TW200938032A - Method for transferring adhesive film - Google Patents

Description

200938032 …、

I 六、發明說明·· 1 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種接著膜之轉著方法，特別是關於將 各異向性導電膜（ACF)等為代表之寬度為數毫米的組裝 用接著膜（接著帶）貼合於附著體之方法。 【先前技術】 先刖’連接電子零件與電路基板等之手段，係使用異 • 向性導電膜（ACF ; Anisotropic Conductive Film )。該異向 ❹ 性導電膜如使用於連接軟性印刷基板（FPC)及1C晶片之 端子，與形成於LCD面板之玻璃基板上的IT〇(氧化銦錫） 電極的情況，以及相互接著各種端子並且電性連接之情 況。 該異向性導電膜（ACF )等為代表之接著膜對附著體 的貼合（轉著）’係如以下（1)〜(4)地進行。 (1) 首先，如第二Α圖所示，係從由基底膜（剝離層） 〇 與ACF層（接著層）構成之接著膜的ACF層侧***刀片， 進行半切割，僅在A C F層上切入任意長度及任意寬度（約 ΙΟΟμηι)(如參照專利文獻i。該半切割時，不切入到基底 膜。 土 (2) 其次’如第二b圖及第二c圖所示，從基底膜侧 藉由臨時壓著裝置之加熱頭擠壓接著膜，將Ααρ層予以 加熱並使其接觸於面板（附著體）上，而將Acf層臨時 貼於面板之數mm〜數cm的接合部分。 (3) 其次，剝下基底膜（由於在ACF層上切入任意之 200938032 長度，因此在面板上僅殘留與面板接觸之任意長度的ACF 層）。 (4)進一步，使ic及配線等接合，實施主壓著。 0 ^上述(1)之半切割中，將刀片***ACF層時，會有附 著於刀片之污染物混入ACF層，導致品質降低的問題。 此外，進行半切割時，需要進行定期地更換***ACF層 之刀片等的維修，而有成本提高的問題。再者，若不充分 控制（管理）半切割條件，會發生半切割不良（切入不足 等）’ ACF層之切斷不充分（ACF層之斷片不良），而發生 =合不良（第二〇圖至第二㈣）之問題。為了防地占 :不+良之發生，如第三A圖及第三B圖所示，轉可進行 從接著膜之ACF層側***2片刀片（2處半 =比上述⑴之半切割中的切入寬之中間移二: 示方式（如參照專利文獻2)，不過該中間移 ::多除之-層形成浪費，所以有導致成本= 與上述(1)之半切割同樣地，需要充分 半切割條件。 5 ，外’接著膜(黏著帶)係使用規定了點著 化 點者（如參照專利文獻3)。 b [專利文獻1]日本特開2〇〇6_93518號公報 [專利文獻2]日本特開2〇〇7_3〇〇85號公報 [專利文獻3]曰本特開2〇〇7_154119號公 【發明内容】 本發明之課題為解決先前之前述肩題，以達成以下之 200938032 目的。亦即，本發明之曰沾 法，可防场纽人接^的騎供—種接著以轉著方 致發生轉著於_ ，岐㈣質穩植’並且不 與接著層之接著面積：::部的缺損，可維持附著體 力。 匕可棱尚接著層對附著體之接著 用於解決前述課題之手段如下。亦即， Ο

著層難著膜之轉著枝，係將具_離層與接 ，，熱並使其接觸於附著趙上，而使=: ==著體上’其特徵為包含:輸送程序，其= ，者膜輪送至前述加熱部與前述附著體之間；擠壓程 、係藉由前述加熱部從前述剝離層侧擠壓前 :著:前：r/r第一加熱溫度铺^ 二者體，切_序’錢使對前述接著膜之輸送方向，比 别述加熱部設置於後部之高溫加熱部，從前述剝離層侧接 觸於前述接著膜，並將前述接著層加熱至第二加熱溫度而 切$;及轉著程序，其係從接觸於前述附著體之接著層剝 離别述剝離層，而使接觸於前述附著體之接著層轉著於前 述附著體。、 該接著膜之轉著方法中，在輸送程序中，係將接著膜 輸送至加熱部與附著體之間，在擠壓程序中，係藉由加熱 部從剝離層侧擠壓接著膜，並將接著層加熱至第一加熱溫 度而接觸於附著體，在切斷程序中，係將對接著膜之輸送 方向，比加熱部設置於後部之高溫加熱部，從剝離層侧接 200938032 觸於接著膜，並將接著層加熱 轉著程序中，係從接觸於附著辨第二加熱溫度而切斷，在 觸於附著體之接著層轉著=接著層剝離剝離層，接 入接著層，而提高品質穩定性，：。結果’可防止雜質混 ϋ之接著層端部的缺損， 並且不致發生轉著於附著 積，因此可提高接著層對附著體接著層之接著面 <2>—種接著膜之轉著 ^ 。 著層之接跡藉由加熱部從將具備剝離層與接 接著層予以加熱並使其接觸於附著^:層：f ’將前述 轉著於前述附著體上，苴特 人 使則述接者層 輸送至前述加熱部與二附== 序，其係使對前述接著膜之於 所私 於後敎心加熱部，從㈣卿層 述接著層加熱至第二加熱溫度而切斷;擠壓程 序，其係猎由前述加熱部從前述剝離層側擠壓前 膜三將前述接著層加熱至第一加熱溫度，使其接觸於 附著，、;及轉著程序，其係從接觸於前述附著體之接著層 剝離刖述剝離層，而使接觸於前述附著體之 前述附著體。 曰得耆於 該接著膜之轉著方法中，在輸送程序中，係將接著膜 輸送至加熱部與附著體之間，在切斷程序中，係將對接著 膜之輸送方向，比加熱部設置於後部之高溫加熱部，從剥 離層側接觸於接著膜，並將接著層加熱至第二加熱溫度而 切斷，在擠壓程序中-，係藉由加熱部從剝離層側擠壓给著 200938032 膜，並將接著層加熱至第一加敎、而 轉著程序中，係從接觸於附著體，在 體之接著層端部的缺損，可維持附著體盥著 積，因此可提高接著層對附著體之接著力。Λ 面 ❹ 著層之接著膜，法，係將具傷剩離層與接 接著層予以加熱並使其接觸層：!將前述 轉著於前述附著體上，其特徵=上而使别述接著層 膜，將前述接著層加熱層側擠歷前述接著 ❹ 前述加熱部設丄部著膜之輸送方向，* 觸於前述接著膜，並述剝二:接 離前述剝離層，而隸觸於别述附著體之接著層剝 述附著體，·並同時進行前轉著於前 狀㈣μ t ’在著膜 mu部與附著體之間，在擠餘序中，係藉由加熱 -r’係將對接著膜—=== 7 200938032 溫加熱部，從剝離層側接觸於接著膜，並將接著層加熱至 第二加熱溫度而切斷，在轉著程序中，係從接觸於附著體 之接著層剝離剝離層，接觸於附著體之接著層轉著於附著 體。結果，可防止雜質混入接著層，而提高品質穩定性， 並且不致發生轉著於附著體之接著層端部的缺損，可維持 附著體與接著層之接著面積，因此可提高接著層對附著體 之接著力。 <4>記載於前述<1>至<3>中任一項的接著膜之 轉著方法，接著膜之寬度係1mm〜20mm。 <5>記載於前述< 1>至<4>中任一項的接著膜之 轉著方法，接著層含有黏合劑樹脂及硬化劑，該黏合劑樹 脂含有環氧樹脂及丙烯酸樹脂之至少任何一種。 <6>記載於前述<5>的接著膜之轉著方法，第二加 熱溫度係50°C〜190°C。 <7>記載於前述<1>至<6>中任一項的接著膜之 轉著方法，接著層含有導電性粒子。 <8>記載於前述< 1>至<7>中任一項的接著膜之 轉著方法，將加熱部與高溫加熱部予以一體化。 採用本發明時，可解決先前之前述各種問題，可防止 雜質混入接著層，而提高品質穩定性，並且不致發生轉著 於附著體之接著層端部的缺損，可維持附著體與接著層之 接著面積，因此可提高接著層對附著體之接著力。 此外，採用本發明時，可提供可輕易地控制（管理） 接著層之切斷條件，並且可-簡化接著層之轉著程序，而簡 8 200938032 爾刪狀轉著方法。 (接著膜之轉著方法） 壓程序發接箸膜之轉著方法至少包含：輸送程序、擠 麼程序、切斷程序、 宜選擇之其他程序。 進一步包含依需要而適 J 〈接著膜：> ❹FT: ^接著膜只要係具有獅層與接著層者，並無特別 ;二;依目的適宜選擇，如舉出寬度係一瓜之 —剝離層一 =述剝離層就其形狀、構造、大小、厚度及材料（材 ’並無特別限制，可依目的適宜選擇，不過，宜為 剝離性良好者及耐熱性高者，如適合地舉出塗布了石夕等剝 離劑之透明的剝離PET (聚對苯甲酸伸乙酯）片等。 ❹ 一接著層一 前述接著層只要係具有藉由熱而軟化之性者， 狀、構造、大小、厚度及材料（材質）等並無特別限制， . 可依目的適宜選擇，如舉出含有黏合劑樹脂及硬化劑之接 . 著層等。此外，接著層亦可為不含導電性粒子iNCF層， 或是含有導電性粒子之ACF層。前述接著層之厚度宜為 20μιη 程度（ΙΟμιη〜50μπι)。 --黏合劑樹脂-- 前"述黏合劑樹脂宜為從環氧樹脂及两婦酸樹脂選擇 200938032 ' i 之至少1種樹脂構成者。 作為上述環氧樹脂者’無特殊限制，可視目的適宜選 擇，可列舉如雙鹼A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、驗 搭型環氧樹脂等。對於此等’可单獨使用一種，亦可併用 2種以上。 作為上述丙烯酸系樹脂者’無特殊限制，可視目的適 宜選擇，可列舉，例如丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸 異丙酯、丙烯酸異丁酯、丙烯酸環氧酯、乙二醇二丙烯酸 酯、二乙二醇二丙烯酸酯、三羥曱基丙烷三丙烯酸酯、二❹ 羥曱基三環癸烷二丙烯酸酯、四亞甲基二醇四丙烯酸酯、 2-羥基-1，3-二丙烯醯氧基丙烷、2,2-雙[4-(丙烯醯氧基甲氧 基)苯基]丙烧、2,2-雙[4-(丙烯醯氧基乙氧基)苯基]丙燒、 丙烯酸二環戊烯基醋、丙烯酸三環癸基醋、参（丙烯醯氧乙 基)異氰尿酸酯、胺基甲酸酯丙烯酸酯等。對於此等，可單 獨使用一種，亦可併用2種以上。 此外’舉出將前述丙埽酸醋形成甲基丙烯酸醋者，此 等亦可單獨使用1種，亦可併用2種以上。 ❹ --硬化劑—— ’並無特別限 舉出胺系硬化 .前述硬化劑只要是硬化黏合劑樹脂者 制’可依目的適宜選擇，如為環氣樹脂時， 劑’為丙烯酸樹脂時，舉出有機過氧化物。 --導電性粒子—— 200938032 金屬粒子；以金屬（錄u、鋼等）⑽覆蓋之樹脂 ，子、玻璃粒子或是陶E粒子；射絕緣覆蓋此等之粒子 等。使用此等導電性粒子時，除了可吸收接合之端子及基 板配線的平滑性之變動’確保製造時之處理範圍之外，即 使藉由應力*離開連接點時，仍$確保導通，而獲得高度

金電蓋樹練子，如為錄 -2L BB ^ 在可防止因刖述導電性粒子進入端 二㈣ 路方面，前述金屬覆蓋樹脂粒子更宜為藉 由絕緣樹賴蓋㈣叙絕緣粒子。粒子更且為藉 要二:::::可:r他成分’前述 的添加劑中適宜選擇，如舉、,、特別限制，可依目的從熟知 防老化劑'著色劑、出填充劑、軟化劑、促進劑、 前述其他成分c合劑等。 導電性粒子、前述黏合劑樹脂別限制，可按照與前述 係而適宜選擇。9別述硬化劑等添加量的關 〈輸送程序〉 輸送程序係將接著膜輪、、：、 程序。該輸送程序中，如第於加熱部與附著體之間的 部）14與面板（附著體）b A圖所示，在加熱頭（加熱 示）輪送具備基底膜（軔離層^間，藉由輸送手段（無圖 J3。另外，第一人囷中之箭_ 11與接著層12之接著膜 送方向。在此，係基底 =A方向顯示接著膜13之輸 膜11與加熱頭U相對，-且接著層 200938032 12輿面板15相對地輸送接著膜13。此外，為了將接著臈 ‘ 13加熱至第一加熱溫度，而預先將加熱頭14加熱。 、 <擠壓程序> 擠壓程序係藉由加熱部從剝離層側擠壓接著膜，將接 著層加熱至第一加熱溫度而使其接觸於附著體的程序。該 擠壓程序中，如第一 B圖所示，藉由將加熱頭14壓下箭 頭B方向，而從基底膜η侧擠壓接著膜13，將接著層η 加熱至第一加熱溫度而接觸於面板15。在此，第一加熱、 度係接著層12接觸於面板15時臨時貼上之溫度，且通常❽ 宜為 40°C 〜125。(：，更宜為 6(TC 〜100。(：。 <切斷程序> 〇 切斷程序係使對接著膜之輸送方向，比加熱部設置於 後部之高溫加熱部從剝離層側接觸於接著膜，將接著層加 熱至第一加熱溫度而切斷的程序。該切斷程序中，如第一 C圖及第一 D圖所示，係使對接著膜13之輪送方向（箭 頭A方向），設置於加熱頭14之後部的高溫單元16 (頂 端為微小面積之熱源等）接觸於接著膜13，接著層12被 加熱至第二加熱溫度而熔化軟化，並熔斷或切斷。在此， 第二加熱溫度係比前述第一加熱溫度高之熔化軟化接著 層12的溫度，且係比基底膜n之軟化點至接著^ a完 全熱硬化之溫度低的溫度’通常宜為5(rc〜 C，更且 為 90°C 〜150〇C。 此外，加熱頭14與高溫單元16亦可獨立，亦可為一 體式（嘌一 E圖），不過，從溫度管理之觀點而一，加熱 12 200938032 頭14與高溫單元16宜獨立。 ' ❹

此外，在後述之剝離程序中，基底膜U從臨時貼於 面板15之接著層12a剝離時，接著層12之切斷部分 被加熱至第二溫度時，高溫單元16接觸於接著膜之^ 序’亦可在藉由加熱頭14從基底膜U侧擠壓接著骐13 之壓著處理之前，亦可與壓著處理同時，亦可在壓著▲理 之後。亦即，擠壓程序及切斷程序亦可按照擠壓程序及切 斷程序之進行，亦可按照喊程序及擠壓程序之順序 進行’亦可同時進行擠壓程序及切斷程序。 <轉著程序> 轉著程序係從接觸於附著體之接著層剝離剝離層 使接觸於附著體之接著層轉著於附著體的程序。該轉著程 =中，如基底膜π與接著層12b (臨時貼於面板15之 掀開，而從臨時貼於面板15之接著層仏制離， F圖)15之接著層仏轉著於面板15 (參照第- <其他程序> 别述其他程序並無特別限制，可依 採用本發明的接著膜之轅荽^ 1且選擇《 =Τ2,的缺損，可維持轉著於面 == b之接著層仏的接著力積因此可^轉者於面极 此外，採財料的⑽叙詩方法時，可輕易-地 200938032 控制（管理）接著層12之切斷條件，並且可簡化接著層 -12之轉著程序，而可簡化臨時壓著裝置之構造。 曰 (實施例） 以下，就本發明之實施例作說明，不過本發明不限定 於下述任何實施例。 (實施例1 ) —接著膜之製作一 混合作為前述黏合劑樹脂之環氧樹脂（γΕΡ828 . JAPANEPOXY RESIN製）3〇質量份、環氧樹脂〇 (「EP1004」； JAPANEPOXYRESIN 製）20 質量份、苯氧 基樹脂（「PKHH」； In Chem社製）20質量份、環氧硬化 劑（「HX3941HP」；旭化成社製）30質量份、導電性粒子 (平均粒徑為3μιη之樹脂核心中實施鎳/金電鍍者，積水 化學工業社製）20質量份，調製樹脂組合物’其中添加作 為溶劑之甲苯/乙酸乙酯（混合比1 : 1 ) 8〇質量份，以 攪拌器溶解混合來調製成膏。 Ο 使用桿塗布機將前述調製出之膏塗布於實施了石夕處w 理（剝離處理）之聚對苯甲酸伸乙酯（PET)膜（厚度 38μηι)，以設定成70°C之電烤箱加熱8分鐘，製作出具有 乾燥膜厚為20μπι之接著層（ACF層）的接著膜。 〜接著臈之轉著一 將製作出之接著膜裁切成2mm寬，使裁切後之接著 膜放置於ITO模型玻璃(pattern glass)(厚度0.4mm)上， 藉由設定成8〇〇C之臨時壓著裝置（加熱部）從i>ET膜侧 14 200938032 擠壓接著膜’將ACF層加熱而臨時貼於ITO模型玻璃/ 進一步使預先加熱成指定溫度之熱線（高溫加熱部）從ΡΕΤ 膜側接觸於接著膜（對接著膜之輸送方向比臨時壓著裝置 (加熱部）在後部）3秒鐘，將ACF層之切斷部分加熱至 150 c而切斷’之後’藉由掀開PET膜，而從臨時貼於IT0 模型玻璃之ACF層剝離PET膜，而使臨時貼於IT〇模型 玻璃之ACF層轉著於ιΤ〇模型玻璃。 就轉者了 ACF層之ΙΤΟ模型玻璃，藉由下述方法測 定接著性及導通可靠性。將結果顯示於表1。 〈揍著性〉 在轉著於ΙΤΟ模型玻璃之ACF層上堆疊玻璃紙帶 (Cerrotape)(曰本登錄之商標），立即剝下玻璃紙帶，觀察 ACF層在ITO模型玻璃上的殘留狀態。 〈導通可靠性〉 在轉著了 ACF層之ITO模型玻璃上組裝以下所示之 ❹ ic晶片，測定導通電阻。進一步將組裝後之樣品在85。〇85 %RH環境下放置200小時，放置後再度測定導通電阻。 另外’將1C晶片之邊緣部與ACF層之貼合邊緣部對準， 若ACF層有欠缺情況下’調製成IC晶片之凸塊部上不存 在導電性粒子的狀態。 —1C晶片一 為1.8mmx20mmx〇.5mm (厚度）之尺寸，係具有凸 塊面積係2.550μιη2之凸塊者。 — (實施例2) — 15 200938032 在實施例1中，除了不混合導電性粒子（平均粒徑為 3μιη之樹脂核心中實施鎳/金電鍍者，積水化學工業社 製）20質量份，而調製了樹脂組合物之外，與實施例j 中同樣地製作具有NCF層之接著膜，使NCF層轉著於ΙΤ〇 模型玻璃，就轉著了 N C F層之IΤ Ο模型玻璃測定接著性。 將結果顯示於表1。 (比較例1) 在實施例1中，除了將「使裁切後之接著膜放置於ϊτ〇 模型玻璃（厚度〇.4mm)上，藉由設定成8(rc之臨時壓著❹ 裝置（加熱部）從PET膜側擠壓接著膜，將aCF層加熱 而臨時貼於ITO模型玻璃，進一步使預先加熱成指定溫度 之熱線（高溫加熱部）從PET膜側接觸於接著膜（對接著 膜之輸送方向比臨時壓著裝置（加熱部）在後部）3秒鐘， 將ACF層之切斷部分加熱至15〇。〇而切斷」，代之以「在 裁切後之接著膜的ACF層（對接著膜之輸送方向比臨時 壓著裝置（加熱部）在後部）中***刀片’切入約2〇mm Ο 進行半切割，進一步使半切割後之接著膜放置於汀〇模型0 玻璃（厚度0.4mm)上，藉由設定成肋它之臨時壓著裝置 (加熱部）從PET膜側擠壓接著膜，冑ACF層加熱^臨. 時貼於ITO模型玻璃」之外，與實施例J同樣地製作接著 膜’使ACF層轉著於IT0模型玻璃，就轉著了 ACF層之 ITO模型玻璃測定接著性及導通可靠性。將結果顯示於表 1 ° (比較例2) - 16 200938032 在實施例2中，除了將「使裁切後之接著膜放置於ΙΤ〇 模型玻璃（厚度〇.4mm)上，藉由設定成80°C之臨時壓著 裝置（加熱部）從PET膜側擠壓接著膜，將NCF層加熱 而臨時貼於1T0模型玻璃，進一步使預先加熱成指定溫度 之熱線（高溫加熱部）從PET膜侧接觸於接著膜（對接著 膜之輸送方向比臨時壓著裝置（加熱部）在後部）3秒鐘， -將NCF層之切斷部分加熱至i5〇t：而切斷」，代之以「在 • 裁f後之接著膜㈤NCF層（對接著膜之輸送方向比臨時 壓著I置（加熱部）在後部）中***刀片，切入約2〇mm 進行半切割，進一步使半切割後之接著膜放置於IT0模型 玻璃（厚度0.4mm)上，藉由設定成80°c之臨時壓著裴置 (加熱部）從PET膜侧擠壓接著膜，將NCF層加熱而臨 時貼於ITO模型玻璃」之外，與實施例i同樣地製作接著 膜，使NCF層轉著於ιτο模型玻璃，就轉著了 NCF層之 ιτο模型玻璃測定接著性。將結果顯示於表i。 ❹ [表1] 實施例1 實施例2 比鮫例1 fchi Y?*! 2 切斷方法 熱切割 熱切ΐί 丰切創 半切割 樣品 ACF NCF —.丨 口 J_ ACF — NCF 玻璃紙帶測 試 無剝離 無剝離 切割部分 剝離甚至 咸指 切割部分 剝離甚至 缺指 導通電阻值 (Ω) (初始信、 1.1 — 2.8 1只 導通電阻值 (两溫面濕 下放置展） 5.2 -— 500以上 (_斷線） 一 17 200938032 其中’表1中之導通電阻值（Ω)顯示最大值（Max 值）。 從表1判斷出實施例1及2之以熱切割而切斷的接著 層（ ACF層、NCF層）可防止在切割部分（端部）發生剝 離甚至缺損，而維持與ITO模型玻璃之接著面積，且與咖 权型玻璃之密著性亦比比較例1及2之以半切割而切斷 接著層高。 進一步從表1判斷出以熱切割而切斷之ACF層（實 施例1 ) 了確保良好之電性連接’即使高溫高濕下放置後❹ 仍不發生斷線’而獲得高度導通可靠性，而以半切割所切 斷之ACF層（比較例〇的切割部分（端部）發生剝離甚 至缺損，無法確保良好之電性連接，在高溫高濕下放置後 發生斷線，而無法獲得高度導通可靠性。 (實驗例1) —接著膜之製作一 混合作為前述黏合劑樹脂之環氧樹脂（「EP828」； JAPANEPOXY RESIN製）30質量份、環氧樹脂〇 (「EP1004」； JAPANEPOXYRESIN 製）20 質量份、笨氧 基樹脂（「PKHH」；In Chem社製）2〇質量份、環氧硬化 劑（「HX3941HP」；旭化成社製）3〇質量份，調製樹脂組 合物，其中添加作為溶劑之甲苯/乙酸乙酯（混合比1:1) ‘ 80質量份’以搜拌器溶解混合來調製成膏。 使用桿塗布機將前述調製出之膏塗布於實施了矽處 理（剝離處理）之聚對苯曱酸伸乙酯（PET)膜（厚度 18 200938032 38μπι)’以設定成7〇°〇之電烤箱加熱8分鐘，製作出具有 乾燥膜厚為20μπΐ2接著層（NCF層）的接著膜。 —接著膜之轉著_ 將製作出之接著膜裁切成2mm寬，使裁切後之接著 〜膜放置於低鹼玻璃（厚度〇.5mm)上，藉由設定成8〇。〇之 臨時壓著襞置（加熱部）從PET膜侧擠壓接著膜，將NCF ‘層加熱而臨時貼於低鹼玻璃。進一步使預先加熱成指定溫 H 度之熱線（高溫加熱部）從PET膜側接觸於接著膜（對接 著膜之輸送方向比臨時愿著裝置（加熱部）在後部）3秒 鐘’將NCF層之切斷部分加熱至下述表2之切斷溫度而 切斷’之後’藉由掀開PET膜’而從臨時貼於低驗玻璃之 NCF層剥離PET膜，而使臨時貼於低驗玻璃之NCF層轉 著於低鹼玻璃。 就轉著了 NCF層之低鹼玻璃，藉由下述方法測定轉 著性及反應性。將結果顯示於表2。 〇 <轉著性> 依據下述基準判定NCF層對低鹼玻璃之轉著狀態。 將結果顯示於表2。 ◎ : NCF層轉著於低鹼玻璃。 △ :NCF層之一部分轉著於低鹼玻璃（成為臨時貼上 之NCF層的一部分從低鹼玻璃分離的狀態）。 X : NCF層不轉著於低鹼玻璃。 <反露性> 19 200938032 i ,. 就從NCF層之切斷部分採取的樣本，以FT —ir作測 定，藉由下述公式⑴算出反應率(％)。將結果顯示於表2。 反應率(％)= ( 1 —(a/b)/( A/B))xl〇〇 ...(1) 其中，公式⑴中，Α表示基於未硬化之NCF層中環 氧基的吸光度(absorbance)，B表示基於未硬化之NCF層 中甲基的吸光度(absorbance)，a表示基於硬化後之NCF 層中環氧基的吸光度（absorbance)，b表示基於硬化後之 NCF層中甲基的吸光度（absorbance) 〇 [表2]

從表2判斷出切斷溫度5〇°C以上時，可轉著ncf層。 切斷溫度未達5(TC時，由於NCF層之切斷部分未軟化曰， 因此臨時貼上之NCF層依然附著於PET膜而被掀開，無 法保持接著膜之形狀。 〇 此外，判斷出切斷溫度為50〇c〜7(rc時，由於NCF 層之切斷部分未充分軟化’因此臨時貼上之層的一 部分依然附著於PET膜而被掀開，而成為臨時貼上之NCF 層的一部分從低鹼玻璃分離的狀態-。 20 200938032 此外，切斷溫度為l7〇t以上（]7〇。〇、：。 從反應率⑽、27%)邦斷出開始ncf層、i90°c)時， 雖然從切斷形狀穩定化的觀點而言 ^化。在此’ 熱硬化m辑料鱗_ ncf層之 就無問題。 在實際使用上 從以上瞭解，切斷溫度宜為5(TC〜190¾。 【產業上之可利用性】 。 ❹ 之接可㈣地轉著接著膜中 鞍者層，如可適合使用於1C標籤、Ic卡=百膦甲 面板顯示器等的製造。 、記憶卡、平 【圖式簡單說明】 第一 A圖係顯示本發明的接著膜之轉著方法 送程序之概略說明囷。 、的一種輪 第一 B圖係顯示本發明的接著膜之轉著方法 壓程序之概略說明圖。 、- 第一 C圖係顯示本發明的接著膜之轉著方法 斷程序之概略說明圓（之一）。 、- 第一 D圖係顯示本發明的接著膜之轉著方法中 斷程序之概略說明圖（之二）。 的_ 第一:E圖係顯示一種附加了高溫單元之加熱頭（― 的概略說明圖。 第一 F圖係顯示本發明的接著膜之轉著方法中的_ 著程序之概略說明圖。 第二A圖係顯示一種半切割方式之概略說明圖《戈 21 200938032 第二B圖係顯示一種半切割方式之概略說明圖（之二）。 第二C圖係顯示一種半切割方式之概略說明圖（之三）。 第二D圖係顯示一種貼合不良之概略說明圖（之一）。 第二E圖係顯示一種貼合不良之概略說明圖（之二）。 第二F圖係顯示一種貼合不良之概略說明圖（之三）。 第三A圖係顯示一種中間移除方式之概略說明圖（之一）。 第三B圖係顯示一種中間移除方式之概略說明圖（之二）。 【主要元件符號說明】 11 基底膜（剝離層） ❹ 12 接著層 12a接著層 12b接著層 12c 切斯部分 13 接著膜 14 加熱頭

15 面板 16 高溫單元 22

Claims (1)

1. I 200938032 七、申請專利範圍： L 一種接著狀轉著⑽，鱗具備_層與接著層之接著 膜，藉由加熱部從前述剝離層側擠磨 ==:體上，前述接著層轉著=: .附著序’其係將前述接著膜輪送至前述加熱部與前述 ❿ =程序’其係藉由前述加熱部從前述剝離層侧擠 述接者膜’將前述接著層加熱至第—度接 前述附著體； 又使兵搔觸於 切:程其係使對前述接著膜之輸送方向，比前述加 熱部’從前述_侧接觸於前述 ur? 至第二加熱溫度而切斷;及 轉著程序、倾關於前述崎體之接著 ❹ 】離層’而使接觸於前述附著體之接著層轉著‘前述 2.-種接著膜之轉著方法，係將具備剝離層與 之 膜，藉由加熱部從前述剝離層側_，將著=接著 熱並使其接觸於附著體上’而使前述接著層轉=以加 體上’其特徵為包含： 者於别4附著 附著=序’其係將前述接著膜輸送至前述加熱部與前述 熱部=3部===接著膜之輸送方向，比前述加 卩之…皿加熱部，從前述剝離層侧接觸於前述 23 200938032 i · 接著膜，並將前述接著層加熱至 ‘， 擠壓程序，其係夢由前、十、\ & 一加熱溫度而切斷； 述接著膜，將前述‘層加二2從前述剝離層侧擠壓前 前述附著體；及 加熱溫度，使其接觸於 轉著程序，其係從接觸於前 剝離層，而使接觸於前述附、著體之接著層剝離前述 體。 之接著層轉著於前述附著 膜之轉著方法，係將具備剝離層 膜’藉由加熱部從前述剝離層側擠壓：層之接著 熱並使其接觸於附著體上，而使前述接^轉=!予以加❹ 體上，其特徵為包含：㈣著於則述附著 輸送程序’其係將前述接著膜輸 附著體之間； 加熟邛與前述 擠壓程序，其係藉由前述加熱部從前述剝離 j接著膜，將前述接著層加熱至第一加熱 觸二 前述附著體； 义，、躁觸於 切斷程序，其係使對前述接著膜之輸送方向，比扩 Q 熱部設置於後部之高溫加熱部，從前述剝離層侧接觸:前= 接著膜，並將前述接著層加熱至第二加熱溫度而切斷；7 轉著程序，其係從接觸於前述附著體之接著層剝離前述 剝離層，而使接觸於前述附著體之接著層轉著於前述 體，並同時進行前述擠磨程序及前述切斷程序。 4.如申請專利範圍第丨項之接著膜之轉著方法，其中接著膜之 寬度係1mm〜20mm。 24 200938032 5. 如申請專利範圍第1項之接著膜之轉著方法，其中接著層含 有黏合劑樹脂及硬化劑，該黏合劑樹脂含有環氧樹脂及丙烯 酸樹脂之至少任何一種。 6. 如申請專利範圍第5項之接著膜之轉著方法，其中第二加熱 溫度係50°C〜190°C。 7. 如申請專利範圍第1項之接著膜之轉著方法，其中接著層含 有導電性粒子。 8. 如申請專範圍第1項之接著膜之轉著方法，其中將加熱部與 高溫加熱部予以一體化。 25