TW201415683A - 接合導熱基板與金屬層的方法 - Google Patents

接合導熱基板與金屬層的方法 Download PDF

Info

Publication number
TW201415683A
TW201415683A TW101136943A TW101136943A TW201415683A TW 201415683 A TW201415683 A TW 201415683A TW 101136943 A TW101136943 A TW 101136943A TW 101136943 A TW101136943 A TW 101136943A TW 201415683 A TW201415683 A TW 201415683A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
layer
conductive substrate
thermally conductive
metal layer
metal
Prior art date
Application number
TW101136943A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI463710B (zh
Inventor
Chien-Ming Chen
Original Assignee
Subtron Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Subtron Technology Co Ltd filed Critical Subtron Technology Co Ltd
Priority to TW101136943A priority Critical patent/TWI463710B/zh
Priority to US13/786,480 priority patent/US8740044B2/en
Priority to CN201310118784.3A priority patent/CN103715099A/zh
Priority to US14/243,878 priority patent/US20140209665A1/en
Publication of TW201415683A publication Critical patent/TW201415683A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI463710B publication Critical patent/TWI463710B/zh

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K20/00—Non-electric welding by applying impact or other pressure, with or without the application of heat, e.g. cladding or plating
    • B23K20/002—Non-electric welding by applying impact or other pressure, with or without the application of heat, e.g. cladding or plating specially adapted for particular articles or work
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B37/00—Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding
    • B32B37/04—Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding characterised by the partial melting of at least one layer
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K20/00—Non-electric welding by applying impact or other pressure, with or without the application of heat, e.g. cladding or plating
    • B23K20/14—Preventing or minimising gas access, or using protective gases or vacuum during welding
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K31/00—Processes relevant to this subclass, specially adapted for particular articles or purposes, but not covered by only one of the preceding main groups
    • B23K31/02—Processes relevant to this subclass, specially adapted for particular articles or purposes, but not covered by only one of the preceding main groups relating to soldering or welding
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B37/00—Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding
    • B32B37/12—Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding characterised by using adhesives
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2311/00—Metals, their alloys or their compounds
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/10—Methods of surface bonding and/or assembly therefor

Abstract

一種接合導熱基板與金屬層的方法，此方法是先提供導熱基板、第一金屬層與前置層，其中前置層位於導熱基板與第一金屬層之間，且前置層為第二金屬層或金屬氧化物層。之後，於無氧環境下，對前置層進行加熱製程，以將前置層轉換成接合層來接合導熱基板與第一金屬層。加熱製程的溫度小於或等於300℃。

Description

接合導熱基板與金屬層的方法
本發明是有關於一種接合方法，且特別是有關於一種接合導熱基板與金屬層的方法。
在目前的接合技術中，為了導熱的目的，可藉由導熱膠來接合二個元件來同時達成結構連接及導熱連接。此外，為了提高導熱的效果，還可以使用銲料來進行接合。
隨著技術的進步，電子元件的效能越來越高，其所產生的熱也越來越多。因此，電子元件必須藉由連接至散熱器以迅速地將電子元件所產生的熱傳送至散熱器，藉此防止電子元件因高溫而失效。
然而，導熱膠或銲料的導熱係數均已無法滿足目前高導熱的需求。對於發光二極體(light emitting diode，LED)而言，導熱膠或銲料已無法滿足其散熱需求。
本發明提供一種接合導熱基板與金屬層的方法，其用以接合導熱基板與金屬層。
本發明提出一種接合導熱基板與金屬層的方法，此方法是先提供導熱基板、第一金屬層與前置層，其中前置層位於導熱基板與第一金屬層之間，且前置層為第二金屬層或金屬氧化物層。之後，於無氧環境下，對前置層進行加 熱製程，以將前置層轉換成接合層來接合導熱基板與第一金屬層。加熱製程的溫度小於或等於300℃。
基於上述，本發明在無氧環境下對導熱基板與第一金屬層之間的前置層進行加熱，以將前置層轉換成接合層來接合導熱基板與第一金屬層。由於本發明僅在小於或等於300℃的溫度下對前置層進行加熱，因此可以避免其他元件受到高溫的損害。
為讓本發明之上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
圖1A至圖1B為依照本發明一實施例所繪示的接合導熱基板與金屬層的流程剖面圖。首先，請參照圖1A，提供導熱基板100、金屬層102與前置層104。導熱基板100的材料例如是金屬或合金，如銅、銅合金、鋁或鋁合金。或者，導熱基板100也可以是具有金屬表面的陶瓷基板。金屬層102的材料例如是銅、鎳、銀或金。當金屬層102接合至到金屬導熱基板或陶瓷基板的金屬表面之後，導熱基板100用於將來自金屬層102的熱傳導至外部，亦即導熱基板100作為散熱器之用。
前置層104位於導熱基板100與金屬層102之間。在一實施例中，前置層104是先形成於導熱基板100上，然後再疊合導熱基板100與金屬層102，以使前置層104位於導熱基板100與金屬層102之間。在另一實施例中，也 可以是前置層104先形成於金屬層102上，然後再疊合導熱基板100與金屬層102。
前置層104可為金屬層。在一實施例中，金屬層的材料例如為銀或銅，且其形成方法例如是利用電鍍的方式，於導熱基板100或金屬層102上鍍上一層金屬材料。
或者，在另一實施例中，當金屬層也可以為含有多個金屬粒子的膠層。上述金屬粒子的材質例如為銀、銅或其組合，且其粒徑範圍例如介於5奈米至50奈米。此時，金屬層的形成方法例如是將含有金屬粒子的膠體塗佈於導熱基板100或金屬層102上。
此外，當前置層104也可以為金屬氧化物層。在一實施例中，金屬氧化物層為氧化銀層或氧化銅層，且其形成方法例如是無電鍍(electroless plating)法。舉例來說，在欲形成的金屬氧化物層為氧化銀層的情況下，可將導熱基板100置於硝酸銀溶液中來進行化學反應，使硝酸銀於導熱基板100的表面上反應形成氧化銀。
在另一實施例中，金屬氧化物層也可以為含有多個金屬氧化物粒子的膠層。上述的金屬氧化物粒子的材質例如為氧化銀或氧化銅，此時，金屬氧化物層的形成方法例如是將含有金屬氧化物粒子的膠體塗佈於導熱基板100或金屬層102上。
之後，請參照圖1B，於無氧環境下對前置層104進行加熱製程106，以將前置層104轉換成接合層108來接合導熱基板100與金屬層102上述的無氧環境可以是惰性 氣體或還原氣體的環境。惰性氣體例如為氮氣或氬氣。還原氣體例如為氫氣或含有氫氣的氣體。此外，加熱製程106的溫度小於或等於300℃。
特別一提的是，由於加熱製程106的溫度小於或等於300℃，其遠低於前置層104(金屬層或金屬氧化物層)的熔點，亦即可在較低的溫度下接合導熱基板100與金屬層102，因此可避免其他元件在高溫下受到損壞的問題。此外，由於用於接合導熱基板100與金屬層102的材料為金屬或金屬氧化物，其具有良好的熱傳導特性，因此可以有效地將來自金屬層102的熱傳導至導熱基板100而散出，以同時達成結構接合以及導熱的目的。
以下舉例說明以本發明之接合導熱基板與金屬層的方法所形成的結構。
圖2為依照本發明一實施例所繪示的晶片設置於導熱基板上的結構的剖面示意圖。請參照圖2，晶片202裝設於包含陶瓷層204的堆疊結構上。陶瓷層204的材料例如為氧化鋁、氮化硼、氮化鋁、碳化矽等。陶瓷層204的表面具有銅層206。銅層206即為本發明中的第一金屬層。
此外，上述的堆疊結構裝設於可作為散熱器的導熱基板200上。導熱基板200的材料例如為金屬或合金，或是具有金屬表面的陶瓷基板。接合層208配置於導熱基板200與銅層206之間，用以接合導熱基板200與銅層206。接合層208為依照圖1A至圖1B中的方法將前置層104轉換而成。
由上述可知，由於在以加熱製程接合導熱基板200與銅層206的過程中，溫度小於或等於300℃，其遠低於金屬或金屬氧化物的熔點，亦即可在較低的溫度下接合導熱基板200與銅層206，因此可避免其他元件在高溫下受到損壞。
此外，由於接合層208為金屬或金屬氧化物，其具有良好的熱傳導特性，因此可以有效地將晶片202產生的熱傳導至導熱基板200並散出。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，故本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
100、200‧‧‧導熱基板
102‧‧‧金屬層
104‧‧‧前置層
106‧‧‧加熱製程
108、208‧‧‧接合層
202‧‧‧晶片
204‧‧‧陶瓷層
206‧‧‧銅層
圖1A至圖1B為依照本發明一實施例所繪示的接合導熱基板與金屬層的流程剖面圖。
圖2為依照本發明一實施例所繪示的晶片設置於導熱基板上的結構的剖面示意圖。
100‧‧‧導熱基板
102‧‧‧金屬層
106‧‧‧加熱製程
108‧‧‧接合層

Claims (18)

  1. 一種接合導熱基板與金屬層的方法，包括：提供一導熱基板、一第一金屬層及一前置層，其中該前置層位於該導熱基板與該第一金屬層之間，且該前置層為一第二金屬層或一金屬氧化物層；以及於一無氧環境下，對該前置層進行一加熱製程，以將該前置層轉換成一接合層來接合該導熱基板與該第一金屬層，其中該加熱製程的溫度小於或等於300℃。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之接合導熱基板與金屬層的方法，其中在該前置層形成於該導熱基板或該第一金屬層上之後，疊合該導熱基板與該第一金屬層，以使該前置層位於該導熱基板與該第一金屬層之間。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之接合導熱基板與金屬層的方法，其中該第二金屬層包括銀層或銅層。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之接合導熱基板與金屬層的方法，其中該第二金屬層的形成方法包括電鍍法。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之接合導熱基板與金屬層的方法，其中該第二金屬層為含有多個金屬粒子的膠層。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之接合導熱基板與金屬層的方法，其中該些金屬粒子的材質包括銀、銅或其組合。
  7. 如申請專利範圍第5項所述之接合導熱基板與金屬層的方法，其中該些金屬粒子的粒徑範圍介於5奈米至 50奈米。
  8. 如申請專利範圍第5項所述之接合導熱基板與金屬層的方法，其中該第二金屬層的形成方法包括塗佈法。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之接合導熱基板與金屬層的方法，其中該金屬氧化物層包括氧化銀層或氧化銅層。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之接合導熱基板與金屬層的方法，其中該金屬氧化物層的形成方法包括無電鍍法。
  11. 如申請專利範圍第1項所述之接合導熱基板與金屬層的方法，其中該金屬氧化物層為一含有多個金屬氧化物粒子的膠層。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之接合導熱基板與金屬層的方法，其中該些金屬氧化物粒子的材質包括氧化銀或氧化銅。
  13. 如申請專利範圍第11項所述之接合導熱基板與金屬層的方法，其中該金屬氧化物層的形成方法包括塗佈法。
  14. 如申請專利範圍第1項所述之接合導熱基板與金屬層的方法，其中該導熱基板的材料包括金屬或合金。
  15. 如申請專利範圍第1項所述之接合導熱基板與金屬層的方法，其中該導熱基板包括具有一金屬表面的一陶瓷基板，且該第一金屬層藉由該接合層與該金屬表面接合。
  16. 如申請專利範圍第1項所述之接合導熱基板與金 屬層的方法，其中該無氧環境包括一惰性氣體或一還原氣體的環境。
  17. 如申請專利範圍第16項所述之接合導熱基板與金屬層的方法，其中該惰性氣體包括氮氣或氬氣。
  18. 如申請專利範圍第16項所述之接合導熱基板與金屬層的方法，其中該還原氣體包括氫氣或含有氫氣的氣體。
TW101136943A 2012-10-05 2012-10-05 接合導熱基板與金屬層的方法 TWI463710B (zh)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW101136943A TWI463710B (zh) 2012-10-05 2012-10-05 接合導熱基板與金屬層的方法
US13/786,480 US8740044B2 (en) 2012-10-05 2013-03-06 Method for bonding heat-conducting substrate and metal layer
CN201310118784.3A CN103715099A (zh) 2012-10-05 2013-04-08 接合导热基板与金属层的方法
US14/243,878 US20140209665A1 (en) 2012-10-05 2014-04-02 Method for bonding heat-conducting substrate and metal layer

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW101136943A TWI463710B (zh) 2012-10-05 2012-10-05 接合導熱基板與金屬層的方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201415683A true TW201415683A (zh) 2014-04-16
TWI463710B TWI463710B (zh) 2014-12-01

Family

ID=50407974

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW101136943A TWI463710B (zh) 2012-10-05 2012-10-05 接合導熱基板與金屬層的方法

Country Status (3)

Country Link
US (2) US8740044B2 (zh)
CN (1) CN103715099A (zh)
TW (1) TWI463710B (zh)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6659026B2 (ja) * 2015-10-14 2020-03-04 国立大学法人大阪大学 銅粒子を用いた低温接合方法
CN108300304B (zh) * 2017-09-29 2019-07-05 中国科学院化学研究所 导热绝缘板及其制备方法和电子元器件
CN109696792B (zh) * 2017-10-24 2022-03-29 中强光电股份有限公司 投影机及波长转换装置
TWI699279B (zh) * 2018-10-22 2020-07-21 長興材料工業股份有限公司 電磁波屏蔽膜及其製備方法與用途

Family Cites Families (43)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1006417A (en) * 1964-04-14 1965-09-29 Standard Telephones Cables Ltd Ceramic-metal seals
JPS5831274B2 (ja) * 1980-05-02 1983-07-05 三井金属鉱業株式会社 ロウ付用金属ペ−スト組成物
JPS60131875A (ja) * 1983-12-20 1985-07-13 三菱重工業株式会社 セラミツクと金属の接合法
US4714570A (en) * 1984-07-17 1987-12-22 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Conductor paste and method of manufacturing a multilayered ceramic body using the paste
JPS61183806A (ja) * 1985-02-08 1986-08-16 松下電器産業株式会社 メタライズ組成物
US4678633A (en) * 1984-10-15 1987-07-07 Mazda Motor Corporation Process for forming a sintered layer on a substrate of iron-based material
JPH07502B2 (ja) * 1989-03-01 1995-01-11 同和鉱業株式会社 非酸化物系セラミックスのメタライズ方法
US5108026A (en) * 1991-05-14 1992-04-28 Motorola Inc. Eutectic bonding of metal to ceramic
US5288351A (en) * 1991-12-02 1994-02-22 Motorola, Inc. Silver paste sintering method for bonding ceramic surfaces
US5439164A (en) * 1992-06-05 1995-08-08 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Methods for joining copper or its alloys
US5586714A (en) * 1994-10-06 1996-12-24 Board Of Regents Of The University Of Nebraska Method of bonding metal to a non-metal substrate
US5645930A (en) * 1995-08-11 1997-07-08 The Dow Chemical Company Durable electrode coatings
US5812925A (en) * 1996-10-23 1998-09-22 Ecer; Gunes M. Low temperature bonding of materials
US6191933B1 (en) * 1998-01-07 2001-02-20 Tdk Corporation Ceramic capacitor
US20020046627A1 (en) * 1998-06-10 2002-04-25 Hitoshi Amita Solder powder, flux, solder paste, soldering method, soldered circuit board, and soldered joint product
AT408345B (de) * 1999-11-17 2001-10-25 Electrovac Verfahren zur festlegung eines aus metall-matrix- composite-(mmc-) materiales gebildeten körpers auf einem keramischen körper
US6601754B2 (en) * 1999-12-24 2003-08-05 Denso Corporation Method of connecting circuit boards
DE10297544B4 (de) * 2001-12-18 2015-10-29 Asahi Kasei Kabushiki Kaisha Verfahren zur Herstellung eines Metall-Dünnfilms
US7055733B2 (en) * 2002-01-11 2006-06-06 Battelle Memorial Institute Oxidation ceramic to metal braze seals for applications in high temperature electrochemical devices and method of making
US6757963B2 (en) * 2002-01-23 2004-07-06 Mcgraw-Edison Company Method of joining components using a silver-based composition
TWI223673B (en) * 2002-07-25 2004-11-11 Hitachi Metals Ltd Target and manufacturing method thereof
US20040245648A1 (en) * 2002-09-18 2004-12-09 Hiroshi Nagasawa Bonding material and bonding method
US7059512B2 (en) * 2002-11-06 2006-06-13 Ricoh Company, Ltd. Solder alloy material layer composition, electroconductive and adhesive composition, flux material layer composition, solder ball transferring sheet, bump and bump forming process, and semiconductor device
JP3797990B2 (ja) * 2003-08-08 2006-07-19 株式会社東芝 熱硬化性フラックス及びはんだペースト
US8257795B2 (en) * 2004-02-18 2012-09-04 Virginia Tech Intellectual Properties, Inc. Nanoscale metal paste for interconnect and method of use
AU2005321530B2 (en) * 2004-12-28 2009-01-08 Technical University Of Denmark Method of producing metal to glass, metal to metal or metal to ceramic connections
JP4493658B2 (ja) * 2005-05-25 2010-06-30 千住金属工業株式会社 鉛フリーソルダペースト
EP1950767B1 (en) * 2005-09-21 2012-08-22 Nihon Handa Co., Ltd. Pasty silver particle composition, process for producing solid silver, solid silver, joining method, and process for producing printed wiring board
JP4591399B2 (ja) * 2006-04-03 2010-12-01 パナソニック株式会社 部品接合方法ならびに部品接合構造
CN101439984B (zh) * 2007-11-19 2012-07-04 段维新 陶瓷/金属复合结构及其制造方法
EP3678198A1 (en) * 2008-01-17 2020-07-08 Nichia Corporation A method for producing an electronic device
JP4471004B2 (ja) * 2008-01-23 2010-06-02 セイコーエプソン株式会社 接合体の形成方法
JP4471003B2 (ja) * 2008-01-23 2010-06-02 セイコーエプソン株式会社 接合体の形成方法
JP2009203511A (ja) * 2008-02-27 2009-09-10 Fujikura Ltd レーザー蒸着用酸化物ターゲット
US8444045B2 (en) * 2008-05-19 2013-05-21 The Trustees Of Dartmouth College Joining of parts via magnetic heating of metal aluminum powders
CN101677488B (zh) * 2008-09-18 2010-12-08 王俣韡 高导热基板结构及其制作方法
JP5611537B2 (ja) * 2009-04-28 2014-10-22 日立化成株式会社 導電性接合材料、それを用いた接合方法、並びにそれによって接合された半導体装置
JP4901976B2 (ja) * 2009-08-26 2012-03-21 日本碍子株式会社 接合剤
NL2005112C2 (en) * 2010-07-19 2012-01-23 Univ Leiden Process to prepare metal nanoparticles or metal oxide nanoparticles.
JP2012174332A (ja) * 2011-02-17 2012-09-10 Fujitsu Ltd 導電性接合材料、導体の接合方法、及び半導体装置の製造方法
JP5304963B2 (ja) * 2011-07-27 2013-10-02 パナソニック株式会社 リユースペーストの製造方法とリユースペーストおよびリユースペーストを用いた配線基板の製造方法
JPWO2013021567A1 (ja) * 2011-08-11 2015-03-05 三洋電機株式会社 金属の接合方法および金属接合構造
CN103170757A (zh) * 2011-12-23 2013-06-26 富泰华工业（深圳）有限公司 锡膏及其制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
US8740044B2 (en) 2014-06-03
US20140209665A1 (en) 2014-07-31
CN103715099A (zh) 2014-04-09
US20140096884A1 (en) 2014-04-10
TWI463710B (zh) 2014-12-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5156566B2 (ja) 金属面の接続方法及びそのためのペースト
TWI411691B (zh) 金屬熱界面材料以及散熱裝置
JP2012099779A (ja) 焼成接合を用いたパワーモジュール及びその製造方法
WO2023016048A1 (zh) 一种功率模块、电源电路及芯片
TWI463710B (zh) 接合導熱基板與金屬層的方法
JP6256176B2 (ja) 接合体の製造方法、パワーモジュール用基板の製造方法
WO2017051794A1 (ja) 冷却器付き発光モジュールおよび冷却器付き発光モジュールの製造方法
CN108140705B (zh) 发光模块用基板、发光模块、带制冷器的发光模块用基板及发光模块用基板的制造方法
JP6750422B2 (ja) 絶縁回路基板の製造方法、及び、絶縁回路基板、パワーモジュール、ｌｅｄモジュール、熱電モジュール
TW201214909A (en) Conduction cooled package laser and packaging method thereof
TWI687522B (zh) 半導體封裝體及其製造方法
JP2011082502A (ja) パワーモジュール用基板、ヒートシンク付パワーモジュール用基板、パワーモジュール及びパワーモジュール用基板の製造方法
JP6299578B2 (ja) 半導体装置
Siow et al. Patent landscape and market segments of sintered silver as die attach materials in microelectronic packaging
JP2018193604A (ja) 接合構造及びその製造方法
JP2018157080A (ja) 半導体装置の製造方法
JP2018137395A (ja) Ｌｅｄモジュール、及び、絶縁回路基板
JP7108907B2 (ja) 接合材、該接合材を用いた半導体装置の製造方法、及び、半導体装置
TW200843053A (en) Composite substrate structure for high heat dissipation
CN104485397A (zh) 一种高导热、高出光率led用陶瓷和镜面铝复合基板及制备工艺
TWI578566B (zh) 發光二極體結構
TWI617053B (zh) 發光二極體結構
TWI443880B (zh) 發光二極體之晶粒黏著方法
TWI654779B (zh) 發光二極體結構及其製造方法
JP5640571B2 (ja) パワーモジュール用基板の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees