TW202034091A - 控制微影設備之劑量輪廓調整之方法 - Google Patents

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Abstract

本發明揭示一種用於控制一微影設備之沿著垂直於橫越一圖案化器件之一掃描方向的一方向的一劑量或強度輪廓之方法，該圖案化器件具有較高劑量區域及較低劑量區域，該方法包含：判定在橫越該圖案化器件之該掃描期間的一參數之一所欲變化，其中該參數係與由一源設備提供至該微影設備之一光學輸入端之輻射之一強度分佈相關聯，且其中該判定該所欲變化係至少基於：該微影設備之該光學輸入端處之該輻射之該強度分佈與該劑量或強度輪廓之間的一關係；及該等較高劑量區域及該等較低劑量區域沿著一掃描方向之置放。

Description

控制微影設備之劑量輪廓調整之方法
本發明係關於一種用於控制微影設備之沿著垂直於橫越圖案化器件及/或基板之掃描方向的方向的劑量輪廓之方法。特定言之但非獨占式地，本發明係關於輻射光經提供至基板上之隙縫形區域，且在橫越基板之輻射之掃描期間動態地控制劑量或強度輪廓的系統。
微影設備(亦被稱作「掃描器」)為經建構以將所欲圖案施加至基板上之機器。微影設備可用於例如積體電路(IC)之製造中。微影設備可例如將圖案化器件(例如光罩)處之圖案(亦經常被稱作「設計佈局」或「設計」)投影至提供於基板(例如晶圓)上之輻射敏感材料(抗蝕劑)層上。
為了將圖案投影於基板上，微影設備可使用電磁輻射。此輻射之波長判定可形成於基板上之特徵之最小大小。當前在使用中之典型波長為365奈米(i線)、248奈米、193奈米及13.5奈米。相比於使用例如具有193奈米之波長之輻射的微影設備，使用具有在4奈米至20奈米之範圍內之波長(例如6.7奈米或13.5奈米)之極紫外線(EUV)輻射的微影設備可用以在基板上形成較小特徵。
低k1微影可用以處理尺寸小於微影設備之經典解析度極限的特徵。在此製程中，可將解析度公式表達為CD = k1×λ/NA，其中λ為所使用輻射之波長、NA為微影設備中之投影光學件之數值孔徑、CD為「臨界尺寸」(通常為經印刷之最小特徵大小，但在此狀況下為半間距)且k1為經驗解析度因數。一般而言，k1愈小，則在基板上再生類似於由電路設計者規劃之形狀及尺寸以便達成特定電功能性及效能的圖案變得愈困難。為了克服此等困難，可將複雜微調步驟應用至微影投影設備及/或設計佈局。此等步驟包括例如但不限於：NA之最佳化、自訂照明方案、使用相移圖案化器件、設計佈局之各種最佳化，諸如設計佈局中之光學近接校正(OPC，有時亦被稱作「光學及製程校正」)，或通常被定義為「解析度增強技術」(RET)之其他方法。替代地，用於控制微影設備之穩定性之嚴格控制迴路可用以改良在低k1下之圖案之再生。
用以產生EUV光之方法包括但未必限於運用在EUV範圍內之一或多個發射譜線將具有至少一個元素(例如氙、鋰或錫)之材料轉換成電漿狀態。在常常被稱為雷射產生電漿(「LPP」)之一種此類方法中，可藉由呈雷射光束之形式之激發源輻照具有所需譜線發射元素之目標材料來產生所需電漿。
一種特定LPP技術涉及運用一或多個預脈衝接著一主脈衝來輻照目標材料小滴。就此而言，CO2 雷射作為在LPP製程中產生「主」脈衝之驅動雷射可呈現某些優點。對於諸如熔融錫小滴之某些目標材料可尤其如此。舉例而言，一個優點可包括能夠產生相對較高轉換效率，例如輸出EUV帶內功率對驅動雷射輸入功率之比率。
更理論而言，LPP光源藉由以下操作產生EUV輻射：將雷射能量沈積至諸如氙(Xe)、錫(Sn)或鋰(Li)之源元素中，從而產生具有數十電子伏特之電子溫度之高度離子化電漿。在此等離子之去激發及再結合期間產生的高能輻射係自電漿全向地發射。在一種常見配置中，近正入射鏡面(常常被稱為「收集器鏡面」)經定位成距電漿一定距離處以收集光、將光導向(且在一些配置中將光聚焦)至中間部位，例如焦點。所收集光可接著自中間部位轉送至一組掃描器光學件且最終轉送至晶圓。更量化而言，當前在開發中的目標為在中間部位處產生約100 W的一種配置考慮使用脈衝式聚焦之10 kW至12 kW CO2 驅動雷射，其與用以依序輻照每秒約40,000至100,000個錫小滴之小滴產生器同步。對於典型LPP設置，產生目標材料小滴且接著該等目標材料小滴在真空腔室內行進至輻照位點，該等目標材料小滴在該輻照位點中例如由聚焦雷射光束輻照。
最初參看圖1，其展示EUV光源，例如雷射產生之電漿之示意圖。該LPP光源20可包括用於產生光脈衝串且將光脈衝遞送至腔室26中之脈衝式雷射系統22。每一光脈衝可沿著光束路徑自系統22行進且行進至腔室26中，以照明輻照區28處之各別目標小滴。
用作圖1所展示之系統22之合適雷射可包括脈衝式雷射器件，例如，(例如)運用DC或RF激發而產生處於9.3微米或10.6微米之輻射的脈衝式氣體放電CO2 雷射器件，其在相對較高功率(例如，10 kW或更高)及高脈衝重複率(例如，50 kHz或更大)下操作。在一個特定實施方案中，雷射可為具有具多個放大級之MOPA組態及具有藉由具有低能量及高重複率(例如能夠進行100 kHz操作)之Q切換主控振盪器(MO)起始之種子脈衝的軸流式RF泵浦CO2 雷射。自MO，雷射脈衝可接著在進入LPP腔室之前被放大、塑形及/或聚焦。
取決於應用，其他類型之雷射亦可合適，例如，在高功率及高脈衝重複率下操作之準分子或分子氟雷射。實例包括：具有光纖或圓盤形作用介質之固態雷射；具有一或多個腔室(例如，一振盪器腔室及一或多個放大腔室(其中放大腔室並聯或串聯))之準分子雷射、主控振盪器/功率振盪器(MOPO)配置、功率振盪器/功率放大器(POPA)配置，或將一或多個準分子接種之固態雷射，或分子氟放大器或振盪器腔室可合適。其他設計係有可能的。
如圖1進一步所展示，EUV光源20亦可包括目標材料遞送系統24，例如將目標材料之小滴在腔室26之內部遞送至輻照區28，在該輻照區中，小滴將與一或多個光脈衝(例如零、一或多個預脈衝及此後一或多個主脈衝)相互作用，以最終產生電漿且產生EUV發射。目標材料可包括但未必限於：包括錫、鋰、氙、釓、鋱或其組合之材料。例如錫、鋰、氙、釓、鋱等之EUV發射元素可呈液滴及/或液滴內含有之固體粒子之形式。舉例而言，元素錫可作純錫、用作錫化合物，例如，SnBr4 、SnBr2 、SnH4 ；用作錫合金，例如，錫-鎵合金、錫-銦合金、錫-銦-鎵合金，或其組合。取決於所使用之材料，可在包括室溫或近室溫之各種溫度下將目標材料呈現給輻照區28 (例如，錫合金、SnBr4 )、在高溫下將目標材料呈現給輻照區28 (例如，純錫)或在低於室溫之溫度下將目標材料呈現給輻照區28 (例如，SnH4 )，且在一些狀況下，目標材料可為相對揮發性的，例如，SnBr4 。
繼續參看圖1，EUV光源20亦可包括光學件30，例如呈截頭橢球之形式的收集器鏡面，例如具有鉬與矽之交替層之分級多層塗層。圖1展示光學件30可經形成為具有孔隙，以允許由系統22產生之光脈衝穿過及到達輻照區28。如所展示，光學件30可為例如橢球鏡，其在輻照區28內或附近具有第一焦點，且在所謂的中間區40處具有第二焦點，其中EUV光可自EUV光源20輸出且經輸入至利用EUV光之器件，例如積體電路微影工具(圖中未繪示)。應瞭解，可使用其他光學件來代替橢球鏡以用於收集光並將光導向至中間部位以供後續遞送至利用EUV光之器件，舉例而言，光學件可為拋物型或可經組態以將具有環形橫截面之光束遞送至中間部位。
繼續參看圖1，EUV光源20亦可包括EUV控制器60，該EUV控制器亦可包括點火控制系統65以用於觸發系統22中之一或多個燈及/或雷射器件，以藉此產生光脈衝以供遞送至腔室26中。EUV光源20亦可包括小滴位置偵測系統，該小滴位置偵測系統可包括一或多個小滴成像器70，該一或多個小滴成像器提供指示一或多個小滴例如相對於輻照區28之位置之輸出。成像器70可將此輸出提供至小滴位置偵測回饋系統62，該小滴位置偵測回饋系統可例如運算小滴位置及軌跡，自該小滴位置及軌跡可運算小滴誤差，例如逐小滴地運算或平均運算。可接著將小滴誤差作為輸入提供至控制器60，該控制器可例如將位置、方向及/或時序校正信號提供至系統22以控制源時序電路及/或控制光束位置及塑形系統，例如以改變遞送至腔室26中之輻照區28之光脈衝的部位及/或焦度。
EUV光源20可包括用於量測由源20產生之EUV光之各種屬性的一或多個EUV度量衡儀器。此等屬性可包括例如強度(例如總強度或特定光譜帶內之強度)、光譜頻寬、偏振、光束位置、指向等。對於EUV光源20，儀器可經組態以在下游工具(例如，光微影掃描器)在線時例如藉由例如使用拾取鏡面對EUV輸出之一部分進行取樣或對「未經收集」EUV光進行取樣來操作，及/或可在下游工具(例如，光微影掃描器)離線時例如藉由量測EUV光源20之整個EUV輸出來操作。
如圖1進一步所展示，EUV光源20可包括小滴控制系統90，該小滴控制系統回應於來自控制器60之信號(其在一些實施中可包括以上所描述之小滴誤差，或自其導出之某量)而可操作以例如修改目標材料自小滴源92之釋放點及/或修改小滴形成時序，以校正小滴到達所欲輻照區28時之誤差及/或使小滴之產生與脈衝式雷射系統22同步。
本發明提供一種根據所附申請專利範圍之方法及設備。
本文揭示一種用於控制一微影設備之沿著垂直於橫越一圖案化器件之一掃描方向的一方向的一劑量或強度輪廓之方法，該圖案化器件具有較高劑量區域及較低劑量區域，該方法包含：判定在橫越該圖案化器件之該掃描期間的一參數之一所欲變化，其中該參數係與由一源設備提供至該微影設備之一光學輸入端之輻射之一強度分佈相關聯，且其中該判定該所欲變化係至少基於：該微影設備之該光學輸入端處之該輻射之該強度分佈與該劑量或強度輪廓之間的一關係；及該等較高劑量區域及該等較低劑量區域沿著一掃描方向之置放。
該源設備可包含一電漿光源，在該電漿光源中，一材料之複數個小滴依次轉換成一電漿以使用一輻照源來輻射光。在此狀況下，該方法可進一步包含：調整該參數以輻照該複數個小滴以便產生沿著垂直於該掃描方向之一方向之一所欲劑量輪廓。
該方法可進一步包含：運用該輻照源沿著一第一輻照軸線依次輻照該複數個小滴以提供複數個盤形小滴；及沿著一第二輻照軸線依次輻照該複數個盤形小滴以提供一電漿及所得輻射光。
該參數可與該第二輻照軸線相對於該複數個盤形小滴中之每一者之位置的位置相關，使得該複數個盤形小滴中之每一者沿著該第二輻照軸線在該等盤形小滴之一離心位置處被輻照。
每一盤形小滴可相對於該第二輻照軸線傾斜，使得自該電漿輻射之光具有一強度分佈以提供該所欲劑量輪廓。
該每個盤形小滴之該傾斜可藉由沿著該第一輻照軸線輻照該複數個小滴中之每一者來提供，其中該第一輻照軸線相對於該小滴表面切向側傾，該切向側傾經預定以提供一所欲劑量輪廓。
該複數個小滴可沿著一行進路徑連續穿過該第一輻照軸線，且該切向側傾係藉由沿著該行進路徑在一預定位置處輻照該小滴來提供，且該參數與該輻照至小滴之位置相關。
該第一輻照軸線可固定且該參數為相對於該小滴位置之該輻照之時序。
該第一輻照軸線可為可移動的，且該參數為該輻照軸線相對於該小滴位置之位置。
該圖案化器件可經預定為包括較高劑量區域及較低劑量區域，且該劑量輪廓可使用該參數予以調整以分別提供該等較高劑量區域及該等較低劑量區域。
可將該輻射提供至在垂直於該掃描方向之該方向上延伸之一隙縫。可在該隙縫在該掃描方向上橫越該圖案化器件移動時調整該參數。
該參數可經調整以提供用於該掃描之一預定劑量輪廓。
可針對一系列該複數個小滴調整一次該參數，其中該系列大於二。
該輻照源之強度可根據入射角予以判定。
傾斜角可介於提供一對稱劑量輪廓之一標稱傾斜角的正負5度之間。該標稱傾斜角可介於負25度與正15度之間。
該第二輻照軸線可距在輻照時提供一標稱劑量輪廓的一標稱小滴中心正負10微米。
該輻照源可包含至少一個雷射。該輻照源可包含一第一雷射光束及一第二雷射光束。
該輻射光可為EUV。該小滴材料可包含錫。
可以介於40 kHz與100 kHz之間的一頻率提供該複數個小滴。
該源設備可提供具有一離心強度分佈之一光學輸出。
該微影設備可包括一或多個可移動阻擋元件，該一或多個可移動阻擋元件經配置以阻擋及/或濾光該劑量輪廓或該強度輪廓之一部分。
該方法可進一步包含：提供一圖案化器件；提供用於在該微影設備中曝光之一基板；將來自該源設備之輻射提供至該微影設備之該光學輸入端，其中該參數已經調整以提供與該圖案化器件相關聯之一預定劑量輪廓；根據該預定劑量輪廓，使該基板曝光至來自該源設備之輻射。
使該基板曝光至輻射可包含在一第一方向上掃描該基板，且該方法進一步包含：在該第一方向上在該掃描期間調整該參數。
該方法可進一步包含：提供一第二圖案化器件以用於曝光該微影設備內之一另外基板；調整參數以提供與該第二圖案化器件相關聯之一預定劑量輪廓。
一源設備可包含一雷射，且該參數可與一光束指向特性相關。一微影設備可為一深UV設備。
該方法可進一步包含：提供一組態檔案以供該微影設備或該源設備使用，其中該組態檔案包含與一微影設備或源設備相關聯之至少一個預定參數設定。
本文亦描述一種微影設備，其包含：一源設備，其用於將輻射提供至該微影設備之一光學輸入端，其中該微影設備經組態以使該輻射在一掃描方向上掃描橫越一圖案化器件，其中該輻射具有沿著垂直於該掃描方向之一方向之一劑量輪廓；及一處理器，其經組態以調整與如方法技術方案1至27中任一項之源設備相關聯的一參數，以調整該劑量輪廓。
本文中亦描述一種電腦程式，其包含在經執行於至少一個處理器上時致使該至少一個處理器控制一設備以進行本文中所描述之該等方法及方法步驟中之任一者或部分的指令。
本文中亦描述一種含有上以上敍述之電腦程式之載體。該載體可為電子信號、光信號、無線電信號或非暫時性電腦可讀儲存媒體中之一者。
本文中亦描述一種用於控制一微影設備之沿著垂直於橫越一圖案化器件之一掃描方向的一方向的一劑量輪廓之方法，該方法包含：判定與由一源設備提供至該微影設備之一光學輸入端之輻射之一強度分佈相關聯的一參數，其中該參數係至少部分地基於該參數與該微影設備之一影像及/或物件平面處之該輻射之一特性之間的一關係予以判定。
該方法可進一步包含：監測該微影設備之該影像及/或物件平面處之輻射之該強度分佈。
該參數可為該微影設備之一參數。
該微影設備可包含一可傾斜隔膜，該可傾斜隔膜可組態以變更該強度分佈，其中該參數係與該可傾斜隔膜之傾斜角相關。
本文中亦描述一種用於控制一微影設備之沿著垂直於橫越一圖案化器件之一掃描方向的一方向的一劑量輪廓之方法，該方法包含：判定與由一雷射產生電漿光源設備提供至該微影設備之一光學輸入端之輻射之一強度分佈相關聯的一參數，其中該參數調整該雷射至該源設備內之小滴位置，以提供在垂直於該掃描方向之該方向上的一離心強度分佈。
該參數可與一預脈衝雷射之時序相關。
本文中亦描述一種用於控制一微影設備之沿著垂直於橫越一圖案化器件之一掃描方向的一方向的一劑量輪廓之方法，該方法包含：判定與由一源設備提供至該微影設備之一光學輸入端之輻射之一強度分佈相關聯的一參數；在該掃描方向上橫越該圖案化器件掃描該輻射；在該掃描期間調整該參數。
本文亦揭示一種用於控制橫越一微影設備之一曝光場之一劑量輪廓的方法，該方法包含：基於選擇與一源相關聯的一控制參數之一曝光場特定設定來控制該劑量輪廓，該源將輻射提供至該微影設備。
本文亦揭示一種用於將輻射提供至一微影設備之源設備，其中該源設備經組態以接收與該輻射之一劑量輪廓相關聯的一參數之一或多個設定，其中該一或多個設定係基於如使用如本文中所描述之該等方法或方法步驟中的任一者所判定之該參數。該參數之該一或多個設定可提供一離心劑量輪廓。
本文亦描述一種微影設備，其具有一光學界面，該光學界面經配置以自源設備接收一輻射輸出，其中該輻射輸出具有一遠場不對稱強度分佈。該光學界面可將該強度分佈轉換成具有一離心劑量輪廓或強度輪廓之一隙縫。
熟習此項技術者將瞭解，除相互排斥之處之外，關於本文中所描述之態樣中之任一者所描述之特徵可在細節上作必要修改後應用至任何其他態樣或實例。此外，除相互排斥之處之外，本文中所描述之任何特徵可應用至任何態樣及/或與本文中所描述之任何其他特徵組合。
在本發明之文件中，術語「輻射」及「光束」用以涵蓋所有類型之電磁輻射，包括紫外線輻射(例如具有為365奈米、248奈米、193奈米、157奈米或126奈米之波長)及極紫外線輻射(EUV，例如具有在約5奈米至100奈米之範圍內之波長)。
本說明書內之方法之描述主要與EUV光源相關，且特定言之與雷射產生電漿相關，其實例係關於圖1來提供。然而，此並非限制性的且電磁輻射之源可由其他方式提供。舉例而言，電磁輻射可為DUV。
本文中所使用之術語「倍縮光罩」、「光罩」或「圖案化器件」可被廣泛地解譯為係指可用以向入射輻射光束賦予經圖案化橫截面之通用圖案化器件，該經圖案化橫截面對應於待在基板之目標部分中產生之圖案。在此內容背景中，亦可使用術語「光閥」。除經典光罩(透射或反射；二元、相移、混合式等)以外，其他此類圖案化器件之實例包括可程式化鏡面陣列及可程式化LCD陣列。
圖2示意性地描繪微影設備LA。該微影設備LA包括：照明系統(亦被稱作照明器) IL，其經組態以調節輻射光束B (例如DUV輻射或EUV輻射)；光罩支撐件(例如光罩台) MT，其經建構以支撐圖案化器件(例如光罩) MA且連接至經組態以根據某些參數來準確地定位該圖案化器件MA之第一***PM；基板支撐件(例如晶圓台) WT，其經建構以固持基板(例如抗蝕劑塗佈晶圓) W且連接至經組態以根據某些參數來準確地定位基板支撐件之第二***PW；及投影系統(例如折射投影透鏡系統) PS，其經組態以將由圖案化器件MA賦予至輻射光束B之圖案投影至基板W之目標部分C (例如包含一或多個晶粒)上。
在操作中，照明系統IL例如經由光束遞送系統BD自輻射源SO接收輻射光束。輻射源亦可被稱作源設備且可採取圖1所展示之光源之形式。照明系統IL可包括用於導向、塑形及/或控制輻射的各種類型之光學組件，諸如折射、反射、磁性、電磁、靜電及/或其他類型之光學組件，或其任何組合。照明器IL可用以調節輻射光束B，以在圖案化器件MA之平面處在其橫截面中具有所欲空間及角強度分佈。
本文所使用之術語「投影系統」PS應被廣泛地解譯為涵蓋適於所使用之曝光輻射及/或適於諸如浸潤液體之使用或真空之使用之其他因素的各種類型之投影系統，包括折射、反射、反射折射、合成、磁性、電磁及/或靜電光學系統，或其任何組合。可認為本文中對術語「投影透鏡」之任何使用皆與更一般之術語「投影系統」PS同義。
微影設備LA可屬於如下類型：其中基板之至少一部分可由具有相對較高折射率之液體(例如水)覆蓋，以便填充投影系統PS與基板W之間的空間-其亦被稱作浸潤微影。以引用方式併入本文中之US6952253中給出關於浸潤技術之更多資訊。
微影設備LA亦可屬於具有兩個或多於兩個基板支撐件WT (又名「雙載物台」)之類型。在此「多載物台」機器中，可並行地使用基板支撐件WT，及/或可對位於基板支撐件WT中之一者上的基板W進行準備基板W之後續曝光的步驟，同時將另一基板支撐件WT上之另一基板W用於在另一基板W上曝光圖案。
除了基板支撐件WT以外，微影設備LA亦可包含量測載物台。量測載物台經配置以固持感測器及/或清潔器件。感測器可經配置以量測投影系統PS之屬性或輻射光束B之屬性。量測載物台可固持多個感測器。清潔器件可經配置以清潔微影設備之部分，例如投影系統PS之部分或提供浸潤液體之系統之部分。量測載物台可在基板支撐件WT遠離投影系統PS時在投影系統PS下方移動。
在操作中，輻射光束B入射於被固持於光罩支撐件MT上之圖案化器件(例如光罩) MA上，且係由存在於圖案化器件MA上之圖案(設計佈局)而圖案化。在已橫穿光罩MA的情況下，輻射光束B傳遞通過投影系統PS，投影系統PS將該光束聚焦至基板W之目標部分C上。憑藉第二***PW及位置量測系統IF，可準確地移動基板支撐件WT，例如以便使不同目標部分C在輻射光束B之路徑中定位於經聚焦且對準之位置處。相似地，第一***PM及可能另一位置感測器(其未在圖1中明確地描繪)可用以相對於輻射光束B之路徑來準確地定位圖案化器件MA。可使用光罩對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準圖案化器件MA及基板W。儘管如所說明之基板對準標記P1、P2佔據專用目標部分，但該等標記可位於目標部分之間的空間中。當基板對準標記P1、P2位於目標部分C之間時，此等基板對準標記P1、P2被稱為切割道對準標記。
如圖3中所展示，微影設備LA可形成微影製造單元LC (有時亦被稱作微影製造單元或(微影)叢集)之部件，微影製造單元LC常常亦包括用以對基板W執行曝光前製程及曝光後製程之設備。習知地，此等設備包括用以沈積抗蝕劑層之旋塗器SC、用以顯影經曝光抗蝕劑之顯影器DE、例如用於調節基板W之溫度(例如用於調節抗蝕劑層中之溶劑)之冷卻板CH及烘烤板BK。基板處置器或機器人RO自輸入/輸出埠I/O1、I/O2拾取基板W、在不同製程設備之間移動基板W且將基板W遞送至微影設備LA之裝載匣LB。微影製造單元中常常亦被集體地稱作塗佈顯影系統之器件通常係在塗佈顯影系統控制單元TCU之控制下，塗佈顯影系統控制單元TCU自身可受到監督控制系統SCS控制，監督控制系統SCS亦可例如經由微影控制單元LACU而控制微影設備LA。
為了正確且一致地曝光由微影設備LA曝光之基板W，需要檢測基板以量測經圖案化結構之屬性，諸如後續層之間的疊對誤差、線厚度、臨界尺寸(CD)等。出於此目的，可在微影製造單元LC中包括檢測工具(圖中未繪示)。若偵測到誤差，則可對後續基板之曝光或對待對基板W執行之其他處理步驟進行例如調整，尤其是在同一批量或批次之其他基板W仍待曝光或處理之前進行檢測的情況下。
亦可被稱作度量衡設備之檢測設備係用以判定基板W之屬性，且尤其判定不同基板W之屬性如何變化或與同一基板W之不同層相關聯之屬性在層與層間如何變化。檢測設備可替代地經建構以識別基板W上之缺陷，且可例如為微影製造單元LC之部分，或可整合至微影設備LA中，或可甚至為單機器件。檢測設備可量測潛影(在曝光之後在抗蝕劑層中之影像)上之屬性，或半潛影(在曝光後烘烤步驟PEB之後在抗蝕劑層中之影像)上之屬性，或經顯影抗蝕劑影像(其中抗蝕劑之曝光部分或未曝光部分已被移除)上之屬性，或甚至經蝕刻影像(在諸如蝕刻之圖案轉印步驟之後)上之屬性。
通常微影設備LA中之圖案化製程為在處理中之最關鍵步驟中的一者，其需要基板W上之結構之尺寸標定及置放之高準確度。為了確保此高準確度，可將三個系統組合於所謂的「整體」控制環境中，如圖4示意性地所描繪。此等系統中之一者為微影設備LA，其(實際上)連接至度量衡工具MT (第二系統)且連接至電腦系統CL (第三系統)。此「整體」環境之關鍵在於最佳化此等三個系統之間的合作以增強總體製程窗且提供嚴格控制迴路，從而確保由微影設備LA執行之圖案化保持在製程窗內。製程窗界定製程參數(例如劑量、焦點、疊對)之範圍，在該製程參數範圍內特定製造製程得到所界定結果(例如功能半導體器件)-通常在該製程參數範圍內，微影製程或圖案化製程中之製程參數被允許變化。
電腦系統CL可使用待圖案化之設計佈局(之部分)以預測使用哪種解析度增強技術且執行運算微影模擬及計算以判定哪種光罩佈局及微影設備設定達成圖案化製程之最大總體製程窗(在圖4中由第一標度SC1中之雙箭頭描繪)。通常，解析度增強技術經配置以匹配於微影設備LA之圖案化可能性。電腦系統CL亦可用以偵測在製程窗內何處微影設備LA當前正操作(例如使用來自度量衡工具MT之輸入)，以預測歸因於例如次佳處理是否可存在缺陷(在圖3中由第二標度SC2中之指向「0」之箭頭描繪)。
度量衡工具MT可將輸入提供至電腦系統CL以實現準確模擬及預測，且可將回饋提供至微影設備LA以識別例如微影設備LA之校準狀態中的可能漂移(在圖4中由第三標度SC3中之多個箭頭描繪)。
本文中描述用於控制及提供微影設備LA之劑量輪廓或強度輪廓之方法。該方法可包含：判定與由源設備20提供至微影設備LA之光學輸入之輻射之強度分佈相關聯的參數。判定該參數可至少基於微影設備LA之光學輸入處之輻射條件與劑量輪廓或強度輪廓之間的關係。
應瞭解，在涉及劑量輪廓的情況下，在適用時，此劑量輪廓亦可被認為意謂強度輪廓。劑量輪廓及強度輪廓係相對於圖案化器件或基板來考慮。輻射之強度分佈可為空間或角度分佈。
在掃描期間，劑量輪廓或強度輪廓可動態地可調整。另外，劑量輪廓或強度輪廓可具有相對於垂直於橫越圖案化器件之掃描方向的方向離心的峰值強度。
在一項實例中，垂直於橫越圖案化器件掃描之方向(掃描方向)之方向可由隙縫定義。該隙縫可具有中心，且劑量輪廓或強度輪廓可具有相對於隙縫之中心或中心部分離心的峰值強度。因而，劑量輪廓可被認為係不對稱的。參數可經判定以特意提供離心峰值或不對稱輪廓，而非該峰值在源設備或微影設備之正常操作包封物內離心。
應瞭解，儘管微影設備通常例如經由隙縫提供在垂直於掃描方向之方向上之輻射，但不應將垂直視為將配置限制為嚴格垂直的且非直角配置亦被認為係由術語垂直涵蓋。換言之，劑量輪廓可至少在垂直於掃描方向之方向上受控制。此與沿著掃描方向控制強度之一些已知微影設備形成對比。
提供於至微影設備之輸入端處的光之強度分佈通常係與提供於微影設備內之影像或物件平面處的光之條件相關聯。舉例而言，輸入端可為關於圖2所描述之光束遞送系統BD或照明系統IL之輸入端。
圖5提供展示步驟之流程圖，該等步驟可包括於用於控制微影設備之沿著垂直於橫越圖案化器件之掃描方向的方向的劑量輪廓之方法中。
第一步驟包含接收所需劑量輪廓501。所接收之劑量輪廓可根據特定製造製程來預定。該製造製程可規定需要針對特定應用之特定劑量輪廓之圖案化器件(或IC設計)。舉例而言，可接收劑量輪廓作為用於控制源設備20之指令之部分，而作為預定製造配方之部分。另外或替代地，可在曝光期間及回應於度量衡資料來判定劑量輪廓。該等指令可形成提供至源設備20或微影設備之組態檔案之部分，或由在微影設備LA或源設備20內或結合微影設備LA或源設備20操作的一或多個電腦程式予以判定。
在步驟502中，判定參數。參數之判定將取決於哪一參數待經調整。在一項實例中，參數與雷射至小滴之位置相關。雷射至小滴之位置可被視為意謂當雷射被點火時雷射相對於小滴之相對位置。因此，參數可特別與用以給予材料小滴能量之雷射脈衝之時序相關。替代地或另外，參數可與雷射脈衝相對於小滴在被給予能量之前行進所沿著的小滴行進軸線之位置相關。另一例示性參數可與沿著行進軸線之小滴饋送，諸如小滴釋放之時序相關。
可存在參數之其他實例。舉例而言，源設備20可包含深UV光源。在此狀況下，參數可與DUV源設備內之雷射之光束指向相關。光束指向可經調整以提供離心峰值，或在掃描期間經調整使得在掃描方向上在不同點處提供不同劑量輪廓。另一例示性設備可包括隔膜，其可傾斜以提供不對稱輻射分佈。因此，參數可與隔膜之傾斜角相關。該隔膜可形成濾光器之部分。濾光器可為光譜純度濾光器。
在步驟503中，可藉由例如將經判定參數提供至控制器60來設定該參數，使得控制器60對源設備20或其組件作出必要的調整。應瞭解，參數可為通用參數且包括一或多個子參數或不同的控制參數。
在步驟504中，將自源設備輻射之光提供至微影設備LA之輸入端。
在經圖案化器件或基板之曝光期間可重複步驟501至502中之任一者複數次。舉例而言，可在進行圖案化器件之曝光掃描時即時判定劑量輪廓。另外，參數可改變使得第一參數在掃描期間變化且第二參數在掃描期間經調整。舉例而言，第一參數可與雷射至小滴之位置相關，而第二參數與雷射之強度或光束塑形組件之調整相關。舉例而言，此可在轉換效率歸因於小滴位移而降低且需要增加強度以對此進行補償的情況下有用。可藉由移動雷射相對於小滴之位置，從而變更預脈衝至主脈衝之延遲來進行EUV損失之進一步最佳化。
圖9a展示可經判定，且在一些情況下經控制以改變來自小滴之EUV輻射圖案的各種參數。在圖9a中，PP為預脈衝雷射，或預脈衝輻射區帶；L2D為雷射至小滴之位置，其與預脈衝焦點至小滴之距離相關；D2T為小滴至目標之位置，其與小滴至目標距離之間的距離相關。MP2PP為主脈衝至預脈衝之位置，其與主脈衝焦點位置與預脈衝焦點位置之間的距離相關。最後，MP2T為主脈衝焦點至目標之位置。
對於該等參數中之每一者，存在在小滴串位置中之x方向，及沿著雷射光軸之z方向。因此，D2TX及D2TZ為在所展示之x及z方向上之相對位置。
雷射至小滴位置在x方向上之改變可造成目標至主脈衝之對準之改變及目標擴展之改變，以及目標角度之改變。此可造成所輻射EUV之改變。此所輻射EUV之改變可藉由動態地變化與在z方向上之雷射至小滴之位置相關的參數來解決。另外或替代地，所輻射EUV之改變可藉由動態地變化與預脈衝雷射光束能量相關之參數來解決。因此，在已改變之雷射至小滴位置值下，將目標擴展比率改變回至標稱值。另外或替代地，EUV之改變可藉由動態地變化與主脈衝至預脈衝延遲相關之參數來解決。因此，在已改變之雷射至小滴位置值下，確保目標至主脈衝對準返回至標稱值。在一些實例中，系統可包含可移動預脈衝框，在此狀況下，可藉由調整預脈衝框位置以將主脈衝保留至目標位置來恢復一些EUV。
在掃描期間，輻射光束並不以毯覆式或泛溢曝光來同時輻照整個圖案化器件MA，而是橫越圖案化器件MA進行掃描以逐漸曝光圖案。此操作模式可被稱作掃描或掃描模式。達成掃描之一種方式為將具有隙縫輪廓之電磁輻射提供至圖案化器件MA，其中隙縫輪廓橫越圖案化器件被側面地掃掠。用以控制微影設備沿著垂直於橫越圖案化器件之掃描方向的方向的劑量或強度輪廓之方式可與光束指向參數之動態調整相關，該光束指向參數與微影設備之光學輸入端處之深UV源設備相關聯。
如在此項技術中已知，可使用光束塑形技術及方法來變化隙縫之大小及形狀。機械(例如光束阻擋件)及光學(例如光束塑形光學件)方法及工具中之一或兩者可用以塑形光束以界定隙縫。曝光隙縫區域可位於輻射光束路徑中之平面內，該平面可為與圖案化器件MA之平面共軛之平面。位於曝光隙縫區域中之光束阻擋件可用以界定隙縫大小及形狀，從而阻擋掉光束之區域以使得在圖案化器件處獲得具有所需形狀及大小之隙縫的光束橫截面之僅一部分。光束阻擋件可包含一或多個葉片，該一或多個葉片可在輻射光束之路徑的至少一部分中及之外移動以便阻擋或不阻擋輻射光束之一部分。光束阻擋件可位於用於輻射光束之圖案化器件MA的共軛平面中，使得對光束之形狀的調整經轉移至圖案化器件MA之平面中之隙縫。
其他已知的劑量控制系統可包括在掃描方向上之曝光劑量之即時調整或橫越晶圓之在不同場間的曝光位準之調整。另外或替代地，劑量控制系統可包括可移動濾光器，該可移動濾光器可在圖案化器件本端使用且變更隙縫透射以提供傾斜。該濾光器可為灰色濾光器且可定位以提供所欲額外輪廓控制，如在此項技術中已知。US5986742及van der Laan, Hans等人之「Etch, Reticle, and track CD Fingerprint Corrections with Local Dose Compensation」(Proceedings of SPIE 第5575卷，第107至118頁)中描述例示性控制系統，其皆以引用方式併入本文中。
替代地或另外，光束塑形光學件可用以設定光束之形狀及大小。判定隙縫之形狀及大小的曝光隙縫區域可包含沿著輻射光束之傳播路徑之一部分的三維區(例如含有光束塑形光學件之組件之區)。相較於光束阻擋件，光束塑形光學件具有其並不阻擋輻射光束之功率之部分的優點。
隙縫之形狀及大小可在曝光隙縫區域中判定。特定言之，曝光隙縫區域可用以判定隙縫之長度。曝光隙縫區域可位於輻射光束之源與圖案化器件MA之間。可在曝光隙縫區域內部及/或外部執行影響除隙縫長度之外之屬性的光束塑形動作。替代地或另外，可在輻射光束穿過圖案化器件MA之後執行輻射光束塑形。所得隙縫形狀可包括例如正方形形狀、矩形形狀或梯形形狀。隙縫在圖案化器件之平面中沿著非掃描方向之大小可為公分級，例如3公分。狹縫長度可為毫米級，例如1毫米至10毫米，或1毫米至20毫米。隙縫長度之所需控制可為毫米級，例如隙縫長度之選擇在1毫米與20毫米之間。隙縫長度之設定可具有1毫米或0.1毫米級之解析度。
橫越圖案化器件掃描輻射光束可藉由使輻射光束保持靜止且相對於光束來移動圖案化器件MA來達成。使基板與圖案化器件MA同步地移動。圖案化器件MA與基板W之經同步移動可考量投影系統PS之屬性，諸如(例如)放大率(縮小率)及/或影像反轉。
可在第一方向上執行掃描，該第一方向可為線性方向。可在垂直於第一方向之第二方向上控制劑量輪廓。第二方向可被稱作劑量輪廓方向。輻射光束可在第二方向上延伸以覆蓋圖案化器件MA之整個尺寸。當入射於圖案化器件MA上時，光束在圖案化器件之平面中的橫截面之大小及形狀可被稱作輻射光束之隙縫。隙縫可為狹長的，亦即長於其寬度，其具有縱向軸線。隙縫可為直線隙縫，其具有橫越圖案化器件之寬度W及在掃描方向上沿著圖案化器件之長度L，以提供相對於圖案化器件或基板之郵筒形或矩形輪廓，如圖10中所展示。第一方向可對應於曝光隙縫之縱向軸線。
隙縫將具有劑量輪廓。劑量輪廓可由沿著隙縫之寬度之強度分佈定義。強度分佈可在中心安置以便在中心區內具有峰值強度，或具有偏斜或離心峰值強度，其中峰值強度位於中心區之一側或另一側。離心峰值強度劑量輪廓可被稱作不對稱劑量輪廓。應瞭解，「中心」劑量輪廓內之正態方差可能略微不對稱，而輪廓大致對稱。關於本發明之離心劑量輪廓之顯著差異為：其經判定為離心的/不對稱的，而非偶然或寄生地離心。
根據圖1，源設備20可包含電漿光源，其中複數個材料小滴依次轉換成電漿以使用輻照源(諸如一或多個雷射)來輻射光。在此狀況下，微影設備LA之光學輸入端處之供給判定參數之輻射條件可為輻射之強度分佈。因而，方法可進一步包含：調整參數以輻照複數個小滴，以便產生沿著垂直於掃描方向之方向(例如沿著隙縫)之所欲劑量輪廓。
該方法可包括：運用輻照源沿著第一輻照軸線依次輻照複數個小滴以提供複數個盤形小滴；及沿著第二輻照軸線依次輻照複數個盤形小滴以提供電漿及所得輻射光。每一盤形小滴可相對於第二輻照軸線(或行進軸線)傾斜使得自電漿輻射且經收集以供遞送至微影輸入之輸入端的光具有強度分佈，以提供所欲劑量輪廓。替代地或另外，可變更主脈衝雷射至小滴之位置以在小滴之離心部位處提供主脈衝。此亦可提供軸對稱或離心遠場強度分佈或劑量輪廓/強度輪廓。
圖6展示沿著行進軸線602下降之小滴601之示意性表示。小滴601可以任何合適方式產生，諸如以引用方式併入本文中之US8158960中所描述之方式。小滴之源係由箭頭603表示，箭頭603展示小滴行進。小滴可自目標材料遞送系統24提供，如上文結合圖1所描述。
小滴601沿著行進軸線602在真空內穿過至第一輻照區604及第二輻照區帶605。第一輻照區帶604對應於小滴經歷第一輻照步驟所處的沿著小滴路徑/行進軸線603之部位。第一輻照步驟可對應於當源設備包含LPP源時由預脈衝雷射606進行之輻照。第二輻照區605提供於第一輻照區604下游且可由主雷射或電漿雷射607提供，在該位置中，預脈衝式小滴601被激發成電漿狀態，該電漿狀態輻射所需光以供收集器30(圖1所展示)收集。預脈衝雷射606及主雷射607形成脈衝式雷射系統22之部分，且第一輻照區604及第二輻照區605可形成輻照區28之部分，上文關於圖1所描述。
當使用小滴601時產生電漿光源之方法可在兩個階段中達成。第一階段可涉及產生複數個盤形小滴608，其中沿著行進軸線穿過之個別小滴係由第一激發源(通常為預脈衝雷射606)輻照。預脈衝雷射606給予球形小滴能量使其成可被大致描述為盤形或薄餅形之形狀，其展示於圖6中之橫切面中。盤形小滴608通常將在中心平面609之任一側上具有對置表面，該中心平面609如所展示沿著行進軸線602延伸。該等對置面在盤形小滴608之周邊邊緣處終止。盤形小滴608之周邊邊緣可處於中心平面609中。當在垂直於盤之中心平面609之方向上檢視時，盤形小滴通常將為圓形，但其他形狀及正常變化或許有可能。
每一盤形小滴608將具有相對於行進軸線602及/或第一輻照軸線610或第二輻照軸線611之定向。該定向可在預脈衝點火時藉由雷射至小滴之位置及雷射光束照在小滴601上所處之所得角度來判定及/或控制。該定向可被稱作盤形小滴608之傾斜。
預脈衝雷射光束及電漿雷射光束沿著各別第一輻照軸線610及第二輻照軸線611或預脈衝光束軸線及主脈衝光束軸線延伸，並界定各別第一輻照軸線610及第二輻照軸線611或預脈衝光束軸線及主脈衝光束軸線。在小滴601沿著行進軸線602行進時，第一輻照軸線610橫越預輻照小滴601之對向表面掃掠，使得輻照軸線610與小滴表面之間的入射角隨時間改變。藉由控制雷射脈衝相對於小滴位置之時序，亦即雷射至小滴之位置，可控制預脈衝雷射光束至小滴601之表面之點火角度。當雷射606被點火時，此產生相對於行進軸線602及/或輻照軸線側傾之盤形小滴608，其中該側傾取決於預脈衝雷射606之入射點火角度。
換言之，可藉由沿著第一輻照軸線604輻照複數個小滴601中之每一者來提供及/或控制每一盤形小滴608之傾角θ，其中該第一輻照軸線610相對於小滴表面切向側傾。該切向側傾可經預定以提供所欲劑量輪廓。可藉由以非徑向關係相對於入射表面定位輻照軸線610來提供該切向側傾。因此，輻照軸線610可向小滴之表面側傾。亦即，輻照可在輻照軸線610與小滴601之表面會合之點處向小滴601表面之切線側傾，而非與切向平面之法線對準。
切向側傾可由輻照軸線610在與小滴之中心分離之點處撞擊小滴來提供，以便自小滴之中心側向地位移。亦即，在小滴601沿著行進軸線602移動且穿過第一輻照軸線610時，第一輻照軸線610之位置橫越預輻照小滴601之側向範圍移動，且在小滴601被輻照時選擇輻照軸線610之側向位置會允許選擇盤形小滴608之傾斜角。因此，複數個小滴601可沿著行進軸線602連續穿過第一輻照軸線610，切向側傾係藉由沿著行進路徑/行進軸線602在預定小滴位置處輻照小滴來提供。傾斜(亦即目標角度)之原因應被理解為歸因於小滴藉由雷射強度梯度輻照。在光束之中心，梯度係實質上平坦的/均勻的。當雷射撞擊離開中心時，其係藉由具有強梯度之雷射脈衝切除。此導致不均勻擴展及傾斜/目標角度。
第一輻照軸線610及第二輻照軸線611可彼此平行或可向彼此側傾。第一輻照軸線610及第二輻照軸線611中之任一者或兩者可相對於行進路徑正交地配置。
盤形小滴608可被視為沿著行進軸線602自第一輻照區帶604至第二輻照區帶605以恆定傾角θ以一串降落。定向(亦即傾角)可由盤形小滴608之中心平面609相對於盤形小滴中心上方之行進軸線602之角度，或相對於標稱中心平面609a之角度定義，該標稱中心平面為提供在劑量輪廓之中心處具有峰值分佈的中性劑量輪廓所需之中心平面609之位置。
因此，如圖7中所展示，盤形小滴608可具有負側傾角或傾角-θ (左側)或正側傾角或傾角+θ(右側)，如藉由中心平面609與標稱中心平面609a之角分離度所判定。
盤形小滴608可具有面向輻照軸線610、611之曝露側及背離輻照軸線610之遮蔽側。盤形小滴608可正向地側傾使得曝露之側面(亦即中心平面609點之法線)相對於沿著行進軸線602之行進方向在輻照軸線611的上游，或負向地側傾使得曝露之側面相對於行進軸線602在輻照軸線的下游。當中心平面609與行進軸線602對準時，可獲取盤形小滴之中性或標稱位置。
應瞭解，除了相對於行進軸線602側傾之外，亦存在盤形小滴608以相對於行進軸線602之不同旋轉位置提供之範疇。然而，當沿著行進軸線609檢視時，盤形小滴608通常將旋轉地對準使得中心平面609之法線平行於輻照軸線611延伸。
傾斜角可根據光學輸入端處所需之所欲劑量輪廓及/或強度而變化。在一些實例中，傾斜角可介於提供大致居中/對稱劑量輪廓之標稱傾斜角的正負5度之間。應瞭解，正負5度可包括標稱容許度。標稱平均傾斜角可介於負25度至正15度之間。較大標稱度係可能的。舉例而言，標稱平均值可介於負30度與正30度之間。應瞭解，根據正常操作容許度，在小滴串流內可存在傾角之分佈。因此，平均目標角度可被認為處於所提供範圍內。
第一輻照軸線之側向位置可相對於小滴中心在+/-10微米之範圍內。
在點火預脈衝雷射時之雷射至小滴之位置可藉由已知關係予以判定。亦即，預定之平均雷射至小滴之位置可提供遍及特定時間段之平均傾斜角。替代地或另外，可藉由使用來自微影設備中之別處之回饋來控制雷射至小滴之位置。舉例而言，可在線量測傾斜角且使用一或多個感測器來控制傾斜角。感測器可為能量感測器。能量感測器可位於倍縮光罩載物台處之倍縮光罩之任一側上。兩個能量感測器可在傾角變化時量測其比率之改變。在一些實例中，如在源內所量測的感測器之間的比率之改變亦可用以控制此改變。
在一項實例中，隙縫均勻性傾斜，亦即如提供於晶圓上之隙縫之傾斜，可每微米雷射至小滴位置移動而旋轉0.05%與0.8%之間。在一項實例中，隙縫均勻性傾斜可每微米旋轉0.06%。
可使用系統之已知屬性或藉由觀測劑量輪廓來判定雷射至小滴之位置。如關於圖1所提及，EUV光源20亦可包括EUV控制器60，該EUV 控制器亦可包括點火控制系統65，其用於觸發系統22中之一或多個燈及/或雷射器件以藉此產生光脈衝以供遞送至腔室26中。EUV光源20亦可包括小滴位置偵測系統，該小滴位置偵測系統可包括一或多個小滴成像器70，該一或多個小滴成像器提供指示一或多個小滴例如相對於輻照區28之位置之輸出。成像器70可將此輸出提供至小滴位置偵測回饋系統62，該小滴位置偵測回饋系統可例如運算小滴位置及軌跡，自該小滴位置及軌跡可運算小滴誤差，例如逐小滴地運算或平均運算。可接著將小滴誤差作為輸入提供至控制器60，該控制器可例如將位置、方向及/或時序校正信號提供至系統22以控制源時序電路及/或控制光束位置及塑形系統，使得可根據需要設置劑量輪廓。
一種判定與提供於微影設備之光學輸入端處之輻射之強度輪廓之控制相關聯的參數之方法可包含：判定一參數設定，其係至少部分地基於該設定對微影設備LA之影像及/或物件平面處之輻射之特性的影響來進行。可設定該參數以便鑒於微影設備LA之預期輸出(劑量輪廓)組態微影設備之輸入端處之遠場強度。
因此，參數及/或參數設定可經調整以提供影像及/或物件平面處之所欲輻射分佈或至微影設備LA之輸入。可使用合適度量衡裝備來監測影像及/或物件平面以提供關於參數之調整及對輻射分佈之影響的資料。該資料可用作製程最佳化模型之部分以校正或以其他方式調整參數設定。
使用在影像及/或物件平面處所擷取之資料進行參數設定可在待調整之參數與源設備20相關的情況下使用，或在該參數與獨立於源設備20之另一控制器件相關聯的情況下使用。該參數可與微影設備相關聯。在一些實例中，可使用可傾斜隔膜來調整劑量輪廓，該可傾斜隔膜可經調整以使遠場強度分佈傾斜。
可藉由沿著行進路徑602在預定位置處輻照小滴601來提供切向側傾。在此狀況下，與由源設備20提供至微影設備LA之光學輸入端之輻射之強度分佈相關聯的參數可為輻照至小滴之位置，或在雷射產生電漿方法之狀況下為雷射至小滴之位置。
可以複數種方式中之一或多者調整輻照至小滴之位置。第一方式可包括使第一輻照軸線610固定且調整輻照相對於小滴位置之時序。在此狀況下，用以調整劑量輪廓之參數可為預脈衝雷射606之點火時間。在另一實例中，第一輻照軸線610可為可平移的使得其可相對於行進軸線602及輻照區帶604、605在上游或下游移動。藉此，可以恆定時間間隔提供輻照，其中輻照軸線610平移以提供輻照軸線至小滴表面之位置之變化。因而，控制劑量輪廓之參數可為輻照軸線相對於小滴位置之位置。應瞭解，此兩個參數及其他參數可根據需要結合地或個別地調整。
圖8展示針對三個不同雷射至小滴之位置的預脈衝點火位置及所得盤形小滴608定向之表示。展示於圖之頂部處之預脈衝雷射(由PP指示)在輻照軸線處於小滴之中心部分上方時在第一輻照區604中被點火，以提供盤形小滴608之正傾斜。圖之中間部分展示預脈衝雷射PP在中心區內之位置處點火以提供中性傾斜，其中盤形小滴與行進軸線成一直線。圖之底部部分展示一點火位置，在該點火位置，輻照軸線入射於中心部分下方之小滴上，此導致負傾斜。
參看圖9，其展示第二輻照區帶605及主脈衝雷射607 (被指示為MP)之點火以提供電漿及EUV光之輻射。輻射光係由收集器30收集，該收集器30將光朝向微影設備MA之輸入端處反射。傾斜之效應可被視為提供針對點火位置中之每一者之遠場強度分佈901a至901c之不對稱改變，其在使用例如以上所描述之光束塑形技術提供至隙縫中時導致劑量輪廓902a至902c。劑量輪廓902表示豎直軸上之強度及水平軸上之隙縫位置。
圖9中之頂部部分展示激發具有正傾斜之盤形小滴608之主脈衝雷射MP。此導致橫越具有較高強度光之非集中部分之遠場901a的不對稱強度分佈。微影設備之照明器將不對稱強度分佈901a變換成隙縫，劑量輪廓902a在該隙縫之第一末端處相對於該隙縫之第二末端具有較大強度。中心區可具有介於第一末端處之較高強度與第二末端處之較低強度之間的強度。如所展示，劑量輪廓902a可在隙縫之第一末端邊緣處具有最大值且可沿著隙縫之寬度大體上減小至隙縫之第二末端邊緣處之最小值。
在圖9之中間部分中，集中式中性對準之盤形小滴引起遠場901b中之集中式強度分佈。當被提供為隙縫時，劑量輪廓902b提供合理地均勻之實質上平坦之強度分佈輪廓。應注意，強度分佈/劑量輪廓902b可具有在中心區之外之適度峰值強度。然而，此為寄生峰值，其可藉由源設備及/或微影設備內之適當監測及回饋來抵消。重要的是，判定集中式強度輪廓之所需控制參數之步驟並不包括判定強度輪廓離心之參數。而是其經判定為提供集中式分佈。
在圖9之底部部分中，主脈衝雷射MP被展示為激發具有負傾斜之盤形小滴608。如同正傾斜一樣，此導致具有較高強度光之非集中部分之遠場901c的不對稱分佈。在隙縫處，劑量輪廓902c之較高強度區提供於隙縫之第二末端處，而非如同正傾斜一樣提供於第一末端處。再次，中心區可具有介於較高端值與較低端值之間的強度。如所展示，劑量輪廓902c可在隙縫之第二末端邊緣處具有最大值且可橫越隙縫之寬度大體上減小至隙縫之第一末端邊緣處之最小值。
圖9展示其中強度之極值位於橫越隙縫之極端位置處的劑量輪廓902a及902c。應瞭解，參數可經判定為在橫越隙縫之寬度之任何點處皆提供峰值強度。
術語非居中分佈/劑量輪廓或不對稱分佈/劑量輪廓可被視為意謂光強度沿著偏置遠離隙縫中心的隙縫之寬度之不均勻分佈。劑量輪廓可包括峰值強度。峰值強度可被提供介於隙縫之中心點之45%與55%之間，該中心點可表示隙縫之中心區。在峰值在中心區之外的情況下，其可被認為係非居中或不對稱分佈/劑量輪廓。在一項實例中，不對稱分佈之峰值可被提供為介於隙縫寬度之60%與100%之間。在另一實例中，不對稱分佈之峰值可被提供為介於0%與40%之間。
劑量輪廓可被提供為針對掃描之全部或一部分並不變化之靜態分佈。替代地或另外，劑量輪廓可具有藉由在掃描期間調整與強度分佈相關聯的參數而動態地變化之分佈。因此，在使用中，圖案化器件可經預定為包括橫越掃描方向在不同位置處的較高劑量區域及較低劑量區域，且可在掃描期間藉由使參數變化來調整劑量輪廓，以分別向較高劑量區域提供較高劑量且向較低劑量區域提供較低劑量。
在將輻射提供至在垂直於掃描方向之方向上延伸之隙縫的情況下，在隙縫於掃描方向上橫越圖案化器件移動時，可調整參數。
此情形在圖10中加以說明，在該圖中以平面圖展示2D劑量輪廓1000。掃描方向係以箭頭1001展示且可被視為自右至左。隙縫方向1002垂直於掃描方向1001且表示隙縫之縱向軸線橫越正被曝光之圖案化器件/晶圓延伸之方向。隙縫1005係由矩形框表示。二維劑量輪廓包括強度分佈之不同區域。因此，根據預定所欲輪廓，可存在較高劑量區域及較低劑量區域。在圖10之實例中，存在橫越圖案化器件對角地延伸之較高劑量輪廓區1003。該較高劑量輪廓係由較低劑量輪廓區1004定界。
在掃描期間，可藉由動態地調整參數來提供較高劑量輪廓區1003。根據上述描述，較高劑量輪廓1004可藉由在掃描期間調整雷射至小滴之位置來達成。在所展示之實例中，掃描在圖案化器件(圖中未繪示)之右側開始，其中在周邊邊緣處具有最大強度。在掃描期間，藉由動態地調整控制預脈衝雷射至小滴之位置之參數(諸如點火預脈衝雷射之時序)來連續地變更預脈衝雷射至小滴之位置。此移動針對每一掃描位置之峰值強度直至峰值強度位於對置之周邊邊緣處。
儘管圖10中展示對角線圖案，但應瞭解，根據圖11，劑量輪廓可經調整以適合針對特定應用之所欲預定劑量輪廓。圖11展示2D劑量輪廓1100，其大體上相似於圖10之2D劑量輪廓，其中參考數字增加100。在圖11之實例中，存在限於圖案化器件MA之中心區之較高劑量輪廓區1103。較高劑量區1103可使用上文結合已知光束控制方法所描述之參數設定方法來達成。其他方法可包括劑量控制系統。劑量控制系統可包括每場之劑量，其中針對複數個劑量場中之每一曝光場可調整劑量，例如偏移。劑量控制系統可包括在掃描方向上之曝光劑量之即時調整。劑量控制系統可包括可在圖案化器件本端使用且變更隙縫透射率之可移動濾光器。該濾光器可為灰色濾光器且可定位以提供所欲額外輪廓控制，如在此項技術中已知。US5986742及van der Laan, Hans等人之「Etch, Reticle, and track CD Fingerprint Corrections with Local Dose Compensation」(Proceedings of SPIE 第5575卷，第107至118頁)中描述例示性控制系統，其皆以引用方式併入本文中。較高劑量輪廓可由較低劑量輪廓區1004定界。因此，展示在至少三個側由實質上均勻曝光場環繞之較高劑量1103之一部分。較高劑量輪廓1103可包括具有一或多個峰值強度區之分散式劑量輪廓。
其他預定劑量輪廓可例如包括歷時掃描持續時間橫越隙縫1005之恆定但離心的劑量輪廓，以便提供沿著一個掃描邊緣之較高劑量，如由沿著底部邊緣之較高強度區1103a所展示。
圖10及圖11所展示之較高及較低強度區被展示為離散帶。應瞭解，此係僅為了易於解釋，且工作系統中之強度之分佈將很可能具有沿著隙縫之寬度之連續變化輪廓。
參數之動態調整針對掃描可為連續的或以離散時間間隔來進行。連續調整可導致一系列小滴中之鄰近小滴具有不同的雷射至小滴之位置。離散調整可導致鄰近小滴或一系列鄰近小滴具有共同的雷射至小滴之位置/點火角度。因此，離散時間間隔可基於小滴之頻率而判定，使得在一系列小滴內調整一次參數。舉例而言，可每隔四個小滴或十個小滴調整一次參數。更一般而言，對於具有週期N之小滴串，可每隔xN個調整參數，其中x大於2。因此，可針對一系列複數個小滴調整一次參數，其中該系列大於二。應瞭解，點火角度係與小滴表面與輻照軸線之間的切向角度相關。因此，點火角度係與輻照軸線在小滴之入射表面上之側向位置相關，如上文所描述。
以離散步階/時間間隔調整參數可藉由允許系統在改變點火角度之後達到穩態來提高系統之準確性。特定言之，改變針對每一小滴之點火角度/側向位置可造成沿著行進軸線之小滴流動之時間或位置中斷。
當改變預脈衝之點火角度時，有可能變更轉換效率。轉換效率係關於輻照源功率至輻射光之轉換，例如輸出EUV帶內功率對驅動雷射輸入功率之比率。因此，可在根據入射角調整雷射至小滴之位置時調整輻照源，以提供針對特定劑量輪廓之所需劑量強度。
源元素可為任何合適的材料，諸如氙(Xe)、錫(Sn)或鋰(Li)。源元素可沿著行進軸線以小滴形式提供。小滴可沿著行進軸線在重力下以介於40 kHz與100 kHz之間的頻率行進。
參數可經調整以適合製造製程內之不同圖案化器件或製造製程內之不同製造步驟。因此，用於處理之器件之第一層可使用第一圖案化器件曝光至第一劑量輪廓，且同一器件之第二層可使用相同或不同的圖案化器件曝光至相同或不同劑量輪廓。
因此，在使用中，製造製程中之曝光步驟可包含以下步驟：提供圖案化器件；提供微影設備中用於曝光之基板；將輻射自源設備提供至微影設備之光學輸入端，其中參數已經調整以提供與該圖案化器件之寬度相關聯的預定劑量輪廓；及根據預定劑量輪廓使該基板曝光至來自源設備之輻射。以此方式，可在層與層之間及針對不同的圖案化器件來調整劑量輪廓。在掃描期間，不同的劑量輪廓可動態地變更，或針對掃描之全部或部分在恆定部位處提供離心峰值。亦即，使基板曝光至輻射可包含在第一方向上掃描基板且在該第一方向上在掃描期間調整參數。
上述描述主要涉及預脈衝雷射之雷射至小滴之位置。然而應瞭解，主雷射至小滴之位置可變更，同時保持預脈衝雷射至小滴恆定或變化。
可使用微影設備來進行另一製造製程。該另一製造製程可包含：提供第二圖案化器件以用於曝光微影設備內之另一基板；及調整參數以提供與該第二圖案化器件相關聯之預定劑量輪廓。
存在用以提供LLP源設備之其他替代方案。舉例而言，源設備可包括深UV系統，其中雷射光束指向技術諸如US20040257547中所描述之雷射光束指向技術。DUV源設備可包括用以將DUV輻射提供至DUV掃描器之1 kHz至6 kHz準分子雷射。掃描器可包括光束指向裝備，該光束指向裝備可經調整以提供在掃描期間之動態劑量輪廓調整。因此，與由源設備提供至微影設備之光學輸入端之輻射之強度分佈相關聯的參數可包含DUV源設備之光束指向特性。以此方式，可基於照明器出口(例如微影設備內之目標/影像平面)處之所欲均勻性特性來控制源輻射之位置/定向。
另一替代源設備或微影設備可包括一或多個濾光器。該一或多個濾光器可包含光譜純度濾光器。該等濾光器可被提供於傾斜機構上以便在使用期間可傾斜。濾光器可包含隔膜，或可出於除濾光之外的其他目的提供隔膜。使包括可傾斜之濾光器及/或隔膜可用以提供垂直於掃描方向之劑量輪廓中之離心/不對稱輻射分佈。因此，用以設定劑量輪廓之參數可與濾光器及/或隔膜之傾斜角相關。隔膜可形成濾光器之部件。
US2013010275中描述光譜純度濾光器SPF。此濾光器通常將在微影設備中被置放成接近於微影設備之光學輸入端。該SPF可包含隔膜，該隔膜可垂直於由源提供之輻射光軸而定向。源輻射可包含可圍繞光軸對稱的大的角度範圍。當使SPF圍繞y軸傾斜時，產生入射角範圍相對於SPF之不對稱性。通常，傳遞通過SPF之EUV輻射亦將具有某強度傾斜。因此，SPF傾斜控制具有與盤形小滴之傾斜角相似之效應。傾斜機構可為此項技術中已知之任何合適機構。
本說明書內所描述之劑量輪廓調整方法可使用與關於圖2所描述之微影設備相似的微影設備LA來進行。微影設備LA可包含：源設備20，其用於將輻射提供至微影設備LA之光學輸入端，其中該微影設備LA經組態以在掃描方向上橫越圖案化器件掃描輻射，其中該輻射具有沿著垂直於掃描方向之方向之劑量輪廓。然而，源設備20可被認為與微影設備LA分離。微影設備可包括處理器，該處理器經組態以根據本文所描述之方法中之任一者來調整與源設備相關聯之參數。處理器可位於源控制器60中，或中央電腦系統CT中，諸如圖4中所展示之中央電腦系統。
可根據特定微影設備及/或製造製程來預定參數之控制。該控制可包含一或多個參數設定。參數設定可形成組態檔案之部分。可將組態檔案提供至微影設備及/或源設備使得微影設備及/或源設備可根據被保留於組態檔案內之參數設定予以組態。舉例而言，可經由網路連接、資料信號或網路連接將組態檔案提供至中央電腦系統CT或源設備控制器60。參數設定可形成資料庫或其他相似電腦可讀格式之部分，如在此項技術中已知。因此，終端使用者或客戶可將包含關於微影設備或源設備之所欲行為之資訊的製造製程/配方提供至微影設備或源設備。
因此，一種方法可包括：提供一組態檔案，該組態檔案包含與微影設備或照明源相關聯之至少一個預定參數設定。該組態檔案可形成載體之部分，該載體儲存或傳輸組態檔案使得其可被上載至微影設備或照明源。
微影設備可包括經配置以接收由源設備輸出之輻射(例如EUV光)之光學界面。如上文所描述，輻射可具有離心強度分佈之不對稱性。劑量或強度輪廓可在掃描(例如基板上之場大小內)期間變化。
本發明允許(至少在某種程度上)獨立控制沿著掃描方向之劑量及/或強度輪廓及沿著垂直於該掃描方向之方向的劑量及/或強度輪廓。為了支援此獨立控制，微影設備可包括控制介面，該控制介面經配置以接收特性化沿著掃描方向及垂直於該掃描方向之方向兩者橫越基板的所欲劑量及/或強度輪廓調整之參數。
該方法可藉由電腦執行。因此，可提供電腦程式，其包含在經執行於至少一個處理器上時致使該至少一個處理器控制設備以進行本文所描述之任一方法。載體可被提供於載體含有件上。載體可為電子信號、光信號、無線電信號或非暫時性電腦可讀儲存媒體中之一者。
儘管可在本文中特定地參考在IC製造中微影設備之使用，但應理解，本文中所描述之微影設備可具有其他應用。可能之其他應用包括製造整合式光學系統、用於磁域記憶體之導引及偵測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭等等。
儘管可在本文中特定地參考在微影設備之內容背景中之本發明之實施例，但本發明之實施例可用於其他設備中。本發明之實施例可形成光罩檢測設備、度量衡設備或量測或處理諸如晶圓(或其他基板)或光罩(或其他圖案化器件)之物件之任何設備的部件。此等設備通常可被稱作微影工具。此微影工具可使用真空條件或環境(非真空)條件。
儘管上文可特定地參考在光學微影之內容背景中對本發明之實施例之使用，但應瞭解，在內容背景允許之情況下，本發明不限於光學微影且可用於其他應用(例如壓印微影)中。
下文給出本發明之編號條項之清單。 1.   一種用於控制一微影設備之沿著垂直於橫越一圖案化器件之一掃描方向的一方向的一劑量或強度輪廓之方法，該方法包含： 判定與由一源設備提供至該微影設備之一光學輸入端之輻射之一強度分佈相關聯的一參數，其中 該判定該參數係至少基於該微影設備之該光學輸入端處之該輻射之該強度分佈與該劑量或強度輪廓之間的一關係。 2.   如條項1之方法，其中該源設備包含一電漿光源，在該電漿光源中，一材料之複數個小滴依次轉換成一電漿以使用一輻照源來輻射光，該方法進一步包含： 調整該參數以輻照該複數個小滴以便產生沿著垂直於該掃描方向之一方向之一所欲劑量輪廓。 3.   如條項2之方法，其進一步包含： 運用該輻照源沿著一第一輻照軸線依次輻照該複數個小滴以提供複數個盤形小滴；及， 沿著一第二輻照軸線依次輻照該複數個盤形小滴以提供一電漿及所得輻射光。 4.   如條項3之方法，其中該參數係與該第二輻照軸線相對於該複數個盤形小滴中之每一者之位置的位置相關，使得該複數個盤形小滴中之每一者沿著該第二輻照軸線在該等盤形小滴之一離心位置處被輻照。 5.   如條項3或4之方法，其中每一盤形小滴相對於該第二輻照軸線傾斜，使得自該電漿輻射之光具有一強度分佈以提供該所欲劑量輪廓。 6.   如條項5之方法，其中該每個盤形小滴之該傾斜係藉由沿著該第一輻照軸線輻照該複數個小滴中之每一者來提供，其中該第一輻照軸線相對於該小滴表面切向側傾，該切向側傾經預定為提供一所欲劑量輪廓。 7.   如條項6之方法，其中該複數個小滴沿著一行進路徑連續穿過該第一輻照軸線，且該切向側傾係藉由沿著該行進路徑在一預定位置處輻照該小滴來提供，且該參數與該輻照至小滴之位置相關。 8.   如條項7之方法，其中該第一輻照軸線固定且該參數為相對於該小滴位置之該輻照之時序。 9.   如條項1至7之方法，其中該第一輻照軸線可移動，且該參數為該輻照軸線相對於該小滴位置之位置。 10.  如任一前述條項之方法，其中該圖案化器件經預定為包括較高劑量區域及較低劑量區域，且該劑量輪廓係使用該參數予以調整以分別提供該等較高劑量區域及該等較低劑量區域。 11.  如任一前述條項之方法，其中將該輻射提供至在垂直於該掃描方向之該方向上延伸之一隙縫，且其中在該隙縫在該掃描方向上橫越該圖案化器件移動時調整該參數。 12.  如條項11之方法，其中該參數經調整以提供用於該掃描之一預定劑量輪廓。 13.  如條項2至12中任一項之方法，其中針對一系列該複數個小滴調整一次該參數，其中該系列大於二。 14.  如條項2至13中任一項之方法，其中根據入射角判定輻照源之強度。 15.  如條項4至14中任一項之方法，其中傾斜角係介於提供一對稱劑量輪廓之一標稱傾斜角正負5度之間。 16.  如條項2至15中任一項之方法，其中該第二輻照軸線為在輻照時提供一標稱劑量輪廓的一標稱小滴中心正負10微米。 17.  如條項2至16中任一項之方法，其中該輻照源包含至少一個雷射。 18.  如條項2至17中任一項之方法，其中該輻照源包含一第一雷射光束及一第二雷射光束。 19.  如條項2至18中任一項之方法，其中該輻射光為EUV。 20.  如條項2至19中任一項之方法，其中該小滴材料包含錫。 21.  如條項2至20中任一項之方法，其中以介於40 kHz與100 kHz之間的一頻率提供該複數個小滴。 22.  如任一前述條項之方法，其中該源設備提供具有一離心強度分佈之一光學輸出。 23.  如任一前述條項之方法，其中該微影設備包括一或多個可移動阻擋元件，該一或多個可移動阻擋元件經配置以阻擋及/或濾光該劑量輪廓或該強度輪廓之一部分。 22.  如任一前述條項之方法，其進一步包含： 提供一圖案化器件； 提供用於在該微影設備中曝光之一基板； 將來自該源設備之輻射提供至該微影設備之該光學輸入端，其中該參數已經調整以提供與該圖案化器件相關聯之一預定劑量輪廓； 根據該預定劑量輪廓，使該基板曝光至來自該源設備之輻射。 23.  如條項22之方法，其中使該基板曝光至輻射包含在一第一方向上掃描該基板，且該方法進一步包含： 在該第一方向上在該掃描期間調整該參數。 24.  如條項23之方法，其進一步包含： 提供一第二圖案化器件以用於曝光該微影設備內之一另外基板； 調整該參數以提供與該第二圖案化器件相關聯之一預定劑量輪廓。 25.  如條項9或11之方法，其中該源設備包含一雷射，且該參數與一光束指向特性相關。 26.  如條項25之方法，其中該微影設備係一深UV設備。 27.  如任一前述條項之方法，其進一步包含：提供一組態檔案以供該微影設備或該源設備使用，其中該組態檔案包含與一微影設備或源設備相關聯之至少一個預定參數設定。 28.  一種微影設備，其包含： 一源設備，其用於將輻射提供至該微影設備之一光學輸入端，其中該微影設備經組態以使該輻射在一掃描方向上掃描橫越一圖案化器件，其中該輻射具有沿著垂直於該掃描方向之一方向之一劑量輪廓；及 一處理器，其經組態以調整與如條項1至27中任一項之源設備相關聯的一參數，以調整該劑量輪廓。 29.  一種電腦程式，其包含在經執行於至少一個處理器上時致使該至少一個處理器控制一設備以進行如條項1至27中任一項之方法的指令。 30.  一種載體，其含有如條項27之電腦程式，其中該載體為一電子信號、光信號、無線電信號或非暫時性電腦可讀儲存媒體中之一者。 31.  一種用於控制一微影設備之沿著垂直於橫越一圖案化器件之一掃描方向的一方向的一劑量輪廓之方法，該方法包含： 判定與由一源設備提供至該微影設備之一光學輸入端之輻射之一強度分佈相關聯的一參數， 其中該參數係至少部分地基於該參數與該微影設備之一影像及/或物件平面處之該輻射之一特性之間的一關係予以判定。 32.  如條項31之方法，其進一步包含： 監測該微影設備之該影像及/或物件平面處之輻射之該強度分佈。 33.  如條項31或32之方法，其中該參數為該微影設備之一參數。 34.  如條項33之方法，其中該微影設備包含一可傾斜隔膜，該可傾斜隔膜可組態以變更該強度分佈，其中該參數係與該可傾斜隔膜之傾斜角相關。 35.  一種用於控制一微影設備之沿著垂直於橫越一圖案化器件之一掃描方向的一方向的一劑量輪廓之方法，該方法包含： 判定與由一雷射產生電漿光源設備提供至該微影設備之一光學輸入端之輻射之一強度分佈相關聯的一參數，其中該參數調整該雷射至該源設備內之小滴位置，以提供在垂直於該掃描方向之該方向上的一離心強度分佈。 36.  如條項35之方法，其中參數係與一預脈衝雷射之時序相關。 37.  一種用於控制一微影設備之沿著垂直於橫越一圖案化器件之一掃描方向的一方向的一劑量輪廓之方法，該方法包含： 判定與由一源設備提供至該微影設備之一光學輸入端之輻射之一強度分佈相關聯的一參數； 在該掃描方向上橫越該圖案化器件掃描該輻射；在該掃描期間調整該參數。 38.  一種用於控制橫越一微影設備之一曝光場之一劑量輪廓的方法，該方法包含： 基於選擇與一源相關聯的一控制參數之一曝光場特定設定來控制該劑量輪廓，該源將輻射提供至該微影設備。 39.  一種用於將輻射提供至一微影設備之源設備，其中該源設備經組態以接收與該輻射之一劑量輪廓相關聯的一參數之一或多個設定，其中該一或多個設定係基於如使用如條項1至27或31至38中任一項之方法所判定之該參數。 40.  如條項39之源設備，其中該參數之該一或多個設定提供一離心劑量輪廓。 41.  一種微影設備，其具有一光學界面，該光學界面經配置以自如條項39之源設備接收一輻射輸出，其中該輻射輸出具有一遠場不對稱強度分佈。 42.  一種微影設備，其包括一控制介面，該控制介面經配置以接收特性化沿著一掃描方向及垂直於該掃描方向之一方向橫越一圖案化器件的一劑量及/或強度輪廓調整之參數。 43.  一種用於組態連接至一微影設備之一光學輸入端之一源設備的方法，其中該源設備包含一輻照源，該輻照源經組態以輻照一小滴以提供一盤形小滴且隨後輻照該盤形小滴以提供一電漿及所得輻射光，該方法包含如下一步驟：判定與由該輻照源輻照該小滴之一時序相關的一參數以控制該所得輻射之一強度分佈，從而獲得該微影設備之沿著垂直於一掃描方向之一方向橫越該微影設備內之一圖案化器件的一所欲劑量或強度輪廓，其中該判定係基於該微影設備之該光學輸入端處之該輻射之該強度分佈與該位置之間的一關係。 44.  如條項43之方法，其中該參數係與包含於該輻照源內且經組態以藉由輻照該小滴而提供該盤形小滴的一預脈衝雷射之時序相關。 45.  一種用於控制橫越一微影設備之一曝光場之一劑量輪廓的方法，該方法包含：基於選擇與一源相關聯的一控制參數之一曝光場特定設定來控制該劑量輪廓，該源將輻射提供至該微影設備。 46.  一種用於將輻射提供至一微影設備之源設備，其中該源設備經組態以接收如使用如條項43之方法所判定之該參數之一或多個設定。 47.  如條項46之源設備，其中該參數之該一或多個設定提供一不對稱劑量輪廓。 48.  一種微影設備，其具有經配置以自如條項46或47之源設備接收一輻射輸出之一光學界面，其中該輻射輸出具有一不對稱強度分佈。 49.  一種微影設備，其包括一控制介面，該控制介面經配置以接收特性化沿著一掃描方向及垂直於該掃描方向之一方向橫越一圖案化器件的一劑量及/或強度輪廓調整之參數。 50.  一種用於控制一如條項43之微影設備之一劑量或強度輪廓之方法，其中該輻照源經組態以沿著一第一輻照軸線輻照複數個小滴以提供複數個盤形小滴，且沿著一第二輻照軸線輻照該複數個盤形小滴以提供該電漿及所得輻射光，且 其中該參數係與該第二輻照軸線相對於該複數個盤形小滴中之每一者之位置的位置相關，使得該複數個盤形小滴中之每一者沿著該第二輻照軸線在該等盤形小滴之一離心位置處被輻照。 51.  如條項50之方法，其中每一盤形小滴相對於該第二輻照軸線傾斜，使得自該電漿輻射之光具有一強度分佈以提供該所欲劑量輪廓。 52.  如條項51之方法，其中該每個盤形小滴之該傾斜係藉由沿著該第一輻照軸線輻照該複數個小滴中之每一者來提供，其中該第一輻照軸線相對於該小滴表面切向側傾，該切向側傾經預定為提供一所欲劑量輪廓。 53.  如條項52之方法，其中該複數個小滴沿著一行進路徑連續穿過該第一輻照軸線，且該切向側傾係藉由沿著該行進路徑在一預定位置處輻照該小滴來提供，且該參數與該輻照至小滴之位置相關。 54.  如條項53之方法，其中該第一輻照軸線固定且該參數為相對於該小滴位置之該輻照之時序。 55.  如條項50之方法，其中該第一輻照軸線可移動，且該參數為該輻照軸線相對於該小滴位置之位置。 56.  如條項50之方法，其中該圖案化器件包括較高劑量區域及較低劑量區域，且該參數經調整以提供與該等較高劑量區域及該等較低劑量區域相容之一劑量輪廓。 57.  如條項50之方法，其中將該輻射提供至在垂直於該掃描方向之該方向上延伸之一隙縫，且其中在該隙縫在該掃描方向上橫越該圖案化器件移動時調整該參數。 58.  如條項50之方法，其進一步包含：提供一組態檔案以供該微影設備或該源設備使用，其中該組態檔案包含與一微影設備或源設備相關聯之至少一個預定參數設定。 59.  一種微影設備，其包含： 一源設備，其用於將輻射提供至該微影設備之一光學輸入端，其中該微影設備經組態以使該輻射在一掃描方向上掃描橫越一圖案化器件，其中該輻射具有沿著垂直於該掃描方向之一方向之一劑量輪廓；及 一處理器，其經組態以調整與如條項8之源設備相關聯的一參數，以調整該劑量輪廓。 60.  一種微影設備，其包括一控制介面，該控制介面經配置以接收特性化沿著一掃描方向及垂直於該掃描方向之一方向橫越一圖案化器件的一劑量及/或強度輪廓調整之參數。 61.  一種電腦程式，其包含在經執行於至少一個處理器上時致使該至少一個處理器控制一設備以進行如條項50之方法的指令。 62.  一種用於控制沿著垂直於一微影設備之橫越一圖案化器件之一掃描方向的一方向的一劑量或強度輪廓之方法，該圖案化器件具有較高劑量區域及較低劑量區域，該方法包含： 判定在橫越該圖案化器件之該掃描期間的一參數之一所欲變化，其中該參數係與由一源設備提供至該微影設備之一光學輸入端之輻射之一強度分佈相關聯，且其中該判定該所欲變化係至少基於： 該微影設備之該光學輸入端處之該輻射之該強度分佈與該劑量或強度輪廓之間的一關係；及 該等較高劑量區域及該等較低劑量區域沿著一掃描方向之置放。 63.  如條項62之方法，其中該源設備包含一電漿光源，在該電漿光源中，一材料之複數個小滴依次轉換成一電漿以使用一輻照源來輻射光，該方法進一步包含： 調整該參數以輻照該複數個小滴以便產生沿著垂直於該掃描方向之一方向之一所欲劑量輪廓。 64.  如條項63之方法，其進一步包含： 運用該輻照源沿著一第一輻照軸線依次輻照該複數個小滴以提供複數個盤形小滴；及， 沿著一第二輻照軸線依次輻照該複數個盤形小滴以提供一電漿及所得輻射光。 65.  如條項64之方法，其中該參數係與該第二輻照軸線相對於該複數個盤形小滴中之每一者之位置的位置相關，使得該複數個盤形小滴中之每一者沿著該第二輻照軸線在該等盤形小滴之一離心位置處被輻照。 66.  如條項64之方法，其中每一盤形小滴相對於該第二輻照軸線傾斜，使得自該電漿輻射之光具有一強度分佈以提供該所欲劑量輪廓。 67.  如條項66之方法，其中該每個盤形小滴之該傾斜係藉由沿著該第一輻照軸線輻照該複數個小滴中之每一者來提供，其中該第一輻照軸線相對於該小滴表面切向側傾，該切向側傾經預定為提供一所欲劑量輪廓。 68.  如條項64之方法，其中該第一輻照軸線可移動，且該參數為該輻照軸線相對於該小滴位置之位置。 69.  如條項63之方法，其中該輻射光為EUV。 70.  如條項62之方法，其中該微影設備係一深UV設備。 71.  如條項62之方法，其進一步包含：提供一組態檔案以供該微影設備或該源設備使用，其中該組態檔案包含與該微影設備或該源設備相關聯之至少一個預定參數設定。 72.  一種微影設備，其包含： 一源設備，其用於將輻射提供至該微影設備之一光學輸入端，其中該微影設備經組態以使該輻射在一掃描方向上掃描橫越一圖案化器件，其中該輻射具有沿著垂直於該掃描方向之一方向之一劑量輪廓；及 一處理器，其經組態以使用如條項62之方法來調整與該源設備相關聯之一參數。 73.  一種電腦程式，其包含在經執行於至少一個處理器上時致使該至少一個處理器控制一設備以進行如條項62之方法的指令。 74.  一種載體，其含有如條項73之電腦程式，其中該載體為一電子信號、光信號、無線電信號或非暫時性電腦可讀儲存媒體中之一者。 75.  一種用於將輻射提供至一微影設備之源設備，其中該源設備經組態以接收與該微影設備之一劑量輪廓相關聯的一參數之一或多個設定，其中該一或多個設定係基於如使用如條項62之方法所判定之該參數。 76.  一種微影設備，其包括一控制介面，該控制介面經配置以接收特性化垂直於橫越一圖案化器件之一掃描方向的一劑量及/或強度輪廓之一變化之參數，其中該變化係與該圖案化器件上之較高劑量區域及較低劑量區域沿著一掃描方向之置放相關聯。
雖然上文已描述本發明之特定實施例，但應瞭解，可以與所描述方式不同之其他方式來實踐本發明。以上描述意欲為說明性，而非限制性的。因此，對於熟習此項技術者將顯而易見，可在不脫離下文所闡明之申請專利範圍之範疇的情況下對所描述之本發明進行修改。
20:雷射產生電漿(LPP)光源 22:脈衝式雷射系統 24:目標材料遞送系統 26:腔室 28:輻照區 30:光學件 40:中間區 60:極紫外線(EUV)控制器 62:小滴位置偵測回饋系統 65:點火控制系統 70:小滴成像器 90:小滴控制系統 92:小滴源 501:步驟 502:步驟 503:步驟 504:步驟 601:小滴 602:行進軸線 603:小滴路徑/行進軸線 604:第一輻照區/第一輻照區帶 605:第二輻照區帶/第二輻照區 606:預脈衝雷射 607:主雷射或電漿雷射/主脈衝雷射 608:盤形小滴 609:中心平面 609a:標稱中心平面 610:第一輻照軸線 611:第二輻照軸線 901a:遠場強度分佈 901b:遠場強度分佈 901c:遠場強度分佈 902a:劑量輪廓 902b:劑量輪廓 902c:劑量輪廓 1000:2D劑量輪廓 1001:掃描方向 1002:隙縫方向 1003:較高劑量輪廓區 1004:較低劑量輪廓區 1005:隙縫 1103:較高劑量輪廓區 B:輻射光束 BD:光束遞送系統 BK:烘烤板 C:目標部分 CH:冷卻板 CL:電腦系統 D2T:小滴至目標之位置 D2TZ:在z方向上之相對位置 DE:顯影器 IF:位置量測系統 IL:照明系統/照明器 I/O1:輸入/輸出埠 I/O2:輸入/輸出埠 LA:微影設備 LACU:微影控制單元 LB:裝載匣 L2D:雷射至小滴之位置 LC:微影製造單元 M1:光罩對準標記 M2:光罩對準標記 MA:圖案化器件 MP:主脈衝雷射 MP2PP:主脈衝至預脈衝之位置 MT:光罩支撐件(圖2)/度量衡工具(圖4) P1:基板對準標記 P2:基板對準標記 PM:第一*** PP:預脈衝雷射/預脈衝輻射區帶 PS:投影系統 PW:第二*** RO:基板處置器或機器人 SC:旋塗器 SC1:第一標度 SC2:第二標度 SC3:第三標度 SCS:監督控制系統 SO:輻射源 TCU:塗佈顯影系統控制單元 W:基板 WT:基板支撐件 -θ:負側傾角或傾角 +θ:正側傾角或傾角
現在將參看隨附圖式僅作為實例來描述本發明，在該等圖式中：
現在將參看隨附示意性圖式僅作為實例來描述本發明之實施例，在該等圖式中： 圖1描繪EUV光源之示意圖; 圖2描繪微影設備之示意性綜述； 圖3描繪微影製造單元之示意性綜述； 圖4描繪整體微影之示意性表示，其表示用以最佳化半導體製造之三種關鍵技術之間的合作； 圖5描繪指示用於控制微影設備之劑量輪廓之方法中之步驟的流程圖； 圖6描繪雷射產生電漿光源內之小滴之示意性表示； 圖7描繪圖6之雷射產生電漿光源內之圓盤小滴的傾斜角； 圖8描繪預脈衝點火位置及所得圓盤小滴定向之表示； 圖9描繪由不同預脈衝點火位置造成的EUV光之輻射分佈； 圖9a展示關於EUV源設備之各種參數； 圖10以平面圖描繪所展示之2D劑量輪廓； 圖11以平面圖描繪替代的2D劑量輪廓。
601:小滴
602:行進軸線
603:小滴路徑/行進軸線
604:第一輻照區/第一輻照區帶
605:第二輻照區帶/第二輻照區
606:預脈衝雷射
607:主雷射或電漿雷射/主脈衝雷射
608:盤形小滴
609:中心平面
610:第一輻照軸線
611:第二輻照軸線

Claims (15)

  1. 一種用於控制沿著垂直於一微影設備橫越一圖案化器件之一掃描方向的一方向的一劑量或強度輪廓之方法，該圖案化器件具有較高劑量區域及較低劑量區域，該方法包含： 判定在橫越該圖案化器件之該掃描期間的一參數之一所欲變化，其中該參數係與由一源設備提供至該微影設備之一光學輸入端之輻射之一強度分佈相關聯，且其中該判定該所欲變化係至少基於： 該微影設備之該光學輸入端處之該輻射之該強度分佈與該劑量或強度輪廓之間的一關係；及 該等較高劑量區域及該等較低劑量區域沿著一掃描方向之置放。
  2. 如請求項1之方法，其中該源設備包含一電漿光源，在該電漿光源中，一材料之複數個小滴依次轉換成一電漿以使用一輻照源來輻射光，該方法進一步包含： 調整該參數以輻照該複數個小滴以便產生沿著垂直於該掃描方向之一方向之一所欲劑量輪廓。
  3. 如請求項2之方法，其進一步包含： 運用該輻照源沿著一第一輻照軸線依次輻照該複數個小滴以提供複數個盤形小滴；及， 沿著一第二輻照軸線依次輻照該複數個盤形小滴以提供一電漿及所得輻射光。
  4. 如請求項3之方法，其中該參數係與該第二輻照軸線相對於該複數個盤形小滴中之每一者之位置的位置相關，使得該複數個盤形小滴中之每一者沿著該第二輻照軸線在該等盤形小滴之一離心位置處被輻照。
  5. 如請求項3之方法，其中每一盤形小滴相對於該第二輻照軸線傾斜，使得自該電漿輻射之光具有一強度分佈以提供該所欲劑量輪廓。
  6. 如請求項5之方法，其中該每個盤形小滴之該傾斜係藉由沿著該第一輻照軸線輻照該複數個小滴中之每一者來提供，其中該第一輻照軸線相對於該小滴表面切向側傾，該切向側傾經預定為提供一所欲劑量輪廓。
  7. 如請求項3之方法，其中該第一輻照軸線可移動，且該參數為該輻照軸線相對於該小滴位置之位置。
  8. 如請求項2之方法，其中該輻射光為EUV。
  9. 如請求項1之方法，其中該微影設備係一深UV設備。
  10. 如請求項1之方法，其進一步包含：提供一組態檔案以供該微影設備或該源設備使用，其中該組態檔案包含與該微影設備或該源設備相關聯之至少一個預定參數設定。
  11. 一種微影設備，其包含： 一源設備，其用於將輻射提供至該微影設備之一光學輸入端，其中該微影設備經組態以使該輻射在一掃描方向上掃描橫越一圖案化器件，其中該輻射具有沿著垂直於該掃描方向之一方向之一劑量輪廓；及 一處理器，其經組態以使用如請求項1之方法來調整與該源設備相關聯之一參數。
  12. 一種電腦程式，其包含在經執行於至少一個處理器上時致使該至少一個處理器控制一設備以進行如請求項1之方法的指令。
  13. 一種載體，其含有如請求項12之電腦程式，其中該載體為一電子信號、光信號、無線電信號或非暫時性電腦可讀儲存媒體中之一者。
  14. 一種用於將輻射提供至一微影設備之源設備，其中該源設備經組態以接收與該微影設備之一劑量輪廓相關聯的一參數之一或多個設定，其中該一或多個設定係基於如使用如請求項1之方法所判定之該參數。
  15. 一種微影設備，其包括一控制介面，該控制介面經配置以接收特性化垂直於橫越一圖案化器件之一掃描方向的一劑量及/或強度輪廓之一變化之參數，其中該變化係與該圖案化器件上之較高劑量區域及較低劑量區域沿著一掃描方向之置放相關聯。
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