KR102240080B1 - 기판처리장치 - Google Patents

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장경호
노희성
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주식회사 테스
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Abstract

본 발명은 기판처리장치에 대한 것으로서, 보다 상세하게는 챔버 내부에서 복수개의 기판에 대한 증착 등의 공정을 수행하는 경우에 인접한 기판의 공정에 영향을 받지 않으면서 효율적으로 공정을 수행할 수 있으며, 나아가 챔버 내부의 보수 등에 있어서 편리한 구조를 가지는 기판처리장치에 대한 것이다.

Description

기판처리장치 {Substrate processing apparatus}
본 발명은 기판처리장치에 대한 것으로서, 보다 상세하게는 챔버 내부에서 복수개의 기판에 대한 증착 등의 공정을 수행하는 경우에 인접한 기판의 공정에 영향을 받지 않으면서 효율적으로 공정을 수행할 수 있으며, 나아가 챔버 내부의 보수 등에 있어서 편리한 구조를 가지는 기판처리장치에 대한 것이다.
일반적으로 기판처리장치는 챔버의 내부에 기판을 지지하는 기판지지부와, 기판을 향해 공정가스를 공급하는 샤워헤드를 구비하여 기판에 대한 각종 공정을 수행하게 된다.
이 경우, 종래기술에 따른 기판처리장치의 경우 샤워헤드가 챔버리드에서 돌출하여 배치되어 기판이 챔버 내부에서 이동하는 경우에 기판과 샤워헤드 사이에 간섭이 발생할 수 있었다.
또한, 종래기술에 따른 기판처리장치의 경우 챔버의 내부에서 복수개의 기판에 대한 처리공정을 수행하는 경우에 인접한 샤워헤드에서 공급되는 공정가스에 의해 영향을 받게 되어 공정이 원활하게 진행되지 않는 문제점이 있었다.
나아가, 종래기술에 따른 기판처리장치의 경우에 샤워헤드 등에 보수 작업 등이 필요한 경우에 챔버리드 전체를 분리하게 되어, 분리작업에 시간 및 인력이 많이 소요되었으며, 분리 작업 중에 오링 등과 같은 다른 구성요소의 파손이 발생할 수 있었다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 기판과 샤워헤드의 간섭을 방지하며, 나아가 복수개의 기판에 대한 공정을 진행하는 중에도 인접한 기판의 공정에 의해 영향을 받지 않는 기판처리장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 샤워헤드 등의 챔버 내부의 구성요소에 대한 작업이 필요한 경우에 챔버리드를 용이하게 분리할 수 있으며, 나아가 보수가 필요한 구성요소에 따라 챔버리드의 일부만 개방하여 작업할 수 있는 기판처리장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기와 같은 본 발명의 목적은 챔버몸체와 상기 챔버몸체의 개구된 상부를 밀폐하는 챔버리드를 포함하는 챔버, 상기 챔버리드에 서로 소정거리 이격되어 형성되는 복수개의 오목부, 상기 챔버리드의 오목부에 구비되어 기판을 향해 공정가스를 공급하는 복수개의 샤워헤드. 상기 오목부의 내측벽을 둘러싸도록 연장되어 구비되는 단열부 및 상기 기판을 지지하며, 상기 오목부에 삽입되도록 상하로 이동가능하게 구비되어 상기 샤워헤드, 단열부와 사이에 처리공간을 형성하는 기판지지부를 구비하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치에 의해 달성된다.
여기서, 상기 기판지지부가 상승하여 상기 오목부에 삽입된 경우에 상기 기판지지부의 측면과 상기 단열부 사이에 이격공간이 형성될 수 있다.
이때, 상기 단열부는 상기 오목부의 내측벽에 착탈 가능하게 구비될 수 있다.
또한, 상기 챔버리드에는 상기 오목부의 가장자리를 따라 배치되어, 하부를 향해 불활성가스를 공급하는 불활성가스 공급부를 구비할 수 있다.
예를 들어, 상기 불활성가스 공급부는 상기 챔버리드의 상부에 배치되어 불활성가스가 이동하는 유로를 제공하는 가스블록과, 상기 챔버리드의 오목부의 가장자리를 따라 배치되며, 상기 가스블록의 불활성가스가 공급되는 복수개의 불활성가스 공급링을 포함할 수 있다.
이 경우, 상기 가스블록 내에서 상기 복수개의 불활성가스 공급링으로 연결되는 각 유로는 대칭적으로 형성되며 동일한 길이를 가질 수 있다.
한편, 상기 불활성가스 공급링은 상기 불활성가스가 순환하는 제1 순환공간과, 상기 제1 순환공간과 보조유로를 통해 연통되는 제2 순환공간과, 상기 제2 순환공간과 연통되어 하부를 향해 상기 불활성가스를 공급하는 분사부가 형성될 수 있다.
나아가, 상기 챔버리드는 상기 챔버몸체에 대해 상하로 이동가능하게 구비되는 제1 챔버리드와, 상기 제1 챔버리드의 하부에 상하로 이동가능하게 구비되는 제2 챔버리드와, 상기 챔버몸체를 관통하여 배치되며 상기 제1 챔버리드와 제2 챔버리드에 연결되어 상기 제1 챔버리드와 제2 챔버리를 상하로 이동시키는 리프트바를 구비하며, 상기 제2 챔버리드에 개구부가 형성되고, 상기 개구부에 상기 샤워헤드가 배치될 수 있다.
전술한 구성을 가지는 본 발명에 따르면, 샤워헤드를 챔버리드의 오목부에 배치하여 기판과 샤워헤드의 간섭을 방지할 수 있으며, 나아가 복수개의 기판에 대한 공정을 진행하는 중에도 인접한 기판의 공정에 의해 영향을 받지 않게 된다.
또한, 본 발명에 따르면, 샤워헤드 등의 챔버 내부의 구성요소에 대한 작업이 필요한 경우에 리프트바에 의해 챔버리드를 용이하게 분리할 수 있으며, 나아가 보수가 필요한 구성요소에 따라 제1 챔버리드만을 개방하거나, 또는 제1 챔버리드와 제2 챔버리드를 모두 개방하여 용이하게 작업할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리장치에서 기판지지부가 하강한 상태를 도시한 측단면도,
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리장치에서 기판지지부가 상승한 상태를 도시한 측단면도,
도 3은 도 2에서 제1 기판지지부와 제1 샤워헤드를 확대해서 보여주는 도면,
도 4는 불활성가스 공급부에 불활성가스를 공급하기 위한 유로를 도시한 도면,
도 5는 제2 챔버리드에 배치된 불활성가스 공급링을 도시한 평면도,
도 6은 도 3에서 “A”영역의 제1 불활성가스 공급링의 구성을 확대해서 보여주는 단면도,
도 7은 다른 실시예에 따른 기판처리장치를 도시한 측단면도로서, 챔버리드가 개방되지 않은 상태의 측단면도,
도 8은 도 7에서 제1 챔버리드가 개방된 상태의 측단면도,
도 9는 제1 챔버리드가 개방된 상태의 사시도,
도 10은 제1 챔버리드와 제2 챔버리드가 모두 개방된 상태의 측단면도이다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 기판처리장치(1000)에 대해서 상세하게 살펴보도록 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리장치(1000)에서 기판지지부(400A, 400B)가 하강한 상태를 도시한 측단면도이고, 도 2는 상기 기판지지부(400A, 400B)가 상승한 상태를 도시한 측단면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 상기 기판처리장치(1000)는 챔버몸체(130)와 상기 챔버몸체(130)의 개구된 상부를 밀폐하는 챔버리드(115)를 포함하는 챔버(100)와, 상기 챔버리드(115)에 서로 소정거리 이격되어 형성되는 복수개의 오목부(210A, 210B)와, 상기 챔버리드(115)의 오목부(210A, 210B)에 구비되어 기판(W)을 향해 공정가스를 공급하는 복수개의 샤워헤드(200A, 200B), 상기 오목부(210A, 210B)의 내측벽을 둘러싸도록 연장되어 구비되는 단열부(500A, 500B) 및 상기 기판(W)을 지지하며, 상기 오목부(210A, 210B)에 삽입되도록 상하로 이동가능하게 구비되어 상기 샤워헤드(200A, 200B), 단열부(500A, 500B)와 사이에 처리공간을 형성하는 한 개 이상의 기판지지부(400A, 400B)를 구비할 수 있다.
상기 챔버(100)는 내측에 상기 기판(W)에 대한 증착공정 등의 각종 공정을 수행할 수 있는 처리공간을 제공하게 된다.
예를 들어, 상기 챔버(100)는 상부가 개방된 챔버몸체(130)와 상기 챔버몸체(130)의 상부를 밀폐하는 챔버리드(115)를 구비할 수 있다.
상기 챔버몸체(130)에는 상기 기판(W)이 인입되거나 또는 인출되는 도어부(미도시)를 구비할 수 있다. 또한, 상기 챔버몸체(130)의 하부에는 상기 챔버(100) 내부의 잔존가스를 배기하는 배기유로(700A, 700B)가 연결될 수 있다. 상기 배기유로(700A, 700B)는 복수개로 도시되지만, 단일 배기유로로 구성되는 경우도 가능하며, 또한 상기 복수개의 배기유로(700A, 700B)가 둘 또는 단일 배기유로로 통합되어 배기펌프와 연결되는 구성도 가능하다.
한편, 본 발명에서는 상기 챔버(100)의 내측에 적어도 한 개 이상의 기판지지부(400A, 400B)와 샤워헤드(200A, 200B)를 구비할 수 있다. 본 발명의 경우 4개의 기판지지부(400A, 400B)와 샤워헤드(200A, 200B)를 구비하는 것으로 도시되지만, 이에 한정되지는 않으며 적절한 개수의 기판지지부(400A, 400B)와 샤워헤드(200A, 200B)를 구비할 수 있다. 또한, 상기 기판지지부(400A, 400B)와 샤워헤드(200A, 200B)를 복수개로 구비하는 경우에는 보다 많은 기판을 한번에 처리할 수 있게 되어 생산효율(throughput)을 향상시킬 수 있다.
상기 챔버몸체(130)의 하부에는 기판지지부(400A, 400B)가 상하로 이동 가능하게 배치된다. 상기 기판지지부(400A, 400B)에는 히터(미도시) 등을 구비하여 상기 기판지지부(400A, 400B)의 상면에 기판(W)이 안착되는 경우 상기 기판(W)을 가열할 수 있다. 또한, 상기 기판지지부(400A, 400B)의 중앙 하부에는 지지바(410A, 410B)가 연장 형성되어, 상기 지지바(410A, 410B)를 상하로 승강시켜 상기 기판지지부(400A, 400B)를 상하로 이동시키게 된다.
한편, 상기 챔버리드(115)는 상기 챔버몸체(130)의 개구된 상부를 밀폐하는 역할을 하게 된다.
상기 챔버리드(115)에는 상기 기판(W)을 향해 공정가스를 공급하는 샤워헤드(200A, 200B)가 구비된다.
본 실시예의 경우, 상기 챔버리드(115)에 복수개의 오목부(210A, 210B)가 서로간에 미리 결정된 거리만큼 이격되어 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 오목부(210A, 210B)가 4개 구비되는 경우에 상기 챔버리드(115)에 사각형 형상으로 배치될 수 있다. 이러한 배치형상은 일예를 들어 설명한 것에 불과하며 상기 오목부(210A, 210B)의 배치형상은 적절하게 변형될 수 있다. 상기 챔버리드(115)의 오목부(210A, 210B)에 상기 샤워헤드(200A, 200B)가 배치된다.
구체적으로, 상기 챔버리드(115)는 제1 챔버리드(110)와, 상기 제1 챔버리드(110)의 하부에 연결되는 제2 챔버리드(120)로 구성될 수 있다. 나아가, 상기 제1 챔버리드(110)와 제2 챔버리드(120)는 상기 챔버몸체(130)에 대해 상하로 이동 가능하게 배치될 수 있다.
이와 같이, 상기 제1 챔버리드(110)와 제2 챔버리드(120)가 상하로 이동 가능하게 배치되면, 상기 챔버리드(115)에 배치된 샤워헤드(200A, 200B) 등을 보수하는 경우에 전체 챔버리드(115)를 개방하지 않고, 제1 챔버리드(110)만을 개방하여 보수할 수 있게 되어 보수가 보다 편리하고 간편하게 수행될 수 있다. 이에 대해서는 이후에 상술한다.
한편, 상기 챔버리드(115)가 전술한 바와 같이 제1 챔버리드(110)와 제2 챔버리드(120)로 구성되는 경우, 상기 제2 챔버리드(120)에 개구부가 형성되고, 상기 제2 챔버리드(120)의 개구부에 상기 샤워헤드(200A, 200B)가 배치될 수 있다.
예를 들어, 상기 제1 챔버리드(110)에는 상기 샤워헤드(200A, 200B)의 상부를 밀폐하여 공정가스가 공급되어 확산되는 확산공간(216A, 216A)을 제공하는 커버부(205A, 205B)가 배치될 수 있다. 즉, 상기 커버부(205A, 205B)와 상기 샤워헤드(200A, 200B) 사이의 확산공간(216A, 216A)으로 공정가스가 공급되는 경우에 상기 샤워헤드(200A, 200B)를 통해 상기 기판(W)으로 공급될 수 있다. 이때, 상기 확산공간(216A, 216A)에는 배플(215A, 215B)가 제공되어, 상기 확산공간(216A, 216A)에서 상기 공정가스의 확산을 촉진시킬 수 있다.
한편, 상기 기판(W)에 대한 공정을 진행하는 중에 공정을 보다 효율적으로 진행하기 위하여 플라즈마(plasma)를 사용할 수 있다. 이 경우, 상기 샤워헤드(200A, 200B)에 RF 전원부(900)에서 RF 전원을 인가하고 상기 기판지지부(400A, 400B)가 접지될 수 있다. 또는 도면에 도시되지 않았지만 상기 샤워헤드(200A, 200B)가 접지되고 상기 기판지지부(400A, 400B)가 접지될 수도 있다.
이와 같이 플라즈마를 사용하는 경우 상기 샤워헤드(200A, 200B)를 상기 챔버리드(115)와 절연시킬 필요가 있다. 예를 들어, 상기 제1 챔버리드(110)의 하면에 절연부(220A, 220B)를 구비하고 상기 절연부(220A, 220B)의 하부에 전술한 커버부(205A, 205B)가 배치될 수 있다. 나아가, 상기 샤워헤드(200A, 200B)는 후술하는 단열부(500A, 500B)에 의해 지지되는데, 상기 단열부(500A, 500B)가 단열뿐만 아니라 절연의 기능도 함께 제공하여 상기 샤워헤드(200A, 200B)와 제2 챔버리드(120)를 절연시키게 된다. 또한, 상기 커버부(205A, 205B) 및 샤워헤드(200A, 200B)의 외측면은 상기 제1 챔버리드(110) 및 제2 챔버리드(120)와 절연공간(225A, 225B)을 사이에 두고 이격되어 배치되어 상기 커버부(205A, 205B) 및 샤워헤드(200A, 200B)의 외측면과 챔버리드(115)를 절연시키게 된다.
한편, 전술한 바와 같이 배치되는 경우에 상기 샤워헤드(200A, 200B)의 하부가 오목부(210A, 210B)에 해당하게 된다. 상기 제2 챔버리드(120)를 상기 제1 챔버리드(110)의 하면에 연결함으로써 챔버리드(115)를 조립하게 된다.
이와 같이, 상기 샤워헤드(200A, 200B)가 상기 오목부(210A, 210B)의 내측에 배치되면 상기 챔버(100)의 내부에서 기판(W)이 이송하는 중에 상기 기판(W)과 상기 샤워헤드(200A, 200B)의 간섭을 방지할 수 있다.
이때, 상기 불활성가스 공급부(300)는 상기 오목부(210A, 210B)의 가장자리를 따라 배치되어, 하부를 향해 불활성가스를 공급하게 된다.
한편, 상기 불활성가스 공급부(300)는 상기 챔버리드(115)의 상부에 배치되어 불활성가스가 이동하는 유로를 제공하는 가스블록(230)과, 상기 챔버리드(115)의 오목부(210A, 210B)의 가장자리를 따라 배치되며, 상기 가스블록(230)의 불활성가스가 공급되는 복수개의 불활성가스 공급링(300A, 300B, 300C, 300D)을 포함할 수 있다.
이 경우, 상기 챔버리드(115)의 상부에 상기 가스블록(230)이 배치될 수 있다. 상기 가스블록(230)을 통해 공정가스 또는 불활성가스 등이 상기 챔버(100)의 내부로 공급될 수 있다. 상기 가스블록(230) 내에서 상기 복수개의 불활성가스 공급링(300A, 300B, 300C, 300D)으로 연결되는 각 유로는 대칭적으로 형성되며 동일한 길이를 가질 수 있다. 따라서, 상기 가스블록(230)에 의해 상기 복수개의 불활성가스 공급링(300A, 300B, 300C, 300D)으로 연결되는 각 유로 구성을 단순화할 수 있으며, 각 유로의 형상 및 길이를 동일하게 형성하여 파이프 등을 이용하여 유로를 구성하는 경우에 비해 각 불활성가스 공급링(300A, 300B, 300C, 300D)으로 공급되는 유량을 보다 쉽게 균일하게 맞출 수 있다.
예를 들어, 불활성가스 공급원(미도시)에서 공급된 불활성가스는 상기 가스블록(230)의 제1 분기유로(232)를 통해 공급되어 제1 연결유로(234) 및 제2 연결유로(235)로 분기될 수 있다.
이 경우, 상기 제1 연결유로(234) 및 제1 연결유로(234)는 상기 제1 챔버리드(110)에 형성된 제1 중간유로(112A) 및 제2 중간유로(112B)에 각각 연결될 수 있다.
또한, 상기 제1 중간유로(112A) 및 제2 중간유로(112B)는 상기 제2 챔버리드(120)에 형성된 제1 말단유로(122A)와 제2 말단유로(122B)에 각각 연결되어 불활성가스 공급부(300)에 불활성가스를 공급할 수 있다.
이와 같이, 상기 불활성가스 공급부(300)에 의해 상기 오목부(210A, 210B)의 가장자리에서 하부를 향해 불활성가스를 공급하게 되면, 각 오목부(210A, 210B)의 내측에서 처리공정이 수행되는 경우에 상기 불활성가스가 커튼가스의 역할을 하게 되어 각 오목부(210A, 210B)를 격리할 수 있는 효과와, 챔버(100) 중앙에 구비된 기판이송유닛(미도시)을 공정가스로부터 보호할 수 있는 효과가 있다.
한편, 도 2는 상기 기판(W)이 상기 기판지지부(400A, 400B)의 상면에 모두 안착되고, 상기 기판지지부(400A, 400B)가 상승한 경우를 도시한다.
도 2에 도시된 바와 같이, 상기 기판지지부(400A, 400B)가 상승하는 경우에 상기 기판지지부(400A, 400B)는 상기 기판(W)이 상기 오목부(210A, 210B)에 완전히 삽입되도록 상승할 수 있다.
이 경우, 상기 기판지지부(400A, 400B)의 상면이 상기 제2 챔버리드(120)의 하면과 동일한 높이에 위치하도록 상승하거나, 또는 그보다 높은 위치에 있도록 상승할 수 있고, 예를 들어 도 2에 도시된 바와 같이 상기 기판지지부(400A, 400B)가 상기 오목부(210A, 210B)에 완전히 삽입되어, 상기 기판지지부(400A, 400B)의 하면이 상기 제2 챔버리드(120)의 하면 이상의 높이를 가지도록 상승할 수도 있다.
전술한 바와 같이 상기 기판지지부(400A, 400B)가 상승한 경우 상기 기판지지부(400A, 400B)와 상기 샤워헤드(200A, 200B) 및 상기 오목부(210A, 210B)의 내벽에 구비된 단열부(500A, 500B) 사이가 처리공간을 형성하게 된다. 따라서, 상기 샤워헤드(200A, 200B)에서 공급되는 공정가스는 상기 기판(W)을 향해 충분히 공급되어 상기 기판(W)에 대한 처리공정을 수행하게 된다.
또한, 상기 기판(W)이 상기 오목부(210A, 210B)에 삽입되어 처리공정이 진행되면, 이웃한 기판(W)에서 진행되는 공정가스 등에 의한 영향을 방지할 수 있게 되어 처리공정을 원활하게 진행할 수 있다.
한편, 상기 기판지지부(400A, 400B)가 상승하여 상기 오목부(210A, 210B)에 삽입된 경우에 상기 기판지지부(400A, 400B)의 측면과 상기 오목부(210A, 210B)의 내벽에 배치된 단열부(500A, 500B) 사이에 이격공간(510)이 형성될 수 있다.
즉, 상기 기판지지부(400A, 400B)는 상기 오목부(210A, 210B)에 대응하는 형상을 가지되 상기 기판지지부(400A, 400B)의 측면과 상기 단열부(500A, 500B) 사이에 이격공간(510)이 형성되도록 더 작은 크기를 가질 수 있다. 상기 기판지지부(400A, 400B)와 오목부(210A, 210B)가 원형의 형상인 경우, 상기 기판지지부(400A, 400B)의 직경이 상기 단열부(500A, 500B)의 안쪽 직경에 비해 더 작을 수 있다.
상기 기판지지부(400A, 400B)가 상기 오목부(210A, 210B)의 내측으로 상승하여 삽입되는 경우에 상기 기판지지부(400A, 400B)의 측면과 상기 오목부(210A, 210B)의 내벽에 배치된 단열부(500A, 500B) 사이에 간섭이 발생하게 되면, 파티클의 요인으로 작용할 수 있다. 또한, 전술한 처리공간이 완전히 밀폐된다면 상기 처리공간의 내압으로 인해 공정가스를 상기 처리공간으로 공급하기 어려울 수 있다.
따라서, 전술한 바와 같이 파티클 요소를 배제하고, 공정가스를 원활히 공급하며 잔존가스를 배기하기 위하여 상기 기판지지부(400A, 400B)의 측면과 상기 오목부(210A, 210B)의 내벽에 배치된 단열부(500A, 500B) 사이에 이격공간(510)이 형성된다.
도 3은 도 2에서 제1 기판지지부(400A)와 제1 샤워헤드(200A)를 확대해서 보여주는 도면이다.
도 3에 도시된 바와 같이 상기 제1 기판지지부(400A)가 제1 오목부(210A)의 내측으로 상승하여 삽입된 경우, 상기 불활성가스 공급부(300)에 의해 불활성가스가 공급된다.
또한, 상기 제1 샤워헤드(200A)에서 상기 기판(W)을 향해 공정가스를 공급하게 되며, 잔존가스는 상기 이격공간(510)을 통해 상기 제1 기판지지부(400A)의 하부로 배출되고, 이어서 상기 챔버몸체(130)의 하부에 구비된 배기유로(700A, 700B)를 통해 상기 챔버(100)의 외부로 배출된다.
한편, 도 1 및 도 2를 다시 참조하면, 상기 오목부(210A, 210B)의 내벽에는 전술한 바와 같이 열전달을 차단하는 단열부(500A, 500B)가 구비될 수 있다. 상기 단열부(500A, 500B)는 도면에 도시된 바와 같이 상기 오목부(210A, 210B)의 내측벽을 둘러싸도록 연장되어 배치된다. 즉, 상기 단열부(500A, 500B)는 상기 샤워헤드(200A, 200B)의 하단부에서 상기 제2 챔버리드(120)의 하단부까지 연장되어 배치될 수 있다. 따라서, 상기 기판지지부(400A, 400B)가 상기 오목부(210A, 210B)에 삽입된 경우에 상기 단열부(500A, 500B)가 상기 기판지지부(400A, 400B)를 감싸도록 배치된다.
따라서, 상기 기판(W)에 대한 공정 중에 상기 기판지지부(400A, 400B)에 의해 상기 기판(W)을 가열하는 경우에 상기 단열부(500A, 500B)에 의해 상기 처리공간에서 열손실을 차단하여 처리공정을 효과적으로 진행할 수 있다.
한편, 상기 단열부(500A, 500B)는 단열 기능과 함께 절연 기능을 함께 구비할 수 있다. 즉, 상기 단열부(500A, 500B)는 단열 및 절연 재질로 제작될 수 있다. 전술한 바와 같이 상기 샤워헤드(200A, 200B)에 RF 전원이 연결되거나 또는 상기 샤워헤드(200A, 200B)가 접지되는 경우에 상기 단열부(500A, 500B)에 의해 상기 샤워헤드(200A, 200B)와 제2 챔버리드(120)를 전기적으로 절연시킬 수 있다.
한편, 전술한 이격공간(510)은 상기 기판지지부(400A, 400B)의 측면과 상기 단열부(500A, 500B)의 내벽 사이의 공간으로 정의될 수 있다.
이때, 상기 기판지지부(400A, 400B)의 직경 또는 크기는 기판(W)에 따라 정해지게 되므로, 상기 단열부(500A, 500B)의 두께를 조절하여 상기 이격공간(510)의 크기를 조절할 수 있다.
즉, 상기 단열부(500A, 500B)의 두께를 얇게 하여 상기 이격공간(510)의 너비를 크게 할 수 있으며, 반대로 상기 단열부(500A, 500B)의 두께를 두껍게 하여 상기 이격공간(510)의 너비를 작게할 수 있다.
이 경우, 상기 단열부(500A, 500B)의 두께 조절에 의해 상기 이격공간(510)을 통해 배출되는 가스의 양을 조절할 수 있다. 또한, 상기 단열부(500A, 500B)는 상기 오목부(210A, 210B)의 내측벽에 착탈 가능하게 구비될 수 있다.
이와 같이, 본 발명에서는 전술한 이격공간(510)을 형성하는 단열부(500A, 500B)를 상기 챔버리드(115)에 착탈 가능하게 구성함으로써, 상기 이격공간(510)의 크기 또는 간격을 기판처리장치의 공정조건 및 기판 증착률에 대응하여 유동적으로 조절할 수 있다.
한편, 도 4는 전술한 불활성가스 공급부(300)에 불활성가스를 공급하기 위한 유로(600)를 도시한 도면이다.
도 1 및 도 4를 참조하면, 불활성가스 공급원(미도시)에서 공급된 불활성가스는 공급유로(630)를 통해 공급될 수 있다. 이 때, 상기 공급유로(630)에는 조절밸브(622) 및 추가유로(612)를 통해 RPS(Remote Plasma Source)(610)와 연결될 수 있다. 즉, 상기 조절밸브(622)의 조절에 의해 상기 공급유로(630)를 통해 불활성가스 또는 원격 플라즈마를 공급할 수 있다.
상기 공급유로(630)는 상기 샤워헤드(200A, 200B) 또는 기판지지부(400A, 400B)의 개수에 따라 분기될 수 있다. 예를 들어, 본 실시예와 같이 4개의 샤워헤드(200A, 200B) 및 기판지지부(400A, 400B)를 구비한 경우에 상기 공급유로(630)는 제1 분기유로(232)와 제2 분기유로(236)로 분기되고, 이어서 상기 제1 분기유로(232)가 제1 연결유로(234)와 제2 연결유로(235)로 분기되고, 상기 제2 분기유로(236)가 제3 연결유로(237)와 제4 연결유로(238)로 분기될 수 있다.
이 경우, 상기 공급유로(630)는 상기 가스블록(230)의 전단에서 상기 제1 분기유로(232)와 제2 분기유로(236)로 분기되고, 상기 제1 분기유로(232)와 제2 분기유로(236)가 상기 가스블록(230)의 제1 연결구(631) 및 제2 연결구(633)에 각각 연결되어, 상기 가스블록(230)의 내측으로 연장될 수 있다. 또한, 전술한 제1 연결유로(234)와 제2 연결유로(235) 및 제3 연결유로(237)와 제4 연결유로(238)는 상기 가스블록(230)의 내측에 형성될 수 있다.
한편, 전술한 바와 같이 상기 가스블록(230) 내에서 상기 복수개의 불활성가스 공급링(300A, 300B, 300C, 300D)으로 연결되는 각 유로는 대칭적으로 형성되며 동일한 길이를 가질 수 있다. 즉, 전술한 제1 분기유로(232)와 연결되는 제1 연결유로(234)와 제2 연결유로(235) 및 제2 분기유로(236)와 연결되는 제3 연결유로(237)와 제4 연결유로(238)는 서로 대칭적인 형상을 가지며 동일한 유로 길이를 가지게 된다.
이 경우, 상기 제1 연결유로(234) 및 제2 연결유로(235)는 상기 제1 챔버리드(110)에 형성된 제1 중간유로(112A) 및 제2 중간유로(112B)에 각각 연결될 수 있다. 또한, 상기 제1 중간유로(112A) 및 제2 중간유로(112B)는 상기 제2 챔버리드(120)에 형성된 제1 말단유로(122A)와 제2 말단유로(122B)에 각각 연결되어 불활성가스 공급부(300)에 불활성가스를 공급할 수 있다.
이때, 상기 불활성가스 공급부(300)는 상기 챔버리드(115)의 오목부(210A, 210B)의 가장자리를 따라 배치되는 불활성가스 공급링(300A, 300B)을 포함할 수 있다.
도 5는 상기 제2 챔버리드(120)에 배치된 상기 불활성가스 공급링(300A, 300B, 300C, 300D)을 도시한 평면도이다.
도 5에 도시된 바와 같이, 4개의 오목부(210A, 210B, 210C, 210D)를 구비한 경우에 4개의 불활성가스 공급링(300A, 300B, 300C, 300D)이 상기 오목부(210A, 210B, 210C, 210D)의 가장자리를 따라 배치될 수 있다.
도 1 및 도 4를 다시 참조하면, 상기 제1 말단유로(122A)와 제2 말단유로(122B)는 제1 불활성가스 공급링(300A)과 제2 불활성가스 공급링(300B)에 각각 연결될 수 있다.
마찬가지로, 상기 제3 연결유로(237) 및 제4 연결유로(238)는 상기 제1 챔버리드(110)에 형성된 제3 중간유로(미도시) 및 제4 중간유로(미도시)에 각각 연결될 수 있다. 또한, 상기 제3 중간유로 및 제4 중간유로는 상기 제2 챔버리드(120)에 형성된 제3 말단유로(미도시)와 제4 말단유로(미도시)에 각각 연결되어 제3 불활성가스 공급링(300C)(도 5 참조)과 제4 불활성가스 공급링(300D)(도 5 참조)에 불활성가스를 공급할 수 있다.
한편, 상기 불활성가스 공급링(300A, 300B)은 전술한 바와 같이 오목부(210A, 210B)의 가장자리를 둘러싸서 배치된다. 따라서, 상기 불활성가스 공급링(300A, 300B)에 의해 불활성가스를 공급하는 경우에 상기 오목부(210A, 210B)의 가장자리의 전영역에 걸쳐 고루 불활성가스를 공급하는 것이 필요하다.
도 6은 제1 불활성가스 공급링(300A)의 구성을 확대해서 보여주는 단면도이다.
도 6을 참조하면, 상기 제1 불활성가스 공급링(300A)은 상기 불활성가스가 순환하는 제1 순환공간(124)과, 상기 제1 순환공간(124)과 보조유로(126)를 통해 연통되는 제2 순환공간(310)과, 상기 제2 순환공간(310)과 연통되어 하부를 향해 상기 불활성가스를 공급하는 분사부(312)가 형성될 수 있다.
즉, 상기 제1 불활성가스 공급링(300A)은 상기 오목부(210A)를 둘러싸는 적어도 한 개 이상의 순환공간을 구비할 수 있다. 따라서, 상기 순환공간으로 공급된 불활성가스는 상기 순환공간 내에서 확산 등을 통해 상기 오목부(210A)를 둘러싸도록 고루 분산될 수 있다.
예를 들어, 상기 제1 말단유로(122A)를 통해 공급된 불활성가스는 먼저 상기 제1 순환공간(124)으로 공급된다. 상기 제1 순환공간(124)은 도면에 도시된 바와 같이 상기 제2 챔버리드(120)와 제1 불활성가스 공급링(300A) 사이의 공간으로 정의될 수 있다.
상기 제1 순환공간(124)은 상기 오목부(210A, 210B)의 가장자리를 둘러싸도록 배치될 수 있다. 따라서, 상기 제1 순환공간(124)으로 공급된 불활성가스는 상기 제1 순환공간(124)을 따라 확산 및 순환하게 되어 고루 퍼지게 된다.
이어서, 상기 제1 순환공간(124)으로 공급된 불활성가스는 상기 보조유로(126)를 통해 상기 제2 순환공간(310)으로 공급된다. 상기 제2 순환공간(310)은 상기 제1 순환공간(124)에 비해 상기 오목부(210A, 210B)에 인접하여 형성되어, 상기 분사부(312)에 의해 불활성가스를 분사하는 경우에 커튼가스 효과를 높일 수 있다.
한편, 상기 보조유로(126)는 상기 제1 순환공간(124)과 제2 순환공간(310)을 연결시키는 역할을 하게 된다. 도면에 도시된 바와 같이 상기 보조유로(126)는 상기 제2 챔버리드(120)와 제1 불활성가스 공급링(300A) 사이의 이격된 유로로 정의될 수 있다.
상기 보조유로(126)를 통해 상기 제2 순환공간(310)으로 공급된 불활성가스는 상기 제2 순환공간(310) 내에서 2차적으로 확산 및 순환하여, 상기 오목부(210A, 210B)를 둘러싸도록 고루 분산된다.
이어서, 상기 불활성가스는 상기 분사부(312)를 통해 하부를 향해 분사될 수 있다. 이 경우, 상기 분사부(312)는 말단부에 직경이 넓어지는 확관부(314)를 구비하여 커튼가스의 효과를 보다 높일 수 있다.
한편, 도 7은 다른 실시예에 따른 기판처리장치(2000)를 도시한 측단면도이다. 도 7에서는 챔버리드(2115)가 상하로 이동가능한 제1 챔버리드(2110)와 제2 챔버리드(2120)로 구성된 경우에 상기 챔버리드(2115)가 개방되지 않은 상태의 측단면도를 도시하며, 도 8은 상기 제1 챔버리드(2110)가 개방된 상태의 측단면도이고, 도 9는 상기 제1 챔버리드(2110)가 개방된 상태의 사시도이고, 도 10은 상기 제1 챔버리드(2110)와 제2 챔버리드(2120)가 모두 개방된 상태의 측단면도이다.
도 7, 도 8 및 도 10에서 가스블록(2230) 및 불활성가스 공급부(2800)에 대한 설명은 전술한 실시예와 유사하므로 반복적인 설명은 생략한다.
도 7을 참조하면, 상기 챔버리드(2115)는 전술한 바와 같이 챔버몸체(2130)에 대해 상하로 이동가능하게 구비되는 제1 챔버리드(2110)와, 상기 제1 챔버리드(2110)의 하부에서 상기 제1 챔버리드(2110)와 독립적으로 상하로 이동가능하게 구비되는 제2 챔버리드(2120)를 구비할 수 있다.
이때, 상기 제2 챔버리드(2120)에 개구부가 형성되고, 상기 개구부에 샤워헤드(2200A, 2200B)가 배치될 수 있다. 즉, 상기 샤워헤드(2200A, 2200B)가 상기 개구부에 대응하여 상기 제2 챔버리드(2120)의 상부에 배치되어, 상기 샤워헤드(2200A, 2200B)의 하부가 오목부(2210A, 2210B)에 해당한다.
이 경우, 상기 제1 챔버리드(2110)에는 상기 샤워헤드(2200A, 2200B)의 상부를 밀폐하여 공정가스가 공급되는 공간을 제공하는 커버부(2300A, 2300B)가 배치될 수 있다.
즉, 상기 제1 챔버리드(2110)의 하부에 상기 제2 챔버리드(2120)가 결합되는 경우에 상기 커버부(2300A, 2300B)가 상기 샤워헤드(2200A, 2200B)의 상부를 밀폐하여, 상기 커버부(2300A, 2300B)와 상기 샤워헤드(2200A, 2200B) 사이에 공정가스가 공급되는 공간을 형성하게 된다.
또한, 상기 제1 챔버리드(2110)에는 상기 공정가스를 분산시키는 배플(2400A, 2400B)을 더 구비할 수 있다. 상기 배플(2400A, 2400B)은 상기 커버부(2300A, 2300B)의 하부에서 상기 제1 챔버리드(2110)에 연결될 수 있다.
상기 제1 챔버리드(2110)의 하부에 상기 제2 챔버리드(2120)가 결합되는 경우에 상기 커버부(2300A, 2300B)와 상기 샤워헤드(2200A, 2200B)의 사이에 상기 배플(2400A, 2400B)이 배치되어 공정가스를 분산시킬 수 있다.
또한, 상기 샤워헤드(2200A, 2200B)에 RF 전원이 인가되는 경우에 상기 커버부(2300A, 2300B)를 상기 제1 챔버리드(2110)와 절연시키는 절연부(2220A, 2220B)를 더 구비할 수 있다. 상기 절연부(2220A, 2220B)가 상기 제1 챔버리드(2110)의 하면에 배치되고, 상기 절연부(2220A, 2220B)의 하부에 상기 커버부(2300A, 2300B)가 연결될 수 있다.
또한, 상기 샤워헤드(2200A, 2200B)는 단열부(2700A, 2700B)에 의해 지지되는데, 상기 단열부(2700A, 2700B)가 단열뿐만 아니라 절연의 기능도 함께 제공하여 상기 샤워헤드(2200A, 2200B)와 제2 챔버리드(2120)를 절연시키게 된다. 또한, 상기 커버부(2300A, 2300B) 및 샤워헤드(2200A, 2200B)의 외측면은 상기 제1 챔버리드(2110) 및 제2 챔버리드(2120)와 절연공간(2225A, 2225B)을 사이에 두고 이격되어 배치되어 상기 커버부(2300A, 2300B) 및 샤워헤드(2200A, 2200B)의 외측면과 챔버리드(2115)를 절연시키게 된다.
또한, 상기 오목부(2210A, 2210B)의 내측벽을 상기 단열부(2700A, 2700B)가 둘러싸도록 배치되어, 상기 기판지지부(2600A, 2600B)가 상기 오목부(2210A, 2210B)를 향해 상승한 경우에 상기 샤워헤드(2200A, 2200B), 단열부(2700A, 2700B) 및 상기 기판지지부(2600A, 2600B) 사이에 처리공간이 형성될 수 있다. 이에 대해서는 전술한 실시예에서 상술하였으므로 반복적인 설명은 생략한다.
한편, 상기 챔버몸체(2130)에는 상기 제1 챔버리드(2110)와 제2 챔버리드(2120)를 상하로 이동시키는 리프트바(2500A, 2500B)를 구비할 수 있다.
상기 리프트바(2500A, 2500B)는 상기 챔버몸체(2130)를 관통하여 배치되며 상기 제1 챔버리드(2110)와 제2 챔버리드(2120)에 각각 연결되어 상기 제1 챔버리드(2110)와 제2 챔버리드(2120)를 상하로 이동시키게 된다.
예를 들어, 상기 리프트바(2500A, 2500B)를 상하로 이동시키게 되면 상기 제1 챔버리드(2110)가 상하로 이동할 수 있으며, 상기 리프트바(2500A, 2500B)에 구비된 구속부(미도시)에 의해 상기 제2 챔버리드(2120)와 상기 리프트바(2500A, 2500B)를 연결시키게 되면 상기 리프트바(2500A, 2500B)의 상하 이동에 의해 상기 제1 챔버리드(2110)와 제2 챔버리드(2120)를 함께 상하로 이동시킬 수 있다. 또한, 상기 제2 챔버리드(2120)를 상기 제1 챔버리드(2110)에 연결시켜 상기 리프트바(2500A, 2500B)의 이동에 의해 상기 제1 챔버리드(2110)와 제2 챔버리드(2120)가 함께 상하로 이동할 수도 있다.
도 8은 상기 제1 챔버리드(2110)가 개방된 상태의 측단면도이고, 도 9는 상기 제1 챔버리드(2110)가 개방된 상태의 사시도이다. 도 9에서는 상기 제1 챔버리드(2110)의 상부에 배치된 RPS(2850)와 RF 매칭 박스(2900)를 도시한다.
종래기술에 따른 기판처리장치에서 배플 또는 샤워헤드의 보수가 필요한 경우에 챔버리드의 전체를 개방해야 하며, 이후 보수가 필요한 구성요소가 드러날 때까지 순차적으로 다른 구성부품을 분해해야한다. 그런데, 상기 챔버리드의 상부에는 가스 공급을 위한 각종 장비, 예를 들어 가스블록, RPS, RF 매칭 박스 등 다양한 장비가 장착되어 챔버리드를 개방하는 것은 작업시간 및 인력이 많이 소용되는 작업에 해당한다. 또한, 상기 챔버리드를 개방하는 경우에 원하지 않는 구성요소의 파손 등이 발생할 수 있으며, 챔버리드의 실링을 위한 오링 등에 손상이 발생할 수 있다.
본 발명에 따른 기판처리장치(2000)의 경우, 전술한 구성을 가지게 되므로 예를 들어 배플(2400A, 2400B, 2400C, 2400D) 또는 샤워헤드(2200A, 2200B, 2200C, 2200D)의 작업이 필요한 경우에는 도 8 및 도 9와 같이 상기 제1 챔버리드(2110)만을 개방할 수 있으며, 상기 챔버(100) 내부의 기판지지부(2600A, 2600B) 등의 작업이 필요한 경우에는 상기 제1 챔버리드(2110)와 제2 챔버리드(2120)를 모두 개방하여 상기 챔버(2100)의 내부를 개방할 수 있다.
도 8 및 도 9를 참조하면, 상기 기판처리장치(2000)에서 상기 제1 챔버리드(2110)만을 개방한 상태에 해당한다. 이 경우, 상기 리프트바(2500A, 2500B, 2500C, 2500D)를 상부로 구동시켜 상기 제1 챔버리드(2110)만을 상부로 이동시켜 상기 제2 챔버리드(2120)와 제1 챔버리드(2110)를 서로 분리시킨다.
따라서, 도 9의 (A)에 도시된 바와 같이 상기 제2 챔버리드(2120)의 상부에 샤워헤드(2200A, 2200B, 2200C, 2200D)가 노출되며, 도 9의 (B)에 도시된 바와 같이 상기 제1 챔버리드(2110)의 하부에 배플(2400A, 2400B, 2400C, 2400D)이 노출된다.
즉, 상기 샤워헤드(2200A, 2200B, 2200C, 2200D) 또는 배플(2400A, 2400B, 2400C, 2400D)에 대한 작업이 필요한 경우에는 상기 제1 챔버리드(2110)만을 개방시켜 용이하게 작업할 수 있게 된다.
한편, 상기 챔버(100) 내부의 기판지지부(2600A, 2600B) 등에 대한 작업이 필요한 경우에는 도 10과 같이 상기 제1 챔버리드(2110) 및 제2 챔버리드(2120)를 모두 상부로 이동시켜 개방하게 된다.
이 경우, 상기 챔버(100)내부의 기판지지부(2600A, 2600B) 등이 외부로 노출되어 작업을 용이하게 수행할 수 있다.
또한, 본 발명의 경우 상기 리프트바(2500A, 2500B, 2500C, 2500D)에 의해 상기 제1 챔버리드(2110) 및/또는 상기 제2 챔버리드(2120)를 상하로 정확한 경로를 따라 이동시키게 되므로, 상기 제1 챔버리드(2110) 및/또는 제2 챔버리드(2120)의 상하 이동 시에 오링 등과 같은 다른 구성요소의 파손 등을 방지할 수 있다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시 예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야의 당업자는 이하에서 서술하는 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경 실시할 수 있을 것이다. 그러므로 변형된 실시가 기본적으로 본 발명의 특허청구범위의 구성요소를 포함한다면 모두 본 발명의 기술적 범주에 포함된다고 보아야 한다.
100 : 챔버
110 : 제1 챔버리드
120 : 제2 챔버리드
130 : 챔버몸체
200 : 샤워헤드
300 : 불활성가스 공급부
400 : 기판지지부
500 : 단열부
1000 : 기판처리장치

Claims (8)

  1. 챔버몸체와 상기 챔버몸체의 개구된 상부를 밀폐하는 챔버리드를 포함하는 챔버;
    상기 챔버리드에 서로 소정거리 이격되어 형성되는 복수개의 오목부;
    상기 챔버리드의 오목부에 구비되어 기판을 향해 공정가스를 공급하는 복수개의 샤워헤드;
    상기 오목부의 내측벽을 둘러싸도록 연장되어 구비되는 단열부; 및
    상기 기판을 지지하며, 상기 오목부에 삽입되도록 상하로 이동가능하게 구비되어 상기 샤워헤드, 단열부와 사이에 처리공간을 형성하는 기판지지부;를 구비하고,
    상기 챔버리드는 상기 챔버몸체에 대해 상하로 이동가능하게 구비되는 제1 챔버리드와, 상기 제1 챔버리드의 하부에 상하로 이동가능하게 구비되는 제2 챔버리드와, 상기 챔버몸체를 관통하여 배치되며 상기 제1 챔버리드와 제2 챔버리드에 연결되어 상기 제1 챔버리드와 제2 챔버리를 상하로 이동시키는 리프트바를 구비하며, 상기 제2 챔버리드에 개구부가 형성되고, 상기 개구부에 상기 샤워헤드가 배치되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 기판지지부가 상승하여 상기 오목부에 삽입된 경우에 상기 기판지지부의 측면과 상기 단열부 사이에 이격공간이 형성되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 단열부는 상기 오목부의 내측벽에 착탈 가능하게 구비되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 챔버리드에는 상기 오목부의 가장자리를 따라 배치되어, 하부를 향해 불활성가스를 공급하는 불활성가스 공급부를 구비하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 불활성가스 공급부는
    상기 챔버리드의 상부에 배치되어 불활성가스가 이동하는 유로를 제공하는 가스블록과,
    상기 챔버리드의 오목부의 가장자리를 따라 배치되며, 상기 가스블록의 불활성가스가 공급되는 복수개의 불활성가스 공급링을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 가스블록 내에서 상기 복수개의 불활성가스 공급링으로 연결되는 각 유로는 대칭적으로 형성되며 동일한 길이를 가지는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  7. 제5항에 있어서,
    상기 불활성가스 공급링은 상기 불활성가스가 순환하는 제1 순환공간과, 상기 제1 순환공간과 보조유로를 통해 연통되는 제2 순환공간과, 상기 제2 순환공간과 연통되어 하부를 향해 상기 불활성가스를 공급하는 분사부가 형성되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  8. 삭제
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101342989B1 (ko) * 2007-05-03 2013-12-18 (주)소슬 기판 에지 식각 장치
KR20140055078A (ko) * 2012-10-30 2014-05-09 피에스케이 주식회사 기판 처리 장치
KR20150078475A (ko) * 2013-12-30 2015-07-08 주성엔지니어링(주) 기판처리장치
KR20150101785A (ko) * 2014-02-27 2015-09-04 주식회사 원익아이피에스 기판 처리 장치

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004035971A (ja) * 2002-07-05 2004-02-05 Ulvac Japan Ltd 薄膜製造装置
JP4870542B2 (ja) * 2006-12-18 2012-02-08 大陽日酸株式会社 気相成長装置
KR101327458B1 (ko) * 2012-01-10 2013-11-08 주식회사 유진테크 냉각 방식의 샤워헤드 및 이를 구비하는 기판 처리 장치
JP2016169402A (ja) * 2015-03-11 2016-09-23 株式会社日立国際電気 基板処理装置及び半導体装置の製造方法
WO2017160649A1 (en) * 2016-03-13 2017-09-21 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for selective dry etch
US10312076B2 (en) * 2017-03-10 2019-06-04 Applied Materials, Inc. Application of bottom purge to increase clean efficiency

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101342989B1 (ko) * 2007-05-03 2013-12-18 (주)소슬 기판 에지 식각 장치
KR20140055078A (ko) * 2012-10-30 2014-05-09 피에스케이 주식회사 기판 처리 장치
KR20150078475A (ko) * 2013-12-30 2015-07-08 주성엔지니어링(주) 기판처리장치
KR20150101785A (ko) * 2014-02-27 2015-09-04 주식회사 원익아이피에스 기판 처리 장치
KR102014279B1 (ko) * 2014-02-27 2019-08-26 주식회사 원익아이피에스 기판 처리 장치

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