JP6275984B2 - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents

Description

この発明は、半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基板、プラズマディスプレイ用ガラス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用ガラス基板、太陽電池用基板、等（以下、単に「基板」という）の表面周縁部に、処理を施す技術に関する。

基板においては、その端面ぎりぎりまでデバイスパターン（回路パターン）が形成されることはあまりなく、デバイスパターンは、基板の端面から一定幅だけ内側の表面領域に形成されることが多い。

ところが、デバイスパターンを形成するための成膜工程においては、デバイスパターンが形成される領域（以下単に「デバイス領域」という）の外側まで、膜が形成されることがある。デバイス領域の外側に形成された膜は、不要であるばかりでなく、各種のトラブルの原因にもなり得る。例えば、デバイス領域の外側に形成されている膜が、処理工程の途中で剥がれ落ちて、歩留まりの低下、基板処理装置のトラブルなどを引き起こす虞等がある。

そこで、デバイス領域の外側に形成されている薄膜を、エッチングにより除去する処理（所謂、ベベルエッチング処理）が行われることがあり、このような処理を行う装置が提案されている（例えば、特許文献１〜４参照）。

特開２００６−２２９０５７号公報 特開２００３−２６４１６８号公報 特開２００７−２５８２７４号公報 特開２００３−２８６５９７号公報

デバイス領域の外側の表面周縁部に対して、処理液を用いた処理を行う場合、表面周縁部上に、処理に必要十分な量よりも多量の処理液が供給されてしまうと、余分な処理液が基板の中心側に広がってしまう虞がある。こうなると、表面周縁部における処理液が作用する領域の内縁位置が、所期の位置よりも基板の中心側にずれこんでしまう。最悪の場合、中心側に広がってしまった処理液がデバイス領域に進入して、デバイスパターンに不具合を生じさせる虞もある。

この発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、基板の表面周縁部に供給された余分な処理液が基板の中心側に広がることを、抑制できる技術を提供することを目的とする。

第１の態様は、基板処理装置であって、基板を水平姿勢に保持しつつ、当該基板を、その面内の中心を通る鉛直な回転軸のまわりで回転させる基板保持部と、前記基板保持部に保持される基板の表面周縁部に対する処理を行う周縁部用処理ヘッドと、を備え、前記周縁部用処理ヘッドが、前記表面周縁部に向けて、処理液を吐出する処理液ノズルと、前記処理液ノズルと対応付けられ、前記表面周縁部上に吐出された前記処理液のうち前記表面周縁部の処理に必要な部分は残しつつ前記表面周縁部の処理には余分な部分を吸引して除去することにより、前記処理液が前記基板に作用する領域の内縁位置を制御する吸引管と、を備える。

第２の態様は、第１の態様に係る基板処理装置であって、前記周縁部用処理ヘッドが、前記処理液ノズルと前記吸引管とを一体的に支持する支持部、を備える。

第３の態様は、第１または第２の態様に係る基板処理装置であって、前記周縁部用処理ヘッドにおいて、前記吸引管が、前記処理液ノズルの近傍であって、前記基板の回転方向における前記処理液ノズルの直後に配置される。

第４の態様は、第１または第２の態様に係る基板処理装置であって、前記周縁部用処理ヘッドにおいて、前記吸引管が、前記処理液ノズルの近傍であって、前記基板の回転方向における前記処理液ノズルの直前に配置される。

第５の態様は、基板処理装置であって、基板を水平姿勢に保持しつつ、当該基板を、その面内の中心を通る鉛直な回転軸のまわりで回転させる基板保持部と、前記基板保持部に保持される基板の表面周縁部に対する処理を行う周縁部用処理ヘッドと、を備え、前記周縁部用処理ヘッドが、前記表面周縁部に向けて、処理液を吐出する処理液ノズルと、前記処理液ノズルと対応付けられ、前記表面周縁部上の余分な前記処理液を吸引して、前記処理液が前記基板に作用する領域の内縁位置を制御する吸引管と、を備え、前記吸引管が、その先端に開口した吸引口が、前記表面周縁部と対向するような吸引位置に配置された状態において、前記吸引口における前記基板の中心側の端が、前記表面周縁部における前記処理液を作用させるべき領域の内縁位置よりも、基板の端面側にある。

第６の態様は、基板処理装置であって、基板を水平姿勢に保持しつつ、当該基板を、その面内の中心を通る鉛直な回転軸のまわりで回転させる基板保持部と、前記基板保持部に保持される基板の表面周縁部に対する処理を行う周縁部用処理ヘッドと、を備え、前記周縁部用処理ヘッドが、前記表面周縁部に向けて、処理液を吐出する処理液ノズルと、前記処理液ノズルと対応付けられ、前記表面周縁部上の余分な前記処理液を吸引して、前記処理液が前記基板に作用する領域の内縁位置を制御する吸引管と、を備え、前記吸引管が、その先端に開口した吸引口が、前記表面周縁部と対向するような吸引位置に配置された状態において、前記吸引口における前記基板の端面側の端が、前記基板の端面よりも内側にある。

第７の態様は、第１から第６のいずれかの態様に係る基板処理装置であって、前記処理液ノズルが、前記基板上の第１の位置に向けて前記処理液を吐出し、前記吸引管が、前記第１の位置よりも基板の端面側の第２の位置から前記処理液を吸引する。

第８の態様は、第１から第７のいずれかの態様に係る基板処理装置であって、前記周縁部用処理ヘッドが、前記表面周縁部に向けて、ガスを吐出するガスノズル、を備える。

第９の態様は、第１から第８のいずれかの態様に係る基板処理装置であって、前記周縁部用処理ヘッドを制御する制御部、を備え、前記制御部が、回転される基板の表面周縁部に向けて、前記処理液ノズルから処理液を吐出させつつ、前記表面周縁部上の余分な前記処理液を前記吸引管に吸引させる。

第１０の態様は、基板処理方法であって、ａ）基板を水平姿勢に保持しつつ、当該基板を、その面内の中心を通る鉛直な回転軸のまわりで回転させる工程と、ｂ）回転される前記基板の表面周縁部に向けて、処理液を吐出する工程と、ｃ）前記ｂ）工程と並行して、前記表面周縁部上に吐出された前記処理液のうち前記表面周縁部の処理に必要な部分は残しつつ前記表面周縁部の処理には余分な部分を吸引して除去することにより、前記処理液が前記基板に作用する領域の内縁位置を制御する工程と、を備える。

第１の態様によると、吸引管に、処理液ノズルから表面周縁部上に供給された余分な処理液を吸引させることによって、当該余分な処理液を表面周縁部から除去できる。その結果、表面周縁部上の余分な処理液が基板の中心側に広がることを抑制できる。

第２の態様によると、周縁部用処理ヘッドにおいて、吸引管と処理液ノズルとが、一体的に支持される。この構成によると、回転される基板の表面周縁部内の各位置から見て、吸引管と処理液ノズルとが一体的に相対移動される。したがって、処理液ノズルからの処理液の供給タイミングと、吸引管からの処理液の吸引タイミングとが、表面周縁部内の全ての位置で、等しくなる。これによって、表面周縁部内の各位置に保持される処理液の量の増減態様にばらつきが出ることを抑制できる。ひいては、表面周縁部内の各位置を均一に処理できる。

第３の態様によると、周縁部用処理ヘッドにおいて、吸引管が、対応する処理液ノズルの近傍であって、当該処理液ノズルよりも基板の回転方向の下流側に配置される。この構成によると、回転される基板の表面周縁部内の各位置に、処理液ノズルから新たな処理液が供給された直後に、当該位置に供給された余分な処理液を吸引管から吸引することができる。これによって、表面周縁部内の各位置に保持される処理液の量を常に必要十分な量に保つことができる。ひいては、表面周縁部における処理液が作用する領域の内縁位置を、精度よく制御できる。

第４の態様によると、周縁部用処理ヘッドにおいて、吸引管が、対応する処理液ノズルの近傍であって、当該処理液ノズルよりも基板の回転方向の上流側に配置される。この構成によると、処理液ノズルから供給されて基板の回転方向の上流側に流れた余分な処理液を、吸引管から吸引して表面周縁部から除去することができる。その結果、表面周縁部上の余分な処理液が基板の中心側に広がることを抑制できる。さらに、この構成によると、一周前に処理液ノズルから供給されて、基板が一周回転される間に振り切られなかった古い処理液を、吸引管から吸引した後に、当該位置に処理液ノズルから新たな処理液を供給することができる。これによって、新たに供給された処理液が、表面周縁部上の古い処理液と衝突して、デバイス領域への処理液の進入が生じる、といった事態の発生を抑制できる。

第５の態様によると、吸引管が吸引位置に配置された状態において、吸引口における基板の中心側の端が、表面周縁部における処理液を作用させるべき領域の内縁位置よりも、基板の端面側にある。この構成によると、処理液を作用させるべき領域の内縁位置よりも基板の端面側に吸引圧を作用させることができる。したがって、処理液が、これを作用させるべき領域の内側にはみ出ることを抑制できる。

第６の態様によると、吸引管が吸引位置に配置された状態において、吸引口における基板の端面側の端が、基板の端面よりも内側にある。この構成によると、処理液に対して有効に吸引圧を作用させることができる。

第７の態様によると、基板上の第１の位置に向けて処理液が吐出され、当該第１の位置よりも基板の端面側の第２の位置から、余分な処理液が吸引される。この構成によると、表面周縁部上の余分な処理液が、基板の内側から外側に向かって流れて吸引管から吸引されるので、表面周縁部上の余分な処理液が基板の中心側に広がることを十分に抑制できる。

第８の態様によると、処理液ノズルから表面周縁部に供給されている古い処理液を、ガスノズルから吐出されるガスで除去することができる。これによって、新たに供給された処理液が、表面周縁部上の古い処理液と衝突して、デバイス領域への処理液の進入が生じる、といった事態の発生が抑制される。

第９、第１０の態様によると、回転される基板の表面周縁部に向けて処理液が吐出されるのと並行して、表面周縁部上の余分な処理液が吸引される。この構成によると、処理効率の低下を避けつつ、表面周縁部上の余分な処理液が基板の中心側に広がることを抑制できる。

基板処理システムを模式的に示す概略平面図である。 処理対象となる基板の周縁部付近を示す断面図である。 基板処理装置の概略斜視図である。 基板処理装置の概略斜視図である。 基板処理装置の構成を説明するための模式図である。 周縁部用処理ヘッドの斜視図である。 吐出ノズルの先端付近の構成を模式的に示す側断面図である。 吸引管の先端付近の構成を模式的に示す側断面図である。 目標吐出位置と目標吸引位置との配置例を模式的に示す図である。 周縁部用処理ヘッドを、基板の回転方向の下流側から見た図である。 周縁部用処理ヘッドを、基板の回転方向の下流側から見た図である。 基板処理装置で実行される動作の全体の流れを示す図である。 前処理の流れを示す図である。 前処理を説明するための図である。 表面周縁処理の流れを示す図である。 表面周縁処理を説明するための図である。 裏面処理等の流れを示す図である。 裏面処理等を説明するための図である。 変形例に係る周縁部用処理ヘッドの斜視図である。

以下、図面を参照しながら、実施の形態について説明する。以下の実施の形態は、本発明を具体化した一例であり、本発明の技術的範囲を限定する事例ではない。また、以下に参照する各図では、理解容易のため、各部の寸法や数が誇張または簡略化して図示されている場合がある。

＜１．基板処理システム１００＞
＜１−１．構成＞
基板処理システム１００の構成について、図１を参照しながら説明する。図１は、基板処理システム１００を模式的に示す概略平面図である。

基板処理システム１００は、複数枚の基板９を、一枚ずつ、連続して処理するシステムである。以下の説明において、基板処理システム１００で処理の対象とされる基板９は、例えば、円形の半導体ウェハであるとする。

基板処理システム１００は、並設された複数のセル（処理ブロック）（具体的には、インデクサセル１１０および処理セル１２０）と、当該複数のセル１１０，１２０が備える各動作機構等を制御する制御部１３０と、を備える。

＜インデクサセル１１０＞
インデクサセル１１０は、装置外から受け取った未処理の基板９を処理セル１２０に渡すとともに、処理セル１２０から受け取った処理済みの基板９を装置外に搬出するためのセルである。インデクサセル１１０は、複数のキャリアＣを載置するキャリアステージ１１１と、各キャリアＣに対する基板９の搬出入を行う基板搬送装置（移載ロボット）ＩＲと、を備える。

キャリアステージ１１１に対しては、未処理の基板９を収納したキャリアＣが、装置外部から、ＯＨＴ(Overhead Hoist Transfer)等によって搬入されて載置される。未処理の基板９は、キャリアＣから１枚ずつ取り出されて装置内で処理され、装置内での処理が終了した処理済みの基板９は、再びキャリアＣに収納される。処理済みの基板９を収納したキャリアＣは、ＯＨＴ等によって装置外部に搬出される。このように、キャリアステージ１１１は、未処理の基板９および処理済みの基板９を集積する基板集積部として機能する。なお、キャリアＣの形態としては、基板９を密閉空間に収納するＦＯＵＰ(Front Opening Unified Pod)であってもよいし、ＳＭＩＦ(Standard Mechanical Inter Face)ポッドや、収納された基板９を外気に曝すＯＣ(Open Cassette)であってもよい。

移載ロボットＩＲは、基板９を下方から支持することによって、基板９を水平姿勢（基板９の主面が水平な姿勢）で保持するハンド１１２と、ハンド１１２を駆動するハンド駆動機構１１３と、を備える。移載ロボットＩＲは、キャリアステージ１１１に載置されたキャリアＣから未処理の基板９を取り出して、当該取り出した基板９を、基板受渡位置Ｐにおいて搬送ロボットＣＲ（後述する）に渡す。また、移載ロボットＩＲは、基板受渡位置Ｐにおいて搬送ロボットＣＲから処理済みの基板９を受け取って、当該受け取った基板９を、キャリアステージ１１１上に載置されたキャリアＣに収納する。

＜処理セル１２０＞
処理セル１２０は、基板９に処理を行うためのセルである。処理セル１２０は、複数の基板処理装置１と、当該複数の基板処理装置１に対する基板９の搬出入を行う基板搬送装置（搬送ロボットＣＲ）と、を備える。ここでは、複数個（例えば、３個）の基板処理装置１が鉛直方向に積層されて、１個の基板処理装置群１０を構成している。そして、複数個（図示の例では、４個）の基板処理装置群１０が、搬送ロボットＣＲを取り囲むようにクラスタ状（房状）に設置される。

複数の基板処理装置１の各々は、内部に処理空間を形成する筐体１１を備える。筐体１１には、搬送ロボットＣＲのハンド１２１を筐体内部に挿入させるための搬出入口１２が形成されており、基板処理装置１は、搬送ロボットＣＲが配置されている空間に、この搬出入口１２を対向させるようにして配置される。基板処理装置１の具体的な構成については、後に説明する。

搬送ロボットＣＲは、基板９を下方から支持することによって、基板９を水平姿勢で保持するハンド１２１と、ハンド１２１を駆動するハンド駆動機構１２２と、を備える。ただし、上述したとおり、搬送ロボットＣＲ（具体的には、搬送ロボットＣＲの基台）は、複数の基板処理装置群１０に取り囲まれる空間の中央に配置される。搬送ロボットＣＲは、指定された基板処理装置１から処理済みの基板９を取り出して、当該取り出した基板９を、基板受渡位置Ｐにおいて移載ロボットＩＲに渡す。また、搬送ロボットＣＲは、基板受渡位置Ｐにおいて移載ロボットＩＲから未処理の基板９を受け取って、当該受け取った基板９を、指定された基板処理装置１に搬送する。

＜制御部１３０＞
制御部１３０は、移載ロボットＩＲ、搬送ロボットＣＲ、および、一群の基板処理装置１の各々を制御する。制御部１３０のハードウエアとしての構成は、一般的なコンピュータと同様のものを採用できる。すなわち、制御部１３０は、例えば、各種演算処理を行うＣＰＵ、基本プログラムを記憶する読み出し専用のメモリであるＲＯＭ、各種情報を記憶する読み書き自在のメモリであるＲＡＭ、制御用ソフトウェアやデータなどを記憶しておく磁気ディスク、等を備えている。制御部１３０において、プログラムに記述された手順に従って主制御部としてのＣＰＵが演算処理を行うことにより、基板処理システム１００の各部を制御する各種の機能部が実現される。もっとも、制御部１３０において実現される一部あるいは全部の機能部は、専用の論理回路などでハードウエア的に実現されてもよい。

＜１−２．動作＞
基板処理システム１００の全体動作について、引き続き図１を参照しながら説明する。基板処理システム１００においては、制御部１３０が、基板９の搬送手順および処理条件等を記述したレシピにしたがって、基板処理システム１００が備える各部を制御することによって、以下に説明する一連の動作が実行される。

未処理の基板９を収容したキャリアＣがキャリアステージ１１１に載置されると、移載ロボットＩＲが、当該キャリアＣから未処理の基板９を取り出す。そして、移載ロボットＩＲは、未処理の基板９を保持したハンド１１２を基板受渡位置Ｐまで移動させて、基板受渡位置Ｐにおいて、当該未処理の基板９を、搬送ロボットＣＲに渡す。ハンド１２１上に未処理の基板９を受け取った搬送ロボットＣＲは、当該未処理の基板９を、レシピにて指定された基板処理装置１に搬入する。なお、移載ロボットＩＲと搬送ロボットＣＲとの間の基板９の受け渡しは、ハンド１１２，１２１間で直接に行われてもよいし、基板受渡位置Ｐに設けられた載置部などを介して行われてもよい。

基板９が搬入された基板処理装置１においては、基板９に対して、定められた処理が実行される。基板処理装置１にて実行される処理の流れについては、後に説明する。

基板処理装置１において基板９に対する処理が終了すると、搬送ロボットＣＲは、処理済みの基板９を基板処理装置１から取り出す。そして、搬送ロボットＣＲは、処理済みの基板９を保持したハンド１２１を基板受渡位置Ｐまで移動させて、基板受渡位置Ｐにおいて、当該処理済みの基板９を、移載ロボットＩＲに渡す。ハンド１１２上に処理済みの基板９を受け取った移載ロボットＩＲは、当該処理済みの基板９を、キャリアＣに格納する。

基板処理システム１００においては、搬送ロボットＣＲおよび移載ロボットＩＲが、レシピにしたがって、上述した搬送動作を反復して行うとともに、各基板処理装置１が、レシピにしたがって、基板９に対する処理を実行する。これによって、基板９に対する処理が次々と行われていくことになる。

＜２．基板９＞
次に、基板処理装置１にて処理対象とされる基板９について、図２を参照しながら説明する。図２は、基板９の周縁部付近を示す断面図である。

基板処理装置１にて処理対象とされる基板９は、例えば、シリコン（Ｓｉ）により構成される中心層９０１、中心層９０１の外側に成膜された下層膜９０２、および、下層膜９０２の外側に成膜された上層膜９０３、の三層構造を備える。下層膜９０２は、例えば、熱酸化膜（Ｔｈ−ＳｉＯ_２）、あるいは、絶縁膜（例えば、Ｈｆ（ハフニューム）膜、または、酸化Ｈｆ膜、等）である。また、上層膜９０３は、例えば、バリアメタル膜（例えば、ＴｉＮ膜、ＴａＮ膜、等）、あるいは、メタル膜（例えば、Ａｌ膜、Ｗ膜、ＮｉＳｉ膜、Ｃｕ膜、等）である。もっとも、基板処理装置１で処理対象とされる基板９は、例えば、中心層９０１と下層膜９０２との二層構造を備えるものであってもよいし、４層以上の構造を備えるものであってもよい。

以下において、基板９の主面のうちのデバイスパターンが形成される方の面を「表面９１」という。また、表面９１の反対側の面を「裏面９２」という。さらに、表面９１における、デバイスパターンが形成される領域を「デバイス領域９０」という。また、表面９１における、デバイス領域９０よりも外側の周縁領域（具体的には、例えば、基板９の端面９３から微小幅ｄ（例えば、ｄ＝０．５ｍｍ〜３．０ｍｍ（ミリメートル））の環状の領域）を「表面周縁部９１１」という。また、裏面９２における、端面９３から微小幅ｄの環状の領域を「裏面周縁部９２１」という。

基板処理装置１は、上述されたような多層構造を備える基板９を処理対象として、その表面周縁部９１１および裏面９２に対する処理（例えば、表面周縁部９１１および裏面９２に形成されている薄膜を除去する処理）を行うことができる。

＜３．基板処理装置１の構成＞
基板処理装置１の構成について、図３〜図５を参照しながら説明する。図３は、基板処理装置１の概略斜視図であり、ガード部材６０を構成する半円弧部材６１，６２、カップ３１、および、周縁部用処理ヘッド５１が、各々の待避位置に配置されている状態が示されている。図４も、基板処理装置１の概略斜視図であるが、ここでは、ガード部材６０、カップ３１、および、周縁部用処理ヘッド５１が、各々の処理位置に配置されている状態が示されている。図５は、基板処理装置１の構成を説明するための模式図である。

なお、以下の説明において、「処理液」には、薬液処理に用いられる「薬液」と、薬液をすすぎ流すリンス処理に用いられる「リンス液」と、が含まれる。

基板処理装置１は、スピンチャック２、飛散防止部３、表面保護部４、周縁処理部５、液跳ね抑制部６、加熱処理部７、および、裏面処理部８を、備える。これら各部２〜８は、制御部１３０と電気的に接続されており、制御部１３０からの指示に応じて動作する。

＜スピンチャック２＞
スピンチャック２は、基板９を、その表面９１を上に向けた状態で、略水平姿勢に保持する基板保持部であって、当該基板９を、その表面９１の中心を通る鉛直な回転軸のまわりで回転させる。

スピンチャック２は、基板９より若干大きい円板状の部材であるスピンベース２１を備える。スピンベース２１の下面中央部には、回転軸部２２が連結されている。回転軸部２２は、その軸線を鉛直方向に沿わすような姿勢で配置される。また、回転軸部２２には、これをその軸線まわりに回転駆動する回転駆動部（例えば、モータ）２３が接続される。回転軸部２２および回転駆動部２３は、筒状のケーシング２４内に収容されている。また、スピンベース２１の上面の周縁部付近には、適当な間隔をおいて複数個（例えば６個）の保持部材２５が設けられている。保持部材２５は、基板９の端面９３と当接して基板９の水平方向の位置決めを行うとともに、スピンベース２１の上面より僅かに高い位置で（すなわち、スピンベース２１の上面から定められた間隔を隔てて）、基板９を略水平姿勢で保持する。

この構成において、保持部材２５がスピンベース２１の上方で基板９を保持した状態で、回転駆動部２３が回転軸部２２を回転すると、スピンベース２１が鉛直方向に沿った軸心周りで回転され、これによって、スピンベース２１上に保持された基板９が、その面内の中心を通る鉛直な回転軸のまわりで、回転される。

ただし、保持部材２５および回転駆動部２３は、制御部１３０と電気的に接続されており、制御部１３０の制御下で動作する。つまり、スピンベース２１上に基板９を保持するタイミング、保持された基板９を開放するタイミング、および、スピンベース２１の回転態様（具体的には、回転開始タイミング、回転終了タイミング、回転数（すなわち、回転速度）、等）は、制御部１３０によって制御される。

＜飛散防止部３＞
飛散防止部３は、スピンベース２１に保持されて回転される基板９から飛散する処理液等を受け止める。

飛散防止部３は、カップ３１を備える。カップ３１は、上端が開放された筒形状の部材であり、スピンチャック２を取り囲むように設けられる。この実施の形態では、カップ３１は、例えば、内部材３１１、中部材３１２、および、外部材３１３の３個の部材を含んで構成されている。

内部材３１１は、上端が開放された筒形状の部材であり、円環状の底部３１１ａと、底部３１１ａの内側縁部から上方に延びる円筒状の内壁部３１１ｂと、底部３１１ａの外側縁部から上方に延びる円筒状の外壁部３１１ｃと、内壁部３１１ｂと外壁部３１１ｃとの間に立設された円筒状の案内壁３１１ｄと、を備える。案内壁３１１ｄは、底部３１１ａから上方に延び、上端部付近は、内側上方に向かって湾曲している。内壁部３１１ｂの少なくとも先端付近は、スピンチャック２のケーシング２４に設けられた鍔状部材２４１の内側空間に収容される。

底部３１１ａには、内壁部３１１ｂと案内壁３１１ｄとの間の空間と連通する排液溝（図示省略）が形成される。この排液溝は、工場の排液ラインと接続される。また、この排液溝には、溝内を強制的に排気して、内壁部３１１ｂと案内壁３１１ｄとの間の空間を負圧状態とする排気液機構が接続されている。内壁部３１１ｂと案内壁３１１ｄとの間の空間は、基板９の処理に使用された処理液を集めて排液するための空間であり、この空間に集められた処理液は、排液溝から排液される。

また、底部３１１ａには、案内壁３１１ｄと外壁部３１１ｃとの間の空間と連通する第１の回収溝（図示省略）が形成される。第１の回収溝は、第１の回収タンクと接続される。また、この第１の回収溝には、溝内を強制的に排気して、案内壁３１１ｄと外壁部３１１ｃとの間の空間を負圧状態とする排気液機構が接続されている。案内壁３１１ｄと外壁部３１１ｃとの間の空間は、基板９の処理に使用された処理液を集めて回収するための空間であり、この空間に集められた処理液は、第１の回収溝を介して、第１の回収タンクに回収される。

中部材３１２は、上端が開放された筒形状の部材であり、内部材３１１の案内壁３１１ｄの外側に設けられている。中部材３１２の上部は内側上方に向かって湾曲しており、その上端縁部は案内壁３１１ｄの上端縁部に沿って折曲されている。

中部材３１２の下部には、内周面に沿って下方に延びる内周壁部３１２ａと、外周面に沿って下方に延びる外周壁部３１２ｂとが形成される。内周壁部３１２ａは、内部材３１１と中部材３１２とが近接する状態（図５に示される状態）において、内部材３１１の案内壁３１１ｄと外壁部３１１ｃとの間に収容される。また、外周壁部３１２ｂの下端は、円環状の底部３１２ｃの内側縁部に着設される。底部３１２ｃの外側縁部からは、上方に延びる円筒状の外壁部３１２ｄが立設される。

底部３１２ｃには、外周壁部３１２ｂと外壁部３１２ｄとの間の空間と連通する第２の回収溝（図示省略）が形成される。第２の回収溝は、第２の回収タンクと接続される。また、この第２の回収溝には、溝内を強制的に排気して、外周壁部３１２ｂと外壁部３１２ｄとの間の空間を負圧状態とする排気液機構が接続されている。外周壁部３１２ｂと外壁部３１２ｄとの間の空間は、基板９の処理に使用された処理液を集めて回収するための空間であり、この空間に集められた処理液は、第２の回収溝を介して、第２の回収タンクに回収される。

外部材３１３は、上端が開放された筒形状の部材であり、中部材３１２の外側に設けられている。外部材３１３の上部は内側上方に向かって湾曲しており、その上端縁部３０１は、中部材３１２の上端縁部および内部材３１１の上端縁部より僅かに内方で下方に折曲されている。内部材３１１，中部材３１２、および、外部材３１３が近接する状態（図５に示される状態）において、中部材３１２の上端縁部および内部材３１１の上端縁部が、外部材３１３の折曲された部分によって、覆われる。

外部材３１３の下部には、内周面に沿って下方に延びるように内周壁部３１３ａが形成される。内周壁部３１３ａは、中部材３１２と外部材３１３とが近接する状態（図５に示される状態）において、中部材３１２の外周壁部３１２ｂと外壁部３１２ｄとの間に収容される。

カップ３１には、これを昇降移動させるカップ駆動機構３２が配設されている。カップ駆動機構３２は、例えば、ステッピングモータにより構成される。この実施の形態では、カップ駆動機構３２は、カップ３１が備える３個の部材３１１，３１２，３１３を、独立して昇降させる。

内部材３１１、中部材３１２、および、外部材３１３の各々は、カップ駆動機構３２の駆動を受けて、上方位置と下方位置との間で移動される。ここで、各部材３１１，３１２，３１３の上方位置は、当該部材３１１，３１２，３１３の上端縁部が、スピンベース２１上に保持された基板９の側方に配置される位置である。一方、各部材３１１，３１２，３１３の下方位置は、当該部材３１１，３１２，３１３の上端縁部が、スピンベース２１の上面よりも下方に配置される位置である。ただし、カップ駆動機構３２は、制御部１３０と電気的に接続されており、制御部１３０の制御下で動作する。つまり、カップ３１の位置（具体的には、内部材３１１、中部材３１２、および、外部材３１３各々の位置）は、制御部１３０によって制御される。

外部材３１３が下方位置に配置されている状態（すなわち、内部材３１１、中部材３１２、および、外部材３１３の全てが、下方位置に配置されている状態）を指して、以下「カップ３１が待避位置にある」という。スピンベース２１上に基板９が保持されていない間は、カップ３１は、待避位置に配置される。つまり、スピンベース２１上に基板９が保持されていない間は、カップ３１は、その上端縁部（すなわち、外部材３１３の上端縁部）３０１がスピンベース２１の上面よりも下方にくるような位置に配置される。

一方、外部材３１３が上方位置に配置されている状態を指して、以下「カップ３１が処理位置にある」という。処理位置にあるカップ３１の上端縁部（すなわち、外部材３１３の上端縁部３０１）は、スピンベース２１上に保持された基板９の側方に配置されることになる。ただし、「カップ３１が処理位置にある」状態には、以下の３つの状態が含まれる。第１の状態は、内部材３１１、中部材３１２、および、外部材３１３の全てが、上方位置に配置された状態である（図５に示される状態）。この状態では、スピンチャック２に保持されている基板９から飛散した処理液は、内部材３１１の内壁部３１１ｂと案内壁３１１ｄとの間の空間に集められて、排液溝から排液される。第２の状態は、内部材３１１が下方位置に配置されるとともに、中部材３１２および外部材３１３が上方位置に配置された状態である。この状態では、スピンチャック２に保持されている基板９から飛散した処理液は、内部材３１１の案内壁３１１ｄと外壁部３１１ｃとの間の空間に集められて、第１の回収タンクに回収される。第３の状態は、内部材３１１および中部材３１２が下方位置に配置されるとともに、外部材３１３が上方位置に配置された状態である。この状態では、スピンチャック２に保持されている基板９から飛散した処理液は、中部材３１２の外周壁部３１２ｂと外壁部３１２ｄとの間の空間に集められて、第２の回収タンクに回収される。

＜表面保護部４＞
表面保護部４は、スピンベース２１上に保持された基板９の表面９１の中央付近に対して、ガス（カバーガス）を供給して、デバイス領域９０を、表面周縁部９１１等に供給された処理液の雰囲気等から保護する。

表面保護部４は、スピンベース２１上に保持される基板９の表面９１の中央付近に向けて、ガスを吐出するカバーガスノズル４１を備える。カバーガスノズル４１は、水平に延在するアーム４２の先端部に取り付けられている。また、アーム４２の基端部は、ノズル基台４３に連結されている。ノズル基台４３は、その軸線を鉛直方向に沿わすような姿勢で配置されており、アーム４２の基端部はノズル基台４３の上端に連結されている。

ノズル基台４３には、カバーガスノズル４１を駆動する駆動部４４が配設されている。駆動部４４は、例えば、ノズル基台４３をその軸線まわりに回転させる回転駆動部（例えば、サーボモータ）と、ノズル基台４３をその軸線に沿って伸縮させる昇降駆動部（例えば、ステッピングモータ）と、を含んで構成される。駆動部４４がノズル基台４３を回動させると、カバーガスノズル４１が、水平面内の円弧軌道に沿って移動し、駆動部４４がノズル基台４３を伸縮させると、カバーガスノズル４１が、基板９と近接離間する方向に移動する。

カバーガスノズル４１は、駆動部４４の駆動を受けて、処理位置と待避位置との間で移動される。ここで、カバーガスノズル４１の処理位置は、スピンベース２１上に保持される基板９の上方の位置であって、表面９１の中央付近と対向しつつ、表面９１と非接触状態で近接した位置である。一方、カバーガスノズル４１の待避位置は、基板９の搬送経路と干渉しない位置であり、例えば、上方から見て、カップ３１の上端縁部３０１よりも外側の位置である。また、駆動部４４は、制御部１３０と電気的に接続されており、制御部１３０の制御下で動作する。つまり、カバーガスノズル４１の位置は、制御部１３０によって制御される。

カバーガスノズル４１には、これにガス（ここでは、例えば、窒素（Ｎ_２）ガス）を供給する配管系であるカバーガス供給部４５が接続されている。カバーガス供給部４５は、具体的には、例えば、窒素ガスを供給する供給源である窒素ガス供給源４５１が、開閉弁４５３が介挿された配管４５２を介して、カバーガスノズル４１に接続された構成を備えている。この構成において、開閉弁４５３が開放されると、窒素ガス供給源４５１から供給される窒素ガスが、カバーガスノズル４１から吐出される。なお、カバーガスノズル４１に供給されるガスは、窒素ガス以外の気体（例えば、窒素ガス以外の各種の不活性ガス、乾燥空気、等）であってもよい。

カバーガスノズル４１が処理位置に配置されている状態において、カバーガス供給部４５からカバーガスノズル４１にガスが供給されると、カバーガスノズル４１から、スピンベース２１上に保持される基板９の表面９１の中央付近に向けて、ガス（カバーガス）が吐出される。ただし、カバーガス供給部４５の開閉弁４５３は、制御部１３０と電気的に接続されており、制御部１３０の制御下で開閉される。つまり、カバーガスノズル４１からのガスの吐出態様（具体的には、吐出開始タイミング、吐出終了タイミング、吐出流量、等）は、制御部１３０によって制御される。

＜周縁処理部５＞
周縁処理部５は、スピンベース２１上に保持された基板９の表面周縁部９１１に対する処理を行う。周縁処理部５については、後に具体的に説明する。

＜液跳ね抑制部６＞
基板処理装置１においては、スピンベース２１上に保持された基板９の表面周縁部９１１に向けて、周縁部用処理ヘッド５１から処理液が吐出されるときに、表面周縁部９１１に供給された処理液の一部が基板９から飛散し、当該飛散した処理液の一部が、外部に配置された部材で跳ね返されるなどして、基板９に再付着する虞がある。液跳ね抑制部６は、基板９から飛散した処理液が、基板９に再付着することを抑制するための部材である。

液跳ね抑制部６は、基板９の表面周縁部９１１の全周に沿うリング状の部材であるガード部材６０を備える。ガード部材６０は、スピンベース２１上に保持された基板９に対する処理が行われる間、上から見て、当該基板９と同心に配置され、当該基板９の表面周縁部９１１と非接触状態で近接した位置（処理位置）に配置される。ガード部材６０における周方向と直交する断面は、矩形であることが好ましく、特に、正方形であることが好ましい。

ガード部材６０の内径は、基板９の外径よりも僅かに小さい寸法とされる。したがって、処理位置に配置されているガード部材６０を上方から見ると、ガード部材６０の内周壁は、基板９の端面９３よりも内側（基板９の中心側）にあり、ガード部材６０の下面の少なくとも内周部分は、スピンベース２１上に保持される基板９の表面周縁部９１１と対向して配置される。また、ガード部材６０の外径は、基板９の外径よりも大きく、かつ、カップ３１の上端縁部３０１の内径よりも僅かに小さい寸法とされる。したがって、処理位置に配置されているガード部材６０を上方から見ると、ガード部材６０の外周壁は、基板９の端面９３よりも外側にあり、かつ、カップ３１の上端縁部３０１と非接触の状態で近接しつつ、上端縁部３０１の全周に沿って延在する。つまり、処理位置に配置されたカップ３１は、スピンベース２１上の基板９と、ガード部材６０とを一括して取り囲む恰好となる。

周縁処理部５が備える周縁部用処理ヘッド５１（後述する）は、これが処理位置に配置された状態において、ガード部材６０の内周壁の側（すなわち、ガード部材６０を挟んで、カップ３１に対して反対側）に配置される。つまり、この状態において、周縁部用処理ヘッド５１が備える吐出ノズル５０１〜５０１ｄおよび吸引管５０２ａ，５０２ｂは、ガード部材６０を挟んでカップ３１に対して反対側に配置される。ただし、ガード部材６０の内周壁には、周縁部用処理ヘッド５１の少なくとも一部分を収容する切り欠き６０５が形成されており、周縁部用処理ヘッド５１が処理位置に配置された状態において、周縁部用処理ヘッド５１の少なくとも一部分（具体的には、例えば、周縁部用処理ヘッド５１が備える吐出ノズル５０１ａ〜５０１ｄおよび吸引管５０２ａ，５０２ｂの少なくとも一部分）が、この切り欠き６０５に収容された状態となる。これによって、周縁部用処理ヘッド５１が、ガード部材６０と干渉することなく、表面周縁部９１１の上方の処理位置に配置される。

カップ３１は、スピンベース２１の上面よりも下方の待避位置まで移動できるように、その上端縁部３０１の内径が、スピンベース２１の外径よりも大きな寸法とされている。スピンベース２１の外径は基板９の外径よりも大きな寸法とされているため、上から見ると、スピンベース２１上に保持された基板９の端面９３と、カップ３１の上端縁部３０１との間に、リング状の隙間空間が存在する。したがって、基板９の表面周縁部９１１と対向する処理位置に配置された周縁部用処理ヘッド５１と、カップ３１の上端縁部３０１との間にも、隙間空間が存在することになる。この隙間空間は、基板９から飛散した処理液のミスト等が浮遊し得る空間であるところ、ここでは、この隙間空間の少なくとも一部分が、ガード部材６０の一部分によって埋められる。この構成によると、基板９から飛散した処理液のミスト等が浮遊し得る空間が、ガード部材６０によって埋められる空間分だけ小さくなり、当該空間が小さくなった分だけ、基板９の付近における処理液の浮遊量が少なくなる。その結果、処理液のミスト等が基板９に再付着する可能性が低減する。すなわち、基板９から飛散した処理液の一部が、基板９に再付着することを抑制できる。特に、ここでは、ガード部材６０の下面の少なくとも一部分が、表面周縁部９１１と対向配置されるので、基板９から飛散した処理液が、ガード部材６０の下面に沿って、カップ３１内へと導かれる。これによって、当該飛散した処理液が、基板９に再付着することを十分に抑制できる。また、ここでは、ガード部材６０が、基板９の表面周縁部９１１の全周に沿うリング状の部材であるので、基板９から飛散した処理液が基板９に再付着することを、基板９の周方向の全体に亘って抑制できる。

なお、ガード部材６０は、互いに別体に構成されている複数の弧状部材（ここでは、一対の半円弧部材６１，６２）が、その周方向の端面同士が互いに当接し合う状態とされることによって、形成されている。すなわち、一対の半円弧部材６１，６２の各々は、互いに等しい径の半円弧状の部材であり、弦方向を内側に向けるとともに、周方向の端面を互いに対向させて配置されている。そして、一対の半円弧部材６１，６２の各々には、各半円弧部材６１，６２を駆動する半円弧部材駆動部６３が配設されている。半円弧部材駆動部６３は、これが接続されている半円弧部材６１，６２を、鉛直軸に沿って昇降移動させる昇降駆動部（例えば、ステッピングモータ）６３１と、当該半円弧部材６１，６２を、水平面内において他方の半円弧部材と近接離間する方向に進退移動させる進退駆動部６３２と、を含んで構成される。

各半円弧部材６１，６２は、スピンベース２１上に基板９が保持されていない間は、他方の半円弧部材から離間して、基板９の搬出入経路の外側の位置（待避位置）に配置される。各半円弧部材６１，６２の待避位置は、例えば、スピンベース２１の上面よりも下側の位置（すなわち、各半円弧部材６１，６２の上面が、スピンベース２１の上面よりも下側にくる位置）であり、かつ、上方から見てカップ３１の上端縁部３０１よりも外側の位置である（図３に示される位置）。

スピンベース２１上に基板９が保持されると、昇降駆動部６３１が、待避位置に配置されている各半円弧部材６１，６２を、スピンベース２１の上面よりも僅かに上方の位置まで上昇させ、続いて、進退駆動部６３２が、各半円弧部材６１，６２を、水平面内において他方の半円弧部材に近づける方向に移動させて、各半円弧部材６１，６２の周方向の端面同士が互いに当接し合う状態とする。これによって、リング状の部材であるガード部材６０が、処理位置に配置された状態となる（図４に示される状態）。

＜加熱処理部７＞
加熱処理部７は、スピンベース２１上に保持された基板９の裏面９２に対して、スチーム（水蒸気）、特に好ましくは、過熱スチーム（過熱水蒸気）を供給して、基板９を加熱する。

加熱処理部７は、スピンベース２１上に保持される基板９の裏面９２に向けて、スチームを吐出するスチームノズル７１を備える。スチームノズル７１は、スピンベース２１上に配置される。スチームノズル７１の上面側には、複数個のスチーム吐出口（図示省略）が形成されている。当該複数個のスチーム吐出口のうちの少なくとも１個のスチーム吐出口は、スピンベース２１上に保持される基板９の裏面周縁部９２１に対して選択的にスチームを供給する位置に形成されている。より好ましくは、裏面周縁部９２１と対向する位置に形成されている。また、このスチーム吐出口からは、他のスチーム吐出口よりも多量のスチームを吐出できるようになっている。この構成によって、スチームノズル７１は、基板９の裏面９２のうち、特に裏面周縁部９２１に向けて、重点的に、スチームを吐出できるようになっている。

スチームノズル７１には、これにスチームを供給する配管系であるスチーム供給部７２が接続されている。スチーム供給部７２は、具体的には、例えば、スチームを供給する供給源であるスチーム供給源７２１が、開閉弁７２３が介挿された配管７２２を介して、スチームノズル７１に接続された構成を備えている。この構成において、開閉弁７２３が開放されると、スチーム供給源７２１から供給されるスチームが、スチームノズル７１から吐出される。

なお、スチームノズル７１から吐出されるスチームは、十分高温（例えば、１００℃以上かつ１３０℃以下）に加熱（過熱）された過熱スチーム（過熱水蒸気）であることが好ましい。このためには、例えば、スチーム供給源７２１を、純水などが加熱されることにより生成されたスチーム（水蒸気）を供給する供給源と、これと接続された配管と、当該配管の経路途中に介挿されたヒータと、を含んで構成すればよい（いずれも図示省略）。この場合、供給源から供給されるスチームは配管等を通過する際の温度低下を考慮して、ヒータは、供給源から供給されるスチームを、例えば、１４０℃〜１６０℃程度に加熱（過熱）することが好ましい。もっとも、基板９に供給されたスチーム（過熱スチーム）の一部が、基板９に熱を奪われて冷却され、基板９上で凝縮して水滴となったとしても、当該水滴は、基板９の回転に伴う遠心力によって、基板９の端面９３から基板９の外に振り払われることになる。したがって、デバイス領域９０に水滴が付着することはない。

スチーム供給部７２からスチームノズル７１にスチームが供給されると、スチームノズル７１から、スピンベース２１上に保持される基板９の裏面９２に向けて、スチームが吐出され、これによって基板９が加熱されることになる。上述したとおり、この実施の形態に係るスチームノズル７１は、裏面周縁部９２１に向けて重点的にスチームを吐出できるので、裏面周縁部９２１を特に重点的に加熱することができる。ただし、スチーム供給部７２の開閉弁７２３は、制御部１３０と電気的に接続されており、制御部１３０の制御下で開閉される。つまり、スチームノズル７１からのスチームの吐出態様（具体的には、吐出開始タイミング、吐出終了タイミング、吐出流量、等）は、制御部１３０によって制御される。

＜裏面処理部８＞
裏面処理部８は、スピンベース２１上に保持された基板９の裏面９２に対する処理を行う。具体的には、裏面処理部８は、スピンベース２１上に保持された基板９の裏面９２に処理液を供給する。

裏面処理部８は、スピンチャック２の回転軸部２２の中空部に貫通して配置された供給管８１を備える。供給管８１の先端は、スピンベース２１の上面に開口しており、この開口が、裏面側吐出口８２を形成する。

供給管８１には、これに処理液を供給する配管系である処理液供給部８３が接続されている。処理液供給部８３は、具体的には、ＳＣ−１供給源８３１ａ、ＤＨＦ供給源８３１ｂ、ＳＣ−２供給源８３１ｃ、リンス液供給源８３１ｄ、複数の配管８３２ａ，８３２ｂ，８３２ｃ，８３２ｄ、および、複数の開閉弁８３３ａ，８３３ｂ，８３３ｃ，８３３ｄを、組み合わせて構成されている。

ＳＣ−１供給源８３１ａは、ＳＣ−１を供給する供給源である。ＳＣ−１供給源８３１ａは、開閉弁８３３ａが介挿された配管８３２ａを介して、供給管８１に接続されている。したがって、開閉弁８３３ａが開放されると、ＳＣ−１供給源８３１ａから供給されるＳＣ−１が、裏面側吐出口８２から吐出される。

ＤＨＦ供給源８３１ｂは、ＤＨＦを供給する供給源である。ＤＨＦ供給源８３１ｂは、開閉弁８３３ｂが介挿された配管８３２ｂを介して、供給管８１に接続されている。したがって、開閉弁８３３ｂが開放されると、ＤＨＦ供給源８３１ｂから供給されるＤＨＦが、裏面側吐出口８２から吐出される。

ＳＣ−２供給源８３１ｃは、ＳＣ−２を供給する供給源である。ＳＣ−２供給源８３１ｃは、開閉弁８３３ｃが介挿された配管８３２ｃを介して、供給管８１に接続されている。したがって、開閉弁８３３ｃが開放されると、ＳＣ−２供給源８３１ｃから供給されるＳＣ−２が、裏面側吐出口８２から吐出される。

リンス液供給源８３１ｄは、リンス液を供給する供給源である。ここでは、リンス液供給源８３１ｄは、例えば、二酸化炭素（ＣＯ_２）が溶融した純水（炭酸水）を、リンス液として供給する。リンス液供給源８３１ｄは、開閉弁８３３ｄが介挿された配管８３２ｄを介して、供給管８１に接続されている。したがって、開閉弁８３３ｄが開放されると、リンス液供給源８３１ｄから供給されるリンス液が、裏面側吐出口８２から吐出される。なお、リンス液として、純水、温水、オゾン水、磁気水、還元水（水素水）、各種の有機溶剤（イオン水、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）、機能水、などが用いられてもよい。

処理液供給部８３から供給管８１に処理液（ＳＣ−１、ＤＨＦ、ＳＣ−２、あるいは、リンス液）が供給されると、裏面側吐出口８２から、スピンベース２１上に保持された基板９の裏面９２の中央付近に向けて、当該処理液が吐出されることになる。ただし、処理液供給部８３が備える開閉弁８３３ａ，８３３ｂ，８３３ｃ，８３３ｄの各々は、制御部１３０と電気的に接続されており、制御部１３０の制御下で開閉される。つまり、裏面側吐出口８２からの処理液の吐出態様（具体的には、吐出される処理液の種類、吐出開始タイミング、吐出終了タイミング、吐出流量、等）は、制御部１３０によって制御される。

＜４．周縁処理部５＞
＜４−１．全体構成＞
周縁処理部５の全体構成について、引き続き図３〜図５を参照しながら説明する。

周縁処理部５は、スピンベース２１上に保持される基板９の表面周縁部９１１に対する処理を行う周縁部用処理ヘッド５１を備える。周縁部用処理ヘッド５１は、水平に延在するアーム５２の先端部に取り付けられている。また、アーム５２の基端部は、ノズル基台５３に連結されている。ノズル基台５３は、その軸線を鉛直方向に沿わすような姿勢で配置されており、アーム５２の基端部はノズル基台５３の上端に連結されている。

ノズル基台５３には、周縁部用処理ヘッド５１を駆動する駆動部５４が配設されている。駆動部５４は、例えば、ノズル基台５３をその軸線まわりに回転させる回転駆動部（例えば、サーボモータ）と、ノズル基台５３をその軸線に沿って伸縮させる昇降駆動部（例えば、ステッピングモータ）と、を含んで構成される。駆動部５４がノズル基台５３を回動させると、周縁部用処理ヘッド５１が、水平面内の円弧軌道に沿って移動し、駆動部５４がノズル基台５３を伸縮させると、周縁部用処理ヘッド５１が、基板９と近接離間する方向に移動する。

周縁部用処理ヘッド５１は、駆動部５４の駆動を受けて、処理位置と待避位置との間で移動される。ここで、周縁部用処理ヘッド５１の処理位置は、スピンベース２１上に保持される基板９の上方であって、表面周縁部９１１と対向しつつ、表面周縁部９１１と非接触状態で近接した位置である（図４に示される位置）。ただし、周縁部用処理ヘッド５１が処理位置に配置された状態において、周縁部用処理ヘッド５１の少なくとも一部分が、後述するガード部材６０の内周壁に形成された切り欠き６０５内に収容された状態となる。一方、周縁部用処理ヘッド５１の待避位置は、基板９の搬送経路と干渉しない位置であり、例えば、上方から見て、カップ３１の上端縁部３０１よりも外側の位置である（図３に示される位置）。また、駆動部５４は、制御部１３０と電気的に接続されており、制御部１３０の制御下で動作する。つまり、周縁部用処理ヘッド５１の位置は、制御部１３０によって制御される。

＜４−２．周縁部用処理ヘッド５１＞
次に、周縁部用処理ヘッド５１について図５、図６を参照しながら説明する。図６は、周縁部用処理ヘッド５１の斜視図である。なお、説明の便宜上、図６においては、ガード部材６０およびカップ３１は、図示省略されている。

周縁部用処理ヘッド５１は、表面周縁部９１１に向けて流体（処理液及びガス）を吐出する構成と、表面周縁部９１１上の処理液を吸引する構成とを備える。

＜４−２−１．流体の吐出に関する構成＞
＜i．吐出ノズル５０１ａ〜５０１ｄ＞
周縁部用処理ヘッド５１は、表面周縁部９１１に向けて流体を吐出する複数個（ここでは、４個）の吐出ノズル５０１ａ〜５０１ｄを備える。周縁部用処理ヘッド５１が備える一群の吐出ノズル５０１ａ〜５０１ｄには、表面周縁部９１１に向けて処理液を吐出する１以上（ここでは、３個）の吐出ノズル（以下「処理液ノズル」ともいう）５０１ａ，５０１ｂ，５０１ｃと、表面周縁部９１１に向けてガス（ここでは、窒素ガス）を吐出する吐出ノズル（以下「ガスノズル」ともいう）５０１ｄと、が含まれる。特に、この周縁部用処理ヘッド５１は、処理液ノズル５０１ａ，５０１ｂ，５０１ｃとして、薬液を吐出する２個の吐出ノズル（以下「薬液ノズル」ともいう）５０１ａ，５０１ｂと、リンス液を吐出する吐出ノズル（以下「リンス液ノズル」ともいう）５０１ｃと、を備える。特に、この周縁部用処理ヘッド５１は、薬液ノズル５０１ａ，５０１ｂとして、酸性の薬液を吐出する吐出ノズル（以下「第１薬液ノズル」ともいう）５０１ａと、アルカリ性の薬液を吐出する吐出ノズル（以下「第２薬液ノズル」ともいう）５０１ｂと、を備える。

＜ii．流体供給部５５＞
周縁部用処理ヘッド５１には、これが備える一群の吐出ノズル５０１ａ〜５０１ｄの各々に定められた流体（具体的には、定められた処理液、あるいは、ガス）を供給する配管系である流体供給部５５が、接続されている。

流体供給部５５は、具体的には、例えば、酸系薬液供給源５５１ａ、アルカリ系薬液供給源５５１ｂ、リンス液供給源５５１ｃ、窒素ガス供給源５５１ｄ、複数の配管５５２ａ，５５２ｂ，５５２ｃ，５５２ｄ、および、複数の開閉弁５５３ａ，５５３ｂ，５５３ｃ，５５３ｄを、組み合わせて構成されている。

酸系薬液供給源５５１ａは、酸性の薬液を供給する供給源である。ここでは、酸系薬液供給源５５１ａは、例えば、希釈したフッ化水素酸（希フッ酸）（以下、「ＤＨＦ」と示す）と、塩酸過酸化水素水（すなわち、塩酸（ＨＣｌ）と過酸化水素（Ｈ_２Ｏ_２）と純水（ＤＩＷ：脱イオン水）とが、定められた比率で混合された薬液であり、以下、「ＳＣ−２」と示す）とを、選択的に供給できる。酸系薬液供給源５５１ａは、開閉弁５５３ａが介挿された配管５５２ａを介して、第１薬液ノズル５０１ａに接続されている。したがって、開閉弁５５３ａが開放されると、酸系薬液供給源５５１ａから供給される酸性の薬液（ＤＨＦ、あるいは、ＳＣ−２）が、第１薬液ノズル５０１ａから吐出される。もっとも、酸系薬液供給源５５１ａは、必ずしもＤＨＦおよびＳＣ−２を選択的に供給するものに限らない。例えば、酸系薬液供給源５５１ａは、ＤＨＦ、ＳＣ−２、ＢＤＨＦ（バッファードフッ酸）、ＨＦ（フッ酸）、塩酸、硫酸、硝酸、リン酸、酢酸、シュウ酸、およびこれらの混合溶液、等のうちの少なくとも１つを供給するものであってもよい。

アルカリ系薬液供給源５５１ｂは、アルカリ性の薬液を供給する供給源である。ここでは、アルカリ系薬液供給源５５１ｂは、例えば、アンモニア過酸化水素水（すなわち、水酸化アンモニウム（ＮＨ_４ＯＨ）と過酸化水素（Ｈ_２Ｏ_２）と純水とが、定められた比率で混合された薬液であり、以下、「ＳＣ−１」と示す）を供給できる。アルカリ系薬液供給源５５１ｂは、開閉弁５５３ｂが介挿された配管５５２ｂを介して、第２薬液ノズル５０１ｂに接続されている。したがって、開閉弁５５３ｂが開放されると、アルカリ系薬液供給源５５１ｂから供給されるアルカリ性の薬液（ＳＣ−１）が、第２薬液ノズル５０１ｂから吐出される。なお、アルカリ系薬液供給源５５１ｂから供給されるＳＣ−１は、例えば、６０℃〜８０℃に温調されていることも好ましい。もっとも、アルカリ系薬液供給源５５１ｂは、ＳＣ−１以外の薬液（例えば、アンモニアの水溶液等）を供給するものであってもよい。

リンス液供給源５５１ｃは、リンス液を供給する供給源である。ここでは、リンス液供給源５５１ｃは、例えば、二酸化炭素（ＣＯ_２）が溶融した純水（炭酸水）を、リンス液として供給する。リンス液供給源５５１ｃは、開閉弁５５３ｃが介挿された配管５５２ｃを介して、リンス液ノズル５０１ｃに接続されている。したがって、開閉弁５５３ｃが開放されると、リンス液供給源５５１ｃから供給されるリンス液が、リンス液ノズル５０１ｃから吐出される。なお、リンス液として、純水、温水、オゾン水、磁気水、還元水（水素水）、各種の有機溶剤（イオン水、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）、機能水、等が用いられてもよい。

窒素ガス供給源５５１ｄは、ガス（ここでは、例えば、窒素（Ｎ_２）ガス）を供給する供給源である。窒素ガス供給源５５１ｄは、開閉弁５５３ｄが介挿された配管５５２ｄを介して、ガスノズル５０１ｄに接続されている。したがって、開閉弁５５３ｄが開放されると、窒素ガス供給源５５１ｄから供給される窒素ガスが、ガスノズル５０１ｄから吐出される。もっとも、窒素ガス供給源５５１ｄは、窒素ガス以外のガス（例えば、窒素ガス以外の各種の不活性ガス、乾燥空気、等）を供給するものであってもよい。

周縁部用処理ヘッド５１が処理位置に配置されている状態において、各吐出ノズル５０１ａ〜５０１ｄは、その先端に形成されている吐出口５１５（後述する）が、スピンベース２１上に保持される基板９の表面周縁部９１１と、非接触の状態で近接しつつ、対向するような位置（吐出位置）に配置される。この状態において、流体供給部５５が、吐出ノズル５０１ａ〜５０１ｄに流体を供給すると、表面周縁部９１１に向けて、当該流体が吐出される。例えば、流体供給部５５が、第１薬液ノズル５０１ａに酸性の薬液（ＤＨＦ、あるいは、ＳＣ−２）を供給すると、第１薬液ノズル５０１ａから、表面周縁部９１１に向けて、酸性の薬液が吐出される。また、流体供給部５５が、第２薬液ノズル５０１ｂにアルカリ性の薬液（ＳＣ−１）を供給すると、第２薬液ノズル５０１ｂから、表面周縁部９１１に向けて、アルカリ性の薬液が吐出される。また、流体供給部５５が、リンス液ノズル５０１ｃにリンス液を供給すると、リンス液ノズル５０１ｃから、表面周縁部９１１に向けて、リンス液が吐出される。また、流体供給部５５がガスノズル５０１ｄにガスを供給すると、ガスノズル５０１ｄから、表面周縁部９１１に向けて、ガスが吐出される。

また、流体供給部５５が備える開閉弁５５３ａ，５５３ｂ，５５３ｃ，５５３ｄの各々は、制御部１３０と電気的に接続されており、制御部１３０の制御下で開閉される。つまり、各吐出ノズル５０１ａ〜５０１ｄからの流体の吐出態様（具体的には、吐出開始タイミング、吐出終了タイミング、吐出流量、等）は、制御部１３０によって制御される。

＜iii．吐出ノズル５０１＞
次に、周縁部用処理ヘッド５１が備える一群の吐出ノズル５０１ａ〜５０１ｄの各々の具体的な構成について、図７を参照しながら説明する。一群の吐出ノズル５０１ａ〜５０１ｄの各々は、ほぼ同様の構成を備えており、以下、これらの吐出ノズル５０１ａ〜５０１ｄを区別しない場合は、単に「吐出ノズル５０１」と示す。図７は、吐出ノズル５０１の先端付近の構成を模式的に示す側断面図である。

吐出ノズル５０１は、下端が細くなった長尺棒状の外形を呈するノズル本体部５１１を備える。ノズル本体部５１１は、その軸方向が鉛直方向に沿うとともに、その下面（以下、「吐出面」ともいう）５１２が水平姿勢となるように、支持部５００（後述する）に支持されている。したがって、周縁部用処理ヘッド５１が処理位置に配置された状態において、吐出面５１２が、スピンベース２１上に保持された基板９の表面９１と平行な姿勢で、表面周縁部９１１と非接触状態で近接する。ただし、この状態において、吐出面５１２と表面周縁部９１１との離間距離ｍは、十分小さいもの（例えば、ｍ＝１ｍｍ程度）とされる。

ノズル本体部５１１の内部には、導入流路部５１３と、その下端と連通した吐出流路部５１４とが形成される。導入流路部５１３の上端には、上述した配管５５２ａ，５５２ｂ，５５２ｃ，５５２ｄのいずれかが接続されている。また、吐出流路部５１４の下端は、吐出面５１２に開口した吐出口５１５と、連通する。吐出口５１５は、例えば円形の貫通孔であり、その直径は、図２における基板９の端面９３からの微小幅ｄよりも小さく、例えば、０．６ｍｍである。したがって、配管から供給された流体は、まずは導入流路部５１３に保持されて、吐出流路部５１４に流入し、吐出口５１５から吐出される。

吐出流路部５１４は、途中で折れ曲がった形状となっている。具体的には、吐出流路部５１４は、鉛直流路部分５１４１と、これと連なる傾斜流路部分５１４２とを備える。鉛直流路部分５１４１は、ノズル本体部５１１の軸方向と平行に延在して、下端において傾斜流路部分５１４２と連通する。傾斜流路部分５１４２は、下方に行くにつれて基板９の内側（基板９の中心側）から外側（端面９３側）に向かう斜め下向きに延在して、下端において吐出口５１５と連通する。

この吐出ノズル５０１においては、斜めに延在する傾斜流路部分５１４２を介して、吐出口５１５から流体が吐出されるため、吐出ノズル５０１から基板９の表面周縁部９１１に向けて吐出された流体を、表面周縁部９１１において、基板９の外側に向かって流すことができる。したがって、例えば、処理液ノズル５０１ａ，５０１ｂ，５０１ｃから表面周縁部９１１に向けて処理液が吐出される場合に、当該処理液がデバイス領域９０に流入することを抑制できるとともに、表面周縁部９１１における処理液が作用する領域の内縁位置を、精度よく制御できる。また例えば、ガスノズル５０１ｄから表面周縁部９１１に向けてガスが吐出される場合に、表面周縁部９１１に、基板９の外側に向かう気流を形成することができる。この気流によって、表面周縁部９１１上の処理液や処理液のミストを、基板９の外側に吹き飛ばすことができる。

特に、この吐出ノズル５０１は、ノズル本体部５１１自体が傾斜姿勢で支持部５００に支持されるのではなく、ノズル本体部５１１の内部に形成される吐出流路部５１４の一部分である傾斜流路部分５１４２が、傾斜している。仮に、ノズル本体部の内部に、その軸方向に沿って真っ直ぐ延在する流路を形成しつつ、ノズル本体部自体を傾斜姿勢としたとすると、吐出面が水平面に対して傾斜した姿勢となる。この場合、吐出面の最下端の付近に液溜まりが生じやすく、この液溜まりが、基板９上に滴下（ぼた落ち）してしまう虞がある。このような処理液のぼた落ちは、基板９上の、本来、処理液が供給されるべき位置よりも内側（基板９の中心側）の位置に生じてしまうため、ガスノズル５０１ｄから吐出されるガスでも除去することが難しい。これに対し、この実施の形態のように、ノズル本体部５１１ではなくその内部に形成される吐出流路部５１４の一部分を傾斜させる構成によると、吐出面５１２を水平姿勢におくことができるので、このような処理液のぼた落ちが生じにくい。

なお、処理液が作用する領域の幅（例えば、エッチング用の薬液が作用するエッチング幅）の制御精度を高めるためには、傾斜流路部分５１４２の延在方向が水平面となす角度（傾斜角度）θは、４５度以上が好ましく、６０度以上がさらに好ましい。

＜４−２−２．処理液の吸引に関する構成＞
＜i．吸引管５０２ａ，５０２ｂ＞
再び図５、図６を参照する。周縁部用処理ヘッド５１は、表面周縁部９１１上の余分な処理液を吸引する吸引管５０２ａ，５０２ｂを備える。ただし、ここでいう、「余分な処理液」とは、表面周縁部９１１に供給された処理液のうち、所期の領域に対して所期の処理を行うのに必要十分な量の処理液を差し引いた余りの処理液を指す。つまり、吸引管５０２ａ，５０２ｂは、表面周縁部９１１上の処理液のうち、処理に必要十分な量の処理液を残しつつ、余分な処理液だけを、吸引する。

各吸引管５０２ａ，５０２ｂは、処理液ノズル５０１ａ，５０１ｂ，５０１ｃのいずれかと対応付けられて、対応する処理液ノズルから表面周縁部９１１上に供給された処理液を吸引する。この実施の形態では、周縁部用処理ヘッド５１は、２個の吸引管５０２ａ，５０２ｂを備えるところ、一方の吸引管（以下「第１吸引管」ともいう）５０２ａは、第１薬液ノズル５０１ａと対応付けられて、第１薬液ノズル５０１ａから吐出される薬液を吸引する。また、他方の吸引管（以下「第２吸引管」ともいう）５０２ｂは、第２薬液ノズル５０１ｂと対応付けられて、第２薬液ノズル５０１ｂから吐出される薬液を吸引する。

＜ii．吸引圧形成部５６＞
周縁部用処理ヘッド５１には、これが備える複数の吸引管５０２ａ，５０２ｂの各々の中空空間に負圧（吸引圧）を形成する配管系である吸引圧形成部５６が、接続されている。

吸引圧形成部５６は、具体的には、例えば、吸引源５６１が、開閉弁５６３が介挿された配管５６２を介して、各吸引管５０２ａ，５０２ｂに接続された構成を備えている。吸引源５６１は、具体的には、例えば、液体を吸引して排出するポンプ（例えば、容積ポンプ、非容積ポンプ、等）と、このポンプから排出された液体を回収する回収タンクと、を含んで構成される。この構成において開閉弁５６３が開放されると、吸引管５０２ａ，５０２ｂの中空空間に負圧（吸引圧）が形成され、吸引管５０２ａ，５０２ｂの下端に開口した吸引口５２１（後述する）を介して、処理液などが吸引される。吸引された処理液は、回収タンクに回収される。もっとも、吸引圧形成部５６は、吸引された処理液を、回収タンクに回収せずに、直接に外部の排液ラインへ排出する、あるいは、流体供給部５５が備える当該処理液の供給源に循環させる構成であってもよい。

周縁部用処理ヘッド５１が処理位置に配置されている状態において、各吸引管５０２ａ，５０２ｂは、その先端に形成されている吸引口５２１が、スピンベース２１上に保持される基板９の表面周縁部９１１と、非接触の状態で近接しつつ、対向するような位置（吸引位置）に配置される。この状態において、吸引圧形成部５６が、吸引管５０２ａ，５０２ｂの中空空間に負圧（吸引圧）を形成すると、表面周縁部９１１上の処理液が、吸引口５２１を介して、吸引管５０２ａ，５０２ｂから吸引される。

ただし、吸引源５６１および開閉弁５６３は、制御部１３０と電気的に接続されており、制御部１３０の制御下で、駆動（あるいは開閉）される。つまり、吸引管５０２ａ，５０２ｂからの処理液の吸引態様（具体的には、吸引開始タイミング、吸引終了タイミング、吸引圧（すなわち、吸引量）、等）は、制御部１３０によって制御される。ただし、制御部１３０は、表面周縁部９１１上に処理に必要十分な量の処理液を残しつつ、それを超える余分な処理液だけが吸引管５０２ａ，５０２ｂから吸引されるように、吸引管５０２ａ，５０２ｂの吸引圧（具体的には、吸引源５６１のポンプの圧力等）を調整している。

この基板処理装置１においては、上述した処理液ノズル５０１ａ，５０１ｂ，５０１ｃから表面周縁部９１１に向けて処理液が吐出されることによって、表面周縁部９１１に対して定められた処理が施されるところ、表面周縁部９１１における処理液が作用する領域の内縁位置は、精度よくコントロールされる必要がある。とりわけ、表面周縁部９１１における薬液（例えば、エッチング用の薬液）が作用する領域の内縁位置は、特に高精度にコントロールされる必要がある。ところが、処理液ノズル５０１ａ，５０１ｂ，５０１ｃから、表面周縁部９１１に、処理に必要十分な量よりも多量の処理液が供給されてしまうと、表面周縁部９１１上の余分な処理液が基板９の中心側に広がってしまって、この内縁位置が、所期の位置よりも、基板９の中心側にずれこんでしまう虞がある。最悪の場合、基板９の中心側に広がってしまった処理液がデバイス領域９０に進入してデバイスパターンに不具合を生じさせる虞もある。

この基板処理装置１においては、周縁部用処理ヘッド５１に設けられた吸引管５０２ａ，５０２ｂに、表面周縁部９１１上の余分な処理液を吸引させることによって、当該余分な処理液を表面周縁部９１１上から除去できる。これによって、表面周縁部９１１上の余分な処理液が基板９の中心側に広がることを抑制できる。すなわち、表面周縁部９１１における処理液が作用する領域の内縁位置が、所期の位置よりも基板９の中心側にずれこんでしまうことを、抑制できる。また、基板９の中心側に広がってしまった処理液がデバイス領域９０に進入して、デバイスパターンに不具合を生じさせる、といった事態も、回避できる。

さらに、表面周縁部９１１上に余分な処理液が存在していると、そこに新たに供給された処理液が、当該余分な処理液と衝突して跳ねて、デバイス領域９０に進入する虞があるところ、表面周縁部９１１から余分な処理液を除去しておくことによって、このような事態の発生も抑制できる。

＜iii．吸引管５０２ａ，５０２ｂ＞
次に、周縁部用処理ヘッド５１が備える各吸引管５０２ａ，５０２ｂの具体的な構成について、図８を参照しながら説明する。各吸引管５０２ａ，５０２ｂは、ほぼ同様の構成を備えており、以下、各吸引管５０２ａ，５０２ｂを区別しない場合は、単に「吸引管５０２」と示す。図８は、吸引管５０２の先端付近の構成を模式的に示す側断面図である。

吸引管５０２は、細長い円筒形状の外形を呈し、内部が中空となっている。吸引管５０２の内部の中空空間は、吸引管５０２の下端に開口した吸引口５２１と、連通している。もっとも、吸引管５０２は、図示されるようなストレート形状であってもよいし、先端に行くにつれて縮径したノズル形状であってもよい。

ここで、吸引管５０２が備える吸引口５２１の直径は、表面周縁部９１１における処理液を作用させるべき領域（具体的には、当該吸引管５０２と対応付けられた処理液ノズル５０１ａ，５０１ｂから吐出される処理液を作用させるべき領域であり、以下「目標処理領域」という）の幅Ｔよりも小さい。

そして、吸引管５０２が吸引位置に配置された状態において、吸引口５２１における基板９の中心側の端（内側端）５２１１が、目標処理領域の内縁位置（以下「目標内縁位置」という）ｔよりも、基板９の端面９３側にある。この構成によると、目標内縁位置ｔよりも外側（基板９の端面９３側）に吸引圧を作用させることができるので、余分な処理液が基板９の中心側に広がって、目標処理領域からはみ出ることを抑制できる。

また、吸引管５０２が吸引位置に配置された状態において、吸引口５２１における基板９の端面９３側の端（外側端）５２１２が、基板９の端面９３よりも内側（基板９の中心側）にある。この構成によると、処理液に対して有効に吸引圧を作用させることができる。

＜４−２−３．レイアウト＞
周縁部用処理ヘッド５１は、上述したアーム５２に固定される支持部５００を備える。支持部５００は、複数の吐出ノズル５０１ａ〜５０１ｄと複数の吸引管５０２ａ，５０２ｂとを、一体的に支持する。これら一体的に支持される複数の吐出ノズル５０１ａ〜５０１ｄおよび複数の吸引管５０２ａ，５０２ｂのレイアウトについて、図６を参照しながら説明する。

＜i．吐出ノズル５０１ａ〜５０１ｄのレイアウト＞
支持部５００は、上方から見て、表面周縁部９１１に沿う弧状に湾曲した部材であり、一群の吐出ノズル５０１ａ〜５０１ｄは、弧状に湾曲した支持部５００の延在方向に沿って、配列されている。したがって、周縁部用処理ヘッド５１が処理位置に配置された状態において、一群の吐出ノズル５０１ａ〜５０１ｄが、基板９の表面周縁部９１１に沿って並んだ状態となる。このとき、基板９の回転方向ＡＲ９に沿って、上流側から、ガスノズル５０１ｄ、第１薬液ノズル５０１ａ、リンス液ノズル５０１ｃ、第２薬液ノズル５０１ｂの順で並べられている。

このように、周縁部用処理ヘッド５１では、ガスノズル５０１ｄが、処理液ノズル５０１ａ，５０１ｂ，５０１ｃよりも、基板９の回転方向ＡＲ９の上流側に配置される。したがって、回転される基板９の表面周縁部９１１内の各位置は、まず、ガスノズル５０１ｄの下方を通過した後に、処理液ノズル５０１ａ，５０１ｂ，５０１ｃの下方を通過することになる。この構成によると、回転される基板９の表面周縁部９１１内の各位置に、処理液ノズル５０１ａ，５０１ｂ，５０１ｃから新たな処理液が供給されるのに先立って、当該位置にガスノズル５０１ｄからガスを供給する（すなわち、ガスを吹き付ける）ことができる。

基板９の表面状態等によっては、周縁部用処理ヘッド５１の下方に到達した表面周縁部９１１内の各位置に、一周前に処理液ノズル５０１ａ，５０１ｂ，５０１ｃから供給されて、基板９が一周回転される間に振り切られなかった古い処理液が、付着している場合がある。そのような場合においても、この周縁部用処理ヘッド５１では、この古い処理液を、ガスノズル５０１ｄから吐出されるガスで除去した後に、処理液ノズル５０１ａ，５０１ｂ，５０１ｃから新たな処理液を供給することができる。この構成によると、表面周縁部９１１内の各位置に新たに供給された処理液が古い処理液と衝突して跳ねる、といった事態が生じにくい。これによって、処理液がデバイス領域９０へ進入することが抑制される。また、この構成によると、常に新鮮な処理液を基板９に作用させることができ、これによって処理効率を高めることができる。また、仮に、古い薬液が残存しているところに、新たな処理液がさらに供給されてしまうと、そこに保持される処理液の量が一時的に多くなるところ、古い薬液をガスで除去した後に新たな処理液を供給する構成とすれば、表面周縁部９１１内の各位置に一時的に多量の処理液が保持されるといった状況が生じにくい。これによって、表面周縁部９１１内の各位置に保持される処理液の量が時間とともに変動することを抑制できる。ひいては、表面周縁部９１１における処理液が作用する領域の内縁位置を、精度よく制御できる。

また、別の見方をすると、この周縁部用処理ヘッド５１では、処理液ノズル５０１ａ，５０１ｂ，５０１ｃが、ガスノズル５０１ｄよりも、基板９の回転方向ＡＲ９の下流側に配置される。したがって、回転される基板９の表面周縁部９１１内の各位置は、処理液ノズル５０１ａ，５０１ｂ，５０１ｃの下方を通過した後、基板９がほぼ一周回転された後に、ガスノズル５０１ｄの下方に到達することになる。この構成によると、処理液ノズル５０１ａ，５０１ｂ，５０１ｃから表面周縁部９１１上の各位置に供給された処理液の少なくとも一部が、基板９がほぼ一周回転される間、表面周縁部９１１上に留まり続けるので、表面周縁部９１１内の各位置に対して処理液を十分に作用させることができる。

また、この周縁部用処理ヘッド５１では、酸性の薬液を吐出する第１薬液ノズル５０１ａと、アルカリ性の薬液を吐出する第２薬液ノズル５０１ｂとの間に、リンス液を吐出するリンス液ノズル５０１ｃが配置される。この構成によると、例えば、一方の薬液ノズルから薬液を吐出している際に発生する雰囲気が、他方の薬液ノズル内に残留する薬液と反応するといった事態の発生を抑制できる。具体的には、例えば、第１薬液ノズル５０１ａが酸性の薬液を吐出している際に発生する雰囲気が、第２薬液ノズル５０１ｂ内に残留するアルカリ性の薬液と反応する、あるいは、第２薬液ノズル５０１ｂがアルカリ性の薬液を吐出している際に発生する雰囲気が、第１薬液ノズル５０１ａ内に残留する酸性の薬液と反応する、といった事態の発生を抑制できる。

＜ii．吸引管５０２ａ，５０２ｂのレイアウト＞
第１吸引管５０２ａは、これが対応する処理液ノズルである第１薬液ノズル５０１ａの近傍であって、第１薬液ノズル５０１ａよりも基板９の回転方向ＡＲ９の下流側に配置される。また、第２吸引管５０２ｂは、これが対応する処理液ノズルである第２薬液ノズル５０１ｂの近傍であって、第２薬液ノズル５０１ｂよりも基板９の回転方向ＡＲ９の下流側に配置される。ただし、ここでいう「近傍」とは、基板９の中心（すなわち、スピンベース２１の回転軸Ａ）から見て、第１吸引管５０２ａと第１薬液ノズル５０１ａとがなす角度（あるいは、第２吸引管５０２ｂと第２薬液ノズル５０１ｂとがなす角度）が、１０°以下、特に好ましくは５°以下であることを意味する。

ただし、第１吸引管５０２ａは、第１薬液ノズル５０１ａよりも基板９の回転方向ＡＲ９の下流側であって、リンス液ノズル５０１ｃよりも基板９の回転方向ＡＲ９の上流側に配置されている（つまり、基板９の中心から見て、第１薬液ノズル５０１ａとリンス液ノズル５０１ｃとの間に配置されている）ことが好ましい。

このように、周縁部用処理ヘッド５１では、各吸引管５０２ａ，５０２ｂが、これが対応する処理液ノズルの近傍であって、当該処理液ノズルよりも基板９の回転方向ＡＲ９の下流側に配置される。したがって、回転される基板９の表面周縁部９１１内の各位置は、各薬液ノズル５０１ａ，５０１ｂの下方を通過した直後に、当該薬液ノズル５０１ａ，５０１ｂと対応する吸引管５０２ａ，５０２ｂの下方を通過することになる。この構成によると、回転される基板９の表面周縁部９１１内の各位置に、各薬液ノズル５０１ａ，５０１ｂから新たな薬液が供給された直後に、当該位置に供給された余分な薬液を、当該薬液ノズル５０１ａ，５０１ｂと対応する吸引管５０２ａ，５０２ｂから吸引することができる。これによって、表面周縁部９１１内の各位置に保持される薬液の量を、常に、必要十分な量に保つことができる。ひいては、表面周縁部９１１における処理液が作用する領域の内縁位置を、精度よく制御できる。

＜４−２−４．吐出位置と吸引位置＞
いま、周縁部用処理ヘッド５１が備える複数の吐出ノズル５０１ａ〜５０１ｄの各々から流体が吐出されて基板９上に到達する到達位置を、当該吐出ノズル５０１ａ〜５０１ｄの「目標吐出位置」とよぶことにする。また、周縁部用処理ヘッド５１が備える複数の吸引管５０２ａ，５０２ｂの各々が処理液（具体的には、当該吸引管５０２ａ，５０２ｂと対応付けられた処理液ノズル５０１ａ，５０１ｂから吐出される処理液）を吸引する基板９上の位置を、当該吸引管５０２ａ，５０２ｂの「目標吸引位置」とよぶことにする。以下において、複数の吐出ノズル５０１ａ〜５０１ｄの各々の目標吐出位置Ｑａ〜Ｑｄおよび複数の吸引管５０２ａ，５０２ｂの各々の目標吸引位置Ｒａ，Ｒｂについて、図９〜図１１を参照しながら説明する。図９は、目標吐出位置Ｑａ〜Ｑｄおよび目標吸引位置Ｒａ，Ｒｂの配置例を模式的に示す図である。図１０、図１１は、周縁部用処理ヘッド５１を、基板９の回転方向ＡＲ９の下流側から見た図である。ただし、図１０では、周縁部用処理ヘッド５１から薬液とガスとが吐出されている状態が示されており、図１１では、周縁部用処理ヘッド５１からリンス液とガスとが吐出されている状態が示されている。

複数の吐出ノズル５０１ａ〜５０１ｄの各々の目標吐出位置Ｑａ〜Ｑｄは、基板９の径方向に互いにずれた位置とされる。すなわち、ガスノズル５０１ｄの目標吐出位置Ｑｄは、処理液ノズル５０１ａ，５０１ｂ，５０１ｃの目標吐出位置Ｑａ，Ｑｂ，Ｑｃよりも、基板９の径方向内側（中心側）とされる。さらに、リンス液ノズル５０１ｃの目標吐出位置Ｑｃは、薬液ノズル５０１ａ，５０１ｂの目標吐出位置Ｑａ，Ｑｂよりも、基板９の径方向内側とされる。さらに、第１薬液ノズル５０１ａの目標吐出位置Ｑａと、第２薬液ノズル５０１ｂの目標吐出位置Ｑｂとは、径方向について同じ位置とされる。ただし、「径方向について同じ位置」とは、基板９の端面９３からの離間距離が互いに等しい位置（すなわち、基板９の中心からの離間距離が等しい位置）を指す。つまり、ここでは、基板９の端面９３から第１薬液ノズル５０１ａの目標吐出位置Ｑａまでの離間距離と、基板９の端面９３から第２薬液ノズル５０１ｂの目標吐出位置Ｑｂまでの離間距離とが、等しい。

一方、第１吸引管５０２ａが、第１薬液ノズル５０１ａから吐出される薬液を吸引する基板９上の位置（目標吸引位置）Ｒａは、第１薬液ノズル５０１ａの目標吐出位置Ｑａよりも、基板９の径方向外側（端面９３側）とされる。つまり、第１薬液ノズル５０１ａが、基板９上の第１の位置（目標吐出位置Ｑａ）に向けて薬液を吐出し、第１吸引管５０２ａが、当該目標吐出位置Ｑａよりも基板９の端面９３側の第２の位置（目標吸引位置Ｒａ）から当該薬液を吸引する。

同様に、第２吸引管５０２ｂが、第２薬液ノズル５０１ｂから吐出される薬液を吸引する基板９上の位置（目標吸引位置）Ｒｂは、第２薬液ノズル５０１ｂの目標吐出位置Ｑｂよりも、基板９の径方向外側（端面９３側）とされる。つまり、第２薬液ノズル５０１ｂが、基板９上の第１の位置（目標吐出位置Ｑｂ）に向けて薬液を吐出し、第２吸引管５０２ｂが、当該目標吐出位置Ｑｂよりも基板９の端面９３側の第２の位置（目標吸引位置Ｒｂ）から当該薬液を吸引する。

なお、上述したとおり、各吸引管５０２ａ，５０２ｂは、これが対応する処理液ノズルよりも基板９の回転方向ＡＲ９の下流側に配置されている。したがって、第１吸引管５０２ａの目標吸引位置Ｒａは、第１薬液ノズル５０１ａの目標吐出位置Ｑａよりも基板９の回転方向ＡＲ９の下流側にあり、第２吸引管５０２ｂの目標吸引位置Ｒｂは、第２薬液ノズル５０１ｂの目標吐出位置Ｑｂよりも基板９の回転方向ＡＲ９の下流側にある。

一例として、第１薬液ノズル５０１ａの目標吐出位置Ｑａおよび第２薬液ノズル５０１ｂの目標吐出位置Ｑｂは、いずれも、基板９の端面９３から１．０ｍｍだけ内側の位置である。また、第１吸引管５０２ａの目標吸引位置Ｒａおよび第２吸引管５０２ｂの目標吸引位置Ｒｂは、いずれも、基板９の端面９３から０ｍｍ〜１．０ｍｍの範囲内の位置である。また、ガスノズル５０１ｄの目標吐出位置Ｑｄは、薬液ノズル５０１ａ，５０１ｂの目標吐出位置Ｑａ，Ｑｂ（あるいは、吸引管５０２ａ，５０２ｂの目標吸引位置Ｒａ，Ｒｂ）よりもさらに０．５ｍｍだけ基板９の内側の位置である。また、リンス液ノズル５０１ｃの目標吐出位置Ｑｃは、基板９の端面９３から１．０ｍｍ〜０．５ｍｍの範囲内の位置である。

各吐出ノズル５０１ａ〜５０１ｄおよび各吸引管５０２ａ，５０２ｂは、各々の目標吐出位置Ｑａ，Ｑｂ，Ｑｃ，Ｑｄに到達するように流体を吐出できるように、また、各々の目標吸引位置Ｒａ，Ｒｂから処理液を吸引できるように、基板９の径方向に、互いにずれた位置に配置されて、支持部５００に支持される。すなわち、ガスノズル５０１ｄは、処理液ノズル５０１ａ，５０１ｂ，５０１ｃよりも、基板９の径方向内側（中心側）に配置されて、支持部５００に支持される。また、リンス液ノズル５０１ｃは、薬液ノズル５０１ａ，５０１ｂよりも、基板９の径方向内側に配置されて、支持部５００に支持される。また、第１薬液ノズル５０１ａと、第２薬液ノズル５０１ｂとは、径方向について同じ位置に配置されて、支持部５００に支持される。なお、各ノズル５０１ａ，５０１ｂ，５０１ｃ，５０１ｄの配置における互いのずれ量は、前述した傾斜流路部分５０４２の角度に応じて、各々の目標吐出位置Ｑａ，Ｑｂ，Ｑｃ，Ｑｄに流体が到達するように設定されている。また、各吸引管５０２ａ，５０２ｂは、これが対応する薬液ノズル５０１ａ，５０１ｂよりも、基板９の径方向外側（端面９３側）に配置されて、支持部５００に支持される。

この周縁部用処理ヘッド５１では、ガスノズル５０１ｄの目標吐出位置Ｑｄが、処理液ノズル５０１ａ，５０１ｂ，５０１ｃの目標吐出位置Ｑａ，Ｑｂ，Ｑｃよりも、基板９の径方向内側とされるので、基板９の表面周縁部９１１において、処理液が吐出される位置よりも内側の位置に、ガスが供給されることになる。この構成によると、表面周縁部９１１に供給された処理液を、基板９の内側から外側に向けて、ガスによって除去することができる。これによって、表面周縁部９１１上の処理液がデバイス領域９０に進入することを抑制できるとともに、処理液が作用する領域の幅（例えば、エッチング用の薬液が作用する領域の幅（エッチング幅））を安定させて、その制御精度を高めることができる。

また、この周縁部用処理ヘッド５１では、リンス液ノズル５０１ｃの目標吐出位置Ｑｃが、薬液ノズル５０１ａ，５０１ｂの目標吐出位置Ｑａ，Ｑｂよりも、基板９の径方向内側とされるので、基板９の表面周縁部９１１において、薬液が吐出される位置よりも内側の位置に、リンス液が吐出されることになる。この構成によると、表面周縁部９１１に供給された薬液を、基板９の内側から外側に向けて、リンス液によって押し流すことができる。これによって、デバイス領域９０への薬液の進入を十分に抑制しつつ、薬液残渣を残すことなく薬液を十分にすすぎ流すことができる。

また、この周縁部用処理ヘッド５１では、第１薬液ノズル５０１ａの目標吐出位置Ｑａと第２薬液ノズル５０１ｂの目標吐出位置Ｑｂとが、基板９の径方向について同じ位置とされるので、基板９の表面周縁部９１１において、酸性の薬液が吐出される位置にアルカリ性の薬液を吐出できる。この構成によると、各薬液を、同じ領域に正確に作用させることができる。

また、この周縁部用処理ヘッド５１では、各吸引管５０２ａ，５０２ｂの目標吸引位置Ｒａ，Ｒｂが、当該吸引管５０２ａ，５０２ｂと対応する処理液ノズル５０１ａ，５０１ｂの目標吐出位置Ｑａ，Ｑｂよりも、基板９の端面９３側とされる。つまり、基板９の表面周縁部９１１において、処理液が吐出された位置よりも基板９の端面９３側の位置で、余分な処理液が吸引される。この構成によると、表面周縁部９１１上の余分な処理液が、基板９の内側から外側に向かって流れて吸引管５０２ａ，５０２ｂから吸引されるので、表面周縁部９１１上の余分な処理液が基板９の中心側に広がることを十分に抑制できる。

＜５．基板処理装置１の動作＞
次に、基板処理装置１の動作について説明する。基板処理装置１においては、制御部１３０の制御下で、以下に説明する一連の処理が実行される。もっとも、以下に説明するのは、基板処理装置１にて実行可能な処理の一例に過ぎない。

基板処理装置１では、例えば、１枚の基板９に対して、前処理（ステップＳ１）、表面周縁処理（ステップＳ２）、処理面切り替え処理（ステップＳ３）、裏面処理（ステップＳ４）、および、乾燥処理（ステップＳ５）が、この順で行われる（図１２）。以下に、各処理について具体的に説明する。

＜５−１．前処理＞
前処理（ステップＳ１）について、図１３、図１４を参照しながら説明する。図１３は、前処理の流れを示す図である。図１４は、前処理を説明するための図であり、前処理における各処理工程を実行している状態の基板処理装置１の一部要素が、模式的に示されている。

まず、半円弧部材６１，６２、カップ３１、周縁部用処理ヘッド５１、および、カバーガスノズル４１が、各々の待避位置に配置されている状態において、搬送ロボットＣＲが、基板９を、その表面９１が上を向く姿勢で、スピンベース２１上に配置する。スピンベース２１上に配置された基板９は、一群の保持部材２５によって保持される（ステップＳ１０１）。これによって、スピンベース２１上に、基板９が、略水平姿勢で保持された状態となる。

基板９がスピンベース２１上に保持されると、ガード部材６０が処理位置まで移動される（ステップＳ１０２）。具体的には、半円弧部材駆動部６３の昇降駆動部６３１が、待避位置に配置されている各半円弧部材６１，６２を、スピンベース２１の上面よりも僅かに上方の位置まで上昇させ、続いて、半円弧部材駆動部６３の進退駆動部６３２が、各半円弧部材６１，６２を、水平面内において他方の半円弧部材に近づける方向に移動させて、各半円弧部材６１，６２の周方向の端面同士が互いに当接し合う状態とする。これによって、リング状の部材であるガード部材６０が、処理位置に配置された状態となる。なお、処理位置に配置されたガード部材６０は、スピンベース２１が回転開始されても、回転されることなく静止状態のままとされる。

ガード部材６０が処理位置に配置されると、続いて、待避位置に配置されているカップ３１が上昇されて、処理位置に配置される（ステップＳ１０３）。これによって、カップ３１が、スピンベース２１上に保持された基板９とガード部材６０とを一括して取り囲むように配置された状態となる。

カップ３１が処理位置に配置されると、続いて、カバーガスノズル４１が、待避位置から処理位置に移動される。そして、処理位置に配置されたカバーガスノズル４１から、基板９の表面９１の中央付近に向けて、カバーガスが吐出開始される（ステップＳ１０４）。ここで開始された、基板９の表面９１の中央付近へのカバーガスの供給は、当該基板９に対する処理が終了するまで続行される。基板９の表面９１の中央付近にカバーガスが供給され続けることによって、当該基板９に対する処理が行われる間、デバイス領域９０が、表面周縁部９１１等に供給された処理液の雰囲気等に曝されることがない。つまり、デバイス領域９０が、表面周縁部に供給された処理液の雰囲気等から保護され続ける。

なお、ここでは、カップ３１が処理位置に配置された後に、カバーガスノズル４１からのカバーガスの吐出を開始している。仮に、カップ３１が処理位置まで上昇されるのを待たずに、カバーガスノズル４１からのカバーガスの吐出を開始してしまうと、基板９の表面周縁部９１１付近の気流が乱れて巻き上がりが生じて、基板９にパーティクル等が付着する虞があるところ、カップ３１が処理位置に配置された後にカバーガスの吐出を開始する構成とすれば、このような事態の発生を回避できる。

続いて、スピンベース２１の回転が開始され、これによって、スピンベース２１上に保持される基板９が、水平姿勢で回転開始される（ステップＳ１０５）。このときのスピンベース２１の回転数（すなわち、基板９の回転数）は、例えば、６００ｒｐｍである。この回転数は、表面周縁処理が行われる間、表面周縁部９１１に供給された処理液がデバイス領域９０に進入することがなく、また、端部９３の側に移動することもないような回転数（つまり、処理を施すべき表面周縁部９１１内の領域に、処理液が安定的に保持されるような回転数）に、適宜設定される。

続いて、スチームノズル７１から、回転される基板９の裏面９２に向けて、スチームが吐出される（プレスチーム）（ステップＳ１０６）。スチームが吐出開始されてから、所定時間（例えば、５秒）が経過すると、スチームノズル７１からのスチームの吐出が停止される。このプレスチームによって、基板９が加熱される。基板９に対する薬液処理に用いられる薬液の多くは、温度が上がるほど反応が促進される薬液であるところ、基板９が、予めこのプレスチームにより加熱されることによって、薬液処理における、薬液と基板９との反応が促進される。その結果、薬液処理の処理時間が短縮されるとともに、薬液の使用量が抑えられる。

＜５−２．表面周縁処理＞
前処理（ステップＳ１）が終了すると、続いて、表面周縁処理（ステップＳ２）が行われる。表面周縁処理について、図１５、図１６を参照しながら説明する。図１５は、表面周縁処理の流れを示す図である。図１６は、表面周縁処理を説明するための図であり、表面周縁処理における各処理工程を実行している状態の基板処理装置１の一部要素が、模式的に示されている。

ただし、以下に説明する表面周縁処理が行われる間、基板９は、一定の回転数（例えば、６００ｒｐｍ）で、回転され続ける。また、上述したとおり、表面周縁処理が行われる間も、基板９の表面９１の中央付近に向けて、カバーガスノズル４１からカバーガスが供給され続けており、これによって、デバイス領域９０が、表面周縁部９１１に供給される処理液の雰囲気等から保護されている。

＜アルカリ処理（ＳＣ−１）＞
＜i．薬液処理＞
まず、基板９の表面周縁部９１１に対して、ＳＣ−１による薬液処理が行われる（ステップＳ２０１）。具体的には、まず、周縁部用処理ヘッド５１が、待避位置から処理位置に移動される。そして、処理位置に配置された周縁部用処理ヘッド５１の第２薬液ノズル５０１ｂから、回転される基板９の表面周縁部９１１に向けて、ＳＣ−１が吐出される。このときのＳＣ−１の吐出流量は、例えば、２０（ｍＬ/ｍｉｎ）以上かつ５０（ｍＬ/ｍｉｎ）以下である。ＳＣ−１が吐出開始されてから所定時間（例えば、２０秒）が経過すると、周縁部用処理ヘッド５１からのＳＣ−１の吐出が停止される。

この薬液処理によって、基板９の表面周縁部９１１に形成されている薄膜が除去される（エッチング処理）。ただし、この薬液処理が行われている間、第２薬液ノズル５０１ｂが表面周縁部９１１に向けてＳＣ−１を吐出するのと並行して、第２吸引管５０２ｂが表面周縁部９１１上の余分なＳＣ−１を吸引している。すなわち、第２薬液ノズル５０１ｂからの表面周縁部９１１に向けてのＳＣ−１の吐出の開始と同時に、第２吸引管５０２ｂからの吸引が開始され、第２薬液ノズル５０１ｂからの表面周縁部９１１に向けてのＳＣ−１の吐出の停止と同時に、第２吸引管５０２ｂからの吸引が停止される。これによって、表面周縁部９１１に供給された余分なＳＣ−１が基板９の中心側に広がってしまうことを抑制できる。

また、この薬液処理が行われている間、スチームノズル７１から、基板９の裏面９２に向けて、スチームが吐出される。このときのスチームの吐出流量は、例えば、５００（ｍＬ/ｍｉｎ）以上かつ２０００（ｍＬ/ｍｉｎ）以下である。また、吐出されるスチームの温度は、例えば、１１０℃以上かつ１３０℃以下である。ＳＣ−１は、温度が上がるほど反応が促進される薬液であるところ、ＳＣ−１により薬液処理される基板９が、スチームの供給を受けて加熱されることによって、基板９の表面周縁部９１１とＳＣ−１との反応が促進される（すなわち、エッチングレートが高まる）（所謂、ヒートアシスト）。その結果、ＳＣ−１による薬液処理の処理時間が短縮されるとともに、ＳＣ−１の使用量が抑えられる。特に、ここでは、基板９の裏面周縁部９２１が重点的に加熱されるので、表面周縁部９１１とＳＣ−１との反応を効果的に促進させることができる。

＜ii．リンス処理＞
続いて、リンス処理が行われる（ステップＳ２０２）。具体的には、処理位置に配置されている周縁部用処理ヘッド５１のリンス液ノズル５０１ｃから、回転される基板９の表面周縁部９１１に向けて、リンス液が吐出される。リンス液が吐出開始されてから所定時間（例えば、５秒）が経過すると、周縁部用処理ヘッド５１からのリンス液の吐出が停止される。このリンス処理によって、表面周縁部９１１に付着している処理液（ここでは、ＳＣ−１）が、すすぎ流される。

＜iii．液振り切り処理＞
続いて、液振り切り処理が行われる（ステップＳ２０３）。液振り切り処理は、表面周縁部９１１に残存している処理液（ここでは、ステップＳ２０２のリンス処理において基板９から振り切られずに、表面周縁部９１１に残存しているリンス液）を、基板９の端面９３側に寄せて、端面９３から基板９の外に振り切る処理である。端面９３側に寄せられた処理液は、端面９３およびその付近の非水平な面領域部分に保持された状態となるところ、非水平な面領域部分に保持された処理液は液切れを起こしにくいため、このような処理液は、まとまって、基板９の外に振り切られる。つまり、表面周縁部９１１に残存している処理液を、基板９の端面９３側に寄せてから基板９の外に振り切ることによって、表面周縁部９１１に液残りをほとんど生じさせることなく、当該残存している処理液の大部分を基板９から除去することができる。

液振り切り処理は、具体的には、例えば、次のように行われる。まず、周縁部用処理ヘッド５１からの表面周縁部９１１に向けての流体（処理液およびガス）の吐出が停止された状態で、基板９が定められた時間だけ回転される（液寄せ工程）（ステップＳ２０３１）。これによって、表面周縁部９１１に残存している処理液が、基板９の回転に伴う遠心力を受けて、基板９の端面９３に近づく方向に移動して、端面９３およびその付近の非水平な面領域部分に保持された状態となる。続いて、処理位置に配置されている周縁部用処理ヘッド５１のガスノズル５０１ｄから、回転される基板９の表面周縁部９１１に向けて、ガスが吐出される（吹き飛ばし工程）（ステップＳ２０３２）。このときのガスの吐出流量は、例えば、１４（Ｌ/ｍｉｎ）である。これによって、非水平な面領域部分に保持されている処理液が、ガスの風圧と基板９の回転に伴う遠心力とを受けて、まとまって、基板９の外に振り切られる。周縁部用処理ヘッド５１からのガスの吐出が開始されてから所定時間（例えば、１５秒）が経過すると、周縁部用処理ヘッド５１からのガスの吐出が停止される。

この液振り切り処理によって、表面周縁部９１１に残存している処理液（すなわち、ステップＳ２０２のリンス処理において基板９から振り切られずに表面周縁部９１１に残存しているリンス液）の大部分が、基板９から振り切られる。

＜第１の酸処理（ＳＣ−２）＞
＜i．薬液処理＞
次に、基板９の表面周縁部９１１に対して、ＳＣ−２による薬液処理が行われる（ステップＳ２０４）。具体的には、処理位置に配置されている周縁部用処理ヘッド５１の第１薬液ノズル５０１ａから、回転される基板９の表面周縁部９１１に向けて、ＳＣ−２が吐出される。ＳＣ−２が吐出開始されてから所定時間（例えば、２０秒）が経過すると、周縁部用処理ヘッド５１からのＳＣ−２の吐出が停止される。

この薬液処理によって、基板９の表面周縁部９１１に付着しているメタル成分（例えば、Ｍｏ、Ｃｏ、等）等が除去される（洗浄処理）。ただし、ここでは、この薬液処理に先立って、液振り切り処理が行われている（ステップＳ２０３）。このため、ＳＣ−２は、リンス液がほとんど残存しない表面周縁部９１１に向けて、吐出されることになる。仮に、ステップＳ２０３の液振り切り処理が行われていないとすると、リンス液が残存している表面周縁部９１１に向けてＳＣ−２が吐出されることになり、当該吐出されたＳＣ−２が、残存しているリンス液と衝突して跳ねて、デバイス領域９０に進入する虞がある。しかしながら、ここでは、液振り切り処理によって、表面周縁部９１１は、リンス液がほとんど残存しない状態となっているので、このような処理液の衝突に起因するデバイス領域９０への処理液の進入が生じにくい。また、仮に、ステップＳ２０３の液振り切り処理が行われていないとすると、表面周縁部９１１上で、残存しているリンス液と、供給されたＳＣ−２とが混じり合う虞があるが、液振り切り処理が行われている場合は、このような事態が生じにくい。その結果、所期の濃度のＳＣ−２を表面周縁部９１１に適切に作用させることができる。また、アルカリ性の薬液であるＳＣ−１をすすぎ流したリンス液と酸性の薬液であるＳＣ−２との混触も回避できる。

また、この薬液処理が行われている間、第１薬液ノズル５０１ａが表面周縁部９１１に向けてＳＣ−２を吐出するのと並行して、第１吸引管５０２ａが表面周縁部９１１上の余分なＳＣ−２を吸引している。すなわち、第１薬液ノズル５０１ａからの表面周縁部９１１に向けてのＳＣ−１の吐出の開始と同時に、第１吸引管５０２ａからの吸引が開始され、第１薬液ノズル５０１ａからの表面周縁部９１１に向けてのＳＣ−２の吐出の停止と同時に、第１吸引管５０２ａからの吸引が停止される。これによって、表面周縁部９１１に供給された余分なＳＣ−２が基板９の中心側に広がってしまうことを抑制できる。

＜ii．液振り切り処理＞
続いて、液振り切り処理が行われる（ステップＳ２０５）。液振り切り処理の具体的な流れは、ステップＳ２０３にて説明したとおりである。すなわち、まず、表面周縁部９１１に向けての流体の吐出が停止された状態で、基板９が定められた時間だけ回転され（液寄せ工程）、その後、処理位置に配置されている周縁部用処理ヘッド５１のガスノズル５０１ｄから、回転される基板９の表面周縁部９１１に向けて、ガスが吐出される（吹き飛ばし工程）。周縁部用処理ヘッド５１からのガスの吐出が開始されてから所定時間（例えば、１５秒）が経過すると、周縁部用処理ヘッド５１からのガスの吐出が停止される。

この液振り切り処理によって、表面周縁部９１１に残存している処理液（すなわち、ステップＳ２０４の洗浄処理において基板９から振り切られずに、表面周縁部９１１に残存しているＳＣ−２）の大部分が、基板９から振り切られる。ステップＳ２０４の洗浄処理において基板９から振り切られずに表面周縁部９１１に残存しているＳＣ−２には、洗浄処理で基板９から除去されたメタル成分等の不純物が含まれているところ、洗浄処理の後に液振り切り処理が行われることによって、この不純物が、早い段階で、基板９から振り切られることになる。したがって、ＳＣ−２による薬液処理で基板９から除去された不純物が、基板９に再付着するリスクが低減される。

＜iii．リンス処理＞
続いて、リンス処理が行われる（ステップＳ２０６）。リンス処理の具体的な流れは、ステップＳ２０２の処理と同様である。すなわち、処理位置に配置されている周縁部用処理ヘッド５１のリンス液ノズル５０１ｃから、回転される基板９の表面周縁部９１１に向けて、リンス液が吐出される。リンス液が吐出開始されてから所定時間（例えば、５秒）が経過すると、周縁部用処理ヘッド５１からのリンス液の吐出が停止される。

このリンス処理によって、表面周縁部９１１に付着している処理液（ここでは、ＳＣ−２）が、すすぎ流される。ただし、ここでは、このリンス処理に先立って、液振り切り処理が行われている（ステップＳ２０５）ため、表面周縁部９１１は、ＳＣ−２がほとんど残存しない状態となっている。したがって、このリンス処理の処理時間は、液振り切り処理が行われない場合よりも短くてすむ。また、このリンス処理においては、リンス液は、ＳＣ−２がほとんど残存しない表面周縁部９１１に向けて、吐出されることになるため、処理液の衝突に起因するデバイス領域９０への処理液の進入が生じにくい。

＜iv．液振り切り処理＞
続いて、液振り切り処理が行われる（ステップＳ２０７）。液振り切り処理の具体的な流れは、ステップＳ２０３にて説明したとおりである。すなわち、まず、表面周縁部９１１に向けての流体の吐出が停止された状態で、基板９が定められた時間だけ回転され（液寄せ工程）、その後、処理位置に配置されている周縁部用処理ヘッド５１のガスノズル５０１ｄから、回転される基板９の表面周縁部９１１に向けて、ガスが吐出される（吹き飛ばし工程）。周縁部用処理ヘッド５１からのガスの吐出が開始されてから所定時間（例えば、１５秒）が経過すると、周縁部用処理ヘッド５１からのガスの吐出が停止される。

この液振り切り処理によって、表面周縁部９１１に残存している処理液（すなわち、ステップＳ２０６のリンス処理において基板９から振り切られずに、表面周縁部９１１に残存しているリンス液）の大部分が、基板９から振り切られる。

＜第２の酸処理（ＤＨＦ）＞
＜i．薬液処理＞
次に、基板９の表面周縁部９１１に対して、ＤＨＦによる薬液処理が行われる（ステップＳ２０８）。具体的には、処理位置に配置されている周縁部用処理ヘッド５１の第１薬液ノズル５０１ａから、回転される基板９の表面周縁部９１１に向けて、ＤＨＦが吐出される。このときのＤＨＦの吐出流量は、例えば、２０（ｍＬ/ｍｉｎ）以上かつ５０（ｍＬ/ｍｉｎ）以下である。ＤＨＦが吐出開始されてから所定時間（例えば、１０秒）が経過すると、周縁部用処理ヘッド５１からのＤＨＦの吐出が停止される。

この薬液処理によって、基板９の表面周縁部９１１に形成されている薄膜が除去される（エッチング処理）。ただし、ここでは、この薬液処理に先立って、液振り切り処理が行われている（ステップＳ２０７）ため、ＤＨＦは、リンス液がほとんど残存しない表面周縁部９１１に向けて、吐出されることになる。したがって、処理液の衝突に起因するデバイス領域９０への処理液の進入が生じにくい。また、表面周縁部９１１上で、ＤＨＦとリンス液とが混じり合うことがないので、所期の濃度のＤＨＦを、表面周縁部９１１に適切に作用させることができる。

また、この薬液処理が行われている間、第１薬液ノズル５０１ａが表面周縁部９１１に向けてＤＨＦを吐出するのと並行して、第１吸引管５０２ａが表面周縁部９１１上の余分なＤＨＦを吸引している。すなわち、第１薬液ノズル５０１ａからの表面周縁部９１１に向けてのＤＨＦの吐出の開始と同時に、第１吸引管５０２ａからの吸引が開始され、第１薬液ノズル５０１ａからの表面周縁部９１１に向けてのＤＨＦの吐出の停止と同時に、第１吸引管５０２ａからの吸引が停止される。これによって、表面周縁部９１１に供給された余分なＤＨＦが基板９の中心側に広がってしまうことを抑制できる。

また、この薬液処理が行われている間は、周縁部用処理ヘッド５１のガスノズル５０１ｄから、表面周縁部９１１に向けて、ガスが吐出される。このときのガスの吐出流量は、例えば、１４（Ｌ/ｍｉｎ）である。つまり、表面周縁部９１１内の各位置において、古いＤＨＦ（すなわち、一周前に第１薬液ノズル５０１ａから供給されて、基板９が一周回転される間に振り切られなかった古いＤＨＦ）が、ガスノズル５０１ｄから吐出されるガスで除去された後に、当該位置に第１薬液ノズル５０１ａから新たなＤＨＦが供給される。この構成によると、上述したとおり、基板９が一周回転される間に振り切られなかった古い処理液と新しく供給された処理液との衝突に起因するデバイス領域９０への処理液の進入を抑制できる。また、この構成によると、常に新鮮なＤＨＦを基板９に作用させて、処理効率を高めることができる。また、この構成によると、表面周縁部９１１内の各位置に一時的に多量のＤＨＦが保持されるといった状況を回避することができる。その結果、エッチング幅を安定させて、エッチング幅の制御精度を高めることができる。また、ＤＨＦが供給されると、表面周縁部９１１は撥水性となるため、表面周縁部９１１に保持される古い処理液が部分的に厚くなる場合がある。この状態で新しい処理液が供給されると、処理液が弾かれて跳ねやすい状態となる。そのため、古い処理液をガスノズル５０１ｄから吐出されるガスにより基板９の外側に向けて吹き飛ばすことによって、当該液滴等がデバイス領域９０へ進入することが十分に抑制される。

＜ii．リンス処理＞
続いて、リンス処理が行われる（ステップＳ２０９）。リンス処理の具体的な流れは、ステップＳ２０２の処理と同様である。すなわち、処理位置に配置されている周縁部用処理ヘッド５１のリンス液ノズル５０１ｃから、回転される基板９の表面周縁部９１１に向けて、リンス液が吐出される。リンス液が吐出開始されてから所定時間（例えば、５秒）が経過すると、周縁部用処理ヘッド５１からのリンス液の吐出が停止される。

このリンス処理によって、表面周縁部９１１に付着している処理液（ここでは、ＤＨＦ）が、すすぎ流される。ただし、このリンス処理が行われている間も、周縁部用処理ヘッド５１のガスノズル５０１ｄから、基板９の表面周縁部９１１に向けて、ガスが吐出される。このときのガスの吐出流量は、例えば、１４（Ｌ/ｍｉｎ）である。つまり、表面周縁部９１１内の各位置において、古いリンス液（すなわち、一周前にリンス液ノズル５０１ｃから供給されて、基板９が一周回転される間に振り切られなかった古いリンス液）が、ガスノズル５０１ｄから吐出されるガスで除去された後に、当該位置にリンス液ノズル５０１ｃから新たなリンス液が供給される。この構成によると、上述したとおり、基板９が一周回転される間に振り切られなかった古い処理液と新しく供給された処理液との衝突に起因するデバイス領域９０への処理液の進入を抑制できる。また、この構成によると、ＤＨＦを含む古いリンス液を、速やかに表面周縁部９１１から除去するとともに、ＤＨＦを含まない新たなリンス液を基板９に作用させることができるので、リンス処理の処理効率が高まる。また、この構成によると、上述したとおり、表面周縁部９１１で弾かれた処理液の液滴等が、ガスノズル５０１ｄから吐出されるガスによって形成される気流によって、基板９の外側に向けて吹き飛ばされるので、当該液滴等がデバイス領域９０へ進入することが十分に抑制される。

＜iii．液振り切り処理＞
続いて、液振り切り処理が行われる（ステップＳ２１０）。液振り切り処理の具体的な流れは、ステップＳ２０３にて説明したとおりである。すなわち、まず、表面周縁部９１１に向けての流体の吐出が停止された状態で、基板９が定められた時間だけ回転され（液寄せ工程）、その後、処理位置に配置されている周縁部用処理ヘッド５１のガスノズル５０１ｄから、回転される基板９の表面周縁部９１１に向けて、ガスが吐出される（吹き飛ばし工程）。周縁部用処理ヘッド５１からのガスの吐出が開始されてから所定時間（例えば、５秒）が経過すると、周縁部用処理ヘッド５１からのガスの吐出が停止される。

この液振り切り処理によって、表面周縁部９１１に残存している処理液（すなわち、ステップＳ２０９のリンス処理において基板９から振り切られずに、表面周縁部９１１に残存しているリンス液）の大部分が、基板９から振り切られる。

＜５−３．処理面切り替え処理＞
表面周縁処理（ステップＳ２）が終了すると、続いて、処理面切り替え処理（ステップＳ３）が行われる。処理面切り替え処理では、裏面処理（ステップＳ４）に備えて、スピンベース２１の回転速度（すなわち、基板９の回転速度）が低減される（図１７、図１８参照）。すなわち、スピンベース２１の回転速度が、表面周縁処理時の回転速度（ここでは、６００ｒｐｍ）から、これより小さい回転速度（低速の回転速度）（例えば、２０ｒｐｍ）に切り替えられる。

ただし、上述したとおり、処理面切り替え処理が行われる間も、基板９の表面９１の中央付近に向けて、カバーガスノズル４１からカバーガスが供給され続けている。

＜５−４．裏面処理＞
処理面切り替え処理（ステップＳ３）が終了すると、続いて、裏面処理（ステップＳ４）が行われる。裏面処理について、図１７、図１８を参照しながら説明する。図１７は、ステップＳ２〜ステップＳ４の流れを示す図である。図１８は、裏面処理等を説明するための図であり、裏面処理における各処理工程を実行している状態の基板処理装置１の一部要素が、模式的に示されている。

ただし、上述したとおり、裏面処理が行われる間も、基板９の表面９１の中央付近に向けて、カバーガスノズル４１からカバーガスが供給され続けており、これによって、デバイス領域９０が、裏面９２に供給される処理液の雰囲気等から保護されている。

裏面９２に対する処理液の供給に先立って、スピンベース２１の回転速度は、低速の回転数である２０ｒｐｍに切り替えられている。ここでいう「低速の回転速度」とは、基板９が当該回転速度で回転されている状態において、基板９の裏面９２に供給された処理液が、裏面９２の全体に広がり、かつ、基板９の表面９１まで回り込むことがないような速度であり、具体的には、例えば、２０ｒｐｍ以下の回転数に相当する回転速度である。

まず、基板９の裏面９２に対して、ＳＣ−１による薬液処理が行われる（ステップＳ４０１）。具体的には、裏面側吐出口８２から、低速の回転速度で回転される基板９の裏面９２の中央付近に向けて、ＳＣ−１が吐出される。このときのＳＣ−１の吐出流量は、例えば、５００（ｍＬ/ｍｉｎ）以上かつ２０００（ｍＬ/ｍｉｎ）以下である。裏面９２の中央付近に供給されたＳＣ−１は、基板９の回転に伴う遠心力によって裏面９２の全体に広がり、これによって、基板９の裏面９２に対して、ＳＣ−１による薬液処理が進行する。ここでは、ＳＣ−１による薬液処理によって、基板９の裏面９２に形成されている薄膜が除去される（エッチング処理）。ＳＣ−１が吐出開始されてから所定時間（例えば、２０秒）が経過すると、裏面側吐出口８２からのＳＣ−１の吐出が停止される。

続いて、リンス処理が行われる（ステップＳ４０２）。具体的には、基板９が低速の回転速度で回転された状態のままで、裏面側吐出口８２から、基板９の裏面９２の中央付近に向けて、リンス液が吐出される。裏面９２の中央付近に供給されたリンス液は、基板９の回転に伴う遠心力によって裏面９２の全体に広がり、これによって、裏面９２に付着している処理液（ここでは、ＳＣ−１）が、すすぎ流される。リンス液が吐出開始されてから所定時間（例えば、２０秒）が経過すると、裏面側吐出口８２からのリンス液の吐出が停止される。

続いて、基板９の裏面９２に対して、ＳＣ−２による薬液処理が行われる（ステップＳ４０３）。具体的には、基板９が低速の回転速度で回転された状態のままで、裏面側吐出口８２から、基板９の裏面９２の中央付近に向けて、ＳＣ−２が吐出される。裏面９２の中央付近に供給されたＳＣ−２は、基板９の回転に伴う遠心力によって裏面９２の全体に広がり、これによって、裏面９２に対して、ＳＣ−２による薬液処理が進行する。ここでは、ＳＣ−２による薬液処理によって、基板９の裏面９２に付着しているメタル成分（例えば、Ｍｏ、Ｃｏ、等）等が除去される（洗浄処理）。ＳＣ−２が吐出開始されてから所定時間（例えば、２０秒）が経過すると、裏面側吐出口８２からのＳＣ−２の吐出が停止される。

続いて、リンス処理が行われる（ステップＳ４０４）。リンス処理の具体的な流れは、ステップＳ４０２の処理と同様である。すなわち、基板９が低速の回転速度で回転された状態のままで、裏面側吐出口８２から、基板９の裏面９２の中央付近に向けて、リンス液が吐出される。裏面９２の中央付近に供給されたリンス液は、基板９の回転に伴う遠心力によって裏面９２の全体に広がり、これによって、裏面９２に付着している処理液（ここでは、ＳＣ−２）が、すすぎ流される。リンス液が吐出開始されてから所定時間（例えば、２０秒）が経過すると、裏面側吐出口８２からのリンス液の吐出が停止される。

続いて、基板９の裏面９２に対して、ＤＨＦによる薬液処理が行われる（ステップＳ４０５）。具体的には、基板９が低速の回転速度で回転された状態のままで、裏面側吐出口８２から、基板９の裏面９２の中央付近に向けて、ＤＨＦが吐出される。このときのＤＨＦの吐出流量は、例えば、５００（ｍＬ/ｍｉｎ）以上かつ２０００（ｍＬ/ｍｉｎ）以下である。裏面９２の中央付近に供給されたＤＨＦは、基板９の回転に伴う遠心力によって裏面９２の全体に広がり、これによって、裏面９２に対して、ＤＨＦによる薬液処理が進行する。ここでは、ＤＨＦによる薬液処理によって、基板９の裏面９２に形成されている薄膜が除去される（エッチング処理）。ＤＨＦが吐出開始されてから所定時間（例えば、１０秒）が経過すると、裏面側吐出口８２からのＤＨＦの吐出が停止される。

続いて、リンス処理が行われる（ステップＳ４０６）。リンス処理の具体的な流れは、ステップＳ４０２の処理と同様である。すなわち、基板９が低速の回転速度で回転された状態のままで、裏面側吐出口８２から、基板９の裏面９２の中央付近に向けて、リンス液が吐出される。裏面９２の中央付近に供給されたリンス液は、基板９の回転に伴う遠心力によって裏面９２の全体に広がり、これによって、裏面９２に付着している処理液（ここでは、ＤＨＦ）が、すすぎ流される。リンス液が吐出開始されてから所定時間（例えば、２２．５秒）が経過すると、裏面側吐出口８２からのリンス液の吐出が停止される。以上で、裏面処理が終了する。

＜５−５．乾燥処理＞
裏面処理（ステップＳ４）が終了すると、続いて、乾燥処理（ステップＳ５）が行われる。乾燥処理においては、基板９に向けての処理液の吐出が停止された状態で、スピンベース２１の回転速度（すなわち、基板９の回転速度）が、裏面処理の実行時の低速の回転速度から、比較的高速の、乾燥時の回転速度に上げられる。これによって、基板９の裏面９２に付着しているリンス液が徐々に振り切られてゆき、最終的に、基板９が乾燥される。ただし、上述したとおり、乾燥処理が行われる間も、基板９の表面９１には、カバーガスノズル４１からカバーガスが供給され続けており、これによって、デバイス領域９０が処理液の雰囲気等から保護されている。

基板９が乾燥時の回転速度で回転開始されてから所定時間が経過すると、スピンベース２１の回転が停止される。その後、カバーガスノズル４１からのガスの吐出が停止されて、カバーガスノズル４１が待避位置に移動される。また、周縁部用処理ヘッド５１、カップ３１、および、半円弧部材６１，６２が、各々の待避位置に移動される。そして、一群の保持部材２５が基板９を開放するとともに、搬送ロボットＣＲが、当該基板９を基板処理装置１から搬出する。以上で、当該基板９に対する一連の処理が終了する。

＜６．効果＞
上記の実施の形態においては、各吸引管５０２ａ，５０２ｂに、処理液ノズル（具体的には、当該吸引管５０２ａ，５０２ｂと対応付けられた処理液ノズルであり、上記の実施の形態においては、各薬液ノズル５０１ａ，５０１ｂ）から表面周縁部９１１上に供給された余分な処理液を吸引させることによって、当該余分な処理液を表面周縁部から除去できる。その結果、表面周縁部９１１上の余分な処理液が基板９の中心側に広がることを抑制できる。すなわち、表面周縁部９１１における処理液が作用する領域の内縁位置が、所期の位置よりも基板９の中心側にずれこんでしまうことを、抑制できる。また、基板９の中心側に広がってしまった処理液がデバイス領域９０に進入してデバイスパターンに不具合を生じさせる、といった事態も、回避できる。

また、上記の実施の形態によると、周縁部用処理ヘッド５１において、各吸引管５０２ａ，５０２ｂと、これと対応する処理液ノズルとが、一体的に支持される。この構成によると、回転される基板９の表面周縁部９１１内の各位置から見て、吸引管５０２ａ，５０２ｂとこれと対応する処理液ノズルとが一体的に相対移動される。したがって、処理液ノズルからの処理液の供給タイミングと、吸引管５０２ａ，５０２ｂからの当該処理液の吸引タイミングとが、表面周縁部９１１内の全ての位置で、等しくなる。これによって、表面周縁部９１１内の各位置に保持される処理液の量の増減態様にばらつきが出ることを抑制できる。ひいては、表面周縁部９１１内の各位置を均一に処理できる。

また、上記の実施の形態によると、周縁部用処理ヘッド５１において、各吸引管５０２ａ，５０２ｂが、これと対応する処理液ノズルの近傍であって、当該処理液ノズルよりも基板９の回転方向の下流側に配置される。この構成によると、回転される基板９の表面周縁部９１１内の各位置に、処理液ノズルから新たな処理液が供給された直後に、当該位置に供給された余分な処理液を当該処理液ノズルと対応する吸引管５０２ａ，５０２ｂから吸引することができる。これによって、表面周縁部９１１内の各位置に保持される処理液の量を常に必要十分な量に保つことができる。ひいては、表面周縁部９１１における処理液が作用する領域の内縁位置を、精度よく制御できる。

また、上記の実施の形態によると、各吸引管５０２ａ，５０２ｂが吸引位置に配置された状態において、吸引口５２１の内側端５２１１が、表面周縁部９１１における処理液を作用させるべき領域（すなわち、当該吸引管５０２ａ，５０２ｂと対応付けられた処理液ノズルから吐出される処理液を作用させるべき領域である目標処理領域）の内縁位置（目標内縁位置ｔ）よりも、基板９の端面９３側にある。この構成によると、目標内縁位置ｔよりも基板９の端面９３側に吸引圧を作用させることができる。したがって、処理液が、これを作用させるべき領域の内側にはみ出ることを抑制できる。

また、上記の実施の形態によると、各吸引管５０２ａ，５０２ｂが吸引位置に配置された状態において、吸引口５２１の外側端５２１２が、基板９の端面９３よりも内側にある。この構成によると、処理液に対して有効に吸引圧を作用させることができる。

また、上記の実施の形態によると、基板９上の第１の位置に向けて処理液が吐出され、当該第１の位置よりも基板９の端面９３側の第２の位置から、余分な処理液が吸引される。この構成によると、表面周縁部９１１上の余分な処理液が、基板９の内側から外側に向かって流れて吸引管５０２ａ，５０２ｂから吸引されるので、表面周縁部９１１上の余分な処理液が基板９の中心側に広がることを十分に抑制できる。

また、上記の実施の形態によると、周縁部用処理ヘッド５１が、表面周縁部９１１に向けてガスを吐出するガスノズル５０１ｄを備える。この構成によると、処理液ノズル５０１ａ，５０１ｂ，５０１ｃから表面周縁部９１１に供給されている古い処理液を、ガスノズル５０１ｄから吐出されるガスで除去することができる。これによって、新たに供給された処理液が、表面周縁部９１１上の古い処理液と衝突して跳ねる、といった事態が生じにくい。これによって、処理液がデバイス領域９０に進入することが抑制される。

また、上記の実施の形態によると、回転される基板９の表面周縁部９１１に向けて処理液が吐出されるのと並行して、表面周縁部９１１上の余分な処理液が吸引される。この構成によると、処理効率の低下を避けつつ、表面周縁部９１１上の余分な処理液が基板９の中心側に広がることを抑制できる。

＜７．周縁部用処理ヘッドの変形例＞
別の形態に係る周縁部用処理ヘッド５１ａについて、図１９を参照しながら説明する。図１９は、周縁部用処理ヘッド５１ａの斜視図である。なお、図中、上記の実施の形態において説明した構成と同じ構成については同じ符号が付されている。また、以下の説明において、上記の実施の形態において説明した構成と同じ構成については、説明を省略するとともに、同じ符号を付して示す。

周縁部用処理ヘッド５１ａは、上記の実施の形態に係る周縁部用処理ヘッド５１と同様、複数個の吐出ノズル５０１ａ〜５０１ｄと、複数個の吸引管５０２ａ，５０２ｂとを備える。さらに、周縁部用処理ヘッド５１ａは、複数個の吐出ノズル５０１ａ〜５０１ｄおよび複数個の吸引管５０２ａ，５０２ｂを一体的に支持する支持部５００を備える。

周縁部用処理ヘッド５１ａは、各吸引管５０２ａ，５０２ｂのレイアウトが、上記の実施の形態に係る周縁部用処理ヘッド５１と相違する。すなわち、周縁部用処理ヘッド５１ａでは、第１吸引管５０２ａは、これが対応する処理液ノズルである第１薬液ノズル５０１ａの近傍であって、第１薬液ノズル５０１ａよりも基板９の回転方向ＡＲ９の上流側に配置される。また、第２吸引管５０２ｂは、これが対応する処理液ノズルである第２薬液ノズル５０１ｂの近傍であって、第２薬液ノズル５０１ｂよりも基板９の回転方向ＡＲ９の上流側に配置される。ただし、ここでいう「近傍」も、上記の実施の形態と同様、基板９の中心から見て、第１吸引管５０２ａと第１薬液ノズル５０１ａとがなす角度（あるいは、第２吸引管５０２ｂと第２薬液ノズル５０１ｂとがなす角度）が、１０°以下、特に好ましくは５°以下であることを意味する。

このように、周縁部用処理ヘッド５１ａでは、各吸引管５０２ａ，５０２ｂが、これが対応する処理液ノズルの近傍であって、当該処理液ノズルよりも基板９の回転方向ＡＲ９の上流側に配置される。この構成によると、処理液ノズルから供給されて基板９の回転方向の上流側に流れた余分な処理液を、当該処理液ノズルと対応する吸引管５０２ａ，５０２ｂから吸引して表面周縁部９１１から除去することができる。その結果、表面周縁部９１１上の余分な処理液が基板９の中心側に広がることを抑制できる。

また、この構成によると、回転される基板９の表面周縁部９１１内の各位置は、各薬液ノズル５０１ａ，５０１ｂの下方を通過する直前に、当該薬液ノズル５０１ａ，５０１ｂと対応する吸引管５０２ａ，５０２ｂの下方を通過することになる。したがって、一周前に処理液ノズルから供給されて、基板９が一周回転される間に振り切られなかった古い処理液を、当該処理液ノズルと対応する吸引管５０２ａ，５０２ｂから吸引した後に、当該位置に当該処理液ノズルから新たな処理液を供給することができる。これによって、新たに供給された処理液が、表面周縁部９１１上の古い処理液と衝突して、デバイス領域９０への処理液の進入が生じる、といった事態の発生を抑制できる。

＜８．その他の変形例＞
上記の実施の形態においては、周縁部用処理ヘッド５１は、２個の吸引管５０２ａ，５０２ｂを備え、各吸引管５０２ａ，５０２ｂは各薬液ノズル５０１ａ，５０１ｂと対応付けられていたが、周縁部用処理ヘッド５１は、リンス液ノズル５０１ｃと対応付けられる吸引管をさらに備えてもよい。もっとも、周縁部用処理ヘッド５１は、必ずしも２個以上の吸引管を備える必要はなく、各々がいずれかの処理液ノズル５０１ａ，５０１ｂ，５０１ｂと対応する、少なくとも１個の吸引管を備えればよい。また、１個の処理液ノズルと対応する吸引管を複数個設けてもよい。

また、上記の実施の形態に係る周縁部用処理ヘッド５１においては、リンス液ノズル５０１ｃに対して、基板９の回転方向ＡＲ９の上流側に第１薬液ノズル５０１ａが、下流側に第２薬液ノズル５０１ｂが、それぞれ配置されていたが、リンス液ノズル５０１ｃに対して、基板９の回転方向ＡＲ９の上流側に第２薬液ノズル５０１ｂが、下流側に第１薬液ノズル５０１ａが、それぞれ配置されてもよい。

また、上記の実施の形態においては、ＳＣ−２による薬液処理（ステップＳ２０１）、ＳＣ−２による薬液処理（ステップＳ２０４）、ＤＨＦによる薬液処理（ステップＳ２０８）の各々が行われている間、吸引管５０２ａ，５０２ｂが、基板９の表面周縁部９１１に供給された余分な薬液を吸引する構成としたが、必ずしも全ての薬液処理において、吸引管５０２ａ，５０２ｂによる吸引を行う構成とする必要はない。例えば、洗浄を目的とした薬液処理においては、吸引管５０２ａ，５０２ｂによる吸引を行わない構成としてもよい。

また、上記の実施の形態においては、薬液ノズル５０１ａ，５０１ｂからの表面周縁部９１１に向けての薬液を吐出開始するのと同時に、吸引管５０２ａ，５０２ｂからの吸引を開始していたが、薬液の吐出が開始された後、あるいは、薬液の吐出が開始される前に、吸引管５０２ａ，５０２ｂからの吸引を開始してもよい。

また、上記の実施の形態においては、薬液ノズル５０１ａ，５０１ｂからの表面周縁部９１１に向けての薬液の吐出を停止するのと同時に、吸引管５０２ａ，５０２ｂからの吸引を停止していたが、薬液の吐出が停止された後、あるいは、薬液の吐出が停止される前に、吸引管５０２ａ，５０２ｂからの吸引を停止してもよい。

また、上記の実施の形態においては、ＳＣ−１による薬液処理（ステップＳ２０１）、および、その後のリンス処理（ステップＳ２０２）、ＳＣ−２による薬液処理（ステップＳ２０４）、および、その後のリンス処理（ステップＳ２０６）の各処理においては、ガスノズル５０ｄから表面周縁部９１１へのガスの供給は行われていない。ＳＣ−１あるいはＳＣ−２が供給されると、表面周縁部９１１は親水性となるため、ここに供給された処理液の液膜が、基板の回転による遠心力のみで比較的安定的に周縁部に保持されるところ、このような状態の表面周縁部９１１にガスが供給されると、逆に液跳ねを生じさせてしまう虞があるからである。しかしながら、処理対象等によっては、上記の各処理が行われる間、表面周縁部９１１へのガスの供給が行われてもよい。

また、上記の実施の形態においては、表面周縁処理（ステップＳ２）および裏面処理（ステップＳ４）の各々において、３種類の薬液（ＳＣ−１、ＳＣ−２、および、ＤＨＦ）を用いた薬液処理が、リンス処理等を挟みながら、順番に行われていたが、必ずしもこれら３種類の薬液を用いた薬液処理を行う必要はない。例えば、ＳＣ−１、ＳＣ−２、ＤＨＦ、ＢＤＨＦ（バッファードフッ酸）、ＨＦ（フッ酸）、塩酸、硫酸、硝酸、リン酸、酢酸、シュウ酸もしくはアンモニアなどの水溶液、または、それらの混合溶液、等のうちから選択された１以上の薬液を用いて、表面周縁部９１１あるいは裏面９２に対する薬液処理が行われてもよい。

また、上記の実施の形態に係る流体供給部５５は、フッ酸（例えば、４９％のフッ酸）を供給するフッ酸供給源、塩酸を供給する塩酸供給源、過酸化水素を供給する過酸化水素供給源、水酸化アンモニウムを供給する水酸化アンモニウム供給源、純水を供給する純水供給源、二酸化炭素ガスを供給する二酸化炭素ガス供給源、窒素ガスを供給する窒素ガス供給源、配管、開閉弁、および、ミキシングバルブ等を組み合わせて構成されてもよい。この構成においては、例えば、フッ酸供給源からのフッ酸と純水供給源からの純水とが、ミキシングバルブ内において定められた比率で混合されることによりＤＨＦが生成されて、これが周縁部用処理ヘッド５１（具体的には、第１薬液ノズル５０１ａ）に供給される。また、塩酸供給源からの塩酸と、過酸化水素供給源からの過酸化水素とが、ミキシングバルブ内において定められた比率で混合されることによりＳＣ−２が生成されて、これが周縁部用処理ヘッド５１（具体的には、第１薬液ノズル５０１ａ）に供給される。また、水酸化アンモニウム供給源からの水酸化アンモニウムと、過酸化水素供給源からの過酸化水素と、純水供給源からの純水とが、ミキシングバルブ内において定められた比率で混合されることによりＳＣ−１が生成されて、これが周縁部用処理ヘッド５１（具体的には、第２薬液ノズル５０１ｂ）に供給される。また、純水供給源からの純水に、二酸化炭素が溶融されることによりリンス液が生成されて、これが周縁部用処理ヘッド５１（具体的には、リンス液ノズル５０１ｃ）に供給される。

また、上記の実施の形態においては、基板処理装置１において、基板９の表面周縁部９１１および裏面９２に対して処理が施されていたが、基板処理装置１においては、表面周縁部９１１のみに対して処理が行われてもよい。また、基板処理装置１において、表面周縁部９１１および裏面９２の少なくとも一方に対して、エッチング処理、洗浄処理以外の処理（例えば、成膜処理）が行われてもよい。

また、上記の実施の形態においては、基板処理装置１において、基板９の表面周縁部９１１に対する処理が行われた後に、裏面９２に対する処理が行われていたが、表面周縁部９１１に対する処理と裏面９２に対する処理とが並行して行われてもよい。

また、上記の実施の形態において、基板９は、半導体ウェハであるとしたが、基板９は、液晶表示装置用ガラス基板、プラズマディスプレイ用ガラス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用ガラス基板、太陽電池用基板、等であってもよい。

以上のとおり、本発明は詳細に示され記述されたが、上記の記述は全ての態様において例示であって限定的ではない。したがって、本発明は、その発明の範囲内において、実施の形態を適宜、変形、省略することが可能である。

１００ 基板処理システム
１３０ 制御部
１ 基板処理装置
２ スピンチャック
３ 飛散防止部
４ 表面保護部
５ 周縁処理部
６ 液跳ね抑制部
７ 加熱処理部
８ 裏面処理部
５１ 周縁部用処理ヘッド
５５ 流体供給部
５６ 吸引圧形成部
５０１ 吐出ノズル
５０１ａ 第１薬液ノズル
５０１ｂ 第２薬液ノズル
５０１ｃ リンス液ノズル
５０１ｄ ガスノズル
５１１ ノズル本体部
５１２ 吐出面
５１３ 導入流路部
５１４ 吐出流路部
５１４１ 鉛直流路部分
５１４２ 傾斜流路部分
５１５ 吐出口
５０２ 吸引管
５０２ａ 第１吸引管
５０１ｂ 第２吸引管
５２１ 吸引口
５２１１ 吸引口の内側端
５２１２ 吸引口の外側端
９ 基板
９０ デバイス領域
９１ 基板の表面
９１１ 基板の表面周縁部
９２ 基板の裏面
９３ 基板の端面
Ｑａ，Ｑｂ，Ｑｃ，Ｑｄ 目標吐出位置
Ｒａ，Ｒｂ 目標吸引位置

Claims (10)

1. 基板を水平姿勢に保持しつつ、当該基板を、その面内の中心を通る鉛直な回転軸のまわりで回転させる基板保持部と、
   前記基板保持部に保持される基板の表面周縁部に対する処理を行う周縁部用処理ヘッドと、
   を備え、
   前記周縁部用処理ヘッドが、
   前記表面周縁部に向けて、処理液を吐出する処理液ノズルと、
   前記処理液ノズルと対応付けられ、前記表面周縁部上に吐出された前記処理液のうち前記表面周縁部の処理に必要な部分は残しつつ前記表面周縁部の処理には余分な部分を吸引して除去することにより、前記処理液が前記基板に作用する領域の内縁位置を制御する吸引管と、
   を備える、基板処理装置。
2. 請求項１に記載の基板処理装置であって、
   前記周縁部用処理ヘッドが、
   前記処理液ノズルと前記吸引管とを一体的に支持する支持部、
   を備える、
   基板処理装置。
3. 請求項１または２に記載の基板処理装置であって、
   前記周縁部用処理ヘッドにおいて、
   前記吸引管が、前記処理液ノズルの近傍であって、前記基板の回転方向における前記処理液ノズルの直後に配置される、
   基板処理装置。
4. 請求項１または２に記載の基板処理装置であって、
   前記周縁部用処理ヘッドにおいて、
   前記吸引管が、前記処理液ノズルの近傍であって、前記基板の回転方向における前記処理液ノズルの直前に配置される、
   基板処理装置。
5. 基板を水平姿勢に保持しつつ、当該基板を、その面内の中心を通る鉛直な回転軸のまわりで回転させる基板保持部と、
   前記基板保持部に保持される基板の表面周縁部に対する処理を行う周縁部用処理ヘッドと、
   を備え、
   前記周縁部用処理ヘッドが、
   前記表面周縁部に向けて、処理液を吐出する処理液ノズルと、
   前記処理液ノズルと対応付けられ、前記表面周縁部上の余分な前記処理液を吸引して、前記処理液が前記基板に作用する領域の内縁位置を制御する吸引管と、
   を備え、
   前記吸引管が、その先端に開口した吸引口が、前記表面周縁部と対向するような吸引位置に配置された状態において、前記吸引口における前記基板の中心側の端が、前記表面周縁部における前記処理液を作用させるべき領域の内縁位置よりも、基板の端面側にある、
   基板処理装置。
6. 基板を水平姿勢に保持しつつ、当該基板を、その面内の中心を通る鉛直な回転軸のまわりで回転させる基板保持部と、
   前記基板保持部に保持される基板の表面周縁部に対する処理を行う周縁部用処理ヘッドと、
   を備え、
   前記周縁部用処理ヘッドが、
   前記表面周縁部に向けて、処理液を吐出する処理液ノズルと、
   前記処理液ノズルと対応付けられ、前記表面周縁部上の余分な前記処理液を吸引して、前記処理液が前記基板に作用する領域の内縁位置を制御する吸引管と、
   を備え、
   前記吸引管が、その先端に開口した吸引口が、前記表面周縁部と対向するような吸引位置に配置された状態において、前記吸引口における前記基板の端面側の端が、前記基板の端面よりも内側にある、
   基板処理装置。
7. 請求項１から６のいずれかに記載の基板処理装置であって、
   前記処理液ノズルが、前記基板上の第１の位置に向けて前記処理液を吐出し、
   前記吸引管が、前記第１の位置よりも基板の端面側の第２の位置から前記処理液を吸引する、
   基板処理装置。
8. 請求項１から７のいずれかに記載の基板処理装置であって、
   前記周縁部用処理ヘッドが、
   前記表面周縁部に向けて、ガスを吐出するガスノズル、
   を備える、
   基板処理装置。
9. 請求項１から８のいずれかに記載の基板処理装置であって、
   前記周縁部用処理ヘッドを制御する制御部、
   を備え、
   前記制御部が、
   回転される基板の表面周縁部に向けて、前記処理液ノズルから処理液を吐出させつつ、前記表面周縁部上の余分な前記処理液を前記吸引管に吸引させる、
   基板処理装置。
10. ａ）基板を水平姿勢に保持しつつ、当該基板を、その面内の中心を通る鉛直な回転軸のまわりで回転させる工程と、
    ｂ）回転される前記基板の表面周縁部に向けて、処理液を吐出する工程と、
    ｃ）前記ｂ）工程と並行して、前記表面周縁部上に吐出された前記処理液のうち前記表面周縁部の処理に必要な部分は残しつつ前記表面周縁部の処理には余分な部分を吸引して除去することにより、前記処理液が前記基板に作用する領域の内縁位置を制御する工程と、
    を備える、基板処理方法。

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