TW200938032A - Method for transferring adhesive film - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 77
- 239000002313 adhesive film Substances 0.000 title claims abstract description 49
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 170
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 96
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims abstract description 47
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims abstract description 36
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims abstract description 24
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 17
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 17
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 16
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 11
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 11
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 claims description 5
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 claims description 5
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 claims description 5
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 claims description 4
- 239000004848 polyfunctional curative Substances 0.000 claims description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 4
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims description 2
- 206010036790 Productive cough Diseases 0.000 claims 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims 1
- 210000003802 sputum Anatomy 0.000 claims 1
- 208000024794 sputum Diseases 0.000 claims 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 abstract description 14
- 239000012535 impurity Substances 0.000 abstract description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 41
- 206010040844 Skin exfoliation Diseases 0.000 description 28
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 description 14
- 239000002585 base Substances 0.000 description 12
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 7
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 6
- 238000002835 absorbance Methods 0.000 description 5
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 5
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 239000004840 adhesive resin Substances 0.000 description 3
- 229920006223 adhesive resin Polymers 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 3
- -1 propylene (propylene oxyethyl) isocyanurate Chemical compound 0.000 description 3
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 description 3
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LEJBBGNFPAFPKQ-UHFFFAOYSA-N 2-(2-prop-2-enoyloxyethoxy)ethyl prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCCOCCOC(=O)C=C LEJBBGNFPAFPKQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KUBDPQJOLOUJRM-UHFFFAOYSA-N 2-(chloromethyl)oxirane;4-[2-(4-hydroxyphenyl)propan-2-yl]phenol Chemical compound ClCC1CO1.C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 KUBDPQJOLOUJRM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 2-Propenoic acid Natural products OC(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KUDUQBURMYMBIJ-UHFFFAOYSA-N 2-prop-2-enoyloxyethyl prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCCOC(=O)C=C KUDUQBURMYMBIJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000298 Cellophane Polymers 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- BAPJBEWLBFYGME-UHFFFAOYSA-N Methyl acrylate Chemical compound COC(=O)C=C BAPJBEWLBFYGME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N bisphenol F Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1CC1=CC=C(O)C=C1 PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- 210000003298 dental enamel Anatomy 0.000 description 2
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 239000000052 vinegar Substances 0.000 description 2
- 235000021419 vinegar Nutrition 0.000 description 2
- NNNLYDWXTKOQQX-UHFFFAOYSA-N 1,1-di(prop-2-enoyloxy)propyl prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OC(CC)(OC(=O)C=C)OC(=O)C=C NNNLYDWXTKOQQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YNOHHTBATWDGKJ-UHFFFAOYSA-N 1,3-bis(prop-1-enoxy)propan-2-ol Chemical compound C(=CC)OCC(O)COC=CC YNOHHTBATWDGKJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CFVWNXQPGQOHRJ-UHFFFAOYSA-N 2-methylpropyl prop-2-enoate Chemical compound CC(C)COC(=O)C=C CFVWNXQPGQOHRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- XWUNIDGEMNBBAQ-UHFFFAOYSA-N Bisphenol A ethoxylate diacrylate Chemical compound C=1C=C(OCCOC(=O)C=C)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(OCCOC(=O)C=C)C=C1 XWUNIDGEMNBBAQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000219112 Cucumis Species 0.000 description 1
- 235000015510 Cucumis melo subsp melo Nutrition 0.000 description 1
- JIGUQPWFLRLWPJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acrylate Chemical compound CCOC(=O)C=C JIGUQPWFLRLWPJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N Methacrylic acid Chemical compound CC(=C)C(O)=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RIUQHCOQTXZANT-UHFFFAOYSA-N OC(=O)C=C.OC(=O)C=C.OC(=O)C=C.OC(=O)C=C.OCCCCO Chemical compound OC(=O)C=C.OC(=O)C=C.OC(=O)C=C.OC(=O)C=C.OCCCCO RIUQHCOQTXZANT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000282320 Panthera leo Species 0.000 description 1
- QOSMNYMQXIVWKY-UHFFFAOYSA-N Propyl levulinate Chemical compound CCCOC(=O)CCC(C)=O QOSMNYMQXIVWKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- FJJCIZWZNKZHII-UHFFFAOYSA-N [4,6-bis(cyanoamino)-1,3,5-triazin-2-yl]cyanamide Chemical compound N#CNC1=NC(NC#N)=NC(NC#N)=N1 FJJCIZWZNKZHII-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XBCFXELSWDAYIW-UHFFFAOYSA-N [4-[2-[4-(prop-2-enoyloxymethoxy)phenyl]propan-2-yl]phenoxy]methyl prop-2-enoate Chemical compound C=1C=C(OCOC(=O)C=C)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(OCOC(=O)C=C)C=C1 XBCFXELSWDAYIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 230000003712 anti-aging effect Effects 0.000 description 1
- 210000002469 basement membrane Anatomy 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 125000004386 diacrylate group Chemical group 0.000 description 1
- 229930004069 diterpene Natural products 0.000 description 1
- UHESRSKEBRADOO-UHFFFAOYSA-N ethyl carbamate;prop-2-enoic acid Chemical compound OC(=O)C=C.CCOC(N)=O UHESRSKEBRADOO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 238000007726 management method Methods 0.000 description 1
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 1
- LUCXVPAZUDVVBT-UHFFFAOYSA-N methyl-[3-(2-methylphenoxy)-3-phenylpropyl]azanium;chloride Chemical compound Cl.C=1C=CC=CC=1C(CCNC)OC1=CC=CC=C1C LUCXVPAZUDVVBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001451 organic peroxides Chemical class 0.000 description 1
- PNJWIWWMYCMZRO-UHFFFAOYSA-N pent‐4‐en‐2‐one Natural products CC(=O)CC=C PNJWIWWMYCMZRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013034 phenoxy resin Substances 0.000 description 1
- 229920006287 phenoxy resin Polymers 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- KCTAWXVAICEBSD-UHFFFAOYSA-N prop-2-enoyloxy prop-2-eneperoxoate Chemical compound C=CC(=O)OOOC(=O)C=C KCTAWXVAICEBSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 239000002689 soil Substances 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 239000004575 stone Substances 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
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- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
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- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
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- H01L2224/83101—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector the layer connector being supplied to the parts to be connected in the bonding apparatus as prepeg comprising a layer connector, e.g. provided in an insulating plate member
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- H01L2924/06—Polymers
- H01L2924/078—Adhesive characteristics other than chemical
- H01L2924/0781—Adhesive characteristics other than chemical being an ohmic electrical conductor
- H01L2924/07811—Extrinsic, i.e. with electrical conductive fillers
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- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
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200938032 …、
I 六、發明說明·· 1 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種接著膜之轉著方法,特別是關於將 各異向性導電膜(ACF)等為代表之寬度為數毫米的組裝 用接著膜(接著帶)貼合於附著體之方法。 【先前技術】 先刖’連接電子零件與電路基板等之手段,係使用異 • 向性導電膜(ACF ; Anisotropic Conductive Film )。該異向 ❹ 性導電膜如使用於連接軟性印刷基板(FPC)及1C晶片之 端子,與形成於LCD面板之玻璃基板上的IT〇(氧化銦錫) 電極的情況,以及相互接著各種端子並且電性連接之情 況。 該異向性導電膜(ACF )等為代表之接著膜對附著體 的貼合(轉著)’係如以下(1)〜(4)地進行。 (1) 首先,如第二Α圖所示,係從由基底膜(剝離層) 〇 與ACF層(接著層)構成之接著膜的ACF層侧***刀片, 進行半切割,僅在A C F層上切入任意長度及任意寬度(約 ΙΟΟμηι)(如參照專利文獻i。該半切割時,不切入到基底 膜。 土 (2) 其次’如第二b圖及第二c圖所示,從基底膜侧 藉由臨時壓著裝置之加熱頭擠壓接著膜,將Ααρ層予以 加熱並使其接觸於面板(附著體)上,而將Acf層臨時 貼於面板之數mm〜數cm的接合部分。 (3) 其次,剝下基底膜(由於在ACF層上切入任意之 200938032 長度,因此在面板上僅殘留與面板接觸之任意長度的ACF 層)。 (4)進一步,使ic及配線等接合,實施主壓著。 0 ^上述(1)之半切割中,將刀片***ACF層時,會有附 著於刀片之污染物混入ACF層,導致品質降低的問題。 此外,進行半切割時,需要進行定期地更換***ACF層 之刀片等的維修,而有成本提高的問題。再者,若不充分 控制(管理)半切割條件,會發生半切割不良(切入不足 等)’ ACF層之切斷不充分(ACF層之斷片不良),而發生 =合不良(第二〇圖至第二㈣)之問題。為了防地占 :不+良之發生,如第三A圖及第三B圖所示,轉可進行 從接著膜之ACF層側***2片刀片(2處半 =比上述⑴之半切割中的切入寬之中間移二: 示方式(如參照專利文獻2),不過該中間移 ::多除之-層形成浪費,所以有導致成本= 與上述(1)之半切割同樣地,需要充分 半切割條件。 5 ,外’接著膜(黏著帶)係使用規定了點著 化 點者(如參照專利文獻3)。 b [專利文獻1]日本特開2〇〇6_93518號公報 [專利文獻2]日本特開2〇〇7_3〇〇85號公報 [專利文獻3]曰本特開2〇〇7_154119號公 【發明内容】 本發明之課題為解決先前之前述肩題,以達成以下之 200938032 目的。亦即,本發明之曰沾 法,可防场纽人接^的騎供—種接著以轉著方 致發生轉著於_ ,岐㈣質穩植’並且不 與接著層之接著面積:::部的缺損,可維持附著體 力。 匕可棱尚接著層對附著體之接著 用於解決前述課題之手段如下。亦即, Ο
著層難著膜之轉著枝,係將具_離層與接 ,,熱並使其接觸於附著趙上,而使=: ==著體上’其特徵為包含:輸送程序,其= ,者膜輪送至前述加熱部與前述附著體之間;擠壓程 、係藉由前述加熱部從前述剝離層侧擠壓前 :著:前:r/r第一加熱溫度铺^ 二者體,切_序’錢使對前述接著膜之輸送方向,比 别述加熱部設置於後部之高溫加熱部,從前述剝離層侧接 觸於前述接著膜,並將前述接著層加熱至第二加熱溫度而 切$;及轉著程序,其係從接觸於前述附著體之接著層剝 離别述剝離層,而使接觸於前述附著體之接著層轉著於前 述附著體。、 該接著膜之轉著方法中,在輸送程序中,係將接著膜 輸送至加熱部與附著體之間,在擠壓程序中,係藉由加熱 部從剝離層侧擠壓接著膜,並將接著層加熱至第一加熱溫 度而接觸於附著體,在切斷程序中,係將對接著膜之輸送 方向,比加熱部設置於後部之高溫加熱部,從剝離層侧接 200938032 觸於接著膜,並將接著層加熱 轉著程序中,係從接觸於附著辨第二加熱溫度而切斷,在 觸於附著體之接著層轉著=接著層剝離剝離層,接 入接著層,而提高品質穩定性,:。結果’可防止雜質混 ϋ之接著層端部的缺損, 並且不致發生轉著於附著 積,因此可提高接著層對附著體接著層之接著面 <2>—種接著膜之轉著 ^ 。 著層之接跡藉由加熱部從將具備剝離層與接 接著層予以加熱並使其接觸於附著^:層:f ’將前述 轉著於前述附著體上,苴特 人 使則述接者層 輸送至前述加熱部與二附== 序,其係使對前述接著膜之於 所私 於後敎心加熱部,從㈣卿層 述接著層加熱至第二加熱溫度而切斷;擠壓程 序,其係猎由前述加熱部從前述剝離層側擠壓前 膜三將前述接著層加熱至第一加熱溫度,使其接觸於 附著,、;及轉著程序,其係從接觸於前述附著體之接著層 剝離刖述剝離層,而使接觸於前述附著體之 前述附著體。 曰得耆於 該接著膜之轉著方法中,在輸送程序中,係將接著膜 輸送至加熱部與附著體之間,在切斷程序中,係將對接著 膜之輸送方向,比加熱部設置於後部之高溫加熱部,從剥 離層側接觸於接著膜,並將接著層加熱至第二加熱溫度而 切斷,在擠壓程序中-,係藉由加熱部從剝離層側擠壓给著 200938032 膜,並將接著層加熱至第一加敎、而 轉著程序中,係從接觸於附著體,在 體之接著層端部的缺損,可維持附著體盥著 積,因此可提高接著層對附著體之接著力。Λ 面 ❹ 著層之接著膜,法,係將具傷剩離層與接 接著層予以加熱並使其接觸層:!將前述 轉著於前述附著體上,其特徵=上而使别述接著層 膜,將前述接著層加熱層側擠歷前述接著 ❹ 前述加熱部設丄部著膜之輸送方向,* 觸於前述接著膜,並述剝二:接 離前述剝離層,而隸觸於别述附著體之接著層剝 述附著體,·並同時進行前轉著於前 狀㈣μ t ’在著膜 mu部與附著體之間,在擠餘序中,係藉由加熱 -r’係將對接著膜—=== 7 200938032 溫加熱部,從剝離層側接觸於接著膜,並將接著層加熱至 第二加熱溫度而切斷,在轉著程序中,係從接觸於附著體 之接著層剝離剝離層,接觸於附著體之接著層轉著於附著 體。結果,可防止雜質混入接著層,而提高品質穩定性, 並且不致發生轉著於附著體之接著層端部的缺損,可維持 附著體與接著層之接著面積,因此可提高接著層對附著體 之接著力。 <4>記載於前述<1>至<3>中任一項的接著膜之 轉著方法,接著膜之寬度係1mm〜20mm。 <5>記載於前述< 1>至<4>中任一項的接著膜之 轉著方法,接著層含有黏合劑樹脂及硬化劑,該黏合劑樹 脂含有環氧樹脂及丙烯酸樹脂之至少任何一種。 <6>記載於前述<5>的接著膜之轉著方法,第二加 熱溫度係50°C〜190°C。 <7>記載於前述<1>至<6>中任一項的接著膜之 轉著方法,接著層含有導電性粒子。 <8>記載於前述< 1>至<7>中任一項的接著膜之 轉著方法,將加熱部與高溫加熱部予以一體化。 採用本發明時,可解決先前之前述各種問題,可防止 雜質混入接著層,而提高品質穩定性,並且不致發生轉著 於附著體之接著層端部的缺損,可維持附著體與接著層之 接著面積,因此可提高接著層對附著體之接著力。 此外,採用本發明時,可提供可輕易地控制(管理) 接著層之切斷條件,並且可-簡化接著層之轉著程序,而簡 8 200938032 爾刪狀轉著方法。 (接著膜之轉著方法) 壓程序發接箸膜之轉著方法至少包含:輸送程序、擠 麼程序、切斷程序、 宜選擇之其他程序。 進一步包含依需要而適 J 〈接著膜:> ❹FT: ^接著膜只要係具有獅層與接著層者,並無特別 ;二;依目的適宜選擇,如舉出寬度係一瓜之 —剝離層一 =述剝離層就其形狀、構造、大小、厚度及材料(材 ’並無特別限制,可依目的適宜選擇,不過,宜為 剝離性良好者及耐熱性高者,如適合地舉出塗布了石夕等剝 離劑之透明的剝離PET (聚對苯甲酸伸乙酯)片等。 ❹ 一接著層一 前述接著層只要係具有藉由熱而軟化之性者, 狀、構造、大小、厚度及材料(材質)等並無特別限制, . 可依目的適宜選擇,如舉出含有黏合劑樹脂及硬化劑之接 . 著層等。此外,接著層亦可為不含導電性粒子iNCF層, 或是含有導電性粒子之ACF層。前述接著層之厚度宜為 20μιη 程度(ΙΟμιη〜50μπι)。 --黏合劑樹脂-- 前"述黏合劑樹脂宜為從環氧樹脂及两婦酸樹脂選擇 200938032 ' i 之至少1種樹脂構成者。 作為上述環氧樹脂者’無特殊限制,可視目的適宜選 擇,可列舉如雙鹼A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、驗 搭型環氧樹脂等。對於此等’可单獨使用一種,亦可併用 2種以上。 作為上述丙烯酸系樹脂者’無特殊限制,可視目的適 宜選擇,可列舉,例如丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸 異丙酯、丙烯酸異丁酯、丙烯酸環氧酯、乙二醇二丙烯酸 酯、二乙二醇二丙烯酸酯、三羥曱基丙烷三丙烯酸酯、二❹ 羥曱基三環癸烷二丙烯酸酯、四亞甲基二醇四丙烯酸酯、 2-羥基-1,3-二丙烯醯氧基丙烷、2,2-雙[4-(丙烯醯氧基甲氧 基)苯基]丙烧、2,2-雙[4-(丙烯醯氧基乙氧基)苯基]丙燒、 丙烯酸二環戊烯基醋、丙烯酸三環癸基醋、参(丙烯醯氧乙 基)異氰尿酸酯、胺基甲酸酯丙烯酸酯等。對於此等,可單 獨使用一種,亦可併用2種以上。 此外’舉出將前述丙埽酸醋形成甲基丙烯酸醋者,此 等亦可單獨使用1種,亦可併用2種以上。 ❹ --硬化劑—— ’並無特別限 舉出胺系硬化 .前述硬化劑只要是硬化黏合劑樹脂者 制’可依目的適宜選擇,如為環氣樹脂時, 劑’為丙烯酸樹脂時,舉出有機過氧化物。 --導電性粒子—— 200938032 金屬粒子;以金屬(錄u、鋼等)⑽覆蓋之樹脂 ,子、玻璃粒子或是陶E粒子;射絕緣覆蓋此等之粒子 等。使用此等導電性粒子時,除了可吸收接合之端子及基 板配線的平滑性之變動’確保製造時之處理範圍之外,即 使藉由應力*離開連接點時,仍$確保導通,而獲得高度
金電蓋樹練子,如為錄 -2L BB ^ 在可防止因刖述導電性粒子進入端 二㈣ 路方面,前述金屬覆蓋樹脂粒子更宜為藉 由絕緣樹賴蓋㈣叙絕緣粒子。粒子更且為藉 要二:::::可:r他成分’前述 的添加劑中適宜選擇,如舉、,、特別限制,可依目的從熟知 防老化劑'著色劑、出填充劑、軟化劑、促進劑、 前述其他成分c合劑等。 導電性粒子、前述黏合劑樹脂別限制,可按照與前述 係而適宜選擇。9別述硬化劑等添加量的關 〈輸送程序〉 輸送程序係將接著膜輪、、:、 程序。該輸送程序中,如第於加熱部與附著體之間的 部)14與面板(附著體)b A圖所示,在加熱頭(加熱 示)輪送具備基底膜(軔離層^間,藉由輸送手段(無圖 J3。另外,第一人囷中之箭_ 11與接著層12之接著膜 送方向。在此,係基底 =A方向顯示接著膜13之輸 膜11與加熱頭U相對,-且接著層 200938032 12輿面板15相對地輸送接著膜13。此外,為了將接著臈 ‘ 13加熱至第一加熱溫度,而預先將加熱頭14加熱。 、 <擠壓程序> 擠壓程序係藉由加熱部從剝離層側擠壓接著膜,將接 著層加熱至第一加熱溫度而使其接觸於附著體的程序。該 擠壓程序中,如第一 B圖所示,藉由將加熱頭14壓下箭 頭B方向,而從基底膜η侧擠壓接著膜13,將接著層η 加熱至第一加熱溫度而接觸於面板15。在此,第一加熱、 度係接著層12接觸於面板15時臨時貼上之溫度,且通常❽ 宜為 40°C 〜125。(:,更宜為 6(TC 〜100。(:。 <切斷程序> 〇 切斷程序係使對接著膜之輸送方向,比加熱部設置於 後部之高溫加熱部從剝離層側接觸於接著膜,將接著層加 熱至第一加熱溫度而切斷的程序。該切斷程序中,如第一 C圖及第一 D圖所示,係使對接著膜13之輪送方向(箭 頭A方向),設置於加熱頭14之後部的高溫單元16 (頂 端為微小面積之熱源等)接觸於接著膜13,接著層12被 加熱至第二加熱溫度而熔化軟化,並熔斷或切斷。在此, 第二加熱溫度係比前述第一加熱溫度高之熔化軟化接著 層12的溫度,且係比基底膜n之軟化點至接著^ a完 全熱硬化之溫度低的溫度’通常宜為5(rc〜 C,更且 為 90°C 〜150〇C。 此外,加熱頭14與高溫單元16亦可獨立,亦可為一 體式(嘌一 E圖),不過,從溫度管理之觀點而一,加熱 12 200938032 頭14與高溫單元16宜獨立。 ' ❹
此外,在後述之剝離程序中,基底膜U從臨時貼於 面板15之接著層12a剝離時,接著層12之切斷部分 被加熱至第二溫度時,高溫單元16接觸於接著膜之^ 序’亦可在藉由加熱頭14從基底膜U侧擠壓接著骐13 之壓著處理之前,亦可與壓著處理同時,亦可在壓著▲理 之後。亦即,擠壓程序及切斷程序亦可按照擠壓程序及切 斷程序之進行,亦可按照喊程序及擠壓程序之順序 進行’亦可同時進行擠壓程序及切斷程序。 <轉著程序> 轉著程序係從接觸於附著體之接著層剝離剝離層 使接觸於附著體之接著層轉著於附著體的程序。該轉著程 =中,如基底膜π與接著層12b (臨時貼於面板15之 掀開,而從臨時貼於面板15之接著層仏制離, F圖)15之接著層仏轉著於面板15 (參照第- <其他程序> 别述其他程序並無特別限制,可依 採用本發明的接著膜之轅荽^ 1且選擇《 =Τ2,的缺損,可維持轉著於面 == b之接著層仏的接著力積因此可^轉者於面极 此外,採財料的⑽叙詩方法時,可輕易-地 200938032 控制(管理)接著層12之切斷條件,並且可簡化接著層 -12之轉著程序,而可簡化臨時壓著裝置之構造。 曰 (實施例) 以下,就本發明之實施例作說明,不過本發明不限定 於下述任何實施例。 (實施例1 ) —接著膜之製作一 混合作為前述黏合劑樹脂之環氧樹脂(γΕΡ828 . JAPANEPOXY RESIN製)3〇質量份、環氧樹脂〇 (「EP1004」; JAPANEPOXYRESIN 製)20 質量份、苯氧 基樹脂(「PKHH」; In Chem社製)20質量份、環氧硬化 劑(「HX3941HP」;旭化成社製)30質量份、導電性粒子 (平均粒徑為3μιη之樹脂核心中實施鎳/金電鍍者,積水 化學工業社製)20質量份,調製樹脂組合物’其中添加作 為溶劑之甲苯/乙酸乙酯(混合比1 : 1 ) 8〇質量份,以 攪拌器溶解混合來調製成膏。 Ο 使用桿塗布機將前述調製出之膏塗布於實施了石夕處w 理(剝離處理)之聚對苯甲酸伸乙酯(PET)膜(厚度 38μηι),以設定成70°C之電烤箱加熱8分鐘,製作出具有 乾燥膜厚為20μπι之接著層(ACF層)的接著膜。 〜接著臈之轉著一 將製作出之接著膜裁切成2mm寬,使裁切後之接著 膜放置於ITO模型玻璃(pattern glass)(厚度0.4mm)上, 藉由設定成8〇〇C之臨時壓著裝置(加熱部)從i>ET膜侧 14 200938032 擠壓接著膜’將ACF層加熱而臨時貼於ITO模型玻璃/ 進一步使預先加熱成指定溫度之熱線(高溫加熱部)從ΡΕΤ 膜側接觸於接著膜(對接著膜之輸送方向比臨時壓著裝置 (加熱部)在後部)3秒鐘,將ACF層之切斷部分加熱至 150 c而切斷’之後’藉由掀開PET膜,而從臨時貼於IT0 模型玻璃之ACF層剝離PET膜,而使臨時貼於IT〇模型 玻璃之ACF層轉著於ιΤ〇模型玻璃。 就轉者了 ACF層之ΙΤΟ模型玻璃,藉由下述方法測 定接著性及導通可靠性。將結果顯示於表1。 〈揍著性〉 在轉著於ΙΤΟ模型玻璃之ACF層上堆疊玻璃紙帶 (Cerrotape)(曰本登錄之商標),立即剝下玻璃紙帶,觀察 ACF層在ITO模型玻璃上的殘留狀態。 〈導通可靠性〉 在轉著了 ACF層之ITO模型玻璃上組裝以下所示之 ❹ ic晶片,測定導通電阻。進一步將組裝後之樣品在85。〇85 %RH環境下放置200小時,放置後再度測定導通電阻。 另外’將1C晶片之邊緣部與ACF層之貼合邊緣部對準, 若ACF層有欠缺情況下’調製成IC晶片之凸塊部上不存 在導電性粒子的狀態。 —1C晶片一 為1.8mmx20mmx〇.5mm (厚度)之尺寸,係具有凸 塊面積係2.550μιη2之凸塊者。 — (實施例2) — 15 200938032 在實施例1中,除了不混合導電性粒子(平均粒徑為 3μιη之樹脂核心中實施鎳/金電鍍者,積水化學工業社 製)20質量份,而調製了樹脂組合物之外,與實施例j 中同樣地製作具有NCF層之接著膜,使NCF層轉著於ΙΤ〇 模型玻璃,就轉著了 N C F層之IΤ Ο模型玻璃測定接著性。 將結果顯示於表1。 (比較例1) 在實施例1中,除了將「使裁切後之接著膜放置於ϊτ〇 模型玻璃(厚度〇.4mm)上,藉由設定成8(rc之臨時壓著❹ 裝置(加熱部)從PET膜側擠壓接著膜,將aCF層加熱 而臨時貼於ITO模型玻璃,進一步使預先加熱成指定溫度 之熱線(高溫加熱部)從PET膜側接觸於接著膜(對接著 膜之輸送方向比臨時壓著裝置(加熱部)在後部)3秒鐘, 將ACF層之切斷部分加熱至15〇。〇而切斷」,代之以「在 裁切後之接著膜的ACF層(對接著膜之輸送方向比臨時 壓著裝置(加熱部)在後部)中***刀片’切入約2〇mm Ο 進行半切割,進一步使半切割後之接著膜放置於汀〇模型0 玻璃(厚度0.4mm)上,藉由設定成肋它之臨時壓著裝置 (加熱部)從PET膜側擠壓接著膜,冑ACF層加熱^臨. 時貼於ITO模型玻璃」之外,與實施例J同樣地製作接著 膜’使ACF層轉著於IT0模型玻璃,就轉著了 ACF層之 ITO模型玻璃測定接著性及導通可靠性。將結果顯示於表 1 ° (比較例2) - 16 200938032 在實施例2中,除了將「使裁切後之接著膜放置於ΙΤ〇 模型玻璃(厚度〇.4mm)上,藉由設定成80°C之臨時壓著 裝置(加熱部)從PET膜側擠壓接著膜,將NCF層加熱 而臨時貼於1T0模型玻璃,進一步使預先加熱成指定溫度 之熱線(高溫加熱部)從PET膜侧接觸於接著膜(對接著 膜之輸送方向比臨時壓著裝置(加熱部)在後部)3秒鐘, -將NCF層之切斷部分加熱至i5〇t:而切斷」,代之以「在 • 裁f後之接著膜㈤NCF層(對接著膜之輸送方向比臨時 壓著I置(加熱部)在後部)中***刀片,切入約2〇mm 進行半切割,進一步使半切割後之接著膜放置於IT0模型 玻璃(厚度0.4mm)上,藉由設定成80°c之臨時壓著裴置 (加熱部)從PET膜侧擠壓接著膜,將NCF層加熱而臨 時貼於ITO模型玻璃」之外,與實施例i同樣地製作接著 膜,使NCF層轉著於ιτο模型玻璃,就轉著了 NCF層之 ιτο模型玻璃測定接著性。將結果顯示於表i。 ❹ [表1] 實施例1 實施例2 比鮫例1 fchi Y?*! 2 切斷方法 熱切割 熱切ΐί 丰切創 半切割 樣品 ACF NCF —.丨 口 J_ ACF — NCF 玻璃紙帶測 試 無剝離 無剝離 切割部分 剝離甚至 咸指 切割部分 剝離甚至 缺指 導通電阻值 (Ω) (初始信、 1.1 — 2.8 1只 導通電阻值 (两溫面濕 下放置展) 5.2 -— 500以上 (_斷線) 一 17 200938032 其中’表1中之導通電阻值(Ω)顯示最大值(Max 值)。 從表1判斷出實施例1及2之以熱切割而切斷的接著 層( ACF層、NCF層)可防止在切割部分(端部)發生剝 離甚至缺損,而維持與ITO模型玻璃之接著面積,且與咖 权型玻璃之密著性亦比比較例1及2之以半切割而切斷 接著層高。 進一步從表1判斷出以熱切割而切斷之ACF層(實 施例1 ) 了確保良好之電性連接’即使高溫高濕下放置後❹ 仍不發生斷線’而獲得高度導通可靠性,而以半切割所切 斷之ACF層(比較例〇的切割部分(端部)發生剝離甚 至缺損,無法確保良好之電性連接,在高溫高濕下放置後 發生斷線,而無法獲得高度導通可靠性。 (實驗例1) —接著膜之製作一 混合作為前述黏合劑樹脂之環氧樹脂(「EP828」; JAPANEPOXY RESIN製)30質量份、環氧樹脂〇 (「EP1004」; JAPANEPOXYRESIN 製)20 質量份、笨氧 基樹脂(「PKHH」;In Chem社製)2〇質量份、環氧硬化 劑(「HX3941HP」;旭化成社製)3〇質量份,調製樹脂組 合物,其中添加作為溶劑之甲苯/乙酸乙酯(混合比1:1) ‘ 80質量份’以搜拌器溶解混合來調製成膏。 使用桿塗布機將前述調製出之膏塗布於實施了矽處 理(剝離處理)之聚對苯曱酸伸乙酯(PET)膜(厚度 18 200938032 38μπι)’以設定成7〇°〇之電烤箱加熱8分鐘,製作出具有 乾燥膜厚為20μπΐ2接著層(NCF層)的接著膜。 —接著膜之轉著_ 將製作出之接著膜裁切成2mm寬,使裁切後之接著 〜膜放置於低鹼玻璃(厚度〇.5mm)上,藉由設定成8〇。〇之 臨時壓著襞置(加熱部)從PET膜侧擠壓接著膜,將NCF ‘層加熱而臨時貼於低鹼玻璃。進一步使預先加熱成指定溫 H 度之熱線(高溫加熱部)從PET膜側接觸於接著膜(對接 著膜之輸送方向比臨時愿著裝置(加熱部)在後部)3秒 鐘’將NCF層之切斷部分加熱至下述表2之切斷溫度而 切斷’之後’藉由掀開PET膜’而從臨時貼於低驗玻璃之 NCF層剥離PET膜,而使臨時貼於低驗玻璃之NCF層轉 著於低鹼玻璃。 就轉著了 NCF層之低鹼玻璃,藉由下述方法測定轉 著性及反應性。將結果顯示於表2。 〇 <轉著性> 依據下述基準判定NCF層對低鹼玻璃之轉著狀態。 將結果顯示於表2。 ◎ : NCF層轉著於低鹼玻璃。 △ :NCF層之一部分轉著於低鹼玻璃(成為臨時貼上 之NCF層的一部分從低鹼玻璃分離的狀態)。 X : NCF層不轉著於低鹼玻璃。 <反露性> 19 200938032 i ,. 就從NCF層之切斷部分採取的樣本,以FT —ir作測 定,藉由下述公式⑴算出反應率(%)。將結果顯示於表2。 反應率(%)= ( 1 —(a/b)/( A/B))xl〇〇 ...(1) 其中,公式⑴中,Α表示基於未硬化之NCF層中環 氧基的吸光度(absorbance),B表示基於未硬化之NCF層 中甲基的吸光度(absorbance),a表示基於硬化後之NCF 層中環氧基的吸光度(absorbance),b表示基於硬化後之 NCF層中甲基的吸光度(absorbance) 〇 [表2]
從表2判斷出切斷溫度5〇°C以上時,可轉著ncf層。 切斷溫度未達5(TC時,由於NCF層之切斷部分未軟化曰, 因此臨時貼上之NCF層依然附著於PET膜而被掀開,無 法保持接著膜之形狀。 〇 此外,判斷出切斷溫度為50〇c〜7(rc時,由於NCF 層之切斷部分未充分軟化’因此臨時貼上之層的一 部分依然附著於PET膜而被掀開,而成為臨時貼上之NCF 層的一部分從低鹼玻璃分離的狀態-。 20 200938032 此外,切斷溫度為l7〇t以上(]7〇。〇、:。 從反應率⑽、27%)邦斷出開始ncf層、i90°c)時, 雖然從切斷形狀穩定化的觀點而言 ^化。在此’ 熱硬化m辑料鱗_ ncf層之 就無問題。 在實際使用上 從以上瞭解,切斷溫度宜為5(TC〜190¾。 【產業上之可利用性】 。 ❹ 之接可㈣地轉著接著膜中 鞍者層,如可適合使用於1C標籤、Ic卡=百膦甲 面板顯示器等的製造。 、記憶卡、平 【圖式簡單說明】 第一 A圖係顯示本發明的接著膜之轉著方法 送程序之概略說明囷。 、的一種輪 第一 B圖係顯示本發明的接著膜之轉著方法 壓程序之概略說明圖。 、- 第一 C圖係顯示本發明的接著膜之轉著方法 斷程序之概略說明圓(之一)。 、- 第一 D圖係顯示本發明的接著膜之轉著方法中 斷程序之概略說明圖(之二)。 的_ 第一:E圖係顯示一種附加了高溫單元之加熱頭(― 的概略說明圖。 第一 F圖係顯示本發明的接著膜之轉著方法中的_ 著程序之概略說明圖。 第二A圖係顯示一種半切割方式之概略說明圖《戈 21 200938032 第二B圖係顯示一種半切割方式之概略說明圖(之二)。 第二C圖係顯示一種半切割方式之概略說明圖(之三)。 第二D圖係顯示一種貼合不良之概略說明圖(之一)。 第二E圖係顯示一種貼合不良之概略說明圖(之二)。 第二F圖係顯示一種貼合不良之概略說明圖(之三)。 第三A圖係顯示一種中間移除方式之概略說明圖(之一)。 第三B圖係顯示一種中間移除方式之概略說明圖(之二)。 【主要元件符號說明】 11 基底膜(剝離層) ❹ 12 接著層 12a接著層 12b接著層 12c 切斯部分 13 接著膜 14 加熱頭
15 面板 16 高溫單元 22
Claims (1)
- I 200938032 七、申請專利範圍: L 一種接著狀轉著⑽,鱗具備_層與接著層之接著 膜,藉由加熱部從前述剝離層側擠磨 ==:體上,前述接著層轉著=: .附著序’其係將前述接著膜輪送至前述加熱部與前述 ❿ =程序’其係藉由前述加熱部從前述剝離層侧擠 述接者膜’將前述接著層加熱至第—度接 前述附著體; 又使兵搔觸於 切:程其係使對前述接著膜之輸送方向,比前述加 熱部’從前述_侧接觸於前述 ur? 至第二加熱溫度而切斷;及 轉著程序、倾關於前述崎體之接著 ❹ 】離層’而使接觸於前述附著體之接著層轉著‘前述 2.-種接著膜之轉著方法,係將具備剝離層與 之 膜,藉由加熱部從前述剝離層側_,將著=接著 熱並使其接觸於附著體上’而使前述接著層轉=以加 體上’其特徵為包含: 者於别4附著 附著=序’其係將前述接著膜輸送至前述加熱部與前述 熱部=3部===接著膜之輸送方向,比前述加 卩之…皿加熱部,從前述剝離層侧接觸於前述 23 200938032 i · 接著膜,並將前述接著層加熱至 ‘, 擠壓程序,其係夢由前、十、\ & 一加熱溫度而切斷; 述接著膜,將前述‘層加二2從前述剝離層侧擠壓前 前述附著體;及 加熱溫度,使其接觸於 轉著程序,其係從接觸於前 剝離層,而使接觸於前述附、著體之接著層剝離前述 體。 之接著層轉著於前述附著 膜之轉著方法,係將具備剝離層 膜’藉由加熱部從前述剝離層側擠壓:層之接著 熱並使其接觸於附著體上,而使前述接^轉=!予以加❹ 體上,其特徵為包含:㈣著於則述附著 輸送程序’其係將前述接著膜輸 附著體之間; 加熟邛與前述 擠壓程序,其係藉由前述加熱部從前述剝離 j接著膜,將前述接著層加熱至第一加熱 觸二 前述附著體; 义,、躁觸於 切斷程序,其係使對前述接著膜之輸送方向,比扩 Q 熱部設置於後部之高溫加熱部,從前述剝離層侧接觸:前= 接著膜,並將前述接著層加熱至第二加熱溫度而切斷;7 轉著程序,其係從接觸於前述附著體之接著層剝離前述 剝離層,而使接觸於前述附著體之接著層轉著於前述 體,並同時進行前述擠磨程序及前述切斷程序。 4.如申請專利範圍第丨項之接著膜之轉著方法,其中接著膜之 寬度係1mm〜20mm。 24 200938032 5. 如申請專利範圍第1項之接著膜之轉著方法,其中接著層含 有黏合劑樹脂及硬化劑,該黏合劑樹脂含有環氧樹脂及丙烯 酸樹脂之至少任何一種。 6. 如申請專利範圍第5項之接著膜之轉著方法,其中第二加熱 溫度係50°C〜190°C。 7. 如申請專利範圍第1項之接著膜之轉著方法,其中接著層含 有導電性粒子。 8. 如申請專範圍第1項之接著膜之轉著方法,其中將加熱部與 高溫加熱部予以一體化。 25
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008024723A JP5010493B2 (ja) | 2008-02-05 | 2008-02-05 | 接着フィルムの転着方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW200938032A true TW200938032A (en) | 2009-09-01 |
TWI372005B TWI372005B (en) | 2012-09-01 |
Family
ID=40952117
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW098103988A TWI372005B (en) | 2008-02-05 | 2009-02-05 | Method for transferring adhesive film |
Country Status (10)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8105462B2 (zh) |
EP (1) | EP2144283B1 (zh) |
JP (1) | JP5010493B2 (zh) |
KR (1) | KR101033251B1 (zh) |
CN (1) | CN101681860B (zh) |
AT (1) | ATE498906T1 (zh) |
DE (1) | DE602009000738D1 (zh) |
HK (1) | HK1139787A1 (zh) |
TW (1) | TWI372005B (zh) |
WO (1) | WO2009099042A1 (zh) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5289291B2 (ja) * | 2009-12-01 | 2013-09-11 | デクセリアルズ株式会社 | 電子部品の製造方法、電子部品および導電性フィルム |
JP7131938B2 (ja) * | 2018-03-29 | 2022-09-06 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 粘着テープの貼着装置 |
DE102018221148A1 (de) * | 2018-12-06 | 2020-06-10 | Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG | Verfahren zum Herstellen eines Substratadapters und Substratadapter zum Verbinden mit einem Elektronikbauteil |
KR102157003B1 (ko) | 2019-07-16 | 2020-09-16 | 이재영 | 측량용 깃발 |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0299575A (ja) * | 1988-10-05 | 1990-04-11 | Hitachi Chem Co Ltd | 切り抜き部を有する離型性フィルム付粘接着フィルムの製造法 |
JP2803579B2 (ja) * | 1994-10-31 | 1998-09-24 | 松下電器産業株式会社 | 回路基板の製造方法および製造装置 |
JP3082697B2 (ja) | 1997-02-27 | 2000-08-28 | 日本電気株式会社 | 異方性導電フィルム貼付方法及び装置 |
KR100263553B1 (ko) | 1997-03-21 | 2000-08-01 | 안민혁 | 회로기판용 라미네이팅기 |
JP3914606B2 (ja) * | 1997-04-25 | 2007-05-16 | 松下電器産業株式会社 | 接着層の製造装置、両面基板の製造装置および多層基板の製造装置 |
KR100268760B1 (ko) | 1998-06-19 | 2000-10-16 | 정도화 | 플렉시블볼그리드어레이회로기판의제조장치 |
JP2001293686A (ja) | 2000-04-13 | 2001-10-23 | Seiko Epson Corp | 異方性導電フィルムの貼写方法及びフィルムカッター |
KR100380611B1 (ko) | 2000-10-13 | 2003-04-26 | 오티에스테크놀러지 주식회사 | 필름 라미네이팅 장치 및 그 방법 |
JP4552352B2 (ja) * | 2001-05-09 | 2010-09-29 | ソニー株式会社 | 接着フィルムの貼着方法、貼着装置および電子回路装置の組立方法 |
JP4187065B2 (ja) * | 2003-01-17 | 2008-11-26 | 日東電工株式会社 | 粘着テープ貼付け方法およびその装置 |
WO2005071734A1 (ja) * | 2004-01-21 | 2005-08-04 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 圧着装置 |
JP2006093518A (ja) | 2004-09-27 | 2006-04-06 | Seiko Epson Corp | 異方性導電膜切断装置、異方性導電膜切断装置を備えた実装装置、異方性導電膜切断方法、および製造方法 |
JP2006284830A (ja) | 2005-03-31 | 2006-10-19 | Sanyo Epson Imaging Devices Corp | 電気光学装置の製造装置、電気光学装置の製造方法及び接着剤の貼り付け装置 |
JP4708896B2 (ja) * | 2005-07-20 | 2011-06-22 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 粘着性テープの貼着装置及び貼着方法 |
JP2007030085A (ja) | 2005-07-25 | 2007-02-08 | Pioneer Electronic Corp | 粘着フィルム切出装置、配線接続装置、粘着フィルム切出方法、配線接続方法及び平面表示装置の製造方法 |
JP4878153B2 (ja) | 2005-12-08 | 2012-02-15 | 電気化学工業株式会社 | 粘着テープ用フィルム基材及び粘着テープ |
JP4818008B2 (ja) * | 2006-07-20 | 2011-11-16 | 株式会社東芝 | 異方導電性テープの貼着装置および電気機器の製造方法 |
US7934531B2 (en) * | 2008-04-18 | 2011-05-03 | Brady Worldwide, Inc. | Method and apparatus for applying heat activated transfer adhesives |
-
2008
- 2008-02-05 JP JP2008024723A patent/JP5010493B2/ja active Active
-
2009
- 2009-02-03 CN CN2009800003384A patent/CN101681860B/zh active Active
- 2009-02-03 DE DE602009000738T patent/DE602009000738D1/de active Active
- 2009-02-03 EP EP09708886A patent/EP2144283B1/en active Active
- 2009-02-03 KR KR1020097024823A patent/KR101033251B1/ko active IP Right Grant
- 2009-02-03 WO PCT/JP2009/051742 patent/WO2009099042A1/ja active Application Filing
- 2009-02-03 AT AT09708886T patent/ATE498906T1/de not_active IP Right Cessation
- 2009-02-05 TW TW098103988A patent/TWI372005B/zh active
- 2009-10-22 US US12/603,753 patent/US8105462B2/en active Active
-
2010
- 2010-06-09 HK HK10105741.9A patent/HK1139787A1/xx unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
ATE498906T1 (de) | 2011-03-15 |
KR101033251B1 (ko) | 2011-05-06 |
KR20100003736A (ko) | 2010-01-11 |
TWI372005B (en) | 2012-09-01 |
EP2144283A4 (en) | 2010-06-02 |
DE602009000738D1 (de) | 2011-03-31 |
EP2144283B1 (en) | 2011-02-16 |
JP5010493B2 (ja) | 2012-08-29 |
US8105462B2 (en) | 2012-01-31 |
US20100071841A1 (en) | 2010-03-25 |
CN101681860A (zh) | 2010-03-24 |
CN101681860B (zh) | 2012-03-28 |
WO2009099042A1 (ja) | 2009-08-13 |
JP2009188073A (ja) | 2009-08-20 |
EP2144283A1 (en) | 2010-01-13 |
HK1139787A1 (en) | 2010-09-24 |
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