TW201507353A - 彈性波元件用複合基板及彈性波元件 - Google Patents

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Abstract

彈性波元件用複合基板係包括：支撐基板1、及傳播基板3(其係接合於支撐基板1，且由壓電單晶構成，並使彈性波傳播)。傳播基板3係具有由上述壓電單晶的晶格呈畸變的表面晶格畸變層11。

Description

彈性波元件用複合基板及彈性波元件
本發明係關於效率高、頻率的溫度特性佳之彈性波元件(acoustic wave element)。
彈性表面波(Surface Acoustic Wave)元件係廣泛使用為諸如行動電話等通信機器的帶通濾波器。隨行動電話等的高性能化，利用彈性表面波元件的濾波器亦要求高性能化。
但是，彈性表面波元件會有因溫度變化而導致通帶移動的問題。特別係目前大多使用的鈮酸鋰與鉭酸鋰，因為機電耦合係數較大，因而有利於實現寬帶域的濾波器特性。但是，鈮酸鋰與鉭酸鋰的溫度安定性差。
例如使用鉭酸鋰的彈性表面波濾波器，其頻率變化的溫度係數係-35ppm/℃，在預測的使用溫度範圍內之頻率變動較大。因而，必須降低頻率變化的溫度係數。
專利文獻1(日本專利特開平5-335879)所記載的彈性表面波元件，係在鈮酸鋰基板的表面形成梳齒形電極之後，再依被覆著基板表面及梳齒形電極的方式形成氧化矽膜。藉此便降低頻率的溫度係數。
再者，專利文獻2(日本專利特開2009-278610)所記載的彈性表面波元件，係將由熱膨脹係數較小的矽等所構成 支撐基板，經由厚度0.1μm~1.0μm有機接著劑層，接著於由鉭酸鋰單晶等構成的傳播基板，藉此成功地降低頻率變化的溫度係數。
專利文獻1(日本專利特開平5-335879)所記載的元件，因為在鈮酸鋰基板的表面上形成氧化矽層而被覆梳齒形電極，因而降低頻率變化的溫度係數，則會因氧化矽層而約束鈮酸鋰基板，導致彈性表面波的傳播效率降低，當彈性表面波濾波器的情況會導致Q值惡化。
專利文獻2(日本專利特開2009-278610)所記載的元件，雖可降低頻率變化的溫度係數，但因為溫度係數接近於0，因而例如必須將由鉭酸鋰構成的傳播基板厚度設為非常薄。但是若傳播基板變薄，僅此便會導致接合界面處的體波(bulk wave)反射變大，導致容易發生不需要的寄生波模(spurious mode)之波。
本發明課題在於可降低彈性波元件的頻率變化之溫度係數。
本發明的彈性波元件用複合基板，係包括：支撐基板；以及接合於支撐基板、且由壓電單晶構成，使彈性波傳播的傳播基板；其特徵在於：傳播基板係具有上述壓電單晶的晶格呈畸變的表面晶格畸變層。
再者，本發明的彈性波元件，其特徵在於包括：上述複合基板、及設置於傳播基板上的電極圖案。
本發明者係在由壓電單晶構成的傳播基板表面 上，形成由該晶格畸變的晶格畸變層。即，針對傳播基板的截面，經利用高解析能力穿透式電子顯微鏡(TEM)像進行拍攝，結果TEM像會發現有對比。即，確認到在傳播基板的表面附近會拍攝到如圖5所示對比不同更暗的薄層。
此種在低倍率的TEM像中所出現的對比差異層，係因晶格缺陷、或晶格畸變等任一原因發生。此處，本發明者將高解像度的TEM像施行傅立葉轉換(FFT：Fast Fourier Transform)而獲得FFT圖案。結果並沒有確認因結晶缺陷所造成的點。所以，確認到在傳播基板表面上所出現對比不同的薄層並非因晶格缺陷而產生的層，而是具有晶格畸變的層。
依此所形成傳播基板表面的晶格畸變層係較硬於構成傳播基板全體的壓電單晶，具有抑制因溫度變化所造成伸縮的效果，可降低頻率變化的溫度係數。又，表面晶格畸變層的音速變為較快，呈現在基板表面附近封鎖彈性能量的效果。藉由此項能量封鎖效果，可期待提升彈性波的傳播效率。
1‧‧‧支撐基板
1a‧‧‧底面
1b、3b‧‧‧接合面
2‧‧‧接著劑層
3‧‧‧傳播基板
3a、14‧‧‧表面
3A、3B、3C、3D‧‧‧傳播基板材料
4‧‧‧輸入電極
5‧‧‧輸出電極
6、6A、10、10A‧‧‧彈性表面波元件
7‧‧‧箭頭
11‧‧‧表面晶格畸變層
16、17、18‧‧‧電極
19‧‧‧研磨面
20‧‧‧鏡面
T1、T2、t‧‧‧厚度
圖1(a)係彈性表面波元件6的示意剖視圖，圖1(b)係圖1(a)的元件6之示意俯視圖。圖1(a)係相當於圖1(b)的Ia-Ia剖面。
圖2(a)係另一彈性表面波元件10的示意剖視圖，圖2(b)係圖2(a)的元件10之示意俯視圖。圖2(a)係相當於圖2(b)的IIa-IIa剖面。
圖3(a)、(b)分別係再另一彈性表面波元件6A、10A的示意剖視圖。
圖4係本發明傳播基板3的示意圖。
圖5係本發明傳播基板的穿透式電子顯微鏡照片。
圖6(a)、(b)、(c)係本發明元件的製造程序說明圖。
圖7(a)、(b)、(c)係本發明元件的製造程序說明圖。
(彈性表面波元件例)
圖1(a)、圖1(b)所示彈性表面波元件6中，在支撐基板1的接合面1b上，經由接著劑層2接合著傳播基板3的接合面3b。1a係支撐基板1的底面。在傳播基板的表面3a上形成輸入電極4及輸出電極5，獲得橫波型彈性表面波元件6。從輸入電極4朝輸出電極5，彈性表面波依如箭頭7所示傳播，構成彈性表面波濾波器。
再者，行動電話用的彈性表面波濾波器主要係使用共振型彈性表面波元件。圖2(a)、圖2(b)便係相關此例。圖2(b)所示係共振型彈性表面波元件的電極圖案例。
圖2(a)、圖2(b)所示彈性表面波元件10中，在支撐基板1的接合面1b上，經由接著劑層2接合著傳播基板3的接合面3b。1a係支撐基板1的底面。在傳播基板的表面3a上形成電極16、17、18，而獲得共振型彈性表面波元件。
圖3(a)所示彈性表面波元件6A中，在支撐基板1的接合面1b上直接接合著傳播基板3的接合面3b。在傳播基板的表面3a上形成輸入電極4及輸出電極5，而獲得橫波型彈性表面波元件6A。從輸入電極4朝輸出電極5，彈性表面波依如箭頭7所示傳播，而構成彈性表面波濾波器。
圖3(b)所示彈性表面波元件10A中，在支撐基板1的接合面1b上直接接合著傳播基板3的接合面3b。1a係支撐基板1的底面。在傳播基板的表面3a上形成電極16、17、18，而獲得共振型彈性表面波元件。
(表面晶格畸變層)
此處，本發明中，如圖4所示，在傳播基板3的表面3a側形成表面晶格畸變層11。12係沒有特別設置晶格畸變的層。
針對傳播基板3的橫剖圖，若拍攝高解析能力穿透式電子顯微鏡(TEM)像，便如圖5所示，在TEM像中會於表面上出現對比。此種高解像度的TEM像施行傅立葉轉換(FFT：Fast Fourier Transform)，便獲得FFT圖案。結果，並沒有確認到因結晶缺陷產生的點。所以，確認到在傳播基板表面上所出現對比不同的薄層，並非因晶格缺陷而產生的層，而是具有晶格畸變的層。
在傳播基板表面上存在的晶格畸變層厚度，就從實際製造上的觀點，大多係在15μm以下、較佳係10μm以下、更佳係8μm以下。又，在傳播基板表面上存在的晶格畸變層厚度，就從***損失的觀點，較佳係5μm以下、更佳係3μm以下。在傳播基板表面上所存在晶格畸變層的厚度下限並無特別限定，但較佳係1μm以上。
其中，在傳播基板表面上存在的晶格畸變層厚度，係指在上述傳播基板3的橫剖圖之TEM像中，存在於表面且與構成傳播基板的結晶呈不同對比的層狀區域厚度。
本發明係在該表面晶格畸變層上形成如前述的電極圖案。傳播基板表面的晶格畸變層係較硬於構成全體傳播基板的壓電單晶，具有抑制因溫度變化而造成伸縮的效果，可降低頻率變化的溫度係數。又，表面晶格畸變層的音速變為較快，呈現在基板表面附近封鎖彈性能量的效果。藉由此項能量封鎖效果，可期待提升彈性波的傳播效率。
以下，針對本發明各要件更進一步進行詳細說明。
(彈性波元件)
本發明的彈性波元件係最好係除使用彈性表面波外，尚亦使用在傳播基板內部傳播的藍姆波(Lamb wave)的元件。彈性波元件特佳係彈性表面波濾波器或共振器(resonator)。彈性表面波濾波器較佳係帶通濾波器，又，共振器係彈性表面波振盪元件，且單埠式與雙埠式均涵蓋在內。
彈性波元件最好係包括IDT電極與一對反射器的藍姆波型共振器。該IDT電極係***於在傳播基板表面上所設置的複數電極間。該一對反射器係配設於IDT電極的藍姆波傳播方向二側。所謂「藍姆波」係指藉由將基板厚度削薄至使傳播的波之數波長以下，而使在基板內部傳播的體波重複由基板上下面反射並傳播的板波。不同於距基板表面朝深度1波長以內具有能量90%的雷利波(Rayleigh wave)、洩漏彈性表面波(leaky surface acoustic wave)、虛擬縱波型洩漏彈性表面波的表面波，而藍姆波因為係屬於在基板內部傳播的體波，因而能量會分佈於全體基板。
(支撐基板)
支撐基板的材質較佳係從矽、藍寶石、氮化鋁、碳化矽燒結體、氮化矽燒結體、氧化鋁、硼矽酸玻璃及石英玻璃所構成群組中選擇的材料。較佳支撐基板係由矽或硼矽酸玻璃構成，特佳係由矽構成。藉由採用該等，便可縮小傳播基板的熱膨脹，俾更加改善頻率的溫度特性。
較佳係在支撐基板的表面上並沒有形成氧化膜，藉此可提高支撐基板與傳播基板間之接著力，且即便高溫仍可防止支撐基板與傳播基板間發生剝離與斷裂。就從此觀點，較佳係支撐基板由矽構成，且表面上沒有氧化矽膜。另外，支撐基板有無表面氧化膜，係利用穿透式電子顯微鏡(TEM：Transmission Electron Microscope)進行剖面觀測。
就從溫度特性改善的觀點，支撐基板的厚度T1較佳係達100μm以上、更佳係達150μm以上、特佳係達200μm以上。又，就從製品小型化的觀點，T1較佳係在500μm以下。
(傳播基板)
傳播基板的材質較佳係從機電耦合係數(electromechanical coupling factor)較大的鈮酸鋰、鉭酸鋰及鈮酸鋰-鉭酸鋰固溶體單晶所構成群組中選擇。較佳壓電單晶係由鉭酸鋰構成。
再者，較佳傳播基板的彈性表面波傳播方向係X方向，將截角設為旋轉Y切割板。特佳係鈮酸鋰的35~130°Y切割板。鉭酸鋰的傳播基板係36~47°Y切割板。
傳播基板的厚度T2係當彈性表面波裝置的情況，就從改善頻率的溫度特性觀點，較佳係10~50μm、更佳係10~40μm、特佳係10~30μm。使用藍姆波、或體聲波(BAW： Bulk acoustic wave)的彈性波裝置，傳播基板的厚度T2較佳係0.1~10μm、更佳係0.1~1μm。
(電極圖案)
構成電極圖案的材質較佳係鋁、鋁合金、銅、金，更佳係鋁或鋁合金。鋁合金較佳係使用在Al中混合入0.3至5重量%的Cu者。此情況，亦可取代Cu，改為使用Ti、Mg、Ni、Mo、Ta。
電極圖案厚度對彈性波波長λ的比率(t/λ)較佳係3~15%、更佳係5%以上，且較佳係15%以下。
(製造程序例)
圖6、圖7所示係彈性波元件用接合體的製造程序示意剖視圖。本例中，支撐基板與傳播基板係直接接合。
如圖6(a)所示，使支撐基板1的接合面1b與傳播基板材料3A的接合面3b呈相對向。此時，分別對支撐基板1的接合面1b與傳播基板材料3A的接合面3b施行活化處理。活化處理較佳係在高真空腔內朝基板表面照射中性化Ar快速原子束(FAB：Fast Atom Beam)、Ar離子束。
接著，如圖6(b)所示，使支撐基板1的接合面1b與傳播基板材料3A的接合面3b相接觸，對接合面朝垂直方向施加壓力，而將二者直接接合。直接接合最好依如下述實施。
即，使經活化的基板表面彼此間在高真空腔內於常溫下接觸，並負加荷重。然後，從腔內取出便完成接合。
其次，如圖6(c)所示，藉由對傳播基板材料3A的表面13施行研削加工，而減小厚度，便形成薄層的傳播基板 材料3B。在此階段將傳播基板材料的厚度設為接近於最終的目標厚度。
其次，如圖7(a)所示，對傳播基板材料3B的表面14施行研磨加工，便成為已形成有研磨面19的傳播基板材料3C。在此階段最好將研磨面的算術平均粗糙度：Ra設定在4nm以下。研磨加工較佳係依如下述實施。
即，在金屬定盤(Sn、Cu)上滴下鑽石漿液(平均粒徑0.5~3μm)並使定盤旋轉。依基板材料的表面接觸於金屬定盤的方式放置，一邊施加壓力一邊研磨。
其次，如圖7(b)所示，對傳播基板材料3C的研磨面19施行鏡面加工，便成為已形成有鏡面20的傳播基板材料3D。此處所謂「鏡面」係指算術平均粗糙度：Ra在1nm以下的面。為達此種程度的精密研磨加工最好如下述。
即，在研磨墊上滴下膠態二氧化矽漿液(平均粒徑20~80nm)，並使墊進行旋轉。依基板材料的表面與墊相接觸狀態放置，一邊施加壓力一邊研磨。
通常，經鏡面研磨過的傳播基板材料之鏡面20，藉由利用軟質墊進行摩擦而施行修整加工。經此種修整加工後的截面施行TEM拍攝，表面仍不會生成對比特別不同的層。軟質墊一般係使用皮革(suede)製的墊。
但是，如圖7(c)所示，若藉由對經鏡面研磨過的傳播基板材料3D之鏡面20，利用硬質墊摩擦而施行修整加工，便生成在表面3a上有形成表面晶格畸變層11的傳播基板3。
此種硬質墊較佳係發泡聚胺甲酸乙酯墊、經含潤胺甲酸乙酯的不織布墊。發泡胺甲酸乙酯係由胺甲酸乙酯的預聚物、硬化劑、發泡劑構成。就從耐水性、耐藥性的觀點，胺甲酸乙酯樹脂係可使用醚系的胺甲酸乙酯，而硬化劑係使用二胺等。發泡倍率係配合用途而使用0.4~1.0g/cm3者。除胺甲酸乙酯樹脂以外，尚亦有開發出環氧樹脂製的墊。
不織布墊的不織布纖維品種主要係由縲縈、尼龍、聚酯、壓克力、聚丙烯等。使該等不織布含潤胺甲酸乙酯樹脂，形成不織布與聚胺甲酸乙酯樹脂的混合體。
硬質墊與軟質墊的區分一般係利用硬質墊的楊氏模數達100MPa以上、而軟質墊為1~10MPa程度區分。
再者，在利用硬質墊對鏡面施行修整加工的階段，係與軟質墊同樣地均使用膠態二氧化矽漿液施行研磨。
另外，圖6、圖7所示例係將支撐基板與傳播基板材料直接接合，但二者亦可經由接著層進行接合。
將支撐基板與傳播基板予以接著的有機接著劑層材質並無限定，較佳係丙烯酸系樹脂或環氧系樹脂。
接著劑層的形成方法並無限定，可例示如印刷、旋轉塗佈。
較佳實施形態係將有機接著劑層的厚度t設為0.1μm以上、且1.0μm以下。就從更加提升彈性波元件的頻率之溫度特性觀點，有機接著劑層的厚度較佳係0.1μm以上、且較佳係0.8μm以下。
實施例 (實施例1)
依照圖6、圖7所示製法，製作如圖1(b)及圖3(a)所示彈性表面波元件6A。
其中，支撐基板1係使用厚度230μm、直徑4吋的單晶矽基板。支撐基板1在SAW傳播方向X的線膨脹係數係3ppm/℃。傳播基板材料3A係使用將SAW的傳播方向設為X、截角為旋轉Y切割板的36°Y切割X傳播鉭酸鋰基板。SAW傳播方向X的線膨脹係數係16ppm/℃。傳播基板材料3A的厚度係設為230μm。
將支撐基板與傳播基板材料導入於保持10-6Pa左右真空度的真空腔內，使各自的接合面呈相對向並保持。對支撐基板的接合面及傳播基板材料的接合面分別照射氬氣束(argon beam)80sec，而除去各接合面上的非活性層而活化。接著，使支撐基板的接合面與傳播基板材料的接合面相接觸，並對接合面朝垂直方向施加1200kgf荷重，便將二者直接接合。
從腔中取出所獲得接合體之後，利用研削加工機研削傳播基板材料的表面，而將傳播基板材料的厚度形成25μm。接著，將該接合體安裝於研磨裝置上，使用鑽石漿液(平均粒徑1μm)，施行研磨加工直到傳播基板材料的厚度成為21μm為止。接著，對該傳播基板材料的研磨面利用CMP(化學機械研磨)機，並使用膠態二氧化矽(平均粒徑0.05μm)，施行鏡面研磨直到成為厚度20μm為止。所獲得鏡面的中心線平均表面粗糙度Ra係0.15nm。
其次，對所形成的鏡面使用發泡胺甲酸乙酯墊(硬 質墊)摩擦而施行修整加工。所獲得元件的橫剖圖利用機械研磨與離子研磨施行薄板化，再依以下的條件拍攝穿透式電子顯微鏡照片。
裝置型式：日立製H-9000UHR I
倍率：21,000~520,000倍
測定條件：加速電壓300kV
觀察方法：明視野影像、繞射圖案、多波干涉影像
結果利用100,000倍以上的倍率，確認到如圖5所示，在距傳播基板表面朝厚度3nm內有出現不同對比的較暗淡薄層。但，圖5的TEM像倍率係520000倍。其次，將TEM像進行傅立葉轉換(FFT：Fast Fourier Transform)而獲得FFT圖案。結果未確認到因結晶缺陷而產生的點。
圖5中，從上面觀看，依照深色表面的線狀部分、較淡的線狀部分、深色線狀部分的順序排列，在其下方有觀察到厚度均勻區域。表面晶格畸變層的厚度係指深色表面的線狀部分上端起至最下端深色線狀部分的下端之尺寸。
在所獲得傳播基板上形成厚度0.14μm的金屬鋁製輸入電極4及輸出電極5。電極厚度t/彈性波波長λ=7%。然後，測定彈性表面波元件的共振點之頻率溫度特性(Temperature Coefficient of Frequency)，結果為-10ppm/℃。又，***損失係7.3dB。
(比較例1)
就上述實施例，沒有施行對傳播基板的鏡面利用發泡胺甲酸乙酯墊(硬質墊)摩擦的修整加工。拍攝所獲得傳播基板表面 附近的TEM照片，結果並沒有觀測到對比不同的區域(或層)。
在所獲得傳播基板上形成厚度0.14μm的金屬鋁製輸入電極4及輸出電極5。電極厚度t/彈性表面波波長λ=7%。然後，測定彈性表面波元件的共振點之頻率溫度特性(Temperature Coefficient of Frequency)，結果為-20ppm/℃。又，***損失係10dB。
(實施例2)
就上述實施例1，取代發泡胺甲酸乙酯墊，改為施行使用更硬質的不織布墊進行摩擦的修整加工。拍攝所獲得傳播基板表面附近的TEM照片，結果晶格畸變層的厚度係8nm。又，在表面上有觀察到與實施例1同樣的對比不同3層。
在所獲得傳播基板上形成厚度0.14μm的金屬鋁製輸入電極4及輸出電極5。電極厚度t/彈性表面波波長λ=7%。然後，測定彈性表面波元件的共振點之頻率溫度特性(Temperature Coefficient of Frequency)，結果呈現-13ppm/℃的良好值。然而，***損失降低至8dB。此現象可認為因為表面的畸變層較厚，因而導致彈性波在傳播中衰減的緣故所致。
(實施例3)
與實施例1同樣地製作接合基板。但，支撐基板並非使用上述矽基板，而是使用與該矽基板相同厚度的藍寶石基板。此時共振點的頻率溫度特性係-18ppm/℃。
(比較例2)
與實施例3同樣地製作接合基板。但，對傳播基板的鏡面並沒有施行上述利用發泡胺甲酸乙酯墊(硬質墊)進行摩擦的修 整加工，而是取而代之改為利用軟墊(軟質墊)進行修整加工。結果經拍攝所獲得傳播基板表面附近的TEM照片，結果並沒有觀測到對比不同的區域(或層)。又，共振點的頻率溫度特性係-23ppm℃。
(實施例4)
除傳播基板材料係使用將SAW的傳播方向設為X，且截角為旋轉Y切割板的128°Y切割X傳播鈮酸鋰基板之外，其餘均與實施例1同樣地製成接合基板。SAW傳播方向X的線膨脹係數係15.4ppm/℃。傳播基板材料的厚度係230μm。針對經研磨後的基板截面同樣地利用TEM進行觀察，結果表面晶格畸變層的厚度係15nm，較大於鉭酸鋰時的厚度。此現象可認為係因結晶材料的楊氏模數相對性小的緣故所致。又，在表面上有觀察到與實施例1同樣的不同對比3層。
與實施例1同樣地，經測定彈性表面波元件的共振點之頻率溫度特性，結果為-58ppm/℃。
(比較例3)
與實施例4同樣地製作接合基板。但，對傳播基板的鏡面並沒有施行上述利用發泡胺甲酸乙酯墊(硬質墊)進行摩擦的修整加工，而是取而代之改為利用軟墊(軟質墊)進行修整加工。結果經拍攝所獲得傳播基板表面附近的TEM照片，結果並沒有觀測到對比不同的區域(或層)。又，共振點的頻率溫度特性係-65ppm℃。
(實施例5)
上述例均係使所有的基板彼此間直接貼合，但亦可使用接 著樹脂使基板貼合。
具體而言，在實施例1所使用的矽基板表面上，利用旋塗機塗佈液狀丙烯酸系接著劑，再於其上面接著實施例1所使用的鉭酸鋰基板而獲得接著體。將接著體投入於約150℃烤箱中，使接著劑硬化。接著，經由與上述實施例1同樣的步驟製成彈性波元件。
根據TEM觀察，表面畸變層的厚度係3nm，係與實施例1相同。又，表面上有觀察到與實施例1同樣的不同對比3層。又，共振點的頻率溫度特性係-10ppm/℃，係與實施例1相同，得知由表面晶格畸變層所造成的效果並非依存於接合方法。
(比較例4)
與實施例5同樣地製作接合基板。但，對傳播基板的鏡面並沒有施行上述利用發泡胺甲酸乙酯墊(硬質墊)進行摩擦的修整加工，而是取而代之改為利用軟墊(軟質墊)進行修整加工。結果經拍攝所獲得傳播基板表面附近的TEM照片，結果並沒有觀測到對比不同的區域(或層)。又，共振點的頻率溫度特性係-20ppm℃。
1‧‧‧支撐基板
1a‧‧‧底面
1b‧‧‧接合面
2‧‧‧接著劑層
3‧‧‧傳播基板
3a‧‧‧表面
3b‧‧‧接合面
4‧‧‧輸入電極
5‧‧‧輸出電極
6‧‧‧彈性表面波元件
7‧‧‧箭頭
T1、T2、t‧‧‧厚度

Claims (12)

  1. 一種彈性波元件用複合基板，包括：支撐基板；以及傳播基板，其乃接合於上述支撐基板，且由壓電單晶構成，並使彈性波傳播；其特徵在於：上述傳播基板係具有上述壓電單晶的晶格呈畸變的表面晶格畸變層。
  2. 如申請專利範圍第1項之複合基板，其中，上述表面晶格畸變層的厚度係3nm以下。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之複合基板，其中，上述表面晶格畸變層經利用穿透式電子顯微鏡觀察到複數層。
  4. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之複合基板，其中，上述彈性波係彈性表面波、藍姆波型彈性波或體聲波。
  5. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之複合基板，其中，上述支撐基板與上述傳播基板係直接接合、或經由接著劑層進行接合。
  6. 如申請專利範圍第5項之複合基板，其中，上述接著劑層係厚度0.1μm~1.0μm的有機接著劑層。
  7. 如申請專利範圍第1至6項中任一項之複合基板，其中，上述壓電單晶係從鈮酸鋰、鉭酸鋰及鈮酸鋰-鉭酸鋰固溶體單晶所構成群組中選擇。
  8. 如申請專利範圍第1至7項中任一項之複合基板，其中，上述支撐基板係由從矽、藍寶石、氮化鋁燒結體、氧化鋁、 碳化矽燒結體、氮化矽燒結體、硼矽酸玻璃及石英玻璃所構成群組中選擇的材料構成。
  9. 如申請專利範圍第4至8項中任一項之複合基板，其中，上述彈性波元件係彈性表面波濾波器或共振器。
  10. 如申請專利範圍第1至9項中任一項之複合基板，其中，上述傳播基板的厚度係0.1μm~40μm。
  11. 一種彈性波元件，包括：申請專利範圍第1至10項中任一項之複合基板、以及在上述傳播基板上所設置的電極圖案。
  12. 如申請專利範圍第11項之彈性波元件，係彈性表面波濾波器或共振器。
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