TWI713413B

TWI713413B - 輻射源

Info

Publication number: TWI713413B
Application number: TW107132368A
Authority: TW
Inventors: 漢冠尼恩休斯; 瑞佛路多維哥司東克
Original assignee: 荷蘭商Ａｓｍｌ荷蘭公司
Priority date: 2017-09-20
Filing date: 2018-09-14
Publication date: 2020-12-11
Also published as: CN111133840A; US11140765B2; US20200296817A1; TW201922057A; JP2020534559A; WO2019057409A1; JP7376468B2; NL2021472A

Abstract

本發明提供一種輻射源，其包含：一發射器，其用於朝向一電漿形成區發射一燃料目標；一雷射系統，其以一雷射光束命中該目標以產生一電漿；一收集器，其用於收集由該電漿發射之輻射；一成像系統，其經組態以捕獲該目標之一影像；一或多個標記符，其在該收集器處且在該成像系統之一視場內；及一控制器。該控制器接收表示該影像之資料；且取決於該資料而控制該輻射源之操作。

Description

輻射源

本發明係關於一種用於與微影設備一起使用之輻射源。

微影設備為經建構以將所要圖案施加至基板上之機器。微影設備可用於例如積體電路(integrated circuit，IC)之製造中。微影設備可例如將來自圖案化裝置(例如，遮罩)之圖案投影至設置於基板上之一層輻射敏感材料(抗蝕劑)上。

由微影設備使用以將圖案投影至基板上之輻射之波長判定可形成於彼基板上之特徵的最小大小。相比於習知微影設備(其可例如使用具有193 nm之波長之電磁輻射)，使用為具有在4 nm至20 nm範圍內之波長之電磁輻射的EUV輻射之微影設備可用以在基板上形成較小特徵。

可使用經配置以產生EUV產生電漿之輻射源來產生EUV輻射。可例如藉由激勵輻射源內之燃料來產生產生電漿之EUV。

本發明之一態樣係關於一種輻射源，其包含：發射器，其經組態以朝向一電漿形成區發射一燃料目標；一雷射系統，其經組態而以一雷射光束命中該燃料目標以在該電漿形成區處產生一電漿；一收集器，其經配置以收集由該電漿發射之輻射；一成像系統，其經組態以捕獲該燃料目標之一影像；一標記符，其在該收集器處且在該成像系統之一視場內；及一控制器，其經組態以接收表示該影像之資料且取決於該資料而控制該輻射源之操作。術語「收集器」在此處可與表述「輻射收集器」互換地使用。術語「發射器」在此處可與表述「燃料發射器」互換地使用。另外，該成像系統可包括一或多個成像裝置，例如一或多個攝影機。「在該收集器處之該標記符」的特徵應例如由安裝於該收集器處之該標記符在該標記符之操作性使用中指示該標記符與該收集器之間的一固定空間關係。該成像系統可包括一或多個成像裝置，例如，該成像系統可包含一或多個攝影機。

該標記符結合該燃料目標之該所捕獲影像使得能夠判定該燃料目標與該收集器之間的一相對空間關係，或至少判定該相對空間關係之一屬性。舉例而言，該控制器可經組態以處理該資料以判定該燃料目標相對於該收集器之一位置。該控制器可經組態以來控制以下各者中之至少一者：藉由調整該燃料發射器之一位置及/或定向之該燃料目標之一軌跡；該雷射光束之一位置及/或位置；該收集器之一位置及或定向。

以此方式，有可能最佳化該輻射源之操作。特定言之，藉由回應於該第一影像修改該輻射源之該至少一個組件的操作，或許有可能比先前可達到快得多地達成最佳電漿產生及/或比先前可達到歷時更長週期而維持最佳電漿產生。

在一實施例中，該輻射源包含在該收集器處且在該成像系統之該視場內的一第二標記符。因此，可判定相對位置之一額外屬性。

在一實施例中，該成像系統包含一第一成像裝置、一第二成像裝置、一光束***系統及一背光燈。該背光燈經組態以用於以一照明光束照明該燃料目標及該標記符。該光束***系統經組態以接收該照明光束之受該燃料目標影響的一第一部分且接收該照明光束之受該標記符影響的一第二部分。該光束***系統經進一步組態以將該第一部分導引至該第一成像裝置且將該第二部分導引至該第二成像裝置。當該第一成像裝置及該第二成像裝置接收該照明光束之表示定位於不同位置處之不同實體特徵的不同部分時，該第一成像裝置及該第二成像裝置中之各個別者可獨立地使該等該不同身體特徵中之一相關者聚焦。

該輻射源可包含在該收集器處且在該成像系統之該視場內的一第二標記符，且該成像系統可接著包含一第三成像裝置。該背光燈可接著經組態以亦以該照明光束照明該第二標記符。該光束***系統接著經組態以接收該照明光束之受該第二標記符影響的一第三部分；且將該第三部分導引至該第三成像裝置。

在另一實施例中，該輻射源包含經組態以捕獲該燃料目標之另一影像之另一成像系統，及在該收集器處且在該另一成像系統之另一視場內的另一標記符。先前提及之該成像系統經組態以自一預定視角捕獲該燃料目標之該影像，且該另一成像系統經組態以自不同於該預定視角之一另一預定視角捕獲該燃料目標之該另一影像。該控制器經組態以接收表示該另一影像之其他資料；且取決於該其他資料而控制該輻射源之操作。該輻射源可包括在該收集器處且定位於該另一成像系統之該另一視場內的一第二另一標記符。

因此，該輻射源包括兩個分支：具有該成像系統之一第一分支及具有自不同視角對該燃料目標進行成像之該另一成像系統的一第二分支。因此，相比於藉由僅使用自一單個有利點執行該成像之一單個分支，可提取關於該燃料目標與該收集器之間的相對位置關係之更多資訊。優選地，具有該兩個分支之該輻射源按照該成像系統及該另一成像系統中之一個別者而包括一個別對之標記符。

該標記符可包含一本體，其對照明該本體之該照明光束輻射大體上不透明以便產生在該影像中表示之一陰影。類似地，該標記符可包含一第二本體，其對照明該第二本體之該照明光束輻射大體上不透明以便產生在該影像中表示之一第二陰影。類似地，該另一標記符及該第二標記符中之任一者或每一者進一步可包含一各別本體，其對照明該各別本體之另一照明光束輻射大體上不透明以便產生在該另一影像中表示之一陰影。該照明光束經導引使得該標記符及該第二標記符中之任一者或每一者至少部分地遮蔽該照明光束。該成像系統經配置使得其可偵測由該相關標記符在該照明光束之該路徑中產生的該陰影。舉例而言，該背光燈及該成像裝置中之一相關者可經配置為彼此相對，且跨越該收集器具有一視線，該標記符配置於該背光燈與該成像系統之間。替代地，該背光燈及該成像裝置可接近彼此地配置，且可提供一反射器或其他適合之光學元件以經由該反射器或另一光學裝置將該照明光束引導至該成像裝置。由該照明光束入射於附近該電漿產生區域之一燃料目標上產生的一陰影亦可由該成像裝置偵測到。

該本體及第二本體中之任一者或每一者可具有用於使照明該本體及第二本體之該照明光束的部分通過的一各別孔徑。類似考量可適用於該另一標記符及第二標記符之各別本體，從而與該第二分支之該另一成像系統協作。

替代地，或結合上文介紹之本體實施方案，該本體及第二本體中之任一者或每一者可包含一各別十字線。如已知，一十字線係通常定位於一成像裝置之一焦點中的一精密導線或線。該十字線用作精確檢視或對準之一參考。

關於如上所述之該光束***系統：該照明光束的之該一部分受該燃料目標之存在影響，且該照明光束的之該二部分受標記符影響。該光束***系統用以將該照明光束之該第一部分引導至該第一成像裝置，且將該第二部分引導至不同於該第一成像裝置之該第二成像裝置。在該收集器處存在該第二標記符的狀況下，該照明光束之受該第二標記符之存在影響的該第三部分由該光束***系統引導至不同於該第一成像裝置且不同於該第二成像裝置之一第三成像裝置。為了使該光束***系統工作，該光束***系統必須能夠區分開該第一部分、該第二部分與該第三部分。亦即，該第一部分具有一第一特性，該第二部分具有不同於該第一特性之一第二特性，且該光束***系統經組態以在該第一特性及該第二特性之控制下區分開該第一部分與該第二部分。類似地，在該收集器處存在該第二標記符且該第二標記符影響該照明光束之該第三部分的狀況下，該第三部分具有不同於該第一特性及該第二特性之一第三特性。

該第一特性可包括該照明光束之照明輻射的一第一波長，且該第二特性可包括該照明輻射之不同於該第一波長的一第二波長。若存在該第二標記符，則該第三特性可包括不同於該第一波長且不同於該第二波長之一第三波長。該第一特性可包括該光束***系統上之一第一入射位置，且該第二特性可包括該光束***系統上之不同於該第一入射位置的一第二入射位置。若在該收集器處存在該第二標記符，則該第三特性可包括不同於該第一入射位置且不同於該第二入射位置之一第三入射位置。該第一特性可包括該照明光束之該照明輻射的一第一偏振，且該第二特性可包括該照明輻射之不同於該第一偏振的一第二偏振。

當存在多個成像系統時，或許有可能以六個自由度判定該輻射收集器之該位置。舉例而言，或許有可能參考一成像裝置之一2D影像平面判定該收集器之該位置(亦即，相對上/下位置及相對左/右位置)。藉由交叉參考自由具有相對於彼此按一已知角度定向之各別視場的至少兩個成像系統產生之影像獲得之該資訊，或許有可能以三維方式判定該輻射收集器之該位置。

在一些實施例中，該標記符可具有包含一大體上L形或十字形突出部之一本體。該標記符可經配置使得該標記符之僅一部分投射投影至該成像系統之該視場中。以此方式，在該視場中存在更多空間可用以捕獲該燃料目標之一影像。

在一些實施例中，一孔徑可設置於形成該至少一個標記符之該突出部中。該孔徑可允許由該背光燈發射之該輻射光束的部分通過該標記符。

在一些實施例中，該至少一個標記符可呈附接至一環之十字線形式。以此方式，該標記符可儘可能少地遮蔽由該背光燈發射之該輻射光束。

在一些實施例中，該至少一個標記符可製造一繞射圖案，該繞射圖案在該相關成像裝置之一影像平面中具有一十字形輪廓之一區域。此可便於偵測該標記符或偵測該標記符相對於該成像裝置之一影像平面的大小。

在一些實施例中，該至少一個標記符可包含附近於該輻射收集器且在該成像裝置之該視場內配置的一不透明正方形。

在一些實施例中，該至少一個標記符可列印、噴漆或以其他方式附連至配置於由該背光燈產生之一輻射光束之一路徑中的一大體上透明之板上，使得該至少一個標記符遮蔽該輻射光束之部分。

在一些實施例中，該控制器可儲存與該輻射收集器之該位置相關的資訊。在一些實施例中，該資訊可包含與以下各者中的至少一者相關之資訊：該輻射收集器之一初始位置及相對於該輻射收集器之一初始位置的一相對偏移。

本發明之另一態樣係關於一種包含根據本發明之一輻射源及一微影設備的微影系統。

本發明之另一態樣係關於一種攜載電腦可讀指令之非暫時性電腦可讀媒體，該等電腦可讀指令適合於使得一電腦：接收一輻射發射電漿之一第一影像；基於該第一影像而產生修改一輻射源之至少一個組件之操作的至少一個指令；及視情況，處理該第一影像以判定一燃料目標相對於至少一個標記符之一位置。

本發明之另一態樣係關於一種組合，其包括一發射器、一收集器、一成像系統及該收集器處之一標記符，該組合經組態以用於本發明之該輻射源中。

本發明之又一態樣係關於一種收集器，其經組態以用於根據本發明之一輻射源中。

在上文所描述之一個態樣或實施例的上下文中所描述之特徵可與上文所述之態樣或實施例的其他特徵一起使用。

圖1展示根據本發明之一實施例的包括輻射源之微影系統。該微影系統包含輻射源SO及微影設備LA。輻射源SO經組態以產生極紫外線(extreme ultraviolet，EUV)輻射光束B。微影設備LA包含照明系統IL、經組態以支撐圖案化裝置MA (例如，遮罩)之支撐結構MT、投影系統PS及經組態以支撐基板W之基板台WT。照明系統IL經組態以在輻射光束B入射於圖案化裝置MA上之前調節該輻射光束B。投影系統經組態以將輻射光束B (現由遮罩MA圖案化)投影至基板W上。基板W可包括先前形成之圖案。在此狀況下，微影設備將經圖案化輻射光束B與先前形成於基板W上之圖案對準。

輻射源SO、照明系統IL及投影系統PS可皆經建構且經配置成使得其可與外部環境隔離。處於低於大氣壓力之壓力下之氣體(例如，氫氣)可提供於輻射源SO中。真空可提供於照明系統IL及/或投影系統PS中。在充分地低於大氣壓力之壓力下之少量氣體(例如，氫氣)可提供於照明系統IL及/或投影系統PS中。

在圖2中展示輻射源SO之一實例。圖2所展示之輻射源SO係屬於可被稱作雷射產生電漿(laser produced plasma，LPP)源之類型。可例如包括CO₂ 雷射之雷射1經配置以將穿過雷射光束2之能量沈積至自燃料發射器3提供之諸如錫(Sn)之燃料中。雷射可係脈衝、連續波或準連續波雷射或可以前述各者之方式操作。自燃料發射器3發射之燃料的軌跡平行於圖2上標示之x軸。雷射光束2在平行於垂直於x軸之y軸的方向上傳播。z軸垂直於x軸及y軸兩者且大體上延伸至頁面之平面中(或之外)

儘管在以下描述中提及錫，但可使用任何適合燃料。燃料可例如呈液體形式，且可例如係金屬或合金。燃料發射器3可包含一噴嘴，該噴嘴經組態以沿著朝向電漿形成區4之軌跡而導向例如呈離散燃料目標形式之錫。在本說明書之整個剩餘部分中，對「燃料」、「燃料目標」或「燃料小滴」之參考應理解為參考由燃料發射器3發射之燃料。雷射光束2在電漿形成區4處入射於錫上。雷射能量至錫中之沈積會在電漿形成區4處產生電漿7。在電漿之離子及電子之去激發及再結合期間自電漿7發射包括EUV輻射之輻射。

EUV輻射係由近正入射輻射收集器5 (有時更通常被稱作正入射輻射收集器)收集且聚焦。收集器5可具有經配置以反射EUV輻射(例如，具有諸如13.5 nm之所要波長之EVU輻射)之多層結構。收集器5可具有橢球形組態，其具有兩個焦點。第一焦點可處於電漿形成區4處，且第二焦點可處於中間焦點6處，如下文所論述。

雷射1可自輻射源SO按相對長之距離定位。在此狀況下，雷射光束2可藉助於包含例如適合導向鏡及/或光束擴展器及/或其他光學件之光束遞送系統(未展示)而自雷射1傳遞至輻射源SO。雷射1及輻射源SO可一起被認為係輻射系統。

由收集器5反射之輻射形成輻射光束B。輻射光束B聚焦於點6處以形成電漿形成區4之影像，該影像充當用於照明系統IL之虛擬輻射源。輻射光束B聚焦於之點6可被稱作中間焦點。輻射源SO經配置使得中間焦點6位於輻射源之圍封結構9中之開口8處或附近。

輻射光束B自輻射源SO傳遞至照明系統IL中，該照明系統經組態以調節輻射光束。照明系統IL可包括琢面化場鏡面裝置10及琢面化光瞳鏡面裝置11。琢面化場鏡面裝置10及琢面化光瞳鏡面裝置11一起向輻射光束B提供在光束之橫截面中之所要橫截面形狀及所要強度分佈。輻射光束B自照明系統IL傳遞且入射於由支撐結構MT固持之圖案化裝置MA上。圖案化裝置MA反射且圖案化輻射光束B。作為琢面化場鏡面裝置10及琢面化光瞳鏡面裝置11補充或替代，照明系統IL亦可包括其他鏡面或裝置。

在自圖案化裝置MA反射之後，經圖案化輻射光束B進入投影系統PS。投影系統包含複數個鏡面，該複數個鏡面經組態以將輻射光束B投影至由基板台WT固持之基板W上。投影系統PS可將縮減因數應用於輻射光束，從而形成特徵小於圖案化裝置MA上之對應特徵之影像。舉例而言，可應用為4之減小因數。儘管投影系統PS在圖1中具有兩個鏡面，但投影系統可包括任何數目個鏡面(例如，六個鏡面)。

輻射源SO可包括圖2中未說明之組件。舉例而言，光譜濾光器可設置於輻射源中。光譜濾光器可大體上透射EUV輻射，但大體上阻擋其他波長之輻射，諸如紅外線輻射。

輻射源SO (或輻射系統)進一步包含成像系統以獲得電漿形成區4中之燃料目標的影像，或者更特定言之，以獲得燃料目標之陰影的影像。成像系統可偵測自燃料目標之邊緣繞射的光。對燃料目標之影像的參考在下文中應被理解為亦指代燃料目標或由燃料目標產生之繞射圖案之陰影的影像。

成像裝置可包含諸如CCD陣列或CMOS感測器之光電偵測器，但應瞭解，可使用適合於獲得燃料目標之影像的任何成像裝置。應瞭解，除了光電偵測器以外，成像裝置亦可包含光學組件，例如一或多個透鏡。舉例而言，成像裝置可包括攝影機10，亦即，光感測器(或：光電偵測器)與一或多個透鏡之組合。可選擇光學組件以使得光感測器或攝影機10獲得近場影像及/或遠場影像。攝影機10可在任何適當位置處定位於輻射源SO內，自其中攝影機對設置於收集器5上之電漿形成區4及一或多個標記符(圖2中未展示)具有視線(如下文參考圖3所論述)。然而，可能有必要遠離雷射光束2之傳播路徑且遠離自燃料發射器3發射之燃料的軌跡而位置攝影機10以免損壞攝影機10。攝影機10經配置以經由連接12向控制器11提供燃料目標之影像。連接12展示為有線連接，但應瞭解，連接12 (及本文中所提及之其他連接)可實施為有線連接或無線連接或其組合。

圖3展示輻射源SO之組件之一例示性實施例的示意性平面視圖。圖3中所描繪之輻射源SO的組件包含輻射收集器5。輻射收集器5包含第一部分5a及第二部分5b。第一部分5a可係輻射收集器5之內部部分。第一部分5a可經組態以反射由電漿7產生之EUV輻射。電漿形成區4可在輻射收集器5之第一部分5a附近定位。如先前指定，橢圓形收集器之焦點中的一者處於電漿形成區中。

輻射收集器5之第二部分5b可實體上係輻射收集器5之外部部分。第二部分5b可大體上不經配置以朝向微影設備反射EUV輻射。舉例而言，第二部分5b可能不如第一部分5a對EUV輻射具反射性或可係非反射性的。第二部分5b (在下方亦被稱作「外部部分」)可配備有至少一個標記符。在圖3中所展示之例示性實施例中，第二部分配備有四個標記符15a、16a、15b、16b，此將在下文更詳細地論述。

輻射源SO包含至少一個成像系統。在圖3之圖式中，輻射源SO包含成像系統及另一成像系統，該等成像系統中之每一者包含至少一個成像裝置。在圖3之例示性實施例中，成像系統包含第一攝影機10a，且另一成像系統包含分別與第一背光燈19a及第二背光燈19b相關聯之第二攝影機10b。攝影機10a、10b可經配置成使得第一攝影機10a之檢視軸大體上相對於第二攝影機10b之檢視軸垂直，如圖3中所描繪。然而，攝影機亦有可能經配置成使得檢視軸之間的角度不同於90度。出於完整性，攝影機10a之檢視軸不必與攝影機10b之檢視軸相交。亦即，攝影機10a、10b之檢視軸不必橫跨平面。在彼狀況下，檢視軸之間的角度意欲指示檢視軸至垂直於收集器5之光軸之平面上之垂直突出部之間的角度。

另外，應瞭解，在其他實施例中，攝影機10a、10b可定位於輻射源SO內之其他處。舉例而言，在一些實施例中，可提供適合之光學遞送系統(諸如鏡面、透鏡等等)以將電磁輻射之照明光束自背光燈19a、19b至安置於除圖3中所展示之位置以外之位置處的攝影機10a、10b。在一些實施例中，攝影機10a、10b可接近其各別背光燈19a、19b而非如圖3中所展示而彼此相對地定位。此實施例可比在所描繪實例中佔據更少空間。當存在兩個相異檢視軸時，成像裝置有可能相對於輻射收集器5覆蓋六個自由度。第一攝影機10a及第二攝影機10b之各別檢視軸在輻射收集器5之第一部分5a附近經導向電漿形成區4。第一背光燈19a與第一攝影機10a相關聯且第二背光燈19b與第二攝影機10b相關聯，從而在各狀況下形成攝影機-背光燈群組。在各狀況下，各別背光燈19a、19b可與其相關聯攝影機10a、10b相對地定位，當沿著收集器之光軸(y軸)查看時，輻射收集器5之第一部分5a配置於該等攝影機之間。替代地，各別背光燈19a、19b可在其相關聯攝影機10a、10b附近(亦即，接近該等攝影機)配置，使得當沿著收集器之光軸查看時，輻射收集器5不配置於攝影機10a、10b與背光燈19a、19b之間。在後一種狀況下，反射器(例如，鏡面或回反射器)可經配置以便能夠朝向相關聯攝影機10a、10b引導自背光燈19a、19b發射之電磁輻射的照明光束。經由反射器自背光燈至相關聯攝影機之電磁輻射路徑跨越由燃料發射器3發射之燃料目標橫越的區域。各別背光燈19a、19b可便於藉由朝向電漿形成區4發射之燃料目標的各別攝影機10a、10b捕獲影像。背光燈19a、19b可呈任何適當形式。在一些實施例中，背光燈19a、19b可發射具有大致900 nm之波長的電磁輻射。然而，應瞭解，可使用其他波長。

至少一個標記符在各別攝影機10a、10b與相關聯背光燈19a、19b之間配置於輻射收集器5之外部部分5b處，以便至少部分地由各別攝影機10a、10b捕獲。在攝影機10a、10b及相關聯背光燈19a、19b接近彼此地配置之實施例中，至少一個標記符可配置於自背光燈19a、19b至相關聯攝影機10a、10b之電磁輻射路徑中。

標記符可包含本體，其對照明本體之照明光束輻射大體上不透明以便產生在影像中表示之陰影。

在圖3中所展示之實施例中，存在定位於攝影機10a與背光燈19a之間的兩個標記符15a、16a，且兩個標記符15b、16b定位於各攝影機背光燈群組中之攝影機10b與背光燈19b之間。可實施標記符以便大體上在平行於y軸(其大體上延伸至圖3中之頁面的平面中(或其之外))之方向中自輻射收集器5之外部部分5b突出，使得在相關聯攝影機10a之視場中存在各標記符15a、16a的至少部分，且相關聯攝影機10b之視場中存在各標記符15b、16b的至少部分。舉例而言，在第一攝影機10a之視場中存在兩個標記符15a及16a。一個標記符15a更接近第一攝影機10a定位，且另一標記符16a更接近第一背光燈19a定位。對應地，可在第二攝影機10b之視場中偵測到兩個標記符15b、16b。再次，在此狀況下，一個標記符15b更接近第二攝影機10b而定位且另一標記符16b更接近第二背光燈19b而定位。在各對標記符15a、16a及15b、16b內，標記符中之一者可比另一者高，或可另外具有不同於另一者之實體特性的實體特性，以輔助藉由攝影機10a、10b偵測該對標記符中之每一者。舉例而言，取決於背光燈19a、19b、標記符15a、16a、15b、16b及攝影機10a、10b之相對定位，具有不同形狀或大小之各種標記符可用以防止對標記符內之一個標記符完全閉塞該對中之另一標記符，或僅在相關聯攝影機之視場內的不同地點處定位一對標記符內之各標記符。在圖4中所描繪之實例中，標記符16a比標記符15a高，標記符16a佔據攝影機10a之視場的最左上部分，且標記符15a佔據攝影機10a之視場的最右下部分。

在輻射源SO之操作使用中，標記符15a、16a、15b、16b各自相對於輻射收集器5配置於固定位置處。各標記符15a、16a、15b、16b之位置及尺寸或其他實體特性事先已知。以此方式，有可能藉由處理由各別攝影機10a、10b產生之影像來計算輻射收集器5相對於電漿形成區4中之燃料目標的位置。將在下文參考圖4及圖5更詳細地解釋對相對於收集器5之燃料目標位置的判定。為了完整性，如本文所使用之術語「計算」可指示執行數學演算法、查閱匹配經捕獲至收集器5之相對位置及燃料目標之影像之像素的預定查找表、等等、或其組合。

圖4展示來自圖3之輻射源SO之例示性實施例的側視圖。在圖4之中心中在收集器5上方所描繪之標記為FOV之特徵表示第一攝影機10a之視場。圖5展示來自圖4之第一攝影機10a之視場FOV的更詳細視圖。

應瞭解，在此實施例中，第一攝影機10a與第二攝影機10b以大體上相同之方式起作用，但應瞭解，攝影機可在組態中不同及/或可以不同方式捕獲影像。類似地，背光燈19a、19b可具有不同組態及或發射具有不同特性之電磁輻射。為了避免重複，因此，與第一攝影機10a、第一背光燈19a及相關聯標記符15a、16a之功能性相關的任何描述應被理解為亦適用於第二攝影機10b、第二背光燈19b及相關聯標記符15b、16b。

在圖4及圖5中可見，標記符15a及16a部分地突出至第一攝影機10a之視場FOV中。在圖4及圖5之實施例中，標記符係自輻射收集器5之外部部分5b延伸的L形突出部。然而，在其他實施例中，標記符可呈不同形式。舉例而言，標記符可係具有不同形狀之突出部。舉例而言，標記符可係大體上矩形或大體上十字形的。標記符可各自具有相同形狀，或標記符中之一或多者可與標記符中之一或多個其他者具有不同形狀。在相關聯攝影機10a、10b之視場中存在與特定檢視軸(例如，如由特定攝影機10a、10b界定)相關聯之各標記符的至少部分。

在一些實施例中，標記符中之一或多者可配備有一或多個孔徑17，該等孔徑配置於相關聯攝影機之視場中存在之相關標記符的一部分中。此孔徑17可配備有具有已知特性之透鏡。以此方式，或許有可能以自由攝影機捕獲之影像獲得更多資訊。

如上文所解釋，標記符15a、16a之尺寸或相關其他特性及其相對於輻射收集器5之各別位置已知。控制器11自攝影機10a接收表示第一影像之資料。若在捕獲第一影像時時在攝影機10a之視場中存在燃料小滴，則第一影像可包含資料，可自該資料判定與由燃料發射器3提供給電漿形成區4的燃料小滴之至少一個屬性(例如，位置、形狀)相關的資訊。圖5之圖式展示攝影機10a之視場中存在的兩個燃料小滴18。替代地或另外，第一影像可包含資料，可自該資料提取與被提供給電漿形成區4之雷射光束之至少一個屬性相關的資訊。替代地或另外，第一影像可包含表示與形成於電漿形成區4中之電漿7之資訊相關的資料。在圖5中所展示之詳細視圖中，在攝影機10a之視場FOV中描繪燃料目標18及燃料目標18之陰影20。在實踐中，燃料目標18之陰影20 (起因於燃料目標18中斷由背光燈發射之電磁輻射的路徑)由攝影機10a、10b偵測到。扁平化燃料目標22之陰影在圖5之視場FOV中亦可見。在雷射光束(主脈衝)入射於燃料目標上且產生電漿之前，此會在預脈衝雷射光束(未展示)入射於燃料目標上時發生。

表示在控制器11處接收到之第一影像的資料亦包含與標記符15a、16a之位置相關之資訊。特定言之，標記符15a、16a之尺寸或其他特性已知，攝影機10a之視場FOV的尺寸已知，視場FOV內之標記符的初始位置(亦即，自校準量測)已知，且攝影機10a、10b之檢視軸之間的角度已知。因此，控制器11可(基於自攝影機10a獲得之影像)而計算以下各者中之至少一者：輻射收集器之位置、由燃料發射器發射之燃料的軌跡，及雷射光束之位置(或軌跡)。

控制器11可接著產生修改輻射源SO之至少一個組件之操作以便改良其效能之至少一個態樣的指令。舉例而言，指令可適合於調整由燃料發射器發射之燃料的軌跡為了提供改良之電漿產生及/或相對於收集器5之聚焦提供電漿產生之改良的位置。以此方式，可收集由電漿7產生之更多EUV輻射，且將其提供給微影系統之其他組件。另外或替代地，指令可適合於調整由燃料發射器發射之燃料的速率、由燃料發射器發射之燃料的量及/或雷射光束之特性(諸如，例如功率、軌跡等等)。

可能需要例如出於清潔目的或為了被另一收集器替換而自輻射源SO移除輻射收集器5。控制器11可儲存與待移除之輻射收集器5之位置相關的資訊，以使得在重新安裝之後，相對於輻射收集器5之初始位置的偏移即刻已知。亦即，控制器11可儲存重新安裝之輻射收集器5之初始位置與輻射收集器5之最終位置(移除之前)之間的差。所儲存偏移可用以最佳化重新安裝之輻射收集器5的位置。舉例而言，在重新安裝之輻射收集器5之初始位置錯誤的情況下，或許有可能更快速地偵測且解析此情況。亦或許有可能使用所儲存偏移或重新安裝之輻射收集器5之初始位置與輻射收集器5之移除前的初始位置之間的已知或所計算偏移，以計算或以其他方式判定經修訂最佳電漿位置，該位置可不同於先前計算或以其他方式判定之最佳電漿位置。當以另一收集器替換所移除收集器時，類似考量可適用。

在另一實施例中，成像系統及另一成像系統中之每一者可包括用於各檢視之兩個額外攝影機。亦即，成像系統可包含第二攝影機及第三攝影機，且另一成像系統可包含另一第二攝影機及另一第三攝影機。針對各檢視軸(亦即，針對各成像系統)提供之攝影機及背光燈形成攝影機背光燈群組，現針對檢視軸包含三個攝影機。成像系統之第二攝影機可聚焦於最接近第二攝影機之標記符15a，且另一成像系統之另一第二攝影機可聚焦於最接近另一第二攝影機之標記符15b。成像系統之第三攝影機可聚焦於最遠離第三攝影機之標記符16a，且另一第三攝影機可聚焦於最遠離另一第三攝影機之標記符16b。成像系統可接著包括，且另一成像系統可接著包括另一光束***系統。成像系統之此光束***系統可接著接收照明光束之受燃料目標之存在影響的第一部分、照明光束之受標記符15a之存在影響的第二部分，及照明光束之受標記符16a之存在影響的第三部分。光束***系統將第一部分引導至第一攝影機，將第二部分引導至第二攝影機，且將第三部分引導至第三攝影機。細節上作必要修改後，類似描述可適用於具有另一攝影機、另一第二攝影機、另一第三攝影機及另一光束***系統的另一成像系統。光束***系統可包括兩個光束***器。對於成像系統之檢視軸，可獲得標記符15a、16a中之每一者及燃料目標之陰影的聚焦中影像。類似地，對於另一成像系統之檢視軸，可獲得標記符15a、16a中之每一者及燃料目標之其他陰影的聚焦中影像。以此方式，相比於按成像系統及另一成像系統中之一個別者使用單個攝影機以便對標記符15a、16a、15b、16b及燃料目標進行成像之情況，可以更高準確性確定燃料目標相對於收集器5之相對位置。將在下文參考圖6更詳細地描述使用成像系統中之三個攝影機的實施例。細節上作必要修改後，圖6之實施例的描述亦可適用於另一成像系統。

圖6展示輻射源SO之一實施例之部分的示意性側視圖。具有標記符15a及16a之收集器5展示為朝向自背光燈19a至第一攝影機10a之照明光束A之路徑的中間。在圖式中，第一攝影機10a由其光電偵測器(或：光感測器)之平面表示。第一光束***器22a設置於收集器5與第一攝影機10a之間。第一透鏡21a可視情況設置於攝影機10a上游以便聚焦待由攝影機10a捕獲之影像。替代地或另外，鏡面(諸如未展示之摺疊鏡面)可設置於攝影機10a上游以便進一步聚焦待由攝影機10a捕獲之影像。就此而言，註釋特徵「攝影機10a」可僅包括光電偵測器或光感測器。第一透鏡21a及摺疊鏡面可接著用以恰當地聚焦投影至光感測器上之影像。在一些實施例中，一或多個光學濾波器(未展示)及/或偏振器(未展示)亦可視情況設置於攝影機10a上游。

燃料目標在收集器5附近存在於電漿形成區4中。燃料目標使得在照明光束A中形成陰影20。光束A由第一透鏡21a聚焦，且光束A之部分A1朝向攝影機10a經導引穿過第一光束***器22a。以此方式，小滴之陰影20可由攝影機10a在位置20a處偵測到。

光束A之剩餘部分A2由第一光束***器22a轉向且可經導引至第二光束***器23a。此處，光束A₂ 可以光束A₂ 之經導引至第二攝影機25a的部分A₃ 及光束A₂ 之通過第二光束***器23a至第三攝影機27a的另一部分A₄ 劃分。在圖式中，第二攝影機25a及第三攝影機27a由其光偵測器之其各別平面表示。

可提供第二攝影機25a以獲得沿著檢視軸最接近攝影機之標記符15a的聚焦中影像。可提供第三攝影機27a以獲得沿著檢視軸最遠離攝影機之標記符16a的聚焦中影像。可視情況提供其他透鏡24a及26a以便進一步聚焦由攝影機25a及27a捕獲之影像。如上所述，就此而言，特徵「第二攝影機25a」及「第三攝影機27a」可各自僅包括另一光電偵測器或另一光感測器。其他透鏡24a及26a可接著用以恰當地聚焦投影至各別光感測器上之影像。

在成像系統之一替代性實施例中，僅可提供兩個攝影機及一個光束***器，亦即，第一攝影機10a及另一攝影機。在此狀況下，其他攝影機可例如聚焦於小滴之陰影及最遠離攝影機之標記符16a、16b。此例示性實施例示意性地說明於圖7中。

圖7中所說明之實施例大體上不同於圖6中所說明之實施例，其區別僅在於在成像系統中僅提供兩個攝影機10a及27a。結果，在圖7中所說明之實施例中僅提供一個光束***器22a。如上文參考圖6所解釋，光束A之部分A1朝向攝影機10a經導引穿過光束***器22a。以此方式，小滴之陰影20可由攝影機10a在位置20a處偵測到。光束A之剩餘部分A2由第一光束***器22a轉向且可通過任選透鏡26a。光束A之剩餘部分A₂ 入射於攝影機27a上。因此，可按不同聚焦處理標記符15a及標記符16a之小滴的影像。舉例而言，可經由攝影機10a處理捕獲小滴及標記符15a之影像，且捕獲標記符16a之影像可由攝影機27a處理。作為另一實例，可經由攝影機10a處理捕獲小滴及標記符15a之影像，且捕獲小滴及標記符16a之影像可由攝影機27a處理。

在一替代實施例中，背光燈可提供具有不同波長或具有不同偏振之兩個光束。優選地，背光燈可提供具有不同波長之三個光束，該等光束中之各不同者瞄準不同特徵：一個瞄準燃料目標，一個瞄準標記符15a且另一個瞄準標記符16a。在此實施例中，光束***器22a及23a係二色性的(亦即，選擇性地透射且反射不同波長)。可選擇光束***器使得其透射該讀書個該兩個或三個光束中之一或多者且反射該複數個光束中之一或多個其他者。

特定言之，當為成像系統提供具有不同波長之兩個照明光束時，提供第一二色性光束***器22a，其允許該等波長中之一者通過以在第一攝影機10a處接收到且反射該等波長中之待在攝影機27a處接收到的另一者。結果，或許有可能至少接收燃料目標之陰影20及標記符15a或16a中之一者的聚焦中影像。

替代地，當具有不同波長之三個光束由背光燈提供時，根據圖6，提供第一二色性光束***器22a，其允許該等波長中之一者通過以在第一攝影機10a處接收到且朝向第二二色性光束***器23a反射另外兩個波長。選擇第二光束***器23a使得其允許兩個波長中之由第一光束***器22a反射的一者通過以在第二攝影機25a處接收到，且反色由第一光束***器22a反射之另一波長以在第三攝影機27a處接收到。結果，或許有可能接收兩個標記符15a或16a中之每一者及燃料目標之陰影20聚焦中影像。

在一些實施例中，可能需要使用儘可能少地提供來自背光燈19a及19b之遮蔽的標記符。舉例而言，標記符可呈附接至環之一或兩個十字線形式。環可經配置使得其完全不遮蔽背光燈光束或使得其僅以較小程度遮蔽背光燈光束。以此方式，或許有可能避免來自大的遮蔽之繞射光與來自燃料目標之微小繞射圖案重疊且避免使燃料目標之影像模糊。

圖8a展示自背光燈19a至攝影機10a之照明光束A之路徑中之標記符的另一實例實施例。在圖8中指示各種平面：P₁ 指示定位最接近攝影機之標記符115a的平面；P₂ 指示定位最遠離攝影機之標記符116a的平面；P_L 指示定位透鏡之平面且P_C 指示攝影機10a之光感測器或恰當之光感測器的影像平面。在圖8a中，標記符115a對應於先前介紹之標記符15a，且標記符116a對應於先前介紹之標記符標記符16a。

在圖8a之實施例中，標記符115a及116a包括具有尺寸d ×d 之不透明正方形。替代地，標記符115a及116a可包括具有直徑D之不透明圓圈。在一實施例中，d可例如介於20 µm至400 µm之範圍內。在一實施例中，D可介於2 mm至7 mm之範圍內。正方形或圓形標記符115a、116a可按所要角度列印、噴漆或以其他方式附連至定位於光束A (或：照明光束A)之路徑內的板上，該板對光束A之光大體上透明。舉例而言，板係玻璃板或由結晶材料製成之板。替代地，標記符115a、116a可懸置於複數個薄導線之間。導線之厚度較佳地顯著小於尺寸d 且導線相對於光束A之傳播路徑的角度可或可不與標記符之邊緣對準。可能需要選擇導線之引起在攝影機10a處接收到之影像之最少失真的厚度及角度。

圖8b展示來自圖8a之平面P₁ 的視圖。可見，標記符115a相對於所描繪y軸按角度θ定向。定位於平面P₂ 上之標記符116a可按不同角度(亦即，不按角度θ)定向以使得兩個標記符115a、116a不會在光束A之路徑中彼此遮蔽。替代地，標記符115a、116a可相對於所描繪y軸按相同角度定向。在此狀況下，可能需要調整標記符115a、116a之相對位置以使得其各別繞射圖案不會彼此重疊。

透鏡平面P_L 之透鏡經配置以在攝影機之影像平面P_C 上產生燃料目標之聚焦影像。標記符115a、116a可離焦，此係因為它們與燃料目標離透鏡按不同距離配置。結果，標記符115a、116a各自在攝影機之透鏡平面P_L 及影像平面P_C 上產生繞射圖案。來自離焦正方形標記符115a、116a之繞射圖案將大致採取十字形狀。亦即，繞射圖案之最大值處於類似於十字之區域的區域內。圖8c展示攝影機10a之影像平面P_C 的視圖。標記符115a之繞射圖案30在圖8c中可見。即使標記符115a及其繞射圖案30之影像離焦，但組成繞射圖案30之十字形狀之兩條線的寬度將與標記符115a之大小相當，籍此使得有可能比基於繞射圖案30之總大小b 而預期高得多的精確度找到標記符115a之x座標及y座標。

攝影機10a (或光電偵測器10a)可具有由個別像素(或感光單元)形成之偵測器柵格32，如圖8d中所說明。藉由相對於像素柵格32之y軸按某一角度(例如，5度與20度之間的角度)定向標記符，或許有可能在判定繞射圖案30之十字形狀之中心的x 及y 座標的過程中達成子像素準確性。熟習此項技術者應理解，應選擇標記符115a、115b之位置及定向使得形成十字30之兩個臂的繞射圖案不與燃料目標之陰影影像重疊。

可能需要確保由標記符115a、116a形成之繞射圖案適配於透鏡孔徑(在圖8a中係尺寸l )內部。可使用以下等式來估算來自特定正方形標記符之繞射圖案的大小b ：

，其中L係特定標記符與透鏡平面P_L 上之透鏡之間的距離，λ係由背光燈發射之光的波長，且d 係特定正方形標記符之一側的長度。作為實例，d 可選擇為介於10 µm至100 µm之範圍內。長度d 愈長，標記符之影像中的可達成解析度愈高。在較短長度d 之狀況下，可能需要提供相對較大之透鏡。因為較短長度d 產生較大繞射圖案b ，所以相對較大之透鏡使得有可能捕獲較多或所有較大繞射圖案b 。長度d 愈長，繞射圖案與背景光級之間的對比度愈佳。

在其他實施例中，標記符中之一或多者可包含具有具有尺寸d ' ×d ' 之小正方形孔徑的不透明板。此將使得有可能選擇大體上比d 短之長度d ' ，此係因為減少之背景光可使在使用具有小正方形孔徑之不透明板時獲得之繞射圖案比自透明板上之小不透明標記符獲得的繞射圖案更易於偵測。在此狀況下，可能需要增大背光燈光束A之直徑以便避免不透明板之繞射圖案干擾來自燃料目標之繞射圖案。此亦可需要進一步遠離背光燈光束之光軸移動標記符以使得該等標記符不會過度阻塞光束。

上文，已將標記符說明為自外部部分5b突出之結構。可將標記符之替代性實施例視作例如穿透外部部分之結構或僅視作外部部分5b中之孔。此處相關的是，成像系統以在成像系統之視場中同時存在小滴及一或多個標記符的方式配置。穿透外部部分5b之結構可使得能夠相對於外部部分5b調整結構之高度以便最佳化該結構在視場中之存在。

在一實施例中，本發明可形成遮罩檢測設備之部分。遮罩檢測設備可使用EUV輻射以照明遮罩且使用成像感測器以監視自遮罩反射之輻射。由成像感測器接收之影像係用以判定缺陷是否存在於遮罩中。遮罩檢測設備可包括經組態以自EUV輻射源接收EUV輻射且將其形成至待在遮罩處引導之輻射光束中的光學件(例如，鏡面)。遮罩檢測設備可進一步包括經組態以收集自遮罩反射之EUV輻射且在成像感測器處形成遮罩之影像的光學件(例如，鏡面)。遮罩檢測設備可包括一處理器，該處理器經組態以分析成像感測器處之遮罩之影像且自彼分析判定是否任何缺陷存在於遮罩上。處理器可經進一步組態以判定經偵測到之遮罩缺陷在由微影設備使用遮罩時是否將在投影至基板上之影像中造成不可接受的缺陷。

在一實施例中，本發明可形成度量衡設備之部分。度量衡設備可用以量測形成於基板上之抗蝕劑中之經投影圖案相對於已經存在於基板上之圖案之對準。相對對準之此量測可被稱作疊對。度量衡設備可例如經定位成緊鄰於微影設備且可用以量測在基板(及抗蝕劑)已被處理之前之疊對。

儘管可在本文中特定地參考在微影設備之內容背景中之本發明之實施例，但本發明之實施例可用於其他設備中。本發明之實施例可形成遮罩檢測設備、度量衡設備或量測或處理諸如晶圓(或其他基板)或遮罩(或其他圖案化裝置)之物件之任何設備的部分。此等設備通常可被稱作微影工具。此微影工具可使用真空條件或環境(非真空)條件。

術語「EUV輻射」可被認為涵蓋具有介於4 nm至20 nm之範圍內，例如介於13 nm至14 nm之範圍內之波長之電磁輻射。EUV輻射可具有例如介於4 nm至10 nm之範圍內之小於10 nm的波長，諸如6.7 nm或6.8 nm。

儘管圖1及圖2將輻射源SO描繪為雷射產生電漿LPP源，但可使用任何適合源以產生EUV輻射。舉例而言，可藉由使用放電以將燃料(例如，錫)轉換成電漿狀態來產生EUV發射電漿。此類型之輻射源可被稱作放電產生電漿(DPP)源。可藉由電源供應器產生放電，該電源供應器可形成輻射源之部分或可為經由電連接而連接至輻射源SO的單獨實體。

出於完整性，在此處已批註參考成像系統及另一成像系統中之一特定者解釋的內容可亦適用於成像系統及另一成像系統中之另一者。

儘管可在本文中特定地參考在IC製造中微影設備之使用，但應理解，本文中所描述之微影設備可具有其他應用。可能的其他應用包括製造整合式光學系統、用於磁疇記憶體之導引及偵測、平板顯示器、液晶顯示器(liquid-crystal display，LCD)、薄膜磁頭等等。

本發明之實施例可以硬體、韌體、軟體或其任何組合來實施。本發明之實施例亦可被實施為儲存於機器可讀媒體上之指令，該等指令可由一或多個處理器讀取且執行。機器可讀媒體可包括用於儲存或傳輸呈可由機器(例如，計算裝置)讀取之形式之資訊的任何機構。舉例而言，機器可讀媒體可包括唯讀記憶體(read only memory，ROM)；隨機存取記憶體(random access memory，RAM)；磁碟儲存媒體；光學儲存媒體；快閃記憶體裝置；電氣、光學、聲學或其他形式之傳播信號(例如，載波、紅外信號、數位信號等等)及其他媒體。另外，韌體、軟體、常式、指令可在本文中被描述為執行特定動作。然而，應瞭解，此等描述僅僅出於方便起見，且此等動作事實上係由計算裝置、處理器、控制器或執行韌體、軟體、常式、指令等之計算裝置引起。

儘管上文已描述本發明之特定實施例，但應瞭解，可以與所描述方式不同之其他方式來實踐本發明。以上描述意欲係說明性的而非限制性的。因此，對於熟習此項技術者將顯而易見，可在不脫離下文所闡明之申請專利範圍之範疇的情況下對所描述之本發明進行修改。

1‧‧‧雷射 2‧‧‧雷射光束 3‧‧‧燃料發射器 4‧‧‧電漿形成區 5‧‧‧收集器 5a‧‧‧第一部分 5b‧‧‧第二部分 6‧‧‧中間焦點 7‧‧‧電漿 8‧‧‧開口 9‧‧‧圍封結構 10‧‧‧琢面化場鏡面裝置 10a‧‧‧第一攝影機 10b‧‧‧第二攝影機 11‧‧‧琢面化光瞳鏡面裝置 12‧‧‧連接 15a‧‧‧標記符 15b‧‧‧標記符 16a‧‧‧標記符 16b‧‧‧標記符 17‧‧‧孔徑 18‧‧‧燃料小滴/燃料目標 19a‧‧‧第一背光燈 19b‧‧‧第二背光燈 20‧‧‧陰影 20a‧‧‧位置 21a‧‧‧第一透鏡 22a‧‧‧光束***器 22‧‧‧扁平化燃料目標 23a‧‧‧第二光束***器 24a‧‧‧透鏡 25a‧‧‧第二攝影機 26a‧‧‧透鏡 27a‧‧‧第三攝影機 30‧‧‧繞射圖案 32‧‧‧偵測器柵格/像素柵格 115a‧‧‧標記符 116a‧‧‧標記符 A‧‧‧光束 A₁‧‧‧部分 A₂‧‧‧部分 A₃‧‧‧部分 A₄‧‧‧部分 b‧‧‧總大小 d‧‧‧長度 FOV‧‧‧視場 IL‧‧‧照明系統 LA‧‧‧微影設備 MA‧‧‧圖案化裝置 MT‧‧‧支撐結構 P₁‧‧‧平面 P₂‧‧‧平面 P_C‧‧‧平面 P_L‧‧‧平面 PS‧‧‧投影系統 SO‧‧‧輻射源 W‧‧‧基板 WT‧‧‧基板台 x‧‧‧軸 y‧‧‧軸 z‧‧‧軸 θ‧‧‧角度

現將參看隨附示意性圖式而僅藉助於實例來描述本發明之實施例，其中： - 圖1示意性地描繪根據本發明之一實施例的包含微影設備及輻射源之微影系統； - 圖2示意性地描繪根據本發明之一實施例之實例輻射源； - 圖3示意性地描繪根據本發明之一實施例之實例輻射源的平面視圖； - 圖4示意性地描繪來自圖3之輻射源的側視圖； - 圖5示意性地描繪來自圖4之細節； - 圖6示意性地描繪輻射系統之部分之一實施例的側視圖； - 圖7示意性地描繪輻射系統之部分之另一實施例的側視圖； - 圖8a示意性地描繪光束之路徑中之標記符的一實例； - 圖8b示意性地描繪來自圖8a之平面； - 圖8c示意性地描繪來自圖8a之另一平面；且 - 圖8d示意性地描繪來自圖8a之另一平面。在整個圖式中，相同附圖標記指示類似或對應特徵。

4‧‧‧電漿形成區

5‧‧‧收集器

5a‧‧‧第一部分

5b‧‧‧第二部分

10a‧‧‧第一攝影機

10b‧‧‧第二攝影機

15a‧‧‧標記符

15b‧‧‧標記符

16a‧‧‧標記符

16b‧‧‧標記符

19a‧‧‧第一背光燈

19b‧‧‧第二背光燈

SO‧‧‧輻射源

x‧‧‧軸

y‧‧‧軸

z‧‧‧軸

Claims

一種輻射源，其包含：一發射器，其經組態以朝向一電漿形成區發射一燃料目標；一雷射系統，其經組態而以一雷射光束命中(hit)該燃料目標以在該電漿形成區處產生一電漿；一收集器，其經配置以收集由該電漿發射之輻射；一成像系統(iamging system)，其經組態以捕獲該燃料目標之一影像；一標記符(marker)，其在該收集器處且在該成像系統之一視場(field of view)內，其中該標記符經配置在相對於該收集器及該燃料目標之一固定位置處；及一控制器，其經組態以：接收表示該影像之資料；及取決於該資料而控制該輻射源之操作。
如請求項1之輻射源，其包含在該收集器處且在該成像系統之該視場內的一第二標記符。
如請求項1之輻射源，其中：該成像系統包含一第一成像裝置、一第二成像裝置、一光束***系統及一背光燈；該背光燈經組態以用於以一照明光束照明該燃料目標及該標記符；該光束***系統經組態以接收該照明光束之受該燃料目標影響的一第一部分；接收該照明光束之受該標記符影響的一第二部分；將該第一部分導引至該第一成像裝置；及將該第二部分導引至該第二成像裝置。
如請求項1、2或3之輻射源，其中該控制器經組態以處理該資料以判定該燃料目標相對於該收集器之一位置。
如請求項4之輻射源，其中該控制器經組態以控制以下各者中之至少一者：該燃料目標之一軌跡；該雷射光束之一位置；該雷射光束之一方向；及該收集器之一位置；該收集器之一光軸的一定向。
如請求項3之輻射源，其中該標記符包含一本體，該本體對照明該本體之該照明光束輻射大體上不透明。
如請求項6之輻射源，其中該本體具有用於允許照明該本體之該照明光束之部分通過的一孔徑。
如請求項3之輻射源，其中該標記符包含一十字線。
如請求項3之輻射源，其中：該第一部分具有一第一特性；該第二部分具有不同於該第一特性之一第二特性；且該光束***系統經組態以在該第一特性及該第二特性之控制下區分開該第一部分與該第二部分。
如請求項9之輻射源，其中該第一特性及該第二特性分別由以下各者中之至少一者表徵：分別為該照明光束之照明輻射的一第一波長及該照明輻射之一第二波長；分別為該照明輻射之一第一偏振及該照明輻射之一第二偏振；及分別在該光束***系統上之一第一入射位置及在該光束***系統上之一第二入射位置。
一種收集器，其用於如請求項1、2、5、6、7或8之輻射源中，其中該收集器經配置以收集由一電漿發射之輻射，其中該收集器包含在一成像系統之一視場內之一標記符，該標記符經配置在相對於該收集器及一燃料目標之一固定位置處。