TW201511035A - 複合銅粒子及其製造方法 - Google Patents

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Abstract

本發明之複合銅粒子係將扁平狀銅粒子與較該扁平狀銅粒子為微粒之複數個無機氧化物粒子複合化而成。無機氧化物粒子於扁平狀銅粒子之表面分佈不均。較佳為利用雷射繞射散射式粒度分佈測定法之累積體積50體積%中之體積累積粒徑D50為0.1μm以上且10μm以下。亦較佳為由板面之長徑d與厚度t之比，即d/t表示之縱橫比為5以上且30以下。

Description

複合銅粒子及其製造方法
本發明係關於一種複合銅粒子及其製造方法。
薄片狀之銅粒子具有如下優點：因其扁平之形狀，故而比表面積較大，又粒子彼此之接觸面積較大，因此可藉由將該薄片狀之銅粒子添加於導電性組合物而使導電性提高，又可調整黏度。例如本案申請者首先提出了薄片銅粉及含有其之導電性膏(參照專利文獻1)。
於專利文獻1中記載有一種薄片銅粉，其係粒徑為10μm以下者，且粒度分佈之標準偏差SD與重量累積粒徑D50之比，即SD/D50之值為0.5以下，重量累積粒徑D90與重量累積粒徑D10之比，即D90/D10之值為4.0以下。又，於上述文獻中記載有一種薄片銅粉，其係粒徑為10μm以下者，且SD/D50之值為0.15~0.35，縱橫比([厚度]/[D50])之值為0.3~0.7。藉由具有此種構成之上述文獻所記載之薄片銅粉，而變得可形成精細圖案之電路。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2003-119501號公報
然而，伴隨著電子零件之進一步小型化及高性能化，而要求其所使用之材料進一步微細化。因此，針對作為導電性組合物之素材之薄片狀銅粉，亦要求其微粒化。然而，於由含有微粒化之薄片狀銅粉 之導電性膏形成導電膜之情形時，有膜之燒結時所產生之氣體不易逸出之傾向，因此，電極膜之連續性變差。
因此，本發明之課題在於提供一種可消除上述先前技術所具有之各種缺陷之複合銅粒子及其製造方法。
本發明提供一種複合銅粒子，其係將扁平狀銅粒子與較該扁平狀銅粒子為微粒之複數個無機氧化物粒子複合化而成，且上述無機氧化物粒子於上述扁平狀銅粒子之表面分佈不均。
又，本發明提供一種複合銅粒子之製造方法，其係使用珠粒，對球狀之原料銅粉與無機氧化物之粉體之混合粉進行分散處理，使該原料銅粉之銅粒子扁平地塑性變形，並且於該銅粒子之表面配置該無機氧化物之粒子者，且使用利用動態光散射式粒度分佈測定法之累積體積50容量%中之體積累積粒徑D50(nm)、與自BET比表面積換算之粒徑DBET之比，即D50/DBET為60以上者作為上述無機氧化物之粉體。
圖1係表示對實施例1中所獲得之複合銅粒子進行銅之元素分佈分析(mapping)而獲得之結果的圖像。
圖2係表示對實施例1中所獲得之複合銅粒子進行鋯之元素分佈分析而獲得之結果的圖像。
圖3係表示對實施例1中所獲得之複合銅粒子進行鋁之元素分佈分析而獲得之結果的圖像。
圖4係表示對實施例1至3以及比較例1及2中所獲得之銅粒子進行熱機械分析之測定結果的圖表。
以下基於較佳之實施形態而對本發明進行說明。本發明之複合銅粒子係作為母材之銅粒子與複數個無機氧化物粒子複合化而構成。 作為母材之銅粒子係具有扁平之形狀之扁平狀銅粒子。與母材複合化之無機氧化物粒子係較作為母材之扁平狀銅粒子微粒者。
關於本發明之複合銅粒子，於無機氧化物粒子向作為母材之扁平狀銅粒子複合化之狀態具有如下一個特徵。詳細而言，無機氧化物粒子於扁平狀銅粒子之表面分佈不均。所謂「於表面分佈不均」，係指遍及扁平狀銅粒子之表面整個面，無機氧化物粒子並非均勻地存在，無機氧化物粒子偏於表面中之一部分而進行分佈。即，扁平狀銅粒子之表面具有：無機氧化物粒子存在之區域，即無機氧化物粒子存在區域；與無機氧化物粒子實質上不存在之區域，即無機氧化物粒子不存在區域。就無機氧化物粒子於扁平狀銅粒子之表面分佈不均之情況而言，具有如下所述之優點。即，於使用本發明之複合銅粒子而製備導電性膏等導電性組合物，將該導電性組合物之塗膜進行煅燒而形成電子電路等時，若無機氧化物粒子於扁平狀銅粒子之表面分佈不均，則該分佈不均部位，即無機氧化物粒子存在區域與無機氧化物粒子不存在區域相比，變得難以引起複合銅粒子彼此之結合。該難以引起結合之部位作為煅燒時所產生之氣體之逸出通道而發揮作用。其結果，有效地防止煅燒時所產生之電極之鼓出。藉此，可抑制使用本發明之複合銅粒子而形成之電子電路等之電阻的上升，又表面平滑性變良好。相對於此，於使用無機氧化物粒子不存在於表面之扁平狀銅粒子之情形時，於煅燒時扁平狀銅粒子彼此容易以面結合，因此難以形成氣體之逸出通道。其結果，於煅燒時容易產生電極之鼓出。
本發明中，所謂無機氧化物粒子分佈不均，係指如下述之圖1至圖3所示般，對本發明之複合銅粒子進行UMT(Ultramicrotome，超薄切片機)加工而形成剖面，針對該剖面進行元素分佈分析(mapping)時，於複合銅粒子之周圍觀察到無機氧化物粒子存在區域及無機氧化物粒子不存在區域。相對於此，遍及複合銅粒子之周圍全部區域而觀 察到無機氧化物粒子存在區域之情形、或者反之遍及複合銅粒子之周圍全部區域而觀察到無機氧化物粒子不存在區域之情形並不符合「無機氧化物粒子分佈不均」。
尤其是於無機氧化物粒子存在區域中，如下述之圖2所示般複數個無機氧化物粒子凝聚而形成凝聚體之情況就有效防止電極之連續性之方面而言較佳。
無機氧化物粒子例如藉由因其一部分被埋於扁平狀銅粒子之表面而產生之投錨效應而被配置於扁平狀銅粒子之表面。或者，無機氧化物粒子藉由無機氧化物粒子與扁平狀銅粒子之間所產生之凝聚力(表面能量)而被配置於扁平狀銅粒子之表面。又，亦有藉由無機氧化物粒子彼此間所產生之(表面能量)，而無機氧化物粒子彼此成為凝聚狀態之情形。
為了使無機氧化物粒子於扁平狀銅粒子之表面分佈不均，例如只要依據下述之製造方法而製造本發明之複合銅粒子即可。
就使於使無機氧化物粒子在扁平狀銅粒子之表面分佈不均時所發揮之效果變明顯之觀點而言，無機氧化物粒子占本發明之複合銅粒子之比率較佳為0.001質量%以上且5.0質量%以下，進而較佳為0.01質量%以上且3.0質量%以下，進而更佳為0.01質量%以上且2.0質量%以下。無機氧化物粒子之比率例如可藉由電感耦合電漿發光分光分析裝置(ICP-AES)進行測定。
無機氧化物粒子只要僅存在於扁平狀銅粒子之表面即可，亦可不存在於扁平狀銅粒子之內部。但是於扁平狀銅粒子之內部存在無機氧化物粒子亦無妨。於使無機氧化物粒子在扁平狀銅粒子之表面分佈不均時，就使其所發揮之效果變明顯之觀點而言，存在於扁平狀銅粒子之內部之無機氧化物粒子之比率較少者較佳。就該觀點而言，本發明之複合銅粒子所含有之無機氧化物粒子中，存在於扁平狀銅粒子之 內部之無機氧化物粒子之比率較佳為1.0質量%以下，進而較佳為0.7質量%以下。該比率例如可藉由以本發明之複合銅粒子之剖面為對象之元素分佈分析而進行測定。所謂「存在於扁平狀銅粒子之內部之無機氧化物粒子」，係指於本發明之複合銅粒子之表面完全未露出之狀態之無機氧化物粒子。
本發明之複合銅粒子具有反映作為母材之扁平狀銅粒子之形狀的扁平狀形狀。本發明之複合銅粒子之扁平程度於由作為板面之長徑d與厚度t之比之d/t，即縱橫比表示時，較佳為5以上且30以下，進而較佳為5以上且25以下，進而更佳為7以上且20以下。藉由本發明之複合銅粒子具有此種扁平程度，從而由本發明之複合銅粒子形成之電子電路等之緻密性變高，而有效地抑制電阻之上升。
於對本發明之複合銅粒子之縱橫比進行測定之情形時，藉由電子顯微鏡觀察而對該粒子之板面之長徑d及厚度t進行測定。具體而言，使用掃描式電子顯微鏡(SEM)而拍攝粒子之照片後，自照片中之粒子之板面之長徑d與厚度t的比率而算出。
本發明之複合銅粒子除扁平外，較佳為微粒。藉由為扁平且為微粒，從而使用本發明之複合銅粒子而形成之電子電路等之緻密性進一步變高，而進一步有效地抑制電阻之上升。就該觀點而言，關於本發明之複合銅粒子，其利用雷射繞射散射式粒度分佈測定法之累積體積50體積%中之體積累積粒徑D50較佳為0.1μm以上且10μm以下，進而較佳為0.2μm以上且9.0μm以下，進而更佳為0.3μm以上且7.0μm以下。
銅之粒子通常有如下傾向：若其粒徑變小，則伴隨著粒徑變小而燒結起始溫度降低。該傾向亦適用於本發明之複合銅粒子。然而，根據本發明之複合銅粒子之具體用途，有不期望燒結起始溫度降低之情形。關於該方面，於本發明之複合銅粒子中，因於作為母材之扁平 狀銅粒子之表面存在無機氧化物粒子，故而燒結起始溫度之降低得到抑制。換言之，本發明之複合銅粒子雖然為微粒，但可維持與先前所使用之銅粉之燒結起始溫度相同程度之燒結起始溫度。
本發明之複合銅粒子除為扁平外，較佳為具有較寬之粒度分佈。若具有扁平形狀之本發明之複合銅粒子之粒度分佈較寬，則由本發明之複合銅粒子形成之電子電路等之緻密性變高。其結果發揮如下有利之效果，即有效地抑制電阻之上升。就該觀點而言，於採用利用雷射繞射散射式粒度分佈測定法之最大粒徑Dmax與D50之比，即Dmax/D50之值作為粒度分佈之寬窄之參數的情形時，該值較佳為3以上且10以下，進而較佳為3以上且9以下，進而更佳為3以上且8以下。
為了使本發明之複合銅粒子具有上述範圍之粒度分佈，例如只要於下述之本發明之複合銅粒子之較佳製造方法中，適當設定使原料銅粉為扁平時之條件即可。
構成本發明之複合銅粒子之作為母材之扁平狀銅粒子之尺寸係與上述本發明之複合銅粒子之尺寸相同。另一方面，關於無機氧化物粒子之尺寸，係將較扁平狀銅粒子微粒設為條件，且自BET比表面積換算之粒徑(以下亦稱為「BET換算粒徑」)較佳為1nm以上且500nm以下，較佳為1nm以上且400nm以下，進而較佳為1nm以上且300nm以下。藉由將具有該範圍之大小之無機氧化物粒子與扁平狀銅粒子進行複合化，而可有效地抑制電極之鼓出，並且有效地抑制燒結起始溫度之降低。
為了求出無機氧化物粒子之BET換算粒徑而進行之BET比表面積之測定例如以下述方式進行。即，使用自吸附於表面之氣體量算出比表面積之氣體吸附法而進行測定。作為具體之測定裝置，例如可使用Yuasa-ionics公司製造之MONOSORB。
作為無機氧化物粒子，就於下述之本發明之複合銅粒子之較佳 製造方法中，使該無機氧化物粒子容易配置於扁平狀銅粒子之表面之方面而言，較佳為使用硬度高於銅者。所謂硬度，係指使用莫氏硬度計而測定之材料之硬度。
若考慮上述事項，則作為無機氧化物粒子較佳之物質，例如為氧化鋁、氧化鋯、二氧化矽、鈦酸鋇、氧化釔、氧化鋅等。該等物質可單獨使用1種，或者可組合2種以上使用。
與無機氧化物粒子複合化之扁平狀銅粒子亦可僅由銅構成，或者亦可除含有銅外，亦包含其他金屬元素或半金屬元素(以下，為了方便起見而將該等統稱為「金屬元素」)。於扁平狀銅粒子包含其他金屬元素之情形時，作為該金屬元素，例如可使用鋁、鋯、釔、矽等顯示與銅不同之燒結行為之材料等。該等金屬元素可單獨使用1種，或者組合2種以上使用。藉由扁平狀銅粒子含有其他金屬元素，從而發揮如下有利之效果，即可控制銅之燒結行為。
扁平狀銅粒子所含有之其他金屬元素亦可以金屬單體之狀態存在，或者亦可以與銅之合金之狀態、或金屬元素之化合物(例如氧化物)存在。就使藉由含有其他金屬元素而發揮之上述效果進一步變明顯之觀點而言，其他金屬元素較佳為以氧化物等金屬元素之化合物之狀態含於扁平狀銅粒子中。
其他金屬元素可均勻地存在於扁平狀銅粒子中，或者亦可偏在於特定部位。本發明者研究之結果，明確其他金屬元素較佳為偏在於扁平狀銅粒子之表面。本發明者認為其原因在於：表面附近容易對燒結行為產生影響。
於其他金屬元素偏在於扁平狀銅粒子之表面之情形時，該金屬元素較佳為遍及扁平狀銅粒子之表面整個面大致均勻地存在。因成為此種存在狀態，故而可容易地控制煅燒時之燒結行為，且結合使用較寬範圍之粒徑之扁平狀銅粒子，而變得容易進行電極之膜厚之設計， 故而較佳。
關於其他金屬元素之含有比率，相對於本發明之扁平銅粒子中之銅之質量，較佳為0.001質量%以上且5.0質量%以下，進而較佳為0.01質量%以上且3.0質量%以下，進而更佳為0.05質量%以上且1.0質量%以下。藉由以該範圍之比率含有其他金屬元素，從而使藉由含有該金屬元素而發揮之上述效果進一步變明顯。
繼而，對本發明之微粒子集合體之較佳製造方法進行說明。於本製造方法中，使用珠粒，對球狀之原料銅粉與無機氧化物之粉體之混合粉進行分散處理。藉由該分散處理，而使原料銅粉之銅粒子扁平地塑性變形，並且於該銅粒子之表面配置該無機氧化物之粒子。此時重要的是使用凝聚程度較高者作為無機氧化物之粉體。藉由使用凝聚程度較高之無機氧化物之粉體，而可於將球狀之原料銅粉與無機氧化物之粉體複合化時，使無機氧化物粒子分佈不均。就該觀點而言，有利的是使用利用動態光散射式粒度分佈測定法之累積體積50容量%中之體積累積粒徑D50(nm)、與自BET比表面積換算之粒徑DBET之比，即D50/DBET為60以上者作為無機氧化物之粉體。D50/DBET係表示粉體之凝聚程度之指標，該值越大，表示粉體之凝聚程度變得越高。而且，藉由使用D50/DBET為60以上之無機氧化物之粉體，從而其凝聚狀態被反映至作為目標物之複合銅粒子，從而無機氧化物粒子以分佈不均之狀態被配置於扁平狀銅粒子之表面。
就使無機氧化物粒子於扁平狀銅粒子之表面分佈不均之觀點而言，較佳為D50/DBET之值較大，但若該值過大，則有變得難以將球狀之原料銅粉與無機氧化物之粉體進行混合之傾向。就該觀點而言，D50/DBET之值較佳為60以上且300以下，進而較佳為60以上且100以下。
使用珠粒，對球狀之原料銅粉與無機氧化物之粉體之混合粉進 行分散處理時，使用直徑較佳為0.005mm以上且1.0mm以下，進而較佳為0.05mm以上且0.5mm以下，進而更佳為0.05mm以上且0.3mm以下者作為珠粒。關於珠粒之材質，只要為硬度高於銅及無機氧化物粒子者即可，例如較佳為使用氧化鋁、氧化鋯、二氧化矽等。
關於珠粒之使用量，相對於成為處理對象之處理機之容量，較佳為50質量%以上且90質量%以下，進而較佳為60質量%以上且85質量%以下，進而更佳為65質量%以上且85質量%以下。
於使用珠粒之分散處理中，例如可使用珠磨機。於使用珠磨機之情形時，分散處理所需之時間雖亦取決於處理機之容量等，但於通常使用容量為0.1L以上且300L以下之珠磨機之情形時，針對銅粉1kg，較佳為將上述分散處理所需之時間設為5分鐘以上且90分鐘以下，進而較佳為設為10分鐘以上且70分鐘以下。藉由採用該條件，而可一定程度維持無機氧化物之粉體之凝聚狀態，並且使球狀之原料銅粉始終良好地扁平化，並且可將處於凝聚狀態之無機氧化物之粉體配置、固定於扁平狀銅粒子之表面。
關於無機氧化物粒子，於與扁平狀銅粉複合化之前後，其粒徑(一次粒徑)未產生變化。因此，用作原料之無機氧化物之粉體之粒徑係與本發明之複合銅粒子所含有的無機氧化物粒子之粒徑相同。另一方面，用作原料之原料銅粉係藉由使用珠粒之分散處理而扁平化，因此於複合化之前後，形狀及尺寸產生變化。於分散處理前之狀態中，原料銅粉包含球狀之銅粒子之集合體，且就容易獲得微粒之複合銅粒子之方面而言，較佳為使用利用雷射繞射散射式粒度分佈測定法之累積體積50容量%中之體積累積粒徑D50為0.03μm以上且8μm以下、尤其是為0.05μm以上且7μm以下者。再者，亦可使用球狀以外之形狀之銅粒子作為原料銅粉，但於該情形時，有難以獲得所需之具有扁平形狀之複合銅粒子之情形。又，球狀之銅粒子就與其他形狀之銅粒子 相比容易製造之方面而言有利。
原料銅粉較佳為其凝聚程度較高。藉此，可使所獲得之複合銅粒子之凝聚程度變高。就該觀點而言，針對原料銅粉測定之利用雷射繞射散射式粒度分佈測定法之最大粒徑Dmax與D50之比，即Dmax/D50之值較佳為2以上且15以下，進而較佳為3以上且13以下，進而更佳為3以上且10以下。具有此種粒度分佈之原料銅粉只要適當設定藉由霧化等乾式法、或濕式還原而製造原料銅粉時之條件即可。或者，可藉由將利用該等方法所製造之銅粉進行混合、或進行分級而獲得。
於設為目標之複合銅粒子中含有銅以外之其他金屬元素之情形時，有利的是使該金屬元素事先含於原料銅粉中。例如於使用鋁元素作為其他金屬元素之情形時，可採用下述方法。例如於乾式法中，於熔融之銅之熔液中混合鋁。於濕式法中於銅之還原途中添加氧化鋁等鋁氧化物。於藉由該等方法而製造之原料銅粉中，鋁元素主要存在於粒子中之表面附近之位置。
藉由進行如上所述之分散處理，可獲得設為目標之複合銅粒子。以上述方式獲得之複合銅粒子係以含有該複合銅粒子之導電性組合物之形態使用。例如以導電性膏或導電性油墨之形態使用。該導電性膏係例如含有本發明之複合銅粒子、有機媒劑、及玻璃料者。該有機媒劑含有樹脂成分與溶劑。作為樹脂成分，例如可列舉：丙烯酸系樹脂、環氧樹脂、乙基纖維素、羧基乙基纖維素等。作為溶劑，可列舉：松油醇及二氫松油醇等萜烯系溶劑、或乙基卡必醇及丁基卡必醇等醚系溶劑。作為玻璃料，可列舉：硼矽酸玻璃、硼矽酸鋇玻璃、硼矽酸鋅玻璃等。導電性膏中之微粒子集合體之比率較佳為設為36~97.5質量%。玻璃料之比率較佳為設為1.5~14質量%。有機媒劑之比率較佳為設為1~50質量%。作為該導電性膏中之導電性成分，亦可僅使用本發明之複合銅粒子，或者亦可將該微粒子集合體與其他銅微 粒子組合使用。藉由將本發明之複合銅粒子與其他銅微粒子組合使用，而變得容易進一步精確地進行膏之黏度調整。
[實施例]
以下，藉由實施例而對本發明進而詳細地進行說明。然而，本發明之範圍並不受該等實施例限制。只要未特別事先說明，則「%」及「份」分別意指「質量%」及「質量份」。
[實施例1] (1)原料銅粉之準備
使用三井金屬礦業公司製造之CB-3000作為原料銅粉。關於該原料銅粉，其Dmax/D50之值為3.5，D50為3.2μm。D50及Dmax係使用日機裝公司製造之Microtrac X-100而進行測定。該原料銅粉係含有0.25%之鋁者。鋁係以單體之狀態存在於粒子中之內表面。
(2)無機氧化物之粉體之準備
使用氧化鋯之粉體作為無機氧化物之粉體。關於該粉體，其D50/DBET之值為70，BET換算粒徑DBET為15nm。D50係使用Malvern Instruments公司製造之Zetasizer ZS而進行測定。DBET係使用Yuasa-ionics公司製造之MONOSORB而進行測定。
(3)複合銅粒子之製造
將原料銅粉1000g與無機氧化物之粉體100g投入至珠磨機，進行混合而製成混合粉，進而亦投入至直徑0.2mm之氧化鋯製之珠粒，進行分散處理。珠粒之量相對於處理機之容量，設為70%。珠磨機之容積為2L，分散處理時間設為20分鐘。藉此，獲得設為目標之複合銅粒子。利用上述方法對無機氧化物粒子占複合銅粒子之比率進行測定，結果為0.5%。
針對所獲得之複合銅粉，藉由UMT(Ultramicrotome，超薄切片機)加工而切出剖面，針對該剖面，進行利用STEM(Scanning Transmission Electron Microscopy，掃描穿透電子顯微鏡)-EDS(Energy Dispersive Spectroscopy，能量色散光譜)之元素分佈分析。作分佈分析之元素為銅、鋯及鋁。將其結果示於圖1至圖3。自該等圖可明確，複合銅粒子呈扁平形狀，且於其表面氧化鋯之粒子分佈不均。尤其是明確氧化鋯之粒子複數個凝聚而形成凝聚體。又，明確於作為母材之扁平狀銅粒子中，鋁偏在於偏平狀銅粒子之表面而並非粒子內部。
[實施例2]
使用氧化鋁之粉體代替實施例1中所使用之氧化鋯之粉體。關於該粉體，其D50/DBET之值為60，BET換算粒徑DBET為10nm。除此以外，以與實施例1相同之方式獲得複合銅粒子。利用上述方法對無機氧化物粒子占複合銅粒子之比率進行測定，結果為0.5%。
[實施例3]
使用Dmax/D50之值為2.5、D50為3.3μm之原料銅粉代替實施例1中所使用之原料銅粉。該原料銅粉係含有0.13%之鋁元素者。鋁元素存在於粒子中之內表面。除此以外，以與實施例2相同之方式獲得複合銅粒子。利用上述方法對無機氧化物粒子占複合銅粒子之比率進行測定，結果為0.5%。
[比較例1]
於實施例1中，不使用氧化鋯之粉體而進行珠磨機之處理。除此以外，以與實施例1相同之方式獲得扁平狀銅粒子。
[比較例2]
於實施例3中，不使用氧化鋁之粉體而進行珠磨機之處理。除此以外，以與實施例3相同之方式獲得扁平狀銅粒子。
[評價1]
針對實施例及比較例中所獲得之銅粒子，進行熱機械分析(TMA)測定。使用Seiko Instruments公司製造之TMA/SS6300作為測定裝置。 環境設為氮氣環境，以升溫速度10℃/min進行測定。將其結果示於圖4。自圖4所示之結果明確如下情況：各實施例中所獲得之複合銅粒子與比較例中所獲得之銅粒子相比，熱收縮起始溫度即燒結起始溫度同等或者高於比較例中所獲得之銅粒子。
[評價2]
使用實施例及比較例中所獲得之銅粒子作為原料而製備導電性膏。關於導電性膏，銅粒子之比率為70%，松油醇之比率為25%，乙基纖維素之比率為5%。使用敷料器，將該導電性膏塗佈於氧化鋁基板之表面而形成膜厚20μm之塗膜。將該塗膜於氮氣環境下以800℃持續煅燒1小時。利用目視觀察藉由煅燒而獲得之導電膜之表面狀態，並對電極之連續性進行評價。將電極有連續性之情形評價為「○」，將無連續性之情形評價為「×」。將其結果示於以下之表1。自表1所示之結果可明確，於使用實施例中所獲得之銅粒子之情形時，未觀察到電極之鼓出等不連續性，相對於此，於使用比較例中所獲得之銅粒子之情形時，觀察到電極之鼓出。
[產業上之可利用性]
根據本發明，提供一種維持與先前所使用之銅粉之燒結溫度相同程度之燒結起始溫度，並且可容易地製造鼓出產生得到抑制之電極之複合銅粒子及其製造方法。

Claims (10)

  1. 一種複合銅粒子，其係將扁平狀銅粒子與較該扁平狀銅粒子為微粒之複數個無機氧化物粒子複合化而成，且上述無機氧化物粒子於上述扁平狀銅粒子之表面分佈不均。
  2. 如請求項1之複合銅粒子，其利用雷射繞射散射式粒度分佈測定法之累積體積50體積%中之體積累積粒徑D50為0.1μm以上且10μm以下。
  3. 如請求項1之複合銅粒子，其由板面之長徑d與厚度t之比，即d/t表示之縱橫比為5以上且30以下。
  4. 如請求項1之複合銅粒子，其中上述無機氧化物粒子之自BET比表面積換算之粒徑為1nm以上且500nm以下。
  5. 如請求項1之複合銅粒子，其利用雷射繞射散射式粒度分佈測定法之最大粒徑Dmax與D50之比，即Dmax/D50之值為3以上且10以下。
  6. 如請求項1之複合銅粒子，其中上述無機氧化物之硬度高於銅。
  7. 一種導電性組合物，其含有如請求項1之複合銅粒子。
  8. 一種複合銅粒子之製造方法，其係使用珠粒，對球狀之原料銅粉與無機氧化物之粉體之混合粉進行分散處理，使該原料銅粉之銅粒子扁平地塑性變形，並且於該銅粒子之表面配置該無機氧化物之粒子者，且作為上述無機氧化物之粉體，係使用利用動態光散射式粒度分佈測定法之累積體積50容量%中之體積累積粒徑D50(nm)、與自BET比表面積換算之粒徑DBET之比，即D50/DBET為60以上者。
  9. 如請求項8之複合銅粒子之製造方法，其中針對上述原料銅粉測定之利用雷射繞射散射式粒度分佈測定法之最大粒徑Dmax與D50 之比，即Dmax/D50之值為2以上且15以下。
  10. 如請求項8之複合銅粒子之製造方法，其中作為上述原料銅粉，係使用除銅以外亦含有其他金屬元素者。
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