TW201513206A - 基板處理裝置及基板處理方法 - Google Patents

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Nobuyuki Shibayama
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Abstract

本發明提供可抑制表面周緣部之處理中所使用之處理液進入至元件區域之技術。 基板處理裝置1包括：基板保持部；及周緣部用噴出頭51，其向保持於基板保持部之基板9之表面周緣部噴出流體。周緣部用噴出頭51包括複數個噴嘴50a~50d、及一體地支持複數個噴嘴50a~50d之支持部500。複數個噴嘴50a~50d中，包含向表面周緣部噴出處理液之處理液噴嘴50a、50b、50c、及向表面周緣部噴出氣體之氣體噴嘴50d，氣體噴嘴50d配置於較處理液噴嘴50a、50b、50c更靠基板9之旋轉方向之上游側。

Description

基板處理裝置及基板處理方法
本發明係關於一種對半導體晶圓、液晶顯示裝置用玻璃基板、電漿顯示器用玻璃基板、光碟用基板、磁碟用基板、光磁碟用基板、光罩用玻璃基板、太陽電池用基板等(以下僅稱為「基板」)之表面周緣部實施處理之技術。
一般不太會於基板上形成元件圖案(電路圖案)直至極靠近該基板之端面，於多數情形下，在與基板端面僅相距固定寬度之內側之表面區域形成元件圖案。
然而，於用以形成元件圖案之成膜步驟中，有時膜會形成至形成元件圖案之區域(以下僅稱為「元件區域」)之外側。形成於元件區域外側之膜不僅多餘，而且亦會成為各種故障之原因。例如，形成於元件區域外側之膜有可能會於處理步驟之中途剝落，引起良率下降、基板處理裝置之故障等。
因此，有時進行藉由蝕刻而將形成於元件區域外側之薄膜去除之處理(所謂之斜面蝕刻處理)，且已提出有進行此種處理之裝置(例如參照專利文獻1~6等)。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2008-300454號公報
[專利文獻2]日本專利特開2011-066194號公報
[專利文獻3]日本專利特開2009-070946號公報
[專利文獻4]日本專利特開2006-210580號公報
[專利文獻5]日本專利特開2001-070861號公報
[專利文獻6]日本專利特開2003-264168號公報
於對元件區域外側之表面周緣部進行使用了處理液之處理之情形時，供給至表面周緣部之處理液有可能會進入至元件區域(具體而言，例如處理液自表面周緣部濺起而進入至元件區域)。若處理液進入至元件區域，則元件圖案會產生不良，從而有可能導致良率下降。
本發明係鑒於上述問題而成者，其目的在於提供如下技術，該技術於對基板之表面周緣部實施處理時，可抑制表面周緣部之處理中所使用之處理液進入至元件區域。
第1態樣係一種基板處理裝置，其包括：基板保持部，其使基板保持為水平姿勢，且使該基板圍繞通過其面內中心之鉛垂之旋轉軸而旋轉；及周緣部用噴出頭，其向保持於上述基板保持部之基板之表面周緣部噴出流體；上述周緣部用噴出頭包括：複數個噴嘴；及支持部，其一體地支持上述複數個噴嘴；上述複數個噴嘴中包含：處理液噴嘴，其向上述表面周緣部噴出處理液；及氣體噴嘴，其向上述表面周緣部噴出氣體；上述氣體噴嘴配置得較上述處理液噴嘴靠上述基板之旋轉方向之上游側。
第2態樣係第1態樣之基板處理裝置，將流體自上述複數個噴嘴之各者噴出而到達基板上之位置稱為該噴嘴之目標噴出位置，上述氣 體噴嘴之目標噴出位置較上述處理液噴嘴之目標噴出位置靠基板之中心側。
第3態樣係第1或第2態樣之基板處理裝置，上述周緣部用噴出頭包括複數個上述處理液噴嘴，上述複數個處理液噴嘴中包含：藥液噴嘴，其噴出藥液；及沖淋液噴嘴，其噴出沖淋液。
第4態樣係第3態樣之基板處理裝置，將流體自上述複數個噴嘴之各者噴出而到達基板上之位置稱為該噴嘴之目標噴出位置，上述沖淋液噴嘴之目標噴出位置較上述藥液噴嘴之目標噴出位置靠基板之中心側。
第5態樣係第3或第4態樣之基板處理裝置，上述周緣部用噴出頭包括複數個上述藥液噴嘴，上述複數個藥液噴嘴中包含：第1藥液噴嘴，其噴出酸性藥液；及第2藥液噴嘴，其噴出鹼性藥液；上述沖淋液噴嘴配置於上述第1藥液噴嘴與上述第2藥液噴嘴之間。
第6態樣係第5態樣之基板處理裝置，將流體自上述複數個噴嘴之各者噴出而到達基板上之位置稱為該噴嘴之目標噴出位置，自基板之端面至上述第1藥液噴嘴之目標噴出位置之相隔距離、與自基板之端面至上述第2藥液噴嘴之目標噴出位置之相隔距離相等。
第7態樣係第1至第6中之任一個態樣之基板處理裝置，上述複數個噴嘴中，包含向上述表面周緣部噴出蒸氣之蒸氣噴嘴。
第8態樣係第7態樣之基板處理裝置，上述蒸氣噴嘴配置得較上述處理液噴嘴靠上述基板之旋轉方向之上游側。
第9態樣係第7或第8態樣之基板處理裝置，上述處理液噴嘴中包含噴出藥液之藥液噴嘴，將流體自上述複數個噴嘴之各者噴出而到達基板上之位置稱為該噴嘴之目標噴出位置，自基板之端面至上述蒸氣噴嘴之目標噴出位置之相隔距離、與自基板之端面至上述藥液噴嘴之目標噴出位置之相隔距離相等。
第10態樣係第1至第9中之任一個態樣之基板處理裝置，上述噴嘴包括：噴嘴本體部，其以使下表面成為水平姿勢之方式而支持於上述支持部；噴出口，其於上述噴嘴本體部之上述下表面開口；及流路部，其形成於上述噴嘴本體部之內部，且於下端與上述噴出口連通；上述流路部包括傾斜流路部分，該傾斜流路部分向隨著伸向下方而自上述基板之中心側朝向端面側之斜下方向延伸，且於下端與上述噴出口連通。
第11態樣係第1至第10中之任一個態樣之基板處理裝置，其包括控制部，該控制部對上述基板保持部及上述周緣部用噴出頭進行控制，上述控制部係使上述基板於上述基板保持部旋轉，且自上述處理液噴嘴向上述旋轉之基板之表面周緣部噴出處理液，並且自上述氣體噴嘴向上述表面周緣部噴出氣體。
第12態樣係第11態樣之基板處理裝置，自上述處理液噴嘴噴出之上述處理液為稀釋氫氟酸。
第13態樣係第11態樣之基板處理裝置，自上述處理液噴嘴噴出之上述處理液為沖淋液。
第14態樣係一種基板處理方法，其包括：a)使基板保持為水平姿勢，且使該基板圍繞通過其面內中心之鉛垂之旋轉軸而旋轉之步驟；b)自處理液噴嘴向旋轉之上述基板之表面周緣部噴出處理液之步驟；及c)與上述b)步驟並行地，自配置於較上述處理液噴嘴更靠上述基板之旋轉方向之上游側之氣體噴嘴向上述表面周緣部噴出氣體之步驟。
第15態樣係一種基板處理方法，其包括：a)使基板圍繞通過其面內中心之鉛垂之旋轉軸而旋轉，且向上述基板之表面周緣部噴出第1處理液之步驟；b)於停止噴出上述第1處理液之後，將殘存於上述表面周緣部之上述第1處理液向上述基板之端面側集中，且自上述端面向基板外甩落之步驟；及c)於上述b)步驟之後，一面使上述基板旋 轉，一面向上述表面周緣部噴出第2處理液之步驟。
第16態樣係第15態樣之基板處理方法，上述b)步驟包括：b1)於停止向上述表面周緣部噴出流體之狀態下，使上述基板旋轉之步驟；及b2)向上述基板之表面周緣部噴出氣體之步驟。
第17態樣係第16態樣之基板處理方法，上述b1)步驟中之基板之旋轉速度大於上述a)步驟中之基板之旋轉速度。
第18態樣係第15至第17中之任一個態樣之基板處理方法，其包括d)於進行上述a)步驟、上述b)步驟、及上述c)步驟之期間，向上述基板之表面之中央附近噴出覆蓋氣體之步驟。
第19態樣係第18態樣之基板處理方法，上述b)步驟中之上述覆蓋氣體之噴出量大於上述a)步驟中之上述覆蓋氣體之噴出量。
第20態樣係第15至第19中之任一個態樣之基板處理方法，上述第1處理液為SC-2。
第21態樣係第15至第19中之任一個態樣之基板處理方法，上述第1處理液為沖淋液。
第22態樣係一種基板處理裝置，其包括：基板保持部，其將基板保持為水平姿勢，且使該基板圍繞通過其面內中心之鉛垂之旋轉軸而旋轉；周緣部用噴出頭，其向保持於上述基板保持部之基板之表面周緣部噴出流體；及控制部，其對上述基板保持部及上述周緣部用噴出頭進行控制；上述控制部係於使上述周緣部用噴出頭向藉由上述基板保持部而旋轉之基板之表面周緣部依序噴出第1處理液與第2處理液之情形時，在停止自上述周緣部用噴出頭噴出上述第1處理液之後，且在開始自上述周緣部用噴出頭噴出上述第2處理液之前，於停止自上述周緣部用噴出頭噴出流體之狀態下，使上述基板於上述基板保持部旋轉規定之時間之後，自上述周緣部用噴出頭向上述基板之表面周緣部噴出氣體。
根據第1態樣，氣體噴嘴配置得較處理液噴嘴靠基板之旋轉方向之上游側。根據該構成，可利用自氣體噴嘴噴出之氣體，將在一圈之前由處理液噴嘴供給且未在基板旋轉一圈之期間中被甩落之舊的處理液去除之後，將新的處理液自處理液噴嘴供給至該位置。因此，不易產生如下事態，該事態係指新供給之處理液與表面周緣部上之舊的處理液碰撞而濺起。藉此，抑制表面周緣部之處理中所使用之處理液進入至元件區域。
根據第2態樣，氣體供給至基板之表面周緣部上之較處理液噴出位置靠基板之中心側之位置。根據該構成，可藉由氣體而自基板之中心側向端面側去除供給至表面周緣部之處理液。藉此，可抑制表面周緣部上之處理液進入至元件區域。
根據第3態樣，噴出藥液之藥液噴嘴、與噴出沖淋液之沖淋液噴嘴一體地受到支持。根據該構成，與分別支持各噴嘴之情形相比較，可使裝置構成簡單化且可容易地對準各噴嘴之位置。
根據第4態樣，沖淋液噴出至基板之表面周緣部上之較藥液噴出位置靠基板之中心側之位置。根據該構成，可藉由沖淋液而自基板之中心側向端面側沖走供給至表面周緣部之藥液。因此，可充分地抑制藥液進入至元件區域，且可充分地沖去藥液。
根據第5態樣，噴出沖淋液之沖淋液噴嘴配置於噴出酸性藥液之第1藥液噴嘴、與噴出鹼性藥液之第2藥液噴嘴之間。根據該構成，例如可抑制如下事態之產生，該事態係指自一個藥液噴嘴噴出藥液時所產生之環境氣體與另一個藥液噴嘴內所殘留之藥液發生反應。
根據第6態樣，自基板之端面至第1藥液噴嘴之目標噴出位置之相隔距離、與自基板之端面至第2藥液噴嘴之目標噴出位置之相隔距離相等。因此，可將鹼性藥液噴出至基板之表面周緣部上之酸性藥液 噴出位置。根據該構成，可使各藥液正確地作用於相同區域。
根據第7態樣，周緣部用噴出頭具備噴出蒸氣之蒸氣噴嘴。根據該構成，自蒸氣噴嘴向表面周緣部噴出蒸氣，藉此，可對表面周緣部進行加熱。
根據第8態樣，蒸氣噴嘴配置得較處理液噴嘴靠基板之旋轉方向之上游側。根據該構成，可於利用自蒸氣噴嘴噴出之蒸氣對表面周緣部內之各位置進行加熱之後，將處理液自處理液噴嘴供給至該位置。因此，可促進供給至表面周緣部之處理液與基板之反應。
根據第9態樣，自基板之端面至蒸氣噴嘴之目標噴出位置之相隔距離、與自基板之端面至藥液噴嘴之目標噴出位置之相隔距離相等。因此，可藉由蒸氣對表面周緣部上之藥液噴出位置進行加熱。根據該構成，可有效果地促進供給至表面周緣部之藥液與基板之反應。
根據第10態樣，噴嘴本體部之內部所形成之流路部具備傾斜流路部分，該傾斜流路部分向隨著伸向下方而自基板之中心側朝向端面側之斜下方向延伸，且於下端與噴出口連通。根據該構成，可使自噴嘴向基板之表面周緣部噴出之流體於基板之表面周緣部上，流向基板之外側。
根據第11~14態樣，自處理液噴嘴向旋轉之基板之表面周緣部噴出處理液，並且自配置得較處理液噴嘴靠基板之旋轉方向之上游側之氣體噴嘴向表面周緣部噴出氣體。根據該構成，可於利用自氣體噴嘴噴出之氣體，將在一圈之前由處理液噴嘴供給且未在基板旋轉一圈之期間中被甩落之舊的處理液去除之後，將新的處理液自處理液噴嘴供給至該位置。因此，不易產生如下事態，該事態係指新供給之處理液與表面周緣部上之舊的處理液碰撞而濺起。藉此，抑制表面周緣部之處理中所使用之處理液進入至元件區域。
根據第15態樣，進行如下步驟(甩液步驟)，該步驟(甩液步驟)係 將殘存於表面周緣部之第1處理液向基板之端面側集中，自端面向基板外甩落該第1處理液，因此，向幾乎未殘存有第1處理液之表面周緣部噴出第2處理液。因此，不易產生如下事態，該事態係指噴出之處理液與表面周緣部上之處理液碰撞而濺起。藉此，抑制處理液進入至元件區域。
根據第16態樣，甩液步驟包括如下步驟：於停止向表面周緣部噴出流體之狀態下，使基板旋轉；及向基板之表面周緣部噴出氣體。根據該構成，可於短時間內充分地甩落殘存於表面周緣部之第1處理液。
根據第17態樣，於甩液步驟中，基板以比較高速之旋轉速度旋轉。根據該構成，可於尤其短之時間內甩落殘存於表面周緣部之第1處理液。
根據第18態樣，向基板之表面之中央附近噴出覆蓋氣體，因此，可保護元件區域以不會受到供給至表面周緣部等之處理液之環境氣體等影響。
根據第19態樣，於甩液步驟中，向基板之表面之中央附近噴出比較大量之覆蓋氣體。根據該構成，於甩液處理中，可充分地保護元件區域以不會受到第1處理液之環境氣體等影響。
根據第22態樣，於停止噴出第1處理液之後，且於開始噴出第2處理液之前，在停止自周緣部用噴出頭噴出流體之狀態下，使基板旋轉規定之時間之後，向基板之表面周緣部噴出氣體。根據該構成，向幾乎未殘存有第1處理液之表面周緣部噴出第2處理液。因此，不易產生如下事態，該事態係指噴出之處理液與表面周緣部上之處理液碰撞而濺起。藉此，抑制處理液進入至元件區域。
1‧‧‧基板處理裝置
2‧‧‧旋轉卡盤
3‧‧‧飛散防止部
4‧‧‧表面保護部
5‧‧‧周緣處理部
6‧‧‧液體濺起抑制部
7‧‧‧加熱處理部
8‧‧‧背面處理部
9‧‧‧基板
10‧‧‧基板處理裝置群
11‧‧‧框體
12‧‧‧搬出搬入口
21‧‧‧旋轉基座
22‧‧‧旋轉軸部
23‧‧‧旋轉驅動部
24‧‧‧外殼
25‧‧‧保持構件
31‧‧‧蓋體
32‧‧‧蓋體驅動機構
41‧‧‧覆蓋氣體噴嘴
42、52‧‧‧臂部
43、53‧‧‧噴嘴基台
44、54‧‧‧驅動部
45‧‧‧覆蓋氣體供給部
50‧‧‧噴嘴
50a‧‧‧第1藥液噴嘴
50b‧‧‧第2藥液噴嘴
50c‧‧‧沖淋液噴嘴
50d‧‧‧氣體噴嘴
50m‧‧‧箱形噴嘴
50n‧‧‧內側氣體噴嘴
51、51a‧‧‧周緣部用噴出頭
55‧‧‧周緣部用流體供給部
60‧‧‧防護構件
61、62‧‧‧半圓弧構件
63‧‧‧半圓弧構件驅動部
71‧‧‧蒸氣噴嘴
72‧‧‧蒸氣供給部
81‧‧‧供給管
82‧‧‧背面側噴出口
83‧‧‧背面用處理液供給部
90‧‧‧元件區域
91‧‧‧基板之表面
92‧‧‧基板之背面
93‧‧‧基板之端面
100‧‧‧基板處理系統
110‧‧‧分度器單元
111‧‧‧載體平台
112、121‧‧‧機械手
113、122‧‧‧機械手驅動機構
120‧‧‧處理單元
130‧‧‧控制部
241‧‧‧凸緣狀構件
301‧‧‧上端緣部
311‧‧‧內構件
311a、312c‧‧‧底部
311b‧‧‧內壁部
311c、312d‧‧‧外壁部
311d‧‧‧導引壁
312‧‧‧中構件
312a、313a‧‧‧內周壁部
312b‧‧‧外周壁部
313‧‧‧外構件
451‧‧‧氮氣供給源
452、552a、552b、552c、552d、552f、722、832a、832b、832c、832d‧‧‧配管
453、553a、553b、553c、553d、553e、553f、723、833a、833b、833c、833d‧‧‧開閉閥
500、500a‧‧‧支持部
501、501m、501n‧‧‧噴嘴本體部
502、502m、502n‧‧‧噴出面
503‧‧‧導入流路部
504‧‧‧噴出流路部
505‧‧‧噴出口
506‧‧‧氣體噴出口
507‧‧‧蒸氣噴出口
508‧‧‧內側氣體噴出口
551a‧‧‧酸系藥液供給源
551b‧‧‧鹼系藥液供給源
551c、831d‧‧‧沖淋液供給源
551d‧‧‧氮氣供給源
551e‧‧‧供給源(氣體供給源)
551f‧‧‧供給源(蒸氣供給源)
552e‧‧‧分支配管
601‧‧‧防護構件之內周壁
602‧‧‧防護構件之下表面
603‧‧‧防護構件之外周壁
604‧‧‧防護構件之上表面
605‧‧‧缺口
631‧‧‧升降驅動部
632‧‧‧進退驅動部
721‧‧‧蒸氣供給源
831a‧‧‧SC-1供給源
831b‧‧‧DHF供給源
831c‧‧‧SC-2供給源
901‧‧‧中心層
902‧‧‧下層膜
903‧‧‧上層膜
911‧‧‧基板之表面周緣部
921‧‧‧背面周緣部
3011‧‧‧下表面
3012‧‧‧上表面
5041‧‧‧鉛垂流路部分
5042‧‧‧傾斜流路部分
6051‧‧‧壁面部分
AR9‧‧‧旋轉方向
C‧‧‧載體
CR‧‧‧搬送機器人
d‧‧‧微小寬度
h、m‧‧‧相隔距離
IR‧‧‧基板搬送裝置(移載機器人)
P‧‧‧基板交接位置
Qa、Qb、Qc、Qd、Qe1、Qe2、Qf‧‧‧目標噴出位置
S1~S5、S101~S106、S201~S210、S401~S406、S2031、 S2032‧‧‧步驟
V‧‧‧間隙空間
θ‧‧‧角度(傾斜角度)
圖1係模式性地表示基板處理系統之概略平面圖。
圖2係表示成為處理對象之基板之周緣部附近之剖面圖。
圖3係基板處理裝置之概略立體圖。
圖4係基板處理裝置之概略立體圖。
圖5係用以對基板處理裝置之構成進行說明之模式圖。
圖6係周緣部用噴出頭之立體圖。
圖7係模式性地表示噴嘴前端附近之構成之側剖面圖。
圖8係模式性地表示周緣部用噴出頭所具備之一群噴嘴之目標噴出位置之一例的圖。
圖9係自基板之旋轉方向之下游側觀察周緣部用噴出頭之圖。
圖10係自基板之旋轉方向之下游側觀察周緣部用噴出頭之圖。
圖11係防護構件之立體圖。
圖12係自上方觀察蓋體、防護構件、及周緣部用噴出頭配置於各個處理位置之狀態之平面圖。
圖13係自箭頭K觀察圖12之側剖面圖。
圖14係表示由基板處理裝置執行之動作之整體流程之圖。
圖15係表示預處理之流程之圖。
圖16係用以對預處理進行說明之圖。
圖17係表示表面周緣處理之流程之圖。
圖18係用以對表面周緣處理進行說明之圖。
圖19係表示背面處理等之流程之圖。
圖20係用以對背面處理等進行說明之圖。
圖21係自下側觀察變化例之周緣部用噴出頭之圖。
圖22係模式性地表示變化例之周緣部用噴出頭所具備之一群噴嘴之目標噴出位置的一例之圖。
圖23係自基板之旋轉方向之下游側觀察變化例之周緣部用噴出頭之圖。
以下，一面參照圖式，一面對實施形態進行說明。以下之實施形態係將本發明予以具體化所得之一例，其並非為對本發明之技術範圍進行限定之事例。又，於以下所參照之各圖中，為了易於理解，存在誇張或簡略化地圖示各部分之尺寸或數量之情形。
<1.基板處理系統100> <1-1.構成>
一面參照圖1，一面對基板處理系統100之構成進行說明。圖1係模式性地表示基板處理系統100之概略平面圖。
基板處理系統100係逐塊地連續對複數塊之基板9進行處理之系統。於以下之說明中，基板處理系統100中的設為處理對象之基板9例如為圓形之半導體晶圓。
基板處理系統100包括：並排設置之複數個單元(處理區塊)(具體而言為分度器單元110及處理單元120)、與對上述複數個單元110、120所具備之各動作機構等進行控制之控制部130。
<分度器單元110>
分度器單元110為如下單元，其用以將自裝置外接收之未處理之基板9交給處理單元120，並且將自處理單元120接收之處理完畢之基板9搬出至裝置外。分度器單元110包括：載體平台111，其載置複數個載體C；及基板搬送裝置(移載機器人)IR，其進行針對各載體C之基板9之搬出搬入。
收納有未處理之基板9之載體C自裝置外部，由OHT(Overhead Hoist Transfer，懸吊式天車)等搬入且載置於載體平台111。自載體C逐塊地取出未處理之基板9，且於裝置內進行處理，裝置內的處理已結束之處理完畢之基板9再次被收納至載體C。收納有處理完畢之基板9之載體C藉由OHT等而被搬出至裝置外部。如此，載體平台111作 為集聚未處理之基板9及處理完畢之基板9之基板集聚部而發揮功能。再者，載體C之形態既可為將基板9收納於密閉空間之FOUP(Front Opening Unified Pod，前端開口式整合型晶圓匣)，亦可為SMIF(Standard Mechanical Inter Face，標準機械介面)晶圓匣、或使所收納之基板9暴露於外部氣體之OC(Open Cassette，開放式晶圓盒)。
移載機器人IR包括：機械手112，其自下方支持基板9，藉此以水平姿勢(基板9之主面呈水平之姿勢)保持基板9；及機械手驅動機構113，其驅動機械手112。移載機器人IR自載置於載體平台111之載體C取出未處理之基板9，將該取出之基板9於基板交接位置P交給搬送機器人CR(後述)。又，移載機器人IR於基板交接位置P自搬送機器人CR接收處理完畢之基板9，將該接收之基板9收納至載體平台111上所載置之載體C。
<處理單元120>
處理單元120係用以對基板9進行處理之單元。處理單元120包括：複數個基板處理裝置1、及進行針對上述複數個基板處理裝置1之基板9之搬出搬入之基板搬送裝置(搬送機器人CR)。此處，複數個(例如3個)基板處理裝置1於鉛垂方向上積層而構成一個基板處理裝置群10。而且，複數個(圖示之例子中為4個)基板處理裝置群10以包圍搬送機器人CR之方式而設置為簇狀(穗狀)。
複數個基板處理裝置1各自於內部具備形成處理空間之框體11。於框體11中形成有用以供搬送機器人CR之機械手121***至框體內部之搬出搬入口12，基板處理裝置1係以使該搬出搬入口12與配置有搬送機器人CR之空間相對向之方式配置。關於基板處理裝置1之具體構成，於後文中進行說明。
搬送機器人CR包括：機械手121，其自下方支持基板9，藉此以水平姿勢保持基板9；及機械手驅動機構122，其驅動機械手121。然 而如上所述，搬送機器人CR(具體而言為搬送機器人CR之基台)配置於由複數個基板處理裝置群10包圍之空間之中央。搬送機器人CR自指定之基板處理裝置1取出處理完畢之基板9，將該取出之基板9於基板交接位置P交給移載機器人IR。又，搬送機器人CR於基板交接位置P自移載機器人IR接收未處理之基板9，將該接收之基板9搬送至指定之基板處理裝置1。
<控制部130>
控制部130對移載機器人IR、搬送機器人CR及一群基板處理裝置1之各者進行控制。控制部130之作為硬體之構成可採用與一般之電腦相同之構成。即，控制部130例如包括：進行各種運算處理之CPU(Central Processing Unit，中央處理單元)、記憶基本程式之讀出專用之記憶體即ROM(Read Only Memory，唯讀記憶體)、記憶各種資訊且讀寫自如之記憶體即RAM(Random Access Memory，隨機存取記憶體)、預先記憶有控制用軟體或資料等之磁碟等。於控制部130中，作為主控制部之CPU根據程式中所記述之程序而進行運算處理，藉此，實現對基板處理系統100之各部分進行控制之各種功能部。然而，控制部130所實現之一部分或全部之功能部亦可利用專用之邏輯電路等而以硬體方式實現。
<1-2.動作>
繼而，一面參照圖1，一面對基板處理系統100之整體動作進行說明。於基板處理系統100中，控制部130根據記述有基板9之搬送程序及處理條件等之處理程式(recipe)而對基板處理系統100所具備之各部分進行控制，藉此，執行以下所說明之一系列之動作。
收容有未處理之基板9之載體C載置於載體平台111之後，移載機器人IR自該載體C取出未處理之基板9。繼而，移載機器人IR使保持有未處理之基板9之機械手112移動至基板交接位置P，於基板交接位 置P，將該未處理之基板9交給搬送機器人CR。機械手121上接收了未處理之基板9之搬送機器人CR將該未處理之基板9搬入至處理程式所指定之基板處理裝置1。再者，移載機器人IR與搬送機器人CR之間的基板9之交接既可在機械手112、121之間直接進行，亦可經由設置於基板交接位置P之載置部等而進行。
於搬入有基板9之基板處理裝置1中，對基板9執行規定之處理。關於基板處理裝置1所執行之處理之流程，於後文中進行說明。
於基板處理裝置1中，對於基板9之處理結束之後，搬送機器人CR自基板處理裝置1取出處理完畢之基板9。繼而，搬送機器人CR使保持有處理完畢之基板9之機械手121移動至基板交接位置P，於基板交接位置P，將該處理完畢之基板9交給移載機器人IR。機械手112上接收了處理完畢之基板9之移載機器人IR將該處理完畢之基板9儲存至載體C。
於基板處理系統100中，搬送機器人CR及移載機器人IR根據處理程式而反覆地進行上述搬送動作，並且各基板處理裝置1根據處理程式而對基板9執行處理。藉此，連續地對基板9進行處理。
<2.基板9>
其次，一面參照圖2，一面對基板處理裝置1中的設為處理對象之基板9進行說明。圖2係表示基板9之周緣部附近之剖面圖。
基板處理裝置1中的設為處理對象之基板9例如具備包含矽(Si)之中心層901、成膜於中心層901外側之下層膜902、及成膜於下層膜902外側之上層膜903之三層構造。下層膜902例如為熱氧化膜(Th-SiO2)、或絕緣膜(例如Hf(鉿)膜或氧化Hf膜等)。又，上層膜903例如為障壁金屬膜(例如TiN膜、TaN膜等)、或金屬膜(例如A1膜、W膜、NiSi膜、Cu膜等)。然而，基板處理裝置1中的設為處理對象之基板9例如既可具備中心層901與下層膜902之雙層構造，亦可具備4層以上之構造。
以下，將基板9之主面中的形成元件圖案之面稱為「表面91」。又，將表面91相反側之面稱為「背面92」。進而，將表面91中的形成元件圖案之區域稱為「元件區域90」。又，表面91中的較元件區域90靠外側之周緣區域(具體而言，例如為與基板9之端面93相距微小寬度d(例如d=0.5mm~3.0mm(毫米))之環狀區域)稱為「表面周緣部911」。又，將背面92中的與端面93相距微小寬度d之環狀區域稱為「背面周緣部921」。
基板處理裝置1可將具備如上所述之多層構造之基板9作為處理對象，對其表面周緣部911及背面92進行處理(例如將形成於表面周緣部911及背面92之薄膜去除之處理)。
<3.基板處理裝置1之構成>
一面參照圖3~圖5，一面對基板處理裝置1之構成進行說明。圖3係基板處理裝置1之概略立體圖，其表示了構成防護構件60之半圓弧構件61、62、蓋體31及周緣部用噴出頭51配置於各個避讓位置之狀態。圖4亦係基板處理裝置1之概略立體圖，但此處表示了防護構件60、蓋體31及周緣部用噴出頭51配置於各個處理位置之狀態。圖5係用以對基板處理裝置1之構成進行說明之模式圖。
再者，於以下之說明中，「處理液」中包含藥液處理中所使用之「藥液」、與將藥液沖去之沖淋處理中所使用之「沖淋液」。
基板處理裝置1包括：旋轉卡盤2、飛散防止部3、表面保護部4、周緣處理部5、液體濺起抑制部6、加熱處理部7、及背面處理部8。上述各部分2~8與控制部130電性連接，且根據來自控制部130之指示而進行動作。
<旋轉卡盤2>
旋轉卡盤2係以使基板9之表面91朝向上方之狀態，呈大致水平姿勢地保持基板9之基板保持部，該旋轉卡盤2使該基板9圍繞通過其 表面91之中心的鉛垂之旋轉軸而旋轉。
旋轉卡盤2具備旋轉基座21，該旋轉基座21為稍大於基板9之圓板狀之構件。旋轉軸部22連結於旋轉基座21之下表面中央部。旋轉軸部22係以使其軸線沿著鉛垂方向之姿勢而配置。又，旋轉驅動部(例如馬達)23連接於旋轉軸部22，該旋轉驅動部(例如馬達)23使旋轉軸部22圍繞其軸線而旋轉驅動。旋轉軸部22及旋轉驅動部23收容於筒狀之外殼24內。又，於旋轉基座21之上表面之周緣部附近，隔開適當間隔而設置有複數個(例如6個)保持構件25。保持構件25與基板9之端面93抵接而決定基板9之水平方向之位置，並且於較旋轉基座21之上表面稍高之位置(即，與旋轉基座21之上表面隔開規定之間隔)，呈大致水平姿勢地保持基板9。
對於該構成而言，若於保持構件25將基板9保持於旋轉基座21之上方之狀態下，旋轉驅動部23使旋轉軸部22旋轉，則旋轉基座21會圍繞沿著鉛垂方向之軸心而旋轉，藉此，旋轉基座21上所保持之基板9圍繞通過其面內中心之鉛垂之旋轉軸而旋轉。
然而，保持構件25及旋轉驅動部23與控制部130電性連接，且於控制部130之控制下進行動作。即，於旋轉基座21上保持基板9之時刻、釋放所保持之基板9之時刻、及旋轉基座21之旋轉態樣(具體而言為旋轉開始時刻、旋轉結束時刻、旋轉數(即旋轉速度)等)由控制部130控制。
<飛散防止部3>
飛散防止部3阻擋自保持於旋轉基座21且旋轉之基板9飛散出之處理液等。
飛散防止部3具備蓋體31。蓋體31係上端開放之筒形狀之構件，且以包圍旋轉卡盤2之方式設置。於該實施形態中，蓋體31例如包含內構件311、中構件312、及外構件313該3個構件。
內構件311係上端開放之筒形狀之構件，且包括：圓環狀之底部311a；圓筒狀之內壁部311b，其自底部311a之內側緣部向上方延伸；圓筒狀之外壁部311c，其自底部311a之外側緣部向上方延伸；及圓筒狀之導引壁311d，其豎立設置於內壁部311b與外壁部311c之間。導引壁311d自底部311a向上方延伸，上端部附近向內側上方彎曲。內壁部311b之至少前端附近收容於旋轉卡盤2之外殼24中所設置之凸緣狀構件241的內側空間。
於底部311a中形成與如下空間連通之排液槽(圖示省略)，該空間為內壁部311b與導引壁311d之間的空間。該排液槽與工場之排液管線連接。又，排氣排液機構連接於該排液槽，該排氣排液機構強制地對槽內進行排氣，使內壁部311b與導引壁311d之間的空間成為負壓狀態。內壁部311b與導引壁311d之間的空間係用以收集排出基板9之處理中所使用之處理液之空間，收集至該空間之處理液自排液槽排出。
又，於底部311a中形成與如下空間連通之第1回收槽(圖示省略)，該空間為導引壁311d與外壁部311c之間的空間。第1回收槽與第1回收罐連接。又，排氣排液機構連接於該第1回收槽，該排氣排液機構強制地對槽內進行排氣，使導引壁311d與外壁部311c之間的空間成為負壓狀態。導引壁311d與外壁部311c之間的空間係用以收集回收基板9之處理中所使用之處理液之空間，收集至該空間之處理液經由第1回收槽而被回收至第1回收罐。
中構件312係上端開放之筒形狀之構件，且設置於內構件311之導引壁311d之外側。中構件312之上部向內側上方彎曲，其上端緣部沿著導引壁311d之上端緣部彎折。
於中構件312之下部，形成沿著內周面向下方延伸之內周壁部312a、與沿著外周面向下方延伸之外周壁部312b。內周壁部312a係於內構件311與中構件312靠近之狀態(圖5所示之狀態)下，收容於內構 件311之導引壁311d與外壁部311c之間。又，外周壁部312b之下端附著設置於圓環狀之底部312c之內側緣部。自底部312c之外側緣部豎立設置向上方延伸之圓筒狀之外壁部312d。
於底部312c中形成與如下空間連通之第2回收槽(圖示省略)，該空間為外周壁部312b與外壁部312d之間的空間。第2回收槽與第2回收罐連接。又，排氣排液機構連接於該第2回收槽，該排氣排液機構強制地對槽內進行排氣，使外周壁部312b與外壁部312d之間的空間成為負壓狀態。外周壁部312b與外壁部312d之間的空間係用以收集回收基板9之處理中所使用之處理液之空間，收集至該空間之處理液經由第2回收槽而被回收至第2回收罐。
外構件313係上端開放之筒形狀之構件，且設置於中構件312之外側。外構件313之上部向內側上方彎曲，其上端緣部301於較中構件312之上端緣部及內構件311之上端緣部稍靠內方處，向下方彎折。於內構件311、中構件312、及外構件313靠近之狀態(圖5所示之狀態)下，中構件312之上端緣部及內構件311之上端緣部由外構件313之已彎折之部分覆蓋。
於外構件313之下部，以沿著內周面向下方延伸之方式而形成內周壁部313a。內周壁部313a係於中構件312與外構件313靠近之狀態(圖5所示之狀態)下，收容於中構件312之外周壁部312b與外壁部312d之間。
使蓋體31升降移動之蓋體驅動機構32配設於蓋體31。蓋體驅動機構32例如包含步進馬達。於該實施形態中，蓋體驅動機構32使蓋體31所具備之3個構件311、312、313獨立地升降。
內構件311、中構件312、及外構件313之各者由蓋體驅動機構32驅動而於上方位置與下方位置之間移動。此處，各構件311、312、313之上方位置係該構件311、312、313之上端緣部配置於旋轉基座21 上所保持之基板9之側方的位置。另一方面，各構件311、312、313之下方位置係該構件311、312、313之上端緣部配置於較旋轉基座21之上表面靠下方處的位置。然而，蓋體驅動機構32與控制部130電性連接，且於控制部130之控制下進行動作。即，蓋體31之位置(具體而言為內構件311、中構件312、及外構件313各自之位置)由控制部130控制。
以下，將外構件313配置於下方位置之狀態(即，內構件311、中構件312、及外構件313均配置於下方位置之狀態)稱為「蓋體31處於避讓位置」。於旋轉基座21上未保持有基板9之期間，蓋體31配置於避讓位置。即，於旋轉基座21上未保持有基板9之期間，蓋體31配置於如下位置，於該位置，上端緣部(即，外構件313之上端緣部)301到達較旋轉基座21之上表面靠下方處。
另一方面，以下，將外構件313配置於上方位置之狀態稱為「蓋體31處於處理位置」。處於處理位置之蓋體31之上端緣部(即，外構件313之上端緣部301)配置於旋轉基座21上所保持之基板9之側方。然而，「蓋體31處於處理位置」之狀態中包含以下之3種狀態。第1狀態係內構件311、中構件312、及外構件313均配置於上方位置之狀態(圖5所示之狀態)。於該狀態下，自保持於旋轉卡盤2之基板9飛散出之處理液被收集至內構件311之內壁部311b與導引壁311d之間的空間，且自排液槽被排出。第2狀態係內構件311配置於下方位置，且中構件312及外構件313配置於上方位置之狀態。於該狀態下，自保持於旋轉卡盤2之基板9飛散出之處理液被收集至內構件311之導引壁311d與外壁部311c之間的空間，且被回收至第1回收罐。第3狀態係內構件311及中構件312配置於下方位置，且外構件313配置於上方位置之狀態。於該狀態下，自保持於旋轉卡盤2之基板9飛散出之處理液被收集至中構件312之外周壁部312b與外壁部312d之間的空間，且被回收至第2回 收罐。
<表面保護部4>
表面保護部4對旋轉基座21上所保持之基板9之表面91之中央附近供給氣體(覆蓋氣體)，從而保護元件區域90以不會受到供給至表面周緣部911等之處理液之環境氣體等影響。
表面保護部4具備覆蓋氣體噴嘴41，該覆蓋氣體噴嘴41向旋轉基座21上所保持之基板9之表面91之中央附近噴出氣體。覆蓋氣體噴嘴41安裝於水平地延伸之臂部42之前端部。又，臂部42之基端部連結於噴嘴基台43。噴嘴基台43係以使其軸線沿著鉛垂方向之姿勢而配置，臂部42之基端部連結於噴嘴基台43之上端。
於噴嘴基台43上，配設有驅動覆蓋氣體噴嘴41之驅動部44。驅動部44例如包含使噴嘴基台43圍繞其軸線旋轉之旋轉驅動部(例如伺服馬達)、與使噴嘴基台43沿著其軸線伸縮之升降驅動部(例如步進馬達)。驅動部44使噴嘴基台43轉動之後，覆蓋氣體噴嘴41沿著水平面內之圓弧軌道移動，驅動部44使噴嘴基台43伸縮之後，覆蓋氣體噴嘴41於與基板9靠近分離之方向上移動。
覆蓋氣體噴嘴41受到驅動部44驅動而於處理位置與避讓位置之間移動。此處，覆蓋氣體噴嘴41之處理位置係旋轉基座21上所保持之基板9上方之位置，並且係與表面91之中央附近相對向且以非接觸狀態靠近表面91之位置。另一方面，覆蓋氣體噴嘴41之避讓位置係不干涉基板9之搬送路徑之位置，例如自上方觀察，該覆蓋氣體噴嘴41之避讓位置係較蓋體31之上端緣部301靠外側之位置。又，驅動部44與控制部130電性連接，且於控制部130之控制下進行動作。即，覆蓋氣體噴嘴41之位置由控制部130控制。
覆蓋氣體供給部45連接於覆蓋氣體噴嘴41，該覆蓋氣體供給部45係將氣體(此處例如為氮(N2)氣)供給至覆蓋氣體噴嘴41之配管系 統。具體而言，覆蓋氣體供給部45具備如下構成：例如供給氮氣之供給源即氮氣供給源451經由插設有開閉閥453之配管452而連接於覆蓋氣體噴嘴41。對於該構成而言，開閉閥453開放之後，氮氣供給源451所供給之氮氣自覆蓋氣體噴嘴41噴出。再者，供給至覆蓋氣體噴嘴41之氣體亦可為氮氣以外之氣體(例如氮氣以外之各種惰性氣體、乾燥空氣等)。
於覆蓋氣體噴嘴41配置於處理位置之狀態下，氣體自覆蓋氣體供給部45供給至覆蓋氣體噴嘴41之後，自覆蓋氣體噴嘴41向旋轉基座21上所保持之基板9之表面91之中央附近噴出氣體(覆蓋氣體)。然而，覆蓋氣體供給部45之開閉閥453與控制部130電性連接，且於控制部130之控制下開閉。即，來自覆蓋氣體噴嘴41之氣體之噴出態樣(具體而言為噴出開始時刻、噴出結束時刻、噴出流量等)由控制部130控制。
<周緣處理部5>
周緣處理部5對旋轉基座21上所保持之基板9之表面周緣部911進行處理。
<i.整體構成>
周緣處理部5具備周緣部用噴出頭51，該周緣部用噴出頭51向旋轉基座21上所保持之基板9之表面周緣部911噴出流體(此處為處理液及氣體)。周緣部用噴出頭51安裝於水平地延伸之臂部52之前端部。又，臂部52之基端部連結於噴嘴基台53。噴嘴基台53係以使其軸線沿著鉛垂方向之姿勢而配置，臂部52之基端部連結於噴嘴基台53之上端。
於噴嘴基台53上，配設有驅動周緣部用噴出頭51之驅動部54。驅動部54例如包含使噴嘴基台53圍繞其軸線旋轉之旋轉驅動部(例如伺服馬達)、與使噴嘴基台53沿著其軸線伸縮之升降驅動部(例如步進 馬達)。驅動部54使噴嘴基台53轉動時，周緣部用噴出頭51沿著水平面內之圓弧軌道移動，驅動部54使噴嘴基台53伸縮時，周緣部用噴出頭51於與基板9靠近分離之方向上移動。
周緣部用噴出頭51受到驅動部54驅動而於處理位置與避讓位置之間移動。此處，周緣部用噴出頭51之處理位置為如下位置(圖4所示之位置)，該位置處於旋轉基座21上所保持之基板9之上方，與表面周緣部911相對向，且以非接觸狀態靠近表面周緣部911。然而，於周緣部用噴出頭51配置於處理位置之狀態下，成為如下狀態，即，周緣部用噴出頭51之至少一部分收容於後述之防護構件60之內周壁601中所形成之缺口605內。另一方面，周緣部用噴出頭51之避讓位置係不干涉基板9之搬送路徑之位置，例如自上方觀察，該周緣部用噴出頭51之避讓位置係較蓋體31之上端緣部301更靠外側之位置(圖3所示之位置)。又，驅動部54與控制部130電性連接，且於控制部130之控制下進行動作。即，周緣部用噴出頭51之位置由控制部130控制。
流體供給部55連接於周緣部用噴出頭51，該流體供給部55係將流體(具體而言為處理液及氣體)供給至該周緣部用噴出頭51之配管系統。具體而言，流體供給部55係例如將酸系藥液供給源551a、鹼系藥液供給源551b、沖淋液供給源551c、氮氣供給源551d、複數根配管552a、552b、552c、552d、及複數個開閉閥553a、553b、553c、553d加以組合而構成。
酸系藥液供給源551a係供給酸性藥液之供給源。此處，酸系藥液供給源551a例如可選擇性地供給稀釋後之氫氟酸(稀氫氟酸)(以下表示為「DHF」)、與鹽酸過氧化氫水(即，鹽酸(HCl)、過氧化氫(H2O2)及純水(DIW：脫離子水)以規定之比率混合而成之藥液，以下表示為「SC-2」)。酸系藥液供給源551a經由插設有開閉閥553a之配管552a而連接於周緣部用噴出頭51(更具體而言為後述之「第1藥液噴嘴 50a」)。因此，開閉閥553a開放時，酸系藥液供給源551a所供給之酸性藥液(DHF或SC-2)自第1藥液噴嘴50a噴出。然而，酸系藥液供給源551a不一定限於選擇性地供給DHF及SC-2。例如，酸系藥液供給源551a亦可供給DHF、SC-2、BDHF(緩衝氫氟酸)、HF(氫氟酸)、鹽酸、硫酸、硝酸、磷酸、乙酸、草酸及該等酸之混合溶液等中的至少一種藥液。
鹼系藥液供給源551b係供給鹼性藥液之供給源。此處，鹼系藥液供給源551b例如可供給氨過氧化氫水(即，氫氧化銨(NH4OH)、過氧化氫(H2O2)及純水以規定之比率混合而成之藥液，以下表示為「SC-1」)。鹼系藥液供給源551b經由插設有開閉閥553b之配管552b而連接於周緣部用噴出頭51(更具體而言為後述之「第2藥液噴嘴50b」)。因此，開閉閥553b開放之後，鹼系藥液供給源551b所供給之鹼性藥液(SC-1)自第2藥液噴嘴50b噴出。再者，較佳為將鹼系藥液供給源551b所供給之SC-1之溫度調整至例如60℃~80℃。然而，鹼系藥液供給源551b亦可供給SC-1以外之藥液(例如氨之水溶液等)。
沖淋液供給源551c係供給沖淋液之供給源。此處，沖淋液供給源551c例如供給溶融有二氧化碳(CO2)之純水(碳酸水)作為沖淋液。沖淋液供給源551c經由插設有開閉閥553c之配管552c而連接於周緣部用噴出頭51(更具體而言為後述之「沖淋液噴嘴50c」)。因此，開閉閥553c開放之後，沖淋液供給源551c所供給之沖淋液自沖淋液噴嘴50c噴出。再者，作為沖淋液，亦可使用純水、溫水、臭氧水、磁化水、還原水(氫水)、各種有機溶劑(離子水、IPA(Isopropyl Alcohol，異丙醇)、功能水等。
氮氣供給源551d係供給氣體(此處例如為氮(N2)氣)之供給源。氮氣供給源551d經由插設有開閉閥553d之配管552d而連接於周緣部用噴出頭51(更具體而言為後述之「氣體噴嘴50d」)。因此，開閉閥553d 開放之後，氮氣供給源551d所供給之氮氣自氣體噴嘴50d噴出。然而，氮氣供給源551d亦可供給氮氣以外之氣體(例如氮氣以外之各種惰性氣體、乾燥空氣等)。
於周緣部用噴出頭51配置於處理位置之狀態下，處理液(酸性藥液(DHF或SC-2)、鹼性藥液(SC-1)、或沖淋液)自流體供給部55供給至周緣部用噴出頭51之後，自周緣部用噴出頭51向旋轉基座21上所保持之基板9之表面周緣部911噴出該處理液。又，於周緣部用噴出頭51配置於處理位置之狀態下，氣體自流體供給部55供給至周緣部用噴出頭51之後，自周緣部用噴出頭51向旋轉基座21上所保持之基板9之表面周緣部911噴出氣體。又，流體供給部55所具備之開閉閥553a、553b、553c、553d各自與控制部130電性連接，且於控制部130之控制下開閉。即，來自周緣部用噴出頭51之流體之噴出態樣(具體而言為噴出之流體之種類、噴出開始時刻、噴出結束時刻、噴出流量等)由控制部130控制。
<ii.周緣部用噴出頭51>
此處，一面參照圖6，一面更具體地對周緣部用噴出頭51進行說明。圖6係周緣部用噴出頭51之立體圖。再者，為了便於說明，於圖6中省略了防護構件60及蓋體31之圖示。
周緣部用噴出頭51包括：複數個(此處為4個)噴嘴50a~50d、與一體地支持上述複數個噴嘴50a~50d之支持部500。
周緣部用噴出頭51所具備之一群噴嘴50a~50d中，包含向表面周緣部911噴出處理液之一個以上之(此處為3個)噴嘴(以下亦稱為「處理液噴嘴」)50a、50b、50c、與向表面周緣部911噴出氣體(此處為氮氣)之噴嘴(以下亦稱為「氣體噴嘴」)50d。尤其，該周緣部用噴出頭51包括噴出藥液之2個噴嘴(以下亦稱為「藥液噴嘴」)50a、50b、與噴出沖淋液之噴嘴(以下亦稱為「沖淋液噴嘴」)50c作為處理液噴嘴 50a、50b、50c。尤其，該周緣部用噴出頭51包括噴出酸性藥液之噴嘴(以下亦稱為「第1藥液噴嘴」)50a、與噴出鹼性藥液之噴嘴(以下亦稱為「第2藥液噴嘴」)50b作為藥液噴嘴50a、50b。
一體地支持一群噴嘴50a~50d之支持部500固定於上述臂部52。自上方觀察，支持部500係呈沿著表面周緣部911之弧狀地彎曲之構件，一群噴嘴50a~50d沿著呈弧狀地彎曲之支持部500之延伸方向排列。因此，於周緣部用噴出頭51配置於處理位置之狀態下，成為如下狀態，即，一群噴嘴50a~50d沿著基板9之表面周緣部911排列。此時，沿著基板9之旋轉方向AR9，自上游側起依照氣體噴嘴50d、第1藥液噴嘴50a、沖淋液噴嘴50c、第2藥液噴嘴50b之順序排列。
即，於該周緣部用噴出頭51中，氣體噴嘴50d配置得較處理液噴嘴50a、50b、50c靠基板9之旋轉方向AR9之上游側。因此，旋轉之基板9之表面周緣部911內之各位置首先通過氣體噴嘴50d之下方，其後通過處理液噴嘴50a、50b、50c之下方。根據該構成，可於將新的處理液自處理液噴嘴50a、50b、50c供給至旋轉之基板9之表面周緣部911內的各位置之前，先將氣體自氣體噴嘴50d供給至該位置(即，噴射氣體)。
根據基板9之表面狀態等，存在如下舊的處理液附著於已到達周緣部用噴出頭51下方之表面周緣部911內的各位置之情形，該舊的處理液係在一圈之前由處理液噴嘴50a、50b、50c供給且未在基板9旋轉一圈之期間中被甩落之處理液。即使於此種情形時，亦可於利用自氣體噴嘴50d噴出之氣體而將該舊的處理液去除之後，自處理液噴嘴50a、50b、50c供給新的處理液。根據該構成，不易產生如下事態，該事態係指新供給至表面周緣部911內之各位置之處理液與舊的處理液碰撞而濺起。藉此，可抑制處理液進入至元件區域90。又，根據該構成，總是可使新鮮之處理液作用於基板9，藉此可提高處理效率。 又，若於殘存有舊的藥液之情形下，進一步供給新的處理液，則保持於表面周緣部911內之各位置之處理液之量會暫時增多，若設為在利用氣體去除舊的藥液之後，供給新的處理液之構成，則不易產生如下狀況，該狀況係指大量之處理液暫時保持於表面周緣部911內之各位置。其結果，可使處理液起作用之區域之尺寸穩定。例如，可使蝕刻用之藥液起作用之區域之尺寸，即自端面93向基板9之內側進行蝕刻去除之寬度(以下僅稱為「蝕刻寬度」)穩定，從而可提高蝕刻寬度之控制精度。
又，根據其他見解，於該周緣部用噴出頭51中，處理液噴嘴50a、50b、50c配置得較氣體噴嘴50d靠基板9之旋轉方向AR9之下游側。因此，旋轉之基板9之表面周緣部911內之各位置通過處理液噴嘴50a、50b、50c之下方之後，在基板9大致旋轉一圈之後，到達氣體噴嘴50d之下方。根據該構成，自處理液噴嘴50a、50b、50c供給至表面周緣部911上之各位置之處理液的至少一部分在基板9大致旋轉一圈之期間，持續停留於表面周緣部911上，因此，可使處理液充分地作用於表面周緣部911內之各位置。
又，於周緣部用噴出頭51中，噴出沖淋液之沖淋液噴嘴50c配置於噴出酸性藥液之第1藥液噴嘴50a、與噴出鹼性藥液之第2藥液噴嘴50b之間。根據該構成，例如可抑制如下事態之產生，該事態係指自一個藥液噴嘴噴出藥液時所產生之環境氣體與另一個藥液噴嘴內所殘留之藥液發生反應。具體而言，例如可抑制如下事態之產生，該事態係指第1藥液噴嘴50a噴出酸性藥液時所產生之環境氣體與第2藥液噴嘴50b內所殘留之鹼性藥液發生反應，或第2藥液噴嘴50b噴出鹼性藥液時所產生之環境氣體與第1藥液噴嘴50a內所殘留之酸性藥液發生反應。
<iii.噴嘴50>
其次，一面參照圖7，一面說明周緣部用噴出頭51所具備之一群噴嘴50a~50d各自之構成。一群噴嘴50a~50d各自具備大致相同之構成，以下於不對該等噴嘴50a~50d加以區分之情形時，亦僅稱為「噴嘴50」。圖7係模式性地表示噴嘴50之前端附近之構成之側剖面圖。
噴嘴50具備噴嘴本體部501，該噴嘴本體部501呈下端變細之長條棒狀之外形。噴嘴本體部501係以使其軸方向沿著鉛垂方向，且其下表面(以下亦稱為「噴出面」)502成為水平姿勢之方式而支持於支持部500。因此，於周緣部用噴出頭51配置於處理位置之狀態下，噴出面502以與旋轉基座21上所保持之基板9之表面91平行之姿勢，以非接觸狀態靠近表面周緣部911。然而，於該狀態中，噴出面502與表面周緣部911之相隔距離m足夠小(例如m=1mm左右)。
於噴嘴本體部501之內部，形成導入流路部503、及與該導入流路部503之下端連通之噴出流路部504。上述配管552a、552b、552c、552d中之任一根配管連接於導入流路部503之上端。又，噴出流路部504之下端與在噴出面502中開口之噴出口505連通。噴出口505例如為圓形之貫通孔，其直徑小於圖2中的自基板9之端面93算起之微小寬度d，且例如為0.6mm。因此，配管所供給之流體首先保持於導入流路部503，流入至噴出流路部504而自噴出口505噴出。
噴出流路部504呈於中途彎折之形狀。具體而言，噴出流路部504包括：鉛垂流路部分5041、及與該鉛垂流路部分5041相連之傾斜流路部分5042。鉛垂流路部分5041與噴嘴本體部501之軸方向平行地延伸，且於下端與傾斜流路部分5042連通。傾斜流路部分5042向隨著伸向下方而自基板9之內側(基板9之中心側)朝向外側(端面93側)之斜下方向延伸，且於下端與噴出口505連通。
於該噴嘴50中，經由傾斜地延伸之傾斜流路部分5042而自噴出口505噴出流體，因此，可使自噴嘴50向基板9之表面周緣部911噴出 之流體於表面周緣部911上，流向基板9之外側。因此，例如於自噴嘴50向表面周緣部911噴出處理液之情形時，可抑制該處理液流入至元件區域90，並且可使處理液起作用之區域之尺寸(例如蝕刻用之藥液起作用之區域之尺寸，即蝕刻寬度)穩定，從而可提高該尺寸之控制精度。又，例如於自噴嘴50向表面周緣部911噴出氣體之情形時，可於表面周緣部911上形成朝向基板9之外側之氣流。可藉由該氣流而向基板9之外側吹走表面周緣部911上之處理液或處理液之薄霧。
尤其，並非該噴嘴50之噴嘴本體部501本身以傾斜姿勢支持於支持部500，而是噴嘴本體部501之內部所形成之噴出流路部504之一部分即傾斜流路部分5042傾斜。若於噴嘴本體部之內部，形成沿著其軸方向筆直地延伸之流路，且將噴嘴本體部本身設為傾斜姿勢，則噴出面會成為相對於水平面傾斜之姿勢。於該情形時，處理液容易滯留於噴出面最下端之附近，存在導致該滯留之處理液滴下(滴落)至基板9上之虞。於基板9上的較原本應被供給處理液之位置靠內側(基板9之中心側)之位置產生此種處理液之滴落，因此，即使利用自氣體噴嘴50d噴出之氣體，亦難以去除該處理液。相對於此，如該實施形態般，根據使噴嘴本體部501之內部所形成之噴出流路部504之一部分傾斜而非使噴嘴本體部501傾斜之構成，可使噴出面502為水平姿勢，因此，不易產生此種處理液之滴落。
再者，為了使處理液起作用之區域之寬度(例如，蝕刻用之藥液起作用之蝕刻寬度)之控制精度提高，傾斜流路部分5042之延伸方向與水平面所成之角度(傾斜角度)θ較佳為45度以上，更佳為60度以上。
<iv.目標噴出位置>
將流體自周緣部用噴出頭51所具備之一群噴嘴50a~50d之各者噴出而到達基板9上之到達位置稱為該噴嘴之「目標噴出位置」。以下， 一面參照圖8~圖10，一面對一群噴嘴50a~50d各自之目標噴出位置Qa~Qd進行說明。圖8係模式性地表示各噴嘴50a~50d之目標噴出位置之一例之圖。圖9、圖10係自基板9之旋轉方向AR9之下游側觀察周緣部用噴出頭51之圖。然而，圖9中表示了自周緣部用噴出頭51噴出藥液與氣體之狀態，圖10中表示了自周緣部用噴出頭51噴出沖淋液與氣體之狀態。
周緣部用噴出頭51所具備之一群噴嘴50a~50d各自之目標噴出位置Qa~Qd成為於基板9之直徑方向上彼此錯開之位置。即，氣體噴嘴50d之目標噴出位置Qd較處理液噴嘴50a、50b、50c之目標噴出位置Qa、Qb、Qc靠基板9之直徑方向內側(中心側)。進而，沖淋液噴嘴50c之目標噴出位置Qc較藥液噴嘴50a、50b之目標噴出位置Qa、Qb靠基板9之直徑方向內側。而且，第1藥液噴嘴50a之目標噴出位置Qa、與第2藥液噴嘴50b之目標噴出位置Qb設為直徑方向上之相同位置。然而，所謂「直徑方向上之相同位置」，係指與基板9之端面93相隔之相隔距離彼此相等之位置(即，與基板9之中心相隔之相隔距離相等之位置)。即，此處，自基板9之端面93至第1藥液噴嘴50a之目標噴出位置Qa之相隔距離、與自基板9之端面93至第2藥液噴嘴50b之目標噴出位置Qb之相隔距離相等。
作為一例，第1藥液噴嘴50a之目標噴出位置Qa及第2藥液噴嘴50b之目標噴出位置Qb均為與基板9之端面93僅相隔1.0mm之內側之位置。又，氣體噴嘴50d之目標噴出位置Qd為與藥液噴嘴50a、50b之目標噴出位置Qa、Qb相比較，進而與基板9相隔0.5mm之內側之位置。又，沖淋液噴嘴50c之目標噴出位置Qc為與基板9之端面93相隔1.0mm~0.5mm之範圍內之位置。
各噴嘴50a、50b、50c、50d係以可噴出流體而使該流體到達各個目標噴出位置Qa、Qb、Qc、Qd之方式，配置於在基板9之直徑方向 上彼此錯開之位置，且支持於支持部500。即，氣體噴嘴50d配置得較處理液噴嘴50a、50b、50c靠基板9之直徑方向內側，且支持於支持部500。又，沖淋液噴嘴50c配置得較藥液噴嘴50a、50b靠基板9之直徑方向內側，且支持於支持部500。又，第1藥液噴嘴50a與第2藥液噴嘴50b配置於直徑方向上之相同位置，且支持於支持部500。再者，各噴嘴50a、50b、50c、50d之配置上之彼此錯開量係根據上述傾斜流路部分5042之角度，以使流體到達各個目標噴出位置Qa、Qb、Qc、Qd之方式而設定。
於該周緣部用噴出頭51中，氣體噴嘴50d之目標噴出位置Qd較處理液噴嘴50a、50b、50c之目標噴出位置Qa、Qb、Qc靠基板9之直徑方向內側，因此，氣體供給至基板9之表面周緣部911上之較處理液噴出位置靠內側之位置。根據該構成，可藉由氣體而自基板9之內側向外側吹走供給至表面周緣部911之處理液。藉此，可抑制表面周緣部911上之處理液進入至元件區域90，並且可使處理液起作用之區域之尺寸(例如，蝕刻用之藥液起作用之區域之尺寸，即蝕刻寬度)穩定，從而可提高該尺寸之控制精度。
又，於該周緣部用噴出頭51中，沖淋液噴嘴50c之目標噴出位置Qc較藥液噴嘴50a、50b之目標噴出位置Qa、Qb靠基板9之直徑方向內側，因此，沖淋液被噴出至基板9之表面周緣部911上之較藥液噴出位置靠內側之位置。根據該構成，可藉由沖淋液而自基板9之內側向外側沖走供給至表面周緣部911之藥液。藉此，可充分地抑制藥液進入至元件區域90，且可不殘留藥液殘渣而充分地將藥液沖去。
又，於該周緣部用噴出頭51中，第1藥液噴嘴50a之目標噴出位置Qa與第2藥液噴嘴50b之目標噴出位置Qb設為基板9之直徑方向上之相同位置，因此，可將鹼性藥液噴出至基板9之表面周緣部911上之酸性藥液噴出位置。根據該構成，可使各藥液正確地作用於相同區域。
<液體濺起抑制部6>
再次參照圖3~圖5。對於基板處理裝置1而言，當自周緣部用噴出頭51向旋轉基座21上所保持之基板9之表面周緣部911噴出處理液時，供給至表面周緣部911之處理液之一部分自基板9飛散，該飛散出之處理液之一部有可能因配置於外部之構件而濺回等，從而再次附著於基板9。液體濺起抑制部6係用以抑制自基板9飛散出之處理液再次附著於基板9之構件。
<i.防護構件60>
液體濺起抑制部6具備防護構件60。除了參照圖3~圖5之外，亦一面參照圖11~圖13，一面詳細地對防護構件60進行說明。圖11係防護構件60之立體圖。圖12係自上方觀察蓋體31、防護構件60、及周緣部用噴出頭51配置於各個處理位置之狀態之平面圖。圖13係自圖12之箭頭K所見之側剖面圖。
防護構件60係沿著基板9之表面周緣部911之整個圓周之環狀構件。防護構件60於對旋轉基座21上所保持之基板9進行處理之期間，自上方觀察，與該基板9同心地配置，且配置於以非接觸狀態靠近該基板9之表面周緣部911之位置(處理位置)。防護構件60之與圓周方向正交之剖面較佳為矩形，尤佳為正方形。
防護構件60之內徑設為稍小於基板9之外徑之尺寸。因此，自上方觀察配置於處理位置之防護構件60時，防護構件60之內周壁601較基板9之端面93靠內側(基板9之中心側)，防護構件60之下表面602之至少內周部分與旋轉基座21上所保持之基板9之表面周緣部911相對向地配置。即，防護構件60之內周壁601較基板9之表面周緣部靠內側(基板9之中心側)，防護構件60之下表面602部分地靠近基板9之表面周緣部911且與該表面周緣部911相對向。此時，防護構件60之下表面602、與旋轉基座21上所保持之基板9之表面91之相隔距離h例如為1 mm以上且為1.5mm以下。
防護構件60之外徑設為大於基板9之外徑且稍小於蓋體31之上端緣部301之內徑的尺寸。因此，自上方觀察配置於處理位置之防護構件60時，防護構件60之外周壁603較基板9之端面93靠外側，以非接觸狀態靠近蓋體31之上端緣部301，且沿著上端緣部301之整個圓周而延伸。即，配置於處理位置之蓋體31成為一併包圍旋轉基座21上之基板9與防護構件60之姿態。
於上述周緣部用噴出頭51配置於處理位置之狀態下，上述周緣部用噴出頭51配置於防護構件60之內周壁601側(即，介隔防護構件60而配置於蓋體31之相反側)。即，於該狀態下，周緣部用噴出頭51所具備之噴嘴50介隔防護構件60而配置於蓋體31之相反側。然而，於防護構件60之內周壁601中，形成有收容周緣部用噴出頭51之至少一部分之缺口605，於周緣部用噴出頭51配置於處理位置之狀態下，成為如下狀態，即，周緣部用噴出頭51之至少一部分(具體而言，例如為周緣部用噴出頭51所具備之噴嘴50之至少一部分)收容於該缺口605。藉此，周緣部用噴出頭51不干涉防護構件60而配置於表面周緣部911上方之處理位置。然而，自上方觀察，缺口605之與下表面602相連之壁面部分6051較佳為與基板9之端面93處於同一面，或較端面93靠內側(基板9之中心側)。
於防護構件60、周緣部用噴出頭51、及蓋體31配置於各個處理位置之狀態下，防護構件60之下表面602較佳為配置於與周緣部用噴出頭51所具備之噴嘴50之噴出面502相同之高度位置、或低於噴出面502之位置。又，壁面部分6051可配置於如下位置，該位置低至不會妨礙自噴嘴50噴出之流體路徑之位置。又，防護構件60之下表面602較佳為配置於與蓋體31之上端緣部301之下表面3011相同之高度位置、或低於下表面3011之位置。於該實施形態中，防護構件60之下表 面602、周緣部用噴出頭51之噴出面502、及蓋體31之上端緣部301之下表面3011處於相同之高度位置。即，3個面602、502、3011配置於同一水平面上。
又，於防護構件60及蓋體31配置於各個處理位置之狀態下，防護構件60之上表面604較佳為配置於與蓋體31之上端緣部301之上表面3012相同之高度。
<ii.抑制處理液之再附著之理由>
於自周緣部用噴出頭51向表面周緣部911噴出處理液之期間，將防護構件60配置於處理位置，藉此，可抑制自基板9飛散出之處理液再次附著於基板9。以下對其理由進行說明。
蓋體31之上端緣部301之內徑設為大於旋轉基座21之外徑之尺寸，使得該蓋體31可移動至較旋轉基座21之上表面靠下方之避讓位置。旋轉基座21之外徑設為大於基板9之外徑之尺寸，因此，自上方觀察時，於旋轉基座21上所保持之基板9之端面93、與蓋體31之上端緣部301之間存在環狀之間隙空間。因此，於周緣部用噴出頭51、與蓋體31之上端緣部301之間亦存在間隙空間V，該周緣部用噴出頭51配置於與基板9之表面周緣部911相對向之處理位置。該間隙空間V係自基板9飛散出之處理液之薄霧等所能夠浮游之空間，此處，該間隙空間V之至少一部分由防護構件60之一部分填埋。根據該構成，自基板9飛散出之處理液之薄霧等所能夠浮游之空間減小了由防護構件60填埋之空間部分，該空間減小，基板9附近之處理液之浮游量相應地減少。其結果，處理液之薄霧等再次附著於基板9之可能性減小。即，可抑制自基板9飛散出之處理液之一部分再次附著於基板9。
尤其於此處，防護構件60之下表面602之至少一部分與表面周緣部911相對向地配置，因此，自基板9飛散出之處理液沿著防護構件60之下表面602而被導向蓋體31內。藉此，可充分地抑制該飛散出之處 理液再次附著於基板9。
尤其，發明者等已確認藉由將防護構件60之下表面602配置於與周緣部用噴出頭51所具備之噴嘴50之噴出面502相同之高度位置、或低於噴出面502之位置，可尤其有效地抑制自基板9飛散出之處理液附著於基板9(尤其為元件區域90)。
又，發明者等已確認藉由將防護構件60之下表面602配置於與蓋體31之上端緣部301之下表面3011相同之高度位置、或低於該下表面3011之位置，亦可尤其有效地抑制自基板9飛散出之處理液附著於基板9(尤其為元件區域90)。
而且此處，防護構件60係沿著基板9之表面周緣部911之整個圓周之環狀構件，因此，可遍及基板9之整個圓周方向而抑制自基板9飛散出之處理液再次附著於基板9。
<iii.半圓弧構件61、62>
將彼此分體地構成之複數個弧狀構件(此處為一對半圓弧構件61、62)設為使其圓周方向之端面彼此相互抵接之狀態，藉此形成防護構件60。即，一對半圓弧構件61、62各自係直徑彼此相等之半圓弧狀之構件，使弦方向朝向內側，並且使圓周方向之端面彼此相對向地配置該一對半圓弧構件61、62。然而，亦可將3個以上之弧狀構件設為使其圓周方向之端面彼此相互抵接之狀態，藉此形成防護構件60。
於一對半圓弧構件61、62各自上，配設有驅動各半圓弧構件61、62之半圓弧構件驅動部63。半圓弧構件驅動部63包含：升降驅動部(例如步進馬達)631，其使與其連接之半圓弧構件61、62沿著鉛垂軸進行升降移動；及進退驅動部632，其使該半圓弧構件61、62於水平面內在與另一半圓弧構件靠近分離之方向上進退移動。
各半圓弧構件61、62於旋轉基座21上未保持有基板9之期間，與另一方之半圓弧構件分離而配置於基板9之搬出搬入路徑外側之位置 (避讓位置)。具體而言，各半圓弧構件61、62之避讓位置係較旋轉基座21之上表面靠下側之位置(即，各半圓弧構件61、62之上表面604所到達之較旋轉基座21之上表面靠下側之位置)，且自上方觀察，各半圓弧構件61、62之避讓位置係較蓋體31之上端緣部301靠外側之位置(圖3所示之位置)。
若基板9保持於旋轉基座21上，則升降驅動部631使配置於避讓位置之各半圓弧構件61、62上升至較旋轉基座21之上表面稍靠上方之位置，繼而，進退驅動部632使各半圓弧構件61、62於水平面內向靠近另一方之半圓弧構件之方向移動，從而將各半圓弧構件61、62設為如下狀態，即，各半圓弧構件61、62之圓周方向之端面彼此相互抵接。藉此，成為如下狀態，即，環狀構件即防護構件60配置於處理位置。
<iv.洗淨處理>
如上所述，於旋轉基座21上未保持有基板9之期間，各半圓弧構件61、62及蓋體31配置於各個避讓位置。然而如上所述，於各半圓弧構件61、62及蓋體31配置於各個避讓位置之狀態下，各半圓弧構件61、62及蓋體31均配置得較旋轉基座21之上表面靠下側，各半圓弧構件61、62於蓋體31之上側，配置於以非接觸狀態靠近蓋體31之上表面之位置。
而且，基板處理裝置1係於旋轉基座21上未保持有基板9之狀態下，定期地(例如每當處理了固定塊數之基板9後)或不定期地(例如根據來自操作員之指示)對旋轉基座21進行洗淨處理。
於旋轉基座21之洗淨處理中，一面自洗淨用噴嘴(圖示省略)對未保持有基板9之狀態下的旋轉基座21之上表面之中央附近供給洗淨液，一面使旋轉基座21旋轉。如此，藉由伴隨旋轉基座21之旋轉之離心力，洗淨液擴散至旋轉基座21之整個上表面，藉此，將旋轉基座21 之整個上表面洗淨。該洗淨液最終自旋轉基座21之周緣部被甩向旋轉基座21外。此處，於對旋轉基座21進行洗淨處理之期間，各半圓弧構件61、62及蓋體31各自配置於較旋轉基座21之上表面靠下之避讓位置，因此，自旋轉基座21之周緣部被甩向旋轉基座21外之洗淨液會到達蓋體31及處於該蓋體31上側之半圓弧構件61、62。藉此，將蓋體31及半圓弧構件61、62洗淨。即，於旋轉基座21之洗淨處理中，不僅旋轉基座21被洗淨，而且蓋體31及半圓弧構件61、62亦一併被洗淨。
<加熱處理部7>
再次參照圖3~圖5。加熱處理部7對旋轉基座21上所保持之基板9之背面92供給蒸氣(水蒸氣)，尤佳為供給過熱蒸氣(過熱水蒸氣)，從而對基板9進行加熱。
加熱處理部7具備蒸氣噴嘴71，該蒸氣噴嘴71向旋轉基座21上所保持之基板9之背面92噴出蒸氣。蒸氣噴嘴71配置於旋轉基座21上。於蒸氣噴嘴71之上表面側，形成有複數個之蒸氣噴出口(圖示省略)。上述複數個之蒸氣噴出口中的至少一個蒸氣噴出口形成於如下位置，該位置係選擇性地對旋轉基座21上所保持之基板9之背面周緣部921供給蒸氣之位置。更佳為形成於與背面周緣部921相對向之位置。又，可自該蒸氣噴出口噴出較其他蒸氣噴出口更大量之蒸氣。根據該構成，蒸氣噴嘴71可重點地向基板9之背面92中的尤其背面周緣部921噴出蒸氣。
蒸氣供給部72連接於蒸氣噴嘴71，該蒸氣供給部72係將蒸氣供給至該蒸氣噴嘴71之配管系統。具體而言，蒸氣供給部72具備如下構成：例如供給蒸氣之供給源即蒸氣供給源721經由插設有開閉閥723之配管722而連接於蒸氣噴嘴71。對於該構成而言，開閉閥723開放之後，蒸氣供給源721所供給之蒸氣自蒸氣噴嘴71噴出。
再者，自蒸氣噴嘴71噴出之蒸氣較佳為已被加熱(過度加熱)至足 夠高之溫度(例如100℃以上且為130℃以下)之過熱蒸氣(過熱水蒸氣)。因此，例如只要包含如下供給源、與該供給源連接之配管、及插設於該配管之路徑中途之加熱器而構成蒸氣供給源721即可(圖示均已省略)，該供給源供給因對純水等進行加熱而生成之蒸氣(水蒸氣)。於該情形時，考慮到供給源所供給之蒸氣通過配管等時之溫度下降，加熱器較佳為將供給源所供給之蒸氣加熱(過度加熱)至例如140℃~160℃左右。然而，即使供給至基板9之蒸氣(過熱蒸氣)之一部分因熱被基板9奪去而冷卻，且於基板9上冷凝而成為水滴，該水滴亦會因伴隨基板9之旋轉之離心力而自基板9之端面93被甩向基板9外。因此，水滴不會附著於元件區域90。
蒸氣自蒸氣供給部72供給至蒸氣噴嘴71之後，自蒸氣噴嘴71向旋轉基座21上所保持之基板9之背面92噴出蒸氣，藉此對基板9進行加熱。如上所述，該實施形態之蒸氣噴嘴71可重點地向背面周緣部921噴出蒸氣，因此，可尤其重點地對背面周緣部921進行加熱。然而，蒸氣供給部72之開閉閥723與控制部130電性連接，且於控制部130之控制下開閉。即，來自蒸氣噴嘴71之蒸氣之噴出態樣(具體而言為噴出開始時刻、噴出結束時刻、噴出流量等)由控制部130控制。
<背面處理部8>
背面處理部8對旋轉基座21上所保持之基板9之背面92進行處理。具體而言，背面處理部8將處理液供給至旋轉基座21上所保持之基板9之背面92。
背面處理部8具備供給管81，該供給管81貫通於旋轉卡盤2之旋轉軸部22之中空部而配置。供給管81之前端於旋轉基座21之上表面中開口，該開口形成背面側噴出口82。
處理液供給部83連接於供給管81，該處理液供給部83係將處理液供給至該供給管81之配管系統。具體而言，處理液供給部83係將 SC-1供給源831a、DHF供給源831b、SC-2供給源831c、沖淋液供給源831d、複數根配管832a、832b、832c、832d、及複數個開閉閥833a、833b、833c、833d加以組合而構成。
SC-1供給源831a係供給SC-1之供給源。SC-1供給源831a經由插設有開閉閥833a之配管832a而連接於供給管81。因此，開閉閥833a開放之後，SC-1供給源831a所供給之SC-1自背面側噴出口82噴出。
DHF供給源831b係供給DHF之供給源。DHF供給源831b經由插設有開閉閥833b之配管832b而連接於供給管81。因此，開閉閥833b開放之後，DHF供給源831b所供給之DHF自背面側噴出口82噴出。
SC-2供給源831c係供給SC-2之供給源。SC-2供給源831c經由插設有開閉閥833c之配管832c而連接於供給管81。因此，開閉閥833c開放之後，SC-2供給源831c所供給之SC-2自背面側噴出口82噴出。
沖淋液供給源831d係供給沖淋液之供給源。此處，沖淋液供給源831d例如供給溶融有二氧化碳(CO2)之純水(碳酸水)作為沖淋液。沖淋液供給源831d經由插設有開閉閥833d之配管832d而連接於供給管81。因此，開閉閥833d開放之後，沖淋液供給源831d所供給之沖淋液自背面側噴出口82噴出。再者，作為沖淋液，亦可使用純水、溫水、臭氧水、磁化水、還原水(氫水)、各種有機溶劑(離子水、IPA(異丙醇)、功能水等。
處理液(SC-1、DHF、SC-2或沖淋液)自處理液供給部83供給至供給管81之後，自背面側噴出口82向旋轉基座21上所保持之基板9之背面92之中央附近噴出該處理液。然而，處理液供給部83所具備之開閉閥833a、833b、833c、833d各自與控制部130電性連接，且於控制部130之控制下開閉。即，來自背面側噴出口82之處理液之噴出態樣(具體而言為噴出之處理液之種類、噴出開始時刻、噴出結束時刻、噴出流量等)由控制部130控制。
<4.基板處理裝置1之動作>
其次，對基板處理裝置1之動作進行說明。基板處理裝置1於控制部130之控制下，執行以下所說明之一系列之處理。然而，以下所說明之處理僅為基板處理裝置1可執行之處理之一例。
於基板處理裝置1中，例如對於一塊基板9依序進行預處理(步驟S1)、表面周緣處理(步驟S2)、處理面切換處理(步驟S3)、背面處理(步驟S4)、及乾燥處理(步驟S5)(圖14)。以下，具體地對各處理進行說明。
<4-1.預處理>
一面參照圖15、圖16，一面對預處理(步驟S1)進行說明。圖15係表示預處理之流程之圖。圖16係用以對預處理進行說明之圖，且模式性地表示了執行預處理中的各處理步驟之狀態下之基板處理裝置1之一部分的要素。
首先，於半圓弧構件61、62、蓋體31、周緣部用噴出頭51、及覆蓋氣體噴嘴41配置於各個避讓位置之狀態下，搬送機器人CR將基板9以表面91朝上之姿勢而配置於旋轉基座21上。旋轉基座21上所配置之基板9由一群保持構件25保持(步驟S101)。藉此，成為如下狀態，即，基板9以大致水平姿勢保持於旋轉基座21上。
基板9保持於旋轉基座21上之後，防護構件60移動至處理位置(步驟S102)。具體而言，半圓弧構件驅動部63之升降驅動部631使配置於避讓位置之各半圓弧構件61、62上升至較旋轉基座21之上表面稍靠上方之位置，繼而，半圓弧構件驅動部63之進退驅動部632使各半圓弧構件61、62於水平面內，向靠近另一方之半圓弧構件之方向移動，各半圓弧構件61、62之圓周方向之端面彼此成為相互抵接之狀態。藉此，成為如下狀態，即，環狀構件即防護構件60配置於處理位置。再者，即使旋轉基座21開始旋轉，配置於處理位置之防護構件60仍處於 靜止狀態而不會旋轉。
防護構件60配置於處理位置之後，繼而，配置於避讓位置之蓋體31上升，且配置於處理位置(步驟S103)。藉此，成為如下狀態，即，蓋體31配置為一併包圍旋轉基座21上所保持之基板9與防護構件60。
蓋體31配置於處理位置之後，繼而，覆蓋氣體噴嘴41自避讓位置移動至處理位置。繼而，開始自配置於處理位置之覆蓋氣體噴嘴41向基板9之表面91之中央附近噴出覆蓋氣體(步驟S104)。此處開始之對於基板9之表面91之中央附近之覆蓋氣體的供給係持續進行至對於該基板9之處理結束。持續地將覆蓋氣體供給至基板9之表面91之中央附近，藉此，於對該基板9進行處理之期間，元件區域90不會暴露於供給至表面周緣部911等之處理液之環境氣體等。即，持續保護元件區域90以不會受到供給至表面周緣部之處理液之環境氣體等影響。
再者，此處，將蓋體31配置於處理位置之後，開始自覆蓋氣體噴嘴41噴出覆蓋氣體。若不等待蓋體31上升至處理位置而開始自覆蓋氣體噴嘴41噴出覆蓋氣體，則基板9之表面周緣部911附近之氣流會紊亂而產生捲起，顆粒等有可能會附著於基板9，若設為如下構成，即，於將蓋體31配置於處理位置之後，開始噴出覆蓋氣體，則可避免產生此種事態。
繼而，旋轉基座21開始旋轉，藉此，旋轉基座21上所保持之基板9開始以水平姿勢旋轉(步驟S105)。此時之旋轉基座21之旋轉數(即，基板9之旋轉數)例如為600rpm。適當地將該旋轉數設定為如下旋轉數(即，使處理液穩定地保持於應被實施處理之表面周緣部911內之區域之旋轉數)，該旋轉數使得於進行表面周緣處理之期間，供給至表面周緣部911之處理液既不會進入至元件區域90，亦不會向端部93側移動。
繼而，自蒸氣噴嘴71向旋轉之基板9之背面92噴出蒸氣(預噴蒸氣)(步驟S106)。自開始噴出蒸氣經過特定時間(例如5秒)之後，停止自蒸氣噴嘴71噴出蒸氣。藉由該預噴蒸氣對基板9進行加熱。對於基板9之藥液處理中所使用之大部分之藥液係溫度越高，則越會促進反應之藥液，預先藉由該預噴蒸氣對基板9進行加熱，藉此，促進藥液處理中之藥液與基板9之反應。其結果，藥液處理之處理時間縮短，並且藥液之使用量受到抑制。
<4-2.表面周緣處理>
預處理(步驟S1)結束之後，繼而進行表面周緣處理(步驟S2)。一面參照圖17、圖18，一面對表面周緣處理進行說明。圖17係表示表面周緣處理之流程之圖。圖18係用以對表面周緣處理進行說明之圖，且模式性地表示執行表面周緣處理中之各處理步驟之狀態下的基板處理裝置1之一部分之要素。
然而，於執行以下所說明之表面周緣處理之期間，基板9以固定之旋轉數(例如600rpm)而持續旋轉。又，如上所述，於執行表面周緣處理之期間，持續地自覆蓋氣體噴嘴41向基板9之表面91之中央附近供給覆蓋氣體，藉此，保護元件區域90以不會受到供給至表面周緣部911之處理液之環境氣體等影響。
<鹼處理(SC-1)> <i.藥液處理>
首先，對基板9之表面周緣部911進行利用SC-1之藥液處理(步驟S201)。具體而言，首先，周緣部用噴出頭51自避讓位置移動至處理位置。繼而，自配置於處理位置之周緣部用噴出頭51之第2藥液噴嘴50b，向旋轉之基板9之表面周緣部911噴出SC-1。此時之SC-1之噴出流量例如為20(mL/min)以上且為50(mL/min)以下。自開始噴出SC-1經過特定時間(例如20秒)之後，停止自周緣部用噴出頭51噴出SC-1。
藉由該藥液處理，將形成於基板9之表面周緣部911之薄膜去除(蝕刻處理)。然而，於進行該藥液處理之期間，自蒸氣噴嘴71向基板9之背面92噴出蒸氣。此時之蒸氣之噴出流量例如為500(mL/min)以上且為2000(mL/min)以下。又，噴出之蒸氣之溫度例如為110℃以上且為130℃以下。SC-1係溫度越高，則越會促進反應之藥液，經藉由SC-1之藥液處理之基板9接受蒸氣之供給而被加熱，藉此，促進基板9之表面周緣部911與SC-1之反應(即，蝕刻率提高)(所謂之熱輔助)。其結果，利用SC-1之藥液處理之處理時間縮短，並且SC-1之使用量受到抑制。尤其此處，重點地對基板9之背面周緣部921進行加熱，因此，可有效果地促進表面周緣部911與SC-1之反應。
<ii.沖淋處理>
繼而進行沖淋處理(步驟S202)。具體而言，自配置於處理位置之周緣部用噴出頭51之沖淋液噴嘴50c，向旋轉之基板9之表面周緣部911噴出沖淋液。自開始噴出沖淋液經過特定時間(例如5秒)之後，停止自周緣部用噴出頭51噴出沖淋液。藉由該沖淋處理而將附著於表面周緣部911之處理液(此處為SC-1)沖去。
<iii.甩液處理>
繼而進行甩液處理(步驟S203)。甩液處理係將殘存於表面周緣部911之處理液(此處為於步驟S202之沖淋處理中未自基板9甩落而殘存於表面周緣部911之沖淋液)向基板9之端面93側集中，自端面93向基板9外甩落該處理液之處理。向端面93側集中之處理液成為保持於端面93及其附近之非水平之面區域部分之狀態之後，保持於非水平之面區域部分之處理液不易引起處理液中斷，因此，此種處理液一併被甩向基板9外。即，將殘存於表面周緣部911之處理液向基板9之端面93側集中之後，將該處理液甩向基板9外，藉此，處理液幾乎不會殘存於表面周緣部911，可自基板9去除該殘存之處理液之大部分。
具體而言，例如以如下方式進行甩液處理。首先，於已停止自周緣部用噴出頭51向表面周緣部911噴出流體(處理液及氣體)之狀態下，使基板9旋轉規定之時間(液體集中步驟)(步驟S2031)。藉此，殘存於表面周緣部911之處理液承受伴隨基板9之旋轉之離心力而向靠近基板9之端面93之方向移動，成為保持於端面93及其附近之非水平之面區域部分。繼而，自配置於處理位置之周緣部用噴出頭51之氣體噴嘴50d，向旋轉之基板9之表面周緣部911噴出氣體(吹走步驟)(步驟S2032)。此時之氣體噴出流量例如為14(L/min)。藉此，保持於非水平之面區域部分之處理液承受氣體之風壓與伴隨基板9之旋轉之離心力，一併被甩向基板9外。自開始自周緣部用噴出頭51噴出氣體經過特定時間(例如15秒)之後，停止自周緣部用噴出頭51噴出氣體。
藉由該甩液處理，殘存於表面周緣部911之處理液(即，於步驟S202之沖淋處理中未自基板9甩落而殘存於表面周緣部911之沖淋液)之大部分自基板9甩落。
<第1酸處理(SC-2)> <i.藥液處理>
其次，對基板9之表面周緣部911進行利用SC-2之藥液處理(步驟S204)。具體而言，自配置於處理位置之周緣部用噴出頭51之第1藥液噴嘴50a，向旋轉之基板9之表面周緣部911噴出SC-2。自開始噴出SC-2經過特定時間(例如20秒)之後，停止自周緣部用噴出頭51噴出SC-2。
藉由該藥液處理，將附著於基板9之表面周緣部911之金屬成分(例如Mo、Co等)等去除(洗淨處理)。然而，此處於該藥液處理之前，先進行甩液處理(步驟S203)。因此，向幾乎未殘存有沖淋液之表面周緣部911噴出SC-2。若未進行步驟S203之甩液處理，則會向殘存有沖淋液之表面周緣部911噴出SC-2，該噴出之SC-2有可能會與殘存之沖 淋液發生碰撞而濺起，從而進入至元件區域90。然而，此處藉由甩液處理，表面周緣部911成為幾乎未殘存有沖淋液之狀態，因此，不易因此種處理液之碰撞而導致處理液進入至元件區域90。又，若未進行步驟S203之甩液處理，則於表面周緣部911上，殘存之沖淋液與供給之SC-2有可能會混合，但於進行甩液處理之情形時，不易產生此種事態。其結果，可使所期望之濃度之SC-2適當地作用於表面周緣部911。又，亦可避免沖去鹼性藥液即SC-1之沖淋液與酸性藥液即SC-2混合接觸。
<ii.甩液處理>
繼而進行甩液處理(步驟S205)。甩液處理之具體流程如步驟S203之說明所述。即，首先於停止向表面周緣部911噴出流體之狀態下，使基板9旋轉規定之時間(液體集中步驟)，其後，自配置於處理位置之周緣部用噴出頭51之氣體噴嘴50d，向旋轉之基板9之表面周緣部911噴出氣體(吹走步驟)。自開始自周緣部用噴出頭51噴出氣體經過特定時間(例如15秒)之後，停止自周緣部用噴出頭51噴出氣體。
藉由該甩液處理，殘存於表面周緣部911之處理液(即，於步驟S204之洗淨處理中未自基板9甩落而殘存於表面周緣部911之SC-2)之大部分自基板9甩落。於步驟S204之洗淨處理中未自基板9甩落而殘存於表面周緣部911之SC-2中，包含利用洗淨處理而自基板9去除之金屬成分等雜質，於洗淨處理之後進行甩液處理，藉此，該雜質於較早之階段自基板9甩落。因此，藉由利用SC-2之藥液處理而自基板9去除之雜質再次附著於基板9之風險減小。
<iii.沖淋處理>
繼而進行沖淋處理(步驟S206)。沖淋處理之具體流程與步驟S202之處理相同。即，自配置於處理位置之周緣部用噴出頭51之沖淋液噴嘴50c，向旋轉之基板9之表面周緣部911噴出沖淋液。自開始噴出沖 淋液經過特定時間(例如5秒)之後，停止自周緣部用噴出頭51噴出沖淋液。
藉由該沖淋處理而將附著於表面周緣部911之處理液(此處為SC-2)沖去。然而，此處於該沖淋處理之前，先進行甩液處理(步驟S205)，因此，表面周緣部911成為幾乎未殘存有SC-2之狀態。因此，該沖淋處理之處理時間較未進行甩液處理時之沖淋處理之處理時間更短即可。又，於該沖淋處理中，向幾乎未殘存有SC-2之表面周緣部911噴出沖淋液，因此，不易因處理液之碰撞而導致處理液進入至元件區域90。
<iv.甩液處理>
繼而進行甩液處理(步驟S207)。甩液處理之具體流程如步驟S203之說明所述。即，首先於停止向表面周緣部911噴出流體之狀態下，使基板9旋轉規定之時間(液體集中步驟)，其後，自配置於處理位置之周緣部用噴出頭51之氣體噴嘴50d，向旋轉之基板9之表面周緣部911噴出氣體(吹走步驟)。自開始自周緣部用噴出頭51噴出氣體經過特定時間(例如15秒)之後，停止自周緣部用噴出頭51噴出氣體。
藉由該甩液處理，殘存於表面周緣部911之處理液(即，於步驟S206之沖淋處理中未自基板9甩落而殘存於表面周緣部911之沖淋液)之大部分自基板9甩落。
<第2酸處理(DHF)> <i.藥液處理>
其次，對基板9之表面周緣部911進行利用DHF之藥液處理(步驟S208)。具體而言，自配置於處理位置之周緣部用噴出頭51之第1藥液噴嘴50a，向旋轉之基板9之表面周緣部911噴出DHF。此時之DHF之噴出流量例如為20(mL/min)以上且為50(mL/min)以下。自開始噴出DHF經過特定時間(例如10秒)之後，停止自周緣部用噴出頭51噴出 DHF。
藉由該藥液處理，將形成於基板9之表面周緣部911之薄膜去除(蝕刻處理)。然而，此處於該藥液處理之前，先進行甩液處理(步驟S207)，因此，向幾乎未殘存有沖淋液之表面周緣部911噴出DHF。因此，不易因處理液之碰撞而導致處理液進入至元件區域90。又，於表面周緣部911上，DHF與沖淋液不會混合，因此，可使所期望之濃度之DHF適當地作用於表面周緣部911。
然而，於進行該藥液處理之期間，自周緣部用噴出頭51之氣體噴嘴50d向表面周緣部911噴出氣體。此時之氣體之噴出流量例如為14(L/min)。即，於表面周緣部911內之各位置，利用自氣體噴嘴50d噴出之氣體，將舊的DHF(即，在一圈之前由第1藥液噴嘴50a供給且未在基板9旋轉一圈之期間中被甩落之舊的DHF)去除之後，將新的DHF自第1藥液噴嘴50a供給至該位置。根據該構成，如上所述，可抑制因未在基板9旋轉一圈之期間中被甩落之舊的處理液與新供給之處理液碰撞而導致處理液進入至元件區域90。又，根據該構成，可總是使新鮮之DHF作用於基板9，從而提高處理效率。又，根據該構成，可避免如下狀況，該狀況係指大量之DHF暫時保持於表面周緣部911內之各位置。其結果，可使蝕刻寬度穩定而提高蝕刻寬度之控制精度。又，存在如下情形，即，供給DHF之後，由於表面周緣部911為斥水性，故而保持於表面周緣部911之舊的處理液會部分地變厚。若於該狀態下供給新的處理液，則會成為如下狀態，即，處理液容易受到排斥而濺起。因此，藉由自氣體噴嘴50d噴出之氣體而向基板9之外側吹走舊的處理液，藉此，充分地抑制該液滴等進入至元件區域90。
<ii.沖淋處理>
繼而進行沖淋處理(步驟S209)。沖淋處理之具體流程與步驟S202之處理相同。即，自配置於處理位置之周緣部用噴出頭51之沖淋液噴 嘴50c，向旋轉之基板9之表面周緣部911噴出沖淋液。自開始噴出沖淋液經過特定時間(例如5秒)之後，停止自周緣部用噴出頭51噴出沖淋液。
藉由該沖淋處理，將附著於表面周緣部911之處理液(此處為DHF)沖去。然而，於進行該沖淋處理之期間，亦自周緣部用噴出頭51之氣體噴嘴50d向基板9之表面周緣部911噴出氣體。此時之氣體之噴出流量例如為14(L/min)。即，於表面周緣部911內之各位置，利用自氣體噴嘴50d噴出之氣體，將舊的沖淋液(即，在一圈之前由沖淋液噴嘴50c供給且未在基板9旋轉一圈之期間中被甩落之舊的沖淋液)去除之後，將新的沖淋液自沖淋液噴嘴50c供給至該位置。根據該構成，如上所述，可抑制因未在基板9旋轉一圈之期間中被甩落之舊的處理液與新供給之處理液碰撞而導致處理液進入至元件區域90。又，根據該構成，可迅速地自表面周緣部911去除含有DHF之舊的沖淋液，並且可使不含有DHF之新的沖淋液作用於基板9，因此，沖淋處理之處理效率提高。又，根據該構成，如上所述，藉由自氣體噴嘴50d噴出之氣體所形成之氣流，向基板9之外側吹走受到表面周緣部911排斥之處理液之液滴等，因此，可充分地抑制該液滴等進入至元件區域90。
<iii.甩液處理>
繼而進行甩液處理(步驟S210)。甩液處理之具體流程如步驟S203之說明所述。即，首先於停止向表面周緣部911噴出流體之狀態下，使基板9旋轉規定之時間(液體集中步驟)，其後，自配置於處理位置之周緣部用噴出頭51之氣體噴嘴50d，向旋轉之基板9之表面周緣部911噴出氣體(吹走步驟)。自開始自周緣部用噴出頭51噴出氣體經過特定時間(例如5秒)之後，停止自周緣部用噴出頭51噴出氣體。
藉由該甩液處理，殘存於表面周緣部911之處理液(即，於步驟 S209之沖淋處理中未自基板9甩落而殘存於表面周緣部911之沖淋液)之大部分自基板9甩落。
<4-3.處理面切換處理>
表面周緣處理(步驟S2)結束之後，繼而進行處理面切換處理(步驟S3)。於處理面切換處理中，為了背面處理(步驟S4)而使旋轉基座21之旋轉速度(即，基板9之旋轉速度)減小(下降)(參照圖19、圖20)。即，將旋轉基座21之旋轉速度自表面周緣處理時之旋轉速度切換為較該表面周緣處理時之旋轉速度更小之旋轉速度(低速之旋轉速度)。具體而言，將旋轉基座21之旋轉數自表面周緣處理時之旋轉數即600rpm切換為充分小於該600rpm之低速之旋轉數(例如20rpm)。
然而如上所述，於執行處理面切換處理之期間，亦持續地自覆蓋氣體噴嘴41向基板9之表面91之中央附近供給覆蓋氣體。
<4-4.背面處理>
處理面切換處理(步驟S3)結束之後，繼而進行背面處理(步驟S4)。一面參照圖19、圖20，一面對背面處理進行說明。圖19係表示背面處理之流程之圖。圖20係用以對背面處理進行說明之圖，且模式性地表示了執行背面處理中的各處理步驟之狀態下之基板處理裝置1之一部分的要素。
然而如上所述，於執行背面處理之期間，亦持續地自覆蓋氣體噴嘴41向基板9之表面91之中央附近供給覆蓋氣體，藉此，保護元件區域90以不會受到供給至背面92之處理液之環境氣體等影響。
於對背面92供給處理液之前，先將旋轉基座21之旋轉速度切換為低速之旋轉數即20rpm。此處所謂之「低速之旋轉速度」，係指如下速度，該速度使得於基板9以上述旋轉速度旋轉之狀態下，供給至基板9之背面92之處理液擴散至整個背面92，且不會回流至基板9之表面91，具體而言，該速度例如為相當於20rpm以下之旋轉數之旋轉速 度。
首先，對基板9之背面92進行利用SC-1之藥液處理(步驟S401)。具體而言，自背面側噴出口82向以低速之旋轉速度旋轉之基板9之背面92之中央附近噴出SC-1。此時之SC-1之噴出流量例如為500(mL/min)以上且為2000(mL/min)以下。供給至背面92之中央附近之SC-1藉由伴隨基板9之旋轉之離心力而擴散至整個背面92，藉此，對基板9之背面92進行利用SC-1之藥液處理。此處，藉由利用SC-1之藥液處理，將形成於基板9之背面92之薄膜去除(蝕刻處理)。自開始噴出SC-1經過特定時間(例如20秒)之後，停止自背面側噴出口82噴出SC-1。
繼而進行沖淋處理(步驟S402)。具體而言，於基板9以低速之旋轉速度旋轉之狀態下，自背面側噴出口82向基板9之背面92之中央附近噴出沖淋液。供給至背面92之中央附近之沖淋液藉由伴隨基板9之旋轉之離心力而擴散至整個背面92，藉此，將附著於背面92之處理液(此處為SC-1)沖去。自開始噴出沖淋液經過特定時間(例如20秒)之後，停止自背面側噴出口82噴出沖淋液。
繼而，對基板9之背面92進行使用了SC-2之藥液處理(步驟S403)。具體而言，於基板9以低速之旋轉速度旋轉之狀態下，自背面側噴出口82向基板9之背面92之中央附近噴出SC-2。供給至背面92之中央附近之SC-2藉由伴隨基板9之旋轉之離心力而擴散至整個背面92，藉此，對背面92進行使用了SC-2之藥液處理。此處，藉由使用了SC-2之藥液處理，將附著於基板9之背面92之金屬成分(例如Mo、Co等)等去除(洗淨處理)。自開始噴出SC-2經過特定時間(例如20秒)之後，停止自背面側噴出口82噴出SC-2。
繼而進行沖淋處理(步驟S404)。沖淋處理之具體流程與步驟S402之處理相同。即，於基板9以低速之旋轉速度旋轉之狀態下，自背面 側噴出口82向基板9之背面92之中央附近噴出沖淋液。供給至背面92之中央附近之沖淋液藉由伴隨基板9之旋轉之離心力而擴散至整個背面92，藉此，將附著於背面92之處理液(此處為SC-2)沖去。自開始噴出沖淋液經過特定時間(例如20秒)之後，停止自背面側噴出口82噴出沖淋液。
繼而，對基板9之背面92進行使用了DHF之藥液處理(步驟S405)。具體而言，於基板9以低速之旋轉速度旋轉之狀態下，自背面側噴出口82向基板9之背面92之中央附近噴出DHF。此時之DHF之噴出流量例如為500(mL/min)以上且為2000(mL/min)以下。供給至背面92之中央附近之DHF藉由伴隨基板9之旋轉之離心力而擴散至整個背面92，藉此，對背面92進行使用了DHF之藥液處理。此處，藉由使用了DHF之藥液處理，將形成於基板9之背面92之薄膜去除(蝕刻處理)。自開始噴出DHF經過特定時間(例如10秒)之後，停止自背面側噴出口82噴出DHF。
繼而進行沖淋處理(步驟S406)。沖淋處理之具體流程與步驟S402之處理相同。即，於基板9以低速之旋轉速度旋轉之狀態下，自背面側噴出口82向基板9之背面92之中央附近噴出沖淋液。供給至背面92之中央附近之沖淋液藉由伴隨基板9之旋轉之離心力而擴散至整個背面92，藉此，將附著於背面92之處理液(此處為DHF)沖去。自開始噴出沖淋液經過特定時間(例如22.5秒)之後，停止自背面側噴出口82噴出沖淋液。以上，背面處理結束。
<4-5.乾燥處理>
背面處理(步驟S4)結束之後，繼而進行乾燥處理(步驟S5)。於乾燥處理中，在已停止向基板9噴出處理液之狀態下，旋轉基座21之旋轉速度(即，基板9之旋轉速度)自執行背面處理時之低速之旋轉速度提昇至比較高速之乾燥時之旋轉速度(參照圖19、圖20)。藉此，附著 於基板9之背面92之沖淋液逐步被甩落，最終，基板9被乾燥。然而如上所述，於執行乾燥處理之期間，亦持續地將覆蓋氣體自覆蓋氣體噴嘴41供給至基板9之表面91，藉此，保護元件區域90以不會受到處理液之環境氣體等影響。
自基板9開始以乾燥時之旋轉速度旋轉經過特定時間之後，旋轉基座21之旋轉停止。其後，停止自覆蓋氣體噴嘴41噴出氣體，覆蓋氣體噴嘴41移動至避讓位置。又，周緣部用噴出頭51、蓋體31、及半圓弧構件61、62移動至各個避讓位置。繼而，一群保持構件25釋放基板9，搬送機器人CR自基板處理裝置1搬出該基板9。以上，對於該基板9之一系列之處理結束。
<5.效果>
根據上述實施形態，氣體噴嘴50d配置得較處理液噴嘴50a、50b、50c靠基板9之旋轉方向AR9之上游側。根據該構成，可利用自氣體噴嘴50d噴出之氣體，將在一圈之前由處理液噴嘴50a、50b、50c供給且未在基板9旋轉一周之期間中被甩落之舊的處理液去除之後，將新的處理液自處理液噴嘴50a、50b、50c供給至該位置。因此，不易產生如下事態，該事態係指新供給之處理液與表面周緣部911上之舊的處理液碰撞而濺起。藉此，可抑制表面周緣部911之處理中所使用之處理液進入至元件區域90。
又，根據上述實施形態，氣體供給至基板9之表面周緣部911上之較處理液噴出位置靠內側(基板9之中心側)之位置。根據該構成，可藉由氣體而自基板9之中心側向端面93側去除供給至表面周緣部911之處理液。藉此，可抑制表面周緣部911上之處理液進入至元件區域90。
又，根據上述實施形態，噴出藥液之藥液噴嘴50a、50b、與噴出沖淋液之沖淋液噴嘴50c一體地受到支持。根據該構成，與分別支持 各噴嘴50a、50b、50c之情形相比較，可使裝置構成簡單化且可容易地對準各噴嘴50a、50b、50c之位置。
又，根據上述實施形態，沖淋液噴出至基板9之表面周緣部911上之較藥液噴出位置靠內側之位置。根據該構成，可藉由沖淋液而自基板9之中心側向端面93側沖走供給至表面周緣部911之藥液。因此，可充分地抑制藥液進入至元件區域90，且可充分地沖去藥液。
又，根據上述實施形態，噴出沖淋液之沖淋液噴嘴50c配置於噴出酸性藥液之第1藥液噴嘴50a、與噴出鹼性藥液之第2藥液噴嘴50b之間。根據該構成，例如可抑制如下事態之產生，該事態係指自一個藥液噴嘴噴出藥液時所產生之環境氣體與另一個藥液噴嘴內所殘留之藥液發生反應。
又，根據上述實施形態，自基板9之端面93至第1藥液噴嘴50a之目標噴出位置Qa之相隔距離、與自基板9之端面93至第2藥液噴嘴50b之目標噴出位置Qb之相隔距離相等。因此，可將鹼性藥液噴出至基板9之表面周緣部911上之酸性藥液噴出位置。根據該構成，可使各藥液正確地作用於相同區域。
又，根據上述實施形態，噴嘴本體部501之內部所形成之流路部具備傾斜流路部分5042，該傾斜流路部分5042向隨著伸向下方而自基板之中心側朝向端面93側之斜下方向延伸，且於下端與噴出口連通。根據該構成，可使自噴嘴50向基板9之表面周緣部911噴出之流體於基板9之表面周緣部911上，流向基板9之外側。
又，根據上述實施形態，使處理液自處理液噴嘴50a、50b、50c向旋轉之基板9之表面周緣部911噴出，並且使氣體自配置得較處理液噴嘴50a、50b、50c靠基板9之旋轉方向AR9之上游側之氣體噴嘴50d向表面周緣部噴出(步驟S208、步驟S209)。根據該構成，可利用自氣體噴嘴50d噴出之氣體，將在一圈之前由處理液噴嘴50a、50b、50c供 給且未在基板9旋轉一圈之期間中被甩落之舊的處理液去除之後，將新的處理液自處理液噴嘴50a、50b、50c供給至該位置。因此，不易產生如下事態，該事態係指新供給之處理液與表面周緣部911上之舊的處理液碰撞而濺起。藉此，可抑制表面周緣部911之處理中所使用之處理液進入至元件區域90。
又，根據上述實施形態，進行如下處理(甩液處理)，該處理(甩液處理)係將殘存於表面周緣部911之處理液向基板9之端面93側集中，自端面93向基板9外甩落該處理液。根據該構成，於甩液處理之後供給至表面周緣部911之處理液(第2處理液)向如下表面周緣部911噴出，該表面周緣部911幾乎未殘存有於甩液處理之前供給至表面周緣部911之處理液(第1處理液)。因此，不易產生如下事態，該事態係指噴出之處理液與表面周緣部911上之處理液碰撞而濺起。藉此，可抑制處理液進入至元件區域90。
又，根據上述實施形態，甩液處理包括如下步驟：於停止向表面周緣部911噴出流體之狀態下，使基板9旋轉；及向基板9之表面周緣部911噴出氣體。根據該構成，可於短時間內充分地甩落殘存於表面周緣部911之第1處理液。
又，根據上述實施形態，向基板9之表面91之中央附近噴出覆蓋氣體，因此，可保護元件區域90以不會受到供給至表面周緣部911等之處理液之環境氣體等影響。
又，根據上述實施形態，於停止噴出第1處理液之後且於開始噴出第2處理液之前，在停止自周緣部用噴出頭51噴出流體之狀態下，使基板9旋轉規定之時間，其後向基板9之表面周緣部911噴出氣體。根據該構成，第2處理液向幾乎未殘存有第1處理液之表面周緣部911噴出。因此，不易產生如下事態，該事態係指噴出之處理液與表面周緣部911上之處理液碰撞而濺起。藉此，可抑制處理液進入至元件區 域90。
<6.甩液處理之變化例> <6-1.第1變化例之甩液處理>
於上述實施形態中，亦可在甩液處理(步驟S203、步驟S205、步驟S207、步驟S210)開始之時刻(即，液體集中步驟開始之時刻)，提昇旋轉基座21之旋轉速度(即，基板9之旋轉速度)。具體而言，亦可於甩液處理開始之時刻，將旋轉基座21之旋轉速度自第1旋轉速度切換為大於該第1旋轉速度之第2旋轉速度。於該情形下，在甩液處理結束之同時，將旋轉基座21之旋轉速度自第2速度切換為原來之第1旋轉速度。
即，於該變化例中，甩液處理中之基板9之旋轉速度大於該甩液處理前後之處理(即，向表面周緣部911噴出處理液之處理)中的基板9之旋轉速度。
根據該變化例，於甩液處理中，基板9以比較高速之旋轉速度旋轉，因此，殘存於表面周緣部911之第1處理液(於步驟S203、步驟S207、及步驟S210之情形時為沖淋液，於步驟S205之情形時為SC-2)迅速地向基板之端面93側集中而充分地自基板9甩落。因此，根據該構成，可於尤其短之時間內甩落殘存於表面周緣部911之第1處理液。
再者，亦可於甩液處理開始之時刻，將旋轉基座21之旋轉速度自第1旋轉速度切換為大於該第1旋轉速度之第2旋轉速度之後，在甩液處理之液體集中步驟結束之同時(即，吹走步驟開始之同時)，將旋轉基座21之旋轉速度自第2旋轉速度切換為原來之第1旋轉速度。於該情形時，液體集中步驟中之基板9之旋轉速度大於該液體集中步驟前後之處理中的基板9之旋轉速度，因此，殘存於表面周緣部911之第1處理液迅速地向基板之端面側集中。因此，該構成亦可於短時間內甩落殘存於表面周緣部911之第1處理液。
<6-2.第2變化例之甩液處理>
又，於上述實施形態或第1變化例中，亦可在甩液處理(步驟S203、步驟S205、步驟S207、步驟S210)開始之時刻(即，液體集中步驟開始之時刻)，增加來自覆蓋氣體噴嘴41之覆蓋氣體之噴出量。具體而言，亦可於甩液處理開始之時刻，將覆蓋氣體之噴出量自第1噴出量切換為大於該第1噴出量之第2噴出量。於該情形下，在甩液處理結束之同時，將覆蓋氣體之噴出量自第2噴出量切換為原來之第1噴出量。
即，於該變化例中，甩液處理中之覆蓋氣體之噴出量大於該甩液處理前後之處理(即，向表面周緣部911噴出處理液之處理)中的覆蓋氣體之噴出量。
根據該變化例，於甩液處理中，向基板9之表面91之中央附近噴出比較多量之覆蓋氣體，因此，可於甩液處理中充分地保護元件區域90以不會受到處理液之環境氣體等影響。又，可利用覆蓋氣體之風壓而充分地使處理液向基板之端面側集中。
再者，亦可於甩液處理開始之時刻，將覆蓋氣體之噴出量自第1噴出量切換為大於該第1噴出量之第2噴出量之後，在甩液處理之液體集中步驟結束之同時，將覆蓋氣體之噴出量自第2噴出量切換為原來之第1噴出量。於該情形時，液體集中步驟中之覆蓋氣體之噴出量大於該液體集中步驟前後之處理中的覆蓋氣體之噴出量，因此，於進行液體集中步驟之期間，可充分地保護元件區域90以不會受到處理液之環境氣體影響。又，可利用覆蓋氣體之風壓而充分地將處理液向基板之端面側集中。
<7.周緣部用噴出頭之變化例>
一面參照圖21，一面對其他形態之周緣部用噴出頭51a進行說明。圖21係自下側觀察周緣部用噴出頭51a之圖。再者，於以下之說 明中，對於與上述實施形態中所說明之構成相同之構成，省略說明且附上相同符號而加以表示。
<i.整體構成>
周緣部用噴出頭51a具備如下構成，即，複數個(此處為5個)噴嘴50a、50b、50c、50m、50n一體地受到支持部500a支持。周緣部用噴出頭51a所具備之一群噴嘴50a、50b、50c、50m、50n中，包含與上述實施形態相同之3個處理液噴嘴50a、50b、50c(具體而言為噴出酸性藥液之第1藥液噴嘴50a、噴出鹼性藥液之第2藥液噴嘴50b、及噴出沖淋液之沖淋液噴嘴50c)。又，周緣部用噴出頭51a所具備之一群噴嘴50a、50b、50c、50m、50n中，包含向表面周緣部911噴出氣體(此處為氮氣)與蒸氣(尤佳為過熱蒸氣)之噴嘴(箱形噴嘴)50m、與向表面周緣部911噴出氣體(此處為氮氣)之噴嘴(內側氣體噴嘴)50n。
<ii.箱形噴嘴50m>
對箱形噴嘴50m進行說明。箱形噴嘴50m具備呈長方體狀之外形之噴嘴本體部501m。噴嘴本體部501m係以使其下表面(噴出面)502m成為水平姿勢之方式而支持於支持部500a。因此，於周緣部用噴出頭51a配置於處理位置之狀態下，噴出面502m以與旋轉基座21上所保持之基板9之表面91平行之姿勢，以非接觸狀態靠近表面周緣部911。
於噴出面502m中形成有沿著如下假想線(第1假想線)排列之複數個氣體噴出口506，該假想線(第1假想線)呈沿著表面周緣部911之弧狀。又，於噴出面502m中形成有沿著如下假想線(第2假想線)排列之複數個蒸氣噴出口507，該假想線(第2假想線)呈沿著表面周緣部911之弧狀。然而，排列有複數個氣體噴出口506之第1假想線處於較排列有複數個蒸氣噴出口507之第2假想線靠基板9內側(基板9之中心側)處。即，複數個氣體噴出口506排列於較複數個蒸氣噴出口507靠基板9內側處。
於噴嘴本體部501m之內部形成氣體用之流路部。該氣體用之流路部之下端與複數個氣體噴出口506連通。又，分支配管552e之分支後之一個端部連接於氣體用之流路部。分支配管552e之分支前之端部與氣體(例如氮氣)之供給源(氣體供給源)551e連接。又，於分支配管552e之中途插設有開閉閥553e。因此，開閉閥553e開放之後，分支配管552e所供給之氣體經由噴嘴本體部501m內部之氣體用之流路部而自複數個氣體噴出口506噴出。然而，較佳為與上述噴嘴本體部501(圖7)之內部所形成之流路部同樣地，於氣體用之流路部中形成傾斜流路部分，該傾斜流路部分向隨著伸向下方而自基板9之內側(基板9之中心側)朝向外側(端面93側)之斜下方向延伸，且於下端與氣體噴出口506連通。
又，於噴嘴本體部501m之內部形成蒸氣用之流路部。該蒸氣用之流路部之下端與複數個蒸氣噴出口507連通。又，配管552f之一端連接於蒸氣用之流路部。配管552f之另一端與蒸氣之供給源(蒸氣供給源)551f連接。又，於配管552f之中途插設有開閉閥553f。因此，開閉閥553f開放之後，配管552f所供給之蒸氣經由噴嘴本體部501m內部之蒸氣用之流路部而自複數個蒸氣噴出口507噴出。然而，自蒸氣噴出口507噴出之蒸氣較佳為已被加熱(過熱)至足夠高之溫度(例如100℃以上且為130℃以下)之過熱蒸氣(過熱水蒸氣)。因此，如上所述，只要包含如下供給源、與該供給源連接之配管、及插設於該配管之路徑中途之加熱器而構成蒸氣供給源551f即可(圖示均已省略)，該供給源供給因對純水等進行加熱而生成之蒸氣(水蒸氣)。又，較佳為與上述噴嘴本體部501之內部所形成之流路部同樣地，於蒸氣用之流路部中形成傾斜流路部分，該傾斜流路部分向隨著伸向下方而自基板9之內側(基板9之中心側)朝向外側(端面93側)之斜下方向延伸，且於下端與蒸氣噴出口507連通。
<iii.內側氣體噴嘴50n>
其次，對內側氣體噴嘴50n進行說明。內側氣體噴嘴50n具備噴嘴本體部501n，自上方觀察，該噴嘴本體部501n呈彎曲為沿著表面周緣部911之弧狀而成之外形。噴嘴本體部501n係以使其下表面(噴出面)502n成為水平姿勢之方式而支持於支持部500a。因此，於周緣部用噴出頭51a配置於處理位置之狀態下，噴出面502n以與旋轉基座21上所保持之基板9之表面91平行之姿勢，以非接觸狀態靠近表面周緣部911。
於噴出面502n中形成有沿著如下假想線排列之複數個內側氣體噴出口508，該假想線呈沿著表面周緣部911之弧狀。
於噴嘴本體部501n之內部形成流路部。該流路部之下端與複數個內側氣體噴出口508連通。又，分支配管552e之分支後之另一個端部連接於該流路部。因此，開閉閥553e開放之後，分支配管552e所供給之氣體經由噴嘴本體部501n內部之流路部而自複數個內側氣體噴出口508噴出。然而，較佳為與上述噴嘴本體部501之內部所形成之流路部同樣地，亦於該流路部中形成傾斜流路部分，該傾斜流路部分向隨著伸向下方而自基板9之內側(基板9之中心側)朝向外側(端面93側)之斜下方向延伸，且於下端與內側氣體噴出口508連通。
<iv.各噴嘴之配置>
一體地支持3個處理液噴嘴50a、50b、50c、箱形噴嘴50m、及內側氣體噴嘴50n之支持部500a固定於臂部52。自上方觀察，支持部500a係呈沿著表面周緣部911之弧狀地彎曲之構件，3個處理液噴嘴50a、50b、50c、與箱形噴嘴50m沿著呈弧狀地彎曲之支持部500a之延伸方向排列。因此，於周緣部用噴出頭51配置於處理位置之狀態下，成為如下狀態，即，3個處理液噴嘴50a、50b、50c、與箱形噴嘴50m沿著基板9之表面周緣部911排列。此時，沿著基板9之旋轉方向 AR9，自上游側起依照箱形噴嘴50m、第1藥液噴嘴50a、沖淋液噴嘴50c、第2藥液噴嘴50b之順序排列。另一方面，內側氣體噴嘴50n配置得較3個處理液噴嘴50a、50b、50c靠基板9之內側(基板9之中心側)。
即，於該周緣部用噴出頭51a中，箱形噴嘴50m配置得較處理液噴嘴50a、50b、50c靠基板9之旋轉方向AR9之上游側。因此，旋轉之基板9之表面周緣部911內之各位置首先通過箱形噴嘴50m之下方，其後通過處理液噴嘴50a、50b、50c之下方。根據該構成，可於將新的處理液自處理液噴嘴50a、50b、50c供給至旋轉之基板9之表面周緣部911內的各位置之前，先將氣體或蒸氣或者該兩者自箱形噴嘴50m供給至該位置。
根據該構成，可於利用自箱形噴嘴50m噴出之氣體，將附著於表面周緣部911內之各位置之舊的處理液去除之後，自處理液噴嘴50a、50b、50c供給新的處理液，因此如上所述，可抑制因未甩落之舊的處理液與新供給之處理液碰撞而導致處理液進入至元件區域90。又，根據該構成，總是可使新鮮之處理液作用於基板9，從而提高處理效率。又，根據該構成，可避免如下狀況而使處理液起作用之區域之尺寸穩定，該狀況係指大量之處理液暫時保持於表面周緣部911內之各位置。
進而根據該構成，可於利用蒸氣對表面周緣部911內之各位置進行加熱之後，立即將新的藥液自藥液噴嘴50a、50b供給至該位置，因此，可促進表面周緣部911與藥液之反應(所謂之熱輔助)。其結果，可縮短藥液處理之處理時間，並且可抑制藥液之使用量。
再者，於控制部130之控制下，根據處理程式等而規定來自周緣部用噴出頭51a之蒸氣之噴出時刻。例如，亦可設為如下構成，即，於對表面周緣部911進行利用SC-1之藥液處理之期間(步驟S201)，自周緣部用噴出頭51a之箱形噴嘴50m向基板9之表面周緣部911噴出蒸 氣。此時之蒸氣之噴出流量較佳為2000(mL/min)。然而，亦較佳為於自箱形噴嘴50m噴出蒸氣之期間，亦自箱形噴嘴50m噴出氣體。根據該構成，即使供給至基板9之蒸氣之一部分於基板9上冷凝而成為水滴，該水滴亦會被自箱形噴嘴50m噴出之氣體去除，因此，可避免水滴附著於元件區域90。
<v.目標噴出位置>
其次，一面參照圖22、圖23，一面對周緣部用噴出頭51a所具備之一群噴嘴50a、50b、50c、50m、50n各自之目標噴出位置進行說明。圖22係模式性地表示各噴嘴50a、50b、50c、50m、50n之目標噴出位置之一例的圖。圖23係自基板9之旋轉方向AR9之下游側觀察周緣部用噴出頭51a之圖。然而，於圖23中表示了自周緣部用噴出頭51噴出蒸氣與氣體之狀態。
周緣部用噴出頭51a所具備之一群噴嘴50a、50b、50c、50m、50n各自之目標噴出位置Qa、Qb、Qc、Qe1、Qe2、Qf係設為於基板9之直徑方向上彼此錯開之位置。即，箱形噴嘴50m之氣體之目標噴出位置(自氣體噴出口506噴出之氣體之目標噴出位置)Qe1、及內側氣體噴嘴50n之目標噴出位置Qe2較處理液噴嘴50a、50b、50c之目標噴出位置Qa、Qb、Qc靠基板9之直徑方向內側(中心側)。又，內側氣體噴嘴50n之目標噴出位置Qe2係設為於直徑方向上與箱形噴嘴50m之氣體之目標噴出位置Qe1相同之位置。即，自基板9之端面93至內側氣體噴嘴50n之目標噴出位置Qe2之相隔距離、與自基板9之端面93至箱形噴嘴50m之氣體之目標噴出位置Qe1之相隔距離相等。進而，箱形噴嘴50m之蒸氣之目標噴出位置(自蒸氣噴出口507噴出之蒸氣之目標噴出位置)Qf係設為於直徑方向上與藥液噴嘴50a、50b之目標噴出位置Qa、Qb相同之位置。即，自基板9之端面93至目標噴出位置Qf之相隔距離、與自基板9之端面93至藥液噴嘴50a、50b之目標噴出位置Qa、 Qb之相隔距離相同。
再者，處理液噴嘴50a、50b、50c之目標噴出位置Qa、Qb、Qc與上述實施形態相同。即，沖淋液噴嘴50c之目標噴出位置Qc較藥液噴嘴50a、50b之目標噴出位置Qa、Qb靠基板9之直徑方向內側，第1藥液噴嘴50a之目標噴出位置Qa、與第2藥液噴嘴50b之目標噴出位置Qb係設為直徑方向上之相同位置。
於該周緣部用噴出頭51a中，箱形噴嘴50m之氣體之目標噴出位置Qe1較處理液噴嘴50a、50b、50c之目標噴出位置Qa、Qb、Qc靠基板9之直徑方向內側，因此，氣體供給至基板9之表面周緣部911上之較處理液噴出位置靠內側之位置。根據該構成，如上所述，可藉由氣體而自基板9之內側向外側吹走供給至表面周緣部911之處理液，從而將表面周緣部911上之處理液去除。
又，於該周緣部用噴出頭51a中，內側氣體噴嘴50n之目標噴出位置Qe2較處理液噴嘴50a、50b、50c之目標噴出位置Qa、Qb、Qc靠基板9之直徑方向內側，因此，可抑制表面周緣部911上之處理液進入至元件區域90，並且可使處理液起作用之區域之尺寸(例如蝕刻寬度)穩定，從而可提高該尺寸之控制精度。
又，於該周緣部用噴出頭51a中，自基板9之端面93至箱形噴嘴50m之蒸氣之目標噴出位置Qf之相隔距離、與自基板9之端面93至藥液噴嘴50a、50b之目標噴出位置Qa、Qb之相隔距離相等。因此，可將蒸氣噴出至基板9之表面周緣部911上之與處理液噴出位置相同之位置。藉此，可有效果地促進表面周緣部911內之各位置與供給至各位置之藥液之反應。
<vi.效果>
該變化例之周緣部用噴出頭51a具備噴出蒸氣之箱形噴嘴50m。根據該構成，自箱形噴嘴50m向表面周緣部911噴出蒸氣，藉此，可 對表面周緣部911進行加熱。
又，根據該變化例，箱形噴嘴50m配置得較處理液噴嘴50a、50b、50c靠基板9之旋轉方向AR9之上游側。根據該構成，可於利用自箱形噴嘴50m噴出之蒸氣對表面周緣部911內之各位置進行加熱之後，將處理液自處理液噴嘴50a、50b、50c供給至該位置。因此，可促進供給至表面周緣部911之處理液與基板之反應。
又，根據該變化例，自箱形噴嘴50m噴出蒸氣之目標噴出位置Qf係設為於基板9之直徑方向上，與藥液噴嘴50a、50b之目標噴出位置Qa、Qb相同之位置。因此，可於供給處理液之前，藉由蒸氣而效率良好地對表面周緣部911上之藥液噴出位置進行加熱。根據該構成，可有效果地促進供給至表面周緣部911之藥液與基板9之反應。
<8.其他變化例>
於上述實施形態中，當進行利用SC-2之藥液處理(步驟S201)、及利用DHF之藥液處理(步驟S208)時，不對基板9之背面92供給蒸氣(不進行熱輔助)。即，於上述實施形態中，利用SC-2之藥液處理係使洗淨處理進行而非使蝕刻處理進行之藥液處理，因此，省略了熱輔助。又，對於DHF而言，即使未進行熱輔助，蝕刻亦會以比較高之蝕刻率進行，因此，於進行利用DHF之藥液處理時，亦省略了熱輔助。然而，根據處理對象等，亦可於進行利用SC-2之藥液處理、或利用DHF之藥液處理之期間，對基板9之背面92供給蒸氣。
又，於上述實施形態中，在利用SC-1之藥液處理(步驟S201)及其後之沖淋處理(步驟S202)、利用SC-2之藥液處理(步驟S204)及其後之沖淋處理(步驟S206)之各處理中，未自氣體噴嘴50d向表面周緣部911供給氣體。原因在於：若供給SC-1或SC-2，則由於表面周緣部911為親水性，故而供給至此處之處理液之液膜僅利用由基板旋轉產生之離心力而比較穩定地保持於周緣部，將氣體供給至此種狀態下之表面周 緣部911之後，反而有可能會使液體濺起。然而，根據處理對象等，亦可於進行上述各處理之期間，向表面周緣部911供給氣體。
又，於上述實施形態中，在利用SC-1之藥液處理之後，未進行甩液處理。原因在於：於上述實施形態中，藉由利用SC-1之藥液處理而對基板9實施蝕刻處理，於蝕刻處理之後，不進行甩液處理而進行沖淋處理，迅速地將用於蝕刻之藥液沖去，藉此，可良好地控制蝕刻寬度及蝕刻深度。再者，供給SC-1之後，由於表面周緣部911為親水性，故而於利用SC-1之藥液處理結束之時點，殘存於表面周緣部911之SC-1成為較薄地擴散至表面周緣部911上之狀態。即使下一種處理液即沖淋液供給至此種狀態之表面周緣部911，亦較難使液體濺起。即，即使省略利用SC-1之藥液處理後之甩液處理，亦不易成為嚴重問題。然而，根據處理對象等，亦可於進行利用SC-1之藥液處理之後，進行甩液處理。例如當藉由利用SC-1之藥液處理，對基板9實施蝕刻處理而非洗淨處理(例如，將附著於基板9之表面周緣部911之有機物等去除之洗淨處理)時，較佳為於利用SC-1之藥液處理之後進行甩液處理。
又，於上述實施形態中，在利用DHF之藥液處理之後，亦未進行甩液處理。原因在於：於上述實施形態中，藉由利用DHF之藥液處理而對基板9實施蝕刻處理，如上所述於蝕刻處理之後，不進行甩液處理而進行沖淋處理，迅速地將用於蝕刻之藥液沖去，藉此，可良好地控制蝕刻寬度及蝕刻深度。再者，供給DHF之後，由於表面周緣部911為斥水性，故而表面周緣部911成為不易殘存處理液之狀態。而且於上述實施形態中，在進行利用DHF之藥液處理之期間，自氣體噴嘴50d對表面周緣部911供給氣體，因此，供給至表面周緣部911之多餘之DHF的大部分自基板9之端面93被去除。因此，於利用DHF之藥液處理完成之時點(無需進行甩液處理)，成為如下狀態，即，於基板9 之表面周緣部911幾乎未殘存有DHF。因此，尤其無需於利用DHF之藥液處理之後進行甩液處理。然而，根據處理對象等，亦可於進行利用DHF之藥液處理之後，進行甩液處理。
又，於上述實施形態中，在表面周緣處理(步驟S2)及背面處理(步驟S4)之各個處理中，介隔沖淋處理等而依序進行使用有3種藥液(SC-1、SC-2、及DHF)之藥液處理，但不一定必需進行使用有上述3種藥液之藥液處理。例如，亦可使用自SC-1、SC-2、DHF、BDHF(緩衝氫氟酸)、HF(氫氟酸)、鹽酸、硫酸、硝酸、磷酸、乙酸、草酸或氨等之水溶液、或者該等水溶液之混合溶液等中選擇之一種以上之藥液，對表面周緣部911或背面92進行藥液處理。
又，亦可將供給氫氟酸(例如49%之氫氟酸)之氫氟酸供給源、供給鹽酸之鹽酸供給源、供給過氧化氫之過氧化氫供給源、供給氫氧化銨之氫氧化銨供給源、供給純水之純水供給源、供給二氧化碳氣體之二氧化碳氣體供給源、供給氮氣之氮氣供給源、配管、開閉閥、及混合閥等加以組合而構成上述實施形態之流體供給部55。於該構成中，例如來自氫氟酸供給源之氫氟酸與來自純水供給源之純水於混合閥內以規定之比率混合，藉此生成DHF，該DHF供給至周緣部用噴出頭51(具體而言為第1藥液噴嘴50a)。又，來自鹽酸供給源之鹽酸、與來自過氧化氫供給源之過氧化氫於混合閥內以規定之比率混合，藉此生成SC-2，該SC-2供給至周緣部用噴出頭51(具體而言為第1藥液噴嘴50a)。又，來自氫氧化銨供給源之氫氧化銨、來自過氧化氫供給源之過氧化氫、及來自純水供給源之純水於混合閥內以規定之比率混合，藉此生成SC-1，該SC-1供給至周緣部用噴出頭51(具體而言為第2藥液噴嘴50b)。又，二氧化碳溶融於來自純水供給源之純水而生成沖淋液，該沖淋液供給至周緣部用噴出頭51(具體而言為沖淋液噴嘴50c)。
又，於上述實施形態中設為如下構成，即，加熱處理部7使用蒸氣對基板9進行加熱，但加熱處理部7亦可使用其他加熱源(例如電熱線加熱器、燈加熱器等)對基板9進行加熱。然而，使用蒸氣對基板9進行加熱之態樣與利用電熱線加熱器或燈加熱器對基板9進行加熱之態樣相比較，可於短時間內，局部地對基板9進行加熱(進而可實現良好之處理量)，因此尤佳。
又，於上述實施形態中，在甩液處理中依序進行液體集中步驟(步驟S2031)與吹走步驟(步驟S2032)，但亦可並列地進行液體集中步驟(步驟S2031)與吹走步驟(步驟S2032)。
又，進行甩液處理之時刻並不限於上述實施形態中所例示之時刻。例如，可省略利用SC-2之藥液處理之後的甩液處理，亦可省略各沖淋處理之後的甩液處理中之至少一個處理。又，如上所述，可於利用SC-1之藥液處理之後進行甩液處理，亦可於利用DHF之藥液處理之後進行甩液處理。
又，於上述實施形態之周緣部用噴出頭51中，相對於沖淋噴嘴50c，將第1藥液噴嘴50a配置於基板9之旋轉方向AR9之上游側，將第2藥液噴嘴50b配置於下游側，但亦可相對於沖淋噴嘴50c，將第2藥液噴嘴50b配置於基板9之旋轉方向AR9之上游側，將第1藥液噴嘴50a配置於下游側。
又，於上述實施形態中設為如下狀態，即，在周緣部用噴出頭51配置於處理位置之狀態下，周緣部用噴出頭51之至少一部分收容於防護構件60之內周壁601中所形成之缺口605內，但亦可設為如下狀態，即，在周緣部用噴出頭51配置於處理位置之狀態下，周緣部用噴出頭51之至少一部分(具體而言，例如為周緣部用噴出頭51所具備之噴嘴50之至少一部分)例如收容於自防護構件60之上表面604貫通至下表面602之貫通孔內。即，配置於處理位置之周緣部用噴出頭51所具 備之噴嘴50亦可介隔防護構件60之一部分而配置於蓋體31之相反側。
又，於上述實施形態中，基板處理裝置1對基板9之表面周緣部911及背面92實施處理，但基板處理裝置1亦可僅對表面周緣部911或僅對背面92進行處理。又，基板處理裝置1亦可對表面周緣部911及背面92中之至少一方進行蝕刻處理、洗淨處理以外之處理(例如成膜處理)。
又，於上述實施形態中，基板處理裝置1對基板9之表面周緣部911進行處理之後，對背面92進行處理，但亦可並列地進行對於表面周緣部911之處理與對於背面92之處理。
又，於上述實施形態中，基板9為半導體晶圓，但基板9亦可為液晶顯示裝置用玻璃基板、電漿顯示器用玻璃基板、光碟用基板、磁碟用基板、光磁碟用基板、光罩用玻璃基板、太陽電池用基板等。
如上所述，已詳細地表示且記述了本發明，但上述記述於全部態樣中未例示而並不進行限定。因此，本發明可於本發明之範圍內，適當地對實施形態進行變形、省略。
9‧‧‧基板
21‧‧‧旋轉基座
25‧‧‧保持構件
50a‧‧‧第1藥液噴嘴
50b‧‧‧第2藥液噴嘴
50c‧‧‧沖淋液噴嘴
50d‧‧‧氣體噴嘴
51‧‧‧周緣部用噴出頭
52‧‧‧臂部
500‧‧‧支持部
AR9‧‧‧旋轉方向

Claims (22)

  1. 一種基板處理裝置，其包括：基板保持部，其將基板保持為水平姿勢，且使該基板圍繞通過其面內中心之鉛垂之旋轉軸而旋轉；及周緣部用噴出頭，其向保持於上述基板保持部之基板之表面周緣部噴出流體；上述周緣部用噴出頭包括：複數個噴嘴；及支持部，其一體地支持上述複數個噴嘴；上述複數個噴嘴中包含：處理液噴嘴，其向上述表面周緣部噴出處理液；及氣體噴嘴，其向上述表面周緣部噴出氣體；上述氣體噴嘴配置於較上述處理液噴嘴更靠上述基板之旋轉方向之上游側。
  2. 如請求項1之基板處理裝置，其中將流體自上述複數個噴嘴之各者噴出而到達基板上之位置稱為該噴嘴之目標噴出位置，上述氣體噴嘴之目標噴出位置較上述處理液噴嘴之目標噴出位置更靠基板之中心側。
  3. 如請求項1或2之基板處理裝置，其中上述周緣部用噴出頭包括複數個上述處理液噴嘴，上述複數個處理液噴嘴中包含：藥液噴嘴，其噴出藥液；及沖淋液噴嘴，其噴出沖淋液。
  4. 如請求項3之基板處理裝置，其中將流體自上述複數個噴嘴之各者噴出而到達基板上之位置稱 為該噴嘴之目標噴出位置，上述沖淋液噴嘴之目標噴出位置較上述藥液噴嘴之目標噴出位置更靠基板之中心側。
  5. 如請求項3之基板處理裝置，其中上述周緣部用噴出頭包括複數個上述藥液噴嘴，上述複數個藥液噴嘴中包含：第1藥液噴嘴，其噴出酸性藥液；及第2藥液噴嘴，其噴出鹼性藥液；上述沖淋液噴嘴配置於上述第1藥液噴嘴與上述第2藥液噴嘴之間。
  6. 如請求項5之基板處理裝置，其中將流體自上述複數個噴嘴之各者噴出而到達基板上之位置稱為該噴嘴之目標噴出位置，自基板之端面至上述第1藥液噴嘴之目標噴出位置之相隔距離、與自基板之端面至上述第2藥液噴嘴之目標噴出位置之相隔距離相等。
  7. 如請求項1或2之基板處理裝置，其中上述複數個噴嘴中，包含向上述表面周緣部噴出蒸氣之蒸氣噴嘴。
  8. 如請求項7之基板處理裝置，其中上述蒸氣噴嘴配置於較上述處理液噴更嘴靠上述基板之旋轉方向之上游側。
  9. 如請求項7之基板處理裝置，其中上述處理液噴嘴中包含噴出藥液之藥液噴嘴，將流體自上述複數個噴嘴之各者噴出而到達基板上之位置稱為該噴嘴之目標噴出位置，自基板之端面至上述蒸氣噴嘴之目標噴出位置之相隔距離、與自基板之端面至上述藥液噴嘴之目標噴出位置之相隔距離相等。
  10. 如請求項1或2之基板處理裝置，其中上述噴嘴包括：噴嘴本體部，其以使下表面成為水平姿勢之方式而支持於上述支持部；噴出口，其於上述噴嘴本體部之上述下表面開口；及流路部，其形成於上述噴嘴本體部之內部，且於下端與上述噴出口連通；上述流路部包括傾斜流路部分，該傾斜流路部分向隨著伸向下方而自上述基板之中心側朝向端面側之斜下方向延伸，且於下端與上述噴出口連通。
  11. 如請求項1或2之基板處理裝置，其包括控制部，該控制部對上述基板保持部及上述周緣部用噴出頭進行控制，上述控制部係使上述基板於上述基板保持部旋轉，且自上述處理液噴嘴向上述旋轉之基板之表面周緣部噴出處理液，並且自上述氣體噴嘴向上述表面周緣部噴出氣體。
  12. 如請求項11之基板處理裝置，其中自上述處理液噴嘴噴出之上述處理液為稀氫氟酸。
  13. 如請求項11之基板處理裝置，其中自上述處理液噴嘴噴出之上述處理液為沖淋液。
  14. 一種基板處理方法，其包括：a)使基板保持為水平姿勢，且使該基板圍繞通過其面內中心之鉛垂之旋轉軸而旋轉之步驟；b)自處理液噴嘴向旋轉之上述基板之表面周緣部噴出處理液之步驟；及c)與上述b)步驟並行地，自配置於較上述處理液噴嘴更靠上述基板之旋轉方向之上游側之氣體噴嘴向上述表面周緣部噴出氣 體之步驟。
  15. 一種基板處理方法，其包括：a)使基板圍繞通過其面內中心之鉛垂之旋轉軸而旋轉，且向上述基板之表面周緣部噴出第1處理液之步驟；b)於停止噴出上述第1處理液之後，將殘存於上述表面周緣部之上述第1處理液向上述基板之端面側集中，並自上述端面向基板外甩落之步驟；及c)於上述b)步驟之後，一面使上述基板旋轉，一面向上述表面周緣部噴出第2處理液之步驟。
  16. 如請求項15之基板處理方法，其中上述b)步驟包括：b1)於停止向上述表面周緣部噴出流體之狀態下，使上述基板旋轉之步驟；及b2)向上述基板之表面周緣部噴出氣體之步驟。
  17. 如請求項16之基板處理方法，其中上述b1)步驟中之基板之旋轉速度大於上述a)步驟中之基板之旋轉速度。
  18. 如請求項15至17中任一項之基板處理方法，其包括d)於進行上述a)步驟、上述b)步驟、及上述c)步驟之期間，向上述基板之表面之中央附近噴出覆蓋氣體之步驟。
  19. 如請求項18之基板處理方法，其中上述b)步驟中之上述覆蓋氣體之噴出量大於上述a)步驟中之上述覆蓋氣體之噴出量。
  20. 如請求項15至17中任一項之基板處理方法，其中上述第1處理液為SC-2。
  21. 如請求項15至17中任一項之基板處理方法，其中上述第1處理液為沖淋液。
  22. 一種基板處理裝置，其包括：基板保持部，其使基板保持水平姿勢，且使該基板圍繞通過 其面內中心之鉛垂之旋轉軸而旋轉；周緣部用噴出頭，其向保持於上述基板保持部之基板之表面周緣部噴出流體；及控制部，其對上述基板保持部及上述周緣部用噴出頭進行控制；上述控制部係於使上述周緣部用噴出頭向藉由上述基板保持部而旋轉之基板之表面周緣部依序噴出第1處理液與第2處理液之情形時，在停止自上述周緣部用噴出頭噴出上述第1處理液之後，且在開始自上述周緣部用噴出頭噴出上述第2處理液之前，於停止自上述周緣部用噴出頭噴出流體之狀態下，使上述基板於上述基板保持部旋轉規定之時間之後，自上述周緣部用噴出頭向上述基板之表面周緣部噴出氣體。
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