TW200901279A - Exposure apparatus and device manufacturing method - Google Patents

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TW200901279A TW097108634A TW97108634A TW200901279A TW 200901279 A TW200901279 A TW 200901279A TW 097108634 A TW097108634 A TW 097108634A TW 97108634 A TW97108634 A TW 97108634A TW 200901279 A TW200901279 A TW 200901279A
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exposure
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holding
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Noriyuki Hirayanagi
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Nikon Corp
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Description

200901279 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於曝光裝置及元件製造方法’更詳言之， 係關於使用能量光束使物體曝光以將圖案形成於該物體上 之曝光裝置及使用該曝光裝置的元件製造方法。 【先前技術】 在製造1C(積體電路）等 以往 程中，係使用將光罩或標線片圖案透過投影光學系統轉印 至晶圓上的投影曝光裝置、例如步進重複方式之縮小投影 曝光裝置（所謂步進器）、或步進掃描方式之縮小投影曝光 裝置（所謂掃描步進器）等。最近，亦進行將波長5〜5〇nm 之幸人X線區域之光（EUV(Extreme Ultraviolet)光）作為曝光 用光使用的EUV曝光裝置的開發。此EUV曝光裝置，由 於將EUV光作為曝光用光使用，因此係於内部呈真空氣氛 的真空處理室内收容曝光裝置本體的主要部分。因此，在 晶圓載台上保持晶圓之晶圓保持具，無法使用真空夹 式〜曰曰圓保持具，而係使用例如美國專利 讓加號說明書等揭示，藉由靜電力 ” 之靜電夾具式的晶圓保持具。 、’、寺S曰圓 然而，靜電夾具式之晶圓 靜電力之保持）至卸 應時間係較真空夾具長。亦即^、/、，’電夾具時間之回 具上起，開始靜電吸附（透過靜$ θθ 11裝載於晶圓保持 附力（靜電力）為止需較長時間，且之保持）至得到既定吸 圓時，自結束（解除）靜電吸附（透過在自晶圓保持具回收曰 曰日 除 6 200901279 圓為止的期間亦需要較長時間。因此，此等靜電夾具之回 應時間’恐會降低曝光裝置之產能。 【發明内容】 本發明有鑑於上述情事，其第1態樣，係提供-種曝 =置立係藉由能量光束使物體曝光以將圖案形成於該物 具備··在減壓環境下搬送物體之物體搬送系統； 境下裝載保持該物體之保持裝置的物體載台；以 及在減壓環境下，對保持有該物體之該保持裝置做暫時伴 持、且能將之承交於該物體載台的保持裝置搬送㈣。、 伴持Γ二能藉由物體搬送系統在減屢環境下將物體搬入 ==送系統所保持之保持裝置，或自保持裝置搬送 持裝置搬出物體。亦即，可藉由物體搬送 ::::: 統所保持之保持裝置上更換物體。 力伴持物和 空間内所使用之保持裝置(例如以靜電 體的保持裝置)上的物體需花費較長時間，亦可藉 由同時進订物體更換動作與使用裝 夕物辦恭二、,保持裝置（保持物體） 載°進订的既定動作(曝光裝置本體動作），抑制物 體更換時間對產能造成的影響。 法，二發明之第2態樣’係提供—種元件製造方 f 曝光裝置使基板曝光的動作；以及使 該已曝光之基板顯影的動作。 【實施方式】 裝置根據圖1〜圖6B說明本發明1施形態之曝光 200901279 圖1係以俯視圖概略性地顯示-實施形態之曝光裝置 H)的整體構成。曝光裝置1〇’具備：配置於大氣塵空間
内之大氣搬送系統112，配置於該大氣搬送系統m之—X 側之真空搬送系鲚n n，B h m 、-死10以及配置於真空搬送系統丨丨〇之 一 X侧之本體處理室12。 f
於真空搬送系、統m與本體處理室12之開口⑴部分 之間設㈣縮管25’藉由本體處理室12、真空搬送系統110 及伸縮管25形成密閉空間(氣密空間)4〇。此密閉空間4〇 藉由未圖示真空系等而成真空狀態。以下，亦將此空間40 稱為：真空空間40」。又，由於真空搬送系統"Ο與本體 處理室12之間係以伸縮性高之伸縮管25連接，因此真空 搬送:系統110與本體處理室12 <間係呈振動上實質分離 的狀態。 大氣搬送系、统112具備：晶圓承交部14，係用以裝載 自未圖示塗布顯影器搬送之晶圓；第1預對準裝置16，係 配置於該晶圓承交部14之-X側且為-Y側之位置；晶圓 搬2部18，係暫時裝載往線上連接於曝光裝置10之塗布 .員’V益(未圖π )搬出之已結束曝光處理的晶圓；以及大氣 搬送機器人19，係由可上下動（ζ車由方向之直線移動）之水 平夕關節機器人（scalar robot)構成。 第1預對準裝置16，具有能進行XY方向之移動及繞 _軸旋轉的旋轉台1 6 A。第1預對準裝置1 6，係使用未圖 不之線感測器等檢測晶圓之偏心量（XY方向之偏移量）及旋 轉方向之偏移量’根據該檢測結果’使用旋轉台i6A調整 8 200901279 晶圓之位置及/或旋轉。此外，亦可使用大氣搬送機器人 1 9抓起晶圓’並調整晶圓之位置及/或旋轉後，再次將晶 圓裝載於旋轉台16A上。此時，不一定需將旋轉台16八設 置於第1預對準裝置16。 大氣搬送機器人19，係在晶圓承交部丨4與第丨預對 準裝置16之間、第i預對準裝置16與後述之裝載鎖固室 20A之間、以及後述之裝載鎖固室2〇B與晶圓搬出部 之間’進行晶圓之搬送。 真空搬送系統110，具備：裝載鎖固室2〇A, 2〇B，儲 存室22A，22B，以及由可上下動（2軸方向之直線移動）之 水平多關節機器人（scalar robot)構成的真空搬送機器人 23。 ° 衣執蜎固室20A具有大氣空間5〇側之門61A與真空 空間40側之門61B，於其内部設有能保持既定片數^晶= 的搁板（未圖示）。裝載鎖固室2〇A能在關閉門61八，61=之 狀態，在未圖示控制裝置之指示下，將其内部空間設定成 真空狀態或設定成大氣壓狀態。在裝載鎖固室2〇A之門“A 開啟的狀態下，可藉由大氣搬送機器人19進出於裝載鎖 固室20A内部。另一方面，在門61B開啟的狀態下，可藉 由真玉搬送機器人23進出於裝載鎖固室2〇八内部。 裝載鎖固室20B與裝载鎖固室2〇A同樣地，且有大广 空間側之門62A與真空空間4Q側之門62Β，ς盆内= 設有能保持既定片數之晶圓的摘板(未圖示)。裝載鎖固； 震能在關閉門62Α，62Β之狀態，在未圖示控制裳置之扑 9 200901279 示下’將其内部空間設定〜 ^ 、工狀t、或β又疋成大氣壓狀 。裝載鎖固至20Β與上述裳载鎖固室2〇Α同樣地，可藉 由大氣搬送機哭人, a 及真二搬送機器人23進出於其内 部。 〆、 ^ 61A, 61B及62A’ 62B係分離真空空間與大氣空間 的門’此等門可使用門閥等。 儲存室22A具有可開閉的門63A，於其内部設有用以 收谷既定片數之晶圓的擱板（未圖示）。於此儲存室22A内 部设有用以進行晶圓之調溫的未圖示調溫裝置。 料冑22B具有可開閉的門63b，於其内部設有用以 收谷既定片數之p膜^_^& 已曝先結束之晶圓的擱板(未圖示）。 此外，此處雖使用兩個儲存室22A, 22b，但亦可以一 個儲存室兼用兩個儲存室 刀月b 冉者’亦可配置三個以 上之儲存室，或不使用儲存室本身。 真係在裝載鎖固室2qa與儲存室22a 曰存至22A與本體處理室12(更正確而言係後述之 =!!24A或24B)之間、本體處理室12(更正碟而言 '、後返之晶圓更換部24 乂 Z4A)興储存室22B之間、以 :子至22B與裝載鎖固室2〇b之門日 外 至之間進仃晶圓之搬送。此 2ηΛ 1巾，雖係採用單手型機器人作為真空搬送機器人 一亦可採用雙手型機器人。 ㈣於本體處理室12内部設有曝光裝置本體1GG(圖1中 圖不有構成曝光裝置本體丨〇〇 曰 ^ ιυυ之日日圓栽台WST。參照圖 、弟1保持具搬送機器人26、晶圓更換部24Α，24Β、以 10 200901279 及第2保持具搬送機器人27。 第1保持具搬送機器人26係由可上下動（z軸方向之 直線移動）之水平多關節機器人（scalar robot)構成，配置在 在曝光I置本體1〇〇之+ χ側相距既定距離的位置。晶圓 更換部24Α，24Β分別配置於第}保持具搬送機器人^曰之 + Υ側及—Υ側。第2保持具搬送機器人27係由可上下動 (Ζ軸方向之直線移動）之水平多目節機器人（㈣訂灿叫構 成’配置在晶圓更換部鳩之—γ側。又，於本體處理室 12之—Υ側設有保持具用裝載鎖固室3〇。 曝光裝置本體100 ’係例如圖2所示，透過投影光學 糸統Ρ〇將形成於標線片&之電路圖案一部分之像投影於 晶圓W上，且使標線片R與晶圓w相對投影光學系統ρ〇 掃描於-維方向（此處，维γ軸方向），藉此以步進掃描方式 將標線片R之電路圖案整體轉印於晶圓w上之複數個照 射區域。 曝光裝置本體 100，且描：，απ 具備.照明光學系統，包含用以
反射來自光源裝置112fg? W Μ * ™ A 直（配置於處理室12外部）之EUV光並 將其彎曲齡㈣定人射角、例如約射人標線片 R之圖案面(圖2中之下面(―z側之面))的彎曲鏡Μ ;標線 片載台RST’係保持標線m影光學“Ρ0,係使在 標線片11之圖案面反射之EUVSEL相對晶圓w之被曝 光面（圖2中之上面（+ z側之面呈垂直地投射；以及晶圓 載台WST等，係保持晶圓w。 光源裝置U2例係使用雷射激發電漿光源。此雷射激 200901279 發電漿光源，係對EUV光產生物質（靶材）照射高亮度之雷 射光，藉此使該靶材激發高溫之電漿狀態，而可利用自電 漿放出之EUV光。此外，本實施形態中，主要係使用波長 5〜50nm、例如波長i lnm之EUV光EL來作為曝光光束。 该照明光學系統，包含照明鏡、波長選擇窗等（均未圖 示）、以及彎曲鏡M等。又，配置於光源裝置i 12内部之 作為聚光鏡之拋物面鏡亦構成照明光學系統之一部分。在 光源裝置112射出且透過照明光學系統之£1；¥光e卩在前 述·反射鏡Μ反射之EUV # 口”说+达 尤EL)係成為一圓弧狹縫狀的照 明光照明標線片r之圖案面。 … 則述標線片載台RST，係藉由標線片載台驅動系統ΐ34 所產生之驅動力被以既定動程驅動於γ軸方向，且亦以微 小罝驅動於X軸方向及θζ方向（繞ζ轴旋轉之旋轉方向）。 :敕此標線片載台RST，亦可藉由標線片載台驅動系統m 2在複數處產生之磁浮力而往z轴方向及相對χγ平面 傾斜之方向（繞X軸旋轉 從得之方疋轉方向的θχ方向及、繞γ軸旋 轉之旋轉方向的5»方向 ⑴小量。於標線片載台RST 下面侧設有靜電夾具方式 片伴拄且弋（次機械夾具方式）之未圖示標線 片保持具，藉由該標線片保 係使用反射型桿緣片以對廄 ，線片R。標線片R， 卿光。产線片R 明光肛為波長^之 尤標線片R’係以其圖幸面 保持具保持。 ㈣面為下面之狀態被標線片 標線片R，係由矽晶圓、 成，於其安 圓 央、低膨脹玻璃等薄板構 尺於具表面（圖案面）形忐古r 有反射EUV光之反射膜❶此反 12 200901279 射膜例如係將鉬Mo與鋇Be之膜交互以約5.5nm之周期積 層約50對的多層膜。此多層膜對波長i lnm之Euv光具 有約70%的反射率。此外，反射鏡Μ、照明光學系統之各 反射鏡、以及光源裝置112内之各反射鏡之反射面亦形成 有相同構成的多層膜。 形成於標線片R之圖案面之多層膜上，於其一面塗布 有例如鎳Ni或鋁A1以作為吸收層，對其吸收層施以圖案 化而形成電路圖案。照射於標線片R之吸收層剩餘部分之 EUV光係被該吸收層吸收，照射於吸收層缺漏部分（吸收 曾被除去的部分）之反射膜的EUV光係被該反射膜反射， 其結果，可使包含電路圖案資訊之Euv光作為來自標線片 R之圖案面的反射光射向投影光學系統Ρ〇。 標線片载台RST(標線片R)在ΧΥ平面内的位置，係藉
由用以將雷射光束投射於設在（或形成在）標線片載台RST 之反射面的標線片干涉儀182R，以例如〇·5〜lnm左右之分 解能力隨時檢測。此處，實際上標線片干涉儀雖設有用以 測量‘線片载台RST之χ位置的干涉儀與用以測量Y位 置的干涉儀，但圖2中僅代表性地顯示為標線片干涉儀 182R。 ^線片干涉儀1 82R之測量值係供應至未圖示控制裝 置，精由該控制裝置，基於標線片干涉儀182R之測量值 、° 丁線片載台驅動系統134來驅動標線片载台rst。 投影光學系統PO,係使用數值孔徑（N.A.)例如為〇.3、 僅由反射光學元件（反射鏡）構成的反射光學系統，此處係 13 200901279 使用技衫倍率為1 / 4倍者。因此，被標線片R反射而包 含形成於標線片R之圖案資訊的EUV光EL，係藉由投影 光學系統PO而投射於晶圓w上，藉此使標線片R上之圖 案的一部分縮小像形成於晶圓w上。 曰曰圓載台WST，係藉由由例如磁浮型二維線性致動器 構成之曰曰圓載台驅動系統i 62被以既定動程驅動於X軸方 向及Y軸方向，且亦以微小量驅動於0 Z方向（繞z軸旋轉 f 疋轉方向）。又，晶圓載台WST，亦可藉由晶圓載台驅 動系統1 62往Z軸方向、0 χ方向（繞χ軸旋轉之旋轉方向）、 以及β y方向（繞γ軸旋轉之旋轉方向）驅動微小量。 曰□載口 WST的位置，係藉由配置於外部之晶圓干涉 儀182W’以例如〇 5〜lnm左右之分解能力隨時檢測。此 處，實際上雖設有於χ軸方向具有測距軸之干涉儀及於γ ^向具有測距轴之干涉儀’但冑2中僅代表性地顯示為 口干d義1 82W。此等干涉儀係以具有複數測距軸之多 由干涉儀構成，除了能測量晶圓載台wst之X、Y位置外， :能測量旋轉(偏轉(ΘΖ方向)、縱搖(0χ方向)、以及橫搖 (Θ y方向）。 又，以投影光學系統P0之鏡筒為基準之晶m w在z 二向的位置，係藉由斜向入射方式之晶圓聚焦感測器進 曰二量。此晶圓聚焦感測器，係如圖2所示由用以自相對 日曰圓W上面呈傾叙夕士丄 ,.R 斜之方向照射檢測光束的送光系統114a、 及接收在晶圓W而只私 , 面反射之檢測光束的受光系統1 14b檨 成。晶圓聚焦感測琴ni4a t , λι 傅 〇 , 1 1 4t0，係使用例如美國專利第 14 200901279 5, 448, 332號說明書等所揭示之多點焦點位置檢測系統。 此等晶圓干涉儀182W及晶圓聚焦感測器（U4a, n4b) 之測量值，係供應至未圖示之控制裝置，藉由該控制裝置 控制晶圓載台驅動系統丨62，而進行晶圓載台在六維 方向之位置及姿勢控制。 於晶圓載台WST之上面裝載有靜電夾具方式之晶圓保 持具（圖1中為晶圓保持具WH1),藉由該晶圓保持具（WH1) 吸附保持晶圓W。又，於晶圓載台WST之上面亦可裝載 在圖1中载置於晶圓更換部24B上之晶圓保持具WH2。 晶圓保持具WH1，WH2,具有相同形狀、構成。晶圓 保持八WH1(WH2)，如圖3A所示’係由俯視（自+ z方向 觀看）大致正方形板狀構件構成，其一邊設定成略小於晶圓 W之直徑（參照圖3)。藉由使晶圓保持具之一邊長度設定 成小於晶圓W之直徑 即可如後述以第2預對準裝置檢測
曰曰圓之偏。量及旋轉量。當然，只要將缺口部形成於晶圓 呆持/、之邛刀，亦可不減小一邊之長度。又，亦可不配 置第2預對準裝置。於晶圓保持具w叫霞2)之中央部附 近’形成有貫通於上下方向(z軸方向)之三個貫通孔”。 又’於晶圓保持具WH1(WH2)之上面，設有未圖示之 自下側支撐晶圓的複數個_。晶圓保持具whi(wh2)之 上面（鐵)與晶gj w之下面間的接觸率（以晶圓^下面之 面積為基準的接觸率），係設定成大致2〇%以下。雖為了避 免曰曰圓與Ba圓保持纟WH1 (WH2)m異物而最好使接 觸率越】、越好，但另一方面如使晶圓載台加速亦 15 200901279 需要能保持晶圓程度之接觸率。依據上述觀點，可根據晶 圓載台WST之加速度與晶圓保持具WH1之吸附力的關係 在上述範圍内設定接觸率。 又，如圖3B所不，於晶圓保持具WH1(WH2)内部設 有靜電夾具用的内部電極34,於該内部電極Μ連接有保 持具側電氣接點36。此外，圖3B所雖僅記載一個電極， 但亦可使用利用複數個電極之靜電夾具…於晶圓保持 广具細（WH2)下面設有磁性體2〇1。藉由使電流流動於設 、 在晶圓載台WST之線圈202而產生的磁力（電磁力）使晶圓 保持具WH1(WH2)固定於晶圓载台WST。 另一方面，如圖3B所示，在晶圓載台WST上裝載有 晶圓保持具wm(WH2)i狀態下，保持具侧電氣接點36 所接觸之晶圓載纟WST上面的一部分，設有電氣連接於 晶圓載台WST外部之電源71的载台側電氣接點55。因此， 如圖3B所示’在保持具側電氣接點％與載台侧電氣接點 55接觸的狀態下，藉由電源71對晶圓保持具WH1(WH2) '施加電壓而於晶圓保持具wnuwm)與晶圓w之間產生靜 電力，如此能藉由此靜電力使晶圓w吸附於晶圓保持具 WH1(WH2)。此外，於圖3B中雖未圖示，但線圈2〇2係與 使電流流通於該線圈202用的電源電氣連接。 又，於晶圓保持具WH1(WH2)上面之四個角部設有基 準標記MK。此基準標記MK留待後述。 上述圓載台wsT，能在保持有晶圓保持具WH1 (或 WH2)之狀態下，移動至圖丨之假想線（兩點鏈線）所示的位 16 200901279 置（符號WST’所示的位置）。在晶圓載台WST定位於位置 WST’的狀態下，可藉由第1保持具搬送機器人26在晶圓 載台WST與晶圓更換部24A之間搬送晶圓保持具WH1 (或 WH2)，可在晶圓載台WST與晶圓更換部24B之間搬送晶 圓保持具WH2(或WH1)。 晶圓更換部24A, 24B具有相同形狀、構成，晶圓更換 部24A(24B)如圖4A之一部分截面所示具備長方體形的本 體部42、設於該本體部42内部的中心上提部44、以及線 圈206。於晶圓更換部24A(24B)上面如圖4A所示可裝載 晶圓保持具WH1 (或WH2)，與晶圓載台WST同樣地可藉 由磁力（電磁力）挾持晶圓保持具WH1(或WH2)。此外，圖 4中亦未圖示使電流流通於線圈206用的電源。又，藉由 使電流流通於線圈206而產生的熱造成問題時，能適當地 將調溫裝置配置於晶圓載台WST及/或晶圓更換部24A， 24B。調溫裝置，能利用使用純水或Fluorinert等液體的液 體方式調溫裝置、使用帕耳帖元件及加熱器的調溫裝置、 以及使用氣體的調溫裝置。 此外，本實施形態中，雖係藉由使用磁力之固定機構 使晶圓保持具WH1(WH2)固定於晶圓載台WST及晶圓更 換部24A，24B，但亦可代替此採用使用了機械力或靜電力 等其他力量的固定機構。例如亦可使用利用了前述美國專 利申請公開第2005/0286202號說明書所記載之靜電力的固 定機構來作為使用靜電力的固定機構。 本體部42如圖 4A所示，於其内部具有中空部（空 17 200901279 間）42a’於本體部42上面形成有使空間仏與外部連通的 三個貫通孔42b。此三個貫通孔42b之配置，係與形成於 晶圓保持具WH1(WH2)之貫通孔32的配置大致—致。， 於本體部42 <上面設有未圖示的調溫裝置。此調溫^置 包含使用帕耳帖元件及加熱器的調溫裝置、冷卻板、液體 調溫裝置等，以冷卻農載於本體部42上之晶圓保持具 WH1(WH2)以調整成既定溫度。 中心上提部44,包含設在空間仏内的驅動機構μ、 連接於該驅動機構49之軸部52、固接於該軸部52上端（+ Z端)的板構# 48、以及以z軸方向為長邊方向固定於該 板構件48上面的三支中心銷46。 軸部52，係被驅動機構49往返驅動（上下動）於z軸 方向且微幅驅動於X軸方向、γ軸方向、以及θζ方向。 三支中心銷46之配置，係與形成於本體部42之貫通孔 Cb、以及形成於晶圓保持具wm(WH2)之貫通孔w大致 -致。各中心銷46之直徑係設定成較各貫通孔42、η的 直徑小。因此，即使在各中心銷46***於貫通孔似U 内的狀態（參照圖4B)下，各中心銷衫 向微…。又’各中心銷46…；::尺γ寸= 圖4B所不’田車由部52位於最上側時上端自晶圓保持具 WH1(WH2)上面突出的尺寸，能以該突出之狀態自下侧支 擇晶圓W。又，如圖4B所示，在自下側支樓晶圓w之狀 態下’、藉由驅動機構49使軸部52下降驅動，即能使晶圓 W裝载於晶圓保持具whi (WH2)上。 200901279 於晶圓更換部24A(24B)設有與前述晶圓載台WST之 載。側電氣接點55同樣之更換部側電氣接點3 8。在晶圓 更換部24A(或24B)裝载有晶圓保持具WH1(或WH2)之狀 態下，保持具側電氣接點36係接觸於更換部侧電氣接點 38。如此，藉由設於外部之電源72對晶圓保持具(或 WH2)施加電壓’而於晶圓保持具wm(或聰2)與晶圓w 之間產生靜電力，藉由該靜電力使晶圓W吸附於晶圓保持 具WH1(或WH2)上面。 又，於晶圓更換部24A(及24B)附近設有圖4C所示之 第2預對準裝£ 85。第2預對準裝置85，可較第】預對 準裝置1 6以更高精度檢測出晶圓之偏心量及旋轉量。第2 預對準裴置85，包含自+ z側照明晶圓w外緣之一部分（圖 4C中符號VA，VB，vc*示部分）的三個照明裝置75(例如 LED等）、以及設於在上下方向軸方向）分別與各照明裝 置75對向之位置的三個攝影裝置76(不過，未圖示與部分 VA對應的攝影裝置）。 第2預對準裝置85，係將三個攝影裝置76之攝影結 果达至未圖示控制裝置。控制裝置，係根據攝影裝置％ 之攝影結果算出晶圓w之中心位置（偏心量）及旋轉量（旋轉 方向之偏移量），並根據該算出結果，透過驅動機構49將 轴4 52、板構件48、以及三支中心銷μ驅動於X，γ，0 z方向，以調整保持於三支中心銷46之晶圓在χγ平面内 的位置及旋轉。 此處’如其所述’由於於晶圓保持異WH1(WH2)之四 19 200901279 角部設有基準標記Μκ，ra + At 士 因此能在以上述第2預對準裝置 85拍攝晶圓W之外緣時’ ^ 无以未圖不檢測系統檢測基準 才示記MK。又，在里德技曰間 ’日日圓保持具WH1、或WH2搬送 至晶圓載台 WST時，能蚀田土门__ ^ 吏用未圖不對準系統檢測出基準 才示§己MK ’藉此將第2預針準驻罢 貝對早裝置85之檢測結果以基準標 δ己MK基準接續至曝y _ +㈣至曝先裝置本體1〇〇。藉此能以高精度進 行晶圓保持具之搬送、進而 _ 圓對準。 阿精度進仃晶圓之搬送及晶
:到圖i ’第2保持具搬送機器人27,係由能上Z r向之直線移動)之水平多關節機器人(sealarrobot)構 成’此在晶圓更換部24B與保持具用裳載鎖固室30 搬送晶圓保持具WH1(或WH2)。 保持具用裝載鎖固室30，且
至利具有真空空間40側之門65A /、大氣空間5 0側之門6 s R，认 ;其内部設有能裝載晶圓保持 具WH1(或WH2)之台（^去ρι +、， & (未圖不）。此保持具用裝載鎖固室3〇 月匕在關閉門6 5 A, 6 5 B之肤_能，脸甘七 <狀態，將其内部空間設定成真空 氛或設定成大氣壓氣氛， ^ 〃 』稭由苐2保持具搬送機器人 27自真空空間4〇命，丨j隹φ於免 p ’以及藉由作業者自大氣 二間5 0側進出於内部。 其次’說明上述構成之腹也壯 曝光動作。 構成之曝先震置10之晶圓搬送動作及 先根據圖1 ,兒明大氣搬送系統112及真空搬送系 、.一之晶圓（作為曝光對象之晶圓）的搬送。首先，自未 圖D透過未圖不C/D側搬送系統將晶圓搬送至晶圓承 20 200901279 交部14上後，控制裝置係使用大氣搬送機器Λ 19，將晶 圓自晶圓承交部14上搬送至第1預對準裝置16之旋轉台 上。接著’控制裝置，在以ρ預對準裝置16調整晶 圓在χγ方向之位置及/或旋轉後，即使用大氣 器人 19將晶圓搬人裝載鎖固室繼内。在進行此搬人時，係成 裝載鎖固f之門61Α開啟而門61Β關閉的狀態。
接著，反覆既定片數之動作，在既定片數之晶圓收容 於裝載鎖固室20Α内的階段，控制裝置係關閉裝載鎖固室 20Α之門61Α且在使内部成為真空氣氛後開啟門6ΐβ。 其次，控制裝置即使用真空搬送機器人23依序將裝載 鎖固室20Α内之晶圓搬人儲存室以卜由於儲存室22Α 内維持於既定溫度’因此搬入儲存室22Α内之晶圓可調溫 至既定溫度。此外，在裝載鎖固室2GA内之所有晶圓搬入 儲存室22A内的階段，控制裝置係關閉裝載鎖固室2〇a之 門61B，將内部設定成大氣壓狀態，並開啟門“A。藉此， 裝載鎖固至20A，係設定成能將從大氣搬送系統J丨2搬送 之次一晶圓搬入的狀態。 其次，說明真空搬送系統11 〇及大氣搬送系統丨丨2之 後述曝光動作結束後之晶圓搬送動作。此外，此曝光已結 束之晶圓（曝光完畢之晶圓）之搬送動作，係與前述之作為 曝光對象之晶圓的搬送動作同時進行。 首先’控制裝置’係透過真空搬送機器人23將曝光完 畢之晶圓自處理室12内搬入儲存室22B内。又，控制裂 置在裝載鎖固室20B之門62B開啟的狀態下，使用真空搬 21 200901279 送機态人23將儲存室22B内之晶圓搬入裝載鎖固室20B 内。此外，在將曝光完畢之晶圓搬入儲存室22B的時間點， 在開啟裝載鎖固室20B之門62B的情況下，不透過儲存室 22B直接將晶圓搬入裝載鎖固室2〇b。 接著，對複數片已曝光結束之晶圓反覆上述動作，在 既定片數之已曝光結束之晶圓收容於裝載鎖固室2〇B内的 階段’控制裝置係關閉裝載鎖固室2〇B之門62B且在使内 部成為大氣氣氛後開啟門62A。 其次，控制裝置，即使用大氣搬送機器人丨9依序將裝 載鎖固室20B内之晶圓向晶圓搬出部18搬送。被搬送至 此曰曰圓搬出部18之晶圓，係藉由未圖示之C/D側搬送系 統朝向未圖示C/D侧搬送。 其-人，根據圖1、圖4B及圖5A〜圖6B，說明包含在 定片數之晶圓存在於儲存室22A内之狀態下、晶圓對晶 圓载台WST之搬入、搬出動作在内的所有曝光動作。 圖1所示之狀態，係在曝光裝置本體丨中，對晶圓 載D WST上之晶圓保持具WH1所保持之晶圓w進行曝 光，且晶圓保持4 WH2係裝載於晶圓更換部24B上的狀 …控制裝置，係從此狀態如圖5A所示地，使用真空搬 迗機器人23自儲存室22A將新的晶圓（Μ)搬送至晶圓更 換部24B上所裝載之晶圓保持具觸上。晶圓更換部鳩， :、圖4B所不，在使二支中心鎖46自晶圓保持具顧] 上面突出的狀態下’從真空搬送機器人23接取晶圓. 22 200901279 接著’晶圓更換部24B使中心鎖46下降以將晶圓w2裝 載於晶圓保持具WH2上。 如此，在晶圓w裝載於晶圓保持具WH2上之階段， 控制裝置係、透過第2預對準裝置85拍攝晶圓^外緣之三 處（VA，VB，vc)，以算出晶圓W2之中心位置及旋轉量。 接著’控制裝置透過驅動機構49使軸部52上升以頂起晶 圓W2’根據算出結果使軸部52在水平面内（往X轴方向、 二軸方向、以及ΘΖ方向之至少—個方向）移動，藉此將晶 $ W2設定於所欲狀態。在此狀態下，控制裝置透過驅動 :構49使轴部52下降，再度將晶® W2裝載於晶圓保持 具WH2上。 其後’控㈣置透過設於晶圓更換部24Β之本體部42 之更換部側電氣接點38及設於晶圓保持I WH2之保持具 側電氣接，點36,藉由電源72施加電壓，以將晶圓w2靜 電吸附於晶圓保持具WH2上面（藉由靜電力予以保持）。此 。，在進行此靜電吸附時（透過靜電力之保持），考量到晶 ，W2與晶圓保持具刪之間會有溫度差的情形，亦可將 ^圓W2輯於晶圓保持具觸上進行靜電吸附（透過靜 电力之保持）並經過既定時間後，暫時開放吸附力並再度進 2電吸附（透過靜電力之保持），藉此順序可防止因溫度 差導致晶圓之變形。 另一方面，在晶圓保持具聰側（曝光裝置本體1〇〇 ’係藉由控制裝置使用未圖示之對準系統等依既定步驟 订標線片對準、基線測量(對準系統之檢測中心至投影光 23 200901279 予系統P0之光軸為止的距離之測量）。其後，使用未圖示 ，對準檢測系統進行例如美國專利第4，78〇，6丄7號說明書 等所揭不之EGA(加強型全晶圓對準）等的對準測量，以求 出晶圓W上所有照射區域之位置座標。 接著，依下述方式’將EUV光EL當作曝光用照明光 進^丁步進掃描方式之曝光。亦即，控制裝置係依據自晶圓 •準、果彳寸到之晶圓w上的各照射區域之位置資訊，一邊 f 監測自晶圓干涉儀182w起的位置資訊，—邊使晶圓載台 移動至用以曝光第丨照射區域之掃描開始位置（加速 開始位置)且使標線片載台RST移動至掃描開始位置(加速 位置以進行該第1照射區域的掃描曝光。在進行此 帝描曝光時’控制裝置係同步驅動標線片載台RST與晶圓 載台WST ’且將兩载台之速度控制成兩者之速度比正確地 與投影光學系、统p〇之投影倍率一致，以進行曝光（標線片 圖案之轉印）。 乂、2上述結束第1照射區域之掃描曝光後，控制裝置7 ^進仃使晶圓载台WST移動至用以㈣第2照射區域之 掃描開始位置（加速開始位置）的照射區域間步進動作。接 者以與上述同樣之方式進行該第2照射區域的掃描曝光。 其後，在第3照射區域之後亦進行相同之動作。如此，反 覆照射區域間步進動作與對照射區域之掃描曝光動作，以 步進掃描方式將標後M R 圓 照射區域。斤片R之圖案轉印至晶圓W上的所有 此處’本實施形態中，由於係對吸附保持於晶圓保持 24 200901279 ” WHl，WH2的晶圓進行圖案轉印，當晶圓保持具表面存 在有凹凸（例如多數支銷部前端高度之不—致等）時，保持 於該晶圓保持具之晶圓，即會倣趙晶圓保持具表面之形狀 而產生部分扭曲的現象。又’該晶圓保持具表面之凹凸合 保持具不同1此，本實施形態中，係在進㈣ 尤日f進行如下之調整。
亦即，在進行曝光動作以前，係分別就晶圓保持具貨扪， WH2，在晶圓保持具WH1，WH2多數個Χγ位置，使表面 在f軸方向（高度方向）之位置資訊與（x，y)座標彼此關聯來 敎，並儲存於未圖示之記憶裝置。接著，自儲存於記憶 裝置之在Z軸方向之位置f訊中，選擇用於曝光之晶圓: 持=(存在於晶圓載台WST上之晶圓保持具）的位置資訊。 接著，控制裝置，係在曝光時根據所選擇之在z軸方向之 位置資訊’調整晶® w或標線m z軸方向之位置、 以及(或在X車由、Y軸方向之位置資訊，且根據晶圓聚焦 感測器（114a，U4b)之檢測結果調整晶圓w的ζ位置。藉 此，不論使用哪一個晶圓保持具來進行曝光，均能以高^ 應使晶圓W之(EUV光EL之照射區域部分之)ζ位置一致 於投影光學系統PQ之最佳成像面（轉印目標位置卜 此外，晶圓保持具表面在ζ軸方向（高度方向）之位置 資訊的測定，可在曝光裝置本體1〇〇内使用晶圓聚焦感測 器（U4a，114b)測定，亦可在事前（例如進行維護等時）透過 裝載鎖固冑30將晶圓保持具wm，聰2取出至曝光裝置 外來測定。在曝光裝置本冑刚㈣行敎時，係使用、晶 25 200901279 f保持具WHl，WH2之哪_個來進㈣#，μ 晶圓保持具之位置（哎先 i 9先i測 即，可掌握晶圓裁台WST上=憶裝置）來與以判別（亦 正值的闕係））。另一方面，=；：ΓΓ具與測定值（或修 如可先於晶圓保持具設置的、彳進订測定時，例 丁八叹置固有的標記等， 判別係使用哪—個晶圓保持具 圓載台wst上之晶圓伴持 、“’、即，可掌握晶 <日日圓保持具與測定值（或修正 f 又，晶圓保持具之測定 ㈣關係））。 離時，可對測定點間進行内插來算出二時分離°當為分 隔，可決定成藉由_^ 夺之測定點的間 求之精度的值。 几刀，兩疋曝先裝置所要 又 在z抽方向之纲敕 圓保持具表面之z限於根據實際測量之晶 /、衣面之z位置資訊來進 曝光、顯影而得之結果來 據實際使晶圓 保持具之表面，亦可在將二 不限於直接測量晶圓 裝载於晶圓保持具则或咖千狀能^之超平坦晶圓） 定資訊或扭曲資訊，並根據該資訊==二定晶圓之測 關於晶圓之扭曲資訊之、&卜 進仃在2軸方向之調整。 藉由測定該對齊標記Sr圓於晶圓形成對齊標記， 藉由使用該資訊與晶圓表：之 平面内的位置資訊， 不限於將晶圓保持具表Μ置貧訊’予以求出。又， 可僅儲存z轴方之凹凸資訊儲存於記憶裝置，亦 上述心:= 進^ Y方向之_之修正。 "亥裝置並不一定須具備修正 26 200901279 、冗軸方向、6»χ方向、0丫方向之所 亦可視裝置所要求之精度進行所需之 又，曝光動作在如上述結束後，控制裝置係透過晶圓 載台驅動系統162使晶圓載台WST移動至圖5Α之假想線 所示位置（WST，）。 一
其次，控制裝置如圖5Β所示，使用第i保持具搬送 機器人26將保持有晶圓w之狀態之晶圓保持具则搬送 至晶：更換部24A上，且如圖6A所示，將保持有晶圓— 之狀態之晶圓保持具WH2搬送至晶圓載台WST上。此等 晶圓保持具WH1及WH2之搬送由於能在短時間進行，因 此本實施形態中，搬送中之晶圓保持具wm，wh2之晶圓 的保持，係使用殘留於晶圓保持具WH1或WH2之靜電力 來進行。
X軸方向、γ軸方向 有方向的位置修正， 方向的位置修正。 接著，控制裝置如圖6A所示，使用真空搬送機器人23 2晶圓保持具WH1上將已曝光結束之晶圓w搬送至儲存 至22B内，且如圖6B所示，從儲存室22a將新的晶圓 搬送至晶圓保持具WH1上。 其後，控制裝置與前述晶圓W2之情形同樣地，在晶 圓更換部24A以第2預對準裝置85進行晶圓w3之檢測 等且對裝載於晶圓载台WST上之晶圓W2執行上述對準 動作及曝光動作。接著’與上述同樣地，&覆使用晶圓保 持具WH1之曝光動作與晶圓保持具WH2上之晶圓更換動 作的並行處理、以及使用晶圓保持具WH2之曝光動作與 27 200901279 ΐ =持$ WH1上之晶圓更換動作的並行處理’在對既 數之曝光動作結束的階段結束所有步驟。 此外’當雜質或微粒等異物存在於晶圓保持具誦 2上面時，若將晶圓裝載於晶圓保持具wm或WH2 〜晶圓保持具與晶圓之間則會夾入異⑯，而恐怕會對 晶圓之平坦部進而U精度造成影響。本實施形態中，晶 持具Μ存在異物之檢測及晶ϋ保持具之清掃係以下 述方式進行。 控制裝置，為了檢測於晶圓保持具whi(wh2)上是否 存在異物，係將晶圓（或超平坦晶圓）裝載於晶圓係持具 WH1(或WH2)上。其次，使晶圓載台WST在水平面内移 動以使晶圓保持具刪（或WH2)位於投影光學系統p〇正 下方的位置。接著，控制裝置使晶圓載台WST移動以使 圖1之晶圓對焦感測器（U4a，1I4 b)之照射區域在晶圓上
面整體移動，並在該移動中監測晶圓對焦感測器⑴4a，⑴ b)之檢測結果。 ’ 控制裝置係參照上述監測結果判斷於較週邊更極端之 =是否有Z位置不同的點（亦稱為「熱點」），當判斷有熱 點（或有既定數目以上）時，即使用第丨保持具搬送機器人 26將該晶圓保持具WH1 (或WH2)自晶圓載台WST搬送至 曰曰圓更換部24B，且使用第2保持具搬送機器人27自晶圓 更換部24B搬送至門65A為開放狀態之裝載鎖固室3〇内。 接著’控制裝置關閉裝載鎖固室30之門65A，且將其 内。卩设定成大氣壓狀態後，即藉由開放門65B而呈為使用 28 200901279 者可從外部進出的狀態。 藉此，使用者可自曝光裝置1〇 固室30肉々sn 丨1進出收容於裝載鎖 内之日日圓保持具WH1(或WH2)， 塵布等執行a圓藉由磨石或無 在、、青1(或龍2)上面的清掃。接著， 細（或WH2)歸回晶圓更換部鳩。 將日』保持具 伴持載鎖固室3°係採用具有能同時收容兩個晶圓 r 程度之大小(内容積)的裝载鎖固室。藉 於曰 述一方之晶圓保持具之異物檢測動作中，判斷 、曰日圓保持具上存在有異物時， 撫详石壯丑 1』稭由將兩晶圓保持具 、裝載鎖固室30内來同時清掃兩個晶圓保持具。 又#由進行晶圓保持具之異物檢測動作既定次數， 著、物之附者傾向(亦即’當曝光幾片晶圓時異物會附 日士 ：頃向、或移動曝光裝置幾個小時後異物會附著的傾向） J ’亦可不進行異物檢測動作，而根據晶圓片數或曝 ( 置之運作時間等進行晶圓保持具之清掃。 、 v b上述說明，本實施形態中，由於可在晶圓更換部24a 24B進行晶圓保持具WH1，WH2上之晶圓更換，因此能同 2進行曝光動作與晶圓更換動作。藉此，即使因使用靜電 夾具方式之晶圓保持具而花費較長時間更換晶圓，亦可在 不2止曝光裝置本體100之動作的情況下進行晶圓更換， 而能提高裝置之產能。又，根據本實施形態，第i保持具 搬达機器人26由於係在曝光裝置本體100與晶圓更換部 24A或24B之間搬送保持有晶圓之狀態的晶圓保持具 29 200901279 或WH2，因此藉由將晶圓保持具WH1及WH2之一方搬送 至晶圓更換部24A或24B，且與保持於晶圓保持具WH1 及WH2之另一方的晶圓之曝光動作等同時進行晶圓更換， 而能使晶圓保持具與裝載於該晶圓保持具之晶圓的溫度緩 和。因此亦可構成為不將用以調整上述晶圓保持具 WH1(WH2)溫度之調溫機構等設置於晶圓載台WST等。具 體而言，如不於晶圓載台 WST採用例如用以供應冷卻液 體之配管等，即可抑制因管體之拉引而使晶圓載台 WST 之位置控制性降低。 又，根據本實施形態，真空搬送系統110與處理室12 由於在振動上實質分離，因此即使同時進行曝光裝置本體 100之曝光動作與真空搬送系統110之晶圓搬送動作，亦 可極力地抑制晶圓搬送動作對曝光裝置本體100之曝光精 度造成的影響。 又，根據本實施形態，晶圓保持具WH1(WH2)具有電 氣接點36，晶圓更換部24A(24B)及晶圓載台WST分別具 有透過電氣接點36供應電流的電氣接點38，55，因此於晶 圓保持具WH1(WH2)無須設置電源。藉此能使晶圓保持具 WH1, WH2輕量化。 又，本實施形態中，晶圓保持具WH1，WH2在吸附保 持晶圓時，由於晶圓保持具與晶圓接觸之面積係設定於晶 圓之與晶圓保持具對向之面之面積的20%以下，因此能在 晶圓保持具上吸附保持晶圓並在XY平面内高速移動，且 可減低晶圓與晶圓保持具之間夾入異物的可能性。 30 200901279 又’本實施形態中’由於在晶圓更換部24A，24B設有 用以調整晶圓保持具WH1，WH2③度的調溫裝置⑼如冷 卻板等）’因此在使晶圓曝光時可極力減少滞留於晶圓保持 具之熱，而能進行高精度之曝光。 ^此外’上述實施形態中，雖係於晶圓保持具髓，侧 設置保持具側電氣接點36,於晶圓載台赠設置载台側 電氣接點55,於晶圓更換部24A，細設置更換部側電氣 接點38’藉由透過各電氣接點供應之電壓進行晶圓保持且 細，WH2之靜電吸附（透過靜電力之保持），但並不限於 此，亦可直接於晶圓保持具聰，勘内部内藏電源（電 :也、電容器等)。此時，由於在晶圓載台wst與晶圓更換 部24A，24B之間搬送晶圓保持具職，聰日夺，亦能靜 電吸附晶圓(透過靜電力之保持)，因此能在極力抑制晶圓 ΐ位置偏移的狀態下進行保持有晶圓之晶圓保持具的搬 2^ 〇 此外，上述實施形態中，雖說明了晶圓保持具麵， WH2係以俯視（自+ ζ方向觀+ m、 * 门觀看）呈大致正方形狀之板狀構 1千構成的情形，但並不限於茈 於此亦可藉由俯視呈圓形狀之 $又’不限於在晶31保持具上面設置複數個鎖部 的構成，亦可採用設有複數個同心環狀之凹凸部的構成。 又’上述實施形態中，雖係說明於儲存室Μ，·分 別设有門63A，63B之情形，但並 *撇立不限於此，亦可設置成真 二搬送機态人23可隨時進出儲存 門63A，63B。 存至22A，22B，而不設置 31 200901279 又，上述實施形態中，雖將用於保持具清掃之保持且 用裳载鎖固室30及第2保持具搬送機器人27僅設於晶圓 、p 24B之γ側但亚不限於此，亦可亦於晶圓更換 。24B之+ Y側設置。如此，使用者對晶圓保持具刪 之進出可從+ Y側之裝載鎖固室進行，對晶圓保持具搬 之進出可從-Y側之裝載鎖固室進行，而能區分使用。 f 又，上述實施形態中’雖說明晶圓更換部24A，24B且 Ϊ第2預對準裝置85之情形，但並不限於此，亦可愈晶 圓更換部24Α，施分別獨立設置預對準裝置（機構）。右上 返貫施形態中’雖說明於晶圓更換部24α，24β設有包含冷 =之調溫裝置’但亦可不設置調溫農置。又，亦可不： 置弟2預對準本身。 其次’根據圖7’圖8Α及圖8β說明本發明另一實施 :態。此處，對與前述實施形態相同或同等之構成部分賦 予同一符號，省略其說明。 前述實施形態中’雖設有晶圓更換部2从纟細，但 曰實她屯L中’係代替前述第j保持具搬送機器人％及 圓更換24Α，24Β，而設置第3保持具搬送機器人⑶ /吏第3保持具搬送機器人126具有晶圓更換部24Α(24Β) 力月b換5之’第3保持具搬送機器人126可較第！保 符具搬送機器人f pa , ’ + 更長時間保持晶圓保持具WH1，WH2。
之雔第保持具搬送機器人126係具有手部126A，126B 圓人’ * 7中，係顯示於手部—裝载有晶 持具WH2的㈣。本實施形態巾，真錢送機器人23, 32 200901279 係在裝載鎖固室20 A與儲存室22A之間、儲存室22A與 第3保持具搬送機器人126上所裝載之晶圓保持具 WH2(WH1)之間、第3保持具搬送機器人126上所裝載之 晶圓保持具WH2(WH1)與儲存室22B之間、以及儲存室22B 與裝載鎖固室20B之間，進行晶圓之搬送。 第3保持具搬送機器人126係如圖7之箭頭所示可繞 Z軸旋轉，且能沿Z軸方向上下移動。又，第3保持具搬 送機器人126由於如上述具有兩個手部，因此能將晶圓保 持具WH2裝載於一手部，且將晶圓保持具WH1裝載於另 一手部。此外，手部之數目亦可係兩個以上，例如三個。 晶圓載台W S T可移動至圖7之兩點鏈線所示之位置。 晶圓保持具WH1(WH2)，係如圖8所示具有兩個内部電極 203A, 203B。藉由施加電壓以使此等兩個内部電極成為各 不同之極性，而能吸附配置於其上面之晶圓等感應基板。 此外，雖亦能如前述實施形態所示配置貫通孔32，但 本實施形態中係不配置貫通孔32的構成。 又，於晶圓保持具WH1(WH2)之下側，如圖8B所示 設有磁性體層204。又，在與磁性體層204電氣分離之處 設有保持具側電氣接點3 6 A，3 6 B。 本實施形態中，當於晶圓載台WST載置晶圓保持具 WH1(WH2)時，設於晶圓載台WST之載台側電氣接點55A, 5 5B與保持具側電氣接點36A，36B即分別電氣連接，因此 能自未圖示電源對内部電極2 0 3 A, 2 0 3 B施加電壓。又，由 於在晶圓載台 WST配置有線圈205，因此藉由使電流流 33 200901279 通線圈205即產生磁力（電磁力），並藉由該磁力使具有磁 性體層 204之晶圓保持具 WH1(WH2)固定於晶圓載台 WST。另一方面，當欲自晶圓載台WST卸下晶圓保持具 WH1(WH2)時，只要停止對線圈205供應電流以消除磁力 即可。此外，於圖8 B中雖未圖示，但線圈2 0 5與用以使 電流流通線圈205之電源係電氣連接。 本實施形態中，如圖7所示，當晶圓載台WST移動至 兩點鏈線之位置時，即如圖8所示，第3保持具搬送機器 人126之手部126A進入晶圓保持具WH1(WH2)與晶圓載 台WST之間的間隙，其後停止對線圈2058供應電流，並 使第3保持具搬送機器人126往+ Z方向（上方）移動，第3 保持具搬送機器人126即自晶圓載台WST上提晶圓保持 具WH1。接著，第3保持具搬送機器人126繞Z軸旋轉， 將次一配置之晶圓保持具WH2定位於晶圓載台WST上， 並使第3保持具搬送機器人126往一Z方向（下方）移動， 藉此晶圓保持具WH2即配置於晶圓載台WST上。 此外，亦可於晶圓載台 WST中裝載晶圓保持具 WH1(WH2)之部分，另外配置用以測定晶圓保持具 WH1(WH2)與晶圓載台WST之位置關係的測定裝置，使用 該測定裝置一邊進行位置對齊一邊進行晶圓保持具 WH1(WH2)之更換。又，亦可代替使第3保持具搬送機器 人126上下之方式，而藉由使晶圓載台 WST上下來將晶 圓保持具WH1(WH2)裝載於晶圓載台WST上，或自晶圓 載台WST取下。 34 200901279 又 本貫施形態中，欲將晶圓裝载於晶圓保持且 (WH2)，係自真空搬送機器人23直接將晶圓裝載於第 3保持具搬送機器A 126 1所裂冑之晶圓保持呈 wm(WH2)。可於此晶圓裝載處（圖？中晶圓保持具㈣ 所位於之處）附近配置用以測定晶圓保持具w叫腦)及/ 或晶圓位置的測定裝置，_以此測定裳置敎之位置資 訊，控制真空搬送機HA 23及/或第3保持具搬送機器 人126之位置，藉此調整晶圓對晶圓保持具WH1(WH2)之 裝載位置（在X，γ軸方向之位置）。 又，本貫施形態中，當將晶圓保持具whi(wh2)從真 空環境搬出至大氣環境時，係使用保持具搬送機器人η 將晶圓保持具wm(WH2)自第3保持具搬送機器人126往 裝載鎖固室30搬送。 此外，當須在第3保持具搬送機器人126以晶圓保持 具WH1(WH2)吸附晶圓時，亦可於第3保持具搬送機器人 之手部配置電氣接點，並透過此電氣接點對晶圓保持具 WH1(WH2)内所設之内部電極2〇3A，2〇3B施加電壓。 此外，曝光裝置1〇之構成僅係一例，在不脫離本發明 主旨的範圍内各採用各種構成。又，亦可將各種構成任亦 組合或不使用一部分之構成。 此外，上述實施形態中，雖說明了曝光裝置本體係具 有單一晶圓載台之單一載台類型曝光裝置本體的情形，但 並不限於此，亦可將本發明適用於例如國際公開第 2005/074014號小冊子等所揭示，除了晶圓載台外具備另 35 200901279 外具備測量載台（包含測量構件（例如基準標記、及/或感 測器等））之曝光裝置本體的曝光裝置。又，亦可將本發明 適用於例如曰本特開平10— 163099號公報及日本特開平1〇 —214783號公報（對應美國專利第6, 59〇, 634號說明書）、 。曰j特表2000 — 505958號公報（對應美國專利第5, 969, 441 號說明書）、美國專利第6, 2〇8, 4〇7號說明書等所揭示之 具備多載台型曝光裝置本體（具有複數個晶圓載台）之曝光 裝置。 、又，上述實施形態之曝光裝置中之投影光學系統之倍 率並不僅可為縮小系統’亦可為等倍系統及放大系統之任 一者。 此外，上述實施形態中，雖說明使用波長llnm2Euv 光來作為曝光用光的情形’但並不限於此，亦可使用波長 13.5nm之EUV光來作為曝光用光。此時，為了對波長 13_5nm之EUV光確保約7〇%的反射率，須使用交互積層 有銦Mo與石夕Si之多層膜來作為各反射鏡之反射膜。 又，上述貫施形態中，雖使用雷射激發電漿光源來作 為曝光光源’但並不限於此，亦可使用SOR、貝他(betatron) 光源、放電光源、X線雷射等任一者。 又，亦可採用使用電子線或離子束等之荷電粒子線的 曝光裝置來作為曝光裝置本體。χ，雖說明了使包含本體 處理室12内之㈣4。成為真空以1的情形，但並不限於 此’亦可使其為減壓環境之空間（非為真空狀態但係較大氣 壓更為減壓的空間）。 36 200901279 又’上述各實施形態中，雖使用反射型光罩(桿 …使用例如美國專利第6,778,257號說明=)’ ::光罩來代替此標線片，該電子光罩(可變成 根據待曝光圖案之電子資料形成反射圖案。 光罩）係 上述各實施形態中’雖記載了真空處理室之一 12 ’但亦可將處理室12與真空搬送系.统m之分 通構成一個處理室。又，本t 刀共 人丄 本說明書中所記述之處理室，句 :由複數個處理室構成的情形。例如包圍標線片载台之； 、'片載台處理室、包圍投影光學系統之投影 ： 室、包圍照明光學系統之照明光學***處理室處 本塥夕止、E 士 予示為慝理至、以及包圍 先源之先源處理室可為分別獨立 笙考坷一处主至又，亦可將該 2 = 多個構成為—個處理室。進而於各處 理至形成曝光用光可通過的開口，並將複數個處理室連接 成曝光用光可通過。又，亦可於該開口形成用以減弱多餘 之先之薄膜及/或除去多餘氣體及雜質等的薄膜。又，亦 可於該開口配置門閥等機構。 又，上述各實施形態所記述之曝光裝置本體， 含晶圓載台。 此外’上述各實施形態中，雖係使用伸縮f 25防止振 動在真空搬送系統110與本體處理室12之間傳達，但亦 可不使用伸縮管25而直接連接真空搬送“ m盘本體 處理室12。 此外，上述實施形態中待形成圖案之物體（能量光束所 照射之曝光對象的物體）並不限於晶圓，亦可係玻璃板、陶 37 200901279 瓷基板、膜構件、或者光罩基板等其他物體。 曝光裝置用途並不限定於半導體製造用之曝光裝置， 亦可廣泛適用於例如用來製造將液晶顯示元件圖案轉印於 方型玻璃板之液晶用曝光裝置，或製造有機EL、薄膜磁頭、 攝影兀件（CCD等）、微型機器及DNA晶片等的曝光裝置。 又除了製造半導體元件等微型元件以外，為了製造用於 光曝光裝置、EUV(極遠紫外線）曝光裝置、χ射線曝光裝 置及電子射線曝光裝置等的標線片或光罩，亦能將本發明 適用於用以將電路圖案轉印至玻璃基板或矽晶圓等之曝光 裝置。 半導體元件，係經由下述步驟所製造，即：進行元件 之功能、性能設計的步驟、根據此設計步驟製作標線片之 步驟、自矽材料製作晶圓的步驟、藉由前述各實施形態之 曝光裝置（圖案形成裝置）將光罩（標線片）圖案轉印於晶圓的 U ’v步驟、使已曝光之晶圓顯影的顯影步驟、藉由姓刻除 去光阻殘存部分以外之部分之露出構件的蝕刻步驟、結束 蝕刻而除去多於光阻之光阻除去步驟、元件組裝步驟（包含 切割步驟、接合步驟、封裝步驟）、檢查步驟2〇6等。此時， 由於在微影步驟中使用上述實施形態之曝光裝置，因此能 提升高積體度元件之生產性。 此外’援用與上述各實施形態所引用之曝光裝置等相 關之所有公報、國際公開小冊子、美國專利申請公開說明 書及美國專利說明書之揭示，來作為本說明書之記載的一 部分。 38 200901279 /上述之本發明實施形態，雖現狀為絕佳之實施形態， 但微影系統之#者’應可在不脫離本發明之精神與範圍 下，輕易地對上述實施形態施加各種添加、變形、置換。 所：上述，添加、變形、置換’均包含於透過以下記載之 申請專利範圍而最能明確顯示之本發明範圍内。 【圖式簡單說明】 圖1係顯示一實施形態之曝光裝置的概略圖。 圖2係顯示曝光裝置本體構成的概略圖。 曰。圖3A係顯示晶圓保持具之俯視圖，圖3B係顯示設於 曰曰圓保持具及晶圓載台之靜電夾具用配線的圖，圖3 c係 顯不於晶圓保持具上裝載有晶圓之狀態的俯視圖。 圖4A係說明晶圓更換部構成的圖，圖4B係說明晶圓 更換部之晶圓裝载方法的圖，圖4C係顯示設於晶圓更換 部之第2預對準裝置的立體圖。 圖5A，圖5B係說明一實施形態之曝光裝置一連申動 作的圖（其1)。 圖6A，圖6B係說明一實施形態之曝光裝置— 作的圖（其2)。 圖7係顯示另一實施形態之曝光裝置的概略圖。 圖8係顯示另一實施形態之晶圓保持具之俯視圖，圖 3Β係顯示設於晶圓保持具及晶圓載台之靜電夾具用配線的 圖。 【主要元件符號說明】 10 曝光裝置 39 200901279 12 本體處理室 12a 開口 14 晶圓承交部 16 第1預對準裝置 1 6 A 旋轉台 18 晶圓搬出部
19 大氣搬送機器人 20A, 20B 裝載鎖固室 22A，22B 儲存室 23 真空搬送機器人 24A, 24B 晶圓更換部 25 伸縮管 26 第1保持具搬送機器人 27 第2保持具搬送機器人 30 保持具用裝載鎖固室 32, 42b貫通孔 34 内部電極 36, 36A，36B 保持具側電氣接點 38 更換部側電氣接點 40 真空空間 42 本體部 42a 中空部 44 中心上提部 46 中心銷 40 200901279 4 8 板構件 49 驅動機構 50 大氣壓空間 52 轴部 55, 55A, 55B 載台側電氣接點 61A, 61B, 62A, 62B, 63A, 63B, 65A, 65B 門 71，72 電源 75 照明裝置 76 攝影裝置 85 第2預對準裝置 100 曝光裝置本體 110 真空搬送系統 112 大氣搬送系統 114a 送光系統 114b 受光系統 126 第3保持具搬送機器人
126A, 126B 手部 134 標線片載台驅動系統 162 晶圓載台驅動系統 182R 標線片干涉儀 182W 晶圓干涉儀 201 磁性體 202, 205, 206 線圈 203A, 203B 電氣接點 41 200901279 204 磁性體層 EL 曝光用光 M 光罩 MK 基準標記 PO 投影光學系統 R 標線片 RST 標線片載台 VA, VB, VC 晶圓W外緣. W, W] ί 晶0 WH1, WH2 晶圓保持具 WST, WST’ 晶圓載台 42

Claims (1)

  1. 200901279 十、申請專利範圍： l一種曝光裝置 案形成於該物體上， ，係藉 其具備 由能量光束使物體曝光以將圖 在減c % i兄下搬送物體之物體搬送系統； 體載 在減壓％境下裝載保持該物體之保持裝置的物 台；以及
    在減壓％境下，對保持有該物體之該保持裝置做暫時 呆持、且能將之承交於該物體載台的保持裝置搬送系統。 梦2·如申請專利範圍第1項之曝光裝置，其中，該保持 :置搬达系統，係能使該保持裝置單獨承交於該物體載 3·如申請專利範圍第1項之曝光裝置，其進一步具備： 為了在減壓環境下在該保持裝置上進行物體更換，而暫時 供該保持裝置放置之物體更換部。 4. 如申请專利範圍帛3項之曝光裝置，其中，該物體 更換部具有對该保持裝置進行調溫之調溫裝置。 5. 如申請專利範圍f 3項之曝光裝置，其中，該物體 更換部具有檢測該物體位置的檢測系統。 6. 如申請專利範圍帛3帛之曝光裝置，其中，該物體 載台與該物體搬送系統之間係在振動上實質分離。 ± 7_如申請專利範圍第3項之曝光裝置，其中，該保持 裝置具有藉由靜電力吸附該物體的靜電夾具。 另8_如申請專利範圍第7項之曝光裝置，其中，該保持 扁置具有用以對該靜電夾具施加電壓的電氣接點； 43 200901279 於5亥物體更換部，設有透過該電氣接點對該靜電夹具 施加電壓的電壓施加裝置。 9.如申明專利範圍帛3項之曝光襞置，其中，該減壓 環境内存在複數個該保持裝置。 I 〇如申请專利範圍第9項之曝光裝置，其具備複數個 該物體更換部，· ”與在该減壓環境中使用一個保持裝置進行曝光的動作 併π在該物體更換部進行另—保持裝置所保持之物體的 更換。 II _如申請專利範圍第9項之曝光裝置，其進一步具備 至少控制該物體之曝光的控制裝置； 該控制襄置具有複數個保持裝置各自之修正資料，視 使用於曝光之保持裝置選擇該修正資料。 12.如申請專利範圍帛11項之曝光裝置，其巾，該修 正資料包含與該保持裝置表面凹凸相關的資料。 夕 n，如申請專利範圍第11項之曝光裝置，其中，該修 正資料包含與該保持裝置之位置修正量相關的資料。 14·如申請專利範圍帛1項之曝光裝置，其中’該保持 妒置八有藉由靜電力吸附該物體的靜電夾具。 、 、另I5·如申請專利範圍第14項之曝光裝置，其中，該保 持哀置具有用以對該靜電夾具施加電壓的電氣接點； 於該保持裝置搬送系統，設有透過該電氣接點對該 電夾具施加電壓的電壓施加裝置。 Μ 16·如申請專利範圍第14項之曝光裝置，其中，該保 44 200901279 持装置具有用以對該靜電夾具施加電壓的電氣接點； :該物體載台，設有透過該電氣接點對該靜’ 加電壓的電壓施加裝置。 17·如申請專利範圍帛14 ,頁之曝光裝置，#中，在該 保持裝置搬送系統將保持有該物體狀態之該保持裝置在該 物體更換部與該物體載台之間搬送的期間，該保持裝置係 以殘留於該靜電夾具之靜電力吸附保持該物體。 如申請專利範圍帛14項之曝光裝置，其中，該保 持裝置具有用以施加該吸附用電麼&電磨施加裝置。 H·如申請專利範圍第14項之曝光裝置/其中，在該 保持裝置保持該物體時，該保持裝置與該物體接觸的面積 係該物體對向於該保持裝置之面的面積之鳩以下。 η 20.如申請專利範圍第}項之曝光裝置，其中，該減壓 環境内存在複數個該保持裝置。 21_如申請專利範圍第2〇項之曝光裝置，其中，該保 持裝置搬送系統能至少同時保持兩個該保持裝置；x ” 與在該減麼環境中使用-個保持裝置進行曝光的動作 併行’在該保持裝置搬㈣統進行另—保㈣置所保 物體的更換。 22. 如申請專利範圍第2〇項之曝光裝置，其進一步具 備至少控制該物體之曝光的控制裝置； …、 及控制裝置具有該複數個保持裝置各自之修正資料， 視使用於曝光之保持裝置選擇該修正資料。 ， 23. 如申請專利範圍第22項之曝光裝置，其中，該修 45 200901279 正資料包含與該保持裝置表面凹凸相關的資料。 24. 如申請專利範圍第22項之曝光裝置，其中，該修 正資料包含與該保持裝置之位置修正量相關的資料。 25. 如申請專利範圍第1項之曝光裝置，其中，該減壓 環境之至少一部分係形成於處理室所形成之密閉空間内 部。 26. 如申請專利範圍第25項之曝光裝置，其中’於該 處理室設有用以將該保持裝置搬出至該減壓環境外的搬出 27. —種το件製造方法，包含：使用申請專利範圍第i 項之曝光裝置使基板曝光的動作；以及 使該已曝光之基板顯影的動作。 Η一、圖式： 如次頁 46
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