200840450 九、發明說明： L發明所屬之技術領域2 發明領域 本發明有關一種製造一用於安裝一晶片元件諸如一半 5 導體裝置之配線板的技術，並更特別是一種具有適於實現 高密度的多層結構的多層配線板及其製造方法。 【先前技術3 發明背景 為了製造一由多數個利用一絕緣黏著層諸如被設於其 10間的預浸體向上堆疊的配線板形成的多層結構之配線板， 不同的方法與技術迄今已被用作互連形成在該等配線板上 之配線圖案的方法。例如，第7A圖顯示該等方法中的一種 方法。在此方法中，兩個配線板1與2，其每一個具有形成 在兩面上的配線圖案，先被向上堆疊，利用一夾在其間的 15 一絕緣層3 (例如，預浸體）。然後，一穿孔TH，利用機械 鑽孔或此類者，在一希望的位置，被形成於該等堆疊的板 中。之後，電鑛被執行於該穿孔TH (即，一導體層被形成）， 以使得在該等配線板上的配線圖案係經由該導體層互連。 另一方法是利用B2IT (埋入凸塊互連技術；Buried Bump 20 interconnectlon Techn〇i〇gy)將在該等板間的該等圖案互 連。第7B圖顯示一利用B2IT之方法的範例。導電膏諸如焊 料，利用絲網印刷，先被饋入到一個板5的一配線圖案上。 該導電貧，利用流回，被熔成一凸塊（即，一焊料凸塊6)。 然後，該焊料凸塊6經由一預浸體層7被壓結到該其它板8的 5 200840450 . S£l線圖案。又—方法是形成金(Au)凸塊，銅(Cu)柱或此類 者在配線板的配線圖案上，因此經由一導電材料諸如焊料 將該等板互連。 在這些方法與技術被用於一在板間的互連枝任何情況 5下，有關在該等板之堆疊的錯誤校準、製造上的不精確、 或此類者必須被考慮到。於是，如第7A與第7B圖所示，連 " 接墊4與9，以此一關於具有大於該穿孔ΤΗ與該用於互連之 凸塊6之直徑的大小之方式，被形成在該等板之該等配線圖 • 案上的希望位置。該等板的該等配線圖案係因此經由該等 10連接墊與其對應的配線圖案電性互連。 曰本未審查專利公報(JPP) (Kokai)第8-15561號說明一 種關於以上習知技藝的技術。在此技術中，一多層印刷線 路板包含一導電凸塊，該導電凸塊係由一以截頭圓錐形式 的合成樹脂所形成，在小面積側上它的一第一底面被固定 15 結合至一外墊，而在大面積側上它的一第二底面被固定結 合至設於内部的一内導體之銅箔，並係由樹脂薄片基部的 ® —層壓板所形成。另一相關技藝係揭露於jpp (Kokai)第 8-125344號。在此技藝中，一種製造印刷線路板的方法包 " 含形成一希望的導電圖案在一絕緣基板的表面上；形成一 ^ 20 導電凸塊在該導電圖案上的一預定位置；並然後將銅箔壓 結至其上形成有該導電凸塊之表面，利用一被設在其間的 絕緣黏著劑樹脂層，其中該導電凸塊，經由該絕緣黏著劑 樹脂層，在該端部，被連接至相對於該凸塊的銅箔表面。 如上述，該傳統的多層配線板之製造技術採取穿孔(及 6 200840450 % • 該穿孔中的鍍層）、焊料凸塊、Au凸塊、Cu柱、或此類者作 為用於將該等板(或該等配線圖案）互連的裝置。然而，任何 裝置需要一適當大小的圓形連接墊(例如，第7A與第7B圖所 示的連接墊4與9)，允許有關在該等配線板堆疊的錯誤校 5準、製造上的不精確、或此類者。 然而，在板上的一配線間距已變小的新近環境下，此 " 一連接墊在高密度配線上形成瓶頸。明確地，被該等連接 電所佔據的一面積係變得相當大，導致一問題在於該連接 • 墊9引起了配線的阻礙，例如，如第8圖所示，由於瓶頸是 10在它的大小。一由第8圖中之虛線所指示的部件ws是一由 於該連接墊9之大小而不依路線之配線的概要表示。該連接 擊*係不利於南禮、度配線，因為特別是越高的配線密度導致 越高之該等連接墊的佔據百分比（具體地，一較大的面積被 該等連接墊所佔用且同樣地一較大數量的連接墊被安裝）。 15 同樣地遭遇一問題在於該連接墊並非必要經由其來提 馨 {、在該專板（或该專配線圖案）間的電性互連，依錯誤校準的 程度或此類者而定。這是因為，雖然係以一允許有關在堆 璺¥之錯誤校準或此類者之適當大小來形成，可是該連接 墊，對於考慮到精確度，諸如在該技藝狀態下之錯誤校準 W 20所被允許設計成的該“適當大小”，具有限制。 【發明内容】 發明概要 本發明的一目標係提供一種多層配線板及其製造方 法其使能夠咼密度配線並甚至在堆疊時發生某些錯誤校 7 200840450 · • 準或此類k使能狗確保一在板間的電性連接。 為了達到以上目標，根據本發明的一個觀點，提供有 -種多層配線板，包含有：至少兩個向上堆疊的配線板； 一對鰭狀凸塊，係以每個凸塊呈現一如平面圖所見的細長 ^ 5狀並且該等凸塊彼此交叉的方式被形成在該等配線板之互 相面對的表面上之配線圖案上的希望位置；及一形成在該 • 等配線板之間的絕緣層。 φ 根據按照此觀點之多層配線板的結構，當堆疊多數個 配線板時，形成在該等配線板之互相面對的表面上之配線 1〇圖案上的鰭狀凸塊係以彼此交叉之方式在重疊的關係下被 黏合在一起，以便因此形成該等凸塊的整體結構，其依序 被使用經由其來提供一在該等配線板之間的電性連接。總 之，一對鰭狀凸塊被用來作為提供一在該等板間之互連的 裝置。 15 此結構消除了諸如習知技藝中所見在該等板之間的互 • 連所需要之電路連接墊（由第7A與第7B圖的參考數字4與9 所指示）的需求，並且因此使能夠消除諸如習知技藝所遭遇 的缺點（配線路徑的無能力，如由第8圖中之虛線所指示的 部件WS所表示）。因為使得有可能將配線圖案定路線緊密 相鄉於该鰭狀凸塊，例如，如第1A與第圖所示，所以這 提供了高密度配線的達成。 此外，形成板互連端的該等鰭狀凸塊具有如平面圖所 見的細長狀並且亦以彼此交叉的如此方式互相重聂_ 侍有可能甚至在堆疊該等配線板時發生某些錯誤校準或此 8 200840450 類者時確保在該等具有該“細長狀”之凸快上某處的一電 性連接。
同樣地，為了達到以上目標，根據本發明的另一觀點， 提供有一種製造多層配線板的方法，包含步驟有：向上堆 5 疊第一與第二配線板，其每一個已形成一呈現如平面圖所 見的細長狀之鰭狀凸塊在其上，以使得該等鰭狀凸塊彼此 交叉，因此提供一在該等鰭狀凸塊之間的電性連接；及將 樹脂填充到一在該第一配線板與該第二配線板之間的間隙 中〇 10 參考稍後要被說明的本發明實施例，關於在結構與程 序上的其它特徵及此類者，將給予根據本發明之多層配線 板及其製造方法的詳細說明。 圖式簡單說明 第1A與第1B圖是顯示根據本發明一實施例的一多層 15 配線板之結構圖，並且分別是它的一橫截面圖與一顯示它 的一主要部件結構的平面圖（即，一十字柱部分）； 第2A至第2C圖是顯示一種製造第1A與第1B圖所示之 多層配線板之方法中的步驟之橫結面圖（部分頂視圖）； 第3A至第3C圖是顯示跟隨第2A至第2C圖所示步驟的 20 步驟之橫結面圖（部分頂視圖）； 第4A與第4B圖是顯示跟隨第3A至第3C圖所示之步驟 的步驟之橫結面圖（部分頂視圖）； 第5A與第5B圖是顯示跟隨第4A至第4C圖所示之步驟 的步驟之橫結面圖（部分頂視圖）； 9 200840450 繁汽图县一 ° 圖用於說明由第1Α與第1Β圖所示之多層配 線板所達成的〜有利效果； 弟…、第圖是用於說明習知技藝多層配線板中在 板間的互連之圖；& 第圖疋圖用於說明—由該習知技藝在板間的互連 所導致的問題。 【實施方式3
較佳實施例之詳細說明 ’考4等附圖，在下將給予關於本發明較佳實施例的 10 說明。 第1Α”第1Β圖顯示根據本發明一實施例的一多層配 線板U冓第1Α圖顯示其在橫結面的結構，且第圖顯 不其主要部分之結構(或圖案)的平面圖（具體上-由第1Α圖 的參考文字CP所指的一圈住部分，即，之後要被說明的一 15 十字柱部分）。 如第1Α断示，根據該實_之多層配線祕包含兩 個垂直向上堆豐的配線板10與2〇、_被形成來填充在該等 配線板10與20之間的絕緣層30、及作用為形成在該板4〇之 最外層上的保護薄膜之絕緣層31與32。該等配線板1〇與2〇 20具有樹脂基板11與21作為基部構件，並且在其兩面上，形 成包含有利用仿造而形成希望形狀之圖案的配線層12與13 及配線層22與23。同樣地，狀似魚鳍的凸塊μ與％，如站 立在一堆豐方向，被形成在彼此面對之表面上的配線圖案 12a與22让的希望位置。另外，導電材料別被沉 200840450 積在該等凸塊14與24的頂部。在下，因為該等凸塊14與24 看似“鳍”，為了方便的緣故，它們亦將被稱作“鳍狀凸 塊” ’並且此外，該等向上堆疊的配線板10與20中的較低 的一個亦將被稱作一“下配線板”且較高的一個亦將被稱 5 作一“上配線板”。 如第1B圖概要所示，該等鳍狀凸塊14與24，依照平面 凸所見’在此一方式下，假設一“細長狀”要分別被疊置 在该專配線圖案12a與22a上、並互相交叉成—h字狀。換
言之，該等鳍狀凸塊14與24被形成以使得該等凸塊互相交 10叉如在該下配線板10與該上配線板20被向上堆疊時所見的 一平面圖。當堆疊時，該等凸塊14與24被結合在一起(或電 性連接）以形成本發明特徵所憑藉的“十字柱部分cp，，。然 後，該十字柱部分CP (由一對鳍狀凸塊14與24形成)作用為 一板間連接端。附帶地，雖然該等鳍狀凸塊14與24互相交 15叉父叉地如第1B圖所示，可是該等凸塊14與24並非必 定必須精確“交叉地，，互相交又，而是可能採取任何形 式，提供出它們以一幾乎十字形式互相交又。 “等作用為保護薄膜之絕緣層31與32被形成以覆^ 整個表面’除了定義在該T配線板戦該上配線板20之! 專外配線層丨埃23上的預定位置之魏域…安裝在則 上的晶片組件，諸如一半導體裝置的電極端子係經❹ ^凸塊或此類者被連接至暴露自該上絕緣層伽該等触 且金屬凸塊(或球）、金屬接腳或此類者，其作用為名 將該板嫣裝在—或此類者時所用料部連= 20 200840450 • 、由卜科或此類者被結合至暴露自該下絕緣層31的該 等墊區域。 構成17亥等配線板〗0與20之該等基部構件的樹脂基板11 〃此採取任何形式，提供出每個基板具有至少形成在該 5 等最夕卜 、 g上的導體層並且該等導體層係經由該基板内部被 生連接。該等樹脂基板11與21可採取使配線層形成在其 中或不使任何配線層形成在其中的形式。其尹該樹脂基板 取使該等配線層形成在其巾的形式，在該等最外層上的 導體層H設在其間的絕緣層及—互連該等配線 1〇層的w層孔，其並未被具體顯示因為它不是本發明特徵之 邛刀，經由形成在該基板中的該等配線層被電性連接。例 以此形式的該等板包含一能利用一增長程序來形成之 运、""構的配線板。另一方面，其中該樹脂基板採取不使 \何配線層形成在其中的形式，在該等最外層上的該等導 15體層經由一適當形成在該樹脂基板中在一希望位置的穿孔 I 錢性連接。例如，以此形式的該等板包含-核心板其對 應上述利用該增長程序所形成之多層配線板的一基部構 件。 同樣地如第1A與第1B圖所示，根據該實施例之多層配 2〇線板4(3係特徵在於該十字柱部分CP被絲提供經由其在該 ^堆®的配線板1〇與2〇之間的電性互連。有關構成根據該 只％例之多層配線板4〇的結構構件之材料、大小及其它 ，在結合有一稍後要被說明的程序，將給予明確說明。 附帶地，雖然該等兩個配線板10與20被向上堆疊以形 12 200840450 5 成如第1A與第1B圖所示之多層配線板40，為了簡化說明的 緣故，可是當然要被理解的是，要被堆疊的配線板數量並 非被限制到2。雖然並未具體顯示，為了向上堆疊三個或更 多的配線板，一對鳍狀凸塊同樣地被形成在該等相鄰互相 堆疊之配線板之彼此面對的表面上之配線圖案上的希望位 置，以便因此形成本發明特徵的*—h字柱部分。當堆疊時， 該十字柱部分被用來經由其提供在該等板間的一電性互 連。 • 以下，將給予關於一種製造根據該實施例之多層配線 10 板40之方法的說明，參考依序顯示方法中的製造步驟之第 2A至第5B圖。附帶地，為了簡化繪示的緣故，僅有關本發 明之部件（即，該十字柱部分CP與它的周圍）被顯示於這些 圖式中（即’橫截面圖，頂視圖及一平面圖）。同樣地，因為 該下配線板10與該上配線板20係能經由相同程序來製造， 15 為了簡化繪式的緣故’僅該下配線板1〇的該等製造步驟被 • 顯示為一在弟2A至弟2C圖及第3A至第3C圖之程序圖式中 的代表。 一 20 以一希望形式的樹脂基板11在第一步驟被準備（第2 A 圖）。如以上所述，該樹脂基板Η能採取任何形式，提供出 該基板具有至少形成在该等最外層上的該等導體層，且該 等導體層經由該基板的内部被電性連接。該樹脂基板⑽ 有形成在兩面上的導體層SD，如第2八圖所示的橫截面，並 且該等導體層SD被用來作為電鍍的電源饋入層（或種晶 層）’將如稍後所述。例如，在一增長多層配線板中的一般 13 200840450 使用的一核心層能被用於該樹脂層11。第2A圖所示的一結 構係能藉由層壓一希望數量的預浸體薄片（例如，呈半硬 化、B階段形式、由充滿有一熱固樹脂諸如一環氧樹脂，一 聚乙醯胺，一雙馬來酰亞胺三嗓（bismaleimide troazine) (BT) 5 樹脂或一聚苯醚(polyphenylene ether) (PPE)樹脂的玻璃布 ^ 製成的黏著劑薄片，利用該用作一加強構件之玻璃布）而被 - 獲得，因此獲得(例如，約60#m厚的）層壓的預浸體；將(例 如，約2至3/zm厚的）銅箔放在該預浸體的兩面；及施加熱 ® 與壓力至組合的結構。既然這樣，該預浸體對應該樹脂基 10 板11，且該銅箔對應該導體層SD。 在下一步驟（第2B圖），用於電鍍的抗蝕劑係利用一仿 造材料被形成在該樹脂基板11兩面上的該等導體層gD上， 且開口 0P1被形成於該抗餘劑在希望的位置。該等開口 0P1 係利用根據要被形成之配線圖案之該等希望形狀的仿造而 15被形成。感光性乾薄膜或一液態光阻劑能被用來作為該仿 造材料。 ^ 例如，其中一乾薄膜被使用其具有其中一抗蝕劑材料 被夾在一由聚酯製成的一覆蓋薄片與一由聚乙烯製成的隔 • 離物薄片之間的一結構，一仿造的抗蝕劑層Rl係經由該等 - 20步驟來形成··表面清洗；層壓的預處理（即，隔離物薄片分 層）；在空氣中抗蝕劑層壓；曝光；覆蓋薄片分層；及顯影。 明確地，各自的抗蚀劑層R1亦能藉由：先清洗該等導體層 SD的表面；然後利用熱壓縮結合，將該等乾薄膜(每一個具 有約25/zm的尽度)層壓到該專導體層sd上；藉由使該等乾 14 200840450 5 薄膜接受曝光在紫外線(uv)照射下，利用以仿造而形成以 該等配線圖案之希望形狀的遮罩（未示），將該等乾薄膜硬 化；及進一步，利用一預定顯影溶液(例如，一用於負光阻 劑之含有機溶劑的顯影溶液或一用於正光阻劑的鹼基顯影 溶液），將目標區域蝕刻掉(該等開口 OP1的形成）。同樣地， 其中一液態光阻劑被使用，該等仿造的光阻劑層R1，經由 該等步驟：表面清洗；將光阻劑塗佈在該等表面上；乾燥； 曝光；及顯影，係能以希望的形狀來形成。 • 在下一步驟（第2C圖），厚配線電鍍被執行以填充於該 10 等開口OP1，以使用露出自該等抗蝕劑層R1中之該等開口 OP1的該等種晶層（Cu) SD作為電源饋入層之銅(Cu)電鍍。 分別從該配線層12 (配線圖案12a)與該配線層13給予該厚 配線電鍍的區域。雖然形成的該等配線層12與13的頂表面 是平坦的，如第2C圖所示，可是它們係不必要被限制為平 15 坦的。因此，一用於將該整的表面平坦化的程序係最好在 該厚配線電鍍後被執行。該平坦化程序亦貢獻了對於要在 下一步驟被形成之抗蝕劑之黏著力的提高。附帶地，隨然 未明確顯示，該等形成在第2C圖之步驟的配線板線層12與 13，經由一適當地形成於該樹脂基板11在一希望位置的穿 , 20 孔，或經由適當地形成於該基板在希望位置的配線層及經 由其將該等配線層互連的一介層孔，被電性互連。 在下一步驟（第3A圖），用於電鍍的抗蝕劑係進一步利 用一仿造材料，被形成在該等抗蝕劑層R1與該等配線層12 與13上，利用它們剩餘在兩側上的該等抗蝕劑層R1，並且 15 200840450 一開口 OP2被形成於该專抗虫劑中的一個（例如，如第3a圖 所示的上者)在一希望的位置。該開口 〇P2係根據要被形成 在該配線圖案12a上之希望位置的鰭狀凸塊之希望形狀，以 電鍍來形成。附帶地，要被形成之鰭狀凸塊的長度（即，具 5有如在平面圖中所見之“細長狀”的圖案長度）被適當地 ^ 決定，允許關於該等板之堆疊的錯誤校準、製造上的不精 • 確或此類者。相同如以上所述用於該抗蝕劑層R1之材料（一 感光乾薄膜或一液態光阻劑）或一不同的材料能被用來作 • 為用於抗蝕劑形成的仿造材料。抗蝕劑仿造能夠在相同如 10在第2B圖所示之步驟被執行的程序之方式下舉行。明確 地，如上述的微影技術被用來將該抗蝕劑中的一目標區域 蝕刻掉（即，為了形成該開口 OP2)，因此根據該等鰭狀凸塊 _ 的相望形狀獲得抗蝕劑層R2。 在下一步驟（第3B圖），該鰭狀凸塊η係藉由執行後電 15鍍而被形成，以便以利用露出自該抗蝕劑R2中的開口〇j>2 的配線層12(或該種晶層SD)作為該電源饋入層的銅(Cu)電 _ 鍍填充於該開口 〇p2，以相同如在第2C圖所示之步驟被執 行的程序之方式。 - 在下一步驟（第3C圖），用於提供在一稍後步驟要被堆 20璧的該等板間的良好電性連接的預處理舉行。在該預處理 中’該導電材料15被沉積在該鰭狀凸塊Μ的頂部上。在該 實施例中，該導電材料15被沉積在該鰭狀凸塊14的頂部 上。在該實施例中，鎳(Ni)鍍層與金(Au)鍍層係依序給予在 該鑛狀凸塊(Cu) 14的頂部上，以便形成兩層結構(Ni/Au)的 16 200840450 導體層15。 在下一步驟（第4A圖），該下配線板10被製造 。首先， 該等抗钱劑R2與R1 (第3CH)係利用一檢性化學溶液，諸如 氫氧化納或單乙醇胺基溶液，被除去。如此，該等配線層 —5 1W36及該等導體層（或種晶層）SD被暴露。因為在此條件 下，該等配線層12與13，經由該等種晶層SD，被電性互連， ‘ _對於下一步驟_處理必須舉行來僅除去該等暴露的 晶層SD。既然這樣，藉由利用僅以銅(Cu)的化學溶液， 使用依照仿造而形成的該等配線層12與13作為遮罩的濕蝕 10刻，除去該等暴露的種晶層（Cu)SD (如第4八圖所示）。 附帶地，利用要被蝕的該等種晶層8]〇刻，同時部分地 蝕刻該等配線層12與13，因為該等配線層12與13係由相同 如該等種晶層SD之材料製成。然而，該等配線層12與13被 蝕刻有微小量，其依序不影響該等配線層12與13的實質厚 度，因為該專配線層12與13的每一厚度（例如，約25//m) φ 係非常大於該專種晶層SD每一個的厚度（例如，約2至 3 /z m) 〇 該等上述步驟導致一具有配線層12 (配線圖案12a)及 用仿k以希主的形狀被形成在該樹脂基板11之兩側上的配 20線層13、及形成在一個表面上的該配線圖案12a上之希望位 置的鰭狀凸塊14 (及在其頂部上的導電材料15)之結構 (即，該下配線板10)的製造，如第4A圖所示。 另外’要被堆疊在該下配線板1〇的上配線板2〇係以相 同如在製造該下配線板1〇所用的該等步驟之程序（第2A至 17 200840450 第4A圖）的方式被製造。明確地，製造有一結構（即，具有 該配線層22 (配線圖案22a)與以仿造成該等相望之形狀被 形成在該樹脂基板21兩侧上的配線層23、及形成在一個表 面上該配線圖案22a上的希望位置之鰭狀凸塊24 (與在其頂 5 部上的導體材料25)，如第4B所示。要注意的是，該上配線 Λ 板20的製造需要適當的校準，以使得當該上配線板2〇被堆 - 疊在該下配線板10的頂部時，該要被形成在該個表面上的 鰭狀凸塊24被形成在此一位置，如於平面圖所見，係該鰭 Φ 狀凸塊與該下配線板10交叉地相交在面對該下配線板1〇之 10 表面上的配線圖案22a。 在下一步驟（第5A圖），經由該等上述步驟製造的該下 配線板10該上配線板20先被向上堆疊。明確地，該下配線 板10與該上配線板20被向上堆疊，依照所定位以使得該下 配線板10的鰭狀凸塊14 (與該導電材料15)及該上配線板2〇 15的鰭狀凸塊24 (與該導電材料25)彼此交叉地相交，依照平 面圖中所見，如第5A圖所示。“接腳層壓，，被用於此堆疊。 • 此方法是釘住該等板的相對位置，藉由***導腳到先前被 形成在該等板之周圍在希望位置用於校準的參考孔中。 - 同樣地，超音波結合能被用來提供在該等鰭狀凸塊14 _ 20與24之間（及在該等導電材料15與25之間）的電性連接。此結 合包含施加超音波振動至用作結合基部構件之該等凸塊14 與24上的該等導電材料15與25的表面(An)，因此產生在其 間的一接觸面的摩擦力；及藉由因該摩擦力所產生之摩擦 熱炼化該等導電材料15與25，因此提供該等凸塊^與^之 18 200840450 間的結合。如此，該等凸塊14與24被電性連接以形成該十 字柱部分0>(第1A與第_)。換言之，該兩個配線板順 20，經由該十字柱部分CP，被電性連接。 另外，樹脂被填充到該等堆疊的配線板1〇與2〇之間的 5 一間隙中。樹脂填充是為了將力分至該多層結構之板的目 的，並且因此防止翹曲發生。 對於在一成形树脂之一般使用的一熱塑性環氧樹脂、 對於在一底部充填樹脂之一般使用的一液態環氧樹脂、或 響 此類者被用來作為該充填樹脂的一材料。該熱塑性環氧樹 10脂，對每一度，具有15至30 GPa的彈性係數及5至15卯111的 熱膨脹係數(CTE)。另外，此樹脂含有約70%至9〇%被加至 其中的填充物（例如，無機物質的細微粒子，諸如二氧化 石夕’氧化铭’或石夕酸約），為了控制該樹脂的彈性係數、Cte 等。該液態環氧樹脂，對每一度，具有5至15 GPa的彈性係 15數及20至40 PPm的CTE，並且含有約60%至80%被加至其中 φ 的填充物。最好是，轉變成形能被用作一樹脂充填方法。 除了該轉變成形、射出成形、底部充填流動成形、或其它 方法可被用於該樹脂充填。 * 該等以上步驟導致一結構的製造，該結構係由成電性 • 20連接關係的一堆疊之下配線板1〇與該上配線板20，具有一 被形成來充填在該堆疊板1〇與2〇之間的樹脂層（第5B圖所 示的絕緣層30)，如第5A圖所示。 在最後步驟（第5B圖），作用為保護薄膜的焊料抗蝕劑 層（該等絕緣層31與32)被形成在該組合結構的該等最外層 19 200840450 上（即，在該結構的頂與底部）。該等焊料抗蝕劑層31與32 係能以相同如被執行在第2B圖所示之步驟或第3A圖所示 之步驟的程序之方式被形成。明確地，該等焊料抗姓劑層 31與32的形成係能藉由將感光乾薄膜層壓到該等樹脂基板 5 11與21及該等配線層13與23上（或藉由施加液態光阻劑的 塗層至其）’並藉由以仿造來形成該等抗餘劑成希望的形狀 - (明確地，除了被定義在該等配線層13與23上之預定位置的 該等墊區域以外的形狀）來完成。 • 該等上述步驟導致根據該實施例之多層配線板4〇的製 10 造（第1A與第1B圖）。 如上述，根據該多層配線板（第1A與第m圖）及製造根 據該實施例之多層配線板之方法（第2A至第5B圖），當分別 堆疊多數個配線板（例如，該下配線板1〇與該上配線板2〇) 時，該等被形成在該等配線板1〇與2〇彼此面對之表面上的 15鰭狀凸塊14與24，以此一有關如於平面圖所見彼此交叉地 • 相父之方式，在重疊的關係下被結合在一起，以便因此形 成忒專凸塊的整體結構（即，該十字柱部分Cp)，其依序被 用來，經由其，提供該等板1〇與2〇間之電性連接。總之， ’ 該十字柱部分CP (由一對鰭狀凸塊14與24形成)被用來作為 • 20 提供該等板間之互連的裝置。 以上結構消除了對於如在習知技藝中所見在該等板間 之互連所需的該等圓形連接墊4與9 (第7A與第7]5圖）的需 要，並因此使能消除如在習知技藝所遭遇的不利（明確地， 配線路線的無能）（第8圖）。換言之，此結構（第1A與第1B圖） 20 200840450 能貢獻出高密度配線的達成，因為有可能將配線圖案12b與 12c定路線緊密地相鄰該下配線板10中的凸塊14 (配線圖案 12a)。 此外，形成該板間連接端子的該等鰭狀凸塊14與24 5 (即，該十字柱部分CP)以有關互相交叉地相交的如此方 ' 式’彼此重疊。甚至在當堆疊時一些錯誤校準的發生或製 ， 造上的不精確或此類者時，這使得有可能經由該等鰭狀凸 塊14與24 (並經由該等導電材料15與25)，確保在該等板間 # 的一電性連接，如第6圖所示。 10 對於上述實施例，已給予採取其中當堆疊該下配線板 10與該上配線板20時，該樹脂被充填到該等板10與2〇間之 間隙中以形成該絕緣層3〇 (第5A與第5B圖）之情況的說 ' 明。然而，當然要被理解的是，該絕緣層30是不限於採取 此形式。例如，將預浸體插置在該下配線板1〇與該上配線 15板20之間的方法係可能被採納取代該樹脂充填。既然這 樣，該絕緣層的形成係能藉由共同向上堆疊該等板忉與 ^ 20，利用該預浸體***置在該等板10與2〇之間，並接受1 組合的堆疊至壓力的施加（即，加壓）或熱與壓力的施加 (即，減)在該堆㈣卿且在該堆㈣底部上。既然這 -20樣，該等鰭狀凸塊14與24,因是穿經該預浸體層，被連接。 在這方面要被注意的是，對於該技藝一般使用的一導電凸 塊是截頭緣錐形的，而依照該實施例中所用的 塊順24在橫截面上是“細長狀，，的，並且由於此^式， 當執行上述共同堆疊時，此一如該等·讀狀凸塊i4_不必 21 200840450 要突出穿過該預浸體層的情況也許能產生，取決於熱與壓 力施加等的情況。結果，該樹脂充填方法或該預浸體插置 方法的採取必須被適當地選擇，給予對程序情況等的一完 整考慮。 5 對於上述實施例，已給予採取Ni/Aii之該等導體層係作 為該等導電材料15與25被形成在該等鰭狀凸塊Η與24的頂 部上’且該超音波結合被用來提供該等凸塊之間（即，在該 等板10與20之間）的電性連接。然而，當然要被注意的是， 在該等板間之連接並不限於採取此形式。例如，焊料可被 10用來作為該等導電材料15與25以便經由其來提供該等板間 的連接。用於此的一個方法是將黏著劑層形成在沉積目標 的表面上(在此情況中，該等鰭狀凸塊14與24的頂部）；將焊 料粉末（由一無鉛（無Pb)成分的焊料合金，諸如一錫銀 (Sn-Ag)基或錫鎳（Sn-Zn)基合金製成）沉積在該等凸塊上； 15及在堆疊該等板10與20時，藉由回流，熔化該焊料粉末， 因此提供該等凸塊14與24間的結合。 除了以上方法外，例如，絲網印刷方法或此類者可被 使用。明確地，此方法包含將焊料膏饋入到沉積的目標上， 亚在堆疊該等板1〇與2〇時，藉由熱，將該焊料膏炼化，因 2〇此提供該等凸塊14與24間的結合。或者，焊料電鍍可被用 來沉積焊料。 、 種提供在該等凸塊間的連接之方法，不需使用該等 導电材料15與25，諸如該Ni/Αιι鍍層或者上述的焊料也可能 被使用。利用此方法，上述第3C圖所示之步驟被省略。例 22 200840450 5 如，此方法可能包含， , 1yl 错由加壓或此類者，暫時壓結該等 凸塊(Cu) 14與24，利用兮望 υ Ώ、 wx寺凸塊14與24被定位成彼此交叉 地相父，及然後執行^電 ^ 因此提供該等凸塊14與24間 的緊翁結合（或電性連接）。 對於上述實施例，已給予只採取該絕緣層30，諸如該 樹脂或預浸體’***置在該等堆疊的配線板H)與20之間的 情況之說明。然而，—半導體(例如，裝置，-晶片組件， 諸如一電容器，——雷阻哭， _ 電感器或此類者，可依需要 • 被埋入該等配線板間的間隙中。 10 【圖式簡單說^明】 第1A與第1B圖是顯示根據本發明一實施例的一多層 配線板之結構圖，並且分別是它的一橫截面圖與一顯示它 的一主要部件結構的平面圖（即，--字柱部分）； 第2A至第2C圖是顯示一種製造第1A與第⑺圖所示之 15 多層配線板之方法中的步驟之橫結面圖(部分頂視圖）； 第3A至第3C圖是顯示跟隨第2A至第2C圖所示步驟的 • 步驟之橫結面圖（部分頂視圖）； 第4A與第4B圖是顯示跟隨第3A至第3C圖所示之步驟 的步驟之橫結面圖（部分頂視圖）； 20 第5A與第5B圖是顯示跟隨第4A至第4C圖所示之步驟 的步驟之橫結面圖（部分頂視圖）； 第6圖是一圖用於說明由第1A與第1B圖所示之多層配 線板所達成的一有利效果； 第7A與第7B圖是用於說明習知技藝多層配線板中在 23 200840450 板間的互連之圖；及 第8圖是一圖用於說明一由該習知技藝在板間的互連 所導致的問題。
【主要元件符號說明】 1…配線板 20…配線板 2…配線板 22…配 3…絕緣層 21…樹脂勒反 4...連接墊 22a…配線圖案 5. · 23…配、縣 6...焊料凸塊 24…凸塊 7...預浸體層 25...導電圖案 8…板 30…絕緣層 9…連接墊 31…絕緣層 10…配線板 32…絕緣層 11· ·.樹脂反 40…多層配線板 12…配、縣 TH...穿孔 12a...配線圖案 CP...十字柱部分 12b...配線圖案 SD…導體層 12c...配線圖案 OP1···開口 13…配 R1…抗餘劑層 14·· •凸塊 R2…抗 14劑層 15…導電圖案/導體層 WS...部件 24