계 후 중 적어도 어느 하나의 단계 후에 수행될 수 있다.
상기 RPG세정단계는 상기 가스공급부를 통하여 불활성가스를 상기 처리공간에 분사하는 안정화단계를 추가로 포함할 수 있다.
상기 RPG세정단계 및 상기 직접세정단계 중 어느 하나 또는 모두는 상기 공정챔버 내부의 압력을 변화시키면서 수행될 수 있다.
상기 RPG세정단계 및 상기 직접세정단계 중 어느 하나 또는 모두는 상기 공정챔버의 내부압력을 일정하게 유지하여 세정하는 정압단계 및 상기 공정챔버의 내부압력을 변화시키면서 세정하는 변압단계를 조합하여 수행될 수 있다.
상기 RPG세정단계 후에는 상기 직접세정단계 수행 전에 상기 공정챔버 내부의 압력을 강하시키는 압력강하단계가 수행될 수 있다.
상기 직접세정단계에서는 기판을 지지하는 기판지지부를 상승시켜 수행될 수 있다.
상기 기판처리장치는 LF전원을 사용하여 기판의 표면에 증착공정을 수행할 수 있다.
상기 기판은 태양전지기판일 수 있다.
또한 상기 기판처리장치는 다수개의 기판들이 적재된 트레이에 의하여 이송되면서 기판처리를 수행하며, 상기 RPG세정단계 및 상기 직접세정단계 수행시 상기 트레이는 기판지지부 상에 적재된 상태로 세정될 수 있다.
상기 RPG세정단계 및 상기 직접세정단계는 각각 1회 이상 수행될 수 있다.
상기 RPG세정단계, 상기 직접세정단계 및 상기 RPG세정단계 순으로 수행되거나, 상기 직접세정단계, 상기 RPG세정단계 및 상기 직접세정단계 순으로 수행될 수 있다.
상기 RPG세정단계 및 상기 직접세정단계는 전체 세정시간 중 전부 또는 일부 시간 동안 동시에 수행되거나, 상기 RPG세정단계 및 상기 직접세정단계는 전체 세정시간 동안 서로 번갈아 수행될 수 있다.
본 발명에 따른 기판처리장치의 세정방법은 RPG를 이용하여 공정챔버의 내부를 RPG세정을 수행함과 아울러, RPG세정 후 또는 RPG세정과 함께 공정챔버 내에 전원을 인가하여 처리공간에 플라즈마를 형성하여 공정챔버의 내부를 세정하는 직접세정을 조합함으로써 공정챔버 내의 파티클을 충분히 제거할 수 있다.
특히 본 발명에 따른 기판처리장치의 세정방법은 LF전원을 사용하는 증착공정과 같이 공정챔버의 내벽 등에 견고하게 파티클이 퇴적, 예를 들면 SiN층이 형성되는 경우, 1차로 RPG세정을 수행하고 2차로 단독으로 또는 RPG세정과 함께 직접세정을 수행함으로써 공정챔버 내에 퇴적된 파티클을 효과적으로 제거할 수 있다.
도 1은 본 발명에 따른 기판처리장치의 세정방법이 적용되는 기판처리장치의 일예를 보여주는 단면도이다.
도 2는 본 발명에 따른 기판처리장치의 세정방법을 보여주는 흐름도이다.
도 3은 도 2의 기판처리장치의 세정방법의 세정과정을 보여주는 그래프이다.
이하 본 발명에 따른 기판처리장치의 세정방법에 관하여 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 1은 본 발명에 따른 기판처리장치의 세정방법이 적용되는 기판처리장치의 일예를 보여주는 단면도이다.
먼저 본 발명에 따른 기판처리장치의 세정방법이 적용되는 기판처리장치는 증착공정, 식각공정 등 기판처리, 특히 LF전원을 사용하여 기판의 표면을 증착시키는 증착공정을 수행하는 장치로서, 다양한 구성이 가능하며 예를 들어 간단히 설명하면 다음과 같다.
상기 기판처리장치는 일 예로서, 도 1에 도시된 바와 같이, 처리공간(S)을 형성하는 공정챔버(110)와, 공정챔버(110)에 설치되어 처리공간(S)으로 가스를 공급하는 가스공급부(150)와, 공정챔버(110)에 설치되어 기판(10)을 지지하는 기판지지부(130)를 포함하여 구성될 수 있다. 여기서 기판처리의 대상인 기판(10)은 LCD패널용 유리기판, 반도체 웨이퍼, 태양전지기판 등이 될 수 있다.
상기 공정챔버(110)는 처리공간(S)을 형성하기 위한 구성으로서, 다양한 구성이 가능하며, 도 1에 도시된 바와 같이, 상측이 개방되며 하나 이상의 게이트(113)가 형성된 챔버본체(112)와 챔버본체(112)와 탈착가능하게 결합되는 상부리드(111)를 포함하여 구성될 수 있다.
상기 가스공급부(150)는 공정을 수행할 수 있도록 처리공간(S)의 상측에 설치되어 가스공급장치(170)로부터 가스를 공급받아 처리공간(S)으로 공급하기 위한 구성으로서, 공정 및 가스공급방식에 따라서 다양한 구성이 가능하다.
상기 기판지지부(130)는 기판(10)을 지지하기 위한 구성으로서, 설계조건 및 공정조건에 따라서 다양한 구성이 가능하다. 이때 기판(10)이 복수개로 트레이(20)에 적재되어 이송되는 경우 기판지지부(130)는 트레이(20)를 지지할 수 있다.
또한 상기 기판지지부(130)는 공정수행을 위하여 기판(10)을 가열하기 위한 히터(131)가 설치될 수 있으며, 히터로만 구성될 수 있다. 이때 기판지지부(130)를 구성하는 히터는 일체로 구성되거나 복수개로 히터들로 분할되어 설치될 수 있다.
한편 상기 기판처리장치는 공정수행을 위하여 전원이 인가될 수 있는데 이 경우 그 전원인가방식에 따라서 다양한 구성이 가능하며, 일 예로서, 상기 가스공급부(150)에 RF전원 또는 LF전원을 인가하여 상부전원을 구성하고, 기판지지부(130)를 접지시킴으로써 하부전원을 구성할 수 있다.
또한 상기 기판처리장치는 가스공급장치(170)로부터 세정가스를 공급받아 세정가스를 라디칼화하여 가스공급부(150)를 통하여 처리공간(S)으로 분사할 수 있도록 가스공급부(150)와 연결되는 원격플라즈마발생장치(Remote Plasma Generator; RPG; 160)를 포함할 수 있다.
도 1에서 설명되지 않은 도면부호 180은 진공펌프와 연결되는 배기관을 가리킨다.
도 2는 본 발명에 따른 기판처리장치의 세정방법을 보여주는 흐름도이고, 도 3은 도 2의 기판처리장치의 세정방법의 세정과정을 보여주는 그래프이다.
본 발명에 따른 기판처리장치의 세정방법은 도 2에 도시된 바와 같이, 공정챔버(110)의 내부를 세정하는 기판처리장치의 세정방법으로서, 공정챔버(110)와 연결된 원격플라즈마발생장치(160)에서 세정가스를 라디칼화하여 공정챔버(110)의 내부로 분사하여 공정챔버(110)를 세정하는 RPG세정단계(S10)와; RPG세정단계(S10)의 수행 중 또는 수행 후에 가스공급부(150)를 통하여 처리공간(S)으로 세정가스를 분사하면서 처리공간(S)에 분사된 세정가스를 플라즈마화하여 공정챔버(110)를 세정하는 직접세정단계(S20)를 포함하여 구성된다.
상기 RPG세정단계(S10)는 1차 세정공정으로서, 원격플라즈마발생장치(160)를 이용하여 세정가스를 라디칼화하여 샤워헤드인 가스공급부(150)를 통하여 처리공간(S) 내로 세정가스를 분사하여 수행된다. 여기서 세정가스는 불소 또는 염소를 포함할 수 있으며, NF3 이외에 C2F6, CF4, F2, CHF3, SF6, Cl2 등을 포함할 수 있다.
한편 상기 RPG세정단계(S10) 전에는 기판처리장치에 대한 안정적인 세정공정 수행을 위하여 가스공급부(150)를 통하여 불활성가스를 공정챔버(110)의 내부로 분사하는 안정화단계(S11)가 추가로 수행될 수 있다.
상기 안정화단계(S11)는 RPG세정단계(S10) 및 직접세정(S20)의 수행 전에 공정챔버(110의 내부압력의 조절, 잔존가스의 배출 등을 목적으로 하며 공정챔버(110)에 영향을 주지 않는 Ar과 같은 불활성가스를 공정챔버(110) 내부로 주입한다. 이때 상기 안정화단계(S11)는 도 3에 도시된 바와 같이, 공정챔버(110) 내부압력을 1.0 Torr이하의 압력으로부터 수십 Torr의 압력으로 서서히 상승시킨다.
상기 RPG세정단계(S10)는 원격플라즈마를 이용하여 1차 세정공정을 수행하는 단계로서, 세정가스를 원격플라즈마장치(160)로 라디칼화하여 처리공간(S)으로 분사한다. 여기서 상기 세정가스는 공정챔버(110) 내부압력이 수십 Torr의 압력을 유지하도록 분사되며 Ar과 같은 불활성가스와 혼합되어 분사될 수 있다.
한편 상기 RPG세정단계(S10)는 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 공정챔버(110)의 내부압력을 변화시키면서 수행되는 것이 바람직하다.
즉, 상기 RPG세정단계(S10)는 수초 단위로 공정챔버(110)의 내부압력을 변화시키면서 라디칼화된 세정가스가 공정챔버(110) 내부로 분사하여 수행될 수 있다. 여기서 공정챔버(110)의 내부압력은 분사되는 라디칼화된 세정가스의 분사량(sccm 단위), 배기관을 통한 배기량을 조절하는 등 다양한 방법에 의하여 변화될 수 있다.
상기 RPG세정단계(S10)를 수행할 때 공정챔버(110)의 내부압력을 변화시키면 라디칼화된 세정가스가 공정챔버(110) 내부 깊숙이 침투가 가능하여 세정효과를 증진시킬 수 있게 된다.
그리고 상기 RPG세정단계(S10)는 공정챔버(110)의 내부압력이 전체 시간을 통하여 수행하기보다는 공정챔버(110)의 내부압력을 일정하게 유지하여 가스공급부(150), 가스공급부(150)에 가까운 부재 등을 세정하는 정압단계 및 가스공급부(150)로부터 멀리 위치된 공정챔버(110)의 챔버본체(112) 등의 부재들을 세정하기 위하여 공정챔버(110)의 내부압력을 변화시키면서 세정하는 변압단계를 조합하여 수행함이 바람직하다.
상기 정압단계 및 변압단계는 1회씩 수행하거나 그 순서를 바꾸어 수회 수행되는 등 다양한 조합에 의하여 수행될 수 있다.
상기 직접세정단계(S20) 수행시 공정챔버(110)의 내부압력은 수 Torr에서 수행되는바, RPG세정단계(S10) 후 직접세정단계(S20)를 수행할 수 있도록 압력을 강하시키는 압력강하단계(S13)가 수행될 수 있다.
상기 압력강하단계(S13)는 세정가스의 분사량(sccm 단위)을 감소시킴으로써 수행되며 공정챔버(110)의 내부압력이 수 Torr에 이를 때까지 강하시킨다.
상기 직접세정단계(S20)는 가스공급부(150)를 통하여 세정가스를 분사시키면서 기판처리장치에 전원을 인가, 즉 가스공급부(150)에 LF전원을 인가하고 공정챔버(110) 및 기판지지부(130)를 접지시켜 가스공급부(150) 및 기판지지부(130) 사이에 플라즈마를 형성함으로써 2차 세정공정을 수행하는 단계이다.
상기 직접세정단계(S20)는 도 3에 도시된 바와 같이, 안정적인 세정공정 수행을 위하여 수초 단위로 인가되는 전원의 크기를 서서히 증가시키는 것이 바람직하다.
그리고 상기 직접세정단계(S20)는 그 수행시간이 수분 정도이며 그 압력은 수 Torr 정도로 유지되면서 수행될 수 있다.
그리고 상기 직접세정단계(S20)에 수행되는 세정가스는 RPG세정단계(S10)에서 사용되는 세정가스와 동일한 가스가 사용될 수 있다.
한편 상기 직접세정단계(S20)에서는 기판(10)을 지지하는 기판지지부(130)를 상승시켜 수행될 수 있다.
특히 상기 직접세정단계(S20)가 수행될 때 기판지지부(130)를 상승시키면 플라즈마의 강도를 강화시켜 세정효과를 증진시킬 수 있게 된다.
또한 상기 기판처리장치가 다수개의 기판(10)들이 적재된 트레이(20)에 의하여 이송되면서 기판처리를 수행하는 경우, RPG세정단계(S10) 및 직접세정단계(S20) 수행시 트레이(20)는 기판지지부(130) 상에 적재된 상태로 세정될 수 있다.
상기와 같이 기판처리장치의 세정 공정시 트레이(20)도 함께 세정되면 트레이(20)에 부착된 파티클에 의하여 영향을 최소화하여 보다 양호한 기판처리가 가능해지며, 트레이(20) 자체의 세정을 위한 세정주기를 감소시켜 전체 기판처리시간을 증가시킬 수 있다.
한편 상기 직접세정단계(S20) 후 불활성가스와 같은 퍼지가스를 처리공간(S)으로 공급하여 RPG세정단계(S10) 및 직접세정단계(S20)의 수행에 의하여 공정챔버(110) 내부에 발생된 부산물들을 배기관(180)을 통하여 제거하는 부산물제거단계(S30)가 수행된다.
상기 부산물제거단계(S30)는 본 실시예에서 직접세정단계(S20) 후에 수행되는 것으로 예시하였으나 RPG세정단계(S10) 및 직접세정단계(S20) 중 적어도 어느 하나의 단계 후에 수행될 수 있음은 물론이다.
한편 본 발명은 RPG세정 및 직접세정를 조합하여 수행되는 것을 특징으로 하는바 그 순서 및 횟수가 다양한 형태로 조합되어 수행될 수 있다.
즉, 상기 RPG세정단계(S10) 및 직접세정단계(S20)는 각각 1회 이상 수행될 수 있다.
또한 상기 RPG세정단계(S10), 직접세정단계(S20) 및 RPG세정단계(S10) 순으로 수행되거나, 직접세정단계(S20), RPG세정단계(S10) 및 직접세정단계(S20) 순으로 수행될 수 있다.
또한 상기 RPG세정단계(S10) 및 직접세정단계(S20)는 전체 세정시간 중 전부 또는 일부 시간 동안 동시에 수행되거나, 상기 RPG세정단계(S10) 및 직접세정단계(S20)는 전체 세정시간 동안 서로 번갈아 수행되는 등 다양한 조합에 의하여 수행될 수 있다.
상기와 같이 상기 RPG세정단계(S10) 및 직접세정단계(S20)가 조합되어 공정챔버(110)에 대한 세정공정이 수행되는 경우 퇴적물에 균열을 유도하는데 유리한 RPG세정과 각 부재에 퇴적된 퇴적물을 박리하는데 유리한 직접세정의 효과가 서로 조합됨으로써 공정챔버(110) 내에 퇴적된 퇴적물들을 보다 효과적으로 제거할 수 있는 이점이 있다.
즉, 상기 RPG세정단계(S10) 및 직접세정단계(S20)가 조합하면 공정챔버(110)의 세정시간을 줄이는 한편 퇴적물을 제거효과를 높여 세정공정 후의 공정챔버(110)의 공정에 대한 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
특히 태양전지소자의 수광면에 형성되는 SiNx막 같은 보호막을 형성하기 위하여 증착공정이 수행될 때 가스공급부(150), 공정챔버(110) 및 각종 부재의 표면에도 SiNx막로 이루어진 견고한 퇴적물이 형성된다.
그런데 상기 RPG세정단계(S10) 및 직접세정단계(S20)가 조합하면 SiNx막과 같은 보호막을 형성하기 위하여 증착공정이 수행에 의하여 형성된 SiNx막과 같은 견고한 퇴적물을 효과적으로 제거할 수 있게 된다.
한편 상기 직접세정단계(S20)는 앞서 설명한 RPG세정단계(S10)와 유사하게 공정챔버(110)의 내부압력을 변화시키면서, 예를 들면 1회 이상의 정압단계 및 변압단계의 조합에 의하여 수행될 수 있다.
상기와 같이 상기 직접세정단계(S20) 또는 RPG세정단계(S10)에서 내부압력을 변화시키면서, 예를 들면 1회 이상의 정압단계 및 변압단계의 조합에 의하여 수행하는 이유는 다음과 같다.
먼저 가스공급부(150)의 경우 세정가스에 직접 노출되므로 압력변화 없이 직접세정단계(S20) 또는 RPG세정단계(S10)에 의하여 효과적으로 퇴적물을 제거할 수 있다.
그러나 공정챔버(110)의 챔버본체(111), 챔버본체(111)의 측면 및 저면 등에 설치된 각종 부재들의 경우 돌출된 부분 또는 다른 부재에 의하여 세정가스의 흐름이 차단되거나 방해되어 부재에 대한 세정이 원활하지 않은 문제점이 있다.
그런데 상기 직접세정단계(S20) 또는 RPG세정단계(S10)에서 내부압력을 변화시키게 되면 세정가스의 흐름에 대한 변화가 발생하여 챔버본체(111), 챔버본체(111)의 측면 및 저면 등에 설치된 각종 부재들 중 돌출된 부분 또는 다른 부재에 의하여 세정가스의 흐름이 차단되거나 방해되는 부분까지 세정가스가 도달하여 부재에 대한 세정을 원활하게 수행할 수 있다.
이상은 본 발명에 의해 구현될 수 있는 바람직한 실시예의 일부에 관하여 설명한 것에 불과하므로, 주지된 바와 같이 본 발명의 범위는 위의 실시예에 한정되어 해석되어서는 안 될 것이며, 위에서 설명된 본 발명의 기술적 사상과 그 근본을 함께 하는 기술적 사상은 모두 본 발명의 범위에 포함된다고 할 것이다.
110 : 공정챔버 130 : 기판지지부
150 : 가스공급부 160 : 원격플라즈마장치

Claims (13)

  1. 공정챔버의 내부를 세정하는 기판처리장치의 세정방법으로서,
    상기 공정챔버와 연결된 원격플라즈마발생장치에서 세정가스를 라디칼화하여 상기 공정챔버의 내부로 분사하여 상기 공정챔버를 세정하는 RPG세정단계와; 가스공급부를 통하여 처리공간으로 세정가스를 분사하면서 상기 처리공간에 분사된 세정가스를 플라즈마화하여 공정챔버를 세정하는 직접세정단계를 포함하며,
    상기 RPG세정단계 및 상기 직접세정단계가 조합되어 수행되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치의 세정방법.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 처리공간으로 퍼지가스를 공급하여 상기 공정챔버 내부에 발생된 부산물들을 배기관을 통하여 제거하는 부산물제거단계가 상기 RPG세정단계 후 및 상기 직접세정단계 후 중 적어도 어느 하나의 단계 후에 수행되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치의 세정방법.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 RPG세정단계는 상기 가스공급부를 통하여 불활성가스를 상기 처리공간에 분사하는 안정화단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치의 세정방법.
  4. 청구항 1에 있어서,
    상기 RPG세정단계 및 상기 직접세정단계 중 어느 하나 또는 모두는 상기 공정챔버 내부의 압력을 변화시키면서 수행되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치의 세정방법.
  5. 청구항 1에 있어서,
    상기 RPG세정단계 및 상기 직접세정단계 중 어느 하나 또는 모두는 상기 공정챔버의 내부압력을 일정하게 유지하여 세정하는 정압단계 및 상기 공정챔버의 내부압력을 변화시키면서 세정하는 변압단계를 조합하여 수행되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치의 세정방법.
  6. 청구항 1에 있어서,
    상기 RPG세정단계 후에는 상기 직접세정단계 수행 전에 상기 공정챔버 내부의 압력을 강하시키는 압력강하단계가 수행되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치의 세정방법.
  7. 청구항 1에 있어서,
    상기 직접세정단계에서는 기판을 지지하는 기판지지부를 상승시켜 수행되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치의 세정방법.
  8. 청구항 1 내지 청구항 7 중 어느 하나의 항에 있어서,
    상기 기판처리장치는 LF전원을 사용하여 기판의 표면에 증착공정을 수행하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치의 세정방법.
  9. 청구항 1 내지 청구항 7 중 어느 하나의 항에 있어서,
    상기 기판은 태양전지기판인 것을 특징으로 하는 기판처리장치의 세정방법.
  10. 청구항 1 내지 청구항 7 중 어느 하나의 항에 있어서,
    상기 기판처리장치는 다수개의 기판들이 적재된 트레이에 의하여 이송되면서 기판처리를 수행하며,
    상기 RPG세정단계 및 상기 직접세정단계 수행시 상기 트레이는 기판지지부 상에 적재된 상태로 세정되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치의 세정방법.
  11. 청구항 1 내지 청구항 7 중 어느 하나의 항에 있어서,
    상기 RPG세정단계 및 상기 직접세정단계는 각각 1회 이상 수행되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치의 세정방법.
  12. 청구항 1 내지 청구항 7 중 어느 하나의 항에 있어서,
    상기 RPG세정단계, 상기 직접세정단계 및 상기 RPG세정단계 순으로 수행되거나, 상기 직접세정단계, 상기 RPG세정단계 및 상기 직접세정단계 순으로 수행되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치의 세정방법.
  13. 청구항 1 내지 청구항 7 중 어느 하나의 항에 있어서,
    상기 RPG세정단계 및 상기 직접세정단계는 전체 세정시간 중 전부 또는 일부 시간 동안 동시에 수행되거나,
    상기 RPG세정단계 및 상기 직접세정단계는 전체 세정시간 동안 서로 번갈아 수행되는 기판처리장치의 세정방법.
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