TW200809018A - Semiconductor wafers with highly precise edge profile and method for producing them - Google Patents
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Description
200809018 九、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種半導體晶圓,其具有一正面、一背面及一沿 著該半導體晶圓之圓周之邊緣,該邊緣係連接該正面及該背面, 且具有一清晰之邊緣輪廓,該邊緣輪廓於該半導體晶圓之整個圓 周上實質上係恒定的。本發明亦關於複數個半導體晶圓,該些半 導體晶圓之邊緣輪廓實質上係恒定的。此外,本發明尚關於一種 用於製造上述半導體晶圓之方法。 【先前技術】 用於製造微電子元件之半導體晶圓,尤其是矽晶圓,係藉由多 個機械加工步驟所製造。首先,將半導體材料製成一多晶或單晶 - 之鑄錠(ingot)。將該鑄錠切割成晶圓,藉由多個機械加工步驟, * 消除因該切割程序而導致之晶格損害,並形成一高度精確之幾何 形狀。 ^ 從而,半導體晶圓之表面例如藉由以下不同處理之適當組合以 獲得所需之平整度及平面平行度:單面或雙面之研磨(lapping)、 餘刻及單面或雙面之拋光(polishing )。此外,藉由邊緣磨圓(edge rounding)及邊緣抛光之方式產生一清晰之邊緣輪廓。 然而,根據習知技術所能達到之半導體晶圓之邊緣輪廓的精確 度及準確度,已明顯不足以用於製造最新一代的微電子元件。目 前,已可更高程度地確定邊緣輪廓或其精確度及準確度,與元件 生產線之產率間的關係。 5 200809018 根據習知技術,僅能以有限的精確度及準確度,測量半導體曰
圓之邊緣輪廓。此外1於測量方法之型式,而無法在半導體I 圓的整個圓周上進行有致、、目丨θ τι Q ^ . 攻測置。截至目前,通常藉由輪廓投影 (Pr〇filePr〇jeCti〇n)進行剛量。於此方法中,係利用—平行於半 導體晶圓之平面表面的光源以投影該邊緣輪廓,並利用照相機記 錄平行於晶圓圓周之邊緣輪廓所投射的陰影,然後藉由合適的圖 像處理方法及數學演算法㈣行評估。因此無法於取向特徵
(〇—η -腦)之區域内進行測*,該取向特徵通常係存 在於半導體晶圓上。半導體晶圓圓周上之凹口(nQtet〇或展平區 (flat region)(“平坦”)通常作為取向特徵。雖然輪廓投影原則上 也能於未經拋光之邊緣上發揮作用,但僅提供有限的準確度,其 係取決於邊緣區域内的表面粗糙度,因為較粗糙的邊緣將導致較 強烈的光線散射,使得陰影投射的輪廓不再如此清晰。此外,輪 廓投影無法用以測量凹口或平坦區域内之邊緣輪廓。由於僅於邊 緣已拋光之情況下方能精確測定該邊緣輪廓,因此,利用輪廓投 影僅能以有限之準確度,比較晶圓邊緣於不同方法步驟之前及之 後的狀態。因而,所有改變邊緣輪廓之機械加工步驟的程序控制, 尤其是邊緣機械加工步驟,也僅能實施至一非常有限的程度。因 此’即使表面上相同規格之半導體晶圓,其沿著晶圓圓周及於凹 口或平坦區域内之邊緣輪廓,差異亦相當大。 為解決該問題,JP 2003-017444提出於邊緣磨圓、邊緣磨削及邊 緣拋光期間,藉由量測一小凹坑(depressions)(其係為此目的而 引入半導體晶圓内)以測定材料之去除量。或者,US 6,722,954 B2 6 200809018 描述一測量-多晶矽層(其係 之材料去除量之方法。該方、、目的而特別施於測試晶圓上) 制。此外,該方法無法測,因而不適於連續程序控 殊製備之測試晶圓。 —曰曰圓本身,而係僅能針對經特 此外,亦嘗試於磨削半導曰 去的古土 日日囫之正面及背面期間藉由實施適 田的方法,以並非不可控制之 、 卜十坑 式改變存在於半導體晶圓兩侧 之琢面的長度,參見㈣971 39δΑι_ 6,465,328 Βΐ*
出曰398 AH田述—種方法流程’其並非於將半導體鑄鍵切割 二曰曰圓之後直接進行邊緣之磨圓,而是於—磨削步驟之後才進 仃該方法流程具有使所有晶圓具相同厚度之效益。此係為了確 保所有晶圓均具相同長度及琢面(“斜面(咖她〇,,)高度。然 即使於機械加工完成之半導體晶圓内,該措施亦不足以確保 /青晰且均勻的邊緣輪廟。 Μ上所述,目前僅利用精確度有限之測量方法以測定邊緣輪廓 之形咚。若適當,可額外地藉由輔助結構以控制晶圓邊緣區域内 材料去除置,该輔助結構例如是多晶石夕層或刻意產生之小洞。 因此無法在所有方法步驟内,精確追蹤晶圓邊緣之輪廓形狀,尤 其無法在凹口或平坦之區域内進行。因此,所製成半導體晶圓之 對應邊緣輪廓容易具有一大的波動範圍。 【發明内容】 因此,本發明之目的在於提供一具有精確之邊緣形狀的半導體 晶圓。 200809018 該目的係藉由一種半導體晶圓而實現,該晶圓具有一正面、一 背面及一沿該半導體晶圓圓周之邊緣,該邊緣係連接該正面及該 背面,且具有一清晰之邊緣輪廓,其中,該邊緣輪廓之參數,於 該半導體晶圓之整個圓周上具有以下標準偏差:· -該半導體晶圓正面上之琢面及鈍邊(web)間具一過渡區域, 該過渡區域之過渡半徑〇之標準偏差小於12微米(μιη); -該半導體晶圓背面上之琢面及鈍邊間具另一過渡區域,該過 渡區域之過渡半徑h之標準偏差小於10微米(μη〇; _該半導體晶圓之正面上具—琢面高度Β]且背面上之琢面具 一雨度B2,其標準偏差均小於5微米( -該半導體晶圓之正面上具_琢面長度Αι,其標準偏差小於 11 微米(μπι); -该半導體晶圓之背面上具—琢面長度α2,其標準偏差小於8 微米(μπι);及 -該半導體晶圓之正面上具―琢面夹角01且背面上具一琢面 夹角Θ2 ’其_示準偏差係均小於〇 5。。 於此情況中,該些特定之標準偏差係藉由在單一半導體晶圓圓 周之複數個位置上,測量其邊緣輪廓而獲得。 該目的亦可藉由複數個半導體晶圓加以實現,其皆具有一正 面、一背面及—沿著該半導體晶圓圓周之邊緣,該邊緣係連接該 正面及該背面’且具有—清晰之邊緣輪靡,其中該邊緣輪廓之參 數’於所有複數個半導體晶圓上均具有上述特定之標準偏差。於 8 200809018 此情況中’該些標準偏差係藉由測量該複數個半導體晶圓之個別 邊緣輪廓而獲得。 於實貝上為圓形之半導體晶圓態樣中,較佳係不僅於圓周之圓 形部分滿足該上述條件,且亦於—取向特徵區域内滿足該上述條 件。 因此,根據本發明之半導體晶圓係具一非常精確之邊緣輪廊, 該邊緣輪廓於其所有區域内、晶圓之整侧周上及凹口或平坦區 域内,均符合在一小公差範圍内。 【實施方式】 -半導體晶圓!之邊緣輪廓具有—厚度“參考第!圖),將該 邊緣輪廓於晶圓之截面内,劃分成3個區域:—琢面2,即正面上 之傾斜區域;-位於圓周上之鈍邊3;及於該半導體晶圓背面上之 另-琢面4。該些琢面2、4各包含—實質上平直部分、—斜面及 一延伸至鈍面3之彎曲之過渡區域5、6。 該輪廓可藉由以下參數加以描述: · _該半導體晶圓之正面上之琢面夾角01及背面上之琢面夹角 〜:-參考平面與相對應琢面之斜面間的夹角。可以採用晶圓之 平面表面7、8或例如卡盤表面(伽Ck surface)作為參考平面。 邊緣輪廓之測量僅包含該晶圓之平面表面之一小區域,此導致 該晶圓表面之不確定測量。因此,通常較佳係定義卡盤表面為 參考平面。 _·該半導體晶圓正面上之琢面長度面上之該琢面長度 a2 ·係以平彳了於所定義之參考平面之方式,測量該兩琢面2、4 9 200809018 與該晶圓之平面表面7、8之交點,與半導體晶圓之最外點間的 距離而得。 -該半導體晶圓正面上之琢面高度Βι及該背面上之琢面高度 B2 :係該晶圓之平面表面7、8之延長線與一交點間的距離,該 父”、、i係琢面2 4之延長線與參考平面之一垂線的交點,該垂線 係通過半導體晶圓之最外點。鈍邊長度B係由半導體晶圓之厚 度t減去琢面高度Bl、&之和而得出,即b =丨一⑺1 + B2)。鈍 邊亦可包含複數個平直部分。 -該半導體晶圓正面上之過渡半徑^及該背面上之過渡半徑 r2 :係斜面(即琢面)與鈍邊3間之各個過渡區域$、6之曲率 半徑。 -鈍邊角度β:係鈍邊與參考平面之垂線間的夾角(第!圖中 鈍邊角度β = 0,因該鈍邊垂直於參考平面)。若純邊係由複數個 平直部分所描述,則將相應地存在複數個鈍邊角度。 利用該些參數可以大範圍地改變該邊緣輪廊。因此 不具有鈍邊3之邊緣輪廉,其中,其f曲之過渡區域5、6係互相 合併,於此情況下,其《半U Μ以是相等^ 、 根據本發明,所給定之參數於半導體晶圓間或於半導體晶圓内 均具有非常小的標準偏差。因此,可於製造電子树期間,可土 地避免由於不精確之邊緣幾何形狀所導致的產率損失。日 罪 根據本發明之半導體晶圓可藉由—包含以下步驟之方法製『: a) 由一半導體鑄錠分離出一半導體晶圓丨 卞 b) 機械加工該半導體晶圓,並改變 干V體曰曰圓之邊緣輪廣; 200809018 C)測量該半導體晶圓之邊緣輪廓; d )確定所測邊緣輪廓相對於所欲邊緣輪廓之與位置相關的偏 差;及 e)改變機械加工之參數,使得於後續機械加工下一個半導體晶 圓所形成之邊緣輪廓,其相對於所欲邊緣輪廓之偏差小於先前經 機械加工之半導體晶圓之邊緣輪廓。 在步驟a)中,以習知技術將半導體晶圓自半導體鑄錠分離,較 佳係使用多線鋸(multi wire saw)。 在步驟b)中,對第一半導體晶圓實施改變其邊緣輪廓之機械加 工步驟。該些機械加工步驟主要為邊緣機械加工步驟,例如邊緣 磨圓或邊緣拋光,但亦可為根據習知技術慣用之表面機械加工步 驟,如磨削、研磨或拋光晶圓表面,其中,可磨削或拋光半導體 晶圓之單面或雙面。此外,亦可於步驟b)中,進行其他會影響邊 緣輪靡之機械加工類型,例如一#刻處理、一清潔或一蠢晶塗覆。 第2 _圖例示邊緣輪廓如何隨著半導體晶圓之機械加工過程而變 化的情況。於一雙面磨削之後,半導體晶圓具有一邊緣輪廓11, 其藉由機械加工步驟而多次改變,例如藉由餘刻處理(形成一邊 緣輪廓12)、邊緣拋光(形成一邊緣輪廓13)及雙面拋光(形成 一邊緣輪靡14 )。 於機械加工之後,於步驟c)中精確地測量該半導體晶圓之邊緣 輪廓,並於步驟d)中評估其結果。較佳地,測量方法係以光截面 法(light section method)為主,於該方法中單個或複數個雷射光 束係通過該晶圓邊緣(半導體晶圓之正面及背面),以電荷耦合元 200809018 件(Charge Coupled Device,CCD)相機記錄雷射點的位置,並藉 由適當軟體加以评估。從而形成一晶圓邊緣輪廓,並藉此以適當 方法獲得輪廓參數(如琢面夾角、Θ2、琢面長度A〗、A2、琢面 高度、B2及過渡半徑r!、r*2)。因此,可以精確地測量未經高度 拋光之晶圓邊緣的輪廓,尤其在凹口或平坦之區域内。適當之測 量裝置係可商購的。若半導體晶圓於測量邊緣輪廓時已具有一經 拋光之邊緣,由於該邊緣所散射的光線過少,因而也不適合光截 面法。於此情況下,較佳係使用上述之輪廓投影方法以測量邊緣 ® 輪廓。光截面法與輪廓投影法之組合係適合於邊緣之任何機械加 工狀態中,於晶圓之所有區域内(於凹口及平坦之區域内,及整 個圓周上),高度精確且準確地測量其邊緣輪廓。 於步驟e)中,若一先前經機械加工之半導體晶圓之邊緣輪廓, _相對於所需精確度有所偏差,則基於預先實施之測量及計算,實 施機械加工步驟之最適化,從而使下一個待機械加工之半導體晶 圓之邊緣輪廓,相對於該先前經機械加工之半導體晶圓得到改 φ •善。最適化係由例如加工參數及工具之特定控制所組成。 於-根據本發明方法之較佳實施例中,不僅於機械加工之後進 行邊緣輪廓之測量’並額外地於機械加以前錢行之。比較兩 次測量之結果,較佳係藉由差分格式(diffe_ef_tk)n)進行 比較。因而,以與位置相關之方今 關<万式,於整個邊緣輪廓上測定該藉 由於測量之間進行之機械加工步鹽& 所產生之材料去除量。以此方 式可分離不同機械加工步驟之影變 心〜響,此能進一步改善加工控制。 12 200809018 兩邊緣輪廓間之差值係該兩邊緣輪廓間之點對點之最短距離, 該兩邊緣輪廓係於機械加工步驟之前及之後先後繪製(參考第2 圖),並以如下方式進行測定:於該後形成之邊緣輪廓(例如經蝕 刻處理後之邊緣輪廓12)之每一點上,繪製該邊緣輪廓之垂線。 該垂線與該先形成之邊緣輪廓(例如經雙面磨削之後,即蝕刻處 理前之邊緣輪廓11)之交點,及該垂線與該後形成之邊緣輪廓(例 如邊緣輪廓12)之交點間的距離,其相當於該兩邊緣輪廓於該點 上之差值。以基於該後者邊緣輪廓之長度或角度之方式,描繪該 些差值以形成一差值曲線(difference profile )。因此,可以得到邊 緣輪廓於不同區域内之去除量。可依所需之方式,例如藉由將對 差值曲線或差值曲線之特定區域加以平均(線性或二次),測定量 化之去除量。相對於在一特定機械加工步驟内所產生之所欲輪靡 的偏差,其原因可輕易地利用此偏差曲線而決定。 本發明方法另具有之優點為,不須特別製備的測試晶圓。此一 方面可節省費用,另一方面則能連續地進行加工控制。 與習知技術相比,根據本發明之方法製造之半導體晶圓,其邊 緣輪廓之偏差範圍可明顯更小。 於根據本發明之方法之一較佳實施態樣中,利用一經輪廓化 (profiled)之磨削圓盤進行邊緣磨圓後,進行該方法之步驟c) 及d),因此根據本發明之方法係可應用於邊緣磨圓。此為較佳者, 因為邊緣磨圓本身對邊緣輪廓之影響非常大。根據習知技術,邊 緣磨圓通常利用一經輪廓化之工具磨削該晶圓邊緣而達成,該工 具例如一磨削圓盤,其具有一與待製造之邊緣輪廓相符之反面形 13 200809018 狀(negative form)。於磨削期間,工具之反 , 製於半導體晶圓之邊緣上。該半導體晶圓<^狀以正向方式複 準確度,取決於磨騎財,磨㈣盤相^輪廓之精確度及 置及磨削圓盤之磨損。 ;該半導體晶圓之位 於該較佳實施態樣中,若於步驟d)中 相對於所欲值之偏差超出允許範圍,則於步驟e 琢=長度 圓盤之位置。相反地,若於步驟d)中確 ^二周即磨削 心您緣輪廓之其他參數相 j於所欲值之偏差超出允許範圍,則更換磨削圓盤。此兩種情況 圓句適合於晶圓圓周上及於平坦部分上或凹口内所進行之邊緣磨 隨後經機械加工之半導體晶圓之邊緣輪廊,係藉由此㈣ (feedback)而加讀似㈣。習知技射並沒有提供此類回 饋。因此,與習知技術相比,本發明能使得參數之偏差減小。於 表1中列出經邊緣磨圓後,經上述定義之邊緣輪廓之參數的標準 偏差。於此情況下,測量系列U1及U2係於16個沿著晶圓圓周 之測量位置上的測量結果,其中,於U1中受測之半導體晶圓係經 根據習知技術之機械加工,並未應用根據本發明之方法,而於U2 中受測之半導體晶圓則係根據本發明,利用輪廓測量及對邊緣磨 圓之回饋進行機械加工。於晶圓之凹口内達成類似之改良(測量 系列Nl、N2 ; N1係類似於根據現有技術之Ul,N2係類似於根 據本發明之U2),從而能比較於晶圓圓周上及於凹口内之參數偏 差。除了如前述定義之參數外,表1亦列出邊緣輪廓之對稱性偏 差△Sym,即半導體晶圓之正面及背面參數之比較;以及相對於表 14 200809018 面上平直或圓弧區域之邊緣輪廓之偏差(輪廓變形(profile deformation),Def) 〇 表1 測量 Γΐ r2 Βι β2 Αι Α2 ASym Def θι θ2 系列 [μπι] [μπι] [μπι] [μπι] [μπι] [μπι] [μπι] [μπι] [°] [°] U1 5.77 5,77 5.33 7.22 14.42 19.85 22,63 0.30 0.19 0.21 U2 2.52 2.52 4.00 5.04 10.64 11,53 17.67 0.29 0.13 0.18 N1 2,20 2.20 5.79 6.13 13.86 16.54 28.43 0.49 0.16 0.20 N2 1.24 1,24 5.20 5.58 12.12 13.80 24.36 0.62 0.10 0.11 於此情況下,同樣地,尤其較佳係於邊緣磨圓之前及之後均實 施邊緣輪扉之測量。 此外,根據本發明之方法較佳係應用於邊緣拋光上。於此情況 下,若於步驟d)中,確定邊緣輪廓相對於所欲輪廓之偏差超出允 許範圍,則於步驟e)中再次調節拋光工具之位置。較佳係藉由在 邊緣拋光之前及之後所測得之輪廓間的差值,精確地確定材料去 除量,並相對應地重新調節工具。 較佳地,根據本發明之方法係應用於雙面拋光:如此,可以根 據待製造之邊緣輪廓,選擇用於雙面拋光並接收半導體晶圓之載 具(carrier) ° 亦尤其較佳係於製造方法之過程中,於所有機械加工步驟之前 及之後,進行步驟c)及d)之測量及評估,此對邊緣輪廓具有顯 著之影響。尤其地,該些具有相當大之材料去除量之所有機械加 工步驟,例如對晶圓表面或晶圓邊緣實施之磨削、研磨、餘刻、 拋光,磊晶塗覆亦顯著影響邊緣輪廓。以此方式,可於直至最終 產品之所有機械加工步驟中^均確保精確之邊緣形狀。 15 200809018 類似於表1,表2列出前述參數之標準偏差,但係針對經機械加 工之隶終半導體晶圓,該半導體晶圓係經歷包含雙面抛光之所有 機械加工步驟。於此情況下,測量系列U3及U4亦為一於Μ個 沿著晶圓圓周之測量位置上之測量結果,其中於U3中受測之半導 體晶圓係根據習知技術加以加工,未應用根據本發明之方法,而 於U4中受測之半導體晶圓,係根據本發明,利用輪廓測量及對影 響邊緣輪廓之所有機械加工步驟之回饋,進行機械加工。與習知 技術相比,顯然所有參數之標準偏差均明顯減小。 表2 測量 系列 Π [μιη] r2 [μιη] Βι [μιη] β2 [μιη] A! [μιη] [μιη] ASym [μιη] Def [μιη] θ, [°] ^2 η U3 24.47 28.26 12.14 13.45 12.37 14,13 14.88 0.87 2.08 2.34 U4 11.14 9.80 4.75 3.10 10.96 7.11 14.53 0.37 οαΡ 0.25 16 200809018 【圖式簡單說明】 第1圖表示出可完整描述一半導體晶圓之邊緣輪廓之參數。 第2圖表示出一半導體晶圓於機械加工過程中,其邊緣輪廓之 改變。 * 【主要元件符號說明】 1 半導體晶圓 3 純面 7,8平面之晶圓表面 12 經蝕刻處理後之邊緣輪廓 14 經雙面拋光後之邊緣輪廓 Γ! 正面之過渡半徑 B 鈍面長度 B2 背面之琢面高度 A2 背面之琢面長度 Θ2 背面之琢面角度 2, 4琢面 5, 6彎曲之過渡區域 11 經雙面磨削後之邊緣輪廓 13 經邊緣拋光後之邊緣輪廓 t 厚度 . r2 背面之過渡半徑 B! 正面之琢面高度 Αι 正面之琢面長度 θι 正面之琢面角度 17
Claims (1)
- 200809018 十、申請專利範圍·· 1. 一種半導體晶圓,其|右_ 曰 /、穷正面、一背面及一沿著該半導體 • Γ圓圓周之邊緣,該邊緣係連接該正面及該背面,且具有- 斤邊緣輪廓’其中該邊緣輪靡於該半導體晶圓之整個圓 周上之參數,具有以下之標準偏差·· 二半V體曰曰圓正面上之一琢面與一鈍邊間包含一過渡區 I心渡區域具有—過渡半徑h,且該過渡半徑η之標準 偏差係小於12微米(μηι); 該半導體晶Β]背面上之另_琢面與該鈍邊間包含另一過 =域’㈣渡輯具有—過渡半徑〇,且朗渡半徑^之 “準偏差係小於1 0微来; 該半導體晶圓正面上之琢面具有—高度B]且該半導體晶 r面上之琢面具有另一高度B2,其中該兩高度之標準偏差 均小於5微米; 該半導體晶圓正面上具有-琢面長度A,,其標準偏差小 於u微米; · 該半導體晶圓背面上具有另一琢面長度A2,其標準偏差 小於8微米;及 該半導體晶圓正面上具有—琢面失角01且其背面上具有 另—琢面夾角化’該兩夾角之標準偏差均小於05。。 如請求項!所述之半導體晶圓,其特徵在於—基本上為圓形 之戴面’及至少-選自由-凹口及—平坦部分所構成群組之 =向特徵·,該取向特徵區域内之該邊緣輪廓之參數亦具有如 請求項1中所給定之標準偏差。 18 2. 200809018 3.複數個半導體晶圓,各該半導體晶圓皆具有一正面、一背面 以及一沿著該半導體晶圓圓周之邊緣,該邊緣係連接該正面 及該月面,且具有一清晰之邊緣輪廊,該邊緣輪廊於全部該 些半導體晶圓上之參數具有以下標準偏差·· 每一該些半導體晶圓正面上之一琢面與一鈍邊間,包含 一過渡區域,該過度區域具有一過渡半徑q,該過渡半徑r〗 之標準偏差小於12微米(μιη); 每一該些半導體晶圓背面上之一琢面與—鈍邊間,包含 -過渡區域’該過渡區域具有—過渡半徑&,該過渡半徑、 之標準偏差小於1〇微米(μηι); 每一該些半導體晶圓之正面上具有-琢面高度Bl且其背 面上具有另一琢面高度b2,該兩高度之標準偏差均小於5微 米(μηι); 每一該些半導體晶圓正面上具有一琢面長度Α丨,其標準 偏差小於11微米(μιη); ,每—魅半導體晶®背面上具有另-琢面長度、,其標 準偏差小於8微米(μχη);及 且该些半導體晶圓之正面上具有一琢面夾角h且其背面上 /、有另-琢面夹角θ2,該兩夹角之標準偏差均小於仏5。。 毛如請求項3所述之複數個半導體晶圓,各該半導體晶圓之特 徵在於基本上為圓形之截面,及至少一選自由一凹口及一 平i—^刀所構成群組之取向特徵,·該取向特徵區域内之該邊 、、輪郭之參數亦具有如請求項!中所給定之標準偏差。 19 200809018 5. 一種用於製造半導體晶圓之方法,其包含以下步驟: a) 由一半導體鑄錠分離出一半導體晶圓; b) 機械加工該半導體晶圓,並改變該半導體晶圓之邊緣 輪廊, c) 測量該半導體晶圓之邊緣輪廓; d) 確定所測邊緣輪廓相對於所欲邊緣輪廓之與位置相關 之偏差;及 e) 改變機械加工之參數,使得於後續機械加工下一個半 導體晶圓所形成之邊緣輪廓,其相對於所欲邊緣輪廓之偏 差,小於先前經機械加工之半導體晶圓之邊緣輪廓相對於理 論邊緣輪廓之偏差。 6. 如請求項5所述之方法,其中於機械加工該半導體晶圓之前, 於步驟b)中另外測量該邊緣輪廓,其中相互比較於機械加工 之前及之後之兩次測量結果,從而於整個該邊緣輪廓上,以 與位置相關之方式測定由機械加工所產生之材料去除量。 7. 如請求項5或6所述之方法,其中步驟b)中之該機械加工係 選自以下群組:邊緣磨圓、邊緣拋光、磨削至少一個面、研 磨、餘刻、拋光至少一個面、清潔及外延塗覆。 8. 如請求項7所述之方法,其中於步驟b)中藉由一經輪廓化之 磨削圓盤以進行邊緣磨圓,且於步驟e)中: 一若於步驟d)中,確定該半導體晶圓正面上之琢面長度 A!及該半導體晶圓背面上之琢面長度A2兩者至少一者,其相 對於所欲值之偏差係超出其允許範圍,則再次調整磨削圓盤 20 200809018 之位置; _若於步驟d)中,確定該邊緣輪廓之其他參數相對於所 欲值之偏差係超出其允許範圍,則更換該磨削圓盤。 9. 如請求項7所述之方法,其中於驟b)中進行邊緣拋光,且其 中若於步驟d)中確定該邊緣輪廓相對於所欲輪廓之偏差超出 其允許範圍,則於步驟e)中再次調整所用之拋光工具之位置。 10. 如請求項5或6所述之方法,其中若該邊緣未加以拋光,則 利用一光截面法測量該邊緣輪廓;及其中若該半導體晶圓之 ^ 邊緣已加以拋光,則利用一輪廓投影法測量該邊緣輪廓。 21
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