JP5050884B2 - 電気光学装置用基板、電気光学装置および電子機器 - Google Patents
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Description
(全体構成)
図1は、本発明の実施の形態1に係る電気光学装置(液晶装置)に用いた素子基板の電気的な構成を示すブロック図である。図2(a)、(b)は各々、本発明の実施の形態1に係る電気光学装置をその上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図、およびそのH−H′断面図である。
図3(a)、(b)は各々、本発明の実施の形態1に係る電気光学装置100の相隣接する画素1つ分の平面図、および画素1つ分の断面図である。なお、図3(b)は図3(a)のX−X′線における断面図であり、図3(a)では、走査線3aおよびそれと同時形成された導電膜は太い実線で示し、データ線6aなどの第1導電層は太い一点鎖線で示し、ドレイン電極などの第2導電層は二点鎖線で示し、フィールド酸化膜の除去領域は短い点線で示し、画素電極9aは長い点線で示してある。
図4(a)、(b)は各々、本発明の実施の形態1に係る電気光学装置100に用いた第1基板のパッド形成領域付近を模式的に示す平面図、および縁領域以外の領域でガードリングを横切るように第1基板を切断した様子を模式的に示す断面図であり、図4(b)は、図4(a)のC1−C1′断面図に相当する。図5(a)、(b)、(c)は各々、本発明の実施の形態1に係る電気光学装置100において、パッドを通って基板の縁部に向かう線に沿って第1基板を切断した様子を模式的に示す断面図、パッド間を通って基板の縁部に向かう線に沿って第1基板を切断した様子を模式的に示す断面図、および第1基板10にフレキシブル配線基板を異方性導電材により接続したときの説明図であり、図5(a)、(b)は各々、図4(a)のA1−A1′断面図、および図4(a)のB1−B1′断面図に相当する。なお、図5(c)は、図4(a)のA1−A1′断面図に対応する。
本形態の第1基板10を電気光学装置100に用いる際、パッド形成領域12には、図5(c)に示すように、フィルム状の異方性導電膜(Anisotropic Conductive Film)、あるいはペースト状の異方性導電剤からなる異方性導電材95によりフレキシブル配線基板90が接続される。かかるフレキシブル配線基板90には、樹脂基材92上に、パッド102に電気的に接続される導電パターン91がパッド102の延長線と重なるように帯状に形成されている。異方性導電材95では、樹脂マトリクス97中に導電粒子96が分散されている。従って、第1基板10とフレキシブル配線基板90との間に異方性導電材95を挟んだ状態で、フレキシブル配線基板90を加熱しながら第1基板10を圧着すると、第1基板10とフレキシブル配線基板90は、異方性導電材95の樹脂マトリクス97により固定されるとともに、パッド102と導電パターン91とが電気的に接続される。
上記実施の形態1では、縁領域1zで第2導電層8sを分割する一方、第1導電層6sを連続的に延在させ、縁領域1zでは第2層間絶縁膜72に対するビアホール72sの形成を行なわない構成を採用したが、縁領域1zでは第1層間絶縁膜71に対するビアホール71sの形成も行なわない構成を採用してもよい。
(パッドおよびガードリングの構成)
図6(a)、(b)は各々、本発明の実施の形態2に係る電気光学装置100に用いた第1基板のパッド形成領域付近を模式的に示す平面図、および縁領域以外の領域でガードリングを横切るように第1基板を切断した様子を模式的に示す断面図であり、図6(b)は、図6(a)のC2−C2′断面図に相当する。図7(a)、(b)、(c)は各々、本発明の実施の形態2に係る電気光学装置100において、パッドを通って基板の縁部に向かう線に沿って第1基板を切断した様子を模式的に示す断面図、パッド間を通って基板の縁部に向かう線に沿って第1基板を切断した様子を模式的に示す断面図、および第1基板にフレキシブル配線基板を異方性導電材により接続したときの説明図であり、図7(a)、(b)は各々、図6(a)のA2−A2′断面図、および図6(a)のB2−B2′断面図に相当する。なお、図7(c)は、図6(a)のA2−A2′断面図に対応する。なお、本形態の基本的な構成は実施の形態1と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付して図示し、それらの説明を省略する。
本形態でも、実施の形態1と同様、第1基板10を電気光学装置100に用いる際、パッド形成領域12には、図7(c)に示すように、異方性導電材95によりフレキシブル配線基板90が接続される。その際、導電粒子96が絶縁膜70を突き破ることがあるが、第2導電層8sは、縁領域1zではパッド102と対応する位置毎に分割され、フレキシブル配線基板90の導電パターン91と重なる位置は、第2導電層8sの途切れ部分8tになっている。このため、導電粒子96が絶縁膜70を突き破っても、パッド102同士がガードリング5やウェル領域1xを介して短絡した状態とはならないなど、実施の形態1と同様な効果を奏する。
上記実施の形態2では、縁領域1zで第2導電層8sを分割する一方、第1導電層6sを連続的に延在させ、第2層間絶縁膜72に対するビアホール72sの形成、および第1層間絶縁膜71に対するビアホール71sの形成の双方を行なったが、第2層間絶縁膜72に対するビアホール72sの形成、または/および第1層間絶縁膜71に対するビアホール71sの形成を行なわない構成を採用してもよい。
図8(a)、(b)、(c)は各々、本発明の実施の形態3に係る電気光学装置100に用いた第1基板のパッド形成領域付近を模式的に示す平面図、パッドを通って基板の縁部に向かう線に沿って第1基板を切断した様子を模式的に示す断面図、およびパッド間を通って基板の縁部に向かう線に沿って第1基板を切断した様子を模式的に示す断面図であり、図8(b)、(c)は各々、図8(a)のA3−A3′断面図、および図8(a)のB3−B3′断面図に相当する。なお、本形態の基本的な構成は実施の形態1と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付して図示し、それらの説明を省略する。
本発明は、実施の形態1〜3で説明したように、液晶装置に適用できる他、有機EL装置やデジタルライトプロセッシング装置(以下、DLP(Digital Light Processing)装置という)にも適用できる。そこで、本発明を有機EL装置に適用した例を簡単に説明する。なお、以下の説明では、実施の形態1〜3との対応が分りやすいように、可能な限り、対応する部分には同一の符号を付して説明する。
上記実施の形態では2つの導電層でガードリング5を形成したが、層間絶縁膜を挟んで積層された複数の導電層によってガードリングを形成する場合がある。この場合、縁領域1zでは、複数の導電層のうち、最上層の導電層(最上導電層)を含む1乃至複数の上層側の導電層に途切れ部分を形成し、他の導電層について、縁領域1zで途切れず連続して延在している構成を採用すればよい。
本発明に係る電気光学装置100のうち、実施の形態1〜3に係る反射型の液晶装置は、図10(a)に示す投射型表示装置(液晶プロジェクタ/電子機器)や、図10(b)、(c)に示す携帯用の電子機器などに用いることができ、実施の形態4に係る有機EL装置は、図10(b)、(c)に示す携帯用電子機器などに用いることができる。
上記実施の形態1〜4は、第1基板10(電気光学装置用基板)の基材として半導体基板を用いたが、かかる基材として、ガラス基板、金属基板、セラミック基板を用いた電気光学装置100に本発明を適用してもよい。また、上記実施の形態1〜4では、第1基板10の基材として半導体基板を用いたため、電気光学装置100を反射型液晶装置やトップエミッション型の有機EL装置として構成したが、第1基板10の基材として、石英基板やガラス基板などの透光性基板を用いれば、電気光学装置100を透過型あるいは半透過反射型の液晶装置やボトムエミッション型の有機EL装置として構成でき、かかる電気光学装置において第1基板10(電気光学装置用基板)にガードリング5を形成する際、本発明を適用してもよい。このように構成した場合も、電気光学装置100は、各種電子機器において、直視型の表示装置、あるいは透過型投射装置のライトバルブとして用いることができる。
Claims (11)
- 画素電極および画素トランジスタを備えた画素が複数、配列された画素領域と、基板縁部に沿って複数のパッドが配列されたパッド形成領域とを基板上に備え、前記基板上には、異方性導電材により前記パッドに電気的に接続された導電パターンを備えた配線基板が接続された電気光学装置用基板であって、
前記基板上には、前記パッド形成領域と前記基板縁部とに挟まれた縁領域を通って前記基板上の外周縁に沿って延在するガードリングが形成され、
前記縁領域において前記パッドから前記基板縁部に向かう仮想の延長線上には前記ガードリングの最上層を構成する最上層導電層が残され、当該延長線を挟む両側は前記最上層導電層の途切れ部分になっていることを特徴とする電気光学装置用基板。 - 画素電極および画素トランジスタを備えた画素が複数、配列された画素領域と、基板縁部に沿って複数のパッドが配列されたパッド形成領域とを基板上に備え、前記基板上には、異方性導電材により前記パッドに電気的に接続された導電パターンを備えた配線基板が接続された電気光学装置用基板であって、
前記基板上には、前記パッド形成領域と前記基板縁部とに挟まれた縁領域を通って前記基板上の外周縁に沿って延在するガードリングが形成され、
前記縁領域において前記パッドから前記基板縁部に向かう仮想の延長線を挟む両側には前記ガードリングの最上層を構成する最上層導電層が残され、当該延長線上は前記最上層導電層の途切れ部分になっていることを特徴とする電気光学装置用基板。 - 前記縁領域に形成された前記最上層導電層において前記途切れ部分によって分割された部分は、電気的にフローティング状態にあることを特徴とする請求項1または2に記載の電気光学装置用基板。
- 前記ガードリングは、層間絶縁膜を挟んで積層された複数の導電層によって形成され、
前記縁領域では、前記複数の導電層のうち、前記最上層導電層を含む1乃至複数の上層側の導電層に前記途切れ部分が形成され、他の導電層は、前記縁領域で途切れず連続して延在していることを特徴とする請求項1乃至3の何れか一項に記載の電気光学装置用基板。 - 前記縁領域において、前記最上層導電層は、絶縁膜により覆われていることを特徴とする請求項1乃至3の何れか一項に記載の電気光学装置用基板。
- 前記絶縁膜では、前記最上層導電層の表面を直接覆う層が耐湿性絶縁膜であることを特徴とする請求項5に記載の電気光学装置用基板。
- 前記縁領域において、前記最上層導電層は、表面が絶縁膜から露出した状態にあって前記異方性導電材に直接、接していることを特徴とする請求項1乃至4の何れか一項に記載の電気光学装置用基板。
- 請求項1乃至7の何れか一項に記載の電気光学装置用基板を備えた電気光学装置。
- 前記電気光学装置用基板と、該電気光学装置用基板に配置された基板との間に液晶が保持されていることを特徴とする請求項8に記載の電気光学装置。
- 前記画素電極上には有機エレクトロルミネッセンス素子用の機能層が形成されていることを特徴とする請求項8に記載の電気光学装置。
- 請求項8乃至10の何れか一項に記載の電気光学装置を備えていることを特徴とする電子機器。
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