TW201312759A - 光電裝置、光電裝置之驅動方法及電子機器 - Google Patents

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Abstract

本發明係一種光電裝置，其係於半導體基板之第1面上形成有：顯示部，其具有複數個像素電路；及驅動電路，其與上述顯示部相離地配置，且輸出用以驅動上述複數個像素電路之信號。上述複數個像素電路之各者具有第1電晶體。上述驅動電路具有第2電晶體。上述第1電晶體形成於第1井內，並且被供給第1基板電位。上述第2電晶體形成於第2井內。上述第1井之導電型與上述第2井之導電型相同，且上述第1井與上述第2井相互分離。

Description

光電裝置、光電裝置之驅動方法及電子機器
本發明係關於一種於半導體基板形成有像素電路之光電裝置、光電裝置之驅動方法及電子機器。
近年來，提出有各種使用發光元件或液晶元件等光電元件之光電裝置。於該光電裝置中，通常構成為於玻璃基板上對應於掃描線與資料線之交叉而形成像素電路。於該像素電路中，除了包含上述光電元件以外，亦包含電晶體。就於玻璃基板形成像素電路之方面而言，該電晶體通常由薄膜電晶體構成。
另一方面，近年來，以顯示尺寸之小型化或顯示之高精細化等為目的，提出有不於玻璃基板而於以矽基板為代表之半導體基板形成光電裝置之技術(例如，參照專利文獻1、2)。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]美國專利申請案公開第2007/0236440號說明書
[專利文獻2]日本專利特開2009-152113號公報
然而，於在半導體基板形成像素電路時，與形成於玻璃基板之情形相比產生各種問題。
本發明係鑒於上述情況而完成者，其目的之一在於提供 一種考慮於半導體基板形成像素電路之情形之各種問題之光電裝置、光電裝置之驅動方法及電子機器。
為解決上述問題，本發明之光電裝置係於半導體基板形成有：顯示部，其排列有複數個像素電路；及驅動電路，其與上述顯示部相離地配置於上述顯示部之外側，且輸出用以驅動上述複數個像素電路之信號；其特徵在於：構成上述顯示部之複數個像素電路由單一之第1井形成，上述複數個像素電路之各者包含1個或複數個電晶體，該電晶體形成於上述單一之井內，並且被供給共通之基板電位，上述驅動電路包含複數個電晶體，且構成上述驅動電路之複數個電晶體中之至少一個電晶體形成於第2井內，上述第1井之導電型與上述第2井之導電型相同，俯視時上述第1井與上述第2井相互分離。
於本發明中，顯示部中之單一之井藉由極性與其不同之井而包圍。因此，根據本發明，伴隨驅動電路之動作而產生之雜訊難以傳播至顯示部，故而可將對顯示造成之影響抑制為較小。
於本發明中，亦可構成為上述像素電路包含開關電晶體與光電元件，且於上述開關電晶體導通時，供給與上述光電元件之目標亮度對應之電壓。於該構成中，較佳為如下之態樣，即，上述像素電路包含驅動電晶體，上述光電元件為以與流動之電流對應之亮度發光之發光元件，上述驅動電晶體及上述發光元件串聯地連接於第1電源與第2電源 之間，上述驅動電晶體將與上述開關電晶體導通時供給之電壓對應之電流供給至上述發光元件。根據該態樣，開關電晶體與驅動電晶體成為共通之基板電位，並且顯示部中之單一通道型之基板電位穩定化，故而驅動電晶體可實現流動之電流之穩定化。
此處，若使上述基板電位與上述第1電源之電位相等，則無需另行設置饋電線，故而可實現構成之簡易化。另一方面，亦可使上述基板電位與上述第1電源不同。
於本發明中，亦可構成為上述驅動電晶體係將共通連接有閘極之2個以上之電晶體串聯連接者，且使該2個以上之電晶體之基板電位共通。根據該構成，即便使電源電壓較高，亦無需提高電晶體之耐壓。
又，於本發明中，亦可構成為俯視時於設置上述驅動電路之驅動部中與上述顯示部對向之側，形成有極性與上述顯示部相同之井。根據該構成，伴隨驅動電路之動作而產生之雜訊等更加難以傳播至顯示部。
再者，本發明係除了光電裝置以外，亦可對光電裝置之驅動方法、及具有該光電裝置之電子機器進行敍述。電子機器可典型地列舉頭戴式顯示器或電子取景器等顯示裝置。
圖1係表示本發明之實施形態之光電裝置1之立體圖。
該圖所示之光電裝置1例如包含應用於頭戴式顯示器(HMD，Head Mount Display)而顯示圖像之微顯示器10。 微顯示器10係於以矽為代表之半導體基板形成有複數個像素電路及驅動該像素電路之驅動電路等之有機EL(Electro Luminescence，電場發光)裝置，於像素電路中包含作為發光元件之一例之有機發光二極體(Organic Light Emitting Diode，以下稱為「OLED」)。再者，於以下記載中，作為本發明中較佳之半導體基板而以矽基板為例進行說明，但包含其他公知之半導體材料之半導體基板亦可同樣地應用於本發明中。
微顯示器10收納於在顯示部處開口之框狀之盒體12，並且連接有FPC(Flexible Printed Circuits，可撓性印刷電路)基板14之一端。於FPC基板14之另一端設置有複數個端子16，且連接於省略圖示之電路模組。連接於端子16之電路模組兼作微顯示器10之電源電路及控制電路，除了經由FPC基板14供給各種電位以外，亦供給資料信號或控制信號等。
圖2係表示微顯示器10中各部之配置之平面圖，圖3係表示微顯示器10中之電性構成之方塊圖。再者，於圖2中，為了方便說明，設為將圖1中之盒體12卸除之狀態。
於圖2中，顯示部100係俯視時例如為對角為1英吋左右且於左右方向橫長之長方形之形狀。關於詳細情況若參照圖3進行說明，則於顯示部100中，沿著圖中左右方向設置有m列掃描線112，沿著上下方向且以保持與各掃描線112相互電性絕緣之方式設置有n行資料線114。因此，像素電路110係於顯示部100中對應於m列掃描線112與n行資料線 114之各交叉而配置為矩陣狀。
m、n均為自然數。又，為了方便區別掃描線112及像素電路110之矩陣中之列，而存在於圖3中自上依序地稱為1、2、3、...、(m-1)、m列之情形。同樣地，為了方便區別資料線114及像素電路110之矩陣之行，而存在於圖3中自左依序地稱為1、2、3、...、(n-1)、n行之情形。
又，實際上，例如，對應於同一列之掃描線112與相互相鄰之3行資料線114之交叉之3個像素電路110分別對應於R(紅)、G(綠)、B(藍)之像素，而表現該等3個像素應顯示之彩色圖像之1點。換言之，本實施形態構成為藉由RGB之3個像素電路110之發光元件之加法混色而表現1點之彩色。
於顯示部100之周邊設置有用以驅動像素電路110之驅動電路(周邊電路)。於本實施形態中，驅動電路之例為掃描線驅動電路140與資料線驅動電路150，其中，掃描線驅動電路140於相對於顯示部100為左右之兩鄰側，分別與顯示部100相離地設置。詳細而言，如圖3所示，2個掃描線驅動電路140構成為自兩側分別驅動m列掃描線112之各者。掃描線驅動電路140之各者自上述電路模組供給有相同之控制信號Ctry，並將相同之掃描信號Gwr(1)、Gwr(2)、Gwr(3)、...、Gwr(m-1)、Gwr(m)分別供給至第1、2、3、...、(m-1)、m列之掃描線112。
再者，於該供給時，只要無掃描信號延遲之問題，則亦可為僅於單側設置1個掃描線驅動電路140之構成。
如圖2所示，資料線驅動電路150於FPC基板14之連接部位與顯示部100之間，與顯示部100相離地設置。如圖3所示，於資料線驅動電路150中自上述電路模組供給有圖像信號Vd、控制信號Ctrx。資料線驅動電路150根據控制信號Ctrx將圖像信號Vd作為資料信號Vd(1)、Vd(2)、Vd(3)、...、Vd(n-1)、Vd(n)供給至第1、2、3、...、(n-1)、n行之資料線114。
又，於本實施形態中，電位V1、V2自上述電路模組經由FPC基板14遍及各像素電路110而供給至顯示部100。
像素電路110、掃描線驅動電路140及資料線驅動電路150形成於共通之矽基板。其中，掃描線驅動電路140輸出之掃描信號Gwr(1)~Gwr(m)為以H或L位準規定之邏輯信號。因此，掃描線驅動電路140成為根據控制信號Ctry動作之CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor，互補金屬氧化物半導體)邏輯電路之集合體。又，於掃描線驅動電路140中，將電源之高位側設為電位Vdd，將低位側設為電位Vss。因此，於掃描信號Gwr(1)~Gwr(m)中，H位準相當於電位Vdd，L位準相當於電位Vss。
又，資料線驅動電路150輸出之資料信號Vd(1)~Vd(n)為模擬信號，但資料線驅動電路150構成為根據控制信號Ctrx將自上述電路模組供給之資料信號Vd依序地供給至1~n行之資料線114。因此，資料線驅動電路150亦具有CMOS邏輯電路。另一方面，像素電路110係如下所述具有複數個電晶體，但於本實施形態中為P通道型而加以統 一。
因此，於由矽基板形成之微顯示器10如下述般形成有井區域。
圖4係表示微顯示器10中之井區域之概略配置之圖，圖5係包含微顯示器10中之顯示部100與掃描線驅動電路140之邊界部分之主要部分剖面圖。
於例如使用P型半導體基板作為基板之情形時，如下所述形成有N型井區域(以下簡稱為「N井」)。
即，如圖4所示，第1，遍及對應於顯示部100之區域而連續地形成有N井104。第2，於對應於驅動電路之區域即驅動部(周邊部)中對應於掃描線驅動電路140之區域，以順著複數個橫向延伸之帶狀之開口部分之方式、且以包圍邊緣之方式，連續地形成有N井105、106。第3，遍及驅動部中對應於資料線驅動電路150之區域之圖4中之上側、即與顯示部100對向之側之上方區域連讀地形成有N井108。
因此，結果如圖4所示，以俯視時於驅動電路之內側且包圍顯示部100之方式，於驅動電路與顯示部100相離之部分殘留具備與顯示部100之N井不同之導電型之P型半導體基板區域102。
又，於掃描線驅動電路140之區域之開口部分，分別殘留P型半導體基板區域107。因此，於掃描線驅動電路140之邊緣部分，N井105配置為框狀，另一方面，於邊緣部分之內側，N井106與P型半導體基板區域107遍及圖中之上下方向而交替地配置。又，於資料線驅動電路150之區域中 之圖中之下方區域，殘留P型半導體基板區域109。
因此，顯示部100之N井104與驅動部之N井105、106、108藉由P型半導體基板區域102而分離，除此以外，對於驅動部之P型半導體基板區域107，亦藉由P型半導體基板區域102及N井105而分離。
亦可對藉由形成N井104、105、106、108而殘留之部分、即P型半導體基板區域102、107、109注入P型雜質而形成P井。
再者，形成於顯示部100之P通道型電晶體如下所述形成於N井104。於構成掃描線驅動電路140之CMOS邏輯電路中，P通道型電晶體形成於N井105、106，N通道型電晶體形成於P型半導體基板區域107。於構成資料線驅動電路150之CMOS邏輯電路中，P通道型電晶體形成於N井108，N通道型電晶體形成於P型半導體基板區域109。
又，於圖4中，於掃描線驅動電路140之各區域中，P型半導體基板區域107配置有7列，但於本實施形態中，例如相互鄰接之N井106與P型半導體基板區域107相當於1列，故而實際上為配置像素電路110之列數，即m列。又，圖中未施加影線之空白部分係於將P型半導體基板用於矽基板之情形時成為P型半導體基板區域，但與本發明無關。因此，作為空白而表示。
圖6係像素電路110之電路圖。於該圖中表示對應於第i列及於相對於該第i列在下側相鄰之第(i+1)列之掃描線112、與第j行及於相對於該第j行在右側相鄰之第(j+1)行之 資料線114之交叉之2×2之共計4像素之像素電路110。此處，i、(i+1)為通常表示像素電路110所排列之列之情形之記號，為1以上且m以下之整數。同樣地，j、(j+1)為通常表示像素電路110所排列之行之情形之記號，為1以上且n以下之整數。
如圖6所示，各像素電路110包含P通道MOS(Metal Oxide Semiconductor，金屬氧化物半導體)之電晶體122、124、126、電容元件128、及OLED130。由於各像素電路110自電性來看為彼此相同之構成，故而以位於i列j行者為代表進行說明。
i列j行之像素電路110之電晶體122作為開關電晶體發揮功能。於電晶體122中，閘極節點連接於第i列之掃描線112，另一方面，其汲極或源極節點之一者連接於第j行之資料線114，其源極或汲極節點之另一者分別連接於電容元件128之一端、及電晶體124、126之共通閘極節點。
電晶體124之源極節點連接於電容元件128之另一端，並且連接於供給電源之高位側之電位V1之饋電線116，其汲極節點連接於電晶體126之源極節點。又，電晶體126之汲極節點連接於OLED130之陽極。
由於電晶體124、126串聯地連接，並且使閘極節點共通，故而可視作1個驅動電晶體。詳細而言，於視作驅動電晶體時，電晶體124、126之共通閘極節點為閘極，電晶體124之源極節點為源極，電晶體126之汲極節點為汲極。而且，驅動電晶體使與利用電容元件128之保持電壓即閘 極、源極間之電壓對應之電流於OLED130中流動。
再者，OLED130之陽極為針對每個像素電路110而個別地設置之像素電極。另一方面，OLED130之陰極為遍及所有像素電路110之共通電極117，且供給有電源之低位側之電位V2。OLED130為於矽基板中相互對向之陽極與具有透明性之陰極之間夾持包含有機EL材料之發光層之元件，且以與自陽極向陰極流動之電流對應之亮度而發光。
再者，於圖6中，Gwr(i)、Gwr(i+1)係表示分別供給至第i、(i+1)列之掃描線112之掃描信號，又，Vd(j)、Vd(j+1)係表示分別供給至第j、(j+1)行之資料線114之資料信號。
又，方便起見，將i列j行之像素電路110中電晶體124、126之共通閘極節點記為g(i、j)。
另一方面，存在對於電容元件128而言，可使用寄生於電晶體124、126之閘極節點之電容之情形。
此處，如圖5所示，電晶體122構成為包含介隔絕緣膜41而形成於N井104之閘極節點42、及將該閘極節點42作為遮罩並注入離子而形成之2個P型擴散層(P+)。而且，各擴散層被抽出而成為源極節點、汲極節點。
電晶體124構成為包含介隔絕緣膜43而形成於N井104之閘極節點44、及將該閘極節點44作為遮罩並注入離子而形成之2個P型擴散層(P+)。雖省略圖示，但電晶體126亦相同。
再者，於本實施形態中，於對於電晶體122、124、126共通之N井104經由N型擴散層(N+)46供給有電位V1。因 此，電晶體122、124、126之基板電位成為電位V1。
又，電晶體142係於掃描線驅動電路140中構成CMOS邏輯電路之P通道型之電晶體。電晶體142係包含介隔絕緣膜而形成於掃描線驅動電路140之區域中之N井106之閘極節點、及將該閘極節點作為遮罩並注入離子而形成之2個P型擴散層(P+)，且各擴散層被抽出而成為源極節點、汲極節點。於N井106中經由N型擴散層(N+)51而供給有電位Vdd。因此，電晶體142之基板電位成為電位Vdd。
再者，電位Vdd亦可與電位V1相等。又，雖未於圖5中表示，但電位Vss與電位V2亦可相等。
圖7係表示微顯示器10之顯示動作之圖，且表示掃描信號及資料信號之波形之一例。
如該圖所示，掃描信號Gwr(1)、Gwr(2)、Gwr(3)、...、Gwr(m-1)、Gwr(m)係藉由掃描線驅動電路140而遍及各幀地於每一水平掃描期間(H)依序地被選擇且互斥地成為L位準。
再者，於本說明中，所謂幀，係指使每1鏡頭(彗形像差)之圖像顯示於微顯示器10所需要之期間，若垂直掃描頻率為60 Hz，則係指該每1週期之16.67毫秒之期間。
再者，於選擇第i列之掃描線112且使掃描信號Gwr(i)自H成為L位準時，與i列j行之目標亮度對應之電位、換言之與OLED130中應流動之電流對應之電位之資料信號Vd(j)藉由資料線驅動電路150而供給至第j行之資料線114。
若於i列j行之像素電路110中掃描信號Gwr(i)成為L位 準，則電晶體122導通，故而閘極節點g(i、j)成為電性連接於第j行之資料線114之狀態。因此，閘極節點g(i、j)之電位係如圖7中向上箭頭所示般成為資料信號Vd(j)之電位。此時，電晶體124、126係使閘極節點g(i、j)與源極節點之電位之差、即與就驅動電晶體而言時之閘極、源極間之電壓對應之電流於OLED130中流動。此時，電容元件128保持該閘極、源極間之電壓。
於第i列之掃描線112之選擇結束且掃描信號Gwr(i)成為H位準時，電晶體122自導通切換為斷開。即便電晶體122切換為斷開，該電晶體122導通時之電晶體124、126之共通閘極節點之電位亦藉由電容元件128而保持。因此，即便電晶體122斷開，電晶體124、126亦使與利用電容元件128之保持電壓對應之電流於OLED130中持續流動直至下次再次選擇第i列之掃描線112為止。因此，於i列j行之像素電路110中，OLED130以與選擇第i列時之資料信號Vd(j)之電位對應之亮度且遍及與1幀相當之期間而持續發光。
再者，於第i列中，第j行以外之像素電路110中，亦以與供給至對應之資料線114之資料信號之電位對應之亮度而發光。又，此處，利用對應於第i列之掃描線112之像素電路110進行說明，但掃描線112係以第1、2、3、...、(m-1)、m列之順序加以選擇，其結果，像素電路110之各者分別以與目標值對應之亮度而發光。該種動作針對每一幀而反覆進行。
又，於圖7中，適當擴大資料信號Vd(j)、閘極節點g(i、 j)之電位範圍而使其大於作為邏輯信號之掃描信號之電位範圍。
於本實施形態中，顯示部100中之N井104與驅動電路中之N井105、106、108係藉由包圍N井104之P型半導體基板區域102而分離。換言之，形成有構成掃描線驅動電路140之電晶體之井中距顯示部100最近之井即N井105自顯示部之N井104分離。
又，掃描線驅動電路140中之P型半導體基板區域107藉由N井105、106而包圍，另一方面，資料線驅動電路150中之P型半導體基板區域109位於顯示部100之非對向側。因此，顯示部100中之N井104藉由P型半導體基板區域102及N井105、106、108而自驅動電路中之P型半導體基板區域107、109分離。
驅動電路藉由時脈等不斷地進行邏輯動作，故而可謂之為雜訊等之產生源。相對於此，於本實施形態中，以如圖4般於俯視時包圍顯示部100之方式設置有P型半導體基板區域102。因此，驅動電路中產生之雜訊等藉由P型半導體基板區域102予以吸收或阻止，故而可抑制雜訊等所引起之顯示品質之降低。例如，如圖5所示，即便形成於掃描線驅動電路140之N井106之電晶體142中產生雜訊，該雜訊亦藉由P型半導體基板區域102予以吸收或阻止。
因此，根據本實施形態，由於顯示部100在難以受到來自驅動電路之干擾之狀態下動作，故而可抑制顯示品質之降低。
於包含電晶體124、126之驅動電晶體中，就使電流穩定地流動之觀點而言，可謂之較理想的是使電晶體124、126之基板電位穩定化。於本實施形態中，顯示部100中之像素電路110之電晶體122、124、126全部統一為P通道型，而形成於共通之N井104。即，由於共通之N井104遍及顯示部100而連續地形成，故而驅動電晶體可使電流穩定地流動。
又，於本實施形態中，供給至顯示部100之電源包含基板電位在內為電位V1、電位V2之2個，故而可實現構成之簡易化。
然而，為使OLED130以某程度之亮度而發光，而必需使電位V1、V2之差即電源電壓儘可能較高。另一方面，於顯示低灰階之情形時，OLED130中流動之電流變少，OLED130之陽極與電位V2之間之電壓會逐漸降低，故而於此狀況下，施加於驅動電晶體之源極、汲極間之電壓逐漸變高。最後，於將OLED130之亮度設為零之狀態下，施加於驅動電晶體之源極、汲極間之電壓為最大。
此處，為了提高可施加於形成於矽基板之電晶體之源極、汲極間之電壓(耐壓)，必需增大電晶體之尺寸而緩和電場密度。然而，於要求顯示部100之小尺寸化、及顯示之高精細化之情形時，所要形成之電晶體之尺寸亦必然變小，故而耐壓降低。因此，於驅動電晶體為1個之構成中，於使OLED130以低亮度而發光時，施加於源極、汲極間之電壓會超過電晶體之耐壓，而有導致電晶體損壞之可 能性。
即，提高電源電壓而使OLED130以較高之亮度而發光與顯示尺寸之小型化、顯示之高精細化，先前可謂處於取捨關係。
相對於此，於本實施形態中，構成為藉由2個電晶體124、126將驅動電晶體串聯連接。於該構成中，電流不於OLED130中流動時，電晶體124、126斷開，故而電晶體124之汲極節點與電晶體126之源極節點成為浮動(floating)狀態。因此，電晶體124、126之源極、汲極間未施加有電壓。又，於OLED130中流動之電流較少時，於電晶體124之源極節點與電晶體126之汲極節點之間施加有相對較高之電壓，就電晶體124、126之單體而言，由於被分壓，故而未被施加較高之電壓。
因此，即便電晶體124、126之各單體之耐壓較低，亦無問題。
因此，於本實施形態中，可兼顧以較高之亮度使OLED130發光與顯示尺寸之小型化、顯示之高精細化兩者。
再者，於僅要求使OLED130以較高之亮度而發光或顯示尺寸之小型化、顯示之高精細化中之任一者之情形時，亦可由1個電晶體構成驅動電晶體。
<應用、變形例>
本發明並不限定於上述實施形態，例如，可進行如下所述之各種應用、變形。又，以下所述之應用、變形之態樣 亦可為任意選擇之一個或適當組合複數個。
<基板電位與電源之分離>
於實施形態中，將電晶體122、124、126之基板電位設為電位V1以與電源之高位側共用，但亦可如圖8所示般設為經由另行設置之饋電線118供電之電位V3，而形成自電源分離之構成。電位V3亦可為與電位V1不同之電位。
<電晶體之通道型等>
於實施形態中，將電晶體122、124、126設為P通道，但亦可相反地設為N通道。於設為N通道之情形時，各井反轉。
又，於將驅動電晶體串聯地連接之情形時，亦可為3個以上。
<光電元件>
於實施形態中，作為光電元件，例示了作為發光元件之OLED，但例如亦可為無機發光二極體或LED(Light Emitting Diode，發光二極體)。又，作為光電元件，除了發光元件以外，亦可使用由像素電極與共通電極夾持液晶層之液晶元件。
再者，由於液晶元件為電壓驅動型，故而無需驅動電晶體。即，由於構成為於開關電晶體連接有像素電極，故而無需驅動電晶體。於該構成中，經由資料線供給之資料信號之電壓、即與目標亮度對應之電壓於開關電晶體導通時施加並保持於像素電極。而且，液晶層成為與所施加、保持之電壓對應之配向狀態，故而就液晶元件而言，成為與 該電壓對應之穿透率(或反射率)。
<電子機器>
其次，對應用有實施形態之微顯示器10之頭戴式顯示器進行說明。
圖9係表示頭戴式顯示器之外觀之圖，圖10係表示其光學構成之圖。
首先，如圖9所示，就外觀而言，頭戴式顯示器300與普通之眼鏡同樣地，包含鏡腳31、橋接器32、及透鏡301L、301R。又，頭戴式顯示器300係如圖10所示般於橋接器32附近且透鏡301L、301R之裏側(圖中為下側)設置有左眼用微顯示器10L與右眼用微顯示器10R。
微顯示器10L之圖像顯示面以成為圖10中左側之方式配置。藉此，微顯示器10L之顯示圖像經由光學透鏡302L而出射至圖中9時之方向。半反射鏡303L使微顯示器10L之顯示圖像反射至6時之方向，另一方面，使自12時之方向入射之光穿透。
微顯示器10R之圖像顯示面配置為與微顯示器10L相反之右側。藉此，微顯示器10R之顯示圖像經由光學透鏡302R而出射至圖中3時之方向。半反射鏡303R使微顯示器10R之顯示圖像反射至6時方向，另一方面，使自12時之方向入射之光穿透。
於該構成中，頭戴式顯示器300之佩戴者可以與外部之樣子疊合之透明狀態觀察微顯示器10L、10R之顯示圖像。
又，於該頭戴式顯示器300中，若使伴隨視差之兩眼圖 像中左眼用圖像顯示於微顯示器10L，使右眼用圖像顯示於微顯示器10R，則對於佩戴者而言，可感覺到所顯示之圖像好像具有深度或立體感(3D顯示)。
再者，對於微顯示器10而言，除了應用作頭戴式顯示器300以外，亦可應用作攝影機、或透鏡交換式數位相機等中之電子式取景器。
1‧‧‧光電裝置
10‧‧‧微顯示器
10L‧‧‧微顯示器
10R‧‧‧微顯示器
12‧‧‧盒體
14‧‧‧FPC基板
16‧‧‧端子
31‧‧‧鏡腳
32‧‧‧橋接器
41‧‧‧絕緣膜
42‧‧‧閘極節點
43‧‧‧絕緣膜
44‧‧‧閘極節點
46‧‧‧N型擴散層(N+)
51‧‧‧N型擴散層(N+)
100‧‧‧顯示部
102‧‧‧P型半導體基板區域
104‧‧‧N井
105‧‧‧N井
106‧‧‧N井
107‧‧‧P型半導體基板區域
108‧‧‧N井
109‧‧‧P型半導體基板區域
110‧‧‧像素電路
112‧‧‧掃描線
114‧‧‧資料線
116‧‧‧饋電線
117‧‧‧共通電極
118‧‧‧饋電線
122‧‧‧電晶體
124‧‧‧電晶體
126‧‧‧電晶體
128‧‧‧電容元件
130‧‧‧OLED
140‧‧‧掃描線驅動電路
150‧‧‧資料線驅動電路
300‧‧‧頭戴式顯示器
301L‧‧‧透鏡
301R‧‧‧透鏡
302L‧‧‧光學透鏡
302R‧‧‧光學透鏡
303L‧‧‧半反射鏡
303R‧‧‧半反射鏡
Ctrx‧‧‧控制信號
Ctry‧‧‧控制信號
Gwr(1)~Gwr(m)‧‧‧掃描信號
V1‧‧‧電位
V2‧‧‧電位
V3‧‧‧電位
Vd(1)~Vd(n)‧‧‧資料信號
Vdd‧‧‧電位
Vss‧‧‧電位
圖1係表示本發明之實施形態之光電裝置之立體圖。
圖2係表示光電裝置中之各部之配置之平面圖。
圖3係表示光電裝置之電性構成之方塊圖。
圖4係表示光電裝置中之井區域之圖。
圖5係光電裝置之主要部分剖面圖。
圖6係表示光電裝置中之像素電路之圖。
圖7係表示光電裝置之動作之圖。
圖8係表示應用、變形例之光電裝置之像素電路之圖。
圖9係表示使用實施形態之光電裝置之HMD之立體圖。
圖10係表示HMD之光學構成之圖。
1‧‧‧光電裝置
10‧‧‧微顯示器
100‧‧‧顯示部
102‧‧‧P型半導體基板區域
104‧‧‧N井
105‧‧‧N井
106‧‧‧N井
107‧‧‧P型半導體基板區域
108‧‧‧N井
109‧‧‧P型半導體基板區域
140‧‧‧掃描線驅動電路
150‧‧‧資料線驅動電路

Claims (10)

  1. 一種光電裝置，其係於半導體基板形成有：顯示部，其排列有複數個像素電路；及驅動電路，其與上述顯示部相離地配置於上述顯示部之外側，且輸出用以驅動上述複數個像素電路之信號；其特徵在於：構成上述顯示部之複數個像素電路由單一之第1井形成，上述複數個像素電路之各者包含1個或複數個電晶體，該電晶體形成於上述單一之第1井內，並且被供給共通之基板電位，上述驅動電路包含複數個電晶體，且構成上述驅動電路之複數個電晶體中之至少一個電晶體形成於第2井內，上述第1井之導電型與上述第2井之導電型相同，俯視時上述第1井與上述第2井相互分離。
  2. 如請求項1之光電裝置，其中上述像素電路包含開關電晶體與光電元件，且於上述開關電晶體導通時，供給與上述光電元件之目標亮度對應之電壓。
  3. 如請求項2之光電裝置，其中上述像素電路包含驅動電晶體，上述光電元件係以與流通之電流對應之亮度而發光之 發光元件，上述驅動電晶體及上述發光元件串聯連接於第1電源與第2電源之間，上述驅動電晶體將與上述開關電晶體導通時供給之電壓對應之電流供給至上述發光元件。
  4. 如請求項3之光電裝置，其中上述基板電位與上述第1電源之電位相等。
  5. 如請求項3之光電裝置，其中上述基板電位與上述第1電源不同。
  6. 如請求項3至5中任一項之光電裝置，其中上述驅動電晶體係將共通連接有閘極之2個以上之電晶體串聯連接者，且使該2個以上之電晶體之基板電位共通。
  7. 如請求項1至6中任一項之光電裝置，其中俯視時於設置上述驅動電路之驅動部中與上述顯示部對向之側，形成有極性與上述顯示部相同之井。
  8. 一種光電裝置，其係於半導體基板之第1面上形成有：顯示部，其包含複數個像素電路；及驅動電路，其與上述顯示部相離地配置，且輸出用以驅動上述複數個像素電路之信號；其特徵在於：上述複數個像素電路之各者包含第1電晶體，上述驅動電路包含第2電晶體，上述第1電晶體形成於第1井內，並且被供給第1基板電位， 上述第2電晶體形成於第2井內，上述第1井之導電型與上述第2井之導電型相同，上述第1井與上述第2井相互分離。
  9. 一種光電裝置之驅動方法，該光電裝置係於半導體基板形成有：顯示部，其排列有複數個像素電路；及驅動電路，其與上述顯示部相離地配置於上述顯示部之外側，且輸出用以驅動上述複數個像素電路之信號；其特徵在於：上述顯示部由單一之井形成，上述複數個像素電路之各者包含1個或複數個電晶體，該電晶體形成於上述單一之井，並且使基板電位共通，以俯視時於上述驅動電路之內側且包圍上述顯示部之方式設置極性與上述單一之井不同之井。
  10. 一種電子機器，其特徵在於包含如請求項1至8中任一項之光電裝置。
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