TW200807170A - Reflecting apparatus - Google Patents

Description

200807170 (1) 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於反射設備，且特別係關於構成曝光設備 的投影光學系統的一部分之反射設備。 【先前技術】 習知上，在用於製造例如半導體元件的光微影術中， 形成在掩膜（或光罩）上的圖案係經由投影光學系統藉著 曝光而投影且轉移至諸如晶圓的基板上。在此投影曝光 中，諸如步進重複曝光設備（所謂的步進器）或步進掃瞄 曝光設備（所謂的掃描器）之投影曝光設備被使用。 此習知型設備採用諸如g線（波長：43 6 nm )或I線 (波長：3 65 nm )的曝光用光。近來，該設備經常採用例 如KrF準分子雷射光（波長：248 nm)或ArF準分子雷 射光（波長：193 nm )。 反射折射光學系統係可利用來作爲用於具有上述波長 範圍的投影曝光之投影光學系統。該反射折射光學系統可 獲得足夠高的縮小比用於掩膜圖案，且縮小該投影光學系 統其本身。 不幸地，由於例如形成光學系統的光學元件的製造誤 差或組裝誤差、或光學元件的熱變形（在部分地吸收曝光 用光時所造成），甚至此種反射折射光學系統會產生像 差。此像差降低投影在光敏基板上的圖案影像品質。 有鑑於此，有人建議以下設備，該設備包含各種反射 -4- (2) (2)200807170 光學元件（例如，諸如平面鏡及凹面鏡的反射鏡），且改 變該鏡的表面（反射表面）形狀以校正光學系統的像差。 圖16顯示日本專利先公開案200464076中所述之反 射設備作爲其表面輪廓可改變之反射設備的實例。 此反射設備包含鏡20及低剛度致動器30。該低剛度 致動器30使鏡20的後表面（圖16中的下表面）在預定 位置局部地變形。低剛度致動器3 0採用例如語音線圈馬 達、氣壓致動器、或EI型鐵芯致動器。 於使鏡表面輪廓變形的反射設備中，使用於變形的致 動器產生熱。此經常導致鏡的非預期變形。 如果有人考慮到該熱產生而增加相對於該熱量的力 量，致動器的可動元件可能會變成更大且更複雜。在這種 情形下，來自例如地面的干擾振動往往會造成鏡的振動。 【發明內容】 本發明的目的在於提供一種反射設備，該設備能夠藉 由致動器來抑制熱產生，該致動器被使用來使鏡表面（反 射表面）的輪廓變形。 依據本發明，提供一種反射設備’包含：鏡；第一致 動器，其配置來定位該鏡；及第二致動器，其配置來使該 鏡變形，其中該第二致動器包括附接於該鏡的磁性構件、 及以非接觸方式配置來正對該磁性構件的電磁鐵。 此種反射設備藉由該第二致動器來抑制熱產生，該第 二致動器被使用來使該鏡的表面輪廓變形。再者，該反射 -5- (3) (3)200807170 設備較佳地可被使用來作爲曝光設備的投影光學系統的一 構成組件。 從以下例示性實施例並參照附圖，本發明的進一步特 徵將更爲清楚。 【實施方式】 第一實施例 圖1A與1B爲顯示依據第一實施例的反射設備之示 意圖。圖1 A爲頂視圖，而圖1 b爲沿著圖1 A中的A - A， 線所取的剖面圖。 反射設備5 0包含具有凹面反射表面的鏡1、及用於 支承鏡1的基座2。反射設備5 0亦包含數個用於定位鏡1 的致動器4、數個用於使鏡1變形的電磁鐵單元3、及數 個預負載單元15。這些構成組件4、3與15***置於鏡1 與基座2之間。 環狀中間構件1 8藉著具有彈簧特性的彈性構件1 7來 支承鏡1。彈性構件1 8係以1 20°的角度間隔而配置在例 如單圓周圍上的三個位置。中間構件1 8具有高剛度，且 係藉由插置於中間構件1 8與基座2之間的致動器4，被 驅動於X、Y或Z軸的方向及以該等軸爲中心的旋轉方向 (傾斜方向）。中間構件1 8的形狀不限於環狀，且可具 有其它形狀。 雷射干涉儀1 9量測鏡1的位置，以基於該量測結果 來驅動致動器4。這使其可能控制鏡1的位置及方向。用 -6 - 200807170 (4) 於量側鏡1的位置之量測單元不限於雷射干涉儀，且其它 量測單元可被使用。 較佳地，量測鏡1較不易受變形影響之一部分的位置 Λ、作爲代表性位置。 _ 電磁鐵單元3包含可動元件5及定子6。可動元件5 可包含I型鐵芯8，I型鐵芯8係經由連接構件7附接於 鏡1的後側（反射表面的相反側）。定子6可包含U型 φ 鐵芯9及線圏10，U型鐵芯9係以非接觸方式配置正對I 型鐵芯8，而線圈10捲繞U型鐵芯9。定子6亦可包含 用於冷卻該線圈的冷卻套。該冷卻套未被解說於圖1 Α與 圖1 B，而將參照圖3 A至圖3 D予以說明。U型鐵芯9被 固定於基座2。較佳地，該U型鐵芯及I型鐵芯係以高導 磁性材料（磁性構件）製成，特別是，具有弱磁滯特性的 高導磁性材料。此種材料的實例有高導磁合金、矽鋼、及 軟鐵。 • 圖2A與2B爲顯示電磁鐵單元3的細節之示意圖。 圖2B爲沿著圖2A中的A-A’線所取的剖面圖。如上所 . 述，I型鐵芯8及型鐵芯9被配置來形成預定間隙。藉由 供應電流至線圈1 〇來激發U型鐵芯9。磁通量通過型鐵 芯8及該間隙以形成磁路。這產生磁性吸引力F1於U型 鐵芯9與型鐵芯8之間。控制供應至線圈〗〇的電流使其 可能控制電磁鐵單元3施加在鏡1上的力（磁性吸引 力），亦即，使鏡1變形的力。 以此方式使用電磁鐵單元作爲用於使該鏡變形之致動 -7- 200807170 (5) 器，使其可能獲得比使用線性馬達或語音線圈馬達更高的 熱產生效率。 當使用線性馬達或語音線圈馬達以及將具有高熱値的 線圈配置在該鏡上作爲可動元件時，該鏡由於線圈所產生

/V ^ 的熱影響而變形成爲未預期的輪廓。 相比之下，在將永久磁鐵配置在該鏡上作爲可動元件 時，需要增加永久磁鐵及軛鐵的尺寸以改善熱產生效率。 Φ 這使結構複雜化且增加重量。該複雜結構使其不可能保持 該鏡的特性値。因此，該鏡變成易於受到例如地面振動的 影響。 以此方式將高導磁性材料使用於墊磁鐵單元的可動元 件，使其可能不僅減小熱在該鏡上的影響，而且簡化該結 構。這使其可能保持該鏡的高特性値。因此，該鏡變成較 不易於受到例如地面振動的影響。 較佳地，使吸引力F 1的作用線與連接構件7的中心 φ 軸吻合，以使不會造成轉矩。吸引力F1的作用線可通過 連接構件7的重心位置。 圖3A至3D爲顯示用於冷卻線圈10的冷卻套之示意 ♦ 圖。圖3A與3B爲顯示冷卻套封閉線圈的狀態之示意 ^ 圖。圖3C與3D爲分別沿著圖3A中的A-A’線及B-B’線 所取的剖面圖。 冷卻套1 1被設置來覆蓋線圈1 〇。冷卻套1 1包括用 於供應冷凍劑進入該冷卻套中之入口 12及出口 13。入口 12及出口 13係連接於管路。該管路的另一端係連接於形 -8- 200807170 (6) 成在基座2之流路，如圖1 B所示。 將冷凍劑供應入該冷卻套使其可能冷卻被加熱的線圈 1 〇。這亦可能藉由控制冷凍劑的溫度來控制線圈1 〇的溫 r 度。管路與流路的詳細配置可如所需地去改變。 當電磁鐵單元的線圏被配置在基座側作爲定子且將其 " 冷卻時，這不僅可能抑制線圈所產生的熱，還可能防止冷 凍循環所產生的振動作用在該鏡上。因此，這是可能藉由 Φ 減小該鏡或周邊構件的熱變形，使該鏡變形成具有高準確 性的想要輪廓。 雖然在上述說明中電磁鐵單元3包含U型鐵芯，E型 鐵芯可以取代它。圖4與4B顯示電磁鐵單元3包含E型 鐵芯1 4的實例。E型鐵芯1 4的功能與U型鐵芯的功能相 同，其說明將不再重複。 以下將再次參照圖1A與1B說明預負載單元15。預 負載單元1 5係配置在每一電磁鐵單元3附近。亦即，圖 φ 1 A與1 B中有四個預負載單元配置給四個電磁鐵單元。 預負載單元15包含插置於電磁鐵單元3的可動元件 . 5與定子6之間的彈簧構件16。被預先壓縮預定量的彈簧 構件1 6之配置，提供預負載力F2給電磁鐵單元3於可動 元件與定子6分開的方向（與吸引力F1方向相反的方 向）。 較佳地，預負載力的作用線與連接構件7的中心軸吻 合，以使預負載力F2不會造成轉矩。預負載力的作用線 可通過連接構件7的重心位置。雖然圖1A中有兩個彈簧 -9- (7) 200807170 構件相對於連接構件7的中心軸對稱地配置，隨意數量的 彈簧構件可被設置。 預負載單元排除了用兩個電磁鐵來推拉鏡後側之需 ,r .要。這使其可能減小致動器用在變形的熱値。預負載機構 ^ 較佳地爲具有簡單結構的彈簧構件。然而，可產生推斥力 或氣壓的永久磁鐵亦可適用。 彈簧構件1 6較佳地於X與Y方向具有低剛度。彈簧 φ 構件1 6於Z方向的剛度被設定低於中間構件1 8的剛度。 這將經由預負載單元1 5來抑制例如地面所產生的干擾振 動作用在該鏡上，以及抑制反射表面的變形或振動。 以下將敘述使用上述電磁鐵單元3與預負載單元1 5 的鏡變形。 爲了使用電磁鐵單元3與預負載單元15而使該鏡變 形，吸引力F 1與預負載力F2的總和被控制作爲鏡變形 力。 Φ 於第一實施例中，預負載單元1 5的彈簧構件具有低 剛度且呈現大量的預負載。反射表面相對於預負載量的變 . 形量係足夠地小。爲此理由，無關反射表面的變形量，這 是可能視預負載力F2爲恆定。這使其可能依據供應至電 磁鐵單元3的線圈之電流量來控制作用在該鏡上的力（F1 與 F2 )。 電磁鐵單元3的可動元件（I型鐵芯8)與定子（U 型鐵芯9)之間的間隙，相對於反射表面的變形量，被設 定足夠大。爲此理由，當在使反射變形時之間隙變化被忽 -10- 200807170 (8) 略時，這是可能視該間隙爲恆定。視該間隙爲恆定使其可 能藉由量測且反饋控制供應至線圈的電流量來控制吸引力 F1 〇 r 控制器基於目標輪廓來計算變形所需的力’且供應電 流至每一電磁鐵單元的線圈以產生所計算的力。再者，控 _ 制器致使安培計（未顯示）量測供應至每一線圈的電流 値，且基於該量測結果反饋控制該電流値。 0 如上所述，使用電磁鐵單元3與預負載單元15，來 自某一標稱位置的力作用在（推或拉）該鏡上。這使其可 能使反射表面自某一標稱輪廓變形。 現將說明電磁鐵單元3與預負載單元15的配置。參 照圖1A與1B，四個電磁鐵單元3及四個預負載單元15 被配置在單圓的圓周上。然而，它們的數量及配置可依據 將被校正的光學像差來改變。圖5A至5D分別解說它們 的數量及配置被改變之實例。 φ 參照圖5A，四個電磁鐵單元3及四個預負載單元15 係以90°的角度間隔配置在單圓圓周上的四個位置，且它 ~ 們亦可以90°的角度間隔配置在另一單圓圓周上的四個位 置。 參照圖5 B，八個電磁鐵單元3及八個預負載單元1 5 係以45°的角度間隔配置在單圓圓周上的八個位置，且它 們亦可以45°的角度間隔配置在另一單圓圓周上的八個位 置° 參照圖5C，四個電磁鐵單元3及四個預負載單元15 -11 - (9) (9)

200807170 係以90°的角度間隔配置在單圓圓周上的四個位 們亦可以45°的角度間隔配置在另一單圓圓周上 置。 參照圖5D，六個電磁鐵單元3及六個預負〗 係以60°的角度間隔配置在單圓圓周上的六個位 們亦可以60°的角度間隔配置在另一單圓圓周上 置。 圖6A與6B分別顯示反射表面在變形時的 意圖。參照圖6A，反射表面具有兩個凸面部及 部。當電磁鐵單元3及預負載單元15係以45°驾 度間隔配置如圖5 A至5 C所示時，此輪廓可被形 此輪廓可校正含有2Θ分量的光學像差，該 爲由任尼克（Zernike)函數表示的Z5或Z12項 6B，反射表面具有三個凸面部及三個凹面部。當 元3及預負載單元15係以60°的角度間隔配置 示時，此輪廓可被形成。此輪廓可校正含有3 0 學像差，該分量諸如爲由任尼克函數表示的Z1 項。 現將參照圖7A至7C解說電磁鐵單元3 改。圖7B爲沿著圖7A中的A-A’線所取的剖面 修改中，線圈21與22係繞著U型鐵芯9捲繞。 電流於如圖7B中所示的相反方向流至線 2 2。藉由供應電流至線圈2 1與2 2所產生的磁領 p 2流通於由磁通量所形成的磁路上的相反方向 置，且它 的八個位 設單元15 置，且它 的六個位 輪廓之示 兩個凹面 S 90°的角 成。 分量諸如 。參照圖 電磁鐵單 丨圖5 D所 分量的光 0 或 Z19 配置的修 圖。於此 圈21與 i量p 1與 ，該磁通 -12- (10) 200807170 量通過U型鐵芯9、I型鐵芯8及間隙。產生於可動元件 與定子之間且由磁通量φ 1與p 2間的差所決定之吸引力 F係由以下方程式給定： F = 1/2///0/Α X (¢)1 — φ2)2 …⑴ 其中//〇爲鐵芯材料於真空中的導磁率，Α爲磁路徑 的剖面積，以及導磁率爲無限大。 當間隙幾乎爲恆定時，磁通量p 1與p 2係分別與激 磁電流1與12成正比。在此情形，方程式（丨）可被重寫成 如下： F = 1/2//ζΟ/Α X (α X II - β χ Ι2)2 …⑴，

線圈2 1與2 2的熱値總和W係由以下方程式給定： W = (R1 χ I12) + (R2 χ I22) …(2) 其中R1爲線圈21的電阻，而R2爲線圈22的電 阻。 方程式（1)’與（2)揭τκ，控制獨立變數II與12使其可 能控制吸引力F，同時保持熱値W恆定。亦即，依據上述 方程式控制激磁電流1與12使其可能控制吸引力F，同 時保持激磁線圈2 1與2 2的熱値的總和W恒定。 -13- (11) (11)200807170 如上所述，當激磁線圈2 1與22所產生的熱使鏡1、 中間構件1 8、或基座2熱變形時，控制熱値總和W使其 可能一直保持熱變形量恆定。因此，在吸引力F改變之 時，反射表面可變形成爲適當的可複製輪廓而不會改變熱 變形量。 爲了達到此控制，需要準備至少兩個激磁線圈且使所 產生磁通量流通於相反方向。這亦需要將該兩激磁線圈串 聯地配置於磁路中（見圖7C )。因爲該兩激磁線圈係串 聯地配置於磁路中，激磁線圏2 1與22分別產生磁動力 Nil與NI2。如圖8B所示，亦可能藉由激磁線圈21與22 捲繞U型鐵芯而同軸地配置激磁線圈2 1與22以具有不 同的線圈直徑。如圖9A至9C所示，E型鐵芯可取代U 型鐵芯。 圖1 〇爲顯示另一修改例的示意圖。圖1 0與上述實施 例不同之處在於，鏡1具有平坦後表面。因爲鏡1具有平 坦後表面，其可直接地連接於I型鐵芯8而不需插置任何 連接構件。省略任何連接構件使其可能增加鏡1的特性値 而導致由於振動之反射表面變形的減小。理所當然，相較 於上述實施例，連接構件可被使用來進一步促成連接。 圖1 1爲顯示另一修改例的不意圖。參照圖1 1，用於 支承電磁鐵單元3的基座2 6係與用於支承致動器4的基 座2分開地設置。 基座26係經由低剛度彈性構件27設置在基座2上。 彈性構件27在Z方向的剛度被設定低於彈性構件1 7的剛 (12) (12)200807170 度。將彈性構件27插置於基座2與基座26之間使其可能 減小自例如地面經由基座26傳導來之干擾振動的影響。 這使其可能使鏡1的反射表面變形成爲具有高準確度的想 要輪廓，同時抑制未預期的變形與振動。 圖1 2爲顯示另一修改例的示意圖。雖然上述實施例 中致動器4與電磁鐵單元3係平行地插置於鏡1與基座2 之間，它們係相互串聯地配置於圖1 2中。中間構件1 8經 由彈性構件1 7來固持鏡！，以及電磁鐵單元3與預負載 單兀1 5係插置於中間構件1 8與鏡1之間。致動器4係插 置於基座2與中間構件丨8之間。中間構件1 8形成供冷凍 劑流入與流出之流路。 現將例示應用上述反射設備之曝光設備。圖13爲曝 光设備之槪略圖。曝光設備包含光源、用於將來自光源的 光導引至光罩（原圖）之照明光學系統、用於對準光罩之 光罩台、用於將光罩圖案投影至晶圓（基板）上之投影光 學系統、及用於對準晶圓之晶圓台。投影光學系統使用反 射折射投影光學系統。在以下敘述中，第一物體所指的是 光罩，而第二物體所指的是晶圓。 光學系統包括第一成像光學系統Gr 1、第二成像光學 系統Gr2、及第三成像光學系統Gr3，其爲光束自物體側 通過之順序。第一成像光學系統Gr 1形成第一中間影像 IMG1作爲第一物體101的影像。具有凹面鏡mi及往復 光學系統邰L 2容許來自第一中間影像I μ G 1的光束形成 第二中間影像IMG2。第一偏向/反射構件FM1偏向光軸 -15- 200807170 (13) AX1，以及光束藉由第二成像光學系統Gr2的往復光學系 統部L2朝向第一物體1〇1反射。第三成像光學系統Gr3 形成具有放大倍率的第二中間影像IMG2在第二物體102 命 上。第三成像光學系統Gr3中的第二偏向/反射構件FM2 使第一偏向/反射構件FM 1所反射的光束偏向。在同時， 光軸AX2係朝向光軸A3偏向。 如上所述，三階段成像光學系統被採用，致使第二成 φ 像光學系統Gr2中的第一偏向/反射構件FM1及凹面鏡 Μ1使光束偏向。這使其可能避免第一物體1 〇 1與透鏡、 偏向/反射構件及類似構件之間的干涉。再者，三階段成 像光學系統可實施投影光學系統，該投影光學系統使具有 小有效値鏡的離軸光束在短的物體對影像距離成像，而無 光蔽發生在光瞳的中央部。 第二成像光學系統Gr2具有凹面鏡Μ 1及往復光學系 統部（圖1 3中的L2 )，光束往復於該往復光學系統部 φ 中。凹面鏡Μ 1***置在亦供作第一成像光學系統Gr 1的 光軸的線性光軸ΑΧ 1上。凹面鏡Μ 1係配置以使其凹面表 . 面正對光罩表面。 第二成像光學系統Gr2中凹面鏡Ml所反射之光束通 過第二成像光學系統Gr2中的往復光學系統部L2。其 後，第一偏向/反射構件FM1使合成光束的光軸AX1朝向 光軸AX2彎曲90°。在此時，第一偏向/反射構件FM1係 配置有相對於光軸的預定角度，以始自第一成像光學系統 Grl至凹面鏡Ml的光束與凹面鏡Ml及第一偏向/反射構 -16- 200807170 (14) 件FM1所反射的光束交叉。第三成像光學系統Gr3中的 第二偏向/反射構件FM2朝向第一偏向/反射構件FM1所 反射的光軸AX3、光軸AX2彎曲90。。以此方式，該兩第 - —偏向/反射構件FM1與FM2使光軸彎曲兩倍以平行地配 ^ 置第—物體1〇1與第二物體102。因此，如圖A與1B中 所示的第一與第二偏向/反射構件FM1與FM2係配置以使 它們的反射表面具有90。的相對角度差。 φ 爲簡化起見，圖13顯示自第一物體101的一離軸高 度（與光軸ΑΧ 1分開的位置）出射之光束形成影像在第 二物體1 02上之狀態。實際上，在某一範圍內，自第一物 體101的每一離軸高度出射之光束被使用。第一物體的表 面上，不包括光軸的矩形縫區或弧形縫區（曝光區）中之 圖案係藉由曝光形成在第二物體102上。 現將參照圖1 4與1 5說明使用上述曝光設備之裝置製 造方法的實施例。 φ 圖14爲用於解說裝置（諸如1C或LSI、LCD、或 CCD的半導體晶片）的製造之流程圖。現將在此例示製 ^ 造半導體晶片的方法。 於步驟S 1 (電路設計），半導體裝置的電路被設 計。於步驟S2 (掩膜製作），掩膜係基於所設計的電路 圖案予以製作。於步驟S3 (晶圓製造），晶圓係使用諸 如砍的材料予以製造。 於稱爲前過程的步驟S4 (晶圓過程），上述曝光設 備藉由使用掩膜與光罩的微影術將實際電路形成在晶圓 -17- (15) (15)200807170 上。 於稱爲後過程的步驟S5 (組裝），將步驟S4中所製 造的晶圓形成爲半導體晶片。此步驟包括諸如組裝（切塊 與接合）及包裝（晶片封裝）的過程。 於步驟S 6 (檢查），實施包括步驟S 5中所製造之半 導體裝置的操作檢查測試與耐久測試之檢查。半導體裝置 係經由上述過程來完成，然後於步驟S 7中送出。 圖5爲顯示步驟4中的晶圓過程細節之流程圖。於步 驟S 1 1 (氧化），晶圓的表面被氧化。 於步驟S 12 (CVD)，將絕緣膜形成在晶圓表面上。 於步驟S 1 3 (電極形成），藉由沈積將電極形成在晶圓 上。 於步驟S 1 4 (離子植入），將離子植入晶圓中。於步 驟S 1 5 (抗蝕過程），將光敏劑施加於晶圓。 於步驟S16(曝光），曝光設備藉由曝光將掩膜的電 路圖案形成在晶圓上。於步驟S 1 7 (顯影），使所曝光的 晶圓顯影。 於步驟S 1 8 (鈾刻），除了已顯影抗蝕影像以外的部 分被蝕刻。於步驟S 1 9 (抗鈾移除），移除在飩刻後所留 下之任何不需要的抗鈾劑。 藉由重複這些步驟，將電路圖案的多層結構形成在晶 圓上。 雖然已參照示範性實施例說明本發明，將瞭解到，本 發明不限於所揭示的示範性實施例。以下請求項的範圍將 -18- 200807170 (16) 符口最見廣的詮釋以涵蓋所有此種修改及等效結構與功 會b 。 【圖式簡單說明】 圖1A與1B爲顯示第一實施例的槪要配置之示意 圖； 圖2A與2B爲顯示電磁鐵單元的示意圖； 圖3A至3D爲顯示冷卻套的示意圖； 圖4A與4B爲解說使用E型電磁鐵的實例之示意 圖； 圖5 A至5D爲顯示電磁鐵單元的配置修改之示意 圖； 圖6A與6B爲分別顯示鏡的輪廓表面之示意圖； 圖7A至7C爲顯示電磁鐵的修改之示意圖； 圖8 A至8 C爲顯示電磁體的另一修改之示意圖； 圖9A至9C爲顯示電磁體的另一修改之示意圖； 圖1 〇爲解說鏡具有平坦後表面的實例之示意圖； 圖1 1爲解說分開支承致動器與電磁鐵的實例之示意 圖； 圖1 2爲解說連續配置致動器與電磁鐵的實例之示胃 圖； 圖1 3爲顯示曝光設備的槪要配置之示意圖； 圖1 4爲用來解說裝置製造方法之流程圖； 圖1 5爲用來解說晶圓製程之流程圖；及 -19- 200807170 (17) 圖1 6爲顯示習知技術之示意圖。 【主要元件對照表】 . F1 :吸引力 ~ F2 :預負載力 Φ 2 :磁通量 12 :激磁電流 φ W :熱値總和 R1 :電阻 R2 :電阻 φ 1 :磁通量 11 :激磁電流 Nil :磁動力 NI2 :磁動力 G r 1 :第一成像光學系統 φ Gr2 :第二成像光學系統

Gr3 :第三成像光學系統 . IMG1 :第一中間影像 IMG2 :第二中間影像 Μ1 :凹面鏡 L2 :往復光學系統部 FM1 :第一偏向/反射構件 FM2 :第二偏向/反射構件 ΑΧ1 :光軸 -20- 200807170 (18) AX2 :光軸 AX3 :光軸 S 1 :電路設計 e S2 :掩膜製作 ~ S 3 :晶圓製造 S 4 :晶圓過程 S 5 :組裝 φ S 6 :檢查 S7 :運送 S 1 1 :氧化 S12 ： CVD s 1 3 :電極形成 514 :離子植入 515 :抗触過程 S 1 6 :曝光 φ S17 :顯影 s 1 8 :蝕刻 _ S 1 9 :抗蝕移除 1 :鏡 2 :基座 3 :電磁鐵單元 4 :致動器 5 :可動元件 6 :定子 -21 - 200807170 (19) 7:連接構件 8 : I型鐵芯 9 : U型鐵芯 10 : 線圏 11: 冷卻套 12 ： 入口 13 ·· 出口 ⑩ 14: E型鐵芯 15 : 預負載單元 16 ： 彈簧構件 17 ： 彈性構件 18 ： 中間構件 19 ： 雷射干涉儀 21 ： 線圈 22 ： 線圈 • 26 ： 基座 27 : 彈性構件 50: 反射設備 101 :第一物體 102 :第二物體 -22-

Claims (1)

1. (1)200807170 十、申請專利範圍 含 包 備 設 射 反 tlmil 種

   及， ;形 鏡變 該鏡 位該 定使 來來 置置 配配 其其動正 ’ ’ 致來 器器二置 動動第配 致致該式 一；一 二中方 1 鏡第第其觸 接 非 件 構 性 。 磁鐵 的磁 鏡電 該的 於件 接構 附性 括磁 包該 器對 以 及 2.如申請專利範圍第1項之反射設備，其中 該鏡以其鏡表面來反射光，及 該電磁鐵施力於該鏡表面的後側。 3 ·如申請專利範圍第1項之反射設備，另包含： 基座，其配置來支承該電磁鐵；及 預負載壓力產生器，其插置於該基座與該鏡之間，且 施加預負載壓力於該電磁鐵。 4.如申請專利範圍第3項之反射設備，另包含： 第二基座，其配置來支承該第一致動器， 其中該第二基座經由彈性構件來支承該基座。 5 .如申請專利範圍第1項之反射設備，另包含： 冷卻單元，其配置來冷卻該電磁鐵。 6. 如申請專利範圍第1項之反射設備，另包含： 固持單元，其配置經由彈性構件來固持該鏡， 其中該第一致動器藉由驅動該固持單元來定位該鏡。 7. 如申請專利範圍第1項之反射設備，另包含： 量測單元，其配置來量測該鏡的位置；及 -23- (2) 200807170 控制器，其配置基於該量測單元所獲得的量測結果來 控制該第一致動器。 8. 如申請專利範圍第1項之反射設備，其中 該電磁鐵包括鐵芯構件及數個線圈，該等線圈捲繞該 鐵芯構件，及 該反射設備另包含控制器，該控制器係配置來控制供 應至該數個線圈的電流，以使不會改變該數個線圈所產生 φ 的熱値總和。 9. 如申請專利範圍第1項之反射設備，其中 該電磁鐵包括鐵芯構件及第一*線圈與第二線圈，該等 線圈捲繞該鐵芯構件，及 該反射設備另包含控制器，該控制器係配置來控制供 應至該第一線圈與第二線圈的電流，以使藉由供應電流至 該第一線圈所產生之磁通量方向與藉由供應電流至該第二 線圈所產生之磁通量方向相反。 φ 1 〇.如申請專利範圍第1項之反射設備，其中該磁性 構件係經由連接構件附接於該鏡，以及該連接構件的中心 ^ 軸實質上與該電磁鐵所產生的力的作用線重合。 11. 如申請專利範圍第1項之反射設備，另包含控制 器，該控制器係配置基於該鏡的變形目標値來控制供應至 該電磁鐵的電流値。 12。 如申請專利範圍第1項之反射設備，另包含控制 器，該控制器係配置來量測供應至該電磁鐵的電流値，且 基於所量測電流値來反饋控制該電磁鐵。 -24 - (3) (3)200807170 13. 一種曝光設備，其包含投影光學系統，該投影光 學系統包括申請專利範圍第1項中所界定的反射設備， 其中該投影光學系統將原圖的圖案投影至基板上。 14. 一種裝置製造方法，包含以下步驟： 使用申請專利範圍第1 3項中所界定的曝光設備，使 基板曝光於電路圖案的光；及 使所曝光基板顯影。

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