TWI742104B - 彈性表面波裝置用複合基板的製造方法 - Google Patents
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Abstract
本發明課題在於提供一種在貼合後的步驟中加熱至400℃以上，也不會發生壓電單晶膜的整面剝落的彈性表面波裝置用複合基板。
解決手段為準備壓電單晶基板與支持基板，在壓電單晶基板與支持基板的至少任一者形成由無機材料構成的膜，將壓電單晶基板與支持基板，以夾持由無機材料構成的膜的方式予以接合來製造複合基板。
Description
本發明係有關於一種彈性表面波裝置用複合基板的製造方法。
近年來，在以智慧型手機為代表的行動通訊市場中，通訊量急遽增加。為因應此問題而增加所需之頻帶數，則必然需要達到各種零件的小型化、高性能化。一般的壓電材料之鉭酸鋰(Lithium Tantalate：LiTaO3，下稱「LT」)或鈮酸鋰(Lithium Niobate：LiNbO3，下稱「LN」)係廣泛作為彈性表面波(SAW)裝置的材料使用。然而，此等材料雖具有較大的機電耦合常數而能夠達到寬頻化，但另一方面存有溫度穩定性較低，可隨溫度變化而對應的頻率發生位移的問題。此係緣於鉭酸鋰或鈮酸鋰具有極高的熱膨脹係數之故。
為減少此問題，有人提出一種對壓電材料之LT或LN的其中一面貼合熱膨脹係數較低的材料，並將另一面以研磨等薄化成數μm~數十μm的方法(非專利文獻1)。於此方法中，係藉由貼合低熱膨脹係數材料(藍寶石、矽等)來抑制LT或LN的熱膨脹，而改善溫度特性。
圖14示出將各種材料的熱膨脹係數作成圖表者。
然而，採用此方法時，由於將薄型壓電單晶膜之LT膜或LN膜層合於低熱膨脹係數材料之支持基板，而發生***振頻帶產生所稱假訊號或漣波之雜訊的別的問題。圖15(a)為表示在由層合於Si上之20μm厚LT膜所構成的複合基板上所製作之4層梯式濾波器的S11特性(反射特性)的圖形；圖15(b)為表示S12特性(***損耗特性)的圖形。圖15(b)中***損耗較小之通帶的上方的頻率產生了圖15(a)所示之S11的漣波。茲將此S11的漣波之山與谷的差定義為強度(amplitude)。
參考文獻2中提出用來解決此問題的方法。此方法係將LT的貼合面以1000號之研磨石獲得粗化Ra(算術平均粗糙度)為300nm的粗糙度後經由接著劑與支持基板貼合者。然而，就非專利文獻2之方法，係使用有機物接著劑來進行貼合，由可靠性觀點而言存有待研究之課題。具體而言，係預定實施在貼合後對基板表面進行圖型化、進行切割，並將晶片安裝於裝置上之多項步驟，而於此過程中要重複加熱至250~400℃的處理。其結果，構成接著劑的有機物發生變質，而發生貼合基板的壓電單晶膜剝落、產生破裂等問題。
[非專利文獻1]太陽誘電股份有限公司，「用於智慧
型手機之RF前端之SAW-Duplexer的溫度補償技術」，電波新聞高科技，2012年11月
[非專利文獻2]H.Kobayashi et al., "A study on Temperature-Compensated Hybrid Substrates for Surface Acoustic Wave Filters", IEEE International Ultrasonics Symposium, 2010, Vol.1, p.637-640。
本發明之目的在於提供一種在貼合後的步驟中加熱至400℃以上，也不會發生壓電單晶膜的整面剝落的彈性表面波裝置用複合基板。
(1)於本發明之彈性表面波裝置用複合基板的製造方法中，係準備壓電單晶基板與支持基板，在壓電單晶基板與支持基板的至少任一者形成由無機材料構成的膜，將壓電單晶基板與支持基板，以夾持由無機材料構成的膜的方式予以接合來製造複合基板。
於本發明中，係使用形成於兩者之間的無機材料膜替代接著劑來進行壓電單晶膜與支持基板的接合。藉此，在接合後的步驟中加熱至400℃以上，也可防止如以接著劑接合時般壓電單晶膜發生整面剝落的情形。
(2)亦可在壓電單晶基板與支持基板的至少
任一者形成凹凸結構，並將由無機材料構成的膜形成於該凹凸結構上。藉由形成凹凸結構，可抑制假訊號的產生。
(3)藉由使凹凸結構的粗糙度Ra成為100nm以上，可有效抑制假訊號的產生。
(4)藉由使凹凸結構的粗糙度RSm與作為彈性表面波裝置使用時之波長的比之RSm/波長的數值為0.2以上7以下，可更有效地抑制假訊號的產生。
(5)藉由在接合在至少任一者形成有由無機材料構成的膜之壓電單晶基板與支持基板前，先將各者之接合面平坦化，而容易進行接合。
(6)藉由對經平坦化之各者之接合面的至少任一者實施表面活化處理後予以接合，而更容易進行接合。
(7)作為適用之表面活化處理，較適宜為例如臭氧水處理、UV臭氧處理、離子束處理、電漿處理。
(8)無機材料的膜之形成可藉由例如化學氣相沉積法來進行。
(9)在化學氣相沉積法中，透過使用包含矽烷的反應氣體，可有效地成膜。
(10)無機材料的膜之形成亦可藉由物理氣相沉積法來進行。
(11)物理氣相沉積法若採用磁控濺鍍方式，則不需要用來獲得高密度的膜之烘乾，而能夠防止烘乾後的應力緩和所致之基板的翹曲的產生。
(12)在高溫下進行無機材料的膜之形成，則回至室溫時容易發生翹曲或龜裂等，因此成膜宜在70℃以下的低溫進行。
(13)藉由使將形成之無機材料的膜加熱至400~600℃時的體積收縮率為10%以下，可使壓電單晶膜不易發生剝落。
(14)無機材料的膜之形成亦可藉由對形成有凹凸結構的面塗佈有機矽化合物溶液，並進行硬化、燒結來進行。
(15)成膜時之有機矽化合物的硬化係以使溶媒揮發為目的者，頂多為暫硬化，因此，宜在例如250℃以下的低溫使其硬化。
(16)成膜時之有機矽化合物的燒結，為防止因過度的體積收縮導致壓電單晶膜容易發生剝落，宜在例如600℃以下的溫度進行燒結。
(17)藉由使將有機矽化合物硬化後至燒結後為止的體積收縮率為10%以下，可使壓電單晶膜不易發生剝落。
(18)作為可將體積收縮率壓低至10%以下的有機矽化合物，可舉出例如含有全氫聚矽氮烷或甲基三甲氧基矽烷者。
(19)作為壓電單晶基板的素材，較適宜為鉭酸鋰或鈮酸鋰。
(20)作為支持基板的素材，較適宜為矽、
附氧化膜之矽、玻璃、石英、氧化鋁、藍寶石、碳化矽、氮化矽。
(21)供成膜之無機材料較適宜為SiOx(x=2±0.5)、SiON、SiN、非晶Si、多晶Si、非晶SiC。
10‧‧‧壓電單晶基板
11、21‧‧‧凹凸結構
12、22‧‧‧平坦的表面
20‧‧‧支持基板
22‧‧‧離子注入區域
30‧‧‧無機材料膜
32‧‧‧經平坦化的表面
圖1為說明本發明第1製造方法的圖。
圖2為說明本發明第2製造方法的圖。
圖3為說明本發明第3製造方法的圖。
圖4為表示具有同等程度的Ra，且具有不同RSm之粗面的實例的圖。
圖5為表示形成圖4之各粗面時之假訊號強度的差異的圖。
圖6為表示LT基板為粗面且支持基板為平坦面時之RSm/波長與假訊號強度的關係的圖。
圖7為表示LT基板為平坦面且支持基板為粗面時之RSm/波長與假訊號強度的關係的圖。
圖8為表示LT基板與支持基板兩者皆為粗面時之RSm/波長與假訊號強度的關係的圖。
圖9為表示在LT基板上堆積SiO2時之影像的圖。
圖10為表示在Si基板上堆積SiO2時之影像的圖。
圖11為表示無機材料膜的體積收縮率與有無膜剝落的關係的圖。
圖12為以AFM(原子力顯微鏡)測量實施例中製作之矽基板表面的凹凸結構之剖面曲線的一例。
圖13為實施例中製作之矽基板表面的凹凸結構之SEM(掃描型電子顯微鏡)觀察影像的一例。
圖14為表示各種材料的熱膨脹係數的圖。
圖15為表示在層合於矽基板上的LT膜所作成之共振器的反射衰減量的一例的圖。
本發明之彈性表面波裝置用複合基板的製造方法為藉由將壓電單晶基板與支持基板經由無機材料的膜貼合來製造複合基板的方法，依據凹凸結構的形成形態，可採用以下3種方法。
一面參照圖1一面說明第1製造方法。第1製造方法為在由鉭酸鋰或鈮酸鋰基板構成的壓電單晶基板10形成凹凸結構11，在由矽、附氧化膜之矽、玻璃、石英、氧化鋁、藍寶石、碳化矽、或氮化矽構成的支持基板20未形成凹凸結構的方法。對壓電單晶基板10之凹凸結構的形成，可藉由例如使用游離磨料進行研磨等來進行。在壓電單晶基板10之形成有凹凸結構的面，形成由SiOx(x=2±0.5)、SiON、SiN、非晶Si、多晶Si、非晶SiC等無機材料所構成的無機材料膜30，並將此無機材料膜30平坦化。接著，對無機材料膜30之經平坦化的表面32與預先
形成於支持基板20之平坦的表面22的至少任一者實施表面活化處理。然後，將無機材料膜30之經平坦化的表面32與支持基板20之平坦的表面22接合，並將接合體之壓電單晶基板10的部分藉由進行研磨等予以薄化而完成複合基板。
一面參照圖2一面說明第2製造方法。第2製造方法為在由矽、附氧化膜之矽、玻璃、石英、氧化鋁、藍寶石、碳化矽、或氮化矽構成的支持基板20形成凹凸結構21，在由鉭酸鋰或鈮酸鋰基板構成的壓電單晶基板10未形成凹凸結構的方法。對支持基板20之凹凸結構的形成，可藉由例如浸漬於氫氧化鈉水溶液等來進行。在支持基板20之形成有凹凸結構的面，形成由SiOx(x=2±0.5)、SiON、SiN、非晶Si、多晶Si、非晶SiC等無機材料所構成的無機材料膜30，並將此無機材料膜30平坦化。接著，對無機材料膜30之經平坦化的表面32與預先形成於壓電單晶基板10之平坦的表面12的至少任一者實施表面活化處理。然後，將無機材料膜30之經平坦化的表面32與壓電單晶基板10之平坦的表面12接合，並將接合體之壓電單晶基板10的部分藉由進行研磨等予以薄化而完成複合基板。
一面參照圖3一面說明第3製造方法。第3製造方法為分別在由鉭酸鋰或鈮酸鋰基板構成的壓電單晶基板10形成凹凸結構11、在由矽、附氧化膜之矽、玻璃、石英、氧化鋁、藍寶石、碳化矽、或氮化矽構成的支持基板20形成凹凸結構21的方法。在壓電單晶基板10及支持基板20之形成有凹凸結構的面，分別形成由SiOx
(x=2±0.5)、SiON、SiN、非晶Si、多晶Si、非晶SiC等無機材料所構成的無機材料膜30，並將此無機材料膜30平坦化。接著，對各無機材料膜30之經平坦化的表面32的至少任一者實施表面活化處理。然後，將各無機材料膜30之經平坦化的表面32接合，並將接合體之壓電單晶基板10的部分藉由進行研磨等予以薄化而完成複合基板。
透過使用形成於兩者之間的無機材料膜替代接著劑來進行壓電單晶膜與支持基板的接合，在接合後的步驟中加熱至400℃以上，也可防止如以接著劑接合時，壓電單晶膜發生整面剝落的情形。又，藉由形成凹凸結構，可抑制假訊號的產生。尤其是，藉由使凹凸結構的粗糙度Ra成為100nm以上，可有效抑制假訊號的產生。
再者，當Ra為100nm以上時，凹凸之周期的控制，對假訊號大小的控制比Ra的控制更有效。
為確認參數的影響度，首先，使用表面經粗化成同等程度的2個LT基板測定假訊號的強度。將藉由原子力顯微鏡(AFM)觀測到的各試樣的表面性質狀態分別示於圖4(a)、(b)。圖4(a)為試樣A的表面性質狀態，Ra為108nm。圖4(b)為試樣B的表面性質狀態，Ra為103nm。亦即，2個試樣其Ra雖為同等程度，但由圖4可知凹凸之周期不同。將此等LT基板之經粗化的面藉由接著劑與支持基板之Si基板之平坦的面接合，將LT基板薄化至20μm而分別製成共振器。將由各試樣製作之共振器的假訊號的測定結果示於圖5。由此測定結果可知，縱為同等程度的Ra，若
凹凸之周期不同則假訊號的強度亦不同。
其次，準備數片表面為同等程度(以Ra表示為300nm±10%)的粗糙度，且凹凸周期不同的LT基板，對此等LT基板的粗化面，藉由電漿CVD法於35℃以10μm左右的厚度形成SiO2膜。然後，研磨形成之SiO2膜予以平坦化後，對經平坦化的SiO2膜與支持基板之Si基板的平坦面兩者實施表面活化處理後予以接合，並將LT基板薄化至20μm而分別製成共振器。此外，不同的凹凸周期係使用不同的游離磨料形成，Ra的調整係藉由調整游離磨料的研磨時間來進行。將由各試樣製作之4層梯式濾波器的假訊號的測定結果示於圖6。此處的橫軸為RSm(表示凹凸之周期的JIS粗糙度參數)除以使用構成4層梯式濾波器之共振器時的波長(此處為5μm)所得的值。RSm係由100×100μm之AFM影像的剖面算出。由此測定結果，可知RSm/波長的值為0.2~7時可有效減少假訊號。茲認為這是因為，凹凸之周期過大的話，不易發生凹凸所引起的散射；另一方面，過小的話則該波長不受凹凸控制之故。此外，使用不同波長時，在同樣的RSm/波長值的範圍亦可獲得假訊號減少效果。
分別將針對接合平坦的LT基板與表面經粗化的支持基板之情形進行同樣實驗的結果示於圖7、將針對接合表面經粗化LT基板與表面經粗化支持基板之情形進行同樣實驗的結果示於圖8。在任一情況下，在同樣的RSm/波長值的範圍皆可獲得假訊號低減效果。尤其是為後者時
可獲得最大的減少效果。
藉由在接合在至少任一者形成有無機材料膜之壓電單晶基板與支持基板前，先將各者之接合面平坦化，而容易進行接合。
藉由對經平坦化之各者之接合面的至少任一者實施表面活化處理後予以接合，而更容易進行接合。作為適用之表面活化處理，較適宜為例如臭氧水處理、UV臭氧處理、離子束處理、電漿處理。
無機材料膜之形成，較適宜為例如藉由化學氣相沉積法(CVD法)、物理氣相沉積法(PVD法)、或塗佈有機矽化合物溶液並進行硬化.燒結的方法。
在CVD法中，透過使用包含矽烷的反應氣體，可有效地成膜。
CVD法為作為堆積SiO2之方法中屬優良的方法，但因成膜溫度為超過125~250℃附近，使實施過成膜的基板回至室溫時會顯著產生翹曲或龜裂，而不易實施鏡面研磨。尤其是在LT基板堆積SiO2時影響較大。例如，分別將藉由PECVD法於350℃將SiO2堆積於4吋LT上達10μm左右，並回至室溫時的光學顯微鏡照片示於圖9(a)、將AFM影像示於圖9(b)。由圖9可知，在高溫化下堆積後回至室溫時，基板朝凸側翹曲，且因SiO2膜承受強壓縮應力，無法完全收縮而***成網眼狀。藉由同樣的方法將SiO2堆積於Si上時亦如圖10(a)(光學顯微鏡照片)、(b)(AFM影像)所示，程度雖較輕但發生同樣的現象。此現
象之程度的差異，茲認為係起因於相對於Si與SiO2的膨脹係數的差為約2ppm/K，若為LT與SiO2時則為15ppm/K左右而極大(參照圖14)。
以CVD法形成無機材料膜時，為使(成膜溫度-室溫)=△T、與基板的熱膨脹係數/無機材料膜的熱膨脹係數=△E滿足△T‧△E≦3500ppm的關係而較佳降低成膜溫度。更佳為，較理想滿足△T‧E≦750ppm的關係。在LT基板上形成SiO2膜時，雖因成膜厚度而異，但較佳使成膜溫度為250℃以下，更佳使其為70℃以下。因此，CVD法的具體方式當中，較適宜為低溫CVD法、低溫PECVD法、或可透過以感應耦合電漿(ICP)進行氣體的分解來謀求反應之低溫化的ICP-CVD法等。
形成之無機材料膜中含有大量雜質(氫氣、水分等)時，則會由膜中產生稱為排氣的揮發成分而使可靠性降低，因此需形成高純度的膜。例如，將LT基板與以各種方法形成的SiO2基板隔著無機材料膜地接合，將LT基板薄化成10μm，並嘗試進行400℃、12小時的熱處理。將結果示於圖11。由圖11可知，對於熱處理後的體積收縮為10%以上者會發生膜剝落。茲認為此係因膜中的雜質產生排氣，其到達接合界面而引起膜剝落。
就PVD法，例如大致可藉由濺鍍法在室溫下使膜生長，但因形成的膜不夠緻密，而需進行烘乾。此時，由於體積會收縮，在烘乾溫度下膜達應力緩和，因此回至室溫時容易發生基板的翹曲或龜裂。因此，亦可透過
採用可獲得高密度的膜之磁控濺鍍方式以免除烘乾，來避免烘乾後的應力緩和所致之基板的翹曲的產生。
使用有機矽化合物(烷氧基矽烷、矽氮烷、矽氧烷等)的溶液塗佈於晶圓上並進行燒結時，成膜時之有機矽化合物的硬化係以使溶媒揮發為目的者，頂多為暫硬化，因此，宜在例如250℃以下的低溫使其硬化。又，成膜時經暫硬化之有機矽化合物的燒結，為防止因過度的體積收縮導致壓電單晶膜容易發生剝落，宜在例如600℃以下的溫度進行燒結。再者，藉由使將有機矽化合物硬化後至燒結後為止的體積收縮率為10%以下，可使壓電單晶膜不易發生剝落。作為可將體積收縮率壓低至10%以下的有機矽化合物，可舉出例如含有全氫聚矽氮烷或甲基三甲氧基矽烷者。若為全氫聚矽氮烷時可望為7%左右；而為甲基三甲氧基矽烷時則可望為9%左右的體積收縮率。
無機材料膜的成膜厚度，為了進行良好的鏡面研磨，宜取底層之粗面之Ra的約20倍以上或Rz(最大高度)的約2倍以上。又，底層之粗面的橫向長周期粗糙度成分有不易平坦化的傾向，尤為RSm為數十μm時有其影響。此時，宜形成例如RSm的0.2倍以上。
此外，本發明非限定於上述實施形態。上述實施形態僅為例示，與本發明之申請專利範圍所記載的技術思想實質上具有同一構成、發揮同樣的作用效果者均包含於本發明技術範圍。
作為支持基板係使用矽基板100mm徑Si(4000μm厚)，作為壓電單晶基板則使用鉭酸鋰100mm徑LT(0.30mm厚)。矽基板表面的凹凸結構係藉由浸漬於50~90℃、2wt%的氫氧化鈉水溶液，並進行5~20分處理來製作。鉭酸鋰基板表面的凹凸結構則是透過使用游離磨料進行研磨來製作。測量各凹凸結構面之100×100μm的AFM影像，由其剖面資料依循ISO4287：1997(對應JIS B0601：2001)所規定的算出法算出各面的Ra及RSm。圖12與圖13係分別為以AFM(原子力顯微鏡)測量將100面之矽基板(鏡面)在86℃的氫氧化鈉水溶液中進行10分鐘浸漬處理所製作之矽基板表面的凹凸結構所得的剖面曲線與SEM(掃描型電子顯微鏡)觀察影像的一例。圖12為RSm=3μm、Ra=280nm的情形。
對具有凹凸結構之粗面，形成SiO2膜作為無機材料膜。SiO2膜通常係使用濺鍍、高密度磁控濺鍍、有機矽化合物燒結(實施例5，6及20中係使用AZ製ANN120-20全氫聚矽氮烷的二丁醚溶液；實施例7，8及21中係使用信越化學製KBM-13甲基三甲氧基矽烷的丙二醇單***溶液)、低溫CVD、PECVD分別以10μm左右(就實施例20、21分別為26μm、30μm)的厚度形成後，藉由研磨而磨成鏡面。
對支持基板與壓電單晶基板此兩者的鏡面實施電漿活化予以接合，並將接合體之壓電單晶基板的部分
藉由研磨薄化成10μm。
藉由以上的製造方法，製造使各參數值有23種(實施例21種、比較例2種)差異的多片彈性表面波裝置用複合基板，並進行400℃、12小時的熱處理來判定製成的各彈性表面波裝置用複合基板是否可耐受後續步驟的加熱。此外，就比較例係使用UV硬化環氧樹脂接著劑來替代形成SiO2膜。表1示出各實施例的判定結果。
藉由將壓電單晶基板與支持基板經由無機材料膜接合，有別於藉由接著劑之接合，可獲得在400℃的加熱下也不會發生整面剝落的複合基板。
藉由PVD法成膜(實施例1~4)時，由於係藉由高密度磁控濺鍍而能夠不發生膜剝落地形成複合基板。又，採用任一種成膜方法時，將粗面形成於何種基板均不會影響結果。
使用有機矽化合物溶液塗佈成晶圓狀並進行燒結時(實施例5~8)，藉由將粗面形成於壓電單晶基板，可不發生膜剝落地形成複合基板。又，將粗面形成於支持基板時，藉由成膜為RSm×0.2以上而較厚，亦可不發生膜剝落地形成複合基板(實施例20、21)。
藉由CVD法成膜時，當成膜溫度為70℃以下時(實施例9~13)，採用任一種成膜方法時，皆可不發生膜剝落地形成複合基板。成膜溫度為75℃時(實施例14、15)，則會發生些微膜剝落。又，雖可貼合，但貼合狀態稍差。成膜溫度達125℃以上(實施例16~19)，則膜一部分剝落等顯著發生基板的翹曲所產生的影響。又，若為125℃時，僅於支持基板形成粗面時雖可貼合，但在壓電單晶基板形成粗面時則無法充分貼合。再者，當成膜溫度為250℃時，僅於支持基板形成粗面時亦無法充分貼合。
如以上所述，根據本發明之製造方法，可抑制壓電單晶膜的整面剝落；藉由適切地設定參數，可於廣
泛條件下製造合格品。
10‧‧‧壓電單晶基板
11‧‧‧凹凸結構
20‧‧‧支持基板
22‧‧‧離子注入區域
30‧‧‧無機材料膜
32‧‧‧經平坦化之表面
Claims (17)
- 一種彈性表面波裝置用複合基板的製造方法，其中，準備壓電單晶基板與支持基板，在前述壓電單晶基板與前述支持基板的至少任一者上，形成粗糙度RSm與作為彈性表面波裝置使用時之波長的比之RSm/波長的數值為0.2以上7以下之凹凸結構，無機材料構成的膜係形成於前述凹凸結構上，將前述壓電單晶基板與前述支持基板，以夾持前述由無機材料構成的膜的方式予以接合。
- 如請求項1之彈性表面波裝置用複合基板的製造方法，其中前述凹凸結構的粗糙度Ra為100nm以上。
- 如請求項1或2之彈性表面波裝置用複合基板的製造方法，其中在至少任一者形成有由無機材料構成的膜之前述壓電單晶基板與前述支持基板的接合前，先將各者之接合面平坦化。
- 如請求項3之彈性表面波裝置用複合基板的製造方法，其中對經平坦化之前述各者之接合面的至少任一者實施表面活化處理後予以接合。
- 如請求項4之彈性表面波裝置用複合基板的製造方 法，其中前述表面活化處理為臭氧水處理、UV臭氧處理、離子束處理、電漿處理中任一種。
- 如請求項1或2之彈性表面波裝置用複合基板的製造方法，其中前述無機材料的膜之形成係藉由對形成有前述凹凸結構的面上塗佈有機矽化合物的溶液，並進行硬化、燒結來進行。
- 如請求項6之彈性表面波裝置用複合基板的製造方法，其中將前述有機矽化合物在250℃以下的溫度下進行硬化。
- 如請求項6之彈性表面波裝置用複合基板的製造方法，其中對前述有機矽化合物在600℃以下的溫度進行燒結。
- 如請求項6之彈性表面波裝置用複合基板的製造方法，其中將前述有機矽化合物硬化後至燒結後為止的體積收縮率為10%以下。
- 如請求項6之彈性表面波裝置用複合基板的製造方法，其中前述有機矽化合物係含有全氫聚矽氮烷或甲基三甲氧基矽烷。
- 一種彈性表面波裝置用複合基板的製造方法，其中，準備壓電單晶基板與支持基板，在前述壓電單晶基板與前述支持基板的至少任一者上，將成膜後於400~600℃加熱時的體積收縮率為10%以下之無機材料所成的膜，藉由化學氣相沉積法或物理氣相沉積法形成膜，將前述壓電單晶基板與前述支持基板，以夾持前述由無機材料構成的膜的方式予以接合。
- 如請求項11之彈性表面波裝置用複合基板的製造方法，其中前述化學氣相沉積法的反應氣體係包含矽烷。
- 如請求項11之彈性表面波裝置用複合基板的製造方法，其中前述物理氣相沉積法為磁控濺鍍方式。
- 如請求項11至13中任一項之彈性表面波裝置用複合基板的製造方法，其中前述無機材料的膜之形成係在70℃以下進行。
- 如請求項1、2、11至13中任一項之彈性表面波裝置用複合基板的製造方法，其中前述壓電單晶基板的素材為鉭酸鋰或鈮酸鋰。
- 如請求項1、2、11至13中任一項之彈性表面波裝置用 複合基板的製造方法，其中前述支持基板的素材為矽、附氧化膜之矽、玻璃、石英、氧化鋁、藍寶石、碳化矽、氮化矽的任一種。
- 如請求項1、2、11至13中任一項之彈性表面波裝置用複合基板的製造方法，其中前述無機材料為SiOx(x=2±0.5)、SiON、SiN、非晶Si、多晶Si、非晶SiC的任一種。
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