TW200407884A - Manufacturing method of master disc for optical recording medium and manufacturing method of optical recording medium - Google Patents

Description

200407884 (1) 玖、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關於光.記錄媒體用原盤之製造方法及光記 錄媒體之製造方法，更詳言之，係有關於在光記錄媒體的 假想記錄格（cell)內，劃分2N種類之大小互異的凹坑，而 可使假想記錄格的光反射率成2N階變化之光記錄媒體用 原盤之製造方法，以及在假想記錄格（cell)內，劃分2N種 類之大小互異的凹坑，且假想記錄袼的光反射率被變化成 2N階的光記錄媒體之製造方法。 【先前技術】 先前以.來，用來記錄數位資料的記錄媒體，有CD和 DVD爲代表之光記錄媒體被廣泛利用。這些光記錄媒體 ，可大致分爲如CD-ROM和DVD-ROM這類不可追記或袜 寫之類型的光記錄媒體（ROM型光記錄媒體）..，CD-R和 DVD-R這類雖可追記資料但無法抹寫資料之類型.的光記 錄媒體（追記型光記錄媒體），以及CD-RW和DVD-RW 這類可抹寫資料之類型的光記錄媒體（抹寫型光記錄媒體 )。這些光記錄媒體中，作爲資料記錄的方式，被廣泛採 周者有’將欲記錄之資料，調變成沿著軌跡之凹坑及空白 領域之長度的方式。 近年來，伴隨著資料的高密度記錄需求，將光記錄媒 體的軌跡’在假想上’分割成具有所定長度的假想記錄格 (cell)，並在假想記錄格內，形成2n種類（N爲2以上的 -4- (2) (2)200407884 整數）之互異的任一記錄記號，以記錄N位元之資料的 所謂「多位準記錄方式（multi-level record)」.被提案。 在多位準記錄方式的構成，是將2N種類的凹坑之其 中一個形成假想記錄格，以記錄N位元的資料。其結果 爲，假想記錄格會具有反映被形成之凹坑種類的光反射率 ，因此，形成了不同之凹坑的假想記錄格，由於對雷射光 束具有不同的光反射率，故藉由將雷射光束沿著光記錄媒 體的軌跡照射、偵測被假想記錄格所反射之雷射光束的光 量，就可再生資料。 使用此種多位準記錄方式，各假想記錄格內，爲了製 作記錄有位元資料之R 〇 Μ型光記錄媒體’要求在假想記 錄格內，劃分2Ν種類之大小不同的凹坑’使假想記錄格 的光反射率會有2Ν種類之變化，因此，光記錄媒體用原 盤的製作，也要求在假想記錄格內，能夠劃分:2Ν種類之 大小不同的凹坑，以使假想記錄格的光反射率有2 Ν·種類 之變化。 【發明內容】^ ^ : 因此，本發明的目的在於，提供光記錄媒體用原盤的 製造方法，可在假想記錄格內，劃分2 Ν種類之大小不同 的凹坑，以使假想記錄格的光反射率有2Ν種類之變化。 本發明的其他目的在於’提供光記錄媒體的製造方法 ，可在假想記錄格內，劃分種類之大小不同的凹坑， 以使假想記錄格的光反射率有種類之變化。 -5- (3) 200407884 本發明人，爲了達到本發明所論 入硏究的結果，發現一旦改變用以使 的雷射光束的曝光功率，則會改變雷 盤的照射時間，與光記錄媒體之假想 關係；當用以使光阻原盤曝光所照射 率越高，即使將高的最大反射率分配 記錄格內，雷射光束照射至光阻原盤 生太大的變化，而在假想記錄格中， ’使記錄位準不同之資料可被記錄； 原盤曝光所照射的雷射光束的曝光功 最小反射率分配在光記錄媒體之假想 照射至光阻原盤的照射時間也不會發 假想記錄格中，形成大小互異之凹坑 資料可被記錄。 本發明是以所論之觀點爲基礎， 發明的前記目的，可藉由一種光記錄 法，係屬於爲了製造在假想設定之老 內，形成2N種類之凹坑（pi〇，並記彳 料的光記錄媒體的光記錄媒體用原盤 爲具備：照射雷射光束，使光阻原盤 盤上形成圖案的工程；及將前記光阻 轉印，以製作光記錄媒體用原盤之工 錄媒體之前記虛擬記錄格所分配之最 小光反射率，設定照射在前記光阻原 之目的，經過再三深 光阻原盤曝光所照射 射光束照射至光阻原 記錄格的光反射率之 的雷射光束的曝光功 在光記錄媒體之假想 的照射時間也不會發 形成大小互異之凹坑 反之，當用以使光阻 率越低，即使將低的 §己錄格內，雷射光束 生太大的變化y而在 ’使記錄位準不同之 若根據本發明，則本 媒體原盤之製造方 [數假想記錄格（cell) 彔有2位元以上之資 之製造方法，其特徵 曝光’在前記光阻原 原盤上所形成的圖案 程；且呼應前記光記 大光反射率及/或最 盤上的前記雷射光束 -6 - (4) (4)200407884 的曝光功率而達成。 本發明之其他理想實施形態中，前記光記錄媒體之前 記假想記錄格所分配之最大光反射率越高，就將照射在前 記光阻原盤上的前記雷射光束的曝光功率設定在越高的位 準。 本發明之其他理想實施形態中，前記光記錄媒體之前 記假想記錄格所分配之最小光反射率越低，就將照射在前 記光阻原盤上的前記雷射光束的曝光功率設定在越低的位 準。 本發明之其他理想實施形態中，前記光記錄媒體之前 記假想記錄格所分配之最大光反射率越高，就將照射在前 δ己先阻原盤上的]III 蕾射光束的曝光功率設定在越局的位 準，且將最大相對光反射率 RRaH與最小相對光反射率 RRhH，設定成滿足 1 00- RRaH<RRhH。 本發明之其他理想實施形態中，前記光記錄媒體之前 記假想記錄格所分配之最小光反射率越低，就將照射在前 記光阻原盤上的前記雷射光束的曝光功率設定在越低的位 準，且將最大祖對光反射率RRaL與最小相對光反射率 RRhL，設定成滿足 1 00'RRaL<RRhL。 甚至’本發明人，爲了達成本發明之前記目的，經過 再三深入硏究的結果，發現在光記錄媒體的假想記錄格內 ，形成同樣大小的凹坑，以記錄相同記錄位準之資料時， 無關於照射在光阻原盤上的雷射光束的線速度，藉由將照 射在光阻原盤上的雷射光束之曝光功率及/或曝光功率的 -7- (5) (5)200407884 脈沖寬度設定成實質上同一，就可在各假想記錄格內記錄 2位元以上之資料。 本發明係以所論之觀點爲基礎，若根據本發明，則本 發明的前記目的，復可藉由一種光記錄媒體用原盤之製造 方法，係屬於爲了製造在假想設定之複數假想記錄格內， 形成2N種類之凹坑，並記錄有2位元以上之資料的光記 錄媒體的光記錄媒體用原盤之製造方法，其特徵爲具備： 照射雷射光束，使光粗原盤曝光，在前記光阻原盤上形成 圖案的工程；及將前記光阻原盤上所形成的圖案轉印，以 製作光記錄媒體用原盤之工程；在前記光記錄媒體之前記 假想記錄格內，形成同樣大小的凹坑，記錄同樣記錄位準 的之資料時，無關於照射在前記光姐原盤之雷射3¾束的線 速度，將照射在前記光阻原盤上之雷射光束的曝光功率及 /或曝光功率的脈沖寬度設定成實質上同一而達成。、 本發明之理想實施形態中，前記光記錄媒體之前記假 想記錄格內，形成伺樣大小之凹坑，並記錄同樣記錄位準 之資料時，無關於照射在前記光阻原盤之雷射光束的線速 度，將照射在前記光阻原盤上之雷射光束的曝光功率及曝 光功率的脈沖寬度設定成實質上同一，而控制照射在前記 光阻原盤之雷射光束的曝光功率。 本發明之理想實施形態中，將照射在前記光阻原盤上 之雷射光束的曝光功率之位準、假想記錄格長度L，以及 照射於前記光阻原盤上的雷射光束的線速度V，設定成：. 使照射於前記光阻原盤上的雷射光束的線速度V、假想記 -8- (6) (6)200407884

錄格長度L，以及假想記錄格的光反射率呈實質上飽和所 需之照射光阻原盤的雷射光束照射時間Ts，滿足TsS L/V 〇 本發明之上記及其他目的和特徵，可藉由以下描述及 對應圖面而明瞭。 【實施方式】 以下將根據圖面，詳細說明本發明之理想實施形態。 第1圖係本發明之理想實施形態所論之光記錄媒體的 略斜視圖。第2圖係第1圖所示光記錄媒體的虛線圓圈部 份之放大槪略剖面圖。 如第l·圖與第2圖所示，本實施形態所論光記錄媒體 1，是以CD-ROM型之光記錄媒體的方式構成，具備透光 性基板1 1，及設於透光性基板1 1上的光反射層22及保 護層2 3 〇 如第1圖所示，透光性基板1 1是以透光牲樹脂形成 圓盤狀。 形成透光性基板1 1·所用的透光性樹脂，只要是對用 來再生資料的雷射光束具有高穿透率者，並無特別限定， 但理想可使用聚碳酸酯。 第2圖中，在透光性基板1 1的下面，構成有雷射光 束入射面，如第2圖所示，在透光性基板1 1的上面，從 其中心部往外緣部，形成有8種之大小互異的複數凹坑 Pa、Pb、Pc、Pd、Pe、Pf、Pg、Pho -9- (7) (7)200407884 反射層22，係當將記錄在透光性基板i !之資料進行 再生時，用來反射穿透透光性基板11之雷射光束的薄膜 層，是採用金、銀等金屬爲主的成份，以職鍍法形成。 如第2圖所示，爲了保護反射層22，保護層23是被 形成爲覆蓋在反射層22的表面上。 本實施形態中，透光性基板1 1分別爲具有約1.2mm 之厚度。 如第2圖所示，光記錄媒體1的軌跡，係在假想上被 分割成具有所定長度之複數假想記錄格S、S、…，各假 想記錄格S構成資料記錄單位。 第3圖係光記錄媒體1之複數假想記錄格S內所形成 之凹坑 P a、P b、P c、P d、P e、P f、P g、P h，和各假想言己 錄格S的光反射率之關係圖。 如第3圖所示，假想記錄格S、S、…，其沿軌跡> 方 向長度L，是被假想性地設定爲小於雷射光束的束徑D。 如圖3靳示，形成在假想記錄格S的凹坑H ( k = a〜 h )的尺寸越小者，則假想記錄格S的光反射率越大。本' 實施形態中，由於在假想記錄格S內形成了大小互異之8 種類的凹坑，故於光記錄媒體1中，記錄著3位元的資料 〇 以上構成之光記錄媒體1，是如下述過程所製造。 首先，製作用以製造透光性基板11的光記錄媒體用 原盤，亦即製作壓模（stumper)。 第4圖係本發明理想實施形態所論之光記錄媒體用原 -10- (8) (8)200407884 盤之製造方法中所使用之刻錄機。 如第4圖所示，本實施形態所論之刻錄機1 00，具備 :產生雷射光束101之雷射產生裝置102，及利用光電效 果的光調變器（EOM: Electro Optic Modulator) 103’ 及 劈光器104、106，及光調變單元105，及光學頭107，及 轉盤1 08。 轉盤1 0 8上，載置著光阻原盤1 1 〇。 光阻原盤1 1 〇，係具備玻璃基板1 1 〇a，及被層積在玻 璃基板1 l〇a上之感光性材料層1 l〇b之圓盤狀原盤，是用 來當作製造光記錄媒體用原盤的模型。 又，如第 4圖所示，光調變單元1 〇 5具備：透鏡 10 5a、光調變器l〇5b以及透鏡l〇5c，光學頭:107具備： 鏡子l〇7a及透鏡l〇7b。 如此構成的刻錄機1 〇〇中，如下述，雷射光束1〇ί被 聚光在光陧原盤1 1 〇的感光性材料層1 1 〇b，使光姐原盤 1 1 0的感光性材料層1 1 〇b曝光，其結果爲，在感光性材 料層1 10b ·.中，形成了欲對應於假想記錄格S而形成之凹 坑Pk之對應潛像：110c。 首先，將對應於欲形成在光阻原盤Π 0之感光性材料 層110b上之潛像110c的圖案的脈沖信號列105d，輸入 光調變單元的光調變器同時一邊使載置有光 阻原盤11 0的轉盤1 08旋轉，—邊令光學頭107在光阻原 盤1 ] 〇的半徑方向上移動。 由雷射產生裝置102所產生之雷射光束101，藉由光 -11 - (9) (9)200407884 調變器1 03將其功率調變成適合於感光性材料層n ob的 曝光程度後，經由劈光器104、劈光器l〇6gef 鏡子107a的反射，藉由透鏡i〇7b聚光在光阻原盤丨10上 〇 其結果爲，脈沖狀的雷射光束1 0 1，照射在光阻原盤 110的感光性材料層Π Ob，對應於欲形成在假想記錄格S 內之凹坑Pk之潛像1 1 0c，被形成在感光性材料層1 1 Ob 中c 第5圖（a)至（f)，係表示光記錄媒體用原盤之製程的 工程圖。 首先，如第5圖（a)所示，準備了具有玻璃基板1 l〇a ，及形成在玻璃基板1 l 〇a上的厚度爲100至1 5.0nm的感 光性材料層1 1 的光阻原盤1 1 0。在玻璃.基板11 0a與感 光性材料層1 1 〇b之間，亦可形成用以提高接著牲的接著 層。 接著，、如第5圖（b)所示，藉由光調變器lOSb，功率 經過調變的雷射光束101，藉由透鏡107b聚光在光阻原 盤1 1 0的感光性材料層11 〇b領域。感光性材料層1 1 〇b的 曝光領域之寬度與深度，是由雷射光束101的照射能量所 決定。 如此，感光性材料層π 0b內，便形成了對應於欲形 成在假想記錄格s內之凹坑Pk之潛像1 1 0C。 接著，在光阻原盤11 0的感光性材料層110b的曝光 領域上，噴灑一層氫氧化鈉溶液等之顯影液，如第5圖 -12- 200407884 (ίο) (C)所示，形成在感光性材料層1 1 0 b的潛像1 1 0 C便會顯 影，對應於潛像1 l〇c的凹部202便會形成。 如此，對應於欲形成在假想記錄格S內之凹坑Pk的 複數凹部202，一旦被形成於感光性材料層1 1 〇b上，緊 接著，如第5涵（d)所示，在經過顯影處理的感光性材料 層11 Ob上，藉由無電解電鍍法或蒸著法，形成鎳等金屬 薄膜203 〇 接著，將金屬薄膜203的表面當作陰極，以鎳等做爲 陰極的厚膜電鍍法，’如第5圖（e)所示，在金屬薄膜2 〇 3 上，形成厚度約0.3 // m的金屬膜204。 接著，將光阻原盤1 1 0 '從金屬薄膜2 0 3剝離，施以洗 淨及必要之加工，如第5圖（f)所示，製作光記錄..媒體用 原盤 2 0 5。 …' 如第5 ·圖（f)所示，在如此製作成之光記錄媒體用原 盤2 0 5上，轉印有被形成在感光性材料層丨丨〇b之複數凹 部202的圖案，形成複數之凸部206。 接著，使用光記錄媒體甩原盤20 5，如下述般製作在 各假想記錄格S內形成有凹坑:Pk的光記錄媒，體q。 第6圖（a)至（c )，係表示光記錄媒體1之製程的工程 圖。 首先’如第6圖（a)所示，使用光記錄媒體用原盤205 ，以射出成形法，射出成形厚約1 .2mm的透光性基板1 1 c 其結果爲’形成在光記錄媒體用原盤2 0 5的表面上的 -13- (11) (11)200407884 複數凸部206，被轉印至透光性基板1 1表面，製作表面 具有複數凹部、亦即製作形成有多數凹坑的透光性基板 11° 接著，如第6圖（b )所示，在透光性基板11的凹坑p k 形成側的表面上，形成反射層22。反射層22，係例如可 藉由使用將含有反射層2 2的構成元素的化學種的氣相成 長法來形成。氣相成長法可列舉如真空蒸著法、濺鍍法等 〇 接著，如第6圖（c)所示:，在反射層22的表面上，形 成保護層23。保護層23，係可藉由例如將聚丙烯系的紫 外線硬化性樹脂或環氧系的紫外線硬化性樹脂，.溶解於溶 劑中，調製成樹脂溶液V，藉由旋轉鍍膜法，：在反射層，2 2 上塗佈樹脂溶液，而彤成。 如上述，製作出在各假想記錄格S內，形成有凹坑 P k的光記錄媒體1'。 、 如上述，在光記錄媒體1的各假想記錄格S內，爲了 記錄3位元的資料，在光記錄媒體1上，必須形成大小互 異的8種凹坑,。 因此，如上述由於欲形成在光記錄媒體1的假想記 錄格S之凹坑Pk，是由形成在光記錄媒體用原盤2 05之 複數凸部206所轉印、形成的；形成在光記錄媒體用原盤 2 0 5的複數凸部2 0 6，是由形成在光阻原盤1 1 0的感光性 材料層1 1 Ob上的複數凹部202所轉印、形成的；故爲了 在光記錄媒體1上形成大小互異的8種凹坑，必須在光阻 -14- (12) (12)200407884 原盤1 1 0的感光性材料層1 1 Ob上，形成對應於欲形成在 假想記錄格s內之大小互異之凹坑Pk的複數凹部202。 如上述，感光性材料層1 1 Ob的曝光領域的寬度與深 度，亦即，凹部202的大小，是由照射在感光性材料層 1 l 〇b之該領域的雷射光束101的能量所決定，故爲了在 光記錄媒體1的各假想記錄格S內記錄3位元的資料，必 須要將照射在對應於光記錄媒體1之假想記錄格S的光阻 原盤110的感光性材料層]l〇b的假想領域S’的雷射光束 101的能量，作8階段控制。 第7圖係照射在對應於光記錄媒體1之假想記錄格S 的光阻原盤110的感光性材料層ll〇b的假想領域s’的雷‘ 射光束〗0 1的功率調猶波形之圖示。 如第7圖所示，照射在對應於光記錄媒體1的假想記 錄袼S之光阻原盤1 1 0的感光性材料層1 1 〇b的假想領域 S，上的雷射光束1 01的功率，是在曝光功率Pw與基底功 率Pb之間選擇牲地調變，且對應著欲形成在感光性材料 層110b的假想領域S，之凹部202的大小，以設定使雷射 光束功率在曝光功率Pw的時間Ta、Tb、Tc、Te、Tf ' Tg、Th。此處，雷射光束1 〇 1的功率調變波形，是對應 於輸入光調變器l〇5b之脈沖信號列1〇5 d ° 第8圖係在光記錄媒體之假想記錄格內’形成最小凹 坑P a之方法的工程圖。 首先，如第8圖所示，欲照射在感光性材料層1 1 0 b 的雷射光束1 〇 1的脈沖寬度被設定在最小寬度亦即T a ° -15- (13) (13)200407884 接著，雷射光束1 〇 1會照射光阻原盤11 〇的感光性材 料層1 1 〇b的假想領域s’。此處，由於照射在感光性材料 層1 1 0 b的雷射光束1 〇 1的能量爲最小，因此形成在感光 性材料層1 1 0 b的潛像1 1 〇 C之尺寸亦爲最小。 接著，將如此形成於光阻原盤11 〇的感光性材料層 1 1 0 b的假想領域S ’上的潛像1 1 0 C顯影，便在感光性材料 層1 1 Ob的假想領域S ’上形成最小的凹部2 02。 接著，在經過顯影處理之感光性材料層1 1 〇b上，藉 由無電解電鍍法或蒸著法，形成鎳等金屬薄膜（未圖示） ，又在金屬薄膜上，形成金屬膜之後，將光阻原盤Η 〇從 金屬薄膜剝離，施以洗淨等必要加工，如第8圖（d.)所示 ’製作成光記錄媒體用原盤205。 接著，使甩光記錄媒體用原盤205，藉由射出成形祛 ’射出成形厚_ 1.2mm的透光性基板1 1，如第8圖（已）所 示’製作形成有最小凹坑Pa之透光性基板1 1。 如此，藉由將照射在光祖原盤 Η 0的感光性材料層 1 I 〇b之假想領域S ’的雷射光束1 0 1的脈沖寬度設定在最 小寬度之Ta，便可在光記，錄媒體1的假想記錄格S:中形. 成最小凹坑Pa，使得假想領域內，被分配成最大光反 射率。 第9圖係在光記錄媒體之假想記錄格內，形成最大凹 坑Ph之方法的工程圖。 首先，如第9圖（a)所示，欲照射在感光性材料層 〇b的雷射光束1〇1的脈沖寬度被設定在最大寬度亦即 -16- (14) (14)200407884

Th 〇 接著，雷射光束l 〇 l會照射光阻原盤11 0的感光性材 料層1 1 Ob的假想領域S ’。此處，由於照雷射光束1 〇 1的 脈沖寬度被設定在最大寬度Th，故照射在感光性材料層 1 1 0 b的雷射光束1 〇 1的能量爲最大’因此形成在感光性 材料層1 1 0 b的潛像1 1 0 C之尺寸亦爲最大。 接著，將如此形成於光阻原盤110的感光性材料層 1 1 0 b的假想領域S ’上的潛像1 1 〇 C顯影，便在感光性材料 層1 10b的假想領域S’上形成最大的凹部202。、 接著，在經過顯影處理之感光性材料層1 1 〇b上，藉 由無電解電鍍法或蒸著法，形成鎳等金屬薄膜（未圖示） ，又在金屬薄膜上，形成金屬膜之後，將光阻原盤11 〇從 金屬薄膜剝離，施以洗淨等必要加工，如第9圖（d)所示 ，製作成光記錄媒體用原盤205。 接著，使用光記錄媒體用原盤2 0 5，藉由射出成形祛 ，射出成形厚約1 .2mm的透光性基板1 1，如第.9圖（€)所 示，製作形成有最大凹坑Ph之透光性基板11。 如此，藉由將照射在光阻原盤1 1 〇的感光性材料層 ll〇b之假想領域S切雷射光束101的脈沖寬度設定在最 大寬度之Th，便可在光記錄媒體1的假想記錄格S.中形 成最大凹坑Ph，使得假想領域S1內，被分配成最小光反 射率。 同樣地，藉由將照射在光阻原盤1 1 0的感光性材料層 1 10b的假想領域S’的雷射光束101的脈沖寬度，分別設 -17- (15) (15)200407884 定在Tb、Tc、Te、Tf、Tg，便可在假想記錄格S內分別 形成具有對應之尺寸的Pb、Pc、Pd、Pe、Pf、Pg，並將 對應之光反射率，分配給假想記錄格S。 •第1 〇圖係在對應於光阻原盤 Π 〇之感光性材料層 1 1 〇b之假想記錄格S的假想記錄領域S ’上，照射了功率 被設定爲曝光功率Pw之雷射光束1 1 0之時間，與使用光 阻原盤1 1 〇製作成光記錄媒體]之假想記錄格S的光反射 率之關係圖。 如上述，由於對應於光阻原盤1 1 〇之感光性材料層 1 l〇b之假想記錄格S的假想領域S’上，功率被設定爲曝 光功率P w之雷射光束1 1 〇之照射時間被設定越長，亦即， 光阻原盤：1 1 〇的脈沖寬度越大，所以形成在光記錄媒體1 之假想記錄格S的凹坑Pk也越大，使得假想記錄格S的 光反射率下降。 因此，藉由被設定在曝光功率Pw之雷射咣束10:1，· 照射在對應於光阻原盤1 1 0之感光性材料層0A之假想 記錄格S的假想領域S’上的時間爲Ta，以將最短時的假 想記錄格s的光反射率:Ra，分配給假想記錄格S的光反 射率以做爲最大光反射率；同時，被設定在曝光功率Pw 之雷射光束1 01，照射在對應於光阻原盤110之感光性材 料層nob之假想記錄格S的假想領域S1上的時間爲Til， 以將最長時的假想記錄格S的光反射率Rh ’分配給假想 記錄格s的光反射率以做爲最小光反射率；並決定6種互 異之光反射率Rb、Rc、Rd、Re、Rf、Rg，做爲凹坑Pk -18- (16) (16)200407884 之大小互異的假想記錄格S的光反射率而分配’將假想記 錄格S之光反射率成Ra、Rb、Rc、Rd、Re、Rf、Rg、Rh 所需之照射在感光性材料層1 1 Ob的假想領域S’上的曝光 功率Pw之雷射光束1 〇 1的照射時間——決定；反映於欲 形成在光記錄媒體〗之假想記錄格S之凹坑Pk的尺寸’ 將雷射光束1 〇 1照射在對應於光阻原盤1 1 〇之感光性材料 層ll〇b之假想記錄格S的假想領域S’上，使得在光記錄 媒體1之各假想記錄格S內，可以記錄3位元之資料。 但是，照射在‘對應於光姐原盤.110之感光1生材料層 ll〇b之假想記錄格S的假想領域S'的雷射光束】〇1的最 大照射時間Tmax是等於L/V (此處，L爲對應於感光性 材料層1 1 0 b之假想記錄格S的假想領域S ’的長度，亦即 假想記錄格S的長度；V爲刻錄機100的線速度），故爲 了使假想記錄格S具有最小光反射率Rh，必頌將用已在 假想記錄格S內形成最大凹坑Ph之雷射光束1 0 1的照射 時間Th，設定在Tmax·以下。 如第Γ0圖所示，光記錄媒體1的假想記錄格S的光 反射率，在照射至感光性材料層ll〇b之假想領域S’之被 設定爲曝光功率Pw的雷射光束1 0 1的照射時間爲未滿第 一所定時間之領域A內時，即使增大雷射光束101的照 射時間也不會有太大變化，旦當到達第一所定時間以上、 且未滿第二所定時間之領域B時，隨著照射時間增大而略 呈線性下降，而當被設定爲曝光功率Pw的雷射光束1〇1 的照射時間達到第二所定時間以上之領域C畤，即使增大 -19- (17) (17)200407884 雷射光束1 〇 1的照射時間也不會有太大變化，光反射率會 到達RS。這是因爲感光性材料層11 Ob，具有以下性質： 光阻原盤1 1 0之感光性材料層1 1 Ob在被設定爲曝光功率 Pw的雷射光束101照射後瞬間，便發生些微的變質，且 若自設定爲曝光功率Pw的售射光束1 〇 1照射開始起，經 過第一靳定時間，則感光性材料層1 1 Ob的變質程度，會 隨著雷射光束1 0 1的照射時間增大，而呈線性增大；而經 過第二所定時間後，即使增大雷射光束1 〇 1的照射時間， 感光性材料層1 1 〇b的變質程度也幾手不會增大。 因此，不只領域B的光反射率，連領域A與領域C 內的光反射率也是，當被分配做爲假想記錄格S的光反射 率時，使用領域B內的光反射率，在假想記錄格i S內形 成大小互異的凹坑，以記錄不同記錄位準之資料的情況， 與使用領域A及領域C內的光反射率，在假想記錄格S 內形成大小互異的凹坑，以記錄不同記錄位準之資料的情 況相比較，由於後者對感光性材料層1 1 Ob的假想領域S’ 照射被設定爲曝光功率Pw的雷射光束101之照射時間必 須要有較大的變化，敢將第1 0圖所示的領域B內的光反 射率，做爲假想領域S’之光反射率而分配之，以使假想記 錄格S的光反射率‘就會像所分配之値一樣地，來照射至控 制感光性材料層1 l〇b之假想領域S’之設定爲曝光功率Pw 的雷射光束1 〇 1的照射時間，以在光記錄媒體1之假想記 錄格S內，形成大小互異之凹坑，以記錄不同記錄位準之 資料者爲理想。 -20- (18) (18)200407884 旦在此同時，將第1 0圖所示的領域B內的光反射率 ，做爲假想領域S ’之光反射率而分配之，以使假想記錄格 s的光反射率就會像所分配之値一樣地，來照射至控制感 光性材料層110b之假想領域Y之設定爲曝光功率Pw的 雷射光束1 0 1的照射時間，以在光記錄媒體1之假想記錄 格S內，形成大小互異之凹坑，以記錄不同記錄位準之資 料的情況下，最大反射率Ra，及最小反射半Rh的差異無 法十分明顯，其結果爲，很難獲得具有足夠寬廣Z時序車E 圍的再生信號。 因此，即便不使設定爲曝光功率Pw的雷射光束101 之照射時間有很大的變化，也能在光記錄媒體1的假想記 錄格S內形成大小互異的凹坑，，並在記錄不同記錄位準之 資料的可能範圍肉，使假想記錄格S的最大光反射率v Ra ，盡量接近未形成記錄標記之假想記錄格S.的光反射率 R〇，且使假想記錄格S的最小光反射率Rh，盡量接近飽 和光反射率Rs，以此方式分配各假想記錄格S的光反射 率，並決定設定爲曝光功率Pw的雷射光束1 〇 1照射至感 光性材料層1 1 〇b之假想領域S ’的照射時間的最大値與最 小値，這對再生具有寬廣時序範圍之信號而言爲理想。 於是，本發明人經過再三深入硏究，發現一旦照射在 感光性材料層ll〇b之假想領域S’之雷射光束101的曝光 功率P w的位準發生變化，則如第1 〇圖所示對應於光阻 原盤1 1 0之感光性材料層Π Ob之假想記錄格S的假想領 域S ’上，設定爲曝光功率Pw的雷射光束1 〇 1的照射時間 -21 - (19) (19)200407884 ，和使用光阻原盤11 〇製作成的光記錄媒體1之假想記錄 格S的光反射率之關係會產生變化，雷射光束1 01的曝光 功率Pw的位準越高，即使在假想領域s ’內分配較高的最 大反射率，也不必使設定爲曝光功率Pw的雷射光束101 的照射時間有太大的變化，就可在假想記錄格s內，形成 大小互異的凹坑，記錄不同記錄位準之資料；反之，雷射 光束1 0 1的曝光功率PW的位準越低，即使在假想領域S· 內分配較低的最小反射率，也不必使設定爲曝光功率Pw 的雷射光束1 0 1的照射時間有太大的變化，就可在假想記 錄格S內，形成大小互異的凹坑，記錄不同記錄位準之資 料。 第1 1 .圖所示。若根據本發明人的硏究，若將感光性 材料層1 i Ob的曝光所用的雷射光束1 0 1的曝光功率P W 設定爲高位準，:光記錄媒體1的假想記錄袼S的光反射率 ，會從設定爲曝光功率Pw的雷射光束1 0 1開始照射後的 短時間內，：換言之，在光反射率爲高的階段下，：隨著雷射 光束1 0 1的照射時間增大，而呈略線形下降，而且在早期 階段，換言之，在光反射率還未降至很低的階段下，即使 雷射光束1 0 1的照射時間增大，光反射率也無太大變化， 因此認定爲到達飽和光反射率Rs ;反之，若將感光性材 料層1 1 0 b的曝光所用的雷射光束1 0 1的曝光功率p w設 定爲低位準，光記錄媒體1的假想記錄格S的光反射率， 會從設定爲曝光功率P w的雷射光束1 〇 1開始照射經過比 較長的時間後，即使雷射光束1 0 1的照射時間增大，也無 -22- (20) (20)200407884 太大變化，而到了光反射率比較低的階段時，髓著雷射光 束1 〇 1的照射時間增大，光反射率會呈略線形下降，且一 直到達即使雷射光束1 〇 1的照射時間增大光反射率也無太 大變化爲止的所需時間長，光反射率變得十分的低，因此 認定即使一開始雷射光束1 〇 1的照射時間增大，光反射库 也不會發生太大的變化。 因此，若將感光性材料層1 1 〇b的曝光所用的雷射光 束1 0】.的曝光功率PW設定爲高位準，則即使分配給假想 記錄格S的最大光反射率設定在很高的値，設定爲曝光功 率PW的雷射光束1 0 1的照射畤間不必有太大的變化··，就 可在假想記錄格S內形成大小互異的凹坑”記錄不同記錄 位準的資料，故當將感光性材料層1 1 Ob的曝光所用的雷 射光束101的曝光功率PW設定爲PwH時，可分配給假想 記錄格 S的最大光反射率RaH及最大相對光反射率 RRaH(%)，以及當將感光性材料層1 I 〇b的曝光所用的雷 射光束1 01的曝光功率P w設定爲P wL(P WL <: P wH)時，; 可分配給假想記錄格S的最大光反射率RaL及最大相對 光反射率RRaL(%)，滿足下式:

RaL < RaH

RRaL < RRaH 此處，令絕對光反射率爲 Ri時的相對光反射率 -23- (21) (21)200407884 RRi (%) = {(Ri - Rs) / (R〇 - Rs) } x 100 如此，藉由反映分配給假想記錄格S之最大光反射率 R a及最大相對光反射率R R a (% )，來設定感光性材料層 110b曝光所用的雷射光束1〇1的曝光功率pw之位準，·使 得即使分配給假想記錄格S的最大光反射率R a及最大相 對光反射率 RRa (%)設定爲很高的値，設定爲曝光功率 Pw的售射光束1〇 1的照射時間也不必有很大的變化，就 可在假想記錄格S內形成大小互異的凹坑，記錄不周記錄 位準的資料，且可獲得具有廣時序範圍的再生信號。 ; 反之，若將感光性材料層11:〇13的曝光所用的雷射光 束I 〇1的曝光功率Pw設定爲低位準，則即使分配給假想 記錄格S的最小光反射率設定在很低的値，設定爲曝光功 率p W的雷射光束1 〇 1的照射時間不必有太大的“變化，就 可在假想記錄格S內形成大小互異的凹坑，記錄不同記錄 位準的資料，故當將感光性材料層1 1〇b的曝光所用的雷 射光束101的曝兇功率？〜設定爲？^^時，可分配給假想 記錄格 S的最小光反射率 RhL及最小相對光反射率 RRhH(%)，以及當將感光性材料層丨10b的曝光所用的雷 射光束101.的曝光功率Pw設定爲pwL(PwL < PwH)時， 可分配給假想記錄格S的最大光反射率RhL及最大相對 光反射率RRhL(%)，滿足下式： -24- (22) (22)200407884

RaL < RaH

RRaL < RRaH 如此，藉由反映分配給假想記錄格S之最小光反射率 Rh及最小相對光反射率RRh (%)，來設定感光性材料層 110b曝光所用的雷射光束101的曝光功率Pw之位準，使 得即使分配給假想記錄格S的最小光反射率Rh及最小相 對光反射率RRh (%)設定爲很低的値，設定爲曝光功率: Pw的雷射光束101的照射時間也不必有很大的變化，.就 可在假想記錄格s內形成大小互異的凹坑，記錄不同記錄 位準的資料，且可獲得具有廣.時序範圍的再生信號V . 再者，如第1 1圖所示，將感先性材料層1 1 Ob的曝光 所用的雷射光束1 (Π的曝光功率Pw設定爲高位.準時，光 記錄媒體1的假想記錄格S的先反射率，在光反谢率位準 比較高的階段下，隨著雷射光束101的照射诗間增大，而 呈略線形下降；反之，光記錄媒體1的假想記錄袼s的光 反射率，.在光反射率還未降至足夠低之準位的階段下，即 使令雷射光束1 0 1的照射時間增大，也幾乎沒有變化.，故 爲了要提高分配至假想記錄格S的光反射率，當感光性材 料層1 1 Ob的曝光靳用的雷射光束1 0 1的曝光功率Pvv，設 定爲高位準PwH時，分配給假想記錄格S的最大相對光 反射率R R a Η及最小相對光反射率R R h Η，需要被決定成 滿足下式： -25- (23) (23)200407884

100 - RRaH < RRhH 當將感光性材料層1 1 Ob的曝光所用的雷射光束1 0 1 的曝光功率PW設定爲PwH時，藉由上述式子決定分配給 假想記錄格S的最大相對光反射率RRaH及最小相對光反 射率RRhH，可使雷射光束101的曝光功率Pw爲PwH時 ，即使設定爲曝光功率Pw的雷射光束101的照射時間也 不必有很大的變化，就可在假想記錄格S內形成大小互異 的凹坑，記錄不同記錄位準的資料的可能範圍內，可個別 分配假想記錄格S的最大相對光反射率&1^:1^及最小相對 光反射率RRhH。· 相對於此，將感光性材料層1 l〇b的曝光所用的雷射 光朿1 01的曝光功率Pw設定爲低位準時，如第1 .1圖所 示，光記錄媒體1的假想記錄格S的光反射率，在光反射 率位準比較低的階段下，·隨著雷射光束1 〇 1的照射時間增 大，也不會呈略線形下降；反之，光記錄媒體1的假想記 錄格S的光反射率，在光反射率還未降至足夠低之準位的 階段下，隨著雷射光束的照射時間增大，而呈赂線形 下降，故爲了要分配至假想記錄格S的光反射率，當感光 性材料層1 1 Ob的曝光所甩的雷射光束1 0 1的曝光功率Pw 設定爲低位準PwL時，分配給假想記錄格S的最大相對 光反射率RRaL及最小相對光反射率RRhL，需要被決定 成滿足下式： -26- (24) 200407884

100 - RRaL < RRhL 當將感光性材料層1 1 Ob的曝光所用的雷射 的曝光功率Pw設定爲PwL時，藉由上述式子決 假想記錄格S的最大相對光反射率RRaL及最小 射率RRhL，可使雷射光束101的曝光功率Pw ； ，即使設定爲曝光功率Pw的雷射光束101的照 不必有很大的變化，就可在假想記錄格S內形成 的凹坑，記錄不同記錄位準的資料的可能範圍內 分配假想記錄格S的最大相對光反射率RRaL及 光反射率RRhL。 〃 按照以上的基本考量，反映著分配至假想記 最大光反射率Ra及最大相對光反射率RRa以及 射率Rh及最小相對光反射率RRh，來選擇光阻 之感光性材料層1 1 Ob的曝光所用的雷射光束1 ( 功率 P w，並根據其他特性，例如，資料再生時 ，從所選擇之雷射光束101的曝光功库Pw中， 佳曝光功率Pw。 接著，將最大光反射率Ra與最小光反射率 的光反射率略分成7等分，決定6種彼此互異的 Rb、Rc、Rd、Re、Rf、Rg，作爲不同位準之記 假想記錄格S的光反射率而分配之，並使假想記 光反射率成爲 Ra、Rb、Rc、Rd、Re、Rf、Rg、 之欲照射在感光性材料層110b的假想領域 光束101 定分配給 相對光反 i PwL 時 射時間也 大小互異 ，可個別 最小相對 錄格S的 最小光反 原盤1 10 >1的爆光 的錯誤率 決定出最 Rh之間 光反射率 錄資料的 錄格s的 Rh所需 雷射光束 -27- (25) (25)200407884 101的曝光功率Pw之最佳位準，與設定爲最佳曝光功率 Pw的雷射光束1〇1對感光性材料層uob之假想領域S·的 照射時間，按照凹坑大小互異的假想領域s’而分別決定之 ’產生曝光條件設定用資料。 若根據本實施形態，因爲是分配至假想記錄格S的最 大光反射率R a及最大相對光反射率R R a (%)越局’貝I[將 光阻原盤1 Γ0之感光性材料層1 1 Ob的曝光所用的雷射光 束1 0 1的曝光功率Pw設定爲越高位準之構成，故即使分 配至假想記錄格S的最大光反射率Ra與最大相對光反射 率RRa (%)是很高的値，設定爲曝光功率pw的雷射光束 1 〇 1的照射時間也不必有太大變化，就可在假想記錄格S 內齡成大··小互異的凹坑，記錄不同記錄位準的資料，且可 獲得具有廣時序範圍的再生信號。 又’若根據本實施形態，因爲是分配至假想記錄格S 的最小光反射率Rh及最小相對光反射率RRh (%)越低， 則將光阻原盤1 ] 0之感光性材料層1 10b的曝光所兩的雷 射光束1 〇 1的曝光功率Pw設定爲越低位準之構成，故即 使分配至假想記錄格S的最小光反射率Rh與最小相對光 反射率RRh (%)是很低的値，設定爲曝光功率pw的雷 射光束1 〇 1的照射時間也不必有太大變化，就可在假想記 錄格S內形成大小互異的凹坑，記錄不同記錄位準的資料 ，且可獲得具有廣時序範圍的再生信號。 再者’若根據本實施形態，爲了提高分配至假想記錄 格S的最大光反射率，而將感光性材料層〗1 0b的曝光所 -28- (26) (26)200407884 用的雷射光束101的曝光功率Pw設定爲高位準PwH時， 由於分配給假想記錄格S的最大相對光反射率RRaH及最 小相對光反射率RRhH，是以滿足下式而決定，所以當將 感光性材料層1 l〇b的曝光所用的雷射光束101的曝光功 率Pw設定爲PwH時，即使設定爲曝光功率Pw的雷射光 束1 0 1的照射時間也不必有很大的變化，就可在假想記錄 格S內形成大小互異的凹坑，記錄不同記錄位準的資料的 可能範圍內，、可個別分配假想記錄格S的最大相對光反射 率RRaH及最小相對光反射率RRhH。

100 - RRaH < RRhH 又，若根據本實施形態，爲了降低分配至假想記錄袼 S的最小光反射率，而將感光性材料層1 1 Ob的曝光所用 的雷射光束】〇 1的曝光功率Pw設定爲低位準p wL畤，由 於分配給假想記錄格s的最大相對光反射率RRaL及最小 相對光反射率RRhL，是以滿足下式而決定，所以當將感 光性材料層11 〇 b的;爆光所甩的雷射光束1 〇 1的曝光功率 Pw設定爲PwL.時，即使設定爲曝光功率Pw的雷射光束 1 0 1的照射時間也不必有很大的變化，就可在假想記錄格 S內形成大小互異的凹坑，記錄不同記錄位準的資料的可 能範圍內，可個別分配假想記錄格S的最大相對光反射率 RRaL及最小相對光反射率RRhL。 -29- (27) (27)200407884

1 00 - RRaH < RRhH 第1 2圖係本發明之其他實施形態所論之光記錄媒體 用原盤2 0 5的製造方法中所用之，照射在對應光記錄媒體 1的假想記錄格S之光阻原盤1 1 〇的感光性材料層1 1 〇b 的假想領域S，上的雷射光束1 0 1的功率之調變波形圖。 第12圖中，對應於光記錄媒體1的假想記錄格S之 光阻原盤1 1 0的感光性材料層1 1 〇b的假想領域S ’之長度 ，是以雷射光束101通過假想記錄格S所需時間，亦即最 大照射時間Tmax的形式來表示。 如上述，雷射光束1 0 1對光阻原盤Η 0的感光牲材料 層i l〇b的假想領域〃 最大照射時間Tmax，·爲等於. L/V (此處，l爲對應於:感光性材料層ll〇b之假想記錄格 S的假想領域S ’的長度，亦即假想記錄格S的長度V爲 刻錄機1 00的線速度），故爲了使假想記錄格S具有最小 光反射率Rh，必須將用以在假想記錄格S內形成最大凹 坑Ph之雷射充束1〇1的照射時間丁^設定在丁如打以下 c .· 例如，當假想記錄格S的長度爲60(him，刻錄機1〇〇 的線速度V爲基準速度的χΐ也就是i.2m/sec時，如第12 圖所示’爲了在假想領域S，內，形成對應於最大凹坑Ph 之潛像1 1 〇c之雷射光束〗〇丨的照射時間Th，必須設定爲 5 0〇nsec以下；而當刻錄機1〇〇的線速度v爲二倍速之χ2 也就是2.4m/sec時，如第12圖所示，爲了在假想領域s， -30- (28) 200407884 內，形成對應於最大凹坑Ph之潛像110c之雷射光束ι〇1 的照射時間Th，必須設定爲25 0nsec以下；而當刻錄機 100的線速度V爲四倍速之x4也就是4.8m/sec時，如第 1 2圖所示，爲了在假想領域S ’內，形成對應於最大凹坑 Ph之潛像1 10c之雷射光束101的照射時間Th，必須設定 爲12 5 nsec以下。

又，由第1 〇圖可知，各假想記錄格S的光反射率之 分配，必須要使假想記錄格S的最大光反射率Ra，盡量 接近未形成記錄標記之假想記錄格S的光反射率..r〇，且 假想記錄格S的最小光反射率Rh，要盡量接近光反射率 爲實質飽和之飽和反光率Rs，以決定光阻原盤1 1〇之感 光性材料層1 1 〇b之曝光所用之設定爲曝光功率Pw的雷 射光束的照射時間的景大値與最小値，這是爲了獲得具有 廣時序範圍的再生信號而言的理想狀況。：

因此，理想狀祝爲，設定光粗原盤1 1 0的感光性材料 層 1 1 0 b之曝光用之雷射光束的曝光功率Pw的位準、假 想記錄格的長度L及刻錄機1 〇〇的線速度V，使得刻錄機 1 〇〇的線速度爲最大’時的Tm ax，亦即L/V [是在「爲了在 假想記錄格S內形成使假想記錄格S的光反射率爲飽和光 反射率Rs之尺寸的凹坑，照射至光阻原盤1 10之感光性 材料層1 l〇b之假想領域S’上的雷射光束101之雷射光束 的必須照射時間Τ s」以下，亦即，滿足下式：

Tmax = L/Vniax 〇 -31 - (29) (29)200407884 如第12圖所示，照射在光阻原盤110之感光性材料 層1 l〇b之假想領域s’上的雷射光束101之功率，是在曝 光功率p w與基底功率p b之間選擇性地調變，且對應於 欲形成在假想記錄格s內之凹坑Pa、Pb、Pc、Pd、Pe、 P f、P g、P h，設定雷射光束1 〇 1的功率設定爲曝光功率 Pw的時間，亦即曝光功率Pw的脈沖寬度Ta、Tb、Tc、 Td、Te、Tf、Tg、Th 〇 如第12圖所示，雷射光東1 0 1對光阻原盤1 1 〇之感 光性材料層1 1 Ob之假想領域S’的最大照射時間Tmax，是 隨著刻錄機100的線速度越高而越短，在本實施形態中’ 在記錄線速度爲最大之四倍速x4之情況下，亦設定用以 使光阻原盤：1 1 Ό的感光性材料層1 1 〇b曝光之雷射光束的 曝光功率Pw以及假想記錄格S的長度L，以使得、’Tma:x 大於用以在假想記錄格S內形成最大凹坑Ph而使雷射光 束1 〇 1對假想領域’ S1的照射時間Th，即用以使假想記錄/ 格S的光反射率爲最小所需之雷射光束1 〇 1對假想領域S ’ 的照射時間Th，亦即滿足Th ^ Tmax。 因此，如第1 2圖所示，無關於刻錄機1 00的線速度 V，藉由使用一定之調變波形，來調變用以使光阻原盤 1 1 〇的感光性材料層1 10b曝光之雷射光束的功率，就可 如所望般地在假想記錄格S內，形成大小互異的凹坑Pa 、Pb、Pc、Pd、Pe、Pf、Pg、Ph° 第1 3圖係使照射在對應於光阻原盤i i 〇的感光性材 -32- (30) (30)200407884 料層110b的假想記錄格s之假想領域s’上的雷射光束 1 〇 1之曝光功率P w發生變化時的雷射光束1 ο 1的照射時 間，與使用光阻原盤1 1 0製作成光記錄媒體1之假想記錄 格s的光反射率的關係圖。 如上述，若將感光性材料層Π Ob曝光所用之雷射光 束101的曝光功率PW設定爲高位準，則光記錄媒體1之 假想記錄格s之光反射率，會從設定爲曝光功率Pw的雷 射光束1 〇 1開始照射後的短時間內，換言之，在光反射率 爲高的階段下，隨著雷射光束1 〇 1的照射時間增大，而呈 略線形下降，而且在早期階段，換言之，在光反射率還未 降至很低的階段下，即使雷射光束1 〇1的照射時間增大， 光反射率也無太大變.化，因此認定爲到達飽和光反射率 Rs ;反之，若將感光性材料層1 1 〇b的曝光所用的雷射光V 束1 0 1的曝光功率Pw設定爲低位準，光記錄媒體Γ的假 想記錄格S的光反射率，會從設定爲曝光功率：Pw的雷射. 光束 1 〇 1開始照射經過比較長的時間後，即使雷射光束 1 0 1的照射時間增大，也無太大變化，而到了光反射率比 較低的階段時，隨著雷射光束1 01的照射時間增大，光反〃 射率會呈略線形下降，且一直到達即使雷射光束101的照 射時間增大光反射率也無太大變化爲止的所需時間長，光 反射率變得十分的低，因此認定即使一開始雷射光束1 0 1 的照射時間增大，光反射率也不會發生太大的變化。 因此，如第1 3圖所示，使光記錄媒體1之假想記錄 格S之光反射率實質上達到飽和光反射率Rs所須之雷射 -33- (31) (31)200407884 光束1 0 1對感光性材料層1 1 0 b的照射時間T s ’是感光性 材料層1 1 0 b的曝光所用之雷射光束1 0 1的曝光功率P w 位準越高而越短，光記錄媒體1之假想記錄格S之光反射 率達到最小光反射率所需之雷射光束1 0 1對感光性材料層 1 1 0 b的照射時間Th，亦是感光性材料層1 1 〇 b的曝光所用 之雷射光束丨〇 1的曝光功率p w位準越高而越短；反之， 由於照射至對應於假想記錄格s之感光性材料層110b的 假想領域s '的雷射光束1 〇 1的最大照射時間Tm ax，是依 存著假想記錄格S的長度L與刻錄機100的線速度V ’故 必須要將感光性材料層1 1 〇b曝光用雷射光束1 0 1之曝光 功率Pw的位準、假想記錄格S的長度L集刻錄機1 00的 •線速度V，設定成滿足Th4 Tmax = L/Vmax者爲理想。 若根據本實施形態，藉由將感光性材料層11 〇b曝光 用雷射光束1 01之曝光功率P w:的位準、假想記錄格S的 長度L集刻錄機1 〇〇的線速度V，設定成滿:足ThSTmax =L/Vmax或Ts:麵T.max = : L/Vmax，無關於刻錄機1 〇〇的 線速度V，藉由將光阻原盤1 1 〇之感光性材料層1 ! 〇b曝 光用雷射光束1 σ 1.的曝光功率pw及曝光功率pw的脈沖 寬度設定成同一：，、使雷射光束101照射感光性材料層 1 1 〇 b的假想領域S ’，就可在假想記錄格內，形成同樣的 凹坑Pk，以相同的記.錄位準記錄資料，以極爲簡易的操 作，就可在相同的光記錄媒體1內，以不同的刻錄機1 〇 〇 線速度V，記錄3位元之資料。 本發明並不侷限於以上實施形態，在申請專利範圍所 -34- (32) (32)200407884 記載的範圍內可有各種變更，當然這些亦都包含在本發明 的範圍內。 例如，前記實施形態中，雖然只說明了在光記錄媒體 1的各假想記錄格S內，記錄3位元資料之情形，但本發 明並不侷限於在光記錄媒體1的各假想記錄格S內，記錄 3位元資料之情形，而可廣泛地適用於在光記錄媒體1的 各假想記錄格S內，記錄2.位元以上之資料的情形。 又，前記實施形態中，雖然只說明了在CD-ROM型 的光記錄媒體]的各假想記錄格S內，記錄3位元資料之 情形，但本發明並不侷限於在CD-ROM型的光記錄媒體1 的各假想記錄格S內，記錄3位元資料之情形，而可廣泛 地適用於至少一部份含有ROM ,領域之光記錄媒體內，記 錄2位元以上之資料的情形。 甚至，如第1 1圖與第12圖所示的實施形態中，雖然 在光記錄媒體1的假想記錄格S內形成同樣大小的凹坑 Pk，記錄同樣位準之資料時，無關於刻錄機1 00的線速度 V，設定光阻原盤1 1 〇之感光性材料層1 1 〇b曝光用雷射: 光束1 〇 1的功率以使得雷射先束1 0 1的曝光功率P w及曝 光功率Pw的脈沖寬度成爲同一，但光記錄媒體1的假想 記錄格S內形成同樣大小的凹坑Pk’記錄同樣位準之資 料時，並不一定要設定光阻原盤1 1 0之感光性材料層 1 10b曝光用雷射光束101的功率以使得曝光功率Pw及曝 光功率PW的脈沖寬度成爲同一 ° 又，前記實施形態中，雖然當雷射光束101到達對應 -35- (33) (33)200407884 於光記錄媒體1之假想記錄格S之起始點的感光牲材料層 1 1 〇b之假想領域s’的起始點之時間點上，雷射光束101 的功率，會從基底功率Pb上揚至曝光功率Pw，但使雷射 光束101的功率從從基底功率Pb上揚至曝光功率Pw的 時機可以任意決定。 甚至，第1圖至第11圖所示之實施形態.中，雖然說 明了在光記錄媒體1的各假想記錄格S內，記錄3位元資 料之情況下，設定了分配至假想記錄格S的最大光反射率 Ra與最大相對光反射率RRa以及最小光反射率Rh與最 小相對光反射率RRh ’並在最大光反射率Ra與最小光反 射率Rh之:間，或最大相對光反射率RRa與最小相對·光反 射率RRh之間，略分成七等分，以決定6種彼此互異之 光反射率 R b、R c、R d、R e、P、f、R g，但並無一定要設定. 分配至假想:記錄格S的最大光反射率Ra與最大相對光反 射半RRa以及最小光反射率Rh與最小相對光反.射率RRh ，而是設定分配至假想記錄格S之最大光反射率Ra與最 大相對光反射率RRa或者最小光反射率Rh與最小相對光 反射率RRh，並且以分配至假想記錄格s的最大光反射率 Ra與最大相對光反射率RRa或者最小光反射率Rh與最 小相對光反射率RRh爲基準，只要以在形成有大小互異 之凹坑、記錄有不同記錄位準之資料的假想記錄格s內， 偵測由假想記錄格S所反射之雷射光束，以進行資料再生 之際，可以識別出資料記錄位準不同的光反射率差或相對 先反射率差’來逐一分配相異的光反射率或相對光反射率 -36- (34) (34)200407884 即可。 又，在前記實施形態中，雖然透光性基板11 ’係使 用光記錄媒體用原盤2 0 5 ’藉由射出成形法所製作’但透 光性基板11並不一定要使用射出成形法製作’而# $使 用光記錄媒體用原盤205，藉由光硬化法（2P法）製作。 若根據本發明，可提供光記錄媒體用原盤的製造方法 ，可在假想記錄格內’劃分2N種類之大小不伺的凹坑， 以使假想記錄格的光反射率有2N種類之變化。 又，若根據本發明，可提供光記錄媒體的製造方法， 可在假想記錄格內，劃分2N種類之大小不同的凹坑，以 使假想記錄格的光反射率有種類之變化。

........ V 【圖式簡單說明】 第]圖係本發明之理想實施形態所論之光記錄媒體的 略斜視圖。 ：^ ^ : 第2圖係第1圖所示光記錄媒體的虛線圓圈部份之放 大槪略剖面圖。^ 第3圖係光記錄媒體1之複數假想記錄格S內所形成 之凹坑 Pa、. Pb、Pc、Pd、Pe、Pf、Pg、Ph，和各假想記 錄格S的光反射率之關係圖。 第4圖係本發明理想賓施形態所論之光記錄媒體用原 盤之製造方法中所使用之刻錄機。 第5圖（a)至（f)，係表示光記錄媒體用原盤之製程的 工程圖。 -37- (35) (35)200407884 第6圖（a)至（c)，係表示光記錄媒體1之製程的工程 圖。 第7圖係照射在對應於光記錄媒體的假想記錄格之光 阻原盤的感光性材料層之假想領域上之雷射光束的功率調 變波形之圖示。 第8圖係在光記錄媒體之假想記錄格內，形成最小凹 坑Pa之方法的工程圖。 第9圖係在光記錄媒體之假想記錄格內，形成最大凹 坑Ph之方法的工程圖^ …^ ， 第1 〇圖係在對應於光阻原盤之感光性材料層之假想 記錄格的假想記錄領域上，照射了功率被設定爲曝光功率 之雷射光束之時間，與使周光阻原盤製作成光記錄媒體之〃 假想記錄格的光反射率之關係圖。 第1 1圖係令照射在對應於光阻原盤的感光性材料層' 之假想記錄格之假想領域上的雷射光束的曝光功率Pw改 變時，雷射光束的照射時間與與使用光阻原盤製作成光記 錄媒體之假想記錄格的光反射率之關係圖。‘ 第1 2圖係本發明之其他竇施形態所論之光記錄媒體' 周原盤的製造方法中所用之’照射在對應光記錄媒體的假 想記錄袼之光阻原盤的感光性材料層的假想領域上的雷射 光束的功率之調變波形圖。 第1 3圖令照射在對應於光阻原盤的感光性材料層之 假想記錄格之假想領域上的雷射光束的曝光功率Pw改變 時，雷射光束的照射時間與與使用光阻原盤製作成光記錄 -38- (36) (36)200407884 媒體之假想記錄格的光反射率之關係圖。 主要元件對照表 1 :光記錄媒體 100 :刻錄機 101 :雷射光束 102 :雷射產生裝置 103 :光調變器 104，106 :劈光器 105 :光調變單元 105a 、 105c :透鏡 I 〇5b :光調變器： 105d :.脈沖信號列 ]07 :光學頭 l〇7a :鏡子 l〇7b :透鏡 108 :轉盤 II :透光性基板 . 11〇 :光阻原盤. ll〇a :玻璃基板 1 1 0 b :感光性材料層 1 1 0 c :潛像 2 0 2 :凹部 203 :金屬薄膜 -39- (37)200407884 204 :金屬膜 205 :光記錄媒體用原盤 206 :凸部 2 2 :反射層 2 3 :保護層 Pa〜Ph :凹坑

Ta〜Th :雷射光束照射時間 R a :最大反射率 Rh :最小反射率 S z假想記錄格 S’ ：假想領域 L :假想記錄格S的長度 V :刻錄機100的線速度 RRa :最大相對反射率 RRh :最小相對反射率 Pw :曝光功率 Pb :基底功率 D :雷射光束半徑

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Claims (1)

1. (1) (1)200407884 拾、申請專利範圍 1 · 一種光記錄媒體用原盤之製造方法，係屬於爲了 製造在假想設定之複數假想記錄格（cell)內，形成2N種類 之凹坑（pit)，並記錄有2位元以上之資料的光記錄媒體的 光記錄媒體用原盤之製造方法，其特徵爲具備： 照射雷射光束，使光阻原盤曝光，在前記光阻原盤上 形成圖案的工程；及 將前記光阻原盤上所形成的圖案轉印，以製作光記錄 媒體用原盤之工程；且 呼應前記光記錄媒體之前記虛擬記錄格所分配之最大, 光反射率及/或最小光反射率，設定照射在前記光阻原盤 上的前記雷射光束的曝光功率。、. 2 ·如申請專利範圍第1項之光記錄媒體用原盤:之製 造方法，其中 前記光記錄媒體之前記假想記錄格所分配之最大光反 射率越高，就將照射在前記光阻原盤上的前記雷射光束的 曝光功率設定在越局的位準。 3 .如申請專利範圍第1項之光記錄媒體用原盤之製 造方法，其中 前記光記錄媒體之前記假想記錄格所分配之最小光反 射率越低，就將照射在前記光阻原盤上的前記雷射光束的 曝光功率設定在越低的位準。 4 .如申請專利範圍第2項之光記錄媒體用原盤之製 造方法，其中 -41 - (2) (2)200407884 前記光記錄媒體之前記假想記錄格所分配之最大光反 射率越高，就將照射在前記光阻原盤上的前記雷射光束的 曝光功率設定在越高的位準， 且將最大相對光反射率RRaH與最小相對光反射率 RRhH，設定成滿足 100- RRaH<RRhH。 5 .如申請專利範圍第3項之光記錄媒體用原盤之製 造方法，其中 前記光記錄媒體之前記假想記錄格所分配之最小光反 射率越低，就將照射在前記光阻原盤上的前記雷射光束的 曝光功率設定在越低的位準， 且將最大相對光反射率RRaL與最小相對光反射率 RRhL，設定成滿足 1 00- RRaL<RRhL。 6 · —種光記錄媒體用原盤之製造方法，係屬於爲了 製造在假想設定之複數假想記錄格（cell)內·，形成2N種類 之凹坑（pit)，並記錄有2位元以上之資料的光記錄媒體的 光記錄媒體用原盤之製造方法，其特徵爲具備：..） 照射雷射光束，使光阻原盤曝光，在前記光阻原盤上 形成圖案的工程；及 將前記光阻原盤上所形成的圖案轉印，以製作光記錄 媒體用原盤之工程； 在前記光記錄媒體之前記假想記錄格內，形成同樣大 小的凹坑，記錄同樣記錄位準的之資料時，無關於照射在 前記光阻原盤之雷射光束的線速度，將照射在前記光阻原 盤上之雷射光束的曝光功率及/或曝光功率的脈沖寬度設 -42 - (3) 200407884 定成實質上同一。 7.如申請專利範圍第6項之光記錄媒體用原盤之製 造方法，其中前記光記錄媒體之前記假想記錄格內’形成 同樣大小之凹坑，並記錄同樣記錄位準之資料時’無關於 照射在前記光阻原盤之雷射光束的線速度，將照射在前記 光阻原盤上之雷射光束的爆光功率及曝光功率的脈沖寬度 設定成實質上同一。 8 .如申請專利範圍第6或7項之光記錄媒體用原盤 之製造方法，其中：將照射在前記光狙原盤上之雷射光束 的曝光功率之位準、假想記錄格長度L，以及照射於前記 光阻原盤上的雷射光束的線速度V，設定成：使照射於前 記光阻原盤上的雷射光束的線速度V、假想記錄格長度:L ，以及假想記錄格的光反射率呈實質上飽和所需之照射光: 阻原盤的雷射光束照射時間Ts，滿足Ts S LAV。 ， 9. 一種光記錄媒體之製造方法，係屬於在基板士，： 於假想設定之複數假想記錄格（cell)內，形成:2N種類之凹; 坑（pit)，並記錄有2位元以上之資料的光記錄媒體的光記 錄媒體用原盤之製造方法，其特徵爲具備：.夂t 照射雷射光束，使光阻原盤曝光，在前記光阻原盤上 形成圖案的工程；及 將前記光阻原盤上所形成的圖案轉印，以製作光記錄 媒體用原盤之工程；及 將被轉寫至前記光阻光記錄媒體用原盤之前記圖案轉 印，以製作前記基板之工程；且 -43- (4) (4)200407884 呼應前記光記錄媒體之前記虛擬記錄格所分配之最大 光反射率及/或最小光反射率，設定照射在前記光阻原盤 上的前記雷射光束的曝光功率。 1 〇.如申請專利範圍第9項之光記錄媒體之製造方法 ，其中 前記光記錄媒體之前記假想記錄格所分配之最大光反 射率越高，就將照射在前記光阻原盤上的前記雷射光束的 曝光功率設定在越高的位準 1 1 .如申請專利範僵第9項之光記錄媒體之製造方法 ，其中 前記光記錄媒體之前記假想記錄格所分配之最小光反 射率越低，就將照射在前記光姐原盤上的前記霜射光束的 曝光功率設定在猶低的位準。：… ].2·如申請專利範圍第10項之光記錄媒體之製造方 法，其中 , : ：. -. .· 前記光記錄媒體之前記假想記錄格所分配:之最大光反 射率越高，就將照射在前:記光阻原盤上的前記雷射光束的 ； r" ： ； ； 曝光功率設定在越高:的位準， 且將最大相對光反射率RRaH與最小相對光反射率 RRliH，設定成滿足 100- RRaH<RRhH 〇 1 3 .如申請專利範圍第1 1項之光記錄媒體之製造方 法，其中 前記光記錄媒體之前記假想記錄格所分配之最小光反 射率越低，就將照射在前記光阻原盤上的前記雷射光束的 -44 - (5) (5)200407884 曝光功率設定在越低的位準， 且將最大相對光反射率RRaL與最小相對光反射率 RRhL，設定成滿足 1 00- RRaL<RRhL ° 14. 一種光記錄媒體之製造方法，係屬於在基板上， 於假想設定之複數假想記錄格（cell)內，形成2N種顏之凹 坑（pit)，並記錄有2位元以上之資料的光記錄媒體之製造 方法，其特徵爲具備： 照射雷射光束，使光阻原盤曝光，在前記光阻原盤土 形成圖案的工程；及 將前記光阻原盤上所形成的圖案轉印，以製作光記錄 媒體用原盤之工程：及 將被轉寫至前記光阻光記錄媒體用原盤之前記圖案轉 印，以製作前記基板之工程；且 在前記光記錄媒體之前記假想記錄格內，形成同樣大 小的凹坑，記錄同樣記錄位準的之資料時，無關於照射在 前記光阻原盤之雷射光束的線速度，將照射在前記光阻原 盤上之雷射光束的曝光功率及/或曝光功率的脈沖寬度設 定成實質上同一。 1 5 ·如申請專利範圍第】4項之光記錄媒體之製造方 法，其中前記光記錄媒體之前記假想記錄格內，形成同樣 大小之凹坑，並記錄同樣記錄位準之資料時，無關於照射 在前記光阻原盤之雷射光束的線速度，將照射在前記光阻 原盤上之雷射光束的曝光功率及曝光功率的脈沖寬度設定 成實質上同一。 (6) 200407884 1 6 ·如申請專利範圍第1 4或1 5項之光記錄媒體之製 造方法，其中：將照射在前記光阻原盤上之雷射光束的曝 光功率之位準、假想記錄格長度L，以及照射於前記光阻 原盤上的雷射光束的線速度V，設定成：使照射於前記光 阻原盤上的雷射光束的線速度V、假想記錄格長度L，以 及假想記錄格的光反射率呈實質上飽和所需之照射光阻原 盤的雷射光束照射時間Ts，滿足L/V。 -46 -