JP2007316132A - 反射装置 - Google Patents

Abstract

【課題】 ミラーの表面形状を変形させる反射装置において、変形に用いるアクチュエータの発熱、アクチュエータに起因する振動の影響を低減させた装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 反射装置は、ミラーと、前記ミラーを位置決めするためのアクチュエータと、前記ミラーを変形させるための電磁石ユニットとを備え、前記電磁石ユニットは、前記ミラーに取り付けられた磁性部材と、前記磁性部材と非接触に対向して配置される電磁石とを有することを特徴としている。
【選択図】 図１

Description

本発明は、反射装置に関するものであり、好適には露光装置の投影光学系の一部を構成する反射装置に用いられうる。

従来、半導体素子等を製造するためのフォトリソグラフィ工程では、マスク（又はレチクル）に形成されたパターンを投影光学系を介してウエハ等の感光基板上に投影露光する投影露光装置が使用されている。この投影露光装置としては、ステップ・アンド・リピート方式の縮小投影露光装置（いわゆるステッパ）等の静止露光型やステップ・アンド・スキャン、あるいはスリット・スキャン等の走査露光型の露光装置が用いられている。

従来のこの種の装置では、露光光としてｇ線（波長：４３６ｎｍ）、ｉ線（波長：３６５ｎｍ）等が使用され、最近では、ＫｒＦエキシマレーザ光（波長：２４８ｎｍ）やＡｒＦエキシマレーザ光（波長：１９３ｎｍ）等が用いられている。これらの波長帯域の露光光を用いて露光処理を行う場合は、投影光学系として反射屈折光学系を用いることにより、十分な縮小率が得られ、投影光学系自体を小型化することができるという利点がある。

このような反射屈折光学系には、種々の反射光学素子が含まれており、例えば、平面鏡あるいは凹面鏡などの反射ミラーがある。

ところで、露光装置の光学性能を悪化させる要因にはいろいろなものがある。例えば、投影光学素子の製造、組立誤差や、装置の動作中に露光光による熱によって生じる熱変形のため、光学収差が生じ、感応基板（ウエハ）での像質が悪化する。そこで、反射ミラー表面の形状を変化させて収差を補正する方法が提案されている。

図１６に特許文献１に記載の反射装置を示す。反射装置は、ミラー２０と低剛性アクチュエータ３０を備え、低剛性アクチュエータ３０はミラー２０の裏面（図中下面）の所定位置で局所的にミラー２０を変形させることが記載されている。また、この低剛性アクチュエータ３０として、ボイスコイルモータ、空気圧アクチュエータ、ＥＩコアアクチュエータ等が用いられうると記載されている。
特開２００４−６４０７６号公報

ミラーの表面形状を変形させる反射装置において、変形させるためのアクチュエータからの発熱がミラーに意図しない変形をもたらしてしまう。また、発熱量に対する力の大きさ（発熱効率）を向上させようとすると、アクチュエータの可動子が大型化・複雑化してしまう場合があり、ミラーの固有値を高く維持することが困難になってしまう。固有値が低いと、床などからの外乱振動によってミラーが振動してしまう。

さらに、可動子に発熱部がある場合には、発熱部を冷却するために冷却管を配置して冷媒を循環させると、そこからミラーへと振動が伝わってしまう。

このような振動が発生すると、所望のミラー表面形状と実際の形状との誤差に、振動による誤差が含まれるため、新たな光学収差を生み出してしまう。

本発明は上述の点に鑑みなされたものであり、ミラーの表面形状を変形させる反射装置において、変形に用いるアクチュエータの発熱、アクチュエータに起因する振動の影響を低減させた装置を提供することを目的とする。

本発明における反射装置は、ミラーと、前記ミラーを位置決めするためのアクチュエータと、前記ミラーを変形させるための電磁石ユニットとを備え、前記電磁石ユニットは、前記ミラーに取り付けられた磁性部材と、前記磁性部材と非接触に対向して配置される電磁石とを有することを特徴としている。このような反射装置は、露光装置の投影光学系の一部として好適に利用されうる。

本発明によれば、ミラーの表面形状を変形させる反射装置において、変形に用いるアクチュエータの発熱、アクチュエータに起因する振動の影響を低減させることができる。

（実施例１）
図１（ａ），（ｂ）は実施例１におけるミラー装置を示す図である。図１（ａ）は上面図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ'断面図である。

ミラー装置５０は凹形状の反射面を有するミラー１と、ミラー１を支持するためのベース２を備える。さらにミラー装置５０は、ミラー１を位置決めするための複数のアクチュエータ４と、ミラー１を変形させるための複数の電磁石ユニット３と、複数の予圧ユニット１５等を備え、それぞれミラー１とベース２の間に設けられる。

ミラー１は、ばね性を有する弾性部材１７を介して、リング状の中間部材１８に保持される。弾性部材１７は例えば同一円周上の３箇所に１２０°間隔で設けられる。中間部材１８は高い剛性を有しており、中間部材とベースの間に設けたアクチュエータ４によってＸＹＺ軸方向や各軸回りの回転方向（チルト方向）に駆動される。中間部材１８の形状についてはリング形状にかぎらず、他の形状であってもよい。

ミラー１の位置は、レーザー干渉計１９によって計測され、計測結果にもとづいてアクチュエータ４を駆動する。これにより、ミラー１の位置および姿勢を制御することができる。ミラー１の位置計測手段はレーザー干渉計にかぎらず他の計測手段を用いてもよい。また、ミラー１の位置は、後述する変形の影響を受けにくい位置を代表的な位置として計測することが好ましい。

電磁石ユニット３は可動子５と固定子６を備える。可動子５はミラーの裏側（反射面とは反対側）に連結部材７を介して取り付けられたＩ型コア８を備える。固定子６はＩ型コア８と非接触に対向して配置されたＵ型コア９と、Ｕ型コア９に巻かれたコイル１０を備える。固定子６は、コイルを冷却するための冷却ジャケットをさらに備える。冷却ジャケットについては図１では図示を省略しており、図３を用いて後述する。Ｕ型コア９はベース２に固定されている。ここで、Ｕ型コアやＩ型コアは高透磁率材料（磁性部材）からなり、特にはヒステリシスの少ない高透磁率材料であることが望ましい。このような材料として例えば、パーマロイやケイ素鋼、軟鉄などが挙げられる。

図２（ａ），（ｂ）は電磁石ユニット３を詳細に示す図である。図２（ｂ）は、図２（ａ）のＡ−Ａ'断面図である。前述のようにＩ型コア８とＵ型コア９は所定の間隔（ギャップ）をもって配置される。コイル１０に電流を流すことによって、Ｕ型コア９は励磁され、Ｉ型コア８とギャップを磁束が通過して、磁気回路を形成する。このとき、Ｕ型コア９とＩ型コア８との間に磁気的吸引力Ｆ１が発生する。このコイルに通電する電流を制御することによって、電磁石ユニット３がミラー１に加える力（吸引力）、すなわちミラー１を変形させる力を制御することができる。

上述のように、ミラー変形用のアクチュエータとして電磁石ユニットを用いることで、リニアモータやボイスコイルモータを用いた場合に比べて高い発熱効率を得ることができる。リニアモータやボイスコイルモータを用いた場合には、発熱量が大きいコイルを可動子としてミラー側に配置すると、ミラーがコイル発熱の影響を受けて意図しない形状に変形してしまう。逆に永久磁石を可動子としてミラー側に配置した場合、発熱効率を向上させるためには永久磁石とヨークを大型化する必要があるため、構成が複雑になるうえ重量が大きくなってしまう。構成が複雑になってしまうと、ミラーの固有値を高く維持することができなくなってしまい振動の影響を受けやすくなってしまう。

上述のように電磁石ユニットの高磁性率材を可動子にすることで、ミラーへの熱影響が少ないだけでなく、簡単な構成にすることができるためミラーの固有値を高く維持することが可能となる。

吸引力Ｆ１が回転モーメントを発生させないように、吸引力の作用線と連結部材７の中心軸を一致させることが望ましい。吸引力の作用線が連結部材７の重心位置を通過するようにしてもよい。

図３はコイル１０を冷却する冷却ジャケットを示す図である。図３（ａ），（ｂ）はコイルをジャケット内部に入れた状態を示す図である。図３（ｃ），（ｄ）はそれぞれ図３（ｂ）におけるＢ−Ｂ'断面図、図３（ａ）におけるＡ―Ａ'断面図である。

冷却ジャケット１１はコイル１０を覆うように設けられる。冷却ジャケットには、ジャケット内部に冷媒を流すための入口部１２と出口部１３が設けられる。入口部１２と出口部１３には配管が接続され、配管のもう一端は図１に示すようにベース２の内部に形成された流路と接続される。ジャケット内部に冷媒を流すことによって、発熱したコイル１０を冷却することができる。ここで、冷媒の温度を制御することで、コイル１０を温調することも可能である。なお、配管や流路の具体的な構成については適宜変更しうる。

電磁石ユニットのコイルを固定子としてベース側に配置して冷却することで、コイルの熱をミラーに伝えにくくするだけでなく、冷媒循環による振動の影響をミラーに伝えない構成とすることができる。結果として、ミラーや周辺部材の熱変形を軽減してミラーを所望の形状に高精度に変形させることができる。

上述の説明では電磁石ユニット３はＵ型コアを備えるが、代わりにＥ型コアを備える構成としてもよい。Ｅ型コア１４を備える例を図４に示す。機能についてはＵ型コアと同様であるので説明を省略する。

ふたたび図１にもどって予圧ユニット１５について説明をする。予圧ユニット１５は各電磁石ユニット３の近傍に設けられる。つまり、図１の場合には電磁石ユニット４つに対して予圧ユニットが４つ設けられる。

予圧ユニット１５は、電磁石ユニット３の固定子６と可動子５の間に設けられたばね部材１６を備える。ばね部材１６は予め所定の量だけたわんだ状態で配置されることによって、可動子５と固定子６を引き離す方向（すなわち吸引力Ｆ１と反対方向）に予圧力Ｆ２を与える。予圧力Ｆ２はミラー１を変形させる力として寄与する。

予圧力Ｆ２が回転モーメントを発生させないように、予圧力の作用線と連結部材７の中心軸を一致させることが望ましい。予圧力の作用線が連結部材７の重心位置を通過するようにしてもよい。図１では連結部材７の中心軸に対して対称にばね部材２個を配置しているが、いくつ設けてもよい。

このように予圧ユニットを設けることによって、ミラー裏側を押すための電磁石と、引くための電磁石の２つを設ける必要がなくなるため、変形用アクチュエータの発熱量を小さくすることができる。予圧手段として簡易な構成にすることができるばね部材が望ましいが、永久磁石の反発力や空気圧でも適用可能である。

ばね部材１６のＸ方向におけるばね剛性と、Ｙ方向におけるばね剛性は小さいことが望ましく、Ｚ方向におけるばね剛性は保持部材１８のＺ方向におけるばね剛性よりも小さく設定されている。床などから入ってくる外乱振動が予圧ユニット１５を介してミラーに伝わり、反射面が変形したり振動したりすることを抑制するためである。

上述の電磁石ユニット３と予圧ユニット１５を用いたミラーの変形について以下において説明する。

電磁石ユニット３と予圧ユニット１５を用いてミラーを変形させる場合、吸引力Ｆ１と予圧力Ｆ２の総和をミラーを変形させる力として制御する。

本実施例では、予圧ユニット１５のばね部材のばね剛性は低く、予圧のためのばね部材のたわみ量は大きい。このたわみ量に対して反射面変形量は十分小さいため、反射面の変形量にかかわらず予圧力Ｆ２は一定であるとみなすことができる。したがって、電磁石ユニット３のコイルに流す電流量によって、ミラーに印加する力（Ｆ１−Ｆ２）を制御する。

また、電磁石ユニット３の可動子（Ｉ型コア８）と固定子（Ｕ型コア９）との間のギャップは、反射面の変形量に対して十分大きく設定される。これにより、反射面を変形させたときのギャップの変動を無視して、ギャップを一定であるとみなすことができる。ギャップを一定とみなすことによって、コイルに通電する電流量を測定して、フィードバック制御することによって、吸引力Ｆ１は制御することができる。

制御器は、目標形状から変形に必要な力を算出し、算出された力を発生させるように各電磁石ユニットのコイルに電流を流す。また、各コイルに流す電流値を不図示の電流計で計測して、計測結果にもとづいてフィードバック制御する。

以上のようにして、電磁石ユニット３と予圧ユニット１５を用いてミラーをあるノミナル位置から力を印加（プッシュまたはプル）することによって、反射面をあるノミナル形状から変形させることができる。

つぎに、電磁石ユニット３と予圧ユニット１５の配置について説明する。図１において、電磁石ユニット３および予圧ユニット１５は、同一円周上に４つずつ配置される。しかしながら、補正したい光学収差によって個数および配置を変えてもよい。図５（ａ）〜（ｄ）は個数および配置を変えた例である。

図５（ａ）では、電磁石ユニット３および予圧ユニット１５を同一円周上に９０°間隔で４箇所に配置し、それとは別の円周上に９０°間隔でさらに４箇所に配置している。図５（ｂ）では、電磁石ユニット３および予圧ユニット１５を同一円周上に４５°間隔で４箇所に配置し、それとは別の円周上に４５°間隔でさらに４箇所に配置している。図５（ｃ）では、電磁石ユニット３および予圧ユニット１５を同一円周上に９０°間隔で４箇所に配置し、それとは別の円周上に４５°間隔でさらに４箇所に配置している。図５（ｄ）では、電磁石ユニット３および予圧ユニット１５を同一円周上に６０°間隔で４箇所に配置し、それとは別の円周上に６０°間隔でさらに４箇所に配置している。

図６（ａ），（ｂ）は、反射面を変形させたときの形状を示す図である。図６（ａ）において、反射面は２箇所の凸部と２箇所の凹部を有しており、このような形状は図５（ａ）〜（ｃ）のように４５°または９０°間隔で配置したときに形成することができる。

この形状により、ツェルニケ関数で表現されるＺ５項やＺ１２項などの２θ成分を含む光学収差を補正することができる。図６（ｂ）において、反射面は３箇所の凸部と３箇所の凹部を有しており、このような形状は図５（ｄ）のように６０°間隔で配置したときに形成することができる。この形状により、ツェルニケ関数で表現されるＺ１０項やＺ１９項などの３θ成分を含む光学収差を補正することができる。

以下、図７を参照しつつ電磁石ユニット３の構成の変形例について説明する。図７（ｂ）は図７（ａ）のＡ―Ａ'断面図である。本変形例において、Ｕ型コア９にはコイル２１とコイル２２が巻かれている。

コイル２１とコイル２２に流す電流の向きは、図のように逆方向である。また、Ｕ型コア、Ｉ型コア、ギャップを通過する磁束による磁気回路上で、各コイルに通電することによって生じる磁束φ_１とφ_２は逆方向に流れる。ここで、可動子と固定子との間に発生する吸引力Ｆは磁束φ_１とφ_２の差分によって決定される。これは以下の式で示すことができる。
Ｆ＝１／２／μ_０／Ａ×（φ_１−φ_２）＾２ （１）式
μ_０：真空の透磁率
Ａ：磁路の断面積
ただし、コア材の透磁率を無限大とする

ギャップが概ね一定であるとき、磁束φ_１と磁束φ_２はそれぞれ励磁電流Ｉ_１、励磁電流Ｉ_２に比例するので以下のように変換できる。
Ｆ＝１／２／μ_０／Ａ×（α×Ｉ_１−β×Ｉ_２）＾２ （１）'式

また、励磁コイル２１と励磁コイル２２の発熱量の総和Ｗは以下の式で示すことができる。
Ｗ＝（Ｒ_１×Ｉ_１＾２）＋（Ｒ_２×Ｉ_２＾２） （２）式
Ｒ_１：励磁コイル２１の電気抵抗
Ｒ_２：励磁コイル２２の電気抵抗

（１）'式、（２）式より、独立した２変数Ｉ_１、Ｉ_２を制御することによって、発熱量Ｗを一定としながら、Ｆを制御できることがわかる。上記の式に従って励磁電流Ｉ_１、励磁電流Ｉ_２を制御することで、励磁コイル２１と励磁コイル２２の発熱量の総和Ｗを一定としながら、吸引力Ｆを制御することができる。

このように発熱量の総和Ｗを常に一定になるように制御することで、励磁コイル２１と励磁コイル２２からの熱がミラーやリング、ベースなどに伝わり熱変形が生じた場合、その熱変形量を常に一定に維持することができる。その結果、吸引力Ｆを変化させ反射面を変形させたとき、熱変形量が変化することなく再現性のよい変形形状を得ることができる。

このような制御をするためには、励磁コイルを少なくとも２個を配置し、発生させる磁束をそれぞれ逆方向に流す必要がある。また、励磁コイル２個を磁気回路において直列に配置することが必要である（図７（ｃ）参照）。励磁電流Ｉ_１、励磁電流Ｉ_２によって生じる起磁力をそれぞれ起磁力ＮＩ_１、起磁力ＮＩ_２とすると、磁気回路において直列に配置されていることがわかる。図８（ｂ）に示すように、励磁コイル１と励磁コイル２を同軸上にＵ型コアに巻回し、コイル径を変えて配置することも可能である。また、図９（ａ）〜（ｃ）に示すように、Ｕ型コアの代わりにＥ型コアを適用することも可能である。

図１０はその他の変形例を示す図である。図１０では、ミラー１の裏面が平面になっている点が上述の実施例とは異なる。このように裏面を平面にすることで、Ｉ型コア８を連結部材を介さずに直接連結することができる。連結部材を介さないことで、ミラーの固有値を高くすることができ、その結果、振動による反射面の変形を低減することができる。もちろん、連結部材を用いてもよく、その場合でも上述の実施例と比べて連結しやすいメリットがある。

図１１はその他の変形例を示す図である。図１１では、アクチュエータ４を支持するベース２とは別に電磁石ユニット３を支持するベース２６を設けている。

ベース２６は、低剛性の弾性部材２７を介してベース２上に設けられる。弾性部材２７のＺ方向における剛性は、弾性部材１７のＺ方向における剛性よりも小さく設定されている。ベース２とベース２６との間に弾性部材２７が設けられることによって、床などからベース２６を介してミラーに伝わる外乱振動の影響を低減することができる。結果として、ミラー１の意図しない変形や振動を抑え、ミラーの反射面を所望の形状に高精度に変形させることができる。

図１２はその他の変形例を示す図である。上述の実施例ではアクチュエータ４と電磁石ユニット３がミラーとベースの間に並列に設けられていたが、図１２では直列に設けられている。ミラー１は弾性部材１７を介して中間部材１８に保持され、中間部材１８とミラー１の間に電磁石ユニット３および予圧ユニット１５が設けられる。ベース２と中間部材１８との間にはアクチュエータ４が設けられる。また、中間部材１８には冷媒が流入および流出するための流路が形成される。

次に、上述の反射装置を適用した露光装置の例について説明する。図１３は露光装置の概略を示す図である。露光装置は光源と、光源からの光をレチクル（原版）まで導光する照明光学系と、レチクルを位置決めするためのレチクルステージと、レチクルのパターンをウエハ（基板）に投影するための投影光学系と、ウェハを位置決めするためのウエハステージ等を備える。投影光学系として、反射屈折型投影光学系が用いられる。以下の説明ではレチクルを第１の物体、ウエハを第２の物体として説明する。

ここでの光学系は、物体側から光線の通過する順に、第１結像光学系Ｇｒ１、第２結像光学系Ｇｒ２及び第３結像光学系Ｇｒ３よりなる。第１結像光学系Ｇｒ１は、第１の物体１０１の像（第１中間像ＩＭＧ１）を形成し、第１中間像ＩＭＧ１からの光束は、凹面鏡Ｍ１及び往復光学系部分Ｌ２を有する第２結像光学系Ｇｒ２によって第２中間像ＩＭＧ２を形成する。その際、第１の偏向反射部材ＦＭ１により、第２結像光学系Ｇｒ２の往復光学系部分Ｌ２によって第１の物体１０１方向へ反射された光束及び光軸ＡＸ１を偏向する。第３結像光学系Ｇｒ３は、中間像ＩＭＧ２の像を第２の物体１０２上に所定の倍率により形成する。その際、第３結像光学系中に有する第２の偏向反射部材ＦＭ２により、第１の偏向反射部材ＦＭ１から反射された光束を偏向している。それに伴って光軸ＡＸ２は光軸ＡＸ３のように偏向される。

このように３回結像光学系を採用し、第２結像光学系Ｇｒ２中に有する凹面鏡Ｍ１と、偏向反射部材ＦＭ１、ＦＭ２により光束を偏向することにより、第１の物体１０１とレンズ及び偏向反射部材等との干渉を避けることができるとともに、３回結像光学系としては、物像間距離が小さく有効径も小さな、瞳の中心部の遮光のない、軸外光束を結像する投影光学系が達成可能となる。

ここで、第２結像光学系Ｇｒ２は凹面鏡Ｍ１を有しており、また光束が往復する往復光学系部分（図中Ｌ２）も有している。この凹面鏡Ｍ１は第１結像光学系Ｇｒ１と同一かつ１本の直線光軸ＡＸ１上にあり、その凹面がレチクル面と対向するように配置されている。この第２結像光学系Ｇｒ２中の凹面鏡Ｍ１を反射した光束は第２結像光学系Ｇｒ２中の往復光学系部分Ｌ２を通過後、第１の偏向反射部材によって光軸ＡＸ１を、ＡＸ２のように９０度曲げる。この際、第１結像光学系から凹面鏡への光束と、前記凹面鏡から反射された後に前記偏向反射部材を反射した光束とが交差するように、前記偏向反射部材を光軸に対して所定の角度を持って配置している。第１の偏向反射部材ＦＭ１を反射した光束は、第３結像光学系Ｇｒ３中に配置されている第２の偏向反射部材ＦＭ２により、光軸ＡＸ２をＡＸ３のように９０度曲げて配置される。このように、２つの偏向反射部材により２度光軸を曲げることで、第１の物体１０１と第２の物体１０２とを平行に配置している。従って、図１における第１の偏向反射部材と第２の偏向反射部材は、その反射面が相対的に９０度の角度差を持って配置されている。

図１３では、第１の物体１０１の軸外のある物体高から出た光束が第２物体面１０２上に結像される様子を示しているが、第１の物体の光軸ＡＸ１から外れたある範囲の軸外物体高から出た光束を使用している。その際、第１の物体面上において、光軸を含まない矩形のスリット領域、或いは光軸を含まない円弧状のスリット領域（露光領域）のパターンが第２物体１０２上に露光される。

次に、図１４及び図１５を参照して、上述の露光装置を利用したデバイス製造方法の実施例を説明する。図１４は、デバイス（ＩＣやＬＳＩなどの半導体チップ、ＬＣＤ、ＣＣＤ等）の製造を説明するためのフローチャートである。ここでは、半導体チップの製造方法を例に説明する。

ステップＳ１（回路設計）では半導体デバイスの回路設計を行う。ステップＳ２（マスク製作）では設計した回路パターンに基づいてマスクを製作する。ステップＳ３（ウエハ製造）ではシリコン等の材料を用いてウエハを製造する。ステップＳ４（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、マスクとウエハを用いて、上記の露光装置によりリソグラフィ技術を利用してウエハ上に実際の回路を形成する。ステップＳ５（組み立て）は、後工程と呼ばれ、ステップＳ４によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封入）等の組み立て工程を含む。ステップＳ６（検査）では、ステップＳ５で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、それが出荷（ステップＳ７）される。

図１５は、ステップ４の上はプロセスの詳細なフローチャートである。ステップＳ１１（酸化）では、ウエハの表面を酸化させる。ステップＳ１２（ＣＶＤ）では、ウエハの表面に絶縁膜を形成する。ステップＳ１３では、ウエハに電極を形成する。ステップＳ１４（イオン打ち込み）では、ウエハにイオンを打ち込む。ステップＳ１５（レジスト処理）では、ウエハに感光剤を塗布する。ステップＳ１６（露光）では、露光装置によってマスクの回路パターンをウエハに露光する。ステップＳ１７（現像）では、露光したウエハを現像する。ステップＳ１８（エッチング）では、現像したレジスト像以外の部分を削り取る。ステップＳ１９（レジスト剥離）では、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。これらのステップを繰り返し行うことによってウエハ上に多重に回路パターンが形成される。

実施例１の概略構成を示す図である。 電磁石ユニットを示す図である。 冷却ジャケットを示す図である。 Ｅ型電磁石を用いた例を示す図である。 電磁石ユニット配置の変形例を示す図である。 ミラーの表面形状を示す図である。 電磁石の変形例を示す図である。 電磁石の変形例を示す図である。 電磁石の変形例を示す図である。 ミラー裏面を平面にした例を示す図である。 アクチュエータと電磁石ユニットを別支持にした例を示す図である。 アクチュエータと電磁石ユニットを直列に配置した例を示す図である。 露光装置の概略構成を示す図である。 デバイス製造方法を説明するためのフローチャートである。 ウエハプロセスを説明するためのフローチャートである。 従来例を示す図である。

符号の説明

１ ミラー
２ ベース
３ 電磁石ユニット
４ アクチュエータ
５ 可動子
６ 固定子
７ 連結部材
８ Ｉ型コア
９ Ｕ型コア
１０ コイル
１１ 冷却ジャケット
１２ 入口部
１３ 出口部
１４ Ｅ型コア
１５ 与圧ユニット
１６ ばね部材
１７ 弾性部材
１８ 中間部材
１９ レーザー干渉計
２１，２２ コイル
２６ ベース
２７ 弾性部材
Ｇｒ１，Ｇｒ２，Ｇｒ３ 結像光学系
１０１ 第１の物体（レチクル）
１０２ 第２の物体（ウエハ）

Claims (14)

1. ミラーと、前記ミラーを位置決めするためのアクチュエータと、前記ミラーを変形させるための電磁石ユニットとを備え、
   前記電磁石ユニットは、前記ミラーに取り付けられた磁性部材と、前記磁性部材と非接触に対向して配置される電磁石とを有することを特徴とする反射装置。
2. 前記ミラーの変形目標値にもとづいて、前記電磁石に供給する電流値を制御することを特徴とする請求項１に記載の反射装置。
3. 前記電流石に供給する電流値を計測してフィードバック制御することを特徴とする請求項１または２に記載の反射装置。
4. 前記ミラーは表側で光を反射し、
   前記電磁石ユニットは、前記ミラーの裏側に力を加えることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の反射装置。
5. 前記電磁石を支持するベースと、
   前記ベースと前記ミラーとの間に設けられ、前記電磁石ユニットへの予圧を発生させる与圧発生手段を備えることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の反射装置。
6. 前記アクチュエータを支持する第２ベースを備え、
   前記ベースは弾性部材を介して前記第２ベースに支持されることを特徴とする請求項５に記載の反射装置。
7. 前記電磁石を冷却するための冷却ユニットを備えることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の反射装置。
8. 前記ミラーを弾性部材を介して保持する保持部を備え、
   前記アクチュエータは前記保持部を駆動することによって前記ミラーを位置決めすることを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の反射装置。
9. 前記ミラーの位置を計測する計測手段を備え、
   前記計測手段の計測結果にもとづいて前記アクチュエータを制御する第２制御器を備えることを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載の反射装置。
10. 前記電磁石はコア部材と、前記コア部材に巻かれた複数のコイルとを備え、
    前記複数のコイルが発生する発熱量の総和が変化しないように前記コイルに通電する電流が制御されることを特徴とする請求項１〜９のいずれかに記載の反射装置。
11. 前記電磁石はコア部材と、前記コア部材に巻かれた第１および第２コイルとを備え、
    前記第１コイルに通電することによって生じる磁束の向きと前記第２コイルに通電することによって生じる磁束の向きが逆向きとなるように前記第１および第２コイルに通電する電流が制御されることを特徴とする請求項１〜９のいずれかに記載の反射装置。
12. 前記磁性部材を前記ミラーに取り付ける連結部材を備え、前期連結部材の中心軸と前記電磁石が発生する力の作用線が略一致することを特徴とする特徴とする請求項１〜１１のいずれかに記載の反射装置。
13. 請求項１〜１２のいずれかに記載の反射装置を備えた投影光学系によって、原版のパターンを基板に投影することを特徴とする露光装置。
14. 請求項１３に記載の露光装置を用いて基板を露光する工程と、
    露光された基板を現像する工程とを備えることを特徴とするデバイス製造方法。
    

Images