TW201207991A - Heat treatment apparatus and substrate sucking method - Google Patents

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201207991 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於基板支樓構造、基板支標構造所使用之第一 片狀物、基板支撐構造之製造方法、對基板進行熱處理之熱 處理裝置、以及吸附基板之基板吸附方法，其中，該基板支 撐構造支樓半導體基板、液晶顯示裝置用玻璃基板、光罩用 玻璃基板、光碟用基板等（以下，僅稱為「基板」）。 【先前技術】 近年’形成於基板上之圖案之線寬尺寸或線寬均一性之期 望值’支得嚴格，伴隨此光微影之烘烤熱處理、尤其曝光後之 烘烤(PEB : PGst ExpGsure Bake)時之溫度均—性之要求亦提 高。 因此，提出有吸附基板而進行熱處理之熱處理裝置（例 如’揭示於日本專利特開平1G—284號公報）。該熱處理 裝置係具備彻樹脂㈣金屬塗佈於減理板之上表面而 形成之凸起部，且構成藉由該凸起部啸接支縣板之基板 支撐構& X ’將與基板之周緣部抵接之環狀密封部設置於 熱處理板之上表面。進而，使排出氣體之排出孔貫通熱處理 板之上下表面而形成。若將基板载置於基板支撑構造上，則 基板與熱處理板之間形成有封閉之空間。自排出孔將該空間 之氣體排出，藉此吸附基板。此時，即使絲板產生彎曲之 情況亦可進行紅，故可叫勻之溫度對基板進行加熱。 TF1008418 3 201207991 然而，於具有此種構成之習知例之情況時，存在如下問雜。 即’抵接於基板之凸起部與熱處理板同為金屬，故熱多要 是經由凸起部而傳遞至由上述基板支撐構造所支稽之參 板。由此，存在如下不良情況，即，於基板面内之與凸起鄯 接觸之部分與非接觸之部分的熱歷程大為不同。 【發明内容】 本發明係鑒於上述情況而完成者，其目的在於提供·（1) 可較佳地支撐基板之基板支撐構造、使用其之熱處理穿爹、 基板支撐構造所使用之第一片狀物、及基板支撐構造之製造 方法；（π)可較佳地對基板進行熱處理之熱處理裴置.（瓜） 可較佳地吸附基板之熱處理裝置與基板吸附方法。 本發明為了達成（I)之目的，而採用如下構成。 即，本發明係一種支撐基板之基板支撐構造，上述構造包 括以下要素： 支樓基板之板本體； 第一片狀物，其係設置於上述板本體之上表面之樹脂製 者，且於其表面形成有抵接支撐基板之凸起部； 上述第一片狀物之凸起部係藉由蝕刻處理而形成者。 根據本發明’具備藉由侧處理而形成之凸起部，藉此不 使凸起部之周圍形成開口。基板支撐構造係將此種上述第一 片狀物設置於板本體上而構成’故可較佳地支撐基板。又， 可減小基板面内之與凸起部接觸之接觸部位、與未與凸起部 TF1008418 4 201207991 接觸之非接觸部位^熱的傳魏度之差，由此可抑制熱歷 程於整個基板面内之不均一性。 此處所w凸起。卩係指包括於俯視觀察下為_***之部 位、及於俯視觀察下為線狀連接(直線狀或曲線狀)並***之 部位。 於如上所述之發明巾，上述第—綠物較佳為其背面平 坦可將S片狀物適當地設置於板本體上而構成基板支撑 構造。 於士上所述之心明中，上述第一片狀物係具備與基板之周 U抵接之％狀邊緣部，且較佳的是上述邊緣部係藉由敍刻 處理而形成者。可藉由邊緣部來封_成於基板與第一片狀 物間之空間之側面。 於如上所述之發明中，較佳的是上述第-片狀物具備第i 開口部’該第1開口部用以吸引形成於基板與上述第—片狀 物間之空間内之氣體。可適當地吸附載置於基板支撐構、告 之基板。 & 又，本發明係對基板進行熱處理之熱處理裝置，上述穿置 包括以下要素： < 申請專利範圍第1項中所揭示之基板支撐構造；及 加熱基板之加熱手段。 根據本發明，可適當地對基板進行熱處理。 又’本發明係用於如下基板支撐構造之第一片狀物，該其 TF1008418 5 201207991 板支撐構造係將樹脂製之第一片狀物配設於支撐基板之板 本體之上表面而成者，上述第一片狀物包拍·以下要素： 藉由蝕刻處理而形成凸起部，該凸起部於上述第一片狀物 之表面上抵接支撐基板。 根據本發明，可適當地實現基板支撐構造。 又’本發明係支撐基板之基板支撐構造之製造方法，上述 方法包括以下要素： 於樹脂製之第一片狀物之一面上，藉由蝕刻處理而形成抵 接支樓基板用之凸起部； 將形成有上述凸起部之第/片狀物，以上述凸起部為上側 而配置於板本體之上表面。 根據本發明’可適當地製造基板支撐構造。 又’本發明為了達成（π)之目的’而採用如下構成。 即’本發明係對基板進行熱處理之熱處理裝置，上述裝置 包括以下要素： 熱處理板； 第二片狀物’其载置於上述熱處理板上，於其表面上形成 有與基板之周緣部抵接之環狀密封部、及於上述密封部之内 側抵接支樓基板之凸起部； 第1排出孔，其用以排出形成於基板與上述第二片狀物間 之空間之氣體。 根據本發明’將第二片狀物載置於熱處理板上，由此即使 TF1008418 6 201207991 第二片狀物伸縮，其伸縮亦不會受到妨礙。由此，可防止於 第二片狀物產生褶皺等。 於如上所述之發明中，較佳的是，上述第二片狀物上，於 上述密封部之外側形成有第3開口部，且上述裝置具備配置 於上述第3 口部内之插人構件’於上述第3開口部與上述 插^構件之間，設置有容許上述第二片狀物伸縮之間隙。因 於第3開口部與插人構件之間設置有容許第j狀物伸縮 之間隙，故不會因***構件而妨礙第二片狀物之伸縮。 於如上所述之發明中，較佳的是進而具備***限制構件， 其以與上述第二片狀物隔開之方式而設置於上述密封部之 外側之上方’限制上述第二片狀物自上述熱處理板***。由 於具備***限制構件，故可適當的限制第二片狀物自熱處理 板***。 於如上所述之發明中，較佳的是進而具備進行基板之水平 方向之纽的導向構件、及與上述導向構件抵接並使上述導 向構件位置對準之位置對準構件，且上述導向構件配置 f 3開口部内並兼作上述***構件，且上述位置對準構件 兼作上述隆祕制構件。導向構件兼作插人構件，且位 準構件兼作隆舰制構件，以此可使構造進—步簡化。 於如上所述之發明中，較佳 〜^ 的疋進而具備進行基板之水平 方向之定㈣導向構件，且上述導向構件 開口部内並兼作上㈣人構件。導向構件兼作插人射以 TFI008418 201207991 此可簡化構造。 於如上所述之發明中，較佳的是具備按壓構件，該按壓構 件係在上述第二片狀物上載置於上述密封部之外側，且容許 上述第二片狀物之伸縮。由於具備容許第二片狀物之伸縮之 按壓構件’故不會妨礙第二片狀物之伸縮。 於如上所述之發明中，較佳的是具備***限制構件，其以 與上述第二片狀物隔開之方式而設置於上述密封部之外側 之上方，並限制上述第二片狀物自上述熱處理板***。由於 具備***限制構件，故可適當地限制第二片狀物自熱處理板 ***。 於如上所述之發明中，較佳的是進而具備進行基板之水平 方向之定位的導向構件、及與上述導向構件抵接並使上述導 向構件位置對準之位置對準構件，且上述導向構件係在上述 第二片狀物上配置於上述密封部之外侧，並兼作上述按壓構 件，並且上述位置對準構件兼作上述***限制構件。導向構 件兼作按壓構件’且位置對準構件兼作***限制構件，以此 可使構造進一步簡化。 於如上所述之發明令，較佳的是進而具備進行基板之水平 方向之定位的導向構件，且上述導向構件係在上述第二片狀 物上配置於上述密封部之外側，並兼作上述按壓構件。導向 構件兼作按壓構件，以此可使構造簡化。 於如上所述之發明中，較佳的是具備***限制構件，其以 TF1008418 201207991 與上述第二片狀物隔開之方式而設置於上述密封部之外側 並限制上述第二片狀物自上述熱處理板***。藉由 具備***限制構件，而可適當地限制第二片狀物之***。 又本發明為了達成（m)之目的，而採用如下構成。 卩本么明係對基板進行熱處理之熱處理裝置，上述裝置 包括以下要素： 熱處理板； 第二片狀物，其設置於上述熱處理板之上表面上，形成有 抵接支樓基板之凸起部； 封閉手段’其封閉形成於基板與上述第二片狀物間之空間 之側面； 第2排出孔，其用以排出上述空間之氣體； 吸引孔，其形成於上述熱處理板上，用以吸引上述第二片 狀物。 根據本發明，由於用以吸引第二片狀物之吸引孔形成於熱 處理板上，故可使第二片狀物密著於熱處理板上。由此，該 吸引孔可-面抑制第二片狀物相對於熱處理板而移動，一面 吸附基板。 於如上所述之發明中，較佳的是進而具備槽部，該槽部形 ' 成於上述熱處理板之上表面，與上述吸引孔連通。於槽部可 吸引第二片狀物，故可使第二片狀物適當地密著於熱處理板 TF1008418 201207991 於如上所述之發明中，較佳的是進而具備槽部，該槽部形 成於上述熱處理板之上表面，與上述第2排出孔連通，且上 述第2排出孔兼作上述吸引孔。由於第2排出孔兼作吸引 孔，故無須特意設置用以吸引第二片狀物之吸引孔，故可使 構造簡化。 於如上所述之發明中，較佳的是，自上述槽部之底部至上 述熱處理板之上表面為止之高度高於上述凸起部之高度。當 吸附基板W時’可使槽部之壓力低於形成於基板與上述第 二片狀物間之空間之壓力。藉由如上之壓力差，可使力朝向 熱處理板側之方向而作用於第二片狀物，由此可使第二片狀 物密著於熱處理板上。 於如上所述之發明中，較佳的是，上述槽部橫跨上述熱處 理板之周緣側與中央而形成。可吸引整個第二片狀物。 於如上所述之發明中，較佳的是，上述第2排出孔具有形 成於上述熱處理板上之板孔、及形成於上述第二片狀物並與 上述板孔連通之片孔’且上述片孔設置於上述熱處理板之周 緣側。即使為自形成於基板與上述第二片狀物間之空間之側 面机入外部氣體之情況，由於自周緣側之第2排出孔將所流 入之外部氣體排出，故亦可抑制外部氣體進人熱處理板之中 央部。 又’本發明係將形成有凸起部u狀物設置於熱處理 板之上表面’並韻由上述6起部抵接支撐之純之基板吸 TF1008418 201207991 附方法，上述方法包括以下要素： 將形成於基板與上述第二片狀物之間之空間作為第1空 間，且將形成於上述第二片狀物與上述熱處理板之間之空間 作為第2空間，一面將上述第2空間之壓力保持於上述第1 空間之壓力以下，一面分別將上述第1空間及上述第2空間 内之氣體排出。 根據本發明，藉由排出氣體時之第1、第2空間之壓力之 關係，即使於第二片狀物上產生朝向熱處理板側之力，亦不 會產生朝向基板侧之力。可一面抑制第二片狀物相對於熱處 理板而移動，一面吸附基板。 於如上所述之發明中，較佳的是，當排出氣體時，上述第 2空間内所產生之氣體之流動的流動阻力，小於上述第1空 間内所產生之氣體之流動的流動阻力。將第2空間之壓力設 為低於第1空間之壓力。由此，可使第二片狀物密著於熱處 理板上。 再者，本說明書亦揭示有與如下之熱處理裝置相關之發 明。 (1) 於申請專利範圍第19項之裝置中，上述槽部係直線狀。 (2) 於申請專利範圍第22項之裝置中，上述槽部係直線狀。 根據該等發明，可控制槽部之長度。藉此，可抑制因槽部 而產生微粒、及槽部對熱處理品質之影響。又，由於槽部為 直線狀，故可易於加工形成槽部。 TF1008418 11 201207991 (3) 於申請專利範圍第19項之裝置中，上述槽部係對應於 上述每個吸引孔而單獨地形成。 (4) 於申請專利範圍第22項之裝置中， 上述槽部係對應於上述每個吸引孔而單獨地形成。 根據該等發明，即使每個吸引孔進行吸引之時機或吸引壓 力存在差異，亦不會使通過槽部及吸引孔而排出之氣流彼此 干擾。 (5) 於申請專利範圍第19項之裝置中， 進而具備供給孔，其形成於上述熱處理板上，用以將氣體 供給至上述空間，且上述供給孔形成於偏離上述槽部之位置 上。 (6) 於申請專利範圍第22項之裝置中， 進而具備供給孔，其形成於上述熱處理板上，用以將氣體 供給至上述空間，且上述供給孔，形成於偏離上述槽部之位 置上。 根據該等發明，自供給孔所供給之氣體，將經由空間而流 入槽部，故當供給氣體時，較空間之壓力而槽部之壓力並不 上升。因此，第二片狀物不會自熱處理板***。 (7) 於申請專利範圍第18項之裝置中， 上述熱處理板係多孔質構件，且上述吸引孔係上述熱處理 板所具有之氣孔。 根據本發明，無須加工形成貫通熱處理板之吸引孔。 TF1008418 12 201207991 【實施方式】 以下’根據圖式對本發明之較佳實施例進行詳細說明。 [第1實施例] 以下’參照圖式對本發明之實施例1進行說明.。 圖1係表示實施例1之熱處理裝置之概略構成之縱剖面 圖，圖2係熱處理板之俯視圖。 熱處理板1，於俯視觀察下，呈直徑稍微大於基板w之 直徑之圓形，且其上表面為平坦。作為熱處理板1之材質， 例示有熱導率高之銅或鋁等金屬。於該熱處理板1上’附設 有雲母加熱器等發熱體3。於抵接於發熱體3與熱處理板1 之上表面之間的熱傳導部5，埋設有數根未圖示之熱管。 又，於未圖示之數根熱管之間，形成有未圖示之冷卻槽，並 流通有冷卻用之流體。熱處理板1相當於本發明之板本體。 又，發熱體3相當於本發明之加熱手段。 於該熱處理板1之上表面配置有支撐片U，該等熱處理 板1與支擇片11構成基板支樓構造τ。於本實施例中，支 撐片11並不固定、固著於熱處理板1上而是僅為直接載置。 其原因在於，支撐片11與熱處理板1之熱膨脹存在差異。 於支撐片11之上表面，形成有抵接支撐基板w之凸起部 13、及與基板W之周緣部抵接之邊緣部15。又，於支撐片 11上，形成有貫通支撐片11之上下表面之第1開口部A1 與第2開口部A2。又，支撐片11之下表面為平坦。 TF1008418 201207991 凸起部13為多數個，且分別被相 呈圓柱形狀且自周圍***，其直^則地配置。各凸起部13 至下端側稍稍變大。盆 t自與基板w接觸之上端 起部13之上端> X，例如為30度左右。各凸 鴒之直徑，例如為〇 度，例如距支標立 0 mm。各凸起部13之高 有125 μιη。再者， 75 μιη，距支撐片11之背面 值。即，各凸Μ ⑽示，並非限定於上述之 1 1合凸起部13之上端之古― 之範圍或者超過古亥節图而^ 可於…麵至1· ^圍適自地進行設計變更。又，自支撐 ^凹0Ρ至各凸起部13之高度，可於65 μιη至85哗 之粑圍或者超過該範圍而進行適當地設計變更。進-步而 a，支撐片11之厚度本身亦可進行適當地選擇變更。再者， 於本實施例中，如下所述，可考慮自支撐片11之雙面進行 蝕刻處理以此形成開口部，且選擇支撐片11厚度（125 μηι) 之50%以上之值來作為凸起部13之高度。 邊緣部15，於俯視觀察下，呈直徑略小於基板w之外徑 之環狀。將邊緣部15之高度，與各凸起部13之高度相同。 藉此使邊緣部15抵接於基板迆將形成於基板W與支撐 片11間之空間（以下，記為「微小空間ms」）之側面封閉。 第1開口部A1係被設置為用以吸引微小空間ms之氣 體。第1開口部A1具有多數個（6個）’且分別形成於邊緣 部15之内側。又，第2開口部A2係被設置為用以***升 降銷33。第2開口部A2亦具有多數個（3個），且於俯視觀 TF1008418 14 201207991 察下分別形成於如下位置上，該位置抵接於以熱處理板1 之中心為重心之正三角形之各頂點。 於熱處理板1上，與各第1開口部A1連通之排出孔21、 及與各第2開口部A2對向之貫通孔31貫通熱處理板1之 -上下表面之方式而形成。於熱處理板1之下表面側，各排出 孔21排出配管23之一端側共通，並與該排出孔21之該一 端側連通連接，且另一端側與真空吸引源25連通連接。該 真空吸引源25，例如係設置於無塵室之真空設備。於排出 配管23設置有調整壓力（負壓）之開關閥27、及測量壓力之 壓力計29。排出配管23與真空吸引源25係作為排出手段 而發揮作用。又，於各貫通孔31收容有升降銷33，且各升 降銷33之下端側與省略圖示之升降機構連結。繼而，使升 降銷33升降，以此於未圖示之搬送手段之間進行輸送基板 W。 控制部41係綜合性地操作上述發熱體3之輸出、開關閥 27之開關、及升降機構之驅動。該等操作係根據預先記憶 之處理程式而進行。進而，開關閥27之開關操作係根據壓 力計29之檢測結果而進行。控制部41係藉由執行各種處理 之中央處理器（CPU)、成為運算處理之作業區域之 RAM(Random Access Memory)、或記憶各種資訊之固定磁碟 等記憶媒體等而實現。 此處，對支撐片11之材質、製法進行說明。支撐片11係 TF1008418 15 201207991 樹脂製。樹脂之種類，可根據處理内办 1今而進行適當地選擇。 當於如本實闕般之減理裝料，較佳的是具有耐熱性。 更佳的是具有耐藥性。具體而言可伽 如下者：聚醯亞胺、 聚四氣乙稀()、聚氣三氣乙缚(Pctfe)、聚 (腿）、聚苯硫轉PS)、聚偏氣4(面）、聚喊石 (PES)、聚砜(PSF)、聚醚醯亞胺（pEn ^ ^ υ、或耐熱性橡膠材料。 ㈣11 Μ為多孔化之多孔質構件。 又，支撐片11係藉由蝕刻處理而犯丄 阳形成。使用圖3Α至圖 3E對該蝕刻處理進行說明。首先， 對已預先將表面洗淨之 支撑片11之表面及背面’進行塗佈扦 冲心蝕劑之處理，形成均 一之抗蝕劑感光膜51(圖3A)。政+ ^ 〃 A ’使用於玻璃乾板等所 作成之蝕刻圖案53進行曝光’並轉印於支撐片η之雙面上 所塗佈之抗蝕劑感光膜51(圖3Β)。复a 具次，自支撐片11除去 未曝光部之被膜，使支撐片11露出。 ^ & (圖3〇。其次，根據未 曝光部而對露出之支撐片11進行叙私丨+ ^ 蚀刻處理，腐蝕露出部（圖 3D)。最後，自進行過钮刻處理之岁幹 片11除去抗蝕劑感光 膜(圖3E)。此處，未被腐触之部位將以凸_ 13或祕 部15。又’僅單面（表面）被腐姓之部位將成為支樓片u之 凹部（壁厚較薄之部位），而雙面被腐蝕之部位將成為第1、 第2開口部Al、A2。 將以如上之方式而生成之支撐片11，以其平坦之背面為 下方而配設於熱處理板1上。此時，可將支撐片11固定地 TF1008418 16 201207991 安裝於熱處理板1上，亦可僅載置於熱處理板1上。支撐片 11相當於本發明之第一片狀物。 其次，參照圖4對以上述之方式而構成之熱處理裝置之動 作進行簡單說明。圖4係表示熱處理裝置之處理步驟之流程 圖。再者，發熱體3之溫度控制等係已根據處理程式而進 行，於以下之說明中省略其說明。

<步驟801>搬入基板W 控制部41操作升降機構而使升降銷33上升，且自未圖示 之搬送手段接受基板W。繼而，使升降銷33下降，將基板 W載置於支撐片11上。此時，基板W之下表面與凸起部 13及邊緣部15抵接。藉此，於基板W與支撐片11之間形 成封閉之微小空間ms。

<步驟S02>吸附基板W 控制部41操作開關閥27以通過第1開口部A1及排出孔 21而使微小空間ms内之氣體（空氣或氮氣)排出。微小空間 ms内之壓力被調整為負壓，使基板W吸附於熱處理板1側。 <步驟S03>對基板W進行熱處理 使基板W被吸附支撐之狀態保持預先規定之時間，藉此 對基板W實施既定之熱處理。

<步驟804>搬出基板W 當既定時間之熱處理結束後，控制部41使開關閥27關 閉，以使微小空間ms之壓力恢復至大氣壓。繼而，使升降 TF1008418 17 201207991 銷33上升，以使基板w向上方抬升並傳遞至未圖示之搬送 手段。 如上所述，根據本實施例，藉由姓刻處理而生成支撐片 11，故凸起部13之周圍（凸起部13以外之部分)並未形成開 口，可成為凹部。即，若根據利用雷射加工之穿孔或截斷， 則若不於支撐片11形成開口，而無法形成凸起部，故凸起 郤以外之部分必然形成開口，但若根據钮刻處理則無須形成 如上所述之開口。 右藉由此種支撐片11，則可抑制熱歷程於整個基板w面 内之不均一性。例如，若根據凸起部之周圍（凸起部以外之 部分)形成開口之支撐片，則當載置於熱處理板丨上時，使 熱處理板1自開口露出，故於基板w面内，於與凸起部接 觸之接觸部位及|與凸起部接觸之非接觸部位之間，熱歷程 之不均一性變大。又，於熱處理板丨之上表面之溫度於不同 之位置而產生不均一性之情況時，基板w之溫度將較大地 受到此影響而易於不同之位置而產生不均―性。然而，支標 片11係&起部之周圍並未開口 ’目此，不會導致產生上述 之不良情況。 又，藉由蝕刻處理而生成支撐片u，故凸起部13之配置 位置及個數亦無限制而可以任意之圖案形成。進而，可易於 使凸起部13之大小小型化。又，凸起部13係以固定之傾斜 角度而形成’故凸起部13不易於_，又不易於損害。將 TFI008418 18 201207991 形成有此種凸起部13之支撐片11設置於熱處理板1上，藉 此可構成如下基板支撐構造T，即一面以支撐片11覆蓋熱 處理板1，一面使凸起部13之接觸面積相對於基板W之面 積的比例降低。 即使支撐片11，亦不於第1開口部A卜第2開口部A2 以外形成開口，故支撐片11整體具有固定之強度。因此， 易於處理支撐片11，且可易於製造基板支撐構造T。 又，由於支撐片11之背面為平坦，故不會損害形成有凸 起部13之支撐片11之表面形狀，而可將支撐片11設置於 熱處理板1上。由此，支撐片11與熱處理板1，可構成適 當之基板支撐構造T。 又，具備以蝕刻處理而形成之邊緣部15，以此可適當地 將微小空間m s之側面封閉。其結果，可適當地吸附基板W。 又，熱處理裝置具備發熱體3，以此可適當地進行對基板 W進行加熱之熱處理。 本發明並非限定於上述實施形態，亦可以如下所述之方式 而實施變形。 (1)於上述實施例1中所說明之基板支撐構造T為一例， 可任意地變更藉由蝕刻處理而形成之凸起部13之圖案，即 凸起部13之大小或形狀、位置、個數等。 圖5與圖6表示凸起部13之圖案之變形例。圖5係變形 例之支撐片11之俯視圖。如圖5所示，形成有4個環狀之 TF1008418 19 201207991 凸起部14。各凸起部14之直徑各不相同，並以彼此成同心 圓之方式配置。於該等凸㈣14之各處形成有作為通氣孔 而發揮作用之槽18。藉此，即使凸起部14與基板w抵接， 各凸起部14之内周側與外周側亦連通。因此，即使於任意 之位置而將微小空間ms内之氣體排出，亦可適當地使微小 空間ms内之壓力為負壓。 又，圖6係變形例之支撐片u之俯視圖。如圖6所示， 於支撐片11上形成有配置成同心圓狀之直徑不同之4個凸 起部14、及遍及最靠近中心側之凸起部14與邊緣部丨5之 放射狀延伸的6個凸起部14。其結果，凸起部14與邊緣部 15並不分離，而於各處連結。再者，該情況亦可變更為於 各凸起部14上形成槽部。 (2) 於如上所述之實施例1中，藉由蝕刻處理而形成第1 開口。卩A1與第2開口部A2 ’但亦可藉由姓刻處理以外之 方法而形成該等第1、第2開口部A1、A2。 (3) 於如上所述之實施例】中，不將支撐片u固定、固著 於熱處理板1上而是僅直接載置，但並非限定於此。即，亦 可將支撐片11固定、固著於熱處理板丨上。又，亦可以如 下方式載置，即，於支撐片u與熱處理板！之間，隔有向 水平方向良好滑動之物質。又，亦可將限制支撐片u自熱 處理板1相對移位之構件配置於熱處理板丨上，以此設置支 撐片11。 & TF1008418 20 201207991 Ο)於如上所述之實施例1中，凸起部u自其上邹至下部 直徑漸趨變大，但並非特別限定於該形狀，亦可為自上邱至 下部為相同i枉。 (5) 於如上所述之實施例1中，將發熱體3附設於熱汐理 板1上，但旅#限定於此。例如，亦可設為如下構成处 將加熱部設ί於基板w上方以自上方對基板w p ,. 疋订力ϋ孰。 (6) 於如上所述之貫施例1中，於支撐片^ 、… 部15,但亦V省略此。又，此時 ^成有邊緣 間ms内為負歷之開口 A1、排出孔2 叫、工 之構成。 &徘出配官23以下 (7) 於如上所述之實施例1 φ 也 τ 熱處理板I s 可適當地變更為陶瓷等。 马金屬，但亦 (8) 於如上所述之實施例丨中，一、 行對基板W進行加熱之熱處理 了具備發熱體3，且進 為如冷卻板般進行使基板W A ,、’、、、里裝置，但亦可變更 實施例情㈣之基板切構^卩。又，亦可將本 塗佈處理等其他處理之Ιϊψ。了細於進行洗淨處理或 之情況下，具錢轉轉熱處巧Λ〜旋轉支撐基板w 本實施例之基板支撐構造τ。反1之馬達等，藉此可應用 [第2實施例] 以下’參照®式對本發明之叙‘ 圖7係實施例2之熱處埋^施例2進行說明。 TF1008418 構成之縱剖面圖’圖 21 201207991 8A係熱處理板之俯視圖，圖8B係支撐片之一部分之俯視 圖。 熱處理板101，於俯視觀察下呈直徑略微大於基板w之 直徑之圓形。作為熱處理板101之材質，可例示熱導率高之 銅或紹等金屬。於該熱處理板101上附設有雲母加熱器等發 熱體103。於抵接於發熱體103與熱處理板101之上表面之 間的熱傳導部105，埋設有數根未圖示之熱管。又，於未圖 示之數根熱管之間，形成有未圖示之冷卻槽，且流通有冷卻 用之流體。 於該熱處理板101之上表面上，設置有樹脂製之支撐片 111。於支樓片111上形成有凸起部113與密封部115。又， 於較密封部115之外侧，設置有第3開口部A3與第4開口 部A4。此種支撐片1U被設置於可根據溫度而並非伴隨著 褶皺或彎曲等進行變形之熱處理板101之上表面上。更詳細 而。支撐片111於進行熱處理時，於較大之溫度範圍（例 如，自室溫至處理溫度（約200度）為止之範圍）進行升降溫。

S 寺支樓片111具有與熱處理才反101；1；同之熱膨服率，故 相對於熱處理板1G1，支撐片⑴沿水平方向（面内方向)移 (申^)。於自由容許該支樓片U1相對於熱處理板1⑴進 =Γ生移位(伸縮）’而並不伴隨著支撐片111本身之稽皺 ;4曲等狀態下，載置於熱處理板101Λ。具體而言，可直 將支心⑴«置於熱處理板101上而並非固定、固著於 TF1008418 22 201207991 处板101上，亦可以如下方式載置，即，於與熱處理板 之間’隔有向水平方向良好地進行滑動之物質。再者， 支撐片111相當財發明之第二片狀物。 凸起部113為多數個(於圖8A中為37個），並規則地配 ，。各凸起部U3呈圓柱形狀，其直徑自上端至下端側稍稍 欠大各凸起部113之高度，例如，距支撐片⑴之凹部有 75μηι，距支撐片ηι之背面有125_。以該凸起部I。之 上&來抵接支揮基板W。 密封部115，於俯視觀察下’呈直徑略微小於基板w之 外徑之環狀’並包圍凸起部113之周圍。密封部ιΐ5之高度 ，各凸起部113之高度相同。該密封部115與基板w抵接， 藉此，封閉形成於基板…與支撐片ln之間之空間（以下， 記為「微小空間ms」）的側面。實施例2之支撐係自 密封部115至支撐片1U之外周緣為止，以相同之高度而形 成為一體。因此，圖8B中，統一以斜線來明示自密封部US 至支撐片ill之外周緣為止之範圍。然而，密封# ιΐ5係與 基板W周緣部抵接之部位，於圖8A、圖8B中，相當於萨 由内周圓115a與外周圓115b之間而包圍之範圍。於本說明 書中，將支撐片in中，於俯視觀察下外周圓U5b之外周 側之範圍稱為「密封部115之外側」。 第3開口部A3為多數個(6個），並分別以與密封部115 之外周圓115b連接之方式等間隔地形成。第4開口部a4 TF1008418 23 201207991 亦為多數师個），並設置於各第3開口部a3之間，即自 第3開口部A3至支撐片U1之周緣側。 對上述支#片111之製法、材f進行說^於本實施例 中’支擇片111係、藉由對具有耐熱性之樹脂進行姓刻處理而 製作。作為樹脂’更佳的是具有耐藥性。具體而言可例示： 聚醯亞胺、聚讀乙烯(PTFE)、聚氣三氣乙稀(pCTFE)、聚 醚醚酮㈣κ)、聚苯顧(PPS)、聚偏氣乙稀(pvdf)、聚喊 砜(PES)、聚石風(PSF)、聚醚醯亞胺(pEl)、或耐熱性橡勝材料。 但是’支樓片111之製作方法並非限定於此。例如，亦可於 樹脂製之薄膜或片材等上分職由熱㈣而設置凸起部 113與密封部115。又，亦可將支標形成為一體。 於熱處理板1〇1上，除了支撐片U1外，亦具備導執12卜 螺检123、固定環125、及導軌用環12八導軌121係進行 基板W之水平方向之定位者，並呈上部形成有傾斜面之大 致圓柱形狀。作為導軌121，較佳的是，不會損傷基板w 之高峰材料(peak material)。此種導執12ι為多數個(6個）， 並分別配置於支撐片111之第3開口部A3内。由此，使導 軌121直接配置於熱處理板101上。再者，導軌並未固 定、固著於熱處理板101上。又，當配置導軌121時，以於 第3開口部A3(第3開口部A3之緣)與導執121之間，形成 有可容許支撐片111伸縮之充分大之間隙的方式，設計導軌 121及第3開口部A3之大小及位置等。導軌121相當於本 TF1008418 24 201207991 發明之導向構件(尤其係兼作插人構件之導向構件）。 導執用環U7，於俯視觀察下係呈具有如包圍各導執⑵ 之中空部之圓環狀的板狀物。於導轨用環127之内周緣，以 與各導轨121之傾斜面之—部分抵接之方式而形成有大致 +*圓形之缺口。進而於導執用環127，於與第4開口部〜 對應之位置上形成有6個貫通孔。螺栓123插通各貫通孔。 又，為了防止導執用環U7自螺栓123脫落，於各螺於123 安裝有固定環W各螺栓123之下端側_第4、=部 A4 ’且固定熱處理板1〇1上。再者，螺栓123與第4開口 部A4之間，亦形成有與導軌121與第3開口部、幻之=之 間隙相同或大於其之間隙。 當導轨121與螺栓123分別處於既定位置時，導軌用環 127抵接於導軌121 ’並且自固定環125稍微地***。藉此， 導軌用環Π7使導轨121位置對準。又，此時，構成為曰如下 者，即於導轨用環127之下表面與支撐片U1之上表面之間 形成有微小間隔。於本實施例中，密封部115之外側之支撐 片111的厚度為125 μηι，相對於此，將導軌用環127之下 表面之高度設為自熱處理板101之上表面至上方3〇〇 pm之 位置，以使兩者之間隔為175 μιη。導轨用環127相當於本 發明之位置對準構件。 又，於本實施例中，具備貫通熱處理板1〇1與支撐片lu 之第1排出孔131與貫通孔141。 TF1008418 25 201207991 第1排出孔131被設置為用以使微小空間ms之氣體排 出。第1排出孔131為多數個（6個），於熱處理板101之下 表面側，排出配管Π3之一端側共通於各第1排出孔131 並連通連接。排出配管133之另一端側與真空吸引源135 連通連接。該真空吸引源135，例如係設置於無塵室之真空 設備。於排出配管133設置有調整壓力（負壓）之開關閥 137、及測量壓力之壓力計139。排出配管133與真空吸引 源135係作為排出手段而發揮作用。 貫通孔丨41被設置為用以插通升降銷143。貫通孔141為 3個，並於俯視觀察下係分別形成於與以熱處理板丨之中 。為重心之正二角形之各頂點的所在位置上。插通各貫通孔 ⑷之升降銷143之下端側與省略圖示之升降機構連結。藉 由升降機構而使升關143升降，以此於未圖示之搬送手段 之間傳遞基板W。 控制部⑸綜合性地操作上述之發熱體1〇3 閥137之開關、及升降機構等。該等操 巧關 ,, '、乍係根據預先所記憶 之處理程式而進行。進而，開關閥13 L , 之開關操作係根據壓 力計139之檢測結果而進行。控制部 1係藉由執行各種處 理之中央處理器（CPU)、成為運曾♦ #處理之作業區域之 RAM(Random Access Memory)χ ^ 隐有各種資訊之固定磁 碟等記憶媒體等而實現。 其次，對實施例2之熱處理裴置 g 直之動作進行說明。圖9 TF1008418 26 201207991 係表示對基板w進行熱處理之處理步驟之流程圖。 <步驟S11 >使熱處理板升溫 · 控制部151使發熱體103進行加熱，且將熱處理板101 控制於既定之處理溫度。此時，切片⑴姉於 101而進行相對移位(伸縮）。圖10係示意性表示支撐/板 伸縮之情況。如圖H)所示表示有如下情況，即，=m 表示之支稽片m變形(伸縮)至以虛線所表示之位綠所 然而’即使上述支撑片111伸縮，因於第3開口部 開口部A3之邊緣)與導執121之間形成有既定之間隙3 軌121亦不會干擾支稽片U1。由此，即使支樓片i H 於支撐片111亦不會產生褶皺及彎曲。 申端 <步驟812>搬入基板w 利用控制部151來操作升降機構，藉此，升降銷η]自 圖不之搬送手段而接聽板W，並將基板w載置於支待未 ill上。此時，基板w係藉由導軌121而進行定位。我^ W由凸起部113抵接支撐，且藉由密封部115來封閉形板 於基板W與支撐片111間之微小空間爪3之側面。 、

<步驟S13>吸附基板W 控制部151係一面參照壓力計139之測量結果一面操作門 關閥137 ’且將微小空間ms之氣體排出。微小空間ms 力被調整為負壓’使基板w吸附於熱處理板ιοί側。 <步驟S14>對基板W進行熱處理 TF1008418 27 201207991 虽吸附基板w時’使該狀態保持預先設定之時間，以此 對基板w進行既定之熱處理。 <步驟S15>搬出基板w 當既定時間之熱處理結束後，控制部151使開關閥137 關閉’且使微小空間ms之壓力為大氣壓。藉此，解除對基 板W之吸附。繼而’控制部151控制升降銷143，使基板 W向上方括升並搬出。 此時’有時支撐片111與基板W —併自熱處理板101隆 起。圖11係示意性表示支撐片111***之情況之圖。然而， 於密封部115之外側之支撐片ill的上方，隔開微小間隔而 配置導軌用環127，故支撐片ill之***被適當地限制。 <步驟816>使熱處理板降溫 對作為處理對象之所有基板W進行過熱處理之後，控制 部151結束發熱體.103之加熱。藉此，使熱處理板101之溫 度降至室溫。 如上所述，根據實施例2之熱處理裝置，第3開口部A3 與導軌121之間形成有既定之間隙，故不會妨礙支撐片ill 之伸縮。由此，可防止於支撐片111上產生褶皺或彎曲等。 又，導執用環127係配置於密封部115之外側之支撐片 111的上方，即自支撐片111稍微隔開之位置上’故可較佳 地控制支撐片111之***。 又，使導轨121***至第3開口部A3中’藉此’可使支 TF1008418 28 201207991 撐片111位置對準，且可防止支撐片111整體相對於熱處理 板101而大幅移動。 [第3實施例] 以下，參照圖式對本發明之實施例3進行說明。 圖12係表示實施例3之熱處理裝置之概略構成之縱剖面 圖’再者，對於與實施例2相同之構成’附以相同元件符號 並省略其詳細說明。 該實施例3之熱處理裝置之特徵在於，將導執121载置於 支撐片111上。即，於實施例3之支撐片111上形成有凸起 部113、密封部115、及第4開口部A4 ’且並未形成有實施 例2中所說明之第3開口部A3。 導執121分別被直接載置於支撐片111上之既定位置。較 佳的是，導軌Π1之重量為容許支撐片111伸縮之程度之較 輕重量。導執121相當於本發明之導向構件（尤其係兼作插 入構件之導向構件）。藉由以上述方式構成之熱處理裝置而 進行既定之熱處理時，支撐片111於載置有導轨丨21之狀態 下伸縮，且導轨121根據該伸縮而於水平方向移動。 如上所述，即使藉由實施例3之熱處理裝置’亦容許支撐 片111於水平方向伸縮，故可防止支撐片111相對於熱處理 板101而伸縮時支撐片111產生褶皺或彎曲。 進而，導轨121將支撐片1U按壓至熱處理板上，故 可防止外部良體進入支樓片111與熱處理板101之間。藉 TF1008418 29 201207991 此，可預防如下不良情況，即，進入支撐片111與熱處理板 101之間之氣體膨脹收縮，使支撐片111產生褶皺及彎曲等。 [第4實施例] 以下’參照圖式對本發明之實施例4進行說明。 圖13係實施例4之熱處理板之俯視圖。再者，對於與實 施例2相同之構成附以相同元件符號並省略其詳細說明。 該實施例4之熱處理裝置之特徵在於，具備於俯視觀察下 呈環狀之按壓構件122。即，於實施例4之支撐片111上， 形成有凸起部113與密封部115而並未形成有實施例2中所 說明之第3、第4開口部A3、A4。 按壓構件122，其内徑形成為大於基板 W之外徑，而並 未具有如實施例2中所說明之導執121般進行基板w之水 平方向之定位的功能。繼而，將按壓構件122載置於支撐片 111上，容許支撐片111伸縮，並且將支撐片iU按壓至熱 處理板1〇卜較佳的是，按壓構件122之重量為容許支撐片 111伸縮之程度之較輕重量。當藉由以上述方式構成之熱處 理裝置而進行既定之熱處理時，支撐片m於载^有按壓構 件122之狀態下伸縮。 如上所述’即使藉由實施例4之熱處理裝置，因容許支樓 片⑴伸縮’故當支撑片⑴才目對於熱處理板1〇1而伸縮 時，亦町防止支撐片1U產生褶皺及彎曲。 進而，按壓構件122為環狀，故可於全周防止外部氣體進 TF1008418 30 201207991 入支撐片111與熱處理板1〇1之間。藉此，可預防如下不良 U况，即，進入支撐片U1與熱處理板101之間之氣體膨脹 收縮’導致支撐片111產生槽敵及彎曲等。 [第5實施例] 以下，參照圖式對本發明之實施例5進行說明。 圖14係表不實施例5 <熱處理裝置之概略構成之縱剖面 Θ再者對於與貫施例2相同之構成附以相同元件符號並 省略其詳細說明。 X貝施例5之熱處理裂置之特徵在於，具備***限制構件 129。即’於實施例5之支樓片111上，形成有凸起部113 與密封部115而並未形成有實施例2中所說明之第3、第4 開口部 A3、A4。 於正面觀察下，***限制構件129呈L型。該***限制 構件129之一端被設置於熱處理板1〇1之侧部，而彎折成乙 子狀之另一端側以覆蓋密封部115之外側之支撐片in之上 方的方式而配置。 如上所述’即使藉由實施例5之熱處理裝置，亦絲毫不會 妨礙支撐片111伸縮，故可防止支撐片m產生褶皺或彎曲 專。又，因具備***限制構件129，故可較佳地限制支撐片 111之***。 本發明並非限定於上述實施形態’亦可以如下所述之方式 而實施變形。 TF1008418 31 201207991 (1)於實施例5中，具備***限制構件129 ’但並非限定於 此《即，亦可省略***限制構件129而構成熱處理板1〇ί。 藉此，亦不會妨礙支撐片Π1之伸縮，故可獲得如下效果， 即，可防止支撐片111產生禪級及·彎曲等。 (2) 於實施例2中，將導軌121載置於熱處理板1〇1之上 表面，但亦可將導軌121固定於熱處理板101上。 (3) 於實施例2、3中’例示有導軌121之形狀，但導軌121 之形狀可適當地進行設計變更。 (4)於實施例2中，導軌121為兼作***構件之構成，但 並非限定於此。亦可變更為其他構件兼作***構件。或，亦 可變更為設置有如下者(例如，螺栓等固定構件），其僅具有 ***構件之功能，即，專門進行支撐片U1之位置對準 防止支撐片111整體之移動。 =述相同的，於實施例3中，導軌121為兼 之構成，但並非限定於此，藉由_21以 2 構成按壓構件。 J週田地 於貫施例 斧軌用環127為兼作***限 之構成，但並非限定於并 ^ 制構令 件，並亦可設置有如下者，……乍***限彻 1 純具㈣起限制構件之功能 即專門控制支撐片111之***。 J把 (6)於自如上所述之實放仏丨〇 e a > y f r %例2至貫施例5中， 自其上部至其下部直徑^ 〇P 11 文大，但並非特別限定於該形狀^ TF1008418

S 32 201207991 又，對於凸起部113之配置亦可進行適當地設計變更。進 而，凸起部113係以點接觸之方式支撐基板W ’但亦 < 變 更為形成脊狀***之凸起部，以線接觸之方式支撐基板w ° [第6實施例] - 以下，參照圖式對本發明之實施例6進行說明。 圖15係表示實施例之熱處理裝置之概略構成之縱剖面 圖，圖16係熱處理板之俯視圖。 熱處理板201，於俯視觀察下呈直徑略微大於基板W之 直徑之圓形。作為熱處理板201之材質，可例示熱導率高之 銅或鋁等金屬。於該熱處理板201上附設有雲母加熱器等發 熱體203。於抵接於發熱體203與熱處理板201之上表面之 間的熱傳導部205，埋設有未圖示之數根熱管。又，於未圖 示之數根熱管之間，形成有未圖示之冷卻槽’並流通有冷卻 用之流體。 於上述熱處理板201之上表面設置有支撐片211，該支撐 片211形成有抵接支撐基板w之凸起部213。支撐片211 並不固定於熱處理板201上而是載置於既定之位置上。於支 撐片211上，進而形成有沿著基板w之周緣部而抵接之密 封部215。支撐片211相當於本發明之第二片狀物。 凸起部213為多數個（於圖中為43個），並規則地配置。 各凸起部213呈圓柱形狀，且其直徑自與基板^^接觸之上 端至下端側稍稍變大。各凸起部213之高度例如為75μιη。 TF1008418 33 201207991 密封部215 ’於俯視觀察下呈内徑略微小於基板w之外 徑之環狀。其南度與各凸起部213之高度相同。藉此，密封 部215將形成於基板w與支撐片211間之空間（以下，記為 「微小空間ms」）之側面封閉。密封部215相當於本發明之 封閉手段。微小空間ms相當於本發明之「形成於基板與第 二片狀物之間之空間」或「第1空間」。 此種支撐片211係藉由對具有耐熱性之樹脂進行蝕刻處 理而作成。作為樹脂，更佳的是具有耐藥性。具體而言可例 示聚醯亞胺、聚四氟乙烯(PTFE)、聚氯三氟乙烯(PCTFE)、 聚醚醚酮(PEEK)、聚苯硫醚(pps)、聚偏氟乙烯(pVDF)、聚 醚砜(PES)、聚砜(PSF)、聚醚醯亞胺(PEI)、或耐熱性橡膠材 料。但是，支撐片211之製作方法並非限定於此，亦可於樹 脂製之薄膜或片材等上’分別藉由熱熔接而設置凸起部213 與密封部215。又，亦可使支撐片211成形為一體。 本實施例之熱處理裝置，具備貫通該等熱處理板201與支 撐片211之第2排出孔221、供給孔24卜及貫通孔25卜 以下，依序進行說明。 第2排出孔221被設置為用以將微小空間ms之氣體排 出。第2排出孔221為6個，且於俯視觀察下分別被配置於 熱處理板201之周緣側。各第2排出孔221被劃分為形成於 熱處理板201上之板孔221p、及形成於支撐片211上之與 板孔221p連通之片孔221s。 TF1008418 34 201207991 於熱處理板201之上表面設置有與各第2排出孔221連通 之槽部225。槽部225自熱處理板201之周緣側直線延伸至 中央。又，各槽部225設置於每個第2排出孔221上，且以 彼此獨立之方式形成。自各槽部225之底部至熱處理板201 之上表面為止之高度（即，槽部225之深度）係高於如下所述 之凸起部213之高度。槽部225之尺寸，例如，深度為0.5 mm ’寬度為1 mm。槽部225之上方由支撐片211覆蓋，故 板孔221p亦可作為用以吸引支撐片211之吸引孔而發揮作 用。又，含有板孔221p之第2排出孔221兼作吸引孔。槽 部225相當於本發明之槽部或第2空間。 於熱處理板201之下表面側，排出配管231之一端側共通 於各第2排出孔221且連通連接，排出配管之另一端侧與真 空吸引源233連通連接。該真空吸引源233，例如係設置於 無塵室之真空設備。於排出配管231上設置有調整壓力（負 壓）之開關閥235、及測量壓力之壓力計237。排出配管231 與真空吸引源233作為排出手段而發揮作用。 供給孔241被設置為用以將氣體供給至微小空間ms。供 給孔241為2個，並分別形成於偏離槽部225之位置上。於 熱處理板201之下表面側，供給配管243之一端側共通於各 供給孔241且連通連接，而另一端侧與氮氣供給源245連通 連接。該氮氣供給源245，例如係設置於無塵室之真空設 備。於供給配管243上配設有開關閥247、及壓力計249。 TF1008418 35 201207991 再者，亦可設置潔淨空氣供給源來代替氮氣供給源245。供 給配管243與氮氣供給源245將作為供給手段而發揮作用。 貫通孔251被設置為用以***升降鎖253。貫通孔251為 3個’於俯視觀察下係分別形成於如下位置，即與以熱處理 板201之中心為重心之正三角形的各頂點之所在位置。插通 各貝通孔251之升降銷253之下端側與省略圖示的升降機構 連結。而且，藉由使升降銷253升降，而於未圖示之搬送手 段之間傳遞基板W。 控制部261，綜合性地操作上述發熱體203之輸出、開關 閥235及開關閥247之開關、及升降機構等。該等操作係根 據預先記憶之處理程式而進行。進而，開關閥235與開關閥 247之開關操作係分別根據壓力計237與壓力計249之檢測 結果而進行。控制部261係藉由執行各種處理之中央處理器 (CPU)成為運异處理之作業區域之RAM(Rancjorn Access

Memory)、或s己憶有各種資訊之固定磁碟等記憶媒體等而實 現。 其次’對實施例6之熱處理裝置之動作進行說明。圖17 係表不熱處理裳置之處理步驟之流程圖。再者，發熱體203 之/皿度控制等係已根據處理程式而進行者，於以下之說明中 省略其說明。 <步驟821>搬入基板w 控制°卩261心作升降機構’藉此升降銷253自未圖示之搬 TF1008418 36 201207991 送手段接受基板W。而且，將基板W載置於支撐片211上。 基板W被凸起部213與密封部215抵接支撐。於基板w與 支撐片211之間形成有氣密之微小空間ms。

<步驟S22>吸附基板W 控制部2 61 —面參照壓力計23 7之測量結果一面使開關閥 235打開’且將微小空間ms之壓力控制於既定之處理壓力 Pms(負壓）。藉此，使微小空間ms之氣體，自第2排出孔 221排出，且亦使槽部225之氣體自板孔221p排出。 圖18係示意性表示於吸附基板w時之徼小空間ms與槽 部225内所產生之氣流之圖。於自開始排出氣體至達到處理 壓力Pms為止之期間，於微小空間ms及槽部225分別產生 有朝向S 2排出孔221(板孔221p)之氣流（圖中，以虛線表 不）。若對各自氣流之流路進行比較，則槽部225之深度充 刀大於微小空間ms之高度’且槽部225之流路剖面積大於 微小工間mS之流路剖面積。由此，槽部225内所產生之氣 流之流動阻力較微小空間ms内為小。 由此’虽吸附基板w時，微小空間ms與槽部 225内之壓 力以圖19所示夕士 疋万式下降。圖19係表示將微小空間ms之 壓力變更為處理懕+ u &力pms時之微小空間ms及槽部225之壓 力變化情況的示咅m # 丁 ％、圖。於圖19中，時刻tl係開始排出氣體 之時刻，時刻# ζ係使微小空間ms之壓力穩定於處理壓力 Pms之時刻。再 π可’時刻tl之前，微小空間ms及槽部225 TF1008418 37 201207991 均處於大氣壓下。如圖19所示，時刻tl以後，槽部225較 微小空間ms先使壓力下降。而且，自時刻tl至時刻為 止之期間，槽部225之壓力常常被保持於與微小空間ms之 壓力相同或較低值。 因此，如圖18所示，當吸附基板w時（時刻tl〜時刻t2)’ 因槽部225與微小空間ms之過渡性壓力差，而使力Fs僅 朝向熱處理板201側來作用於支樓片211。換言之，不會使 力朝向基板W側來作用於支撐片211。又，基板W根據微 小空間ms之壓力’而使朝向支樓片211側之力Fw作用’ 而基板W被吸附。 <步驟S23 >對基板W進行熱處理 當吸附基板W時，使該狀態僅保持預先設定之時間，以 此對基板W進行既定之熱處理。 〈步驟S24>解除對基板w之吸附 當既定之熱處理結束後，控制部261使開關閥235關閉， 並且使開關閥247打開。氮氣將利用供給孔241而被供給至 微小空間ms内。此時，氮氣自微小空間ms流入槽部225， 故槽部225之壓力不會尚於微小空間ms之壓力。藉此，解 除對基板W之吸附。

〈步驟825>搬出基板"W 當基板W之吸附被解除後，控制部261操作省略圖示之 升降機構，藉此升降銷253將基板W抬升至上方。而且， TF1008418 38 201207991 將基板w傳遞至未圖示之搬送手段上。 如上所述，根據實施例6之熱處理裝置，於熱處理板2〇1 之上表面，形成與第2排出孔221連通之槽部225，藉此當 自第2排出孔221將微小空間ms之氣體排出時，槽部225 之氣體將通過板孔221p而被排出。藉此，可於槽部225吸 引支樓片211’且使支撐片211密著於熱處理板2〇1上。即， 可一面抑制支撐片211自熱處理板2〇1***、或者支撐片 211產生褶皺等相對於熱處理板201移動，一面吸附基板w。 又將槽部225之深度設為大於凸起部213之高度，藉此， 當吸附棊板W時’可使槽部225之壓力低於微小空間ms 之壓力。藉由此種壓力差，可使力Fs朝向熱處理板201侧 作用於支撐片211。由此，可確實地防止支撐片211自熱處 理板201***等相對於熱處理板201而移動之情況。 又’因設為如下構成：使槽部225與第2排出孔221連通， 且第2排出孔221兼有吸引孔之功能，故無須於熱處理板 201上另外形成吸引孔。又，因槽部225橫跨熱處理板201 之中央與周緣側而形成，故可均一地吸引整個支撐片211。 進而由於槽部225為直線狀，故其距離較短亦可。 又’第2排出孔221設置於熱處理板201之周緣側，故即 使為自基板W與密封部215之抵接部位等微小空間ms之侧 面流入外部氣體之情況，亦可立即藉由第2排出孔221而將 外部氣體排出。因此，可阻止外部氣體浸入至微小空間ms TF1008418 39 201207991

之中央，從而降低其影響。 f第7貫施例J 以下’參照圖式對本笋明 1月之只轭例7進行說明。 圖20係實施例7之埶 ^ …处理裝置之熱處理板之俯視圖。再 者，由於貫施例7之概略M 士 & — 冓成與貫施例6之概略構成相同， 故省略圖不。又，於阁〇 — 、圆20所不之俯視圖中，對於與實施例 目口―之構成附以相料件符號並省略其詳細說明。 該:施例7之熱處置’對槽部以之位置進行設計。 即，槽部226於熱處理始 m L ^ 板201之周緣側形成為環狀（圓形）。 #部226為一個，並且所有第2排出孔221共通於該 才曰P 226並Μ其連通。槽部226相當於本發明之槽部或第2 空間。 當吸附基板W時，才 心。卩226内之氣體將通過構成各第2 排出孔221之任—個笛1 4rr Vi m 個第1板孔221p而被排出。支撐片2U，

於槽部226被吸弓卜而点A 刀向成為支撐片211之全周於外方向延展 之狀態。 如上所速，根據實施例7之熱處理裝置，於熱處理板2〇1 之外周側，具備形成為環狀之槽部226，藉此，可抑制支樓 片211 f曲或於支撐片211上產生赌之情沉。 [第8實施例] 以下’參照圖式對本發明之實施例8進行說明。 圖21係表不實施例8之熱處理裝置之概略構成之縱剖面 TF1008418 201207991 圖。再者，對於與實施例6相同之構成附以相同元件符號並 省略其詳細說明。 該實施例8之熱處理裝置，具備專門用以吸引支撐片211 之吸引孔271。吸引孔271為多數個。形成於熱處理板201 之上表面之槽部227係與各吸引孔271連通。然而，槽部 227並不與第2排出孔221連通。槽部227相當於本發明之 槽部或第2空間。 於熱處理板201之下表面側，吸引配管273之一端側共通 於各吸引孔271並連通連接，而另一端側與真空吸引源275 連通連接。於吸引配管273，設置有調整壓力（負壓）之開關 閥277、及測量壓力之壓力計279。吸引配管273與真空吸 引源275，作為吸引手段而發揮作用。 當吸附基板W時，控制部261首先一面參照壓力計279 之測量結果，一面使開關閥277打開，且將槽部227之壓力 控制於既定之吸引壓力Pd(負壓）。此處，較佳的是，於吸附 基板W時控制吸引壓力Pd，使其小於微小空間ms之處理 壓力Pms。槽部227之氣體自吸引孔271排出，且支撐片 211被吸引於槽部227。藉此，使支撐片211密著於熱處理 板201上。 其次，於保持支撐片211被吸引之狀態下，控制部261 一面參照壓力計237之測量結果，一面使開關閥235打開， 且將微小空間ms之壓力控制於既定之處理壓力Pms。微小 TF1008418 41 201207991 空間ms之氣體自第2排出孔221被排出，且基板W被吸附。 如上所述，根據實施例8之熱處理裝置，因具備專門用以 吸引支撐片211之吸引孔271，故可於將微小空間ms内之 氣體排出之前，吸引支撐片211。由此，當吸附基板W時， 可抑制支撐片211相對於熱處理板201而移動。 [第9實施例] 以下，參照圖式對本發明之實施例9進行說明。 圖22係表示實施例9之熱處理裝置之概略構成之縱剖面 圖。再者，對於與實施例6相同之構成附以相同元件符號， 並省略其詳細說明。 該實施例9之熱處理裝置，具備專門用以吸引支撐片211 之吸引孔272。又，於熱處理板201之上表面並未形成有實 施例6中所說明之槽部。各吸引孔272係於熱處理板201 之下表面側，與排出配管231連通連接。 當吸附基板W時，藉由控制部261來操作開關閥235， 而使微小空間ms内之氣體通過排出配管231自第2排出孔 221排出，並且使吸引孔272内之氣體亦通過排出配管231 排出。支撐片211被吸引於熱處理板201之上表面上所形成 之吸引孔272之開口。 如上所述，根據實施例9之熱處理裝置，藉由省略相當於 槽部之構成，可排除因槽部而產生之微粒之影響、或槽部對 熱處理品質之影響。又，可使熱處理板201之構造簡化。 TF1008418 42 201207991 本發明並非限定於上述實施形態’亦可根據如下所述之方 式而貫施變形。 (1) 於如上所述之實施例6至實施例8中’例示了槽部 225、226、227之形狀’但並非限定於此，亦可適當地進行 變更。例如，可於俯視觀察下使槽部形成為螺旋狀，亦可形 成多數個環狀槽部。 (2) 於如上所述之實施例6至實施例9中，第2排出孔221 為如下構成，即兼作吸引支撐片211之吸引孔，或具備與第 2排出孔221不同之吸引孔271、272 ’但並非限定於此。例 如亦可設為如下構成：使熱處理板201之材質為多孔質構 件，以此利用熱處理板201本身所含有之氣孔來吸引支撐片 211。此時，熱處理板201本身所含有之氣孔，相當於本發 明之吸引孔。 (3) 於如上所述之實施例8中，當吸附基板W時，首先吸 引支撐片211 ’之後’將微小空間ms之氣體排出，但並非 限定於此。例如’當將槽部227内之吸引壓力Pd控制為低 於微小空間ms之處理壓力pms時，亦可於吸引支撐片211 之同時，開始將微小空間ms之氣體排出。 (4) 於如上所述之實施例6至實施例9中，第2排出孔221 配置於熱處理板201之周緣側，但並非限定於此。例如，若 至少將片孔221s配置於周緣側，則可對與片孔221s連通之 板孔221p之路徑進行適當地變更。於此情況下，即使自微 TF1008418 43 201207991 小空間ms之側面流入外部氣體，亦可立即自第2排出孔221 將外部氣體排出。又’亦可變更為將片孔221s配置於熱處 理板201之中央等。 進而，於如上戶斤述之貫施例8、實施例9中，第2排出孔 221無須兼有吸引孔之功能。因此，若能將微小空間ms之 氣體排出’則可變更為自貫通密封部215等之排出孔將外部 氣體排出之構成’而代替自貫通至熱處理板201之上表面之 第2排出孔221排出外部氣體之構成。於此相同地，對於供 給孔241而言，若可將氣體供給至微小空間ms，則亦可變 更為自貫通密封部215等之供給孔供給氣體，而代替供給孔 24卜 (5)於上述實施例6至實施例9中，凸起部213自其上部 至其下部直徑漸趨變大，但並非特別限定於該形狀。又，對 於凸起部213之配置’亦可進行適當地設計變更。進而，凸 起部213以點接觸之方式支撐基板w，但亦可變更為如下 者’即形成脊狀***之凸起部’以線接觸之方式支樓基板w。 (6)於如上所述之實施例6至實施例9中，於支撐片 形成有密封部215,但並非限定於此，亦可設置與支撐片211 不同之up。又’不同之密封部可配置於支稽片2ιι上， 亦可配置於熱處理板上。 ⑺於士上所述之實施例i至實施例9中，基板w為圓形， 但並非限定於此， 亦可將矩形狀等之基板設為處理對象。此 TF1008418 201207991 時，按照基板之形狀，而使邊緣部15、密封部115或密封 部215之形狀自圓環形狀進行適當之變更。 (8)於如上所述之實施例1至實施例9中，以將熱管埋設 於熱傳導部5、1〇5、205之構成為例進行了說明，但亦可應 用未使用有熱管之熱處理裝置。 只要不偏離本發明之思想或本質，亦可以其他具體形熊來 實施本發明’因此，作為表示本發明之範圍者，應參照附加 之申凊專利範圍而並非以上之說明。 【圖式簡單說明】 圖示有幾個被認為是當前較佳之形態用以說明本發明， ^使人們明白的是，本發明並非限定於如圖示般之構成及手 段。 圖1係表示實施例1之熱處理t置之概略構成之縱剖面 圖。 圖2係熱處理板之俯視圖。 圖3Ai 3E係分別說明蝕刻處理之方法之示意圖。 圖4係表示熱處理裝置之處理步驟之流程圖。 圖5係變形例之支撐片η之俯視圖。 圖6係變形例之支撐片11之俯視圖。 圖7係表示實施例2之熱處理裴置之概略構成之縱剖面 圖。 圖8A係熱處理板之俯視圖。 TF1008418 45 201207991 圖8B係支撐片之一部分之俯視圖。 圖9係表示熱處理裝置之處理步驟之流程圖。 圖10係示意性表示支撐片進行伸縮之情況之圖。 圖11係示意性表示支撐片***之情況之圖。 圖12係表示實施例3之熱處理裝置之概略構成之縱剖面 圖。 圖13係實施例4之熱處理板之俯視圖。 圖14係表示實施例5之熱處理裝置之概略構成之縱剖面 圖。 圖15係表示實施例6之熱處理裝置之概略構成之縱剖面 圖。 圖16係熱處理板之俯視圖。 圖17係表示熱處理裝置之處理步驟之流程圖。 圖18係示意性表示於吸附基板時之微小空間與槽部所產 生之氣流之圖。 圖19係表示將微小空間之壓力變更為處理壓力時之微小 空間及槽部之壓力變化之情況的示意圖。 圖20係實施例7之熱處理裝置之熱處理板之俯視圖。 圖21係表示實施例8之熱處理裝置之概略構成之縱剖面 圖。 圖22係表示實施例9之熱處理裝置之概略構成之縱剖面 圖。 TF1008418 46 201207991 【主要元件符號說明】 1 、 101 、 201 熱處理板 3 、 103 、 203 發熱體 5 > 105 ' 205 熱傳導部 11 ' 111 ' 211 支撐片 13 、 14 、 113 、 213 凸起部 15 邊緣部 18 槽 21 排出孔 23 、 133 、 231 排出配管 25 、 135 、 233 、 275 真空吸引源 27 、 137 、 235 ' 247 、 277 開關閥 29 、 139 、 237 、 249 、 279 壓力計 31 ' 141 ' 251 貫通孔 33 、 143 、 253 升降銷 41 、 151 、 261 控制部 51 抗蝕劑感光膜 53 1虫刻圖案 115 、 215 密封部 115a 内周圓 115b 外周圓 121 導軌 TF1008418 47 201207991 122 按壓構件 123 螺栓 125 固定環 127 導軌用環 129 ***限制構件 131 第1排出孔 221 第2排出孔 221s 片孔 221p 板孔 225 、 226 、 227 槽部 241 供給孔 243 供給配管 245 氮氣供給源 271 、 272 吸引孔 273 吸引配管 A1 第1開口部 A2 第2開口部 A3 第3開口部 A4 第4開口部 Fw、Fs 力 ms 微小空間 T 基板支撐構造 TF1008418 48 201207991 基板 w TF1008418 49

Claims (1)

1. 201207991 七、申請專利範圍： 1. 一種熱處理裝置，係用以對基板進行熱處理，上述熱處 理裝置包括以下要素： 熱處理板； 片狀物，其載置於上述熱處理板上，於其表面上形成有與 基板之周緣部抵接之環狀密封部、及於上述密封部之内側抵 接支撐基板之凸起部；以及 排出孔，其用以排出形成於基板與上述片狀物之間之空間 的氣體。 2. 如申請專利範圍第1項之熱處理裝置，其中，上述片狀 物係由上述密封部於外側形成有開口部； 上述裝置具備配置於上述開口部内之***構件； 於上述開口部與上述***構件之間，設置有容許上述片狀 物伸縮之間隙。 3. 如申請專利範圍第2項之熱處理裝置，其中，進而具備 ***限制構件，該***限制構件以與上述片狀物隔開之方式 而被設置於較上述密封部更外侧之上方，限制上述片狀物自 上述熱處理板***。 4. 如申請專利範圍第3項之熱處理裝置，其中，進而具備： 進行基板之水平方向之定位之導向構件；以及 與上述導向構件抵接而進行上述導向構件之位置對準之 位置對準構件； TF1008418 50 201207991 上述導向構件係配置於 件，且上述位置對準構件係； 開口部内並兼作上述***構 ㈣專利_2::::::::;件。 進行基板之水平料之枝料㈣件十進而具備 上述導向構件係配置於 件。 上边開口部内並兼作上述***構 6. 如申睛專利範圍第！項之熱處理裝置 構件，該按壓構件在上述片狀物 上、^備按塵 側，容許上述㈣物之伸縮。 、&上“封部更外 7. 如申請專利範圍第6項之妖 :制構件’該***限制構件以與上述片狀物隔^ 自 8. 如申請專利範圍第7 項之熱處理裝置，其中，進而n 進饤基板之水平方向之定位之導向構件；以及、備. 與上述導向構件抵接並進行上料向 位置對準構件； 位置對準之 上述導向構件係、在上述片狀物上載置於 外側，並兼作上述按壓構 4在封部更 述***關構件。m粒置鮮鱗係兼作上 9. 如申請專利範圍第6項之熱處理褒置，其中，谁 進行基板之水平方向之定位之導向構件； 進而具備 TF1008418 201207991 上述導向構件係在上述片狀物上載置於較上述密封部更 外側，並兼作上述按壓構件。 10. 如申請專利範圍第1項之熱處理裝置，其中，具備隆 起限制構件，該***限制構件以與上述片狀物隔開之方式而 設置於較上述密封部更外側之上方，限制上述片狀物自上述 熱處理板***。 11. 一種熱處理裝置，係用以對基板進行熱處理，上述裝 置包括以下要素： 熱處理板； 片狀物，其設置於上述熱處理板之上表面，形成有抵接支 撐基板之凸起部； 封閉手段，其封閉形成於基板與上述片狀物之間之空間的 側面； 排出孔，其用以排出上述空間之氣體；以及 吸引孔，其形成於上述熱處理板上，用以吸引上述片狀物。 12. 如申請專利範圍第11項之熱處理裝置，其中，進而具 備槽部，其形成於上述熱處理板之上表面，與上述吸引孔連 通。 13. 如申請專利範圍第12項之熱處理裝置，其中，自上述 槽部之底部至上述熱處理板之上表面為止之高度，係高於上 述凸起部之高度。 14. 如申請專利範圍第12項之熱處理裝置，其中，上述槽 TFW08418 52 201207991 部係以橫跨上述熱處理板之周緣側與中央之方式而形成。 15.如申請專利範圍第u項之熱處理裝置，其中，進而具 備槽部，該槽部形成於上述熱處理板之上表面，與上述排出 孔連通； 上述排出孔係兼作上述吸引孔。 16·如申請專利範圍第15項之熱處理裝置，其中，自上述 槽部之底部至上述熱處理板之上表面為止之高度，係高於上 述凸起部之高度。 17. 如申請專利範圍第15項之熱處理裝置，其中’上述槽 部係以橫跨上述熱處理板之周緣側與中央之方式而形成。 18. 如申請專利範圍第丨〗項之熱處理裝置，其中’上述排 出孔具有：板孔’其形成於上述熱處理板上；以及片孔’其 形成於上述片狀物上而與上述板孔連通；上述片孔設置於上 述熱處理板之周緣側。 19. -種基板吸附方法，其係將形成有凸起部之片狀物設 置於熱處理板之上表面，對抵接切於上述凸起部之基板進 行吸附者’上述方法包括以下要素： 將形成於基板與上述片狀物之間之空間設為第i空間，將 形成於上述片狀物與上述熱處理板之間之空間嗖為第2空 間，將上述第2空間之®力保持在上逃第：之壓力以 下，同時分別將上述第1空間及上述第2空間之氣體排出。 2〇.如申請專利範圍帛19項之基板吸附方法，其中，在排 TF10084I8 53 201207991 出時，相對於上述第2空間内所產生之氣流之流動阻力 小於上述第1空間内者。 TF1008418 54