JP6569291B2 - 発光素子 - Google Patents
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Description
そのために、基板の側面に凹部を設けた発光素子が提案されている(例えば、特許文献1等)。また、発光素子上面からの発光に代えて、発光素子側面からの発光を利用することが提案されている(例えば、特許文献2等)。
(1)第1主面、該第1主面と反対側の第2主面、前記第1主面及び第2主面に隣接する第1側面、該第1側面に対面する第2側面、第2側面に隣接する第3側面及び該第3側面に対面する第4側面を有する透光性基板と、
該透光性基板の第1主面上に積層された半導体積層体と、
前記透光性基板の第1側面、第2側面、第4側面及び第2主面を被覆する第1光反射部材と、
前記半導体積層体の前記透光性基板と反対側の面を被覆する第2光反射部材とを有し、
前記透光性基板は、
前記第1主面に垂直であり、かつ前記第3側面及び第4側面に交差する断面が、第1の凹部を含む第1の凹図形であり、前記第1の凹部のうち最も凹んだ部分が、前記半導体積層体の外縁よりも内側に配置され、
前記第3側面が、前記第1の凹部を構成する1つ以上の面からなる発光素子。
(2)第1主面、該第1主面と反対側の第2主面、前記第1主面及び第2主面に隣接する第1側面、該第1側面に対面する第2側面、第2側面に隣接する第3側面及び該第3側面に対面する第4側面を有する透光性基板と、
該透光性基板の第1主面上に積層された半導体積層体と、
前記透光性基板の第1側面、第2側面、第4側面及び第2主面を被覆する第1光反射部材と、
前記半導体積層体の前記透光性基板と反対側の面を被覆する第2光反射部材とを有し、
前記透光性基板は、前記第1主面に平行な断面が、第3の凹部を含む第3の凹図形であり、
前記第3側面が、前記第3の凹部を構成する1つ以上の面からなる発光素子。
(3)透光性基板と半導体積層体を含む発光単位が複数積層された発光素子であって、
前記発光素子は、
第1の主面、前記第1の主面に対面する第2の主面、前記第1の主面に隣接する第1側面、該第1側面に対面する第2側面、第2側面に隣接する第3側面及び該第3側面に対面する第4側面を有し、
前記第1側面、前記第2側面、前記第4側面及び前記第1の主面が、第1光反射部材で被覆され、
前記第2の主面が、第2光反射部材で被覆されており、
前記発光素子の前記第1の主面に平行な断面が、第3の凹部を含む第3の凹図形であり、
前記第3側面が、前記第3の凹部を構成する1つ以上の面からなる発光素子。
各図面が示す部材の大きさや位置関係等は、説明を容易にするため、誇張していることがある。
例えば、図1に示すように、透光性基板11は、第1主面11a、第1主面11aと反対側の第2主面11b、第1主面11a及び第2主面11bに隣接する第1側面P、第1側面Pに対面する第2側面S、第2側面Sに隣接する第3側面T1、T2及び第3側面T1、T2に対面する第4側面Fを有する。また、透光性基板11は、第1主面11aに垂直であり、かつ第3側面T1、T2及び第4側面Fに交差する断面が、第1の凹部11cを含む第1の凹図形である。第1の凹部11cのうち最も凹んだ部分が、半導体積層体12の外縁よりも内側に配置されている。第3側面T1、T2は、第1の凹部11cを構成する1つ以上の面からなる。半導体積層体12は、透光性基板11の第1主面11a上に積層されている。第1光反射部材は、透光性基板11の第1側面P、第2側面S、第4側面F及び第2主面11bを被覆する。第2光反射部材は、半導体積層体12の透光性基板11と反対側の面を被覆する。
この発光素子は、発光ダイオードと称されるものであり、いわゆる、チップサイズパッケージ(CSP)に有利である。また、発光素子単体で指向性を制御することが可能であるため、CSPにより発光装置を小型化し、且つ、指向性を制御することが可能である。
透光性基板は、第1主面及び第2主面、第1側面、第2側面、第3側面及び第4側面を有する。第2主面は、第1主面と反対側の主面である。第1側面は、第1主面及び第2主面に隣接する面であり、第2側面は、第1側面に対面する面であり、第3側面は、第2側面に隣接する面であり、第4側面は第3側面に対面する面である。主面及び/又は/側面の連結部位は丸み等を帯びていてもよい。
具体的には、窒化物半導体(GaN、AlN等)、Ga2O3、ZnO、ZrO2、GaAs、GaP、Si、SiC等の導電性基板であってもよいし、サファイヤ、スピネル等の絶縁性基板であってもよい。半導体積層体(特に活性層)がGaN系半導体からなる場合は、窒化物半導体(GaN等)、Ga2O3、SiC、サファイヤ等が好ましい。透光性基板の厚みは特に限定されるものではなく、例えば、100〜500μm程度が挙げられる。
透光性基板では、半導体積層体を成長させる面を第1主面とする。第1主面及び/又は第2主面は、例えば、C面、A面、R面等のいずれであってもよい。
第1主面及び/又は第2主面は、その表面に複数の凸部又は凹凸を有するものであってもよい。第1主面及び/又は第2主面は、C面、A面、R面等の所定の結晶面に対して0〜10度程度のオフ角を有するものであってもよい。第1主面と第2主面とは、必ずしも同じ結晶面を有するものでなくてもよいが、互いに平行であることが好ましい。
例えば、第1主面及び/又は第2主面は、得ようとする発光素子の形状によって適宜設定することができ、平面視、円形、楕円形であってもよいし、3角形以上の多角形でもよいし、これらの多角形の角に丸みを帯びた形状、これの多角形を構成する辺が外側に凸又は凹等の曲線であってもよい。
透光性基板が第2の凹部を有することにより、例えば、第1主面の左右方向、すなわち、第1側面と第2側面に交差する方向における配光を制御することが可能となる。
透光性基板は、第1主面及び/又は第2主面に隣接する側面を有し、第1主面と第2主面との双方に連続する側面を有することが好ましい。このような側面は、第1主面及び第2主面の形状によって、上述した互いに対面する第1側面と第2側面、第3側面と第4側面を含む。
本願において、基板又は半導体積層体の側面は、一つの平面形状から構成されていてもよいし、複数の平面形状で構成されていてもよく、曲面を含んでいてもよい。
半導体積層体は、透光性基板の第1主面上に複数の半導体層が積層されて構成される。ただし、上述したように、半導体成長用の成長基板が剥離されたものでもよい。本願明細書においては、半導体積層体において、透光性基板に近い面を下面、遠い面を上面と記載することがある。半導体積層体の下面は、通常、透光性基板の第1主面と接触又は対面して配置される。
半導体積層体は、透光性基板の上に積層又は配置された後、通常、第1導電型の第1半導体層、活性層および第2導電型の第2半導体層が個片化(チップ化)後に露出して劣化しないように保護膜等を形成することから、半導体積層体の厚み方向の一部又は全部が除去されていてもよい。
例えば、第1電極及び第2電極が半導体積層体の上面側に配置される場合、少なくとも第1電極を形成するために、半導体積層体の厚み方向の一部が除去され及び/又は1つの発光素子を構成するように、発光素子の外周に相当する半導体積層体の厚み方向の一部又は全部が除去されることがある。第1電極は、露出した半導体積層体における第1半導体層に接触して配置されていてもよいし、第1半導体層の側面を利用して接触するように配置されていてもよい。
また、第1電極及び第2電極が、半導体積層体の上面及び透光性基板の第2主面にそれぞれ配置される場合でも、1つの発光素子を構成するように、発光素子の外周に相当する半導体積層体の厚み方向の一部又は全部が除去されていることが好ましい。
半導体積層体のいずれの形状であっても、第1電極及び第2電極を半導体積層体の同一面側に配置することにより、フリップチップ型又はフェイスアップ型(ワイヤボンディング型を含む)等の発光素子とすることができる。
なお、半導体積層体の側面と上面または下面の結合部位は、丸み等を帯びていてもよい。
発光素子は、上述したように、側面発光型の発光素子であることから、発光素子の光取り出し面である側面以外の面が光反射部材で被覆されている。つまり、発光素子は、透光性基板の第1側面、第2側面、第4側面及び第2主面を被覆する第1光反射部材と、半導体積層体の透光性基板と反対側の面を被覆する第2光反射部材とを有する。なお、第1光反射部材は、1回の処理によって全ての面上に形成されたものでなくてもよく、例えば複数回にわけてスパッタリングすることで形成されていてもよい。第1の光反射部材は、1つの材料からなっていても、異なる複数の材料からなっていてもよい。また、第1光反射部材は、被覆する面によって異なる材料、組成及び積層構造等からなっていてもよいし、全ての面を覆う第1光反射部材が同一の材料、組成及び積層構造等からなっていてもよい。あるいは、一部の複数の面を覆う第1光反射部材は同じ材料、組成及び積層構造等からなり、他の面を覆う第1光反射部材はそれぞれ異なる材料、組成及び積層構造等からなっていてもよい。
誘電体としては、DBR(分布ブラッグ反射器)膜が挙げられる。DBR膜は、例えば、任意に酸化膜等からなる下地層の上に、低屈折率層と高屈折率層とからなる1組の誘電体を、複数組(例えば、2〜5)にわたって積層させた多層構造であり、所定の波長光を選択的に反射するものである。具体的には屈折率の異なる膜を1/4波長の厚みで交互に積層することにより、所定の波長を高効率に反射させることができる。材料として、Si、Ti、Zr、Nb、Ta、Alからなる群より選択された少なくとも一種の酸化物または窒化物を含んで形成することができる。DBR膜を酸化膜で形成する場合、低屈折率層を例えばSiO2、高屈折率層を例えばNb2O5、TiO2、ZrO2、Ta2O5等とすることができる。具体的には、下地層側から順番に(Nb2O5/SiO2)n、nは2〜5が挙げられる。DBRの総膜厚は0.2〜1μm程度が好ましい。
上述したように、第1電極及び第2電極のいずれかが透光性基板の第2主面に配置される場合には、電極と光反射部材とを兼ねた部材を配置してもよい。
なお、第1光反射部材と第2光反射部材とは、同じ材料、組成、積層構造等によって形成されていなくてもよいが、同じ材料、組成、積層構造等であってもよい。
発光素子は、いわゆる側面発光型の発光素子である。つまり、半導体積層体における発光層に平行な面からの光取り出しとは異なり、発光層に交差する面、例えば、発光層の側面方向への光取出しが行われる。これに伴い、透光性基板の側面、つまり第3側面から光取出しが行われる。
発光素子は、当該分野で公知の方法を利用して形成することができる。特に、発光素子を通常の方法によってウエハにおいて複数一括して形成した後、ウエハを構成する透光性基板を、レーザ加工、例えば、多光子吸収を用いたステルスダイシング、レーザアブレーション加工、レーザ誘起背面湿式加工法(Laser−Induced Backside Wet Etching ;LIBWE法)による深溝加工、レーザウォータージェット等を利用することにより、上述した形状を実現した発光素子を製造することができる。特に、曲面を構成する場合には、LIBWE法により、レーザの焦点の位置をシフトさせながら深さ方向に照射する方法を利用することができる。
(実施形態1)
この実施形態における発光素子10は、図1Aに示すように、例えばサファイヤからなる透光性基板11と、この上に積層され、活性層12aを含む半導体積層体12とを備える。
透光性基板11は、第1主面11a及びこの第1主面と反対側の第2主面11bとを有する。第1主面11a及び第2主面11bは、例えば、サファイヤのC面である。透光性基板11の厚みは、160μmである。
第1主面11a及び第2主面11bは、いずれも長方形であり、第1主面11a及び第2主面11bに平行な断面は、全部が長方形であるが、略全部が異なる形状である。
第1側面P及び第2側面Sに平行な断面は、全部が第1側面P及び第2側面Sと同じ形状とする。第1主面に垂直であり、かつ第3側面及び第4側面に交差する断面に平行な断面、つまり、第1側面P及び第2側面Sに平行な断面は、第1の凹部11cを備える第1の凹図形である。ここでの第1の凹部11cの内角の角度αは、270°であり、幅Wは透光性基板11の厚みと同等であり、奥行きDは80μmである。
透光性基板11は、この第3側面T1、T2に対面する1つの第4側面Fを有する。第4側面Fは、第1主面11a、第2主面11b、第1側面P及び第2側面Sに対して垂直とする。
従って、半導体積層体12の側面は、厳密には、透光性基板11の第1側面P、第2側面S、第3側面T1、T2及び第4側面Fと一致していないが、その差は数十ミクロン以下程度であるため、ほぼ一致しているとみなす。
この実施形態における発光素子20は、図2Aに示すように、例えばサファイヤからなる透光性基板21と、この上に積層され、活性層(図示せず)を含む半導体積層体22とを備える。
透光性基板21の第1主面21a及び第2主面21bに平行な断面は、全部が長方形であり、全部が同じ形状とすることができる。
第1主面に垂直であり、かつ第3側面及び第4側面に交差する断面に平行な断面、つまり、第1側面P及び第2側面Sに平行な断面は、第1の凹部21cを備える第1の凹図形である。加えて、本実施形態では、第1の凹部21cに対面する第1の凸部21dを有する。ここでの第1の凸部21dの角度は、90°である。
この発光素子20の第1の凹図形は、平面充填可能な形状であり、さらに、それに加えて第1側面P及び第2側面Sが、いずれも、平面充填可能な形状である。平面充填可能な形状であることで、凸部21の形状は、凹部21cと対応した形状となる。
また、透光性基板21は、2つの第3側面T1、T2にそれぞれ平行な2つの第4側面F1、F2を有する。第4側面F1、F2は、第1の凸部21dを構成する面であり、第1主面21aから第2主面21bに向かう方向、つまり、厚み方向において屈曲してそれぞれの面を構成している。
第1側面Pにおいて、第1の凹部21c及び第1の凸部21dを通る第1主面21aに平行な断面に対して、第3側面T1、T2は、略対称に配置されてもよい。
上述した構成以外は、実質的に実施形態1の発光素子10と同様の構成を有する。
図2Bの実線は、透光性基板21の厚み方向の中央に、凹部の最も凹んだ部分が設けられている場合の配光分布を示したものである。特に、図2Aの矢印L方向において取り出した光は、図2Bの実線で示すように、発光素子の第1主面に垂直な方向において、従来型の直方体又は立方体の側面発光型の発光素子の光分布(図2B中の破線)に比較して、中央付近で光強度を顕著に向上させることができる。また、従来型の直方体又は立方体の側面発光型の発光素子の光分布と比較して、光強度の半値幅を狭くすることができるため、狭い配光分布とすることができる。
なお、各角度に対する光強度は、光出射面が完全拡散面(Perfect Diffusing Surface)であると仮定しシミュレートした結果を示す。
(半導体部成長工程)
透光性基板21となるサファイヤ基板(厚さ300μm)上に、図21Aに示すように、第1半導体層、活性層、第2半導体層で構成される半導体積層体22を、例えば、MOCVD法などを用いてエピタキシャル成長させる。MOCVD法による結晶成長では、キャリアガスとして水素(H2)又は窒素(N2)、III族原料であるGa源としてトリメチルガリウム(TMG)又はトリエチルガリウム(TEG)、Al源としてトリメチルアルミニウム(TMA)、In源としてトリメチルインジウム(TMI)、V族原料であるN源としてアンモニア(NH3)、を用い、ドーパントとしては、n型にはSi原料としてモノシラン(SiH4)を、p型にはMg原料としてはビスシクロペンタジエニルマグネシウム(Cp2Mg)を用いる。これらの原料ガスの供給量を変化させることにより、各半導体層の組成を調整することができる。本明細書において、は、ウエハ状のもの、個片化されチップ形状になったもののいずれも透光性基板21と称する。
半導体積層体22を形成した後、マスクを用いて、第2半導体層、活性層及び第1半導体層の一部領域を除去して、第1半導体層及び透光性基板21を露出させる。
第2半導体層上の所定の位置に通常のフォトリソグラフィ、スパッタリング及びリフトオフを用いて透明電極である第2電極8aを形成する。
次に、プラズマCVD法により全面にSiO2からなる保護膜7a、7bを成膜する。続いて、第1半導体層に接続する第1電極9aを、保護膜7cを順次形成し、第1電極9a上の保護膜7cの一部に、第2半導体層上の第2電極8a上の保護膜7a、7b、7cの一部に、フォトリソグラフィおよび反応性イオンエッチングを用いてコンタクト孔をそれぞれ開け、コンタクト孔を覆うように第1パッド電極9b、第2パッド電極8bを、それぞれ所定の形状に形成する。
次に、透光性基板21の第2主面21bに、ダイシングテープ(図示せず)を貼り、ダイシングフレームに透光性基板21を保持する。そして、図21Aに示すように、透光性基板21の第1主面21aに、斜めに分離溝13を形成する。溝形成は、例えば、ダイシング、ドライエッチング又はレーザ加工(レーザアブレーション加工、LIBWE法、レーザウォータージェットなど)によって行う。例えば、半導体積層体を分割する直交する溝の一方の溝中のサファイヤ基板主面に45°傾斜した分離溝をサファイヤ基板主面から80μmの深さまで形成する。
続いて、図21Bに示すように、透光性基板21の第2主面21bを研磨により除去し、所定の厚さにする。例えば、160μm程度の厚みにする。
その後、図21Cに示すように、透光性基板21の第2主面21bに、斜めに分離溝14を形成する。分離溝14の形成は、例えば、透光性基板主面に対して45°傾斜した溝を所定の位置および方向に深さ80μmに形成する。透光性基板21の第1側面および第2側面は、第2主面に垂直に分割してチップ(反射膜形成前の発光素子)を形成する。例えば、ダイシング、ブレーキング、劈開、レーザ加工などを用いてチップ化することができる。これにより、ウエハ状の透光性基板21がチップ化される。次に、例えば、ダイシングテープをエキスパンドし、チップ間隔を拡大する。
次いで、図21Dに示すように、チップ化された発光素子20を、粘着シート15に適切な間隔で並べ、透光性基板21の第2主面21bに対して斜め方向から、スパッタ成膜を行う。図21中の矢印Mは、スパッタ成膜の向きを表す。第1光反射材がこれによって、図21Eに示すように、発光素子20の光取り出し面である第3側面T1、T2以外の面に、第1光反射部材16を形成することができる。
上記では、スパッタ成膜を用いたが、光反射性樹脂からなる光反射部材16をモールディングあるいは塗布などで形成してもよい。
この実施形態における発光素子30は、図3に示すように、透光性基板21及び半導体積層体22の構成は、実施形態2における発光素子20と実質的に同じであり、光反射部材が、第4側面F1、F2には形成されておらず、第3側面T1、T2に形成され、第1の凹部31cではなく、第1の凸部31d側から矢印L方向に光を取り出す構成としている。発光素子30は、第1の凸部31dを有することが必須であり、透光性基板21の、第1主面31aに垂直であり、かつ第3側面T1、T2及び第4側面F1,F2に交差する断面に平行な断面は、第1の凸部31dを含む第1の図形である。
この実施形態における発光素子40は、図4Aに示すように、例えばサファイヤからなる透光性基板41と、その第1主面41a上に積層され、活性層(図示せず)を含む半導体積層体42とを備える。
透光性基板41の第1主面41a及び第2主面41bに平行な断面は、第2の凹部41eを備える第2の凹図形であり、さらに、第2の凹部41eに対面する第2の凸部41fを有することができる。例えば、ここでの第2の凹部41eの角度は、270°であり、第2の凸部41fの角度は、90°である。第1主面41a及び第2主面41bに平行な断面は、平行六辺形であり、どの位置における断面もすべて同じ形状となる。
また、第1主面41aから第2主面41bに向かう方向、つまり、厚み方向及び第1側面Pから第2側面Sに向かう方向において、それぞれ屈曲し、同時に、第1の凸部41dを構成し、第3側面T1、T2、T3、T4にそれぞれ平行な4つの第4側面F1、F2、F3、F4を有する。第4側面F1、F2、F3、F4は、第2の凹部41eを構成する面でもある。
第1の凹部41c及び第1の凸部41dを通る第2主面41bに平行な面に対して、第3側面T1とT2、T3とT4及び第4側面F1とF2、F3とF4は、略対称に配置されている。
この発光素子40では、第1の凹部41cと、第2の凹部41eとは、異なる方向に向けられている。つまり、本実施形態においては、第1の凹部41cは、光取り出し面である第3側面T1、T2、T3、T4に設けられ、第2の凹部41eは、光取り出し面と対面する第4側面F1、F2、F3、F4に設けられている。
上記において、第3側面T1、T3及び第4側面F1、F3は、対称配置としたが、例えば、導光板の角部付近に配置する発光素子とする場合は、非対称配置としてもよい。
上述した構成以外は、実質的に実施形態2の発光素子20と同様の構成を有する。
図4Bの実線および図4Cの実線は、透光性基板21の厚み方向の中央に、凹部の最も凹んだ部分が設けられている場合の配光分布を示したものである。
特に、図4Aの矢印L方向において取り出した光は、図4Bの実線で示すように、発光素子の第1主面に垂直な方向において、従来型の直方体又は立方体の側面発光型の発光素子の光分布(図4B中の破線)に比較して、中央付近で光強度を顕著に向上させることができる。
同時に、図4Cの実線で示すように、矢印L方向において取り出した光は、発光素子の第1主面に平行な方向において、従来型の直方体又は立方体の側面発光型の発光素子の光分布(図4C中の破線)に比較して、中央付近の光強度が低減するものの、光分布を広げることができる。このように、発光素子の上面(第1主面)に平行方向における出射光の分布を広くすることができ、均斉度を確保することができる。なお、図4B、図4Cにおける、各角度に対する光強度は、完全拡散面(Perfect Diffusing Surface)を仮定しシミュレートした結果を示す。
この実施形態における発光素子50は、図5に示すように、透光性基板41及び半導体積層体42の構成は、実施形態4における発光素子40と実質的に同じであり、光反射部材が、第4側面F1、F2、F3、F4には形成されておらず、第3側面T1、T2、T3、T4に形成され、第1の凸部41d及び第2の凹部41e側から矢印L方向に光を取り出す構成としている。発光素子50は、第1の凸部41dを有することが必須であり、透光性基板41の、第1主面41aに垂直であり、かつ第3側面T1、T2及び第4側面F1,F2に交差する断面に平行な断面は、第1の凸部41dを含む第1の形状である。発光素子50は、第1の凸部41dのうち最も突出した部分が、半導体積層体42の外縁よりも外側に設けられており、第4側面F1、F2、F3、F4は、第1の凸部41dを構成する1つ以上の面からなる。さらに、発光素子50においては、透光性基板41の第1主面41aに平行する断面が、1つ以上の第2の凸部41fを含む第2の形状である。
この発光素子50では、第1の凸部41dと、第2の凸部41fとは、異なる方向に向けられている。すなわち、本実施形態においては、第1の凸部41dは、光取り出し面である第3側面T1、T2、T3、T4に設けられ、第2の凸部41fは、光取り出し面と対面する第4側面F1、F2、F3、F4に設けられている。
この実施形態における発光素子60は、図6に示すように、例えばサファイヤからなる透光性基板61と、その第1主面61a上に積層され、活性層(図示せず)を含む半導体積層体62とを備える。
透光性基板61の第1主面61a及び第2主面61bに平行な断面は、第2の凹部61eを備える第2の凹図形であり、さらに、第2の凹部61eに対面する第2の凸部61fを有する。例えば、ここでの第2の凹部61eの角度は、270°であり、第2の凸部61fの角度は、90°である。第1主面61a及び第2主面61bに平行な断面は、どの位置における断面も全て平行六辺形であり、全部が同じ形状とする。
この発光素子60の第1主面61a及び第2主面61bは、いずれも、平面充填可能な形状である。
第1主面に垂直であり、かつ第3側面及び第4側面に交差する断面に平行な断面、つまり、第1側面P及び第2側面Sに平行な断面は、第1の凹部61cを有する。
この発光素子60では、第1の凹部61cと、第2の凹部61eとは、同一方向、光取り出し方向(矢印Lの方向)に向けられている。すなわち、第1の凹部61cと第2の凹部61eとが両方とも、光取り出し面である第3側面T1、T2、T3、T4に設けられている。
上述した構成以外は、実質的に実施形態4の発光素子40と同様の構成を有する。
この発光素子60は、発光素子の第1主面に垂直な方向において、従来型の直方体又は立方体の側面発光型の発光素子の光分布に比較して、中央付近で光強度を顕著に向上させることができる。同時に、発光素子の第1主面に平行な方向においても、従来型の直方体又は立方体の側面発光型の発光素子の光分布に比較して、中央付近で光強度を顕著に向上させることができる。このことにより、例えば光ファイバーに適した発光素子とすることができる。
この実施形態における発光素子70は、図7に示すように、透光性基板61及び半導体積層体62の構成は、実施形態6における発光素子60と実質的に同じであり、光反射部材が、第4側面F1、F2、F3、F4には形成されておらず、第3側面T1、T2、T3、T4に形成され、第1の凸部61d及び第2の凹部61e側から矢印L方向に光を取り出す構成としている。発光素子70は、第1の凸部61dを有することが必須であり、透光性基板61の、第1主面61aに垂直であり、かつ第3側面T1、T2及び第4側面F1,F2に交差する断面に平行な断面は、第1の凸部61dを含む第1の形状である。さらに、発光素子70は、透光性基板61の第1主面61aに平行する断面が、1つ以上の第2の凸部61fを含む第2の形状である。
発光素子70は、第1の凸部61dのうち最も突出した部分が、半導体積層体62の外縁よりも外側に設けられており、第4側面F1、F2、F3、F4は、第1の凸部61dを構成する1つ以上の面からなる。
つまり、この発光素子60では、第1の凸部61dと、第2の凸部61fとは、同じ方向に向けられている。すなわち、第1の凸部61dと第2の凸部61fとが両方とも、光取り出し面と対面する第4側面F1、F2、F3、F4に設けられている。
この実施形態における発光素子80は、図8に示すように、例えばサファイヤからなる透光性基板81と、第1主面81a上に積層され、活性層(図示せず)を含む半導体積層体82とを備える。
透光性基板81の第1主面81a及び第2主面81bに平行な断面は、第2の凹部81e、81gを備える第2の凹図形であり、第2の凹部81e、81gにそれぞれ対面する第2の凸部81f、81hを有する。例えば、ここでの第2の凹部81eの角度は、225°であり、第2の凹部81gの角度は、225°であり、第2の凸部81fの角度は、135°であり、第2の凸部81hの角度は、135°である。第1主面81a及び第2主面81bに平行な断面は、平行八辺形とすることができ、どの位置の断面も全て同じ形状である。
また、第1主面81aから第2主面81bに向かう方向、つまり、厚み方向及び第1側面Pから第2側面Sに向かう方向において、それぞれ屈曲し、第1の凸部81dを構成し、第3側面T1、T2、T3、T4、T5、T6にそれぞれ平行な6つの第4側面F1、F2、F3、F4、F5、F6を有する。第4側面F1、F2、F3、F4は、第2の凹部81eを構成する面でもあり、第4側面F3、F4、F5、F6は、第2の凹部81gを構成する面でもある。第1主面に垂直であり、かつ第3側面及び第4側面に交差する断面に平行な断面、つまり、第1側面P及び第2側面Sに平行な断面は、第1の凹部81cを有する。
第1の凹部81c及び第1の凸部81dを通る第2主面に平行な面に対して、第3側面T1とT2、T3とT4、T5とT6及び第4側面F1とF2、F3とF4、F5とF6は、略対称に配置されている。
この発光素子80では、第1の凹部81cと、第2の凹部81e、第2の凹部81gとは、異なる方向に向けられている。すなわち、第1の凹部81cは、光取り出し面である第3側面T1、T2、T3、T4、T5、T6に設けられ、第2の凹部81e、第2の凹部81gは、光取出し面に対面する第4側面F1、F2、F3、F4、F5、F6に設けられている。
上述した構成以外は、実質的に実施形態4の発光素子40と同様の構成を有する。
この発光素子80は、従来型の直方体又は立方体の側面発光型の発光素子と比較して、発光素子40のように、第1主面に垂直な方向においては中央付近が光強度が顕著に高く、第1主面に平行な方向においては広い配光となる。
この実施形態における発光素子90は、図9に示すように、透光性基板81及び半導体積層体82の構成は、実施形態8における発光素子80と実質的に同じであり、光反射部材が、第4側面F1、F2、F3、F4、F5、F6には形成されておらず、第3側面T1、T2、T3、T4、T5、T6に形成され、第1の凸部81d、第2の凹部81e及び第2の凹部81g側から矢印L方向に光を取り出す構成としている。発光素子90は、第1の凸部81d、第2の凹部81eを有することが必須であり、透光性基板81の、第1主面81aに垂直であり、かつ第3側面T1、T2及び第4側面F1,F2に交差する断面に平行な断面は、第1の凸部81dを含む第1の形状である。さらに、発光素子90は、透光性基板81の第1主面81aに平行する断面が、1つ以上の第2の凸部81f、81hを含む第2の形状である。
このような構成とすることにより、発光素子90は、従来型の直方体又は立方体の側面発光型の発光素子と比較して、実施形態5の発光素子50のように、第1主面に垂直な方向においては広い配光となり、第1主面に平行な方向の中央付近では、光強度が顕著に高くなる。
この実施形態における発光素子100は、図10に示すように、サファイヤからなる透光性基板101と、第1主面101a上に積層され、活性層(図示せず)を含む半導体積層体102とを備える。
透光性基板101の第1主面101a及び第2主面101bに平行な断面は、第2の凹部101e、101gを備える第2の凹図形であり、第2の凹部101eに対面する第2の凸部101fを有し、さらに、第2の凹部101gに対面する第2の凸部101hを有する。例えば、ここでの第2の凹部101eの角度は、225°であり、第2の凸部101fの角度は、135°である。第2の凹部101gの角度は、225°であり、第2の凸部101hの角度は、135°である。そのような角度とすることで、第1主面101a及び第2主面101bに平行な断面は、全部が平行八辺形であり、どの断面も全て同じ形状とすることができる。
この発光素子100の第1主面101a及び第2主面101bは、いずれも、平面充填可能な形状である。
この発光素子100では、第1の凹部101cと、第2の凹部101e、101gとは、同一方向、光取り出し方向(矢印Lの方向)に向けられている。
上述した構成以外は、実質的に実施形態6の発光素子60等と同様の構成を有する。
この発光素子100は、従来型の直方体又は立方体の側面発光型の発光素子と比較して、発光素子60のように、第1主面に垂直な方向と第1主面に平行な方向の両方において中央付近の光強度が顕著に高くなる。
この実施形態における発光素子110は、図11に示すように、透光性基板101及び半導体積層体102の構成は、実施形態10における発光素子100と実質的に同じであり、光反射部材が、第4側面F1、F2、F3、F4、F5、F6には形成されておらず、第3側面T1、T2、T3、T4、T5、T6に形成され、第1の凸部101d、第2の凹部101f、101h側から矢印L方向に光を取り出す構成としている。発光素子110は、第1の凸部101dを有することが必須であり、透光性基板101の、第1主面101aに垂直であり、かつ第3側面T1、T2及び第4側面F1,F2に交差する断面は、第1の凸部101dを含む第1の形状である。さらに、発光素子110は、透光性基板101の第1主面101aに平行する断面が、1つ以上の第2の凸部101f、101hを含む第2の形状である。
このような構成とすることにより、発光素子110は、従来型の直方体又は立方体の側面発光型の発光素子と比較して、発光素子70のように、第1主面101aに垂直な方向と第1主面101aに平行な方向の両方において広い配光となる。
この実施形態における発光素子120は、図12に示すように、第3側面T1が、曲面状で、1つのみ有する。第1主面に垂直であり、かつ第3側面及び第4側面に交差する断面に平行な断面、つまり、第1側面P及び第2側面Sに平行な断面は、第1の凹部121cを備えている。第1の凹部121cは、丸みを帯びた凹部形状である以外、実質的に実施形態1と同様の構成を有する。これにより、実施形態1と同様の効果を有する。
この実施形態における発光素子130は、図13に示すように、第3側面T1、T2、T3が、曲面を含んで3つ有する。第1主面に垂直であり、かつ第3側面及び第4側面に交差する断面に平行な断面、つまり、第1側面P及び第2側面Sに平行な断面は、第1の凹部131cを備えている。第1の凹部131cは、中央部分に丸みを帯びた小さな凸部がある以外、実質的に実施形態1と同様の構成を有する。これにより、実施形態1と同様の効果を有する。
この実施形態における発光素子140は、図14に示すように、第3側面T1、T2が、曲面を含んで2つ有する。第1主面に垂直であり、かつ第3側面及び第4側面に交差する断面に平行な断面、つまり、第1側面P及び第2側面Sに平行な断面は、第1の凹部141cを有する。第2主面140bに平行な断面は、第2の凹部141eを有する。第1の凹部141cは、丸みを帯びた凹部形状であり、第2の凹部141eは、平面視が、2つの交わる辺で構成されている以外、実質的に実施形態6と同様の構成を有する。これにより、実施形態6と同様の効果を有する。
この実施形態における発光素子150は、図15に示すように、第3側面T1〜T6が、曲面を含んで6つ有する。つまり、第1主面に垂直であり、かつ第3側面及び第4側面に交差する断面、つまり、第1側面P及び第2側面Sに平行な断面は、第1の凹部151cを備える。第2主面150bに平行な断面は、第2の凹部151eを有する。第1の凹部151cは、中央部分に小さな丸みを帯びた凸部があり、第2の凹部151eは、平面視、2つの交わる辺で構成されている以外、実質的に実施形態6と同様の構成を有する。これにより、実施形態6と同様の効果を有する。
この実施形態における発光素子160は、図16に示すように、透光性基板161と、第1主面161a上に積層され、活性層162aを含む半導体積層体162とを備える。
透光性基板161は、第1主面161a及びこの第1主面と反対側の第2主面161bとが第3の凹部161jを有する。第3の凹部161jの角度は、例えば270°とする。
第1側面P及び第2側面Sに平行な断面は、どの位置における断面も全て四角形であるが、その形状及び大きさが異なる。
第1主面161a及び第2主面161bにおいて、第3の凹部161jを通り、第1側面Pと第2側面Sに平行な面に対して、第3側面T1とT2は、略対称に配置する。
透光性基板161は、この第3側面T1、T2に対面する1つの第4側面Fを有する。第4側面Fは、第1主面11a、第2主面11b、第1側面P及び第2側面Sに対して垂直である。
上述した構成以外は、実質的に実施形態1の発光素子10と同様の構成を有する。
この発光素子160は、発光素子10と同様の効果を有する。
この実施形態における発光素子170は、図17に示すように、例えばn型GaNからなる透光性基板171と、この上に積層され、活性層(図示せず)を含む半導体積層体172とが複数交互に積層されて構成されている。ここでは、最端に存在する透光性基板171表面を第1の主面170a、半導体積層体172表面を第2の主面170bとする。
第1の主面170a及び第2の主面170bに平行な断面は、第3の凹部170jを備える第3の凹図形を有し、第3の凹部170jに対面する第3の凸部170kを有する。ここでの第3の凹部170j、第3の凸部170kの角度は、例えば、それぞれ270°、90°である。第1の主面170a及び第2の主面170bに平行な断面は、どの位置における断面も全て平行六辺形である。
第1側面Ps、第2側面Ss及びそれらに平行な断面は、長方形であり、どの位置における断面も全て同じ形状を有する。
さらに、発光素子170は、2つの第3側面Ts1、Ts2にそれぞれ平行な2つの第4側面Fs1、Fs2を有することができる。第4側面Fs1、Fs2は、第3の凸部170kを構成する面であり、第1側面Psから第2側面Ssに向かう方向において屈曲してそれぞれの面を構成している。
第3の凹部170j及び第3の凸部170kを通る第1の主面170aに垂直な面に対して、第3側面Ts1とTs2、第4側面Fs1とFs2は、略対称に配置される。
上述した構成以外は、実質的に実施形態1の発光素子20等と同様の構成を有する。
この発光素子170は、発光素子20と同様の効果を有する。
さらに、活性層が複数積層され、それら全ての活性層から側面方向に光を取り出すことができるため、光吸収を最小限にとどめながら、効率的な光取り出しを実現することができる。
この実施形態における発光素子180は、図18に示すように、例えばn型GaNからなる透光性基板181と、この上に積層され、活性層を含む半導体積層体182とから構成される発光単位を複数積層されている。具体的には、例えば透光性基板181と、この上に積層され、活性層を含む半導体積層体182とが複数交互に積層されて構成されたものとすることができる。ここでは、最端に存在する透光性基板181表面を第1の主面180a、半導体積層体182表面を第2の主面180bとする。
第1の主面180a及び第2の主面180bに平行な断面は、第3の凹部180jを備える第3の凹図形であり、第3の凹部180jに対面する第3の凸部180kを有する。第1の主面180a及び第2の主面180bに平行な断面は、全て平行六辺形である。
さらに、発光素子180は、4つの第3側面Ts1、Ts2、Ts3、Ts4にそれぞれ平行な4つの第4側面Fs1、Fs2、Fs3、Fs4を有する。第4側面Fs1、Fs2、Fs3、Fs4は、第3の凸部180kを構成する面であり、第1側面Psから第2側面Ssに向かう方向及び第1の主面180aから第2の主面180bに向かう方向において屈曲してそれぞれの面を構成している。
第4の凹部180q及び第4の凸部180rを通る第1側面Psに垂直な面に対して、第3側面Ts1とTs3、Ts2とTs4、第4側面Fs1とFs3、Fs2とFs4は、略対称に配置される。
従って、第3の凹部180j及び第4の凹部180q側の第3側面Ts1、Ts2、Ts3、Ts4が光取り出し面となる。
上述した構成以外は、実質的に実施形態6の発光素子60等と同様の構成を有する。
この発光素子180は、発光素子60等と同様の効果を有する。
この実施形態における発光素子190は、図19に示すように、透光性基板191と、この上に積層され、活性層を含む半導体積層体192とが複数交互に積層されて構成されている。ここでは、最端に存在する透光性基板191表面を第1の主面190a、半導体積層体192表面を第2の主面190bとする。
第1の主面190a及び第2の主面190bに平行な断面は、第3の凹部190jを備える第3の凹図形であり、第3の凹部190jに対面する第3の凸部190kを有する。第1の主面190a及び第2の主面190bに平行な断面は、全て平行六辺形である。
さらに、発光素子190は、4つの第3側面Ts1、Ts2、Ts3、Ts4にそれぞれ平行な4つの第4側面Fs1、Fs2、Fs3、Fs4を有する。第4側面Fs1、Fs2、Fs3、Fs4は、第3の凸部190kを構成する面であり、第1側面Psから第2側面Ssに向かう方向及び第1の主面190aから第2の主面190bに向かう方向において屈曲してそれぞれの面を構成している。
第4の凹部190q及び第4の凸部190rを通る第1側面Psに垂直な面に対して、第3側面Ts1とTs3、Ts2とTs4、第4側面Fs1とFs3、Fs2とFs4は、略対称に配置されている。
従って、第3の凹部190j及び第4の凸部190r側の第3側面Ts1、Ts2、Ts3、Ts4が光取り出し面となる。
上述した構成以外は、実質的に実施形態4の発光素子40等と同様の構成を有する。
この発光素子190は、発光素子40等と同様の効果を有する。
この実施形態における発光素子200は、図20に示すように、透光性基板181及び半導体積層体182の構成は、実施形態18における発光素子180と実質的に同じであり、第1光反射部材が、第4側面Fs3、Fs4には形成されておらず、第3側面Ts1、Ts3に形成され、第3の凸部180k及び第4の凸部180r側から矢印L方向に光を取り出す構成としている。
発光素子200においては、第4の凸部180rを有することは必須であり、透光性基板181の主面に平行な断面は、第3の凸部180kを含む第3の形状であり、第4側面Fs3、Fs4は、第3の凸部180kを構成する1つ以上の面からなる。
8a 第2電極
8b 第2パッド電極
9a 第1電極
9b 第1パッド電極
10、20、30、40、50、60、70、80、90、100、110、120、130、140、150、160、170、180、190 発光素子
11、21、41、61、81、101、161、171、181、191 透光性基板
11a、21a、41a、61a、81a、101a 第1主面
11b、21b、42b、61b、81b、101b、161b 第2主面
11c、21c、31c、41c、61c、81c、101c 第1の凹部
21d、41d、61d、81d、101d 第1の凸部
41e、61e、81e、81g、101e、101g、 第2の凹部
11f、61f、81f、81h、101f、101h 第2の凸部
12、22、42、62、82、102、162、172、182、192 半導体積層体
12a、162a 活性層
12b 透光性基板に遠い面
13、14 分離溝
15 粘着シート
16 第1光反射部材
170a、180a、190a 第1の主面
170b、180b、190b 第2の主面
170j、180j、190j 第3の凹部
170k、180k、190k 第3の凸部
180q、190q 第4の凹部
180r、190r 第4の凸部
P 第1側面
S 第2側面
T、T1、T2、T3、T4、T5、T6、Ts1、Ts2、Ts3、Ts4、Ts5、Ts6 第3側面
F、F1、F2、F3、F4、F5、F6、FT1、Fs2、Fs3、Fs4、Fs5、Fs6 第4側面
L 光取り出し方向
Claims (9)
- 第1主面、該第1主面と反対側の第2主面、前記第1主面及び第2主面に隣接する第1側面、該第1側面に対面する第2側面、第2側面に隣接する第3側面及び該第3側面に対面する第4側面を有する透光性基板と、
該透光性基板の第1主面上に積層された半導体積層体と、
前記透光性基板の第1側面、第2側面、第4側面及び第2主面を被覆する第1光反射部材と、
前記半導体積層体の前記透光性基板と反対側の面を被覆する第2光反射部材とを有し、
前記透光性基板は、
前記第1主面に垂直であり、かつ前記第3側面及び第4側面に交差する断面が、第1の凹部を含む第1の凹図形であり、前記第1の凹部のうち最も凹んだ部分が、前記半導体積層体の外縁よりも内側に配置され、
前記第3側面が、前記第1の凹部を構成する1つ以上の面からなり、
前記第1主面に平行する断面が、1つ以上の第2の凹部を含む第2の凹図形であることを特徴とする発光素子。 - 第1主面、該第1主面と反対側の第2主面、前記第1主面及び第2主面に隣接する第1側面、該第1側面に対面する第2側面、第2側面に隣接する第3側面及び該第3側面に対面する第4側面を有する透光性基板と、
該透光性基板の第1主面上に積層された半導体積層体と、
前記透光性基板の第1側面、第2側面、第4側面及び第2主面を被覆する第1光反射部材と、
前記半導体積層体の前記透光性基板と反対側の面を被覆する第2光反射部材とを有し、
前記透光性基板は、
前記第1主面に垂直であり、かつ前記第3側面及び第4側面に交差する断面が、第1の凹部を含む第1の凹図形であり、該第1の凹図形は、平面充填が可能な形状であり、前記第1の凹部のうち最も凹んだ部分が、前記半導体積層体の外縁よりも内側に配置され、
前記第3側面が、前記第1の凹部を構成する1つ以上の面からなることを特徴とする発光素子。 - 前記第1の凹部は、前記第3側面において1つのみ設けられている請求項1または請求項2に記載の発光素子。
- 前記透光性基板の第1主面に平行する断面は、1つ以上の第2の凹部を含む第2の凹図形である請求項2または3に記載の発光素子。
- 前記第2の凹図形は、平面充填が可能な形状である請求項1または4に記載の発光素子。
- 前記第3側面は、前記第1の凹部及び前記第2の凹部を構成する1つ以上の面からなる請求項1、4及び5のいずれか1つに記載の発光素子。
- 前記第4側面は、前記第2の凹部を構成する1つ以上の面からなる請求項1、4及び5のいずれか1つに記載の発光素子。
- 第1主面、該第1主面と反対側の第2主面、前記第1主面及び第2主面に隣接する第1側面、該第1側面に対面する第2側面、第2側面に隣接する第3側面及び該第3側面に対面する第4側面を有する透光性基板と、
該透光性基板の第1主面上に積層された半導体積層体と、
前記透光性基板の第1側面、第2側面、第4側面及び第2主面を被覆する第1光反射部材と、
前記半導体積層体の前記透光性基板と反対側の面を被覆する第2光反射部材とを有し、
前記透光性基板は、前記第1主面に平行な断面が、第3の凹部を含む第3の凹図形であり、
前記第3側面が、前記第3の凹部を構成する1つ以上の面からなることを特徴とする発光素子。 - 透光性基板と半導体積層体を含む発光単位が複数積層された発光素子であって、
前記発光素子は、
第1の主面、前記第1の主面に対面する第2の主面、前記第1の主面に隣接する第1側面、該第1側面に対面する第2側面、第2側面に隣接する第3側面及び該第3側面に対面する第4側面を有し、
前記第1側面、前記第2側面、前記第4側面及び前記第1の主面が、第1光反射部材で被覆され、
前記第2の主面が、第2光反射部材で被覆されており、
前記発光素子の前記第1の主面に平行な断面が、第3の凹部を含む第3の凹図形であり、
前記第3側面が、前記第3の凹部を構成する1つ以上の面からなることを特徴とする発光素子。
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