TW201319759A - 輻射源 - Google Patents

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Bastiaan Stephanus Hendricus Jansen
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Abstract

本發明揭示一種適於將一輻射光束提供至一微影裝置之一照明器之輻射源。該輻射源包含一噴嘴，該噴嘴經組態以沿著朝向一電漿形成部位之一軌跡引導一燃料小滴串流。該輻射源經組態以接收一第一輻射量，使得在使用時該第一輻射量在該電漿形成部位處入射於一燃料小滴上，且使得在使用時該第一輻射量將能量轉移至該燃料小滴以產生發射一第二輻射量之一輻射產生電漿。該輻射源進一步包含：一第一感測器配置，其經組態以量測指示該第一輻射量之一焦點位置的該第一輻射量之一屬性；及一第二感測器配置，其經組態以量測指示一燃料小滴之一位置的該燃料小滴之一屬性。

Description

輻射源
本發明係關於一種微影裝置及一種用於製造器件之方法。
微影裝置為將所要圖案施加至基板上(通常施加至基板之目標部分上)之機器。微影裝置可用於(例如)積體電路(IC)之製造中。在彼情況下，圖案化器件(其或者被稱作光罩或比例光罩)可用以產生待形成於IC之個別層上之電路圖案。可將此圖案轉印至基板(例如，矽晶圓)上之目標部分(例如，包含晶粒之部分、一個晶粒或若干晶粒)上。通常經由成像至提供於基板上之輻射敏感材料(抗蝕劑)層上而進行圖案之轉印。一般而言，單一基板將含有經順次地圖案化之鄰近目標部分之網路。
微影被廣泛地認為是在IC以及其他器件及/或結構之製造中之關鍵步驟中的一者。然而，隨著使用微影所製造之特徵之尺寸變得愈來愈小，微影正變為用於使能夠製造小型IC或其他器件及/或結構之更具決定性之因素。
圖案印刷極限之理論估計可由瑞立(Rayleigh)解析度準則給出，如方程式(1)所示： 其中λ為所使用之輻射之波長，NA為用以印刷圖案之投影系統之數值孔徑，k 1為程序相依調整因數(亦被稱為瑞立常數)，且CD為經印刷特徵之特徵大小(或臨界尺寸)。自方 程式(1)可見，可以三種方式來獲得特徵之最小可印刷大小之縮減：藉由縮短曝光波長λ、藉由增加數值孔徑NA，或藉由減低k 1之值。
為了縮短曝光波長且因此縮減最小可印刷大小，已提議使用極紫外線(EUV)輻射源。EUV輻射為具有在5奈米至20奈米之範圍內(例如，在13奈米至14奈米之範圍內，例如，在5奈米至10奈米之範圍內，諸如，6.7奈米或6.8奈米)之波長的電磁輻射。可能之源包括(例如)雷射產生電漿源、放電電漿源，或基於由電子儲存環提供之同步加速器輻射之源。
可使用電漿來產生EUV輻射。用於產生EUV輻射之輻射源可包括用於激發燃料以提供電漿之雷射，及用於含有電漿之源收集器模組。可(例如)藉由將雷射光束引導於燃料(諸如，合適材料(例如，錫)之粒子，或合適氣體或蒸汽(諸如，Xe氣體或Li蒸汽)之串流)處來創製電漿。經引導於燃料處之雷射光束可為紅外線(IR)雷射(亦即，發射處於IR波長之輻射之雷射)，諸如，二氧化碳(CO2)雷射或釔鋁石榴石(YAG)雷射。所得電漿發射輸出輻射，例如，EUV輻射，該輻射係使用輻射收集器予以收集。輻射收集器可為鏡面式正入射輻射收集器，其接收輻射且將輻射聚焦成光束。源收集器模組可包括經配置以提供真空環境以支援電漿之圍封結構或腔室。此輻射系統通常被稱為雷射產生電漿(LPP)源。
如上文所論述，在LPP源內，輻射經引導於燃料處。由 輻射產生電漿輸出之輻射之屬性取決於燃料與經引導於燃料處之輻射之焦點之間的對準。舉例而言，受到燃料與經引導於燃料處之輻射之焦點之間的對準影響的由輻射產生電漿輸出之輻射之兩個屬性為由輻射產生電漿輸出之輻射之總強度及強度分佈。應瞭解，在輻射源之某些應用中，有益的是使由輻射產生電漿輸出之輻射之強度分佈實質上均一。此外，某些微影裝置可需要由輻射源產生之輻射之特定強度分佈，且需要使此強度分佈可再生。出於此等原因，需要具有經引導於燃料處之輻射之焦點之間的相對對準之某一指示。
歸因於可需要將LPP源控制成使得自輻射源所輸出之輻射具有所要分佈的事實，具有經引導於燃料處之輻射之焦點之間的相對對準之某一指示的能力可有益。或者或另外，歸因於燃料之位置及經引導於燃料處之輻射之焦點位置兩者可經受外部干擾的事實，可需要具有燃料與經引導於燃料處之輻射之焦點之間的相對對準之指示。舉例而言，經引導於燃料處之輻射之焦點位置與燃料之位置(及因此，燃料與經引導於燃料處之輻射之焦點之間的對準)可受到微影裝置之系統動力學(諸如，微影裝置之部件之移動)影響。具有燃料與經引導於燃料處之輻射之焦點之間的相對對準之指示的能力意謂可校正燃料與經引導於燃料處之輻射之焦點之間的任何未對準。
在一些已知微影裝置中，間接地量測燃料與經引導於燃料處之輻射之焦點之間的相對對準。舉例而言，可使用被 稱作四重感測器(quad sensor)之感測器以量測由輻射產生電漿輸出之輻射之強度分佈。藉由量測由輻射產生電漿輸出之輻射之強度分佈，有可能推斷關於燃料與經引導於燃料處之輻射之焦點之間的相對對準之資訊。四重感測器具有位於輻射源內且圍繞由輻射產生電漿輸出之輻射之光軸等角地隔開的四個感測器元件。藉由量測入射於每一感測器元件上的由輻射產生電漿輸出之輻射之強度，有可能判定由輻射產生電漿輸出之輻射之強度分佈。如先前所論述，藉由量測由輻射產生電漿輸出之輻射之強度分佈，有可能推斷關於燃料與經引導於燃料處之輻射之焦點之間的相對對準之資訊。關於燃料與經引導於燃料處之輻射之焦點之間的相對對準之此資訊可用以校正燃料與經引導於燃料處之輻射之焦點之間的任何未對準。
存在同判定關於燃料與經引導於燃料處之輻射之焦點之間的相對對準之資訊的此方法相關聯的各種問題。下文論述此等問題。
第一，歸因於藉由量測由輻射產生電漿輸出之輻射之屬性來獲得關於燃料與經引導於燃料處之輻射之焦點之間的相對對準之資訊的事實，關於燃料與經引導於燃料處之輻射之焦點之間的對準之資訊的判定取決於燃料與入射於燃料上之輻射之間的相互作用，以及輻射產生電漿之屬性。
燃料與入射於燃料上之輻射之間的相互作用之詳情以及輻射產生電漿之屬性之詳情不為吾人所熟知。出於此原因，沒有可能以絕對確定性而基於量測由輻射產生電漿輸 出之輻射之屬性來預測燃料與經引導於燃料處之輻射之焦點之間的對準如何。此外，歸因於輻射產生電漿之屬性，對於燃料與經引導於燃料處之輻射之焦點之間的任何給定對準，由輻射產生電漿輸出之輻射之測定強度/強度分佈可為時變的。此外，燃料與經引導於燃料處之輻射之焦點之間的對準同由輻射產生電漿輸出之輻射之測定強度/強度分佈之間的關係可為非線性的。出於此原因，量測由輻射產生電漿輸出之輻射之屬性使難以以高準確度預測燃料與經引導於燃料處之輻射之焦點之間的相對對準。
在能夠判定燃料與經引導於燃料處之輻射之焦點之間的相對對準方面之準確度缺乏可使用於判定焦點與燃料之間的相對對準之此系統不適於高頻寬控制(亦即，在高頻率下操作之控制環路)。
第二，藉由量測由輻射產生電漿輸出之輻射之屬性來判定關於燃料與經引導於燃料處之輻射之焦點之間的相對對準之資訊會要求輻射產生電漿正在產生輻射，該輻射之屬性可被量測。當不存在由電漿產生之輸出輻射時(例如，若燃料仍尚未具有入射於其上之輻射)，則將沒有可能量測由輻射產生電漿輸出之輻射之任何屬性，且因而，將沒有可能推斷關於經引導於燃料處之輻射之焦點之間的相對對準之任何資訊。此情形可導致包括以此方式而操作之輻射源之微影裝置的額外起動及/或恢復時間。微影裝置之任何額外起動及/或恢復時間皆為微影裝置未在產生產物的時間，且因此，此情形縮減微影裝置之輸出效率。
第三，用以量測輻射產生電漿之輻射輸出之屬性之四重感測器的感測元件曝光至由輻射產生電漿輸出之輻射。此曝光在由輻射產生電漿輸出之輻射對四重感測器之感測元件有害的情形中可不利。舉例而言，在由輻射產生電漿輸出之輻射為EUV輻射的狀況下，EUV輻射可隨著時間推移而損害四重感測器之感測元件，藉此造成四重感測器降級。四重感測器隨著時間推移之損害或降級可造成四重感測器之感測特性隨著時間推移而變化，使得四重感測器之輸出變得不準確或不能夠產生關於燃料與經引導於燃料處之輻射之焦點之間的相對對準之有用資訊。此外，在極端情況下，四重感測器可被損害或降級至其不再可操作之程度。
一些已知微影裝置利用由主控振盪器功率放大器(Master Oscillator Power Amplifier,MOPA)雷射產生的入射於燃料上之輻射。此等微影裝置可具有與先前所描述之輻射源不同地運行之輻射源。在此等狀況下，自燃料產生輸出輻射為兩步驟程序。第一步驟為：將第一輻射脈衝引導於燃料處，使得第一輻射量入射於燃料上且將燃料轉換成經修改燃料分佈。舉例而言，經修改燃料分佈可為經部分電漿化燃料雲。隨後，可將第二輻射量引導於經修改燃料分佈處，使得第二輻射量入射於經修改燃料分佈上，從而造成經修改燃料分佈變成輸出所要輻射之輻射產生電漿。
入射於燃料上之第一輻射量可被稱作預脈衝(pre-pulse)，且入射於經修改燃料分佈上之第二輻射量可被稱 作主脈衝(main-pulse)。
在涉及預脈衝及主脈衝之狀況下，預脈衝之焦點與燃料之間的相對對準及主脈衝之焦點與經修改燃料分佈之間的相對對準兩者在判定由輻射產生電漿輸出之輻射之屬性(例如，由輻射產生電漿輸出之輻射之強度或強度分佈)方面可為重要的。此外，吾人認為，因為預脈衝所入射之燃料的大小相比於主脈衝所入射之經修改燃料分佈的大小較小，所以預脈衝之焦點與燃料之間的相對對準對由輻射產生電漿輸出之輻射之屬性的決定性很可能將大於主脈衝之焦點與經修改燃料分佈之間的對準對由輻射產生電漿輸出之輻射之屬性的決定性。
然而，如先前所論述，歸因於入射於燃料上之預脈衝輻射將不創製輻射產生電漿的事實，將由於預脈衝入射於燃料上而產生極少輻射或不產生輻射。因此，極少或無輻射將由四重感測器量測，且因此，四重感測器不能夠提供關於預脈衝之焦點與燃料之間的相對對準之任何資訊。此外，歸因於經修改燃料分佈之屬性未被良好地理解的事實，也許沒有可能藉由量測由輻射產生電漿產生之輸出輻射之強度分佈來判定關於主脈衝之焦點與經修改燃料分佈之間的相對對準之資訊。
由四重感測器量測的由輻射產生電漿輸出之輻射之屬性取決於除了燃料與經引導於燃料處之輻射之焦點之間的相對對準以外之許多因素。舉例而言，由四重感測器量測的由輻射產生電漿輸出之輻射之屬性可受到輻射源內之輻射 收集器之屬性影響且受到在燃料變成輻射產生電漿時燃料相對於輻射收集器之部位影響。由此，可難以判定燃料與經引導於燃料處之輻射之焦點之間的對準對由輻射源產生(且隨後由輻射收集器引導至微影裝置之在輻射源下游之部件)之輻射之屬性的確切影響如何。此情形使難以判定燃料與經引導於燃料處之輻射之焦點之間的對準抑或輻射源之其他屬性正在以特定方式影響由輻射源發射之輻射之屬性。
需要提供一種預防或減輕不管上文抑或別處所描述的先前技術之問題中至少一者的輻射源。亦需要提供一種替代輻射源。
根據本發明之一態樣，提供一種適於將一輻射光束提供至一微影裝置之一照明器之輻射源，該輻射源包含一噴嘴，該噴嘴經組態以沿著朝向一電漿形成部位之一軌跡引導一燃料小滴串流；且該輻射源經組態以接收一第一輻射量，使得在使用時該第一輻射量在該電漿形成部位處入射於一燃料小滴上，且使得在使用時該第一輻射量將能量轉移至該燃料小滴以產生發射一第二輻射量之一輻射產生電漿；該輻射源進一步包含：一第一感測器配置，其經組態以量測指示該第一輻射量之一焦點位置的該第一輻射量之一屬性；及一第二感測器配置，其經組態以量測指示一燃料小滴之一位置的該燃料小滴之一屬性。
該第一感測器配置可經組態以量測指示在一第二時間時 該第一輻射量之該焦點位置的在一第一時間時該第一輻射量之一屬性；且其中該第二感測器配置經組態以量測指示在該第二時間時該燃料小滴之該位置的在一第三時間時該燃料小滴之一屬性。
該第一時間及該第三時間可在該第二時間之前。
該第一感測器配置可包含一反射器配置及一感測器元件；該反射器配置包含一感測器反射器，該感測器反射器之至少一部分位於在該第一輻射量之該焦點位置上游的該第一輻射量之路徑中，且該感測器反射器朝向該感測器元件反射該第一輻射量之一部分。
該第二感測器配置可包含經組態以輸出指示該燃料小滴之一位置之一位置信號的一位置感測器。
該位置信號可指示在該第三時間時該燃料小滴之一位置。
該位置感測器可為一影像感測器，該影像感測器使該燃料小滴串流在使用時由該噴嘴朝向該電漿形成部位引導所沿著之該軌跡之一部分成像。
該第二感測器配置可包含一時序感測器，該時序感測器經組態以輸出指示該燃料小滴沿著該燃料小滴串流在使用時由該噴嘴朝向該電漿形成部位引導所沿著之該軌跡通過一觸發點之時間的一時序信號。
該燃料小滴通過該觸發點之該時間可為該第三時間。
該第二感測器配置可包含：一位置感測器，其經組態以輸出指示該燃料小滴之一位置之一位置信號；及一時序感 測器，其經組態以輸出指示該燃料小滴沿著該燃料小滴串流在使用時由該噴嘴朝向該電漿形成部位引導所沿著之該軌跡通過一觸發點之時間的一時序信號；且視情況，其中該位置感測器為一影像感測器，該影像感測器使該燃料小滴串流在使用時由該噴嘴朝向該電漿形成部位引導所沿著之該軌跡之一部分成像。
該位置感測器可經組態以輸出指示在該第三時間時該燃料小滴之一位置之一位置信號；且其中指示在該第三時間時該燃料小滴之一位置之該位置信號及該燃料小滴通過該觸發點之該時間皆指示在該第二時間時該燃料小滴之該位置。
該輻射源可進一步包含一輻射引導器件，該輻射引導器件經組態以引導該第一輻射量且藉此判定該第一輻射量之該焦點位置。
該輻射引導器件可包含：一引導反射器，其至少一部分在使用時位於該第一輻射量之該路徑中；及至少一反射器致動器，其機械地鏈接至該引導反射器，且藉以，該至少一反射器致動器之移動改變該引導反射器相對於該第一輻射量之該路徑之定向及/或位置。
該噴嘴可機械地鏈接至至少一噴嘴致動器，藉以，該至少一噴嘴致動器之移動改變該噴嘴相對於該輻射源之剩餘部分之位置且因此改變該燃料小滴串流之該軌跡。
該輻射源可包含：一次級輻射源，該次級輻射源產生該第一輻射量；及一時序控制器，其連接至該次級輻射源且 經組態以控制該次級輻射源產生該第一輻射量之時間。
該輻射源可進一步包含一控制器，且其中該第一感測器配置將一第一感測器信號提供至該控制器，該第二感測器配置將一第二感測器信號提供至該控制器；且其中該控制器經配置以基於該第一感測器信號及該第二感測器信號來控制該電漿形成部位、該第一輻射量之該焦點位置及該燃料小滴串流之該軌跡中至少一者。
該輻射源可進一步包含：一噴嘴致動器，其機械地鏈接至該噴嘴；一輻射引導器件，其經組態以引導該第一輻射量且藉此判定該第一輻射量之該焦點位置，該輻射引導器件具有一輻射引導器件致動器；及一控制器，該控制器經組態以實施一第一控制方案以用於在垂直於該等燃料小滴之該軌跡之一方向上控制該輻射源；該第一控制方案包含一第一相對快控制環路及一第一相對慢控制環路，該第一相對快控制環路基於第一感測器配置及該控制器來控制該輻射引導器件致動器，該第一相對慢控制環路基於該第二感測器配置及該控制器來控制該噴嘴致動器；且其中該第一相對快控制環路追蹤該第一相對慢控制環路。
該輻射源可進一步包含：一次級輻射源，該次級輻射源產生該第一輻射量；及一時序控制器，其連接至該次級輻射源且經組態以控制該次級輻射源產生該第一輻射量之該時間，該時序控制器在使用時受到該控制器控制，該控制器經組態以實施一第二控制方案以用於在平行於該等燃料小滴之該軌跡之一方向上控制該輻射源；該第二控制方案 包含一第二相對快控制環路及一第二相對慢控制環路，該第二相對快控制環路基於該第二感測器配置及該控制器來控制該時序控制器，該第二相對慢控制環路基於該第一感測器配置及該控制器來控制該輻射器件引導致動器；且其中該第一相對快控制環路追蹤該第一相對慢控制環路。
根據本發明之一另外態樣，提供一種經配置以將一圖案自一圖案化器件投影至一基板上之微影裝置，其中該微影裝置包含經組態以將一輻射光束提供至該圖案化器件之一輻射源，該輻射源包含：一噴嘴，其經組態以沿著朝向一電漿形成部位之一軌跡引導一燃料小滴串流；且該輻射源經組態以接收一第一輻射量，使得在使用時該第一輻射量在該電漿形成部位處入射於一燃料小滴上，且使得在使用時該第一輻射量將能量轉移至該燃料小滴中以產生發射一第三輻射量之一經修改燃料分佈或一輻射產生電漿；一第一感測器配置，其經組態以量測指示該第一輻射量之一焦點位置的該第一輻射量之一屬性；及一第二感測器配置，其經組態以量測指示一燃料小滴之一位置的該燃料小滴之一屬性。
下文參看隨附圖式詳細地描述本發明之另外特徵及優點，以及本發明之各種實施例之結構及操作。應注意，本發明不限於本文所描述之特定實施例。本文僅出於說明性目的而呈現此等實施例。基於本文所含有之教示，額外實 施例對於熟習相關技術者將係顯而易見的。
現在將參看隨附示意性圖式而僅藉由實例來描述本發明之實施例，在該等圖式中，對應元件符號指示對應部件。
本發明之特徵及優點已自下文在結合圖式時所闡述之[實施方式]變得更顯而易見，在該等圖式中，類似元件符號始終識別對應元件。在該等圖式中，類似元件符號通常指示等同、功能上相似及/或結構上相似之元件。一元件第一次出現時之圖式係由對應元件符號中之最左側數位指示。
圖1示意性地描繪根據本發明之一實施例的包括源收集器模組SO之微影裝置100。該裝置包含：- 照明系統(照明器)IL，其經組態以調節輻射光束B(例如，EUV輻射)；- 支撐結構(例如，光罩台)MT，其經建構以支撐圖案化器件(例如，光罩或比例光罩)MA，且連接至經組態以準確地定位該圖案化器件之第一***PM；- 基板台(例如，晶圓台)WT，其經建構以固持基板(例如，抗蝕劑塗佈晶圓)W，且連接至經組態以準確地定位該基板之第二***PW；及- 投影系統(例如，反射投影系統)PS，其經組態以將由圖案化器件MA賦予至輻射光束B之圖案投影至基板W之目標部分C(例如，包含一或多個晶粒)上。
照明系統可包括用於引導、塑形或控制輻射的各種類型 之光學組件，諸如，折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學組件，或其任何組合。
支撐結構MT以取決於圖案化器件MA之定向、微影裝置之設計及其他條件(諸如，該圖案化器件是否被固持於真空環境中)的方式來固持該圖案化器件。支撐結構可使用機械、真空、靜電或其他夾持技術以固持圖案化器件。支撐結構可為(例如)框架或台，其可根據需要而固定或可移動。支撐結構可確保圖案化器件(例如)相對於投影系統處於所要位置。
術語「圖案化器件」應被廣泛地解釋為指代可用以在輻射光束之橫截面中向輻射光束賦予圖案以便在基板之目標部分中創製圖案的任何器件。被賦予至輻射光束之圖案可對應於目標部分中所創製之器件(諸如，積體電路)中之特定功能層。
圖案化器件可為透射的或反射的。圖案化器件之實例包括光罩、可程式化鏡面陣列，及可程式化LCD面板。光罩在微影中為吾人所熟知，且包括諸如二元、交變相移及衰減相移之光罩類型，以及各種混合光罩類型。可程式化鏡面陣列之一實例使用小鏡面之矩陣配置，該等小鏡面中每一者可個別地傾斜，以便在不同方向上反射入射輻射光束。傾斜鏡面在由鏡面矩陣反射之輻射光束中賦予圖案。
類似於照明系統，投影系統可包括適於所使用之曝光輻射或適於諸如真空之使用之其他因素的各種類型之光學組件，諸如，折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他類型之 光學組件，或其任何組合。可需要將真空用於EUV輻射，此係因為氣體可能吸收過多輻射。因此，可憑藉真空壁及真空泵而將真空環境提供至整個光束路徑。
如此處所描繪，裝置為反射類型(例如，使用反射光罩)。
微影裝置可為具有兩個(雙載物台)或兩個以上基板台(及/或兩個或兩個以上光罩台)之類型。在此等「多載物台」機器中，可並行地使用額外台，或可在一或多個台上進行預備步驟，同時將一或多個其他台用於曝光。
參看圖1，照明器IL自源收集器模組SO接收極紫外線(EUV)輻射光束。用以產生EUV輻射之方法包括(但未必限於)用在EUV範圍內之一或多種發射譜線將具有至少一元素(例如，氙、鋰或錫)之材料轉換成電漿狀態。在一種此類方法(常常被稱為雷射產生電漿(「LPP」))中，可藉由用雷射光束來輻照燃料而產生所需電漿。燃料可(例如)為具有所需譜線發射元素之材料小滴、串流或叢集。源收集器模組SO可為包括雷射(圖1中未繪示)之EUV輻射系統之部件，該雷射用於提供激發燃料之雷射光束。所得電漿發射輸出輻射，例如，EUV輻射，該輻射係使用位於源收集器模組中之輻射收集器予以收集。舉例而言，當使用CO2雷射以提供用於燃料激發之雷射光束時，雷射與源收集器模組可為分離實體。在此等狀況下，不認為雷射形成微影裝置之部件，且輻射光束係憑藉包含(例如)合適引導鏡面及/或光束擴展器之光束遞送系統而自雷射傳遞至源收集器模 組。在其他狀況下，舉例而言，當源為放電產生電漿EUV產生器(常常被稱作DPP源)時，源可為源收集器模組之整體部件。
照明器IL可包含用於調整輻射光束之角強度分佈之調整器。通常，可調整照明器之光瞳平面中之強度分佈的至少外部徑向範圍及/或內部徑向範圍(通常分別被稱作σ外部及σ內部)。另外，照明器IL可包含各種其他組件，諸如，琢面化場鏡面器件及琢面化光瞳鏡面器件。照明器可用以調節輻射光束，以在其橫截面中具有所要均一性及強度分佈。
輻射光束B入射於被固持於支撐結構(例如，光罩台)MT上之圖案化器件(例如，光罩)MA上，且係由該圖案化器件圖案化。在自圖案化器件(例如，光罩)MA反射之後，輻射光束B傳遞通過投影系統PS，投影系統PS將該光束聚焦至基板W之目標部分C上。憑藉第二***PW及位置感測器PS2(例如，干涉量測器件、線性編碼器或電容性感測器)，可準確地移動基板台WT，例如，以便使不同目標部分C定位於輻射光束B之路徑中。相似地，第一***PM及另一位置感測器PS1可用以相對於輻射光束B之路徑來準確地定位圖案化器件(例如，光罩)MA。可使用光罩對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準圖案化器件(例如，光罩)MA及基板W。
所描繪裝置可用於以下模式中至少一者中：
1.在步進模式中，在將被賦予至輻射光束之整個圖案 一次性投影至目標部分C上時，使支撐結構(例如，光罩台)MT及基板台WT保持基本上靜止(亦即，單次靜態曝光)。接著，使基板台WT在X及/或Y方向上移位，使得可曝光不同目標部分C。
2.在掃描模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，同步地掃描支撐結構(例如，光罩台)MT及基板台WT(亦即，單次動態曝光)。可由投影系統PS之放大率(縮小率)及影像反轉特性來判定基板台WT相對於支撐結構(例如，光罩台)MT之速度及方向。
3.在另一模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，使支撐結構(例如，光罩台)MT保持基本上靜止，從而固持可程式化圖案化器件，且移動或掃描基板台WT。在此模式中，通常使用脈衝式輻射源，且在基板台WT之每一移動之後或在一掃描期間之順次輻射脈衝之間根據需要而更新可程式化圖案化器件。此操作模式可易於應用於利用可程式化圖案化器件(諸如，上文所提及之類型之可程式化鏡面陣列)之無光罩微影。
亦可使用對上文所描述之使用模式之組合及/或變化或完全不同之使用模式。
圖2更詳細地展示裝置100，其包括源收集器模組SO、照明系統IL及投影系統PS。源收集器模組SO經建構及配置成使得可將真空環境維持於源收集器模組SO之圍封結構220中。源收集器模組亦可被稱作輻射源。
次級輻射源(在此狀況下為雷射LA)經配置以經由第一輻 射量(在此狀況下為雷射光束205)而將能量沈積至自燃料供應件200所提供之燃料(諸如，氙(Xe)、錫(Sn)或鋰(Li))中，藉此以數十電子伏特之電子溫度而在電漿形成部位處創製高度離子化電漿210。雷射LA可發射紅外線(IR)輻射。在此等離子之去激發及再結合期間所產生之高能輻射係自電漿予以發射、由近正入射收集器光學件CO收集及聚焦。雷射可以脈衝式方式而操作。
由收集器光學件CO反射之輻射聚焦於虛擬源點IF中。虛擬源點IF通常被稱作中間焦點，且源收集器模組SO經配置成使得中間焦點IF位於圍封結構220中之開口221處或附近。虛擬源點IF為輻射發射電漿210之影像。
隨後，輻射橫穿照明系統IL。照明系統IL可包括琢面化場鏡面器件22及琢面化光瞳鏡面器件24，琢面化場鏡面器件22及琢面化光瞳鏡面器件24經配置以提供在圖案化器件MA處輻射光束21之所要角分佈，以及在圖案化器件MA處輻射強度之所要均一性。在圖案化器件MA處輻射光束21之反射後，隨即形成經圖案化光束26，且由投影系統PS將經圖案化光束26經由反射元件28、30而成像至由基板台WT固持之基板W上。
通常，比所示元件多之元件可存在於照明系統IL及投影系統PS中。另外，可存在比諸圖所示之鏡面多的鏡面，例如，在投影系統PS中可存在比圖2所示之反射元件多1至6個的額外反射元件。
圖3更詳細地展示輻射源SO。輻射源SO包含兩個固定反 射元件110、112及一可移動反射元件114，固定反射元件110、112及可移動反射元件114集體地朝向輻射光束205之焦點位置116引導及聚焦第一輻射量(亦被稱作輻射光束205)。可移動反射器元件114形成輻射引導器件之部件。輻射引導器件之反射器元件114(或反射器)位於輻射光束205(亦被稱作第一輻射量)之路徑中。輻射引導器件亦包含機械地鏈接至反射器114之至少一反射器致動器。在此狀況下，輻射引導器件包含機械地鏈接至反射器114之兩個反射器致動器118、120。反射器致動器118、120中至少一者之移動改變反射器114相對於輻射光束205之路徑之定向及/或位置。以此方式，可致動反射器致動器以便調整反射器114相對於輻射光束205之定向及/或位置，以便變更輻射光束205之焦點位置116。
應瞭解，儘管本實施例中已展示兩個反射器致動器118、120，但在其他實施例中，可存在任何適當數目個反射器致動器，其限制條件為存在至少一反射器致動器。此外，應瞭解，在本實施例中，反射器致動器118、120改變反射器114相對於輻射光束205之定向及/或位置。然而，在其他實施例中，該(該等)致動器可變更反射器之任何適當屬性，其將變更輻射光束之焦點位置。舉例而言，該(該等)致動器可改變反射器之形狀。最後，本實施例之輻射引導器件包含反射器114。在其他實施例中，輻射引導器件可包含能夠變更輻射光束之焦點位置之任何適當引導元件。舉例而言，輻射引導器件可包含複數個透鏡元件， 每一透鏡元件之屬性係可調整的。
輻射源SO亦包含第一感測器配置。第一感測器配置包含反射器配置122及感測器元件124。反射器配置包含感測器反射器126。感測器反射器126之至少一部分位於第一輻射量(輻射光束205)之路徑中。可看出，感測器反射器126位於輻射光束205之焦點位置116上游(考慮到輻射光束205自雷射LA之行進方向)。感測器反射器126朝向感測器元件124反射輻射光束之第一部分205a，使得輻射光束之第一部分205a入射於感測器元件124上。感測器反射器126僅部分地反射雷射光束205之輻射，使得輻射光束205之僅一部分由感測器反射器126反射(以便構成輻射光束之第一部分205a)。輻射光束205之某一輻射傳遞通過感測器反射器126且構成輻射光束205之第二部分205b。輻射光束之第二部分205b在焦點116處會聚至一焦點。在一些實施例中，感測器反射器126經組態成使得由感測器反射器126反射之輻射光束之第一部分205a的功率小於傳遞通過感測器反射器126之輻射光束之第二部分205b的功率。
應瞭解，在本發明之其他實施例中，感測器反射器可不在輻射光束205之整個橫截面之路徑中。舉例而言，感測器反射器可僅在輻射光束205之部分之路徑中。在一些實施例中，感測器反射器可僅在輻射光束之邊緣部分之路徑中，使得感測器反射器僅反射輻射光束之該邊緣部分。在本發明之一些實施例中，第一感測器配置可不包含感測器反射器。在此等實施例中，感測器元件可直接地位於輻射 光束之至少一部分之路徑中。又，第一感測器配置可包含任何適當數目個感測器元件。舉例而言，第一感測器配置可包含位於輻射光束205之分離邊緣部分之路徑中的複數個邊緣偵測感測器元件。
第一感測器配置之感測器元件124可為電荷耦合器件(Charge Coupled Device,CCD)或位置敏感器件(Position Sensitive Device,PSD)。
如先前所論述，輻射源SO包含燃料供應件200。燃料供應件200具有經組態以沿著朝向電漿形成部位212之軌跡130引導燃料小滴串流之噴嘴128。
燃料供應件200可由至少一致動器(圖中未繪示)相對於輻射源SO之其餘部分(且尤其是相對於輻射收集器CO)而移動，且因此，噴嘴128可由至少一致動器(圖中未繪示)相對於輻射源SO之其餘部分(且尤其是相對於輻射收集器CO)而移動。至少一致動器機械地鏈接至燃料供應件200及噴嘴128。燃料小滴之軌跡140平行於x軸。出於參考簡易性起見，在圖3上標記x軸。x軸在通常自該圖之底部至該圖之頂部的方向上延伸。垂直於x軸之z軸在通常自頁面之左側至頁面之右側的方向上延伸。垂直於x軸及z軸兩者之y軸通常延伸出頁面之平面。
本實施例之燃料供應件200可由致動器(圖中未繪示)在y-z平面內移動，且因此，本實施例之噴嘴128可由致動器(圖中未繪示)在y-z平面內移動。亦即，燃料供應件200及噴嘴128不可在平行於x軸之方向上移動。然而，應瞭解， 在本發明之其他實施例中，燃料供應件及噴嘴可在平行於x軸之方向上移動。此外，在本發明之其他實施例中，燃料供應件200及噴嘴128可相對於x軸而傾斜。
在使用時，輻射源SO接收第一輻射量(在此狀況下為來自雷射LA之輻射光束205)，使得第一輻射量入射於已自噴嘴128分配且位於電漿形成部位212處之燃料小滴(圖中未繪示)上。在電漿形成部位212處，第一輻射量入射於燃料小滴(圖中未繪示)上，使得第一輻射量將能量轉移至燃料小滴，以便產生發射第二輻射量132之輻射產生電漿210。
在此狀況下，第二輻射量132為EUV輻射，但應瞭解，在其他實施例中，第二輻射量可為任何適當類型之輻射。第二輻射量係由源收集器CO聚焦且引導出輻射源SO而朝向微影裝置之照明器。源收集器CO亦可被稱作輻射收集器。
應瞭解，圖3內未展示已變成輻射產生電漿210之燃料小滴。此係因為圖3展示在第一輻射量已將能量轉移至燃料小滴中而使得燃料小滴已變成輻射產生電漿210之後的時間時之輻射源SO。亦應瞭解，在燃料小滴變成輻射產生電漿之前，燃料小滴實質上位於電漿形成部位212處。亦即，當第一輻射量入射於燃料小滴上而使得第一輻射量將能量轉移至燃料小滴時，燃料小滴實質上位於電漿形成部位212處。
應瞭解，儘管在本發明之此實施例中次級輻射源(雷射LA)為輻射源SO之部件，但在本發明之其他實施例中，無 需為此狀況。舉例而言，該次級輻射源可與該輻射源分離。
輻射源SO具有第二感測器配置134。第二感測器配置包含位置感測器136及時序感測器138。在此狀況下，位置感測器136為使在噴嘴128與電漿形成部位212中間的軌跡130之部分成像的影像感測器。在其他實施例中，影像感測器可使電漿形成部位成像。影像感測器可為相機。在本發明之一些實施例中，影像感測器亦可包括將輻射引導於待由影像感測器成像之區域處之輻射源。
時序感測器138可採取雷射簾(laser curtain)之形式。雷射簾可具有橫越燃料小滴之軌跡130被引導朝向拾取感測器(圖中未繪示)之至少一雷射光束。當燃料小滴傳遞通過雷射簾之至少一雷射光束時，由拾取感測器量測的雷射光束之強度改變，且因此，時序感測器138偵測到一物件(在此狀況下為燃料小滴)已傳遞通過雷射簾。應瞭解，儘管當前實施例之時序感測器包含雷射簾，但在本發明之其他實施例中，可使用其他時序感測器，其限制條件為該等其他時序感測器能夠偵測沿著軌跡130行進之燃料小滴沿著軌跡130通過特定點之事件的時間。
第二感測器配置之位置感測器輸出指示燃料小滴之位置之位置信號。第二感測器配置134之時序感測器138輸出指示燃料小滴沿著燃料小滴之軌跡130通過觸發點140之時間的時序信號。
如所論述，時序感測器輸出指示燃料小滴沿著軌跡130 通過觸發點140之時間的時序信號。歸因於觸發點140處於沿著x軸之已知位置的事實，燃料小滴通過觸發點140之時間結合燃料小滴之行進速率可用以判定在燃料小滴通過觸發點140之時間之後的時間時燃料小滴沿著x軸之位置。如圖3所示，x軸平行於燃料小滴之軌跡。
影像感測器134可使軌跡130之部分成像，使得位置感測器輸出指示在燃料小滴由該影像感測器成像時燃料小滴在y-z平面中之部位之位置信號。y-z平面為平行於含有y軸及z軸兩者之平面的平面。y軸及z軸(如圖3所示)彼此垂直且垂直於x軸。
結合指示燃料小滴之位置(當燃料小滴被成像時在y-z平面中)之位置信號由時序感測器138輸出之時序信號(其指示燃料小滴沿著軌跡130通過觸發點140之時間，且其因此指示燃料小滴處於沿著x軸之特定位置之時間)以及關於燃料小滴之行進速率及方向之資訊可經組合以便判定在燃料小滴通過觸發點之時間及燃料小滴被成像之時間之後的時間時燃料小滴之位置，以便輸出位置信號。因此，可判定在燃料小滴通過觸發點140之時間之後且在影像感測器使軌跡130之部分成像之後的任何時間時燃料小滴相對於輻射源SO之其餘部分(且尤其是相對於輻射收集器CO)之位置。
自以上實施例之描述，很明顯，第一感測器配置經組態以量測指示第一輻射量(亦即，輻射光束205)之焦點位置116的第一輻射量之屬性。在此狀況下，由第一感測器配 置之感測器元件124量測的第一輻射量之屬性為由感測器反射器126反射之輻射光束之第一部分205a的位置。
第二感測器配置經組態以量測指示燃料小滴之位置的燃料小滴之屬性。在本實施例之狀況下，量測指示燃料小滴之位置的燃料小滴之兩個屬性。第一，第二感測器配置134之時序感測器138量測燃料小滴沿著軌跡130通過觸發點140之時間。此時間指示在燃料小滴通過觸發點140之時間時燃料小滴沿著x軸之位置。第二，由第二感測器配置134之位置感測器136量測的燃料小滴之屬性為在該位置感測器使軌跡130之部分成像之時間時燃料小滴在y-z平面中之位置。
第一感測器配置可經組態成使得第一感測器配置量測指示焦點位置116(在此狀況下為輻射光束205a之第一反射部分之位置)的第一輻射量之屬性的時間係與第一輻射量到達焦點位置116的時間同時。或者，第一感測器配置可經組態以量測指示在不同於第一時間之第二時間時第一輻射量之焦點位置的在第一時間時第一輻射量之屬性。舉例而言，第一感測器配置可量測在焦點位置116上游之位置處第一輻射量之屬性，使得由第一感測器配置在第一輻射量到達焦點位置116之時間之前的時間時量測第一輻射量之屬性。
第二感測器配置經組態以量測指示在第二時間時燃料小滴之位置的在第三時間時燃料小滴之屬性。在此狀況下，第二時間為第一輻射量到達焦點位置116之時間。倘若輻 射源被正確地校準，則第二時間亦將為燃料小滴實質上到達電漿形成部位212之時間。
在本實例中，歸因於沿著軌跡130及軌跡130之由影像感測器成像之部分之觸發點140相對於燃料小滴之行進方向皆在電漿形成部位212上游的事實，第三時間為在第二時間之前的時間。應瞭解，在本發明之其他實施例中，影像感測器可使軌跡130之一部分成像，使得影像感測器在第一輻射量入射於燃料小滴上之時間時且在第一輻射量入射於燃料小滴上之位置處使燃料小滴成像。
應瞭解，儘管本發明之本實施例展示具有位置感測器136及時序感測器138之第二感測器配置134，但在其他實施例中，第二感測器配置可僅具有位置感測器或時序感測器。在此等實施例中，位置感測器或時序感測器可量測燃料小滴之各別位置或在第三時間時燃料小滴通過觸發點之時間。
輻射源SO亦可具有連接至次級輻射源(在此狀況下為雷射LA)之時序控制器142。時序控制器142經組態以便控制次級輻射源產生第一輻射量(在此狀況下，輻射為205)之時間。
時序控制器142將次級輻射源控制成使得次級輻射源在一時間時產生第一輻射量，使得第一輻射量在燃料小滴位於焦點位置116處的同時到達焦點位置116。因此，第一輻射量入射於燃料小滴上，且能量係自第一輻射量轉移至燃料小滴，使得燃料小滴變成輻射產生電漿210。因此，燃 料小滴變成輻射產生電漿210之位置為電漿形成部位。
輻射源SO亦可具有一控制器(圖中未繪示)，該控制器可被稱作輻射源控制器。輻射源接著可經組態成使得第一感測器配置將第一感測器信號提供至控制器且第二感測器配置將第二感測器信號提供至控制器。輻射源控制器經配置以控制電漿形成部位、第一輻射量之焦點位置及燃料小滴串流之軌跡中至少一者。輻射源控制器基於第一感測器信號及/或第二感測器信號來控制電漿形成部位、第一輻射量之焦點位置及燃料小滴串流之軌跡中至少一者。在一些實施例中，輻射源控制器可基於第一感測器信號及第二感測器信號來控制電漿形成部位、第一輻射量之焦點位置及燃料小滴串流之軌跡。
為了控制第一輻射量之焦點位置，控制器可將第一控制信號提供至反射器致動器118、120以藉此控制引導反射器114相對於第一輻射量205之路徑之定向及/或位置。為了控制燃料小滴串流之軌跡130，控制器可將第二控制信號提供至機械地鏈接至燃料供應件200及噴嘴128之致動器。為了控制電漿形成部位，控制器可將控制信號提供至時序控制器142、反射器致動器118、120及機械地鏈接至燃料供應件200之至少一致動器中至少一者。
藉由獨立地控制雷射時序、反射器114相對於輻射光束205之定向及燃料供應件200之位置/定向(軌跡130之方向)，有可能不僅控制燃料小滴與輻射光束205之焦點116之間的相對對準，而且控制電漿形成部位212相對於輻射 源SO之其餘部分且尤其是相對於輻射收集器CO之絕對位置。舉例而言，若需要相對於輻射收集器CO使電漿形成部位212位於特定位置處，則首先將由來自控制器之第二控制信號致動機械地鏈接至燃料供應件200(且因此機械地鏈接至噴嘴128)之致動器，使得噴嘴128指向於使得燃料小滴之軌跡130傳遞通過所要電漿形成部位212之方向上。控制器接著將會將第一控制信號發送至反射器致動器118、120，以便相對於輻射光束205來定向/定位/塑形反射器，使得輻射光束205之焦點位置116位於所要電漿形成部位212處。最後，控制器將控制信號發送至次級輻射源之時序控制器142而使得次級輻射源在一時間時發射第一輻射量(輻射光束205)，使得第一輻射量在燃料小滴到達所要電漿形成部位212的同時到達焦點位置(亦即，所要電漿形成部位212)。應瞭解，儘管關於本發明之當前實施例已以特定次序描述此三個步驟，但在其他實施例中，可以任何適當次序或同時地進行該等步驟。
根據本發明之輻射源在若干方面不同於已知輻射源。第一，先前技術之輻射源偵測由輻射產生電漿發射之輻射之屬性(例如，強度分佈)，以便設法判定關於燃料小滴與第一輻射量之焦點位置之間的相對對準之資訊。根據本發明之輻射源獨立地量測指示第一輻射量之焦點位置的第一輻射量之屬性，及指示燃料小滴之位置的燃料小滴之屬性。在所示實施例中，直接地量測第一輻射量之屬性。亦即，朝向第一感測器配置之感測元件引導第一輻射量之一部 分，其中該部分係由第一感測器配置之感測元件感測。在量測指示燃料小滴之位置的燃料小滴之屬性的第二感測器配置的狀況下，在考慮中之屬性為由兩個分離感測器(位置感測器及時序感測器)量測的燃料小滴之位置。
如先前所論述，藉由獨立地量測第一輻射量之焦點位置及燃料小滴之位置，有可能不僅控制第一輻射量之焦點位置與燃料小滴之間的相對對準，而且控制電漿形成部位相對於輻射收集器CO之部位。分離地控制此等因素之能力意謂：相比於先前技術，不僅在判定及控制第一輻射量之焦點位置與燃料小滴之間的相對對準方面存在較大準確度，而且在由輻射產生電漿(及因此，輻射源)輸出之輻射之屬性(例如，強度分佈)中存在較大控制。
不同於先前技術，為了判定/控制第一輻射量之焦點位置與燃料小滴之間的相對對準，根據本發明之輻射源不量測由輻射產生電漿輸出之輻射之屬性。由此可見，為了量測第一輻射量之焦點位置與燃料小滴之間的相對對準，根據本發明之輻射源無需待由輻射產生電漿產生之輻射。此情形可導致包括根據本發明之輻射源之微影裝置之起動及/或恢復時間縮減。
又，因為不由根據本發明之輻射源量測由輻射產生電漿輸出之輻射之屬性以便判定第一輻射量之焦點位置與燃料小滴之間的相對對準，所以用以量測該相對對準之感測器不曝光至由輻射產生電漿輸出之輻射。以此方式，若由輻射產生電漿輸出之輻射正在損害感測器，則感測器將不曝 光至此損害輻射。
此外，根據本發明之輻射源將適於供利用預脈衝及主脈衝之輻射產生方法使用。
如先前所論述，根據本發明之輻射源具有使用第一感測配置且尤其是使用感測元件124來監視焦點位置116之能力。可藉由使用反射器致動器118、120來調整焦點位置116。相似地，燃料小滴位置可由第二感測器配置(尤其是時序感測器138及位置感測器136)監視。可藉由改變燃料小滴之軌跡130來改變燃料小滴之位置。藉由控制機械地鏈接至燃料供應件200且因此機械地鏈接至噴嘴128之致動器來達成此改變。最後，時序控制器142可受到控制以便判定第一輻射量(輻射光束205)到達焦點位置116之時間。
如先前所論述，本發明允許獨立地量測及控制焦點位置與燃料小滴之間的相對對準及電漿形成部位相對於輻射收集器之位置兩者。申請人已發現，關於產生具有理想屬性(例如，理想總強度及/或強度分佈)之輸出輻射之輻射源，焦點位置與燃料小滴之間的相對對準相比於電漿形成部位相對於輻射收集器之位置具有較大重要性。出於此原因，申請人已判定有益的是相比於電漿形成部位相對於輻射收集器之位置之控制將焦點位置與燃料小滴之間的相對對準控制至較大準確度。
圖4展示用於動態系統之控制環路。控制環路400具有被稱作參考且由區塊402指示之系統之所要輸出。感測器404量測該系統之當前狀態，且比較器406比較由感測器404量 測的該系統之狀態與參考402。由感測器404量測的系統之狀態與參考402之間的差係由比較器406判定，且比較器406將測定誤差408提供至控制器410。該控制器基於測定誤差408來判定系統輸入412，且將系統輸入412提供至系統414之部分。系統414之該部分可包括能夠變更由感測器404量測且被參考402提供所要值的該系統之輸出的致動器或其他類型之引動器。應瞭解，隨著時間進程推移，參考(亦即，系統之所要輸出之值)可改變。控制環路400之控制器410控制系統414之該部分，以便設法確保該系統之所要屬性儘可能地接近參考。
如先前所論述，申請人已發現，對於輻射源之輸出效能，焦點位置與燃料小滴之間的對準之控制相比於電漿形成部位相對於輻射收集器之位置更重要。因此，申請人已判定有益的是使控制焦點位置與燃料小滴之間的對準之控制環路快於控制電漿形成部位相對於輻射收集器之位置之控制環路。亦即，控制焦點位置與燃料小滴之間的對準之控制環路相比於控制電漿形成部位相對於輻射收集器之位置之控制環路花費較少時間來完成控制環路之迴路。
圖5及圖6展示用於控制根據本發明之輻射源之兩個分離控制方案。
圖5展示用以在垂直於燃料小滴之軌跡之方向上控制輻射源的控制方案。簡要地參看圖3，可看出，此圖內之燃料小滴之軌跡130平行於x軸。由此可見，圖5所示之控制方案用以相對於焦點位置及小滴位置在平行於含有如圖3 所示之y軸及z軸之平面的平面內之定位來控制系統。
圖5所示之控制方案具有兩個互鏈式控制環路。第一控制環路500係關於控制電漿形成部位相對於輻射收集器之位置。因此，控制環路500之參考502為電漿形成部位相對於輻射收集器之所要位置。第二控制環路54係關於控制第一輻射量之焦點與燃料小滴之間的相對對準。因此，第二控制環路504之參考506為第一輻射量之焦點與燃料小滴之間的所要對準。如先前所論述，為了增強輻射源之輸出效能，需要使控制第一輻射量之焦點與燃料小滴之間的相對對準之控制環路(在此狀況下為控制環路504)快於控制電漿形成部位相對於輻射收集器之位置之控制環路(在此狀況下為第一控制環路500)。
如先前所論述，圖5所示之控制方案係關於在垂直於燃料小滴之軌跡之方向上輻射源之控制。在垂直於燃料小滴之軌跡之方向上，第一輻射量之焦點位置之控制通常快於燃料小滴之位置之控制，此係因為燃料小滴沿著自燃料小滴被產生之位置(亦即，噴嘴)至燃料小滴之位置被量測之位置的軌跡之飛行時間限制小滴位置之控制可被進行的速率(亦被稱作頻寬)。出於此原因，為控制電漿形成部位相對於輻射收集器之位置之相對慢控制環路的第一控制環路500係關於控制燃料小滴之位置。結果，第一控制環路500包含燃料小滴位置控制器508、小滴位置致動器510及燃料小滴位置感測器512。在此狀況下，燃料小滴位置控制器508可形成輻射源控制器之部件。燃料小滴位置致動器510 包含機械地鏈接至燃料供應件200且因此機械地鏈接至噴嘴128之至少一致動器。燃料小滴位置感測器512包含第二感測器配置134之位置感測器136。
如先前所論述，在垂直於小滴之軌跡之方向上第一輻射量之焦點位置的控制快於燃料小滴之位置的控制。為控制第一輻射量之焦點位置與燃料小滴之間的相對對準之相對快控制環路的第二控制環路504包括焦點位置控制器514、焦點定位致動器516及焦點位置感測器518。在此狀況下，焦點位置控制器可形成輻射源控制器之部件。焦點定位致動器包含反射器致動器118、120。焦點位置感測器518包括第一感測器配置之感測元件124。
可看出，第一控制環路之輸出520經饋送至比較器522，比較器522為控制第一輻射量之焦點與小滴之間的相對對準之相對快第二控制環路504之部件。以此方式，相對慢電漿形成部位控制環路500將輸入提供至相對快(且對輻射源效能更重要)控制環路504，控制環路504控制第一輻射量之焦點位置與燃料小滴之間的相對對準。亦可以說，因為控制環路500將輸入提供至控制環路504，所以相對快控制環路504追蹤相對慢控制環路500。
圖6展示關於在平行於燃料小滴之軌跡之方向上輻射源之控制的控制方案。如前所述，該控制方案具有兩個互連式控制環路：第一控制環路524及第二控制環路526。第一控制環路524控制第一輻射量之焦點與燃料小滴之間的相對對準。因此，第一控制環路524具有為第一輻射量之焦 點位置與燃料小滴之間的所要相對對準之參考528。第二控制環路526控制電漿形成部位相對於輻射收集器之位置。因此，第二控制環路526具有為電漿形成部位相對於輻射收集器之所要位置之參考530。如先前所論述，需要使控制第一輻射量之焦點與燃料小滴之間的相對對準之控制環路相比於控制電漿形成部位相對於輻射源之位置之控制環路具有較大準確度。因此，控制環路524相比於控制環路526相對快。
在平行於燃料小滴之軌跡之方向上，燃料小滴之位置之控制通常快於第一輻射量之焦點位置之控制。此係因為：在燃料小滴之軌跡之方向上，可藉由時序控制器142來控制次級輻射源(在此狀況下為雷射LA)之時序而控制第一輻射量(例如，第一輻射量之焦點)與燃料小滴之間的對準。雷射之時序可以極高速率而變化。舉例而言，雷射之時序(相對於燃料小滴之位置)可隨著雷射LA之脈衝不同而變化。
歸因於(如先前所論述)在平行於燃料小滴之軌跡之方向上小滴位置(相對於第一輻射量)之控制相比於第一輻射量之焦點位置之控制較快的事實，則相對快控制環路524包括燃料小滴位置之控制。由此可見，控制第一輻射量之焦點與燃料小滴之間的相對對準之相對快控制環路524包括燃料小滴位置控制器532、燃料小滴位置致動器534及燃料小滴位置感測器536。燃料小滴位置控制器532可形成輻射源控制器之部件。燃料小滴位置致動器包括控制次級輻射 源(雷射LA)之時序之時序控制器142。燃料小滴位置感測器包括第二感測器配置134之時序感測器138。
控制電漿形成部位相對於輻射收集器之位置之相對慢控制環路526包括第一輻射量之焦點位置之控制。因此，相對慢控制環路526包括焦點位置控制器538、焦點定位致動器540及焦點位置感測器542。在此狀況下，焦點位置控制器538可為輻射源控制器。焦點定位致動器540包括反射器致動器118、120。焦點位置感測器542包括第一感測器配置之感測元件124。
與圖5所示之控制方案一樣，圖6所示之控制方案係使得相對慢控制環路526具有饋送至比較器546之輸出544，比較器546形成相對快控制環路524之部件。因此，相對慢控制環路526(其係關於電漿形成部位之位置之控制)將輸入提供至相對快控制環路524(其控制第一輻射量之焦點與燃料小滴之間的相對對準)。以此方式，可以說，相對快控制環路524追蹤相對慢控制環路526。
如先前所論述，根據本發明之輻射源能夠獨立地量測第一輻射量之焦點位置且量測燃料小滴之位置。此外，基於此等量測，根據本發明之輻射源能夠獨立地控制第一輻射量之焦點位置且控制燃料小滴之位置。由此，可能有必要最初校準輻射源或隨後重新校準輻射源。舉例而言，可能有必要校準第一感測器配置及第二感測器配置(且可能地亦校準次級輻射源之時序控制器)，使得系統可受到控制以便有效地控制第一輻射量之焦點與燃料小滴之間的對準 且控制電漿形成部位相對於輻射收集器之位置。輻射源之校準可涉及向輻射源控制器提供關於第一感測器配置及第二感測器配置之輸出(其被提供至輻射源控制器)如何分別係關於第一輻射量之焦點之實際位置及燃料小滴之位置的資訊。
可如下實現朝向單一位置參考的由第一感測器配置量測的第一輻射量之測定焦點位置的校準及由第二感測器配置量測之測定燃料小滴位置的校準。第一輻射量之焦點位置與燃料小滴之間的對準可在三個受控制自由度中變化。舉例而言，第一輻射量之焦點位置與燃料小滴之間的相對對準可在平行於x軸、y軸及z軸之方向上變化。可在搜尋最佳電漿屬性且因此搜尋由輻射源輸出之輻射之最佳屬性時進行在三個受控制自由度中每一者中之此變化。舉例而言，可在搜尋由輻射源輸出之輻射之最大輸出功率時進行該變化。
如圖7所示，一種變化第一輻射量之焦點位置與燃料小滴之間的相對對準之方法係以恆定速度在垂直於燃料小滴之軌跡之方向上變化第一輻射量之焦點位置與燃料小滴之間的對準。在圖7內，燃料小滴之軌跡平行於x軸。第一輻射量之焦點位置與燃料小滴之間的相對對準係以恆定速度在由箭頭550指示的平行於y軸之方向上變化。如先前所論述，方向550垂直於燃料小滴之軌跡(其在此狀況下平行於x軸)。雖然第一輻射量之焦點位置與燃料小滴之間的對準係以恆定速度而變化，但在平行於燃料小滴之軌跡之方向 (在此狀況下為平行於x軸之方向)上將鋸齒形調變應用於次級輻射源之時序。雷射時序之鋸齒形調變用以在平行於燃料小滴之軌跡之方向上進行掃描。藉由將鋸齒形調變應用於次級輻射源之時序對平行於燃料小滴之軌跡之方向的掃描係由箭頭552指示。
以此方式，二維平面(在此狀況下為平行於含有x軸及y軸兩者之平面的平面)可以第一輻射量之焦點位置或小滴位置之僅單一恆定速度移動予以掃描(亦即，使得可量測由輻射源輸出之輻射之屬性)，以便變化第一輻射量之焦點位置與燃料小滴位置之間的相對對準。
亦有可能藉由控制雷射時序之鋸齒形調變之頻率來平衡二維平面內之掃描之解析度。亦即，雷射時序之調變可經選擇成使得在x方向上之掃描之解析度實質上相同於在y方向上之掃描之解析度。
校準或重新校準第一輻射量之焦點位置與燃料小滴位置之間的相對對準之替代方法係將一另外控制環路添加至圖5及圖6所示之控制方案，該另外控制環路基於由輻射源輸出之輻射之測定屬性來調整測定燃料小滴位置與第一輻射量之測定焦點位置之間的偏移。舉例而言，四重感測器(以虛線展示且在圖3中由560指示)可用以量測由輻射源輸出之輻射之強度分佈，且此資訊可由輻射源控制器使用以調整測定燃料小滴位置與第一輻射量之測定焦點位置之間的偏移。在此設置中，四重感測器將僅用於校準目的(例如，歸因於漂移校正之重新校準)，此情形將使該等四重 感測器之特性(例如，其壽命及/或敏感度)相比於用於先前技術中之四重感測器較不具決定性。
儘管在本文中可特定地參考微影裝置在IC製造中之使用，但應理解，本文所描述之微影裝置可具有其他應用，諸如，製造整合式光學系統、用於磁疇記憶體之導引及偵測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭，等等。熟習此項技術者應瞭解，在此等替代應用之內容背景中，可認為本文對術語「晶圓」或「晶粒」之任何使用分別與更通用之術語「基板」或「目標部分」同義。可在曝光之前或之後在(例如)塗佈顯影系統(通常將抗蝕劑層施加至基板且顯影經曝光抗蝕劑之工具)、度量衡工具及/或檢測工具中處理本文所提及之基板。適用時，可將本文之揭示內容應用於此等及其他基板處理工具。另外，可將基板處理一次以上，例如，以便創製多層IC，使得本文所使用之術語「基板」亦可指代已經含有多個經處理層之基板。
儘管上文可特定地參考在光學微影之內容背景中對本發明之實施例之使用，但應瞭解，本發明可用於其他應用(例如，壓印微影)中，且在內容背景允許時不限於光學微影。在壓印微影中，圖案化器件中之構形(topography)界定創製於基板上之圖案。可將圖案化器件之構形壓入被供應至基板之抗蝕劑層中，在基板上，抗蝕劑係藉由施加電磁輻射、熱、壓力或其組合而固化。在抗蝕劑固化之後，將圖案化器件移出抗蝕劑，從而在其中留下圖案。
儘管上文可特定地參考形成微影裝置之部件之輻射源， 但應瞭解，輻射源無需限於在微影裝置內使用。在任何適當應用中，輻射源可用作輻射之來源。
術語「透鏡」在內容背景允許時可指代各種類型之光學組件中任一者或其組合，包括折射、反射、磁性、電磁及靜電光學組件。
可認為術語「EUV輻射」涵蓋具有在5奈米至20奈米之範圍內(例如，在13奈米至14奈米之範圍內，例如，在5奈米至10奈米之範圍內，諸如，6.7奈米或6.8奈米)之波長的電磁輻射。
可認為術語「IR輻射」涵蓋具有在0.6微米與500微米之範圍內(例如，在1微米與15微米之範圍內，例如，10.6微米)之波長的電磁輻射。
雖然上文已描述本發明之特定實施例，但應瞭解，可以與所描述之方式不同的其他方式來實踐本發明。舉例而言，本發明可採取如下形式：電腦程式，其含有描述如上文所揭示之方法的機器可讀指令之一或多個序列；或資料儲存媒體(例如，半導體記憶體、磁碟或光碟)，其具有儲存於其中之此電腦程式。以上描述意欲為說明性的而非限制性的。因此，對於熟習此項技術者將顯而易見，可在不脫離下文所闡明之申請專利範圍之範疇的情況下對所描述之本發明進行修改。
21‧‧‧輻射光束
22‧‧‧琢面化場鏡面器件
24‧‧‧琢面化光瞳鏡面器件
26‧‧‧經圖案化光束
28‧‧‧反射元件
30‧‧‧反射元件
100‧‧‧微影裝置
110‧‧‧固定反射元件
112‧‧‧固定反射元件
114‧‧‧可移動反射元件/可移動反射器元件/引導反射器
116‧‧‧焦點位置/焦點
118‧‧‧反射器致動器
120‧‧‧反射器致動器
122‧‧‧反射器配置
124‧‧‧感測器元件/感測元件
126‧‧‧感測器反射器
128‧‧‧噴嘴
130‧‧‧軌跡
132‧‧‧第二輻射量
134‧‧‧第二感測器配置/影像感測器
136‧‧‧位置感測器
138‧‧‧時序感測器
140‧‧‧觸發點
142‧‧‧時序控制器
200‧‧‧燃料供應件
205‧‧‧雷射光束/輻射光束/第一輻射量
205a‧‧‧輻射光束之第一部分
205b‧‧‧輻射光束之第二部分
210‧‧‧高度離子化電漿/輻射發射電漿/輻射產生電漿
212‧‧‧電漿形成部位
220‧‧‧圍封結構
221‧‧‧開口
400‧‧‧控制環路
402‧‧‧參考
404‧‧‧感測器
406‧‧‧比較器
408‧‧‧測定誤差
410‧‧‧控制器
412‧‧‧系統輸入
414‧‧‧系統
500‧‧‧第一控制環路/電漿形成部位控制環路
502‧‧‧參考
504‧‧‧第二控制環路
506‧‧‧參考
508‧‧‧燃料小滴位置控制器
510‧‧‧燃料小滴位置致動器
512‧‧‧燃料小滴位置感測器
514‧‧‧焦點位置控制器
516‧‧‧焦點定位致動器
518‧‧‧焦點位置感測器
520‧‧‧輸出
522‧‧‧比較器
524‧‧‧第一控制環路
526‧‧‧第二控制環路
528‧‧‧參考
530‧‧‧參考
532‧‧‧燃料小滴位置控制器
534‧‧‧燃料小滴位置致動器
536‧‧‧燃料小滴位置感測器
538‧‧‧焦點位置控制器
540‧‧‧焦點定位致動器
542‧‧‧焦點位置感測器
544‧‧‧輸出
546‧‧‧比較器
550‧‧‧方向
552‧‧‧掃描
560‧‧‧四重感測器
B‧‧‧輻射光束
C‧‧‧目標部分
CO‧‧‧近正入射收集器光學件/輻射收集器/源收集器
IF‧‧‧虛擬源點/中間焦點
IL‧‧‧照明系統/照明器
LA‧‧‧雷射
M1‧‧‧光罩對準標記
M2‧‧‧光罩對準標記
MA‧‧‧圖案化器件
MT‧‧‧支撐結構
P1‧‧‧基板對準標記
P2‧‧‧基板對準標記
PM‧‧‧第一***
PS‧‧‧投影系統
PS1‧‧‧位置感測器
PS2‧‧‧位置感測器
PW‧‧‧第二***
SO‧‧‧源收集器模組/輻射源
W‧‧‧基板
WT‧‧‧基板台
圖1描繪根據本發明之一實施例的微影裝置；圖2更詳細地描繪圖1之微影裝置； 圖3為形成圖1及圖2所示之微影裝置之部件的根據本發明之一實施例之輻射源的示意性平面圖；圖4展示控制環路；圖5及圖6展示形成本發明之一實施例之部分的控制方案；及圖7展示根據本發明之一實施例的可用以校準輻射源之焦點位置之掃描路徑的示意圖。
110‧‧‧固定反射元件
112‧‧‧固定反射元件
114‧‧‧可移動反射元件/可移動反射器元件/引導反射器
116‧‧‧焦點位置/焦點
118‧‧‧反射器致動器
120‧‧‧反射器致動器
122‧‧‧反射器配置
124‧‧‧感測器元件/感測元件
126‧‧‧感測器反射器
128‧‧‧噴嘴
130‧‧‧軌跡
132‧‧‧第二輻射量
134‧‧‧第二感測器配置/影像感測器
136‧‧‧位置感測器
138‧‧‧時序感測器
140‧‧‧觸發點
142‧‧‧時序控制器
200‧‧‧燃料供應件
205‧‧‧雷射光束/輻射光束/第一輻射量
205a‧‧‧輻射光束之第一部分
205b‧‧‧輻射光束之第二部分
210‧‧‧高度離子化電漿/輻射發射電漿/輻射產生電漿
212‧‧‧電漿形成部位
560‧‧‧四重感測器
CO‧‧‧近正入射收集器光學件/輻射收集器/源收集器
LA‧‧‧雷射
SO‧‧‧源收集器模組/輻射源

Claims (39)

  1. 一種適於將一輻射光束提供至一微影裝置之一照明器之輻射源，該輻射源包含：一噴嘴，其經組態以沿著朝向一電漿形成部位之一軌跡引導一燃料小滴串流；且該輻射源經組態以接收一第一輻射量，使得在使用時該第一輻射量在該電漿形成部位處入射於一燃料小滴上，且使得在使用時該第一輻射量將能量轉移至該燃料小滴以產生發射一第二輻射量之一輻射產生電漿；該輻射源進一步包含：一第一感測器配置，其經組態以量測指示該第一輻射量之一焦點位置的該第一輻射量之一屬性；及一第二感測器配置，其經組態以量測指示一燃料小滴之一位置的該燃料小滴之一屬性。
  2. 如請求項1之輻射源，其中該第一感測器配置經組態以量測指示在一第二時間時該第一輻射量之該焦點位置的在一第一時間時該第一輻射量之一屬性；且其中該第二感測器配置經組態以量測指示在該第二時間時該燃料小滴之該位置的在一第三時間時該燃料小滴之一屬性。
  3. 如請求項2之輻射源，其中該第一時間及該第三時間係在該第二時間之前。
  4. 如前述請求項中任一項之輻射源，其中該第一感測器配置包含一反射器配置及一感測器元件；該反射器配置包 含一感測器反射器，該感測器反射器之至少一部分位於在該第一輻射量之該焦點位置上游的該第一輻射量之路徑中，且該感測器反射器朝向該感測器元件反射該第一輻射量之一部分。
  5. 如請求項1至3中任一項之輻射源，其中該第二感測器配置包含經組態以輸出指示該燃料小滴之一位置之一位置信號的一位置感測器。
  6. 如請求項5之輻射源，其中該位置信號指示在該第三時間時該燃料小滴之一位置。
  7. 如請求項5之輻射源，其中該位置感測器為一影像感測器，該影像感測器使該燃料小滴串流在使用時由該噴嘴朝向該電漿形成部位引導所沿著之該軌跡之一部分成像。
  8. 如請求項1至3中任一項之輻射源，其中該第二感測器配置包含一時序感測器，該時序感測器經組態以輸出指示該燃料小滴沿著該燃料小滴串流在使用時由該噴嘴朝向該電漿形成部位引導所沿著之該軌跡通過一觸發點之時間的一時序信號。
  9. 如請求項8之輻射源，其中該燃料小滴通過該觸發點之該時間為該第三時間。
  10. 如請求項1至3中任一項之輻射源，其中該第二感測器配置包含：一位置感測器，其經組態以輸出指示該燃料小滴之一位置之一位置信號；及 一時序感測器，其經組態以輸出指示該燃料小滴沿著該燃料小滴串流在使用時由該噴嘴朝向該電漿形成部位引導所沿著之該軌跡通過一觸發點之時間的一時序信號；且視情況，其中該位置感測器為一影像感測器，該影像感測器使該燃料小滴串流在使用時由該噴嘴朝向該電漿形成部位引導所沿著之該軌跡之一部分成像。
  11. 如請求項10之輻射源，其中該位置感測器經組態以輸出指示在該第三時間時該燃料小滴之一位置之一位置信號；且其中指示在該第三時間時該燃料小滴之一位置之該位置信號及該燃料小滴通過該觸發點之該時間皆指示在該第二時間時該燃料小滴之該位置。
  12. 如請求項1至3中任一項之輻射源，其中該輻射源進一步包含一輻射引導器件，該輻射引導器件經組態以引導該第一輻射量且藉此判定該第一輻射量之該焦點位置。
  13. 如請求項12之輻射源，其中該輻射引導器件包含：一引導反射器，其至少一部分在使用時位於該第一輻射量之該路徑中；及至少一反射器致動器，其機械地鏈接至該引導反射器，且藉以，該至少一反射器致動器之移動改變該引導反射器相對於該第一輻射量之該路徑之定向及/或位置。
  14. 如請求項1至3中任一項之輻射源，其中該噴嘴機械地鏈接至至少一噴嘴致動器，藉以，該至少一噴嘴致動器之 移動改變該噴嘴相對於該輻射源之剩餘部分之位置且因此改變該燃料小滴串流之該軌跡。
  15. 如請求項1至3中任一項之輻射源，其中該輻射源包含：一次級輻射源，該次級輻射源產生該第一輻射量；及一時序控制器，其連接至該次級輻射源且經組態以控制該次級輻射源產生該第一輻射量之時間。
  16. 如請求項1至3中任一項之輻射源，其中該輻射源進一步包含一控制器，且其中該第一感測器配置將一第一感測器信號提供至該控制器，該第二感測器配置將一第二感測器信號提供至該控制器；且其中該控制器經配置以基於該第一感測器信號及該第二感測器信號來控制該電漿形成部位、該第一輻射量之該焦點位置及該燃料小滴串流之該軌跡中至少一者。
  17. 如請求項1之輻射源，其進一步包含：一噴嘴致動器，其機械地鏈接至該噴嘴；一輻射引導器件，其經組態以引導該第一輻射量且藉此判定該第一輻射量之該焦點位置，該輻射引導器件具有一輻射引導器件致動器；及一控制器，該控制器經組態以實施一第一控制方案以用於在垂直於該等燃料小滴之該軌跡之一方向上控制該輻射源；該第一控制方案包含一第一相對快控制環路及一第一相對慢控制環路，該第一相對快控制環路基於第一感測 器配置及該控制器來控制該輻射引導器件致動器，該第一相對慢控制環路基於該第二感測器配置及該控制器來控制該噴嘴致動器；且其中該第一相對快控制環路追蹤該第一相對慢控制環路。
  18. 如請求項17之輻射源，其中該輻射源進一步包含：一次級輻射源，該次級輻射源產生該第一輻射量；及一時序控制器，其連接至該次級輻射源且經組態以控制該次級輻射源產生該第一輻射量之該時間，該時序控制器在使用時受到該控制器控制，該控制器經組態以實施一第二控制方案以用於在平行於該等燃料小滴之該軌跡之一方向上控制該輻射源；該第二控制方案包含一第二相對快控制環路及一第二相對慢控制環路，該第二相對快控制環路基於該第二感測器配置及該控制器來控制該時序控制器，該第二相對慢控制環路基於該第一感測器配置及該控制器來控制該輻射器件引導致動器；且其中該第一相對快控制環路追蹤該第一相對慢控制環路。
  19. 如請求項1之輻射源，其進一步包含：一噴嘴致動器，其機械地鏈接至該噴嘴；一輻射引導器件，其經組態以引導該第一輻射量且藉此判定該第一輻射量之該焦點位置，該輻射引導器件具有一輻射引導器件致動器；及一控制器，其經組態以實施一第一控制方案以便在垂直於該等燃料小滴之該軌跡之一方向上控制該輻射源； 該第一控制方案包含一第一相對快控制環路及一第一相對慢控制環路，該第一相對快控制環路基於第一感測器配置及該控制器來控制該輻射引導器件致動器，該第一相對慢控制環路基於該第二感測器配置及該控制器來控制該噴嘴致動器；且其中該第一相對快控制環路追蹤該第一相對慢控制環路。
  20. 如請求項19之輻射源，其中該輻射源進一步包含：一次級輻射源，該次級輻射源產生該第一輻射量；及一時序控制器，其連接至該次級輻射源且經組態以控制該次級輻射源產生該第一輻射量之該時間，該時序控制器在使用時受到該控制器控制，該控制器經組態以實施一第二控制方案以用於在平行於該等燃料小滴之該軌跡之一方向上控制該輻射源，該第二控制方案包含一第二相對快控制環路及一第二相對慢控制環路，該第二相對快控制環路基於該第二感測器配置及該控制器來控制該時序控制器，該第二相對慢控制環路基於該第一感測器配置及該控制器來控制該輻射器件引導致動器；且其中該第一相對快控制環路追蹤該第一相對慢控制環路。
  21. 一種經配置以將一圖案自一圖案化器件投影至一基板上之微影裝置，其中該微影裝置包含經組態以將一輻射光 束提供至該圖案化器件之一輻射源，該輻射源包含：一噴嘴，其經組態以沿著朝向一電漿形成部位之一軌跡引導一燃料小滴串流；且該輻射源經組態以接收一第一輻射量，使得在使用時該第一輻射量在該電漿形成部位處入射於一燃料小滴上，且使得在使用時該第一輻射量將能量轉移至該燃料小滴中以產生發射一第三輻射量之一經修改燃料分佈或一輻射產生電漿；一第一感測器配置，其經組態以量測指示該第一輻射量之一焦點位置的該第一輻射量之一屬性；及一第二感測器配置，其經組態以量測指示一燃料小滴之一位置的該燃料小滴之一屬性。
  22. 一種適於將一輻射光束提供至一微影裝置之一照明器之輻射源，該輻射源包含：一噴嘴，其經組態以沿著朝向一電漿形成部位之一軌跡引導一燃料小滴串流，其中該輻射源經組態以接收一第一輻射量，使得在使用時該第一輻射量在該電漿形成部位處入射於一燃料小滴上，且使得在使用時該第一輻射量將能量轉移至該燃料小滴以產生發射一第二輻射量之一輻射產生電漿；一第一感測器配置，其經組態以量測指示該第一輻射量之一焦點位置的該第一輻射量之一屬性；及一第二感測器配置，其經組態以量測指示一燃料小滴之一位置的該燃料小滴之一屬性。
  23. 如請求項22之輻射源，其中該第一感測器配置經組態以量測指示在一第二時間時該第一輻射量之該焦點位置的在一第一時間時該第一輻射量之一屬性；且其中該第二感測器配置經組態以量測指示在該第二時間時該燃料小滴之該位置的在一第三時間時該燃料小滴之一屬性。
  24. 如請求項23之輻射源，其中該第一時間及該第三時間係在該第二時間之前。
  25. 如請求項22之輻射源，其中該第一感測器配置包含一反射器配置及一感測器元件，該反射器配置包含一感測器反射器，該感測器反射器之至少一部分位於在該第一輻射量之該焦點位置上游的該第一輻射量之路徑中，且該感測器反射器朝向該感測器元件反射該第一輻射量之一部分。
  26. 如請求項22之輻射源，其中該第二感測器配置包含經組態以輸出指示該燃料小滴之一位置之一位置信號的一位置感測器。
  27. 如請求項26之輻射源，其中該位置信號指示在該第三時間時該燃料小滴之一位置。
  28. 如請求項27之輻射源，其中該位置感測器為一影像感測器，該影像感測器使該燃料小滴串流在使用時由該噴嘴朝向該電漿形成部位引導所沿著之該軌跡之一部分成像。
  29. 如請求項22之輻射源，其中該第二感測器配置包含一時序感測器，該時序感測器經組態以輸出指示該燃料小滴 沿著該燃料小滴串流在使用時由該噴嘴朝向該電漿形成部位引導所沿著之該軌跡通過一觸發點之時間的一時序信號。
  30. 如請求項29之輻射源，其中該燃料小滴通過該觸發點之該時間為該第三時間。
  31. 如請求項22之輻射源，其中該第二感測器配置包含：一位置感測器，其經組態以輸出指示該燃料小滴之一位置之一位置信號；及一時序感測器，其經組態以輸出指示該燃料小滴沿著該燃料小滴串流在使用時由該噴嘴朝向該電漿形成部位引導所沿著之該軌跡通過一觸發點之時間的一時序信號。
  32. 如請求項31之輻射源，其中該位置感測器為一影像感測器，該影像感測器經組態以使該燃料小滴串流在使用時由該噴嘴朝向該電漿形成部位引導所沿著之該軌跡之一部分成像。
  33. 如請求項32之輻射源，其中該位置感測器經組態以輸出指示在該第三時間時該燃料小滴之一位置之一位置信號；且其中指示在該第三時間時該燃料小滴之一位置之該位置信號及該燃料小滴通過該觸發點之該時間皆指示在該第二時間時該燃料小滴之該位置。
  34. 如請求項22之輻射源，其中該輻射源進一步包含一輻射引導器件，該輻射引導器件經組態以引導該第一輻射量 且藉此判定該第一輻射量之該焦點位置。
  35. 如請求項34之輻射源，其中該輻射引導器件包含：一引導反射器，其至少一部分在使用時位於該第一輻射量之該路徑中；及至少一反射器致動器，其機械地鏈接至該引導反射器，且藉以，該至少一反射器致動器之移動改變該引導反射器相對於該第一輻射量之該路徑之定向或位置。
  36. 如請求項35之輻射源，其中該噴嘴機械地鏈接至至少一噴嘴致動器，藉以，該至少一噴嘴致動器之移動改變該噴嘴相對於該輻射源之剩餘部分之位置且因此改變該燃料小滴串流之該軌跡。
  37. 如請求項22之輻射源，其中該輻射源包含：一次級輻射源，該次級輻射源產生該第一輻射量；及一時序控制器，其連接至該次級輻射源且經組態以控制該次級輻射源產生該第一輻射量之時間。
  38. 如請求項37之輻射源，其中該輻射源進一步包含一控制器，且其中該第一感測器配置將一第一感測器信號提供至該控制器，該第二感測器配置將一第二感測器信號提供至該控制器；且其中該控制器經配置以基於該第一感測器信號及該第二感測器信號來控制該電漿形成部位、該第一輻射量之該焦點位置及該燃料小滴串流之該軌跡中至少一者。
  39. 一種經配置以將一圖案自一圖案化器件投影至一基板上 之微影裝置，其中該微影裝置包含經組態以將一輻射光束提供至該圖案化器件之一輻射源，該輻射源包含：一噴嘴，其經組態以沿著朝向一電漿形成部位之一軌跡引導一燃料小滴串流；且該輻射源經組態以接收一第一輻射量，使得在使用時該第一輻射量在該電漿形成部位處入射於一燃料小滴上，且使得在使用時該第一輻射量將能量轉移至該燃料小滴中以產生發射一第三輻射量之一經修改燃料分佈或一輻射產生電漿；一第一感測器配置，其經組態以量測指示該第一輻射量之一焦點位置的該第一輻射量之一屬性；及一第二感測器配置，其經組態以量測指示一燃料小滴之一位置的該燃料小滴之一屬性。
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