TW201529267A - 光裝置及光裝置之加工方法 - Google Patents
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Abstract
本發明的課題為提供一種可提高出光效率的光裝置及光裝置之加工方法。解決手段為：本發明之光裝置包含基板，及形成於基板之正面的發光層；基板具有四角形之正面、與正面平行且為相同形狀之四角形的背面，及連結正面及背面之4個側面；4個側面之中，其中2個側面，將其斷面形狀形成為從正面到背面膨脹成弓形的形狀，另外2個側面，將其斷面形狀形成為從正面到背面凹陷成弓形的形狀。
Description
本發明是關於一種在基板的正面上形成有發光層之光裝置及光裝置之加工方法。
在雷射二極體(laser diode，LD)或發光二極體(LED)等光裝置之製造過程中，是在由藍寶石(sapphire)或SiC等所構成之結晶成長用基板的上表面上，藉由例如透過磊晶(epitaxial)成長以積層發光層(磊晶層)，而製造出用以形成複數個光裝置之光裝置晶圓。藉由將LD、LED等的光裝置形成在，於光裝置晶圓的正面上，以形成格子狀的複數個分割預定線所劃分出的各個區域中，並沿著所述分割預定線將光裝置晶圓分割以做成單片化，就能製造出一個個的光裝置。
以往，沿著分割預定線分割光裝置晶圓的方法，已知的有專利文獻1及2所記載的方法。在專利文獻1的分割方法中，首先，是沿著分割預定線照射對晶圓具有吸收性之波長的脈衝雷射光束以形成雷射加工溝。之後，透過對晶圓賦予外力就能以雷射加工溝為分割起點地將光裝置晶
圓割斷。
專利文獻2的分割方法是，為了提高光裝置之亮度，將對光裝置晶圓具有穿透性之波長的脈衝雷射光束在晶圓的內部聚集成聚光點而進行照射，以在內部沿著分割預定線形成改質層。並且，藉由對在改質層使強度降低了的分割預定線賦予外力之作法，以分割光裝置晶圓。
專利文獻1：日本專利特開平10-305420號公報
專利文獻2：日本專利特開2008-006492號公報
在專利文獻1、2之光裝置晶圓的分割方法中，是將雷射光束相對於光裝置晶圓大致垂直地入射，並以雷射加工溝或改質層為分割起點地將光裝置晶圓分割成一個個光裝置。所述光裝置之側面，相對於形成在正面之發光層大致為垂直，且是將光裝置形成為直方體形。據此，在從光裝置的發光層射出的光中，使朝側面的入射角變成大於臨界角度之光線的比例就會變高。因此，在側面進行全反射之光線的比例會變高，且在重複進行全反射之中導致最後在光裝置之內部完全消失之比例也會變高。其結果為，會有所謂的光裝置之出光效率減低，且亮度也降低之問題。
本發明是有鑑於所述問題點而作成的，其目的在
於提供一種能夠提升出光效率的光裝置及光裝置之加工方法。
本發明之光裝置，特徵在於，其包含：基板，及形成於基板之正面的發光層，基板具有四角形的正面、與正面平行且為相同形狀之四角形的背面，及連結正面及背面之4個側面，4個側面中、相互鄰接之2個側面是，將其斷面形狀形成為從正面到背面膨脹成弓形的形狀，另外的2個側面是，將其斷面形狀形成為從正面到背面凹陷成弓形的形狀。
根據此構成，因為將基板之側面的斷面形狀形成為膨脹成弓形的形狀或凹陷成弓形的形狀，所以可以將入射到側面的光線之中，以臨界角度以下入射到側面之光線的比例增多。藉此，就可以將進行全反射而返回到發光層之光線的比例抑制得較低，且增加從側面出光之比例，並可以謀求出光效率的提升。
又，在本發明之上述的光裝置之加工方法中，特徵在於，其是由下列步驟所構成：黏貼步驟，在光裝置晶圓的正面側黏貼保護膠帶，該光裝置晶圓在正面上具有發光層，且形成有複數條交叉之分割預定線並在以分割預定線所劃分出的發光層的各個區域中分別具有光裝置；改質層形成步驟，在實施過黏貼步驟之後，將對光裝置晶圓具有穿透性之波長的雷射光線，從光裝置晶圓之背面側沿著分割預定線，在與光裝置晶圓之正面相距預定量的背面方
向的位置上定位出聚光點而進行照射以形成最初的改質層，接著將聚光點分階段地朝背面方向移動並重複進行複數次以從正面側到背面側形成複數個改質層；及分割步驟，在實施過改質層形成步驟之後，對光裝置晶圓賦予外力以將光裝置晶圓分割為一個個的光裝置；在改質層形成步驟中，是在光裝置晶圓之厚度方向上將複數個改質層從正面到背面排列成弓形地形成；在分割步驟中，是在排列成弓形地被形成而在光裝置晶圓之厚度方向上相鄰接的改質層之間形成龜裂，並以斷面形狀為弓形地從正面延伸到背面而將光裝置晶圓分割。藉由這個方法，不會有使各個步驟變得複雜，或變得長時間化之情形，且可以製造出側面變成弓形之曲面的光裝置。
根據本發明，可以提升出光效率。
1、3‧‧‧光裝置
11‧‧‧基台
21‧‧‧基板
21a‧‧‧正面
21b‧‧‧背面
21c‧‧‧側面
22‧‧‧發光層
22a‧‧‧正面
22b‧‧‧背面
31‧‧‧基板
31a‧‧‧正面
31b‧‧‧背面
31c‧‧‧側面
32‧‧‧發光層
33‧‧‧基台
35‧‧‧支撐台
36‧‧‧環狀台座
37‧‧‧夾具部
38‧‧‧攝像手段
39‧‧‧加壓刀
100‧‧‧雷射加工裝置
101‧‧‧基板
102‧‧‧雷射加工單元
103‧‧‧夾頭台
104‧‧‧夾頭台移動機構
111‧‧‧立壁部
112‧‧‧臂部
115、117‧‧‧導軌
116‧‧‧X軸台座
118‧‧‧Y軸台座
121、122‧‧‧滾珠螺桿
123、124‧‧‧驅動馬達
125‧‧‧θ台座
126‧‧‧夾具部
127‧‧‧加工頭
A1、A2、A3、A4‧‧‧光路
θ1、θ2‧‧‧入射角
B1、B2、B3、B4‧‧‧光路
R‧‧‧改質層
ST‧‧‧預定分割線
R1~R5‧‧‧改質層
K‧‧‧龜裂
P‧‧‧脈衝間距
W‧‧‧光裝置晶圓
F‧‧‧框架
S‧‧‧黏著片
W1‧‧‧基板
W2‧‧‧發光層
X、Y、Z‧‧‧方向
圖1是模式地表示本實施形態的光裝置之構成例的立體圖。
圖2是表示本實施形態的光裝置中的光發出之情形的剖面模式圖。
圖3是表示比較結構的光裝置中的光發出之情形的剖面模式圖。
圖4是本實施形態之雷射加工裝置的立體圖。
圖5A是黏貼步驟之說明圖，圖5B是改質層形成步驟之說明圖，圖5C是分割步驟之說明圖。
圖6A是光裝置晶圓之概略立體圖，圖6B及圖6C是圖6A之C-C切斷面的模式圖。
圖7A是改質層形成步驟之說明用放大平面圖，圖7B是模式地表示圖7A之D-D線截面之圖。
參照附加圖式，針對光裝置及其加工方法進行說明。首先，參照圖1及圖2，針對光裝置進行說明。圖1是表示光裝置之一例的立體圖。圖2是光裝置之光發出狀態的說明用剖面圖。再者，圖2是以圖1的A-A線之斷面所見的模式圖，也是以B-B線之斷面所見的模式圖。
如圖1及圖2所示，光裝置1是在基台(base)11(在圖1並未圖示)上進行打線接合(wire bonding)組裝，或倒裝晶片(flip chip)組裝。光裝置1是包含基板21，及形成於基板21之正面21a上的發光層22而構成。基板21是作為結晶成長用基板而可選自於藍寶石基板(Al2O3基板)、氮化鎵基板(GaN基板)、碳化矽基板(SiC基板)、氧化鎵基板(Ga2O3)。較理想的是，基板21是透明的。
發光層22是，在基板21的正面21a上依使電子為複數載子(carrier)之n型半導體層(例如，n型GaN層)、半導體層(例如，InGaN層)、電洞為複數載子之p型半導體層(例如，p型GaN層)之順序使其進行磊晶成長而形成。並且，在n型半導體層與p型半導體層上分別形成供外部取出用的2個電極(圖未示)，且藉由對2個電極施加來自外部電源的電
壓，就能從發光層22發出光線。
將基板21的正面21a及背面21b形成為，以平面來看大致變成相同之四角形，且變成相互平行。基板21具有連結正面21a及背面21b之各個四邊的4個側面21c。4個側面21c之中、位於圖1中左側且相互鄰接之2個側面21c，是將斷面形狀形成為從正面21a到背面21b膨脹成弓形的曲面形狀。又，另外之位於圖1中右側而相互鄰接之2個側面21c，是將斷面形狀形成為從正面21a到背面21b凹陷成弓形的曲面形狀。是將4個側面21c的斷面形狀形成為，在正面21a及背面21b之4邊的延伸方向上相同。再者，可將側面21c之弓形做成沿著圓弧或橢圓弧形成之斷面形狀，或為除此之外的曲線，也可形成使基板21的厚度方向中間膨脹或凹陷之斷面形狀。
接著，針對藉由本實施形態之光裝置1所形成的亮度改善效果，參照圖3之比較結構之光裝置並進行說明。圖3是表示，從用於與實施形態比較的比較結構之光裝置發出光之情形的剖面模式圖。比較構造之光裝置3，相對於實施形態之光裝置1，除了基板側面之形狀改變之點外具有共通的結構。亦即，比較結構之光裝置3是由，將正面31a及背面31b形成為大致相同之四角形狀的基板31，及形成在基板31之正面31a的發光層32所構成，並組裝於基台33上。並且，是將基板31的4個側面31c形成為垂直於正面31a及背面31b之平面狀。
如圖2所示，在本實施形態之光裝置1中，在發光
層22所產生的光主要是從正面22a及背面22b發出。從發光層22之正面22a所發出的光(例如，光路A1)是通過透鏡構件(圖未示)等被提取到外部。另一方面，例如，從發光層22的背面22b被射出而傳播光路A2之光線是，相對於在基板21上膨脹成弓形的側面21c(圖2中左側之側面21c)與空氣層之間的界面，以入射角θ1入射。在此，因為將側面21c形成為弓形，因此在光路A2之入射位置處的面的朝向會比垂直面更往發光層22側傾斜。藉此，傳播光路A2之光線的入射角θ1就會變小而變成在基板21之臨界角度以下。因此，傳播光路A2之光線會，一部分朝空氣層側穿透而被放出(光路A3)，剩餘之光線則進行反射(光路A4)。
傳播光路A3之光線是，朝空氣層穿透後在基台11的正面進行反射，而被提取到外部。傳播光路A4之光線，因為使入射角θ1如上所述地變小，所以會使穿透基板21之行進方向變成近似於圖2中之橫向方向，並入射到相反側(圖2之右側)的側面21c而朝空氣層側被放出。
相對於此，如圖3所示，是將比較結構之光裝置3的光路B1、B2形成為，與實施形態之光裝置1的光路A1、A2相同。然而，因為使基板31的側面31c變成垂直於正面31a及背面31b之平面，所以相對於側面31c與空氣層之間的界面的光路B2之入射角θ2，會大於實施形態之入射角θ1。因此，會使傳播光路B2之光線的入射角θ2變得大於基板21的臨界角度，且會在側面31c與空氣層之間的界面進行全反射(光路B3)。傳播光路B3之光線會在基台33的正面進行反
射(光路B4)。傳播光路B4之光線的行進方向，相較於傳播光路A4之光線，會變成近似於圖3中的縱向方向，並於穿透基板31後入射到發光層32而被吸收，且變成無法提取到外部。
如以上所述，根據本實施形態之光裝置1，因為將基板21之側面21c的斷面形狀做成弓形，所以可以將從發光層22射出且與光路A2同樣地傳播的光線，變成與光路A3，A4同樣地提取到外部。因此，與光路A2同樣地傳播的光線，相較於與比較結構之光路B2同樣地傳播的光線，可以降低在側面21c進行全反射的光線的比例。藉此，就能減少在基板21內部反覆進行反射而返回到發光層22之光線的比例，且可增加從基板21發出的光的比例，並提高出光效率，而可謀求亮度的提升。
接著，針對本發明實施形態之光裝置之加工方法進行說明。本實施形態的光裝置之加工方法是經由黏貼步驟、藉由雷射加工裝置進行之改質層形成步驟，及藉由分割裝置進行之分割步驟而實施。在黏貼步驟中，是在形成有發光層之光裝置晶圓的正面上黏貼黏著片。在改質層形成步驟中，是在光裝置晶圓之內部沿著分割預定線形成改質層。在分割步驟中，是以改質層作為分割起點以分割成一個個的光裝置。以下，針對本實施形態之加工方法的詳細內容進行說明。
參照圖4，針對在光裝置晶圓的內部形成改質層之雷射加工裝置進行說明。圖4是，本實施形態之雷射加工
裝置的立體圖。再者，本實施形態之雷射加工裝置並不受限於圖4所示之構成。只要可以對光裝置晶圓形成改質層，則雷射加工裝置也可為任何構成。
如圖4所示，是將雷射加工裝置100構成為，使照射雷射光線的雷射加工單元102及保持有光裝置晶圓W之夾頭台(保持手段)103相對移動，以加工光裝置晶圓W。
雷射加工裝置100具有直方體形之基板101。於基板101的上表面設有，可將夾頭台103在X軸方向上加工傳送，同時在Y軸方向上分度傳送的夾頭台移動機構104。在夾頭台移動機構104的後方有立壁部111豎立設置。從立壁部111的前面突出有臂部112，且在臂部112上將雷射加工單元102支撐成面向夾頭台103。
夾頭台移動機構104具有，配置於基板101的上表面之平行於X軸方向的一對導軌(guide rail)115，及可滑動地設置在一對導軌115上之馬達驅動的X軸台座116。又，夾頭台移動機構104具有，配置在X軸台座116上表面之平行於Y軸方向的一對導軌117，及可滑動地設置在一對導軌117上之馬達驅動的Y軸台座118。
在Y軸台座118的上部設置有夾頭台103。再者，在X軸台座116、Y軸台座118的背面側分別形成圖未示之螺帽部，且將滾珠螺桿121、122螺合在該等螺帽部上。並且，藉由將連結於滾珠螺桿121、122之一端部的驅動馬達123、124旋轉驅動，就能使夾頭台103沿著導軌115、117在X軸方向及Y軸方向上移動。
夾頭台103是形成為圓板狀，且透過θ台座125可旋轉地設置在Y軸台座118的上表面。在夾頭台103的上表面，藉由多孔陶瓷(porous ceramics)材而形成有吸著面。在夾頭台103的周圍，則透過一對支撐臂而設置有4個夾具部126。透過以空氣致動器(air actuator)(圖未示)進行驅動的作法，就能使4個夾具部126從四方將光裝置晶圓W周圍之環狀框架F挾持固定。
雷射加工單元102具有設於臂部112前端的加工頭127。在臂部112及加工頭127內部設有雷射加工單元102之光學系統。加工頭127是，以聚光透鏡將從圖未示之發射器所發射出之雷射光線聚集，以對保持在夾頭台103上之光裝置晶圓W進行雷射加工。此時，雷射光線，對光裝置晶圓W具有穿透性之波長，並在光學系統中被調整成聚光於光裝置晶圓W之內部。
透過該雷射光線之照射以形成可在光裝置晶圓W的內部變成分割起點的改質層R(參照圖5B、圖6B)。改質層R是，透過雷射光線之照射，而將光裝置晶圓W內部的密度、折射率、機械強度或其他物理特性變成為與周圍不同的狀態，且強度也比周圍還要低之區域。改質層R可為例如，溶融再固化區域、裂痕(crack)區域、絕緣破壞區域、折射率變化區域，也可為混合了這些的區域。
將光裝置晶圓W形成為大致是圓板狀。如圖5A及圖6A所示，光裝置晶圓W是包含基板W1，及形成於基板W1正面上的發光層W2而構成。光裝置晶圓W是，以複數條
交叉之分割預定線ST劃分成複數個區域，且在該劃分之各個區域中分別形成有光裝置1。又，在圖4中，是將光裝置晶圓W做成將形成有發光層W2之正面朝下，並黏貼在已貼於環狀框架F之黏著片S上。
參照圖5A至圖7B，針對本實施形態之晶圓的加工方法的流程進行說明。圖5A~圖5C是光裝置晶圓W的加工方法之各步驟的說明圖。圖6A是光裝置晶圓W之概略立體圖，且圖6B及圖6C是，圖6A之C-C切斷面之模式圖。圖7A是改質層形成步驟之說明用放大平面圖，且圖7B是模式地表示圖7A之D-D線截面之圖。再者，圖5A到圖5C所示之各個步驟不過是其中一例，並不受限於此構成。
首先，實施圖5A所示之黏貼步驟。在黏貼步驟中，首先，是在框架F的內側配置光裝置晶圓W，且是以將成為發光層W2側之正面形成朝上之狀態進行配置。之後，藉由黏著片S將光裝置晶圓W的正面(上表面)與框架F之上表面黏貼成一體，且透過黏著片S將光裝置晶圓W裝設在框架F上。
在實施過黏貼步驟後，即如圖5B所示，實施改質層形成步驟。在改質層形成步驟中，是藉由夾頭台103保持光裝置晶圓W的黏著片S側，且使框架F受到夾具部126保持。又，將加工頭127之射出口定位在光裝置晶圓W的分割預定線ST上，並藉由加工頭127從光裝置晶圓W的背面側(基板W1側)進行雷射光線照射。雷射光線對光裝置晶圓W具有穿透性之波長，並被調整成聚光於光裝置晶圓W之內
部。並且，藉由一邊調整雷射光線之聚光點，一邊使保持有光裝置晶圓W之夾頭台103在X軸方向及Y軸方向上移動，就能在光裝置晶圓W之內部形成沿著分割預定線ST做出的改質層R。如圖7A所示，在改質層R中，是按照取決於雷射光線的波長的每個脈衝間距(pulse pitch)P進行改質，且如圖7B地從斷面來看時，是形成為使縱長的橢圓形在橫向方向上接連做出而排列。
如圖6B所示，是將以如上所述之雷射光線形成的改質層R的形成重複進行複數次。在最初的改質層R1之形成上，是將聚光點在圖6B中的上下位置，定位於距離光裝置晶圓W之正面(下表面)預定量的背面方向(向上方向)之位置上，並照射雷射光線。在所述聚光點的上下位置上沿著所有的分割預定線ST均形成改質層R1之後，再將聚光點分階段地朝向上方向移動。之後，進行第2次以後的改質層R2之形成，並將其形成位置設定成，相對於其前一個改質層R之形成，使聚光點在圖6B中朝向上方向移動後的位置處，沿分割預定線ST之寬度方向分離開預定之分度(index)量後的位置。具體地說，是從光裝置晶圓W之正面側(下表面側)至背面側(上表面側)將複數個改質層R(在本實施形態中，為R1~R5之5層)形成為排列成弓形。如此進行，以在光裝置晶圓W之內部形成沿著分割預定線ST做出的分割起點。
在改質層形成步驟之後，即如圖5C所示，實施分割步驟。在分割步驟中，是在破斷(breaking)裝置(圖未示)
之一對支撐台35上以將光裝置晶圓W之基板W1側朝向下方之狀態進行載置，且將光裝置晶圓W之周圍的框架F載置於環狀台座36上。載置於環狀台座36上的框架F，是透過設於環狀台座36四方的夾具部37而被保持。一對支撐台35是在一個方向(垂直於紙面的方向)上延伸，且在一對的支撐台35之間配置有攝像手段38。藉由該攝像手段38，可從一對支撐台35之間拍攝光裝置晶圓W之背面(下表面)。
在包夾光裝置晶圓W之一對支撐台35的上方設有，從上方按壓光裝置晶圓W的加壓刀39。加壓刀39是在一個方向(垂直於紙面的方向)上延伸，且可透過圖未示的加壓機構而被上下移動。當藉由攝像手段38拍攝晶圓W的背面時，即可根據拍攝影像將分割預定線ST定位在一對支撐台35之間且位於加壓刀39的正下方的位置。並且，透過使加壓刀39下降，就能將加壓刀39隔著黏著片S壓抵於光裝置晶圓W上以賦予外力，並以改質層R作為分割起點分割光裝置晶圓W。此時，在受到加壓刀39所壓抵之分割預定線ST上，會在光裝置晶圓W之厚度方向上排列成弓形地被形成而在厚度方向上相鄰接的改質層R之間形成龜裂K(參照圖6C)。藉由此龜裂K，在分割預定線ST上，會以圖1及圖2所示之側面21c的形狀，即，斷面形狀上為弓形地從正面延伸到背面而進行分割。此時，藉由龜裂K，在包夾分割預定線ST之其中一邊的光裝置1上形成膨脹成弓形的側面形狀，並且，在另一邊的光裝置1上形成凹陷成弓形的側面形狀(參照圖6C)。光裝置晶圓W可藉由將加壓刀39壓抵在所有的分
割預定線ST上之作法，而被分割成一個個的光裝置1。
再者，雖然沒有特別限定，但是改質層形成步驟中之雷射加工條件，可以用以下之實施例為例示。在各實施例中之散焦(defocus)量是表示，聚光點之距離光裝置晶圓W之背面(上表面)之厚度方向上的距離。
(實施例)
輸出功率：0.1W
加工傳送速度：1000mm/s
改質層R之形成次數：4次
最初之改質層R1形成之散焦量：40μm
第2次之改質層R2形成之散焦量：32.5μm
第3次之改質層R3形成之散焦量：25μm
第4次之改質層R4形成之散焦量：17.5μm
改質層R1與改質層R2之間的分度：8μm
改質層R1與改質層R3之間的分度：16μm
改質層R1與改質層R4之間的分度：8μm
上述實施例之條件的光裝置，於對所發射之所有光的強度(功率)之總計值(全放射束測定)進行測定後發現，相較於與上述比較結構相同地將基板之側面形成為平面狀之光裝置，亮度提升了1~2%。
如以上所述，根據本實施形態之加工方法，無論光裝置晶圓W之厚度變薄或變厚，都可以形成斷面形狀為弓形之曲面形狀的側面21c。而且，在改質層形成步驟中，因為在光裝置晶圓W之厚度方向上是將改質層R排列成弓
形而形成，所以在分割步驟中只要對光裝置晶圓W賦予外力就可以分割成弓形。藉此，可以抑制上述之各個步驟變得複雜、或步驟時間變長之情形，以有效率地製造光裝置1。
再者，本發明並不以上述實施形態而受限，且可進行各種變更而實施。在上述實施的形態中，關於在附加圖式中所圖示之大小與形狀等，並不因此而受限，且在可發揮本發明之效果的範圍內作適當變更是可行的。此外，只要在不脫離本發明的目的之範圍內皆可進行適當的變更而實施。
舉例來說，在上述實施的形態中，雖然是藉由破斷裝置進行了分割步驟，但是不因此而受限，且只要可以沿著分割預定線ST將光裝置晶圓W分割成一個個的光裝置1即可。
又，在上述實施的形態中，可將上述各個步驟在各自分開的裝置上實施，也可以在相同的裝置上實施。
本發明在用於提高於基板的正面上形成有發光層之光裝置的出光效率上是有用的。
1‧‧‧光裝置
11‧‧‧基台
21‧‧‧基板
21a‧‧‧正面
21b‧‧‧背面
21c‧‧‧側面
22‧‧‧發光層
22a‧‧‧正面
22b‧‧‧背面
A1、A2、A3、A4‧‧‧光路
θ1‧‧‧入射角
Claims (2)
- 一種光裝置，其特徵在於包含：基板；及發光層，形成於該基板的正面；該基板具有四角形的正面、與該正面平行且為相同形狀之四角形的背面，及連結該正面與該背面之4個側面；該4個側面之中，相互鄰接之2個側面是將其斷面形狀形成為從該正面到該背面膨脹成弓形的形狀，另外的2個側面是將其斷面形狀形成為從該正面到該背面凹陷成弓形的形狀。
- 一種如請求項1所述的光裝置之加工方法，特徵在於，其是由下列步驟所構成：黏貼步驟，在光裝置晶圓的正面側黏貼保護膠帶，該光裝置晶圓在正面具有發光層，且形成有複數條交叉之分割預定線並在以該分割預定線所劃分出的該發光層的各個區域中分別具有光裝置；改質層形成步驟，在實施過該黏貼步驟之後，將對該光裝置晶圓具有穿透性之波長的雷射光線，從該光裝置晶圓之背面側沿著該分割預定線，在從該光裝置晶圓之正面相距預定量的背面方向的位置上定位出聚光點而進行照射以形成最初的改質層，接著將聚光點分階段地朝該背面方向移動並重複進行複數次以從正面側到 背面側形成複數個改質層；及分割步驟，在實施過該改質層形成步驟之後，對光裝置晶圓賦予外力以將光裝置晶圓分割為一個個的光裝置；在該改質層形成步驟中，是在光裝置晶圓之厚度方向上將複數個改質層從該正面到該背面排列成弓形地形成；在該分割步驟中，是在排列成弓形地被形成而在光裝置晶圓之厚度方向上相鄰接的改質層之間形成龜裂，並以斷面形狀從該正面延伸到該背面呈弓形而將光裝置晶圓分割。
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