JP7148816B2 - 発光素子の製造方法 - Google Patents
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- Y02P40/57—Improving the yield, e-g- reduction of reject rates
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Description
(発光素子10)
(基板50)
(半導体構造11)
(透光性導電層13)
(電極3)
(保護膜14)
(発光素子の製造方法)
(半導体層形成工程)
(割断工程)
[実施形態1]
[実施形態2]
[実施形態3]
[実施例1、2;比較例1、2]
[実施例3~7;比較例3]
[実施形態4]
[実施形態5]
3A…n側パッド電極
3B…p側パッド電極
6…n型半導体層
7…p型半導体層
8…活性領域
10、10B…発光素子
11…半導体構造
13…透光性導電層
14…保護膜
18…光取り出し面
20…改質部
21…第一改質部
22…第二改質部
23…第三改質部
26…改質ライン
50…基板
51…第一主面
52…第二主面
LB…レーザ光
CR…亀裂
OF…オリエンテーションフラット面
PC、PC’…割断予定線
PH1…第一ピッチ
PH2…第二ピッチ
PH3…第三ピッチ
VL1、VL1+、VL1-…第一仮想線
VL2…第二仮想線
d1…第二照射におけるオフセット量
d2…第三照射におけるオフセット量
Claims (14)
- 半導体構造を形成した基板の内部にレーザ光を集光させて複数の改質部を形成し、その後、前記基板を割断する発光素子の製造方法であって、
予め設定された割断予定線に沿ってレーザ光を走査し、前記基板の内部に前記割断予定線上に位置する複数の第一改質部と、前記第一改質部から生じる亀裂とを形成させる第一照射を行う工程と、
前記第一照射の後、上面視において前記割断予定線に平行であり前記基板の平面方向に所定量ずらした第一仮想線に沿ってレーザ光を走査し、前記基板の内部に前記第一仮想線上に位置する複数の第二改質部を形成することで前記第一改質部から生じる前記亀裂の伸展を促進させる第二照射を行う工程と、
複数の前記第一改質部を起点として前記基板を割断する工程と、
を含み、
前記第二照射におけるレーザ光のピッチを、前記第一照射におけるレーザ光のピッチよりも狭くしてなる発光素子の製造方法。 - 請求項1に記載の発光素子の製造方法であって、
前記第二照射におけるレーザ光の出力を、前記第一照射におけるレーザ光の出力以上としてなる発光素子の製造方法。 - 半導体構造を形成した基板の内部にレーザ光を集光させて複数の改質部を形成し、その後、前記基板を割断する発光素子の製造方法であって、
予め設定された割断予定線に沿ってレーザ光を走査し、前記基板の内部に前記割断予定線上に位置する複数の第一改質部と、前記第一改質部から生じる亀裂とを形成させる第一照射を行う工程と、
前記第一照射の後、上面視において前記割断予定線に平行であり前記基板の平面方向に所定量ずらした第一仮想線に沿ってレーザ光を走査し、前記基板の内部に前記第一仮想線上に位置する複数の第二改質部を形成することで前記第一改質部から生じる前記亀裂の伸展を促進させる第二照射を行う工程と、
複数の前記第一改質部を起点として前記基板を割断する工程と、
を含み、
前記第二照射におけるレーザ光の出力を、前記第一照射におけるレーザ光の出力より大きくしてなる発光素子の製造方法。 - 請求項1~3のいずれか一項に記載の発光素子の製造方法であって、
前記基板は、サファイアからなる発光素子の製造方法。 - 半導体構造を形成した基板の内部にレーザ光を集光させて複数の改質部を形成し、その後、前記基板を割断する発光素子の製造方法であって、
予め設定された割断予定線に沿ってレーザ光を走査し、前記基板の内部に前記割断予定線上に位置する複数の第一改質部と、前記第一改質部から生じる亀裂とを形成させる第一照射を行う工程と、
前記第一照射の後、上面視において前記割断予定線に平行であり前記基板の平面方向に所定量ずらした第一仮想線に沿ってレーザ光を走査し、前記基板の内部に前記第一仮想線上に位置する複数の第二改質部を形成することで前記第一改質部から生じる前記亀裂の伸展を促進させる第二照射を行う工程と、
複数の前記第一改質部を起点として前記基板を割断する工程と、
を含み、
前記基板は、サファイアからなり、
前記基板は、平面視形状が略円形状であり、周縁の一部に前記基板のA面に平行なオリエンテーションフラット面を有しており、
平面視において、前記オリエンテーションフラット面を手前側に配置した状態における前記手前を下とし、前記下を基準として前記基板に対して上下及び左右を規定したとき、
前記オリエンテーションフラット面を手前側に配置した姿勢から、反時計回りに45°回転させた姿勢で、左右方向に設定された前記割断予定線に対して、レーザ光を右側から左側に向かう第一進行方向に走査して前記第一照射を行った後、
前記第一仮想線を、前記割断予定線よりも下側に設定し、かつレーザ光を左側から右側に向かう第二進行方向に走査させる前記第二照射を行う発光素子の製造方法。 - 半導体構造を形成した基板の内部にレーザ光を集光させて複数の改質部を形成し、その後、前記基板を割断する発光素子の製造方法であって、
予め設定された割断予定線に沿ってレーザ光を走査し、前記基板の内部に前記割断予定線上に位置する複数の第一改質部と、前記第一改質部から生じる亀裂とを形成させる第一照射を行う工程と、
前記第一照射の後、上面視において前記割断予定線に平行であり前記基板の平面方向に所定量ずらした第一仮想線に沿ってレーザ光を走査し、前記基板の内部に前記第一仮想線上に位置する複数の第二改質部を形成することで前記第一改質部から生じる前記亀裂の伸展を促進させる第二照射を行う工程と、
複数の前記第一改質部を起点として前記基板を割断する工程と、
を含み、
前記基板は、サファイアからなり、
前記基板は、平面視形状が略円形状であり、周縁の一部に前記基板のA面に平行なオリエンテーションフラット面を有しており、
平面視において、前記オリエンテーションフラット面を手前側に配置した状態における前記手前を下とし、前記下を基準として前記基板に対して上下及び左右を規定したとき、
前記オリエンテーションフラット面を手前側に配置した姿勢から、反時計回りに45°回転させた姿勢で、上下方向に設定された前記割断予定線に対して、レーザ光を下側から上側に向かう第一進行方向に走査して前記第一照射を行った後、
前記第一仮想線を、前記割断予定線よりも右側に設定し、かつレーザ光を上側から下側に向かう第二進行方向に走査させる前記第二照射を行う発光素子の製造方法。 - 請求項4に記載の発光素子の製造方法であって、
前記基板は、平面視形状が略円形状であり、周縁の一部に前記基板のA面に平行なオリエンテーションフラット面を有しており、
平面視において、前記オリエンテーションフラット面を手前側に配置した状態における前記手前を下とし、前記下を基準として前記基板に対して上下及び左右を規定したとき、
前記オリエンテーションフラット面を手前側に配置した姿勢で、前記オリエンテーションフラット面と垂直な方向に設定された割断予定線に対して前記第一照射を行った後、前記第一仮想線を、前記割断予定線よりも右側の前記オリエンテーションフラット面と垂直な方向に設定して前記第二照射を行う発光素子の製造方法。 - 請求項1~7のいずれか一項に記載の発光素子の製造方法であって、
前記第一仮想線は、前記割断予定線から3μm以上7μm以下ずらした位置としてなる発光素子の製造方法。 - 請求項1~8のいずれか一項に記載の発光素子の製造方法であって、
前記基板の厚み方向において、前記第二照射におけるレーザ光の集光位置を、前記第一照射におけるレーザ光の集光位置と同じとしてなる発光素子の製造方法。 - 請求項1~9のいずれか一項に記載の発光素子の製造方法であって、さらに、
前記第二照射の後であって前記基板を割断する工程の前に、上面視において前記割断予定線に対して前記第一仮想線とは反対側に前記基板の平面方向に所定量ずらした第二仮想線に沿ってレーザ光を走査し、前記基板の内部に前記第二仮想線上に位置する複数の第三改質部を形成する第三照射を行う工程を含む発光素子の製造方法。 - 請求項10に記載の発光素子の製造方法であって、
前記第三照射におけるレーザ光の出力を、前記第一照射におけるレーザ光の出力以上としてなる発光素子の製造方法。 - 請求項10又は11に記載の発光素子の製造方法であって、
前記第二仮想線は、前記割断予定線から3μm以上7μm以下ずらした位置としてなる発光素子の製造方法。 - 請求項10~12のいずれか一項に記載の発光素子の製造方法であって、
前記基板の厚み方向において、前記第三照射におけるレーザ光の集光位置を、前記第一照射におけるレーザ光の集光位置と同じとしてなる発光素子の製造方法。 - 請求項1~13のいずれか一項に記載の発光素子の製造方法であって、
前記基板の厚さを、100μm以上300μm以下としてなる発光素子の製造方法。
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