WO2022259627A1 - 複合基板および複合基板の製造方法 - Google Patents
複合基板および複合基板の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- WO2022259627A1 WO2022259627A1 PCT/JP2022/006547 JP2022006547W WO2022259627A1 WO 2022259627 A1 WO2022259627 A1 WO 2022259627A1 JP 2022006547 W JP2022006547 W JP 2022006547W WO 2022259627 A1 WO2022259627 A1 WO 2022259627A1
- Authority
- WO
- WIPO (PCT)
- Prior art keywords
- substrate
- thickness
- piezoelectric layer
- composite substrate
- piezoelectric
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 129
- 239000002131 composite material Substances 0.000 title claims abstract description 41
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 10
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 26
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 description 21
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 19
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 19
- WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-pyrazole-3-carboxylic acid Chemical compound CC1=CC(C(O)=O)=NN1 WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 239000000463 material Substances 0.000 description 11
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 8
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 8
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 5
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000008119 colloidal silica Substances 0.000 description 3
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 2
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 238000007735 ion beam assisted deposition Methods 0.000 description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- 230000003472 neutralizing effect Effects 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910013641 LiNbO 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000282320 Panthera leo Species 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000012459 cleaning agent Substances 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- SWXVUIWOUIDPGS-UHFFFAOYSA-N diacetone alcohol Natural products CC(=O)CC(C)(C)O SWXVUIWOUIDPGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005108 dry cleaning Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 238000005305 interferometry Methods 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000484 niobium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N niobium(5+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Nb+5].[Nb+5] URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004745 nonwoven fabric Substances 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009304 pastoral farming Methods 0.000 description 1
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 150000003376 silicon Chemical class 0.000 description 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 1
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B33/00—After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
- C30B33/06—Joining of crystals
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/08—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of resonators or networks using surface acoustic waves
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/25—Constructional features of resonators using surface acoustic waves
Definitions
- the present invention relates to a composite substrate and a method for manufacturing a composite substrate.
- SAW filters using surface acoustic waves
- This SAW filter has a structure in which electrodes and the like are formed on a composite substrate having a piezoelectric layer (see Patent Document 1, for example).
- a main object of the present invention is to provide a composite substrate that can contribute to improving the performance of SAW filters.
- a composite substrate according to an embodiment of the present invention has a support substrate and a piezoelectric layer disposed on one side of the support substrate, and the amplitude of the waviness exceeding the spatial frequency of 0.045 cyc/mm in the shape of the support substrate is 10 nm or less.
- the absolute value of the difference between the thickness T1 at the first point and the thickness T2 at the second point of the piezoelectric layer is 100 nm or less.
- the piezoelectric layer has a thickness of 5 ⁇ m or less.
- a surface acoustic wave device according to another embodiment of the present invention has the above composite substrate.
- a method for manufacturing a composite substrate according to another embodiment of the present invention includes bonding a support substrate to the first main surface side of a piezoelectric substrate having a first main surface and a second main surface facing each other; polishing the surface of the piezoelectric substrate on the side of the second main surface, and the amplitude of the waviness of the shape of the support substrate exceeding the spatial frequency of 0.045 cyc/mm is 10 nm or less.
- the absolute value of the difference between the thickness T1 at the first point and the thickness T2 at the second point of the piezoelectric layer obtained by polishing the piezoelectric substrate is 100 nm or less.
- the piezoelectric layer obtained by polishing the piezoelectric substrate has a thickness of 5 ⁇ m or less.
- the present invention can contribute to improving the performance of SAW filters.
- FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing a schematic configuration of a composite substrate according to one embodiment of the present invention
- FIG. It is a figure which shows an example of the external appearance of a composite substrate.
- FIG. 4 is a diagram showing an example of outlines of the shape of a support substrate and the shape of a piezoelectric layer
- FIG. 10 is a diagram showing another example of outlines of the shape of the support substrate and the shape of the piezoelectric layer
- It is a figure which shows the example of a manufacturing process of the composite substrate which concerns on one embodiment.
- 4B is a continuation of FIG. 4A
- FIG. 4C is a continuation of FIG. 4B
- FIG. 4C is a continuation of FIG.
- FIG. 4C It is a figure which shows the shape of the silicon substrate of an Example. It is a figure which shows the film thickness distribution of the LT layer of an Example. It is a figure which shows the shape of the silicon substrate of an Example, and the FFT analysis result of the film thickness distribution of LT layer.
- FIG. 5C is a diagram showing enlarged vertical and horizontal axes of FIG. 5C. It is a figure which shows the shape of the silicon substrate of a comparative example. It is a figure which shows the film thickness distribution of the LT layer of a comparative example.
- FIG. 5 is a diagram showing FFT analysis results of the shape of a silicon substrate and the film thickness distribution of an LT layer in a comparative example; It is a figure which expands and shows the vertical axis
- FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing a schematic configuration of a composite substrate according to one embodiment of the present invention.
- the composite substrate 100 has a support substrate 10 and a piezoelectric layer 20 arranged on one side of the support substrate 10 .
- the composite substrate 100 may further have arbitrary layers. The type/function, number, combination, arrangement, etc. of such layers can be appropriately determined according to the purpose.
- composite substrate 100 may have an intermediate layer (eg, inorganic material layer) disposed between piezoelectric layer 20 and support substrate 10 .
- the composite substrate 100 may have a bonding layer arranged between the piezoelectric layer 20 or an intermediate layer (not shown) and the support substrate 10 .
- the composite substrate 100 can be manufactured in any suitable shape. In one embodiment, as shown in FIG. 2, it can be manufactured in so-called wafer form.
- the size of the composite substrate 100 can be appropriately set according to the purpose. For example, the wafer diameter is between 50 mm and 150 mm.
- the thickness of the supporting substrate 10 is, for example, 100 ⁇ m to 1000 ⁇ m.
- the supporting substrate has an amplitude of undulations exceeding a spatial frequency of 0.045 cyc/mm in the shape of 0 nm or more and 10 nm or less, preferably 5 nm or less.
- the support substrate may be composed of a single crystal, or may be composed of a polycrystal. Materials constituting the support substrate are preferably selected from the group consisting of silicon, sapphire, glass, quartz, crystal and alumina.
- the above silicon may be monocrystalline silicon, polycrystalline silicon, or high resistance silicon.
- the sapphire is a single crystal with a composition of Al 2 O 3 and the alumina is a polycrystal with a composition of Al 2 O 3 .
- the thermal expansion coefficient of the material forming the support substrate is preferably smaller than the thermal expansion coefficient of the material forming the piezoelectric layer, which will be described later.
- Such a support substrate can suppress changes in the shape and size of the piezoelectric layer when temperature changes, and can suppress, for example, changes in the frequency characteristics of the obtained surface acoustic wave device.
- A-2. Piezoelectric Layer Any suitable piezoelectric material can be used as a material constituting the piezoelectric layer.
- a single crystal with the composition LiAO 3 is preferably used as the piezoelectric material.
- A is one or more elements selected from the group consisting of niobium and tantalum.
- LiAO 3 may be lithium niobate (LiNbO 3 ), lithium tantalate (LiTaO 3 ), or a lithium niobate-lithium tantalate solid solution.
- the piezoelectric layer is arranged such that the normal direction is 32° to 55° (for example, 42° ) It is preferable to use a rotated direction, or (180°, 58° to 35°, 180°) in Euler angles, because the propagation loss is small.
- the piezoelectric layer has a normal direction rotated 37.8° from the Z axis to the ⁇ Y axis around the X axis, which is the propagation direction of surface acoustic waves. It is preferable to use the direction of (0°, 37.8°, 0°) in Euler angles because the electromechanical coupling coefficient is large. Further, for example, when the piezoelectric material substrate is lithium niobate, the normal direction of the piezoelectric layer is rotated from the Y axis to the Z axis by 40° to 65° around the X axis, which is the propagation direction of the surface acoustic wave. It is preferable to use the one in the direction of 180.degree., 50.degree.-25.degree.
- the thickness of the piezoelectric layer is preferably 5 ⁇ m or less, more preferably 3 ⁇ m or less, and even more preferably 1 ⁇ m or less.
- the thickness of the piezoelectric layer is, for example, 0.2 ⁇ m or more. With such a thickness, a high-performance surface acoustic wave device can be obtained. Specifically, it is expected that the temperature characteristics (TCF) can be improved, the Q value can be improved, and the like.
- the thickness of the piezoelectric layer is preferably uniform.
- 3A and 3B are diagrams showing an example outline of the shape of the support substrate (eg, in the X-axis direction) and the shape of the piezoelectric layer, respectively.
- the shape of the piezoelectric layer 20 can easily correspond to the undulation of the support substrate 10, and the piezoelectric layer 20 can be excellent in film thickness accuracy.
- the absolute value of the difference between the thickness (first thickness) T1 of the piezoelectric layer 20 at the first point and the thickness (second thickness) T2 of the piezoelectric layer at the second point is 100 nm or less. It is preferably 50 nm or less, more preferably 50 nm or less.
- a high-performance surface acoustic wave device can be obtained. Specifically, effects such as an improvement in the Q value are expected. Also, it is possible to obtain a surface acoustic wave device with small variations in characteristics. As shown in FIG.
- the thickness accuracy of the piezoelectric layer 20 can be excellent by satisfying the amplitude of the undulation of the support substrate.
- the composite substrate can have an intermediate layer.
- Materials forming the intermediate layer include, for example, silicon oxide, hafnium oxide, tantalum oxide, zirconium oxide, and aluminum oxide.
- the thickness of the intermediate layer is, for example, 0.1 ⁇ m to 2 ⁇ m.
- the intermediate layer can be deposited by any appropriate method.
- it can be deposited by sputtering, physical vapor deposition such as ion beam assisted deposition (IAD), chemical vapor deposition, or atomic layer deposition (ALD).
- IAD ion beam assisted deposition
- ALD atomic layer deposition
- the composite substrate may have a bonding layer.
- materials forming the bonding layer include silicon oxide, silicon, tantalum oxide, niobium oxide, aluminum oxide, titanium oxide, and hafnium oxide.
- the thickness of the bonding layer is, for example, 0.005 ⁇ m to 1 ⁇ m.
- the bonding layer can be deposited by any appropriate method. Specifically, it can be formed by a method similar to the method for forming the intermediate layer.
- Manufacturing Method A method for manufacturing a composite substrate according to one embodiment of the present invention includes bonding a support substrate to a first main surface side of a piezoelectric substrate having a first main surface and a second main surface facing each other, and Polishing the surface of the piezoelectric substrate on the side of the second main surface. Typically, polishing is performed after bonding.
- 4A to 4D are diagrams showing an example of a manufacturing process for a composite substrate according to one embodiment.
- FIG. 4A shows a state in which the polishing of both opposing main surfaces of the support substrate 10 has been completed.
- the lower surface 10a of the support substrate 10 is polished flat, and the upper surface 10b has a downwardly curved curved shape.
- the amplitude of the waviness of the shape of the support substrate 10 exceeding the spatial frequency of 0.045 cyc/mm is 0 nm or more and 10 nm or less, preferably 5 nm or less. Such values can be well achieved, for example, with the geometry of the illustrated example.
- the upper surface 10b may have an upwardly convex curved shape.
- FIG. 4B shows a state in which the support substrate 10 and the piezoelectric substrate 22 are directly bonded.
- the piezoelectric substrate 22 has a first main surface 22a and a second main surface 22b facing each other, and is bonded to the support substrate 10 after polishing the first main surface 22a.
- the bonding surfaces are preferably activated by any appropriate activation treatment.
- the activated surface of the support substrate 10 and the activated surface of the piezoelectric substrate 22 are brought into contact and pressed. Join directly with Thus, a joined body 90 shown in FIG. 4B is obtained.
- the second main surface 22b of the piezoelectric substrate 22 of the obtained joined body 90 is subjected to processing such as grinding and polishing so as to form a piezoelectric layer having the desired thickness.
- FIG. 4C shows the state in which the grinding of the second principal surface 22b is completed
- FIG. 4D shows the state in which the polishing of the second principal surface 22b is completed.
- the piezoelectric layer 20 is formed by polishing to obtain the composite substrate 100 .
- the shape of the upper surface 20a of the piezoelectric layer 20 can correspond to the shape of the upper surface 10b of the support substrate 10, for example.
- polishing method examples include chemical mechanical polishing (CMP), mirror polishing by lap polishing, and the like.
- CMP chemical mechanical polishing
- a chemical-mechanical polishing process is employed.
- a chemical mechanical polishing process using a polishing pad using a polishing slurry eg, colloidal silica is employed.
- abrasive residue for example, abrasive residue, process-affected layer, and the like.
- cleaning methods include wet cleaning, dry cleaning, and scrub cleaning.
- scrub cleaning is preferred because it allows simple and efficient cleaning.
- a cleaning agent for example, Sun Wash series manufactured by Lion Corporation
- a solvent for example, a mixed solution of acetone and isopropyl alcohol (IPA)
- IPA isopropyl alcohol
- the activation treatment is typically performed by irradiating a neutralizing beam.
- an apparatus such as the apparatus described in JP-A-2014-086400 is used to generate a neutralizing beam, and the activation treatment is performed by irradiating this beam.
- a saddle field fast atom beam source is used as the beam source, an inert gas such as argon or nitrogen is introduced into the chamber, and a high voltage is applied to the electrodes from a DC power source. Electrons are moved by a saddle field type electric field generated between the electrode (positive electrode) and the housing (negative electrode), and a beam of atoms and ions is generated by the inert gas.
- the ion beam is neutralized by the grid, so that a beam of neutral atoms is emitted from the fast atom beam source.
- the voltage during activation by beam irradiation is preferably 0.5 kV to 2.0 kV, and the current during activation by beam irradiation is preferably 50 mA to 200 mA.
- the contact and pressurization of the joint surfaces are preferably performed in a vacuum atmosphere.
- the temperature at this time is typically room temperature. Specifically, the temperature is preferably 20° C. or higher and 40° C. or lower, more preferably 25° C. or higher and 30° C. or lower.
- the applied pressure is preferably 100N to 20000N.
- a surface acoustic wave device has the above composite substrate.
- a surface acoustic wave device typically includes the composite substrate and electrodes (comb-shaped electrodes) provided on the piezoelectric layer side of the composite substrate.
- Such a surface acoustic wave device is suitably used as a SAW filter for communication equipment such as mobile phones.
- a lithium tantalate (LT) substrate with a diameter of 4 inches and a thickness of 500 ⁇ m (a 42° Y-cut X-propagation LT substrate, in which the direction of surface acoustic wave (SAW) propagation is X and the cutting angle is a rotated Y-cut plate) was prepared. .
- a silicon substrate having a diameter of 4 inches and a thickness of 500 ⁇ m was prepared, and the surface (both sides) of this silicon substrate was polished.
- a silicon substrate was placed on a SUS carrier of a CMP polishing machine, and a hard urethane pad was used, and colloidal silica was used as a polishing agent to perform double-sided polishing.
- both substrates were placed in a vacuum chamber and evacuated to a level of 10 ⁇ 6 Pa, and then a fast atom beam (accelerating voltage 1 kV, Ar flow rate 27 sccm) was applied for 80 seconds. After the irradiation, the beam-irradiated surfaces of both substrates were overlapped, and a pressure of 1200 kgf was applied for 2 minutes to bond the substrates to obtain a bonded body.
- a fast atom beam accelerating voltage 1 kV, Ar flow rate 27 sccm
- the back surface of the LT substrate of the bonded body was ground by a grinder from the initial 500 ⁇ m to 3 ⁇ m. Further, the substrate was mirror-polished with a CMP polishing machine using a hard urethane pad and colloidal silica as a polishing agent until the thickness became 1 ⁇ m, to obtain a composite substrate having a silicon substrate and an LT layer.
- a composite substrate was obtained in the same manner as in Example except that a non-woven fabric was used instead of the hard urethane pad when polishing both sides of the silicon substrate.
- FIGS. 5A, 5B and 6A, 6B show values obtained by subtracting the average value of the thickness.
- FFT Fast Fourier Transform
- the obtained absolute value was divided by 16 (32 data points/2) and then doubled in consideration of the influence of Hanning window processing. If the silicon substrate is convex downward (on the side where the LT substrate is not placed), unnecessary frequency components are generated when the Hanning window is multiplied. was calculated by inverting the data by subtracting from the maximum value.
- FIGS. 5C and 5D The results of the example are shown in FIGS. 5C and 5D, and the results of the comparative example are shown in FIGS. 6C and 6D.
- a composite substrate according to an embodiment of the present invention can typically be suitably used for a surface acoustic wave device.
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
SAWフィルタの高性能化に寄与し得る複合基板を提供する。本発明の実施形態による複合基板は、支持基板と、前記支持基板の片側に配置される圧電層と、を有し、前記支持基板の形状の空間周波数0.045cyc/mmを超えるうねりの振幅は10nm以下である。前記圧電層の第一地点における厚みT1と第二地点における厚みT2との差の絶対値は、100nm以下であってもよい。前記圧電層の厚みは5μm以下であってもよい。
Description
本発明は、複合基板および複合基板の製造方法に関する。
携帯電話等の通信機器には、任意の周波数の電気信号を取り出すため、例えば、弾性表面波を利用したフィルタ(SAWフィルタ)が用いられている。このSAWフィルタは、圧電層を有する複合基板上に電極等が形成された構造を有する(例えば、特許文献1を参照)。
近年、情報通信機器の分野では、例えば、通信量が急激に増加しており、上記SAWフィルタの高性能化が求められている。
本発明の主たる目的は、SAWフィルタの高性能化に寄与し得る複合基板を提供することにある。
本発明の実施形態による複合基板は、支持基板と、前記支持基板の片側に配置される圧電層と、を有し、前記支持基板の形状の空間周波数0.045cyc/mmを超えるうねりの振幅は10nm以下である。
1つの実施形態においては、上記圧電層の第一地点における厚みT1と第二地点における厚みT2との差の絶対値は、100nm以下である。
1つの実施形態においては、上記圧電層の厚みは5μm以下である。
本発明の別の実施形態による弾性表面波素子は、上記複合基板を有する。
1つの実施形態においては、上記圧電層の第一地点における厚みT1と第二地点における厚みT2との差の絶対値は、100nm以下である。
1つの実施形態においては、上記圧電層の厚みは5μm以下である。
本発明の別の実施形態による弾性表面波素子は、上記複合基板を有する。
本発明の別の実施形態による複合基板の製造方法は、互いに対向する第一主面および第二主面を有する圧電基板の前記第一主面側に、支持基板を接合すること、および、前記圧電基板の第二主面側の表面を研磨すること、を含み、前記支持基板の形状の空間周波数0.045cyc/mmを超えるうねりの振幅は10nm以下である。
1つの実施形態においては、上記圧電基板を研磨して得られる圧電層の第一地点における厚みT1と第二地点における厚みT2との差の絶対値は、100nm以下である。
1つの実施形態においては、上記圧電基板を研磨して得られる圧電層の厚みは5μm以下である。
1つの実施形態においては、上記圧電基板を研磨して得られる圧電層の第一地点における厚みT1と第二地点における厚みT2との差の絶対値は、100nm以下である。
1つの実施形態においては、上記圧電基板を研磨して得られる圧電層の厚みは5μm以下である。
本発明の実施形態によれば、例えば、SAWフィルタの高性能化に寄与し得る。
以下、本発明の実施形態について図面を参照しつつ説明するが、本発明はこれらの実施形態には限定されない。また、図面は説明をより明確にするため、実施の形態に比べ、各部の幅、厚み、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。
A.複合基板
図1は、本発明の1つの実施形態に係る複合基板の概略の構成を示す模式的な断面図である。複合基板100は、支持基板10と、支持基板10の片側に配置される圧電層20とを有する。図示しないが、複合基板100は、任意の層をさらに有していてもよい。このような層の種類・機能、数、組み合わせ、配置等は、目的に応じて適切に決定され得る。例えば、複合基板100は、圧電層20と支持基板10との間に配置される中間層(例えば、無機材料層)を有していてもよい。また、例えば、複合基板100は、圧電層20または図示しない中間層と支持基板10との間に配置される接合層を有していてもよい。
図1は、本発明の1つの実施形態に係る複合基板の概略の構成を示す模式的な断面図である。複合基板100は、支持基板10と、支持基板10の片側に配置される圧電層20とを有する。図示しないが、複合基板100は、任意の層をさらに有していてもよい。このような層の種類・機能、数、組み合わせ、配置等は、目的に応じて適切に決定され得る。例えば、複合基板100は、圧電層20と支持基板10との間に配置される中間層(例えば、無機材料層)を有していてもよい。また、例えば、複合基板100は、圧電層20または図示しない中間層と支持基板10との間に配置される接合層を有していてもよい。
複合基板100は、任意の適切な形状で製造され得る。1つの実施形態においては、図2に示すように、いわゆる、ウェハの形態で製造され得る。複合基板100のサイズは、目的に応じて適切に設定され得る。例えば、ウェハの直径は、50mm~150mmである。
A-1.支持基板
支持基板10の厚みは、任意の適切な厚みが採用され得る。支持基板の厚みは、例えば100μm~1000μmである。
支持基板10の厚みは、任意の適切な厚みが採用され得る。支持基板の厚みは、例えば100μm~1000μmである。
支持基板は、その形状の空間周波数0.045cyc/mmを超えるうねりの振幅は0nm以上10nm以下であり、好ましくは5nm以下である。このような支持基板を用いることにより、後述の圧電層の膜厚精度が良好に達成され得る。
支持基板としては、任意の適切な基板が用いられ得る。支持基板は、単結晶体で構成されてもよく、多結晶体で構成されてもよい。支持基板を構成する材料としては、好ましくは、シリコン、サファイア、ガラス、石英、水晶およびアルミナからなる群から選択される。
上記シリコンは、単結晶シリコンであってもよく、多結晶シリコンであってもよく、高抵抗シリコンであってもよい。
代表的には、上記サファイアはAl2O3の組成を有する単結晶体であり、上記アルミナはAl2O3の組成を有する多結晶体である。
支持基板を構成する材料の熱膨張係数は、後述の圧電層を構成する材料の熱膨張係数よりも小さいことが好ましい。このような支持基板によれば、温度が変化したときの圧電層の形状・サイズの変化を抑制し、例えば、得られる弾性表面波素子の周波数特性の変化を抑制し得る。
A-2.圧電層
上記圧電層を構成する材料としては、任意の適切な圧電性材料が用いられ得る。圧電性材料としては、好ましくは、LiAO3の組成を有する単結晶が用いられる。ここで、Aは、ニオブおよびタンタルからなる群から選択される一種以上の元素である。具体的には、LiAO3は、ニオブ酸リチウム(LiNbO3)であってもよく、タンタル酸リチウム(LiTaO3)であってもよく、ニオブ酸リチウム-タンタル酸リチウム固溶体であってもよい。
上記圧電層を構成する材料としては、任意の適切な圧電性材料が用いられ得る。圧電性材料としては、好ましくは、LiAO3の組成を有する単結晶が用いられる。ここで、Aは、ニオブおよびタンタルからなる群から選択される一種以上の元素である。具体的には、LiAO3は、ニオブ酸リチウム(LiNbO3)であってもよく、タンタル酸リチウム(LiTaO3)であってもよく、ニオブ酸リチウム-タンタル酸リチウム固溶体であってもよい。
圧電性材料がタンタル酸リチウムである場合、圧電層として、弾性表面波の伝搬方向であるX軸を中心に、その法線方向がY軸からZ軸に32°~55°(例えば、42°)回転した方向のもの、オイラー角表示で(180°,58°~35°,180°)のものを用いるのが、伝搬損失が小さいため好ましい。
圧電性材料基板がニオブ酸リチウムである場合、圧電層として、例えば、弾性表面波の伝搬方向であるX軸を中心に、その法線方向がZ軸から-Y軸に37.8°回転した方向のもの、オイラー角表示で(0°,37.8°,0°)のものを用いるのが、電気機械結合係数が大きいため好ましい。また例えば、圧電性材料基板がニオブ酸リチウムである場合、圧電層として、弾性表面波の伝搬方向であるX軸を中心に、その法線方向がY軸からZ軸に40°~65°回転した方向のもの、オイラー角表示で(180°,50°~25°,180°)のものを用いるのが、高音速が得られるため好ましい。
圧電層の厚みは、好ましくは5μm以下であり、より好ましくは3μm以下であり、さらに好ましくは1μm以下である。一方、圧電層の厚みは、例えば0.2μm以上である。このような厚みによれば、高性能な弾性表面波素子を得ることができる。具体的には、温度特性(TCF)を改善し得る、Q値を向上させ得る等の効果が期待される。
圧電層の厚みは均一であることが好ましい。図3Aおよび図3Bは、それぞれ、支持基板の形状(例えば、X軸方向の)と圧電層の形状の概要の一例を示す図である。図3Aに示すように、支持基板10のうねり周波数が低い場合(例えば、空間周波数が0.045cyc/mm以下の場合)、圧電層20の形状を支持基板10のうねりに対応させやすく、圧電層20の膜厚精度に優れ得る。例えば、X軸方向において、第一地点における圧電層20の厚み(第一の厚み)T1と第二地点における圧電層の厚み(第二の厚み)T2との差の絶対値は、100nm以下であることが好ましく、より好ましくは50nm以下である。このような膜厚精度を有することにより、高性能な弾性表面波素子を得ることができる。具体的には、Q値を向上させ得る等の効果が期待される。また、特性のばらつきの小さい弾性表面波素子を得ることができる。図3Bに示すように、支持基板10のうねり周波数が高い場合(例えば、空間周波数が0.045cyc/mmを超える場合)、圧電層20の形状を支持基板10のうねりに対応させにくい傾向にあるが、上記支持基板のうねりの振幅を満たすことにより、圧電層20の膜厚精度に優れ得る。
A-3.その他
上述のとおり、複合基板は、中間層を有し得る。中間層を構成する材料としては、例えば、酸化ケイ素、酸化ハフニウム、酸化タンタル、酸化ジルコニウム、酸化アルミニウムが挙げられる。中間層の厚みは、例えば0.1μm~2μmである。
上述のとおり、複合基板は、中間層を有し得る。中間層を構成する材料としては、例えば、酸化ケイ素、酸化ハフニウム、酸化タンタル、酸化ジルコニウム、酸化アルミニウムが挙げられる。中間層の厚みは、例えば0.1μm~2μmである。
上記中間層は、任意の適切な方法により成膜され得る。例えば、スパッタリング、イオンビームアシスト蒸着(IAD)等の物理蒸着、化学蒸着、原子層堆積(ALD)法により成膜され得る。
また、上述のとおり、複合基板は、接合層を有し得る。接合層を構成する材料としては、例えば、ケイ素酸化物、シリコン、酸化タンタル、酸化ニオブ、酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化ハフニウムが挙げられる。接合層の厚みは、例えば0.005μm~1μmである。
接合層は、任意の適切な方法により成膜され得る。具体的には、上記中間層の成膜方法と同様の方法により成膜され得る。
A-4.製造方法
本発明の1つの実施形態に係る複合基板の製造方法は、互いに対向する第一主面および第二主面を有する圧電基板の第一主面側に支持基板を接合すること、および、圧電基板の第二主面側の表面を研磨すること、を含む。代表的には、接合後に研磨を行う。
本発明の1つの実施形態に係る複合基板の製造方法は、互いに対向する第一主面および第二主面を有する圧電基板の第一主面側に支持基板を接合すること、および、圧電基板の第二主面側の表面を研磨すること、を含む。代表的には、接合後に研磨を行う。
図4A~図4Dは、1つの実施形態に係る複合基板の製造工程例を示す図である。
図4Aは、支持基板10の互いに対向する両主面の研磨が完了した状態を示している。図4Aに示す例では、支持基板10の下面10aは平らに研磨され、上面10bは下方に凸の湾曲した形状を呈している。支持基板10の形状の空間周波数0.045cyc/mmを超えるうねりの振幅は、0nm以上10nm以下であり、好ましくは5nm以下である。このような値は、例えば、図示例の形状により良好に達成され得る。図示しないが、上面10bは上方に凸の湾曲した形状を呈していてもよい。
図4Bは、支持基板10と圧電基板22とが直接接合された状態を示している。圧電基板22は互いに対向する第一主面22aおよび第二主面22bを有し、第一主面22aを研磨した後、支持基板10と接合する。直接接合に際し、接合面は任意の適切な活性化処理により活性化されていることが好ましい。例えば、支持基板10の上面10bを活性化し、圧電基板22の第一主面22aを活性化した後、支持基板10の活性化面と圧電基板22の活性化面とを接触させ、加圧することで直接接合する。こうして、図4Bに示す接合体90を得る。
得られた接合体90の圧電基板22の第二主面22bは、上記所望の厚みの圧電層となるように、研削、研磨等の加工が施される。図4Cは第二主面22bの研削が完了した状態を示し、図4Dは第二主面22bの研磨が完了し状態を示している。研磨により圧電層20が形成され、複合基板100を得る。圧電層20の上面20aの形状は、例えば、支持基板10の上面10bの形状に対応し得る。
上記研磨の方法としては、例えば、化学機械研磨加工(CMP)、ラップ(lap)研磨等による鏡面研磨が挙げられる。好ましくは、化学機械研磨加工が採用される。具体的には、研磨スラリー(例えば、コロイダルシリカ)を用いた研磨パッドによる化学機械研磨加工が採用される。
上記接合に際し、例えば、研磨剤の残渣、加工変質層等の除去のため、各層の表面を洗浄することが好ましい。洗浄方法としては、例えば、ウエット洗浄、ドライ洗浄、スクラブ洗浄が挙げられる。これらの中でも、簡便かつ効率的に洗浄し得ることから、スクラブ洗浄が好ましい。スクラブ洗浄の具体例としては、洗浄剤(例えば、ライオン社製、サンウオッシュシリーズ)を用いた後に、溶剤(例えば、アセトンとイソプロピルアルコール(IPA)との混合溶液)を用いてスクラブ洗浄機にて洗浄する方法が挙げられる。
上記活性化処理は、代表的には、中性化ビームを照射することにより行う。好ましくは、特開2014-086400号公報に記載の装置のような装置を使用して中性化ビームを発生させ、このビームを照射することにより活性化処理を行う。具体的には、ビーム源として、サドルフィールド型の高速原子ビーム源を使用し、チャンバーにアルゴン、窒素等の不活性ガスを導入し、直流電源から電極へ高電圧を印加する。これにより、電極(正極)と筺体(負極)との間に生じるサドルフィールド型の電界により、電子が運動して、不活性ガスによる原子とイオンのビームが生成される。グリッドに達したビームのうち、イオンビームはグリッドで中和されるので、中性原子のビームが高速原子ビーム源から出射される。ビーム照射による活性化処理時の電圧は0.5kV~2.0kVとすることが好ましく、ビーム照射による活性化処理時の電流は50mA~200mAとすることが好ましい。
上記接合面の接触および加圧は、真空雰囲気で行うことが好ましい。このときの温度は、代表的には、常温である。具体的には、20℃以上40℃以下が好ましく、より好ましくは25℃以上30℃以下である。加える圧力は、好ましくは100N~20000Nである。
B.弾性表面波素子
本発明の実施形態による弾性表面波素子は、上記複合基板を有する。弾性表面波素子は、代表的には、上記複合基板と、上記複合基板の圧電層側に設けられた電極(櫛型電極)とを有する。このような弾性表面波素子は、例えば、SAWフィルタとして携帯電話等の通信機器に好適に用いられる。
本発明の実施形態による弾性表面波素子は、上記複合基板を有する。弾性表面波素子は、代表的には、上記複合基板と、上記複合基板の圧電層側に設けられた電極(櫛型電極)とを有する。このような弾性表面波素子は、例えば、SAWフィルタとして携帯電話等の通信機器に好適に用いられる。
以下、実施例によって本発明を具体的に説明するが、本発明はこれら実施例によって限定されるものではない。
[実施例]
直径4インチで厚み500μmのタンタル酸リチウム(LT)基板(弾性表面波(SAW)の伝搬方向をXとし、切り出し角が回転Yカット板である42°YカットX伝搬のLT基板)を用意した。
直径4インチで厚み500μmのタンタル酸リチウム(LT)基板(弾性表面波(SAW)の伝搬方向をXとし、切り出し角が回転Yカット板である42°YカットX伝搬のLT基板)を用意した。
また、直径4インチで厚み500μmのシリコン基板を用意し、このシリコン基板の表面(両面)を研磨した。具体的には、CMP研磨機のSUSキャリア上にシリコン基板を設置し、硬質ウレタンパッドを使用し、研磨剤としてコロイダルシリカを用いて両面研磨を行った。
次いで、LT基板とシリコン基板とを直接接合した。具体的には、LT基板の表面およびシリコン基板の表面を洗浄した後、両基板を真空チャンバーに投入して10-6Pa台まで真空引きした後、両基板の表面に高速原子ビーム(加速電圧1kV、Ar流量27sccm)を80秒間照射した。照射後、両基板のビーム照射面を重ね合わせ、1200kgfで2分間加圧して両基板を接合し、接合体を得た。
次いで、上記接合体(複合基板)のLT基板の裏面を、当初の500μmから3μmになるまで、グラインダー加工機により研削した。さらに、厚みが1μmになるまで、CMP研磨機にて、硬質ウレタンパッドを使用し、研磨剤としてコロイダルシリカを用いて鏡面研磨し、シリコン基板とLT層とを有する複合基板を得た。
[比較例]
シリコン基板の両面研磨時に、硬質ウレタンパッドのかわりに不織布を使用したこと以外は実施例と同様にして、複合基板を得た。
シリコン基板の両面研磨時に、硬質ウレタンパッドのかわりに不織布を使用したこと以外は実施例と同様にして、複合基板を得た。
<評価>
上記実施例および比較例について下記の評価を行った。
1.平坦度(形状)および厚み(膜厚分布)の測定
斜入射干渉法フラットネステスター(NIDEK社製の「FT-17」)により両面研磨後のシリコン基板のX軸方向の平坦度を測定した。また、得られた複合基板のLT層のX軸方向の厚みを、顕微分光膜厚計(大塚電子社製の「OPTM」)により測定した。具体的には、ウェハの中心を原点とした時の-43.4mm~+43.4mmの範囲を2.8mmピッチにて32点を測定した。
実施例のシリコン基板の結果を図5Aに、実施例のLT層の結果を図5Bに示す。また、比較例のシリコン基板の結果を図6Aに、比較例のLT層の結果を図6Bに示す。なお、図5A,図5Bおよび図6A,図6Bに示すグラフでは、厚みの平均値を差し引いた値を示している。
2.FFT(Fast Fourier Transform)解析
上記1で得られた結果について、FFT解析を行った。具体的には、上記1で得られた形状および膜厚分布を窓関数としてハニング窓を掛け算し、FFT解析を行った。計算の際、傾き成分・直流成分は除去した上で、Microsoft Excelの分析ツールを使用した。FFT変換、振幅の計算のため、得られた絶対値を16(データ点数32点÷2)で割り算し、その後ハニング窓による処理の影響を考慮して2倍した。
なお、シリコン基板が下方(LT基板が配置されない側)に凸の形状の場合、ハニング窓を掛け算した際に不要な周波数成分が発生したため、シリコン基板が上方に凸の形状になるよう、各データを最大値から引き算することでデータを反転させて計算を行った。
実施例の結果を図5Cおよび図5Dに示し、比較例の結果を図6Cおよび図6Dに示す。
上記実施例および比較例について下記の評価を行った。
1.平坦度(形状)および厚み(膜厚分布)の測定
斜入射干渉法フラットネステスター(NIDEK社製の「FT-17」)により両面研磨後のシリコン基板のX軸方向の平坦度を測定した。また、得られた複合基板のLT層のX軸方向の厚みを、顕微分光膜厚計(大塚電子社製の「OPTM」)により測定した。具体的には、ウェハの中心を原点とした時の-43.4mm~+43.4mmの範囲を2.8mmピッチにて32点を測定した。
実施例のシリコン基板の結果を図5Aに、実施例のLT層の結果を図5Bに示す。また、比較例のシリコン基板の結果を図6Aに、比較例のLT層の結果を図6Bに示す。なお、図5A,図5Bおよび図6A,図6Bに示すグラフでは、厚みの平均値を差し引いた値を示している。
2.FFT(Fast Fourier Transform)解析
上記1で得られた結果について、FFT解析を行った。具体的には、上記1で得られた形状および膜厚分布を窓関数としてハニング窓を掛け算し、FFT解析を行った。計算の際、傾き成分・直流成分は除去した上で、Microsoft Excelの分析ツールを使用した。FFT変換、振幅の計算のため、得られた絶対値を16(データ点数32点÷2)で割り算し、その後ハニング窓による処理の影響を考慮して2倍した。
なお、シリコン基板が下方(LT基板が配置されない側)に凸の形状の場合、ハニング窓を掛け算した際に不要な周波数成分が発生したため、シリコン基板が上方に凸の形状になるよう、各データを最大値から引き算することでデータを反転させて計算を行った。
実施例の結果を図5Cおよび図5Dに示し、比較例の結果を図6Cおよび図6Dに示す。
図5Bに示すように、実施例では、LT層の膜厚精度に優れた複合基板が得られることがわかる。
本発明の実施形態による複合基板は、代表的には、弾性表面波素子に好適に用いられ得る。
10 支持基板
20 圧電層
100 複合基板
20 圧電層
100 複合基板
Claims (6)
- 支持基板と、
前記支持基板の片側に配置される圧電層と、を有し、
前記支持基板の形状の空間周波数0.045cyc/mmを超えるうねりの振幅が10nm以下である、
複合基板。 - 前記圧電層の第一地点における厚みT1と第二地点における厚みT2との差の絶対値は、100nm以下である、請求項1に記載の複合基板。
- 前記圧電層の厚みは5μm以下である、請求項1または2に記載の複合基板。
- 互いに対向する第一主面および第二主面を有する圧電基板の前記第一主面側に、支持基板を接合すること、および、
前記圧電基板の第二主面側の表面を研磨すること、を含み、
前記支持基板の形状の空間周波数0.045cyc/mmを超えるうねりの振幅が10nm以下である、
複合基板の製造方法。 - 前記圧電基板を研磨して得られる圧電層の第一地点における厚みT1と第二地点における厚みT2との差の絶対値は、100nm以下である、請求項4に記載の製造方法。
- 前記圧電基板を研磨して得られる圧電層の厚みは5μm以下である、請求項4または5に記載の製造方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202280002596.1A CN115707351A (zh) | 2021-06-11 | 2022-02-18 | 复合基板及复合基板的制造方法 |
EP22751240.7A EP4124679A4 (en) | 2021-06-11 | 2022-02-18 | COMPOSITE SUBSTRATE AND METHOD FOR MANUFACTURING COMPOSITE SUBSTRATE |
KR1020227024425A KR20220167370A (ko) | 2021-06-11 | 2022-02-18 | 복합 기판 및 복합 기판의 제조 방법 |
US17/818,040 US20220399872A1 (en) | 2021-06-11 | 2022-08-08 | Composite substrate and method of producing composite substrate |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2021097962A JP7075529B1 (ja) | 2021-06-11 | 2021-06-11 | 複合基板および複合基板の製造方法 |
JP2021-097962 | 2021-06-11 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
US17/818,040 Continuation US20220399872A1 (en) | 2021-06-11 | 2022-08-08 | Composite substrate and method of producing composite substrate |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
WO2022259627A1 true WO2022259627A1 (ja) | 2022-12-15 |
Family
ID=81746672
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
PCT/JP2022/006547 WO2022259627A1 (ja) | 2021-06-11 | 2022-02-18 | 複合基板および複合基板の製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (2) | JP7075529B1 (ja) |
TW (1) | TW202315313A (ja) |
WO (1) | WO2022259627A1 (ja) |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0992895A (ja) * | 1995-07-19 | 1997-04-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 圧電素子とその製造方法 |
JP2001085648A (ja) * | 1999-07-15 | 2001-03-30 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 貼り合わせウエーハの製造方法および貼り合わせウエーハ |
JP2004214505A (ja) * | 2003-01-07 | 2004-07-29 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | 表面形状の測定方法、表面形状の測定プログラム及び記録媒体 |
JP2014086400A (ja) | 2012-10-26 | 2014-05-12 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 高速原子ビーム源およびそれを用いた常温接合装置 |
WO2016158965A1 (ja) * | 2015-03-30 | 2016-10-06 | 京セラ株式会社 | 素子製造方法 |
WO2019244471A1 (ja) * | 2018-06-22 | 2019-12-26 | 日本碍子株式会社 | 接合体および弾性波素子 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08148957A (ja) * | 1994-11-18 | 1996-06-07 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 圧電薄膜ウェハーおよびその製造法 |
JP5871282B2 (ja) * | 2013-03-27 | 2016-03-01 | 信越化学工業株式会社 | 圧電性酸化物単結晶ウェーハの製造方法。 |
KR102326982B1 (ko) * | 2018-05-17 | 2021-11-16 | 엔지케이 인슐레이터 엘티디 | 압전성 단결정 기판과 지지 기판의 접합체 |
-
2021
- 2021-06-11 JP JP2021097962A patent/JP7075529B1/ja active Active
-
2022
- 2022-02-18 WO PCT/JP2022/006547 patent/WO2022259627A1/ja unknown
- 2022-03-25 TW TW111111277A patent/TW202315313A/zh unknown
- 2022-05-12 JP JP2022078984A patent/JP2022189738A/ja active Pending
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0992895A (ja) * | 1995-07-19 | 1997-04-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 圧電素子とその製造方法 |
JP2001085648A (ja) * | 1999-07-15 | 2001-03-30 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 貼り合わせウエーハの製造方法および貼り合わせウエーハ |
JP2004214505A (ja) * | 2003-01-07 | 2004-07-29 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | 表面形状の測定方法、表面形状の測定プログラム及び記録媒体 |
JP2014086400A (ja) | 2012-10-26 | 2014-05-12 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 高速原子ビーム源およびそれを用いた常温接合装置 |
WO2016158965A1 (ja) * | 2015-03-30 | 2016-10-06 | 京セラ株式会社 | 素子製造方法 |
WO2019244471A1 (ja) * | 2018-06-22 | 2019-12-26 | 日本碍子株式会社 | 接合体および弾性波素子 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW202315313A (zh) | 2023-04-01 |
JP7075529B1 (ja) | 2022-05-25 |
JP2022189405A (ja) | 2022-12-22 |
JP2022189738A (ja) | 2022-12-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6427714B2 (ja) | 接合体および弾性波素子 | |
KR101972728B1 (ko) | 접합체 및 탄성파 소자 | |
KR102428548B1 (ko) | 접합 방법 | |
JP6567970B2 (ja) | 複合基板の製法 | |
TWI780103B (zh) | 彈性波元件及其製造方法 | |
CN111066243B (zh) | 弹性波元件及其制造方法 | |
KR102249061B1 (ko) | 접합체 및 탄성파 소자 | |
KR20210006995A (ko) | 접합체 및 탄성파 소자 | |
WO2022259627A1 (ja) | 複合基板および複合基板の製造方法 | |
EP4047819A1 (en) | Composite substrate for elastic wave device | |
US20220399872A1 (en) | Composite substrate and method of producing composite substrate | |
JP6776484B1 (ja) | 複合基板および弾性波素子 | |
WO2020250490A1 (ja) | 複合基板、弾性波素子および複合基板の製造方法 | |
WO2024004333A1 (ja) | 複合基板および複合基板の製造方法 | |
WO2023135844A1 (ja) | 複合基板の製造方法 | |
JP6612002B1 (ja) | 接合体および弾性波素子 | |
JPWO2018203430A1 (ja) | 弾性波素子およびその製造方法 | |
CN113939998A (zh) | 复合基板、弹性波元件及复合基板的制造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
ENP | Entry into the national phase |
Ref document number: 2022751240 Country of ref document: EP Effective date: 20220825 |
|
NENP | Non-entry into the national phase |
Ref country code: DE |