TWI668958B - 接合體及彈性波元件 - Google Patents
接合體及彈性波元件 Download PDFInfo
- Publication number
- TWI668958B TWI668958B TW107109932A TW107109932A TWI668958B TW I668958 B TWI668958 B TW I668958B TW 107109932 A TW107109932 A TW 107109932A TW 107109932 A TW107109932 A TW 107109932A TW I668958 B TWI668958 B TW I668958B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- single crystal
- substrate
- bonding layer
- piezoelectric single
- crystal substrate
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 185
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 95
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 18
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 10
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-pyrazole-3-carboxylic acid Chemical compound CC1=CC(C(O)=O)=NN1 WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 10
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052863 mullite Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 claims description 3
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052878 cordierite Inorganic materials 0.000 claims description 2
- JSKIRARMQDRGJZ-UHFFFAOYSA-N dimagnesium dioxido-bis[(1-oxido-3-oxo-2,4,6,8,9-pentaoxa-1,3-disila-5,7-dialuminabicyclo[3.3.1]nonan-7-yl)oxy]silane Chemical compound [Mg++].[Mg++].[O-][Si]([O-])(O[Al]1O[Al]2O[Si](=O)O[Si]([O-])(O1)O2)O[Al]1O[Al]2O[Si](=O)O[Si]([O-])(O1)O2 JSKIRARMQDRGJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 claims description 2
- CSDREXVUYHZDNP-UHFFFAOYSA-N alumanylidynesilicon Chemical compound [Al].[Si] CSDREXVUYHZDNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract description 9
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 101
- 239000010408 film Substances 0.000 description 19
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 description 18
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 description 14
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 14
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 14
- 230000003472 neutralizing effect Effects 0.000 description 11
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 10
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 9
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 6
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 6
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- 235000019687 Lamb Nutrition 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 3
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 1
- 238000010913 antigen-directed enzyme pro-drug therapy Methods 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005380 borophosphosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 229920006332 epoxy adhesive Polymers 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000012774 insulation material Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 238000006386 neutralization reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005360 phosphosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 1
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 description 1
- RIUWBIIVUYSTCN-UHFFFAOYSA-N trilithium borate Chemical compound [Li+].[Li+].[Li+].[O-]B([O-])[O-] RIUWBIIVUYSTCN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02543—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles
- H03H9/02574—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles of combined substrates, multilayered substrates, piezoelectrical layers on not-piezoelectrical substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02543—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles
- H03H9/02559—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles of lithium niobate or lithium-tantalate substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/25—Constructional features of resonators using surface acoustic waves
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/08—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of resonators or networks using surface acoustic waves
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02007—Details of bulk acoustic wave devices
- H03H9/02015—Characteristics of piezoelectric layers, e.g. cutting angles
- H03H9/02031—Characteristics of piezoelectric layers, e.g. cutting angles consisting of ceramic
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02818—Means for compensation or elimination of undesirable effects
- H03H9/02834—Means for compensation or elimination of undesirable effects of temperature influence
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders; Supports
- H03H9/058—Holders; Supports for surface acoustic wave devices
- H03H9/0585—Holders; Supports for surface acoustic wave devices consisting of an adhesive layer
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
- H03H9/145—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks using surface acoustic waves
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
- H03H9/145—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks using surface acoustic waves
- H03H9/14538—Formation
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/15—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
- H03H9/17—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/01—Manufacture or treatment
- H10N30/07—Forming of piezoelectric or electrostrictive parts or bodies on an electrical element or another base
- H10N30/072—Forming of piezoelectric or electrostrictive parts or bodies on an electrical element or another base by laminating or bonding of piezoelectric or electrostrictive bodies
- H10N30/073—Forming of piezoelectric or electrostrictive parts or bodies on an electrical element or another base by laminating or bonding of piezoelectric or electrostrictive bodies by fusion of metals or by adhesives
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
- Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)
Abstract
依本發明之接合體具有：支持基板，由多晶陶瓷材料或單晶材料形成；壓電性單晶基板；及接合層，設置在支持基板與壓電性單晶基板之間。本發明旨在於此接合體中，提高接合層之絕緣性且提高支持基板與壓電性單晶基板之接合強度。 為達前述目的，接合體5具有：支持基板1、壓電性單晶基板4、及設置在支持基板1與壓電性單晶基板4間之接合層2A。接合層2A具有Si(1-x)
Ox
(0.008≦x≦0.408)之組成。
Description
本發明係關於壓電性單晶基板與支持基板之接合體、及利用該接合體之彈性波元件。
習知之彈性波裝置包括行動電話等所使用之可具有作為濾波元件及振盪器等的機能的彈性表面波裝置、及使用壓電薄膜之藍姆波元件與薄膜共振器[FBAR：Film Bulk Acoustic Resonator(薄膜體聲波共振器)]等之彈性波裝置。習知之此一彈性波裝置，係將支持基板及傳播彈性表面波之壓電基板予以貼合，並在壓電基板表面設置可激發彈性表面波之梳形電極。藉由如此將具有比壓電基板更小之熱膨脹係數的支持基板貼附在壓電基板上，可抑制在溫度變化時之壓電基板大小的變化，因此可抑制作為彈性表面波裝置之頻率特性的變化。 例如，專利文獻1中提議藉由以環氧接著劑形成之接著層貼合壓電基板及矽基板之構造的彈性表面波裝置。
於接合壓電基板及矽基板時，在壓電基板表面形成氧化矽膜，接著藉由氧化矽膜直接接合壓電基板及矽基板，此乃目前所習知者(專利文獻2)。在該接合時，將電漿束照射在氧化矽膜表面及矽基板表面上使表面活化，而進行直接接合。
此外，壓電基板之表面採用粗面，在該粗面上設置填充層使其平坦化，並藉由接著層將該填充層接著在矽基板上，此亦為目前所習知者(專利文獻3)。在該方法中，填充層、接著層使用環氧系、丙烯酸系之樹脂，且壓電基板之接合面採用粗面，藉以抑制體波之反射，而減少旁生發射。
此外，所謂FAB[Fast Atom Beam(快速原子束)]方式之直接接合法，亦為目前所習知者(專利文獻4)。在該方法中，在常溫下將中性化原子束照射在各接合面上使其活化而直接接合。
另一方面，專利文獻5中記載：並非對矽基板而是對於由陶瓷(氧化鋁、氮化鋁、氮化矽)形成之支持基板，藉由中間層直接接合壓電性單晶基板。該中間層之材質為矽、氧化矽、氮化矽、氮化鋁。
另一方面，專利文獻6中記載之複合基板，係在藉由有機接著層接著壓電基板與支持基板時，支持基板對壓電基板之接著面的Rt(粗度曲線之最大剖面高度)為5nm以上、50nm以下，藉此獲得因應力緩和而防止破裂之效果。
此外，專利文獻7揭示：在藉由接著層貼合壓電基板與支持基板而成之彈性波表面元件中，於壓電基板之接合面形成凹凸，並在該接合面塗布填充劑而形成填充層後，將該填充層及支持基板予以接著。於此情形中，在壓電基板之接合面設置微小之凹凸，使其算術平均粗度Ra為0.1µm，藉以抑制因體波反射產生之旁生發射。另外，藉由使支持基板之接合面的Ra成為10nm，而提高支持基板與填充層之接合強度。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2010－187373號 [專利文獻2] 美國專利第7213314B2號 [專利文獻3] 日本專利第5814727號 [專利文獻4] 日本特開2014－086400號 [專利文獻5] 日本專利第3774782號 [專利文獻6] 日本新型註冊第3184763號 [專利文獻7] 日本特開2012－085286號
[發明所欲解決的問題]
但是，吾人希望依接合體之用途，而提高接合層之電阻，藉此提高絕緣性。例如，在彈性波元件之情形，藉由提高接合體之絕緣性，可減少雜訊及損失。但是，藉由高電阻之接合層，難以將支持基板用高強度接合於壓電性單晶基板，而於後續之加工步驟中在壓電性單晶基板與支持基板之間產生剝離。
本發明之目的，係在具有由多晶陶瓷材料或單晶材料形成之支持基板、壓電性單晶基板、及設置在支持基板與壓電性單晶基板間之接合層的接合體中，提高接合層之絕緣性且提高支持基板與壓電性單晶基板之接合強度。 [解決問題的手段]
本發明之接合體的特徵為具有： 支持基板，其由多晶陶瓷材料或單晶材料形成； 壓電性單晶基板；及 接合層，其設置在前述支持基板與前述壓電性單晶基板之間，前述接合層具有Si(1-x)
Ox
(0.008≦x≦0.408)之組成。
此外，本發明之彈性波元件的特徵為具有： 前述接合體；及 電極，其設置在前述壓電性單晶基板上。 [發明的功效]
依據本發明，在具有由多晶陶瓷材料或單晶材料形成之支持基板、壓電性單晶基板、及設置在支持基板與壓電性單晶基板間之接合層的接合體中，可提高接合層之絕緣性且提高支持基板與壓電性單晶基板之接合強度。
以下，參照適當圖式，詳細說明本發明。 圖1、圖2係關於在支持基板上設置接合層，接著將該接合層直接接合在壓電性單晶基板之表面上的實施形態。
如圖1(a)所示，在由多晶陶瓷材料或單晶材料形成之支持基板1的表面1a上設置接合層2。1b係相反側之表面。此時，接合層2之表面2a可具有凹凸。
接著，在較佳實施形態中，藉由平坦化加工接合層2之表面2a，如圖1(b)所示，在接合層上形成平坦面2b。藉由該平坦化加工，通常，接合層2之厚度變小，而形成更薄之接合層2A(請參照圖1(b))。但是，平坦化加工不一定需要。接著，對接合層2A之表面2b如箭號A般照射中性化射束，使接合層2A之表面活化而成為活性化面。
另一方面，如圖1(c)所示，藉由將中性化射束照射在壓電性單晶基板4之表面上來進行活化，形成活化面4a。接著，如圖2(a)所示，藉由直接接合壓電性單晶基板4之活化面4a與接合層2A之活化面2b，製得接合體5。
在較佳實施形態中，進一步研磨加工接合體5之壓電性單晶基板4的表面4b，如圖2(b)所示地使壓電性單晶基板4A之厚度減少，製得接合體5A。4c係研磨面。
在圖2(c)中，藉由在壓電性單晶基板4A之研磨面4c上形成預定之電極6，製作彈性波元件7。
在圖3之例子中，在壓電性單晶基板4上設置接合層2，接著將該接合層2直接接合在支持基板1之表面1a上。 如圖3(a)所示，在壓電性單晶基板4之表面4a上設置接合層2。此時，接合層2之表面2a可具有凹凸。
接著，在較佳實施形態中，藉由平坦化加工接合層2之表面2a，如圖3(b)所示，在接合層2上形成平坦面2b。藉由該平坦化加工，通常，接合層2之厚度變小，因此形成更薄之接合層2A(請參照圖3(b))。但是，不一定需要平坦化加工。接著，對接合層2A之表面2b如箭號A地照射中性化射束，使接合層2A之表面活化而成為活性化面。
另一方面，如圖3(c)所示，藉由將中性化射束照射在支持基板1之表面上來進行活化，形成活化面1a。接著，如圖2(a)所示，藉由直接接合支持基板1之活化面1a及接合層2A之活化面，製得接合體5(請參照圖2(a))。然後，如圖2(b)及圖2(c)所示，進一步研磨加工接合體5之壓電性單晶基板4的表面4b，在該壓電性單晶基板4A之研磨面4c上形成預定之電極6，藉此製作彈性波元件7。
以下，進一步說明本發明之各構成元件。 在本發明中，支持基板1由多晶陶瓷材料或單晶材料形成。構成支持基板1之單晶材料宜為矽及藍寶石。此外，多晶陶瓷材料宜為選自於由富鋁紅柱石、堇青石、透光性氧化鋁及矽鋁氮氧化物構成之群組的材質。
壓電性單晶基板4之材質，具體而言，可舉例如：鉭酸鋰(LT)單晶、鈮酸鋰(LN)單晶、鈮酸鋰-鉭酸鋰固溶體單晶、水晶、硼酸鋰。其中，LT或LN為較佳。LT或LN之彈性表面波的傳播速度快且機電耦合係數大，因此適合作為高頻且寬頻用之彈性表面波裝置。此外，雖然壓電性單晶基板4之主面的法線方向沒有特別限制，但例如壓電性單晶基板4由LT形成時，因為傳播損失小，所以宜使用以彈性表面波之傳播方向的X軸為中心，由Y軸朝Z軸旋轉36至47º(例如42º)的方向。壓電性單晶基板4由LN形成時，因為傳播損失小，所以宜使用以彈性表面波之傳播方向的X軸為中心，由Y軸朝Z軸旋轉60至68º(例如64º)的方向。此外，壓電性單晶基板4之大小雖然沒有特別限制，但例如，直徑係50至150mm，且厚度係0.2至60µm。
在本發明中，具有設置於支持基板1與壓電性單晶基板4、4A間之接合層2、2A，且接合層2、2A具有Si(1-x)
Ox
(0.008≦x≦0.408)之組成。該組成係相較於SiO2
(對應於x=0.667)，氧比率非常低之組成。藉由如此之組成的矽氧化物Si(1-x)
Ox
形成的接合層2、2A對支持基板1接合壓電性單晶基板4、4A時，可提高接合強度且亦可提高接合層2、2A之絕緣性。
在構成接合層2、2A之Si(1-x)
Ox
的組成中，x小於0.008時，接合層2、2A之電阻降低，無法獲得所希望之絕緣性。因此，令x為0.008以上，但宜為0.010以上，而0.020以上更佳，且0.024以上特佳。此外，x大於0.408時，接合強度下降，壓電性單晶基板4、4A容易產生剝離，因此令x為0.408以下，但0.225以下更佳。
接合層2、2A之電阻係數宜為4.8´103
W．cm以上，而5.8´103
W．cm以上更佳，且6.2´103
W．cm以上特佳。另一方面，接合層2、2A之電阻係數一般為1.0´108
W．cm以下。
雖然接合層2、2A之厚度沒有特別限制，但由製造成本之觀點來看宜為0.01至10µm，且0.05至0.5µm更佳。 雖然接合層2、2A之成膜方法沒有限制，但可舉例如濺鍍(sputtering)法、化學蒸氣沈積法(CVD)、蒸鍍。在此，特佳的是以Si作為濺鍍標靶之反應性濺鍍時，藉由調整腔室內流動之氧氣量，可控制接合層2、2A之氧比率(x)。
雖然具體之製造條件係依腔室規格適當選擇，但理想例係全壓為0.28至0.34Pa，氧分壓為1.2´10-3
至5.7´10-2
Pa，且成膜溫度為常溫。此外，Si標靶可舉B摻雜Si為例。如後所述地，接合層2、2A與支持基板1之界面係控制成使作為不純物之B(硼)量為大約5´1018
原子/cm3
至5´1019
原子/cm3
。藉此，可更確實地擔保接合層2、2A之絕緣性。
在較佳實施形態中，接合層2、2A之表面2b及壓電性單晶基板4之表面4a直接接合，或接合層2、2A之表面2b及支持基板1之表面1a直接接合。在此情形中，接合層2、2A之表面的算術平均粗度Ra宜為1nm以下，且0.3nm以下更佳。此外，壓電性單晶基板4之表面4a、支持基板1之表面1a的算術平均粗度Ra宜為1nm以下，且0.3nm以下更佳。藉此進一步提高壓電性單晶基板4或支持基板1與接合層2、2A之接合強度。
使接合層2、2A之表面2b、壓電性單晶基板4、支持基板1之表面4a、1a平坦化之方法包括拋光(lap)研磨、化學機械拋光加工(CMP)等。
在較佳實施形態中，藉由中性化射束，可使接合層2、2A之表面2b、壓電性單晶基板4、支持基板1之表面4a、1a活化。接合層2、2A之表面2b、壓電性單晶基板4之表面4a、支持基板1之表面1a為平坦面時，特別容易直接接合。
藉由中性化射束進行表面活化時，宜使用如專利文獻4記載之裝置產生中性化射束來進行照射。即，使用鞍形場型之高速原子束源作為束源。接著，將惰性氣體導入腔室並由直流電源施加高電壓至電極。藉此，藉由電極(正極)與框體(負極)之間產生的鞍形場型電場，電子運動，接著產生惰性氣體之原子及離子束。到達柵極之束中的離子束被柵極中和，因此中性原子束由高速原子束源射出。構成束之原子種宜為惰性氣體(氬、氮等)。 藉由束照射而活化時之電壓宜為0.5至2.0kV，且電流宜為50至200mA。
接著，在真空環境中，使活性面彼此接觸、接合。此時之溫度係常溫，但具體而言宜為40℃以下，且30℃以下更佳。此外，接合時之溫度以20℃以上、25℃以下為特佳。接合時之壓力宜為100至20000N。
本發明之接合體5、5A的用途沒有特別限制，例如，可理想地適用於彈性波元件及光學元件等。 彈性表面波裝置、藍姆波元件及薄膜共振器(FBAR)等作為彈性波元件7是習知的。例如，彈性表面波裝置在壓電性單晶基板之表面上設置激發彈性表面波之輸入側的IDT(Interdigital Transducer(交指狀轉換器))電極(亦稱為梳形電極、指叉電極)及接收彈性表面波之輸出側的IDT電極。將高頻信號施加至輸入側之IDT電極時，在電極間產生電場，接著彈性表面波被激發而在壓電基板上傳播。接著，由設置在傳播方向上之輸出側的IDT電極，可取出傳播之彈性表面波作為電信號。
壓電性單晶基板4之底面上可具有金屬膜。在製造藍姆波元素作為彈性波裝置時，金屬膜具有增加壓電基板背面附近之機電耦合係數的功能。在此情形中，藍姆波元素成為在壓電性單晶基板4之表面4b、4c上形成梳狀電極，並藉由設置在支持基板1中之空腔露出壓電性單晶基板4之金屬膜的構造。如此之金屬膜的材質可舉例如：鋁、鋁合金、銅、金等。此外，製造藍姆波元素時，可使用複合基板，該複合基板具有在底面沒有金屬膜之壓電性單晶基板4。
此外，在壓電性單晶基板4之底面可具有金屬膜及絕緣膜。在製造薄膜共振器作為彈性波裝置時，金屬膜具有電極之功能。在此情形中，薄膜共振器成為在壓電性單晶基板4之表背面形成電極，並藉由使絕緣膜形成空腔而露出壓電性單晶基板之金屬膜的構造。如此之金屬膜的材質可舉例如：鉬、釕、鎢、鉻、鋁等。此外，絕緣膜之材質可舉例如：二氧化矽、磷矽玻璃、硼磷矽玻璃等。
此外，光學元件可舉例如：光切換元件、波長轉換元件、光調變元件。另外，在壓電性單晶基板4中可形成周期極化反轉構造。
將光學元件使用於本發明時，光學元件可小型化，且特別地形成周期極化反轉構造時，可防止周期極化反轉構造因加熱處理而劣化。此外，因為本發明之接合層2、2A的材料係高絕緣材料，所以藉由接合前之中性化射束處理時，可抑制極化反轉產生，且幾乎沒有破壞形成在壓電性單晶基板4中之周期極化反轉構造的形狀。 [實施例]
(實驗A) 依據參照圖2及圖3說明之方法，製作表1、表2所示之各例的接合體5、5A。 具體而言，使用具有OF部，直徑為4英吋且厚度為250µm之鉭酸鋰基板(LT基板)作為壓電性單晶基板4。LT基板使用以彈性表面波(SAW)之傳播方向為X且切出角為旋轉Y切割板的46ºY切割X傳播LT基板。壓電性單晶基板4之表面4a鏡面研磨成算術平均粗度Ra為0.3nm。但是，Ra藉由原子力顯微鏡(AFM)在10µm´10µm之視野中測量。
接著，藉由直流濺鍍法將接合層2成膜在壓電性單晶基板4之表面4a上。標靶使用硼摻雜之Si。此外，導入氧氣作為氧源。此時，藉由使氧氣導入量如表1、2所示地變化，使腔室內之環境的全壓及氧分壓變化，藉此使接合層2之氧比率(x)變化。接合層2之厚度為100至200nm。接合層2之表面2a的算術平均粗度Ra係0.2至0.6nm。接著，化學機械拋光加工(CMP)接合層2，使膜厚為80至190nm，且使Ra為0.08至0.4nm。
另一方面，準備具有定向平面(OF)部，直徑為4英吋且厚度為500µm之由Si形成的支持基板1，作為支持基板1。支持基板1之表面1a、1b藉由化學機械拋光加工(CMP)精加工，且各算術平均粗度Ra為0.2nm。
接著，沖洗接合層2A之平坦面2b及支持基板1之表面1a，去除污垢後，導入真空腔室中。真空抽吸到大約10-6
Pa後，將高速原子束(加速電壓1kV、Ar流量27sccm)分別照射在基板之接合面1a、2b上120秒鐘。接著，使接合層2A之束照射面(活化面)2b及支持基板1之活化面1a接觸後，用10000N加壓2分鐘以接合兩基板1、4(請參照圖2(a))。接著，在100℃下將製得之各例的接合體5加熱20小時。
接著，研削及研磨壓電性單晶基板4之表面4b，使厚度由起初之250µm成為1µm(請參照圖2(b))。
對製得之各例的接合體5、5A評價以下之特性。 (接合層2A中之氧比率(x)) 藉由拉塞福反向散射法在以下之條件下評價成膜在壓電性單晶基板4上的接合層2A。 裝置：National Electrostatics Corporation製Pelletron 3SDH 條件： 入射離子：4He++ 入射能量：2300keV 入射角：0至4度 散射角：110度 試料電流：10nA 束徑：2mmf 面內旋轉：無 照射量：70µC 此外，在上述條件下，不僅對接合層2A，亦對支持基板1與接合層2A之界面及支持基板1評價含有之氧比率。
(電阻係數) 在以下之條件下測量成膜在壓電性單晶基板4上之接合層2A的電阻係數(W．cm)。 裝置：Hiresta-UX MCP-HT800高電阻電阻係數計(MITSUBISHI CHEMICAL ANALYTECH公司(股)製) 條件： 探針 接線盒(J box)X型 施加電壓 1000V 測量時間 10秒
如後述表2所示，在實施例6及實施例7中，藉由四重極型二次離子質量分析裝置-(D-SIMS)，在以下之條件下測量成膜在壓電性單晶基板4上之接合層2A的不純物量。 裝置：PHI ADEPT 1010 條件： 一次離子種：O2+
一次加速電壓：3.0kV 結果，檢出B(硼)作為不純物。B量在實施例6中係7´1018
原子/cm3
，在實施例7中係8´1018
原子/cm3
。
(接合強度) 對各例之接合體5、5A，藉由裂縫開口法測量接合強度。但是，接合強度超過1.75J/m2
時，在接合層2A附近未產生剝離，且接合體5、5A產生體破壞。
(有無拋光後之剝離) 拋光加工接合體5之壓電性單晶基板4後，目視觀察有無壓電性單晶基板4A之剝離。 該等測量結果顯示在表1、表2中。
[表1]
[表2]
由該等結果可知，如實施例1至9所示，接合層2A之組成在本發明範圍內(x係0.008以上、0.408以下)時，接合強度高，且在拋光後未產生剝離且電阻係數高(電阻係數為4.9´103
Ω･cm以上、9.8´106
Ω･cm以下)。
相對於此，在接合層2A之組成中，如比較例1所示，氧比率(x)低(x係0.0001以下)時，接合層2A之電阻係數變低(電阻係數為2.3´102
Ω･cm)。另一方面，如比較例2、3所示，接合層2A之氧比率(x)高(x係0.418以上)時，接合強度變低，因此未產生體破壞，且亦未產生拋光後之剝離。
(實驗B) 在本實驗B中，與實驗A不同，如圖1、圖2所示，不僅在壓電性單晶基板4上，亦在支持基板1上成膜接合層2。 具體而言，準備具有定向平面(OF)部，直徑為4英吋且厚度為500µm之支持基板1。但是，支持基板1之材質在實施例10中係Si，在實施例11中係富鋁紅柱石，在實施例12中係矽鋁氮氧化物，在實施例13中係透光性氧化鋁燒結體，在實施例14中係藍寶石。支持基板1之表面1a、1b藉由化學機械拋光加工(CMP)精加工，且各表面之算術平均粗度Ra係0.3至1.0nm。 壓電性單晶基板4與實驗A相同。
接著，在支持基板1之表面1a上，與實驗A同樣地形成接合層2A。接著，沖洗接合層2A之平坦面2b及壓電性單晶基板4之表面4a，去除污垢後，導入真空腔室中。真空抽吸到大約10-6
Pa後，將高速原子束(加速電壓1kV、Ar流量27sccm)分別照射在基板之接合面上120秒鐘。接著，使接合層2A之束照射面(活化面)2b及壓電性單晶基板4之活化面4a接觸後，用10000N加壓2分鐘以接合兩基板(請參照圖2(a))。接著，在100℃下將製得之各例的接合體加熱20小時。
接著，研削及研磨壓電性單晶基板4之表面4b，使厚度由起初之250µm成為1µm(請參照圖2(b))。 對製得之各例的接合體5A，評價接合層2A中之氧比率(x)、電阻係數、接合強度及有無拋光後之剝離。該等測量結果顯示在表3中。
[表3]
由表3(實施例10至實施例14)及實施例6可知，即使在支持基板1側成膜接合層2A時，且使用各種陶瓷基板作為支持基板1時，亦可提高接合層2A之絕緣性且提高支持基板1與壓電性單晶基板4、4A之接合強度。
在上述說明中，接合層2A係設置在支持基板1之表面1a或壓電性單晶基板4之表面4a上。但是，不限於此，接合層2A可預先設置在預先設置另一接合層(例如，SiO2
)之支持基板1上(換言之，可在接合層2A與支持基板1之間設置另一接合層)。此外，接合層2A可預先設置在預先設置另一接合層(例如，SiO2
)之壓電性單晶基板4上(換言之，可在接合層2A與壓電性單晶基板4之間設置另一接合層)。
1‧‧‧支持基板
1a‧‧‧表面；活化面
1b‧‧‧相反側之表面
2‧‧‧接合層
2A‧‧‧接合層
2a‧‧‧表面
2b‧‧‧表面；平坦面；活化面
4‧‧‧壓電性單晶基板
4A‧‧‧壓電性單晶基板
4a‧‧‧表面；活化面
4b‧‧‧表面
4c‧‧‧研磨面
5‧‧‧接合體
5A‧‧‧接合體
6‧‧‧電極
7‧‧‧彈性波元件
A‧‧‧箭號
圖1(a)顯示在由多晶陶瓷材料或單晶材料形成之支持基板1上設置接合層2的狀態，圖1(b)顯示藉由中性化射束A使接合層2之表面2b活化的狀態，且圖1(c)顯示藉由中性化射束A使壓電性單晶基板4之表面4a活化的狀態。 圖2(a)顯示已接合壓電性單晶基板4與支持基板1之狀態，圖2(b)顯示藉由加工使壓電性單晶基板4A薄化之狀態，圖2(c)顯示在壓電性單晶基板4A上設置電極6之狀態。 圖3(a)顯示在壓電性單晶基板4之表面4a上設置接合層2的狀態，圖3(b)顯示藉由中性化射束A使接合層2A之表面2b活化的狀態，而圖3(c)顯示藉由中性化射束A使支持基板1之表面1a活化的狀態。
Claims (7)
- 一種接合體，其特徵為具有： 支持基板，由多晶陶瓷材料或單晶材料形成； 壓電性單晶基板；及 接合層，設置在該支持基板與該壓電性單晶基板之間，該接合層具有Si(1-x)Ox(0.008≦x≦0.408)之組成。
- 如申請專利範圍第1項之接合體，其中，該接合層之電阻係數為4.9´103W．cm以上。
- 如申請專利範圍第1或2項之接合體，其中，該接合層之表面及該壓電性單晶基板之表面直接接合。
- 如申請專利範圍第1或2項之接合體，其中，該支持基板之表面及該接合層直接接合。
- 如申請專利範圍第1或2項之接合體，其中，該支持基板係由選自於由矽、藍寶石、富鋁紅柱石、堇青石、透光性氧化鋁及矽鋁氮氧化物構成之群組的材質形成。
- 如申請專利範圍第1或2項之接合體，其中，該壓電性單晶基板係由鈮酸鋰、鉭酸鋰或鈮酸鋰-鉭酸鋰固溶體形成。
- 一種彈性波元件，其特徵為具有：如申請專利範圍第1至6項中任一項之接合體、及設置在該壓電性單晶基板上之電極。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2017070219 | 2017-03-31 | ||
| JP2017-070219 | 2017-03-31 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW201840128A TW201840128A (zh) | 2018-11-01 |
| TWI668958B true TWI668958B (zh) | 2019-08-11 |
Family
ID=63675715
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW107109932A TWI668958B (zh) | 2017-03-31 | 2018-03-23 | 接合體及彈性波元件 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US10284169B2 (zh) |
| JP (1) | JP6375471B1 (zh) |
| KR (1) | KR101972728B1 (zh) |
| CN (1) | CN110463038B (zh) |
| DE (1) | DE112018000012B4 (zh) |
| TW (1) | TWI668958B (zh) |
| WO (1) | WO2018180827A1 (zh) |
Families Citing this family (47)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2016159393A1 (ja) * | 2016-03-22 | 2019-01-31 | 住友電気工業株式会社 | セラミック基板、積層体およびｓａｗデバイス |
| DE112017001539B4 (de) * | 2016-03-25 | 2020-06-18 | Ngk Insulators, Ltd. | Verbindungsverfahren |
| CN110832774B (zh) * | 2017-07-27 | 2023-07-21 | 京瓷株式会社 | 弹性波元件 |
| US11323090B2 (en) | 2018-06-15 | 2022-05-03 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator using Y-X-cut lithium niobate for high power applications |
| US10911023B2 (en) | 2018-06-15 | 2021-02-02 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with etch-stop layer |
| US11206009B2 (en) | 2019-08-28 | 2021-12-21 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with interdigital transducer with varied mark and pitch |
| US20220116015A1 (en) | 2018-06-15 | 2022-04-14 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with optimized electrode thickness, mark, and pitch |
| US11936358B2 (en) * | 2020-11-11 | 2024-03-19 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with low thermal impedance |
| US11146232B2 (en) | 2018-06-15 | 2021-10-12 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with reduced spurious modes |
| US11323096B2 (en) | 2018-06-15 | 2022-05-03 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with periodic etched holes |
| US11996827B2 (en) | 2018-06-15 | 2024-05-28 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with periodic etched holes |
| US11323089B2 (en) | 2018-06-15 | 2022-05-03 | Resonant Inc. | Filter using piezoelectric film bonded to high resistivity silicon substrate with trap-rich layer |
| TWI791099B (zh) | 2018-03-29 | 2023-02-01 | 日商日本碍子股份有限公司 | 接合體及彈性波元件 |
| TWI787475B (zh) * | 2018-03-29 | 2022-12-21 | 日商日本碍子股份有限公司 | 接合體及彈性波元件 |
| DE112019001985B4 (de) | 2018-05-17 | 2022-05-05 | Ngk Insulators, Ltd. | Verbundener Körper aus einem piezoelektrischen Einkristallsubstrat und einem Trägersubstrat |
| US11146238B2 (en) | 2018-06-15 | 2021-10-12 | Resonant Inc. | Film bulk acoustic resonator fabrication method |
| US10998882B2 (en) | 2018-06-15 | 2021-05-04 | Resonant Inc. | XBAR resonators with non-rectangular diaphragms |
| US11909381B2 (en) | 2018-06-15 | 2024-02-20 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversely-excited film bulk acoustic resonators with two-layer electrodes having a narrower top layer |
| US11264966B2 (en) | 2018-06-15 | 2022-03-01 | Resonant Inc. | Solidly-mounted transversely-excited film bulk acoustic resonator with diamond layers in Bragg reflector stack |
| US11323091B2 (en) | 2018-06-15 | 2022-05-03 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with diaphragm support pedestals |
| US11876498B2 (en) | 2018-06-15 | 2024-01-16 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with multiple diaphragm thicknesses and fabrication method |
| US11996822B2 (en) | 2018-06-15 | 2024-05-28 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Wide bandwidth time division duplex transceiver |
| US11888463B2 (en) | 2018-06-15 | 2024-01-30 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Multi-port filter using transversely-excited film bulk acoustic resonators |
| US11996825B2 (en) | 2020-06-17 | 2024-05-28 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Filter using lithium niobate and rotated lithium tantalate transversely-excited film bulk acoustic resonators |
| US11949402B2 (en) | 2020-08-31 | 2024-04-02 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Resonators with different membrane thicknesses on the same die |
| US11916539B2 (en) | 2020-02-28 | 2024-02-27 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Split-ladder band N77 filter using transversely-excited film bulk acoustic resonators |
| US12021496B2 (en) | 2020-08-31 | 2024-06-25 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Resonators with different membrane thicknesses on the same die |
| US11901878B2 (en) | 2018-06-15 | 2024-02-13 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversely-excited film bulk acoustic resonators with two-layer electrodes with a wider top layer |
| US11349452B2 (en) | 2018-06-15 | 2022-05-31 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic filters with symmetric layout |
| US10917072B2 (en) | 2019-06-24 | 2021-02-09 | Resonant Inc. | Split ladder acoustic wave filters |
| US10826462B2 (en) | 2018-06-15 | 2020-11-03 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonators with molybdenum conductors |
| US11870423B2 (en) | 2018-06-15 | 2024-01-09 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Wide bandwidth temperature-compensated transversely-excited film bulk acoustic resonator |
| US11967945B2 (en) | 2018-06-15 | 2024-04-23 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversly-excited film bulk acoustic resonators and filters |
| KR102287003B1 (ko) | 2018-06-22 | 2021-08-09 | 엔지케이 인슐레이터 엘티디 | 접합체 및 탄성파 소자 |
| DE112019002430B4 (de) | 2018-06-22 | 2022-07-28 | Ngk Insulators, Ltd. | Verbundener Körper und Akustikwellenelement |
| JP7127472B2 (ja) * | 2018-10-15 | 2022-08-30 | 日本電信電話株式会社 | 波長変換素子の作製方法 |
| CN112840563A (zh) * | 2018-10-17 | 2021-05-25 | 日本碍子株式会社 | 接合体及弹性波元件 |
| WO2020079958A1 (ja) * | 2018-10-17 | 2020-04-23 | 日本碍子株式会社 | 接合体および弾性波素子 |
| TWI815970B (zh) * | 2018-11-09 | 2023-09-21 | 日商日本碍子股份有限公司 | 壓電性材料基板與支持基板的接合體、及其製造方法 |
| JP2020129762A (ja) * | 2019-02-08 | 2020-08-27 | 信越化学工業株式会社 | 複合基板の製造方法 |
| WO2020186261A1 (en) | 2019-03-14 | 2020-09-17 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with half-lambda dielectric layer |
| WO2021002047A1 (ja) * | 2019-07-03 | 2021-01-07 | 日本碍子株式会社 | 接合体および弾性波素子 |
| WO2021002046A1 (ja) * | 2019-07-03 | 2021-01-07 | 日本碍子株式会社 | 接合体および弾性波素子 |
| DE112020003512T5 (de) * | 2019-07-22 | 2022-04-07 | Ngk Insulators, Ltd. | Verbundkörper und akustisches Wellenelement |
| US11811391B2 (en) | 2020-05-04 | 2023-11-07 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with etched conductor patterns |
| US12003226B2 (en) | 2020-11-11 | 2024-06-04 | Murata Manufacturing Co., Ltd | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with low thermal impedance |
| WO2022201627A1 (ja) * | 2021-03-25 | 2022-09-29 | 日本碍子株式会社 | 接合体およびその製造方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN86106353A (zh) * | 1985-11-05 | 1987-12-02 | 钟渊化学工业株式会社 | 半导体器件 |
| US20020149295A1 (en) * | 1999-06-14 | 2002-10-17 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Surface acoustic wave element, method for producing the same and surface acoustic wave device using the same |
| TW201507353A (zh) * | 2013-03-21 | 2015-02-16 | Ngk Insulators Ltd | 彈性波元件用複合基板及彈性波元件 |
Family Cites Families (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5814727B2 (ja) | 1974-09-25 | 1983-03-22 | 富士写真フイルム株式会社 | キヨウジセイサンカテツノ セイホウ |
| JPS5814727A (ja) | 1981-07-17 | 1983-01-27 | Polyurethan Eng:Kk | 板状品の連続成形機におけるコンベア駆動方法 |
| JPS62106670A (ja) | 1985-11-05 | 1987-05-18 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 半導体素子 |
| JP3192000B2 (ja) * | 1992-08-25 | 2001-07-23 | キヤノン株式会社 | 半導体基板及びその作製方法 |
| US7105980B2 (en) | 2002-07-03 | 2006-09-12 | Sawtek, Inc. | Saw filter device and method employing normal temperature bonding for producing desirable filter production and performance characteristics |
| JP3774782B2 (ja) | 2003-05-14 | 2006-05-17 | 富士通メディアデバイス株式会社 | 弾性表面波素子の製造方法 |
| JP4063735B2 (ja) * | 2003-07-24 | 2008-03-19 | 株式会社カネカ | 積層型光電変換装置を含む薄膜光電変換モジュール |
| JP5409251B2 (ja) * | 2008-11-19 | 2014-02-05 | キヤノン株式会社 | 電気機械変換装置およびその製造方法 |
| JP2010187373A (ja) | 2009-01-19 | 2010-08-26 | Ngk Insulators Ltd | 複合基板及びそれを用いた弾性波デバイス |
| JP3184763U (ja) | 2010-06-15 | 2013-07-18 | 日本碍子株式会社 | 複合基板 |
| CN102624352B (zh) | 2010-10-06 | 2015-12-09 | 日本碍子株式会社 | 复合基板的制造方法以及复合基板 |
| WO2012124648A1 (ja) | 2011-03-14 | 2012-09-20 | 株式会社村田製作所 | 圧電デバイス、圧電デバイスの製造方法 |
| CN102904546B (zh) * | 2012-08-30 | 2016-04-13 | 中兴通讯股份有限公司 | 一种温度补偿能力可调节的压电声波谐振器 |
| JP2014086400A (ja) | 2012-10-26 | 2014-05-12 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 高速原子ビーム源およびそれを用いた常温接合装置 |
| KR101497888B1 (ko) * | 2012-11-14 | 2015-03-02 | 엔지케이 인슐레이터 엘티디 | 복합 기판 및 그 제법 |
| JP6086333B2 (ja) * | 2013-05-23 | 2017-03-01 | 株式会社Ｊｏｌｅｄ | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法および有機エレクトロルミネッセンス表示装置 |
| JP6407804B2 (ja) | 2015-06-17 | 2018-10-17 | 信越化学工業株式会社 | 非水電解質二次電池用負極活物質及び非水電解質二次電池、並びに非水電解質二次電池用負極材の製造方法 |
-
2018
- 2018-03-22 DE DE112018000012.5T patent/DE112018000012B4/de active Active
- 2018-03-22 JP JP2018531260A patent/JP6375471B1/ja active Active
- 2018-03-22 CN CN201880001047.6A patent/CN110463038B/zh active Active
- 2018-03-22 WO PCT/JP2018/011256 patent/WO2018180827A1/ja active Application Filing
- 2018-03-22 KR KR1020187024235A patent/KR101972728B1/ko active IP Right Grant
- 2018-03-23 TW TW107109932A patent/TWI668958B/zh active
- 2018-08-13 US US16/102,209 patent/US10284169B2/en active Active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN86106353A (zh) * | 1985-11-05 | 1987-12-02 | 钟渊化学工业株式会社 | 半导体器件 |
| US20020149295A1 (en) * | 1999-06-14 | 2002-10-17 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Surface acoustic wave element, method for producing the same and surface acoustic wave device using the same |
| TW201507353A (zh) * | 2013-03-21 | 2015-02-16 | Ngk Insulators Ltd | 彈性波元件用複合基板及彈性波元件 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP6375471B1 (ja) | 2018-08-15 |
| JPWO2018180827A1 (ja) | 2019-04-04 |
| DE112018000012B4 (de) | 2019-11-07 |
| US20190007022A1 (en) | 2019-01-03 |
| DE112018000012T5 (de) | 2018-11-22 |
| TW201840128A (zh) | 2018-11-01 |
| CN110463038B (zh) | 2020-05-22 |
| CN110463038A (zh) | 2019-11-15 |
| KR20180132613A (ko) | 2018-12-12 |
| WO2018180827A1 (ja) | 2018-10-04 |
| KR101972728B1 (ko) | 2019-04-25 |
| US10284169B2 (en) | 2019-05-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI668958B (zh) | 接合體及彈性波元件 | |
| US10964882B2 (en) | Bonding method | |
| US10432169B2 (en) | Bonded body and elastic wave element | |
| TWI780103B (zh) | 彈性波元件及其製造方法 | |
| TWI692463B (zh) | 接合體及彈性波元件 | |
| TWI752264B (zh) | 彈性波元件及其製造方法 | |
| US11070189B2 (en) | Joint and elastic wave element | |
| TWI794492B (zh) | 接合體及彈性波元件 | |
| TWI762782B (zh) | 接合體及彈性波元件 | |
| US20200313643A1 (en) | Joined body of piezoelectric material substrate and support substrate, and acoustic wave element | |
| CN110945786B (zh) | 接合体及弹性波元件 | |
| US11411547B2 (en) | Joint and elastic wave element | |
| JP6621574B1 (ja) | 接合体および弾性波素子 | |
| JPWO2018203430A1 (ja) | 弾性波素子およびその製造方法 |