KR100999361B1 - 웨이퍼 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (5)
- 실리콘 잉곳을 슬라이싱(slicing)하여 웨이퍼를 제조하는 단계;상기 슬라이싱된 웨이퍼의 에지를 1차 그라인딩하여 목표 프로파일에 대응하는 프로파일을 얻는 에지 프로파일 생성 단계;상기 1차 에지 그라인딩된 웨이퍼를 래핑(lapping)하는 단계;상기 래핑된 웨이퍼를 코스틱 에칭(caustic etching)하는 단계;상기 에칭된 웨이퍼의 에지를 2차 그라인딩하여 상기 코스틱 에칭으로 유발된 웨이퍼 둘레 상의 프로파일 변경점을 제거하여 목표 프로파일을 얻는 에지 프로파일 가공 단계;상기 2차 에지 그라인딩된 웨이퍼를 그라인딩하는 단계;상기 그라인딩된 웨이퍼의 에지를 폴리싱(polishing)하는 단계; 및상기 에지 폴리싱된 웨이퍼를 폴리싱하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 제조 방법.
- 삭제
- 제1항에 있어서, 상기 에지 프로파일 생성 단계에서, 상기 에지를 600 메쉬 또는 800 메쉬의 연삭 공구를 통해 가공하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 에지 프로파일 가공 단계에서, 상기 에지를 거친 입도의 연삭 공구를 통해 가공한 후 미세 입도의 연삭 공구를 통해 가공하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 제조 방법.
- 제4항에 있어서, 상기 거친 입도의 연삭 공구는 800 메쉬이고 상기 미세 입도의 연삭 공구는 2000 메쉬 또는 3000 메쉬인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 제조 방법.
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