TW201333257A - 具有冷却系統的噴頭以及包含該噴頭的基板處理裝置 - Google Patents

具有冷却系統的噴頭以及包含該噴頭的基板處理裝置 Download PDF

Info

Publication number
TW201333257A
TW201333257A TW101147107A TW101147107A TW201333257A TW 201333257 A TW201333257 A TW 201333257A TW 101147107 A TW101147107 A TW 101147107A TW 101147107 A TW101147107 A TW 101147107A TW 201333257 A TW201333257 A TW 201333257A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
flange
processing apparatus
substrate processing
flat plate
passage
Prior art date
Application number
TW101147107A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI496943B (zh
Inventor
Il-Kwang Yang
Byoung-Gyu Song
Yong-Ki Kim
Kyong-Hun Kim
Yang-Sik Shin
Original Assignee
Eugene Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Eugene Technology Co Ltd filed Critical Eugene Technology Co Ltd
Publication of TW201333257A publication Critical patent/TW201333257A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI496943B publication Critical patent/TWI496943B/zh

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563—Gas nozzles
    • C23C16/45565—Shower nozzles
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563—Gas nozzles
    • C23C16/45572—Cooled nozzles

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

本發明揭示一種基板處理裝置。該基板處理裝置包含：一腔室本體，其具有一打開的上邊，該腔室本體提供一內部空間，其中執行關於一基板的處理；一腔室蓋位於該腔室本體的上半部，用於關閉該腔室本體打開的上邊；以及一噴頭，其位於該腔室蓋的下半部，向該內部空間供應一反應氣體。該噴頭包含：一接觸該腔室蓋的凸緣，該凸緣具有從其頂端表面內凹的一通道，其中允許一冷凍劑流過；以及一位於該凸緣內部的平板，該平板具有至少一注射孔，用於將該反應氣體注入平板的一厚度方向。

Description

具有冷却系統的噴頭以及包含該噴頭的基板處理裝置
本發明係關於噴頭以及包含該噴頭的基板處理裝置，尤其係關於具有冷卻系統的噴頭以及包含該噴頭的基板處理裝置。
一半導體設備包含矽基板上複數個層，該等層透過沉積處理沉積於該基板上。化學氣相沉積處理代表其中氣體化合物(或反應氣體)透過化學反應溶解，在半導體基板上形成薄膜或磊晶層之處理。
處理室內放置一支撐物，並且該支撐物上放置一基板。一沉積處理在該處理室內執行。在執行該沉積處理之前，該處理室內部加熱至高溫(例如大約650℃或以上)。噴頭位於該基板上方，以供應該氣體化合物(或該反應氣體)到該基板上。該基板表面吸收該氣體化合物，而在該基板表面上彼此化學反應，藉此形成一薄膜。
該噴頭已經放入該處理室內。另外，該噴頭在該處理執行時處於高溫之下。因此，該噴頭可能會受熱並且熱變形，該噴頭的熱變形會影響該反應氣體的供應一致性。若該反應氣體未均勻供應至該基板上，則該基板表面上的薄膜厚度會不一致。
另外，若該噴頭加熱至高於預定溫度，則該反應氣體可沉積在該噴頭內或會形成顆粒。
【先前技術文件】 【專利文件】
韓國專利申請案第10-2005-0092123(2007.4.4)號
本發明提供一種具有冷卻系統避免熱變形的噴頭以及包含該噴頭的基板處理裝置。
本發明也提供具有冷卻系統的噴頭，該系統避免因為冷凍劑洩漏而對處理有不良影響，以及包含該噴頭的基板處理裝置。
本發明也提供一種具有冷卻系統的噴頭，該系統可迅速冷卻噴頭，以及包含該噴頭的基板處理裝置。
參閱下列詳細說明以及附圖將可了解本發明的其他目的。
本發明的具體實施例提供基板處理裝置，包含：一腔室本體，其具有一打開的上邊，該腔室本體提供一內部空間，其中執行關於一基板的處理；一腔室蓋位於該腔室本體的上半部，用於關閉該腔室本體打開的上邊；以及一噴頭，其位於該腔室蓋的下半部，用於供應一處理氣體進入該內部空間，其中該噴頭包含：一接觸該腔室蓋的凸緣，該凸緣具有從其頂端表面內凹的一通道，其中允許一冷凍劑流過；以及一位於該凸緣內部的平板，該平板具有至少一注射孔，用於將該反應氣體注入平板的一厚度方向。
在某些具體實施例內，該基板處理裝置可另包含位於該腔室蓋與該凸緣之間並且位於該通道內部的一密封構件。
在其他具體實施例內，該噴頭可另包含與該凸緣連結的一通道蓋，用來關閉該通道的一上半部。
仍舊在其他具體實施例內，該通道可位於該腔室本體內，對應至該內部空間。
甚至在其他具體實施例內，該平板可與該腔室蓋的一下表面相隔，以在該腔室蓋與該平板之間定義一緩衝空間。
尚且在其他具體實施例內，該腔室蓋可另包含與該緩衝空間連通的一氣體供應口，用於接收來自該外界的該反應氣體。
在進一步具體實施例內，該通道蓋可焊接至該凸緣。
仍舊在進一步具體實施例內，該通道可包含沿著該注射孔四周定義的一循環通道，以及分別連接至該循環通道兩端的流動與排放通道。
甚至在進一步具體實施例內，該凸緣可具有一圓環形，並且該凸緣的厚度大於該平板。
尚且在進一步具體實施例內，該凸緣可具有一方環形，並且該凸緣的厚度大於該平板。
在本發明的其他具體實施例內，噴頭包含：一凸緣，其具有從該凸緣頂端表面內凹的一通道，其中允許一冷凍劑流過；以及一位於該凸緣內部的平板，該平板具有至少一注射孔，用於將一反應氣體注入平板的一厚度方向。
1‧‧‧基板處理裝置
10‧‧‧腔室本體
11‧‧‧腔室內部
20‧‧‧腔室蓋
21‧‧‧氣體供應口
22‧‧‧緩衝空間
40‧‧‧噴頭
41‧‧‧凸緣
42‧‧‧注射孔
43‧‧‧平板
44‧‧‧循環通道
44a‧‧‧流入通道
44b‧‧‧排放通道
45‧‧‧通道蓋
46‧‧‧固定溝槽
47‧‧‧密封構件
50‧‧‧支撐板
51‧‧‧支撐板
52‧‧‧擴散孔
53‧‧‧阻擋板
B‧‧‧螺栓
W‧‧‧晶圓
在此包含附圖來進一步了解本發明，並且併入以及構成此說明書的一部分。圖式例示本發明的示範具體實施例，並且在搭配內容說明之後可用來解釋本發明原理。圖式中：第一圖為根據本發明具體實施例的基板處理裝置之圖式；第二圖和第三圖為例示第一圖內一噴頭的圖式；第四圖為例示第一圖內該噴頭的修改範例之圖式；第五圖為根據本發明另一具體實施例的基板處理裝置之圖式；以及第六圖為例示第五圖內一噴頭的圖式。
此後，將參照第一圖至第六圖來詳細說明本發明的範例具體實施例。不過，本發明可以有不同形式的修改，並且不受限於此處公佈的具體實施例。而是提供這些具體實施例，如此所揭示範圍更完整，並且將本發明範疇完整傳輸給精通此技術的人士。在圖式中，為了清晰起見所以誇大了組件的形狀。
雖然底下說明一沉積處理當成範例，不過本發明可套用至包 含該沉積處理的許多半導體製程。
第一圖為根據本發明具體實施例的基板處理裝置之圖式。請參閱第一圖，基板處理裝置1包含一腔室本體10以及一腔室蓋20。腔室本體10具有一打開的上邊。腔室蓋20打開或關閉該腔室本體10中該打開的上邊。腔體蓋20關閉腔室本體10中該打開的上邊時，腔室本體10與腔室蓋20定義出與外面隔離的一內部空間。
腔室本體10具有對應至該內部空間的一腔室內部11。一晶圓W透過腔室本體10一邊內定義的一通道，載入該腔室內部11。一支撐板50位於腔室內部11之內。該載入的晶圓W位於支撐板50的一頂端表面上。一支撐物51連接至支撐板50的下半部，以支撐該支撐板50。
一氣體供應口21位於腔室蓋20之內。通過氣體供應口21供應反應氣體進入腔室內部11。該反應氣體用於在該晶圓W的一表面上沉積一薄膜。在此可根據薄膜種類可使用許多種氣體。
一噴頭40連接至腔室蓋20的下半部。噴頭40的兩邊都透過螺栓B連結至腔室蓋20。噴頭40通過氣體供應口21供應該反應氣體進入腔室內部11。該反應氣體移動到該晶圓W的表面上，在該晶圓W的該表面上形成一薄膜。
第二圖和第三圖為例示第一圖內該噴頭的圖式。請參閱第二圖和第三圖，噴頭40包含一凸緣41和一平板43。請參閱第三圖，平板43具有對應至該晶圓W形狀的一碟形。凸緣41具有環形，沿著平板43的外周邊放置。平板43的位置對應至放在支撐板50上的該晶圓W。另外，平板43具有定義在其厚度方向內的複數個注射孔42。該反應氣體透過氣體供應口21朝向平板43的上半部移動，並且透過注射孔42擴散到該晶圓W的表面上。
如第一圖內所示，凸緣41透過螺栓B連結至腔室蓋20。平板43連接至凸緣41並位於腔室蓋20之下。在此平板43的底部表面與凸緣41的底部表面平行放置。因為凸緣41的厚度大於平板43的厚度，所以平板43與腔室蓋20的底部表面分開。如此，平板43的頂端表面與腔室蓋20的底部表面分開。結果在平板43與腔室蓋20之間定義一緩衝空間22。
一阻擋板53位於緩衝空間22之內。阻擋板53的兩邊都固定至腔室蓋20。阻擋板53具有複數個擴散孔52。通過氣體供應口21供應該反應氣體進入阻擋板53，並且透過擴散孔52擴散。然後該反應氣體移動到平板43的上半部之上。在此擴散孔52可定義成對應至平板43已定義的該等注射孔。
如第一圖和第二圖內所示，凸緣41具有一循環通道44。循環通道44的位置對應至腔室內部11。凸緣41的頂端表面凹陷，以定義循環通道44。如第三圖內所示，沿著平板43的外周邊定義循環通道44。另外，流入通道44a與排放通道44b連接至循環通道44的兩端。類似於循環通道44，凸緣41的頂端表面凹陷，以定義流入通道44a與排放通道44b。
冷凍劑(例如水)透過流入通道44a導入循環通道44，循環進入循環通道44的該冷凍劑透過排放通道44b排出。該冷凍劑循環進入循環通道44時，將噴頭40溫度冷卻至預設溫度之下。該排放冷凍劑由外部致冷器冷卻。如此避免噴頭40過熱。另外，噴頭40的溫度可受控制成低於預設溫度。注射孔42定義在循環通道44內部。
通道蓋45可連結(例如焊接)至凸緣41，以關閉或密封循環通道44的開放式上邊(以及流入與排放通道44a和44b)，藉此避免流過循環通道44的冷凍劑洩漏到外面。通道蓋45的形狀對應至循環通道44、流入通道44a以及排放通道44b的形狀。
如上述，凸緣41的頂端表面凹陷，以定義循環通道44。在此結構內，沿著循環通道44循環的該冷凍劑透過循環通道44的下半部漏入腔室內部11。也就是因為凸緣41是從內部製造，並且循環通道44由凸緣41的頂端表面凹陷所定義，所以冷凍劑會透過循環通道44的上半部洩漏，但是不會透過循環通道44的下半部洩漏。循環通道44的開放式上邊由通道蓋45密封。
凸緣41具有一固定溝槽46。凸緣41的頂端表面凹陷，以定義固定溝槽46。固定溝槽46定義在循環通道44內部。密封構件47***固定溝槽46內。
如上述，因為沿著循環通道44循環的該冷凍劑可能透過循 環通道44的上半部洩漏，甚至已經由通道蓋45密封的循環通道44上半部洩漏，該冷凍劑可如以往由於通道蓋45密封不完全而洩漏。若透過循環通道44上半部洩漏的該冷凍劑流入噴頭40，並且朝向平板43的上半部(或緩衝空間22)移動，則該冷凍劑可隨該反應氣體一起移動進入腔室內部11(或該晶圓W的上半部)，這對於處理有不良影響。結果，處理可能失敗。如此即使該冷凍劑洩漏，仍舊可避免冷凍劑洩漏對處理產生不良影響。結果，大幅降低處理損失。
密封構件47位於固定溝槽46上，用於密封凸緣41與腔室蓋20之間的空間。如此避免該冷凍劑流入噴頭40。如此該冷凍劑可流出噴頭40，並且排至基板處理裝置1之外。也就是，密封構件47避免該冷凍劑透過緩衝空間22導入腔室內部11。如此避免由於冷凍劑洩漏，而發生處理失敗的情況。
總結來說，因為噴頭40具有循環通道44、流入通道44a以及排放通道都由凸緣41的頂端表面凹陷產生之結構，如此避免該冷凍劑透過循環通道44、流入通道44a以及排放通道44b洩漏進入腔室內部11。另外，該冷凍劑透過循環通道44的上半部洩漏時，該冷凍劑會由於密封構件47，所以不會流入噴頭40。如此該冷凍劑流出噴頭40，然後排至基板處理裝置1之外。
該冷凍劑冷卻凸緣41，並且平板43的熱量傳輸進入凸緣41。在此平板43內的熱傳輸可在其厚度與長度方向內執行。如此，平板43的厚度越厚，則朝向凸緣41(往平板43的長度方向)的熱傳輸率就越低。也就是，朝向凸緣41的熱傳輸率與平板43的厚度成反比。若平板43厚度較薄，則平板43內的熱傳輸主要往凸緣41的方向(或長度方向)傳播。如此平板43可迅速冷卻。
另外，熱容量與質量成正比。如此凸緣41的厚度較厚時，凸緣41具有足夠的熱容量，可充分吸收平板43的熱量。在上面的案例中，凸緣41的厚度大於平板43的厚度。
第四圖為例示第一圖內該噴頭的修改範例之圖式。第三圖的噴頭40可執行關於圓形晶圓W的處理。第四圖的噴頭40可執行關於方形 基板的處理。方形基板用於製造平板顯示器(例如液晶面板)的處理。
第五圖為根據本發明另一具體實施例的基板處理裝置之圖式。第六圖為例示第五圖內一噴頭的圖式。請參閱第一圖和第二圖，通道蓋45關閉並密封循環通道44(以及流入通道和排放通道44a和44b)的開放式上邊。不過請參閱第五圖和第六圖，該通道蓋已經省略。如此，密封循環通道44(以及流入通道和排放通道44a和44b)的開放式上邊可由腔室蓋20封閉並密封。雖然由於腔室蓋20的關閉與密封不完全造成該冷凍劑透過循環通道44的上半部洩漏，不過密封構件47可避免該冷凍劑流入噴頭40。如此可充分避免由於冷凍劑洩漏，而發生處理失敗的情況。
根據該等具體實施例，該噴頭可冷卻避免該噴頭熱變形。另外，該冷凍劑從該噴頭洩漏時，可避免由於洩漏入該腔室內部，對該處理造成不良影響。另外，該噴頭可透過其厚度差異迅速冷卻。
雖然本發明以參考範例具體實施例來詳細說明，不過本發明可在不同的形式內具體實施。如此，底下所公佈的技術理念與申請專利範圍的範疇都不受限於該等較佳具體實施例。
1‧‧‧基板處理裝置
10‧‧‧腔室本體
11‧‧‧腔室內部
20‧‧‧腔室蓋
21‧‧‧氣體供應口
22‧‧‧緩衝空間
40‧‧‧噴頭
41‧‧‧凸緣
42‧‧‧注射孔
43‧‧‧平板
44‧‧‧循環通道
45‧‧‧通道蓋
46‧‧‧固定溝槽
47‧‧‧密封構件
50‧‧‧支撐板
51‧‧‧支撐板
52‧‧‧擴散孔

Claims (11)

  1. 一種基板處理裝置，包含：一腔室本體，其具有一打開的上邊，該腔室本體提供一內部空間，其中執行關於一基板的處理；一腔室蓋位於該腔室本體的上半部，用於關閉該腔室本體打開的上邊；以及一噴頭，其位於該腔室蓋的下半部，向該內部空間供應一反應氣體，其中該噴頭包含：一接觸該腔室蓋的凸緣，該凸緣具有從其頂端表面內凹的一通道，其中允許一冷凍劑流過；以及一位於該凸緣內部的平板，該平板具有至少一注射孔，用於將該反應氣體注入平板的一厚度方向。
  2. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，另包含一密封構件，其位於該腔室蓋與該凸緣之間和該通道內部。
  3. 如申請專利範圍第1項或第2項之基板處理裝置，其中該噴頭另包含與該凸緣連結的一通道蓋，用來關閉該通道的一上半部。
  4. 如申請專利範圍第1項或第2項之基板處理裝置，其中該通道可位於該腔室本體內，對應至該內部空間。
  5. 如申請專利範圍第1項或第2項之基板處理裝置，其中該平板可與該腔室蓋的一下表面分開，以在該腔室蓋與該平板之間定義一緩衝空間。
  6. 如申請專利範圍第5項之基板處理裝置，其中該腔室蓋另包含與該緩衝空間連通的一氣體供應口，用於接收來自該外界的該反應氣體。
  7. 如申請專利範圍第1項或第2項之基板處理裝置，其中該通道蓋焊接至該凸緣。
  8. 如申請專利範圍第1項或第2項之基板處理裝置，其中該通道包含沿著該注射孔四周定義的一循環通道，以及分別連接至該循環通道兩端的流動與排放通道。
  9. 如申請專利範圍第1項或第2項之基板處理裝置，其中該凸緣具有一圓環形，以及該凸緣的厚度大於該平板的厚度。
  10. 如申請專利範圍第1項或第2項之基板處理裝置，其中該凸緣具有一方環形，以及該凸緣的厚度大於該平板的厚度。
  11. 一種噴頭，其包含：一凸緣，其具有從該凸緣頂端表面內凹的一通道，其中允許一冷凍劑流過；以及一位於該凸緣內部的平板，該平板具有至少一注射孔，用於將一反應氣體注入平板的一厚度方向。
TW101147107A 2012-01-10 2012-12-13 具有冷却系統的噴頭以及包含該噴頭的基板處理裝置 TWI496943B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120003106A KR101327458B1 (ko) 2012-01-10 2012-01-10 냉각 방식의 샤워헤드 및 이를 구비하는 기판 처리 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201333257A true TW201333257A (zh) 2013-08-16
TWI496943B TWI496943B (zh) 2015-08-21

Family

ID=48781647

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW101147107A TWI496943B (zh) 2012-01-10 2012-12-13 具有冷却系統的噴頭以及包含該噴頭的基板處理裝置

Country Status (6)

Country Link
US (1) US9593418B2 (zh)
JP (1) JP5882499B2 (zh)
KR (1) KR101327458B1 (zh)
CN (1) CN104025258B (zh)
TW (1) TWI496943B (zh)
WO (1) WO2013105730A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI562203B (zh) * 2014-01-30 2016-12-11 Hitachi Int Electric Inc

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101327458B1 (ko) * 2012-01-10 2013-11-08 주식회사 유진테크 냉각 방식의 샤워헤드 및 이를 구비하는 기판 처리 장치
KR101560623B1 (ko) 2014-01-03 2015-10-15 주식회사 유진테크 기판처리장치 및 기판처리방법
JP5792364B1 (ja) * 2014-07-31 2015-10-07 株式会社日立国際電気 基板処理装置、チャンバリッドアセンブリ、半導体装置の製造方法、プログラム及び記録媒体
US10741428B2 (en) * 2016-04-11 2020-08-11 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing chamber
KR102507647B1 (ko) * 2016-12-07 2023-03-08 주식회사 케이씨텍 기판 처리 장치
FR3061914B1 (fr) * 2017-01-16 2019-05-31 Kobus Sas Chambre de traitement pour un reacteur de depot chimique en phase vapeur (cvd) et procede de thermalisation mis en œuvre dans cette chambre
KR101980971B1 (ko) 2017-09-13 2019-05-21 이영남 냉각 방식의 샤워헤드를 구비하는 기판 처리 장치
KR102411142B1 (ko) * 2017-12-12 2022-06-21 주식회사 원익아이피에스 샤워 헤드 구조체 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US10900124B2 (en) * 2018-06-12 2021-01-26 Lam Research Corporation Substrate processing chamber with showerhead having cooled faceplate
KR102054236B1 (ko) 2019-03-15 2019-12-12 주식회사 뉴엠텍 냉각 방식의 샤워헤드
CN110508436A (zh) * 2019-09-23 2019-11-29 重庆通用工业(集团)有限责任公司 一种雾化喷头组件
KR102240080B1 (ko) * 2019-10-28 2021-04-14 주식회사 테스 기판처리장치
US20210381101A1 (en) * 2020-06-03 2021-12-09 Applied Materials, Inc. Substrate processing system
WO2023107091A1 (en) * 2021-12-06 2023-06-15 Applied Materials, Inc. Cooling frame for diffuser
CN114855146A (zh) * 2022-04-26 2022-08-05 江苏微导纳米科技股份有限公司 半导体设备及反应腔

Family Cites Families (48)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6379466B1 (en) * 1992-01-17 2002-04-30 Applied Materials, Inc. Temperature controlled gas distribution plate
JPH0758101A (ja) * 1993-08-09 1995-03-03 Hitachi Electron Eng Co Ltd シリコン酸化膜の成膜方法およびｃｖｄ装置
JPH07321054A (ja) * 1994-05-27 1995-12-08 Mitsubishi Electric Corp プラズマｃｖｄ装置とそのクリーニング方法
US5653806A (en) * 1995-03-10 1997-08-05 Advanced Technology Materials, Inc. Showerhead-type discharge assembly for delivery of source reagent vapor to a substrate, and CVD process utilizing same
JP3360098B2 (ja) * 1995-04-20 2002-12-24 東京エレクトロン株式会社 処理装置のシャワーヘッド構造
JP3261440B2 (ja) * 1995-12-27 2002-03-04 東京エレクトロン株式会社 アルミニウム膜の成膜方法
US5892886A (en) * 1996-02-02 1999-04-06 Micron Technology, Inc. Apparatus for uniform gas and radiant heat dispersion for solid state fabrication processes
US5906683A (en) * 1996-04-16 1999-05-25 Applied Materials, Inc. Lid assembly for semiconductor processing chamber
US6019848A (en) * 1996-11-13 2000-02-01 Applied Materials, Inc. Lid assembly for high temperature processing chamber
US6114216A (en) * 1996-11-13 2000-09-05 Applied Materials, Inc. Methods for shallow trench isolation
US5968276A (en) * 1997-07-11 1999-10-19 Applied Materials, Inc. Heat exchange passage connection
US6117245A (en) * 1998-04-08 2000-09-12 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for controlling cooling and heating fluids for a gas distribution plate
US6433314B1 (en) * 1998-04-08 2002-08-13 Applied Materials, Inc. Direct temperature control for a component of a substrate processing chamber
US6553932B2 (en) * 2000-05-12 2003-04-29 Applied Materials, Inc. Reduction of plasma edge effect on plasma enhanced CVD processes
US6562141B2 (en) * 2000-07-03 2003-05-13 Andrew Peter Clarke Dual degas/cool loadlock cluster tool
TW200819555A (en) * 2000-09-08 2008-05-01 Tokyo Electron Ltd Shower head structure, device and method for film formation, and method for cleaning
KR100434487B1 (ko) * 2001-01-17 2004-06-05 삼성전자주식회사 샤워 헤드 및 이를 포함하는 박막 형성 장비
JP4720019B2 (ja) * 2001-05-18 2011-07-13 東京エレクトロン株式会社 冷却機構及び処理装置
JP4236882B2 (ja) * 2001-08-01 2009-03-11 東京エレクトロン株式会社 ガス処理装置およびガス処理方法
TW573053B (en) * 2001-09-10 2004-01-21 Anelva Corp Surface processing apparatus
US20040118519A1 (en) * 2002-12-20 2004-06-24 Applied Materials, Inc. Blocker plate bypass design to improve clean rate at the edge of the chamber
EP1667217A1 (en) * 2003-09-03 2006-06-07 Tokyo Electron Limited Gas treatment device and heat readiting method
JP4513329B2 (ja) * 2004-01-16 2010-07-28 東京エレクトロン株式会社 処理装置
US7323080B2 (en) * 2004-05-04 2008-01-29 Semes Co., Ltd. Apparatus for treating substrate
JP4749785B2 (ja) * 2005-07-19 2011-08-17 東京エレクトロン株式会社 ガス処理装置
KR20070013100A (ko) 2005-07-25 2007-01-30 삼성전자주식회사 반도체소자 제조설비 및 이를 이용한 샤웨헤드의 냉각방법
KR101036185B1 (ko) * 2005-09-30 2011-05-23 엘아이지에이디피 주식회사 플라즈마 처리장치
DE102005055468A1 (de) * 2005-11-22 2007-05-24 Aixtron Ag Verfahren zum Abscheiden von Schichten in einem CVD-Reaktor sowie Gaseinlassorgan für einen CVD-Reaktor
JP5045000B2 (ja) * 2006-06-20 2012-10-10 東京エレクトロン株式会社 成膜装置、ガス供給装置、成膜方法及び記憶媒体
US20090071403A1 (en) * 2007-09-19 2009-03-19 Soo Young Choi Pecvd process chamber with cooled backing plate
US8673080B2 (en) * 2007-10-16 2014-03-18 Novellus Systems, Inc. Temperature controlled showerhead
US8668775B2 (en) * 2007-10-31 2014-03-11 Toshiba Techno Center Inc. Machine CVD shower head
JP5520455B2 (ja) * 2008-06-11 2014-06-11 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
US20100099263A1 (en) * 2008-10-20 2010-04-22 Applied Materials, Inc. Nf3/h2 remote plasma process with high etch selectivity of psg/bpsg over thermal oxide and low density surface defects
JP5083193B2 (ja) * 2008-12-12 2012-11-28 東京エレクトロン株式会社 成膜装置、成膜方法及び記憶媒体
US20110048325A1 (en) * 2009-03-03 2011-03-03 Sun Hong Choi Gas Distribution Apparatus and Substrate Processing Apparatus Having the Same
SG10201401671SA (en) * 2009-04-21 2014-07-30 Applied Materials Inc Cvd apparatus for improved film thickness non-uniformity and particle performance
US8142521B2 (en) * 2010-03-29 2012-03-27 Stion Corporation Large scale MOCVD system for thin film photovoltaic devices
US20110256692A1 (en) * 2010-04-14 2011-10-20 Applied Materials, Inc. Multiple precursor concentric delivery showerhead
WO2011159690A2 (en) * 2010-06-15 2011-12-22 Applied Materials, Inc. Multiple precursor showerhead with by-pass ports
US9068265B2 (en) * 2011-02-01 2015-06-30 Applied Materials, Inc. Gas distribution plate with discrete protective elements
CN102352492A (zh) * 2011-11-10 2012-02-15 中微半导体设备(上海)有限公司 一种带冷却***的气体注入装置
KR101327458B1 (ko) * 2012-01-10 2013-11-08 주식회사 유진테크 냉각 방식의 샤워헤드 및 이를 구비하는 기판 처리 장치
US20130316094A1 (en) * 2012-05-25 2013-11-28 Novellus Systems, Inc. Rf-powered, temperature-controlled gas diffuser
US9685356B2 (en) * 2012-12-11 2017-06-20 Applied Materials, Inc. Substrate support assembly having metal bonded protective layer
US20140235069A1 (en) * 2013-02-15 2014-08-21 Novellus Systems, Inc. Multi-plenum showerhead with temperature control
US20140271097A1 (en) * 2013-03-15 2014-09-18 Applied Materials, Inc. Processing systems and methods for halide scavenging
US20140263275A1 (en) * 2013-03-15 2014-09-18 Applied Materials, Inc. Rotation enabled multifunctional heater-chiller pedestal

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI562203B (zh) * 2014-01-30 2016-12-11 Hitachi Int Electric Inc

Also Published As

Publication number Publication date
CN104025258B (zh) 2017-03-01
TWI496943B (zh) 2015-08-21
JP2015503248A (ja) 2015-01-29
WO2013105730A1 (ko) 2013-07-18
KR20130081969A (ko) 2013-07-18
KR101327458B1 (ko) 2013-11-08
US9593418B2 (en) 2017-03-14
CN104025258A (zh) 2014-09-03
JP5882499B2 (ja) 2016-03-09
US20140311411A1 (en) 2014-10-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI496943B (zh) 具有冷却系統的噴頭以及包含該噴頭的基板處理裝置
KR100966389B1 (ko) 진공 장치의 밀봉 구조
JP5930579B2 (ja) 基板加工装置
KR100628888B1 (ko) 샤워 헤드 온도 조절 장치 및 이를 갖는 막 형성 장치
US8808454B2 (en) Gas injection unit for chemical vapor desposition apparatus
JPH08291385A (ja) 処理装置のシャワーヘッド構造及び処理ガスの供給方法
KR20110094021A (ko) 처리 챔버용 밀봉 장치
KR101094279B1 (ko) 가열 수단 및 이를 포함하는 기판 가공 장치
KR101108576B1 (ko) 서셉터 및 그것을 구비한 종형 기판 처리 설비
KR101573526B1 (ko) 유기금속 화학기상 증착장치의 퍼니스
KR102260370B1 (ko) 전체-영역 대향류 열 교환 기판 지지부
KR101160168B1 (ko) 샤워 헤드 및 이를 구비한 기판 처리 장치
KR101216382B1 (ko) 열차폐 부재를 포함하는 반도체 처리 장치
KR100797887B1 (ko) 디퓨젼 플랜지 및 이의 제조방법
KR20230144883A (ko) 기판처리장치
KR20110116910A (ko) 화학기상증착장치의 가스공급유닛
KR101689690B1 (ko) 가스 분사 장치
JP2004311550A (ja) 基板処理装置
KR20140039720A (ko) 가스공급유닛 및 이를 이용한 화학기상 증착장치
TW202421841A (zh) 具有雙蓋封閉系統的單腔室原子層沉積設備
KR20060086601A (ko) 반도체 제조설비
KR20190030096A (ko) 냉각 방식의 샤워헤드를 구비하는 기판 처리 장치
KR101372222B1 (ko) 기판 처리장치
KR101200259B1 (ko) 단열 부재가 구비된 가스분사장치 및 이를 포함하는 기판처리 장치
KR20070066626A (ko) 화학 기상 증착 장치의 샤워 헤드